JP2002372127A - Shim with dlc - Google Patents

Shim with dlc

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JP2002372127A
JP2002372127A JP2001176806A JP2001176806A JP2002372127A JP 2002372127 A JP2002372127 A JP 2002372127A JP 2001176806 A JP2001176806 A JP 2001176806A JP 2001176806 A JP2001176806 A JP 2001176806A JP 2002372127 A JP2002372127 A JP 2002372127A
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carbon
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康浩 松場
Yasushi Hashimoto
靖 橋本
Izumi Miyauchi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the slide wear between a cam and a follower or a tappet used in a power transmission system for controlling the opening/closing of a fuel valve of an engine. SOLUTION: In a shim formed of a metal material which is used in a transmission system to transmit the driving force by the rotational motion of the cam to a reciprocating member, an intermediate layer comprising at least one kind of metal film selected from (a) a silicide or silica-carbide mainly consisting of at least one selected from 5A group metal (V, Nb and Ta), 6A group metal (Cr, Mo and W), Ti and Zr, (b) a metal film mainly consisting of at least one kind selected from 5A group metal (V, Nb and Ta) and an Si film or a metal film mainly consisting of Si which is formed thereon, or (c) a metal film of at least one kind selected from 5A group metal (V, Nb and Ta), 6A group metal (Cr, Mo and W), Ti, and Zr, and a silicon carbide film formed thereon, and at least one layer of diamond-like carbon film are formed in this order on a surface of the shim which is slidably engaged with the metal cam fixed to the surface of the reciprocating member. Alternatively, a diamond-like carbon film containing at least H, Si and O is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は自動車等の内燃機関
において、カムの回転運動による駆動力を、往復運動に
変換する動力伝達系に使用される金属材料製のシムに関
し、特に、耐摩耗膜を設けたシムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shim made of a metal material used in a power transmission system for converting a driving force due to a rotational motion of a cam into a reciprocating motion in an internal combustion engine of an automobile or the like. Regarding the shim provided.

【0002】[0002]

【従来の技術】自動車エンジン等の内燃機関において、
カムの回転運動による駆動力を、タペット等の往復運動
部材を介して燃料バルブ等に伝達するための動力伝達系
が使用されている。カムは、駆動力をタペット等に伝達
するように接触対象例えばタペットに固定されたシムの
面と当接され高面圧を受けながら摺動するため、カム面
もまたシム面も摩耗損傷が激しくなる。特にOHC(オ
ーバーヘッドカム軸)方式のエンジンではカムとタペッ
ト(若しくはシム)との間隔の調整作業が重要であり、
これらの調整が不十分であると、騒音の発生源になるな
どの不具合を生じたり、調整を行ってもこれらの部品の
摩耗が激しいと所望の間隔からずれたりすることで、摩
擦損失によりエンジン馬力の低下を引き起こし、燃費の
低下を招くおそれがあった。さらに相手材とのかじりが
発生して使用不可能になってしまうおそれがあった。
2. Description of the Related Art In an internal combustion engine such as an automobile engine,
2. Description of the Related Art A power transmission system for transmitting a driving force due to a rotational motion of a cam to a fuel valve or the like via a reciprocating member such as a tappet is used. Since the cam is in contact with the contact object, for example, the surface of a shim fixed to the tappet, so as to transmit the driving force to the tappet and slides while receiving a high surface pressure, the cam surface and the shim surface are severely worn and damaged. Become. Especially in the case of an OHC (overhead camshaft) type engine, it is important to adjust the interval between the cam and the tappet (or shim).
If these adjustments are inadequate, they may cause problems such as a source of noise, or even if the adjustments are made, if the wear of these parts is severe, they will deviate from the desired interval. This could cause a reduction in horsepower and a reduction in fuel economy. In addition, there is a possibility that it may become unusable due to galling with the partner material.

【0003】燃料バルブを開閉するための動力伝達系の
若干の例を示すと、図1は突き棒方式の伝達系であり、
エンジン出力を伝動するクランクシャフトから駆動され
る軸1に固定されたカム3は、タペット7の下面に摺接
しながら回転する。これにより往復運動するタペット7
は突き棒9を介してロッカーアーム軸15に支承された
ロッカーアーム13の一端に動力を伝達してそれを揺動
させる。ロッカーアーム13の他端は、リテーナー19
に保持されたばね17に支持されたバルブ棒21をカム
3のタイミングで押圧して燃料バルブ23を開閉させ、
燃料をエンジンのピストン/シリンダーに供給する。カ
ム軸1とシム5の間隔は調整ねじ11により調整され
る。図2はOHC方式の一種であるダブルオーバヘッド
カム(DOHC)方式を使用した伝達系の例を示し、エ
ンジン出力を伝動するクランクシャフトから駆動される
軸1、1’に固定されたカム3、3’は、タペット7、
7’の上面に摺接しながら回転する。これにより往復運
動するタペット7、7’は、その内部にリテーナー1
9、19’で保持されたばね17、17’に支持された
バルブ棒21、21’をカム3、3’のタイミングで押
圧して燃料バルブ23、および排気バルブ23’を開閉
させ、燃料をエンジンのピストン/シリンダーに供給お
よび排気する。
FIG. 1 shows a power transmission system for opening and closing a fuel valve. FIG.
The cam 3 fixed to the shaft 1 driven by a crankshaft that transmits the engine output rotates while sliding on the lower surface of the tappet 7. This allows the tappet 7 to reciprocate.
Transmits power to one end of the rocker arm 13 supported on the rocker arm shaft 15 via the push rod 9 to swing it. The other end of the rocker arm 13 is
The fuel rod 23 is opened and closed by pressing the valve rod 21 supported by the spring 17 held at the timing by the timing of the cam 3,
Supply fuel to the piston / cylinder of the engine. The interval between the camshaft 1 and the shim 5 is adjusted by an adjusting screw 11. FIG. 2 shows an example of a transmission system using a double overhead cam (DOHC) system, which is a kind of the OHC system, in which cams 3 and 3 fixed to shafts 1 and 1 'driven by a crankshaft for transmitting engine output. 'Is the tappet 7,
It rotates while sliding on the upper surface of 7 '. As a result, the reciprocating tappets 7, 7 'are provided with a retainer 1 therein.
The fuel rod 23 and the exhaust valve 23 'are opened and closed by pressing the valve rods 21 and 21' supported by the springs 17 and 17 'held at 9 and 19' at the timing of the cams 3 and 3 ', and the fuel is supplied to the engine. And exhaust to the piston / cylinder.

【0004】カムとタペットの当接面は、それらの間隔
に依存して或いはばね8の力により大きい摩擦作用を受
けるので、カム表面と相手部材の当接面の間には十分な
低摩擦性と耐摩耗性を付与する必要がある。この問題を
解決するために、特開平11−280419号では図3
に示したようにカム3と当接するタペット7の端面に耐
摩耗性の高いダイヤモンド状炭素膜(DLC)よりなる
シムを設けることが記載されている。しかし、同文献に
はダイヤモンド状炭素膜製のシム単独では十分な耐摩耗
性が得られず、さらにカム面をRaで0.08μm以下
に精密研磨しなければならないと記載されている。他の
対策としては特開平11−280419号に、金属合金
基材の上にカム摺動面よりも高硬度な材料例えばダイヤ
モンド状薄膜を被覆し、その表面を十点平均表面粗さR
zが0.07〜0.2μmに仕上げたシムと、焼結金属
等の多数の潤滑油を保持する開口気孔を形成したカムと
の組み合わせを記載している。
The contact surface between the cam and the tappet is subjected to a greater frictional action depending on the distance between them and the force of the spring 8, so that there is sufficient low friction between the cam surface and the contact surface of the mating member. And it is necessary to impart abrasion resistance. In order to solve this problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-280419 discloses FIG.
It is described that a shim made of a diamond-like carbon film (DLC) having high abrasion resistance is provided on the end face of the tappet 7 in contact with the cam 3 as shown in FIG. However, the document describes that a shim made of a diamond-like carbon film alone cannot provide sufficient wear resistance, and that the cam surface must be precisely polished to an Ra of 0.08 μm or less. As another countermeasure, JP-A-11-280419 discloses a method in which a material having a hardness higher than that of the cam sliding surface, for example, a diamond-like thin film is coated on a metal alloy base material, and the surface is coated with a ten-point average surface roughness R.
It describes a combination of a shim having a z of 0.07 to 0.2 μm and a cam having an open pore for holding a large number of lubricating oils such as sintered metal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】特開平11−2804
19号に記載された技術では、耐摩耗性の高いダイヤモ
ンド状炭素膜よりなるシムに対して、カム面をRaで
0.08μm以下に鏡面研磨しなければならない問題が
ある。カム面の研磨工程は、手間と時間のかかる工程で
あり、能率が悪く、コストがかさむ問題がある。一方特
開平11−280419号に記載された技術では、シム
の仕上げ面は比較的粗くてもよいが、カム摺動面に多数
の開口気孔を形成してそこに潤滑油を保持させなければ
ならない問題がある。本発明は、カム面やシム面の精密
研磨を行う必要が無く、耐摩耗を向上したシムを提供す
ることを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-2804
In the technique described in No. 19, there is a problem that the cam surface must be mirror-polished to 0.08 μm or less in Ra with respect to a shim made of a diamond-like carbon film having high wear resistance. The step of polishing the cam surface is a time-consuming and time-consuming step, and is inefficient and costly. On the other hand, in the technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-280419, the finished surface of the shim may be relatively rough, but a large number of open pores must be formed in the cam sliding surface to hold lubricating oil there. There's a problem. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a shim with improved wear resistance without the necessity of precisely polishing a cam surface or a shim surface.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、カムの回転運
動による駆動力を、往復運動部材に伝達するための伝達
系に使用される金属材料製のシムの改良に関する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in a shim made of a metal material used in a transmission system for transmitting a driving force due to a rotational movement of a cam to a reciprocating member.

【0007】シム (1)本発明は、カムに摺動するように前記往復運動部
材の面に固定された前記シム表面に、(a)第5A族金
属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
を主成分とする珪化物または珪炭化物、(b)第5A族
金属(V、Nb、Ta)より選択された少なくとも一種
を主成分とする金属膜とその上に形成されたSi膜また
はSiを主成分とする金属膜、または(c)第5A族金
属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
の金属膜とその上に形成された炭化珪素膜、よりなる中
間層と、ダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層をこの
順に形成したことを特徴とするシムを提供する。 (2)上記において、ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と
水素とからなり、その組成をCHnをモル比で表したと
き、 0.05≦n≦0.7 で表されるダイヤモンド状炭素膜、または、珪素を含
み、酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をCH
xSiyOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層より
なる。 (3)好ましくは上記(1)において、前記ダイヤモン
ド状炭素膜は、CHxSiyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びCHn (但し0.05≦n≦0.7)で表されるダイヤモンド
状炭素膜の少なくとも2層を形成するか、またはこれら
の組成の一方の組成から他方の組成に連続的に変化した
層を形成する。 (4)本発明の別の形態では、カムの回転運動による駆
動力を、往復運動部材に伝達する伝達系に使用される金
属材料製のシムにおいて、前記カムと摺動するように前
記往復運動部材の面に固定され金属製シムの表面に、珪
素を含み、酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成
をCHxSiyOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層を形
成する。 (5)上記(4)において、前記ダイヤモンド状炭素膜
は、CHxSiyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びその上に形成さ
れたCHn(但し0.05≦n≦0.7)で表されるダ
イヤモンド状炭素膜の少なくとも2層を形成するか、ま
たはこれらの組成の前者の組成から後者の組成に連続的
に変化した層を形成する。
Shim (1) According to the present invention, there are provided (a) a Group 5A metal (V, Nb, Ta), and a 6A on a surface of the shim fixed to a surface of the reciprocating member so as to slide on a cam. Group metals (Cr, Mo,
W) a silicide or silicide mainly composed of at least one selected from Ti and Zr; (b) a metal mainly composed of at least one selected from Group 5A metals (V, Nb, Ta) A film and a Si film formed thereon or a metal film containing Si as a main component, or (c) a Group 5A metal (V, Nb, Ta) or a Group 6A metal (Cr, Mo,
W) an intermediate layer composed of at least one metal film selected from Ti, Zr and a silicon carbide film formed thereon, and at least one layer of a diamond-like carbon film formed in this order. Provide a sim to do. (2) In the above, the diamond-like carbon film is composed of carbon and hydrogen, and when its composition is represented by a molar ratio of CHn, a diamond-like carbon film represented by 0.05 ≦ n ≦ 0.7, or , Containing silicon, and may contain oxygen, nitrogen, and fluorine.
When represented by xSiyOzNvFw, a diamond represented by the following formula: 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 0 ≦ v ≦ 1.0 0 ≦ w ≦ 0.2 It consists of at least one layer of a carbon-like film. (3) Preferably, in the above (1), the diamond-like carbon film is formed of CHxSiyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2) and at least two layers of a diamond-like carbon film represented by CHn (where 0.05 ≦ n ≦ 0.7) Or a layer in which one of these compositions is continuously changed to the other. (4) In another aspect of the present invention, in a shim made of a metal material used for a transmission system for transmitting a driving force due to a rotational movement of a cam to a reciprocating member, the reciprocating movement is performed so as to slide on the cam. The surface of the metal shim fixed to the surface of the member may contain silicon, and may contain oxygen, nitrogen and fluorine. When the composition is represented by CHxSiyOzNvFw, 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ At least one layer of a diamond-like carbon film represented by y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 0 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2 is formed. (5) In the above (4), the diamond-like carbon film is formed of CHxSiyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1. 0 ≦ w ≦ 0.2) and at least two layers of a diamond-like carbon film represented by CHn (0.05 ≦ n ≦ 0.7) formed thereon. Or a layer in which these compositions are continuously changed from the former composition to the latter composition.

【0008】シムとカムの組み合わせ (6)本発明の他の形態において、更に、上記(1)〜
(5)のいずれかの前記シムとカムとの組み合せにおい
て、前記カムの前記シムと摺動係合する表面に、ダイヤ
モンド状炭素膜を形成する。 (7)この場合において、前記ダイヤモンド状炭素膜
は、炭素と水素とからなり、その組成をCHnをモル比
で表したとき、 0.05≦n≦0.7 で表されるダイヤモンド状炭素膜、および珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をCHxS
iyOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層より
なる。 (8)好ましくは前記(6)において、ダイヤモンド状
炭素膜は、CHxSiyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びCHn (但し0.05≦n≦0.7)で表されるダイヤモンド
状炭素膜の少なくとも2層を形成するか、またはこれら
の組成の一方の組成から他方の組成に連続的に変化した
層を形成したことを特徴とする。 (9)更に好ましくは、上記(6)〜(8)において、
カムの表面とその面に形成したダイヤモンド状炭素膜の
間に(a)第5A族金属(V、Nb、Ta)、第6A族
金属(Cr、Mo、W)、Ti、およびZrより選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする珪化物または珪炭化
物、(b)第5A族金属(V、Nb、Ta)より選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする金属膜とその上に形
成されたSi膜またはSiを主成分とする金属膜、また
は(c)第5A族金属(V、Nb、Ta)、第6A族金
属(Cr、Mo、W)、Ti、およびZrより選択され
た少なくとも一種の金属膜とその上に形成された炭化珪
素膜、よりなる中間層と、ダイヤモンド状炭素膜の少な
くとも1層をこの順に形成する。
Combination of shim and cam (6) In another embodiment of the present invention, the above (1) to (1)
(5) In any one of the combinations of the shim and the cam, a diamond-like carbon film is formed on a surface of the cam that is slidably engaged with the shim. (7) In this case, the diamond-like carbon film is composed of carbon and hydrogen, and when its composition is represented by a molar ratio of CHn, the diamond-like carbon film is represented by 0.05 ≦ n ≦ 0.7. , And silicon,
Oxygen, nitrogen and fluorine may be contained, and the composition is CHxS
When represented by iyOzNvFw, diamond represented by the following formula: 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.0 0 ≦ v ≦ 1.0 0 ≦ w ≦ 0.2 It consists of at least one layer of a carbon-like film. (8) Preferably, in the above (6), the diamond-like carbon film is formed of CHxSiyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1 0.00 ≦ w ≦ 0.2), and at least two layers of a diamond-like carbon film represented by CHn (where 0.05 ≦ n ≦ 0.7). Alternatively, a layer is formed in which one of these compositions is continuously changed from the other composition to the other composition. (9) More preferably, in the above (6) to (8),
(A) a group 5A metal (V, Nb, Ta), a group 6A metal (Cr, Mo, W), Ti, or Zr selected between the surface of the cam and the diamond-like carbon film formed on the surface; (B) a metal film mainly composed of at least one selected from Group 5A metals (V, Nb, Ta) and a Si film formed thereon; Or a metal film containing Si as a main component, or (c) at least one metal selected from Group 5A metals (V, Nb, Ta), Group 6A metals (Cr, Mo, W), Ti, and Zr An intermediate layer composed of a film, a silicon carbide film formed thereon, and at least one layer of a diamond-like carbon film are formed in this order.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明者等は、従来の技術による
シムに形成したダイヤモンド状薄膜(DLC膜)が、比
較的表面粗さの大きいカムと組み合わせて使用されると
き、大きい摩耗を生じる理由を探求した結果、シムの金
属基材とダイヤモンド状薄膜の密着性に問題があり、そ
のため長期の使用が不能となることを見い出した。本発
明者等は、鋭気研究した結果、シムに被覆するダイヤモ
ンド状薄膜の材質を適正に選択することおよび/または
適正な中間層を使用することにより密着性を向上し、耐
摩耗性を格段に向上することが出来た。本発明の構成を
有するシムを採用すると、カムの表面粗さは0.08μ
m以下に精密研磨する必要がなく、0.1μmよりも粗
い表面粗さでも十分な耐摩耗性を備える。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present inventors have found that diamond-like thin films (DLC films) formed on shims according to the prior art cause significant wear when used in combination with cams having relatively high surface roughness. As a result of exploring the reason, it was found that there was a problem in the adhesion between the metal substrate of the shim and the diamond-like thin film, which made long-term use impossible. The present inventors have conducted intensive studies and found that by appropriately selecting the material of the diamond-like thin film to be coated on the shim and / or by using an appropriate intermediate layer, the adhesion was improved and the wear resistance was markedly improved. Could be improved. When the shim having the structure of the present invention is employed, the surface roughness of the cam is 0.08 μm.
m is not required to be precisely polished, and sufficient abrasion resistance is provided even with a surface roughness greater than 0.1 μm.

【0010】すなわち、本発明は、少なくともシムの面
とダイヤモンド状炭素膜との間に、(a)第5A族金属
(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
を主成分とする珪化物または珪炭化物、(b)第5A族
金属(V、Nb、Ta)より選択された少なくとも一種
を主成分とする金属膜とその上に形成されたSi膜また
はSiを主成分とする金属膜、または(c)第5A族金
属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
の金属膜とその上に形成された炭化珪素膜、よりなる中
間層を設ける。このような中間層を形成すると、ダイヤ
モンド状炭素膜に特に制限はない。Hを含有するダイヤ
モンド状炭素膜、HとSiを含有するダイヤモンド状炭
素膜、またはこれらの組み合わせ、或いはこれらの一方
から他方の組成に連続的に組成を変えるダイヤモンド状
炭素膜を使用することができる。
That is, according to the present invention, (a) a Group 5A metal (V, Nb, Ta) and a Group 6A metal (Cr, Mo,
W) a silicide or silicide mainly composed of at least one selected from Ti and Zr; (b) a metal mainly composed of at least one selected from Group 5A metals (V, Nb, Ta) A film and a Si film formed thereon or a metal film containing Si as a main component, or (c) a Group 5A metal (V, Nb, Ta) or a Group 6A metal (Cr, Mo,
An intermediate layer comprising at least one metal film selected from W), Ti, and Zr and a silicon carbide film formed thereon is provided. When such an intermediate layer is formed, the diamond-like carbon film is not particularly limited. A diamond-like carbon film containing H, a diamond-like carbon film containing H and Si, a combination thereof, or a diamond-like carbon film that continuously changes its composition from one to the other can be used. .

【0011】また、本発明によると、中間層を使用しな
くても少なくともシムの表面に、HとSiを含有するダ
イヤモンド状炭素膜を形成すれば、耐摩耗性を大幅に向
上することが可能となる。この場合に、HとSiを含有
するダイヤモンド状炭素膜の上に、さらにHを含有する
ダイヤモンド状炭素膜を形成することも可能であり、更
なる耐摩耗性の向上が期待できる。以下簡単のためにダ
イヤモンド状炭素膜をDLCと略することがある。又、
本発明では上記のようにシムを処理するほか、カムの表
面にもダイヤモンド状炭素膜を直接又は中間層を介在し
て形成することにより耐摩耗を一層向上することができ
る。
Further, according to the present invention, the abrasion resistance can be greatly improved by forming a diamond-like carbon film containing H and Si on at least the surface of the shim without using an intermediate layer. Becomes In this case, a diamond-like carbon film containing H can be further formed on the diamond-like carbon film containing H and Si, and further improvement in wear resistance can be expected. Hereinafter, the diamond-like carbon film may be abbreviated as DLC for simplicity. or,
In the present invention, in addition to treating the shim as described above, the wear resistance can be further improved by forming a diamond-like carbon film on the cam surface directly or with an intermediate layer interposed.

【0012】本発明でカムおよびシムの基材として使用
できる材料は、従来から斯界で慣用されている任意の材
料が使用できる。これらの材料としては例えば各種の炭
素鋼や鋳鉄など(ねずみ鋳鉄、球状黒鉛鋳鉄、可鍛鋳
鉄、合金鋳鉄など)、鋳鋼などで、超強靱鋼(SNCM
420、SCM440、SCM420、SCR420、
H11など)、高速度工具鋼(ハイス鋼:JIS規格の
SKH系)、合金工具鋼(ダイス鋼:SKD6など)、
マルエージ鋼(KMS180−20など)、オースフォ
ーム鋼、ステンレス鋼(SUS304、SUS430、
17−4PHなど)、軸受鋼(SUJ2など)、Al合
金(AC4Cなど)、Ti合金等が挙げられる。
As the material which can be used as the base material of the cam and the shim in the present invention, any material conventionally used in the art can be used. Examples of these materials include various types of carbon steel and cast iron (gray cast iron, spheroidal graphite cast iron, malleable cast iron, alloy cast iron, etc.), cast steel and the like, and ultra-high toughness steel (SNCM).
420, SCM440, SCM420, SCR420,
H11), high-speed tool steel (high-speed steel: JIS standard SKH), alloy tool steel (die steel: SKD6, etc.),
Maraging steel (KMS180-20 etc.), ausform steel, stainless steel (SUS304, SUS430,
17-4PH), bearing steel (such as SUJ2), Al alloy (such as AC4C), and Ti alloy.

【0013】これらの基材となる金属に対して、適当な
条件で焼き入れして材料の硬度を向上させたものを使用
しても良い。焼き入れには例えば、高周波焼き入れ、炎
焼き入れ、浸炭焼き入れなどが使用できる。またこれら
の基材上か、焼き入れ後の基材に対し、表面硬化処理を
施し、その上にダイヤモンド状炭素膜或いは中間層を介
在してダイヤモンド状炭素膜をコーティングしても良
い。表面硬化処理としては、例えば窒化、浸炭、硼化処
理がある。
[0013] The metal used as the base material may be quenched under appropriate conditions to improve the hardness of the material. For quenching, for example, induction hardening, flame quenching, carburizing quenching and the like can be used. Further, a surface hardening treatment may be performed on these substrates or on the quenched substrate, and a diamond-like carbon film or a diamond-like carbon film may be coated thereon with an intermediate layer interposed therebetween. Examples of the surface hardening include nitriding, carburizing, and boring.

【0014】中間層 次に、本発明で使用する中間層は、(a)第5A族金属
(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
を主成分とする珪化物または珪炭化物、(b)第5A族
金属(V、Nb、Ta)より選択された少なくとも一種
を主成分とする金属膜とその上に形成されたSi膜また
はSiを主成分とする金属膜、または(c)第5A族金
属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、Mo、
W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも一種
の金属膜とその上に形成された炭化珪素膜、であること
を述べたが、これらは本発明者等による特開2000−
178736、同2000−178737、同2000
−177046、同2000−178738、同200
0−90842等に記載されている。
Intermediate Layer Next, the intermediate layer used in the present invention comprises (a) a Group 5A metal (V, Nb, Ta) and a Group 6A metal (Cr, Mo,
W) a silicide or silicide mainly composed of at least one selected from Ti and Zr; (b) a metal mainly composed of at least one selected from Group 5A metals (V, Nb, Ta) A film and a Si film formed thereon or a metal film containing Si as a main component, or (c) a Group 5A metal (V, Nb, Ta) or a Group 6A metal (Cr, Mo,
W), at least one metal film selected from Ti and Zr, and a silicon carbide film formed thereon.
178736, 2000-178737, 2000
177,046, 2000-178,738, 200
0-90842 and the like.

【0015】上記(a)の中間層の場合、組成をMSi
aCb(ただし、MはV、Nb、Ta、Cr、Mo、W、
TiおよびZrのいずれか一種以上である)と表したと
き、0.3≦a≦10、好ましくは1≦a≦6、0≦b
≦5、好ましくは0≦b≦3、0.3≦a+b≦10、
好ましくは1≦a+b≦6である。aがこれより大きく
て珪素が多くなると、母材との密着力が悪くなる。aが
これより小さくて珪素が少なくなると、DLC膜との密
着力が悪くなる。bがこれより大きくて炭素が多くなる
と、母材との密着力が悪くなる。bがこれより小さくて
炭素が少なくなると、DLC膜との密着力が悪くなる。
また、a+bがこれより大きくても母材との密着力が悪
くなり、a+bがこれより小さくてもDLC膜との密着
力が悪くなる。
In the case of the intermediate layer (a), the composition is MSi
aCb (where M is V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,
At least one of Ti and Zr), 0.3 ≦ a ≦ 10, preferably 1 ≦ a ≦ 6, 0 ≦ b
≦ 5, preferably 0 ≦ b ≦ 3, 0.3 ≦ a + b ≦ 10,
Preferably, 1 ≦ a + b ≦ 6. If a is larger than this and the amount of silicon increases, the adhesion to the base material deteriorates. If a is smaller than this and silicon is small, the adhesion to the DLC film will be poor. When b is larger than this and the amount of carbon is large, the adhesion to the base material is deteriorated. When b is smaller than this and carbon is reduced, the adhesion to the DLC film is deteriorated.
Also, if a + b is larger than this, the adhesion to the base material will be poor, and if a + b is smaller than this, the adhesion to the DLC film will be poor.

【0016】中間層は、2nm〜5μmの厚さであるこ
とが好ましく、さらには5nm〜1μmの厚さであるこ
とが好ましい。このような厚さとすることで密着性が向
上する。これに対し、中間層が薄すぎると密着性向上の
効果が十分ではなくなり、厚すぎると耐衝撃性が悪くな
ってくる。
The thickness of the intermediate layer is preferably 2 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm. With such a thickness, the adhesion is improved. On the other hand, if the intermediate layer is too thin, the effect of improving the adhesion will not be sufficient, and if it is too thick, the impact resistance will deteriorate.

【0017】本発明の中間層は、真空蒸着法、スパッタ
法、イオンプレーティング法等のPVD法や熱CVD
法、プラズマCVD法、光CVD法等のCVD法によっ
て形成することができる。また、湿式メッキ法、溶射、
クラッド接合等により形成してもよい。具体的には公知
の方法による。特に、本発明の中間層はスパッタ法によ
り形成することが好ましい。この場合、目的とする組成
に応じたターゲットを用い、高周波電力、交流電力、直
流電力のいずれかを付加し、ターゲットをスパッタし、
これを母材(基板)上にスパッタ堆積させることにより
中間層を形成する。
The intermediate layer of the present invention can be formed by a PVD method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or a thermal CVD method.
It can be formed by a CVD method such as a plasma CVD method, a photo CVD method, or the like. Wet plating, thermal spraying,
It may be formed by clad bonding or the like. Specifically, a known method is used. In particular, the intermediate layer of the present invention is preferably formed by a sputtering method. In this case, using a target corresponding to the target composition, high-frequency power, AC power, or any of DC power is added, the target is sputtered,
This is sputter deposited on a base material (substrate) to form an intermediate layer.

【0018】ターゲットは、通常、中間層と同じ組成の
ものを用いればよいが、Ta等の金属とSi等の金属と
をターゲットとする多元スパッタとしてもよいし、反応
性スパッタでCやSiを導入する場合はその成分を含ま
ないターゲットを用いることができる。
Usually, the target may have the same composition as that of the intermediate layer. However, it may be a multi-source sputtering which targets a metal such as Ta and a metal such as Si, or C or Si by reactive sputtering. When introducing, a target not containing the component can be used.

【0019】スパッタガスには、通常のスパッタ装置に
使用される不活性ガスが使用できる。中でも、Ar、K
r、Xeのいずれか、あるいは、これらの少なくとも1
種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好ましい。
また、反応性スパッタを行ってもよく、反応性ガスとし
ては、炭素を導入する場合には、CH4、C22、C2
4、CO等を用い、珪素を導入する場合には、シランガ
ス等を用いる。また、水素を導入する場合には、H2
を用いる。これらの反応性ガスは単独で用いても、2種
以上を混合して用いてもよい。スパッタ時の動作圧力
は、0.2〜70Paの範囲が好ましい。また、成膜中
にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させること
により、濃度勾配を有する中間層を容易に得ることがで
きる。
As the sputtering gas, an inert gas used in a usual sputtering apparatus can be used. Above all, Ar, K
r or Xe, or at least one of these
It is preferable to use a mixed gas containing at least one kind of gas.
Reactive sputtering may be performed. When carbon is introduced as a reactive gas, CH 4 , C 2 H 2 , C 2 H
4. When introducing silicon using CO or the like, silane gas or the like is used. When hydrogen is introduced, H 2 or the like is used. These reactive gases may be used alone or as a mixture of two or more. The operating pressure during sputtering is preferably in the range of 0.2 to 70 Pa. Further, by changing the pressure of the sputtering gas within the above range during the film formation, an intermediate layer having a concentration gradient can be easily obtained.

【0020】スパッタ法としては、RF電源を用いた高
周波スパッタ法を用いても、DCスパッタ法を用いても
よい。スパッタ装置の電力としては、DCスパッタで
0.5〜30W/cm2程度、高周波スパッタで周波数
1〜50MHz、低周波では50kHz〜1MHz、
0.5〜30W/cm2程度が好ましい。成膜速度は1
〜300nm/minの範囲が好ましい。また、基板温
度は10〜150℃であることが好ましい。
As the sputtering method, a high frequency sputtering method using an RF power source or a DC sputtering method may be used. The power of the sputtering apparatus is about 0.5 to 30 W / cm 2 for DC sputtering, 1 to 50 MHz for high frequency sputtering, and 50 kHz to 1 MHz for low frequency.
It is preferably about 0.5 to 30 W / cm 2 . The deposition rate is 1
The range of -300 nm / min is preferable. Further, the substrate temperature is preferably 10 to 150 ° C.

【0021】また、本発明の中間層は蒸着法により形成
してもよい。蒸着法としては、抵抗加熱方式であっても
電子ビーム加熱方式であってもよい。蒸着源には、Ta
等の金属とSiとを用いる2元蒸着であっても、中間層
と同じ組成のものを用いる1元蒸着であってもよい。1
元蒸着でも、膜組成は蒸着源の組成とほぼ同じものが経
時的に安定して得られる。真空蒸着の条件は特に限定さ
れないが、真空度は10-3Pa以下、特に10-4Par
以下が好ましい。成膜速度は、通常、1〜300nm/
min程度が好ましい。
Further, the intermediate layer of the present invention may be formed by a vapor deposition method. The evaporation method may be a resistance heating method or an electron beam heating method. The evaporation source is Ta
Or a single vapor deposition using the same composition as the intermediate layer. 1
Even in the original deposition, a film composition substantially the same as the composition of the deposition source can be obtained stably with time. The conditions for vacuum deposition are not particularly limited, but the degree of vacuum is 10 −3 Pa or less, particularly 10 −4 Par.
The following is preferred. The deposition rate is usually 1 to 300 nm /
min is preferable.

【0022】また、中間層は、プラズマCVD法、イオ
ン化蒸着法によっても形成でき、その場合、後述するD
LC膜を参考にして成膜すればよい。
The intermediate layer can also be formed by a plasma CVD method or an ionization vapor deposition method.
The film may be formed with reference to the LC film.

【0023】ダイヤモンド状炭素膜 ダイヤモンド状炭素(DLC)膜は、ダイヤモンド様炭
素膜、i−カーボン膜等と称されることもある。ダイヤ
モンド状炭素膜については、例えば、特開昭62−14
5646号公報、同62−145647号公報、New
Diamond Forum、第4巻第4号(昭和6
3年10月25日発行)等に記載されている。
Diamond-like carbon film A diamond-like carbon (DLC) film is sometimes called a diamond-like carbon film, an i-carbon film, or the like. The diamond-like carbon film is disclosed in, for example, JP-A-62-14.
Nos. 5646 and 62-145647, New
Diamond Forum, Vol. 4 No. 4 (Showa 6
Issued October 25, 2013).

【0024】DLC膜は、上記文献(New Diam
ond Forum)に記載されているように、ラマン
分光分析において、1550cm-1にブロードな(15
20〜1560cm-1)ラマン吸収のピークを有し、1
333cm-1に鋭いピークを有するダイヤモンドや、1
581cm-1に鋭いピークを有するグラファイトとは、
明らかに異なった構造を有する物質である。DLC膜の
ラマン分光分析における吸収ピークは、上記のように1
550cm -1にブロード(1520〜1560cm-1
な吸収を有するが、炭素および水素以外の上記元素を含
有することにより、これから±100cm-1程度変動す
る場合もある。DLC膜は、炭素と水素とを主成分とす
るアモルファス状態の薄膜であって、炭素同士のsp3
結合がランダムに存在することによって形成されてい
る。DLC膜はCHnで表したとき、モル比で0.05
≦n≦0.7である。
The DLC film is described in the above-mentioned reference (New Diam).
as described in Raman
1550 cm for spectroscopic analysis-1(15
20-1560cm-11) having a peak of Raman absorption;
333cm-1Diamonds with sharp peaks at
581cm-1Graphite with a sharp peak at
It is a substance with a distinctly different structure. DLC film
The absorption peak in Raman spectroscopy is 1 as described above.
550cm -1Broad to (1520 ~ 1560cm-1)
But has the above-mentioned elements other than carbon and hydrogen.
By having, from now on ± 100cm-1Fluctuate
In some cases. The DLC film mainly contains carbon and hydrogen.
A thin film in an amorphous state, wherein the carbon-to-carbon sp3
Formed by the random presence of bonds
You. When the DLC film is represented by CHn, the molar ratio is 0.05
≦ n ≦ 0.7.

【0025】本発明において、DLC膜の厚さは、通
常、1〜10μm、好ましくは10nm〜3μmであ
る。
In the present invention, the thickness of the DLC film is usually 1 to 10 μm, preferably 10 nm to 3 μm.

【0026】DLC膜は、炭素および水素に加え、Si
を含み、O、N、Fの1種または2種以上を含有してい
てもよい。中間層を使用しない場合は、基材との密着性
を向上するために、少なくとも第1層は水素の他にSi
を含有すべきである。この場合、DLC膜は、CHxS
iyOzNvFwと表したとき、x、y、z、v、wが
それぞれ、0.05≦x≦0.7、0.01≦y≦3.
0、0≦z≦1.0、0≦v≦1.0、0≦w≦0.2
であることが好ましい。また、複数の層を形成しても良
いが、その代わりに、Siを含有する部分からSiを含
有しない部分のように、組成が厚さ方向に連続可変とな
っても良い。
The DLC film is made of Si in addition to carbon and hydrogen.
And one or more of O, N, and F may be contained. When the intermediate layer is not used, at least the first layer is made of Si in addition to hydrogen in order to improve the adhesion to the base material.
Should be contained. In this case, the DLC film is CHxS
When expressed as iyOzNvFw, x, y, z, v, and w are respectively 0.05 ≦ x ≦ 0.7, 0.01 ≦ y ≦ 3.
0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 0 ≦ v ≦ 1.0, 0 ≦ w ≦ 0.2
It is preferable that Also, a plurality of layers may be formed, but instead, the composition may be continuously variable in the thickness direction from a portion containing Si to a portion not containing Si.

【0027】DLC膜は、プラズマCVD法、イオン化
蒸着法、スパッタ法などで形成することができる。DL
C膜をプラズマCVD法により形成する場合、例えば特
開平4−41672号公報等に記載されている方法によ
り成膜することができる。プラズマCVD法におけるプ
ラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流
を用いることが好ましい。交流としては数ヘルツからマ
イクロ波まで使用可能である。また、ダイヤモンド薄膜
技術(総合技術センター発行)などに記載されているE
CRプラズマも使用可能である。また、バイアス電圧を
印加してもよい。
The DLC film can be formed by a plasma CVD method, an ionization vapor deposition method, a sputtering method, or the like. DL
When the C film is formed by a plasma CVD method, the C film can be formed by a method described in, for example, JP-A-4-41672. Plasma in the plasma CVD method may be either direct current or alternating current, but it is preferable to use alternating current. The alternating current can be used from a few hertz to a microwave. In addition, E described in diamond thin film technology (published by Comprehensive Technology Center), etc.
CR plasma can also be used. Further, a bias voltage may be applied.

【0028】DLC膜をプラズマCVD法により形成す
る場合、原料ガスには、下記化合物を使用することが好
ましい。CおよびHを含有する化合物として、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、エチ
レン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。C、Hお
よびSiを含む化合物としては、メチルシラン、ジメチ
ルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジ
エチルシラン、テトラエチルシラン、テトラブチルシラ
ン、ジメチルジエチルシラン、テトラフェニルシラン、
メチルトリフェニルシラン、ジメチルジフェニルシラ
ン、トリメチルフェニルシラン、トリメチルシリル−ト
リメチルシラン、トリメチルシリルメチル−トリメチル
シラン等がある。これらは併用してもよく、シラン系化
合物と炭化水素を用いてもよい。C+H+Oを含む化合
物としては、CH3OH、C25OH、HCHO、CH3
COCH3等がある。C+H+Nを含む化合物として
は、シアン化アンモニウム、シアン化水素、モノメチル
アミン、ジメチルアミン、アリルアミン、アニリン、ジ
エチルアミン、アセトニトリル、アゾイソブタン、ジア
リルアミン、エチルアジド、MMH、DMH、トリアリ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
フェニルアミン等がある。この他、Si+C+H、Si
+C+H+OあるいはSi+C+H+Nを含む化合物等
と、O源あるいはON源、N源、H源等とを組み合わせ
てもよい。
When the DLC film is formed by the plasma CVD method, it is preferable to use the following compound as a source gas. Methane, as a compound containing C and H,
Hydrocarbons such as ethane, propane, butane, pentane, hexane, ethylene, propylene and the like can be mentioned. Compounds containing C, H and Si include methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, tetramethylsilane, diethylsilane, tetraethylsilane, tetrabutylsilane, dimethyldiethylsilane, tetraphenylsilane,
Examples include methyltriphenylsilane, dimethyldiphenylsilane, trimethylphenylsilane, trimethylsilyl-trimethylsilane, and trimethylsilylmethyl-trimethylsilane. These may be used in combination, or a silane compound and a hydrocarbon may be used. Compounds containing C + H + O include CH 3 OH, C 2 H 5 OH, HCHO, CH 3
COCH 3 and the like. Examples of the compound containing C + H + N include ammonium cyanide, hydrogen cyanide, monomethylamine, dimethylamine, allylamine, aniline, diethylamine, acetonitrile, azoisobutane, diallylamine, ethylazide, MMH, DMH, triallylamine, trimethylamine, triethylamine, triphenylamine and the like. is there. In addition, Si + C + H, Si
A compound containing + C + H + O or Si + C + H + N may be combined with an O source or an ON source, an N source, an H source, or the like.

【0029】O源として、O2、O3等、C+O源とし
て、CO、CO2等、Si+H源として、SiH4等、H
源として、H2等、H+O源として、H2O等、N源とし
て、N2N+H源として、NH3等、N+O源として、N
O、NO2、N2OなどNOxで表示できるNとOの化合
物等、N+C源として、(CN)2等、N+H+F源と
して、NH4F等、O+F源として、OF2、O22、O
32等を用いてもよい。
O source, O 2 , O 3, etc .; C + O source, CO, CO 2 etc .; Si + H source, SiH 4, etc.
As a source, H 2 or the like, H + O source, H 2 O, etc., N source, N 2 N + H source, NH 3 or the like, N + O source, N
Compounds of N and O, such as O, NO 2 , and N 2 O, which can be represented by NOx, such as (CN) 2 as an N + C source, NH 4 F as an N + H + F source, and OF 2 and O 2 F 2 as an O + F source. , O
3 F 2 or the like may be used.

【0030】上記原料ガスの流量は原料ガスの種類に応
じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、1〜70
Pa、投入電力は、通常、10W〜5kW程度が好まし
い。
The flow rate of the raw material gas may be appropriately determined according to the type of the raw material gas. The operating pressure is typically between 1 and 70
Pa and the input power are usually preferably about 10 W to 5 kW.

【0031】DLC膜は、イオン化蒸着法により形成し
てもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開昭58−17
4507号公報、特開昭59−174508号公報等に
記載されている。ただし、これらに開示された方法、装
置に限られるものではなく、原料用イオン化ガスの加速
が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよ
い。この場合の装置の好ましい例としては、例えば、実
開昭59−174507号公報に記載されたイオン直進
型またはイオン偏向型のものを用いることができる。
The DLC film may be formed by an ionization vapor deposition method. The ionization deposition method is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-17 / 1983.
No. 4507, JP-A-59-174508 and the like. However, the present invention is not limited to the methods and apparatuses disclosed therein, and another type of ion vapor deposition technology may be used as long as the ionized gas for the raw material can be accelerated. As a preferable example of the device in this case, for example, an ion straight type or an ion deflection type described in Japanese Utility Model Laid-Open No. 59-174507 can be used.

【0032】イオン化蒸着法においては、真空容器内を
10-4Pa程度までの高真空とする。この真空容器内に
は交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラ
メントが設けられ、このフィラメントを取り囲んで対電
極が配置され、フィラメントとの間に電圧Vdを与え
る。また、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化
ガス閉じこめ用の磁界を発生する電磁コイルが配置され
ている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突し
て、プラスの熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイ
オンはグリッドに印加された負電位Vaにより加速され
る。この、Vd、Vaおよびコイルの磁界を調整するこ
とにより、組成や膜質を変えることができる。また、バ
イアス電圧を印加してもよい。
In the ionization vapor deposition method, the inside of the vacuum vessel is set to a high vacuum of about 10 −4 Pa. A filament that is heated by an AC power supply and generates thermoelectrons is provided in the vacuum vessel. A counter electrode is arranged around the filament, and a voltage Vd is applied between the filament and the filament. In addition, an electromagnetic coil that surrounds the filament and the counter electrode and generates a magnetic field for trapping ionized gas is arranged. The source gas collides with the thermoelectrons from the filament to generate positive thermal decomposition ions and electrons, and the positive ions are accelerated by the negative potential Va applied to the grid. By adjusting Vd, Va and the magnetic field of the coil, the composition and film quality can be changed. Further, a bias voltage may be applied.

【0033】DLC膜をイオン化蒸着法により形成する
場合、原料ガスには、プラズマCVD法と同様のものを
用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて
適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、1〜70Pa
程度が好ましい。
When the DLC film is formed by the ionization vapor deposition method, the same material gas as that used in the plasma CVD method may be used. The flow rate of the source gas may be appropriately determined according to the type. The operating pressure is usually 1 to 70 Pa
The degree is preferred.

【0034】DLC膜は、スパッタ法により形成するこ
ともできる。この場合、Ar、Kr等のスパッタ用のス
パッタガスに加えて、O2、N2、NH3、CH4、H2
のガスを反応性ガスとして導入すると共に、C、Si、
SiO2、Si34、SiC等をターゲットとしたり、
C、Si、SiO2、Si34、SiCの混成組成をタ
ーゲットとしたり、場合によっては、C、Si、N、O
を含む2以上のターゲットを用いてもよい。また、ポリ
マーをターゲットとして用いることも可能である。この
ようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流
電力のいずれかを印加し、ターゲットをスパッタし、こ
れを基板上にスパッタ堆積させることによりDLC膜を
形成する。高周波スパッタ電力は、通常、50W〜2k
W程度である。動作圧力は、通常、10-3〜0.1Pa
が好ましい。
The DLC film can be formed by a sputtering method. In this case, a gas such as O 2 , N 2 , NH 3 , CH 4 , H 2 or the like is introduced as a reactive gas in addition to a sputtering gas for sputtering such as Ar or Kr, and C, Si,
Targeting SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC, etc.
A target may be a mixed composition of C, Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , and SiC, and in some cases, C, Si, N, O
May be used. Further, a polymer can be used as a target. A DLC film is formed by applying any one of high-frequency power, AC power, and DC power using such a target, sputtering the target, and sputter depositing the target on a substrate. The high frequency sputtering power is usually 50 W to 2 k
It is about W. The operating pressure is usually 10 −3 to 0.1 Pa
Is preferred.

【0035】[0035]

【実施例】次に本発明の実施例を説明する。表1に示す
組み合わせでシムの表面に中間層およびDLC膜を形成
した。カムおよびシムの素材としてはすべてSNCM4
20を使用した。実施例の基材の表面粗さはすべてRa
=0.1μmとした。シムを真空チャンバーの所定位置
に配置し、排気した後、次の条件で成膜した。
Next, embodiments of the present invention will be described. In the combinations shown in Table 1, an intermediate layer and a DLC film were formed on the surface of the shim. All cams and shims are SNCM4
20 were used. The surface roughness of the base material of the examples was all Ra
= 0.1 μm. The shim was placed at a predetermined position in a vacuum chamber, and after evacuation, a film was formed under the following conditions.

【0036】<中間層の成膜>中間層はスパッタ法によ
り次の条件で製造した。 使用ガス:Ar(5.1×10-2Pa・m3・s-1)=
30sccm スパッタ圧力:40Pa 投入電力:500W ターゲット:Ta、Si 膜厚:Ta(第1層)10nm、Si(第2層)90n
<Formation of Intermediate Layer> The intermediate layer was manufactured by the sputtering method under the following conditions. Working gas: Ar (5.1 × 10 -2 Pa · m 3 · s -1 ) =
30 sccm Sputter pressure: 40 Pa Input power: 500 W Target: Ta, Si Film thickness: Ta (first layer) 10 nm, Si (second layer) 90 n
m

【0037】さらに、ターゲットを変え同じ成膜条件で
表1に示す中間層を成膜した。なお単一中間層の場合は
膜厚を100nmとした。
Further, the intermediate layer shown in Table 1 was formed under the same film forming conditions while changing the target. In the case of a single intermediate layer, the thickness was 100 nm.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】<DLC膜の成膜>DLC膜は自己バイア
スRFプラズマCVD法により次の条件で成膜した。DLC1 原料ガス:C24(0.017Pa・m3・s-1) 電源:RF 動作圧:66.5Pa 投入電力:500W 成膜レート:100nm/min 膜組成:CH0.21 膜厚:2μmDLC2 原料ガス:Si(OCH34(0.085Pa・m3
-1) 電源:RF 動作圧:66.5Pa 投入電力:500W 成膜レート:100nm/min 膜組成:CH0.2Si0.10.17 膜厚:2μmDLC3 原料ガス:Si(CH34(0.085Pa・m3・s
-1) 電源:RF 動作圧:66.5Pa 投入電力:500W 成膜レート:100nm/min 膜組成:CH0.24Si0.22 膜厚:2μm
<Formation of DLC Film> A DLC film was formed by a self-bias RF plasma CVD method under the following conditions. DLC1 source gas: C 2 H 4 (0.017 Pa · m 3 · s −1 ) Power supply: RF Operating pressure: 66.5 Pa Input power: 500 W Film formation rate: 100 nm / min Film composition: CH 0.21 Film thickness: 2 μm DLC2 Source gas: Si (OCH 3 ) 4 (0.085 Pa · m 3 ·
s -1 ) Power supply: RF Operating pressure: 66.5 Pa Input power: 500 W Deposition rate: 100 nm / min Film composition: CH 0.2 Si 0.1 O 0.17 Film thickness: 2 μm DLC3 source gas: Si (CH 3 ) 4 (0. 085 Pa ・ m 3・ s
-1 ) Power supply: RF Operating pressure: 66.5 Pa Input power: 500 W Film formation rate: 100 nm / min Film composition: CH 0.24 Si 0.22 Film thickness: 2 μm

【0040】<評価方法>DLCをコーティングしない
シム(比較例)とDLCをコーティングしたシム及びカ
ム(実施例)に、以下の条件を付加して耐久試験を行っ
た。その後シムの摩耗状態を比較した。試験は、DOH
Cを使用する自動車エンジンにおいて、タペットの面に
シムを固着し、カムを当接し回転させる。 この条件は商用自動車の一般的な走行における回転数
(2000〜4000rpm)に比してはるかに過酷な
F1レベルに相当する加速試験であることに注意すべき
である。結果は表2に示す通りであった。
<Evaluation Method> Durability tests were performed on shims not coated with DLC (Comparative Example) and shims and cams (Examples) coated with DLC under the following conditions. The shims were then compared for wear. The test is DOH
In a car engine using C, a shim is fixed to the surface of the tappet, and the cam is brought into contact and rotated. It should be noted that this condition is an acceleration test corresponding to a much harsher F1 level as compared with the rotational speed (2000 to 4000 rpm) in a general running of a commercial vehicle. The results were as shown in Table 2.

【0041】[0041]

【表2】 [Table 2]

【0042】[0042]

【発明の効果】表1において耐久性時間を超えるとエン
ジンの稼働が停止することを示す。本発明の実施例によ
ると、比較例1に対してはもちろんのこと、DLCを使
用した公知例に相当する比較例2に比しても極めて耐久
性の高いシムが提供できたことが分かる。実施例1〜3
から分かるように、本発明では比較例2のような精密研
磨をシムの表面に施していないにも拘わらず優れた耐久
性が得られているので、工程の短縮とコストの低下が可
能となる。本発明によると、少なくともシムに被覆する
ダイヤモンド状薄膜の材質を適正に選択することおよび
/または適正な中間層を使用することにより密着性を向
上し、耐摩耗性を格段に向上することが出来た。
As shown in Table 1, the operation of the engine is stopped when the durability time is exceeded. According to the example of the present invention, it can be seen that a shim having extremely high durability could be provided not only in Comparative Example 1 but also in Comparative Example 2 corresponding to a known example using DLC. Examples 1-3
As can be seen from the drawings, in the present invention, excellent durability is obtained despite the fact that the surface of the shim is not subjected to precision polishing as in Comparative Example 2, so that the process can be shortened and the cost can be reduced. . ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, adhesiveness can be improved by selecting the material of the diamond-like thin film which coat | covers a shim at least, and / or by using a suitable intermediate | middle layer, and abrasion resistance can be improved remarkably. Was.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明が適用できるカムおよびタペットを備え
た動力伝達系の構造を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a power transmission system including a cam and a tappet to which the present invention can be applied.

【図2】本発明が適用できるカムおよびタペットを備え
た動力伝達系の他の構造を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating another structure of a power transmission system including a cam and a tappet to which the present invention can be applied.

【図3】従来のカムおよびシムを備えた例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example provided with a conventional cam and shim.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、1’ カムシャフト 3、3’ カム 5 シム 7、7’ タペット 9 突き棒 11 調整ねじ 13 ロッカーアーム 15 ロッカーアーム軸 17、17’ ばね 19、19’ リテーナー 21、21’ バルブ棒 23 燃料バルブ 23’ 排気バルブ 1, 1 'camshaft 3, 3' cam 5 shim 7, 7 'tappet 9 thrust rod 11 adjusting screw 13 rocker arm 15 rocker arm shaft 17, 17' spring 19, 19 'retainer 21, 21' valve rod 23 fuel valve 23 'exhaust valve

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾高 政一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 松場 康浩 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 橋本 靖 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 宮内 泉 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 3G016 AA05 AA08 AA19 BA19 BA34 BB02 BB05 BB06 EA01 EA07 EA08 EA11 EA14 EA16 EA24 FA01 FA04 FA18 FA21 FA22 FA23 GA02 3J030 EA01 EA04 EA21 EB07 EC04 EC07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Seiichi Odaka 1-1-13 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDC Corporation (72) Inventor Yasuhiro Matsuba 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Within TDK Corporation (72) Inventor Yasushi Hashimoto 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (72) Inventor Izumi Miyauchi 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation F term (reference) 3G016 AA05 AA08 AA19 BA19 BA34 BB02 BB05 BB06 EA01 EA07 EA08 EA11 EA14 EA16 EA24 FA01 FA04 FA18 FA21 FA22 FA23 GA02 3J030 EA01 EA04 EA21 EB07 EC04 EC07

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カムの回転運動による駆動力を、往復運
動部材に伝達するための伝達系に使用される金属材料製
のシムにおいて、前記カムに摺動するように前記往復運
動部材の面に固定された前記シムの表面に、(a)第5
A族金属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、M
o、W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも
一種を主成分とする珪化物または珪炭化物、(b)第5
A族金属(V、Nb、Ta)より選択された少なくとも
一種を主成分とする金属膜とその上に形成されたSi膜
またはSiを主成分とする金属膜、または(c)第5A
族金属(V、Nb、Ta)、第6A族金属(Cr、M
o、W)、Ti、およびZrより選択された少なくとも
一種の金属膜とその上に形成された炭化珪素膜、よりな
る中間層と、ダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層と
をこの順に形成したことを特徴とするシム。
In a shim made of a metal material used for a transmission system for transmitting a driving force due to a rotational movement of a cam to a reciprocating member, a shim made of metal material is provided on a surface of the reciprocating member so as to slide on the cam. (A) No. 5 on the surface of the fixed shim
Group A metal (V, Nb, Ta), Group 6A metal (Cr, M
o, W), a silicide or silicide containing at least one selected from Ti and Zr as a main component;
A metal film mainly composed of at least one selected from group A metals (V, Nb, Ta) and a Si film or a metal film mainly composed of Si formed thereon, or (c) 5A
Group metal (V, Nb, Ta), Group 6A metal (Cr, M
o, W), an intermediate layer composed of at least one metal film selected from Ti, and Zr and a silicon carbide film formed thereon, and at least one diamond-like carbon film formed in this order. A shim.
【請求項2】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水
素とからなり、その組成をCHnをモル比で表したと
き、 0.05≦n≦0.7 または、前記ダイヤモンド状炭素膜に珪素を含み、酸
素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をCHxSi
yOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層より
なる請求項1のシム。
2. The diamond-like carbon film is composed of carbon and hydrogen, and when its composition is represented by a molar ratio of CHn, 0.05 ≦ n ≦ 0.7 or silicon is added to the diamond-like carbon film. Oxygen, nitrogen, fluorine may be contained, and the composition is CHxSi
When represented by yOzNvFw, a diamond represented by the following formula: 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 0 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2 2. The shim according to claim 1, comprising at least one layer of a carbon-like film.
【請求項3】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、CHxS
iyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びCHn (但し0.05≦n≦0.7)で表されるダイヤモンド
状炭素膜の少なくとも2層を形成するか、またはこれら
の組成の一方の組成から他方の組成に連続的に変化した
層を形成したことを特徴とする請求項1のシム。
3. The method according to claim 2, wherein the diamond-like carbon film is made of CHxS.
iyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2) Forming at least two layers of a film and a diamond-like carbon film represented by CHn (where 0.05 ≦ n ≦ 0.7), or continuously changing from one of these compositions to the other 2. The shim according to claim 1, wherein a layer is formed.
【請求項4】 カムの回転運動による駆動力を、往復運
動部材に伝達する伝達系に使用される金属材料製のシム
において、前記カムと摺動するように前記往復運動部材
の面に固定され金属製シムの表面に、珪素を含み、酸
素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をCHxSi
yOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも1層を形
成したことを特徴とするシム。
4. A shim made of a metal material used for a transmission system for transmitting a driving force due to a rotational movement of a cam to a reciprocating member, wherein the shim is fixed to a surface of the reciprocating member so as to slide on the cam. The surface of the metal shim contains silicon, and may contain oxygen, nitrogen, and fluorine.
When represented by yOzNvFw, a diamond represented by the following formula: 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 0 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2 A shim comprising at least one layer of a carbon-like film.
【請求項5】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、CHxS
iyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びその上に形成さ
れたCHn (但し0.05≦n≦0.7)で表されるダイヤモンド
状炭素膜との少なくとも2層を形成するか、またはこれ
らの組成の前者の組成から後者の組成に連続的に変化し
た層を形成したことを特徴とする請求項4のシム。
5. The diamond-like carbon film is made of CHxS
iyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2) Forming at least two layers of a film and a diamond-like carbon film represented by CHn (where 0.05 ≦ n ≦ 0.7) formed on the film, or forming the latter from the former composition of these compositions 5. The shim according to claim 4, wherein a layer having a continuously changed composition is formed.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかの前記シムとカ
ムとの組み合せにおいて、前記カムの前記シムと摺動係
合する表面に、ダイヤモンド状炭素膜を形成したことを
特徴とするシムとカムの組み合わせ。
6. A shim according to claim 1, wherein a diamond-like carbon film is formed on a surface of said cam which is slidably engaged with said shim. And cam combination.
【請求項7】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水
素とからなり、その組成をCHnをモル比で表したと
き、 0.05≦n≦0.7 で表されるダイヤモンド状炭素膜、および珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をCHxS
iyOzNvFwで表したとき、 0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2 で表されるダイヤモンド状炭素膜より選択した少なくと
も1層よりなる請求項6の組み合わせ。
7. The diamond-like carbon film is composed of carbon and hydrogen, and when its composition is represented by a molar ratio of CHn, a diamond-like carbon film represented by 0.05 ≦ n ≦ 0.7, and Containing silicon,
Oxygen, nitrogen and fluorine may be contained, and the composition is CHxS
When represented by iyOzNvFw, diamond represented by the following formula: 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 0 ≦ v ≦ 1.0 0 ≦ w ≦ 0.2 7. The combination according to claim 6, comprising at least one layer selected from a carbon-like film.
【請求項8】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、CHxS
iyOzNvFw (但し0.05≦x≦0.7 0.01≦y≦3.0 0≦z≦1.0 0≦v≦1.0 0≦w≦0.2) で表されるダイヤモンド状炭素膜、及びCHn (但し0.05≦n≦0.7)で表されるダイヤモンド
状炭素膜の少なくとも2層を形成するか、またはこれら
の組成の一方の組成から他方の組成に連続的に変化した
層を形成したことを特徴とする請求項6の組み合わせ。
8. The diamond-like carbon film is made of CHxS
iyOzNvFw (provided that 0.05 ≦ x ≦ 0.7 0.01 ≦ y ≦ 3.0 0 ≦ z ≦ 1.00 ≦ v ≦ 1.00 ≦ w ≦ 0.2) Forming at least two layers of a film and a diamond-like carbon film represented by CHn (where 0.05 ≦ n ≦ 0.7), or continuously changing from one of these compositions to the other 7. The combination according to claim 6, wherein a layer is formed.
【請求項9】 カムの表面とその面に形成したダイヤモ
ンド状炭素膜の間に(a)第5A族金属(V、Nb、T
a)、第6A族金属(Cr、Mo、W)、Ti、および
Zrより選択された少なくとも一種を主成分とする珪化
物または珪炭化物、(b)第5A族金属(V、Nb、T
a)より選択された少なくとも一種を主成分とする金属
膜とその上に形成されたSi膜またはSiを主成分とす
る金属膜、または(c)第5A族金属(V、Nb、T
a)、第6A族金属(Cr、Mo、W)、Ti、および
Zrより選択された少なくとも一種の金属膜とその上に
形成された炭化珪素膜、よりなる中間層と、ダイヤモン
ド状炭素膜の少なくとも1層をこの順に形成したことを
特徴とする請求項6ないし8のいずれかの組み合わせ。
9. A method comprising: (a) a Group 5A metal (V, Nb, T) between a surface of a cam and a diamond-like carbon film formed on the surface of the cam;
a), a silicide or silicide containing at least one selected from Group 6A metals (Cr, Mo, W), Ti, and Zr; (b) Group 5A metals (V, Nb, T
a) a metal film mainly composed of at least one selected from a) and a Si film or a metal film mainly composed of Si formed thereon, or (c) a Group 5A metal (V, Nb, T
a) an intermediate layer composed of at least one metal film selected from Group 6A metals (Cr, Mo, W), Ti, and Zr and a silicon carbide film formed thereon, and a diamond-like carbon film. 9. The combination according to claim 6, wherein at least one layer is formed in this order.
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