JP2002368647A - Data carrier - Google Patents

Data carrier

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JP2002368647A
JP2002368647A JP2001170355A JP2001170355A JP2002368647A JP 2002368647 A JP2002368647 A JP 2002368647A JP 2001170355 A JP2001170355 A JP 2001170355A JP 2001170355 A JP2001170355 A JP 2001170355A JP 2002368647 A JP2002368647 A JP 2002368647A
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Japan
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circuit
data carrier
regulator
node
resistance
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JP2001170355A
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Takashi Yokoyama
隆 横山
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data carrier that can accurately conduct radio communication independently of a distance of an external radio communication unit. SOLUTION: The resistance of a variable resistance circuit D15 is selected by a 1st control signal, generated in a node N5 and produced by an internal circuit D4 and a 2nd control signal generated in a node N6, in response to a DC voltage, whether the resistance of the variable resistor is highest or other is detected by the control signals generated in the internal circuit, and the resistance, other than the highest resistance of the variable resistance circuit, is selected on the basis of a voltage level detection section of a DC voltage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、非接触状態におい
て通信を行うICカード、IC−タグ等のデータキャリ
アに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data carrier such as an IC card and an IC-tag which perform communication in a non-contact state.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、データキャリアは、個人認証や物
品管理を非接触状態で実施できる用途として普及してき
ている。
2. Description of the Related Art In recent years, data carriers have been widely used as applications in which personal authentication and article management can be performed in a non-contact state.

【0003】図7は従来のデータキャリアを示す。ノー
ドN1,N2は共振回路D1の第1,第2の端子、ノー
ドN3は内部電源ノード、ノードN4は内接地ノードで
ある。D4は内部回路で、データキャリアから外部の無
線通信装置へ出力するための信号を生成し、ノードN5
に制御信号として出力する。
FIG. 7 shows a conventional data carrier. Nodes N1 and N2 are first and second terminals of the resonance circuit D1, node N3 is an internal power supply node, and node N4 is an internal ground node. D4 is an internal circuit that generates a signal to be output from the data carrier to an external wireless communication device,
As a control signal.

【0004】共振回路D1を構成する素子として、ノー
ドN1,N2の間には、外部の無線通信装置より供給さ
れる無線信号の搬送波周波数に、データキャリアの共振
周波数を同調せるためのコイルL1とキャパシタC1の
並列共振回路が設けられている。
As an element constituting the resonance circuit D1, a coil L1 for tuning a resonance frequency of a data carrier to a carrier frequency of a radio signal supplied from an external radio communication device is provided between nodes N1 and N2. A parallel resonance circuit of the capacitor C1 is provided.

【0005】共振回路D1によってノードN1,N2の
間に得られた交流電圧を整流回路D2で整流して直流電
圧を生成し、ノードN3に高電位側の内部電源電位、ノ
ードN4に内部接地電位を出力している。
The AC voltage obtained between the nodes N1 and N2 by the resonance circuit D1 is rectified by the rectifier circuit D2 to generate a DC voltage. The internal power supply potential on the high potential side is applied to the node N3, and the internal ground potential is applied to the node N4. Is output.

【0006】ノードN3,N4の間には、このノードN
3,N4間の電圧値が過剰に上昇することを防止するた
めにレギュレータD3が設けられている。内部回路D4
は、ノードN3,N4の間に発生する電圧を電源として
動作し、内部メモリへの書き込み/読み出しを実行して
いる。
[0006] Between the nodes N3 and N4, this node N
A regulator D3 is provided to prevent the voltage between N3 and N4 from excessively increasing. Internal circuit D4
Operates using a voltage generated between the nodes N3 and N4 as a power supply, and executes writing / reading to / from an internal memory.

【0007】ノードN1,N2の間には、抵抗値を変化
させて前記並列共振回路のQ値を変動させるための可変
抵抗回路D5が設けられている。図8は可変抵抗回路D
5を示す。
Between the nodes N1 and N2, there is provided a variable resistance circuit D5 for changing the resistance value to change the Q value of the parallel resonance circuit. FIG. 8 shows a variable resistance circuit D
5 is shown.

【0008】ノードN1,N2の間に、抵抗器R1、制
御スイッチT1、抵抗器R2を直列接続して可変抵抗回
路D5が構成されている。制御スイッチT1はP−MO
Sトランジスタで構成される負論理のスイッチで、ゲー
ト電極がノードN5に接続されている。
A variable resistor circuit D5 is formed by connecting a resistor R1, a control switch T1, and a resistor R2 in series between the nodes N1 and N2. The control switch T1 is P-MO
A negative logic switch composed of an S transistor. The gate electrode is connected to the node N5.

【0009】先ず、外部の無線通信装置より出力される
搬送周波数を共振回路D1で受信することで、ノードN
1,N2の間に、図9(a)に示す信号が発生する。図
9(b)はノードN3,N4間の電圧レベルを示したも
ので、双方とも横軸は無線通信装置とデータキャリア間
の距離M、縦軸は電圧レベルを示したものである。
First, the carrier frequency output from the external radio communication device is received by the resonance circuit D1 so that the node N
The signal shown in FIG. 9A is generated between 1 and N2. FIG. 9B shows the voltage level between the nodes N3 and N4. In both figures, the horizontal axis shows the distance M between the wireless communication device and the data carrier, and the vertical axis shows the voltage level.

【0010】図9の領域dは、無線通信装置とデータキ
ャリア間の距離が遠くて前記レギュレータD3が不活性
化領域にある場合で、無線通信装置のコイルとデータキ
ャリアのコイルの間の磁気的結合が弱く、ノードN3,
N4の間の電圧差が低いためレギュレータ3は不活性化
状態である。
The area d in FIG. 9 is a case where the distance between the radio communication device and the data carrier is long and the regulator D3 is in the deactivation area. The magnetic field between the coil of the radio communication device and the coil of the data carrier is shown. The coupling is weak and node N3
Since the voltage difference between N4 is low, regulator 3 is in an inactive state.

【0011】無線通信装置とデータキャリア間の距離が
近づき、それぞれのコイル間の磁気的結合が強くなる
と、ノードN1,N2間の電圧振幅レベル、ノードN
3,N4間の電圧レベルともに上昇してくる。無線通信
装置とデータキャリア間の距離をさらに近づけると、図
9の領域Cに到達し、レギュレータD3が動作する電圧
レベルまで上昇する。
When the distance between the wireless communication device and the data carrier is reduced and the magnetic coupling between the coils is increased, the voltage amplitude level between nodes N1 and N2,
Both the voltage level between 3 and N4 rises. When the distance between the wireless communication device and the data carrier is further reduced, the distance reaches the region C in FIG. 9 and increases to a voltage level at which the regulator D3 operates.

【0012】さらに近づけても、レギュレータD3がノ
ードN3,N4間の抵抗値を下げることで、内部回路4
へ与えられるノードN3,N4間電圧のレベルを一定に
保つ。
Even closer, the regulator D3 lowers the resistance value between the nodes N3 and N4, so that the internal circuit 4
Is maintained at a constant level between nodes N3 and N4.

【0013】図10(a)はノードN5を示し、図10
(b)はレギュレータD3が不活性化領域でのノードN
1,N2間の電圧、図10(c)はレギュレータD3が
活性化領域でのノードN1,N2間の電圧を示したもの
で、横軸は時間Tである。
FIG. 10A shows a node N5.
(B) shows that the regulator D3 operates at the node N in the inactive region
10C shows the voltage between the nodes N1 and N2 in the activation region of the regulator D3, and FIG. 10C shows the voltage between the nodes N1 and N2.

【0014】データキャリアが外部の無線通信装置に応
答を返す場合、内部回路4が応答内容をノードN5に出
力する。よって、ノードN5が“H”レベルの時のデー
タキャリアの抵抗値は、コイルL1、容量C1、抵抗器
R1,R2と制御スイッチT1を除いたノードN1,N
2間から見た抵抗値となる。また、ノードN5が“L”
レベルの時のデータキャリアの抵抗値は、抵抗器R1,
R2と制御スイッチT1の直列抵抗値とほぼ等しくな
る。
When the data carrier returns a response to the external wireless communication device, the internal circuit 4 outputs the content of the response to the node N5. Therefore, when the node N5 is at the “H” level, the resistance value of the data carrier is the nodes N1 and N1 excluding the coil L1, the capacitor C1, the resistors R1 and R2, and the control switch T1.
It becomes the resistance value seen from between two. Also, the node N5 is "L".
The resistance value of the data carrier at the time of level is determined by the resistors R1,
It becomes approximately equal to the series resistance value of R2 and the control switch T1.

【0015】この抵抗値の変化により、データキャリア
のQ値を変化させることになり、ノードN1,N2間の
交流電圧の振幅もまた変化する。この振幅の変動が無線
通信装置に伝わり、データキャリアからの返答を読み取
ることが出来る。
Due to the change in the resistance value, the Q value of the data carrier changes, and the amplitude of the AC voltage between the nodes N1 and N2 also changes. The change in the amplitude is transmitted to the wireless communication device, and a response from the data carrier can be read.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図10(b)
の場合、レギュレータD3が不活性化状態であるため、
ノードN3,N4間の抵抗は高く、コイルL1と容量C
1を除いたノードN1−N2間の抵抗値は可変抵抗回路
D5の制御スイッチT1の接続状態か絶縁状態かに大き
く依存することになる。
However, FIG. 10 (b)
In the case of, since the regulator D3 is in the inactive state,
The resistance between nodes N3 and N4 is high, and coil L1 and capacitance C
The resistance value between the nodes N1 and N2 except for 1 greatly depends on whether the control switch T1 of the variable resistance circuit D5 is connected or insulated.

【0017】よって、図10(b)にEで示すように、
ノードN1,N2間の交流電圧振幅レベルの変動が大き
くなり、データキャリアからの信号を外部の無線通信装
置が受信しやすい。しかしながら、図10(c)の場
合、レギュレータ3が活性化状態でノードN3からノー
ドN4に電流を流すため、ノードN3,N4間の抵抗は
低くなる。よって、コイルL1と容量C1を除いたノー
ドN1,N2間の抵抗値は可変抵抗回路D5の制御スイ
ッチT1が接続状態/絶縁状態にあまり依存しなくな
り、図10(c)にFで示すノードN1,N2間の交流
電圧振幅レベルの変動もまた小さくなる。その結果、近
距離でデータキャリアからの信号を外部の無線通信装置
が受信しにくくなるという問題がある。
Therefore, as shown by E in FIG.
The fluctuation of the AC voltage amplitude level between the nodes N1 and N2 becomes large, and the signal from the data carrier is easily received by the external wireless communication device. However, in the case of FIG. 10C, since the regulator 3 flows an electric current from the node N3 to the node N4 in the activated state, the resistance between the nodes N3 and N4 becomes low. Therefore, the resistance value between the nodes N1 and N2 excluding the coil L1 and the capacitance C1 does not depend much on whether the control switch T1 of the variable resistance circuit D5 is connected / insulated, and the node N1 indicated by F in FIG. , N2, the fluctuation of the AC voltage amplitude level is also reduced. As a result, there is a problem that it is difficult for an external wireless communication device to receive a signal from a data carrier at a short distance.

【0018】また、無線通信装置とデータキャリアの通
信可能範囲が、可変抵抗回路D5の抵抗値に依存してし
まうため、製造後にデータキャリアからの信号を外部の
無線通信装置が受信しにくい場合に調整することが困難
であるという問題がある。
Further, since the communicable range between the wireless communication device and the data carrier depends on the resistance value of the variable resistance circuit D5, it is difficult to receive a signal from the data carrier after manufacturing the external wireless communication device. There is a problem that it is difficult to adjust.

【0019】本発明は、上記のような従来の課題を解決
するものであり、レギュレータD3が活性化状態にある
場合でも、無線通信を確実に行うことができ、また、通
信距離を製造後に微調整が可能な優れたデータキャリア
を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. Even when the regulator D3 is in an activated state, wireless communication can be reliably performed, and the communication distance can be reduced after manufacturing. An object is to provide an excellent data carrier that can be adjusted.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明のデータキャリア
は、外部から送信された信号をアンテナ回路で受信し、
これを整流してレギュレータで調整して必要とする電力
を賄うとともに、内部回路から読み出した情報に基づい
て前記アンテナ回路のQ値を可変するQ値制御手段を制
御してデータを出力するデータキャリアであって、前記
Q値制御手段を前記レギュレータの出力と内部回路から
読み出した情報に基づいて制御するよう構成したことを
特徴とする。
A data carrier according to the present invention receives an externally transmitted signal by an antenna circuit,
A data carrier that rectifies this and adjusts it with a regulator to cover required power and controls Q value control means for varying the Q value of the antenna circuit based on information read from an internal circuit to output data. Wherein the Q value control means is controlled based on the output of the regulator and information read from an internal circuit.

【0021】この構成によると、データキャリアと外部
の無線通信装置の距離に依存しないで、通信のためにデ
ータキャリア内の共振回路のQ値の変動を大きくするこ
とができ、無線通信を正確に行うことができる。
According to this configuration, the variation of the Q value of the resonance circuit in the data carrier for communication can be increased without depending on the distance between the data carrier and the external wireless communication device, and the wireless communication can be performed accurately. It can be carried out.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1記載のデータキ
ャリアは、外部から送信された信号をアンテナ回路で受
信し、これを整流してレギュレータで調整して必要とす
る電力を賄うとともに、内部回路から読み出した情報に
基づいて前記アンテナ回路のQ値を可変するQ値制御手
段を制御してデータを出力するデータキャリアであっ
て、前記Q値制御手段を前記レギュレータの出力と内部
回路から読み出した情報に基づいて制御するよう構成し
たことを特徴とする。
The data carrier according to the first aspect of the present invention receives a signal transmitted from the outside by an antenna circuit, rectifies the signal and adjusts it by a regulator to cover required power, A data carrier that controls Q value control means for varying a Q value of the antenna circuit based on information read from an internal circuit and outputs data, wherein the Q value control means outputs the data from the output of the regulator and an internal circuit. It is characterized in that control is performed based on the read information.

【0023】本発明の請求項2記載のデータキャリア
は、コイルと静電容量とで構成される共振回路と、前記
共振回路の両端子間に接続され直流電圧に変換する整流
器と、前記共振回路の両端子間に接続され前記共振回路
のQ値を可変するQ値制御手段と、前記整流器により生
成される前記直流電圧の電位上昇を抑えるレギュレータ
と、前記レギュレータの出力で運転される内部回路とを
有し、前記内部回路から読み出した情報に基づいて前記
Q値制御手段を制御してデータを出力するとともに、前
記Q値制御手段を前記レギュレータの出力に基づいて制
御するよう構成したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a data carrier comprising a resonance circuit comprising a coil and a capacitance, a rectifier connected between both terminals of the resonance circuit for converting into a DC voltage, and the resonance circuit. A Q value control means connected between both terminals of the resonance circuit to vary a Q value of the resonance circuit, a regulator for suppressing a rise in the potential of the DC voltage generated by the rectifier, and an internal circuit operated by an output of the regulator. And controlling the Q value control means based on information read from the internal circuit to output data, and controlling the Q value control means based on an output of the regulator. And

【0024】本発明の請求項3記載のデータキャリア
は、請求項2において、Q値制御手段を、前記共振回路
に並列接続された可変抵抗回路で構成し、この可変抵抗
回路の抵抗値を前記内部回路から読み出した情報と前記
レギュレータの出力に基づいて3つ以上の抵抗値に切り
替えるよう構成したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the data carrier according to the second aspect, the Q value control means is constituted by a variable resistance circuit connected in parallel to the resonance circuit, and the resistance value of the variable resistance circuit is controlled by the variable resistance circuit. It is configured to switch to three or more resistance values based on information read from an internal circuit and an output of the regulator.

【0025】本発明の請求項4記載のデータキャリア
は、請求項3において、前記可変抵抗回路の抵抗値を、
前記内部回路から読み出した情報と前記レギュレータの
電圧レベル検知信号により切り替えるよう構成したこと
を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the data carrier according to the third aspect, the resistance value of the variable resistance circuit is set as follows:
The switching is performed according to information read from the internal circuit and a voltage level detection signal of the regulator.

【0026】本発明の請求項5記載のデータキャリア
は、請求項2において、可変抵抗回路の抵抗値を、内部
回路より生成される少なくとも2つの制御信号で切り替
えることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the data carrier according to the second aspect, the resistance value of the variable resistance circuit is switched by at least two control signals generated from an internal circuit.

【0027】本発明の請求項6記載のデータキャリア
は、請求項5において、制御信号の少なくとも1つは、
不揮発性記憶装置に記憶された内容を参照して確定する
ことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect, at least one of the control signals is:
The determination is made with reference to the contents stored in the nonvolatile storage device.

【0028】以下、本発明の各実施の形態を図1〜図6
に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1〜図5は本発明の(実施の形態
1)を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.
It will be described based on. (Embodiment 1) FIGS. 1 to 5 show (Embodiment 1) of the present invention.

【0029】図1は本発明の(実施の形態1)のデータ
キャリアを示し、従来例を示す図7と同様の作用をなす
ものには同一の符号を付けて説明する。外部から送信さ
れた信号をアンテナ回路としての共振回路D1で受信
し、これを整流してレギュレータで調整して必要とする
電力を賄うとともに、内部回路4から読み出した情報に
基づいて、前記アンテナ回路のQ値を可変するQ値制御
手段としての可変抵抗回路D15を制御してデータを出
力するデータキャリアであって、ノードN3,N4間に
は、レギュレータD3aが設けられている。レギュレー
タD3aは電源電圧レベル検知回路D16と従来例を示
す図7におけるレギュレータD3と同じ構成のレギュレ
ータ部D3bとで構成されている。
FIG. 1 shows a data carrier according to the (first embodiment) of the present invention, and those having the same functions as those in FIG. A signal transmitted from the outside is received by a resonance circuit D1 as an antenna circuit, which is rectified and adjusted by a regulator to cover required power, and based on information read from an internal circuit 4, the antenna circuit Is a data carrier that controls the variable resistance circuit D15 as Q value control means for varying the Q value and outputs data. A regulator D3a is provided between the nodes N3 and N4. The regulator D3a includes a power supply voltage level detection circuit D16 and a regulator section D3b having the same configuration as the regulator D3 in FIG. 7 showing a conventional example.

【0030】この電源電圧レベル検知回路D16は、レ
ギュレータD3aが動作する電圧レベルに電源電圧が上
昇しているか観察して結果をノードN6に出力する。具
体的には、電源電圧レベル検知回路D16は図3に示す
ように構成されている。
The power supply voltage level detection circuit D16 observes whether the power supply voltage has risen to the voltage level at which the regulator D3a operates, and outputs the result to the node N6. Specifically, the power supply voltage level detection circuit D16 is configured as shown in FIG.

【0031】さらに、この(実施の形態1)を示す図1
では、従来例を示す図7における可変抵抗回路D5が図
2に示す可変抵抗回路D15に変更されている。可変抵
抗回路D15は、ノードN1,N2の間に、抵抗器R1
1,R13と制御スイッチT11および抵抗器R14,
R12との直列回路を挿入し、制御スイッチT11のゲ
ートをノードN5に接続し、抵抗器R13と並列に制御
スイッチT12のソース−ドレインを接続し、抵抗器R
14と並列に制御スイッチT13のソース−ドレインを
接続し、制御スイッチT12,T13のゲートを前記電
源電圧レベル検知回路D16から信号が出力されている
ノードN6に接続している。
Further, FIG. 1 showing this (Embodiment 1)
In FIG. 7, the variable resistance circuit D5 in FIG. 7 showing the conventional example is changed to the variable resistance circuit D15 shown in FIG. The variable resistor circuit D15 includes a resistor R1 between the nodes N1 and N2.
1, R13, control switch T11 and resistor R14,
A series circuit with R12 is inserted, the gate of control switch T11 is connected to node N5, and the source-drain of control switch T12 is connected in parallel with resistor R13.
14 is connected in parallel with the source-drain of the control switch T13, and the gates of the control switches T12 and T13 are connected to a node N6 to which a signal is output from the power supply voltage level detection circuit D16.

【0032】図3に示す電源電圧レベル検知回路16は
次のように構成されている。基準電圧発生源D27は、
ノードN1−N2間の電圧差に依存しない一定電圧レベ
ルの基準電圧信号を生成しノードN21に出力する。
The power supply voltage level detection circuit 16 shown in FIG. 3 is configured as follows. The reference voltage source D27 is
A reference voltage signal having a constant voltage level independent of the voltage difference between nodes N1 and N2 is generated and output to node N21.

【0033】電源電圧モニター回路D28は、ノードN
3−N4間に抵抗器21、抵抗器22を直列に接続する
構成で、電源電圧と比例して変動する比較用電源レベル
信号をノードN22に出力する。
The power supply voltage monitor circuit D28 is connected to the node N
A configuration in which a resistor 21 and a resistor 22 are connected in series between 3-N4 outputs a comparison power supply level signal that varies in proportion to the power supply voltage to a node N22.

【0034】比較回路29は、ノードN22に発生した
比較用電源レベル信号とノードN21に発生した基準電
圧信号とを比較して、ノードN22の比較用電源レベル
信号の方が高い場合はノードN6にLowレベルを出力
する。
The comparison circuit 29 compares the comparison power supply level signal generated at the node N22 with the reference voltage signal generated at the node N21. If the comparison power supply level signal at the node N22 is higher, the comparison circuit 29 connects to the node N6. Outputs a low level.

【0035】可変抵抗回路D15と電源電圧レベル検知
部D16とは、ノードN5,N6の論理により、ノード
N1,N2間の抵抗値を変化させることで、コイルL1
より発生する磁界に変化を与え、データキャリア内の情
報を外部の無線通信装置に出力することを目的として配
置されている。
The variable resistor circuit D15 and the power supply voltage level detector D16 change the resistance value between the nodes N1 and N2 according to the logic of the nodes N5 and N6, so that the coil L1
The magnetic field is arranged for the purpose of giving a change to a magnetic field generated thereby and outputting information in a data carrier to an external wireless communication device.

【0036】さらに詳しくは、可変抵抗回路D15の第
1の制御スイッチT11はP−MOSトランジスタで構
成される負論理のスイッチで、ノードN5が“H”レベ
ルのときはノードN1とノードN2を絶縁状態、“L”
レベルのときはノードN1とノードN2を接続状態に切
り替える。
More specifically, the first control switch T11 of the variable resistance circuit D15 is a negative logic switch composed of a P-MOS transistor, and insulates the nodes N1 and N2 when the node N5 is at "H" level. State, "L"
When the level is at the level, the nodes N1 and N2 are switched to the connection state.

【0037】第2の制御スイッチT12,T13はP−
MOSトランジスタで構成される負論理のスイッチで、
ノードN5が“H”レベルの場合、ノードN1とノード
N2は制御信号2に関係無く絶縁状態であるが、ノード
N5が“L”レベルの場合で、ノードN6が“H”レベ
ルのときはノードN1とノードN2の抵抗値は、抵抗R
11,R13、スイッチT11の導通抵抗、抵抗器R1
4,R12の和となり、ノードN6が“L”レベルのと
きはノードN1とノードN2の抵抗値は、抵抗器R1
1,抵抗器R13と制御スイッチT12の導通抵抗との
並列接続抵抗、制御スイッチT11の導通抵抗、抵抗器
R14と制御スイッチT13の導通抵抗との並列接続抵
抗、抵抗器R12の和となる。
The second control switches T12 and T13 are connected to P-
A negative logic switch composed of MOS transistors.
When the node N5 is at the “H” level, the nodes N1 and N2 are insulated regardless of the control signal 2, but when the node N5 is at the “L” level and the node N6 is at the “H” level, The resistance value of N1 and the node N2 is the resistance R
11, R13, conduction resistance of switch T11, resistor R1
4 and R12, and when the node N6 is at the "L" level, the resistance values of the nodes N1 and N2 are equal to those of the resistor R1.
1, the parallel connection resistance of the resistor R13 and the conduction resistance of the control switch T12, the conduction resistance of the control switch T11, the parallel connection resistance of the resistance R14 and the conduction resistance of the control switch T13, and the sum of the resistance R12.

【0038】つまり、ノードN5で絶縁状態か接続状態
か選択し、ノードN6で接続状態での抵抗値を制御する
構成となっている。まず、電源電圧レベル検知部16の
動作を説明する。
That is, the node N5 selects between the insulated state and the connected state, and the node N6 controls the resistance value in the connected state. First, the operation of the power supply voltage level detector 16 will be described.

【0039】図4(a)は、ノードN3−N4間に発生
する電圧レベルVCCと、ノードN21に発生する基準
電圧信号と、ノードN22に発生する比較用電源レベル
信号とを示し、図4(b)はそのときにノードN6に発
生する第2の制御信号の出力波形を示したもので、横軸
は電源電圧、縦軸は電圧レベルを示したものである。
FIG. 4A shows a voltage level VCC generated between nodes N3 and N4, a reference voltage signal generated at node N21, and a comparison power supply level signal generated at node N22. b) shows the output waveform of the second control signal generated at the node N6 at that time, where the horizontal axis shows the power supply voltage and the vertical axis shows the voltage level.

【0040】ノードN3−N4間に発生する電圧レベル
VCCが低い電圧のとき、比較用電源レベル信号はVC
Cが上昇するにつれて上昇して基準電圧信号の電圧レベ
ルに近づく。このとき、比較回路D29はノードN6に
発生する第2の制御信号としてVCCと同レベルの
“H”論理を出力している。
When the voltage level VCC generated between nodes N3 and N4 is a low voltage, the comparison power supply level signal is VC
As C rises, it rises and approaches the voltage level of the reference voltage signal. At this time, the comparison circuit D29 outputs “H” logic at the same level as VCC as the second control signal generated at the node N6.

【0041】VCCを徐々に高くしていくと、比較用電
源レベル信号が基準電圧信号の電圧レベルより高くなる
と、比較回路29はノードN6に発生する第2の制御信
号としてVSSと同レベルの“L”論理を出力する。
When VCC is gradually increased, when the comparison power supply level signal becomes higher than the voltage level of the reference voltage signal, the comparison circuit 29 outputs the second control signal generated at the node N6 at the same level as VSS. L ”logic is output.

【0042】電源電圧レベル検知部16は、この比較結
果の切り替わるVCCの電圧レベルが、図1のレギュレ
ータ部D3bが動作する電圧レベルと同電位に設定され
ている。
In the power supply voltage level detecting section 16, the voltage level of the VCC at which the comparison result switches is set to the same potential as the voltage level at which the regulator section D3b of FIG. 1 operates.

【0043】図5に基づいて、図1〜図3で示された構
成のデータキャリアにおけるデータキャリアから無線通
信装置への応答の動作を説明する。図5(a)はノード
N5に発生する第1の制御信号、図5(b)は外部の無
線通信装置とデータキャリアの通信距離が遠い場合での
ノードN1−N2間の電圧振幅、図5(c)は外部の無
線通信装置とデータキャリアの通信距離が近い場合での
ノードN1−N2間の電圧振幅を示しており、横軸は時
間Tを示し、縦軸は電圧レベルを示している。
Referring to FIG. 5, the operation of a response from the data carrier to the wireless communication device in the data carrier having the configuration shown in FIGS. 1 to 3 will be described. 5A shows a first control signal generated at the node N5, and FIG. 5B shows a voltage amplitude between the nodes N1 and N2 when the communication distance between the external wireless communication device and the data carrier is long. (C) shows the voltage amplitude between the nodes N1 and N2 when the communication distance between the external wireless communication device and the data carrier is short, the horizontal axis shows time T, and the vertical axis shows the voltage level. .

【0044】外部の無線通信装置とデータキャリアの通
信距離が近いときは、VCCレベルが高いため、ノード
N6に発生する第2の制御信号は“L”論理となり、遠
いときは、VCCレベルが低いため“H”論理となる。
When the communication distance between the external radio communication apparatus and the data carrier is short, the VCC level is high, so the second control signal generated at the node N6 becomes "L" logic, and when it is far, the VCC level is low. Therefore, the logic becomes "H".

【0045】図5(b)の場合、レギュレータ部3が不
活性化状態であるため、ノードN3−N4間の抵抗は高
く、コイルL1と容量C1を除いたノードN1−N2間
の抵抗値は可変抵抗回路5の第1の制御スイッチとして
の制御スイッチT11の接続状態か絶縁状態かに大きく
依存することになる。
In the case of FIG. 5B, since the regulator unit 3 is in the inactive state, the resistance between the nodes N3 and N4 is high, and the resistance between the nodes N1 and N2 excluding the coil L1 and the capacitance C1 is This largely depends on whether the control switch T11 as the first control switch of the variable resistance circuit 5 is connected or insulated.

【0046】よって、ノードN1−N2間の交流電圧振
幅レベルの変動(図5(b)のE)の割合が大きくな
り、データキャリアからの信号を外部の無線通信装置が
受信しやすい。
Therefore, the ratio of the fluctuation of the AC voltage amplitude level between the nodes N1 and N2 (E in FIG. 5B) increases, and the signal from the data carrier is easily received by the external wireless communication device.

【0047】また、図5(c)に示すようにレギュレー
タ部D3bが活性化状態でノードN3からノードN4に
電流を流してノードN3−N4間の抵抗が低くなる場合
は、ノードN6に発生する第2の制御信号が“L”論理
となるために第2の制御スイッチとしての制御スイッチ
T12,T13が導通状態となる。
As shown in FIG. 5C, when a current flows from the node N3 to the node N4 in a state where the regulator section D3b is activated and the resistance between the nodes N3 and N4 is reduced, the voltage is generated at the node N6. Since the second control signal has the “L” logic, the control switches T12 and T13 as the second control switches are turned on.

【0048】よって、制御スイッチT11が接続状態の
可変抵抗回路5の抵抗値は、レギュレータ3が不活性化
状態時よりも低下することになり、ノードN1−N2間
の交流電圧振幅レベルの変動(図5(c)のF)は十分
な差が確保され、レギュレータ部3が動作時でも確実に
データキャリアー外部の無線通信装置間の通信を行える
優れたデータキャリアを実現できる。
Therefore, the resistance value of the variable resistance circuit 5 with the control switch T11 connected is lower than when the regulator 3 is in the inactive state, and the fluctuation of the AC voltage amplitude level between the nodes N1 and N2 ( In F) of FIG. 5 (c), a sufficient difference is secured, and an excellent data carrier capable of reliably performing communication between the data carrier and the external wireless communication device even when the regulator unit 3 is operating can be realized.

【0049】(実施の形態2)図6は本発明の(実施の
形態2)のデータキャリアを示し、この図6では、図1
に示した(実施の形態1)における電源電圧レベル検知
部D16を除き、ノードN6の第2の制御信号をノード
N5の第1の制御信号と同様に内部回路D4のより生成
する構成となっている。
(Embodiment 2) FIG. 6 shows a data carrier according to (Embodiment 2) of the present invention.
Except for the power supply voltage level detection unit D16 in (Embodiment 1), the second control signal of the node N6 is generated from the internal circuit D4 in the same manner as the first control signal of the node N5. I have.

【0050】内部回路D4から読み出される第2の制御
信号は、予め、不揮発性記憶素子に記憶されたデータ
で、製品ごとに“H”論理か“L”論理かが書き込まれ
ている。
The second control signal read from the internal circuit D4 is data stored in the nonvolatile memory element in advance, and "H" logic or "L" logic is written for each product.

【0051】この内部回路D4から読み出された第2の
制御信号が“H”論理の場合には、、第1の制御信号が
“L”論理の場合の可変抵抗回路D15の抵抗値は高く
設定され可変抵抗回路D15を流れる電流は減る。よっ
て、外部の無線通信装置とデータキャリアの通信距離が
遠く、第1の制御信号が“L”論理の場合でも損失を極
力減らした、遠距離通信向けのデータキャリアを実現す
ることができる。
When the second control signal read from the internal circuit D4 is "H" logic, the resistance value of the variable resistance circuit D15 when the first control signal is "L" logic is high. The set current flowing through the variable resistance circuit D15 decreases. Therefore, even when the communication distance between the external wireless communication device and the data carrier is long and the first control signal is “L” logic, it is possible to realize a data carrier for long-distance communication with minimal loss.

【0052】この内部回路D4から読み出された第2の
制御信号が“L”論理の場合には、第1の制御信号が
“L”論理の場合の可変抵抗回路D15の抵抗値は低く
設定されて可変抵抗回路D15を流れる電流は増大す
る。つまり、第1の制御信号が“L”論理の場合は電流
消費が多いため遠距離通信には向かない。しかし、(実
施の形態1)での説明でも明らかなように、外部の無線
通信装置とデータキャリアの通信距離が近距離間では、
確実に通信が可能なデータキャリアを実現することがで
きる。
When the second control signal read from the internal circuit D4 is "L" logic, the resistance value of the variable resistance circuit D15 is set low when the first control signal is "L" logic. As a result, the current flowing through the variable resistance circuit D15 increases. In other words, when the first control signal has the “L” logic, the current consumption is large, so that it is not suitable for long-distance communication. However, as is clear from the description of (Embodiment 1), when the communication distance between the external wireless communication device and the data carrier is short,
A data carrier that can reliably communicate can be realized.

【0053】このように不揮発性記憶装置に第2の制御
信号のデータを記憶しておくことで、任意の通信可能距
離を持つデータキャリアを実現することができる。な
お、この(実施の形態2)における不揮発性記憶装置の
記載は、電源電圧が無くなった状態でも書き込まれたデ
ータを保持し続けることができるメモリであって、電気
的に書き換え可能なメモリと電気的に書き換えができな
いメモリの何れのメモリで構成することもできる。
As described above, by storing the data of the second control signal in the nonvolatile storage device, a data carrier having an arbitrary communicable distance can be realized. Note that the description of the nonvolatile memory device in this (Embodiment 2) refers to a memory which can continue to hold written data even when the power supply voltage is lost. It can be composed of any memory that cannot be rewritten dynamically.

【0054】上記の実施の形態では、内部回路D4から
読み出したノードN5,N6の2つの信号に基づいて可
変抵抗回路の抵抗値を切り替えたが、さらに、可変抵抗
回路の抵抗値を切り替える信号として、不揮発性記憶装
置に記憶されているデータを複数用い、第3以降の制御
信号として使用することで可変抵抗回路の抵抗値をさら
に細かく制御でき、製品のトランジスタ特性のばらつき
等による可変抵抗回路の変動を緩和することができる。
In the above embodiment, the resistance value of the variable resistance circuit is switched based on the two signals at the nodes N5 and N6 read from the internal circuit D4. By using a plurality of data stored in the nonvolatile storage device and using the data as the third and subsequent control signals, the resistance value of the variable resistance circuit can be more finely controlled. Fluctuations can be reduced.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上のように本発明のデータキャリアに
よると、データキャリアと外部の無線通信装置の距離に
依存せず容易に通信できる優れたデータキャリアを実現
できる。
As described above, according to the data carrier of the present invention, an excellent data carrier which can easily communicate regardless of the distance between the data carrier and an external wireless communication device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の(実施の形態1)のデータキャリアの
構成図
FIG. 1 is a configuration diagram of a data carrier according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態における可変抵抗回路D15の構
成図
FIG. 2 is a configuration diagram of a variable resistance circuit D15 according to the embodiment.

【図3】同実施の形態における電源電圧レベル検知部D
16の構成図
FIG. 3 is a power supply voltage level detection unit D according to the embodiment;
Configuration diagram of 16

【図4】同実施の形態における電源電圧レベル検知回路
D16の電源電圧特性
FIG. 4 is a power supply voltage characteristic of a power supply voltage level detection circuit D16 according to the embodiment.

【図5】同実施の形態における無線通信装置とデータキ
ャリア間の距離の違いと返答信号の出力波形図
FIG. 5 is a diagram illustrating a difference between a distance between the wireless communication apparatus and a data carrier and an output waveform of a reply signal according to the embodiment.

【図6】本発明の(実施の形態2)のデータキャリアの
構成図
FIG. 6 is a configuration diagram of a data carrier according to (second embodiment) of the present invention.

【図7】従来のデータキャリアの構成図FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional data carrier.

【図8】同従来例における可変抵抗回路の構成図FIG. 8 is a configuration diagram of a variable resistor circuit in the conventional example.

【図9】同従来例のデータキャリアにおける無線通信装
置とデータキャリア間の距離と各ノード間の電圧レベル
の関係図
FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the distance between the wireless communication device and the data carrier and the voltage level between each node in the data carrier of the conventional example.

【図10】同従来例のデータキャリアにおける無線通信
装置とデータキャリア間の距離の違いと返答信号の出力
波形図
FIG. 10 is a diagram showing the difference between the distance between the wireless communication device and the data carrier and the output waveform of the reply signal in the data carrier of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L1 コイル C1 キャパシタ N1 共振回路の一端のノード N2 共振回路の一端のノード N3 内部電源ノード N4 内部接地ノード N5 第1の制御信号が発生するノード N6 第2の制御信号が発生するノード N21 基準電圧が発生するノード N22 比較用電源レベル信号が発生するノード D1 共振回路 D2 整流器 D3a レギュレータ D3b レギュレータ部 D4 内部回路 D15 可変抵抗回路 D16 電源電圧レベル検知部 D27 基準電圧発生源 D28 電源電圧モニター回路 D29 比較回路 T1 制御用スイッチ T11 制御用スイッチ T12 制御用スイッチ T13 制御用スイッチ R11,R12,R13,R14,R21,R22
抵抗
L1 coil C1 capacitor N1 node at one end of resonance circuit N2 node at one end of resonance circuit N3 internal power supply node N4 internal ground node N5 node where first control signal is generated N6 node where second control signal is generated N21 reference voltage Node that generates N22 Node that generates a power supply level signal for comparison D1 Resonance circuit D2 Rectifier D3a Regulator D3b Regulator section D4 Internal circuit D15 Variable resistance circuit D16 Power supply voltage level detection section D27 Reference voltage generation source D28 Power supply voltage monitor circuit D29 Comparison circuit T1 Control switch T11 Control switch T12 Control switch T13 Control switch R11, R12, R13, R14, R21, R22
resistance

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】外部から送信された信号をアンテナ回路で
受信し、これを整流してレギュレータで調整して必要と
する電力を賄うとともに、内部回路から読み出した情報
に基づいて前記アンテナ回路のQ値を可変するQ値制御
手段を制御してデータを出力するデータキャリアであっ
て、 前記Q値制御手段を前記レギュレータの出力と内部回路
から読み出した情報に基づいて制御するよう構成したデ
ータキャリア。
An antenna circuit receives a signal transmitted from the outside, rectifies the signal and adjusts the signal by a regulator to cover the required power, and based on information read from an internal circuit, a signal of the antenna circuit. What is claimed is: 1. A data carrier which controls a Q-value control means for changing a value and outputs data, wherein the data carrier is configured to control the Q-value control means based on an output of the regulator and information read from an internal circuit.
【請求項2】コイルと静電容量とで構成される共振回路
と、 前記共振回路の両端子間に接続され直流電圧に変換する
整流器と、 前記共振回路の両端子間に接続され前記共振回路のQ値
を可変するQ値制御手段と、 前記整流器により生成される前記直流電圧の電位上昇を
抑えるレギュレータと、 前記レギュレータの出力で運転される内部回路とを有
し、前記内部回路から読み出した情報に基づいて前記Q
値制御手段を制御してデータを出力するとともに、前記
Q値制御手段を前記レギュレータの出力に基づいて制御
するよう構成したデータキャリア。
2. A resonance circuit comprising a coil and a capacitance; a rectifier connected between both terminals of the resonance circuit for converting into a DC voltage; and a resonance circuit connected between both terminals of the resonance circuit. Q-value control means for varying the Q-value of the rectifier; a regulator for suppressing an increase in the potential of the DC voltage generated by the rectifier; and an internal circuit operated by the output of the regulator, and Said Q based on the information
A data carrier configured to control value control means to output data and to control the Q value control means based on an output of the regulator.
【請求項3】Q値制御手段を、前記共振回路に並列接続
された可変抵抗回路で構成し、この可変抵抗回路の抵抗
値を前記内部回路から読み出した情報と前記レギュレー
タの出力に基づいて3つ以上の抵抗値に切り替えるよう
構成した請求項2記載のデータキャリア。
3. The Q value control means comprises a variable resistance circuit connected in parallel to the resonance circuit, and determines a resistance value of the variable resistance circuit based on information read from the internal circuit and an output of the regulator. 3. The data carrier according to claim 2, wherein the data carrier is configured to switch to one or more resistance values.
【請求項4】前記可変抵抗回路の抵抗値を、前記内部回
路から読み出した情報と前記レギュレータの電圧レベル
検知信号により切り替えるよう構成した請求項3記載の
データキャリア。
4. A data carrier according to claim 3, wherein a resistance value of said variable resistance circuit is switched by information read from said internal circuit and a voltage level detection signal of said regulator.
【請求項5】可変抵抗回路の抵抗値を、内部回路より生
成される少なくとも2つの制御信号で切り替える請求項
2記載のデータキャリア。
5. The data carrier according to claim 2, wherein the resistance value of the variable resistance circuit is switched by at least two control signals generated from an internal circuit.
【請求項6】制御信号の少なくとも1つは、不揮発性記
憶装置に記憶された内容を参照して確定する請求項5記
載のデータキャリア。
6. The data carrier according to claim 5, wherein at least one of the control signals is determined by referring to contents stored in a nonvolatile storage device.
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