JP2002359186A - Projection aligner and position detector - Google Patents

Projection aligner and position detector

Info

Publication number
JP2002359186A
JP2002359186A JP2002131589A JP2002131589A JP2002359186A JP 2002359186 A JP2002359186 A JP 2002359186A JP 2002131589 A JP2002131589 A JP 2002131589A JP 2002131589 A JP2002131589 A JP 2002131589A JP 2002359186 A JP2002359186 A JP 2002359186A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
position detecting
light
projection exposure
position detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002131589A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3658378B2 (en
Inventor
Kazuhiko Mishima
和彦 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2002131589A priority Critical patent/JP3658378B2/en
Publication of JP2002359186A publication Critical patent/JP2002359186A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3658378B2 publication Critical patent/JP3658378B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a projection aligner having high position detecting accuracy and a position detector in which offset between processes is suppressed. SOLUTION: The projection aligner comprises a photoelectric conversion element, and a position detecting optical system for illuminating an object to be detected with light from a light source and focusing reflected light from the object onto the photoelectric conversion element wherein the position of the object is detected based on an image signal detected by the photoelectric conversion element and a wafer is aligned by the detected position of the objected. The position detecting optical system has aberration and the center of gravity of light intensity distribution on the pupil face of the position detecting optical system illuminating the object is set to cancel asymmetry due to aberration of the image signal of the object.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は投影露光装置及び位
置検出装置に関するものであり、特に半導体ICやLS
Iを製造する際に、レチクル面上のパターンをウエハに
投影するときにレチクルやウエハ等の物体の位置情報を
該物体の像を観察することによって高精度に検出し、該
検出した位置情報に基づいて物体の位置合わせを行う際
に好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus and a position detecting apparatus, and more particularly, to a semiconductor IC and an LS.
In manufacturing the I, when projecting a pattern on a reticle surface onto a wafer, position information of an object such as a reticle or a wafer is detected with high accuracy by observing an image of the object, and the detected position information is This is suitable for performing the positioning of the object based on the information.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の製造技術の進展は近年ます
ます速度を増しており、それに伴って微細加工技術の進
展も著しいものがある。特にその中心をなすレチクル面
上のパターンをウエハに投影する投影露光装置を用いた
光加工技術は1MDRAMを境にサブミクロンの領域に
及んでいる。
2. Description of the Related Art In recent years, the progress of semiconductor device manufacturing technology has been increasing at an ever-increasing rate, and accordingly, there has been a remarkable progress in fine processing technology. In particular, optical processing technology using a projection exposure apparatus that projects a pattern on a reticle surface, which forms the center of the reticle surface, onto a wafer extends to a submicron region with a boundary of 1 MDRAM.

【0003】投影パターン像の解像力を向上させる手段
として投影露光装置に対して過去より行われてきた方法
に露光光の波長を固定して投影光学系のNAを大きくし
ていく手法や、露光波長をg線からi線、さらにはエキ
シマレ−ザの発振波長というようにより短波長化してい
く手法がある。また最近では位相シフトマスクや変形照
明等により、光露光による光加工の限界を広げる試みが
行われている。
As a means for improving the resolving power of a projected pattern image, a method of increasing the NA of a projection optical system by fixing the wavelength of exposure light to a method that has been used in the past for a projection exposure apparatus, and an exposure wavelength. There is a method of shortening the wavelength from the g-line to the i-line and further to the oscillation wavelength of the excimer laser. Recently, attempts have been made to expand the limit of optical processing by light exposure using a phase shift mask, modified illumination, or the like.

【0004】一方、解像力の向上に伴って、投影露光装
置においてウエハとレチクルとを相対的に位置合わせす
るアライメントについても高精度化が必要とされてい
る。半導体素子製造用の投影露光装置は露光装置と同時
に位置検出装置としての機能も必要となっている。
[0004] On the other hand, with the improvement of the resolving power, the alignment for relatively aligning the wafer and the reticle in the projection exposure apparatus also needs to be improved in accuracy. A projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element needs to function not only as an exposure apparatus but also as a position detection apparatus.

【0005】図3は従来の半導体素子製造用の投影露光
装置におけるアライメント用の位置検出系の構成を示し
たものである。ウエハ4の表面内に図に示したように
x、y軸を取るが、投影露光装置の位置検出系はx及び
y方向が同様なので、ここではy方向の計測について説
明する。ここで位置検出光学系(位置検出系)とは光源
から検出に到るまでの全ての光学系を総称した名称とす
る。
FIG. 3 shows a configuration of a position detecting system for alignment in a conventional projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element. Although the x and y axes are taken in the surface of the wafer 4 as shown in the figure, the x and y directions are the same in the position detection system of the projection exposure apparatus, so the measurement in the y direction will be described here. Here, the position detection optical system (position detection system) is a generic name for all the optical systems from the light source to the detection.

【0006】不図示のHe−Neレ−ザ−等の光源から
出射した光は、ファイバ−12を通して照明光学系11
に導かれる。光は偏光ビ−ムスプリッタ10により紙面
に垂直なS偏光成分が反射され、λ/4板7を透過して
円偏光に変換される。その後、光は結像光学系6、5、
ミラー30、投影露光光学系1を介し、xyz方向に駆
動可能なステ−ジ2の上に置かれたウエハ4上に作成さ
れたマ−ク(アライメントマーク)31をケ−ラ−照明
する。マ−ク31からの反射光、あるいは散乱光は再び
投影露光光学系1、ミラー30、結像光学系5、6を通
過した後、λ/4板7を経て今度は紙面内成分であるP
偏光に変換される。P偏光に変換されたため、光は偏光
ビ−ムスプリッタ10を透過し、結像レンズ8によって
CCDカメラ等の光電変換素子9上に前記マ−ク31の
像を結像する。該光電変換素子9で検出されたマーク像
の信号は画像処理されてマ−ク31の位置が高精度で検
出され、該検出値からステ−ジ2を駆動してウエハ4の
位置合わせを行っている。
Light emitted from a light source (not shown) such as a He-Ne laser is transmitted through a fiber 12 to an illumination optical system 11.
It is led to. The light is reflected by the polarizing beam splitter 10 into an S-polarized light component perpendicular to the plane of the paper, passes through the λ / 4 plate 7, and is converted into circularly polarized light. Thereafter, the light is applied to the imaging optics 6, 5,
Via a mirror 30 and a projection exposure optical system 1, a mark (alignment mark) 31 formed on a wafer 4 placed on a stage 2 which can be driven in the xyz directions is subjected to color illumination. The reflected light or scattered light from the mark 31 passes through the projection exposure optical system 1, the mirror 30, and the imaging optical systems 5 and 6 again, passes through the λ / 4 plate 7, and then becomes P, which is an in-plane component.
Converted to polarized light. Since the light is converted into P-polarized light, the light passes through the polarizing beam splitter 10 and forms an image of the mark 31 on the photoelectric conversion element 9 such as a CCD camera by the imaging lens 8. The signal of the mark image detected by the photoelectric conversion element 9 is subjected to image processing, the position of the mark 31 is detected with high accuracy, and the stage 2 is driven from the detected value to align the wafer 4. ing.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図3に示す従来の位置
検出系では位置検出精度を低下させるいくつかの問題点
が存在している。
The conventional position detection system shown in FIG. 3 has several problems that lower the position detection accuracy.

【0008】第1に挙げられるのは検出波長に伴う問題
である。このような位置検出系ではアライメント用の光
源として、マーク像の検出時の露光を防ぐため非露光光
を用いている。投影露光光学系1は露光波長に対して諸
収差が最適化されているため、非露光光の波長では収差
が発生し、また製造誤差による影響もあって位置検出時
に計測誤差を発生させる要因となる。
First, there is a problem associated with the detection wavelength. In such a position detection system, non-exposure light is used as a light source for alignment in order to prevent exposure when detecting a mark image. In the projection exposure optical system 1, various aberrations are optimized with respect to the exposure wavelength, so that aberrations occur at the wavelength of the non-exposure light, and there are factors that cause measurement errors during position detection due to the influence of manufacturing errors. Become.

【0009】第2の要因はケ−ラ−照明に関する問題で
ある。該照明法において照明をσ=0 で使用するの
は、光量や結像時における空間周波数のカットオフの問
題があるため実用上困難で、一般には有限の大きさの発
光面を持った光源が用いられる。例えば実際にはレ−ザ
−光源からの光をファイバ−で照明系に導光したり、ラ
ンプそのものを光源として用いたりしている。
[0009] The second factor is a problem with color illumination. It is practically difficult to use illumination at σ = 0 in the illumination method because of the problems of light quantity and spatial frequency cutoff at the time of image formation. Generally, a light source having a light emitting surface of finite size is used. Used. For example, in practice, light from a laser light source is guided to an illumination system through a fiber, or a lamp itself is used as a light source.

【0010】σがゼロでないため位置検出面のウエハ面
では光軸に対してある角度を持った照明光が存在する。
ケ−ラ−照明は検出面を一様に照明する手法であるが、
検出光学系の瞳面の分布である有効光源の一様性まで保
証するものではない。従って有効発光面の光強度分布が
マ−クの計測方向に対して対称でない場合、即ち検出面
に対する照明光の入射角分布が非対称な場合、観察され
るマーク像の光強度分布が対称に照明されたものと異な
り、計測誤差を発生させるという問題を生じる。
Since σ is not zero, illumination light having a certain angle with respect to the optical axis exists on the wafer surface of the position detection surface.
Kerr illumination is a method of illuminating the detection surface uniformly.
It does not guarantee the uniformity of the effective light source, which is the distribution of the pupil plane of the detection optical system. Therefore, when the light intensity distribution on the effective light emitting surface is not symmetric with respect to the measurement direction of the mark, that is, when the incident angle distribution of the illumination light with respect to the detection surface is asymmetric, the light intensity distribution of the observed mark image is symmetrically illuminated. Unlike the above-described method, a problem of causing a measurement error occurs.

【0011】図4(a)はy方向の計測マ−ク31の鳥
瞰図、図4(b)は該マ−クをx方向から見た断面図、
図4(c)は観察される信号波形を示す。
FIG. 4A is a bird's-eye view of the measurement mark 31 in the y direction, FIG. 4B is a cross-sectional view of the mark seen from the x direction,
FIG. 4C shows an observed signal waveform.

【0012】有効発光面の光強度分布は光源の発光強度
分布と等価なので、検出面では該発光領域の強度に依存
した入射角度の強度分布を生じる。図4で32aをマ−
ク31に対して垂直に入射する光、32bと32cをそ
れぞれ垂直方向に対して角度が等しいが方向の異なる方
向からの入射光とし、段差構造を持ったマ−ク31を照
明して位置検出を行うケ−スを考える。図に示すように
斜方向から入射する光32bの照明光強度が、斜方向か
ら入射する光32cの照明光強度より弱いとすると、マ
−ク31を検出する場合、マ−クエッジ部の散乱光強度
に差が発生し正確な位置検出ができないという問題が発
生してくる。簡単のためマ−ク31の断面形状が完全に
対称と仮定すれば、マ−クエッジからの散乱光の干渉条
件の差は考慮しなくてよいが、このように理想的な場合
でも、光32cの方が光32bよりも強度が強ければマ
−クエッジ部での光の散乱の様子が異なり、得られるマ
−クの画像信号は図4(c)に見られるように非対称と
なる。即ち、マ−ク自体が対称であるにもかかわらず、
照明条件が非対称だと検出する画像信号の波形が歪んで
しまい、正確なマ−ク位置の検出が困難となる。勿論、
光32bと光32cの強度が等しければ対称性より、波
形は完全に対称な形となる。
Since the light intensity distribution on the effective light emitting surface is equivalent to the light intensity distribution of the light source, an intensity distribution of the incident angle on the detection surface depends on the intensity of the light emitting region. In FIG. 4, 32a is marked.
Light incident perpendicularly to the mark 31, and 32b and 32c are incident light from directions different in direction but at the same angle to the vertical direction, and the mark 31 having the step structure is illuminated to detect the position. Consider a case where Assuming that the illumination light intensity of the light 32b incident from the oblique direction is lower than the illumination light intensity of the light 32c incident from the oblique direction as shown in the figure, when the mark 31 is detected, the scattered light at the mark edge portion is detected. There arises a problem that a difference occurs in the intensity and accurate position detection cannot be performed. Assuming that the cross-sectional shape of the mark 31 is perfectly symmetric for simplicity, it is not necessary to consider the difference in the interference condition of the scattered light from the mark edge. If the intensity is higher than that of the light 32b, the state of light scattering at the mark edge differs, and the resulting image signal of the mark becomes asymmetric as shown in FIG. 4 (c). That is, although the mark itself is symmetric,
If the illumination condition is asymmetric, the waveform of the image signal to be detected is distorted, and it is difficult to accurately detect the mark position. Of course,
If the intensities of the light 32b and the light 32c are equal, the waveform has a completely symmetric shape due to the symmetry.

【0013】実際の信号の非対称性はマ−ク段差の構造
の違いや、レジスト等の半導体製造工程の違いによって
も生じる。また、エッジの散乱特性は入射光の強度に比
例したり、反比例したりと千差万別な様相を示して信号
の非対称性の発生を複雑化させる。しかしながら、装置
自身としてはまず測定方向における照明光の入射角強度
の非対称性によるマ−クの計測誤差を取り除くのが重要
である。
The actual asymmetry of the signal also occurs due to the difference in the structure of the mark step and the difference in the manufacturing process of a semiconductor such as a resist. In addition, the scattering characteristics of the edges are invariably proportional to and inversely proportional to the intensity of the incident light, which complicates the generation of signal asymmetry. However, it is important for the apparatus itself to remove the measurement error of the mark due to the asymmetry of the incident angle intensity of the illumination light in the measurement direction.

【0014】このような現象を解決する方法としては位
置検出系の瞳面や像面に拡散板等のフィルタを配置し、
光強度分布及び角度分布の均一化を図っている。ところ
がこのように拡散板を用いると光強度の均一度に反比例
して物体面での光量の減少を引き起こし、半導体素子の
製造工程によってアライメントマ−クの検出が困難にな
る場合がある。本発明は上記の点及び幾つかの実験を通
して判明した事実を考慮し、投影露光光学系も含む位置
検出光学系の諸収差を除去するよう、該位置検出光学系
の照明条件を最適化し、位置検出精度の向上を図り、高
集積度の半導体素子を製造する際に好適な投影露光装置
及び位置検出装置の提供を目的とする。
As a method for solving such a phenomenon, a filter such as a diffusion plate is arranged on a pupil plane or an image plane of the position detection system,
The light intensity distribution and the angle distribution are made uniform. However, when the diffusion plate is used, the amount of light on the object surface is reduced in inverse proportion to the uniformity of the light intensity, and it may be difficult to detect the alignment mark depending on the semiconductor element manufacturing process. The present invention, taking into account the above points and the facts found through some experiments, optimizes the illumination conditions of the position detecting optical system to eliminate various aberrations of the position detecting optical system including the projection exposure optical system, It is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus and a position detection apparatus suitable for manufacturing a highly integrated semiconductor element by improving detection accuracy.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記説明したように位置
検出装置の位置検出光学系の瞳面に当たる像面のフ−リ
エ変換面の一次元、あるいは二次元の光強度分布は、検
出対象物体のマ−クをケ−ラ−照明する光の角度特性に
対応する。そして該角度特性によって検出するべきマ−
クの画像信号は影響を受ける。投影露光光学系を含む位
置検出光学系が検出光に対して無収差の場合、検出され
る画像信号を対称にするためには、照明光の角度特性が
マ−クの中心に対して対称になるようにすればよい。つ
まり、瞳面での光強度分布を光軸に対して対称になるよ
うにすることが必要となる。なおここでの瞳面強度に要
求される対称性はマ−クの計測方向に関するものであ
る。
As described above, the one-dimensional or two-dimensional light intensity distribution of the Fourier transform plane of the image plane corresponding to the pupil plane of the position detecting optical system of the position detecting device is determined by the object to be detected. Corresponds to the angular characteristics of the light that illuminates the mark. And a mark to be detected based on the angle characteristic.
The image signal of the clock is affected. When the position detection optical system including the projection exposure optical system has no aberration with respect to the detection light, in order to make the detected image signal symmetric, the angle characteristic of the illumination light is symmetric with respect to the center of the mark. What is necessary is just to become. That is, it is necessary to make the light intensity distribution on the pupil plane symmetrical with respect to the optical axis. The symmetry required for the pupil plane intensity here relates to the measurement direction of the mark.

【0016】更に発明者の実験によれば、検出されるマ
−クの画像信号が特に光強度分布の重心位置に依存して
顕著に変化することが確認された。投影露光光学系を含
む位置検出光学系自体に収差が存在する場合、これらの
影響によるマ−クの画像信号の非対称性は瞳面の光学重
心の調整によってキャンセルできること、及びこの光学
重心の変化に対して信号が敏感に反応する構造のマ−ク
のあることも発明者によって確認された。本発明は以上
の点を考慮してなされたもので、位置検出光学系を光学
重心の調整可能な照明系で構成し、ある特定の画像信号
を観察して照明条件を最適化することで、マ−クの位置
検出精度の向上を図ったことを特徴としている。
Further, according to the experiment of the inventor, it has been confirmed that the detected image signal of the mark changes remarkably depending on the position of the center of gravity of the light intensity distribution. If the position detecting optical system including the projection exposure optical system itself has aberrations, the asymmetry of the image signal of the mark due to these effects can be canceled by adjusting the optical center of gravity of the pupil plane. It has also been confirmed by the inventor that the signal has a sensitive mark. The present invention has been made in consideration of the above points, the position detection optical system is configured with an illumination system capable of adjusting the optical center of gravity, by optimizing the illumination conditions by observing a specific image signal, It is characterized by improving the position detection accuracy of the mark.

【0017】次に具体的に各請求項の発明の構成を示
す。
Next, the structure of the invention of each claim will be specifically described.

【0018】請求項1の発明の投影露光装置は光電変換
素子と、光源からの光で被検物体を照明し、該被検物体
からの反射光を前記光電変換素子上に結像する位置検出
光学系とを有し、前記光電変換素子で検出された画像信
号に基づいて前記被検物体の位置を検出し、検出された
前記被検物体の位置によりウエハの位置合わせを行う投
影露光装置であって、前記位置検出光学系が収差を有し
ており、前記被検物体の画像信号の、前記収差による非
対称性を打ち消す方向に作用するように、前記被検物体
を照明する光の前記位置検出光学系の瞳面における光強
度分布の重心位置が設定されていることを特徴としてい
る。
A projection exposure apparatus according to a first aspect of the present invention illuminates a test object with light from a photoelectric conversion element and a light source, and detects a position at which reflected light from the test object forms an image on the photoelectric conversion element. A projection exposure apparatus that has an optical system, detects a position of the test object based on an image signal detected by the photoelectric conversion element, and aligns a wafer based on the detected position of the test object. The position detection optical system has an aberration, and the position of the light illuminating the object to be measured is such that the image signal of the object to be tested acts in a direction to cancel the asymmetry due to the aberration. The center of gravity of the light intensity distribution on the pupil plane of the detection optical system is set.

【0019】請求項2の発明は請求項1の発明において
前記位置検出光学系の瞳面における光強度分布の重心位
置が前記位置検出光学系の光軸に対して偏心しているこ
とを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the position of the center of gravity of the light intensity distribution on the pupil plane of the position detecting optical system is decentered with respect to the optical axis of the position detecting optical system. .

【0020】請求項3の発明は請求項1又は2の発明に
おいて光出射側の端面が前記位置検出光学系の瞳位置近
傍になるように配置された光ファイバーを有し、前記光
ファイバーの光出射側の端面が前記位置検出光学系の光
軸に対して偏心していることを特徴としている。
In a third aspect of the present invention, there is provided an optical fiber according to the first or second aspect, further comprising an optical fiber arranged so that an end face on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system, and the light emitting side of the optical fiber. Is decentered with respect to the optical axis of the position detecting optical system.

【0021】請求項4の発明は請求項1乃至3のいずれ
か1項の発明において光出射側の端面が前記位置検出光
学系の瞳位置近傍になるように配置された光ファイバー
を有し、前記光ファイバーの光出射側の端面を偏心調整
する手段を有していることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the optical fiber device according to any one of the first to third aspects, further comprising an optical fiber arranged so that an end surface on a light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system. It is characterized in that it has means for adjusting the eccentricity of the end face of the optical fiber on the light emission side.

【0022】請求項5の発明は請求項1乃至4のいずれ
か1項の発明において前記位置検出光学系の瞳位置と共
役な位置に配置された開口又は空間フィルタを有し、該
開口又は空間フィルタが前記位置検出光学系の光軸に対
して偏心していることを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects of the present invention, there is provided an aperture or a spatial filter arranged at a position conjugate with a pupil position of the position detecting optical system. The filter is decentered with respect to the optical axis of the position detecting optical system.

【0023】請求項6の発明は請求項1乃至5のいずれ
か1項の発明において前記位置検出光学系の瞳位置と共
役な位置に配置された開口又は空間フィルタを有し、前
記開口又は前記空間フィルタを駆動する駆動装置を有す
ることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, there is provided an aperture or a spatial filter disposed at a position conjugate with a pupil position of the position detecting optical system. A driving device for driving the spatial filter is provided.

【0024】請求項7の発明は請求項1乃至6のいずれ
か1項の発明において光出射側の端面が前記位置検出光
学系の瞳位置近傍になるように配置された光ファイバー
と、前記光ファイバーの光出射側の端面の像が形成され
る位置に設けられた、前記端面の像よりも小さい開口部
を有する開口とを有することを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an optical fiber according to any one of the first to sixth aspects, wherein the optical fiber is disposed such that an end surface on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system. An opening provided at a position where an image of the end face on the light emission side is formed, and having an opening smaller than the image of the end face.

【0025】請求項8の発明は請求項7の発明において
前記開口は前記位置検出光学系のσを1以下とする開口
であることを特徴としている。
An eighth aspect of the present invention is characterized in that, in the seventh aspect of the present invention, the opening is an opening that sets the σ of the position detecting optical system to 1 or less.

【0026】請求項9の発明は請求項7又は8の発明に
おいて前記開口の最適移動量を算出する演算処理装置
と、該演算処理装置による算出値に従い前記開口を駆動
する駆動装置を有することを特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, in accordance with the seventh or eighth aspect of the present invention, there is provided an arithmetic processing device for calculating an optimum movement amount of the opening, and a driving device for driving the opening in accordance with a value calculated by the arithmetic processing device. Features.

【0027】請求項10の発明は請求項1乃至9のいず
れか1項の発明において前記位置検出光学系は、TTL
の位置検出光学系であることを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the position detecting optical system is TTL
Is a position detecting optical system.

【0028】請求項11の発明は請求項1乃至9のいず
れか1項の発明において前記位置検出光学系は、TTR
の位置検出光学系であることを特徴としている。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the invention of any one of the first to ninth aspects, the position detecting optical system is a TTR.
Is a position detecting optical system.

【0029】請求項12の発明は請求項1乃至9のいず
れか1項の発明において前記位置検出光学系は、オフア
クシスの位置検出光学系であることを特徴としている。
A twelfth aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect of the present invention, the position detecting optical system is an off-axis position detecting optical system.

【0030】請求項13の位置検出装置は発明は光電変
換素子と、光源からの光で被検物体を照明し、該被検物
体からの反射光を前記光電変換素子上に結像する位置検
出光学系とを有し、前記光電変換素子で検出された画像
信号に基づいて前記被検物体の位置を検出する位置検出
装置であって、前記位置検出光学系が収差を有してお
り、前記被検物体の画像信号の、前記収差による非対称
性を打ち消す方向に作用するように、前記被検物体を照
明する光の前記位置検出光学系の瞳面における光強度分
布の重心位置が設定されていることを特徴としている。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a position detecting apparatus for illuminating an object to be inspected with light from a photoelectric conversion element and a light source, and detecting reflected light from the object to form an image on the photoelectric conversion element. An optical system, comprising: a position detection device that detects the position of the test object based on an image signal detected by the photoelectric conversion element, wherein the position detection optical system has an aberration, The barycentric position of the light intensity distribution on the pupil plane of the position detection optical system of the light illuminating the test object is set so that the image signal of the test object acts in a direction to cancel the asymmetry due to the aberration. It is characterized by having.

【0031】請求項14の発明は請求項13の発明にお
いて前記位置検出光学系の瞳面における光強度分布の重
心位置が前記位置検出光学系の光軸に対して偏心してい
ることを特徴としている。
According to a fourteenth aspect, in the thirteenth aspect, the center of gravity of the light intensity distribution on the pupil plane of the position detecting optical system is decentered with respect to the optical axis of the position detecting optical system. .

【0032】請求項15の発明は請求項13又は14の
発明において光出射側の端面が前記位置検出光学系の瞳
位置近傍になるように配置された光ファイバーを有し、
前記光ファイバーの光出射側の端面が前記位置検出光学
系の光軸に対して偏心していることを特徴としている。
A fifteenth aspect of the present invention has an optical fiber according to the thirteenth or fourteenth aspect, wherein the optical fiber is disposed such that an end face on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system.
The end face of the optical fiber on the light emission side is eccentric with respect to the optical axis of the position detection optical system.

【0033】請求項16の発明は請求項13乃至15の
いずれか1項の発明において光出射側の端面が前記位置
検出光学系の瞳位置近傍になるように配置された光ファ
イバーを有し、前記光ファイバーの光出射側の端面を偏
心調整する手段を有していることを特徴としている。
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided the optical fiber device according to any one of the thirteenth to thirteenth aspects, further comprising an optical fiber arranged such that an end surface on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system. It is characterized in that it has means for adjusting the eccentricity of the end face of the optical fiber on the light emission side.

【0034】請求項17の発明は請求項13乃至16の
いずれか1項の発明において前記位置検出光学系の瞳位
置と共役な位置に配置された開口又は空間フィルタを有
し、該開口又は空間フィルタが前記位置検出光学系の光
軸に対して偏心していることを特徴としている。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in any one of the thirteenth to sixteenth aspects, there is provided an aperture or a spatial filter arranged at a position conjugate with a pupil position of the position detecting optical system. The filter is decentered with respect to the optical axis of the position detecting optical system.

【0035】請求項18の発明は請求項13乃至17の
いずれか1項の発明において前記位置検出光学系の瞳位
置と共役な位置に配置された開口又は空間フィルタを有
し、前記開口又は前記空間フィルタを駆動する駆動装置
を有することを特徴としている。
According to a eighteenth aspect of the present invention, in any one of the thirteenth to seventeenth aspects, there is provided an aperture or a spatial filter disposed at a position conjugate with a pupil position of the position detecting optical system. A driving device for driving the spatial filter is provided.

【0036】請求項19の発明は請求項13乃至18の
いずれか1項の発明において光出射側の端面が前記位置
検出光学系の瞳位置近傍になるように配置された光ファ
イバーと、前記光ファイバーの光出射側の端面の像が形
成される位置に、前記端面の像よりも小さい開口部を有
する開口とを有することを特徴としている。
According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided an optical fiber according to any one of the thirteenth to eighteenth aspects, wherein the optical fiber is disposed such that an end surface on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system. An opening having a smaller opening than the image of the end face is provided at a position where an image of the end face on the light emission side is formed.

【0037】請求項20の発明は請求項19の発明にお
いて前記開口は前記位置検出光学系のσを1以下とする
開口であることを特徴としている。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the nineteenth aspect, the opening is an opening that sets the σ of the position detecting optical system to 1 or less.

【0038】請求項21の発明は請求項19又は20の
発明において前記開口の最適移動量を算出する演算処理
装置と、該演算処理装置による算出値に従い前記開口を
駆動する駆動装置を有することを特徴としている。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in accordance with the nineteenth or twentieth aspect of the present invention, there is provided an arithmetic processing unit for calculating an optimal movement amount of the opening, and a driving device for driving the opening according to a value calculated by the arithmetic processing unit. Features.

【0039】請求項22の発明の投影露光装置は請求項
13乃至21のいずれか1項記載の位置検出装置を有
し、前記位置検出装置によって検出された前記被検物体
の位置によりウエハの位置合わせを行うことを特徴とし
ている。
According to a twenty-second aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus having the position detecting device according to any one of the thirteenth to twenty-first aspects, wherein the position of the wafer is determined based on the position of the object detected by the position detecting device. It is characterized by performing matching.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施形態1の半導
体素子製造用の投影露光装置を示すものである。図中、
従来例と同一の構成要素には同じ記号が付されている。
ウエハ4の表面内に図に示したようにx、y軸を取る
が、本実施形態の投影露光装置の位置検出光学系はx及
びy方向の計測は同等なので、y方向の計測についての
み説明する。
FIG. 1 shows a projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. In the figure,
The same components as those in the conventional example are denoted by the same symbols.
Although the x and y axes are taken in the surface of the wafer 4 as shown in the figure, since the position detection optical system of the projection exposure apparatus of the present embodiment measures in the x and y directions, only the measurement in the y direction will be described. I do.

【0041】図1でHeNeレ−ザ−あるいはその他の
非露光光源で構成される光源13から出射した光はファ
イバ−12を通して照明光学系11に入射する。光は偏
光ビ−ムスプリッタ10により紙面に垂直なS偏光成分
が反射され、λ/4板7を透過して円偏光に変換され
る。その後、光は結像光学系6、5、ミラー30、投影
露光光学系1を介してxyz方向に駆動可能なステ−ジ
2の上に置かれたウエハ4上に作成されたマ−クあるい
は調整用の基準マ−ク14を照明する。マ−クからの反
射光、あるいは散乱光は再び投影露光光学系1、ミラー
30、結像光学系5、6を通過した後、λ/4板7を経
て今度は紙面内成分であるP偏光に変換される。P偏光
に変換されたため、光は偏光ビ−ムスプリッタ10を透
過し、結像レンズ8によってCCDカメラ等の光電変換
素子9上に前記マ−クの像を結像させる。該光電変換素
子9で検出された信号は画像処理されてマ−クの位置が
検出され、該検出値からステ−ジ2を駆動してウエハ4
の位置合わせを行っている。
In FIG. 1, light emitted from a light source 13 composed of a HeNe laser or another non-exposure light source enters an illumination optical system 11 through a fiber 12. The light is reflected by the polarizing beam splitter 10 into an S-polarized light component perpendicular to the plane of the paper, passes through the λ / 4 plate 7, and is converted into circularly polarized light. Thereafter, the light passes through the imaging optics 6, 5, the mirror 30, and the projection exposure optics 1, and the mark formed on the wafer 4 placed on the stage 2 which can be driven in the xyz directions or The reference mark 14 for adjustment is illuminated. The reflected light or the scattered light from the mark again passes through the projection exposure optical system 1, the mirror 30, and the imaging optical systems 5 and 6, and then passes through the λ / 4 plate 7, this time as P-polarized light which is a component in the paper. Is converted to Since the light is converted into P-polarized light, the light passes through the polarizing beam splitter 10 and forms an image of the mark on the photoelectric conversion element 9 such as a CCD camera by the imaging lens 8. The signal detected by the photoelectric conversion element 9 is subjected to image processing to detect the position of the mark, and the stage 2 is driven from the detected value to drive the wafer 4.
Are aligned.

【0042】本発明は光学重心の調整用の基準マ−ク1
4をステージ2上に設けたことを特徴としている。調整
用の基準マ−ク14は図9に示す構造を持ったメカニズ
ムの上に形成されている。即ち基準マ−ク14は第2基
板21の上に取り付けられているが、第2基板21はz
軸方向の調整が可能となるようにピエゾ素子等の歪電素
子22を介して第1基板23の上に設置されており、更
に第1基板23は回転軸24によって保持されている。
このような構造を持っているためピエゾ素子22の印加
電圧を制御することで基準マ−ク14のフォ−カスを調
整し、更に基準マ−ク14を所定の角度回転することが
可能となっている。特に基準マ−ク14を180°回転
させて観察し、回転前の観察と比較して、基準マ−ク1
4の構造自体の非対称性による影響を削除するようにし
ている。本実施形態では、調整用の基準マ−ク14のよ
うな特別なマ−クを装置に設け、これによってウエハと
関係なく簡易に計測でき、且つ安定した調整基準を持つ
ことを可能としている。
The present invention provides a reference mark 1 for adjusting the optical center of gravity.
4 is provided on the stage 2. The reference mark 14 for adjustment is formed on a mechanism having the structure shown in FIG. That is, while the reference mark 14 is mounted on the second substrate 21, the second substrate 21
It is installed on a first substrate 23 via a strain sensor 22 such as a piezo element so that adjustment in the axial direction is possible, and the first substrate 23 is held by a rotating shaft 24.
Due to such a structure, it is possible to adjust the focus of the reference mark 14 by controlling the voltage applied to the piezo element 22, and to rotate the reference mark 14 by a predetermined angle. ing. In particular, the reference mark 14 is rotated 180 ° for observation, and compared with the observation before rotation, the reference mark 1
The effect of the asymmetry of the structure 4 itself is eliminated. In the present embodiment, a special mark such as an adjustment reference mark 14 is provided in the apparatus, so that measurement can be performed easily regardless of the wafer and a stable adjustment reference can be provided.

【0043】ここでは特別にステ−ジ2上に調整用の基
準マ−ク14を設けたが、同じことは同様のマ−クを持
つウエハあるいはそれに類するマ−クを持つウエハを用
いて行うことも可能である。
Here, the reference mark 14 for adjustment is specially provided on the stage 2, but the same is performed using a wafer having a similar mark or a wafer having a similar mark. It is also possible.

【0044】ここで位置検出光学系の瞳面の光学重心が
計測方向を含む面内で光軸に関して対称ではあるが、検
出波長の光に対して投影露光光学系を含む位置検出光学
系が偏心コマ収差を持つ場合を例に考える。図6は本実
施形態で得られる検出信号の模式図である。図6(a)
は計測方向断面の段差形状を持ったマ−クと照明光4
1、及び偏心コマを考慮した散乱光42a、42bを示
す。図6(b)は図6(a)の状態での基準マ−クの画
像信号である。マ−クエッジ部からの検出光はマ−ク中
心に対して非対称な波形となる。ここで一方のエッジの
強度をa、もう一方のエッジの強度をb、マ−ク全体の
強度をcとして、評価値Eを、 E=(a−b)/c (1) とする。評価値Eは波形歪みを表すパラメ−タ−と考え
られる。このような定義の下、シリコン(Si)で矩形
段差構造を持つアライメントマ−クの段差の高さdを幾
つか変え、そのときの評価値Eを計測した結果を図7に
示す。図で横軸は検出光のHeNeレ−ザ−の波長λで
modulusを取った段差(高さ)d、縦軸は評価値
Eである。検討の結果、評価値Eは図7(a)に示すよ
うに周期関数的に変化することが実験及びシミュレ−シ
ョンから確認された。
Although the optical center of gravity of the pupil plane of the position detecting optical system is symmetric with respect to the optical axis in a plane including the measurement direction, the position detecting optical system including the projection exposure optical system is decentered with respect to the light of the detection wavelength. Consider the case of having coma as an example. FIG. 6 is a schematic diagram of a detection signal obtained in the present embodiment. FIG. 6 (a)
Is a mark having a step shape in the cross section in the measurement direction and the illumination light 4
1 and scattered lights 42a and 42b in consideration of eccentric coma. FIG. 6B is an image signal of the reference mark in the state of FIG. The detection light from the mark edge has an asymmetric waveform with respect to the mark center. Here, assuming that the intensity of one edge is a, the intensity of the other edge is b, and the intensity of the entire mark is c, the evaluation value E is E = (ab) / c (1). The evaluation value E is considered as a parameter representing waveform distortion. Under such a definition, FIG. 7 shows the result of measuring the evaluation value E at this time by changing some step heights d of the alignment mark having a rectangular step structure made of silicon (Si). In the figure, the horizontal axis represents a step (height) d obtained by taking a modulus at the wavelength λ of the HeNe laser of the detection light, and the vertical axis represents the evaluation value E. As a result of the examination, it was confirmed from experiments and simulations that the evaluation value E changed periodically as shown in FIG. 7A.

【0045】これに対し図7(b)は投影露光光学系を
含む位置検出光学系に収差がない状態で、図1に示した
ファイバ−12の端面(瞳面)が偏心した時の段差に対
する評価値Eを示したものである。実線は瞳面での光学
重心の偏心を計測方向に検出系のNAの3%ずらした場
合の特性、破線は同様に1.5%偏心させた時の特性を
示す。縦軸、及び横軸は図7(a)と同じである。瞳面
での光学重心の偏心量に応じて評価値Eが振幅を持って
変化していることが分かる。即ち位置検出光学系に収差
が存在しない場合は、瞳面の光学重心を光軸上に調整す
ることで、段差の高さに依存しない、つまり多数ある半
導体製造工程間でマ−クの構造に依存したオフセット
(工程間オフセット)の少ない位置検出光学系を達成す
ることができる。
On the other hand, FIG. 7B shows a state in which the position detecting optical system including the projection exposure optical system has no aberration and the step when the end face (pupil plane) of the fiber 12 shown in FIG. 1 is decentered. The evaluation value E is shown. The solid line shows the characteristic when the eccentricity of the optical center of gravity on the pupil plane is shifted by 3% of the NA of the detection system in the measurement direction, and the broken line similarly shows the characteristic when the eccentricity is 1.5%. The vertical and horizontal axes are the same as those in FIG. It can be seen that the evaluation value E changes with amplitude according to the amount of eccentricity of the optical center of gravity on the pupil plane. That is, when there is no aberration in the position detecting optical system, the optical center of gravity of the pupil plane is adjusted on the optical axis, so that it does not depend on the height of the step. It is possible to achieve a position detection optical system having a small dependent offset (inter-process offset).

【0046】図7(a)と図7(b)の両者は類似した
正弦波状の特性を持っている。従って投影露光光学系を
含む位置検出光学系に偏心コマ成分がある場合、偏心コ
マによるマ−クに基づく画像信号の波形歪みを打ち消す
方向に光学重心を調整することで、理想的な場合と同様
に段差の高さに影響されない位置検出光学系を達成する
ことができる。また図7(a),(b)より段差がλ/
8、または3λ/8近辺の段差を持つマ−クを用いるこ
とで敏感に、且つ効率よく光学重心の調整を行うことが
できることも分かった。実際の調整ではSiウエハを使
って矩形段差マ−クを作成すると、段差量dの制御が容
易であるため都合が良い。しかしながらその他の材質を
用いてこれに類似するマ−ク、つまり矩形段差構造を持
ち、検出光に対してエッジ部のみ干渉現象を持つような
マ−クを用いても同様の効果が達成できる。また、図7
で示した様に段差に対する評価値は周期的に変化するの
で、λ/8,3/8λに限定されず、1/8λの奇数倍
の段差を用いることで、同様の効果が得られることは、
このグラフからも容易に推測できる。
FIGS. 7A and 7B both have similar sinusoidal characteristics. Therefore, when the position detecting optical system including the projection exposure optical system has an eccentric coma component, by adjusting the optical center of gravity in a direction to cancel the waveform distortion of the image signal based on the mark due to the eccentric coma, it is the same as the ideal case. Thus, it is possible to achieve a position detecting optical system which is not affected by the height of the step. 7A and 7B, the step is λ /
It was also found that the use of a mark having a step around 8, or 3λ / 8 enables sensitive and efficient adjustment of the optical center of gravity. In the actual adjustment, it is convenient to form a rectangular step mark using a Si wafer because the step amount d can be easily controlled. However, the same effect can be achieved by using another material and using a similar mark, that is, a mark having a rectangular step structure and having an interference phenomenon only at the edge portion with respect to the detection light. FIG.
Since the evaluation value for the step changes periodically as shown by, the effect is not limited to λ / 8 and λλ, and the same effect can be obtained by using an odd multiple of 8λ. ,
It can easily be inferred from this graph.

【0047】図5は実際の調整手順を示したフローチャ
ートである。調整はこれまで説明したように段差がλ/
8、またはλ/8近辺の段差を持つウエハを用いても行
うことができるが、ここでは図1に従って、調整用の基
準マ−ク14を用いた場合について説明する。
FIG. 5 is a flowchart showing the actual adjustment procedure. The adjustment is performed with a step of λ /
It can also be performed using a wafer having a step of about 8 or λ / 8. Here, the case where the reference mark 14 for adjustment is used will be described with reference to FIG.

【0048】まず調整用の基準マ−ク14を回転がない
初期状態においてピエゾ22を用いてフォ−カス位置に
駆動して、該基準マ−ク14の画像デ−タの取り込みを
行う。この状態での計測を添字nを付けて表す事とし、
得られた画像デ−タのエッジ信号の高さをan、bn、信
号の全体強度をcnとすると、(1)式より評価値En
計算することができる。
First, the reference mark 14 for adjustment is driven to the focus position by using the piezo 22 in the initial state without rotation, and the image data of the reference mark 14 is captured. The measurement in this state is represented by a subscript n ,
The resulting image de - height a n of the data of the edge signal, b n, if the total intensity of the signal and c n, can be calculated evaluation value E n from (1).

【0049】次に調整用の基準マ−ク14を回転軸24
により180°回転し、再びピエゾ22によりフォ−カ
ス駆動を行って画像デ−タを取り込む。この状態での計
測を添字rを付けて表す事とし、得られた画像デ−タの
エッジ信号の高さをar、br、信号の全体強度をcr
すれば、(1)式より評価値Enを計算することができ
る。その後、2つの評価値を平均化して E0=(En+Er)/2 (2) を最終評価値とする。評価値E0が所定の判断基準Eth
よりも小さければ、検出光学系の調整が十分になされて
いることになり通常のアライメント・ル−チンを続ける
ことができる。なお、判断基準Ethは位置検出光学系ご
とに、発生する工程間オフセットが許容範囲となるよう
な判断基準値として予め設定されている。評価値E0
条件(2)を満足しない場合は評価値E0に関する情報
をCRT等の表示手段に表示する。この場合は位置検出
光学系の調整が不十分であるため評価値Eの値が判断
基準Eth以下になるまで光学重心の最適化が繰り返し
行われる。
Next, the reference mark 14 for adjustment is connected to the rotating shaft 24.
, And focus driving is again performed by the piezo 22 to capture image data. The measurement in this state and be represented by the suffix r, the obtained image de - height a r a data edge signal, b r, if the overall strength of the signal and c r, (1) formula it can be calculated more evaluation values E n. Thereafter, the two evaluation values are averaged, and E 0 = (E n + E r ) / 2 (2) is set as the final evaluation value. The evaluation value E 0 is equal to a predetermined criterion E th
If it is smaller than this, the detection optical system is sufficiently adjusted, and the normal alignment routine can be continued. The criterion E th is set in advance for each position detecting optical system as a criterion value such that the generated offset between processes is within an allowable range. If the evaluation value E 0 does not satisfy the condition (2), information about the evaluation value E 0 is displayed on a display such as a CRT. In this case, optimization of the optical center of gravity to the value of the evaluation value E 0 due to insufficient adjustment of the position detecting optical system becomes less criterion E th is repeated.

【0050】以上述べたように調整用の基準マ−ク14
の回転しない画像と、180°回転した画像を用いるこ
とで、使用する基準マ−ク14が保有する非対称性によ
るオフセットの影響を除去している。従って基準マ−ク
14の段差構造がマ−ク中心に対して完全に対称なこと
が予め分かっている場合は180°回転して計測すると
いう操作を割愛することができる。また180°の回転
により発生するオフセット量が予め分かっている場合
も、回転操作を割愛し、代わりに該オフセット量を評価
値Enに反映させて最終評価値E0を求めることができ
る。
As described above, the reference mark 14 for adjustment is used.
By using the non-rotated image and the image rotated by 180 °, the influence of the offset caused by the asymmetry of the reference mark 14 used is eliminated. Therefore, when it is known in advance that the step structure of the reference mark 14 is completely symmetric with respect to the center of the mark, the operation of rotating and measuring by 180 ° can be omitted. In the case where the offset amount generated by the rotation of 180 ° is known in advance it is also omitted the rotation operation, instead to reflect the offset amount on the evaluation value E n and can be obtained a final evaluation value E 0.

【0051】これまでの説明は一方向の調整、即ち図1
のy方向の計測の調整について述べてきたが、最終的な
位置合わせは二次元的になされねばならない。その場
合、前記y方向と直交するx方向、即ち図1のx方向に
ついての調整も同様に行うことができる。即ちx方向に
ついては調整用の基準マ−ク14を90°、270°と
回転させ、y方向と同様に互いに180°異なる2つの
状態にして計測を行えば、一つの調整用マ−ク14で
x、y両方向を賄うことができる。一つのマ−クを用い
ると省スペ−スとなると同時に、マ−ク自体が2つの方
向で共通となるため、オフセットの管理上からも実用的
に価値が大きい。
The description so far has been directed to one-way adjustment, that is, FIG.
Although the adjustment of the measurement in the y direction has been described, the final alignment must be performed two-dimensionally. In this case, the adjustment in the x direction orthogonal to the y direction, that is, the x direction in FIG. 1 can be similarly performed. That is, in the x direction, the adjustment reference mark 14 is rotated by 90 ° and 270 °, and the measurement is performed in two states different from each other by 180 ° as in the case of the y direction. Can cover both x and y directions. When one mark is used, the space is saved, and at the same time, the mark itself is common in two directions, which is practically large in terms of offset management.

【0052】図2は本発明の実施形態2の要部概略図で
ある。本実施形態は半導体素子製造用の投影露光装置等
の位置検出装置によって光学重心の最適化を自動的に行
う補正システムを備えたことを特徴としている。図2に
おいても前に説明したものと同一の部材については同一
の符号が付されている。本実施形態の最も特徴となって
いる部分は位置検出光学系の照明部の構成で、その他は
図1と同じなのでここでは照明部に着目して説明を行
う。
FIG. 2 is a schematic view of a main part of a second embodiment of the present invention. The present embodiment is characterized in that a correction system for automatically optimizing the optical center of gravity by a position detecting device such as a projection exposure device for manufacturing semiconductor elements is provided. In FIG. 2, the same members as those described above are denoted by the same reference numerals. The most characteristic part of the present embodiment is the configuration of the illumination unit of the position detection optical system, and the other components are the same as those in FIG. 1.

【0053】ファイバ−12から出射した光源13から
の光は照明系レンズ15を通過した後、ファイバ−端面
(瞳面)の像を照明系11内で少なくとも1度結像す
る。該結像位置には検出系のσが1以下となる開口1
6、またはそれと同等な空間フィルタが配置される。照
明系レンズ15はファイバ−端面を開口16の位置に開
口部の大きさより十分大きい大きさで結像させるため、
開口16の位置を照明系の光軸に対して直交する方向に
動かすことで光学重心を調整でき、最適な位置検出系を
達成している。
After the light from the light source 13 emitted from the fiber 12 passes through the illumination system lens 15, an image of the fiber end face (pupil plane) is formed at least once in the illumination system 11. An aperture 1 at which the σ of the detection system is 1 or less is located at the imaging position.
6, or an equivalent spatial filter. The illumination system lens 15 forms an image of the fiber end face at the position of the opening 16 with a size sufficiently larger than the size of the opening.
By moving the position of the opening 16 in a direction orthogonal to the optical axis of the illumination system, the optical center of gravity can be adjusted, and an optimal position detection system is achieved.

【0054】開口16の駆動は実施形態1で説明した評
価値E0をもとに演算処理装置17で開口16の最適移
動量を算出して行っている。該算出値に従い基板54上
に設けたピエゾ素子等の駆動装置53を使って開口16
を駆動し、自動で且つ容易に高精度な位置検出光学系の
調整を行っている。
The opening 16 is driven by calculating the optimum movement amount of the opening 16 by the arithmetic processing unit 17 based on the evaluation value E 0 described in the first embodiment. According to the calculated value, the opening 16 is formed by using a driving device 53 such as a piezo element provided on the substrate 54.
And automatically and easily adjusts the position detection optical system with high accuracy.

【0055】このような自動補正シ−ケンスは装置の定
期メンテナンス時や、装置に不具合が発生した時に行う
とよい。評価値E0の計測値が判断基準Ethより大きけ
れば、自動補正のクロ−ズト・ル−プ・シ−ケンスに入
り、小さければ前述のとうり通常のアライメント・ル−
チンに入る。
Such an automatic correction sequence is preferably performed at the time of regular maintenance of the apparatus or when a problem occurs in the apparatus. If the measured value of the evaluation value E 0 is larger than the criterion E th , a closed loop sequence of the automatic correction is entered. If the measured value is smaller, the normal alignment loop is performed as described above.
Enter the chin.

【0056】図8は本発明の実施形態3の要部概略図で
ある。これまでの実施形態では位置検出光学系として、
投影露光光学系を介して位置検出する所謂TTLオフア
クシス系について説明してきたが、図8は投影露光光学
系を介さない単純なオフアクシスの位置検出光学系に本
発明を適用した場合を示している。図中これまでの説明
図で用いたものと同じ構成要素については同じ符号を付
してある。光源13から出射した光は位置検出光学系5
0に導光され、ウエハまたは調整用の基準マ−ク14を
照明する。調整用の基準マ−ク14はステ−ジ2上に載
せられており、図9に示す構造を持っていることは他の
実施形態と同様である。基準マ−ク14からの反射光は
CCDカメラ等の光電変換素子9上に結像されて、電気
信号に変換される。該電気信号から得られた情報より演
算処理装置17が評価値E0の値を計算し、判断基準E
thと比較する。照明系の光学重心の位置を調整するか
否かを決定する以降の手順は先の2つの実施形態1,2
と同一である。
FIG. 8 is a schematic view of a main part of a third embodiment of the present invention. In the embodiments described above, as the position detection optical system,
Although the so-called TTL off-axis system for detecting the position via the projection exposure optical system has been described, FIG. 8 shows a case where the present invention is applied to a simple off-axis position detection optical system not via the projection exposure optical system. I have. In the figure, the same reference numerals are given to the same components as those used in the above-described explanatory diagrams. The light emitted from the light source 13 is transmitted to the position detection optical system 5.
0 to illuminate the wafer or reference mark 14 for adjustment. The adjustment reference mark 14 is mounted on the stage 2 and has the structure shown in FIG. 9 as in the other embodiments. The reflected light from the reference mark 14 is imaged on a photoelectric conversion element 9 such as a CCD camera and converted into an electric signal. The arithmetic processing unit 17 calculates the value of the evaluation value E 0 from the information obtained from the electric signal, and
Compare with th . The subsequent procedure for determining whether to adjust the position of the optical center of gravity of the illumination system is described in the above two embodiments 1 and 2.
Is the same as

【0057】またレチクル51を通してウエハ上のマ−
クを観察する所謂TTRオンアクシス位置検出系につい
ても、実施形態1〜3と同様の機能及び手段を持つこと
で、検出光学系の調整状態をチェックし、位置検出精度
の向上を図ることができる。
The mark on the wafer is passed through the reticle 51.
The so-called TTR on-axis position detection system for observing the laser beam has the same functions and means as those in the first to third embodiments, so that the adjustment state of the detection optical system can be checked and the position detection accuracy can be improved. .

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明は半導
体素子製造用の投影露光装置のような位置検出装置にお
ける位置検出光学系を光学重心の調整可能な照明系で構
成し、ある特定の画像信号を観察して照明条件を最適化
することで、マ−クの位置検出精度の向上を可能として
いる。また本発明では特定の画像信号を得るためにステ
−ジ上に所定の条件を持つ調整用の基準マ−クを配置す
ることにより、位置検出光学系の調整状態を自動で簡単
に評価することを可能とした。調整が不良な場合には位
置検出光学系内の照明系の開口部の位置を光軸と直交す
る方向に動かして検出光学系の光学重心の最適化を行
い、各種誤差成分をキヤンセルできるため、工程間オフ
セットの少ない位置検出装置を実現して、位置検出精度
の向上を図っている。
As described above, according to the present invention, a position detecting optical system in a position detecting apparatus such as a projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device is constituted by an illumination system whose optical center of gravity can be adjusted. By observing the image signal and optimizing the illumination conditions, it is possible to improve the position detection accuracy of the mark. Further, in the present invention, the adjustment state of the position detecting optical system can be automatically and easily evaluated by arranging an adjustment reference mark having predetermined conditions on a stage in order to obtain a specific image signal. Was made possible. If the adjustment is poor, the position of the opening of the illumination system in the position detection optical system is moved in the direction perpendicular to the optical axis to optimize the optical center of gravity of the detection optical system, and various error components can be cancelled. A position detection device with a small offset between processes is realized to improve the position detection accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態1の位置検出装置の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a position detection device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態2の位置検出装置の構成図FIG. 2 is a configuration diagram of a position detection device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 従来の位置検出装置の構成図FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional position detection device.

【図4】 アライメント・マ−クと照明光と信号の関係
を示す図
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an alignment mark, illumination light, and a signal.

【図5】 光学重心最適化のフロ−チャ−トFIG. 5 is a flowchart for optimizing the optical center of gravity.

【図6】 位置検出光学系に収差がある場合の検出信号FIG. 6 is a detection signal when the position detection optical system has an aberration.

【図7】 位置検出光学系の調整状態によるマ−クの段
差量と評価量との関係を示す図
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a mark step amount and an evaluation amount according to an adjustment state of a position detection optical system.

【図8】 本発明の実施形態3の位置検出装置の構成図FIG. 8 is a configuration diagram of a position detection device according to a third embodiment of the present invention.

【図9】 ステ−ジ上に配置する調整用基準マ−クの構
成図
FIG. 9 is a configuration diagram of an adjustment reference mark arranged on the stage.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 投影露光光学系 2 XYZス
テ−ジ 3 ウエハチヤック材 4 ウエハ 5 検出光学系 6 検出光学
系 7 λ/4板 8 結像光学
系 9 光電変換素子 10 偏光ビ−
ムスプリッタ 11 照明光学系 12 ファイバ
− 13 光源 14 調整用基
準マ−ク 15 照明系レンズ 16 開口 17 演算処理装置 21 第一基板 22 歪電素子 23 第二基板 24 回転軸 30 ミラ− 31 アライメ
ントマ−ク 32 照明光 34 マ−ク中
心 41 照明光 42 エッジ散
乱光 50 位置検出光学系 51 レチクル 52 露光照明系 53 駆動装置 54 駆動基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Projection exposure optical system 2 XYZ stage 3 Wafer chuck material 4 Wafer 5 Detection optical system 6 Detection optical system 7 λ / 4 plate 8 Imaging optical system 9 Photoelectric conversion element 10 Polarization beam
Musplitter 11 Illumination optical system 12 Fiber 13 Light source 14 Adjustment reference mark 15 Illumination lens 16 Opening 17 Arithmetic processing unit 21 First substrate 22 Distortion element 23 Second substrate 24 Rotating axis 30 Mirror 31 Alignment mark Mark 32 illumination light 34 mark center 41 illumination light 42 edge scattered light 50 position detection optical system 51 reticle 52 exposure illumination system 53 driving device 54 driving substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 BB02 BB27 CC19 FF01 GG05 JJ03 JJ26 LL02 LL12 LL33 LL36 PP12 UU01 5F046 BA04 CB04 CB09 CB26 DA13 DB05 EB03 FA10 FA16 FA17 FB14 FB17  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 BB02 BB27 CC19 FF01 GG05 JJ03 JJ26 LL02 LL12 LL33 LL36 PP12 UU01 5F046 BA04 CB04 CB09 CB26 DA13 DB05 EB03 FA10 FA16 FA17 FB14 FB17

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光電変換素子と、光源からの光で被検物体
を照明し、該被検物体からの反射光を前記光電変換素子
上に結像する位置検出光学系とを有し、前記光電変換素
子で検出された画像信号に基づいて前記被検物体の位置
を検出し、検出された前記被検物体の位置によりウエハ
の位置合わせを行う投影露光装置であって、 前記位置検出光学系が収差を有しており、 前記被検物体の画像信号の、前記収差による非対称性を
打ち消す方向に作用するように、前記被検物体を照明す
る光の前記位置検出光学系の瞳面における光強度分布の
重心位置が設定されていることを特徴とする投影露光装
置。
1. A photoelectric conversion device comprising: a photoelectric conversion element; and a position detection optical system that illuminates a test object with light from a light source and forms an image of reflected light from the test object on the photoelectric conversion element. A projection exposure apparatus that detects a position of the test object based on an image signal detected by a photoelectric conversion element, and performs wafer positioning based on the detected position of the test object, wherein the position detection optical system Has an aberration, the image signal of the test object, the light in the pupil plane of the position detection optical system of the light illuminating the test object so as to act in a direction to cancel the asymmetry due to the aberration A projection exposure apparatus wherein a position of a center of gravity of an intensity distribution is set.
【請求項2】前記位置検出光学系の瞳面における光強度
分布の重心位置が前記位置検出光学系の光軸に対して偏
心していることを特徴とする請求項1記載の投影露光装
置。
2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the position of the center of gravity of the light intensity distribution on the pupil plane of the position detection optical system is eccentric with respect to the optical axis of the position detection optical system.
【請求項3】光出射側の端面が前記位置検出光学系の瞳
位置近傍になるように配置された光ファイバーを有し、
前記光ファイバーの光出射側の端面が前記位置検出光学
系の光軸に対して偏心していることを特徴とする請求項
1又は2記載の投影露光装置。
3. An optical fiber disposed so that an end face on a light emission side is near a pupil position of the position detection optical system,
3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein an end surface of the optical fiber on a light emission side is decentered with respect to an optical axis of the position detection optical system.
【請求項4】光出射側の端面が前記位置検出光学系の瞳
位置近傍になるように配置された光ファイバーを有し、
前記光ファイバーの光出射側の端面を偏心調整する手段
を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
か1項記載の投影露光装置。
4. An optical fiber disposed so that an end face on a light emission side is near a pupil position of the position detection optical system,
The projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising a unit configured to adjust an eccentricity of an end face of the optical fiber on a light emission side.
【請求項5】前記位置検出光学系の瞳位置と共役な位置
に配置された開口又は空間フィルタを有し、該開口又は
空間フィルタが前記位置検出光学系の光軸に対して偏心
していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
項記載の投影露光装置。
5. An apparatus according to claim 1, further comprising an aperture or a spatial filter disposed at a position conjugate with a pupil position of said position detecting optical system, wherein said aperture or spatial filter is decentered with respect to an optical axis of said position detecting optical system. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein
Item 3. The projection exposure apparatus according to Item 1.
【請求項6】前記位置検出光学系の瞳位置と共役な位置
に配置された開口又は空間フィルタを有し、前記開口又
は前記空間フィルタを駆動する駆動装置を有することを
特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の投影露
光装置。
6. The apparatus according to claim 1, further comprising an opening or a spatial filter disposed at a position conjugate with a pupil position of said position detecting optical system, and a driving device for driving said opening or said spatial filter. The projection exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5,
【請求項7】光出射側の端面が前記位置検出光学系の瞳
位置近傍になるように配置された光ファイバーと、前記
光ファイバーの光出射側の端面の像が形成される位置に
設けられた、前記端面の像よりも小さい開口部を有する
開口とを有することを特徴とする請求項1乃至6のいず
れか1項記載の投影露光装置。
7. An optical fiber disposed so that an end face on the light emitting side is near a pupil position of the position detection optical system, and provided at a position where an image of the end face on the light emitting side of the optical fiber is formed. 7. The projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising an opening having an opening smaller than the image of the end face.
【請求項8】前記開口は前記位置検出光学系のσを1以
下とする開口であることを特徴とする請求項7記載の投
影露光装置。
8. The projection exposure apparatus according to claim 7, wherein the opening is an opening that makes σ of the position detection optical system equal to or less than 1.
【請求項9】前記開口の最適移動量を算出する演算処理
装置と、該演算処理装置による算出値に従い前記開口を
駆動する駆動装置を有することを特徴とする請求項7又
は8記載の投影露光装置。
9. A projection exposure apparatus according to claim 7, further comprising an arithmetic processing unit for calculating an optimal movement amount of said opening, and a driving device for driving said opening in accordance with a value calculated by said arithmetic processing unit. apparatus.
【請求項10】前記位置検出光学系は、TTLの位置検
出光学系であることを特徴とする請求項1乃至9のいず
れか1項記載の投影露光装置。
10. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein said position detecting optical system is a TTL position detecting optical system.
【請求項11】前記位置検出光学系は、TTRの位置検
出光学系であることを特徴とする請求項1乃至9のいず
れか1項記載の投影露光装置。
11. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the position detection optical system is a TTR position detection optical system.
【請求項12】前記位置検出光学系は、オフアクシスの
位置検出光学系であることを特徴とする請求項1乃至9
のいずれか1項記載の投影露光装置。
12. The apparatus according to claim 1, wherein said position detecting optical system is an off-axis position detecting optical system.
The projection exposure apparatus according to claim 1.
【請求項13】光電変換素子と、光源からの光で被検物
体を照明し、該被検物体からの反射光を前記光電変換素
子上に結像する位置検出光学系とを有し、前記光電変換
素子で検出された画像信号に基づいて前記被検物体の位
置を検出する位置検出装置であって、 前記位置検出光学系が収差を有しており、 前記被検物体の画像信号の、前記収差による非対称性を
打ち消す方向に作用するように、前記被検物体を照明す
る光の前記位置検出光学系の瞳面における光強度分布の
重心位置が設定されていることを特徴とする位置検出装
置。
13. A photoelectric conversion device comprising: a photoelectric conversion element; and a position detection optical system that illuminates a test object with light from a light source and forms an image of reflected light from the test object on the photoelectric conversion element. A position detection device that detects a position of the test object based on an image signal detected by a photoelectric conversion element, wherein the position detection optical system has an aberration, and an image signal of the test object, Position detection, wherein a center of gravity of a light intensity distribution on a pupil plane of the position detection optical system of light illuminating the test object is set so as to act in a direction to cancel the asymmetry due to the aberration. apparatus.
【請求項14】前記位置検出光学系の瞳面における光強
度分布の重心位置が前記位置検出光学系の光軸に対して
偏心していることを特徴とする請求項13記載の位置検
出装置。
14. The position detecting apparatus according to claim 13, wherein the position of the center of gravity of the light intensity distribution on the pupil plane of said position detecting optical system is decentered with respect to the optical axis of said position detecting optical system.
【請求項15】光出射側の端面が前記位置検出光学系の
瞳位置近傍になるように配置された光ファイバーを有
し、前記光ファイバーの光出射側の端面が前記位置検出
光学系の光軸に対して偏心していることを特徴とする請
求項13又は14記載の位置検出装置。
15. An optical fiber disposed so that an end face on a light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system, and an end face on a light emitting side of the optical fiber is located on an optical axis of the position detecting optical system. The position detecting device according to claim 13, wherein the position detecting device is eccentric with respect to the position.
【請求項16】光出射側の端面が前記位置検出光学系の
瞳位置近傍になるように配置された光ファイバーを有
し、前記光ファイバーの光出射側の端面を偏心調整する
手段を有していることを特徴とする請求項13乃至15
のいずれか1項記載の位置検出装置。
16. An optical fiber disposed so that an end face on the light emitting side is near a pupil position of the position detecting optical system, and means for adjusting eccentricity of the end face on the light emitting side of the optical fiber is provided. 16. The method according to claim 13, wherein:
The position detecting device according to any one of claims 1 to 7.
【請求項17】前記位置検出光学系の瞳位置と共役な位
置に配置された開口又は空間フィルタを有し、該開口又
は空間フィルタが前記位置検出光学系の光軸に対して偏
心していることを特徴とする請求項13乃至16のいず
れか1項記載の位置検出装置。
17. An apparatus according to claim 17, further comprising an aperture or a spatial filter arranged at a position conjugate with a pupil position of said position detecting optical system, wherein said aperture or spatial filter is decentered with respect to an optical axis of said position detecting optical system. The position detecting device according to any one of claims 13 to 16, wherein:
【請求項18】前記位置検出光学系の瞳位置と共役な位
置に配置された開口又は空間フィルタを有し、前記開口
又は前記空間フィルタを駆動する駆動装置を有すること
を特徴とする請求項13乃至17のいずれか1項記載の
位置検出装置。
18. The apparatus according to claim 13, further comprising an opening or a spatial filter disposed at a position conjugate with a pupil position of said position detecting optical system, and a driving device for driving said opening or said spatial filter. 18. The position detection device according to any one of claims 17 to 17.
【請求項19】光出射側の端面が前記位置検出光学系の
瞳位置近傍になるように配置された光ファイバーと、前
記光ファイバーの光出射側の端面の像が形成される位置
に、前記端面の像よりも小さい開口部を有する開口とを
有することを特徴とする請求項13乃至18のいずれか
1項記載の位置検出装置。
19. An optical fiber disposed so that an end face on the light emission side is near a pupil position of the position detection optical system, and a position where an image of the end face on the light emission side of the optical fiber is formed. 19. The position detecting device according to claim 13, further comprising an opening having an opening smaller than an image.
【請求項20】前記開口は前記位置検出光学系のσを1
以下とする開口であることを特徴とする請求項19記載
の位置検出装置。
20. The aperture as described above, wherein σ of the position detecting optical system is 1
20. The position detecting device according to claim 19, wherein the opening is as follows.
【請求項21】前記開口の最適移動量を算出する演算処
理装置と、該演算処理装置による算出値に従い前記開口
を駆動する駆動装置を有することを特徴とする請求項1
9又は20記載の位置検出装置。
21. An apparatus according to claim 1, further comprising an arithmetic processing unit for calculating an optimal movement amount of said opening, and a driving device for driving said opening in accordance with a value calculated by said arithmetic processing unit.
21. The position detecting device according to 9 or 20.
【請求項22】請求項13乃至21のいずれか1項記載
の位置検出装置を有し、前記位置検出装置によって検出
された前記被検物体の位置によりウエハの位置合わせを
行うことを特徴とする投影露光装置。
22. A position detecting device according to claim 13, wherein the position of the wafer is adjusted based on the position of the test object detected by the position detecting device. Projection exposure equipment.
JP2002131589A 1995-10-13 2002-05-07 Projection exposure apparatus and position detection apparatus Expired - Fee Related JP3658378B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002131589A JP3658378B2 (en) 1995-10-13 2002-05-07 Projection exposure apparatus and position detection apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29222395 1995-10-13
JP7-292223 1995-10-13
JP2002131589A JP3658378B2 (en) 1995-10-13 2002-05-07 Projection exposure apparatus and position detection apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20785696A Division JP3327781B2 (en) 1995-10-13 1996-07-17 Position detecting device and its verification method and adjustment method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002359186A true JP2002359186A (en) 2002-12-13
JP3658378B2 JP3658378B2 (en) 2005-06-08

Family

ID=26558893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002131589A Expired - Fee Related JP3658378B2 (en) 1995-10-13 2002-05-07 Projection exposure apparatus and position detection apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3658378B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005236166A (en) * 2004-02-23 2005-09-02 Bondotekku:Kk Piezo alignment system
KR100991067B1 (en) 2007-07-09 2010-10-29 캐논 가부시끼가이샤 Adjustment method for position detection apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005236166A (en) * 2004-02-23 2005-09-02 Bondotekku:Kk Piezo alignment system
JP4563695B2 (en) * 2004-02-23 2010-10-13 ボンドテック株式会社 Pressurizing method and joining apparatus
KR100991067B1 (en) 2007-07-09 2010-10-29 캐논 가부시끼가이샤 Adjustment method for position detection apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3658378B2 (en) 2005-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3327781B2 (en) Position detecting device and its verification method and adjustment method
US7236254B2 (en) Exposure apparatus with interferometer
TWI416272B (en) Surface shape measuring apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP3200874B2 (en) Projection exposure equipment
JP3033135B2 (en) Projection exposure apparatus and method
KR20090084754A (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP2000195782A (en) Projector and aligner
US20080079939A1 (en) Instrument for measuring the angular distribution of light produced by an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2650396B2 (en) Position detecting device and position detecting method
JP3658378B2 (en) Projection exposure apparatus and position detection apparatus
JP3733171B2 (en) Position detection system performance evaluation method
JP3117095B2 (en) Inspection method of projection optical system
JP2006053056A (en) Position measuring method, position measuring instrument, aligner, and device manufacturing method
JP3305058B2 (en) Exposure method and apparatus
JP3890089B2 (en) Position detecting apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same
US20100125432A1 (en) Measurement apparatus, measurement method, computer, program, and exposure apparatus
JP3199042B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and exposure method
JP3352161B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor chip using the same
JPH1022211A (en) Position detector and manufacture of device using it
JPS63221616A (en) Alignment of mask and wafer
JP2000091219A (en) Position detecting device and aligner using the same
JP4337149B2 (en) Position detecting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP3368267B2 (en) Projection exposure equipment
JPH11258487A (en) Regulating method for optical system and optical device
JPH11176745A (en) Position detection device and aligner using the same

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080318

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090318

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120318

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130318

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees