JP2002359162A - Solid electrolytic capacitor containing board and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サおよび固体電解コンデンサが内蔵されたプリント基板
ならびにそれらの製造方法に関するものであり、さらに
詳細には、表面が粗面化され、形成絶縁性酸化皮膜が形
成された箔状の弁金属基体と、箔状の弁金属基体に、絶
縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層および導電体層が、
順次、形成された固体電解コンデンサであって、回路基
板に内蔵するのに適した固体電解コンデンサおよび固体
電解コンデンサが内蔵されたプリント基板ならびにそれ
らの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid electrolytic capacitor and a printed circuit board having the solid electrolytic capacitor incorporated therein, and a method for producing the same. A foil-shaped valve metal substrate with a film formed thereon, an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer and a conductor layer on the foil-shaped valve metal substrate,
The present invention relates to a solid electrolytic capacitor formed sequentially, a solid electrolytic capacitor suitable for being incorporated in a circuit board, a printed circuit board having the solid electrolytic capacitor incorporated therein, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】電解コンデンサは、絶縁性酸化皮膜形成
能力を有するアルミニウム、チタン、真鍮、ニッケル、
タンタルなどの金属、いわゆる弁金属を陽極に用い、こ
の弁金属の表面を陽極酸化して、絶縁性酸化皮膜を形成
した後、実質的に陰極として機能する電解質層を形成
し、さらに、グラファイトや銀などの導電層を陰極とし
て設けることによって、形成されている。2. Description of the Related Art Electrolytic capacitors include aluminum, titanium, brass, nickel,
Using a metal such as tantalum, a so-called valve metal for the anode, anodizing the surface of the valve metal to form an insulating oxide film, then forming an electrolyte layer that substantially functions as a cathode, and further forming graphite or It is formed by providing a conductive layer such as silver as a cathode.
【0003】たとえば、アルミニウム電解コンデンサ
は、エッチング処理によって、比表面積を増大させた多
孔質アルミニウム箔を陽極とし、この陽極表面に形成し
た酸化アルミニウム層と陰極箔との間に、電解液を含浸
させた隔離紙を設けて、構成されている。For example, an aluminum electrolytic capacitor uses a porous aluminum foil having an increased specific surface area as an anode by etching, and impregnates an electrolytic solution between an aluminum oxide layer formed on the surface of the anode and a cathode foil. It is configured by providing a separator paper.
【0004】一般に、絶縁性酸化皮膜と陰極との間の電
解質層に、電解液を利用する電解コンデンサは、シーリ
ング部分からの液漏れや、電解液の蒸発によって、その
寿命が決定されるという問題を有しているのに対し、金
属酸化物や有機化合物からなる固体電解質を用いた固体
電解コンデンサは、かかる問題を有しておらず、好まし
いものである。[0004] In general, the life of an electrolytic capacitor using an electrolytic solution for an electrolyte layer between an insulating oxide film and a cathode is determined by leakage from the sealing portion and evaporation of the electrolytic solution. On the other hand, a solid electrolytic capacitor using a solid electrolyte made of a metal oxide or an organic compound does not have such a problem and is preferable.
【0005】固体電解コンデンサに用いられる金属酸化
物からなる代表的な固体電解質としては、二酸化マンガ
ンが挙げられ、一方、固体電解コンデンサに用いられる
有機化合物からなる固体電解質としては、たとえば、特
開昭52−79255号公報や特開昭58−19141
4号公報に開示された7,7,8,8−テトラシアノキ
シジメタン(TCNQ)錯塩が挙げられる。A typical solid electrolyte composed of a metal oxide used for a solid electrolytic capacitor is manganese dioxide. On the other hand, a solid electrolyte composed of an organic compound used for a solid electrolytic capacitor is disclosed in, for example, 52-79255 and JP-A-58-19141.
No. 4,7,7,8,8-tetracyanooxydimethane (TCNQ) complex salt.
【0006】近年、電子機器の電源回路の高周波化にと
もない、使用されるコンデンサに対しても、それに対応
した性能が求められるようになっているが、二酸化マン
ガンあるいはTCNQ錯塩からなる固体電解質層を用い
た固体電解コンデンサは、以下のような問題を有してい
た。[0006] In recent years, as the power supply circuit of electronic equipment has become higher in frequency, the capacitors used have been required to have performances corresponding thereto. However, a solid electrolyte layer made of manganese dioxide or a TCNQ complex salt has been required. The solid electrolytic capacitor used had the following problems.
【0007】二酸化マンガンからなる固体電解質層は、
一般に、硝酸マンガンの熱分解を繰り返すことによって
形成されるが、熱分解の際に加えられる熱によって、あ
るいは、熱分解の際に発生するNOxガスの酸化作用に
よって、誘電体である絶縁性酸化皮膜が損傷し、あるい
は、劣化するため、固体電解質層を二酸化マンガンによ
って形成する場合には,漏れ電流値が大きくなるなど、
最終的に得られる固体電解コンデンサの諸特性が低くな
りやすいという問題があった。また、二酸化マンガンを
固体電解質として用いるときは、高周波領域において、
固体電解コンデンサのインピーダンスが高くなってしま
うという問題もあった。The solid electrolyte layer made of manganese dioxide is
In general, it is formed by repeating the thermal decomposition of manganese nitrate. The insulating oxide film as a dielectric is formed by the heat applied during the thermal decomposition or by the oxidizing action of the NOx gas generated during the thermal decomposition. If the solid electrolyte layer is made of manganese dioxide, the leakage current value will be large,
There is a problem that various characteristics of the finally obtained solid electrolytic capacitor tend to be low. When manganese dioxide is used as the solid electrolyte,
There is also a problem that the impedance of the solid electrolytic capacitor is increased.
【0008】一方、TCNQ錯塩は、電導度が、1S/
cm程度以下であるため、現在の電解コンデンサに対す
る低インピーダンス化の要求に対して、十分に応えるこ
とができないという問題を有していた。さらに、TCN
Q錯塩は、絶縁性酸化皮膜との密着性が低く,また、ハ
ンダ固定時の熱的安定性や経時的な熱的安定性が低いな
どの理由から、TCNQ錯塩を固体電解質として用いた
固体電解コンデンサは、十分な信頼性が得られないとい
うことが指摘されている。加えて、TCNQ錯塩は高価
であり、TCNQ錯塩を固体電解質として用いた固体電
解コンデンサはコストが高いという問題も有していた。On the other hand, the TCNQ complex salt has an electric conductivity of 1 S /
cm or less, there was a problem that it was not possible to sufficiently meet the current demand for lowering the impedance of electrolytic capacitors. In addition, TCN
The Q complex salt has a low adhesion to an insulating oxide film and has a low thermal stability when fixed with solder and a low thermal stability over time. It has been pointed out that capacitors cannot provide sufficient reliability. In addition, the TCNQ complex salt is expensive, and the solid electrolytic capacitor using the TCNQ complex salt as a solid electrolyte has a problem that the cost is high.
【0009】二酸化マンガンあるいはTCNQ錯塩を、
固体電解質として用いる場合のこれらの問題点を解消
し、より優れた特性を有する固体電解コンデンサを得る
ため、製造コストが比較的低く、また、絶縁性酸化皮膜
との付着性が比較的良好で、熱的な安定性にも優れた高
導電性の高分子化合物を固体電解質として利用すること
が提案されている。[0009] Manganese dioxide or TCNQ complex salt is
In order to solve these problems when used as a solid electrolyte and obtain a solid electrolytic capacitor having more excellent characteristics, the production cost is relatively low, and the adhesion with the insulating oxide film is relatively good. It has been proposed to use a highly conductive polymer compound having excellent thermal stability as a solid electrolyte.
【0010】たとえば、特許第2725553号には、
陽極表面の絶縁性酸化皮膜上に、化学酸化重合によっ
て、ポリアニリンを形成した固体電解コンデンサが開示
されている。For example, Japanese Patent No. 2725553 discloses that
A solid electrolytic capacitor in which polyaniline is formed by chemical oxidation polymerization on an insulating oxide film on the surface of an anode is disclosed.
【0011】また、特公平8−31400号公報は、化
学酸化重合法のみによっては、陽極表面の絶縁性酸化皮
膜上に、強度の高い導電性高分子膜を形成することは困
難であり、また、陽極表面の絶縁性酸化皮膜が電気導体
であるため、電解重合法により、陽極表面の絶縁性酸化
皮膜上に、直接、電解重合膜を形成することは不可能
か、きわめて困難であるという理由から、絶縁性酸化皮
膜上に、金属あるいは二酸化マンガンの薄膜を形成し、
金属あるいは二酸化マンガンの薄膜上に、ポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフランなどの
導電性高分子膜を電解重合法によって形成した固体電解
コンデンサを提案している。Japanese Patent Publication No. 8-31400 discloses that it is difficult to form a high-strength conductive polymer film on an insulating oxide film on the surface of an anode only by a chemical oxidation polymerization method. Because the insulating oxide film on the anode surface is an electric conductor, it is impossible or extremely difficult to form an electrolytic polymerized film directly on the insulating oxide film on the anode surface by electrolytic polymerization. To form a metal or manganese dioxide thin film on the insulating oxide film,
We have proposed a solid electrolytic capacitor in which a conductive polymer film such as polypyrrole, polythiophene, polyaniline, or polyfuran is formed on a thin film of metal or manganese dioxide by electrolytic polymerization.
【0012】さらに、特公平4−74853号公報に
は、絶縁性酸化皮膜上に、化学酸化重合によって、ポリ
ピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン
などの導電性高分子膜を形成した固体電解コンデンサが
開示されている。Further, Japanese Patent Publication No. 4-74853 discloses a solid electrolytic capacitor in which a conductive polymer film such as polypyrrole, polythiophene, polyaniline or polyfuran is formed on an insulating oxide film by chemical oxidation polymerization. ing.
【0013】一方、電子機器の小型化、薄型化の要求に
より、電子部品には、より一層の小型化、高性能化が要
求され、回路基板には、薄層化、多層化による高機能化
が要求されている。ことに、ICカードの厚みは、1m
m以下、携帯型パーソナルコンピュータの厚みは、20
mm以下と、きわめて薄くなりつつあるため、これらに
搭載される電子部品や、電子部品を実装した配線基板
は、数mmないし数百ミクロンの厚みで形成することが
要求されるようになっている。On the other hand, with the demand for smaller and thinner electronic devices, electronic components are required to be further reduced in size and higher in performance. Is required. In particular, the thickness of the IC card is 1 m
m or less, the thickness of the portable personal computer is 20
mm or less, which is extremely thin, so that electronic components mounted thereon and wiring boards on which the electronic components are mounted are required to be formed with a thickness of several mm to several hundred microns. .
【0014】しかしながら、上述した固体電解コンデン
サは、いずれも、単体の部品として製造され、配線基板
に、ハンダ層を介して、実装されるものであるため、電
子部品を十分に高集積化、高密度化することができない
という問題があった。However, since the above-mentioned solid electrolytic capacitors are all manufactured as a single component and mounted on a wiring board via a solder layer, the electronic components are sufficiently integrated and highly integrated. There was a problem that the density could not be increased.
【0015】そこで、特開平2−54510号公報およ
び特許第2950587号は、固体電解コンデンサを、
配線基板の抵抗機能や導電パターンと同様に、あらかじ
め、基板と一体的に形成し、複数の固体電解コンデンサ
が1枚の基板上に形成された回路基板によって、電子部
品の高密度化、回路基板の薄型化を図ることを提案して
いる。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-54510 and Japanese Patent No. 2950587 disclose a solid electrolytic capacitor.
As with the resistance function of the wiring board and the conductive pattern, the circuit board is formed in advance integrally with the board, and a plurality of solid electrolytic capacitors are formed on a single board. Is proposed to reduce the thickness of the device.
【0016】すなわち、特開平2−54510号公報
は、絶縁基板上に、電気導体および絶縁性酸化皮膜形成
能を有するアルミニウム箔などの箔状の弁金属基体のパ
ターンを形成し、この弁金属基体のパターンの表面の1
箇所あるいは数箇所に、絶縁性酸化皮膜層、複素環式化
合物の導電性ポリマー層および導電体層を、順次、形成
して、固体電解コンデンサ内蔵基板を作製する方法を開
示するとともに、絶縁基板の両面に、電気導体および絶
縁性酸化皮膜形成能を有する弁金属基体のパターンを形
成し、この弁金属基体のパターンの表面の1箇所あるい
は数箇所に、絶縁性酸化皮膜層、複素環式化合物の導電
性ポリマー層および導電体層を、順次、形成して、固体
電解コンデンサ内蔵基板を作製した後、固体電解コンデ
ンサ内蔵基板を積層して、多層構造とした固体電解コン
デンサ内蔵基板を開示している。特開平2−54510
号公報によれば、導電性高分子を用いた固体電解コンデ
ンサを、回路基板の抵抗体層や導電パターンと同様に、
あらかじめ、基板と一体的に形成しておくことによっ
て、個々のコンデンサを回路基板上に実装する必要がな
く、電子部品の高密度化が実現されるとともに、ノイズ
の低減など、電気的特性をも向上させることができると
されている。That is, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-54510 discloses that a pattern of a foil-shaped valve metal substrate such as an aluminum foil having an ability to form an electric conductor and an insulating oxide film is formed on an insulating substrate. The surface of the pattern 1
In some or several places, an insulating oxide film layer, a conductive polymer layer of a heterocyclic compound and a conductor layer, in order, to form a solid electrolytic capacitor built-in substrate, and discloses a method of manufacturing On both surfaces, a pattern of an electric conductor and a valve metal substrate having an ability to form an insulating oxide film is formed, and an insulating oxide film layer and a heterocyclic compound are formed at one or several places on the surface of the pattern of the valve metal substrate. A conductive polymer layer and a conductor layer are sequentially formed, a solid electrolytic capacitor built-in substrate is manufactured, and then a solid electrolytic capacitor built-in substrate is laminated to disclose a solid electrolytic capacitor built-in substrate having a multilayer structure. . JP-A-2-55410
According to the publication, a solid electrolytic capacitor using a conductive polymer, like a resistor layer and a conductive pattern of a circuit board,
By forming them integrally with the board in advance, it is not necessary to mount individual capacitors on the circuit board, and it is possible to realize high-density electronic components and to improve electrical characteristics such as noise reduction. It is said that it can be improved.
【0017】一方、特許第2950587号は、板状の
陽極体、すなわち、板状の弁金属基体の両面に、誘電体
層、電解質層および導電体層を、順次、形成し、各導電
体層を介して、陰極端子を設けて、コンデンサ素子を形
成し、こうして形成したコンデンサ素子の両面に、所望
の配線パターンを備えたプリント基板を、樹脂層を介し
て、接合して、作製した固体電解コンデンサを開示して
いる。特許第2950587号によれば、機械的に脆弱
な固体電解質であっても、両面に配置されるプリント基
板によって保護されるから、信頼性の高い固体電解コン
デンサを得ることが可能になり、また、プリント基板
に、あらかじめ、所望の配線パターンを形成しておくこ
とにより、他の電子部品を、プリント基板に容易に実装
することが可能になるとされている。On the other hand, Japanese Patent No. 2950587 discloses that a dielectric layer, an electrolyte layer and a conductor layer are sequentially formed on both sides of a plate-shaped anode body, that is, a plate-shaped valve metal base, and each conductor layer is formed. , A capacitor terminal is formed, a capacitor element is formed, and a printed circuit board having a desired wiring pattern is joined to both surfaces of the capacitor element thus formed via a resin layer to form a solid electrolytic capacitor. A capacitor is disclosed. According to Japanese Patent No. 2950587, even a solid electrolyte that is mechanically fragile is protected by the printed circuit boards arranged on both sides, so that a highly reliable solid electrolytic capacitor can be obtained. By forming a desired wiring pattern on a printed circuit board in advance, it is said that other electronic components can be easily mounted on the printed circuit board.
【0018】[0018]
【発明が解決しようとする課題】かかる固体電解コンデ
ンサ内蔵電気配線基板にあっては、固体電解コンデンサ
を、基板に搭載されるべき他の電子部品と接続するため
のリード電極を、陽極となる絶縁性酸化皮膜形成能を有
する箔状の弁金属基体に接続することが必要不可欠であ
るが、箔状の弁金属基体に、単に、銅などの金属導体を
接続して、リード電極を構成する場合には、所望のコン
デンサ特性を得ることができないという問題があった。In such an electric wiring board with a built-in solid electrolytic capacitor, a lead electrode for connecting the solid electrolytic capacitor to another electronic component to be mounted on the substrate is provided with an insulating material serving as an anode. When connecting to a foil-shaped valve metal substrate having a capability of forming a conductive oxide film is indispensable, but simply connecting a metal conductor such as copper to the foil-shaped valve metal substrate to form a lead electrode Has a problem that desired capacitor characteristics cannot be obtained.
【0019】すなわち、固体電解コンデンサは、大容量
の静電容量を得るために、弁金属基体の表面積が大きく
なるように、箔状の弁金属基体を粗面化(拡面化)し、
かつ、酸化アルミニウムなどの絶縁性酸化皮膜を形成し
たアルミニウムなどの弁金属の箔状シートから所望のサ
イズの箔状の弁金属基体を切り出し、粗面化された箔状
の弁金属の絶縁性酸化皮膜上に、陰極となる固体高分子
電解質層を形成し、さらに、陰極となる固体高分子電解
質層上に、カーボンペースト層および銀ペースト層など
導電体層を設け、陰極のリード電極を形成することによ
って構成されており、陽極のリード電極を形成するため
には、粗面化された箔状の弁金属基体の表面に形成され
た絶縁性酸化皮膜を除去して、銅などの金属導体が、弁
金属基体に、金属間が電気的に接続されて、接合される
ように、超音波溶接、コールド・ウェルディング(冷間
圧接)などによって、接続することが必要である。こう
してリード電極を形成し箔状の弁金属基体は、弁金属の
シートから切り出されているため、箔状の弁金属基体の
エッジ部分には、絶縁性酸化皮膜が形成されておらず、
箔状の弁金属基体のエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を形
成しないと、弁金属基体の金属部分が、固体高分子電解
質層と接触し、固体電解コンデンサとして機能しなくな
るので、陽極酸化によって、箔状の弁金属基体のエッジ
部分に絶縁性酸化皮膜を形成することが必要不可欠にな
る。That is, in order to obtain a large capacitance, the solid electrolytic capacitor is formed by roughening (enlarging) a foil-shaped valve metal base so as to increase the surface area of the valve metal base.
In addition, a foil-shaped valve metal base of a desired size is cut out from a foil-shaped sheet of a valve metal such as aluminum having an insulating oxide film formed thereon such as aluminum oxide, and the insulating oxidation of the roughened foil-shaped valve metal is performed. A solid polymer electrolyte layer serving as a cathode is formed on the film, and a conductive layer such as a carbon paste layer and a silver paste layer is further provided on the solid polymer electrolyte layer serving as a cathode to form a cathode lead electrode. In order to form a lead electrode of the anode, the insulating oxide film formed on the surface of the roughened foil-shaped valve metal substrate is removed, and a metal conductor such as copper is formed. It is necessary to connect by ultrasonic welding, cold welding (cold welding) or the like so that the metal is electrically connected and joined to the valve metal base. Since the lead electrode is thus formed and the foil-shaped valve metal base is cut out from the valve metal sheet, an insulating oxide film is not formed on the edge portion of the foil-shaped valve metal base,
If the insulating oxide film is not formed on the edge of the foil-shaped valve metal substrate, the metal portion of the valve metal substrate comes into contact with the solid polymer electrolyte layer and does not function as a solid electrolytic capacitor. It is indispensable to form an insulating oxide film on the edge of the foil-shaped valve metal base.
【0020】しかしながら、表面に粗面化処理を施した
箔状の弁金属基体に、超音波溶接、コールド・ウェルデ
ィング(冷間圧接)などにより、銅などの金属導体を接
合した陽極体を、ステンレスビーカーなどの導電性容器
に収容されたアジピン酸アンモニウムなどの化成溶液に
浸し、銅などの金属導体をプラス極に接続するととも
に、導電性容器をマイナス極に接続して、陽極酸化をす
る際に、銅などの金属導体が化成溶液に接触すると、電
流が流れ続け、その結果として、銅などの金属導体が腐
食され、弁金属基体のエッジ部分に絶縁性酸化皮膜を形
成することができないという問題があり、表面に粗面化
処理を施した箔状の弁金属基体のみを、化成溶液に浸し
て、陽極酸化をする場合にも、箔状の弁金属基体の表面
に粗面化処理が施されているため、毛細管現象によっ
て、化成溶液が銅などの金属導体に達し、同様に、電流
が流れ続け、銅などの金属導体が腐食されて、箔状の弁
金属基体のエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を形成するこ
とができないという問題があった。However, an anode body in which a metal conductor such as copper is joined to a foil-shaped valve metal base having a surface roughened by ultrasonic welding, cold welding (cold welding), or the like, When immersing in a chemical solution such as ammonium adipate contained in a conductive container such as a stainless steel beaker and connecting a metal conductor such as copper to the positive electrode and connecting the conductive container to the negative electrode to perform anodization In addition, when a metal conductor such as copper comes into contact with the chemical conversion solution, current continues to flow, and as a result, the metal conductor such as copper is corroded, and an insulating oxide film cannot be formed on the edge portion of the valve metal base. There is a problem, and when only the foil-shaped valve metal substrate whose surface has been subjected to surface roughening treatment is immersed in a chemical conversion solution and anodized, the surface of the foil-shaped valve metal substrate is roughened. Alms Because of this, the chemical conversion solution reaches the metal conductor such as copper due to the capillary phenomenon, similarly, the current continues to flow, the metal conductor such as copper is corroded, and the edge of the foil-shaped valve metal base has an insulating property. There was a problem that an oxide film could not be formed.
【0021】かかる問題は、銅などの金属導体を箔状の
弁金属基体に接合する前に、箔状の弁金属基体の絶縁性
酸化皮膜が形成されていないエッジ部分に電極を設け
て、陽極酸化処理を施し、弁金属基体のエッジ部分に絶
縁性酸化皮膜を形成することによって、理論的には解消
することが可能であるが、一般に、アルミニウムなどの
弁金属基体の箔状シートの厚みは、100ミクロンのオ
ーダーであるため、箔状の弁金属基体の絶縁性酸化皮膜
が形成されていないエッジ部分に電極を設けて、陽極酸
化処理を施すことは、きわめて困難であり、回路基板に
内蔵するのに適した固体電解コンデンサを得ることがで
きないという問題があった。Such a problem is caused by providing an electrode on the edge of the foil-shaped valve metal base where the insulating oxide film is not formed, before joining the metal conductor such as copper to the foil-shaped valve metal base, and forming an anode. By oxidizing and forming an insulating oxide film on the edge portion of the valve metal substrate, it is theoretically possible to solve the problem, but in general, the thickness of the foil sheet of the valve metal substrate such as aluminum is Since it is on the order of 100 microns, it is extremely difficult to provide an electrode on the edge portion of the foil-shaped valve metal substrate where the insulating oxide film is not formed and to perform anodizing treatment. There is a problem that it is not possible to obtain a solid electrolytic capacitor suitable for performing the above.
【0022】したがって、本発明は、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
箔状の弁金属基体に、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解
質層および導電体層が、順次、形成された固体電解コン
デンサであって、回路基板に内蔵するのに適した固体電
解コンデンサおよび固体電解コンデンサ内蔵基板ならび
にそれらの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。Therefore, the present invention provides a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A solid electrolytic capacitor in which an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer and a conductor layer are sequentially formed on a foil-shaped valve metal substrate, and the solid electrolytic capacitor and the solid state suitable for being incorporated in a circuit board. An object of the present invention is to provide a substrate with a built-in electrolytic capacitor and a method for manufacturing the same.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】本発明者は、本発明のか
かる目的を達成するため、鋭意、研究を重ねた結果、箔
状の弁金属基体の一端部近傍領域に、箔状のリード電極
金属基体の一端部近傍領域を、金属間が電気的に接続さ
れるように、接合して、接合部を形成し、前記箔状の弁
金属基体が、少なくとも前記接合部に隣接する部分に、
実質的に平滑な表面領域を有するように、固体電解コン
デンサの陽極電極を構成することによって、本発明の前
記目的を達成することが可能になることを見出した。Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies in order to achieve the object of the present invention, and as a result, has found that a foil-like lead electrode has An area near one end of the metal base is joined so that the metal is electrically connected to form a joint, and the foil-shaped valve metal base is at least in a portion adjacent to the joint.
It has been found that by configuring the anode electrode of the solid electrolytic capacitor to have a substantially smooth surface area, it is possible to achieve the above object of the present invention.
【0024】すなわち、本発明の前記目的は、表面が粗
面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基
体と、前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸
化皮膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、
形成された固体電解コンデンサであって、表面が粗面化
され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体の
一端部近傍領域に、箔状のリード電極金属基体の一端部
近傍領域が、金属間が電気的に接続されるように、接合
されて、接合部が形成され、前記箔状の弁金属基体が、
少なくとも前記接合部に隣接する部分に、実質的に平滑
な表面領域を有している陽極電極を備えたことを特徴と
する固体電解コンデンサによって達成される。That is, an object of the present invention is to provide a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, and at least an insulating oxide film formed on the foil-shaped valve metal substrate. , The solid polymer electrolyte layer and the conductor layer,
The formed solid electrolytic capacitor, wherein the surface is roughened, and an area near one end of a foil-shaped valve metal base on which an insulating oxide film is formed is provided in an area near one end of a foil-shaped lead electrode metal base. Are joined so that the metals are electrically connected to form a joint, and the foil-shaped valve metal base is
This is achieved by a solid electrolytic capacitor comprising an anode electrode having a substantially smooth surface area at least in a part adjacent to the joint.
【0025】また、本発明において、実質的に平滑な表
面とは、毛細管現象によって、液体が進行することがで
きない程度に、平滑化された表面をいう。Further, in the present invention, a substantially smooth surface refers to a surface which has been smoothed to such an extent that a liquid cannot proceed due to capillary action.
【0026】本発明によれば、箔状の弁金属基体の一端
部近傍領域に、箔状のリード電極金属基体の一端部近傍
領域が、金属間が電気的に接続されるように、接合され
て、接合部が形成され、箔状の弁金属基体が、少なくと
も接合部に隣接する部分に、実質的に平滑な表面領域を
有しているから、陽極酸化によって、箔状の弁金属基体
の絶縁性酸化皮膜が形成されていないエッジ部分に、絶
縁性酸化皮膜を形成する場合に、化成溶液が、毛細管現
象により、箔状の弁金属基体の粗面化された表面に沿っ
て進行しても、化成溶液は、箔状の弁金属基体の実質的
に平滑な表面領域を越えて、箔状のリード電極金属基体
に達することがなく、したがって、表面が粗面化された
箔状の弁金属基体に、絶縁性酸化皮膜が形成された時点
で、陽極酸化が完了し、箔状の弁金属基体のエッジ部分
に、所望のように、絶縁性酸化皮膜を形成することがで
きるから、箔状のリード電極金属基体に、回路基板に搭
載される他の電子部品とのコンタクトを設けることによ
って、所望の電気的特性を有する固体電解コンデンサ
を、回路基板に内蔵させることが可能になる。According to the present invention, a region near one end of the foil-shaped lead electrode metal base is joined to a region near one end of the foil-shaped valve metal base so that the metal is electrically connected. Thus, a joint is formed, and the foil-shaped valve metal base has a substantially smooth surface area at least in a portion adjacent to the joint. In the case where an insulating oxide film is formed on an edge portion where the insulating oxide film is not formed, the chemical conversion solution proceeds along the roughened surface of the foil-shaped valve metal base by capillary action. Also, the chemical conversion solution does not reach the foil-shaped lead electrode metal substrate beyond the substantially smooth surface area of the foil-shaped valve metal substrate, and therefore, the foil-shaped valve metal having a roughened surface. Anodization is completed when an insulating oxide film is formed on the metal substrate. Since an insulating oxide film can be formed on the edge of the foil-shaped valve metal base as desired, the foil-shaped lead electrode metal base can be connected to other electronic components mounted on the circuit board. By providing such a contact, a solid electrolytic capacitor having desired electric characteristics can be built in the circuit board.
【0027】さらに、表面が粗面化され、絶縁酸化皮膜
が形成された箔状の弁金属基体の全表面に、化学酸化重
合によって、固体高分子電解質層を形成する際、原料モ
ノマーを含む溶液や酸化剤溶液が、毛管現象によって、
表面が粗面化されていない箔状の弁金属基体を経て、箔
状の導電性金属に達し、導電性金属と反応して、ショー
トすることがあり、また、電解酸化重合によって、固体
高分子電解質層を形成する際には、原料モノマーと支持
電解質を含んだ電解液が、毛管現象によって、表面が粗
面化されていない箔状の弁金属基体を経て、箔状の導電
性金属に達し、導電性金属と反応して、ショートするこ
とがあったが、本発明によれば、箔状の弁金属基体が、
接合部の近傍に、実質的に平滑な表面を有しているか
ら、原料モノマーを含む溶液や酸化剤溶液、あるいは、
原料モノマーと支持電解質を含んだ電解液が、毛管現象
によって、表面が粗面化されていない箔状の弁金属基体
を経て、箔状の導電性金属に達することを確実に防止す
ることが可能になる。Further, when a solid polymer electrolyte layer is formed by chemical oxidative polymerization on the entire surface of a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, a solution containing a raw material monomer is used. And the oxidant solution, by capillary action,
Through the foil-shaped valve metal substrate whose surface is not roughened, it reaches the foil-shaped conductive metal, reacts with the conductive metal, and may be short-circuited. When forming the electrolyte layer, the electrolytic solution containing the raw material monomer and the supporting electrolyte reaches the foil-shaped conductive metal through the foil-shaped valve metal substrate whose surface is not roughened by capillary action. In some cases, a short-circuit occurred due to the reaction with the conductive metal.
In the vicinity of the joint, because it has a substantially smooth surface, a solution containing a raw material monomer or an oxidizing agent solution, or
Capable of reliably preventing the electrolyte solution containing the raw material monomer and supporting electrolyte from reaching the foil-shaped conductive metal via the foil-shaped valve metal substrate whose surface is not roughened by capillary action become.
【0028】本発明の好ましい実施態様においては、前
記箔状のリード電極金属基体が、導電性金属基体によっ
て形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, the foil-shaped lead metal base is formed of a conductive metal base.
【0029】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域と、前記箔
状の導電性金属基体の一端部近傍領域とが、超音波溶接
あるいは冷間圧接によって、接合されている。In a further preferred aspect of the present invention, the area near one end of the foil-shaped valve metal base and the area near one end of the foil-shaped conductive metal base are ultrasonically welded or cold welded. Are joined by
【0030】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記箔状のリード電極基体が、表面が粗面化されて
いない箔状の弁金属基体と、ハンダ接続が可能な導電性
金属基体を含み、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が
形成された前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域に、
表面が粗面化されていない前記箔状の弁金属基体の一端
部近傍領域が、弁金属間が電気的に接続されるように、
接合され、表面が粗面化されていない前記箔状の弁金属
基体の他端部近傍領域に、ハンダ接続が可能な前記箔状
の導電性金属基体の一端部近傍領域が、金属が電気的に
接続されるように、接合されている。In another preferred embodiment of the present invention, the foil-shaped lead electrode substrate includes a foil-shaped valve metal substrate having an unroughened surface and a conductive metal substrate capable of being soldered. The surface is roughened, in an area near one end of the foil-shaped valve metal base on which an insulating oxide film is formed,
As one end near area of the foil-shaped valve metal base whose surface is not roughened, the valve metals are electrically connected,
An area near one end of the foil-shaped conductive metal base, to which solder connection is possible, is electrically connected to a metal in an area near the other end of the foil-shaped valve metal base which is joined and the surface of which is not roughened. It is joined so that it is connected to.
【0031】本発明の別の好ましい実施態様によれば、
表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された陽極と
して機能する箔状の弁金属基体と、回路基板に搭載され
る他の電子部品とのコンタクトが設けられる導電性金属
基体との間には、さらに、表面が粗面化されていない箔
状の弁金属基体が介在しているから、化成溶液が銅など
の導電性金属基体に達し、銅などの導電性金属基体が腐
食されることをより確実に防止することが可能になり、
所望の電気的特性を有する固体電解コンデンサを作製し
て、回路基板に内蔵させることが可能になる。According to another preferred embodiment of the present invention,
Between a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and functioning as an anode having an insulating oxide film formed thereon and a conductive metal substrate provided with contacts to other electronic components mounted on a circuit board In addition, since a foil-shaped valve metal base whose surface is not roughened is interposed, the chemical conversion solution reaches the conductive metal base such as copper, and the conductive metal base such as copper is corroded. Can be more reliably prevented,
A solid electrolytic capacitor having desired electrical characteristics can be manufactured and built into a circuit board.
【0032】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された前
記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域と、表面が粗面化
されていない前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域と
が、超音波溶接あるいは冷間圧接によって、接合され、
表面が粗面化されていない前記箔状の弁金属基体の他端
部近傍領域と、前記箔状の導電性金属基体の一端部近傍
領域とが、超音波溶接あるいは冷間圧接によって、接合
されている。In a further preferred embodiment of the present invention, the surface of the foil-shaped valve metal base on which the surface is roughened and on which an insulating oxide film is formed, and the surface near one end are not roughened. An area near one end of the foil-shaped valve metal base is joined by ultrasonic welding or cold pressure welding,
The area near the other end of the foil-shaped valve metal base whose surface is not roughened and the area near the one end of the foil-shaped conductive metal base are joined by ultrasonic welding or cold pressure welding. ing.
【0033】本発明の好ましい実施態様においては、前
記実質的に平滑な表面が、前記接合部の近傍の前記箔状
の弁金属基体の粗面化された表面に、加圧処理、圧延処
理、切削処理およびカレンダリング処理よりなる群から
選ばれる平滑化処理が施されて、形成されている。[0033] In a preferred embodiment of the present invention, the substantially smooth surface is applied to the roughened surface of the foil-shaped valve metal base in the vicinity of the joint by a pressure treatment, a rolling treatment, It is formed by performing a smoothing process selected from the group consisting of a cutting process and a calendering process.
【0034】本発明の別の好ましい実施態様において
は、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された前
記箔状の弁金属基体が、一部の表面を残して、粗面化さ
れていない箔状の弁金属基体の表面を粗面化して、形成
され、前記実質的に平滑な表面領域が前記一部の表面に
よって形成されている。In another preferred embodiment of the present invention, the foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon is roughened except for a part of the surface. The surface of the unexposed foil-shaped valve metal base is formed by roughening the surface, and the substantially smooth surface area is formed by the partial surface.
【0035】本発明の好ましい実施態様においては、少
なくとも前記接合部に隣接する部分に、前記箔状の弁金
属基体の全周にわたって、前記箔状の弁金属基体に、前
記実質的に平滑な表面領域が形成されている。[0035] In a preferred embodiment of the present invention, the substantially smooth surface is provided on the foil-shaped valve metal base at least at a portion adjacent to the joint portion over the entire circumference of the foil-shaped valve metal base. A region is formed.
【0036】本発明の好ましい実施態様によれば、箔状
の弁金属基体の全周にわたって、接合部の近傍の箔状の
弁金属基体に、実質的に平滑な表面領域が形成されてい
るから、化成溶液が銅などの導電性金属基体に達し、銅
などの導電性金属基体が腐食されることをより一層確実
に防止することが可能になり、所望の電気的特性を有す
る固体電解コンデンサを作製して、回路基板に内蔵させ
ることが可能になる。According to a preferred embodiment of the present invention, a substantially smooth surface area is formed on the foil-shaped valve metal base near the joint over the entire circumference of the foil-shaped valve metal base. It is possible to more reliably prevent the chemical solution from reaching the conductive metal substrate such as copper and corroding the conductive metal substrate such as copper, and to provide a solid electrolytic capacitor having desired electrical characteristics. It can be manufactured and built into a circuit board.
【0037】本発明の前記目的はまた、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮
膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成
された固体電解コンデンサであって、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体の一
端部近傍領域に、箔状のリード電極金属基体の一端部近
傍領域が、金属間が電気的に接続されるように、接合さ
れて、接合部が形成され、前記箔状の弁金属基体が、少
なくとも前記接合部に隣接する部分に、実質的に平滑な
表面領域を有する陽極電極を備えた少なくとも1つの固
体電解コンデンサが、絶縁基板の一方の面に取り付けら
れたことを特徴とする固体電解コンデンサ内蔵基板によ
って達成される。The object of the present invention is also to provide a foil-shaped valve metal base having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A solid electrolytic capacitor in which at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer and a conductor layer are sequentially formed on the foil-shaped valve metal substrate, wherein the surface is roughened, and the insulating oxide film is formed. The area near one end of the foil-shaped lead electrode metal base is joined to the area near one end of the foil-shaped valve metal base on which is formed so that the metal is electrically connected. At least one solid electrolytic capacitor having an anode electrode having a substantially smooth surface area at least in a portion adjacent to the joint, wherein the foil-shaped valve metal base is formed on one surface of an insulating substrate; The present invention is achieved by a substrate having a built-in solid electrolytic capacitor, wherein the substrate is mounted on a substrate.
【0038】本発明の好ましい実施態様においては、前
記絶縁基板の他方の面に、少なくとも1つの配線パター
ンが形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, at least one wiring pattern is formed on the other surface of the insulating substrate.
【0039】本発明の好ましい実施態様においては、前
記絶縁基板の他方の面に、少なくとも1つの電子部品が
搭載されている。In a preferred embodiment of the present invention, at least one electronic component is mounted on the other surface of the insulating substrate.
【0040】本発明の好ましい実施態様においては、固
体電解コンデンサ内蔵基板は、第一の絶縁基板に加え
て、さらに、前記第一の絶縁基板と対向する第二の絶縁
基板を備え、前記固体電解コンデンサが、前記第一の絶
縁基板の一方の面と前記第二の絶縁基板の一方の面の間
に一体的に取り付けられている。In a preferred embodiment of the present invention, the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor further comprises, in addition to the first insulating substrate, a second insulating substrate facing the first insulating substrate. A capacitor is integrally mounted between one surface of the first insulating substrate and one surface of the second insulating substrate.
【0041】本発明の好ましい実施態様によれば、固体
電解コンデンサ内蔵基板は第一の絶縁基板に加えて、さ
らに、第一の絶縁基板と対向する第二の絶縁基板を備
え、固体電解コンデンサが、第一の絶縁基板の一方の面
と第二の絶縁基板の一方の面の間に一体的に取り付けら
れているから、固体電解コンデンサを含む電子部品を、
高い集積度で、かつ、高密度に、固体電解コンデンサ内
蔵基板に実装することが可能になる。According to a preferred embodiment of the present invention, the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor further includes, in addition to the first insulating substrate, a second insulating substrate facing the first insulating substrate. Since it is integrally attached between one surface of the first insulating substrate and one surface of the second insulating substrate, an electronic component including a solid electrolytic capacitor,
It can be mounted on a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor with high integration and high density.
【0042】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第二の絶縁基板の他方の面に、少なくとも1つの配線
パターンが形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, at least one wiring pattern is formed on the other surface of the second insulating substrate.
【0043】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の少なくとも一方の前記陽極電極に対応する位置
に、スルーホールが形成されている。In a further preferred aspect of the present invention, a through-hole is formed at a position corresponding to the anode electrode on at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0044】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、第一の絶縁基板および第二の絶縁基板の少なくとも
一方の陽極電極に対応する位置に、スルーホールが形成
されているから、スルーホールを介して、固体電解コン
デンサの陽極電極を、容易に、第一の絶縁基板および第
二の絶縁基板の少なくとも一方に形成された配線パター
ンと電気的に接続することが可能になる。According to a further preferred embodiment of the present invention, a through hole is formed at a position corresponding to the anode electrode of at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate. Thus, the anode electrode of the solid electrolytic capacitor can be easily electrically connected to the wiring pattern formed on at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0045】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の少なくとも一方の前記固体電解コンデンサの陰極
電極に対応する位置に、スルーホールが形成されてい
る。In a further preferred aspect of the present invention, a through hole is formed at a position corresponding to a cathode electrode of the solid electrolytic capacitor of at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate. ing.
【0046】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、さらに、第一の絶縁基板および第二の絶縁基板の少
なくとも一方の固体電解コンデンサの陰極電極に対応す
る位置に、スルーホールが形成されているから、スルー
ホールを介して、固体電解コンデンサの陰極電極を、容
易に、第一の絶縁基板および第二の絶縁基板の少なくと
も一方に形成された配線パターンと電気的に接続するこ
とが可能になる。According to a further preferred embodiment of the present invention, at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate has a through hole formed at a position corresponding to the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor. Therefore, it is possible to easily electrically connect the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor to a wiring pattern formed on at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate via the through hole. .
【0047】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の他方の面の少なくとも一方に、少なくとも1つの
電子部品が搭載されている。In a further preferred aspect of the present invention, at least one electronic component is mounted on at least one of the other surfaces of the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0048】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板、前記第二の絶縁基板および前
記固体電解コンデンサが、樹脂によって一体化されてい
る。In a further preferred aspect of the present invention, the first insulating substrate, the second insulating substrate and the solid electrolytic capacitor are integrated by a resin.
【0049】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁基板の少
なくとも一方に形成された前記スルーホールを介して、
前記固体電解コンデンサの陽極電極に、前記少なくとも
1つの配線パターンが電気的に接続されている。[0049] In a further preferred aspect of the present invention, through the through holes formed in at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate,
The at least one wiring pattern is electrically connected to an anode electrode of the solid electrolytic capacitor.
【0050】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホールに導電性樹脂が充填され、前記導
電性樹脂により、前記固体電解コンデンサの前記陰極電
極と前記少なくとも1つの配線パターンが電気的に接続
されている。In a further preferred aspect of the present invention, the through hole is filled with a conductive resin, and the conductive resin electrically connects the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor to the at least one wiring pattern. Have been.
【0051】本発明の好ましい実施態様においては、前
記固体電解コンデンサが、前記第一の絶縁基板および前
記第二の絶縁基板によって形成された実質的に閉じた空
間内に収容されている。[0051] In a preferred embodiment of the present invention, the solid electrolytic capacitor is housed in a substantially closed space formed by the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0052】本発明において、実質的に閉じた空間と
は、スルーホールなどによって、外部と接続されている
点を除き、閉じられている空間を意味している。In the present invention, a substantially closed space means a closed space except that the space is connected to the outside by a through hole or the like.
【0053】本発明の好ましい実施態様によれば、固体
電解コンデンサ内蔵基板は、互いに対向する第一の絶縁
基板および第二の絶縁基板と、第一の絶縁基板の第二の
絶縁基板に対向する表面上に固定された固体電解コンデ
ンサとを備え、固体電解コンデンサが、第一の絶縁基板
および第二の絶縁基板によって形成された実質的に閉じ
た空間内に収容されているから、固体電解コンデンサ内
蔵基板を作製する際に、固体電解コンデンサに過大な圧
力が加わることがなく、したがって、弁金属基体の表面
に形成された絶縁性酸化皮膜が、作製時に加えられる圧
力によって、破壊されて、陽極として作用する弁金属基
体と、固体高分子電解質層とが接触し、通電した際に、
ショートが発生するおそれがなく、さらには、固体電解
コンデンサ内蔵基板の平面性を向上させることが可能に
なる。According to a preferred embodiment of the present invention, the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor has a first insulating substrate and a second insulating substrate facing each other, and a second insulating substrate of the first insulating substrate. A solid electrolytic capacitor fixed on the surface, wherein the solid electrolytic capacitor is housed in a substantially closed space formed by the first insulating substrate and the second insulating substrate. When fabricating the built-in substrate, no excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor, and therefore, the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal base is broken by the pressure applied during fabrication, and the anode is crushed. When the valve metal substrate acting as a contact and the solid polymer electrolyte layer are in contact and energized,
There is no possibility that a short circuit occurs, and the flatness of the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor can be improved.
【0054】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁基板が、前記絶
縁基板および前記第二の絶縁基板と同一材質の接着剤に
よって、接着されている。In a preferred embodiment of the present invention, the first insulating substrate and the second insulating substrate are adhered to each other with an adhesive of the same material as the insulating substrate and the second insulating substrate.
【0055】本発明の好ましい実施態様によれば、第一
の絶縁基板および第二の絶縁基板が、第一の絶縁基板お
よび第二の絶縁基板と同一材質の接着剤によって、接着
されているから、長時間にわたって、使用しても、第一
の絶縁基板と第二の絶縁基板が剥離することがなく、固
体電解コンデンサ内蔵基板の信頼性を向上させることが
可能になる。According to a preferred embodiment of the present invention, the first insulating substrate and the second insulating substrate are bonded by the same material as the first insulating substrate and the second insulating substrate. Even when used for a long time, the first insulating substrate and the second insulating substrate do not peel off, and the reliability of the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor can be improved.
【0056】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第一の絶縁基板が、平板状の基板と、前記固体電解コ
ンデンサの周囲において、前記平板状の基板に固定され
た枠状の基板とによって形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, the first insulating substrate is formed by a flat substrate and a frame-shaped substrate fixed to the flat substrate around the solid electrolytic capacitor. Have been.
【0057】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板が、平板状の基板と、前記平板
状の基板の周縁部に沿って、前記平板状の基板に固定さ
れた枠状の基板とによって形成されている。In a further preferred aspect of the present invention, the first insulating substrate is a flat substrate and a frame fixed to the flat substrate along a peripheral portion of the flat substrate. And the substrate.
【0058】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、第一の絶縁基板が、平板状の基板と、平板状の基板
の周縁部に沿って、前記平板状の基板に固定された枠状
の基板とによって形成されており、したがって、固体電
解コンデンサ内蔵基板を作製する際に、固体電解コンデ
ンサを、平板状の基板と枠状の基板とにより形成された
実質的に閉じた空間内に収容させることができるから、
固体電解コンデンサに過大な圧力が加わることがなく、
したがって、弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化
皮膜が、作製時に加えられる圧力によって、破壊され
て、陽極として作用する弁金属基体と、固体高分子電解
質層とが接触し、通電した際に、ショートが発生するお
それがない。According to a further preferred aspect of the present invention, the first insulating substrate is a flat substrate and a frame-like fixed to the flat substrate along the periphery of the flat substrate. The solid electrolytic capacitor is housed in a substantially closed space formed by the flat substrate and the frame-shaped substrate when the solid electrolytic capacitor built-in substrate is manufactured. Because you can
No excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor,
Therefore, when the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal substrate is broken by the pressure applied during fabrication, the valve metal substrate acting as an anode comes into contact with the solid polymer electrolyte layer, and the current flows. In addition, there is no possibility that a short circuit occurs.
【0059】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記枠状の基板が、前記平板状の基板および前記枠
状の基板と同一材質の接着剤によって、前記平板状の基
板に固定されている。In a further preferred aspect of the present invention, the frame-shaped substrate is fixed to the plate-shaped substrate by an adhesive made of the same material as the frame-shaped substrate.
【0060】本発明の好ましい実施態様によれば、枠状
の基板が、平板状の基板および枠状の基板と同一材質の
接着剤によって、平板状の基板に固定されるから、長時
間にわたって、使用しても、平板状の基板と枠状の基板
が剥離することがなく、固体電解コンデンサ内蔵基板の
信頼性を向上させることが可能になる。According to the preferred embodiment of the present invention, since the frame-shaped substrate is fixed to the plate-shaped substrate by the same material as the frame-shaped substrate and the adhesive of the frame-shaped substrate, the frame-shaped substrate can be used for a long time. Even when used, the flat substrate and the frame substrate are not separated, and the reliability of the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor can be improved.
【0061】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第一の絶縁基板が、平板状の基板部と、前記固体電解
コンデンサの周囲に位置する枠状の基板部とを備えてい
る。[0061] In a preferred embodiment of the present invention, the first insulating substrate includes a flat substrate portion and a frame-shaped substrate portion located around the solid electrolytic capacitor.
【0062】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板が、平板状の基板部と、前記平
板状の基板部の周縁部に位置する枠状の基板部とを備え
ている。[0062] In a further preferred aspect of the present invention, the first insulating substrate includes a plate-shaped substrate portion and a frame-shaped substrate portion located at a peripheral portion of the plate-shaped substrate portion. .
【0063】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、第一の絶縁基板が、平板状の基板部と、平板状の基
板部の周縁部に位置する枠状の基板部とを備えており、
したがって、固体電解コンデンサ内蔵基板を作製する際
に、固体電解コンデンサを、平板状の基板部と枠状の基
板部とにより形成された実質的に閉じた空間内に収容さ
せることができるから、固体電解コンデンサに過大な圧
力が加わることがなく、したがって、弁金属基体の表面
に形成された絶縁性酸化皮膜が、作製時に加えられる圧
力によって、破壊されて、陽極として作用する弁金属基
体と、固体高分子電解質層とが接触し、通電した際に、
ショートが発生するおそれがない。According to a further preferred embodiment of the present invention, the first insulating substrate includes a flat substrate portion and a frame-shaped substrate portion located at a peripheral portion of the flat substrate portion,
Therefore, when manufacturing the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor can be accommodated in a substantially closed space formed by the flat substrate portion and the frame-shaped substrate portion. No excessive pressure is applied to the electrolytic capacitor, and therefore, the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal substrate is broken by the pressure applied at the time of fabrication, and the valve metal substrate acting as an anode and When the polymer electrolyte layer comes into contact and is energized,
There is no risk of short circuit.
【0064】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第二の絶縁基板が、平板状に形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is formed in a flat plate shape.
【0065】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第二の絶縁基板が、平板状の基板と、前記第一の絶縁
基板の前記枠状の基板と接合可能な位置において、前記
平板状の基板に固定された枠状の基板とを備えている。In a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is a flat substrate and the flat substrate is located at a position where the second insulating substrate can be joined to the frame-shaped substrate of the first insulating substrate. And a frame-shaped substrate fixed to the substrate.
【0066】本発明の好ましい実施態様によれば、第二
の絶縁基板が、平板状の基板と、第一の絶縁基板の枠状
の基板と接合可能な位置において、平板状の基板に固定
された枠状の基板とを備えており、したがって、固体電
解コンデンサ内蔵基板を作製する際に、固体電解コンデ
ンサを、第一の絶縁基板の平板状の基板およびこれに固
定された枠状の基板と、第二の絶縁基板の平板状の基板
およびこれに固定された枠状の基板との間に形成した実
質的に閉じた空間内に、収容させることができるから、
固体電解コンデンサに過大な圧力が加わることがなく、
したがって、弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化
皮膜が、作製時に加えられる圧力によって、破壊され
て、陽極として作用する弁金属基体と、固体高分子電解
質層とが接触し、通電した際に、ショートが発生するお
それがない。According to a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is fixed to the flat substrate at a position where the second insulating substrate can be joined to the flat substrate and the frame substrate of the first insulating substrate. Therefore, when producing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor, the flat substrate of the first insulating substrate and the frame-shaped substrate fixed to this Since it can be accommodated in a substantially closed space formed between the flat substrate of the second insulating substrate and the frame-shaped substrate fixed thereto,
No excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor,
Therefore, when the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal substrate is broken by the pressure applied during fabrication, the valve metal substrate acting as an anode comes into contact with the solid polymer electrolyte layer, and the current flows. In addition, there is no possibility that a short circuit occurs.
【0067】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記第二の絶縁基板が、平板状の基板と、前記第一
の絶縁基板の前記枠状の基板部と接合可能な位置におい
て、前記平板状の基板に固定された枠状の基板とを備え
ている。In another preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is provided at a position where the second insulating substrate can be joined to the flat substrate and the frame-shaped substrate portion of the first insulating substrate. And a frame-shaped substrate fixed to the substrate.
【0068】本発明の別の好ましい実施態様によれば、
第二の絶縁基板が、平板状の基板と、第一の絶縁基板の
枠状の基板部と接合可能な位置において、平板状の基板
に固定された枠状の基板とを備えており、したがって、
固体電解コンデンサ内蔵基板を作製する際に、固体電解
コンデンサを、第一の絶縁基板の平板状の基板部および
これと一体的に形成された枠状の基板部と、第二の絶縁
基板の平板状の基板およびこれに固定された枠状の基板
との間に形成した実質的に閉じた空間内に、収容させる
ことができるから、固体電解コンデンサに過大な圧力が
加わることがなく、したがって、弁金属基体の表面に形
成された絶縁性酸化皮膜が、作製時に加えられる圧力に
よって、破壊されて、陽極として作用する弁金属基体
と、固体高分子電解質層とが接触し、通電した際に、シ
ョートが発生するおそれがない。According to another preferred embodiment of the present invention,
The second insulating substrate has a flat substrate and a frame-shaped substrate fixed to the flat substrate at a position where the second insulating substrate can be joined to the frame-shaped substrate portion of the first insulating substrate. ,
When manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor is formed by a flat substrate portion of the first insulating substrate and a frame-shaped substrate portion integrally formed therewith, and a flat substrate portion of the second insulating substrate. Can be accommodated in a substantially closed space formed between the solid-state substrate and the frame-shaped substrate fixed thereto, so that no excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor, and therefore, When the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal substrate is broken by the pressure applied during fabrication, the valve metal substrate acting as an anode and the solid polymer electrolyte layer come into contact with each other, There is no risk of short circuit.
【0069】本発明の好ましい実施態様においては、前
記枠状の基板が、前記平板状の基板および前記枠状の基
板と同一材質の接着剤によって、前記平板状の基板に固
定されている。In a preferred embodiment of the present invention, the frame-shaped substrate is fixed to the plate-shaped substrate by an adhesive made of the same material as the frame-shaped substrate.
【0070】本発明の好ましい実施態様によれば、枠状
の基板が、平板状の基板および枠状の基板と同一材質の
接着剤によって、平板状の基板に固定されるから、長時
間にわたって、使用しても、平板状の基板と枠状の基板
が剥離することがなく、固体電解コンデンサ内蔵基板の
信頼性を向上させることが可能になる。According to a preferred embodiment of the present invention, the frame-shaped substrate is fixed to the plate-shaped substrate by the flat-plate-shaped substrate and an adhesive of the same material as that of the frame-shaped substrate. Even when used, the flat substrate and the frame substrate are not separated, and the reliability of the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor can be improved.
【0071】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第二の絶縁基板が、平板状の基板部と、前記第一の絶
縁基板の前記枠状の基板と接合可能な位置に位置する枠
状の基板部を備えている。In a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is formed of a flat substrate portion and a frame-shaped portion of the first insulating substrate located at a position capable of being joined to the frame-shaped substrate. It has a substrate part.
【0072】本発明の好ましい実施態様によれば、第二
の絶縁基板が、平板状の基板部と、第一の絶縁基板の枠
状の基板と接合可能な位置に位置する枠状の基板部を備
えており、したがって、固体電解コンデンサ内蔵基板を
作製する際に、固体電解コンデンサを、第一の絶縁基板
の平板状の基板およびこれに固定された枠状の基板と、
第二の絶縁基板の平板状の基板部およびこれと一体的に
形成された枠状の基板部との間に形成した実質的に閉じ
た空間内に、収容させることができるから、固体電解コ
ンデンサに過大な圧力が加わることがなく、したがっ
て、弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化皮膜が、
作製時に加えられる圧力によって、破壊されて、陽極と
して作用する弁金属基体と、固体高分子電解質層とが接
触し、通電した際に、ショートが発生するおそれがな
い。According to a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate has a flat substrate portion and a frame-shaped substrate portion located at a position where the second insulating substrate can be joined to the frame-shaped substrate of the first insulating substrate. Therefore, when manufacturing the substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor, a flat substrate of the first insulating substrate and a frame-shaped substrate fixed thereto,
The solid electrolytic capacitor can be accommodated in a substantially closed space formed between the flat substrate portion of the second insulating substrate and the frame-shaped substrate portion formed integrally therewith. No excessive pressure is applied to the valve metal substrate, and therefore, the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal base is
There is no danger that a short circuit will occur when the valve metal substrate, which is broken down and acts as an anode, comes into contact with the solid polymer electrolyte layer due to the pressure applied at the time of fabrication, and is energized.
【0073】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記第二の絶縁基板が、平板状の基板部と、前記第
一の絶縁基板の前記枠状の基板部と接合可能な位置に位
置する枠状の基板部を備えている。In another preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is located at a position where the second insulating substrate can be joined to the flat substrate and the frame-shaped substrate of the first insulating substrate. A frame-shaped substrate is provided.
【0074】本発明の別の好ましい実施態様によれば、
第二の絶縁基板が、平板状の基板部と、第一の絶縁基板
の枠状の基板部と接合可能な位置に位置する枠状の基板
部を備えており、したがって、固体電解コンデンサ内蔵
基板を作製する際に、固体電解コンデンサを、第一の絶
縁基板の平板状の基板部およびこれと一体的に形成され
た枠状の基板部と、第二の絶縁基板の平板状の基板部お
よびこれと一体的に形成された枠状の基板部との間に形
成した実質的に閉じた空間内に、収容させることができ
るから、固体電解コンデンサに過大な圧力が加わること
がなく、したがって、弁金属基体の表面に形成された絶
縁性酸化皮膜が、作製時に加えられる圧力によって、破
壊されて、陽極として作用する弁金属基体と、固体高分
子電解質層とが接触し、通電した際に、ショートが発生
するおそれがない。According to another preferred embodiment of the present invention,
The second insulating substrate includes a flat substrate portion and a frame-shaped substrate portion located at a position that can be joined to the frame-shaped substrate portion of the first insulating substrate. When manufacturing a solid electrolytic capacitor, a flat substrate portion of the first insulating substrate and a frame-shaped substrate portion formed integrally therewith, and a flat substrate portion of the second insulating substrate and Since the solid electrolytic capacitor can be accommodated in a substantially closed space formed between the solid electrolytic capacitor and a frame-shaped substrate portion formed integrally with the solid electrolytic capacitor, excessive pressure is not applied to the solid electrolytic capacitor. When the insulating oxide film formed on the surface of the valve metal substrate is broken by the pressure applied during fabrication, the valve metal substrate acting as an anode and the solid polymer electrolyte layer come into contact with each other, There is no risk of short circuit
【0075】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第二の絶縁基板が、平板状の基板と、前記固体電解コ
ンデンサの周囲において、前記平板状の基板に固定され
た枠状の基板とによって形成され、前記第一の絶縁基板
が、平板状に形成されている。In a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is formed by a flat substrate and a frame substrate fixed to the flat substrate around the solid electrolytic capacitor. The first insulating substrate is formed in a flat plate shape.
【0076】本発明の好ましい実施態様によれば、第二
の絶縁基板が、平板状の基板と、固体電解コンデンサの
周囲において、平板状の基板に固定された枠状の基板と
によって形成され、第一の絶縁基板が、平板状に形成さ
れており、したがって、固体電解コンデンサ内蔵基板を
作製する際に、固体電解コンデンサを、平板状の第一の
絶縁基板と、第二の絶縁基板の平板状の基板およびこれ
に固定された枠状の基板とによって形成した実質的に閉
じた空間内に、収容させることができるから、固体電解
コンデンサに過大な圧力が加わることがなく、したがっ
て、弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化皮膜が、
作製時に加えられる圧力によって、破壊されて、陽極と
して作用する弁金属基体と、固体高分子電解質層とが接
触し、通電した際に、ショートが発生するおそれがな
い。According to a preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate is formed by a flat substrate and a frame-shaped substrate fixed to the flat substrate around the solid electrolytic capacitor, The first insulating substrate is formed in a flat plate shape.Therefore, when manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor is formed by a flat first insulating substrate and a flat plate of the second insulating substrate. The solid electrolytic capacitor can be accommodated in a substantially closed space formed by the shape-like substrate and the frame-like substrate fixed thereto, so that no excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor, and therefore, the valve metal The insulating oxide film formed on the surface of the substrate,
There is no danger that a short circuit will occur when the valve metal substrate, which is broken down and acts as an anode, comes into contact with the solid polymer electrolyte layer due to the pressure applied at the time of fabrication, and is energized.
【0077】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第二の絶縁基板の前記枠状の基板が、前記平板
状の基板の周縁部に沿って、前記平板状の基板に固定さ
れている。In a further preferred aspect of the present invention, the frame-shaped substrate of the second insulating substrate is fixed to the plate-shaped substrate along a peripheral portion of the plate-shaped substrate.
【0078】本発明の好ましい実施態様においては、前
記枠状の基板が、前記平板状の基板および前記枠状の基
板と同一材質の接着剤によって、前記平板状の基板に固
定されている。In a preferred embodiment of the present invention, the frame-shaped substrate is fixed to the plate-shaped substrate by an adhesive made of the same material as the frame-shaped substrate.
【0079】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記第二の絶縁基板が、平板状の基板部と、前記固
体電解コンデンサの周囲に位置する枠状の基板部とを備
え、前記第一の絶縁基板が、平板状に形成されている。In another preferred embodiment of the present invention, the second insulating substrate includes a plate-shaped substrate portion and a frame-shaped substrate portion located around the solid electrolytic capacitor. Is formed in a flat plate shape.
【0080】本発明の別の好ましい実施態様によれば、
第二の絶縁基板が、平板状の基板部と、固体電解コンデ
ンサの周囲に位置する枠状の基板部とを備え、第一の絶
縁基板が、平板状に形成されており、したがって、固体
電解コンデンサ内蔵基板を作製する際に、固体電解コン
デンサを、平板状の第一の絶縁基板と、第二の絶縁基板
の平板状の基板およびこれと一体的に形成された枠状の
基板とによって形成した実質的に閉じた空間内に、収容
させることができるから、固体電解コンデンサに過大な
圧力が加わることがなく、したがって、弁金属基体の表
面に形成された絶縁性酸化皮膜が、作製時に加えられる
圧力によって、破壊されて、陽極として作用する弁金属
基体と、固体高分子電解質層とが接触し、通電した際
に、ショートが発生するおそれがない。According to another preferred embodiment of the present invention,
The second insulating substrate includes a flat substrate portion and a frame-shaped substrate portion positioned around the solid electrolytic capacitor, and the first insulating substrate is formed in a flat shape, and When manufacturing the capacitor built-in substrate, a solid electrolytic capacitor is formed by a flat first insulating substrate, a flat substrate of the second insulating substrate and a frame-shaped substrate integrally formed therewith. Since the solid electrolytic capacitor can be accommodated in a substantially closed space, no excessive pressure is applied to the solid electrolytic capacitor, and therefore, an insulating oxide film formed on the surface of the valve metal base is added during production. The valve metal substrate, which is broken by the applied pressure and acts as an anode, and the solid polymer electrolyte layer are in contact with each other, and there is no possibility that a short circuit will occur when electricity is supplied.
【0081】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第二の絶縁基板の前記枠状の基板部が、前記平
板状の基板部の周縁部に位置している。In a further preferred aspect of the present invention, the frame-shaped substrate portion of the second insulating substrate is located at a peripheral edge of the plate-shaped substrate portion.
【0082】本発明の前記目的はまた、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮
膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成
された固体電解コンデンサの製造方法であって、表面が
粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属
基体の一端部近傍領域と、箔状のリード電極金属基体の
一端部近傍領域とを、金属間が電気的に接続されるよう
に、接合して、接合部を形成し、前記箔状の弁金属基体
と前記箔状のリード電極金属基体の接合体を形成する工
程と、前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電極金
属基体の接合体を、前記箔状の弁金属基体を、化成溶液
に浸し、前記接合体に、電圧を印加して、陽極酸化処理
を施し、前記弁金属基体の少なくともエッジ部分に、絶
縁性酸化皮膜を形成する工程と、陽極酸化処理が施され
た前記箔状の弁金属基体の全表面上に、固体高分子電解
質層を形成する工程と、前記固体高分子電解質層上に、
導電性ペーストを塗布し、乾燥して、導電体層を形成す
る工程とを備え、さらに、前記絶縁性酸化皮膜を形成す
る工程に先立って、少なくとも前記接合部に隣接する前
記箔状の弁金属基体の粗面化された表面に平滑化処理を
施して、実質的に平滑な表面領域を形成する工程を含
み、前記箔状の弁金属基体の前記実質的に平滑な表面を
除く部分のみを化成溶液に浸して、陽極酸化処理を施
し、前記弁金属基体の少なくともエッジ部分に、絶縁性
酸化皮膜を形成することを特徴とする固体電解コンデン
サの製造方法によって達成される。The object of the present invention is also to provide a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor in which at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer and a conductor layer are sequentially formed on the foil-shaped valve metal substrate, wherein the surface is roughened, The region near one end of the foil-shaped valve metal substrate on which the conductive oxide film is formed and the region near one end of the foil-shaped lead electrode metal substrate are joined so that metal is electrically connected. Forming a joined portion to form a joined body of the foil-shaped valve metal substrate and the foil-shaped lead electrode metal substrate; and joining the foil-shaped valve metal substrate and the foil-shaped lead electrode metal substrate. The body is immersed in a chemical conversion solution of the foil-shaped valve metal substrate, a voltage is applied to the joined body, anodizing treatment is performed, and an insulating oxide film is formed on at least an edge portion of the valve metal substrate. And anodizing treatment of the foil-shaped valve metal On the entire surface of the body, forming a solid polymer electrolyte layer, the solid polymer electrolyte layer,
Applying a conductive paste and drying to form a conductive layer, further comprising, prior to the step of forming the insulating oxide film, at least the foil-shaped valve metal adjacent to the joint portion Subjecting the roughened surface of the substrate to a smoothing treatment to form a substantially smooth surface area, wherein only the portion of the foil-shaped valve metal substrate excluding the substantially smooth surface is removed. This is achieved by a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, characterized by immersing in a chemical conversion solution and performing anodizing treatment to form an insulating oxide film on at least an edge portion of the valve metal substrate.
【0083】本発明の前記目的はまた、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮
膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成
された固体電解コンデンサの製造方法であって、表面が
粗面化処理されていない箔状の弁金属基体の一端部近傍
領域と、導電性金属基体の一端部近傍領域とを、金属間
が電気的に接続されるように、接合して、接合部を形成
し、前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電極金属
基体の接合体を形成する工程と、前記接合部に隣接する
部分を除く前記箔状の弁金属基体の表面に粗面化処理を
施す工程と、前記箔状の弁金属基体の粗面化処理が施さ
れていない部分の一部と、粗面化処理が施された部分
を、前記箔状の弁金属基体を、化成溶液に浸し、前記接
合体に、電圧を印加して、陽極酸化処理を施し、前記弁
金属基体の少なくともエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を
形成する工程と、陽極酸化処理が施された前記箔状の弁
金属基体の全表面上に、固体高分子電解質層を形成する
工程と、前記固体高分子電解質層上に、導電性ペースト
を塗布し、乾燥して、導電体層を形成する工程とを備え
たことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法によ
って達成される。The object of the present invention is also to provide a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor in which at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, and a conductor layer are sequentially formed on the foil-shaped valve metal substrate, wherein the surface is roughened. The region near one end of the foil-shaped valve metal substrate and the region near one end of the conductive metal substrate are joined so that the metal is electrically connected to form a joint, and the foil is formed. Forming a joined body of the valve-shaped valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base; and performing a roughening treatment on the surface of the foil-shaped valve metal base excluding a portion adjacent to the joint. Part of the part of the foil-shaped valve metal substrate that has not been subjected to the surface roughening treatment, and the part that has been subjected to the surface roughening treatment, the foil-shaped valve metal substrate is immersed in a chemical conversion solution, A voltage is applied to the joined body to perform an anodic oxidation treatment, and at least the valve metal substrate Forming a solid polymer electrolyte layer on the entire surface of the foil-shaped valve metal substrate that has been subjected to anodizing treatment; Applying a conductive paste on the electrolyte layer and drying to form a conductor layer.
【0084】本発明の前記目的はまた、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮
膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成
された少なくとも1つの固体電解コンデンサを内蔵する
固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法であって、表面
が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金
属基体の一端部近傍領域と、箔状のリード電極金属基体
の一端部近傍領域とを、金属間が電気的に接続されるよ
うに、接合して、接合部を形成し、前記箔状の弁金属基
体と前記箔状のリード電極金属基体の接合体を形成する
工程と、前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電極
金属基体の接合体を、前記箔状の弁金属基体を、化成溶
液に浸し、前記接合体に、電圧を印加して、陽極酸化処
理を施し、前記弁金属基体の少なくともエッジ部分に、
絶縁性酸化皮膜を形成する工程と、陽極酸化処理が施さ
れた前記箔状の弁金属基体の全表面上に、固体高分子電
解質層を形成する工程と、前記固体高分子電解質層上
に、導電性ペーストを塗布し、乾燥して、導電体層を形
成し、少なくとも1つの固体電解コンデンサを生成する
工程と、前記少なくとも1つの固体電解コンデンサを、
絶縁基板の一方の面に、取り付ける工程とを備え、さら
に、前記絶縁性酸化皮膜を形成する工程に先立って、少
なくとも前記接合部に隣接する前記箔状の弁金属基体の
粗面化された表面に平滑化処理を施して、実質的に平滑
な表面領域を形成する工程を含み、前記箔状の弁金属基
体の前記実質的に平滑な表面を除く部分のみを化成溶液
に浸して、陽極酸化処理を施し、前記弁金属基体の少な
くともエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を形成することを
特徴とする固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法によ
って達成される。The object of the present invention is also to provide a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor including at least one solid electrolytic capacitor in which at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, and a conductor layer are sequentially formed on the foil-shaped valve metal substrate. The area near one end of the foil-shaped valve metal base on which the surface is roughened and the insulating oxide film is formed, and the area near one end of the foil-shaped lead electrode metal base are electrically connected between the metals. Forming a joined portion by joining together so as to be electrically connected, and forming a joined body of the foil-shaped valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base; and the foil-shaped valve metal base. And a bonded body of the foil-shaped lead electrode metal base, the foil-shaped valve metal base is immersed in a chemical conversion solution, a voltage is applied to the bonded body, and anodizing treatment is performed. At least on the edge,
A step of forming an insulating oxide film, and a step of forming a solid polymer electrolyte layer on the entire surface of the foil-shaped valve metal substrate that has been subjected to anodic oxidation, and, on the solid polymer electrolyte layer, Applying a conductive paste and drying to form a conductor layer and produce at least one solid electrolytic capacitor; and at least one solid electrolytic capacitor,
Attaching to one surface of an insulating substrate, and prior to the step of forming the insulating oxide film, a roughened surface of the foil-shaped valve metal base at least adjacent to the joint portion Applying a smoothing treatment to form a substantially smooth surface area, and immersing only the portion of the foil-shaped valve metal substrate excluding the substantially smooth surface in a chemical conversion solution, thereby performing anodization. This is achieved by a method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, characterized by performing a treatment and forming an insulating oxide film on at least an edge portion of the valve metal base.
【0085】本発明の前記目的はまた、表面が粗面化さ
れ、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、
前記箔状の弁金属基体に、少なくとも、絶縁性酸化皮
膜、固体高分子電解質層および導電体層が、順次、形成
された少なくとも1つの固体電解コンデンサを内蔵する
固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法であって、表面
が粗面化処理されていない箔状の弁金属基体の一端部近
傍領域と、導電性金属基体の一端部近傍領域とを、金属
間が電気的に接続されるように、接合して、接合部を形
成し、前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電極金
属基体の接合体を形成する工程と、前記接合部に隣接す
る部分を除く前記箔状の弁金属基体の表面に粗面化処理
を施す工程と、前記箔状の弁金属基体の粗面化処理が施
されていない部分の一部と、粗面化処理が施された部分
を、前記箔状の弁金属基体を、化成溶液に浸し、前記接
合体に、電圧を印加して、陽極酸化処理を施し、前記弁
金属基体の少なくともエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を
形成する工程と、陽極酸化処理が施された前記箔状の弁
金属基体の全表面上に、固体高分子電解質層を形成する
工程と、前記固体高分子電解質層上に、導電性ペースト
を塗布し、乾燥して、導電体層を形成し、少なくとも1
つの固体電解コンデンサを生成する工程と、前記少なく
とも1つの固体電解コンデンサを、絶縁基板の一方の面
に、取り付ける工程とを備えたことを特徴とする固体電
解コンデンサ内蔵基板の製造方法によって達成される。The object of the present invention is also to provide a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon,
A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor including at least one solid electrolytic capacitor in which at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, and a conductor layer are sequentially formed on the foil-shaped valve metal substrate. Then, a region near one end of the foil-shaped valve metal base whose surface is not roughened and a region near one end of the conductive metal base are joined so that metal is electrically connected. Forming a joint, and forming a joined body of the foil-shaped valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base, and the foil-shaped valve metal base excluding a portion adjacent to the joint. Performing a surface roughening treatment on the surface of the foil-shaped valve metal base, a part of the part that has not been subjected to the surface roughening treatment, and a part that has been subjected to the surface roughening treatment, A valve metal substrate is immersed in a chemical conversion solution, and a voltage is applied to the joined body. Applying an anodizing treatment to form an insulating oxide film on at least an edge portion of the valve metal base; and forming a solid high-level material on the entire surface of the anodized foil-shaped valve metal base. Forming a molecular electrolyte layer, applying a conductive paste on the solid polymer electrolyte layer, and drying to form a conductive layer;
A method for producing a solid electrolytic capacitor built-in substrate, comprising: a step of producing two solid electrolytic capacitors; and a step of attaching the at least one solid electrolytic capacitor to one surface of an insulating substrate. .
【0086】本発明の好ましい実施態様においては、さ
らに、前記絶縁基板の他方の面に、少なくとも1つの配
線パターンを形成して、固体電解コンデンサ内蔵基板が
製造される。In a preferred embodiment of the present invention, at least one wiring pattern is formed on the other surface of the insulating substrate to manufacture a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0087】本発明の好ましい実施態様においては、さ
らに、前記絶縁基板の他方の面に、少なくとも1つの電
子部品を搭載して、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造
される。In a preferred embodiment of the present invention, at least one electronic component is mounted on the other surface of the insulating substrate to manufacture a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0088】本発明の好ましい実施態様においては、第
一の絶縁基板に加えて、さらに、第二の絶縁基板が用い
られ、前記第二の絶縁基板の一方の面が、前記固体電解
コンデンサに対向するように、前記固体電解コンデンサ
を、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁基板の間
に固定して、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造され
る。In a preferred embodiment of the present invention, a second insulating substrate is used in addition to the first insulating substrate, and one surface of the second insulating substrate faces the solid electrolytic capacitor. As a result, the solid electrolytic capacitor is fixed between the first insulating substrate and the second insulating substrate to manufacture a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0089】本発明の好ましい実施態様においては、さ
らに、前記第二の絶縁基板の他方の面に、少なくとも1
つの配線パターンを形成して、固体電解コンデンサ内蔵
基板が製造される。[0089] In a preferred embodiment of the present invention, at least one surface of the second insulating substrate is provided on the other surface.
By forming one wiring pattern, a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor is manufactured.
【0090】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の少なくとも一方の前記陽極電極に対応する位置
に、スルーホールを形成することによって、固体電解コ
ンデンサ内蔵基板が製造される。In a further preferred aspect of the present invention, a through hole is formed in at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate at a position corresponding to the anode electrode. A substrate with a built-in electrolytic capacitor is manufactured.
【0091】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の少なくとも一方の前記固体電解コンデンサの陰極
電極に対応する位置に、スルーホールを形成することに
よって、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造される。In a further preferred aspect of the present invention, a through hole is formed at a position corresponding to a cathode electrode of the solid electrolytic capacitor of at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate. As a result, a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor is manufactured.
【0092】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、さらに、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁
基板の他方の面の少なくとも一方に、少なくとも1つの
電子部品を搭載して、固体電解コンデンサ内蔵基板が製
造される。[0092] In a further preferred aspect of the present invention, at least one electronic component is mounted on at least one of the other surfaces of the first insulating substrate and the second insulating substrate, and a solid electrolytic capacitor is provided. A built-in substrate is manufactured.
【0093】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板、前記第二の絶縁基板および前
記固体電解コンデンサを、樹脂によって一体化すること
によって、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造される。In a further preferred embodiment of the present invention, a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor is manufactured by integrating the first insulating substrate, the second insulating substrate, and the solid electrolytic capacitor with a resin. .
【0094】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁基板の少
なくとも一方に形成された前記スルーホールを介して、
前記固体電解コンデンサの陽極電極に、前記少なくとも
1つの配線パターンを電気的に接続するすることによっ
て、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造される。[0094] In a further preferred aspect of the present invention, through the through holes formed in at least one of the first insulating substrate and the second insulating substrate,
By electrically connecting the at least one wiring pattern to the anode electrode of the solid electrolytic capacitor, a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor is manufactured.
【0095】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スルーホールに導電性樹脂を充填し、前記導電
性樹脂によって、前記固体電解コンデンサの前記陰極電
極と前記少なくとも1つの配線パターンを電気的に接続
することによって、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造
される。In a further preferred aspect of the present invention, the through hole is filled with a conductive resin, and the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor and the at least one wiring pattern are electrically connected by the conductive resin. By doing so, a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor is manufactured.
【0096】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第一の絶縁基板および前記第二の絶縁基板の一
方に形成された前記スルーホールを介して、前記固体電
解コンデンサの陽極電極に、前記第一の絶縁基板および
前記第二の絶縁基板の一方に搭載された前記電子部品を
接続して、固体電解コンデンサ内蔵基板が製造される。[0096] In a further preferred aspect of the present invention, the anode is connected to the anode electrode of the solid electrolytic capacitor via the through hole formed in one of the first insulating substrate and the second insulating substrate. The electronic component mounted on one of the one insulating substrate and the second insulating substrate is connected to manufacture a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0097】本発明において、弁金属基体は、絶縁酸化
皮膜形成能を有する金属およびその合金よりなる群から
選ばれる金属または合金によって形成される。好ましい
弁金属としては、アルミニウム、タンタル、チタン、ニ
オブおよびジルコニウムよりなる群から選ばれる1種の
金属または2種以上の金属の合金が挙げられ、これらの
中でも、アルミニウムおよびタンタルが、とくに好まし
い。陽極電極は、これらの金属あるいは合金を、箔状に
加工して、形成される。In the present invention, the valve metal substrate is formed of a metal or alloy selected from the group consisting of a metal having an ability to form an insulating oxide film and an alloy thereof. Preferred valve metals include one metal selected from the group consisting of aluminum, tantalum, titanium, niobium, and zirconium, or alloys of two or more metals. Of these, aluminum and tantalum are particularly preferred. The anode electrode is formed by processing these metals or alloys into a foil shape.
【0098】本発明において、導電性金属の材料は、導
電性を有する金属または合金であればよく、とくに限定
されるものではないが、好ましくは、ハンダ接続が可能
であり、とくに、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛およびクロ
ムよりなる群から選ばれる1種の金属または2種以上の
金属の合金から選択されることが好ましく、これらの中
では、電気的特性、後工程での加工性、コストなどの観
点から、銅が最も好ましく使用される。In the present invention, the material of the conductive metal is not particularly limited as long as it is a metal or an alloy having conductivity, but preferably, solder connection is possible, and particularly, copper, brass, or the like can be used. , Nickel, zinc and chromium, it is preferable to select from one kind of metal or an alloy of two or more kinds of metals. Among these, electrical properties, workability in later steps, cost, etc. In light of the above, copper is most preferably used.
【0099】本発明において、固体高分子電解質層は、
導電性高分子化合物を含有し、好ましくは、化学酸化重
合あるいは電解酸化重合によって、表面が粗面化され、
絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、形
成される。In the present invention, the solid polymer electrolyte layer comprises
Contains a conductive polymer compound, preferably, the surface is roughened by chemical oxidation polymerization or electrolytic oxidation polymerization,
It is formed on a foil-shaped valve metal substrate on which an insulating oxide film is formed.
【0100】化学酸化重合によって、固体高分子電解質
層を形成する場合、具体的には、固体高分子電解質層
は、たとえば、以下のようにして、表面が粗面化され、
絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、形
成される。When the solid polymer electrolyte layer is formed by chemical oxidation polymerization, specifically, the surface of the solid polymer electrolyte layer is roughened, for example, as follows.
It is formed on a foil-shaped valve metal substrate on which an insulating oxide film is formed.
【0101】まず、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜
が形成された箔状の弁金属基体上のみに、0.001な
いし2.0モル/リットルの酸化剤を含む溶液、あるい
は、さらに、ドーパント種を与える化合物を添加した溶
液を、塗布、噴霧などの方法によって、均一に付着させ
る。First, a solution containing 0.001 to 2.0 mol / l of an oxidizing agent, or a solution containing only 0.001 to 2.0 mol / l on only a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon. A solution to which a compound giving a dopant species is added is uniformly deposited by a method such as coating or spraying.
【0102】次いで、好ましくは、少なくとも0.01
モル/リットルの導電性高分子化合物の原料モノマーを
含む溶液あるいは導電性高分子化合物の原料モノマー自
体を、箔状の弁金属基体の表面に形成された絶縁性酸化
皮膜に、直接接触させる。これによって、原料モノマー
が重合し、導電性高分子化合物が合成され、箔状の弁金
属基体の表面に形成された絶縁性酸化皮膜上に、導電性
高分子化合物よりなる固体高分子電解質層が形成され
る。Then, preferably, at least 0.01
A solution containing mol / liter of the raw material monomer of the conductive polymer compound or the raw material monomer of the conductive polymer compound itself is brought into direct contact with the insulating oxide film formed on the surface of the foil-shaped valve metal base. As a result, the raw material monomer is polymerized, the conductive polymer compound is synthesized, and the solid polymer electrolyte layer made of the conductive polymer compound is formed on the insulating oxide film formed on the surface of the foil-shaped valve metal base. It is formed.
【0103】本発明において、固体高分子電解質層に含
まれる導電性高分子化合物としては、置換または非置換
のπ共役系複素環式化合物、共役系芳香族化合物および
ヘテロ原子含有共役系芳香族化合物よりなる群から選ば
れる化合物を、原料モノマーとするものが好ましく、こ
れらのうちでは、置換または非置換のπ共役系複素環式
化合物を、原料モノマーとする導電性高分子化合物が好
ましく、さらに、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチ
オフェン、ポリフランおよびこれらの誘導体よりなる群
から選ばれる導電性高分子化合物、とくに、ポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェンが
好ましく使用される。In the present invention, the conductive polymer compound contained in the solid polymer electrolyte layer includes a substituted or unsubstituted π-conjugated heterocyclic compound, a conjugated aromatic compound, and a heteroatom-containing conjugated aromatic compound. Preferably, a compound selected from the group consisting of a starting monomer is used.Among these, a conductive polymer compound using a substituted or unsubstituted π-conjugated heterocyclic compound as a starting monomer is preferable. Conductive polymer compounds selected from the group consisting of polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyfuran, and derivatives thereof, particularly polyaniline, polypyrrole, and polyethylenedioxythiophene are preferably used.
【0104】本発明において、固体高分子電解質層に好
ましく使用される導電性高分子化合物の原料モノマーの
具体例としては、未置換アニリン、アルキルアニリン
類、アルコキシアニリン類、ハロアニリン類、o−フェ
ニレンジアミン類、2,6−ジアルキルアニリン類、
2,5−ジアルコキシアニリン類、4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ピロール、3−メチルピロール、
3−エチルピロール、3−プロピルピロール、チオフェ
ン、3−メチルチオフェン、3−エチルチオフェン、
3,4−エチレンジオキシチオフェンなどを挙げること
ができる。In the present invention, specific examples of the raw material monomer of the conductive polymer compound preferably used for the solid polymer electrolyte layer include unsubstituted aniline, alkylaniline, alkoxyaniline, haloaniline, o-phenylenediamine , 2,6-dialkylanilines,
2,5-dialkoxyanilines, 4,4′-diaminodiphenyl ether, pyrrole, 3-methylpyrrole,
3-ethylpyrrole, 3-propylpyrrole, thiophene, 3-methylthiophene, 3-ethylthiophene,
3,4-ethylenedioxythiophene and the like can be mentioned.
【0105】本発明において、化学酸化重合に使用され
る酸化剤は、とくに限定されるものではないが、たとえ
ば、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素などのハロゲン化物、五
フッ化珪素、五フッ化アンチモン、四フッ化珪素、五塩
化リン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブ
デンなどの金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫
酸、トリフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロト
ン酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの酸素化合物、過
硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム
などの過硫酸塩、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、
過酢酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなどの過
酸化物が、酸化剤として使用される。In the present invention, the oxidizing agent used in the chemical oxidative polymerization is not particularly limited, but examples thereof include halides such as iodine, bromine and bromine iodide, silicon pentafluoride, and antimony pentafluoride. Metal halides such as silicon tetrafluoride, phosphorus pentachloride, phosphorus pentafluoride, aluminum chloride, molybdenum chloride, protic acids such as sulfuric acid, nitric acid, fluorosulfuric acid, trifluoromethanesulfuric acid, chlorosulfuric acid, sulfur trioxide, nitrogen dioxide Oxygen compounds such as sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate and other persulfates, hydrogen peroxide, potassium permanganate,
Peroxides such as peracetic acid and difluorosulfonyl peroxide are used as oxidizing agents.
【0106】本発明において、必要に応じて、酸化剤に
添加されるドーパント種を与える化合物としては、たと
えば、LiPF6、LiAsF6、NaPF6、KPF
6、KAsF6などの陰イオンがヘキサフロロリンアニ
オン、ヘキサフロロ砒素アニオンであり、陽イオンがリ
チウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属カチ
オンである塩、LiBF4、NaBF4、NH4B
F4、(CH3)4NBF 4、(n−C4H9)4NB
F4などの四フッ過ホウ素塩化合物、p−トルエンスル
ホン酸、p−エチルベンゼンスルホン酸、P−ヒドロキ
シベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、
メチルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、βーナフタレンスルホン酸などのスルホン酸ま
たはその誘導体、ブチルナフタレンスルホン酸ナトリウ
ム、2,6−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、トル
エンスルホン酸ナトリウム、トルエンスルホン酸テトラ
ブチルアンモニウムなどのスルホン酸またはその誘導体
の塩、塩化第二鉄、臭化第二鉄、塩化第二銅、集荷第二
銅などの金属ハロゲン化物、塩酸、臭化水素、ヨウ化水
素、硫酸、リン酸、硝酸あるいはこれらのアルカリ金属
塩、アルカリ土類金属塩もしくはアンモニウム塩、過塩
素酸、過塩素酸ナトリウムなどの過ハロゲン酸もしくは
その塩などのハロゲン化水素酸、無機酸またはその塩、
酢酸、シュウ酸、蟻酸、酪酸、コハク酸、乳酸、クエン
酸、フタル酸、マレイン酸、安息香酸、サリチル酸、ニ
コチン酸などのモノもしくはジカルボン酸、芳香族複素
環式カルボン酸、トリフルオロ酢酸などのハロゲン化さ
れたカルボン酸およびこれらの塩などのカルボン酸類を
挙げることができる。In the present invention, if necessary, an oxidizing agent
Compounds that provide the added dopant species include, for example,
For example, LiPF6, LiAsF6, NaPF6, KPF
6, KAsF6Anions such as hexafluorolineani
On, hexafluoroarsenic anion, where the cation is
Alkali metal clicks such as titanium, sodium and potassium
Salt that is on, LiBF4, NaBF4, NH4B
F4, (CH3)4NBF 4, (N-C4H9)4NB
F4Tetrafluoroboron salt compounds such as p-toluenesulfur
Honic acid, p-ethylbenzenesulfonic acid, P-hydroxy
Sibenzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid,
Methylsulfonic acid, dodecylsulfonic acid, benzenesulfur
Sulfonic acids such as sulfonic acid and β-naphthalenesulfonic acid
Or its derivatives, sodium butylnaphthalenesulfonate
, Sodium 2,6-naphthalenedisulfonic acid, tol
Sodium ene sulfonate, tetra toluene sulfonate
Sulfonic acid such as butyl ammonium or its derivative
Salt, ferric chloride, ferric bromide, cupric chloride, pickup
Metal halides such as copper, hydrochloric acid, hydrogen bromide, iodide water
Sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid or their alkali metals
Salt, alkaline earth metal salt or ammonium salt, persalt
Perhalic acid such as elemental acid, sodium perchlorate or
Hydrohalic acids such as salts thereof, inorganic acids or salts thereof,
Acetic, oxalic, formic, butyric, succinic, lactic, citric
Acid, phthalic acid, maleic acid, benzoic acid, salicylic acid,
Mono or dicarboxylic acids such as cotinic acid, aromatic hetero
Halogenated cyclic carboxylic acid, trifluoroacetic acid, etc.
Carboxylic acids such as carboxylic acids and their salts
Can be mentioned.
【0107】本発明において、これらの酸化剤およびド
ーパント種を与えることのできる化合物は、水や有機溶
媒などに溶解させた適当な溶液の形で使用される。溶媒
は、単独で使用しても、2種以上を混合して、使用して
もよい。混合溶媒は、ドーパント種を与える化合物の溶
解度を高める上でも有効である。混合溶媒としては、溶
媒間に相溶性を有するものおよび酸化剤およびドーパン
ト種を与えることのできる化合物と相溶性を有するもの
が好ましい。溶媒の具体例としては、有機アミド類、含
硫化合物、エステル類、アルコール類が挙げられる。In the present invention, the compound capable of providing these oxidizing agents and dopant species is used in the form of a suitable solution dissolved in water, an organic solvent or the like. The solvents may be used alone or as a mixture of two or more. The mixed solvent is also effective in increasing the solubility of the compound giving the dopant species. As the mixed solvent, those having compatibility between the solvents and those having compatibility with the compound capable of providing the oxidizing agent and the dopant species are preferable. Specific examples of the solvent include organic amides, sulfur-containing compounds, esters, and alcohols.
【0108】一方、電解酸化重合によって、固体高分子
電解質層を、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成
された箔状の弁金属基体上に形成する場合には、公知の
ように、導電性下地層を作用極として、対向電極ととも
に、導電性高分子化合物の原料モノマーと支持電解質を
含んだ電解液中に浸漬し、電流を供給することによっ
て、固体高分子電解質層が形成される。On the other hand, when the solid polymer electrolyte layer is formed on a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon by electrolytic oxidation polymerization, a known method is used. The solid polymer electrolyte layer is formed by immersing the conductive underlayer in the electrolyte containing the raw material monomer of the conductive polymer compound and the supporting electrolyte together with the counter electrode, using the conductive underlayer as the working electrode, and supplying an electric current. You.
【0109】具体的には、表面が粗面化され、絶縁性酸
化皮膜が形成された箔状の弁金属基体上に、好ましく
は、化学酸化重合によって、まず、薄層の導電性下地層
が形成される。導電性下地層の厚さは、一定の重合条件
のもとで、重合回数を制御することによって、制御され
る。重合回数は、原料モノマーの種類によって決定され
る。Specifically, first, a thin conductive underlayer is formed on a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, preferably by chemical oxidation polymerization. It is formed. The thickness of the conductive underlayer is controlled by controlling the number of polymerizations under certain polymerization conditions. The number of polymerizations is determined by the type of the raw material monomer.
【0110】導電性下地層は、金属、導電性を有する金
属酸化物、導電性高分子化合物のいずれから構成しても
よいが、導電性高分子化合物から構成することが好まし
い。導電性下地層を構成するための原料モノマーとして
は、化学酸化重合に用いられる原料モノマーを用いるこ
とができ、導電性下地層に含まれる導電性高分子化合物
は、化学酸化重合によって形成される固体高分子電解質
層に含まれる導電性高分子化合物と同様である。The conductive underlayer may be made of any one of a metal, a metal oxide having conductivity, and a conductive polymer compound, but is preferably made of a conductive polymer compound. As a raw material monomer for forming the conductive underlayer, a raw material monomer used for chemical oxidative polymerization can be used, and the conductive polymer compound contained in the conductive underlayer is a solid polymer formed by chemical oxidative polymerization. This is the same as the conductive polymer compound contained in the polymer electrolyte layer.
【0111】導電性下地層を構成するための原料モノマ
ーとして、エチレンジオキシチオフェン、ピロールを用
いる場合は、化学酸化重合のみで高分子固体電解質層を
形成する場合に生成される導電性高分子の全量の10%
〜30%(重量比)程度の導電性高分子が生成する条件
になるように重合回数を換算して、導電性下地層が形成
すればよい。When ethylene dioxythiophene or pyrrole is used as a raw material monomer for forming the conductive underlayer, the conductive polymer produced when the polymer solid electrolyte layer is formed only by chemical oxidation polymerization is used. 10% of the total amount
The conductive underlayer may be formed by converting the number of polymerizations so that the conductive polymer is formed under a condition of about 30% (weight ratio).
【0112】その後、導電性下地層を作用極として、対
向電極とともに、導電性高分子化合物の原料モノマーと
支持電解質を含んだ電解液中に浸漬し、電流を供給する
ことによって、導電性下地層上に、固体高分子電解質層
が形成される。Thereafter, the conductive underlayer is immersed in an electrolytic solution containing a raw material monomer of the conductive polymer compound and a supporting electrolyte together with the counter electrode, using the conductive underlayer as a working electrode, and a current is supplied to the conductive underlayer. A solid polymer electrolyte layer is formed thereon.
【0113】電解液には、必要に応じて、導電性高分子
化合物の原料モノマーおよび支持電解質に加えて、種々
の添加剤を添加することができる。Various additives can be added to the electrolytic solution, if necessary, in addition to the raw material monomer of the conductive polymer compound and the supporting electrolyte.
【0114】固体高分子電解質層に使用することのでき
る導電性高分子化合物は、導電性下地層に使用される導
電性高分子化合物、したがって、化学酸化重合に用いら
れる導電性高分子化合物と同様であり、置換または非置
換のπ共役系複素環式化合物、共役系芳香族化合物およ
びヘテロ原子含有共役系芳香族化合物よりなる群から選
ばれる化合物を、原料モノマーとする導電性高分子化合
物が好ましく、これらのうちでは、置換または非置換の
π共役系複素環式化合物を、原料モノマーとする導電性
高分子化合物が好ましく、さらに、ポリアニリン、ポリ
ピロール、ポリチオフェン、ポリフランおよびこれらの
誘導体よりなる群から選ばれる導電性高分子化合物、と
くに、ポリアニリン、ポリピロール、ポリエチレンジオ
キシチオフェンが好ましく使用される。The conductive polymer compound that can be used for the solid polymer electrolyte layer is the same as the conductive polymer compound used for the conductive underlayer and, therefore, the conductive polymer compound used for chemical oxidation polymerization. And a conductive polymer compound using a compound selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted π-conjugated heterocyclic compound, a conjugated aromatic compound and a heteroatom-containing conjugated aromatic compound as a raw material monomer is preferable. Of these, a conductive polymer compound using a substituted or unsubstituted π-conjugated heterocyclic compound as a starting monomer is preferable, and further selected from the group consisting of polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polyfuran, and derivatives thereof. Conductive polymer compounds, in particular, polyaniline, polypyrrole, and polyethylenedioxythiophene are preferred. Used well.
【0115】支持電解質は、組み合わせるモノマーおよ
び溶媒に応じて、選択されるが、支持電解質の具体例と
しては、たとえば、塩基性の化合物としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸
ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどが、酸性の化合物
としては、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素、過塩素酸、ト
リフルオロ酢酸、スルホン酸などが、塩としては、塩化
ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化カリウム、塩化カ
リウム、硝酸カリウム、過ヨウ酸ナトリウム、過塩素酸
ナトリウム、過塩素酸リチウム、ヨウ化アンモニウム、
塩化アンモニウム、四フッ化ホウ素塩化合物、テトラメ
チルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウ
ムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、
テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルア
ンモニウムパークロライド、テトラブチルアンモニウム
パークロライド、テトラメチルアンモニウム、D−トル
エンスルホン酸クロライド、ポリジサリチル酸トリエチ
ルアミン、10−カンファースルホン酸ナトリウムなど
が、それぞれ、挙げられる。The supporting electrolyte is selected according to the monomer and the solvent to be combined. Specific examples of the supporting electrolyte include, for example, basic compounds such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonium hydroxide, and carbonate. Sodium, sodium hydrogen carbonate, etc., as acidic compounds, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, hydrogen bromide, perchloric acid, trifluoroacetic acid, sulfonic acid, etc., and as salts, sodium chloride, sodium bromide, iodide Potassium, potassium chloride, potassium nitrate, sodium periodate, sodium perchlorate, lithium perchlorate, ammonium iodide,
Ammonium chloride, boron tetrafluoride compound, tetramethylammonium chloride, tetraethylammonium chloride, tetramethylammonium bromide,
Examples thereof include tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium perchloride, tetrabutylammonium perchloride, tetramethylammonium, D-toluenesulfonic acid chloride, triethylamine polydisalicylate, and 10-sodium camphorsulfonate.
【0116】本発明において、支持電解質の溶解濃度
は、所望の電流密度が得られるように設定すればよく、
とくに限定されないが、一般的には、0.05ないし
1.0モル/リットルの範囲内に設定される。In the present invention, the dissolution concentration of the supporting electrolyte may be set so as to obtain a desired current density.
Although not particularly limited, it is generally set in the range of 0.05 to 1.0 mol / liter.
【0117】本発明において、電解酸化重合で用いられ
る溶媒は、とくに限定されるものではなく、たとえば、
水、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒またはこれらの
溶媒を2種以上を混合した混合溶媒から、適宜選択する
ことができる。混合溶媒としては、溶媒間に相溶性を有
するものならびにモノマーおよび支持電解質と相溶性を
有するものが好ましく使用できる。In the present invention, the solvent used in the electrolytic oxidation polymerization is not particularly limited.
Water, a protic solvent, an aprotic solvent, or a mixed solvent obtained by mixing two or more of these solvents can be appropriately selected. As the mixed solvent, those having compatibility between the solvents and those having compatibility with the monomer and the supporting electrolyte can be preferably used.
【0118】本発明において使用されるプロトン性溶媒
の具体例としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、メタノ
ール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノー
ル、tert−ブチルアルコール、メチルセロソルブ、
ジエチルアミン、エチレンジアミンなどを挙げることが
できる。Specific examples of the protic solvent used in the present invention include formic acid, acetic acid, propionic acid, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, tert-butyl alcohol, methyl cellosolve, and the like.
Examples thereof include diethylamine and ethylenediamine.
【0119】また、非プロトン性溶媒の具体例として
は、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、二硫化炭
素、アセトニトリル、アセトン、プロピレンカーボネー
ト、ニトロメタン、ニトロベンゼン、酢酸エチル、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタ
ン、ジオキサン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,
N−ジメチルホルムアミド、ピリジン、ジメチルスルホ
キシドなどが挙げられる。Specific examples of the aprotic solvent include methylene chloride, 1,2-dichloroethane, carbon disulfide, acetonitrile, acetone, propylene carbonate, nitromethane, nitrobenzene, ethyl acetate, diethyl ether, tetrahydrofuran, dimethoxyethane, and the like. Dioxane, N, N-dimethylacetamide, N,
N-dimethylformamide, pyridine, dimethylsulfoxide and the like can be mentioned.
【0120】本発明において、電解酸化重合によって、
固体高分子電解質層を形成する場合には、定電圧法、定
電流法、電位掃引法のいずれを用いてもよい。また、電
解酸化重合の過程で、定電圧法と定電流法を組み合わせ
て、導電性高分子化合物を重合することもできる。電流
密度は、とくに限定されないが、最大で、500mA/
cm2程度である。In the present invention, by electrolytic oxidation polymerization,
When the solid polymer electrolyte layer is formed, any of the constant voltage method, the constant current method, and the potential sweep method may be used. In the process of electrolytic oxidation polymerization, the conductive polymer compound can be polymerized by a combination of the constant voltage method and the constant current method. The current density is not particularly limited, but may be up to 500 mA /
cm 2 .
【0121】本発明において、化学酸化重合時あるいは
電解酸化重合時に、特開2000−100665号公報
に開示されるように、超音波を照射しつつ、導電性高分
子化合物を重合することもできる。超音波を照射しつ
つ、導電性高分子化合物を重合する場合には、得られる
固体高分子電解質層の膜質を改善することが可能にな
る。In the present invention, at the time of chemical oxidation polymerization or electrolytic oxidation polymerization, as disclosed in JP-A-2000-100665, it is also possible to polymerize a conductive polymer compound while irradiating ultrasonic waves. In the case where the conductive polymer compound is polymerized while being irradiated with ultrasonic waves, it is possible to improve the film quality of the obtained solid polymer electrolyte layer.
【0122】本発明において、固体高分子電解質層の最
大厚さは、エッチングなどによって形成された陽極電極
表面の凹凸を完全に埋めることができるような厚さであ
ればよく、とくに限定されないが、一般に、5ないし1
00μm程度である。In the present invention, the maximum thickness of the solid polymer electrolyte layer is not particularly limited, as long as it can completely fill the irregularities on the anode electrode surface formed by etching or the like. Generally, 5 to 1
It is about 00 μm.
【0123】本発明において、固体電解コンデンサは、
さらに、固体高分子電解質層上に、陰極として機能する
導電体層を備えており、導電体層としては、グラファイ
トペースト層および銀ペースト層を設けることができ、
グラファイトペースト層および銀ペースト層は、スクリ
ーン印刷法、スプレー塗布法などによって形成すること
ができる。 銀ペースト層のみによって、固体電解コン
デンサの陰極を形成することもできるが、グラファイト
ペースト層を形成する場合には、銀ペースト層のみによ
って、固体電解コンデンサの陰極を形成する場合に比し
て、銀のマイグレーションを防止することができる。In the present invention, the solid electrolytic capacitor is
Further, on the solid polymer electrolyte layer, a conductor layer functioning as a cathode is provided, and as the conductor layer, a graphite paste layer and a silver paste layer can be provided,
The graphite paste layer and the silver paste layer can be formed by a screen printing method, a spray coating method, or the like. Although the cathode of the solid electrolytic capacitor can be formed only by the silver paste layer, when the graphite paste layer is formed, compared with the case where the cathode of the solid electrolytic capacitor is formed only by the silver paste layer, the silver paste layer is formed. Migration can be prevented.
【0124】陰極として、グラファイトペースト層およ
び銀ペースト層を形成するにあたっては、メタルマスク
などによって、粗面化処理が施され、絶縁酸化皮膜が形
成された箔状の弁金属基体に対応する部分を除いた部分
がマスクされ、粗面化処理が施され、絶縁酸化皮膜が形
成された箔状の弁金属基体に対応する部分にのみ、グラ
ファイトペースト層および銀ペースト層が形成される。In forming a graphite paste layer and a silver paste layer as a cathode, a portion corresponding to a foil-shaped valve metal substrate on which a roughening treatment is performed using a metal mask and an insulating oxide film is formed is used. The graphite paste layer and the silver paste layer are formed only on the portion corresponding to the foil-shaped valve metal substrate on which the removed portion is masked and subjected to a surface roughening treatment and on which an insulating oxide film is formed.
【0125】本発明において、固体電解コンデンサは、
一方の面に、少なくとも1つの配線パターンが形成され
た1つの絶縁基板の他方の面側に固定され、あるいは、
それぞれ、一方の面に、少なくとも1つの配線パターン
が形成された互いに対向する一対の絶縁基板の他方の面
の間に固定される。In the present invention, the solid electrolytic capacitor is
One surface is fixed to the other surface side of one insulating substrate having at least one wiring pattern formed thereon, or
Each is fixed between the other surfaces of a pair of opposing insulating substrates having at least one wiring pattern formed on one surface.
【0126】本発明において、絶縁基板の材料は、とく
に限定されないが、樹脂として、接着性や耐溶剤性など
が良好なフェノール樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリエステル樹脂などによって形成することがで
き、さらに、有機材料系に限らず、無機材料によって、
絶縁基板を形成してもよく、アルミナ基板などの金属酸
化物系の基板も、本発明の絶縁基板として、使用するこ
とができる。In the present invention, the material of the insulating substrate is not particularly limited, but it can be formed of a resin such as a phenol resin, a polyimide resin, an epoxy resin, or a polyester resin having good adhesiveness and solvent resistance. Furthermore, not only organic materials, but also inorganic materials
An insulating substrate may be formed, and a metal oxide-based substrate such as an alumina substrate can also be used as the insulating substrate of the present invention.
【0127】[0127]
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0128】図1は、本発明の好ましい実施態様にかか
る固体電解コンデンサの陽極電極の略平面図であり、図
2は、A−A線に沿った略断面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of an anode electrode of a solid electrolytic capacitor according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line AA.
【0129】本実施態様においては、絶縁酸化皮膜形成
能を有する弁金属として、アルミニウムが用いられ、図
1および図2に示されるように、本実施態様にかかる固
体電解コンデンサの陽極電極1は、表面が粗面化(拡面
化)され、表面に、絶縁酸化皮膜である酸化アルミニウ
ム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体2と、リー
ド電極を構成する金属導体として、箔状の銅基体3を備
えている。In this embodiment, aluminum is used as the valve metal having the ability to form an insulating oxide film. As shown in FIGS. 1 and 2, the anode electrode 1 of the solid electrolytic capacitor according to this embodiment is A foil-like aluminum substrate 2 having a roughened surface (enlarged surface) and an aluminum oxide film as an insulating oxide film formed on the surface, and a foil-like copper substrate 3 as a metal conductor constituting a lead electrode It has.
【0130】図1および図2に示されるように、本実施
態様にかかる陽極電極においては、表面が粗面化され、
表面に、酸化アルミニウム皮膜が形成された箔状のアル
ミニウム基体2の一端部領域に、箔状の銅基体3の一端
部領域が、超音波溶接によって、金属間が電気的に接続
されるように、接合され、溶接接合部4が形成されてい
る。As shown in FIGS. 1 and 2, the anode electrode according to this embodiment has a roughened surface,
One end region of the foil-shaped copper substrate 3 is connected to one end region of the foil-shaped aluminum substrate 2 having an aluminum oxide film formed on the surface by ultrasonic welding so that the metal is electrically connected. , And a welded joint 4 is formed.
【0131】図1および図2に示されるように、溶接接
合部4に隣接する箔状のアルミニウム基体2の粗面化さ
れた表面領域が、全周にわたって、平滑化され、実質的
に平滑な表面を有する平滑化領域5が形成されている。
本実施態様においては、ハンドプレスによって、箔状の
アルミニウム基体2の粗面化された表面が加圧されて、
平滑化され、平滑化領域5が形成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the roughened surface area of the foil-like aluminum substrate 2 adjacent to the weld joint 4 is smoothed over the entire circumference, and is substantially smooth. A smoothing region 5 having a surface is formed.
In this embodiment, the roughened surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 is pressed by a hand press,
The smoothed area 5 is formed.
【0132】平滑化領域5は、箔状のアルミニウム基体
2と、箔状の銅基体3とを接合する前に形成されても、
アルミニウム基体2と箔状の銅基体3とを接合した後
に、形成されてもよい。Even if the smoothing region 5 is formed before joining the foil-shaped aluminum substrate 2 and the foil-shaped copper substrate 3,
It may be formed after the aluminum substrate 2 and the foil-shaped copper substrate 3 are joined.
【0133】陽極電極の形成にあたっては、まず、表面
が粗面化され、表面に酸化アルミニウム皮膜が形成され
ている所定寸法の箔状のアルミニウム基体2が、アルミ
ニウム箔シートから切り出され、箔状の銅基体3と、そ
れぞれ、所定面積の端部領域が互いに重なり合うよう
に、重ね合わされる。In forming the anode electrode, first, a foil-shaped aluminum substrate 2 of a predetermined size having a roughened surface and an aluminum oxide film formed on the surface is cut out of an aluminum foil sheet, and the foil-shaped aluminum substrate is cut. The copper base 3 and the copper base 3 are overlapped so that the end regions having a predetermined area overlap each other.
【0134】次いで、互いに重ね合わされている箔状の
銅基体3の端部領域と、箔状のアルミニウム基体2の端
部領域とが、超音波溶接によって、接合されて、溶接接
合部4が形成される。超音波溶接によって、箔状の銅基
体3と箔状のアルミニウム基体2を接合することによっ
て、酸化アルミニウム皮膜が除去され、金属間が電気的
に接続されるように、箔状の銅基体3の端部領域と、箔
状のアルミニウム基体2の端部領域とが接合される。こ
こに、互いに重なり合う箔状の銅基体3の端部領域およ
び箔状のアルミニウム基体2の端部領域の面積は、接合
部が、所定の強度を有するように決定される。Next, the edge region of the foil-shaped copper substrate 3 and the edge region of the foil-shaped aluminum substrate 2 which are overlapped with each other are joined by ultrasonic welding to form a welded joint 4. Is done. By joining the foil-like copper base 3 and the foil-like aluminum base 2 by ultrasonic welding, the aluminum oxide film is removed and the foil-like copper base 3 is electrically connected between the metals. The end region and the end region of the foil-shaped aluminum substrate 2 are joined. Here, the areas of the end regions of the foil-shaped copper base 3 and the end regions of the foil-shaped aluminum base 2 overlapping each other are determined so that the joint has a predetermined strength.
【0135】こうして、形成された陽極電極1は、誘電
体を構成する箔状のアルミニウム基体2が、アルミニウ
ム箔シートから切り出されたものであるため、そのエッ
ジ部には、酸化アルミニウム皮膜が形成されてはおら
ず、固体電解コンデンサの陽極電極として用いるために
は、表面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体2
のエッジ部に、陽極酸化によって、酸化アルミニウム皮
膜を形成することが必要である。In the anode electrode 1 thus formed, since the foil-like aluminum base 2 constituting the dielectric is cut out from the aluminum foil sheet, an aluminum oxide film is formed on the edge thereof. In order to use it as an anode electrode of a solid electrolytic capacitor, a foil-shaped aluminum substrate 2 having a roughened surface is required.
It is necessary to form an aluminum oxide film by anodization on the edge portion of.
【0136】図3は、箔状のアルミニウム基体2のエッ
ジ部に、酸化アルミニウム皮膜を形成する陽極酸化方法
を示す略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an anodic oxidation method for forming an aluminum oxide film on the edge of a foil-shaped aluminum substrate 2.
【0137】図3に示されるように、ステンレスビーカ
ー7中に収容されたアジピン酸アンモニウム水溶液より
なる化成溶液8中に、箔状のアルミニウム基体2の平滑
化領域5を除く部分のみが浸漬されるように、陽極電極
1がセットされ、箔状の銅基体4を陽極とし、ステンレ
スビーカー7を陰極として、電圧が印加される。As shown in FIG. 3, only a portion of the foil-shaped aluminum substrate 2 excluding the smoothing region 5 is immersed in a chemical conversion solution 8 composed of an aqueous solution of ammonium adipate accommodated in a stainless beaker 7. Thus, the anode electrode 1 is set, and a voltage is applied using the foil-shaped copper base 4 as an anode and the stainless beaker 7 as a cathode.
【0138】使用電圧は、形成すべき酸化アルミニウム
皮膜の膜厚に応じて、適宜決定することができ、10n
mないし1μmの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜を
形成するときは、通常、数ボルトないし20ボルト程度
に設定される。The operating voltage can be appropriately determined according to the thickness of the aluminum oxide film to be formed.
When an aluminum oxide film having a film thickness of m to 1 μm is formed, it is usually set to several volts to about 20 volts.
【0139】その結果、陽極酸化が開始され、化成溶液
8は、箔状のアルミニウム基体2の表面が粗面化されて
いるため、毛細管現象によって、上昇するが、溶接接合
部4近傍の箔状のアルミニウム基体2の表面は、全周に
わたって、平滑化され、平滑化領域5が形成されている
ため、表面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体
2と箔状の銅基体3との接合部を越えて、上昇すること
はなく、したがって、リード電極を構成する箔状の銅基
体3に化成溶液8が接触することが確実に防止され、エ
ッジ部を含む表面が箔状のアルミニウム基体2の全表面
のみに、酸化アルミニウム皮膜が形成される。As a result, the anodization is started, and the chemical conversion solution 8 rises due to the capillary phenomenon because the surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 is roughened. The surface of the aluminum substrate 2 is smoothed over the entire circumference and the smoothed region 5 is formed, so that the surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 and the surface of the foil-shaped copper substrate 3 are roughened. It does not rise beyond the joint, so that the chemical conversion solution 8 is reliably prevented from coming into contact with the foil-like copper substrate 3 constituting the lead electrode, and the surface including the edge portion has a foil-like aluminum substrate. An aluminum oxide film is formed only on the entire surface of No. 2.
【0140】こうして生成された陽極電極1の表面が粗
面化され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている箔状
のアルミニウム基体2の全表面上に、公知の方法で、陰
極電極が形成され、固体電解コンデンサが生成される。The surface of the anode electrode 1 thus formed is roughened, and the cathode electrode is formed by a known method on the entire surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 on which the aluminum oxide film is formed. An electrolytic capacitor is created.
【0141】図4は、固体電解コンデンサの略断面図で
ある。FIG. 4 is a schematic sectional view of a solid electrolytic capacitor.
【0142】図4に示されるように、固体電解コンデン
サ10は、陽極電極1の表面が粗面化され、酸化アルミ
ニウム皮膜が形成されている箔状のアルミニウム基体2
の全表面上に、固体高分子電解質層11、グラファイト
ペースト層12および銀ペースト層13からなる陰極電
極14を備えている。As shown in FIG. 4, the solid electrolytic capacitor 10 has a foil-shaped aluminum substrate 2 having an anode electrode 1 having a roughened surface and an aluminum oxide film formed thereon.
Is provided with a cathode electrode 14 composed of a solid polymer electrolyte layer 11, a graphite paste layer 12, and a silver paste layer 13.
【0143】導電性高分子化合物を含む固体高分子電解
質層11は、陽極電極1の表面が粗面化され、酸化アル
ミニウム皮膜が形成されている箔状のアルミニウム基体
2の全表面上に、化学酸化重合によって形成される。The solid polymer electrolyte layer 11 containing a conductive polymer compound is formed on the entire surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 on which the surface of the anode electrode 1 has been roughened and on which an aluminum oxide film has been formed. Formed by oxidative polymerization.
【0144】グラファイトペースト層12および銀ペー
スト層13は、固体高分子電解質層11上に、スクリー
ン印刷法あるいはスプレー塗布法によって形成される。The graphite paste layer 12 and the silver paste layer 13 are formed on the solid polymer electrolyte layer 11 by a screen printing method or a spray coating method.
【0145】こうして生成された固体電解コンデンサ1
0は、一対の絶縁基板の間に、固定されて、プリント基
板に内蔵され、固体電解コンデンサ内蔵プリント基板と
される。The solid electrolytic capacitor 1 thus produced
Numeral 0 is fixed between the pair of insulating substrates and built in the printed circuit board to form a solid electrolytic capacitor built-in printed circuit board.
【0146】図5は、固体電解コンデンサ内蔵プリント
基板の略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a printed circuit board with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0147】図5に示されるように、固体電解コンデン
サ内蔵プリント基板20は、互いに対向する第一の絶縁
基板21と第二の絶縁基板22を備え、第一の絶縁基板
21と第二の絶縁基板22との間に、固体電解コンデン
サ10を備えている。As shown in FIG. 5, the printed circuit board 20 with a built-in solid electrolytic capacitor includes a first insulating substrate 21 and a second insulating substrate 22 facing each other. The solid electrolytic capacitor 10 is provided between the solid electrolytic capacitor 10 and the substrate 22.
【0148】第一の絶縁基板21には、互いに対向する
2つの側部に沿って、その高さが、固体電解コンデンサ
10の厚さよりも大きいバンク23が形成されており、
固体電解コンデンサ10は、バンク23の間の第一の絶
縁基板21の一面上の所定の位置に位置決めされ、接着
剤29によって固定される。A bank 23 whose height is larger than the thickness of the solid electrolytic capacitor 10 is formed on the first insulating substrate 21 along two opposing sides.
The solid electrolytic capacitor 10 is positioned at a predetermined position on one surface of the first insulating substrate 21 between the banks 23, and is fixed by an adhesive 29.
【0149】本実施態様においては、バンク23は、第
一の絶縁基板21および第二の絶縁基板22と同じ材質
の基板を、その周縁部に、所定面積の部分が残されるよ
うに打ち抜き加工して、枠状の基板を形成し、第一の絶
縁基板21および第二の絶縁基板22と同じ材質の接着
剤を用いて、枠状の基板を第一の絶縁基板に固定するこ
とによって、形成されている。In the present embodiment, the bank 23 is formed by punching a substrate made of the same material as the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 so that a portion having a predetermined area is left around the periphery thereof. Then, a frame-shaped substrate is formed, and the frame-shaped substrate is fixed to the first insulating substrate using an adhesive of the same material as the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22. Have been.
【0150】第一の絶縁基板21の他面には、配線パタ
ーン24が形成されており、第一の絶縁基板21には、
複数のスルーホール25が形成されている。On the other surface of the first insulating substrate 21, a wiring pattern 24 is formed.
A plurality of through holes 25 are formed.
【0151】固体電解コンデンサ10が、第一の絶縁基
板21上の所定の位置に位置決めされて、接着剤29に
よって、第一の絶縁基板21上に固定されると、樹脂2
6が流し込まれ、第一の絶縁基板21に形成されたバン
ク23に当接するように、平板状の第二の絶縁基板22
が被せられる。When the solid electrolytic capacitor 10 is positioned at a predetermined position on the first insulating substrate 21 and is fixed on the first insulating substrate 21 by the adhesive 29, the resin 2
6 is poured into the second insulating substrate 22 so as to contact the bank 23 formed on the first insulating substrate 21.
Is covered.
【0152】第二の絶縁基板22の上面には、配線パタ
ーン27が形成され、第二の絶縁基板22にも、複数の
スルーホール28が形成されている。A wiring pattern 27 is formed on the upper surface of the second insulating substrate 22, and a plurality of through holes 28 are also formed in the second insulating substrate 22.
【0153】樹脂26は、第一の絶縁基板21に形成さ
れた複数のスルーホール25および第二の絶縁基板22
に形成された複数のスルーホール28を塞ぐことがない
ように、流し込まれ、その結果、固体電解コンデンサ1
0が、第一の絶縁基板21および第二の絶縁基板22と
一体化されて、固定され、第一の絶縁基板21および第
二の絶縁基板22と同じ材質の接着剤を用いて、第一の
絶縁基板21と第二の絶縁基板22とが接着されて、固
体電解コンデンサ内蔵プリント基板20が生成される。The resin 26 includes a plurality of through holes 25 formed in the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22.
Is poured so as not to block the plurality of through holes 28 formed in the solid electrolytic capacitor 1.
0 is integrated with and fixed to the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22, and the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 are bonded using the same material as the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22. The insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 are bonded to form the printed circuit board 20 with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0154】さらに、第一の絶縁基板21の下面および
第二の絶縁基板22の上面には、電子部品30が搭載さ
れ、そのコンタクトが、配線パターン24、27に電気
的に接続される。Further, electronic components 30 are mounted on the lower surface of the first insulating substrate 21 and the upper surface of the second insulating substrate 22, and the contacts are electrically connected to the wiring patterns 24 and 27.
【0155】第一の絶縁基板21および第二の絶縁基板
22は、それぞれ、固体電解コンデンサ10の陽極電極
1の箔状の銅基体4に対応する位置および陰極電極14
に対応する位置に、スルーホール25、28を備えてお
り、スルーホール25、28を介して、固体電解コンデ
ンサ10の陽極電極1および陰極電極14を目視によっ
て、確認することができるように構成されている。The first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 are located at positions corresponding to the foil-shaped copper base 4 of the anode electrode 1 of the solid electrolytic capacitor 10 and at the cathode electrode 14 respectively.
Are provided at positions corresponding to. The anode electrode 1 and the cathode electrode 14 of the solid electrolytic capacitor 10 can be visually confirmed through the through holes 25 and 28. ing.
【0156】スルーホール25、28を介して、固体電
解コンデンサ10の陽極電極1が、第一の絶縁基板21
に形成された配線パターン24あるいは第二の絶縁基板
22に形成された配線パターン27と、電気的に接続さ
れ、固体電解コンデンサ10の陰極電極14が、第一の
絶縁基板21に形成された配線パターン24あるいは第
二の絶縁基板22に形成された配線パターン27と、電
気的に接続される。The anode electrode 1 of the solid electrolytic capacitor 10 is connected to the first insulating substrate 21 through the through holes 25 and 28.
And the wiring pattern 27 formed on the second insulating substrate 22 is electrically connected to the wiring pattern formed on the first insulating substrate 21. It is electrically connected to the pattern 24 or the wiring pattern 27 formed on the second insulating substrate 22.
【0157】図5においては、第一の絶縁基板21に形
成された配線パターン24と、固体電解コンデンサ10
の陽極電極1を構成する箔状の銅基体4とが、スルーホ
ール25を介して、ハンダ31によって、電気的に接続
され、その一方で、第一の絶縁基板21に形成された配
線パターン24と、固体電解コンデンサ10の陰極電極
14が、スルーホール28に充填された導電性樹脂32
によって、電気的に接続された例が示されている。In FIG. 5, the wiring pattern 24 formed on the first insulating substrate 21 and the solid electrolytic capacitor 10
Is electrically connected to the foil-shaped copper base 4 constituting the anode electrode 1 by a solder 31 through a through-hole 25, while a wiring pattern 24 formed on the first insulating substrate 21 is formed. The cathode electrode 14 of the solid electrolytic capacitor 10 is connected to the conductive resin 32 filled in the through hole 28.
Indicates an example of electrical connection.
【0158】本実施態様によれば、陽極酸化処理の際、
箔状のアルミニウム基体2の表面が粗面化されているた
め、化成溶液8が、毛細管現象によって、上昇するが、
箔状のアルミニウム基体2の溶接接合部4に隣接する粗
面化された表面領域が、全周にわたって、平滑化され、
実質的に平滑な表面を有する平滑化領域5が形成されて
いるため、箔状のアルミニウム基体2と箔状の銅基体3
との接合部を越えて、上昇することはなく、したがっ
て、リード電極を構成する箔状の銅基体3に化成溶液8
が接触することを確実に防止することができ、エッジ部
を含む表面が箔状のアルミニウム基体2の全表面のみ
に、酸化アルミニウム皮膜を形成することが可能になる
から、リード電極を構成する箔状の銅基体3に、回路基
板に搭載される他の電子部品とのコンタクトを設けるこ
とによって、所望の電気的特性を有する固体電解コンデ
ンサを、回路基板に内蔵させることが可能になる。According to this embodiment, at the time of the anodic oxidation treatment,
Since the surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 is roughened, the chemical conversion solution 8 rises by capillary action.
The roughened surface area adjacent to the weld joint 4 of the foil-shaped aluminum substrate 2 is smoothed over the entire circumference,
Since the smoothed region 5 having a substantially smooth surface is formed, the foil-shaped aluminum substrate 2 and the foil-shaped copper substrate 3
Therefore, it does not rise beyond the junction with the aluminum alloy, and therefore, the conversion solution 8 is applied to the foil-like copper base 3 constituting the lead electrode.
Can reliably be prevented from contacting with each other, and the aluminum oxide film can be formed only on the entire surface of the aluminum substrate 2 whose surface including the edge portion is a foil. By providing a contact with another electronic component mounted on the circuit board on the copper substrate 3 in the shape of a solid, it is possible to incorporate a solid electrolytic capacitor having desired electrical characteristics into the circuit board.
【0159】さらに、本実施態様によれば、第一の絶縁
基板22には、バンク23が設けられ、固体電解コンデ
ンサ内蔵プリント基板20の作製にあたり、固体電解コ
ンデンサ10は、第一の絶縁基板21、バンク23およ
び第二の絶縁基板22によって形成される実質的に閉じ
た空間内に収容されているから、第二の絶縁基板22
を、固体電解コンデンサ10および第一の絶縁基板21
と一体化させる際に、固体電解コンデンサに過度な圧力
が加わることがなく、したがって、箔状のアルミニウム
基体2の表面に形成された酸化アルミニウム皮膜が破壊
されて、陽極として作用するアルミニウムと固体高分子
電解質層11とが接触し、通電時に、ショートが発生す
ることを確実に防止することが可能になる。Further, according to the present embodiment, the first insulating substrate 22 is provided with the bank 23, and when manufacturing the printed circuit board 20 with a built-in solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor 10 is connected to the first insulating substrate 21. Is housed in a substantially closed space formed by the bank 23 and the second insulating substrate 22.
With the solid electrolytic capacitor 10 and the first insulating substrate 21
When integrated with the solid electrolytic capacitor, excessive pressure is not applied to the solid electrolytic capacitor, so that the aluminum oxide film formed on the surface of the foil-shaped aluminum substrate 2 is broken, and aluminum acting as an anode and solid high The contact with the molecular electrolyte layer 11 and the occurrence of a short circuit during energization can be reliably prevented.
【0160】図6は、本発明の他の好ましい実施態様に
かかる固体電解コンデンサの陽極電極の略平面図であ
り、図7は、B−B線に沿った略断面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of an anode electrode of a solid electrolytic capacitor according to another preferred embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic sectional view taken along the line BB.
【0161】本実施態様においては、絶縁酸化皮膜形成
能を有する弁金属として、アルミニウムが用いられ、図
6および図7に示されるように、本実施態様にかかる固
体電解コンデンサの陽極電極41は、表面が粗面化(拡
面化)され、表面に、絶縁酸化皮膜である酸化アルミニ
ウム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体42と、
表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体43
と、リード電極を構成する金属導体として、箔状の銅基
体44を備えている。In this embodiment, aluminum is used as the valve metal having the ability to form an insulating oxide film. As shown in FIGS. 6 and 7, the anode 41 of the solid electrolytic capacitor according to this embodiment is A foil-shaped aluminum substrate 42 having a roughened surface (increased surface) and having an aluminum oxide film as an insulating oxide film formed on the surface;
Foil-shaped aluminum substrate 43 whose surface is not roughened
And a foil-shaped copper base 44 as a metal conductor constituting a lead electrode.
【0162】図6および図7に示されるように、本実施
態様においては、表面が粗面化され、表面に、酸化アル
ミニウム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体42
の一端部領域には、表面が粗面化されていない箔状のア
ルミニウム基体43の一端部領域が、超音波溶接によっ
て、弁金属間が電気的に接続されるように、接合され、
さらに、表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム
基体43の他端部領域には、箔状の銅基体44の一端部
領域が、超音波溶接によって、金属間が電気的に接続さ
れるように、接合されて、2つの溶接接合部45、46
が形成されている。As shown in FIGS. 6 and 7, in this embodiment, a foil-like aluminum substrate 42 having a roughened surface and an aluminum oxide film formed on the surface is provided.
The one end region of the foil-shaped aluminum base 43 whose surface is not roughened is joined by ultrasonic welding so that the valve metals are electrically connected to each other,
Further, one end region of the foil-shaped copper base 44 is electrically connected to the metal by ultrasonic welding at the other end region of the foil-shaped aluminum base 43 whose surface is not roughened. So that the two weld joints 45, 46
Are formed.
【0163】図6および図7に示されるように、溶接接
合部46に隣接する箔状のアルミニウム基体42の粗面
化された表面領域は、その全周にわたって、ハンドプレ
スによって、加圧されて、平滑化され、実質的に平滑な
表面を有する平滑化領域47が形成されている。As shown in FIGS. 6 and 7, the roughened surface area of the foil-shaped aluminum substrate 42 adjacent to the welded joint 46 is pressed by a hand press over the entire circumference. , And a smoothed region 47 having a substantially smooth surface is formed.
【0164】陽極電極41の形成にあたっては、まず、
所定寸法に切断されたリード電極を構成すべき箔状の銅
基体44と、アルミニウム箔シートから、所定寸法に切
り出され、表面が粗面化されていない箔状のアルミニウ
ム基体43が、それぞれ、所定面積の端部領域が互いに
重なり合うように、重ね合わされる。In forming the anode electrode 41, first,
A foil-shaped copper substrate 44 which is to constitute a lead electrode cut to a predetermined size, and a foil-shaped aluminum substrate 43 which is cut out from an aluminum foil sheet into a predetermined size and whose surface is not roughened are respectively formed by a predetermined size. The areas are superimposed such that the end regions overlap each other.
【0165】次いで、互いに重ね合わされている箔状の
銅基体44の端部領域と、箔状のアルミニウム基体43
の端部領域とが、超音波溶接によって、接合されて、溶
接接合部45が形成される。箔状のアルミニウム基体4
3の表面に、酸化アルミニウム皮膜が形成されている場
合でも、超音波溶接により、接合することによって、酸
化アルミニウム皮膜が除去され、金属間が電気的に接続
されるように、箔状の銅基体44の端部領域と、箔状の
アルミニウム基体43の端部領域とが接合される。ここ
に、互いに重なり合う箔状の銅基体44の端部領域およ
び箔状のアルミニウム基体43の端部領域の面積は、接
合部が、所定の強度を有するように決定される。Next, the end region of the foil-like copper base 44 overlapped with the foil-like aluminum base 43
Are joined by ultrasonic welding to form a welded joint 45. Aluminum foil substrate 4
Even if an aluminum oxide film is formed on the surface of the aluminum foil 3, the foil-like copper base is removed by ultrasonic welding so that the aluminum oxide film is removed and the metal is electrically connected. The end region of 44 and the end region of the foil-shaped aluminum base 43 are joined. Here, the areas of the end regions of the foil-shaped copper base body 44 and the end regions of the foil-shaped aluminum base body 43 that overlap each other are determined so that the joint has a predetermined strength.
【0166】その後、表面が粗面化され、表面に酸化ア
ルミニウム皮膜が形成されている所定寸法の箔状のアル
ミニウム基体42が、アルミニウム箔シートから切り出
され、箔状の銅基体44と箔状のアルミニウム基体43
の接合体の表面が粗面化されていない箔状のアルミニウ
ム基体43と、それぞれ、所定面積の端部領域が互いに
重なり合うように、重ね合わされる。Thereafter, a foil-shaped aluminum substrate 42 of a predetermined size having a roughened surface and an aluminum oxide film formed on the surface is cut out of the aluminum foil sheet, and a foil-shaped copper substrate 44 and a foil-shaped copper substrate 44 are cut out. Aluminum base 43
The joined body is overlapped with a foil-shaped aluminum base 43 whose surface is not roughened so that end regions of a predetermined area overlap each other.
【0167】次いで、互いに重ね合わされている表面が
粗面化され、表面に酸化アルミニウム皮膜が形成された
箔状のアルミニウム基体42の端部領域と、表面が粗面
化されていない箔状のアルミニウム基体43の端部領域
とが、超音波溶接によって、接合されて、溶接接合部4
6が生成される。ここに、超音波溶接により、接合する
ことによって、箔状のアルミニウム基体42の表面に形
成されている酸化アルミニウム皮膜が除去され、アルミ
ニウム純金属間が電気的に接続されるように、表面が粗
面化されていない箔状のアルミニウム基体43の端部領
域と、表面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体
42の端部領域とが接合される。ここに、互いに重なり
合う箔状のアルミニウム基体43の端部領域および箔状
のアルミニウム基体42の端部領域の面積は、接合部
が、所定の強度を有するように決定される。Next, an end region of the foil-shaped aluminum substrate 42 having the surfaces superposed on each other roughened and having an aluminum oxide film formed on the surface, and a foil-shaped aluminum substrate having an unroughened surface. The end region of the base 43 is joined by ultrasonic welding to form a weld joint 4
6 is generated. Here, by joining by ultrasonic welding, the aluminum oxide film formed on the surface of the foil-shaped aluminum substrate 42 is removed, and the surface is roughened so that the aluminum pure metal is electrically connected. The end region of the unplated foil-shaped aluminum substrate 43 and the end region of the foil-shaped aluminum substrate 42 having a roughened surface are joined. Here, the area of the end region of the foil-shaped aluminum base 43 and the area of the end region of the foil-shaped aluminum base 42 overlapping each other are determined so that the joint has a predetermined strength.
【0168】こうして形成された陽極電極41は、誘電
体を構成する表面が粗面化され、表面に酸化アルミニウ
ム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体42が、ア
ルミニウム箔シートから切り出されたものであるため、
そのエッジ部には、酸化アルミニウム皮膜が形成されて
はおらず、固体電解コンデンサの陽極電極として用いる
ためには、表面が粗面化されている箔状のアルミニウム
基体42のエッジ部に、陽極酸化によって、酸化アルミ
ニウム皮膜を形成することが必要である。The anode electrode 41 thus formed is obtained by cutting a foil-shaped aluminum base 42 having a roughened surface constituting a dielectric and an aluminum oxide film on the surface from an aluminum foil sheet. Because
An aluminum oxide film is not formed on the edge of the foil-like aluminum base 42 whose surface is roughened by anodic oxidation to be used as an anode electrode of a solid electrolytic capacitor. It is necessary to form an aluminum oxide film.
【0169】図8は、表面が粗面化されている箔状のア
ルミニウム基体42のエッジ部に、酸化アルミニウム皮
膜を形成する陽極酸化方法を示す略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an anodic oxidation method for forming an aluminum oxide film on the edge of a foil-shaped aluminum substrate 42 having a roughened surface.
【0170】図8に示されるように、ステンレスビーカ
ー48中に収容されたアジピン酸アンモニウム水溶液よ
りなる化成溶液49中に、箔状のアルミニウム基体42
の平滑化領域47が形成された部分を除いた部分のみが
浸漬されるように、陽極電極41がセットされ、箔状の
銅基体44を陽極とし、ステンレスビーカー48を陰極
として、電圧が印加される。As shown in FIG. 8, a foil-like aluminum substrate 42 was placed in a chemical conversion solution 49 comprising an aqueous solution of ammonium adipate housed in a stainless steel beaker 48.
The anode electrode 41 is set so that only the portion excluding the portion where the smoothing region 47 is formed is immersed, and a voltage is applied using the foil-shaped copper base 44 as an anode and the stainless beaker 48 as a cathode. You.
【0171】使用電圧は、形成すべき酸化アルミニウム
皮膜の膜厚に応じて、適宜決定することができ、10n
mないし1μmの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜を
形成するときは、通常、数ボルトないし20ボルト程度
に設定される。The operating voltage can be appropriately determined according to the thickness of the aluminum oxide film to be formed.
When an aluminum oxide film having a film thickness of m to 1 μm is formed, it is usually set to several volts to about 20 volts.
【0172】その結果、陽極酸化が開始され、化成溶液
49は、箔状のアルミニウム基体42の表面が粗面化さ
れているため、毛細管現象によって、上昇するが、溶接
接合部46の近傍の箔状のアルミニウム基体42の表面
には、全周にわたって、平滑化領域47が形成され、さ
らに、箔状の銅基体44との間に介在する箔状のアルミ
ニウム基体43の表面は粗面化されていないため、表面
が粗面化されている箔状のアルミニウム基体42と表面
が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体43との
溶接接合部47を越えて、化成溶液49が上昇すること
はなく、したがって、リード電極を構成する箔状の銅基
体44に化成溶液49が接触することが確実に防止され
て、エッジ部を含む表面が粗面化されている箔状のアル
ミニウム基体42の全表面のみに、酸化アルミニウム皮
膜が形成される。As a result, anodic oxidation is started, and the chemical conversion solution 49 rises due to the capillary phenomenon due to the roughened surface of the foil-shaped aluminum substrate 42, but the foil formation near the weld joint 46 is increased. A smoothing region 47 is formed over the entire surface of the aluminum substrate 42 in the shape of a foil, and the surface of the aluminum substrate 43 in the form of foil interposed between the copper substrate 44 in the shape of a foil is roughened. Therefore, the formation solution 49 does not rise beyond the welded joint 47 between the foil-shaped aluminum substrate 42 having a roughened surface and the foil-shaped aluminum substrate 43 having a non-roughened surface. Therefore, the chemical conversion solution 49 is reliably prevented from coming into contact with the foil-like copper substrate 44 constituting the lead electrode, and the foil-like aluminum substrate 42 having a roughened surface including an edge portion is provided. Only the entire surface, the aluminum oxide film is formed.
【0173】こうして生成された陽極電極41の表面が
粗面化され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている箔
状のアルミニウム基体42の全表面上に、図1ないし図
5に示された実施態様と同様にして、固体高分子電解質
層、グラファイトペースト層および銀ペースト層からな
る陰極電極が形成され、固体電解コンデンサが作製され
る。The surface of the anode electrode 41 thus formed is roughened, and the entire surface of the foil-shaped aluminum substrate 42 on which the aluminum oxide film is formed is covered with the embodiment shown in FIGS. Similarly, a cathode electrode including a solid polymer electrolyte layer, a graphite paste layer, and a silver paste layer is formed, and a solid electrolytic capacitor is manufactured.
【0174】得られた固体電解コンデンサは、図1ない
し図5に示された実施態様と同様にして、絶縁基板に固
定され、所定の配線が施されて、固体電解コンデンサ内
蔵プリント基板が作製される。The obtained solid electrolytic capacitor is fixed to an insulating substrate and provided with predetermined wiring in the same manner as in the embodiment shown in FIGS. 1 to 5 to produce a printed circuit board with a built-in solid electrolytic capacitor. You.
【0175】本実施態様においては、固体電解コンデン
サの陽極電極41は、表面が粗面化され、表面に、酸化
アルミニウム皮膜が形成された箔状のアルミニウム基体
42の一端部領域と、表面が粗面化されていない箔状の
アルミニウム基体43の一端部領域が、超音波溶接によ
って、弁金属間が電気的に接続されるように、接合さ
れ、表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基体
43の他端部領域と、箔状の銅基体44の一端部領域
が、超音波溶接によって、金属間が電気的に接続される
ように、接合されて、形成されるとともに、アルミニウ
ム基体42とアルミニウム基体43との溶接接合部46
に隣接する箔状のアルミニウム基体42の粗面化された
表面領域は、その全周にわたって、ハンドプレスによっ
て、加圧されて、平滑化され、実質的に平滑化された表
面を有する平滑化領域47が形成されている。In this embodiment, the anode electrode 41 of the solid electrolytic capacitor has one end region of a foil-shaped aluminum base 42 having a roughened surface and an aluminum oxide film formed on the surface, and a roughened surface. One end region of the non-surfaced foil-shaped aluminum substrate 43 is joined by ultrasonic welding so that the valve metals are electrically connected to each other, and the surface of the foil-shaped aluminum substrate is not roughened. The other end region of the base member 43 and the one end region of the foil-shaped copper base member 44 are joined and formed by ultrasonic welding so that the metals are electrically connected to each other. Joint 46 between aluminum and aluminum base 43
The roughened surface area of the foil-shaped aluminum substrate 42 adjacent to the surface is pressed and smoothed by a hand press over the entire circumference thereof, and the smoothed area has a substantially smoothed surface. 47 are formed.
【0176】したがって、箔状のアルミニウム基体42
を、陽極酸化処理する際、箔状のアルミニウム基体42
の表面が粗面化されているため、毛細管現象によって、
化成溶液49は上昇するが、溶接接合部46に隣接する
箔状のアルミニウム基体42の表面に、全周にわたっ
て、平滑化領域47が形成されており、さらに、箔状の
銅基体44との間に介在する箔状のアルミニウム基体4
3の表面が粗面化されていないから、表面が粗面化され
ていない箔状のアルミニウム基体43と箔状の銅基体4
3との接合部を越えて、上昇することはなく、したがっ
て、リード電極を構成する箔状の銅基体43に化成溶液
49が接触することを、より一層確実に防止することが
でき、エッジ部を含む表面が粗面化されている箔状のア
ルミニウム基体42の全表面のみに、酸化アルミニウム
皮膜を形成することができるから、リード電極を構成す
る箔状の銅基体43に、回路基板に搭載される他の電子
部品とのコンタクトを設けることによって、所望の電気
的特性を有する固体電解コンデンサを、回路基板に内蔵
させることが可能になる。Therefore, the foil-like aluminum substrate 42
Is subjected to an anodizing treatment, a foil-like aluminum substrate 42
Surface is roughened, by capillary action,
Although the chemical conversion solution 49 rises, a smoothing region 47 is formed over the entire surface of the foil-shaped aluminum substrate 42 adjacent to the welded joint 46, and furthermore, a gap between the aluminum substrate 42 and the foil-shaped copper substrate 44. Aluminum substrate 4 interposed between
3 is not roughened, the foil-shaped aluminum base 43 and the foil-shaped copper base 4 whose surfaces are not roughened.
Therefore, the chemical solution 49 can be more reliably prevented from coming into contact with the foil-like copper base 43 constituting the lead electrode, and the edge portion does not rise. Since the aluminum oxide film can be formed only on the entire surface of the foil-like aluminum substrate 42 whose surface is roughened, the aluminum-containing film is mounted on the foil-like copper substrate 43 constituting a lead electrode and mounted on a circuit board. By providing a contact with another electronic component to be formed, a solid electrolytic capacitor having desired electric characteristics can be built in the circuit board.
【0177】[0177]
【実施例】以下、本発明の効果をより一層明らかなもの
とするため、実施例および比較例を掲げる。EXAMPLES In order to further clarify the effects of the present invention, examples and comparative examples are given below.
【0178】実施例1 固体高分子電解質層を有する固体電解コンデンサを、以
下のようにして、作製した。Example 1 A solid electrolytic capacitor having a solid polymer electrolyte layer was manufactured as follows.
【0179】厚さ60μmの銅箔シートから、0.5c
m×1cmの寸法で、銅箔を切り出すとともに、酸化ア
ルミニウム皮膜が形成され、粗面化処理が施されている
厚さ100μmのアルミニウム箔シートから、1cm×
1.5cmの寸法で、アルミニウム箔を切り出して、そ
れぞれの一端部近傍領域が3mmだけ重なり合うよう
に、重ね合わせ、それぞれの一端部近傍領域が重なり合
った部分を、日本エマソン株式会社ブランソン事業本部
製の40kHz−超音波溶接機によって、接合して、電
気的に接続し、銅箔とアルミニウム箔の接合体を形成し
た。From a copper foil sheet having a thickness of 60 μm, 0.5 c
From a 100 μm-thick aluminum foil sheet having a size of m × 1 cm and a copper foil cut out and having an aluminum oxide film formed thereon and subjected to a surface roughening treatment, a 1 cm ×
Aluminum foil was cut out at a size of 1.5 cm and overlapped so that the areas near one end overlapped by 3 mm. The part where the areas near one end overlapped was made by Emerson Japan Inc. A 40 kHz-ultrasonic welding machine was used to join and electrically connect to form a joined body of copper foil and aluminum foil.
【0180】その後、銅箔とアルミニウム箔の接合体の
接合部および接合部に隣接するアルミニウム箔の領域を
含む幅5mmの粗面化された表面領域に、ハンドプレス
により、10kg/cm2の圧力を加えて、アルミニウ
ム箔に全幅にわたって、粗面化された表面を平滑化し、
平滑化領域を形成した。Thereafter, a pressure of 10 kg / cm 2 was applied to the roughened surface area having a width of 5 mm including the joint of the joined body of the copper foil and the aluminum foil and the area of the aluminum foil adjacent to the joint by a hand press. To smooth the roughened surface over the entire width of the aluminum foil,
A smoothed area was formed.
【0181】さらに、こうして得られた接合体を、7重
量%の濃度で、6.0のpHに調整されたアジピン酸ア
ンモニウム水溶液中に、二液混合型エポキシ樹脂が塗布
された部分よりも下方のアルミニウム箔が浸漬されるよ
うに、アジピン酸アンモニウム水溶液中にセットした。
この際、銅箔は、アジピン酸アンモニウム水溶液と接触
させなかった。Further, the thus obtained conjugate was placed in an aqueous solution of ammonium adipate adjusted to a pH of 6.0 at a concentration of 7% by weight, below the portion where the two-part mixed type epoxy resin was applied. Was set in an aqueous solution of ammonium adipate so that the aluminum foil was immersed.
At this time, the copper foil was not brought into contact with the aqueous solution of ammonium adipate.
【0182】接合体側を陽極とし、化成電流密度が50
ないし100mA/cm2、化成電圧が35ボルトの条
件下で、アジピン酸アンモニウム水溶液中に浸漬されて
いるアルミニウム箔の表面を酸化させ、酸化アルミニウ
ム皮膜を形成して、陽極電極を作製した。The bonded body was used as an anode, and the formation current density was 50
The surface of an aluminum foil immersed in an aqueous solution of ammonium adipate was oxidized under the conditions of a current of 100 mA / cm 2 and a formation voltage of 35 volts to form an aluminum oxide film, thereby producing an anode electrode.
【0183】次いで、作製された陽極電極をアジピン酸
アンモニウム水溶液から引き上げ、陽極電極の粗面化処
理が施されているアルミニウム箔の表面上に、化学酸化
重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質
層を形成した。Next, the prepared anode electrode was pulled up from an aqueous solution of ammonium adipate, and a solid polymer electrolyte layer made of polypyrrole was formed on the surface of the aluminum foil on which the anode electrode was roughened by chemical oxidation polymerization. Was formed.
【0184】ここに、ポリピロールからなる固体高分子
電解質層は、蒸留精製した0.1モル/リットルのピロ
ールモノマー、0.1モル/リットルのアルキルナフタ
レンスルホン酸ナトリウムおよび0.05モル/リット
ルの硫酸鉄(III)を含むエタノール水混合溶液セル中
に、アルミニウム箔のみが浸漬されるように、陽極電極
をセットし、30分間にわたって、攪拌し、化学酸化重
合を進行させ、同じ操作を3回にわたって、繰り返し
て、生成した。その結果、最大厚さが、約50μmの固
体高分子電解質層が形成された。Here, the solid polymer electrolyte layer composed of polypyrrole was prepared by distilling and purifying 0.1 mol / l of a pyrrole monomer, 0.1 mol / l of sodium alkylnaphthalenesulfonate and 0.05 mol / l of sulfuric acid. The anode electrode was set so that only the aluminum foil was immersed in an ethanol-water mixed solution cell containing iron (III), and the mixture was stirred for 30 minutes to allow the chemical oxidative polymerization to proceed. , Repeated, generated. As a result, a solid polymer electrolyte layer having a maximum thickness of about 50 μm was formed.
【0185】さらに、こうして得られた固体高分子電解
質層の表面に、カーボンペーストを塗布し、さらに、カ
ーボンペーストの表面に、銀ペーストを塗布して、陰極
電極を形成し、固体電解コンデンサを作製した。Further, a carbon paste was applied to the surface of the solid polymer electrolyte layer thus obtained, and a silver paste was applied to the surface of the carbon paste to form a cathode electrode, thereby producing a solid electrolytic capacitor. did.
【0186】一方、厚さ18μmの銅箔が、両面に貼り
合わされた厚さ1mmで、2cm×4.5cmのサイズ
を有する2枚のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基
板を、以下のようにして、準備した。On the other hand, two glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates each having a thickness of 1 mm and a size of 2 cm × 4.5 cm, each having a copper foil having a thickness of 18 μm adhered to both sides thereof, were prepared as follows. ,Got ready.
【0187】銅箔面には、電気回路を形成するために、
銅箔の不要部分を化学的にエッチングし、所定の配線パ
ターンを形成した。ただし、固体電解コンデンサが固定
されるべき側の基板面の銅箔はすべて、化学的にエッチ
ングして、除去した。On the copper foil surface, in order to form an electric circuit,
An unnecessary portion of the copper foil was chemically etched to form a predetermined wiring pattern. However, all the copper foil on the substrate surface on the side where the solid electrolytic capacitor was to be fixed was chemically etched and removed.
【0188】さらに、内蔵されるべき固体電解コンデン
サの陽極電極および陰極電極に対応するガラスクロス含
有エポキシ樹脂絶縁性基板の位置に、それぞれ、スルー
ホールを形成し、スルーホールと、エッチングされた銅
箔パターン上に、無電解メッキによって、3μmのニッ
ケルメッキを施し、さらに、その上に、0.08μmの
金メッキを施した。Further, through holes are formed at the positions of the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate corresponding to the anode electrode and the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor to be incorporated, respectively, and the through hole and the etched copper foil are formed. A 3 μm nickel plating was applied on the pattern by electroless plating, and a 0.08 μm gold plating was further applied thereon.
【0189】搭載される各種電子部品のためのスルーホ
ールを、さらに、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性
基板に形成した。Through holes for various electronic components to be mounted were further formed on a glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate.
【0190】一方、2枚の基板と同じガラスクロス含有
エポキシ樹脂よりなる厚さ100μmの基板を、2cm
×4.5cmの寸法に加工し、加工した基板の周囲に幅
3mmの領域を残して、内側部分を、打ち抜き加工によ
り、除去して、バンク形成用基板を作製した。On the other hand, a 100 μm thick substrate made of the same glass cloth-containing epoxy resin as
The substrate was processed into a size of × 4.5 cm, and the inner portion was removed by punching, leaving a region of 3 mm width around the processed substrate, to produce a bank forming substrate.
【0191】さらに、2枚の基板と同じガラスクロス含
有エポキシ樹脂よりなる厚み50μmの2枚のエポキシ
プリプレグを、2cm×4.5cmの寸法に加工し、加
工した基板の周囲に幅3mmの領域を残して、内側部分
を、打ち抜き加工によって、除去した。Further, two 50 μm-thick epoxy prepregs made of the same glass cloth-containing epoxy resin as the two substrates were processed into a size of 2 cm × 4.5 cm, and an area of 3 mm width was formed around the processed substrates. The inner part was removed by punching, leaving behind.
【0192】打ち抜き加工され、内側部分が除去された
バンク形成用基板と、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶
縁性基板の一方の銅箔が除去された表面とを、上述のよ
うに加工された厚さ50μmのエポキシプリプレグの一
方を介して、密着させ、真空ホットプレス装置を用い
て、加圧および減圧下において、40分間にわたって、
175℃に保持し、エポキシプリプレグを硬化させて、
ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板と、内側部分
が除去された基板とを固定し、凹部空間を備えた絶縁性
基板を得た。[0192] The bank-formed substrate from which the inner portion was removed by punching and the surface from which one of the copper foils of the glass-cloth-containing epoxy resin insulating substrate was removed were processed to a thickness of 50 µm as described above. Through one of the epoxy prepregs, and using a vacuum hot press device under pressure and reduced pressure for 40 minutes.
Hold at 175 ° C and cure the epoxy prepreg,
The glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate and the substrate from which the inner portion was removed were fixed to obtain an insulating substrate having a concave space.
【0193】2枚のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁
性基板の他方の銅箔が除去された表面に、固体電解コン
デンサの陽極電極および陰極電極が、絶縁性基板に形成
されたスルーホールに対応する位置に位置するように、
シリコーン系接着剤を用いて、固体電解コンデンサを固
定した。On the surface of the two glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates from which the other copper foil was removed, the anode electrode and the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor were positioned at positions corresponding to the through holes formed in the insulating substrate. To be located at
The solid electrolytic capacitor was fixed using a silicone adhesive.
【0194】次いで、固体電解コンデンサが固定された
ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板上に、一方の
面に、凹部空間が形成されたガラスクロス含有エポキシ
樹脂絶縁性基板を、上述のように加工された厚さ50μ
mの他方のエポキシプリプレグを介して、固体電解コン
デンサが、凹部空間内に収容されるように、重ね合わ
せ、密着させた。Next, on a glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate to which a solid electrolytic capacitor is fixed, a glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate having a concave space formed on one surface is processed as described above. Thickness 50μ
Through the other epoxy prepreg, the solid electrolytic capacitor was overlapped and closely attached so as to be accommodated in the concave space.
【0195】こうして、密着された2枚の絶縁性基板
を、真空ホットプレス装置を用いて、加圧および減圧下
で、40分間にわたり、175℃に保持し、エポキシプ
リプレグを硬化させて、2枚のガラスクロス含有エポキ
シ樹脂絶縁性基板の間を固定した。The two insulated substrates thus adhered were held at 175 ° C. for 40 minutes under pressure and reduced pressure using a vacuum hot press device, and the epoxy prepreg was cured to cure the two substrates. Between the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates.
【0196】ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板
の冷却後、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板の
それぞれに形成されたスルーホールを介して、ガラスク
ロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板の表面に形成されてい
る配線パターンと、内蔵化された固体電解コンデンサの
陽極電極の銅箔よりなるリード電極および陰極電極と
を、ハンダによって、電気的に接続して、固体電解コン
デンサ内蔵プリント基板#1を得た。After cooling the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate, the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate is formed on the surface of the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate via through holes formed in each of the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates. The wiring pattern and the lead electrode and the cathode electrode made of copper foil of the anode electrode of the built-in solid electrolytic capacitor were electrically connected by solder to obtain a printed circuit board # 1 with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0197】こうして得られた固体電解コンデンサ内蔵
プリント基板サンプル#1の電気的特性を、アジレント
テクノロジー社製インピーダンスアナライザー4294
Aを用いて、評価した。The electrical characteristics of the thus-obtained printed circuit board sample # 1 with a built-in solid electrolytic capacitor were measured with an impedance analyzer 4294 manufactured by Agilent Technologies.
A was evaluated using A.
【0198】その結果、120Hzでの静電容量は8
4.0μFであり、100kHzでのESRは20mΩ
であった。また、常温で、10ボルトの電圧を印加した
際の漏れ電流(5分値)は、0.10μAであった。As a result, the capacitance at 120 Hz was 8
4.0 μF and an ESR at 100 kHz of 20 mΩ
Met. The leakage current (5 minute value) when a voltage of 10 V was applied at room temperature was 0.10 μA.
【0199】さらに、固体電解コンデンサ内蔵プリント
基板サンプル#1を、125℃の恒温条件下で、放置
し、全く同様にして、電気的特性を評価したところ、1
20Hzでの静電容量は83.9μFであり、100k
HzでのESRは22mΩであった。さらに、常温で、
10ボルトの電圧を印加した際の漏れ電流(5分値)
は、0.13μAであった。Further, the printed circuit board sample # 1 with a built-in solid electrolytic capacitor was left under a constant temperature condition of 125 ° C., and the electrical characteristics were evaluated in exactly the same manner.
The capacitance at 20 Hz is 83.9 μF and 100 k
The ESR at Hz was 22 mΩ. In addition, at room temperature,
Leakage current when applying a voltage of 10 volts (5-minute value)
Was 0.13 μA.
【0200】実施例2 アルミニウム箔の領域を含む幅5mmの粗面化された表
面領域に、ハンドプレスにより、10kg/cm2の圧
力を加えて、アルミニウム箔に全幅にわたって、粗面化
された表面を平滑化し、平滑化領域を形成する代わり
に、銅箔とアルミニウム箔の接合体の接合部および接合
部に隣接するアルミニウム箔の領域を含む幅5mmの粗
面化された表面領域に、日本エマソン株式会社ブランソ
ン事業本部製の40kHz−超音波溶接機に接続した杉
目パターンを有するホーンにより、0.5kg/cm2
の圧力を加えて、連続的に超音波を照射し、アルミニウ
ム箔に全幅にわたって、粗面化された表面を平滑化し、
平滑化領域を形成した点を除き、実施例1と全く同様に
して、固体電解コンデンサを作製した。Example 2 The surface roughened over the entire width of the aluminum foil by applying a pressure of 10 kg / cm 2 by hand press to the roughened surface area of 5 mm width including the area of the aluminum foil. Instead of forming a smoothed region, a roughened surface region having a width of 5 mm including a joint portion of the joined body of the copper foil and the aluminum foil and a region of the aluminum foil adjacent to the joined portion is provided by Emerson Japan. 0.5 kg / cm 2 by a horn having a cedar pattern connected to a 40 kHz ultrasonic welding machine manufactured by Branson Division.
Pressure, and continuously irradiate ultrasonic waves to smooth the roughened surface over the entire width of the aluminum foil,
A solid electrolytic capacitor was manufactured in exactly the same manner as in Example 1 except that a smoothing region was formed.
【0201】さらに、実施例1と全く同様にして、2枚
のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板を作製し
た。Further, two glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates were manufactured in exactly the same manner as in Example 1.
【0202】一方、基板と同じガラスクロス含有エポキ
シ樹脂よりなる100μmの厚さの2枚の基板を、それ
ぞれ、2cm×4.5cmの寸法に加工し、加工した基
板の周囲に幅3mmの領域を残して、内側部分を、打ち
抜き加工により、除去して、2枚のバンク形成用基板を
作製した。On the other hand, two substrates each made of the same glass cloth-containing epoxy resin as the substrate and having a thickness of 100 μm were processed into dimensions of 2 cm × 4.5 cm, and an area of 3 mm width was formed around the processed substrate. The inside portion was removed by punching to leave two substrates for bank formation.
【0203】次いで、基板と同じガラスクロス含有エポ
キシ樹脂よりなる厚み50μmの3枚のエポキシプリプ
レグを、それぞれ、2cm×4.5cmの寸法に加工
し、加工した基板の周囲に幅3mmの領域を残して、内
側部分を、打ち抜き加工によって、除去して、第一のエ
ポキシプリプレグ、第二のエポキシプリプレグおよび第
三のエポキシプリプレグを作製した。Next, three 50 μm-thick epoxy prepregs made of the same glass cloth-containing epoxy resin as the substrate were processed into dimensions of 2 cm × 4.5 cm, respectively, leaving a 3 mm wide area around the processed substrate. Then, the inner portion was removed by punching to produce a first epoxy prepreg, a second epoxy prepreg, and a third epoxy prepreg.
【0204】打ち抜き加工され、内側部分が除去された
バンク形成用基板の一方と、ガラスクロス含有エポキシ
樹脂絶縁性基板の一方の銅箔が除去された表面とを、上
述のように加工された厚さ50μmの第一のエポキシプ
リプレグの一方を介して、密着させ、真空ホットプレス
装置を用いて、加圧および減圧下において、40分間に
わたり、175℃に保持し、エポキシプリプレグを硬化
させて、ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板と、
バンク形成用基板の一方とを固定し、凹部空間を備えた
第一の絶縁性基板を得た。[0204] One of the bank-formed substrates from which the inside portion has been removed by punching and the surface from which one of the copper foils of the glass-cloth-containing epoxy resin insulating substrate has been removed are subjected to the above-processed thickness process. Adhere through one of the 50 μm first epoxy prepregs and hold at 175 ° C. for 40 minutes under pressure and reduced pressure using a vacuum hot press machine to cure the epoxy prepreg and A cloth-containing epoxy resin insulating substrate;
One of the bank forming substrates was fixed to obtain a first insulating substrate having a concave space.
【0205】同様にして、打ち抜き加工され、内側部分
が除去されたバンク形成用基板の他方と、ガラスクロス
含有エポキシ樹脂絶縁性基板の他方の銅箔が除去された
表面とを、上述のように加工された厚さ50μmの第二
のエポキシプリプレグの他方を介して、密着させ、真空
ホットプレス装置を用いて、加圧および減圧下におい
て、40分間にわたり、175℃に保持し、エポキシプ
リプレグを硬化させて、ガラスクロス含有エポキシ樹脂
絶縁性基板と、他方のバンク形成用基板とを固定し、凹
部空間を備えた第二の絶縁性基板を得た。In the same manner, the other of the bank forming substrate punched out and the inner portion thereof was removed, and the other surface of the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate from which the other copper foil had been removed were brought together as described above. Closely adhere to the other of the processed 50 μm thick second epoxy prepreg, hold at 175 ° C. for 40 minutes under pressure and reduced pressure using a vacuum hot press apparatus, and cure the epoxy prepreg. Thus, the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate and the other substrate for bank formation were fixed to obtain a second insulating substrate having a concave space.
【0206】こうして得られた第一の絶縁性基板の凹部
空間内に、固体電解コンデンサの陽極電極および陰極電
極が、絶縁性基板に形成されたスルーホールに対応する
位置に位置するように、シリコーン系接着剤を用いて、
固体電解コンデンサを固定した。In the thus obtained recessed space of the first insulating substrate, the silicone is placed so that the anode electrode and the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor are located at positions corresponding to the through holes formed in the insulating substrate. Using a system adhesive,
The solid electrolytic capacitor was fixed.
【0207】次いで、固体電解コンデンサが固定された
第一の絶縁性基板上に、第二の絶縁性基板を、上述のよ
うに加工された厚さ50μmの第三のエポキシプリプレ
グを介在させ、凹部空間が互いに対向し、固体電解コン
デンサが凹部空間内に収容されるように重ね合わせて、
密着させた。Next, on the first insulating substrate to which the solid electrolytic capacitor was fixed, the second insulating substrate was interposed with the third epoxy prepreg having a thickness of 50 μm processed as described above, The spaces are opposed to each other, and the solid electrolytic capacitors are overlapped so as to be accommodated in the concave space,
Closely attached.
【0208】こうして、密着された第一の絶縁性基板お
よび第二の絶縁性基板を、真空ホットプレス装置を用い
て、加圧および減圧下で、40分間にわたり、175℃
に保持し、エポキシプリプレグを硬化させて、第一の絶
縁性基板および第二の絶縁性基板の間を固定した。The first and second insulating substrates thus adhered to each other are heated at 175 ° C. for 40 minutes under pressure and reduced pressure using a vacuum hot press.
, And the epoxy prepreg was cured to fix the space between the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0209】第一の絶縁性基板および第二の絶縁性基板
の冷却後、第一の絶縁性基板および第二の絶縁性基板の
それぞれに形成されたスルーホールを介して、基板の表
面に形成されている配線パターンと、内蔵化された固体
電解コンデンサの陽極電極の銅箔よりなるリード電極お
よび陰極電極とを、ハンダによって、電気的に接続し
て、固体電解コンデンサ内蔵プリント基板#2を得た。After cooling the first insulating substrate and the second insulating substrate, the first insulating substrate and the second insulating substrate are formed on the surface of the substrate via through holes formed in the first insulating substrate and the second insulating substrate, respectively. The wiring pattern and the lead electrode and the cathode electrode made of copper foil of the anode electrode of the built-in solid electrolytic capacitor are electrically connected by solder to obtain a printed circuit board # 2 with a built-in solid electrolytic capacitor. Was.
【0210】こうして得られた固体電解コンデンサ内蔵
プリント基板サンプル#2の電気的特性を、アジレント
テクノロジー社製インピーダンスアナライザー4294
Aを用いて、評価した。The electrical characteristics of the thus-obtained printed circuit board sample # 2 with a built-in solid electrolytic capacitor were measured using an impedance analyzer 4294 manufactured by Agilent Technologies.
A was evaluated using A.
【0211】その結果、120Hzでの静電容量は8
2.0μFであり、100kHzでのESRは40mΩ
であった。また、常温で、10ボルトの電圧を印加した
際の漏れ電流(5分値)は、0.15μAであった。As a result, the capacitance at 120 Hz was 8
2.0 μF, ESR at 100 kHz is 40 mΩ
Met. The leakage current (5 minute value) when a voltage of 10 V was applied at room temperature was 0.15 μA.
【0212】さらに、固体電解コンデンサ内蔵プリント
基板サンプル#2を、125℃の恒温条件下で、放置
し、全く同様にして、その電気的特性を評価したとこ
ろ、120Hzでの静電容量は83.0μFで、100
kHzでのESRは43.0mΩであり、また、常温
で、10ボルトの電圧を印加した際の漏れ電流(5分
値)は、0.17μAであった。Further, the printed board sample # 2 with a built-in solid electrolytic capacitor was allowed to stand under a constant temperature condition of 125 ° C., and its electrical characteristics were evaluated in exactly the same manner. At 0 μF, 100
The ESR at kHz was 43.0 mΩ, and the leakage current (5-minute value) when a voltage of 10 volts was applied at room temperature was 0.17 μA.
【0213】実施例3 厚さ60μmの銅箔シートから、0.5cm×1cmの
寸法で、銅箔を切り出すとともに、粗面化処理が施され
ていない厚さ100μmのアルミニウム箔シートから、
1cm×1.5cmの寸法で、アルミニウム箔を切り出
して、それぞれの一端部近傍領域が3mmだけ重なり合
うように、重ね合わせ、それぞれの一端部近傍領域が重
なり合った部分を、日本エマソン株式会社ブランソン事
業本部製の40kHz−超音波溶接機によって、接合し
て、電気的に接続し、銅箔とアルミニウム箔の接合体を
形成した。Example 3 A copper foil having a size of 0.5 cm × 1 cm was cut out from a copper foil sheet having a thickness of 60 μm, and an aluminum foil sheet having a thickness of 100 μm that had not been subjected to surface roughening was cut out.
Aluminum foil was cut out to a size of 1 cm x 1.5 cm and overlapped so that the areas near one end overlapped each other by 3 mm. The part where the areas near one end overlapped was joined by the Emerson Japan Inc. Branson Division And electrically connected by a 40 kHz-ultrasonic welding machine manufactured by Co., Ltd. to form a joined body of copper foil and aluminum foil.
【0214】次いで、銅箔とアルミニウム箔の接合体の
接合部を形成しているアルミニウム箔の領域を含む幅5
mmのアルミニウム箔の表面領域以外の表面領域に、公
知の方法で、電気化学的に、エッチング処理を施して、
粗面化し、その表面積を拡大した。Next, the width 5 including the region of the aluminum foil forming the joint portion of the joined body of the copper foil and the aluminum foil was used.
In a known manner, the surface area other than the surface area of the aluminum foil having a thickness of 0.1 mm is electrochemically subjected to an etching treatment,
It was roughened and its surface area was enlarged.
【0215】その後、こうして得られた接合体を、7重
量%の濃度で、6.0のpHに調整されたアジピン酸ア
ンモニウム水溶液中に、エッチング処理が施され、粗面
化された表面を有するアルミニウム箔が、完全に浸漬さ
れるように、アジピン酸アンモニウム水溶液中にセット
した。この際、銅箔は、アジピン酸アンモニウム水溶液
と接触させなかった。Thereafter, the joined body thus obtained was subjected to an etching treatment in an aqueous solution of ammonium adipate adjusted to a pH of 6.0 at a concentration of 7% by weight to have a roughened surface. The aluminum foil was set in an aqueous solution of ammonium adipate so that it was completely immersed. At this time, the copper foil was not brought into contact with the aqueous solution of ammonium adipate.
【0216】接合体側を陽極とし、化成電流密度が50
ないし100mA/cm2、化成電圧が35ボルトの条
件下で、アジピン酸アンモニウム水溶液中に浸漬されて
いるアルミニウム箔の表面を酸化させ、酸化アルミニウ
ム皮膜を形成して、陽極電極を作製した。The bonded body was used as an anode, and the formation current density was 50
The surface of an aluminum foil immersed in an aqueous solution of ammonium adipate was oxidized under the conditions of a current of 100 mA / cm 2 and a formation voltage of 35 volts to form an aluminum oxide film, thereby producing an anode electrode.
【0217】こうして作製された陽極電極を用いて、実
施例1と全く同様にして、固体電解コンデンサを作製し
た。Using the anode electrode thus manufactured, a solid electrolytic capacitor was manufactured in exactly the same manner as in Example 1.
【0218】さらに、実施例1と全く同様にして、2枚
のガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板を作製し
た。Further, two glass cloth-containing epoxy resin insulating substrates were manufactured in exactly the same manner as in Example 1.
【0219】ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板
の一方の銅箔が除去された表面を、基板の周囲に幅3m
mの領域を残して、内側部分を、0.3mmの深さに、
切削加工し、基板の周囲に幅3mmの領域以外に、0.
3mmの深さの凹部空間が形成された第一の絶縁性基板
を得た。[0219] The surface of the glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate from which one copper foil was removed was placed 3 m wide around the substrate.
m, leaving the inner part to a depth of 0.3 mm,
After cutting, the area around the substrate was reduced to 0.
A first insulating substrate in which a concave space having a depth of 3 mm was formed was obtained.
【0220】次いで、基板と同じガラスクロス含有エポ
キシ樹脂よりなる厚さ50μmのエポキシプリプレグ
を、それぞれ、2cm×4.5cmの寸法に加工し、加
工した基板の周囲に幅3mmの領域を残して、内側部分
を、打ち抜き加工によって、除去した。Next, 50 μm thick epoxy prepregs made of the same glass cloth-containing epoxy resin as the substrate were processed into dimensions of 2 cm × 4.5 cm, leaving a 3 mm wide area around the processed substrate. The inner part was removed by stamping.
【0221】切削加工を施した第一の絶縁性基板の凹部
空間内に、固体電解コンデンサの陽極電極および陰極電
極が、第一の絶縁性基板に形成されたスルーホールに対
応する位置に位置するように、シリコーン系接着剤を用
いて、固体電解コンデンサを固定した。The anode electrode and the cathode electrode of the solid electrolytic capacitor are located at positions corresponding to the through holes formed in the first insulating substrate in the recessed space of the first insulating substrate subjected to the cutting process. Thus, the solid electrolytic capacitor was fixed using a silicone adhesive.
【0222】凹部空間内に固体電解コンデンサを固定し
た第一の絶縁性基板上に、打ち抜き加工を施した厚さ5
0μmのエポキシプリプレグを重ね、その上に、第二の
ガラスクロス含有エポキシ樹脂絶縁性基板を重ねて、密
着させた。The first insulating substrate having the solid electrolytic capacitor fixed in the recessed space was punched out to a thickness of 5 mm.
An epoxy prepreg of 0 μm was overlaid, and a second glass cloth-containing epoxy resin insulating substrate was overlaid thereon and brought into close contact therewith.
【0223】こうして、密着された第一の絶縁性基板お
よび第二の絶縁性基板を、真空ホットプレス装置を用い
て、加圧および減圧下で、40分間にわたり、175℃
に保持し、エポキシプリプレグを硬化させて、第一の絶
縁性基板および第二の絶縁性基板の間を固定した。The first and second insulating substrates thus adhered to each other were heated at 175 ° C. for 40 minutes under pressure and reduced pressure using a vacuum hot press.
, And the epoxy prepreg was cured to fix the space between the first insulating substrate and the second insulating substrate.
【0224】第一の絶縁性基板および第二の絶縁性基板
の冷却後、第一の絶縁性基板および第二の絶縁性基板の
それぞれに形成されたスルーホールを介して、基板の表
面に形成されている配線パターンと、内蔵化された固体
電解コンデンサの陽極電極の銅箔よりなるリード電極お
よび陰極電極とを、ハンダによって、電気的に接続し
て、固体電解コンデンサ内蔵プリント基板#3を得た。After cooling the first insulating substrate and the second insulating substrate, the first insulating substrate and the second insulating substrate are formed on the surface of the substrate via through holes formed in the first insulating substrate and the second insulating substrate, respectively. The lead pattern and the cathode electrode made of copper foil of the anode electrode of the built-in solid electrolytic capacitor are electrically connected by solder to obtain a printed circuit board # 3 with a built-in solid electrolytic capacitor. Was.
【0225】こうして得られた固体電解コンデンサ内蔵
プリント基板サンプル#3の電気的特性を、アジレント
テクノロジー社製インピーダンスアナライザー4294
Aを用いて、評価した。The electrical characteristics of the thus obtained printed circuit board sample # 3 with a built-in solid electrolytic capacitor were measured using an impedance analyzer 4294 manufactured by Agilent Technologies.
A was evaluated using A.
【0226】その結果、120Hzでの静電容量は8
0.5μFであり、100kHzでのESRは35mΩ
であった。また、常温で、10ボルトの電圧を印加した
際の漏れ電流(5分値)は、0.15μAであった。As a result, the capacitance at 120 Hz was 8
0.5 μF, ESR at 100 kHz is 35 mΩ
Met. The leakage current (5 minute value) when a voltage of 10 V was applied at room temperature was 0.15 μA.
【0227】さらに、固体電解コンデンサ内蔵プリント
基板サンプル#2を、125℃の恒温条件下で、放置
し、全く同様にして、その電気的特性を評価したとこ
ろ、120Hzでの静電容量は82.0μFで、100
kHzでのESRは30.5mΩであり、また、常温
で、10ボルトの電圧を印加した際の漏れ電流(5分
値)は、0.20μAであった。Further, printed circuit board sample # 2 with a built-in solid electrolytic capacitor was left under a constant temperature condition of 125 ° C., and its electrical characteristics were evaluated in the same manner. At 0 μF, 100
The ESR at kHz was 30.5 mΩ, and the leakage current (5-minute value) when a voltage of 10 V was applied at room temperature was 0.20 μA.
【0228】比較例 厚さ60μmの銅箔シートから、0.5cm×1cmの
寸法で、銅箔を切り出すとともに、酸化アルミニウム皮
膜が形成され、粗面化処理が施されている厚さ100μ
mのアルミニウム箔シートから、1cm×1.5cmの
寸法で、アルミニウム箔を切り出して、それぞれの一端
部近傍領域が3mmだけ重なり合うように、重ね合わ
せ、それぞれの一端部近傍領域が重なり合った部分を、
日本エマソン株式会社ブランソン事業本部製の40kH
z−超音波溶接機によって、接合して、電気的に接続
し、銅箔とアルミニウム箔の接合体を形成した。Comparative Example A copper foil having a size of 0.5 cm × 1 cm was cut out from a copper foil sheet having a thickness of 60 μm, an aluminum oxide film was formed, and the surface was roughened to a thickness of 100 μm.
From the aluminum foil sheet of m, the aluminum foil was cut out at a size of 1 cm × 1.5 cm and overlapped so that the regions near one end overlapped by 3 mm, and the portions where the regions near one end overlapped each other,
Emerson Japan Co., Ltd. Branson Business Headquarters 40kHz
It was joined and electrically connected by a z-ultrasonic welding machine to form a joined body of copper foil and aluminum foil.
【0229】さらに、7重量%の濃度で、6.0のpH
に調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中に、こう
して得られた接合体のアルミニウム箔のみが浸漬される
ように、アジピン酸アンモニウム水溶液中にセットし
た。この際、銅箔は、アジピン酸アンモニウム水溶液と
接触させなかった。Furthermore, at a concentration of 7% by weight, a pH of 6.0
It was set in an aqueous solution of ammonium adipate such that only the aluminum foil of the joined body obtained in this way was immersed in the aqueous solution of ammonium adipate adjusted as described above. At this time, the copper foil was not brought into contact with the aqueous solution of ammonium adipate.
【0230】銅箔の部分を通電口として、接合体側を陽
極とし、化成電流密度が50ないし100mA/c
m2、化成電圧が35ボルトの条件下で、アジピン酸ア
ンモニウム水溶液中に浸漬されているアルミニウム箔の
表面を酸化させ、酸化アルミニウム皮膜を形成して、陽
極電極を作製した。The copper foil portion is used as a current supply port, the joint side is used as an anode, and the formation current density is 50 to 100 mA / c.
The surface of the aluminum foil immersed in an aqueous solution of ammonium adipate was oxidized under conditions of m 2 and a formation voltage of 35 volts to form an aluminum oxide film, thereby producing an anode electrode.
【0231】酸化アルミニウム皮膜の形成後、銅箔とア
ルミニウム箔の接合体を観察したところ、通電口である
銅箔の部分が腐食され、変質していることが認められ、
とくに、接合部分での変質が著しかった。After the formation of the aluminum oxide film, the joined body of the copper foil and the aluminum foil was observed. As a result, it was found that the portion of the copper foil serving as the current supply port was corroded and deteriorated.
In particular, the alteration at the joint was remarkable.
【0232】こうして、酸化アルミニウム皮膜を形成し
たアルミニウム箔と銅箔との接合体を用いて、実施例1
と全く同様にして、固体電解コンデンサを作製し、固体
電解コンデンサ内蔵プリント基板サンプル#4を作製し
た。Using the joined body of the aluminum foil and the copper foil on each of which the aluminum oxide film was formed, Example 1 was used.
A solid electrolytic capacitor was fabricated in exactly the same manner as described above, and a printed circuit board sample # 4 with a built-in solid electrolytic capacitor was fabricated.
【0233】こうして得られた固体電解コンデンサ内蔵
プリント基板サンプル#4の電気的特性を、アジレント
テクノロジー社製インピーダンスアナライザー4294
Aを用いて、評価した。The electrical characteristics of the thus-obtained printed circuit board sample # 4 with a built-in solid electrolytic capacitor were measured with an impedance analyzer 4294 manufactured by Agilent Technologies.
A was evaluated using A.
【0234】その結果、漏れ電流を評価するため、10
ボルトの電圧を印加したところ、ショートが生じ、固体
電解コンデンサが破損した。As a result, in order to evaluate the leakage current, 10
When a voltage of volt was applied, a short circuit occurred and the solid electrolytic capacitor was damaged.
【0235】実施例1ないし3および比較例から、銅箔
とアルミニウム箔との接合部を形成しているアルミニウ
ム箔の表面領域を含む表面領域の粗面化された表面に、
平滑化処理を施し、陽極酸化によって、酸化アルミニウ
ム皮膜を形成した陽極電極を用いて、作製した固体電解
コンデンサを用いた本発明にかかる固体電解コンデンサ
内蔵プリント基板サンプル#1および2ならびに銅箔と
アルミニウム箔との接合部を形成しているアルミニウム
箔の領域を含む領域以外のアルミニウム箔の表面領域
に、粗面化処理を施して、粗面化処理を施したアルミニ
ウム箔の表面領域に、陽極酸化によって、酸化アルミニ
ウム皮膜を形成した陽極電極を用いて、作製した固体電
解コンデンサを用いた本発明にかかる固体電解コンデン
サ内蔵プリント基板サンプル#3は、静電容量特性、E
SR特性および漏れ電流特性が良好であるのに対し、ア
ルミニウム箔の表面に平滑化処理を施さないで、陽極酸
化によって、酸化アルミニウム皮膜を形成した陽極電極
を用いて、作製した固体電解コンデンサを用いた比較例
にかかる固体電解コンデンサ内蔵プリント基板サンプル
#4にあっては、固体電解コンデンサとしての機能が全
く得られないことが判明した。According to Examples 1 to 3 and Comparative Example, the roughened surface of the surface area including the surface area of the aluminum foil forming the joint between the copper foil and the aluminum foil was obtained.
Printed circuit board samples # 1 and 2 with a built-in solid electrolytic capacitor according to the present invention using a solid electrolytic capacitor produced using an anode electrode having an aluminum oxide film formed thereon by smoothing and anodizing, and copper foil and aluminum The surface area of the aluminum foil other than the area including the area of the aluminum foil forming the joint with the foil is subjected to a roughening treatment, and the surface area of the roughened aluminum foil is anodized. Thus, the printed circuit board sample # 3 with a built-in solid electrolytic capacitor according to the present invention using the solid electrolytic capacitor produced using the anode electrode on which the aluminum oxide film was formed has the capacitance characteristics
Although the SR characteristics and leakage current characteristics are good, a solid electrolytic capacitor produced using an anode electrode with an aluminum oxide film formed by anodic oxidation without smoothing the aluminum foil surface is used. It was found that the printed circuit board sample # 4 with a built-in solid electrolytic capacitor according to the comparative example had no function as a solid electrolytic capacitor.
【0236】本発明は、以上の実施態様および実施例に
限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明
の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の
範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims. It goes without saying that it is included.
【0237】たとえば、前記実施態様においては、表面
が粗面化された箔状のアルミニウム基体2、42に、平
滑化処理を施し、溶接接合部4、46の近傍の箔状のア
ルミニウム基体2、42に平滑化領域5、47を形成し
ているが、表面が粗面化されていない箔状のアルミニウ
ム基体を、箔状の銅基体などの導電性金属基体を接合し
た後、接合部を含む箔状のアルミニウム基体の端部領域
を残して、粗面化し、平滑な表面を有する領域を形成す
るようにしてもよい。For example, in the above-described embodiment, the foil-shaped aluminum substrates 2 and 42 whose surfaces are roughened are subjected to a smoothing treatment so that the foil-shaped aluminum substrates 2 and Although the smoothing regions 5 and 47 are formed in 42, the foil-like aluminum substrate whose surface is not roughened is joined to a conductive metal substrate such as a foil-like copper substrate, and then a joining portion is included. The foil-shaped aluminum substrate may be roughened to leave an end region, thereby forming a region having a smooth surface.
【0238】さらに、前記実施態様においては、いずれ
も、弁金属基体2、42、43として、アルミニウムが
用いられているが、アルミニウムに代えて、アルミニウ
ム合金、または、タンタル、チタン、ニオブ、ジルコニ
ウムもしくはこれらの合金などによって、弁金属基体
2、42、43を形成することもできる。Further, in each of the above embodiments, aluminum is used as the valve metal bases 2, 42, 43. Instead of aluminum, aluminum alloy or tantalum, titanium, niobium, zirconium or The valve metal bases 2, 42, and 43 can also be formed from these alloys and the like.
【0239】また、前記実施態様においては、リード電
極を構成すべき金属導体として、箔状の銅が用いられて
いるが、銅に代えて、銅合金、または、真鍮、ニッケ
ル、亜鉛、クロムもしくはこれらの合金によって、金属
導体を形成することもできる。In the above embodiment, foil-like copper is used as the metal conductor to form the lead electrode. Instead of copper, a copper alloy, brass, nickel, zinc, chromium or copper is used. These alloys can also form metal conductors.
【0240】さらに、図1ないし図5に示された実施態
様においては、箔状のアルミニウム基体2と箔状の銅基
体3とを、超音波溶接によって、接合しているが、超音
波溶接に代えて、コールドウェルディング(冷間圧接)
によって、接合し、接合部を形成するようにしてもよ
い。Furthermore, in the embodiment shown in FIGS. 1 to 5, the foil-like aluminum base 2 and the foil-like copper base 3 are joined by ultrasonic welding. Instead, cold welding (cold welding)
May be joined to form a joint.
【0241】同様に、図6ないし図8に示された実施態
様においては、表面が粗面化された箔状のアルミニウム
基体42と表面が粗面化されていないアルミニウム基体
43とを、超音波溶接によって、接合するとともに、表
面が粗面化されていないアルミニウム基体43と箔状の
銅基体44とを、超音波溶接によって、接合している
が、これらの接合部の双方を、あるいは、一方を、超音
波溶接に代えて、コールドウェルディング(冷間圧接)
によって、接合し、接合部を形成するようにしてもよ
い。Similarly, in the embodiment shown in FIG. 6 to FIG. 8, the foil-shaped aluminum substrate 42 having a roughened surface and the aluminum While joining by welding, the aluminum base 43 whose surface is not roughened and the foil-like copper base 44 are joined by ultrasonic welding. Both of these joints, or one of them, are joined together. Instead of ultrasonic welding, cold welding (cold welding)
May be joined to form a joint.
【0242】また、前記実施態様においては、固体電解
コンデンサ10を、第一の絶縁基板21と第二の絶縁基
板22によって挟んで、固体電解コンデンサ内蔵プリン
ト基板20を作製しているが、1つの絶縁基板上に、固
体電解コンデンサ10を固定して、固体電解コンデンサ
内蔵プリント基板20を作製することもできる。In the above embodiment, the solid electrolytic capacitor 10 is sandwiched between the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 to produce the printed circuit board 20 with a built-in solid electrolytic capacitor. The solid electrolytic capacitor 10 can be fixed on an insulating substrate to produce a printed circuit board 20 with a built-in solid electrolytic capacitor.
【0243】さらに、前記実施態様においては、第一の
絶縁基板21の表面および第二の絶縁基板22の表面の
双方に、複数の電子部品30が搭載されているが、複数
の電子部品30を搭載することは必ずしも必要でない。Further, in the above embodiment, the plurality of electronic components 30 are mounted on both the surface of the first insulating substrate 21 and the surface of the second insulating substrate 22. It is not always necessary to mount it.
【0244】また、前記実施態様においては、第一の絶
縁基板21の表面および第二の絶縁基板22の表面の双
方に、電子部品30が搭載されているが、第一の絶縁基
板21の表面および第二の絶縁基板22の表面の一方に
のみ、電子部品30が搭載されていてもよい。In the above embodiment, the electronic components 30 are mounted on both the surface of the first insulating substrate 21 and the surface of the second insulating substrate 22. The electronic component 30 may be mounted on only one of the surfaces of the second insulating substrate 22.
【0245】さらに、前記実施態様においては、第一の
絶縁基板21の表面および第二の絶縁基板22の表面
に、それぞれ、複数の配線パターンが形成されている
が、第一の絶縁基板21の表面と第二の絶縁基板22の
表面に、複数の配線パターンを形成することは必ずしも
必要でなく、少なくとも1つの配線パターンが形成され
ていればよい。Further, in the above embodiment, a plurality of wiring patterns are formed on the surface of the first insulating substrate 21 and the surface of the second insulating substrate 22, respectively. It is not always necessary to form a plurality of wiring patterns on the front surface and the surface of the second insulating substrate 22, and it is sufficient that at least one wiring pattern is formed.
【0246】また、前記実施態様においては、第一の絶
縁基板21および第二の絶縁基板22のそれぞれに、複
数のスルーホール25、28が形成されているが、第一
の絶縁基板21および第二の絶縁基板22のそれぞれ
に、複数のスルーホール25、28を形成することは必
ずしも必要でなく、それぞれ、少なくとも1つのスルー
ホール25、28が形成されていればよい。In the above embodiment, a plurality of through holes 25 and 28 are formed in the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22, respectively. It is not always necessary to form a plurality of through holes 25, 28 in each of the two insulating substrates 22, but it is sufficient that at least one through hole 25, 28 is formed in each.
【0247】さらに、図5に示された実施態様において
は、第一の絶縁基板21に、バンク23を形成している
が、第二の絶縁基板22に、バンク23を形成すること
もできる。Further, in the embodiment shown in FIG. 5, the banks 23 are formed on the first insulating substrate 21. However, the banks 23 may be formed on the second insulating substrate 22.
【0248】また、図5に示された実施態様において
は、第一の絶縁基板21および第二の絶縁基板22と同
じ材質の基板を、その周縁部に、所定面積の部分が残さ
れるように打ち抜き加工して、枠状の基板を形成し、第
一の絶縁基板21および第二の絶縁基板22と同じ材質
の接着剤を用いて、枠状の基板を第一の絶縁基板に固定
することによって、バンク23を形成しているが、第一
の絶縁基板21を切削加工するなどして、第一の絶縁基
板21と一体的にバンクを形成することもできるし、第
一の絶縁基板21および第二の絶縁基板22の双方に、
切削加工などによって、一体的に、バンクを形成するこ
ともできる。In the embodiment shown in FIG. 5, a substrate made of the same material as the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 is formed so that a portion having a predetermined area is left around the periphery thereof. Punching to form a frame-shaped substrate, and fixing the frame-shaped substrate to the first insulating substrate using an adhesive of the same material as the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22; Thus, the bank 23 can be formed integrally with the first insulating substrate 21 by cutting the first insulating substrate 21 or the like. And both the second insulating substrate 22
The bank can be integrally formed by cutting or the like.
【0249】さらに、図5に示された実施態様において
は、第一の絶縁基板21に、互いに対向する2つの側部
に沿って、その高さが、固体電解コンデンサ10の厚さ
よりも大きいバンク23が形成されているが、バンク2
3を形成することは必ずしも必要ではなく、スペーサに
よって代用することもできるし、単に、樹脂26によっ
て、第一の絶縁基板21と第二の絶縁基板22とを、固
体電解コンデンサ10を挟んで、互いに離間するよう
に、一体化することもできる。Furthermore, in the embodiment shown in FIG. 5, the first insulating substrate 21 has a bank along its two opposing sides, the height of which is larger than the thickness of the solid electrolytic capacitor 10. 23 are formed, but the bank 2
It is not always necessary to form 3 and a spacer may be used instead. Alternatively, the first insulating substrate 21 and the second insulating substrate 22 may be simply sandwiched by the resin 26 with the solid electrolytic capacitor 10 interposed therebetween. They may be integrated so as to be separated from each other.
【0250】さらに、図1ないし図5に示された実施態
様においては、箔状のアルミニウム基体2の溶接接合部
4に隣接する粗面化された表面領域が、その全周にわた
り、ハンドプレスによって、加圧されて、平滑化され、
平滑化領域5が形成され、また、図6ないし図8に示さ
れた実施態様においては、酸化アルミニウム皮膜が形成
された箔状のアルミニウム基体42の溶接接合部46に
隣接する表面領域が、その全周にわたって、ハンドプレ
スにより、加圧されて、平滑化され、平滑化領域47が
形成されているが、平滑化領域5、47は、少なくとも
溶接接合部4、46に隣接する箔状のアルミニウム基体
2、42に形成されていればよく、さらに、溶接接合部
4、46を形成している箔状のアルミニウム基体2、4
2の領域を含んで、形成されていてもよい。Further, in the embodiment shown in FIGS. 1 to 5, the roughened surface area adjacent to the welded joint 4 of the foil-shaped aluminum base 2 is formed by hand pressing over the entire circumference thereof. , Pressurized, smoothed,
In the embodiment shown in FIGS. 6 to 8 in which the smoothing region 5 is formed, the surface region adjacent to the welding joint 46 of the foil-shaped aluminum substrate 42 on which the aluminum oxide film is formed is the surface region thereof. The entire surface is pressed and smoothed by a hand press to form a smoothed region 47. The smoothed regions 5, 47 are formed of at least the foil-like aluminum adjacent to the weld joints 4, 46. It may be formed on the bases 2 and 42, and further, the foil-like aluminum bases 2 and 4 forming the weld joints 4 and 46.
2 may be formed.
【0251】[0251]
【発明の効果】本発明によれば、表面が粗面化され、絶
縁性酸化皮膜が形成された箔状の弁金属基体と、箔状の
弁金属基体に、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層お
よび導電体層が、順次、形成された固体電解コンデンサ
であって、回路基板に内蔵するのに適した固体電解コン
デンサおよび固体電解コンデンサ内蔵基板ならびにそれ
らの製造方法を提供することが可能になる。According to the present invention, a foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, and an insulating oxide film and a solid polymer formed on the foil-shaped valve metal substrate. It is possible to provide a solid electrolytic capacitor in which an electrolyte layer and a conductor layer are sequentially formed, and a solid electrolytic capacitor and a solid electrolytic capacitor built-in substrate suitable for being built in a circuit board, and a method for manufacturing the same. Become.
【図1】図1は、本発明の好ましい実施態様にかかる固
体電解コンデンサの陽極電極の略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of an anode electrode of a solid electrolytic capacitor according to a preferred embodiment of the present invention.
【図2】図2は、図1のA−A線に沿った略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the line AA of FIG. 1;
【図3】図3は、箔状のアルミニウム基体のエッジ部
に、酸化アルミニウム皮膜を形成する陽極酸化方法を示
す略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an anodic oxidation method for forming an aluminum oxide film on an edge of a foil-shaped aluminum substrate.
【図4】図4は、固体電解コンデンサの略断面図であ
る。FIG. 4 is a schematic sectional view of a solid electrolytic capacitor.
【図5】図5は、固体電解コンデンサ内蔵プリント基板
の略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a printed circuit board with a built-in solid electrolytic capacitor.
【図6】図6は、本発明の他の好ましい実施態様にかか
る固体電解コンデンサの陽極電極の略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of an anode electrode of a solid electrolytic capacitor according to another preferred embodiment of the present invention.
【図7】図7は、図6のB−B線に沿った略断面図であ
る。FIG. 7 is a schematic sectional view taken along the line BB of FIG. 6;
【図8】図8は、表面が粗面化されている箔状のアルミ
ニウム基体のエッジ部に、酸化アルミニウム皮膜を形成
する陽極酸化方法を示す略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an anodic oxidation method for forming an aluminum oxide film on an edge portion of a foil-shaped aluminum substrate having a roughened surface.
1 陽極電極 2 箔状のアルミニウム基体 3 箔状の銅基体 4 溶接接合部 5 平滑化領域 7 ステンレスビーカー 8 化成溶液 10 固体電解コンデンサ 11 固体高分子電解質層 12 グラファイトペースト層 13 銀ペースト層 14 陰極電極 20 固体電解コンデンサ内蔵プリント基板 21 第一の絶縁基板 22 第二の絶縁基板 23 第一の絶縁基板のバンク 24 配線パターン 25 スルーホール 26 樹脂 27 配線パターン 28 スルーホール 29 接着剤 30 電子部品 31 ハンダ 32 導電性樹脂 41 陽極電極 42 表面が粗面化されている箔状のアルミニウム基体 43 表面が粗面化されていない箔状のアルミニウム基
体 44 箔状の銅基体 45 溶接接合部 46 溶接接合部 47 平滑化領域 48 ステンレスビーカー 49 化成溶液DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode electrode 2 Foil-shaped aluminum base 3 Foil-shaped copper base 4 Weld joint 5 Smoothing area 7 Stainless beaker 8 Chemical conversion solution 10 Solid electrolytic capacitor 11 Solid polymer electrolyte layer 12 Graphite paste layer 13 Silver paste layer 14 Cathode electrode Reference Signs List 20 Printed board with built-in solid electrolytic capacitor 21 First insulating substrate 22 Second insulating substrate 23 Bank of first insulating substrate 24 Wiring pattern 25 Through hole 26 Resin 27 Wiring pattern 28 Through hole 29 Adhesive 30 Electronic component 31 Solder 32 Conductive resin 41 Anode electrode 42 Foil-shaped aluminum base having a roughened surface 43 Foil-shaped aluminum base not having a roughened surface 44 Foil-shaped copper base 45 Welded joint 46 Welded joint 47 Smooth Chemical area 48 Stainless beaker 49 Chemical conversion solution
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南波 憲良 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Noriyoshi Nanba 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation
Claims (16)
成された箔状の弁金属基体と、前記箔状の弁金属基体
に、少なくとも、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層
および導電体層が、順次、形成された固体電解コンデン
サであって、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成
された箔状の弁金属基体の一端部近傍領域に、箔状のリ
ード電極金属基体の一端部近傍領域が、金属間が電気的
に接続されるように、接合されて、接合部が形成され、
前記箔状の弁金属基体が、少なくとも前記接合部に隣接
する部分に、実質的に平滑な表面領域を有する陽極電極
を備えた少なくとも1つの固体電解コンデンサが、絶縁
基板の一方の面に取り付けられたことを特徴とする固体
電解コンデンサ内蔵基板。1. A foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, and at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, The conductor layer is a solid electrolytic capacitor formed sequentially, and a foil-like lead electrode is provided in a region near one end of a foil-like valve metal base having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon. An area near one end of the metal base is joined so that the metal is electrically connected to form a joint,
At least one solid electrolytic capacitor having an anode electrode having a substantially smooth surface area is attached to one surface of an insulating substrate, wherein the foil-shaped valve metal substrate has at least a portion adjacent to the joint. A substrate with a built-in solid electrolytic capacitor.
性金属基体によって形成されたことを特徴とする請求項
1に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。2. The solid electrolytic capacitor built-in substrate according to claim 1, wherein said foil-shaped lead electrode metal substrate is formed of a conductive metal substrate.
面化されていない箔状の弁金属基体と、導電性金属基体
を含み、表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成され
た前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領域に、表面が粗
面化されていない前記箔状の弁金属基体の一端部近傍領
域が、弁金属間が電気的に接続されるように、接合さ
れ、表面が粗面化されていない前記箔状の弁金属基体の
他端部近傍領域に、前記箔状の導電性金属基体の一端部
近傍領域が、金属が電気的に接続されるように、接合さ
れた陽極電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載
の固体電解コンデンサ内蔵基板。3. The foil-shaped lead electrode substrate includes a foil-shaped valve metal substrate having a non-roughened surface and a conductive metal substrate, and the surface is roughened to form an insulating oxide film. In the region near one end of the foil-shaped valve metal substrate, the region near one end of the foil-shaped valve metal substrate, whose surface is not roughened, is electrically connected between valve metals. The metal is electrically connected to the area near the other end of the foil-shaped valve metal base, which is joined and the surface of which is not roughened, to the area near the other end of the foil-shaped conductive metal base. 2. The substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to claim 1, further comprising an anode electrode joined as described above.
成された前記箔状の弁金属基体が、一部の表面を残し
て、粗面化されていない箔状の弁金属基体の表面を粗面
化して、形成され、前記実質的に平滑な表面領域が前記
一部の表面によって形成されたことを特徴とする請求項
1ないし3のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ
内蔵基板。4. The foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon is a foil-shaped valve metal substrate which is not roughened except for a part of the surface. 4. The built-in solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the surface is formed by roughening the surface, and the substantially smooth surface region is formed by the partial surface. substrate.
1つの配線パターンが形成されたことを特徴とする請求
項1ないし4のいずれか1項に記載の固体電解コンデン
サ内蔵基板。5. The solid electrolytic capacitor built-in substrate according to claim 1, wherein at least one wiring pattern is formed on the other surface of said insulating substrate.
板と対向する第二の絶縁基板を備え、前記固体電解コン
デンサが、前記絶縁基板の一方の面と前記第二の絶縁基
板の一方の面の間に一体的に取り付けられたことを特徴
とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の固体電
解コンデンサ内蔵基板。6. In addition to the insulating substrate, further comprising a second insulating substrate facing the insulating substrate, wherein the solid electrolytic capacitor includes one surface of the insulating substrate and one surface of the second insulating substrate. The substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to any one of claims 1 to 5, wherein the substrate is integrally mounted between the surfaces.
くとも1つの配線パターンが形成されたことを特徴とす
る請求項6に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。7. The substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to claim 6, wherein at least one wiring pattern is formed on the other surface of the second insulating substrate.
合部の近傍の前記箔状の弁金属基体の粗面化された表面
に、加圧処理、圧延処理、切削処理およびカレンダリン
グ処理よりなる群から選ばれる平滑化処理が施されて、
形成されたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれ
か1項に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。8. The substantially smooth surface area is applied to a roughened surface of the foil-shaped valve metal base near the joint by pressing, rolling, cutting and calendering. A smoothing process selected from the group consisting of
The solid electrolytic capacitor built-in substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein the substrate is formed.
に、前記箔状の弁金属基体の全周にわたって、前記箔状
の弁金属基体に、前記実質的に平滑な表面領域が形成さ
れたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項
に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板。9. At least in a portion adjacent to the joint, the substantially smooth surface area is formed on the foil-shaped valve metal base over the entire circumference of the foil-shaped valve metal base. The substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to claim 1.
形成された箔状の弁金属基体と、前記箔状の弁金属基体
に、少なくとも、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層
および導電体層が、順次、形成された少なくとも1つの
固体電解コンデンサを内蔵する固体電解コンデンサ内蔵
基板の製造方法であって、 表面が粗面化され、絶縁性酸化皮膜が形成された箔状の
弁金属基体の一端部近傍領域と、箔状のリード電極金属
基体の一端部近傍領域とを、金属間が電気的に接続され
るように、接合して、接合部を形成し、前記箔状の弁金
属基体と前記箔状のリード電極金属基体の接合体を形成
する工程と、 前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電極金属基体
の接合体を構成する前記箔状の弁金属基体を、化成溶液
に浸し、前記接合体に、電圧を印加して、陽極酸化処理
を施し、前記弁金属基体の少なくともエッジ部分に、絶
縁性酸化皮膜を形成する工程と、 陽極酸化処理が施された前記箔状の弁金属基体の全表面
上に、固体高分子電解質層を形成する工程と、 前記固体高分子電解質層上に、導電性ペーストを塗布
し、乾燥して、導電体層を形成し、少なくとも1つの固
体電解コンデンサを生成する工程と、 前記少なくとも1つの固体電解コンデンサを、絶縁基板
の一方の面に、取り付ける工程とを備え、 さらに、前記絶縁性酸化皮膜を形成する工程に先立っ
て、少なくとも前記接合部に隣接する前記箔状の弁金属
基体の粗面化された表面に、平滑化処理を施して、実質
的に平滑な表面領域を形成する工程を含み、 前記箔状の弁金属基体の前記実質的に平滑な表面領域を
除く部分のみを化成溶液に浸して、陽極酸化処理を施
し、前記弁金属基体の少なくともエッジ部分に、絶縁性
酸化皮膜を形成することを特徴とする固体電解コンデン
サ内蔵基板の製造方法。10. A foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, and at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, What is claimed is: 1. A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, in which a conductive layer includes at least one solid electrolytic capacitor sequentially formed, the foil-shaped valve having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon. A region near one end of the metal substrate and a region near one end of the foil-shaped lead electrode metal substrate are joined so that metal is electrically connected to form a joint, and the foil-shaped Forming a joined body of the valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base; and forming the joined body of the foil-shaped valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base. Is immersed in a chemical conversion solution, and a voltage is applied to the joined body. Performing an anodizing treatment to form an insulating oxide film on at least an edge portion of the valve metal base; and forming a solid on the entire surface of the anodized foil-shaped valve metal base. A step of forming a polymer electrolyte layer, a step of applying a conductive paste on the solid polymer electrolyte layer, and drying to form a conductor layer, and forming at least one solid electrolytic capacitor; Attaching at least one solid electrolytic capacitor to one surface of an insulating substrate, further comprising, prior to the step of forming the insulating oxide film, at least the foil-shaped valve metal adjacent to the joint portion A step of subjecting the roughened surface of the substrate to a smoothing process to form a substantially smooth surface area, and excluding the substantially smooth surface area of the foil-shaped valve metal base. Only A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, characterized in that the substrate is immersed in a chemical conversion solution, anodized, and an insulating oxide film is formed on at least an edge portion of the valve metal substrate.
基体の粗面化された表面に、加圧処理、圧延処理、切削
処理およびカレンダリング処理よりなる群から選ばれる
平滑化処理を施して、前記実質的に平滑な表面領域を形
成することを特徴とする請求項10に記載の固体電解コ
ンデンサ内蔵基板の製造方法。11. A smoothing process selected from the group consisting of a pressing process, a rolling process, a cutting process, and a calendering process is performed on the roughened surface of the foil-shaped valve metal base near the joint. 11. The method of manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to claim 10, wherein the substrate is formed to form the substantially smooth surface region.
て、少なくとも前記接合部に隣接する前記箔状の弁金属
基体の粗面化された表面に平滑化処理を施して、前記実
質的に平滑な表面領域を形成することを特徴とする請求
項10または11に記載の固体電解コンデンサ内蔵基板
の製造方法。12. A flattening process is performed on at least the roughened surface of the foil-shaped valve metal substrate adjacent to the joining portion over the entire periphery of the foil-shaped valve metal substrate, The method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to claim 10 or 11, wherein a smooth surface region is formed.
形成された箔状の弁金属基体と、前記箔状の弁金属基体
に、少なくとも、絶縁性酸化皮膜、固体高分子電解質層
および導電体層が、順次、形成された少なくとも1つの
固体電解コンデンサを内蔵する固体電解コンデンサ内蔵
基板の製造方法であって、 表面が粗面化処理されていない箔状の弁金属基体の一端
部近傍領域と、導電性金属基体の一端部近傍領域とを、
金属間が電気的に接続されるように、接合して、接合部
を形成し、前記箔状の弁金属基体と前記箔状のリード電
極金属基体の接合体を形成する工程と、 前記接合部に隣接する部分を除く前記箔状の弁金属基体
の表面に粗面化処理を施す工程と、 前記箔状の弁金属基体の粗面化処理が施されていない部
分の一部と、粗面化処理が施された部分を、前記箔状の
弁金属基体を、化成溶液に浸し、前記接合体に、電圧を
印加して、陽極酸化処理を施し、前記弁金属基体の少な
くともエッジ部分に、絶縁性酸化皮膜を形成する工程
と、 陽極酸化処理が施された前記箔状の弁金属基体の全表面
上に、固体高分子電解質層を形成する工程と、 前記固体高分子電解質層上に、導電性ペーストを塗布
し、乾燥して、導電体層を形成し、少なくとも1つの固
体電解コンデンサを生成する工程と、 前記固体電解コンデンサを、一方の面に、少なくとも1
つの配線パターンが形成された絶縁基板の他方の面に、
取り付ける工程とを備えたことを特徴とする固体電解コ
ンデンサ内蔵基板の製造方法。13. A foil-shaped valve metal substrate having a roughened surface and an insulating oxide film formed thereon, and at least an insulating oxide film, a solid polymer electrolyte layer, A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor built-in substrate in which a conductor layer sequentially includes at least one solid electrolytic capacitor formed therein, the surface of which is near one end of a foil-shaped valve metal substrate whose surface is not roughened. The region and the region near one end of the conductive metal substrate,
Joining to form a joint so that the metals are electrically connected, forming a joined body of the foil-shaped valve metal base and the foil-shaped lead electrode metal base; and Performing a surface roughening process on the surface of the foil-shaped valve metal base except for a portion adjacent to the surface of the foil-shaped valve metal base; a portion of the foil-shaped valve metal base not subjected to the surface roughening process; The portion subjected to the chemical treatment, the foil-shaped valve metal substrate, immersed in a chemical conversion solution, applying a voltage to the joined body, performing an anodizing treatment, at least the edge portion of the valve metal substrate, A step of forming an insulating oxide film; a step of forming a solid polymer electrolyte layer on the entire surface of the foil-shaped valve metal substrate that has been subjected to anodizing; and a step of forming a solid polymer electrolyte layer on the solid polymer electrolyte layer. A conductive paste is applied and dried to form a conductive layer, and at least one solid state electrode is formed. Producing a dissolving capacitor; and attaching the solid electrolytic capacitor to at least one surface on one side.
On the other surface of the insulating substrate on which one wiring pattern is formed,
A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor, comprising a step of attaching.
少なくとも1つの配線パターンを形成することを特徴と
する請求項10ないし13のいずれか1項に記載の固体
電解コンデンサ内蔵基板の製造方法。14. The method according to claim 14, further comprising:
The method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor according to any one of claims 10 to 13, wherein at least one wiring pattern is formed.
縁基板が用いられ、前記第二の絶縁基板の一方の面が、
前記固体電解コンデンサに対向するように、前記固体電
解コンデンサを、前記第一の絶縁基板および前記第二の
絶縁基板の間に固定することを特徴とする請求項10な
いし14のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ内
蔵基板の製造方法。15. In addition to the insulating substrate, a second insulating substrate is used, and one surface of the second insulating substrate is
The solid electrolytic capacitor according to any one of claims 10 to 14, wherein the solid electrolytic capacitor is fixed between the first insulating substrate and the second insulating substrate so as to face the solid electrolytic capacitor. A method for manufacturing a substrate with a built-in solid electrolytic capacitor as described in the above.
面に、少なくとも1つの配線パターンを形成することを
特徴とする請求項15に記載の固体電解コンデンサ内蔵
基板の製造方法。16. The method according to claim 15, further comprising forming at least one wiring pattern on the other surface of the second insulating substrate.
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-
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- 2002-03-08 JP JP2002063338A patent/JP2002359162A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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