JP2002359100A - 超伝導加速装置のベント方法 - Google Patents
超伝導加速装置のベント方法Info
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- JP2002359100A JP2002359100A JP2001166223A JP2001166223A JP2002359100A JP 2002359100 A JP2002359100 A JP 2002359100A JP 2001166223 A JP2001166223 A JP 2001166223A JP 2001166223 A JP2001166223 A JP 2001166223A JP 2002359100 A JP2002359100 A JP 2002359100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱遮蔽膜層を傷める恐れがなく、しかも真空
容器内を再び真空排気する時の真空度の立ち上がりが速
いベント方法を提供する。 【解決手段】 この超伝導加速装置は、液体ヘリウム容
器６と真空容器１６との間の熱遮蔽手段として、第１熱
遮蔽体１０、第２熱遮蔽体１２および両者間に設けられ
た熱遮蔽膜層１５を有しており、この熱遮蔽膜層１５の
温度は例えば２０Ｋと８０Ｋの間に分布している。この
ような装置において、真空状態にある真空容器１６内に
ベントガス１８を導入して真空容器１６内を大気圧状態
に戻す際に、ベントガス１８としてヘリウムガスを用い
る。
容器内を再び真空排気する時の真空度の立ち上がりが速
いベント方法を提供する。 【解決手段】 この超伝導加速装置は、液体ヘリウム容
器６と真空容器１６との間の熱遮蔽手段として、第１熱
遮蔽体１０、第２熱遮蔽体１２および両者間に設けられ
た熱遮蔽膜層１５を有しており、この熱遮蔽膜層１５の
温度は例えば２０Ｋと８０Ｋの間に分布している。この
ような装置において、真空状態にある真空容器１６内に
ベントガス１８を導入して真空容器１６内を大気圧状態
に戻す際に、ベントガス１８としてヘリウムガスを用い
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、超伝導加速空洞
によって電子、イオン等の荷電粒子を加速する超伝導加
速装置を構成する真空容器内にベントガスを導入して当
該真空容器内を大気圧状態に戻す（いわゆるベントす
る）ベント方法に関する。
によって電子、イオン等の荷電粒子を加速する超伝導加
速装置を構成する真空容器内にベントガスを導入して当
該真空容器内を大気圧状態に戻す（いわゆるベントす
る）ベント方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の超伝導加速装置の一例を図１お
よび図２に示す。なお、これと同様の装置が、特許第３
０９４２９９号に記載されている。
よび図２に示す。なお、これと同様の装置が、特許第３
０９４２９９号に記載されている。
【０００３】この超伝導加速装置は、超伝導状態で電
子、イオン等の荷電粒子２を高周波電界によって加速す
る複数の超伝導加速空洞４を有しており、各超伝導加速
空洞４は互いに直列に接続されている。各超伝導加速空
洞４は、例えばニオブ（Ｎb ）から成る。
子、イオン等の荷電粒子２を高周波電界によって加速す
る複数の超伝導加速空洞４を有しており、各超伝導加速
空洞４は互いに直列に接続されている。各超伝導加速空
洞４は、例えばニオブ（Ｎb ）から成る。
【０００４】この超伝導加速空洞４には、この例では、
同軸管２０およびアンテナ２２を経由して、荷電粒子２
の加速用の高周波電力２４が供給される。超伝導加速空
洞４の数（セル数）およびこの高周波電力２４のパワー
の大きさによって、荷電粒子２の最大の加速エネルギー
は概ね定まる。
同軸管２０およびアンテナ２２を経由して、荷電粒子２
の加速用の高周波電力２４が供給される。超伝導加速空
洞４の数（セル数）およびこの高周波電力２４のパワー
の大きさによって、荷電粒子２の最大の加速エネルギー
は概ね定まる。
【０００５】超伝導加速空洞４は、図示しない冷凍機か
ら液体ヘリウム８が供給され、それを溜める液体ヘリウ
ム容器６内に収納されている。この液体ヘリウム８によ
って、より具体的には液体ヘリウム８に浸すことによっ
て、超伝導加速空洞４を４．２Ｋ程度に冷却して、超伝
導加速空洞４を超伝導状態に保つことができる。液体ヘ
リウム容器６も４．２Ｋ程度の温度になる。
ら液体ヘリウム８が供給され、それを溜める液体ヘリウ
ム容器６内に収納されている。この液体ヘリウム８によ
って、より具体的には液体ヘリウム８に浸すことによっ
て、超伝導加速空洞４を４．２Ｋ程度に冷却して、超伝
導加速空洞４を超伝導状態に保つことができる。液体ヘ
リウム容器６も４．２Ｋ程度の温度になる。
【０００６】この液体ヘリウム容器６は、内部が真空に
排気される常温（約３００Ｋ）の真空容器１６内に収納
されている。この真空容器１６と液体ヘリウム容器６と
の間の輻射熱を遮蔽するために、図２に示すような遮蔽
構造が採用されている。
排気される常温（約３００Ｋ）の真空容器１６内に収納
されている。この真空容器１６と液体ヘリウム容器６と
の間の輻射熱を遮蔽するために、図２に示すような遮蔽
構造が採用されている。
【０００７】即ち、真空容器１６内には、液体ヘリウム
容器６の外側を覆い包むように囲む第１熱遮蔽体１０
と、この第１熱遮蔽体１０の外側を覆い包むように囲む
第２熱遮蔽体１２とが設けられている。この第２熱遮蔽
体１２の外側を真空容器１６が囲んでいる。
容器６の外側を覆い包むように囲む第１熱遮蔽体１０
と、この第１熱遮蔽体１０の外側を覆い包むように囲む
第２熱遮蔽体１２とが設けられている。この第２熱遮蔽
体１２の外側を真空容器１６が囲んでいる。
【０００８】第１熱遮蔽体１０は、図示しない冷凍機に
よって、４．２Ｋより高く５０Ｋより低い温度に、例え
ば２０Ｋ程度の温度に強制的に冷却される。第２熱遮蔽
体１２は、図示しない冷凍機によって、５０Ｋより高く
常温より低い温度に、例えば８０Ｋ程度の温度に強制的
に冷却される。
よって、４．２Ｋより高く５０Ｋより低い温度に、例え
ば２０Ｋ程度の温度に強制的に冷却される。第２熱遮蔽
体１２は、図示しない冷凍機によって、５０Ｋより高く
常温より低い温度に、例えば８０Ｋ程度の温度に強制的
に冷却される。
【０００９】装置の運転時は、真空容器１６内は真空に
排気され、中心部の超伝導加速空洞４から液体ヘリウム
容器６、第１熱遮蔽体１０、第２熱遮蔽体１２および真
空容器１６の間は、機械的に各々を支えることを除け
ば、真空断熱される。即ち、対流伝熱が防止される。
排気され、中心部の超伝導加速空洞４から液体ヘリウム
容器６、第１熱遮蔽体１０、第２熱遮蔽体１２および真
空容器１６の間は、機械的に各々を支えることを除け
ば、真空断熱される。即ち、対流伝熱が防止される。
【００１０】輻射熱に関しては、二つの物体間の輻射に
よる熱移動量は、両物体間の温度差ΔＴの４乗に比例す
る。従って、両物体間に中間物を入れて中間温度段階を
介せば、輻射熱移動量を大幅に低減することができる。
そのために、この例では、液体ヘリウム容器６と真空容
器１６との間に、上記のような第１熱遮蔽体１０および
第２熱遮蔽体１２を設けている。
よる熱移動量は、両物体間の温度差ΔＴの４乗に比例す
る。従って、両物体間に中間物を入れて中間温度段階を
介せば、輻射熱移動量を大幅に低減することができる。
そのために、この例では、液体ヘリウム容器６と真空容
器１６との間に、上記のような第１熱遮蔽体１０および
第２熱遮蔽体１２を設けている。
【００１１】更に輻射熱移動量を低減させるために、こ
の例では、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との間
に第１熱遮蔽体１０を囲むように、複数層（例えば１０
０層程度）の熱遮蔽膜１４から成る熱遮蔽膜層１５を設
けている。この熱遮蔽膜層１５は、スーパーインシュレ
ータとも呼ばれる。熱遮蔽膜層１５を構成する各熱遮蔽
膜１４は、例えば、厚さがμｍ単位の非常に薄いプラス
チック膜の表面に、輻射熱の透過を抑えるアルミニウム
等の金属膜を形成（例えば蒸着）したものである。この
各熱遮蔽膜１４は、輻射熱（遠赤外光）の透過を抑える
けれども、通常は非常に薄くて弱いものである。
の例では、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との間
に第１熱遮蔽体１０を囲むように、複数層（例えば１０
０層程度）の熱遮蔽膜１４から成る熱遮蔽膜層１５を設
けている。この熱遮蔽膜層１５は、スーパーインシュレ
ータとも呼ばれる。熱遮蔽膜層１５を構成する各熱遮蔽
膜１４は、例えば、厚さがμｍ単位の非常に薄いプラス
チック膜の表面に、輻射熱の透過を抑えるアルミニウム
等の金属膜を形成（例えば蒸着）したものである。この
各熱遮蔽膜１４は、輻射熱（遠赤外光）の透過を抑える
けれども、通常は非常に薄くて弱いものである。
【００１２】このような熱遮蔽膜層１５を設けると、そ
れを構成する熱遮蔽膜１４の層数（枚数）をｎとする
と、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との間の輻射
熱移動量は、互いに独立な理想的なときはこの熱遮蔽膜
層１５を設けない場合の１／（ｎ＋１）になるので、輻
射熱絶縁の効果は大きく、この効果は層数ｎを大きくす
るほど大きくなる。このような熱遮蔽膜層１５を設ける
ことによって、第１熱遮蔽体１０の温度を前述した２０
Ｋ程度に容易に下げることができる。
れを構成する熱遮蔽膜１４の層数（枚数）をｎとする
と、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との間の輻射
熱移動量は、互いに独立な理想的なときはこの熱遮蔽膜
層１５を設けない場合の１／（ｎ＋１）になるので、輻
射熱絶縁の効果は大きく、この効果は層数ｎを大きくす
るほど大きくなる。このような熱遮蔽膜層１５を設ける
ことによって、第１熱遮蔽体１０の温度を前述した２０
Ｋ程度に容易に下げることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような超伝導加
速装置では、メインテナンス等のために、真空状態にあ
る真空容器１６内を大気圧状態に戻す場合がある。この
とき、真空容器１６内にはベントガスと呼ばれるガス１
８を導入して大気圧状態に戻す。即ちベントする。この
ベントガス１８には、従来から一般的に、乾燥した窒素
ガスが用いられていた。
速装置では、メインテナンス等のために、真空状態にあ
る真空容器１６内を大気圧状態に戻す場合がある。この
とき、真空容器１６内にはベントガスと呼ばれるガス１
８を導入して大気圧状態に戻す。即ちベントする。この
ベントガス１８には、従来から一般的に、乾燥した窒素
ガスが用いられていた。
【００１４】しかし、ベントガス１８に窒素ガスを用い
る従来のベント方法には次のような課題がある。
る従来のベント方法には次のような課題がある。
【００１５】即ち、窒素の液化温度および固化温度は、
それぞれ、約７７．３Ｋおよび約６３．３Ｋである。こ
れに対して、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との
間にある熱遮蔽膜層１５の温度は、ベント時には、両熱
遮蔽体１０、１２の温度の間に分布している。例えば、
前述したように第１熱遮蔽体１０の冷却温度は２０Ｋ程
度、第２熱遮蔽体１２の冷却温度は８０Ｋ程度であり、
従って熱遮蔽膜層１５の温度はこの２０Ｋと８０Ｋの間
に分布している。
それぞれ、約７７．３Ｋおよび約６３．３Ｋである。こ
れに対して、第１熱遮蔽体１０と第２熱遮蔽体１２との
間にある熱遮蔽膜層１５の温度は、ベント時には、両熱
遮蔽体１０、１２の温度の間に分布している。例えば、
前述したように第１熱遮蔽体１０の冷却温度は２０Ｋ程
度、第２熱遮蔽体１２の冷却温度は８０Ｋ程度であり、
従って熱遮蔽膜層１５の温度はこの２０Ｋと８０Ｋの間
に分布している。
【００１６】熱遮蔽膜層１５は層数が多くまた断熱効果
が高いこと等もあって、ベント時に熱遮蔽膜層１５の温
度はなかなか上昇せず、この熱遮蔽膜層１５にベント用
の窒素ガスが入って液化したり固化したりすることが起
こる。固化した場合は、固体窒素の成長によって熱遮蔽
膜１４を突き破る等して、熱遮蔽膜層１５を傷めること
がある。そうでなくても、熱遮蔽膜層１５に液化または
固化した窒素が存在していると、真空容器１６内を再び
真空排気する時の真空度の立ち上がりを非常に遅くす
る。気体と違って、液体や固体の真空排気による排出は
難しいからである。
が高いこと等もあって、ベント時に熱遮蔽膜層１５の温
度はなかなか上昇せず、この熱遮蔽膜層１５にベント用
の窒素ガスが入って液化したり固化したりすることが起
こる。固化した場合は、固体窒素の成長によって熱遮蔽
膜１４を突き破る等して、熱遮蔽膜層１５を傷めること
がある。そうでなくても、熱遮蔽膜層１５に液化または
固化した窒素が存在していると、真空容器１６内を再び
真空排気する時の真空度の立ち上がりを非常に遅くす
る。気体と違って、液体や固体の真空排気による排出は
難しいからである。
【００１７】そこでこの発明は、上記のような熱遮蔽膜
層を傷める恐れがなく、しかも真空容器内を再び真空排
気する時の真空度の立ち上がりが速いベント方法を提供
することを主たる目的とする。
層を傷める恐れがなく、しかも真空容器内を再び真空排
気する時の真空度の立ち上がりが速いベント方法を提供
することを主たる目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明のベント方法
は、真空状態にある前記真空容器内にベントガスを導入
して当該真空容器内を大気圧状態に戻す際に、当該ベン
トガスとしてヘリウムガスを用いることを特徴としてい
る。
は、真空状態にある前記真空容器内にベントガスを導入
して当該真空容器内を大気圧状態に戻す際に、当該ベン
トガスとしてヘリウムガスを用いることを特徴としてい
る。
【００１９】熱遮蔽膜層の温度は、ベント時には、例え
ば前述したように第１熱遮蔽体の温度と第２熱遮蔽体の
温度の間に分布しているけれども、ヘリウムの液化温度
である４．２Ｋよりも必ず高い温度にある。従って、ベ
ントガスにヘリウムガスを用いれば、熱遮蔽膜層におい
て、ヘリウムが液化することも固化することもない。従
って、熱遮蔽膜層を傷める恐れがなく、しかも真空容器
内を再び真空排気する時の真空度の立ち上がりも速い。
ば前述したように第１熱遮蔽体の温度と第２熱遮蔽体の
温度の間に分布しているけれども、ヘリウムの液化温度
である４．２Ｋよりも必ず高い温度にある。従って、ベ
ントガスにヘリウムガスを用いれば、熱遮蔽膜層におい
て、ヘリウムが液化することも固化することもない。従
って、熱遮蔽膜層を傷める恐れがなく、しかも真空容器
内を再び真空排気する時の真空度の立ち上がりも速い。
【００２０】
【発明の実施の形態】超伝導加速装置の構造の例は、図
１および図２を参照して上述したのと同様であるので、
ここでは重複説明を省略する。
１および図２を参照して上述したのと同様であるので、
ここでは重複説明を省略する。
【００２１】この発明に係るベント方法では、真空状態
にある前記真空容器１６内にベントガス１８を導入して
真空容器１６内を大気圧状態に戻す際に、当該ベントガ
ス１８としてヘリウムガスを用いる。これには、もちろ
ん、乾燥したヘリウムガスを用いるのが好ましい。
にある前記真空容器１６内にベントガス１８を導入して
真空容器１６内を大気圧状態に戻す際に、当該ベントガ
ス１８としてヘリウムガスを用いる。これには、もちろ
ん、乾燥したヘリウムガスを用いるのが好ましい。
【００２２】前記熱遮蔽膜層１５の温度は、前述したよ
うに、ベント時には、第１熱遮蔽体１０の温度と第２熱
遮蔽体１２の温度の間に分布しているけれども、ヘリウ
ムの液化温度である４．２Ｋよりも必ず高い温度にあ
る。より具体例を挙げれば、前述したように、熱遮蔽膜
層１５の温度は、第１熱遮蔽体１０の温度である２０Ｋ
程度と第２熱遮蔽体１２の温度である８０Ｋ程度の間に
分布している。従って、ベントガス１８にヘリウムガス
を用いれば、熱遮蔽膜層１５において、ヘリウムが液化
することはない。もちろん固化することもない。
うに、ベント時には、第１熱遮蔽体１０の温度と第２熱
遮蔽体１２の温度の間に分布しているけれども、ヘリウ
ムの液化温度である４．２Ｋよりも必ず高い温度にあ
る。より具体例を挙げれば、前述したように、熱遮蔽膜
層１５の温度は、第１熱遮蔽体１０の温度である２０Ｋ
程度と第２熱遮蔽体１２の温度である８０Ｋ程度の間に
分布している。従って、ベントガス１８にヘリウムガス
を用いれば、熱遮蔽膜層１５において、ヘリウムが液化
することはない。もちろん固化することもない。
【００２３】従って、固化したヘリウムによって熱遮蔽
膜層１５を傷めるという恐れはない。また、熱遮蔽膜層
１５に液化または固化したヘリウムが存在することはな
いので、真空容器１６内を再び真空排気する時の真空度
の立ち上がりも速い。即ち、ベントガス１８に窒素ガス
を用いたときよりも速やかに真空容器１６内の真空度を
良くすることができる。
膜層１５を傷めるという恐れはない。また、熱遮蔽膜層
１５に液化または固化したヘリウムが存在することはな
いので、真空容器１６内を再び真空排気する時の真空度
の立ち上がりも速い。即ち、ベントガス１８に窒素ガス
を用いたときよりも速やかに真空容器１６内の真空度を
良くすることができる。
【００２４】なお、第１熱遮蔽体１０の前述した温度２
０Ｋ程度、および第２熱遮蔽体１２の前述した温度８０
Ｋ程度は、それぞれ一例であり、前述した温度範囲内に
おいて、この例とは別の温度を選んでも良い。例えば、
第１熱遮蔽体１０の温度を４０Ｋ程度にしても良い。そ
の場合でも、熱遮蔽膜層１５の温度はヘリウムの液化温
度よりも必ず高い温度にあるので、上記作用効果を奏す
ることができる。
０Ｋ程度、および第２熱遮蔽体１２の前述した温度８０
Ｋ程度は、それぞれ一例であり、前述した温度範囲内に
おいて、この例とは別の温度を選んでも良い。例えば、
第１熱遮蔽体１０の温度を４０Ｋ程度にしても良い。そ
の場合でも、熱遮蔽膜層１５の温度はヘリウムの液化温
度よりも必ず高い温度にあるので、上記作用効果を奏す
ることができる。
【００２５】また、この発明のベント方法は、上記例の
ように二つの熱遮蔽体１０および１２を有する装置に限
られるものではなく、上記のような熱遮蔽膜層１５を構
成する熱遮蔽膜１４の少なくとも一部が、液体ヘリウム
の温度である４．２Ｋより高く、窒素ガスを液化または
固化させる温度である６０Ｋより低い温度に曝される装
置に適用することもできる。その場合でも、ベントガス
１８にヘリウムガスを用いれば、熱遮蔽膜層１５でヘリ
ウムが液化することも固化することもないので、前述し
たような作用効果を奏することができる。つまり、強制
的に冷却される熱遮蔽体は、一つでも良いし、なくても
良いし、三つ以上でも良い。例えば、前記第１熱遮蔽体
１０と液体ヘリウム容器６との間に更に他の熱遮蔽体を
設けても良いし、第２熱遮蔽体１２と真空容器１６との
間に更に他の熱遮蔽体を設けても良い。
ように二つの熱遮蔽体１０および１２を有する装置に限
られるものではなく、上記のような熱遮蔽膜層１５を構
成する熱遮蔽膜１４の少なくとも一部が、液体ヘリウム
の温度である４．２Ｋより高く、窒素ガスを液化または
固化させる温度である６０Ｋより低い温度に曝される装
置に適用することもできる。その場合でも、ベントガス
１８にヘリウムガスを用いれば、熱遮蔽膜層１５でヘリ
ウムが液化することも固化することもないので、前述し
たような作用効果を奏することができる。つまり、強制
的に冷却される熱遮蔽体は、一つでも良いし、なくても
良いし、三つ以上でも良い。例えば、前記第１熱遮蔽体
１０と液体ヘリウム容器６との間に更に他の熱遮蔽体を
設けても良いし、第２熱遮蔽体１２と真空容器１６との
間に更に他の熱遮蔽体を設けても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、真空容
器内のベント時に、熱遮蔽膜層において、ベントガスの
ヘリウムが液化することも固化することもないので、熱
遮蔽膜層を傷める恐れがなく、しかも真空容器内を再び
真空排気する時の真空度の立ち上がりも速い。
器内のベント時に、熱遮蔽膜層において、ベントガスの
ヘリウムが液化することも固化することもないので、熱
遮蔽膜層を傷める恐れがなく、しかも真空容器内を再び
真空排気する時の真空度の立ち上がりも速い。
【図１】超伝導加速装置の一例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿う拡大断面図である。
２ 荷電粒子 ４ 超伝導加速空洞 ６ 液体ヘリウム容器 ８ 液体ヘリウム １０ 第１熱遮蔽体 １２ 第２熱遮蔽体 １５ 熱遮蔽膜層 １６ 真空容器 １８ ベントガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩本 英司 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新ハイボルテージ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G085 BA05 BD10 BE07 EA05
Claims (2)
- 【請求項１】 超伝導状態で荷電粒子を高周波電界によ
って加速する超伝導加速空洞と、この超伝導加速空洞を
収納しており、かつ当該超伝導加速空洞を冷却して超伝
導状態に保つ液体ヘリウムを溜める液体ヘリウム容器
と、この液体ヘリウム容器を収納していて内部が真空に
排気される常温の真空容器と、この真空容器と前記液体
ヘリウム容器との間に設けられていてその間の輻射熱を
遮蔽するものであって、複数層の熱遮蔽膜から成り、当
該熱遮蔽膜の少なくとも一部が４．２Ｋより高く６０Ｋ
より低い温度に曝される熱遮蔽膜層とを備える超伝導加
速装置において、真空状態にある前記真空容器内にベン
トガスを導入して当該真空容器内を大気圧状態に戻す際
に、当該ベントガスとしてヘリウムガスを用いることを
特徴とする超伝導加速装置のベント方法。 - 【請求項２】 超伝導状態で荷電粒子を高周波電界によ
って加速する超伝導加速空洞と、この超伝導加速空洞を
収納しており、かつ当該超伝導加速空洞を冷却して超伝
導状態に保つ液体ヘリウムを溜める液体ヘリウム容器
と、この液体ヘリウム容器の外側を囲んでいて４．２Ｋ
より高く５０Ｋより低い温度に強制的に冷却される第１
熱遮蔽体と、この第１熱遮蔽体の外側を囲んでいて５０
Ｋより高く常温より低い温度に強制的に冷却される第２
熱遮蔽体と、この第２熱遮蔽体と前記第１熱遮蔽体との
間に設けられていて複数層の熱遮蔽膜から成る熱遮蔽膜
層と、前記第２熱遮蔽体の外側を囲んでいて内部が真空
に排気される常温の真空容器とを備える超伝導加速装置
において、真空状態にある前記真空容器内にベントガス
を導入して当該真空容器内を大気圧状態に戻す際に、当
該ベントガスとしてヘリウムガスを用いることを特徴と
する超伝導加速装置のベント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166223A JP4009734B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 超伝導加速装置のベント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166223A JP4009734B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 超伝導加速装置のベント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359100A true JP2002359100A (ja) | 2002-12-13 |
| JP4009734B2 JP4009734B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=19008786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001166223A Expired - Fee Related JP4009734B2 (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 超伝導加速装置のベント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4009734B2 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6474771A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Fujikura Ltd | Superconducting electronic component |
| JPH0394483A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-04-19 | Hitachi Ltd | 冷却手段付きクライオスタット |
| JPH0426100A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-29 | Japan Atom Energy Res Inst | 超電導加速装置 |
| JPH06185844A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-07-08 | Japan Atom Energy Res Inst | 予冷装置一体型超電導マグネット用クライオスタット |
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