JP2002353084A - Information processing system and information processing method - Google Patents

Information processing system and information processing method

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JP2002353084A
JP2002353084A JP2001153470A JP2001153470A JP2002353084A JP 2002353084 A JP2002353084 A JP 2002353084A JP 2001153470 A JP2001153470 A JP 2001153470A JP 2001153470 A JP2001153470 A JP 2001153470A JP 2002353084 A JP2002353084 A JP 2002353084A
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Japan
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information
computer device
computer
processing system
response
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Application number
JP2001153470A
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Japanese (ja)
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Mikako Miyama
美可子 見山
Shiro Kanbara
史朗 蒲原
Yuzuru Oji
譲 大路
Kosuke Okuyama
幸祐 奥山
Megumi Kawakami
恵 河上
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To create and provide information effective for both sides, by integrating the information about both fables and fab. SOLUTION: A computer unit (60) connectable with a network (18) receives the input of the element property information of a semiconductor element from fab (10-12) and also receives the input of design information of a semiconductor integrated circuit from fabless (13-16) via a network, and creates the response information requested by a request source concerned, based on the above input information, in response to the request from the supply source of the above design information, and returns the created response information to the requesting source. For example, the response information is the forecast yield information, at the time of having supposed that the semiconductor integrated circuit is constituted, making use of the element specified by the element property information. Hereby, the fables can know beforehand the yield of products at the time of having placed an order with the fab with products, and it enables easy for proper selection of the fab.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
設計するファブレスと半導体集積回路を製造するファブ
が別会社として運営されている状況下において両方の情
報を統合して双方に有効な情報等を生成して提供する情
報処理システム及び情報処理方法に関し、例えばインタ
ネットを介するネットワークビジネス若しくはEコマー
スに適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for integrating both information in a situation where a fabless for designing a semiconductor integrated circuit and a fab for manufacturing a semiconductor integrated circuit are operated as separate companies, and information effective for both is provided. TECHNICAL FIELD The present invention relates to an information processing system and an information processing method for generating and providing an application, and relates to a technology effective when applied to a network business or E-commerce via the Internet, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路業界における業務の細分
化によりファブとファブレスが別会社として運営される
という状況がある。また、本発明者は、半導体集積回路
製品の歩留まりを上げるための個別技術として、特開2
000−322456、特願2000−106695に
記載の技術を提案した。前者は、測定したデバイス特性
(I−V特性等)から中間データを生成し、そのデータ
から回路シミュレーション用のモデルパラメータを抽出
する方法を提案する。後者は、測定したMOSトランジ
スタの飽和電流と閾値から回路シミュレーション用のモ
デルパラメータを抽出する方法を提案する。
2. Description of the Related Art There is a situation in which fabs and fabless companies are operated as separate companies due to the division of operations in the semiconductor integrated circuit industry. The present inventor has disclosed, as an individual technique for improving the yield of semiconductor integrated circuit products, Japanese Patent Application Laid-open No.
000-322456 and Japanese Patent Application No. 2000-106695. The former proposes a method of generating intermediate data from measured device characteristics (such as IV characteristics) and extracting model parameters for circuit simulation from the data. The latter proposes a method of extracting model parameters for circuit simulation from the measured saturation current and threshold value of the MOS transistor.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ファブと
ファブレスが別会社として運営されるという状況に着目
すると、ファブレスがファブにLSIの製造を依頼する
前に、相互に一方の情報を他方が知って有利な場合の有
ることを見出した。例えば、ファブレスがどのファブに
製品を注文するのがコスト的に、また、時期的に良いか
を判断するのに必要な情報を入手できれば都合がよい。
また、ファブレスにとってコストダウンや製品開発のQ
TAT(Quick Turn Around Time)化を図るにはデバイ
ス特性との関係も考慮した方がよいことがあり、ファブ
のデバイス特性等を入手できるとよい。また、ファブレ
スは回路設計に用いる回路シミュレーションのためのデ
バイスパラメータを決定するために必要なデバイス特性
をファブから取得できれば、製造依頼候補となるファブ
のデバイスを用いた場合の回路シミュレーションが可能
になる。ファブにとっては回路特性との関係を考慮して
歩留を上げる方策を考えた方がよい場合も有り、ファブ
レスが発注しようとするLSIのベンチマーク回路の情
報などを予め入手できるとよい。
The inventor of the present invention pays attention to the situation in which fab and fabless are operated as separate companies. Before fabless requests fab to manufacture an LSI, one of the information is mutually exchanged. Found that there are cases where it is advantageous to know. For example, it would be convenient if the fabless could obtain the information necessary to determine which fab to order the product in terms of cost and time.
In addition, for fabless, cost reduction and Q
In order to achieve TAT (Quick Turn Around Time), it may be better to consider the relationship with the device characteristics, and it is preferable to obtain the device characteristics of the fab. In the case of fabless, if device characteristics necessary for determining device parameters for circuit simulation used in circuit design can be obtained from the fab, circuit simulation using a fab device that is a candidate for manufacturing request becomes possible. In some cases, it is better for the fab to consider a measure to increase the yield in consideration of the relationship with the circuit characteristics, and it is preferable that information on the benchmark circuit of the LSI to be ordered by the fabless can be obtained in advance.

【0004】更に、本発明者は、ファブとファブレスが
相互に一方の情報を他方がそのまま単に入手するだけで
は不十分であることに着目した。即ち、入手した情報の
加工若しくは変換に時間とコストがかかり、必要な情報
をタイムリーに入手できない。
Further, the present inventor has noted that it is not sufficient for a fab and a fabless to simply obtain one piece of information from each other as it is. That is, it takes time and cost to process or convert the obtained information, and necessary information cannot be obtained in a timely manner.

【0005】本発明の目的は、ファブレスとファブの両
方の情報を統合して双方に有効な情報を生成して提供す
る情報処理システム及び情報処理方法を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide an information processing system and an information processing method for integrating information of both fabless and fab to generate and provide effective information for both.

【0006】本発明の別の目的は、ファブレス又はファ
ブの一方の情報を他方に有効な情報に変換し、若しくは
前記一方の情報に他方にとって有効な情報を付加して、
提供する情報処理システム及び情報処理方法を提供する
ことにある。
Another object of the present invention is to convert fabless or fab information into information that is valid for the other, or to add information that is valid for the other to the one information,
An object of the present invention is to provide an information processing system and an information processing method to be provided.

【0007】本発明の更に別の目的は、ファブレス又は
ファブの一方の情報を当該一方に有効な情報に変換し、
若しくは前記一方の情報に付加価値を付けて、提供する
情報処理システム及び情報処理方法を提供することにあ
る。
Still another object of the present invention is to convert information of one of fabless and fab into information effective for the one,
Another object of the present invention is to provide an information processing system and an information processing method for providing the one piece of information with added value.

【0008】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0010】〔1〕(Fb,Fl→KMS→Fb)第1
態様に係る情報処理システムは、ナレッジマネジメント
サーバのようなコンピュータ装置(KMS)がファブ
(Fb)とファブレス(Fl)から情報を入力し、それ
に基づいて生成される応答情報をファブ(Fb)に返
す。
[1] (Fb, Fl → KMS → Fb) First
In the information processing system according to the aspect, a computer device (KMS) such as a knowledge management server inputs information from a fab (Fb) and a fabless (Fl), and returns response information generated based on the information to the fab (Fb). .

【0011】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能なコンピュータ装置(KMS)を有し、前記コ
ンピュータ装置は、前記伝送路を介して、半導体素子の
素子特性情報を例えばファブ(Fb)から入力すると共
に半導体集積回路の設計情報を例えばファブレス(F
l)から入力し、前記素子特性情報の供給元(Fb)か
らの要求に応答して、当該要求元が必要とする応答情報
を前記入力情報に基づいて生成し、生成した応答情報を
前記要求元に返す処理を実行可能である。ファブやファ
ブレスは伝送路に接続されて複数配置されてよい。
In short, the information processing system has a computer device (KMS) connectable to a transmission line, and the computer device transmits, via the transmission line, element characteristic information of a semiconductor element from, for example, a fab (Fb). At the same time, the design information of the semiconductor integrated circuit is input to the fabless (F
1), and in response to a request from a source (Fb) of the element characteristic information, generates response information required by the request source based on the input information, and generates the generated response information in the request. It is possible to execute the return process. A plurality of fabs and fabless may be connected to the transmission path and arranged.

【0012】更に具体的な態様では、前記コンピュータ
装置は、前記伝送路を介して、半導体素子の素子特性情
報と半導体集積回路の設計情報とを受け、前記素子特性
情報の供給元(Fb)からの要求に応答して、当該要求
元への応答情報を、前記半導体集積回路に前記素子特性
情報で特定される素子を用いることを仮定して生成し、
生成した応答情報を前記要求元に返す処理を実行可能で
ある。
In a more specific aspect, the computer device receives element characteristic information of a semiconductor element and design information of a semiconductor integrated circuit via the transmission path, and receives the element characteristic information from a supply source (Fb) of the element characteristic information. In response to the request, the response information to the request source, assuming the use of the element specified by the element characteristic information in the semiconductor integrated circuit is generated,
A process of returning the generated response information to the request source can be executed.

【0013】(ウエハ単価)前記応答情報は、前記素子
特性情報で特定される素子を用いて前記半導体集積回路
を構成すると仮定したときの予測歩留情報と半導体集積
回路の設計情報供給元が提示するチップ単価情報とに基
づいて生成されるウエハ単価情報を含んでよい。これに
より、ファブはファブレスが希望するチップ単価に対し
て収支に見合うウエハ単価を知ることができる。
(Wafer unit price) The response information is provided by predicted yield information and a design information supply source of the semiconductor integrated circuit when it is assumed that the semiconductor integrated circuit is formed using the element specified by the element characteristic information. Wafer unit price information generated based on the chip unit price information to be processed. As a result, the fab can know the wafer unit price that matches the balance of the chip unit price desired by the fabless.

【0014】(ロット投入時期)前記応答情報は、半導
体素子の時系列の素子特性情報(デバイスばらつきデー
タ、配線ばらつきデータ、異物データ)と、前記設計情
報の供給元から与えられる半導体集積回路の必要量及び
製造納期とに基づいて形成されたところの、当該半導体
集積回路の必要量と納期を満足するロット投入時期に関
する情報を含んでよい。これにより、ファブは、少ない
ウエハ枚数で要求個数を製造することができるようにな
り、コストの低減に役立つ。
(Lot input timing) The response information includes time-series element characteristic information (device variation data, wiring variation data, foreign matter data) of the semiconductor element, and the necessity of the semiconductor integrated circuit given from the supply source of the design information. It may include information on the required amount of the semiconductor integrated circuit and the lot introduction time that satisfies the delivery date, which is formed based on the quantity and the production delivery date. As a result, the required number of fabs can be manufactured with a small number of wafers, which contributes to cost reduction.

【0015】〔2〕(Fb,Fl→KMS→Fl)第2
態様に係る情報処理システムはコンピュータ装置(KM
S)がファブ(Fb)とファブレス(Fl)から情報を
入力し、それに基づいて生成される応答情報をファブレ
ス(Fl)に返す。ファブやファブレスは伝送路に接続
されて複数配置されてよい。
[2] (Fb, Fl → KMS → Fl) Second
The information processing system according to the aspect is a computer device (KM
S) inputs information from the fab (Fb) and the fabless (Fl), and returns response information generated based on the information to the fabless (Fl). A plurality of fabs and fabless may be connected to the transmission path and arranged.

【0016】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能なコンピュータ装置を有し、前記コンピュータ
装置は、前記伝送路を介して、半導体素子の素子特性情
報と半導体集積回路の設計情報とを受け、前記設計情報
の供給元(Fl)からの要求に応答して、当該要求元へ
の応答情報を、前記受けた情報に基づいて生成し、生成
した応答情報を前記要求元に返す処理を実行可能であ
る。
In short, the information processing system has a computer device connectable to a transmission line, and the computer device receives element characteristic information of a semiconductor element and design information of a semiconductor integrated circuit via the transmission line. Executing, in response to a request from the design information supply source (Fl), response information to the request source based on the received information, and returning the generated response information to the request source. It is possible.

【0017】更に具体的な態様では、前記コンピュータ
装置は、前記伝送路を介して、半導体素子の素子特性情
報と半導体集積回路の設計情報とを受け、前記設計情報
の供給元(Fl)からの要求に応答して、当該要求元へ
の応答情報を、前記半導体集積回路に前記素子特性情報
で特定される素子を用いることを仮定して生成し、生成
した応答情報を、前記要求元に返す処理を実行可能であ
る。
In a more specific aspect, the computer device receives element characteristic information of a semiconductor element and design information of a semiconductor integrated circuit via the transmission path, and receives the design information from a supply source (Fl) of the design information. In response to the request, response information to the request source is generated on the assumption that the element specified by the element characteristic information is used in the semiconductor integrated circuit, and the generated response information is returned to the request source. Processing can be performed.

【0018】(製品歩留)前記応答情報は、前記素子特
性情報でとくていされる素子を用いて前記半導体集積回
路を構成すると仮定したときの予測歩留情報を含んでよ
い。これにより、ファブレスは各ファブに当該製品を発
注したときの製品歩留まりを事前に知ることができ、フ
ァブの選択を適切に行うことができるようになる。
(Product Yield) The response information may include predicted yield information when it is assumed that the semiconductor integrated circuit is configured using the elements specified by the element characteristic information. As a result, the fabless can know in advance the product yield at the time of ordering the product to each fab, and can appropriately select the fab.

【0019】(チップ単価)前記応答情報は、前記予測
歩留情報と前記素子特性情報供給元が提示するウエハ単
価情報とに基づいて生成されるチップ単価情報を含んで
よい。これにより、ファブレスはデバイスパラメータを
使って回路シミュレーションを行うことによって、各フ
ァブに製品の製造を依頼したときの特性若しくは性能を
確認することができ、性能のスペックを満たす製品を製
造できる適切なファブを選択することが可能になる。
(Chip Unit Price) The response information may include chip unit price information generated based on the predicted yield information and wafer unit price information presented by the element characteristic information supplier. This allows the fabless to perform a circuit simulation using the device parameters to confirm the characteristics or performance when each fab is requested to manufacture a product, and to provide an appropriate fab that can manufacture a product that meets the performance specifications. Can be selected.

【0020】(歩留向上策:図10)前記応答情報は、
前記設計情報の供給元から与えられるベンチマーク回路
の回路特性のばらつきを改善するための半導体集積回路
に対するレイアウト構造に関する情報を含んでよい。こ
れにより、ファブレスは、改善レイアウトを参考とし
て、歩留を向上させることが可能なようにレイアウト設
計を見直すことができる。
(Yield Improvement Measure: FIG. 10)
It may include information on a layout structure for a semiconductor integrated circuit for improving variation in circuit characteristics of a benchmark circuit provided from a supply source of the design information. This allows the fabless to review the layout design so that the yield can be improved with reference to the improved layout.

【0021】(ライン斡旋:図12)前記応答情報は、
前記半導体集積回路の予測歩留情報及び前記設計情報の
供給元から与えられるウエハ単価情報から取得したチッ
プ単価情報と、素子特性情報の供給元から与えられる製
造ラインの混雑状況及び製造ラインのスループットに基
づいて得られる所要ウエハの出来上がり時期とを含んで
よい。これにより、ファブレスは製品を適正価格で、か
つ希望する納期に製造できるファブを選択することがで
きる。
(Line placement: FIG. 12) The response information is
The chip unit price information obtained from the wafer unit price information provided from the source of the predicted yield information and the design information of the semiconductor integrated circuit, and the congestion state of the manufacturing line and the throughput of the manufacturing line provided from the source of the device characteristic information And the completion time of the required wafer obtained based on the information. As a result, the fabless can select a fab that can manufacture a product at an appropriate price and with a desired delivery date.

【0022】〔3〕(Fb→KMS→Fl)第3態様に
係る情報処理システムはコンピュータ装置(KMS)が
伝送路を介してファブ(Fb)から情報を入力し、それ
に基づいて生成される応答情報(デバイスパラメータ、
プレシリコンデバイスパラメータ)をファブレス(F
l)に返す。ファブやファブレスは伝送路に接続されて
複数配置されてよい。
[3] (Fb → KMS → Fl) In the information processing system according to the third aspect, a computer device (KMS) inputs information from a fab (Fb) via a transmission path, and a response generated based on the information is input. Information (device parameters,
Fabless (F
Return to l). A plurality of fabs and fabless may be connected to the transmission path and arranged.

【0023】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能なコンピュータ装置を有し、前記コンピュータ
装置は、前記伝送路を介して半導体素子の素子特性情報
を受けることが可能であり、前記伝送路を介する要求に
応答して、前記受けた素子特性情報で特定される素子特
性を模擬するためのデバイスパラメータを生成し、生成
したデバイスパラメータを前記伝送路を介して前記要求
元に返す処理を実行可能である。これにより、ファブレ
スはデバイスパラメータを使って回路シミュレーション
を行うことによって、ファブに製品の製造を依頼したと
きの特性若しくは性能を確認することができ、性能のス
ペックを満たす製品を製造できる適切なファブを選択す
ることが可能になる。
In short, the information processing system has a computer device that can be connected to a transmission line, and the computer device can receive element characteristic information of a semiconductor device via the transmission line. In response to a request via the device element, generates device parameters for simulating the element characteristics specified by the received element characteristic information, and returns the generated device parameters to the request source via the transmission path. It is possible. This allows the fabless to perform a circuit simulation using the device parameters to confirm the characteristics or performance when the fab is requested to manufacture a product, and to select an appropriate fab that can manufacture a product that meets the performance specifications. It becomes possible to choose.

【0024】また、前記コンピュータ装置は、前記伝送
路を介して既存半導体素子の素子特性情報及び未知半導
体素子の素子条件を受けることが可能であり、半導体集
積回路の設計元からの前記伝送路を介する要求に応答し
て、入力した前記素子特性情報及び前記素子条件に基づ
いて前記未知半導体素子の素子特性を模擬するためのプ
レシリコンデバイスパラメータを生成し、生成したプレ
シリコンデバイスパラメータを前記伝送路を介して前記
要求元に返す処理を実行可能である。これにより、ファ
ブレスはファブが当該デバイスを開発する以前にデバイ
スパラメータを使って回路シミュレーションを行うこと
ができ、ファブに製品の製造を受注したときの特性の性
能を早い時期に確認することができ、性能のスペックを
満たす製品を製造できるファブを適切に選択することが
できる。
Also, the computer device can receive element characteristic information of an existing semiconductor element and element conditions of an unknown semiconductor element via the transmission path, and can transmit the transmission path from a semiconductor integrated circuit design source. A pre-silicon device parameter for simulating the device characteristics of the unknown semiconductor device based on the input device characteristics information and the device conditions in response to a request through the transmission line. And a process of returning the request to the request source can be executed. This allows the fabless to simulate the circuit using device parameters before the fab develops the device, and to check the performance of the characteristics when the fab was ordered to manufacture the product at an early stage, It is possible to appropriately select a fab that can produce a product that meets performance specifications.

【0025】〔4〕(Fb→KMS→Fb)第4態様に
係る情報処理システムはコンピュータ装置(KMS)が
伝送路を介してファブ(Fb)から情報を入力し、それ
に基づいて生成される応答情報をファブ(Fb)に返
す。ファブやファブレスは伝送路に接続されて複数配置
されてよい。
[4] (Fb → KMS → Fb) In the information processing system according to the fourth aspect, a computer device (KMS) receives information from a fab (Fb) via a transmission line and generates a response based on the information. Return information to fab (Fb). A plurality of fabs and fabless may be connected to the transmission path and arranged.

【0026】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能なコンピュータ装置を有し、前記コンピュータ
装置は、前記伝送路を介して、半導体素子の素子特性情
報とその素子を用いるベンチマーク回路情報を受け、前
記素子特性情報及びベンチマーク回路情報の供給元(F
b)からの要求に応答して、前記素子特性情報で特定さ
れる素子を用いてベンチマーク回路を構成すると仮定し
て得られる応答情報を、前記要求元に返す処理を実行可
能である。
In short, the information processing system has a computer device connectable to a transmission line, and the computer device receives, via the transmission line, element characteristic information of a semiconductor element and benchmark circuit information using the element. , The source of the device characteristic information and the benchmark circuit information (F
In response to the request from b), a process of returning response information obtained assuming that a benchmark circuit is configured using the element specified by the element characteristic information to the requestor can be executed.

【0027】(歩留向上策:図9)前記応答情報は、前
記ベンチマーク回路の回路特性のばらつきを改善するた
めの半導体素子に対するプロセス条件及びデバイス構造
に関する情報を含む。これにより、ファブは歩留をあげ
て不良品を低減することができ、売り上げの増加につな
がる。
(Yield Improvement Measure: FIG. 9) The response information includes information on a process condition and a device structure for a semiconductor element for improving variation in circuit characteristics of the benchmark circuit. This allows fabs to increase yield and reduce rejects, leading to increased sales.

【0028】〔5〕(Ln(2nd),Dg→KMS(1st)→
Ln(2nd))第5態様に係る情報処理システムは、ファ
ブが第1コンピュータ装置(KMS(1st))と第2コン
ピュータ装置(Ln(2nd))を有し、第1コンピュータ
装置がファブの第2コンピュータ装置とファブレスのコ
ンピュータ装置(Dg)から情報を入力し、それに基づ
いて生成される応答情報をファブの第2コンピュータ装
置に返す。
[5] (Ln (2nd), Dg → KMS (1st) →
Ln (2nd)) In the information processing system according to the fifth aspect, the fab has a first computer device (KMS (1st)) and a second computer device (Ln (2nd)), and the first computer device is the fab device. 2) Input information from the computer device and the fabless computer device (Dg), and return response information generated based on the information to the fab second computer device.

【0029】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュー
タ装置に接続された第2コンピュータ装置とを有し、前
記第1コンピュータ装置は、前記第2コンピュータ装置
から半導体素子の素子特性情報を入力し、前記伝送路を
介して半導体集積回路の設計情報を受け、前記第2コン
ピュータ(Ln(2nd))からの要求に応答して、当該要
求元への応答情報を前記入力情報に基づいて生成し、生
成された応答情報を、前記要求元の第2コンピュータに
返す処理を実行可能である。
In short, the information processing system has a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device is connected to the second computer. Device characteristic information of a semiconductor element is input from the device, design information of the semiconductor integrated circuit is received via the transmission line, and in response to a request from the second computer (Ln (2nd)), It is possible to execute a process of generating response information based on the input information and returning the generated response information to the requesting second computer.

【0030】更に具体的な態様では、前記第1コンピュ
ータ装置は、前記第2コンピュータ装置から半導体素子
の素子特性情報を入力し、前記伝送路を介して半導体集
積回路の設計情報を受け、前記第2コンピュータ(L
n)からの要求に応答して、当該要求元への応答情報
を、前記半導体集積回路に前記素子特性情報で特定され
る素子を用いることを仮定して生成し、生成した応答情
報を、前記要求元の第2コンピュータに返す処理を実行
可能である。
In a more specific aspect, the first computer device inputs device characteristic information of a semiconductor device from the second computer device, receives design information of a semiconductor integrated circuit via the transmission line, and 2 computers (L
n) in response to the request from n), generating response information to the requesting source assuming that the element specified by the element characteristic information is used in the semiconductor integrated circuit; A process of returning to the requesting second computer can be executed.

【0031】前記伝送路に前記設計情報を出力可能な第
3コンピュータ装置を複数有してよい。前記第3コンピ
ュータ装置はファブレスが保有する。
[0031] The transmission line may include a plurality of third computer devices capable of outputting the design information. The third computer device is owned by Fabless.

【0032】〔6〕(Ln(2nd),Dg→KMS(1st)→
Dg)第6態様に係る情報処理システムは、ファブが第
1コンピュータ装置(KMS(1st))と第2コンピュー
タ装置(Ln(2nd))を有し、第1コンピュータ装置が
ファブの第2コンピュータ装置とファブレスのコンピュ
ータ装置(Dg)から情報を入力し、それに基づいて生
成される応答情報をファブレスのコンピュータ装置(D
g)に返す。
[6] (Ln (2nd), Dg → KMS (1st) →
Dg) In the information processing system according to the sixth aspect, the fab has a first computer device (KMS (1st)) and a second computer device (Ln (2nd)), and the first computer device is a second computer device of the fab. And information from the fabless computer device (Dg), and response information generated based on the information is input to the fabless computer device (Dg).
Return to g).

【0033】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュー
タ装置に接続された第2コンピュータ装置とを有し、前
記第1コンピュータ装置は、前記第2コンピュータ装置
から半導体素子の素子特性情報を入力し、前記伝送路を
介して半導体集積回路の設計情報を受け、前記設計情報
の供給元(Dg)からの要求に応答して、当該要求元へ
の応答情報を前記入力情報に基づいて生成し、生成され
た応答情報を、前記要求元に返す処理を実行可能であ
る。
In short, the information processing system has a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device is connected to the second computer device. Device characteristic information of a semiconductor element is input from a device, design information of a semiconductor integrated circuit is received via the transmission path, and a response to a request from a supply source (Dg) of the design information is provided. It is possible to execute a process of generating information based on the input information and returning the generated response information to the request source.

【0034】更に具体的な態様では、前記第1コンピュ
ータ装置は、前記第2コンピュータ装置から半導体素子
の素子特性情報を入力すると共に、前記伝送路を介して
半導体集積回路の設計情報を受け、前記設計情報の供給
元(Dg)からの要求に応答して、当該要求元への応答
情報を、前記半導体集積回路に前記素子特性情報で特定
される素子を用いることを仮定して生成し、生成した応
答情報を、前記要求元に返す処理を実行可能である。
In a more specific aspect, the first computer device inputs device characteristic information of a semiconductor device from the second computer device and receives design information of a semiconductor integrated circuit via the transmission line, In response to a request from a design information supply source (Dg), response information to the request source is generated on the assumption that an element specified by the element characteristic information is used in the semiconductor integrated circuit, and the generation is performed. A process of returning the response information to the request source can be executed.

【0035】前記伝送路に前記設計情報を出力可能な第
3コンピュータ装置を複数有してよい。前記第3コンピ
ュータ装置はファブレスが保有する。
[0035] The transmission line may include a plurality of third computer devices capable of outputting the design information. The third computer device is owned by Fabless.

【0036】(製品歩留)前記応答情報は、前記素子特
性情報で特定される素子を用いて前記半導体集積回路を
構成すると仮定したときの予測歩留情報を含んでよい。
これにより、ファブレスはファブに当該製品を発注した
ときの製品歩留まりを事前に知ることができ、ファブの
選択を適切に行うことができるようになる。
(Product Yield) The response information may include predicted yield information assuming that the semiconductor integrated circuit is configured using the element specified by the element characteristic information.
As a result, the fabless can know in advance the product yield when the product is ordered from the fab, and can appropriately select the fab.

【0037】(チップ単価)前記応答情報は、前記予測
歩留情報と前記素子特性情報供給元が提示するウエハ単
価情報とに基づいて生成されるチップ単価情報を含んで
よい。これにより、ファブレスはファブに当該製品を発
注したときのコストをチップ単価より事前に知ることが
でき、ファブの中から適切なファブを選択することによ
ってコストを下げ、利益を上げることができる。
(Chip Unit Price) The response information may include chip unit price information generated based on the predicted yield information and wafer unit price information presented by the element characteristic information supplier. As a result, the fabless can know in advance the cost of ordering the product to the fab from the chip unit price, and can reduce the cost and increase the profit by selecting an appropriate fab from the fabs.

【0038】〔7〕(Ln(2nd)→KMS(1st)→Dg)
第7態様に係る情報処理システムは、ファブが第1コン
ピュータ装置(KMS(1st))と第2コンピュータ装置
(Ln(2nd))を有し、第1コンピュータ装置がファブ
の第2コンピュータ装置から情報を入力し、それに基づ
いて生成される応答情報(デバイスパラメータ、プレシ
リコンデバイスパラメータ)をファブレスのコンピュー
タ装置(Dg)に返す。
[7] (Ln (2nd) → KMS (1st) → Dg)
In the information processing system according to the seventh aspect, the fab has a first computer device (KMS (1st)) and a second computer device (Ln (2nd)), and the first computer device receives information from the second computer device of the fab. And returns response information (device parameters, pre-silicon device parameters) generated based on the input to the fabless computer apparatus (Dg).

【0039】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュー
タ装置に接続された第2コンピュータ装置とを有し、前
記第1コンピュータ装置は、前記第2コンピュータ装置
から半導体素子の素子特性情報を入力可能であり、伝送
路からの要求に応答して、前記入力した素子特性情報で
特定される素子特性を模擬するためのデバイスパラメー
タを生成し、生成したデバイスパラメータを前記要求元
に返す処理を実行可能である。これにより、ファブレス
はデバイスパラメータを使って回路シミュレーションを
行うことによって、ファブに製品の製造を依頼したとき
の特性若しくは性能を確認することができ、性能のスペ
ックを満たす製品を製造できる適切なファブを選択する
ことが可能になる。
In short, the information processing system has a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device is connected to the second computer device. Device characteristic information of a semiconductor element can be input from the apparatus, and in response to a request from a transmission line, device parameters for simulating the element characteristic specified by the input element characteristic information are generated, and the generated device is generated. A process of returning a parameter to the request source can be executed. This allows the fabless to perform a circuit simulation using the device parameters to confirm the characteristics or performance when the fab is requested to manufacture a product, and to select an appropriate fab that can manufacture a product that meets the performance specifications. It becomes possible to choose.

【0040】また、前記第1コンピュータ装置は、前記
第2コンピュータ装置から第1半導体素子の素子特性情
報及び第2半導体素子の素子条件を入力可能であり、伝
送路からの要求に応答して、前記入力した前記素子特性
情報及び前記素子条件に基づいて前記第2半導体素子の
素子特性を模擬するためのプレシリコンデバイスパラメ
ータを生成し、生成したプレシリコンデバイスパラメー
タを前記伝送路を介して前記要求元に返す処理を実行可
能である。これにより、ファブレスはファブが当該デバ
イスを開発する以前にデバイスパラメータを使って回路
シミュレーションを行うことができ、ファブに製品の製
造を受注したときの特性の性能を早い時期に確認するこ
とができ、性能のスペックを満たす製品を製造できるフ
ァブを適切に選択することができる。
Further, the first computer device can input element characteristic information of the first semiconductor device and element conditions of the second semiconductor device from the second computer device, and respond to a request from a transmission line. A pre-silicon device parameter for simulating the device characteristics of the second semiconductor device is generated based on the input device characteristics information and the device condition, and the generated pre-silicon device parameter is transmitted through the transmission path to the request. It is possible to execute the return process. This allows the fabless to simulate the circuit using device parameters before the fab develops the device, and to check the performance of the characteristics when the fab was ordered to manufacture the product at an early stage, It is possible to appropriately select a fab that can produce a product that meets performance specifications.

【0041】前記伝送路に前記要求を出力可能な第3コ
ンピュータ装置を複数有してよい。前記第3コンピュー
タ装置はファブレスが保有する。
[0041] The transmission line may include a plurality of third computer devices capable of outputting the request. The third computer device is owned by Fabless.

【0042】〔8〕(Ln,Dg(3rd)→KMS(1st)→
Ln)第8態様に係る情報処理システムは、ファブレス
が第1コンピュータ装置(KMS(1st))と第3コンピ
ュータ装置(Dg(3rd))を有し、第1コンピュータ装
置がファブレスの第3コンピュータ装置(Dg(3rd))
及びファブのコンピュータ装置(Ln)から情報を入力
し、それに基づいて生成される応答情報をファブのコン
ピュータ装置(Ln)に返す。
[8] (Ln, Dg (3rd) → KMS (1st) →
Ln) The information processing system according to the eighth aspect, wherein the fabless has a first computer device (KMS (1st)) and a third computer device (Dg (3rd)), and the first computer device is a fabless third computer device. (Dg (3rd))
And input information from the fab computer device (Ln), and return response information generated based on the information to the fab computer device (Ln).

【0043】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュー
タ装置に接続された第3コンピュータ装置とを有し、前
記第1コンピュータ装置は、前記伝送路を介して半導体
素子の素子特性情報を受け、前記第3コンピュータ装置
から半導体集積回路の設計情報を入力し、前記素子特性
情報の供給元(Ln)からの要求に応答して、当該要求
元への応答情報を、前記受けた情報と前記入力した情報
に基づいて生成し、生成した応答情報を、前記要求元に
返す処理を実行可能である。
In short, the information processing system has a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device connects to the transmission line. Receiving the element characteristic information of the semiconductor element via the third computer device, inputting the design information of the semiconductor integrated circuit from the third computer device, and responding to the request from the element characteristic information supply source (Ln), A process of generating response information based on the received information and the input information and returning the generated response information to the request source can be executed.

【0044】更に具体的な態様では、前記第1コンピュ
ータ装置は、前記伝送路を介して半導体素子の素子特性
情報を受け、前記第3コンピュータ装置から半導体集積
回路の設計情報を入力し、前記素子特性情報の供給元
(Ln)からの要求に応答して、当該要求元への応答情
報を、前記半導体集積回路に前記素子特性情報で特定さ
れる素子を用いることを仮定して生成し、生成した応答
情報を、前記要求元に返す処理を実行可能である。
In a more specific aspect, the first computer device receives device characteristic information of a semiconductor device via the transmission line, inputs design information of a semiconductor integrated circuit from the third computer device, and In response to a request from a characteristic information supply source (Ln), response information to the request source is generated on the assumption that an element specified by the element characteristic information is used in the semiconductor integrated circuit. A process of returning the response information to the request source can be executed.

【0045】前記伝送路に前記素子特性情報を出力可能
な第2コンピュータ装置を複数有してよい。前記第2コ
ンピュータ装置はファブが保有する。
[0045] The transmission line may include a plurality of second computer devices capable of outputting the element characteristic information. The second computer device is owned by the fab.

【0046】(ウエハ単価)前記応答情報は、前記素子
特性情報で代表される技術水準により前記半導体集積回
路を製造すると仮定したときの予測歩留情報と半導体集
積回路の設計情報供給元が提示するチップ単価情報とに
基づいて生成されるウエハ単価情報を含んでよい。これ
により、ファブはファブレスが希望するチップ単価に対
して収支に見合うウエハ単価を知ることができる。
(Wafer unit price) The response information is provided by predicted yield information and a design information supply source of the semiconductor integrated circuit when it is assumed that the semiconductor integrated circuit is manufactured according to a technology level represented by the element characteristic information. It may include wafer unit price information generated based on the chip unit price information. As a result, the fab can know the wafer unit price that matches the balance of the chip unit price desired by the fabless.

【0047】(ロット投入時期)前記応答情報は、半導
体素子の時系列の素子特性情報(デバイスばらつきデー
タ、配線ばらつきデータ、異物データ)と、前記設計情
報の供給元から与えられる半導体集積回路の必要量及び
製造納期とに基づいて、当該半導体集積回路の納期と個
数を満足するロット投入時期に関する情報を含んでよ
い。これにより、ファブは、少ないウエハ枚数で要求個
数を製造することが可能になり、コストの低減につなが
る。
(Lot input timing) The response information includes time-series element characteristic information (device variation data, wiring variation data, foreign matter data) of the semiconductor element, and the necessity of the semiconductor integrated circuit given from the supply source of the design information. Based on the quantity and the production delivery date, the information may include information on a lot introduction time that satisfies the delivery date and the number of the semiconductor integrated circuits. As a result, the required number of fabs can be manufactured with a small number of wafers, which leads to cost reduction.

【0048】[0048]

〔9〕(Ln→KMS(1st)→Ln)第9
態様に係る情報処理システムは、ファブレスが第1コン
ピュータ装置(KMS(1st))と第3コンピュータ装置
(Dg(3rd))を有し、第1コンピュータ装置がファブ
のコンピュータ装置(Ln)から情報を入力し、それに
基づいて生成される応答情報をファブのコンピュータ装
置(Ln)に返す。
[9] (Ln → KMS (1st) → Ln) 9th
In the information processing system according to the aspect, the fabless has a first computer device (KMS (1st)) and a third computer device (Dg (3rd)), and the first computer device receives information from the fab computer device (Ln). And responds to the fab computer device (Ln) with response information generated based on the input.

【0049】要するに、情報処理システムは、伝送路に
接続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュー
タ装置に接続された第3コンピュータ装置とを有し、前
記第1コンピュータ装置は、前記伝送路を介して、半導
体素子の素子特性情報とその素子を用いるベンチマーク
回路情報を受け、前記素子特性情報及びベンチマーク回
路情報の供給元(Ln)からの要求に応答して、前記素
子特性情報で特定される素子を用いてベンチマーク回路
を構成すると仮定して得られる応答情報を、前記要求元
に返す処理を実行可能である。
In short, the information processing system has a first computer device that can be connected to a transmission line and a third computer device that is connected to the first computer device. Device information and benchmark circuit information using the device via the element characteristic information, and specified by the element characteristic information in response to a request from a source (Ln) of the element characteristic information and the benchmark circuit information. A process of returning response information obtained assuming that a benchmark circuit is configured using elements to the request source can be executed.

【0050】前記伝送路に前記素子特性情報及び前記ベ
ンチマーク回路情報を出力可能な第2コンピュータ装置
を複数有してよい。前記第2コンピュータ装置はファブ
が保有する。
[0050] The transmission path may include a plurality of second computer devices capable of outputting the element characteristic information and the benchmark circuit information. The second computer device is owned by the fab.

【0051】(歩留向上策:図9)前記応答情報は、前
記ベンチマーク回路の回路特性ばらつきを小さくするた
めの半導体素子に対するプロセス条件及びデバイス構造
に関する情報を含んでよい。これにより、ファブは歩留
をあげて不良品を低減することができる。
(Yield Improvement Measure: FIG. 9) The response information may include information on a process condition and a device structure for a semiconductor element for reducing variation in circuit characteristics of the benchmark circuit. As a result, the fab can increase the yield and reduce defective products.

【0052】〔10〕(Ln,Dg(3rd)→KMS(1st)
→Dg)第10態様に係る情報処理システムは、ファブ
レスが第1コンピュータ装置(KMS(1st))と第3コ
ンピュータ装置(Dg(3rd))を有し、第1コンピュー
タ装置がファブレスの第3コンピュータ装置(Dg(3r
d))とファブのコンピュータ装置(Ln)から情報を入
力し、それに基づいて生成される応答情報をファブレス
の第3コンピュータ装置(Dg(3rd))に返す。
[10] (Ln, Dg (3rd) → KMS (1st)
→ Dg) In the information processing system according to the tenth aspect, the fabless has a first computer device (KMS (1st)) and a third computer device (Dg (3rd)), and the first computer device is a fabless third computer. Equipment (Dg (3r
d)) and information is input from the fab computer device (Ln), and response information generated based on the information is returned to the fabless third computer device (Dg (3rd)).

【0053】要するに、情報処理システムは伝送路に接
続可能な第1コンピュータ装置と前記第1コンピュータ
装置に接続された第3コンピュータ装置とを有し、前記
第1コンピュータ装置は、前記伝送路を介して半導体素
子の素子特性情報を受け、前記第3コンピュータ装置か
ら半導体集積回路の設計情報を入力し、前記第3コンピ
ュータ装置からの要求に応答して、当該要求元が必要と
する応答情報を、前記受ける情報と入力した情報に基づ
いて生成し、生成した応答情報を、前記要求元の第3コ
ンピュータ装置に返す処理を実行可能である。
In short, the information processing system has a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, and the first computer device is connected via the transmission line. Receiving the device characteristic information of the semiconductor device, inputting the design information of the semiconductor integrated circuit from the third computer device, and responding to the request from the third computer device, It is possible to execute a process of generating the response information based on the received information and the input information and returning the generated response information to the requesting third computer device.

【0054】更に具体的な態様では、前記第1コンピュ
ータ装置は、前記伝送路を介して半導体素子の素子特性
情報を受け、前記第3コンピュータ装置から半導体集積
回路の設計情報を入力し、前記第3コンピュータ装置か
らの要求に応答して、当該要求元が必要とする応答情報
を、前記半導体集積回路に前記素子特性情報で特定され
る素子を用いることを仮定して生々し、生成した応答情
報を、前記要求元の第3コンピュータ装置に返す処理を
実行可能である。
In a more specific aspect, the first computer device receives device characteristic information of a semiconductor device via the transmission line, inputs design information of a semiconductor integrated circuit from the third computer device, and (3) Response information generated by responding to a request from a computer device, assuming that the element specified by the element characteristic information is used for the semiconductor integrated circuit, Is returned to the requesting third computer device.

【0055】前記伝送路に前記素子特性情報を出力可能
な第2コンピュータ装置を複数有してよい。前記第2コ
ンピュータ装置はファブが保有する。
[0055] The transmission line may include a plurality of second computer devices capable of outputting the element characteristic information. The second computer device is owned by the fab.

【0056】〔11〕(予測歩留情報)本発明に係る情
報処理方法は、半導体集積回路の製造ラインを有するフ
ァブのサーバからネットワークを介して半導体素子の素
子特性情報を入力する処理と、半導体集積回路を設計す
るファブレスのサーバからネットワークを介して半導体
集積回路の設計情報を入力する処理と、入力した前記素
子特性情報及び設計情報に基づいて、前記ファブレスの
要求する製品を前記ファブで製造すると仮定したときの
当該製品の予測歩留情報を生成する処理と、を含む。
[11] (Estimated Yield Information) The information processing method according to the present invention comprises a process of inputting element characteristic information of a semiconductor element from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network; A process of inputting design information of a semiconductor integrated circuit from a fabless server for designing an integrated circuit through a network, and based on the input device characteristic information and design information, manufacturing a product required by the fabless in the fab. Generating predicted yield information of the product under the assumption.

【0057】(ウエハ単価情報)前記予測歩留情報と前
記ファブレスから提示されるチップ単価情報とに基づい
てウエハ単価情報を生成する処理を更に含んでよい。
(Wafer Unit Price Information) A process for generating wafer unit price information based on the predicted yield information and the chip unit price information presented from the fabless may be further included.

【0058】(チップ単価)前記予測歩留情報と前記フ
ァブから提示されるウエハ単価情報とに基づいてチップ
単価情報を生成する処理を更に含んでよい。
(Chip Unit Price) A process for generating chip unit price information based on the predicted yield information and wafer unit price information presented from the fab may be further included.

【0059】(ライン斡旋)前記ファブのサーバから入
力される製造ライン混雑状況及び製造ラインスループッ
トに基づいて所要ウエハの出来上がり時期を推定する処
理と、前記チップ単価情報及び出来上がり時期の情報
を、ネットワークを介してファブレスのサーバに供給す
る処理と、を更に含んでよい。
(Line Incorporation) A process for estimating the completion time of a required wafer based on the production line congestion state and the production line throughput input from the fab server, and sending the chip unit price information and the completion time information to a network. And supplying the information to a fabless server via the server.

【0060】(ロット投入時期)ファブのサーバから入
力した半導体素子の時系列の素子特性情報(デバイスば
らつきデータ、配線ばらつきデータ、異物データ)と、
ファブレスのサーバから入力した半導体集積回路の必要
量と製造納期に基づいて、当該半導体集積回路の納期と
個数を満足するロット投入時期に関する情報を生成する
処理を更に含んでよい。
(Lot input timing) Time-series element characteristic information (device variation data, wiring variation data, foreign matter data) of the semiconductor device input from the fab server,
The method may further include, based on the required amount of the semiconductor integrated circuit and the delivery date of the semiconductor integrated circuit input from the fabless server, generating information on a lot input time satisfying the delivery date and the number of the semiconductor integrated circuits.

【0061】(デバイスパラメータ)本発明に係る別の
情報処理方法は、半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して半導体素子の
素子特性情報を入力する処理と、入力した前記素子特性
情報に基づいて、回路設計を行うための回路シミュレー
ションに必要なデバイスパラメータを生成する処理と、
半導体集積回路を設計するファブレスのサーバにネット
ワークを介して、前記生成されたデバイスパラメータを
供給する処理と、を含む。
(Device Parameter) In another information processing method according to the present invention, there is provided a process of inputting element characteristic information of a semiconductor element from a fab server having a semiconductor integrated circuit production line via a network; A process of generating device parameters required for a circuit simulation for performing a circuit design based on the characteristic information;
Supplying the generated device parameters to a fabless server for designing a semiconductor integrated circuit via a network.

【0062】(プレシリコンデバイスパラメータ)本発
明に係る更に別の情報処理方法は、半導体集積回路の製
造ラインを有するファブのサーバからネットワークを介
して第1の半導体素子の素子特性情報及び第2の半導体
素子の素子条件を入力する処理と、入力した前記素子特
性情報及び前記素子条件に基づいて前記第2の半導体素
子の素子特性を模擬するためのプレシリコンデバイスパ
ラメータを生成する処理と、半導体集積回路を設計する
ファブレスのサーバにネットワークを介して、前記生成
されたプレシリコンデバイスパラメータを供給する処理
と、を含む。
(Pre-Silicon Device Parameter) Still another information processing method according to the present invention is directed to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit. Processing for inputting element conditions of a semiconductor element, processing for generating pre-silicon device parameters for simulating element characteristics of the second semiconductor element based on the input element characteristic information and the element conditions, Supplying the generated pre-silicon device parameters to a fabless server that designs a circuit via a network.

【0063】(歩留向上策:図10)本発明に係る更に
別の情報処理方法は、半導体集積回路の製造ラインを有
するファブのサーバからネットワークを介して半導体素
子の素子特性情報を入力する処理と、半導体集積回路を
設計するファブレスのサーバからネットワークを介して
半導体集積回路の設計情報を入力する処理と、入力した
前記素子特性情報及び設計情報に基づいて、前記設計情
報に含まれるベンチマーク回路の回路特性ばらつきを改
善するためのデバイス構造に関する改善策情報を生成す
る処理と、前記ファブレスのサーバに前記生成された改
善策情報をネットワークを介して供給する処理と、を含
む。
(Yield Improvement Measure: FIG. 10) Still another information processing method according to the present invention is a process of inputting element characteristic information of a semiconductor element from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network. And a process of inputting design information of the semiconductor integrated circuit from a fabless server that designs the semiconductor integrated circuit via a network, and based on the input device characteristic information and design information, a benchmark circuit included in the design information. The method includes a process of generating improvement measure information on a device structure for improving the variation in circuit characteristics, and a process of supplying the generated improvement measure information to the fabless server via a network.

【0064】(歩留向上策:図9)本発明に係る更に別
の情報処理方法は、半導体集積回路の製造ラインを有す
るファブのサーバからネットワークを介して半導体素子
の素子特性情報とその半導体素子を用いるベンチマーク
回路情報を入力する処理と、入力した前記素子特性情報
及びベンチマーク回路情報に基づいて、前記ベンチマー
ク回路の回路特性ばらつきを改善するための半導体素子
に対するプロセス条件及びデバイス構造に関する改善策
情報を生成する処理と、前記ファブのサーバに前記生成
された改善策情報をネットワークを介して供給する処理
と、を含む。
(Yield Improvement Measure: FIG. 9) In still another information processing method according to the present invention, device characteristic information of a semiconductor device and its semiconductor device are transmitted from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network. Based on the input device characteristic information and the benchmark circuit information, and based on the input device characteristic information and the benchmark circuit information, improve process information and process condition information for a semiconductor device for improving circuit characteristic variation of the benchmark circuit. And a process of supplying the generated improvement measure information to a server of the fab via a network.

【0065】[0065]

【発明の実施の形態】《システム構成》図1にはネット
ワークに接続された本発明に係る情報処理システムが例
示される。インターネットなどのネットワーク18に
は、代表的に示された複数のファブ(Fb)10,1
1,12、複数のファブレス(Fl)13,14,1
5,16及びサービスプロバイダ17が接続される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS << System Configuration >> FIG. 1 illustrates an information processing system according to the present invention connected to a network. A network 18 such as the Internet includes a plurality of fabs (Fb) 10, 1
1,12, multiple fabless (Fl) 13,14,1
5, 16 and the service provider 17 are connected.

【0066】ファブ(ファウンダリとも称する)10〜
12とは半導体集積回路(LSI)を製造する組織、例
えば他社からLSIの製造依頼と共に製造すべきLSI
の回路設計データもしくはレイアウトパターンデータの
ような設計データ等を受け取り、そのLSIを製造して
依頼元に渡す半導体集積回路製造会社を意味する。図1
に従えば、前記夫々のファブ10〜12は、LSIの製
造ライン20〜22、計測器30〜32、及びラインデ
ータサーバ40〜42を有する。前記計測器30〜32
は対応する製造ライン20〜22で製造されたLSIに
含まれるデバイス(例えばMOSトランジスタ等)の特
性を測定する手段を総称する。ラインデータサーバ30
〜32は前記計測器30〜32で測定されたデバイス特
性等をラインデータとして保有し、管理する。
Fab (also referred to as foundry) 10
Reference numeral 12 denotes an organization that manufactures a semiconductor integrated circuit (LSI), for example, an LSI to be manufactured together with an LSI manufacturing request from another company.
Means the semiconductor integrated circuit manufacturing company that receives the circuit design data or the design data such as the layout pattern data, and manufactures the LSI and delivers it to the request source. FIG.
According to the above, each of the fabs 10 to 12 has LSI manufacturing lines 20 to 22, measuring instruments 30 to 32, and line data servers 40 to 42. The measuring instruments 30 to 32
Is a general term for means for measuring characteristics of devices (for example, MOS transistors) included in LSIs manufactured on the corresponding manufacturing lines 20 to 22. Line data server 30
The devices 32 to 32 hold and manage device characteristics and the like measured by the measuring devices 30 to 32 as line data.

【0067】ファブレス13〜16とはLSIを設計す
る組織、例えばLSIの製造部門を持たない半導体集積
回路設計会社を意味する。前記ファブレス13〜16
は、その組織内で設計されるLSIのデータ等を格納し
て管理する設計データサーバ50〜53を有する。
The fabless circuits 13 to 16 mean an organization that designs LSIs, for example, a semiconductor integrated circuit design company that does not have an LSI manufacturing department. The fabless 13-16
Has design data servers 50 to 53 for storing and managing data of LSIs designed in the organization.

【0068】サービスプロバイダ17は、インタネット
18を介してラインデータサーバ40〜42及び設計デ
ータサーバ50〜53に接続され、双方から情報のやり
とりが可能にされたナレッジマネージメントサーバ(K
MS)60を有する。ナレッジマネジメントサーバ60
は、ラインデータサーバ40〜42からファブ10〜1
2の製造するデバイスの情報等を入手し、また、設計デ
ータサーバ50〜53からファブレス13〜16の設計
するLSIチップの情報等を入手する。そのような情報
を入手するために、サービスプロバイダ17はファブ1
0〜12及びファブレス13〜16との間の取決めに従
ってサービス提供に必要な情報を直接又は間接的にファ
ブ10〜12及びファブレス13〜16から取得する。
尚、前記各サーバ40〜42,50〜53,60は、例
えば、インタネット接続機能、情報処理機能、情報記憶
機能を有するパーソナルコンピュータ又はエンジニアリ
ングワークステーションなどのコンピュータ装置で実現
される。
The service provider 17 is connected to the line data servers 40 to 42 and the design data servers 50 to 53 via the Internet 18, and is capable of exchanging information with both the knowledge management server (K).
MS) 60. Knowledge Management Server 60
Are the fabs 10-1 from the line data servers 40-42.
2 obtains information on devices to be manufactured, and obtains information on LSI chips designed by the fabless 13-16 from the design data servers 50-53. In order to obtain such information, service provider 17 must provide fab 1
Information necessary for providing a service is directly or indirectly obtained from the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16 according to the agreement between the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16.
Each of the servers 40 to 42, 50 to 53, and 60 is realized by a computer device such as a personal computer or an engineering workstation having an Internet connection function, an information processing function, and an information storage function.

【0069】そして、ナレッジマネジメントサーバ60
は、ファブ10〜12及びファブレス13〜16から入
手した情報を管理し、双方からの情報を統合して双方に
有効な情報を生成もしくは加工し、生成された情報及び
加工された情報を、ファブ10〜12及びファブレス1
3〜16からの要求に応答して提供するサービスを行
う。
Then, the knowledge management server 60
Manages information obtained from the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16 and integrates information from both to generate or process information that is valid for both. The generated information and the processed information are 10-12 and fabless 1
A service provided in response to a request from 3 to 16 is performed.

【0070】この提供サービスは、ファブ10〜12及
びファブレス13〜16の相互に一方の情報を他方に有
効な形態に加工して提供すること、ファブ10〜12と
ファブレス13〜16の双方から入手した情報を統合し
一方の状況を考慮して他方に有効な情報を生成して提供
すること等である。例えば、図1では、ナレッジマネジ
メントサーバ60は、製品歩留まり情報の提供処理SV
1、適正ウエハ、チップ単価の提供処理SV2、回路設
計用デバイスパラメータの提供処理SV3、回路設計用
プレシリコンデバイスパラメータの提供処理SV4、ラ
インの歩留まり向上策の提供処理SV5、ラインの斡旋
処理SV6、及びロット投入時期データの提供処理SV
7、というサービス提供処理を行う。
This service is provided by processing one of the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16 in a form effective for the other and providing the processed information to the other, and obtaining the information from both the fab 10 to 12 and the fabless 13 to 16 Integrated information and generate and provide effective information to the other in consideration of one situation. For example, in FIG. 1, the knowledge management server 60 performs a process of providing product yield information SV.
1. Providing process SV2 for providing a proper wafer and chip unit price, providing process SV3 for providing device parameters for circuit design, providing process SV4 for providing pre-silicon device parameters for circuit design, providing process SV5 for providing a measure for improving line yield, SV6 for providing a line, And lot input timing data provision processing SV
7 is performed.

【0071】製品歩留情報の提供処理SV1は、ファブ
10〜12のラインデータサーバ40〜43から得られ
るデバイスの情報と、ファブレス13〜16の設計デー
タサーバ50〜53から得られる設計データとから、フ
ァブレス13〜16の要求する製品をファブ10〜12
で製造したと仮定したときの製品歩留情報を生成してフ
ァブレス13〜16(設計データサーバ50〜53)の
内のサービス要求元に提供する処理である。
The product yield information providing process SV1 is based on the device information obtained from the line data servers 40-43 of the fabs 10-12 and the design data obtained from the design data servers 50-53 of the fabless 13-16. , Fabless products required by 13-16 fab 10-12
This is a process of generating product yield information when it is assumed that the device is manufactured in the manner described above, and providing it to service request sources in the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53).

【0072】適正ウエハ、チップ単価提供処理SV2
は、ファブ10〜12でLSIを製造をしたときのウエ
ハ価格、あるいは、チップ価格の情報を生成して提供す
る処理である。
Appropriate wafer / chip unit price providing process SV2
Is a process for generating and providing information on a wafer price or a chip price when an LSI is manufactured by the fabs 10 to 12.

【0073】回路設計用デバイスパラメータの提供処理
SV3は、ファブレス13〜16が回路設計を行うため
に必要な回路シミュレーション用のデバイスパラメータ
をラインデータサーバ40〜42のデータに基づいて生
成してファブレス13〜16(データサーバ50〜5
3)の内のサービス要求元に提供する処理である。
The circuit design device parameter providing process SV3 generates device parameters for circuit simulation necessary for the fabless 13 to 16 to perform circuit design based on the data of the line data servers 40 to 42, and ~ 16 (data server 50 ~ 5
This is processing to be provided to the service request source in 3).

【0074】回路設計用プレシリコンデバイスパラメー
タの提供処理SV4は、ラインデータサーバ40〜42
のデータからファブレス13〜16が回路設計するため
に必要な次世代デバイス等に関する回路シミュレーショ
ン用のプレシリコンデバイスパラメータを生成して、フ
ァブレス13〜16(設計データサーバ50〜53)の
内のサービス要求元に提供する処理である。
The process of providing pre-silicon device parameters for circuit design SV4 is performed by the line data servers 40 to 42.
Of the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) by generating pre-silicon device parameters for circuit simulation relating to next-generation devices and the like necessary for the fabless 13 to 16 to design circuits from the data of the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53). This is the process provided to the original.

【0075】ライン歩留向上策の提供処理SV5は、フ
ァブレス13〜16の要求する製品の歩留を上げるため
のデバイス改善策を生成して提供する処理である。
The process for providing line yield improvement measures SV5 is a process for generating and providing device improvement measures for increasing the yield of products required by the fabless devices 13 to 16.

【0076】ライン斡旋処理SV6は、ファブレス13
〜16の要求するプロセス及び製品に対して要求納期の
条件を満たすファブ10〜12若しくはファブ10〜1
2のラインを検索して、設計データサーバ50〜53の
内のサービス要求元に提供する処理である。
The line recruitment process SV6 is executed by the fabless 13
Fab 10-12 or fab 10-1 that satisfies the required delivery conditions for the required processes and products
This is a process of retrieving the second line and providing it to the service request source in the design data servers 50 to 53.

【0077】ロット投入時期データの提供処理SV7
は、ファブ10〜12のラインデータサーバ40〜42
が提供する時系列のデバイスばらつきデータ、配線ばら
つきデータ及び異物データ等と、ファブレス13〜16
の要求する製品個数及び納期から、当該製品の納期と個
数を少ない数のウエハで満足するためのロット投入時期
に関するデータを生成してファブ10〜12(ラインデ
ータサーバ40〜43)の内のサービス要求元に提供す
る処理である。
Providing lot input timing data SV7
Are the line data servers 40 to 42 of the fabs 10 to 12
And fabless 13 to 16 with time series device variation data, wiring variation data, foreign matter data, etc.
From the required number of products and the delivery date, the data on the lot delivery time for satisfying the delivery date and the number of the products with a small number of wafers is generated, and the services in the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 43) are generated. This is the process provided to the request source.

【0078】前記サービスプロバイダ17は、最近の半
導体業界において業務が細分化され、LSIを設計する
ファブレス13〜16とLSIを製造するファブ10〜
12が別会社として経営される情況が顕在化されてきて
いる中で、前述のようにファブ10〜12とファブレス
13〜16の情報を統合して双方に有効な情報を生成も
しくは加工して提供するようなサービスを行うことにな
る。ファブ10〜12及びファブレス13〜16がその
ようなサービスプロバイダ17を利用可能になると、フ
ァブレス13〜16はどのファブ10〜12に製品を注
文するのがコスト的に、また、時期的に良いかを判断す
ることができ、コストダウンと製品開発のQTAT(Qu
ick Turn Around Time)化を図れる。また、ファブ10
〜12にとっては歩留を上げるための情報を得ることが
でき、また、ファブレス13〜16は製品を発注するL
SIの製造ラインとしてどのファブ10〜12のどの製
造ラインがよいかの斡旋を受けることができるため、売
り上げ向上の効果も期待できる。
In the recent semiconductor industry, the service provider 17 is divided into fabless companies 13-16 which design LSIs and fabs 10-16 which manufacture LSIs.
As the situation in which 12 is managed as a separate company is becoming apparent, information on fabs 10 to 12 and fabless 13 to 16 are integrated as described above to generate or process information that is effective for both parties. Service that does When fabs 10-12 and fabless 13-16 become available to such a service provider 17, fabless 13-16 decides on which fab 10-12 to order products costly and timely. QTAT (Qu
ick Turn Around Time). Fab 10
12 can obtain the information for increasing the yield, and the fabless 13 to 16 can be used to order products.
Since it is possible to receive information on which production line of which fab 10 to 12 is good as an SI production line, an effect of improving sales can be expected.

【0079】図4には前記ナレッジマネジメントサーバ
60によるサービス提供処理間の関連が例示される。即
ち、どういう場合に若しくはどういうタイミングで前記
ナレッジマネジメントサーバ60が利用されて、サービ
スの提供が行われるかを例示的に示す。
FIG. 4 illustrates the relationship between the service providing processes by the knowledge management server 60. That is, an example shows when or at what timing the knowledge management server 60 is used to provide a service.

【0080】ファブレス13〜16がどのファブ10〜
12にLSI製造を依頼すべきかを比較考量するとき、
一つの指針として、ファブレス13〜16の内のサービ
ス要求元はファブ10〜12毎の製品歩留情報を要求す
る(S6)。これに応答してナレッジマネジメントサー
バ60は製品歩留データの提供処理を実行する(SV
1)。ファブレス13〜16の内のサービス要求元は得
られた製品歩留データに基づいてどのファブ10〜12
についても歩留が目標値以下であると判定した場合(S
7)、ファブレス13〜16の内のサービス要求元はナ
レッジマネジメントサーバ60に対してラインの歩留向
上策の提供処理(SV5)を依頼して対策を施すことが
できる。このようにして、ファブレス13〜16に与え
られる歩留向上策は、歩留向上に寄与するデバイス設計
的なプロセス条件やレイアウト等に関する事柄になる。
Fabless 13 to 16
12 when weighing whether to request LSI manufacturing,
As one guideline, the service request source among the fabless 13 to 16 requests product yield information for each of the fabs 10 to 12 (S6). In response, the knowledge management server 60 executes a process of providing product yield data (SV
1). The service request source among the fabless 13 to 16 determines which fab 10 to 12 based on the obtained product yield data.
Is determined to be equal to or less than the target value (S
7), the service request source among the fabless 13 to 16 can request the knowledge management server 60 to provide the yield improvement measure of the line (SV5) and take measures. In this way, the yield improvement measures given to the fabless devices 13 to 16 are matters relating to device design process conditions, layouts, and the like that contribute to the yield improvement.

【0081】ファブ10〜12はファブレス13〜16
が希望するチップ単価に対し、ウエハ単価が収支に見合
うか否かの判定を行いたい場合がある。このとき、ファ
ブ10〜12(ラインデータサーバ40〜43)の内の
サービス要求元は、前記ナレッジマネジメントサーバ6
0に、ウエハ単価データを要求する(S1)。前記ナレ
ッジマネジメントサーバ60は、ファブ10〜12の内
のサービス要求元からのその要求(S1)に応答して、
製品歩留とチップ単価(ファブが希望する単価)より適
正ウエハ単価(ウエハ1枚当りの単価)を求める処理を
行う(SV2)。サービス要求元のファブ10〜12は
その適正ウエハ単価に対してウエハ製造原価が高過ぎる
か(ウエハ単価が予算以上)を判断することになり(S
2)、高すぎる場合にはナレッジマネジメントサーバ6
0に対してラインの歩留向上策の提供処理(SV5)を
依頼して対策を施すことができる。この時に与えられる
歩留向上策は、デバイス構造やプロセス条件などの、デ
バイス製造に関する事柄になる。ラインの歩留向上策の
提供処理(SV5)はファブ10〜12の内のサービス
要求元から単独で歩留向上策の依頼があったとき(S
3)、それに応答して行ってもよい。
Fabs 10 to 12 are fabless 13 to 16
There is a case where it is desired to determine whether or not the wafer unit price is appropriate for the desired chip unit price. At this time, the service request source among the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 43) is the knowledge management server 6
0, request the wafer unit price data (S1). The knowledge management server 60 responds to the request (S1) from the service request source among the fabs 10 to 12,
A process is performed to determine an appropriate wafer unit price (unit price per wafer) from the product yield and the chip unit price (unit price desired by the fab) (SV2). The service requesting fabs 10 to 12 judge whether the wafer production cost is too high (the wafer unit price is higher than the budget) for the appropriate wafer unit price (S).
2) If it is too high, the Knowledge Management Server 6
A request can be made for the process of providing a line yield improvement measure (SV5) for 0 to take measures. The yield improvement measures given at this time are related to device manufacturing, such as device structure and process conditions. The process of providing the line yield improvement measure (SV5) is performed when the service request source among the fabs 10 to 12 independently requests the yield improvement measure (SV5).
3), may be performed in response thereto.

【0082】ファブレス13〜16はファブ10〜12
が希望するウエハ単価に対し、チップ単価が収支に見合
うか否かの判定を行いたい場合がある。このとき、ファ
ブレス13〜16(設計データサーバ50〜53)の内
のサービス要求元は前記ナレッジマネジメントサーバ6
0に、チップ単価データを要求する(S4)。前記ナレ
ッジマネジメントサーバ60は、ファブレス13〜16
の内のサービス要求元からのその要求(S4)に応答し
て、製品歩留とウエハ単価より適正チップ単価を求める
処理を行う(SV2)。チップ単価が予算を超える場合
には(S5)、サービス要求元のファブレス13〜16
はナレッジマネジメントサーバ60に対してラインの歩
留向上策の提供処理(SV5)を依頼して対策を施すこ
とができる。この時に与えられる歩留向上策は、歩留向
上に寄与するデバイス設計的なレイアウト等に関する事
柄になる。
The fabless units 13 to 16 correspond to the fab units 10 to 12
There is a case where it is desired to determine whether or not the chip unit price matches the balance of the desired wafer unit price. At this time, the service request source in the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53) is the knowledge management server 6
Request the chip unit price data to 0 (S4). The knowledge management server 60 includes fabless 13 to 16
In response to the request (S4) from the service request source, a process for obtaining an appropriate chip unit price from the product yield and the wafer unit price is performed (SV2). If the chip unit price exceeds the budget (S5), the service request source fabless 13 to 16
Can request the knowledge management server 60 to provide processing (SV5) for a line yield improvement measure and take measures. The yield improvement measures given at this time are related to device design layout or the like that contributes to the yield improvement.

【0083】前記回路設計用デバイスパラメータの提供
処理(SV3)、前記回路設計用プレシリコンデバイス
パラメータの提供処理(SV4)、前記ラインの斡旋処
理(SV6)、及びロット投入時期データの提供処理
(SV7)は、夫々サービス要求元のファブレス13〜
16又はファブ10〜12からの対応する要求を待って
実行される(S10〜S13)。
The circuit design device parameter providing process (SV3), the circuit design pre-silicon device parameter providing process (SV4), the line mediation process (SV6), and the lot input timing data providing process (SV7) ) Are fabless 13-
16 or the corresponding request from the fabs 10 to 12 (S10 to S13).

【0084】図5にはファブ及びファブレスとサービス
プロバイダとの間の課金方式が例示される。サービスプ
ロバイダ17によるサービス提供の対価は、加入料及び
年会費(又は月会費)のような方式だけで行ったり、或
は他方式との併用で行ったり、或は他方式で行ったり、
任意の課金方式を採用してよい。上記の他方式として
は、サービス毎に規定された定額のデータ提供量を支払
う、或はサービス毎に規定されたデータ提供量を提供デ
ータの従量制で支払う、また、ファブとファブレスとの
間の製造受注契約時に受注量に応じた手数料を支払う、
或は歩留向上時の歩合のように成功報酬として支払う方
法がある。
FIG. 5 exemplifies a billing method between a fab and a fabless and a service provider. The service provider 17 pays for the service by using only a method such as a subscription fee and an annual fee (or monthly fee), or in combination with another method, or by another method.
Any charging method may be adopted. As the other methods described above, a fixed amount of data provision amount specified for each service is paid, or a data provision amount specified for each service is paid on a pay-per-use basis of the provided data. Pay a commission according to the order quantity at the time of contract for manufacturing order,
Alternatively, there is a method of paying as a success reward, such as a rate at the time of improving the yield.

【0085】図6にはファブ及びファブレスとサービス
プロバイダとの間のセキュリティー対策の一例が示され
る。ファブ10〜12及びファブレス13〜16とサー
ビスプロバイダ17との間では、個別的にサービス提供
契約が交わされ、ファブ10〜12及びファブレス13
〜16は所定の対価を支払って、サービスプロバイダ1
7からサービス提供を受ける。このとき、前述の如く、
サービスプロバイダ17は、サービス提供の前提とし
て、ラインデータサーバ40〜42をアクセスしてファ
ブ10〜12のデバイス情報若しくはデバイス製造情報
を入手し、設計データサーバ50〜53をアクセスして
ファブレス13〜16の設計情報を入手することが許容
される。この時、不正なアクセスを防止するために、フ
ァブレス13〜16は設計データサーバ50〜53のア
クセスに必要なパスワードをサービスプロバイダ17に
発行し、設計データサーバ50〜53をアクセスするた
めの認証に、前記発行されたパスワード等の入力を要求
するようになっている。同様に、ファブ10〜12はラ
インデータサーバ40〜42のアクセスに必要なパスワ
ードをサービスプロバイダ17に発行し、ラインデータ
サーバ40〜43をアクセスするための認証に、前記発
行されたパスワード等の入力を要求するようになってい
る。その他、インタネットでやり取りする情報は暗号化
される。
FIG. 6 shows an example of security measures between a fab and a fabless and a service provider. A service provision contract is individually signed between the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16 and the service provider 17, and the fabs 10 to 12 and the fabless 13
16 pays a predetermined price, and the service provider 1
7 to provide services. At this time, as described above,
The service provider 17 accesses the line data servers 40 to 42 to obtain device information or device manufacturing information of the fabs 10 to 12, and accesses the design data servers 50 to 53 to access the fabless 13 to 16 It is permissible to obtain design information for At this time, in order to prevent unauthorized access, the fabless devices 13 to 16 issue a password required for access to the design data servers 50 to 53 to the service provider 17, and perform authentication for accessing the design data servers 50 to 53. , The user is required to input the issued password or the like. Similarly, the fabs 10 to 12 issue passwords required for accessing the line data servers 40 to 42 to the service provider 17 and input the issued passwords and the like for authentication for accessing the line data servers 40 to 43. Is required. In addition, information exchanged on the Internet is encrypted.

【0086】《サービス内容と情報入出力》図7には製
品歩留データ、ウエハ単価、チップ単価の提供処理に関
する情報入出力例が示される。
<< Service Contents and Information Input / Output >> FIG. 7 shows an example of information input / output relating to processing for providing product yield data, wafer unit price, and chip unit price.

【0087】ナレッジマネジメントサーバ60は、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、ティピカルデバイス特性、デバイス
のばらつきデータ、配線のばらつきデータ、異物データ
を取り込む。ティピカルデバイス特性とはMOSトラン
ジスタのVds−Ids特性、Vgs−Ids特性等の
種々の平均的なデバイスの特性測定データである。前記
デバイスのばらつきデータは、過去に製造した種々のL
SIに関するウエハプローブテストのテスト結果データ
によるばらつきであってよく、そのような過去の実績か
ら得られる例えばMOSトランジスタの閾値電圧や飽和
電流などのばらつきデータである。配線のばらつきデー
タは、同じく過去の実績から得られるタングステンやア
ルミニウムなどの種々の材料の種々の配線層の配線容
量、配線抵抗のばらつきデータである。前記異物データ
は例えば配線層毎の欠陥密度の情報である。デバイスの
ばらつきデータや配線のばらつきデータは、デバイスの
性能に影響を与える情報である、異物データはLSIの
不良率に影響を与える情報である。
The knowledge management server 60 has the line data servers 40 to 4 of the target fabs 10 to 12.
2 to access typical device characteristics, device variation data, wiring variation data, and foreign matter data. Typical device characteristics are characteristic measurement data of various average devices such as Vds-Ids characteristics and Vgs-Ids characteristics of MOS transistors. The device variation data includes various L
The variation may be variation due to test result data of a wafer probe test related to SI, and is variation data such as a threshold voltage and a saturation current of a MOS transistor obtained from such past results. The wiring variation data is the variation data of the wiring capacitance and the wiring resistance of various wiring layers of various materials such as tungsten and aluminum similarly obtained from past results. The foreign substance data is, for example, information on the defect density for each wiring layer. Device variation data and wiring variation data are information that affects device performance, and foreign matter data is information that affects the LSI failure rate.

【0088】また、ナレッジマネジメントサーバ60
は、目的とするファブレス13〜16の設計データサー
バ50〜53をアクセスして、ターゲットとなるLSI
に関するベンチマーク回路、レイアウトデータ、製品仕
様(製品スペック)、チップ単価予算、ウエハ単価予
算、及びウエハ1枚当りのチップ個数などの情報を取得
する。前記ベンチマーク回路はターゲットとするLSI
の性能を代表するような回路部分に関する回路シミュレ
ーション用のネットリストである。
Also, the knowledge management server 60
Accesses the target design data servers 50 to 53 of the fabless 13 to 16 and sets the target LSI
Information such as benchmark circuits, layout data, product specifications (product specifications), chip unit cost budget, wafer unit cost budget, and the number of chips per wafer. The benchmark circuit is a target LSI
3 is a circuit simulation netlist for a circuit portion that represents the performance of the present invention.

【0089】ナレッジマネジメントサーバ60はアクセ
スした情報を利用して以下の情報生成処理を行う。
〔1〕ファブ10〜12が提供するデバイス及び配線の
ばらつきデータから、ファブレス13〜16が提供する
ベンチマーク回路に関する性能ばらつき(回路特性ばら
つき)を求める。要するに、ベンチマーク回路によるシ
ミュレーションにより、デバイスや配線のばらつきに応
じた回路特性のばらつき(回路性能のばらつき)を得る
ことができる。〔2〕この回路特性ばらつきと製品スペ
ックより性能の点での歩留(特性歩留)を求める。
〔3〕ファブ10〜12が提供する異物データとファブ
レス13〜16が提供するレイアウトデータから異物に
起因する歩留(異物歩留)を求める。〔4〕前記特性歩
留と前記異物歩留から(例えば双方の積として)ターゲ
ットLSIの製品歩留を求める。このようにして得られ
た製品歩留は、要求に対する結果としてファブレス13
〜16の設計データサーバ50〜53の内のサービス要
求元が取得する。〔5〕更にナレッジマネジメントサー
バ60は、前記製品歩留とファブレス13〜16が希望
するチップ単価より、収支に見合うウエハ単価を求め
る。このウエハ単価は、要求に対する結果としてファブ
10〜12が取得する。〔6〕また、ナレッジマネジメ
ントサーバ60は、前記製品歩留とファブ10〜12が
希望するウエハ単価より、収支に見合うチップ単価を求
める。このチップ単価は、要求に対する結果としてファ
ブレス13〜16の内のサービス要求元が取得する。
The knowledge management server 60 performs the following information generation processing using the accessed information.
[1] From the device and wiring variation data provided by the fabs 10 to 12, the performance variation (circuit characteristic variation) related to the benchmark circuits provided by the fabless 13 to 16 is obtained. In short, by the simulation using the benchmark circuit, it is possible to obtain variations in circuit characteristics (variations in circuit performance) according to variations in devices and wiring. [2] A yield (characteristic yield) in terms of performance is obtained from the circuit characteristic variation and product specifications.
[3] The yield (foreign matter yield) caused by the foreign matter is obtained from the foreign matter data provided by the fabs 10 to 12 and the layout data provided by the fabless 13 to 16. [4] A product yield of the target LSI is obtained from the characteristic yield and the foreign matter yield (for example, as a product of both). The product yield obtained in this way is a fabless 13
The service request source of the design data servers 50 to 53 is acquired. [5] Further, the knowledge management server 60 obtains a wafer unit price suitable for the balance from the product yield and the chip unit price desired by the fabless 13 to 16. This wafer unit price is obtained by the fabs 10 to 12 as a result of the request. [6] Further, the knowledge management server 60 obtains a chip unit price commensurate with the balance from the product yield and the wafer unit price desired by the fabs 10 to 12. The chip unit price is obtained by the service request source among the fabless 13 to 16 as a result of the request.

【0090】図8には回路設計用デバイスパラメータの
提供処理に関する情報入出力例が示される。
FIG. 8 shows an example of information input / output relating to the process of providing device parameters for circuit design.

【0091】ナレッジマネジメントサーバ60は、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、前述と同様に、ティピカルデバイス
特性、デバイスのばらつきデータ、配線のばらつきデー
タを取り込み、更に、それらデバイスに関するベンチマ
ーク回路をアクセスする。前記ベンチマーク回路はター
ゲットとするデバイスの性能を代表するような回路部分
に関する回路シミュレーション用のネットリストであ
る。
The knowledge management server 60 is provided with the line data servers 40-4 of the target fabs 10-12.
2 is accessed to fetch typical device characteristics, device variation data, and wiring variation data in the same manner as described above, and further accesses benchmark circuits relating to those devices. The benchmark circuit is a netlist for circuit simulation relating to a circuit portion that represents the performance of a target device.

【0092】ナレッジマネジメントサーバ60はアクセ
スした情報を利用して、〔7〕デバイスパラメータの生
成、〔8〕配線パラメータの生成を行う。デバイスパラ
メータは回路設計時に回路シミュレーションを行うとき
に用いるパラメータであり、例えばMOSトランジスタ
の特性を表すための係数の集合である。パラメータの生
成に関しては、前記ベンチマーク回路を用いて、ワース
ト、ベスト、ティピカル(Worst, Best, Typical)の3
態様で取得する。このようにして得られたパラメータ
は、要求に対する結果としてファブレス13〜16(設
計データサーバ50〜53)の内のサービス要求元が取
得する。
The knowledge management server 60 uses the accessed information to generate [7] device parameters and [8] wiring parameters. The device parameter is a parameter used when performing a circuit simulation at the time of circuit design, and is, for example, a set of coefficients for representing characteristics of a MOS transistor. Regarding the generation of the parameters, the worst, best, and typical (Worst, Best, Typical)
Acquisition in a mode. The parameters obtained in this way are obtained by the service request source among the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) as a result of the request.

【0093】図9にはライン歩留向上策の提供処理に関
する第1の情報入出力例が示される。この情報入出力は
図4のステップS1,S2,S3の流れに応ずるものと
して位置付けられる。
FIG. 9 shows a first information input / output example relating to the process of providing a line yield improvement measure. This information input / output is positioned as corresponding to the flow of steps S1, S2, and S3 in FIG.

【0094】ナレッジマネジメントサーバ60は、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、前記ティピカルデバイス特性及び前
記デバイスのばらつきデータと共に、プロセス条件、そ
して、それらデバイスに関するベンチマーク回路をアク
セスする。
The knowledge management server 60 is provided with the line data servers 40-4 of the target fabs 10-12.
2 to access the typical device characteristics and the device variation data, as well as the process conditions and benchmark circuits for those devices.

【0095】ナレッジマネジメントサーバ60は、ファ
ブ10〜12からの要求に応答して上記アクセスした情
報を利用し、
The knowledge management server 60 uses the information accessed in response to the request from the fabs 10 to 12,

〔9〕アクセスしたデバイスの性能やプロ
セス条件で前記ベンチマーク回路を作製すると仮定した
とき、そのデバイス性能を向上させ、或はデバイスの特
性ばらつきを低減するための、プロセス条件とデバイス
構造を求める処理を行う。要するに、この処理は、高速
動作すべきか等の回路特性を前記ベンチマーク回路に基
づいて考慮しながら、複数のプロセス条件について、デ
バイス構造やプロセス条件を最適化しようとするもので
ある。ファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
3の内のサービス要求元に与えられる歩留向上策として
の最適プロセス条件は、例えば不純物のインプラ量、イ
オン打ち込みエネルギー、打ち込み角度等である。歩留
向上策としてのデバイス条件は、例えば、MOSトラン
ジスタのチャネル長、酸化膜厚等の条件とされる。即
ち、この処理で与えられるライン歩留向上策は、デバイ
ス製造に関する事柄になる。
[9] When it is assumed that the benchmark circuit is manufactured based on the performance and process conditions of the accessed device, a process for obtaining process conditions and a device structure for improving the device performance or reducing variations in device characteristics is performed. Do. In short, this process seeks to optimize the device structure and process conditions for a plurality of process conditions while considering circuit characteristics such as whether to operate at high speed based on the benchmark circuit. Fab 10-12 line data servers 40-4
The optimum process conditions as a yield improvement measure given to the service requester among the three are, for example, the amount of implanted impurities, ion implantation energy, implantation angle, and the like. The device condition as a yield improvement measure is, for example, a condition such as a channel length of a MOS transistor and an oxide film thickness. That is, the line yield improvement measures given in this process are related to device manufacturing.

【0096】図10にはライン歩留向上策の提供処理に
関する第2の情報入出力例が示される。この情報入出力
は図4のステップS4,S5,S6,S7の流れに応ず
るものとして位置付けられる。
FIG. 10 shows a second example of information input / output relating to the process of providing a line yield improvement measure. This information input / output is positioned as corresponding to the flow of steps S4, S5, S6, and S7 in FIG.

【0097】ナレッジマネジメントサーバ60は、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、前記ティピカルデバイス特性及び前
記デバイスのばらつきデータと共に、プロセス条件、そ
して、欠陥密度に関するラインデータ(ラインデータサ
ーバ上のデータ)をアクセスする。このアクセス情報は
図7で説明したアクセス情報と同様である。
The knowledge management server 60 is provided with the line data servers 40-4 of the target fabs 10-12.
2 to access the typical device characteristics and the device variation data, as well as the process conditions and the line data relating to the defect density (data on a line data server). This access information is the same as the access information described in FIG.

【0098】また、ナレッジマネジメントサーバ60
は、目的とするファブレス13〜16の設計データサー
バ50〜53をアクセスして、ターゲットとなるLSI
に関するベンチマーク回路、レイアウトデータ、回路性
能仕様(回路性能スペック)などの情報を取得する。前
記ベンチマーク回路はターゲットとするLSIの性能を
代表するような回路部分に関する回路シミュレーション
用のネットリストである。
The knowledge management server 60
Accesses the target design data servers 50 to 53 of the fabless 13 to 16 and sets the target LSI
Information such as benchmark circuits, layout data, and circuit performance specifications (circuit performance specifications). The benchmark circuit is a netlist for circuit simulation relating to a circuit portion that represents the performance of a target LSI.

【0099】ナレッジマネジメントサーバ60は、ファ
ブ10〜12からの要求に応答し、上記アクセスした情
報を利用して、〔10〕アクセスしたデバイスの性能や
プロセス条件で前記ベンチマーク回路を作製すると仮定
したとき、そのデバイス性能を向上させ、或はデバイス
の特性ばらつきを低減するための、デバイス構造やプロ
セス条件を求める処理を行う。要するに、この処理は、
高速動作すべきか等の回路特性を前記ベンチマーク回路
に基づいて考慮しながら、回路特性を最適化し得るよう
な、レイアウト構造を提案するものである。
The knowledge management server 60 responds to the request from the fabs 10 to 12 and, based on the accessed information, [10] when it is assumed that the benchmark circuit is manufactured based on the performance and process conditions of the accessed device. In order to improve the device performance or reduce the variation in device characteristics, a process for obtaining a device structure and process conditions is performed. In short, this process
The present invention proposes a layout structure that can optimize circuit characteristics while considering circuit characteristics such as whether to operate at high speed based on the benchmark circuit.

【0100】図11にはプレシリコンパラメータの提供
処理に関する情報入出力例が示される。プレシリコンパ
ラメータ(プレシリコンデバイスパラメータ)とは、既
存のデバイスから抽出したデバイスパラメータから他の
条件のデバイス、次世代プロセスのデバイスを予測して
生成したデバイスパラメータを意味する。
FIG. 11 shows an example of information input / output relating to the pre-silicon parameter providing process. The pre-silicon parameter (pre-silicon device parameter) means a device parameter generated by predicting a device under other conditions and a device of a next-generation process from a device parameter extracted from an existing device.

【0101】ナレッジマネジメントサーバ60は、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、前述と同様に、既存デバイスに関す
る、ティピカルなデバイス特性、プロセスばらつき、及
び配線ばらつき(配線容量、配線抵抗)の情報をアクセ
スする。更に、ターゲットとする他の条件のデバイス又
は次世代プロセスのデバイスに関する条件(ターゲット
デバイス条件)の情報をアクセスする。ターゲットデバ
イス条件とは、例えばMOSトランジスタの場合にはゲ
ート長(Lg)、ゲート酸化膜厚(Tox)、ゲート長
と閾値電圧との関係(Lg−Vth)等である。更に、
ナレッジマネジメントサーバ60は目的とするファブ1
0〜12のラインデータサーバ40〜42をアクセスし
て、ベンチマーク回路の情報を取得する。このベンチマ
ーク回路とは、既存デバイスで設計された回路をターゲ
ットデバイスで構成したと仮定してシミュレーションを
行って評価することができる回路のネットリストであれ
ばよい。
The knowledge management server 60 is provided with the line data servers 40-4 of the target fabs 10-12.
2 to access information on typical device characteristics, process variations, and wiring variations (wiring capacitance, wiring resistance) relating to existing devices, as described above. Further, information on a device having another target condition or a condition (target device condition) relating to a device of a next-generation process is accessed. The target device conditions include, for example, in the case of a MOS transistor, a gate length (Lg), a gate oxide film thickness (Tox), a relationship between a gate length and a threshold voltage (Lg-Vth), and the like. Furthermore,
Knowledge Management Server 60 is the target fab 1
The information of the benchmark circuit is acquired by accessing the line data servers 40 to 42 of 0 to 12. The benchmark circuit may be a netlist of circuits that can be evaluated by performing a simulation assuming that a circuit designed with an existing device is configured with a target device.

【0102】ナレッジマネジメントサーバ60はアクセ
スした情報を利用して、〔11〕プレシリコンデバイス
パラメータの生成、〔12〕プレシリコン配線パラメー
タの生成を行う。プレシリコンパラメータの生成に関し
ては、前記ベンチマーク回路を用いて、ワースト、ベス
ト、ティピカル(Worst, Best, Typical)の3態様で取
得する。このようにして得られたパラメータは、要求に
対する結果としてファブレス13〜16(設計データサ
ーバ50〜53)の内のサービス要求元が取得する。フ
ァブレス13〜16の内のサービス要求元は、取得した
ターゲットデバイスに関するプレシリコンデバイスパラ
メータを用いることにより、ファブ10〜12がデバイ
スを開発する前に、シミュレーションを行いながら回路
設計を進めることが可能になる。これにより、ファブレ
ス13〜16にとってLSI設計の受注時期を早めるこ
とが可能になる。
The knowledge management server 60 generates [11] pre-silicon device parameters and [12] pre-silicon wiring parameters using the accessed information. With respect to the generation of the pre-silicon parameter, the worst, best, and typical (Worst, Best, Typical) modes are obtained using the benchmark circuit. The parameters obtained in this way are obtained by the service request source among the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) as a result of the request. The service requester of the fabless 13 to 16 can use the obtained pre-silicon device parameters related to the target device, and can proceed with the circuit design while performing simulation before the fab 10 to 12 develop the device. Become. This makes it possible for the fabless units 13 to 16 to have an earlier order for an LSI design.

【0103】図12にはライン斡旋の提供処理に関する
情報入出力例が示される。この処理はファブレス13〜
16にとって、どのファブ10〜12に頼めば良いかの
情報を得る処理であり、当然ファブの歩留にも関係する
から、図7の場合と同様に、ナレッジマネジメントサー
バ60は、ファブレス13〜16の設計データサーバ5
0〜53の内のサービス要求元が必要とするターゲット
LSIの製品歩留を求めるのに必要な情報として、目的
とするファブ10〜12のラインデータサーバ40〜4
2をアクセスして、ティピカルデバイス特性、デバイス
ばらつきデータ、及び異物データをアクセスし、要求元
のファブレス13〜16からベンチマーク回路、レイア
ウトデータ、及び製品スペックの情報をアクセスして取
得する。更に、ナレッジマネジメントサーバ60は、タ
ーゲットLSIの製品歩留に基づいてライン斡旋を行う
のに必要な情報として、目的とするファブ10〜12の
ラインデータサーバ40〜42をアクセスし、ラインの
スループットに関する情報等を取得し、要求元のファブ
レス13〜16からはウエハ単価予算、要求プロセス、
チップの要求個数、及びウエハ1枚当りから得るチップ
の要求個数等の情報を取得する。
FIG. 12 shows an example of information input / output relating to the process of providing line mediation. This process is fabless 13 ~
16 is a process for obtaining information on which fabs 10 to 12 should be ordered, and naturally relates to the yield of the fabs. Therefore, similarly to the case of FIG. Design data server 5
The line data servers 40 to 4 of the target fabs 10 to 12 are used as information necessary for obtaining the product yield of the target LSI required by the service request source among the service request sources 0 to 53
2 to access typical device characteristics, device variation data, and foreign matter data, and access and acquire information on benchmark circuits, layout data, and product specifications from the requesting fabless 13 to 16. Further, the knowledge management server 60 accesses the line data servers 40 to 42 of the target fabs 10 to 12 as information necessary for performing the line mediation based on the product yield of the target LSI, and relates to the line throughput. The information and the like are acquired, and the request source fabless 13-16 receives the wafer unit cost budget, the request process,
Information such as the required number of chips and the required number of chips obtained from one wafer is acquired.

【0104】ナレッジマネジメントサーバ60は、上記
アクセスした情報を利用して、〔13〕ターゲットLS
Iの製品歩留を求め、〔14〕製品歩留とウエハ単価予
算よりチップ1個当りの単価を求める。また、ナレッジ
マネジメントサーバ60は、〔15〕ファブ10〜12
毎に製造ラインのスループットと製造ラインの混雑状況
などにより、ファブレス13〜16の内のサービス要求
元の依頼する製品の出来上がり時期を見積もる。ファブ
レス13〜16の内のサービス要求元は、ファブ10〜
12毎の製品出来上がり時期とチップ単価に基づいて、
依頼すべきファブ10〜12を選定する。このようにし
て、製品を製造させるに最適なファブの斡旋が行われ
る。
The knowledge management server 60 uses the accessed information to perform [13] target LS
The product yield of I is obtained, and [14] The unit price per chip is obtained from the product yield and the wafer unit cost budget. Also, the knowledge management server 60 [15]
For each production line, the completion time of the product requested by the service requester among the fabless units 13 to 16 is estimated based on the throughput of the production line and the congestion state of the production line. The service request source of the fabless 13 to 16 is
12 based on the product completion time and chip unit price,
The fabs 10 to 12 to be requested are selected. In this way, the optimal fab mediation for producing the product is performed.

【0105】図13にはロット投入時期データの提供処
理に関する情報入出力例が示される。この処理は、ファ
ブにファブレスから製品の注文と納期の依頼があったと
き、ファブの製造ラインに関する周期的な情況変化を考
慮してファブに情報を提供するものである。即ち、ナレ
ッジマネジメントサーバ60は、図7で説明したファブ
のデバイスのばらつきや配線ばらつきに関し時系列のデ
ータを、目的とするファブ10〜12のラインデータサ
ーバ40〜42をアクセスして取得する。そのほかに、
ナレッジマネジメントサーバ60は、目的のファブから
1ロットの製造期間と異物データを取得する。ナレッジ
マネジメントサーバ60は、また、ファブレス13〜1
6の設計データサーバからは図7と同様の、ベンチマー
ク回路、レイアウトデータ、設計スペック、及びチップ
単価予算の情報を取得する。更に、ナレッジマネジメン
トサーバ60は、ファブに注文依頼したファブレス13
〜16(設計データサーバ50〜53)の内の前記注文
依頼元からターゲットLSIの要求納期及び要求チップ
個数の情報を取得する。
FIG. 13 shows an example of information input / output relating to the process of providing lot input timing data. This process provides information to a fab when a fabless receives an order for a product and a delivery date from the fabless, taking into account periodic changes in the status of the fab production line. That is, the knowledge management server 60 accesses the line data servers 40 to 42 of the target fabs 10 to 12 to obtain time-series data on the device variation and the wiring variation of the fab described in FIG. Besides that,
The knowledge management server 60 acquires the manufacturing period and foreign matter data of one lot from the target fab. The knowledge management server 60 also sets up the fabless 13-1.
The information of the benchmark circuit, the layout data, the design specifications, and the chip unit cost budget are obtained from the design data server 6 as in FIG. Further, the knowledge management server 60 sends the fabless 13
The information on the requested delivery date and the required number of chips of the target LSI is acquired from the order request source in the design data servers 50 to 53 (design data servers 50 to 53).

【0106】ナレッジマネジメントサーバ60はアクセ
スした情報を利用して以下の処理を行う。〔16〕ファ
ブ10〜12の提供する時系列のデバイスばらつきデー
タと配線ばらつきデータから、ファブレス13〜16の
内の前記注文依頼元が提供する回路の特性ばらつきを求
める。要するに、ベンチマーク回路によるシミュレーシ
ョンにより、デバイスや配線ばらつきに応じた回路特性
ばらつき(回路性能のばらつき)を得る。〔17〕製品
スペックより時期と期間別に性能に関する歩留(特性歩
留)を求める。〔18〕ファブ10〜12の内のサービ
ス要求元が提供する異物データとファブレス13〜16
の内の注文依頼元が提供するレイアウトデータから異物
に起因する歩留(異物歩留)を求める。〔19〕前記特
性歩留と前記異物歩留からターゲット製品に関する時期
と期間別の製品歩留を求める。〔20〕ファブレス13
〜16の内の注文依頼元が要求する個数を要求納期まで
に製造するために、どの時期からどのくらいの期間、そ
の製品のロットを流すかを求める。これによって得られ
るロット投入時期及びロット投入期間のデータを、要求
に対する結果としてファブ10〜12の内のサービス要
求元が取得する。
The knowledge management server 60 performs the following processing using the accessed information. [16] From the time-series device variation data and the wiring variation data provided by the fabs 10 to 12, the characteristic variation of the circuit provided by the order request source among the fabless 13 to 16 is obtained. In short, a simulation by the benchmark circuit obtains a variation in circuit characteristics (variation in circuit performance) according to a variation in device and wiring. [17] A yield (characteristic yield) relating to performance is obtained for each period and period from the product specifications. [18] Foreign matter data provided by the service request source among the fabs 10 to 12 and the fabless 13 to 16
The yield (foreign matter yield) due to the foreign matter is obtained from the layout data provided by the order request source. [19] From the characteristic yield and the foreign matter yield, obtain a product yield for each time and period for the target product. [20] Fabless 13
In order to manufacture the number requested by the order requester out of ~ 16 by the required delivery date, it is required to determine from which time and for how long the lot of the product is to be flown. The service request source of the fabs 10 to 12 acquires the data of the lot input timing and the lot input period obtained as a result of the request.

【0107】《情報処理方法》図14には図7で説明し
た〔1〕〜〔4〕による製品歩留計算のデータフローが
例示される。同図において>Fbはファブへ与えられる
情報であることを意味し、Fb>はファブから与えられ
る情報であることを意味し、>Flはファブレスに与え
られる情報であることを意味し、Fl>はファブレスか
ら与えられる情報であることを意味する。
<< Information Processing Method >> FIG. 14 illustrates a data flow of the product yield calculation by [1] to [4] described with reference to FIG. In the figure,> Fb means information given to the fab, Fb> means information given from the fab,> Fl means information given to the fabless, and Fl> Means that the information is provided by fabless.

【0108】先ず、ファブ10〜12(ラインデータサ
ーバ40〜42)から得られたティピカルなデバイスの
特性から、デバイスパラメータ(モデルパラメータとも
称する)抽出を実行し(T1)、回路シミュレーション
するためのティピカルなデバイスパラメータを生成す
る。生成されたデバイスパラメータとファブ10〜12
(ラインデータサーバ40〜42)から得られたデバイ
スのばらつきデータを用いて、統計デバイスパラメータ
抽出を実行し(T2)、プロセスばらつきのデータを生
成する。図37には統計デバイスパラメータ抽出(T
2)処理の概略が例示されており、ティピカルなデバイ
スパラメータとデバイスのばらつきデータに基づいて、
例えばMOSトランジスタの、酸化膜厚(Tox)、ゲ
ート長(Lg)、チャネルドーズ量(Nch)、短チャ
ネル効果抑制インプラドーズ量(Nlx)等のプロセス
ばらつきを生成する。
First, device parameters (also referred to as model parameters) are extracted from typical device characteristics obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T1), and typical for circuit simulation. Generate device parameters. Generated device parameters and fabs 10-12
Statistical device parameter extraction is executed using the device variation data obtained from the (line data servers 40 to 42) (T2) to generate process variation data. FIG. 37 shows statistical device parameter extraction (T
2) An outline of the process is illustrated, and based on typical device parameters and device variation data,
For example, process variations such as an oxide film thickness (Tox), a gate length (Lg), a channel dose (Nch), and a short channel effect suppression implant dose (Nlx) of a MOS transistor are generated.

【0109】生成されたプロセスばらつきのデータ、フ
ァブ10〜12(ラインデータサーバ40〜42)から
得られた配線の抵抗と容量のばらつきデータ、ファブレ
ス13〜16(設計データサーバ50〜53)の内のサ
ービス要求元から得られたベンチマーク回路のネットリ
スト、電源電圧のスペック、温度のスペックを用いて回
路特性ばらつき解析が実行され(T3)、特性のばらつ
きデータが生成される。図39には回路特性ばらつき解
析の様子が例示される。モデルパラメータ、ネットリス
ト、プロセスばらつきを用いて、閾値Vthとドレイン
・ソース電流Idsのばらつき、遅延時間のばらつき等
の回路特性ばらつきが得られる。
The generated process variation data, wiring resistance and capacitance variation data obtained from fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42), and fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) The circuit characteristic variation analysis is performed using the netlist of the benchmark circuit, the specification of the power supply voltage, and the specification of the temperature obtained from the service request source (T3), and characteristic variation data is generated. FIG. 39 illustrates a state of the circuit characteristic variation analysis. Using the model parameters, the netlist, and the process variations, variations in circuit characteristics such as variations in the threshold Vth and the drain / source current Ids and variations in the delay time can be obtained.

【0110】得られた特性ばらつきデータとファブレス
13〜16(設計データサーバ50〜53)の内のサー
ビス要求元から得られた回路性能スペックを用いて、特
性歩留計算処理を実行し(T4)、特性歩留を求める。
図40には特性歩留計算の様子が例示され、これによれ
ば、回路スペックから得られる特性毎の歩留の積によっ
て特性歩留が得られる。
Using the obtained characteristic variation data and the circuit performance specification obtained from the service request source in the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53), a characteristic yield calculation process is executed (T4). And characteristic yield.
FIG. 40 illustrates the characteristic yield calculation. According to this, the characteristic yield is obtained by multiplying the yield for each characteristic obtained from the circuit specifications.

【0111】また、ファブ10〜12(ラインデータサ
ーバ40〜42)から得られた配線層毎の欠陥密度とフ
ァブレス13〜16の内のサービス要求元から得られた
レイアウトデータを用いてクリティカルエリアアナリシ
スを実行して(T5)、異物歩留を求める。特性歩留と
異物歩留から製品歩留を計算し(T6)、当該製品の歩
留を求める。
A critical area analysis is performed using the defect density for each wiring layer obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) and the layout data obtained from the service request source in the fabless 13 to 16 (T5) to obtain the foreign matter yield. The product yield is calculated from the characteristic yield and the foreign matter yield (T6), and the yield of the product is obtained.

【0112】これにより、ファブレス13〜16の内の
サービス要求元は各ファブ10〜12に当該製品を発注
したときの製品歩留まりを事前に知ることができ、ファ
ブ10〜12の選択を適切に行うことができるようにな
る。
Thus, the service request source of the fabless units 13 to 16 can know in advance the product yield when the product is ordered to each of the fabs 10 to 12, and appropriately select the fabs 10 to 12. Will be able to do it.

【0113】図15には図7で説明したウエハの適正単
価を求めるデータフローが例示される。上記によって求
めた製品歩留とファブレス13〜16(設計データサー
バ50〜53)から得られたチップ単価の予算と、ウエ
ハ1枚から得られるチップの個数からウエハ価格を計算
し、ウエハの適正単価を求める(T7)。
FIG. 15 exemplifies a data flow for obtaining an appropriate unit price of a wafer described with reference to FIG. The wafer price is calculated from the product yield obtained as described above, the budget of the chip unit price obtained from the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53), and the number of chips obtained from one wafer, and the appropriate unit price of the wafer. (T7).

【0114】これにより、ファブレス13〜16が希望
するチップ単価に対してファブ10〜12の内のサービ
ス要求元のファブは収支に見合うウエハ単価を知ること
ができる。
As a result, the fab that is the service requester among the fabs 10 to 12 can know the wafer unit price that matches the balance with respect to the chip unit price desired by the fabless units 13 to 16.

【0115】図16は図7で説明したチップの適正単価
を求めるデータフローが例示される。上記によって求め
た製品歩留とファブ10〜12(ラインデータサーバ4
0〜42)から得られたウエハ単価と、ウエハ1枚から
得られるチップの個数からチップ単価を計算し、チップ
の適正単価を求める(T8)。
FIG. 16 shows an example of a data flow for obtaining the appropriate unit price of the chip described with reference to FIG. Product yields and fabs 10 to 12 (line data server 4
The chip unit price is calculated from the wafer unit price obtained from 0 to 42) and the number of chips obtained from one wafer, and an appropriate unit price of the chip is obtained (T8).

【0116】これにより、ファブレス13〜16は各フ
ァブ10〜12に当該製品を発注したときのコストをチ
ップ単価より事前に知ることができ、ファブ10〜12
の中から適切なファブを選択することによってコストを
下げ、利益を上げることができる。
Thus, the fabless units 13 to 16 can know in advance the cost of ordering the product to each of the fabs 10 to 12 from the chip unit price.
Choosing the right fab can help you lower costs and increase profits.

【0117】図17は図8で説明した設計用のデバイス
パラメータを生成するデータフローが示される。ファブ
10〜12(ラインデータサーバ40〜42)から得ら
れたティピカルなデバイスの特性から、デバイスパラメ
ータ抽出を実行し(T1)、回路シミュレーションする
ためのティピカルなデバイスパラメータを生成する。生
成されたデバイスパラメータとファブ10〜12から得
られたデバイスのばらつきデータを用いて、統計デバイ
スパラメータ抽出を実行し(T2)、プロセスばらつき
のデータを生成する。生成されたプロセスばらつきのデ
ータ、ファブ10〜12(ラインデータサーバ40〜4
2)から得られた配線の抵抗と容量のばらつきデータ、
ファブレス13〜16(設計データサーバ50〜53)
の内のサービス要求元から得られたベンチマーク回路の
ネットリストを用いて回路特性ばらつき解析を実行し
(T3)、特性のばらつきデータを生成する。得られた
特性ばらつきデータから回路設計するためのワースト
(Worst)、ベスト(Best)パラメータを生成する処理
を実行し(T9)、得られたデバイスと配線のワース
ト、ベストパラメータをファブレス13〜16(設計デ
ータサーバ50〜53)の内のサービス要求元に提供す
る。図41にはワースト(Worst)、ベスト(Best)パ
ラメータ生成処理の様子が例示され、遅延が小さくカッ
トオフ電流の大きな特性をベストパラメータとして採用
し、遅延が大きくドレイン・ソース電流の小さな特性を
ワーストパラメータとして採用している。
FIG. 17 shows a data flow for generating the device parameters for design described in FIG. Device parameters are extracted from the typical device characteristics obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T1), and typical device parameters for circuit simulation are generated. Statistical device parameter extraction is executed using the generated device parameters and the device variation data obtained from the fabs 10 to 12 (T2) to generate process variation data. Generated process variation data, fabs 10-12 (line data servers 40-4
The variation data of the resistance and capacitance of the wiring obtained from 2),
Fabless 13-16 (design data server 50-53)
The circuit characteristic variation analysis is performed using the benchmark circuit netlist obtained from the service request source in (T3) to generate characteristic variation data. A process for generating worst and best parameters for circuit design from the obtained characteristic variation data is executed (T9), and the obtained device and wiring worst and best parameters are converted into fabless 13 to 16 ( The service is provided to the service request source in the design data servers 50 to 53). FIG. 41 shows an example of worst and best parameter generation processing. A characteristic with a small delay and a large cutoff current is adopted as a best parameter, and a characteristic with a large delay and a small drain-source current is used as the worst. It is adopted as a parameter.

【0118】図17の処理により、ファブレス13〜1
6の内のサービス要求元はデバイスパラメータを使って
回路シミュレーションを行うことによって、各ファブ1
0〜12に製品の製造を依頼したときの特性若しくは性
能を確認することができ、性能のスペックを満たす製品
を製造できる適切なファブを選択することが可能にな
る。
According to the processing in FIG.
6 simulates the circuit using the device parameters, so that each fab 1
It is possible to confirm the characteristics or performance when the manufacture of the product is requested from 0 to 12, and it is possible to select an appropriate fab that can manufacture a product satisfying the performance specifications.

【0119】図18は図9で説明した歩留の向上策を求
めるデータフローである。ファブ10〜12(ラインデ
ータサーバ40〜42)から得られたティピカルなデバ
イスの特性から、デバイスパラメータ抽出を実行し(T
1)、回路シミュレーションするためのティピカルなデ
バイスパラメータを生成する。生成されたデバイスパラ
メータとファブ10〜12(ラインデータサーバ40〜
42)から得られたデバイスのばらつきデータを用い
て、統計デバイスパラメータ抽出を実行し(T2)、プ
ロセスばらつきのデータを生成する。また、ティピカル
なデバイスの特性とそのデバイスのプロセス条件からデ
バイスロバスト処理を実行し(T10)、ばらつきが小
さいという意味で最適なプロセス条件を求めてファブに
提供する。提供されるプロセス条件式は図44に示され
るような内容とされる。さらに、ここで得られたデバイ
ス特性とプロセスばらつき、及び、ファブ10〜12
(ラインデータサーバ40〜42)の内のサービス要求
元が提供するベンチマーク回路のネットリストを用いて
回路特性ばらつき解析を実行し(T11)、最適なデバ
イス構造を求めてファブに提供する。
FIG. 18 is a data flow for seeking a yield improvement measure described with reference to FIG. Device parameters are extracted from typical device characteristics obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T
1) Generate typical device parameters for circuit simulation. Generated device parameters and fabs 10 to 12 (line data server 40 to
Using the device variation data obtained in step 42), statistical device parameter extraction is executed (T2) to generate process variation data. In addition, device robust processing is executed based on typical device characteristics and device process conditions (T10), and optimum process conditions in the sense of small variations are obtained and provided to the fab. The provided process condition expression has contents as shown in FIG. Further, the device characteristics and process variation obtained here, and fab 10 to 12
A circuit characteristic variation analysis is performed using the netlist of the benchmark circuit provided by the service requester among the (line data servers 40 to 42) (T11), and an optimum device structure is obtained and provided to the fab.

【0120】これにより、ファブ10〜12の内のサー
ビス要求元は歩留をあげて不良品を低減することがで
き、売り上げの増加につながる。
As a result, the service request source among the fabs 10 to 12 can increase the yield and reduce defective products, which leads to an increase in sales.

【0121】図19は図10に基づいて説明したところ
の専らファブレスの製品を対象とした歩留の向上策を求
めるデータフローが例示される。ファブ10〜12(ラ
インデータサーバ40〜42)から得られたティピカル
なデバイスの特性から、デバイスパラメータ抽出を実行
し(T1)、回路シミュレーションするためのティピカ
ルなデバイスパラメータを生成する。生成されたデバイ
スパラメータとファブ10〜12(ラインデータサーバ
40〜42)から得られたデバイスのばらつきデータを
用いて、統計デバイスパラメータ抽出を実行し(T
2)、プロセスばらつきのデータを生成する。また、テ
ィピカルなデバイスの特性とそのデバイスのプロセス条
件からデバイスロバスト処理を実行し(T10)、最適
なプロセス条件を求めてファブ10〜12(ラインデー
タサーバ40〜42)の内のサービス要求元に提供す
る。さらに、ここで得られたデバイス特性とプロセスば
らつき、及び、ファブレス13〜16(設計データサー
バ50〜53)の提供するベンチマーク回路のネットリ
ストを用いて回路特性ばらつき解析を実行し(T1
1)、特性のばらつきと最適なデバイス構造を求めてフ
ァブ10〜12(ラインデータサーバ40〜42)の内
のサービス要求元に提供する。さらに、ファブレス13
〜16(設計データサーバ50〜53)から得られる回
路性能のスペックと上記で得られた特性ばらつき、改善
デバイス構造を用いて製品の特性歩留を計算する(T
4)。一方で、ファブレス13〜16(設計データサー
バ50〜53)から得られる配線層毎の欠陥密度をファ
ブレス13〜16(設計データサーバ50〜53)から
得られるレイアウトデータを用いてクリティカルエリア
アナリシスを実行して異物歩留を求める(T5)。特性
歩留と異物歩留から製品歩留を計算し(T6)、当該製
品の歩留を求める。
FIG. 19 exemplifies a data flow for seeking a yield improvement measure exclusively for a fabless product described with reference to FIG. Device parameters are extracted from the typical device characteristics obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T1), and typical device parameters for circuit simulation are generated. Statistical device parameter extraction is executed using the generated device parameters and device variation data obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T
2) Generate process variation data. In addition, device robust processing is executed based on typical device characteristics and device process conditions (T10), and optimum process conditions are determined to provide service request sources to the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42). provide. Further, a circuit characteristic variation analysis is performed using the device characteristics and process variation obtained here and the netlist of the benchmark circuits provided by the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) (T1).
1) The variation in characteristics and the optimum device structure are obtained and provided to the service request source among the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42). In addition, fabless 13
特性 16 (design data servers 505353), the characteristic yield of the product is calculated using the specification of the circuit performance, the characteristic variation obtained above, and the improved device structure (T
4). On the other hand, the defect density for each wiring layer obtained from the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53) is subjected to a critical area analysis using the layout data obtained from the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53). Then, the foreign material yield is obtained (T5). The product yield is calculated from the characteristic yield and the foreign matter yield (T6), and the yield of the product is obtained.

【0122】前記製品歩留計算(T6)で得られる製品
歩留は、ファブ10〜12にとって、プロセスとデバイ
ス構造の改善(改善プロセス条件、改善デバイス構造)
によって期待できる歩留向上分が見込まれていることに
なる。要するに、ファブ10〜12の内のサービス要求
元はファブレス13〜16の受注する製品の歩留をあげ
て不良品を低減することができる。そのため、1チップ
の売買価格を固定としたときにファブ10〜12の内の
サービス要求元は1枚のウエハをより高い値段で売るこ
とができ、また1ウエハの売買価格を固定にしたときに
は1チップあたりのコストを下げることができるため、
利益の増加につながる。
The product yield obtained by the product yield calculation (T6) is improved for the fabs 10 to 12 in the process and the device structure (improved process conditions, improved device structure).
As a result, the expected yield improvement can be expected. In short, the service requesting source among the fabs 10 to 12 can increase the yield of the ordered products of the fabless 13 to 16 and reduce the defective products. Therefore, when the sales price of one chip is fixed, the service request source among the fabs 10 to 12 can sell one wafer at a higher price, and when the sales price of one wafer is fixed, one service is required. Because the cost per chip can be reduced,
Leads to increased profits.

【0123】クリティカルエリアアナリシス処理(T
5)で得られる改善レイアウトはファブレス13〜16
(設計データサーバ50〜53)の内のサービス要求元
に与えられる。これによりファブレス13〜16の内の
サービス要求元は、歩留を向上させることが可能なよう
にレイアウト設計を見直すことができる。
The critical area analysis processing (T
The improved layout obtained in 5) is fabless 13-16
(Design data servers 50 to 53). As a result, the service request source among the fabless units 13 to 16 can review the layout design so as to improve the yield.

【0124】図20には図11で説明した回路設計用の
プレシリコンデバイスパラメータを生成するデータフロ
ーが例示される。ファブ10〜12(ラインデータサー
バ40〜42)から得られたティピカルなデバイスの特
性から、デバイスパラメータ抽出を実行し(T1)、回
路シミュレーションするためのティピカルなデバイスパ
ラメータを生成する。生成されたデバイスパラメータと
ターゲットデバイスのチャネル長、酸化膜厚、しきい値
のチャネル長依存性を用いてプレシリコンデバイスパラ
メータ生成処理を実行し(T12)、ティピカルなプレ
シリコンデバイスパラメータを生成する。ファブ10〜
12(ラインデータサーバ40〜42)から得られたプ
ロセスばらつきと配線の抵抗と容量のばらつきデータ、
ファンダリーから得られたベンチマーク回路のネットリ
ストを用いて回路特性ばらつき解析を実行し(T3)、
特性のばらつきデータを生成する。得られた特性ばらつ
きデータから回路設計するためのワースト、ベストパラ
メータを生成する処理を実行し(T9)、得られたデバ
イスと配線のワースト、ベストプレシリコンパラメータ
をファブレス13〜16(設計データサーバ50〜5
3)の内のサービス要求元に提供する。
FIG. 20 illustrates a data flow for generating the pre-silicon device parameters for circuit design described with reference to FIG. Device parameters are extracted from the typical device characteristics obtained from the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T1), and typical device parameters for circuit simulation are generated. Pre-silicon device parameter generation processing is executed using the generated device parameters and the channel length dependence of the target device channel length, oxide film thickness, and threshold value (T12) to generate typical pre-silicon device parameters. Fab 10
12 (line data servers 40 to 42), process variation and wiring resistance and capacitance variation data,
A circuit characteristic variation analysis is performed using the benchmark circuit netlist obtained from the foundry (T3),
Generate characteristic variation data. A process for generating the worst and best parameters for circuit design from the obtained characteristic variation data is executed (T9), and the obtained device and wiring worst and best pre-silicon parameters are converted to fabless 13 to 16 (design data server 50). ~ 5
It is provided to the service request source in 3).

【0125】これにより、ファブレス13〜16の内の
サービス要求元はファブ10〜12が当該デバイスを開
発する以前にデバイスパラメータを使って回路シミュレ
ーションを行うことができ、各ファブ10〜12に製品
の製造を受注したときの特性の性能を早い時期に確認す
ることができ、性能のスペックを満たす製品を製造でき
るファブを適切に選択することができる。
Thus, the service request source among the fabless units 13 to 16 can perform a circuit simulation using the device parameters before the fab units 10 to 12 develop the device. It is possible to confirm the performance of the characteristics at the time of receiving the order at an early stage, and it is possible to appropriately select a fab that can manufacture a product satisfying the performance specifications.

【0126】図21に前記図12で説明したファブレス
13〜16の内のサービス要求元に製造ラインを斡旋す
る際のデータフローが例示される。ファブレス13〜1
6の内のサービス要求元から得られた製品の要求プロセ
ス、要求個数とファブレス13〜16(設計データサー
バ50〜53)から得られたラインのスループットと受
注状況から製品の納期を計算し(T13)、ファブレス
13〜16(設計データサーバ50〜53)の内のサー
ビス要求元に情報を提供し、ファブレス13〜16(設
計データサーバ50〜53)の内のサービス要求元から
の納期の要求に合致したファブ10〜12を斡旋する。
前記受注情況は図45に例示されるような情報として与
えられる。また、同時に製品の歩留とファブ10〜12
(ラインデータサーバ40〜42)から得られたウエハ
単価、及び、ファブレス13〜16(設計データサーバ
50〜53)から得られるチップサイズからチップ単価
を計算し(T8)、ファブレス13〜16(設計データ
サーバ50〜53)の内のサービス要求元に提供し、製
品納期とチップ単価の兼ね合いでファブレス13〜16
(設計データサーバ50〜53)の内のサービス要求元
からの要求に合致するファブ10〜12を斡旋する。
FIG. 21 shows an example of a data flow when mediating a production line to a service request source among the fabless units 13 to 16 described in FIG. Fabless 13-1
6, the delivery date of the product is calculated from the request process of the product obtained from the service request source, the required number, the throughput of the line obtained from the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53) and the order receiving status (T13). ), Providing information to service request sources in the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53), and responding to a request for delivery date from the service request source in the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53). Find matching fabs 10-12.
The order receiving situation is given as information as exemplified in FIG. At the same time, product yield and fab 10-12
The wafer unit price obtained from the (line data servers 40 to 42) and the chip size obtained from the fabless 13 to 16 (design data server 50 to 53) are calculated (T8), and the fabless 13 to 16 (design Data servers 50 to 53) are provided to the service requester, and fabless 13 to 16 are determined based on the balance between product delivery and chip unit price.
The fabs 10 to 12 that meet the request from the service request source in the (design data servers 50 to 53) are mediated.

【0127】これにより、ファブレス13〜16は製品
を適正価格で、かつ希望する納期に製造できるファブを
選択することができる。また、ファブ10〜12にとっ
てはラインの稼働率をあげることができ、売り上げの増
加につながる。
Thus, the fabless units 13 to 16 can select a fab that can manufacture a product at an appropriate price and at a desired delivery date. Also, for the fabs 10 to 12, the operating rate of the line can be increased, which leads to an increase in sales.

【0128】図22には図13で説明した製品のロット
投入時期を求める際のデータフローが例示される。ファ
ブ10〜12(ラインデータサーバ40〜42)の内の
サービス要求元から得られたティピカルなデバイスの特
性から、デバイスパラメータ抽出が実行され(T1)、
回路シミュレーションするためのティピカルなデバイス
パラメータが生成される。生成されたデバイスパラメー
タとファブ10〜12(ラインデータサーバ40〜4
2)から得られたデバイスの時系列のばらつきデータを
用いて、統計デバイスパラメータ抽出が実行され(T
2)、プロセスばらつきのデータが生成される。生成さ
れたプロセスばらつきのデータ、ファブ10〜12(ラ
インデータサーバ40〜42)の内のサービス要求元か
ら得られた時系列の配線の抵抗と容量のばらつきデー
タ、ファブレス13〜16(設計データサーバ50〜5
3)の内の注文依頼元から得られたベンチマーク回路の
ネットリスト、電源電圧のスペック、温度のスペックを
用いて回路特性ばらつき解析が実行され(T3)、時系
列の特性のばらつきデータが生成される。得られた特性
ばらつきデータとファブレス13〜16(設計データサ
ーバ50〜53)の内の注文依頼元から得られた回路性
能スペックを用いて、特性歩留計算処理が実行され(T
4)、時系列の特性歩留が求められる。また、ファブ1
0〜12(ラインデータサーバ40〜42)の内のサー
ビス要求元から得られた配線層毎の欠陥密度とファブレ
ス13〜16(設計データサーバ50〜53)の内の注
文依頼元から得られたレイアウトデータを用いてクリテ
ィカルエリアアナリシスが実行されて(T5)、異物歩
留が求められる。特性歩留と異物歩留から製品歩留が計
算され(T6)、当該製品の時系列の歩留が求められ
る。時系列の歩留から、1ロット当りから得られる良品
の個数が計算され、要求納期までに要求個数を製造する
ためにどの時期からどのくらいの期間、当該製品をライ
ンに投入する必要があるか、即ち、ロット投入時期が求
められる(T14)。
FIG. 22 exemplifies a data flow for obtaining the lot input timing of the product described in FIG. Device parameters are extracted from characteristics of typical devices obtained from service request sources in the fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42) (T1),
Typical device parameters for circuit simulation are generated. Generated device parameters and fabs 10-12 (line data servers 40-4
Statistical device parameter extraction is executed using the time-series variation data of the device obtained in 2) (T
2), process variation data is generated. Generated process variation data, time-series wiring resistance and capacitance variation data obtained from service request sources among fabs 10 to 12 (line data servers 40 to 42), and fabless 13 to 16 (design data server 50-5
The circuit characteristic variation analysis is performed using the benchmark circuit netlist, power supply voltage specification, and temperature specification obtained from the order request source in (3) (T3), and time-series characteristic variation data is generated. You. The characteristic yield calculation process is executed using the obtained characteristic variation data and the circuit performance specifications obtained from the order request source in the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) (T
4) A time-series characteristic yield is required. Fab 1
Defect densities for each wiring layer obtained from service request sources among 0-12 (line data servers 40-42) and obtained from order request sources among fabless 13-16 (design data servers 50-53) A critical area analysis is performed using the layout data (T5), and a foreign matter yield is obtained. A product yield is calculated from the characteristic yield and the foreign matter yield (T6), and a time-series yield of the product is obtained. From the chronological yield, the number of good products obtained from one lot is calculated, and from what time and for how long it is necessary to put the product into the line to produce the required quantity by the required delivery date, That is, the lot input timing is obtained (T14).

【0129】ラインで製造されるデバイス特性は、図4
2に例示されるように、製造ラインの清掃をするタイミ
ングで周期をもって変動する。この情報を使ってロット
投入時期を決めることにより、ファブ10〜12(ライ
ンデータサーバ40〜42)の内のサービス要求元は製
品のスペックにより、高速な製品の場合には製造ライン
でのデバイス特性の高い時期に投入し、他の時期には中
速品、低速品を投入するといった、製品性能によって製
造する時期の割り振りを行うことが可能になる。また、
図43に例示されるように、高速製品Aの歩留が製造ラ
インの清掃周期に同期して変動するとき、高速製品Aの
要求納期が早いなら歩留が低い時期でもロットの投入が
必要になる。これに対し、要求納期が遅いなら、歩留の
高い時期だけに製品Aの製造ロットを投入し、他の期間
には製品Aよりも歩留の高い別の製品(低速品、中速
品)の製造ロットに割り振ればよい。よって、少ないウ
エハ枚数で要求個数を製造することができるようにな
り、ファブ10〜12(ラインデータサーバ40〜4
2)の内のサービス要求元にとってはコストの低減につ
ながる。
The characteristics of the devices manufactured in the line are shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the frequency fluctuates periodically at the timing of cleaning the production line. By determining the lot input timing using this information, the service request source among the fabs 10 to 12 (the line data servers 40 to 42) depends on the product specifications. It is possible to allocate the manufacturing time according to the product performance, such as introducing the product at a time when the product is high, and supplying a medium speed product or a low speed product at another time. Also,
As illustrated in FIG. 43, when the yield of the high-speed product A fluctuates in synchronization with the cleaning cycle of the manufacturing line, if the required delivery date of the high-speed product A is early, it is necessary to input a lot even when the yield is low. Become. On the other hand, if the required delivery date is late, a production lot of the product A is put in only at a high yield period, and another product (a low-speed product, a medium-speed product) with a higher yield than the product A during other periods. May be allocated to the production lot. Therefore, the required number can be manufactured with a small number of wafers, and the fabs 10 to 12 (the line data servers 40 to 4) can be manufactured.
For the service requester of 2), the cost is reduced.

【0130】図23にはデバイスパラメータ抽出(T
1)の処理方法がデータフローの観点より例示される。
この方法は、UCBが開発したBSIM3モデルの静特
性のデバイスパラメータ(モデルパラメータ)に使用す
るデバイスパラメータ式、すなわちデバイスパラメータ
セット106を抽出する方法である。
FIG. 23 shows a device parameter extraction (T
The processing method 1) is exemplified from the viewpoint of data flow.
This method is a method of extracting a device parameter expression used for device parameters (model parameters) of static characteristics of the BSIM3 model developed by UCB, that is, a device parameter set 106.

【0131】先ず、ハードディスクなどの記憶装置10
1に格納されたVds−Ids特性、Vgs−Ids特
性のデバイス特性測定データ101から、デバイスの短
チャネル効果、狭チャネル効果、基板効果、サブスレッ
ショルドスイング特性、サーフェースパンチスルー特性
などのデバイス特性の中間データ103を生成し、これ
を中間ファイルとしてハードディスクなどの記憶装置に
格納する。この中間データ生成処理102では、モデル
パラメータを閾値や電流等の観点より階層的にグループ
化して、短チャネル効果、狭チャネル効果などのデバイ
ス特性の中間データ103生成することになる。
First, the storage device 10 such as a hard disk
From the device characteristics measurement data 101 of the Vds-Ids characteristics and Vgs-Ids characteristics stored in 1, device characteristics such as a short channel effect, a narrow channel effect, a substrate effect, a sub-threshold swing characteristic, and a surface punch-through characteristic of the device are obtained. The intermediate data 103 is generated and stored in a storage device such as a hard disk as an intermediate file. In the intermediate data generation processing 102, the model parameters are hierarchically grouped from the viewpoint of the threshold value, the current, and the like, and the intermediate data 103 of the device characteristics such as the short channel effect and the narrow channel effect are generated.

【0132】次に、この中間ファイルに格納されている
デバイス特性の中間データ103と、同じくハードディ
スクなどに記憶装置に格納されているチャネル長、酸化
膜厚、プロファイルなどの別途測定されているMOSの
デバイス構造に関連したデバイス構造データ104とか
ら、パラメータ抽出処理105にて、BSIM3モデル
の各パラメータを抽出してデバイスパラメータセット1
06を得る。尚、デバイス特性データやデバイス構造デ
ータは、予め、カーブトレーサやテスタ等の公知のデバ
イス特性測定装置や、走査型電子顕微鏡(SEM)等の
公知の分析装置で別途測定しておくものとする。
Next, the intermediate data 103 of the device characteristics stored in the intermediate file and the separately measured MOS data such as the channel length, the oxide film thickness, and the profile stored in the storage device in the hard disk or the like. In the parameter extraction process 105, each parameter of the BSIM3 model is extracted from the device structure data 104 related to the device structure, and the device parameter set 1
06 is obtained. The device characteristic data and the device structure data are separately measured in advance by a known device characteristic measuring device such as a curve tracer or a tester, or a known analyzing device such as a scanning electron microscope (SEM).

【0133】図24には前記デバイスパラメータ抽出処
理T1が処理手順の観点より例示される。ステップS2
1で実寸チャネル長、酸化膜厚、移動度、飽和速度に関
するデバイスパラメータの値を決定し、ステップS22
で、実行チャネル長に関するデバイスパラメータを抽出
する。閾値を決めるデバイスパラメータの値をステップ
S23〜S27の順で、即ち、基板効果、サブスレッシ
ョルドスイング特性、サーフェースパンチスルー特性、
短チャネル効果、狭チャネル効果に関するデバイスパラ
メータの順番で抽出する。更に電流に関するデバイスパ
ラメータの値をステップS28〜S30の順で、即ち、
バルクチャージ効果、寄生抵抗、実効チャネル幅に関す
るデバイスパラメータの順番で抽出する。要するに、物
理現象毎にデバイスパラメータを抽出している。
FIG. 24 exemplifies the device parameter extraction processing T1 from the viewpoint of the processing procedure. Step S2
In step S22, the device parameters relating to the actual channel length, oxide film thickness, mobility, and saturation speed are determined.
Then, device parameters relating to the execution channel length are extracted. The values of the device parameters for determining the threshold value are set in the order of steps S23 to S27, that is, the substrate effect, the sub-threshold swing characteristic, the surface punch-through characteristic,
The device parameters are extracted in the order of the short-channel effect and the narrow-channel effect. Further, the values of the device parameters relating to the current are set in the order of steps S28 to S30, that is,
The device parameters are extracted in the order of bulk charge effect, parasitic resistance, and effective channel width. In short, device parameters are extracted for each physical phenomenon.

【0134】尚、図23で説明したデバイスパラメータ
の抽出方法は、例えば特開2000−322456公報
に詳しい記載が有る。
The method for extracting the device parameters described with reference to FIG. 23 is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-322456.

【0135】図25には統計デバイスパラメータ抽出処
理T2の方法がデータフローの観点より例示される。こ
の方法は、多数のMOSの特性測定データから、UCB
が開発したBSIM3モデルの静特性のデバイスパラメ
ータ(モデルパラメータ)の一部、即ち統計デバイスパ
ラメータセットを抽出する方法である。
FIG. 25 illustrates the method of the statistical device parameter extraction processing T2 from the viewpoint of data flow. This method uses the UCB from a large number of MOS characteristic measurement data.
This is a method of extracting a part of the device parameters (model parameters) of the static characteristics of the BSIM3 model, that is, a statistical device parameter set.

【0136】先ず、ハードディスクなどの記憶装置に格
納された、デバイスの情報データ111を入力とし、M
OS単体の回路シミュレーションを行うためのネットリ
スト生成機能部112の処理を実行し、得られたネット
リスト113を中間ファイルとしてハードディスクなど
の記憶装置に格納する。
First, device information data 111 stored in a storage device such as a hard disk is input, and M
The processing of the netlist generation function unit 112 for performing the circuit simulation of the OS alone is executed, and the obtained netlist 113 is stored as an intermediate file in a storage device such as a hard disk.

【0137】生成したネットリスト113と、ある特定
のMOSから抽出した一式のデバイスパラメータセット
114を入力として回路シミュレーション機能部115
を実行し、シミュレーションで得られた飽和電流と閾値
の出力結果を回路シミュレーション出力結果116とし
てハードディスクなどの記憶装置に格納する。ここで用
いる回路シミュレータは一般に用いられているSPIC
Eに準拠した仕様のシミュレータである(The Design's
Guide to SPICE &#38 SPECTRE, Kenneth S. Kundert
著, Academic Publishers)。
A circuit simulation function unit 115 receives the generated netlist 113 and a set of device parameter sets 114 extracted from a specific MOS as inputs.
Is executed, and the output results of the saturation current and the threshold value obtained by the simulation are stored as a circuit simulation output result 116 in a storage device such as a hard disk. The circuit simulator used here is a commonly used SPIC
E-compliant simulator (The Design's
Guide to SPICE &# 38 SPECTRE, Kenneth S. Kundert
Author, Academic Publishers).

【0138】前記シミュレーションの出力結果116
と、測定より得られた飽和電流と閾値の測定データ11
7と、収束判定条件のデータ118を入力し、収束判定
機能部119にて両データの比較を行い、シミュレーシ
ョンにより得られた飽和電流と閾値との差が収束判定条
件を満たしているかを判定する。
Output result 116 of the simulation
And the measurement data 11 of the saturation current and the threshold obtained from the measurement
7 and the convergence determination condition data 118 are input, and the convergence determination function unit 119 compares the two data to determine whether the difference between the saturation current and the threshold obtained by the simulation satisfies the convergence determination condition. .

【0139】収束条件を満たさないときは、このときの
プロセスに関連する部分デバイスパラメータ(酸化膜
厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラ
ドーズ量、チャネル長、チャネル幅を表すデバイスパラ
メータ)120と夫々のパラメータの探索範囲データ1
21を入力とし、パラメータ探索機能部122で、その
探索範囲内でパラメータの値を変えて新しいパラメータ
値を決定し、デバイスパラメータセット、及びネットリ
ストの値を変更する。収束条件を満たした場合には、そ
の時のデバイスパラメータの値を統計デバイスパラメー
タセット123としてハードディスクなどの記憶装置に
格納する。
If the convergence condition is not satisfied, partial device parameters related to the process at this time (device parameters representing oxide film thickness, channel dose, short channel effect suppression implant dose, channel length, channel width) 120 And search range data 1 for each parameter
With 21 as an input, the parameter search function unit 122 changes a parameter value within the search range to determine a new parameter value, and changes a device parameter set and a netlist value. When the convergence condition is satisfied, the device parameter value at that time is stored as a statistical device parameter set 123 in a storage device such as a hard disk.

【0140】図26には前記統計デバイスパラメータ抽
出処理T2の方法が処理手順の観点より例示される。同
図に示されるように、先ず、長チャネルMOS飽和電流
と閾値から酸化膜厚とチャネルドーズ量のパラメータを
抽出し(S41)、次に短チャネルMOSの飽和電流と
閾値からチャネル長と短チャネル効果抑制インプラドー
ズ量を表すパラメータを抽出する(S42)。そして最
後に短チャネルMOSの飽和電流と閾値からチャネル幅
を表すパラメータを抽出する(S43)。要するに、デ
バイスサイズ等が異なるものについてデバイスパラメー
タを抽出するものであり、ステップS41では長チャネ
ルMOSにおける飽和電流と閾値のばらつき要因である
酸化膜厚とチャネルドーズ量に関してパラメータを抽出
し、ステップS42では短チャネルMOSにおける飽和
電流と閾値のばらつき要因であるチャネル長と短チャネ
ル効果抑制インプラドーズ量を表すパラメータを抽出
し、ステップS43では狭チャネルMOSにおける飽和
電流と閾値のばらつき要因であるチャネル幅を表すパラ
メータを抽出する。図38には短チャネルMOSトラン
ジスタと長チャネルMOSトランジスタにおいて抽出さ
れるパラメータの相違が示されている。●はウエハプロ
ーブテストで実際に得られたティピカルなデバイス特
性、○は回路シミュレーションによって得られた特性で
あり、後者が前者にフィッティングされる様子が例示さ
れている。尚、上記ステップS41〜S43の処理につ
いては特願2000−322456の明細書に詳細な記
載が有る。
FIG. 26 illustrates the method of the statistical device parameter extraction processing T2 from the viewpoint of the processing procedure. As shown in the figure, first, the parameters of the oxide film thickness and the channel dose are extracted from the long channel MOS saturation current and the threshold (S41), and then the channel length and the short channel are extracted from the short channel MOS saturation current and the threshold. A parameter representing the effect suppression implant dose is extracted (S42). Finally, a parameter representing the channel width is extracted from the saturation current of the short channel MOS and the threshold (S43). In short, device parameters are extracted for devices having different device sizes and the like. In step S41, parameters are extracted for a saturation current in a long-channel MOS, an oxide film thickness, and a channel dose, which are factors that cause variations in threshold, and in step S42, A parameter representing a channel length and a short channel effect suppression implant dose, which are the causes of the variation in the saturation current and the threshold in the short channel MOS, is extracted. Extract parameters. FIG. 38 shows the difference in parameters extracted between the short channel MOS transistor and the long channel MOS transistor. Represents the typical device characteristics actually obtained by the wafer probe test, and ○ represents the characteristics obtained by the circuit simulation, and illustrates the latter being fitted to the former. The processing in steps S41 to S43 is described in detail in the specification of Japanese Patent Application No. 2000-322456.

【0141】図27には前記回路特性ばらつき解析T3
の処理フローが例示される。これによれば、プロセスば
らつき、デバイスパラメータ、及びネットリストを読み
込む(S45〜S47)。そして、プロセスばらつきの
中心値、分布の種類、及び標準偏差から乱数を生成し
(S48)、それにしたがってデバイスパラメータ、ネ
ットリスト値の書換えを行い(S49)、これによって
回路シミュレーションを実行し(S50)、回路特性を
実行する(S51)。ステップS48〜S51の処理を
繰り返し指定回数以上行って、処理を終了する。
FIG. 27 shows the circuit characteristic variation analysis T3.
Is exemplified. According to this, process variations, device parameters, and a net list are read (S45 to S47). Then, a random number is generated from the central value of the process variation, the type of distribution, and the standard deviation (S48), and the device parameters and the netlist value are rewritten accordingly (S49), thereby executing a circuit simulation (S50). Then, the circuit characteristics are executed (S51). The processes in steps S48 to S51 are repeatedly performed for the specified number of times or more, and the process ends.

【0142】図28には前記特性歩留計算T4の処理フ
ローが例示される。先ず、特性ばらつき及び回路性能ス
ペックが読み込まれ(S55,S56)、特性ばらつき
の中心値と標準偏差を求める(S57)。そして、回路
性能スペックと特性ばらつきの分布からスペックを満た
す範囲の正規累積分布を計算することによって特性歩留
が得られ(S58)、これが出力される(S59)。
FIG. 28 illustrates a processing flow of the characteristic yield calculation T4. First, the characteristic variation and the circuit performance specification are read (S55, S56), and the central value and the standard deviation of the characteristic variation are obtained (S57). Then, by calculating a normal cumulative distribution in a range satisfying the specifications from the distribution of the circuit performance specifications and the characteristic variations, a characteristic yield is obtained (S58), and this is output (S59).

【0143】図29には前記製品歩留計算T6の処理フ
ローが例示される。先ず、特性歩留、異物歩留が読み込
まれ(S60,S61)、製品歩留が計算され(S6
2)、計算された製品歩留が出力される(S63)。
FIG. 29 illustrates a processing flow of the product yield calculation T6. First, the characteristic yield and the foreign matter yield are read (S60, S61), and the product yield is calculated (S6).
2) The calculated product yield is output (S63).

【0144】図30には前記ウエハ価格の計算T7の処
理フローが例示される。製品歩留、チップ単価予算、ウ
エハ1枚当りのチップ個数が読み込まれ(S64〜S6
6)、ウエハ価格が計算され(S67)、計算されたウ
エハ価格が出力される(S68)。
FIG. 30 illustrates a processing flow of the calculation T7 of the wafer price. The product yield, the cost per chip, and the number of chips per wafer are read (S64 to S6).
6) The wafer price is calculated (S67), and the calculated wafer price is output (S68).

【0145】図31には前記チップ単価計算T8の処理
フローが例示される。製品歩留、ウエハ単価、ウエハ1
枚当りのチップ個数が読み込まれ(S70〜S72)、
チップ単価が計算され(S73)、計算されたチップ単
価が出力される(S74)。
FIG. 31 illustrates a processing flow of the chip unit price calculation T8. Product yield, wafer unit price, wafer 1
The number of chips per chip is read (S70 to S72),
The chip unit price is calculated (S73), and the calculated chip unit price is output (S74).

【0146】図32には前記ワースト、ベストパラメー
タ生成T9の処理フローが例示される。特性ばらつき読
み込まれ(S76)、特性ばらつきの中心値と標準偏差
が計算され(S77)、特性ばらつきが標準偏差の3倍
になている条件を検出し(S78)、其の条件をパラメ
ータに書込んで(S79)、処理を終了する。
FIG. 32 exemplifies a processing flow of the worst and best parameter generation T9. The characteristic variation is read (S76), the central value of the characteristic variation and the standard deviation are calculated (S77), a condition where the characteristic variation is three times the standard deviation is detected (S78), and the condition is written in the parameter. (S79), and the process ends.

【0147】図33には前記デバイスロバスト設計T1
0の処理フローが例示される。この処理フローは線形計
画法を用いるものであり、先ず、パラメータと水準を決
定し(S80)、これを直交表に割り付け(S81)、
それに対してプロセス、デバイスシミュレーションを実
行する(S82)。其のシミュレーション結果に基づい
て、MOSトランジスタの閾値(Vth)に関するSN
比と感度の計算を行い(S83)、且つ、MOSトラン
ジスタのVthとIds(ドレイン・ソース電流)に関
するSN比と官度の計算を行い(S84)、それらに基
づいて補助表及び要因効果図を作成し(S85)、それ
を用いて最適条件を決定する(S86)。そして、SN
比、感度の推定及び効果の推定を行い(S87)、その
推定結果に対して確認シミュレーションを実行し(S8
8)、再現性の確認を行って(S89)、処理を終了す
る。
FIG. 33 shows the device robust design T1.
0 is exemplified. This process flow uses a linear programming method. First, parameters and levels are determined (S80), and the parameters and levels are assigned to an orthogonal table (S81).
In response, a process and device simulation are executed (S82). Based on the simulation result, SN regarding the threshold value (Vth) of the MOS transistor
The ratio and the sensitivity are calculated (S83), and the S / N ratio and the degree of duty with respect to Vth and Ids (drain-source current) of the MOS transistor are calculated (S84). It is created (S85), and the optimum condition is determined using it (S86). And SN
The ratio, the sensitivity, and the effect are estimated (S87), and a confirmation simulation is performed on the estimation result (S8).
8) After confirming the reproducibility (S89), the process ends.

【0148】図34には前記プレシリコンデバイスパラ
メータ生成T12の処理フローが例示される。デバイス
パラメータ、及びターゲットチャネル長と酸化膜厚の情
報が読み込まれ(S90,S91)、それによってチャ
ネル長、酸化膜厚の条件が書き換えられる(S92)。
今度は、Lg−Vth依存性が読み込まれ(S93),
Lg−Vth依存性の合わせ込みが行われ(S94)、
それによってデバイスパラメータの書換えが行われる
(S95)。
FIG. 34 illustrates a processing flow of the pre-silicon device parameter generation T12. The device parameters and information on the target channel length and the oxide film thickness are read (S90, S91), whereby the conditions of the channel length and the oxide film thickness are rewritten (S92).
This time, the Lg-Vth dependency is read (S93),
Lg-Vth dependency matching is performed (S94),
Thereby, the device parameters are rewritten (S95).

【0149】図35には前記製品納期の計算T3の処理
フローが例示される。先ず、要求プロセス要求個数、ス
ループット、受注情況のデータが読み込まれる(S96
〜98)。読み込まれた受注状況とラインのスループッ
トから要求製品のライン投入時期が計算される(S9
9)。さらに、要求プロセスから当該ラインのスループ
ットを読み込み(S100)、要求製品のライン投入時
期と要求プロセスのスループットから要求製品の納期が
計算される(S101)。
FIG. 35 exemplifies a processing flow of the product delivery date calculation T3. First, data of the requested number of requested processes, the throughput, and the order status are read (S96).
~ 98). The line introduction timing of the required product is calculated from the read order status and the line throughput (S9).
9). Further, the throughput of the line is read from the requested process (S100), and the delivery date of the requested product is calculated from the line input timing of the requested product and the throughput of the requested process (S101).

【0150】図36には前記製品のロット投入時期と期
間の計算T14の処理フローが例示される。先ず、上は
1枚当りのチップ個数、要求個数、要求納期が読み込ま
れ(S102)、また、時系列の製品歩留の読み込みが
行われ(S103)、それらに基づいて、1ロット当り
の製造期間から納期以前にロットアウトするためのロッ
ト投入時期を算出する(S104)。そして、上記ロッ
ト投入時期以前で当該製品の歩留の高い順番に選択し
(S105)、その製品歩留とウエハ1枚当りのチップ
個数とから良品の数を計算し(S106)、良品の数が
要求個数以上であるかを判定し(S107)、良品の数
か少なければステップS105の処理に戻って処理を繰
返し、良品の数が多ければその条件より、ロット投入時
期及びロット投入期間の情報を出力して(S108)、
処理を終了する。
FIG. 36 exemplifies a processing flow of calculation T14 of the lot input timing and period of the product. First, the number of chips per chip, the required number, and the required delivery date are read (S102), and the product yield in time series is read (S103). The lot input timing for performing the lot out before the delivery date from the period is calculated (S104). Then, prior to the lot input timing, the products are selected in descending order of yield (S105), and the number of non-defective products is calculated from the product yield and the number of chips per wafer (S106). Is determined to be greater than or equal to the required number (S107). If the number of non-defective products is small, the process returns to step S105 and the process is repeated. Is output (S108),
The process ends.

【0151】図46にはナレッジマネジメントサーバ6
0が利用する前記ティピカルデバイスデータなどの各種
データに対するデータ提供元と提供タイミング(若しく
はアクセスタイミング)が整理して示されている。
FIG. 46 shows the knowledge management server 6.
0, the data providing sources and providing timings (or access timings) for various data such as the typical device data used are shown in an organized manner.

【0152】《第2のシステム構成》図2にはネットワ
ークに接続された本発明に係る情報処理システムの第2
の形態が例示される。この例では代表的に示されたファ
ブ10Aが、ナレッジマネジメントサーバ(KMS(1s
t):第1コンピュータ装置)61を備えている。即
ち、ファブ10Aは、複数の製造ライン23〜25、計
測器33〜35、ラインデータサーバ(Ln(2nd):
第2コンピュータ装置)43、及びナレッジマネジメン
トサーバ61を備える。ラインデータサーバ43は各ラ
インに対して計測器で計測された種々のライン情報を保
有して管理する。ラインデータサーバ43はナレッジマ
ネジメントサーバ61に接続され、ナレッジマネジメン
トサーバ61は、インターネット18に接続され、イン
ターネット18には前記複数のファブレス13〜16の
設計データサーバ(Dg)50〜53が接続される。第
1形態のシステムと同様に、ナレッジマネジメントサー
バ61と設計データサーバ50〜53はインターネット
18を介して相互に情報をやり取りすることができる。
したがって、その間においては図5で説明した課金手
法、図6で説明したセキュリティー手法をそのまま適用
すればよい。前記ラインデータサーバ43とナレッジマ
ネジメントサーバ61はイントラネット若しくはLAN
により接続され、相互に情報のやり取りが可能にされ
る。双方は同一組織体に属するので、課金及びセキュリ
ティーについてはイントラネット若しくはLANに固有
の方式を採用すればよい。
<< Second System Configuration >> FIG. 2 shows a second embodiment of the information processing system according to the present invention connected to a network.
Is exemplified. In this example, the fab 10A representatively shown is a knowledge management server (KMS (1s
t): first computer device) 61. That is, the fab 10A has a plurality of manufacturing lines 23 to 25, measuring instruments 33 to 35, and a line data server (Ln (2nd):
A second computer 43) and a knowledge management server 61. The line data server 43 holds and manages various line information measured by a measuring device for each line. The line data server 43 is connected to a knowledge management server 61, and the knowledge management server 61 is connected to the Internet 18, and the design data servers (Dg) 50 to 53 of the plurality of fabless 13 to 16 are connected to the Internet 18. . As in the system of the first embodiment, the knowledge management server 61 and the design data servers 50 to 53 can exchange information with each other via the Internet 18.
Therefore, in the meantime, the charging method described in FIG. 5 and the security method described in FIG. 6 may be applied as they are. The line data server 43 and the knowledge management server 61 are connected to an intranet or a LAN.
, And information can be exchanged with each other. Since both belong to the same organization, a method unique to the intranet or LAN may be adopted for accounting and security.

【0153】ナレッジマネジメントサーバ61は、ライ
ンデータサーバ43からラインのデバイス情報等を入手
し、また、設計データサーバ50〜53からファブレス
13〜16の設計するチップの情報等を入手する。尚、
前記各サーバ43,50〜53,61は、例えば、イン
タネット接続機能、情報処理機能、情報記憶機能を有す
るパーソナルコンピュータ又はエンジニアリングワーク
ステーションなどのコンピュータ装置で実現される。
The knowledge management server 61 obtains device information of a line from the line data server 43 and obtains information of chips designed by the fabless devices 13 to 16 from the design data servers 50 to 53. still,
Each of the servers 43, 50 to 53, and 61 is realized by a computer device such as a personal computer or an engineering workstation having an Internet connection function, an information processing function, and an information storage function.

【0154】ナレッジマネジメントサーバ61は、ライ
ンデータサーバ43及び設計データサーバ50〜53か
ら入手した情報を管理し、双方からの情報を統合して双
方に有効な情報を生成もしくは加工し、生成された情報
及び加工された情報を、ラインデータサーバ43及び設
計データサーバ50〜53からの要求に応答して提供す
るサービスを行う。
The knowledge management server 61 manages information obtained from the line data server 43 and the design data servers 50 to 53, integrates information from both, and generates or processes information that is effective for both. A service is provided that provides information and processed information in response to requests from the line data server 43 and the design data servers 50 to 53.

【0155】この提供サービスは、ラインデータサーバ
43及び設計データサーバ50〜53の相互に一方の情
報を他方に有効な形態に加工して提供すること、ライン
データサーバ43と設計データサーバ50〜53の双方
から入手した情報を統合し一方の情況を考慮して他方に
有効な情報を生成して提供すること等である。例えば、
図2では、ナレッジマネジメントサーバ61は、製品歩
留まり情報の提供処理SV1a、適正チップ単価の提供
処理SV2a、回路設計用デバイスパラメータの提供処
理SV3a、回路設計用プレシリコンデバイスパラメー
タの提供処理SV4a、というサービス提供処理を行
う。
This service provides the line data server 43 and the design data servers 50 to 53 with each other by processing one of the information into an effective form and providing it to the other. In other words, information obtained from both parties is integrated, and effective information is generated and provided to the other party in consideration of one situation. For example,
In FIG. 2, the knowledge management server 61 provides a product yield information providing process SV1a, a proper chip unit price providing process SV2a, a circuit design device parameter providing process SV3a, and a circuit design pre-silicon device parameter providing process SV4a. Perform offer processing.

【0156】製品歩留情報の提供処理SV1aは、ファ
ブ10Aのデバイスの情報と、ファブレス13〜16か
ら得られる設計データから、ファブレス13〜16の要
求する製品をファブ10Aで製造したときの製品歩留情
報を生成して提供する処理である。この処理は製造ライ
ン毎の製品歩留情報を生成可能であり、前記製品歩留情
報の提供処理SV1と実質的に同じ処理なる。
The product yield information providing process SV1a is based on the device information of the fab 10A and the design data obtained from the fabless 13-16, and the product yield when the product requested by the fabless 13-16 is manufactured by the fab 10A. This is a process for generating and providing stay information. This process can generate product yield information for each production line, and is substantially the same as the process SV1 for providing product yield information.

【0157】適正チップ単価の提供処理SV2aは、製
品歩留とファブが希望するウエハ単価より、収支に見合
うチップ単価を生成して提供する処理であり、ファブレ
ス13〜16(設計データサーバ50〜53)の内のサ
ービス要求元に与えられる。この処理は適正チップ単価
の提供処理SV2と実質的的に同じである。
The appropriate chip unit price providing process SV2a is a process of generating and providing a chip unit price that matches the balance from the product yield and the wafer unit price desired by the fab. The fabless units 13 to 16 (design data servers 50 to 53) ) Is given to the service requester. This process is substantially the same as the appropriate chip unit price providing process SV2.

【0158】回路設計用デバイスパラメータの提供処理
SV3aは、ラインデータサーバ43のデータ(製造ラ
イン毎のデータ)からファブレス13〜16(設計デー
タサーバ50〜53)の内のサービス要求元が回路設計
するために必要なデバイスパラメータを生成して、其の
要求元に提供する処理である。この処理は前記回路設計
用デバイスパラメータの提供処理SV3と実質的的に同
じである。
In the circuit design device parameter providing process SV3a, a service request source among the fabless 13 to 16 (design data servers 50 to 53) designs a circuit from the data of the line data server 43 (data for each production line). This is the process of generating the device parameters necessary for this and providing it to the request source. This process is substantially the same as the circuit design device parameter providing process SV3.

【0159】回路設計用プレシリコンデバイスパラメー
タの提供処理SV4aは、ラインデータサーバ43の製
造ライン毎のデバイス情報及び未知デバイスのデバイス
条件からファブレス13〜16(設計データサーバ50
〜53)の内のサービス要求元が回路設計するために必
要なプレシリコンデバイスパラメータを生成して提供す
る処理である。この処理は前記回路設計用プレシリコン
デバイスパラメータの提供処理SV4と実質的に同じで
ある。
The process of providing the pre-silicon device parameters for circuit design SV4a is based on the device information of each production line of the line data server 43 and the device conditions of the unknown device.
This is a process for generating and providing pre-silicon device parameters necessary for the circuit design by the service requester of (1) to (53). This process is substantially the same as the process SV4 for providing pre-silicon device parameters for circuit design.

【0160】ファブ10Aがナレッジマネジメントサー
バ61を保有する構成おいても、ナレッジマネジメント
サーバ61は、LSIを設計するファブレスとLSIを
製造するファブが別会社として経営される情況が顕在化
されてきている中で、前述のようにファブ10Aとファ
ブレス13〜16の情報を統合して双方に有効な情報を
生成もしくは加工して提供するようなサービスを行うこ
とができる。したがって、ファブレス13〜16はファ
ブ10Aに製品を注文するのがコスト的に、また、時期
的に良いか否かを判断することができ、コストダウンと
製品開発のQTAT化に寄与することができる。
Even in the configuration in which the fab 10A has the knowledge management server 61, in the knowledge management server 61, a situation in which the fabless for designing the LSI and the fab for manufacturing the LSI are managed as separate companies is becoming apparent. Among them, as described above, a service can be provided in which information of the fab 10A and the information of the fabless 13 to 16 are integrated to generate or process effective information for both. Therefore, the fabless units 13 to 16 can determine whether it is costly and timely to order a product from the fab 10A, which can contribute to cost reduction and QTAT in product development. .

【0161】《第3のシステム構成》図3にはネットワ
ークに接続された本発明に係る情報処理システムの第3
の形態が例示される。この例では代表的に示されたファ
ブレス13Aが、ナレッジマネジメントサーバ(KMS
(1st):第1コンピュータ装置)62を備えている。
即ち、ファブレス13Aは、設計データサーバ(Dg
(3rd):第3のコンピュータ装置)54及びナレッジ
マネジメントサーバ62を備える。設計データサーバ5
4はファブレス13A内部で設計されたLSIの設計デ
ータなどを格納して管理する。設計データサーバ54は
ナレッジマネジメントサーバ62に接続され、ナレッジ
マネジメントサーバ62は、インターネット18に接続
され、インターネット18には前記複数のファブ10〜
12のラインデータサーバ40〜42が接続される。第
1形態のシステムと同様に、ナレッジマネジメントサー
バ62とラインデータサーバ40〜42はインターネッ
ト18を介して相互に情報をやり取りすることができ
る。したがって、その間においては図5で説明した課金
手法、図6で説明したセキュリティー手法をそのまま適
用すればよい。前記設計データサーバ54とナレッジマ
ネジメントサーバ62はイントラネット若しくはLAN
により接続され、相互に情報のやり取りが可能にされ
る。双方は同一組織体に属するので、課金及びセキュリ
ティーについてはイントラネット若しくはLANに固有
の方式を採用すればよい。
<< Third System Configuration >> FIG. 3 shows a third information processing system according to the present invention connected to a network.
Is exemplified. In this example, the representative fabless 13A is a knowledge management server (KMS).
(1st): first computer device) 62.
That is, the fabless 13A is connected to the design data server (Dg
(3rd): third computer device) 54 and a knowledge management server 62. Design data server 5
Reference numeral 4 stores and manages design data of an LSI designed inside the fabless 13A. The design data server 54 is connected to the knowledge management server 62, and the knowledge management server 62 is connected to the Internet 18, and the Internet 18 has the plurality of fabs 10 to 10.
Twelve line data servers 40 to 42 are connected. As in the system of the first embodiment, the knowledge management server 62 and the line data servers 40 to 42 can exchange information with each other via the Internet 18. Therefore, in the meantime, the charging method described in FIG. 5 and the security method described in FIG. 6 may be applied as they are. The design data server 54 and the knowledge management server 62 are connected to an intranet or a LAN.
, And information can be exchanged with each other. Since both belong to the same organization, a method unique to the intranet or LAN may be adopted for accounting and security.

【0162】ナレッジマネジメントサーバ62は、ライ
ンデータサーバ40〜42から製造ライン20〜22の
デバイス情報等を入手し、また、設計データサーバ54
からファブレス13Aで設計されたチップの情報等を入
手する。尚、前記各サーバ40〜42,54,62は、
例えば、インタネット接続機能、情報処理機能、情報記
憶機能を有するパーソナルコンピュータ又はエンジニア
リングワークステーションなどのコンピュータ装置で実
現される。
The knowledge management server 62 obtains device information and the like of the manufacturing lines 20 to 22 from the line data servers 40 to 42, and obtains the design data server 54
From the fabless 13A. Each of the servers 40 to 42, 54, 62
For example, it is realized by a computer device such as a personal computer or an engineering workstation having an Internet connection function, an information processing function, and an information storage function.

【0163】ナレッジマネジメントサーバ62は、ライ
ンデータサーバ40〜42及び設計データサーバ54か
ら入手した情報を管理し、双方からの情報を統合して双
方に有効な情報を生成もしくは加工し、生成された情報
及び加工された情報を、ラインデータサーバ40〜42
及び設計データサーバ54からの要求に応答して提供す
るサービスを行う。
The knowledge management server 62 manages information obtained from the line data servers 40 to 42 and the design data server 54, integrates information from both, and generates or processes information effective for both, and generates the information. The information and the processed information are transmitted to the line data servers 40 to 42.
And a service provided in response to a request from the design data server 54.

【0164】この提供サービスは、ラインデータサーバ
40〜42及び設計データサーバ54の相互に一方の情
報を他方に有効な形態に加工して提供すること、ライン
データサーバ40〜42と設計データサーバ54の双方
から入手した情報を統合し一方の情況を考慮して他方に
有効な情報を生成して提供すること等である。例えば、
図3では、ナレッジマネジメントサーバ61は、適正ウ
エハ単価の提供処理SV2b、ライン歩留向上策の提供
処理SV5b、ロット投入時期データの提供処理SV7
b、というサービス提供処理を行う。
This providing service is to process the line data servers 40 to 42 and the design data server 54 so that one of the information is processed into an effective form for the other and provide the processed information. In other words, information obtained from both parties is integrated, and effective information is generated and provided to the other party in consideration of one situation. For example,
In FIG. 3, the knowledge management server 61 performs an appropriate wafer unit price providing process SV2b, a line yield improving measure providing process SV5b, and a lot input timing data providing process SV7.
b. service providing process is performed.

【0165】適正ウエハ単価の提供処理SV2bは、製
品歩留とファブレスが希望するチップ単価より、収支に
見合うウエハ単価を求める処理であり、求められたウエ
ハ単価の情報は、ファブ10〜12のラインデータサー
バ40〜42の内のサービス要求元に与えられる。この
処理は前記処理SV2と実質的に同じである。
The process of providing the appropriate wafer unit price SV2b is a process of obtaining a wafer unit price matching the balance from the product yield and the chip unit price desired by the fabless. It is given to a service request source among the data servers 40 to 42. This processing is substantially the same as the processing SV2.

【0166】ライン歩留向上策の提供処理SV5bは、
高速動作すべきかなどの回路特性をベンチマーク回路に
基づいて考慮しながら、複数のプロセス条件について、
デバイス条件やプロセス条件を最適化しようとする処理
であり、ファブ10〜12のラインデータサーバ40〜
42の内のサービス要求元に与えられる。この処理はS
V5の処理と実質的に同じである。
The provision processing SV5b of the line yield improvement measure is as follows.
While considering circuit characteristics such as whether to operate at high speed based on benchmark circuits, for multiple process conditions,
This is a process for optimizing device conditions and process conditions.
The service requester is provided to the service requester out of 42. This processing is S
This is substantially the same as the processing of V5.

【0167】ロット投入時期データの提供処理SV7b
は、ファブ10〜12の提供する時系列のデバイスばら
つきデータ、配線ばらつきデータ、異物データと、ファ
ブレスの設計データサーバ54が要求する製品個数と要
求の納期から、当該製品の納期と個数を少ない数のウエ
ハで満足するためのロット投入時期のデータを生成して
ファブ10〜12に提供する処理である。この処理は前
記処理SV7と実質的に同じである。
Provision processing of lot input timing data SV7b
From the time-series device variation data, wiring variation data, foreign matter data provided by the fabs 10 to 12 and the number of products requested by the fabless design data server 54 and the requested delivery date, the delivery date and the number of the products are reduced. This is a process of generating data of a lot input time to satisfy with the wafer of the above and providing the data to the fabs 10 to 12. This processing is substantially the same as the processing SV7.

【0168】図3に示されるように、ファブレス13A
がナレッジマネジメントサーバ62を保有する構成であ
っても、ナレッジマネジメントサーバ62は、LSIを
設計するファブレスとLSIを製造するファブが別会社
として経営される情況が顕在化されてきている中で、前
述のように自らのファブレス13Aとしての情報とファ
ブ10〜12の情報とを統合して双方に有効な情報を生
成もしくは加工して提供するようなサービスを行うこと
ができる。したがって、ファブ10〜12はロット投入
時期や歩留を上げるための情報を得ることができる。
As shown in FIG. 3, the fabless 13A
Has a knowledge management server 62, however, the knowledge management server 62 has been described in a situation where the fabless for designing the LSI and the fab for manufacturing the LSI are managed as separate companies. As described above, it is possible to perform a service that integrates the information as its own fabless 13A and the information of the fabs 10 to 12 to generate or process effective information for both of them. Therefore, the fabs 10 to 12 can obtain information for increasing the lot input timing and the yield.

【0169】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
The invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments. However, it is needless to say that the present invention is not limited to the embodiments and can be variously modified without departing from the gist of the invention. No.

【0170】例えば、ナレッジマネジメントサーバが提
供するサービスの内容は図1〜図3に示される内容に限
定されず適宜変更可能である。ファブ及びファブレスか
ら入手した情報を管理し、双方からの情報を統合して双
方に有効な情報を生成もしくは加工し、生成された情報
及び加工された情報を、ファブ及びファブレスからの要
求に応答して提供するサービス等であればよい。
For example, the contents of the service provided by the knowledge management server are not limited to those shown in FIGS. 1 to 3 and can be changed as appropriate. It manages information obtained from fabs and fabless, integrates information from both to generate or process information that is valid for both parties, and responds to requests from fabs and fabless by using the generated information and processed information. And the like provided by the service.

【0171】また、図1の例ではファブは一つのライン
データサーバを持つようにされ、ファブレスは一つの設
計データサーバを持つようにされ、ファブを当該一つの
ラインデータサーバと等価のように説明し、また、ファ
ブレスを一つの設計データサーバと等価のように説明し
たが、ファブやファブレスは夫々データサーバを複数個
備えてよいことは当然であり、その場合には、サービス
の要求やデータの提供はラインデータサーバ単位、設計
データサーバ単位で行われることになる。
In the example shown in FIG. 1, the fab has one line data server, the fabless has one design data server, and the fab is described as being equivalent to the one line data server. Although fabless is described as being equivalent to one design data server, it is natural that each fab or fabless may be provided with a plurality of data servers. Provision is performed in line data server units and design data server units.

【0172】[0172]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0173】すなわち、ファブレスとファブの両方の情
報を統合して双方に有効な情報を生成して提供すること
ができる。
That is, information of both fabless and fab can be integrated to generate and provide effective information for both.

【0174】ファブレス又はファブの一方の情報を他方
に有効な情報に変換し、若しくは前記一方の情報に他方
にとって有効な情報を付加して、提供することができ
る。
It is possible to provide one of fabless or fab information by converting the information into information that is valid for the other, or by adding information that is valid for the other to the one information.

【0175】ファブレス又はファブの一方の情報を当該
一方に有効な情報に変換し、若しくは前記一方の情報に
付加価値を付けて、提供することができる。
The information of one of fabless and fab can be converted into information effective for the one, or the one of the information can be provided with added value.

【0176】例えば、ファブの製造するデバイスの情報
とファブレスの設計するチップの情報に基づいて、LS
Iの設計に必要なパラメータ情報、歩留の情報、チップ
単価等の情報を生成してファブレスへ、歩留を上げるた
めの情報を生成してファブへ提供することが可能にな
る。ファブレスがどのファブに製品を注文するのがコス
ト的に、また、時期的に良いかを判断することができる
ため、コストダウンと製品開発のQTAT化を図れる。
また、ファブにとっては歩留を上げるための情報を得る
ことができ、また、ファブレスが製品を発注するライン
の斡旋を受けることができるため、売り上げ向上の効果
も期待できる。
For example, based on information of a device manufactured by a fab and information of a chip designed by a fabless, LS
It becomes possible to generate parameter information, yield information, chip unit price, and other information necessary for the design of I to produce fabless information, and to generate information to increase the yield and provide it to the fab. Since the fabless can determine which fab to order the product for in terms of cost and time, it is possible to reduce the cost and make the product development QTAT.
In addition, the fab can obtain information for increasing the yield, and since the fabless can be provided with a line for ordering products, an effect of improving sales can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ネットワークに接続された本発明に係る情報処
理システムの第1の形態が例示されるブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a first embodiment of an information processing system according to the present invention connected to a network.

【図2】ネットワークに接続された本発明に係る情報処
理システムの第2の形態が例示されるブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a second embodiment of the information processing system according to the present invention connected to a network.

【図3】図3にはネットワークに接続された本発明に係
る情報処理システムの第3の形態が例示されるブロック
図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a third embodiment of the information processing system according to the present invention connected to a network.

【図4】ナレッジマネジメントサーバによるサービス提
供処理間の関連が例示されるフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating an example of a relationship between service providing processes by a knowledge management server.

【図5】ファブ及びファブレスとサービスプロバイダと
の間の課金方式を例示する説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a billing method between a fab and a fabless and a service provider.

【図6】ファブ及びファブレスとサービスプロバイダと
の間のセキュリティー対策を例示する説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating security measures between a fab and a fabless and a service provider.

【図7】製品歩留データ、ウエハ単価、及びチップ単価
の提供処理に関する情報入出力の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of information input / output regarding provision processing of product yield data, wafer unit price, and chip unit price.

【図8】回路設計用デバイスパラメータの提供処理に関
する情報入出力の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of input / output of information regarding provision processing of device parameters for circuit design.

【図9】ライン歩留向上策の提供処理に関する第1の情
報入出力の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of first information input / output relating to processing for providing a line yield improvement measure.

【図10】ライン歩留向上策の提供処理に関する第2の
情報入出力の説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of second information input / output relating to a process of providing a line yield improvement measure.

【図11】プレシリコンパラメータの提供処理に関する
情報入出力の説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram of information input / output relating to a pre-silicon parameter providing process.

【図12】ライン斡旋の提供処理に関する情報入出力の
説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of information input / output relating to a process of providing a line placement.

【図13】ロット投入時期データの提供処理に関する情
報入出力の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of information input / output relating to a process of providing lot input timing data.

【図14】図7で説明した〔1〕〜〔4〕による製品歩
留計算のデータフローである。
FIG. 14 is a data flow of product yield calculation according to [1] to [4] described in FIG.

【図15】図7で説明したウエハの適正単価を求めるデ
ータフローである。
FIG. 15 is a data flow for obtaining an appropriate unit price of a wafer described in FIG. 7;

【図16】図7で説明したチップの適正単価を求めるデ
ータフローである。
FIG. 16 is a data flow for obtaining an appropriate unit price of a chip described with reference to FIG. 7;

【図17】図8で説明した設計用のデバイスパラメータ
を生成するデータフローである。
FIG. 17 is a data flow for generating device parameters for design described in FIG. 8;

【図18】図9で説明した歩留の向上策を求めるデータ
フローである。
FIG. 18 is a data flow for seeking a yield improvement measure described with reference to FIG. 9;

【図19】図10に基づいて説明したところの専らファ
ブレスの製品を対象とした歩留の向上策を求めるデータ
フローである。
FIG. 19 is a data flow for seeking a yield improvement measure exclusively for a fabless product as described with reference to FIG. 10;

【図20】図11で説明した回路設計用のプレシリコン
デバイスパラメータを生成するデータフローである。
FIG. 20 is a data flow for generating pre-silicon device parameters for circuit design described in FIG. 11;

【図21】前記図12で説明したファブレス13〜16
の内のサービス要求元に製造ラインを斡旋する際のデー
タフローである。
FIG. 21 is a fabless 13 to 16 described with reference to FIG.
3 is a data flow when a production line is introduced to a service request source.

【図22】図13で説明した製品のロット投入時期を求
める際のデータフローである。
FIG. 22 is a data flow for obtaining the lot input timing of the product described in FIG.

【図23】デバイスパラメータ抽出(T1)の処理方法
をデータフローの観点より例示するフローチャートであ
る。
FIG. 23 is a flowchart illustrating a processing method of device parameter extraction (T1) from the viewpoint of a data flow.

【図24】デバイスパラメータ抽出処理(T1)を処理
手順の観点より例示するフローチャートである。
FIG. 24 is a flowchart illustrating a device parameter extraction process (T1) from the viewpoint of a processing procedure.

【図25】統計デバイスパラメータ抽出処理(T2)の
方法をデータフローの観点より例示するフローチャート
である。
FIG. 25 is a flowchart illustrating a method of statistical device parameter extraction processing (T2) from the viewpoint of data flow.

【図26】統計デバイスパラメータ抽出処理(T2)の
方法を処理手順の観点より例示するフローチャートであ
る。
FIG. 26 is a flowchart illustrating a method of statistical device parameter extraction processing (T2) from the viewpoint of a processing procedure.

【図27】回路特性ばらつき解析(T3)の処理を例示
するフローチャートである。
FIG. 27 is a flowchart illustrating a process of circuit characteristic variation analysis (T3).

【図28】特性歩留計算(T4)の処理フローを例示す
るフローチャートである。
FIG. 28 is a flowchart illustrating a processing flow of characteristic yield calculation (T4).

【図29】製品歩留計算(T6)の処理フローを例示す
るフローチャートである。
FIG. 29 is a flowchart illustrating a processing flow of a product yield calculation (T6).

【図30】ウエハ価格の計算(T7)の処理フローを例
示するフローチャートである。
FIG. 30 is a flowchart illustrating a processing flow of calculating a wafer price (T7).

【図31】チップ単価計算(T8)の処理フローを例示
するフローチャートである。
FIG. 31 is a flowchart illustrating a processing flow of chip unit price calculation (T8).

【図32】ワースト、ベストパラメータ生成(T9)の
処理フローを例示するフローチャートである。
FIG. 32 is a flowchart illustrating a processing flow of worst and best parameter generation (T9).

【図33】デバイスロバスト設計(T10)の処理フロ
ーを例示するフローチャートである。
FIG. 33 is a flowchart illustrating a processing flow of device robust design (T10).

【図34】プレシリコンデバイスパラメータ生成(T1
2)の処理フローを例示するフローチャートである。
FIG. 34: Pre-silicon device parameter generation (T1)
It is a flowchart which illustrates the processing flow of 2).

【図35】製品納期の計算(T3)の処理フローを例示
するフローチャートである。
FIG. 35 is a flowchart illustrating a process flow of calculating a product delivery date (T3).

【図36】製品のロット投入時期と期間の計算(T1
4)の処理フローを例示するフローチャートである。
FIG. 36: Calculation of lot input timing and period of product (T1)
It is a flowchart which illustrates the processing flow of 4).

【図37】統計デバイスパラメータ抽出(T2)の処理
を概略的に例示する説明図である。
FIG. 37 is an explanatory diagram schematically illustrating a process of statistical device parameter extraction (T2).

【図38】短チャネルMOSトランジスタと長チャネル
MOSトランジスタにおいて抽出されるパラメータの相
違を例示する説明図である。
FIG. 38 is an explanatory diagram illustrating a difference in parameters extracted between a short channel MOS transistor and a long channel MOS transistor;

【図39】回路特性ばらつき解析の様子を例示する説明
図である。
FIG. 39 is an explanatory diagram illustrating an example of a circuit characteristic variation analysis;

【図40】特性歩留計算の様子を例示する説明図であ
る。
FIG. 40 is an explanatory diagram illustrating an example of a characteristic yield calculation.

【図41】ワースト、ベストパラメータ生成処理の様子
を例示する説明図である。
FIG. 41 is an explanatory diagram illustrating an example of worst and best parameter generation processing;

【図42】ラインで製造されるデバイス特性が製造ライ
ンの清掃タイミングで周期をもって変動する様子を例示
する説明図である。
FIG. 42 is an explanatory view exemplifying a state in which device characteristics manufactured in a line vary periodically with a cleaning timing of a manufacturing line.

【図43】高速製品の歩留が製造ラインの清掃周期に同
期して変動する様子を例示する説明図である。
FIG. 43 is an explanatory diagram illustrating a state in which the yield of high-speed products fluctuates in synchronization with a cleaning cycle of a manufacturing line.

【図44】プロセス条件式を例示する説明図である。FIG. 44 is an explanatory diagram illustrating a process condition expression;

【図45】ファブの受注状況を示す情報の一例を示す説
明図である。
FIG. 45 is an explanatory diagram showing an example of information indicating the order status of a fab.

【図46】ナレッジマネジメントサーバが利用するティ
ピカルデバイスデータなどの各種データに対するデータ
提供元と提供タイミングを整理して示する説明図であ
る。
FIG. 46 is an explanatory diagram showing a data providing source and providing timing for various types of data such as typical device data used by the knowledge management server.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A,10〜12 ファブ 13A,13〜16 ファブレス 17 サービスプロバイダ 18 ネットワーク 20〜22 製造ライン 30〜32 計測器 40〜42,43 ラインデータサーバ 50〜53,54 設計データサーバ 60,61,62 ナレッジマネジメントサーバ 10A, 10-12 Fab 13A, 13-16 Fabless 17 Service provider 18 Network 20-22 Manufacturing line 30-32 Measuring instrument 40-42,43 Line data server 50-53,54 Design data server 60,61,62 Knowledge management server

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大路 譲 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 奥山 幸祐 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 河上 恵 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5F064 HH06 HH09 HH11 HH12  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Joe Yoji 5-2-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Within the Semiconductor Group, Hitachi, Ltd. (72) Kosuke Okuyama In-house Kosuihonchogo, Kodaira-shi No. 20-1 in Hitachi Semiconductor Group, Ltd. (72) Megumi Kawakami, Inventor 5--20-1, Kamimizu Honcho, Kodaira-shi, Tokyo F-Term in Hitachi Semiconductor Group, Ltd. F-term (reference) 5F064 HH06 HH09 HH11 HH12

Claims (63)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置を
有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介して、
半導体素子の素子特性情報と半導体集積回路の設計情報
とを受け、前記素子特性情報の供給元からの要求に応答
して、当該要求元への応答情報を、前記受けた情報に基
づいて生成し、生成した応答情報を前記要求元に返す処
理を実行可能であることを特徴とする情報処理システ
ム。
1. A computer device that can be connected to a transmission line, wherein the computer device is connected via the transmission line
Receiving element characteristic information of a semiconductor element and design information of a semiconductor integrated circuit, responding to a request from a source of the element characteristic information, generating response information to the request source based on the received information; An information processing system capable of executing a process of returning generated response information to the request source.
【請求項2】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力可
能な別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とす
る請求項1記載の情報処理システム。
2. The information processing system according to claim 1, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said element characteristic information to said transmission path.
【請求項3】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能な
更に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とす
る請求項1又は2記載の情報処理システム。
3. The information processing system according to claim 1, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting the design information to the transmission path.
【請求項4】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置を
有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介して、
半導体素子の素子特性情報と半導体集積回路の設計情報
とを受け、前記素子特性情報の供給元からの要求に応答
して、当該要求元への応答情報を、前記半導体集積回路
に前記素子特性情報で特定される素子を用いることを仮
定して生成し、生成した応答情報を前記要求元に返す処
理を実行可能であることを特徴とする情報処理システ
ム。
4. A computer device connectable to a transmission line, wherein the computer device is connected via the transmission line,
Upon receiving the device characteristic information of the semiconductor device and the design information of the semiconductor integrated circuit, in response to a request from a supplier of the device characteristic information, response information to the request source is transmitted to the semiconductor integrated circuit by the device characteristic information. An information processing system capable of executing a process of generating a response assuming use of the element specified in (1) and returning the generated response information to the request source.
【請求項5】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力可
能な別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とす
る請求項4記載の情報処理システム。
5. The information processing system according to claim 4, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said element characteristic information on said transmission path.
【請求項6】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能な
更に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とす
る請求項4又は5記載の情報処理システム。
6. The information processing system according to claim 4, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting the design information to the transmission path.
【請求項7】 前記応答情報は、前記素子特性情報で特
定される素子を用いて前記半導体集積回路を構成すると
仮定したときの予測歩留情報と半導体集積回路の設計情
報供給元が提示するチップ単価情報とに基づいて生成さ
れるウエハ単価情報を含むことを特徴とする請求項1又
は4記載の情報処理システム。
7. The semiconductor device according to claim 7, wherein the response information is a chip presented by a predicted yield information and a design information supply source of the semiconductor integrated circuit when it is assumed that the semiconductor integrated circuit is configured using an element specified by the element characteristic information. 5. The information processing system according to claim 1, further comprising wafer unit price information generated based on the unit price information.
【請求項8】 前記応答情報は、半導体素子の時系列の
素子特性情報と、前記設計情報の供給元から与えられる
半導体集積回路の必要量及び製造納期とに基づいて形成
されたところの、当該半導体集積回路の必要量と納期を
満足するロット投入時期に関する情報を含むことを特徴
とする請求項1又は4記載の情報処理システム。
8. The method according to claim 7, wherein the response information is formed based on time-series element characteristic information of the semiconductor element and a required amount of the semiconductor integrated circuit and a production deadline given from a supplier of the design information. 5. The information processing system according to claim 1, further comprising information relating to a required amount of the semiconductor integrated circuit and a lot input timing satisfying a delivery date.
【請求項9】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置を
有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介して、
半導体素子の素子特性情報と半導体集積回路の設計情報
とを受け、前記設計情報の供給元からの要求に応答し
て、当該要求元への応答情報を、前記受けた情報に基づ
いて生成し、生成した応答情報を前記要求元に返す処理
を実行可能であることを特徴とする情報処理システム。
9. A computer device connectable to a transmission line, wherein the computer device is connected via the transmission line,
Receiving the element characteristic information of the semiconductor element and the design information of the semiconductor integrated circuit, in response to a request from the supply source of the design information, generating response information to the request source based on the received information, An information processing system capable of executing a process of returning generated response information to the request source.
【請求項10】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な別のコンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項9記載の情報処理システム。
10. The information processing system according to claim 9, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said element characteristic information on said transmission path.
【請求項11】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な更に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項9又は10記載の情報処理システム。
11. The information processing system according to claim 9, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項12】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置
を有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介し
て、半導体素子の素子特性情報と半導体集積回路の設計
情報とを受け、前記設計情報の供給元からの要求に応答
して、当該要求元への応答情報を、前記半導体集積回路
に前記素子特性情報で特定される素子を用いることを仮
定して生成し、生成した応答情報を、前記要求元に返す
処理を実行可能であることを特徴とする情報処理システ
ム。
12. A computer device that can be connected to a transmission line, wherein the computer device receives, via the transmission line, element characteristic information of a semiconductor element and design information of a semiconductor integrated circuit, and receives the design information of the semiconductor integrated circuit. In response to a request from a supply source, response information to the request source is generated on the assumption that an element specified by the element characteristic information is used in the semiconductor integrated circuit, and the generated response information is generated. An information processing system capable of executing a process of returning to a request source.
【請求項13】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な別のコンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項12記載の情報処理システム。
13. The information processing system according to claim 12, wherein a plurality of other computer devices capable of outputting said element characteristic information are provided on said transmission path.
【請求項14】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な更に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項12又は13記載の情報処理システム。
14. The information processing system according to claim 12, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項15】 前記応答情報は、前記素子特性情報で
特定される素子を用いて前記半導体集積回路を構成する
と仮定したときの予測歩留情報を含むことを特徴とする
請求項9又は12記載の情報処理システム。
15. The response information according to claim 9, wherein the response information includes predicted yield information assuming that the semiconductor integrated circuit is configured using an element specified by the element characteristic information. Information processing system.
【請求項16】 前記応答情報は、前記予測歩留情報と
前記素子特性情報供給元が提示するウエハ単価情報とに
基づいて生成されるチップ単価情報を含むことを特徴と
する請求項15記載の情報処理システム。
16. The apparatus according to claim 15, wherein the response information includes chip unit price information generated based on the predicted yield information and wafer unit price information presented by the element characteristic information supply source. Information processing system.
【請求項17】 前記応答情報は、前記設計情報の供給
元から与えられるベンチマーク回路の回路特性のばらつ
きを改善するための半導体集積回路に対するレイアウト
構造に関する情報を含むことを特徴とする請求項9又は
12記載の情報処理システム。
17. The semiconductor device according to claim 9, wherein the response information includes information on a layout structure for a semiconductor integrated circuit for improving variation in circuit characteristics of a benchmark circuit provided from a source of the design information. 13. The information processing system according to item 12.
【請求項18】 前記応答情報は、前記半導体集積回路
の予測歩留情報及び前記設計情報の供給元から与えられ
るウエハ単価情報から取得したチップ単価情報と、素子
特性情報の供給元から与えられる製造ラインの混雑状況
及び製造ラインのスループットに基づいて得られる所要
ウエハの出来上がり時期とを含むことを特徴とする請求
項15記載の情報処理システム。
18. The method according to claim 18, wherein said response information is chip unit price information obtained from predicted unit yield information of said semiconductor integrated circuit and wafer unit price information provided from a supplier of said design information, and a manufacturing unit provided from a supplier of element characteristic information. 16. The information processing system according to claim 15, further comprising a line congestion state and a completion time of a required wafer obtained based on a throughput of the manufacturing line.
【請求項19】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置
を有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介して
半導体素子の素子特性情報を受けることが可能であり、
前記伝送路を介する要求に応答して、前記受けた素子特
性情報で特定される素子特性を模擬するためのデバイス
パラメータを生成し、生成したデバイスパラメータを前
記伝送路を介して前記要求元に返す処理を実行可能であ
ることを特徴とする情報処理システム。
19. A computer device that can be connected to a transmission line, wherein the computer device can receive element characteristic information of a semiconductor element via the transmission line.
In response to the request via the transmission path, generate device parameters for simulating the element characteristics specified by the received element characteristic information, and return the generated device parameters to the request source via the transmission path An information processing system capable of executing processing.
【請求項20】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な別のコンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項19記載の情報処理システム。
20. The information processing system according to claim 19, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said element characteristic information on said transmission path.
【請求項21】 前記伝送路に前記要求を出力可能な更
に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項19又は20記載の情報処理システム。
21. The information processing system according to claim 19, further comprising a plurality of further computer devices capable of outputting said request to said transmission path.
【請求項22】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置
を有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介して
第1半導体素子の素子特性情報及び第2半導体素子の素
子条件を受けることが可能であり、前記伝送路を介する
要求に応答して、前記受けた素子特性情報及び前記素子
条件に基づいて前記第2半導体素子の素子特性を模擬す
るためのプレシリコンデバイスパラメータを生成し、生
成したプレシリコンデバイスパラメータを前記伝送路を
介して前記要求元に返す処理を実行可能であることを特
徴とする情報処理システム。
22. A computer device which can be connected to a transmission path, wherein the computer apparatus can receive element characteristic information of a first semiconductor element and element conditions of a second semiconductor element via the transmission path. And generating a pre-silicon device parameter for simulating the device characteristics of the second semiconductor device based on the received device characteristics information and the device conditions in response to a request via the transmission line. An information processing system capable of executing a process of returning a silicon device parameter to the request source via the transmission path.
【請求項23】 前記伝送路に前記素子特性情報及び前
記素子条件を出力可能な別のコンピュータ装置を複数有
することを特徴とする請求項22記載の情報処理システ
ム。
23. The information processing system according to claim 22, wherein the transmission path includes a plurality of other computer devices capable of outputting the element characteristic information and the element conditions.
【請求項24】 前記伝送路に前記要求を出力可能な更
に別のコンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項22又は23記載の情報処理システム。
24. The information processing system according to claim 22, further comprising a plurality of other computer devices capable of outputting said request to said transmission path.
【請求項25】 伝送路に接続可能なコンピュータ装置
を有し、前記コンピュータ装置は、前記伝送路を介し
て、半導体素子の素子特性情報とその素子を用いるベン
チマーク回路情報を受け、前記素子特性情報及びベンチ
マーク回路情報の供給元からの要求に応答して、前記素
子特性情報で特定される素子を用いてベンチマーク回路
を構成すると仮定して得られる応答情報を、前記要求元
に返す処理を実行可能であることを特徴とする情報処理
システム。
25. A computer device connectable to a transmission line, said computer device receiving, via the transmission line, element characteristic information of a semiconductor element and benchmark circuit information using the element, and receiving the element characteristic information. In response to a request from a source of benchmark circuit information, a process of returning response information obtained assuming that a benchmark circuit is configured using an element specified by the element characteristic information to the requestor can be performed. An information processing system, characterized in that:
【請求項26】 前記伝送路に前記素子特性情報及び前
記ベンチマーク回路情報を出力可能な別のコンピュータ
装置を複数有することを特徴とする請求項25記載の情
報処理システム。
26. The information processing system according to claim 25, wherein the transmission path includes a plurality of other computer devices capable of outputting the element characteristic information and the benchmark circuit information.
【請求項27】 前記応答情報は、前記ベンチマーク回
路の回路特性のばらつきを改善するための半導体素子に
対するプロセス条件及びデバイス構造に関する情報を含
むことを特徴とする請求項25記載の情報処理システ
ム。
27. The information processing system according to claim 25, wherein the response information includes information on a process condition and a device structure for a semiconductor element for improving variation in circuit characteristics of the benchmark circuit.
【請求項28】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から半導体素子の素子特性情
報を入力し、と共に、前記伝送路を介して半導体集積回
路の設計情報を受け、前記第2コンピュータからの要求
に応答して、当該要求元への応答情報を前記入力情報に
基づいて生成し、生成された応答情報を、前記第2コン
ピュータに返す処理を実行可能であることを特徴とする
情報処理システム。
28. A computer having a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Device characteristic information of a semiconductor element is input from the second computer device, and design information of the semiconductor integrated circuit is received via the transmission line, and in response to a request from the second computer, An information processing system capable of executing a process of generating response information based on the input information and returning the generated response information to the second computer.
【請求項29】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な第3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項28記載の情報処理システム。
29. The information processing system according to claim 28, further comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項30】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から半導体素子の素子特性情
報を入力し、前記伝送路を介して半導体集積回路の設計
情報を受け、前記第2コンピュータからの要求に応答し
て、当該要求元への応答情報を、前記半導体集積回路に
前記素子特性情報で特定される素子を用いることを仮定
して生成し、生成した応答情報を、前記第2コンピュー
タに返す処理を実行可能であることを特徴とする情報処
理システム。
30. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Device characteristic information of a semiconductor element is input from the second computer device, design information of the semiconductor integrated circuit is received via the transmission line, and in response to a request from the second computer, response information to the request source is received. Is generated assuming that an element specified by the element characteristic information is used for the semiconductor integrated circuit, and a process of returning the generated response information to the second computer can be executed. Processing system.
【請求項31】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な第3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項30記載の情報処理システム。
31. The information processing system according to claim 30, comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項32】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から半導体素子の素子特性情
報を入力し、前記伝送路を介して半導体集積回路の設計
情報を受け、前記設計情報の供給元からの要求に応答し
て、当該要求元への応答情報を前記入力情報に基づいて
生成し、生成された応答情報を、前記要求元に返す処理
を実行可能であることを特徴とする情報処理システム。
32. A computer having a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Device characteristic information of a semiconductor element is input from the second computer device, design information of the semiconductor integrated circuit is received via the transmission line, and in response to a request from a supply source of the design information, An information processing system capable of executing a process of generating response information based on the input information and returning the generated response information to the request source.
【請求項33】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な第3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項32記載の情報処理システム。
33. The information processing system according to claim 32, comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項34】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から半導体素子の素子特性情
報を入力し、前記伝送路を介して半導体集積回路の設計
情報を受け、前記設計情報の供給元からの要求に応答し
て、当該要求元への応答情報を、前記素子特性情報で特
定される素子を用いることを仮定して生成し、生成した
応答情報を、前記要求元に返す処理を実行可能であるこ
とを特徴とする情報処理システム。
34. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device includes:
Device characteristic information of a semiconductor element is input from the second computer device, design information of the semiconductor integrated circuit is received via the transmission line, and in response to a request from a supply source of the design information, An information processing system capable of executing a process of generating response information on the assumption that an element specified by the element characteristic information is used, and returning the generated response information to the request source.
【請求項35】 前記伝送路に前記設計情報を出力可能
な第3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする
請求項34記載の情報処理システム。
35. The information processing system according to claim 34, comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said design information to said transmission path.
【請求項36】 前記応答情報は、前記素子特性情報で
特定される素子を用いて前記半導体集積回路を構成する
と仮定したときの予測歩留情報を含むことを特徴とする
請求項32又は34記載の情報処理システム。
36. The response information according to claim 32, wherein the response information includes predicted yield information assuming that the semiconductor integrated circuit is configured using an element specified by the element characteristic information. Information processing system.
【請求項37】 前記応答情報は、前記予測歩留情報と
前記素子特性情報供給元が提示するウエハ単価情報とに
基づいて生成されるチップ単価情報を含むことを特徴と
する請求項36記載の情報処理システム。
37. The apparatus according to claim 36, wherein the response information includes chip unit price information generated based on the predicted yield information and wafer unit price information presented by the element characteristic information supplier. Information processing system.
【請求項38】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から半導体素子の素子特性情
報を入力可能であり、伝送路からの要求に応答して、前
記入力した素子特性情報で特定される素子特性を模擬す
るためのデバイスパラメータを生成し、生成したデバイ
スパラメータを前記要求元に返す処理を実行可能である
ことを特徴とする情報処理システム。
38. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device includes:
Device characteristic information of a semiconductor device can be input from the second computer device, and in response to a request from a transmission line, device parameters for simulating the device characteristic specified by the input device characteristic information are generated. An information processing system capable of executing a process of returning the generated device parameter to the request source.
【請求項39】 前記伝送路に前記要求を出力可能な第
3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする請求
項38記載の情報処理システム。
39. The information processing system according to claim 38, comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said request to said transmission path.
【請求項40】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第2コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記第2コンピュータ装置から第1半導体素子の素子特
性情報及び第2半導体素子の素子条件を入力可能であ
り、前記伝送路からの要求に応答して、前記入力した前
記素子特性情報及び前記素子条件に基づいて前記第2半
導体素子の素子特性を模擬するためのプレシリコンデバ
イスパラメータを生成し、生成したプレシリコンデバイ
スパラメータを前記伝送路を介して前記要求元に返す処
理を実行可能であることを特徴とする情報処理システ
ム。
40. A computer having a first computer device connectable to a transmission path and a second computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Device characteristic information of the first semiconductor device and device condition of the second semiconductor device can be input from the second computer device, and the input device characteristic information and the device condition are input in response to a request from the transmission line. Generating a pre-silicon device parameter for simulating the device characteristics of the second semiconductor device based on the above, and returning the generated pre-silicon device parameter to the request source via the transmission line. Characteristic information processing system.
【請求項41】 前記伝送路に前記要求を出力可能な第
3コンピュータ装置を複数有することを特徴とする請求
項40記載の情報処理システム。
41. The information processing system according to claim 40, comprising a plurality of third computer devices capable of outputting said request to said transmission path.
【請求項42】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第3コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記伝送路を介して半導体素子の素子特性情報を受け、
前記第3コンピュータ装置から半導体集積回路の設計情
報を入力し、前記素子特性情報の供給元からの要求に応
答して、当該要求元への応答情報を、前記受けた情報と
前記入力した情報に基づいて生成し、生成した応答情報
を、前記要求元に返す処理を実行可能であることを特徴
とする情報処理システム。
42. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Receiving element characteristic information of the semiconductor element through the transmission path,
Design information of a semiconductor integrated circuit is input from the third computer device, and in response to a request from a source of the element characteristic information, response information to the request source is converted into the received information and the input information. An information processing system capable of executing a process of generating the response information based on the request information and returning the generated response information to the request source.
【請求項43】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な第2コンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項42記載の情報処理システム。
43. The information processing system according to claim 42, comprising a plurality of second computer devices capable of outputting said element characteristic information to said transmission path.
【請求項44】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第3コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記伝送路を介して半導体素子の素子特性情報を受け、
前記第3コンピュータ装置から半導体集積回路の設計情
報を入力し、前記素子特性情報の供給元からの要求に応
答して、当該要求元への応答情報を、前記半導体集積回
路に前記素子特性情報で特定される素子を用いることを
仮定して生成し、生成した応答情報を、前記要求元に返
す処理を実行可能であることを特徴とする情報処理シス
テム。
44. A computer having a first computer device connectable to a transmission path and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Receiving element characteristic information of the semiconductor element through the transmission path,
Design information of a semiconductor integrated circuit is input from the third computer device, and in response to a request from a supplier of the element characteristic information, response information to the request source is transmitted to the semiconductor integrated circuit by the element characteristic information. An information processing system, which is capable of executing a process of generating the response information on the assumption that a specified element is used and returning the generated response information to the request source.
【請求項45】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な第2コンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項44記載の情報処理システム。
45. The information processing system according to claim 44, further comprising a plurality of second computer devices capable of outputting said element characteristic information to said transmission path.
【請求項46】 前記応答情報は、前記素子特性情報で
特定される素子により前記半導体集積回路を構成すると
仮定したときの予測歩留情報と半導体集積回路の設計情
報供給元が提示するチップ単価情報とに基づいて生成さ
れるウエハ単価情報を含むことを特徴とする請求項42
又は44記載の情報処理システム。
46. The response information includes predicted yield information and chip unit price information presented by a semiconductor integrated circuit design information supplier when it is assumed that the semiconductor integrated circuit is constituted by the element specified by the element characteristic information. 43. The apparatus according to claim 42, further comprising: wafer unit price information generated based on
Or the information processing system according to 44.
【請求項47】 前記応答情報は、半導体素子の時系列
の素子特性情報と、前記設計情報の供給元から与えられ
る半導体集積回路の必要量及び製造納期とに基づいて形
成されたところの、当該半導体集積回路の納期と個数を
満足するロット投入時期に関する情報を含むことを特徴
とする請求項42又は44記載の情報処理システム。
47. The response information, wherein the response information is formed based on a time-series element characteristic information of a semiconductor element and a required amount and a production deadline of the semiconductor integrated circuit given from a supply source of the design information. 45. The information processing system according to claim 42, further comprising information relating to a lot input time that satisfies the delivery date and the number of semiconductor integrated circuits.
【請求項48】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第3コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記伝送路を介して、半導体素子の素子特性情報とその
素子を用いるベンチマーク回路情報を受け、前記素子特
性情報及びベンチマーク回路情報の供給元からの要求に
応答して、前記素子特性情報で特定される素子を用いて
ベンチマーク回路を構成すると仮定して得られる応答情
報を、前記要求元に返す処理を実行可能であることを特
徴とする情報処理システム。
48. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Through the transmission path, receives element characteristic information of a semiconductor element and benchmark circuit information using the element, and in response to a request from a supplier of the element characteristic information and the benchmark circuit information, is specified by the element characteristic information. An information processing system capable of executing a process of returning response information obtained assuming that a benchmark circuit is configured by using elements to the request source.
【請求項49】 前記伝送路に前記素子特性情報及び前
記ベンチマーク回路情報を出力可能な第2コンピュータ
装置を複数有することを特徴とする請求項48記載の情
報処理システム。
49. The information processing system according to claim 48, wherein a plurality of second computer devices capable of outputting said element characteristic information and said benchmark circuit information are provided on said transmission path.
【請求項50】 前記応答情報は、前記ベンチマーク回
路の回路特性ばらつきを改善するための半導体素子に対
するプロセス条件及びデバイス構造に関する情報を含む
ことを特徴とする請求項48記載の情報処理システム。
50. The information processing system according to claim 48, wherein the response information includes information on a process condition and a device structure for a semiconductor element for improving a variation in circuit characteristics of the benchmark circuit.
【請求項51】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第3コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記伝送路を介して半導体素子の素子特性情報を受け、
前記第3コンピュータ装置から半導体集積回路の設計情
報を入力し、前記第3コンピュータ装置からの要求に応
答して、当該要求元への応答情報を、前記受けた情報と
前記入力した情報に基づいて生成し、生成した応答情報
を、前記要求元の第3コンピュータ装置に返す処理を実
行可能であることを特徴とする情報処理システム。
51. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device includes:
Receiving element characteristic information of the semiconductor element through the transmission path,
Design information of a semiconductor integrated circuit is input from the third computer device, and in response to a request from the third computer device, response information to the request source is determined based on the received information and the input information. An information processing system capable of executing a process of generating and returning the generated response information to the requesting third computer device.
【請求項52】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な第2コンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項51記載の情報処理システム。
52. The information processing system according to claim 51, comprising a plurality of second computer devices capable of outputting said element characteristic information to said transmission path.
【請求項53】 伝送路に接続可能な第1コンピュータ
装置と前記第1コンピュータ装置に接続された第3コン
ピュータ装置とを有し、前記第1コンピュータ装置は、
前記伝送路を介して半導体素子の素子特性情報を受け、
前記第3コンピュータ装置から半導体集積回路の設計情
報を入力し、前記第3コンピュータ装置からの要求に応
答して、当該要求元への応答情報を、前記半導体集積回
路に前記素子特性情報で特定される素子を用いることを
仮定して生成し、生成した応答情報を、前記要求元の第
3コンピュータ装置に返す処理を実行可能であることを
特徴とする情報処理システム。
53. A computer having a first computer device connectable to a transmission line and a third computer device connected to the first computer device, wherein the first computer device comprises:
Receiving element characteristic information of the semiconductor element through the transmission path,
Design information of a semiconductor integrated circuit is input from the third computer device, and in response to a request from the third computer device, response information to the request source is specified in the semiconductor integrated circuit by the element characteristic information. An information processing system capable of executing a process of generating the response information assuming use of the element and returning the generated response information to the requesting third computer device.
【請求項54】 前記伝送路に前記素子特性情報を出力
可能な第2コンピュータ装置を複数有することを特徴と
する請求項53記載の情報処理システム。
54. The information processing system according to claim 53, comprising a plurality of second computer devices capable of outputting said element characteristic information to said transmission path.
【請求項55】 半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して半導体素子の
素子特性情報を入力する処理と、 半導体集積回路を設計するファブレスのサーバからネッ
トワークを介して半導体集積回路の設計情報を入力する
処理と、 入力した前記素子特性情報及び設計情報に基づいて、前
記ファブレスの要求する製品を前記ファブで製造すると
仮定したときの当該製品の予測歩留情報を生成する処理
と、を含むことを特徴とする情報処理方法。
55. A process for inputting element characteristic information of a semiconductor device from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network, and a process for inputting device characteristic information of a semiconductor device from the fabless server for designing the semiconductor integrated circuit via the network. A process of inputting design information of the device, and a process of generating predicted yield information of the product based on the input device characteristic information and design information, assuming that the product required by the fabless is manufactured by the fab. An information processing method comprising:
【請求項56】 前記予測歩留情報と前記ファブレスか
ら提示されるチップ単価情報とに基づいてウエハ単価情
報を生成する処理を更に含むことを特徴とする請求項5
5記載の情報処理方法。
56. The method according to claim 5, further comprising a step of generating wafer unit price information based on the predicted yield information and chip unit price information presented from the fabless.
5. The information processing method according to item 5.
【請求項57】 前記予測歩留情報と前記ファブから提
示されるウエハ単価情報とに基づいてチップ単価情報を
生成する処理を更に含むことを特徴とする請求項55記
載の情報処理方法。
57. The information processing method according to claim 55, further comprising a step of generating chip unit price information based on said predicted yield information and wafer unit price information presented from said fab.
【請求項58】 前記ファブのサーバから入力される製
造ライン混雑状況及び製造ラインスループットに基づい
て所要ウエハの出来上がり時期を推定する処理と、 前記チップ単価情報及び出来上がり時期の情報を、ネッ
トワークを介してファブレスのサーバに供給する処理
と、を更に含むことを特徴とする請求項57記載の情報
処理方法。
58. A process of estimating a completion time of a required wafer based on a production line congestion state and a production line throughput inputted from the fab server, and the chip unit price information and the completion time information are transmitted via a network. 58. The information processing method according to claim 57, further comprising: processing to supply to a fabless server.
【請求項59】 ファブのサーバから入力した半導体素
子の時系列の素子特性情報と、ファブレスのサーバから
入力した半導体集積回路の必要量及び製造納期とに基づ
いて、当該半導体集積回路の納期と個数を満足するロッ
ト投入時期に関する情報を生成する処理を更に含むこと
を特徴とする請求項57記載の情報処理方法。
59. A delivery date and number of semiconductor integrated circuits based on time-series element characteristic information of a semiconductor device inputted from a fabless server, and a required amount and a production delivery date of a semiconductor integrated circuit inputted from a fabless server. 58. The information processing method according to claim 57, further comprising a process of generating information on a lot input timing satisfying the following.
【請求項60】 半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して半導体素子の
素子特性情報を入力する処理と、 入力した前記素子特性情報に基づいて、回路設計を行う
ための回路シミュレーションに必要なデバイスパラメー
タを生成する処理と、 半導体集積回路を設計するファブレスのサーバにネット
ワークを介して、前記生成されたデバイスパラメータを
供給する処理と、を含むことを特徴とする情報処理方
法。
60. A process for inputting element characteristic information of a semiconductor element from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network, and a circuit for designing a circuit based on the input element characteristic information. An information processing method comprising: a process of generating device parameters required for a simulation; and a process of supplying the generated device parameters to a fabless server for designing a semiconductor integrated circuit via a network.
【請求項61】 半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して第1半導体素
子の素子特性情報及び第2半導体素子の素子条件を入力
する処理と、 入力した前記素子特性情報及び前記素子条件に基づいて
前記第2半導体素子の素子特性を模擬するためのプレシ
リコンデバイスパラメータを生成する処理と、半導体集
積回路を設計するファブレスのサーバにネットワークを
介して、前記生成されたプレシリコンデバイスパラメー
タを供給する処理と、を含むことを特徴とする情報処理
方法。
61. A process of inputting element characteristic information of a first semiconductor element and element conditions of a second semiconductor element from a fab server having a production line of a semiconductor integrated circuit via a network; Processing for generating a pre-silicon device parameter for simulating the device characteristics of the second semiconductor device based on the device condition, and generating the pre-silicon via a network to a fabless server for designing a semiconductor integrated circuit. An information processing method comprising: supplying a device parameter.
【請求項62】 半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して半導体素子の
素子特性情報を入力する処理と、 半導体集積回路を設計するファブレスのサーバからネッ
トワークを介して半導体集積回路の設計情報を入力する
処理と、 入力した前記素子特性情報及び設計情報に基づいて、前
記設計情報に含まれるベンチマーク回路の回路特性ばら
つきを改善するためのレイアウト構造に関する改善策情
報を生成する処理と、 前記ファブレスのサーバに前記生成された改善策情報を
ネットワークを介して供給する処理と、を含むことを特
徴とする情報処理方法。
62. A process for inputting element characteristic information of a semiconductor device from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network, and a process for inputting device characteristic information from a fabless server for designing the semiconductor integrated circuit via the network. A process of inputting the design information of, and a process of generating, based on the input device characteristic information and design information, improvement measure information on a layout structure for improving a variation in circuit characteristics of a benchmark circuit included in the design information. Supplying the generated improvement measure information to the fabless server via a network.
【請求項63】 半導体集積回路の製造ラインを有する
ファブのサーバからネットワークを介して半導体素子の
素子特性情報とその半導体素子を用いるベンチマーク回
路情報を入力する処理と、 入力した前記素子特性情報及びベンチマーク回路情報に
基づいて、前記ベンチマーク回路の回路特性ばらつきを
改善するための半導体素子に対するプロセス条件及びデ
バイス構造に関する改善策情報を生成する処理と、 前記ファブのサーバに前記生成された改善策情報をネッ
トワークを介して供給する処理と、を含むことを特徴と
する情報処理方法。
63. A process of inputting element characteristic information of a semiconductor element and benchmark circuit information using the semiconductor element from a fab server having a semiconductor integrated circuit manufacturing line via a network, and the input element characteristic information and the benchmark. A process of generating improvement information on a process condition and a device structure for a semiconductor element for improving the circuit characteristic variation of the benchmark circuit based on the circuit information; and transmitting the generated improvement information to the fab server by a network. And a process of supplying the information via a computer.
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