JP2002352764A - Method for calibrating electron microscope, and standard sample for calibrating the electron microscope - Google Patents

Method for calibrating electron microscope, and standard sample for calibrating the electron microscope

Info

Publication number
JP2002352764A
JP2002352764A JP2001160854A JP2001160854A JP2002352764A JP 2002352764 A JP2002352764 A JP 2002352764A JP 2001160854 A JP2001160854 A JP 2001160854A JP 2001160854 A JP2001160854 A JP 2001160854A JP 2002352764 A JP2002352764 A JP 2002352764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
standard
electron microscope
magnification
standard sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001160854A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3657891B2 (en
JP2002352764A5 (en
Inventor
Mari Sakagami
万里 坂上
Mine Nakagawa
美音 中川
Junichi Yoshinari
淳一 吉成
Kaname Takahashi
要 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Science Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Science Systems Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001160854A priority Critical patent/JP3657891B2/en
Publication of JP2002352764A publication Critical patent/JP2002352764A/en
Publication of JP2002352764A5 publication Critical patent/JP2002352764A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3657891B2 publication Critical patent/JP3657891B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a calibration method of an electron microscope, which can fully expand the range, where the calibration can be made by using standard samples. SOLUTION: Samples A to E, consisting of a plurality of particles having different dimensions in steps, are dispersed and are held on a standard microscale M. First, the dimensions of a single particle among the plurality of particles is calibrated to define a second standard sample by using the pattern of the standard microscale M, and then the dimensions of another single particle among the plurality of particles is calibrated to define a third standard sample, by using the second standard sample. Subsequently, the same process is repeated about the other particles to define standard samples from the second to n-th sample. After the pattern of the reference sample is added as the first standard sample on the standard samples from the second to the n-th, calibration is implemented by using one of these standard samples from the first to the n-th.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、保証された既知寸
法のパターンを有する試料を基準として用い、電子顕微
鏡の倍率と寸法を校正する方法に係り、特に、走査電子
顕微鏡を対象として、観察対象となる未知試料の大きさ
が広範囲にわたる場合に好適な電子顕微鏡の校正方法及
び電子顕微鏡校正用標準試料に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for calibrating the magnification and dimensions of an electron microscope using a sample having a guaranteed pattern of known dimensions as a reference, and more particularly to a method for observing a scanning electron microscope. The present invention relates to a method for calibrating an electron microscope and a standard sample for calibrating an electron microscope suitable for a case where the size of an unknown sample becomes wide.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば走査電子顕微鏡などの各種の電子
顕微鏡は、その運用に際して、倍率及び寸法の校正(較
正)を要する場合があるが、このためには、通常、精度
が保証された既知寸法のパターンを備えた基準試料が用
いられる。
2. Description of the Related Art Various electron microscopes, such as a scanning electron microscope, sometimes require calibration (calibration) of magnification and dimensions when operating them. A reference sample having the following pattern is used.

【0003】このとき、電子顕微鏡で計測される寸法
(倍率表示)は、加速電圧、倍率、レンズ条件、試料の作
動距離、電子源の状態等の諸条件によって変化する。そ
こで、未知試料の倍率と寸法の校正には、未知試料の測
定条件と同条件で標準試料の寸法を測定し、それを基準
として用いる必要がある。
At this time, dimensions measured by an electron microscope
The (magnification display) changes according to various conditions such as an acceleration voltage, a magnification, a lens condition, a working distance of a sample, and a state of an electron source. Therefore, in order to calibrate the magnification and dimensions of the unknown sample, it is necessary to measure the dimensions of the standard sample under the same conditions as the measurement conditions of the unknown sample, and use that as a reference.

【0004】ここで、基準試料としては、シリコンによ
る格子(縞状)パターンのピッチを寸法の基準にしたJQ
A(財団法人 日本品質保証機構)認証による標準マイク
ロスケールがあり、従って、従来技術では、この標準マ
イクロスケールを基準試料として用い、倍率と寸法を校
正している。
[0004] Here, as a reference sample, a JQ using the pitch of a lattice (striped) pattern of silicon as a dimensional reference is used.
There is a standard microscale certified by A (Japan Quality Assurance Organization). Therefore, in the prior art, the standard microscale is used as a reference sample to calibrate magnification and dimensions.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、校正
が可能な倍率が標準マイクロスケールにより決められて
いる点に配慮がされているとは言えず、広範囲の観察倍
率には精度よく対応できないという問題があった。
The prior art described above does not take into account that the magnification that can be calibrated is determined by the standard microscale, and cannot accurately cope with a wide range of observation magnification. There was a problem.

【0006】すなわち、従来技術では、標準マイクロス
ケールの格子パターンのピッチと未知試料を比較してい
るので、それらの大きさが近いときはかなりの精度が期
待できるが、大きさが離れるにつれて精度が低下してし
まうので、適用範囲に限度があり、且つ精度にも限度が
生じてしまうのである。
That is, in the prior art, since the pitch of the standard micro-scale grid pattern is compared with the unknown sample, considerable accuracy can be expected when the sizes are close to each other, but the accuracy increases as the size increases. Since it is reduced, the range of application is limited, and the accuracy is also limited.

【0007】具体的に説明すると、標準マイクロスケー
ルの場合には、そのパターンの寸法が1ピッチ(0.24
0μm±0.001μm)となるため、高精度の維持に
は、3〜10万倍の観察倍率が適切な範囲になり、この
倍率範囲を外れると、パターンピッチが正しく判別でき
なくなるので、精度が低下する上、校正ができなくなっ
てしまう。
More specifically, in the case of the standard micro-scale, the dimension of the pattern is one pitch (0.24).
0 μm ± 0.001 μm), an observation magnification of 300,000 to 100,000 is in an appropriate range for maintaining high accuracy. If the magnification is out of this magnification range, the pattern pitch cannot be correctly determined. In addition, the calibration cannot be performed.

【0008】ここで、特願2000−144573の出
願に係る発明では、対象となる未知寸法の微粒子を標準
マイクロスケール上に直接分散させ、当該微粒子の寸法
を校正する手法について提案している。
[0008] Here, the invention according to the application of Japanese Patent Application No. 2000-144573 proposes a method of directly dispersing target microparticles of unknown dimensions on a standard microscale and calibrating the dimensions of the microparticles.

【0009】しかし、この場合も、標準マイクロスケー
ル上に分散させた微粒子を、標準マイクロスケールの格
子パターンのピッチと比較して校正する点に変わりは無
く、従って、標準マイクロスケールによる校正可能倍率
範囲の拡大が得られる訳ではない。
However, also in this case, there is no difference in that the fine particles dispersed on the standard micro-scale are calibrated in comparison with the pitch of the grid pattern of the standard micro-scale. Does not mean that it can be expanded.

【0010】特に最近は、国際標準化機構が制定した
「品質管理および品質保証に関する国際規格」(ISO
9000シリーズ)や、計測、分析結果の国際的相互承
認の基盤となる試験所認定制度(ISO Guido 30)な
どにより、計測、分析結果の信頼性向上について、その
必要性が強く指摘されている。
[0010] Particularly recently, the International Standard for Quality Management and Quality Assurance established by the International Organization for Standardization (ISO)
The need for improving the reliability of measurement and analysis results has been strongly pointed out by the 9000 series) and the laboratory accreditation system (ISO Guido 30), which is the basis of international mutual recognition of measurement and analysis results.

【0011】そこで、走査電子顕微鏡においても、一定
の倍率(寸法)範囲に限らず、幅広い観察倍率で信頼性が
高い測定手法、すなわち「精確さ」(=不確かさ)が明示
できるようにした測定手法の開発が望まれているが、し
かし、従来技術では、標準マイクロスケールにより規定
されていて、これに応えることができなかった。
Therefore, even in a scanning electron microscope, a highly reliable measurement method is not limited to a certain magnification (dimension) range but a wide observation magnification, that is, a measurement method capable of clearly indicating "accuracy" (= uncertainty). The development of a method is desired, but in the prior art, it was specified by the standard microscale and could not respond to this.

【0012】本発明の目的は、標準試料による校正可能
な範囲の拡大が充分に得られるようにした寸法校正方法
及び電子顕微鏡校正用標準試料を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a dimensional calibration method and a standard sample for electron microscope calibration, which can sufficiently expand the range that can be calibrated by a standard sample.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、既知寸法の
パターンを有する基準試料を用い、当該パターンを標準
試料として電子顕微鏡を校正する方法において、前記既
知寸法から段階的に寸法が異なっている複数の粒子を前
記基準試料の観察面に分散支持させ、最初、前記複数の
粒子の中の1個の寸法を、前記基準試料のパターンによ
り校正して第2の標準試料とした後、前記複数の粒子の
中の他の1個の寸法を、前記第2の標準試料により校正
して第3の標準試料とし、以後、同じ処理を残りの粒子
についても繰り返えすことにより、第2から第nまでの
標準試料を求め、これら第2から第nまでの標準試料に
前記基準試料のパターンを第1の標準試料として含めた
上で、これら第1から第nの標準試料の何れかを用いて
校正を行うことにより達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for calibrating an electron microscope using a reference sample having a pattern of a known size and using the pattern as a standard sample, wherein the size is stepwise different from the known size. A plurality of particles are dispersed and supported on the observation surface of the reference sample, and first, one of the plurality of particles is calibrated according to the pattern of the reference sample to obtain a second standard sample. The other one of the particles is calibrated with the second standard sample to obtain a third standard sample, and thereafter, the same process is repeated for the remaining particles, so that the second to the second particles are obtained. n, and after including the pattern of the reference sample as the first standard sample in the second to n-th standard samples, using any of the first to n-th standard samples. To calibrate Ri is achieved.

【0014】このとき、前記基準試料の観察面に未知試
料が支持されているようにしても良く、前記未知試料
が、前記第1の標準試料による校正範囲を外れた寸法
で、当該未知試料の校正が、前記第2から第nの標準試
料を用いて行われるようにしても良い。
At this time, the unknown sample may be supported on the observation surface of the reference sample, and the unknown sample has a size outside the calibration range of the first standard sample, and The calibration may be performed using the second to n-th standard samples.

【0015】同じく上記目的は、既知寸法のパターンを
有する基準試料の観察面に、前記既知寸法から段階的に
寸法が異なっている複数の粒子を分散支持させ、電子顕
微鏡校正用標準試料とすることにより達成される。
Another object of the present invention is to disperse and support a plurality of particles having different sizes stepwise from the known size on an observation surface of a reference sample having a pattern of a known size to obtain a standard sample for electron microscope calibration. Is achieved by

【0016】更に上記目的は、既知寸法のパターンを有
する基準試料の観察面に、前記既知寸法から段階的に寸
法が異なっている複数の粒子を分散支持させ、前記観察
面に未知試料が支持されるようにして電子顕微鏡校正用
標準試料とすることにより達成される。
It is still another object of the present invention to disperse and support a plurality of particles having different sizes stepwise from the known size on an observation surface of a reference sample having a pattern of a known size, and to support the unknown sample on the observation surface. This is achieved by using the standard sample for electron microscope calibration as described above.

【0017】[0017]

【発明の実際の形態】以下、本発明による電子顕微鏡の
校正方法について、図示の実施の形態により詳細に説明
する。図1は、本発明の一実施形態において使用される
基準試料Rの一例で、標準マイクロスケールMの観察面
に、粒子からなる未知の試料A〜Eを設けたものであ
る。
Hereinafter, a method for calibrating an electron microscope according to the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 shows an example of a reference sample R used in an embodiment of the present invention, in which unknown samples A to E made of particles are provided on an observation surface of a standard microscale M.

【0018】そして、まず標準マイクロスケールMは、
上記したJQA認証によるもので、0.240μmのピ
ッチで配列された複数本の溝からなるパターンPを持っ
ている。
First, the standard microscale M is
According to the above-mentioned JQA certification, it has a pattern P composed of a plurality of grooves arranged at a pitch of 0.240 μm.

【0019】次に、試料A〜Eは、図示されているよう
に、互いに異なるサイズ(大きさ、寸法)を有し、かつ各
試料A〜Eの各々による寸法比較測定が可能な倍率の範
囲は、試料A〜Eの中の他の試料と標準マイクロスケー
ルMの内の最低一種による寸法測定可能な倍率の範囲と
オーバーラップする組み合わせになっている。
Next, as shown in the drawing, the samples A to E have different sizes (sizes and dimensions) from each other, and a range of magnifications at which dimensional comparison measurement can be performed by each of the samples A to E. Is a combination that overlaps the range of magnification that can be measured by at least one of the standard microscale M and other samples among the samples A to E.

【0020】ここで、この基準試料Rは、例えば以下の
ようにして作られる。まず、種々の粒径をもつ試料、例
えばラテックス粒子を用意する。そして、この粒子を標
準マイクロスケールMの観察面に落下散布、或いは粒子
が懸濁された液体を滴下させた後、余分な粒子を吹き飛
ばすことにより、残った粒子を分散した状態で付着さ
せ、試料A〜Eとするのである。
Here, the reference sample R is prepared, for example, as follows. First, samples having various particle sizes, for example, latex particles are prepared. Then, the particles are dropped and sprayed on the observation surface of the standard microscale M, or a liquid in which the particles are suspended is dropped, and then the remaining particles are blown off to adhere the remaining particles in a dispersed state. A to E.

【0021】このとき、これら試料A〜Eのサイズは、
適用される電子顕微鏡の全ての倍率に対応できることが
望ましい。
At this time, the sizes of these samples A to E are as follows:
It is desirable to be able to handle all magnifications of the applied electron microscope.

【0022】図2は、本発明の一実施形態が適用された
走査電子顕微鏡の一例で、引き出し電極2と加速電極3
によって電子銃(フィラメント)1から発生された電子ビ
ーム4は、コンデンサレンズ5と対物レンズ6により、
試料ステージ8上の試料台7に載置した試料、例えば基
準試料Rの表面に収束させられる。
FIG. 2 shows an example of a scanning electron microscope to which one embodiment of the present invention is applied.
The electron beam 4 generated from the electron gun (filament) 1 by the condenser lens 5 and the objective lens 6
The sample placed on the sample stage 7 on the sample stage 8, for example, is converged on the surface of a reference sample R.

【0023】このため、電子銃1と引出電極2及び加速
電極3には、高圧制御部13から制御された電圧が印加
され、コンデンサレンズ5と対物レンズ6には、レンズ
制御部15から制御された電流が供給される。
For this reason, a voltage controlled by the high voltage control unit 13 is applied to the electron gun 1, the extraction electrode 2 and the acceleration electrode 3, and the condenser lens 5 and the objective lens 6 are controlled by the lens control unit 15. Current is supplied.

【0024】電子ビーム4の経路には、X方向走査コイ
ル9とY方向走査コイル10が設けてあり、これらのコ
イルには、倍率制御部14から、任意の設定倍率に従っ
て所定の偏向電流が供給され、これにより電子ビーム4
が偏向され、試料台7上の試料の表面を走査する。
An X-direction scanning coil 9 and a Y-direction scanning coil 10 are provided in the path of the electron beam 4. A predetermined deflection current is supplied to these coils from the magnification control unit 14 according to an arbitrary set magnification. And thereby the electron beam 4
Is deflected to scan the surface of the sample on the sample stage 7.

【0025】ここで、電子ビーム4が試料の表面を走査
するまでの高圧印加制御条件、レンズ制御条件、倍率制
御条件などは、測長条件制御部17により制御される。
こうして電子ビーム4が試料、例えば基準試料Rの表面
に収束された結果、その収束された点から2次電子11
が発生する。
Here, the high-voltage application control condition, the lens control condition, the magnification control condition and the like until the electron beam 4 scans the surface of the sample are controlled by the length measurement condition control unit 17.
As a result of the electron beam 4 being converged on the surface of the sample, for example, the reference sample R, the secondary electrons 11
Occurs.

【0026】そして、この2次電子11は検出器12に
捕集されて画像信号となり、この画像信号が、このとき
の測定条件と共に画像モニタ/メモリ部16のメモリに
記憶される。そして、この画像モニタ/メモリ部16に
記憶されたデータを使用し、測長制御部18により寸法
測定が行われる。
The secondary electrons 11 are collected by the detector 12 to become an image signal, and this image signal is stored in the memory of the image monitor / memory unit 16 together with the measurement conditions at this time. Then, using the data stored in the image monitor / memory unit 16, the dimension measurement is performed by the length measurement control unit 18.

【0027】また、このときの画像信号は、画像モニタ
/メモリ部16のモニタ(CRTや液晶などの表示装置)
にも供給され、ここで走査電子顕微鏡の画像として表示
され、操作者により観察できるようにされる。
The image signal at this time is transmitted to the monitor (display device such as CRT or liquid crystal) of the image monitor / memory section 16.
, Where it is displayed as a scanning electron microscope image and made available for observation by an operator.

【0028】次に、測長制御部18による寸法測定と倍
率校正について説明する。まず、寸法測定及び倍率校正
における加速電圧、引き出し電圧、エミッション電流、
コンデンサレンズの励磁、倍率、試料作動距離、スキャ
ン速度などの測長条件は、寸法校正係数と倍率補正係数
の少なくとも一方について、対応するメモリテーブルを
測長条件制御部17に備えることにより、与えられる。
Next, the dimension measurement and magnification calibration by the length measurement control unit 18 will be described. First, acceleration voltage, extraction voltage, emission current,
The length measurement conditions such as the excitation of the condenser lens, the magnification, the sample working distance, and the scan speed are given by providing the length measurement condition control unit 17 with a corresponding memory table for at least one of the dimensional calibration coefficient and the magnification correction coefficient. .

【0029】このときのメモリテーブルに格納される測
定条件については、必ずしも前記の条件に限る必要はな
く、更に前記の条件の全てである必要もなく、走査電子
顕微鏡の倍率と寸法に影響を与える測定条件なら何でも
良く、例えば、他の条件が一定な場合で、倍率がある一
定の範囲で寸法がそれほど変わらない場合には、一定の
倍率範囲では予め係数入力欄は1欄としておいても良
い。
The measurement conditions stored in the memory table at this time need not necessarily be limited to the above conditions, and need not be all of the above conditions, and affect the magnification and size of the scanning electron microscope. Any measurement condition may be used. For example, when other conditions are constant and the dimension does not change so much in a certain magnification range, the coefficient input field may be previously set to one column in a certain magnification range. .

【0030】そして、図1に示した基準試料Rを用い、
図7で後述する手法により、予め予想される未知試料の
測定条件における測長を行い、倍率補正、寸法校正係数
を決定した後、それをメモリテーブルに保存しておく。
そして、測長制御部18では、現在の測長条件における
メモリテーブルが満たされているか否かを画像モニタ/
メモリ部16のモニタに表示させる。
Then, using the reference sample R shown in FIG.
The length is measured in advance under the measurement conditions of the unknown sample that is predicted by the method described later with reference to FIG. 7, and the magnification correction and the dimensional calibration coefficient are determined, and are stored in the memory table.
Then, the length measurement control unit 18 determines whether or not the memory table under the current length measurement conditions is satisfied.
It is displayed on the monitor of the memory unit 16.

【0031】一方、寸法校正係数と倍率補正係数が決め
られていない条件で未知試料を測定した場合には、測定
条件を測長校正の必要条件として保存し、読出して測定
条件制御部17に再設定させることができ、この後、図
7で後述する手法により、同じく基準試料Rを用いて測
長を行い、寸法校正係数と倍率補正係数を決定し、メモ
リテーブルに保存しておく。
On the other hand, when an unknown sample is measured under the condition that the dimensional calibration coefficient and the magnification correction coefficient are not determined, the measurement conditions are stored as necessary conditions for length measurement calibration, read out, and re-read to the measurement condition control unit 17. After that, the length is measured using the reference sample R in the same manner as described later with reference to FIG. 7, and the dimensional calibration coefficient and the magnification correction coefficient are determined and stored in the memory table.

【0032】ここで、メモリ画像の倍率補正は、次の方
法により行えばよい。 画像上の表示倍率又は寸法を変える。 画像の表示サイズを変える。 リアルタイムで画像の倍率補正を行う場合には、測長制
御部18により倍率制御条件を変更する。そして、寸法
測定を行う際には、校正係数により寸法が校正される。
Here, the magnification correction of the memory image may be performed by the following method. Change the display magnification or size on the image. Change the display size of the image. When performing magnification correction of an image in real time, the length measurement control unit 18 changes the magnification control condition. Then, when performing the dimension measurement, the dimension is calibrated by the calibration coefficient.

【0033】次に、この実施形態の動作について、図3
のフローチャートにより説明する。この実施形態では、
基準試料Rを用いて、未知試料A〜Eを高精度で寸法測
定する場合、まず標準マイクロスケールMのパターンを
標準試料として寸法及び倍率校正を行った後、同じ観察
条件で、未知試料A〜Eを測定する必要がある。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to the flowchart of FIG. In this embodiment,
When the dimensions of the unknown samples A to E are measured with high precision using the reference sample R, the dimensions and magnification are first calibrated using the pattern of the standard microscale M as a standard sample, and then the unknown samples A to E are obtained under the same observation conditions. E needs to be measured.

【0034】そこで、図3の処理を開始したら、最初に
未知試料に対する観察条件を設定する(処理301)。例
えば未知試料A(図1)の寸法測定を行う際には、この未
知試料Aに適正な倍率になるように、すなわち図4の状
態になるように観察条件を予想し、これを設定するので
ある。このとき測定データを取っておく。
When the processing of FIG. 3 is started, first, observation conditions for an unknown sample are set (processing 301). For example, when measuring the dimensions of the unknown sample A (FIG. 1), the observation conditions are predicted and set so that the magnification is appropriate for the unknown sample A, that is, the state shown in FIG. is there. At this time, save the measurement data.

【0035】次に、この観察倍率で標準マイクロスケー
ルMの寸法測定が可能か否かを判断する(処理302)。
処理302で測定可能であると判定されたら処理303
に進み、標準試料(標準マイクロスケールMのパターン)
により電子顕微鏡の倍率を校正する(処理303)。
Next, it is determined whether or not the dimensions of the standard microscale M can be measured at this observation magnification (step 302).
If it is determined in step 302 that measurement is possible, step 303
Proceed to the standard sample (standard microscale M pattern)
To calibrate the magnification of the electron microscope (step 303).

【0036】次に、未知試料(このときは未知試料A)の
測定データが既に取られていたか否かを調べる(処理3
04)。処理304でデータがあると判定されたら、そ
のデータを呼び出し(処理306)、続いて、そのデータ
を校正するのである(処理307)。一方、データが無か
ったときは、処理306代えて処理305を実行する。
Next, it is checked whether or not the measurement data of the unknown sample (in this case, unknown sample A) has already been taken (process 3).
04). If it is determined in step 304 that there is data, the data is called up (step 306), and then the data is calibrated (step 307). On the other hand, when there is no data, step 305 is executed instead of step 306.

【0037】ここで、標準試料と未知試料の観察倍率の
関係は、模式的には図7に示すようにして表わせる。な
お、倍率以外の観察条件は同一とし、標準試料と未知試
料のサイズの大小関係は反対でも同じく表わせる。
Here, the relationship between the observation magnification of the standard sample and that of the unknown sample can be represented schematically as shown in FIG. The observation conditions other than the magnification are the same, and the size relationship between the standard sample and the unknown sample can be expressed in the same way even if they are opposite.

【0038】まず、図4の場合は、倍率は図7の領域b
の範囲にある。従って、このときは標準試料の寸法測定
が可能な倍率範囲(領域a)内で、図3の処理では、処理
302の後、処理303に進んだときに相当し、標準試
料を用いた未知試料Aの寸法校正が可能であることを意
味する。
First, in the case of FIG. 4, the magnification is in the region b in FIG.
In the range. Therefore, in this case, within the magnification range (area a) in which the dimensions of the standard sample can be measured, the processing of FIG. It means that dimensional calibration of A is possible.

【0039】従って、この場合は、試料の交換や視野探
しは不要で、且つ同じ観察条件に設定するといった困難
な作業も不要であり、高精度でスループット良く寸法測
定が行える。ここで、ISO Guido 30に準じれば、
走査電子顕微鏡における測定値の「不確かさ」(真の値が
存在すると推量される範囲)は、「精確さ」を定量的に
表すために使用することができる。
Therefore, in this case, it is not necessary to exchange the sample or search for the visual field, and it is not necessary to perform a difficult operation such as setting the same observation conditions, and it is possible to measure the dimensions with high accuracy and high throughput. Here, according to ISO Guide 30,
The "uncertainty" of a measurement in a scanning electron microscope (the range over which a true value is presumed to exist) can be used to quantitatively represent "accuracy".

【0040】そして、この「不確かさ」は、一般式とし
て次式で表わされる。 Uc =√{(U1)2+(U2)2+(U3)2} Uc:合成不確かさ(%) U1:標準試料の不確かさ U2:倍率校正の不確かさ U3:試料測定の不確かさ (装置に依存する不確かさと、試料に依存する不確かさ)
The "uncertainty" is represented by the following equation as a general equation. Uc = √ {(U 1) 2 + (U 2) 2 + (U 3) 2} Uc: Synthesis uncertainty (%) U 1: uncertainty of the standard sample U 2: Uncertainty of magnification calibration U 3: sample Measurement uncertainty (instrument-dependent and sample-dependent uncertainties)

【0041】そこで、上記の場合は、0.240μmピ
ッチ、誤差2σ=0.0006μmの標準マイクロスケ
ールMの異なる個所のピッチを20回測定し、その平均
値を設定した後、0.5μmの粒子径を10回測定し
て、平均粒子径663.4nm、誤差3σ(n−1)=3.
5nmを得たとすると、この場合は、 U1 =(0.6/2)/240×100=0.125(%) U2 =0.5×t(α、n−1)S/√N t(α、n−1):t分布 サンプリング数N=20、信頼区間95% =0.234S(nm) となる。
Therefore, in the above case, pitches at different positions of the standard microscale M having a pitch of 0.240 μm and an error of 2σ = 0.0006 μm were measured 20 times, and the average value was set. The diameter was measured 10 times, the average particle diameter was 663.4 nm, and the error was 3σ (n−1) = 3.
Assuming that 5 nm is obtained, in this case, U 1 = (0.6 / 2) /240×100=0.125 (%) U 2 = 0.5 × t (α, n−1) S / √N t (α, n−1): t distribution Sampling number N = 20, confidence interval 95% = 0.234S (nm).

【0042】ここで倍率校正の不確さS=1.677n
mを用いれば、 U2 =0.234×1.677=0.390(nm) =0.390/240×100=0.163(%) U3 =3.5/3/663.4×100=0.176(%) Uc =√{(0.125)2+(0.163)2+(0.17
6)2}=0.262(%) となり、合成不確かさは0.262%と算出される。
Here, the magnification calibration uncertainty S = 1.677n
If m is used, U 2 = 0.234 × 1.677 = 0.390 (nm) = 0.390 / 240 × 100 = 0.163 (%) U 3 = 3.5 / 3 / 663.4 × 100 = 0.176 (%) Uc = √ {(0.125) 2 + (0.163) 2 + (0.17
6) 2 } = 0.262 (%), and the combined uncertainty is calculated to be 0.262%.

【0043】なお、以上のことは、次の文献による。 “材料評価のための高分解能電子顕微鏡法” 遠藤大輔 平賀賢二 共著 1996 共立出版発行The above is based on the following document. "High Resolution Electron Microscopy for Material Evaluation" Daisuke Endo Kenji Hiraga Co-authored 1996 Kyoritsu Shuppan

【0044】ところで、基準試料Rに用いられている標
準マイクロスケールMは、図5(a)に示すように、ピッ
チ幅が決まっており、このピッチ幅で測定するのに適し
た倍率範囲がある。
By the way, the standard microscale M used for the reference sample R has a fixed pitch width as shown in FIG. 5A, and there is a magnification range suitable for measurement at this pitch width. .

【0045】従って、いま、高倍率、例えば10万倍以
上の高倍率で観察したとすると、図5(b)に示すよう
に、モニタ面ではパターンの1ピッチ分が視野に入らな
くなってしまい、正確なピッチが測れない。
Therefore, if the observation is made at a high magnification, for example, at a high magnification of 100,000 or more, as shown in FIG. 5B, one pitch of the pattern cannot enter the field of view on the monitor surface. The exact pitch cannot be measured.

【0046】反対に、低倍率では、図5(c)に示すよう
に、パターンのピッチ間隔が狭すぎて、やはり正確なピ
ッチが測れず、何れの場合も校正ができない。このよう
な場合には、図3のフローチャートにおいて、処理30
2での結果がNo(否)になる。
On the other hand, at low magnification, as shown in FIG. 5C, the pitch interval of the pattern is too narrow, so that the pitch cannot be measured accurately, and calibration cannot be performed in any case. In such a case, in the flowchart of FIG.
The result at 2 is No (No).

【0047】そこで、この場合は、続いて未知試料の観
察倍率と標準試料の寸法測定が可能な倍率の双方で測定
可能な試料が、未知試料A〜Eの中にあるか否かを検討
する(処理308)。
Therefore, in this case, it is then examined whether or not the samples that can be measured at both the observation magnification of the unknown sample and the magnification at which the dimension of the standard sample can be measured are present in the unknown samples A to E. (Process 308).

【0048】いま、例えば測定対象が未知試料Fである
とすると、この場合は、試料Fの測定が可能な倍率(図
7の領域e)と、標準試料の測定が可能な倍率(図7の領
域a)の双方で、測定が可能な試料E(観察可能領域:図
7領域c)が存在する。
Now, for example, if the object to be measured is an unknown sample F, in this case, the magnification at which the sample F can be measured (region e in FIG. 7) and the magnification at which the standard sample can be measured (FIG. 7) In both regions a), there is a sample E that can be measured (observable region: region c in FIG. 7).

【0049】そこで、この場合は、まず図6(a)に示す
倍率(図7の領域b)において、標準試料(パターン)の寸
法校正係数を決定し、次いで、これから未知試料Eの寸
法を測定する(処理309)。そして、この寸法校正され
た未知試料Eを第2標準試料とする。
Therefore, in this case, first, at the magnification (region b in FIG. 7) shown in FIG. 6A, the dimension calibration coefficient of the standard sample (pattern) is determined, and then the dimension of the unknown sample E is measured. (Step 309). The dimension-corrected unknown sample E is used as a second standard sample.

【0050】次に、図6(b)に示すように、未知試料
E、Fの双方が測定可能となる倍率(図7の領域d)に観
察条件を再設定した後、第2の標準試料を測長し、寸法
校正定数を決定してから未知試料Fの寸法測定を行う
(処理310)。
Next, as shown in FIG. 6B, the observation conditions were reset to a magnification (region d in FIG. 7) at which both unknown samples E and F can be measured, and then the second standard sample was set. Is measured, and the dimension calibration constant is determined, and then the dimension of the unknown sample F is measured.
(Process 310).

【0051】このときの測定値の不確かさは、まず前述
した手法で、第2標準試料となる試料Eの不確かさを求
め、この値をU1 として用いることにより、上記した式
から同様に算出できる。
The uncertainty of the measured value at this time is calculated in the same manner from the above equation by first obtaining the uncertainty of the sample E as the second standard sample by the above-described method and using this value as U 1. it can.

【0052】従って、この実施形態によれば、第2の標
準試料から校正した場合でも、「不確かさ」が明示で
き、この結果、標準試料による校正可能範囲の拡大に的
確に対応することができる。
Therefore, according to this embodiment, even when calibrating from the second standard sample, "uncertainty" can be specified, and as a result, it is possible to appropriately cope with the expansion of the calibratable range by the standard sample. .

【0053】次に、未知試料Fとはサイズが異なる未知
試料で、未知試料Eによる第2標準試料を使用したので
は、寸法測定が十分な精度で行えない場合、つまり図3
の処理308での判定結果がNo になったときは、再び
図7に示すようにして、未知試料の観察倍率と標準試料
の寸法測定可能倍率の双方で測定可能な試料の組み合わ
せがあるか検討し(処理311)、標準試料で測定可能な
未知試料の寸法を第2標準試料とする(処理312)。
Next, if the unknown sample F is an unknown sample having a different size from the unknown sample F and the second standard sample of the unknown sample E is used, the dimension cannot be measured with sufficient accuracy.
When the determination result in the processing 308 of No. is No, as shown in FIG. 7 again, it is examined whether there is a combination of samples that can be measured at both the observation magnification of the unknown sample and the dimensional measurement magnification of the standard sample. Then, the size of the unknown sample that can be measured with the standard sample is set as the second standard sample (process 312).

【0054】そして、同じ作業を、未知試料の測定が可
能な標準試料が求まるまで、n回校正を繰り返えし(処
理313)、最終的には第n標準試料が得られるまで寸
法校正を実行し、その都度、未知試料の寸法測定を行い
(処理314、315)、未知試料の測定が可能な標準試
料が得られたとき、処理304に移行するのである。
The same operation is repeated n times until a standard sample capable of measuring an unknown sample is obtained (Step 313), and the dimensional calibration is performed until the n-th standard sample is finally obtained. Execute and measure the dimensions of the unknown sample each time.
(Processes 314 and 315) When a standard sample from which an unknown sample can be measured is obtained, the process proceeds to Process 304.

【0055】このときの「不確かさ」も、前述した手法
で、第n標準試料となる試料までの不確かさを求め、こ
の値をU1 として用いることにより、上記した式から同
様に算出でき、従って、この実施形態によれば、標準試
料による校正可能範囲を充分に拡大することができる。
The “uncertainty” at this time can also be calculated from the above equation by obtaining the uncertainty up to the sample serving as the n-th standard sample by the above-described method and using this value as U 1 . Therefore, according to this embodiment, the range that can be calibrated by the standard sample can be sufficiently expanded.

【0056】ここで、不確かさの許容範囲を5%とする
と、このnの数値は、一般的には第2の標準試料以降の
標準試料の寸法により変化するが、一応、n=4〜5が
妥当である。
Here, assuming that the allowable range of the uncertainty is 5%, the value of n generally changes depending on the dimensions of the standard samples after the second standard sample. Is appropriate.

【0057】なお、上記実施形態では、標準マイクロス
ケールMを試料の基板として、この上に寸法を測定した
い未知試料が載置されている場合について説明したが、
基板とサイズの異なる試料の組み合わせにより、寸法ま
たは倍率が校正できれば、未知試料が標準マイクロスケ
ール上に載っている場合に限定しなくても良い。
In the above embodiment, the case where the unknown sample whose size is to be measured is mounted on the standard micro-scale M as a sample substrate has been described.
If the dimensions or magnification can be calibrated by a combination of a substrate and a sample having a different size, the present invention is not limited to the case where an unknown sample is placed on a standard microscale.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明によれば、標準試料上に標準試料
と異なる倍率でも測定可能な試料を載置させることによ
り、標準試料だけでは寸法校正できない未知試料の寸法
測定にも容易に対応できる。そして、この結果、適切な
標準となり得る試料の選択処理や標準試料の出し入れな
ど、作業効率を下げる要因が取り除けるので、スループ
ットの向上に大きく寄与することができる。
According to the present invention, by mounting a sample that can be measured at a magnification different from that of the standard sample on the standard sample, it is possible to easily measure the dimensions of an unknown sample that cannot be calibrated with the standard sample alone. . As a result, factors that lower work efficiency, such as selection processing of a sample that can be an appropriate standard and loading and unloading of a standard sample, can be eliminated, thereby greatly contributing to an improvement in throughput.

【0059】また、従来技術では、何度も試料を出し入
れすることによって生じる同一視野観察の困難さや電流
値の変化、条件設定に際して生じる人為的ミスによっ
て、測定精度の保持が困難になる虞れがあるが、本発明
によれば、試料挿入回数を1〜2回程度に抑えることが
できる上、毎回試料観察条件を設定する必要もなく、同
一視野での寸法校正が可能であることから、寸法測定値
の不確かさを低減し、寸法校正の精度向上と同時に未知
試料の測定に有する時間も短縮できる。
In the prior art, it may be difficult to maintain the measurement accuracy due to difficulty in observing the same field of view, a change in the current value, and a human error that occurs when setting the conditions, which may be caused by inserting and removing the sample many times. However, according to the present invention, the number of sample insertions can be suppressed to about 1 to 2 times, and it is not necessary to set sample observation conditions each time, and dimensional calibration can be performed in the same field of view. The uncertainty of the measured value can be reduced, and the time required for measuring an unknown sample can be reduced at the same time as the accuracy of dimensional calibration is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による電子顕微鏡の校正方法の一実施形
態における標準試料の一例を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a standard sample in an embodiment of a method for calibrating an electron microscope according to the present invention.

【図2】本発明の実施形態が適用対象とする走査電子顕
微鏡の一例を示す概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a scanning electron microscope to which an embodiment of the present invention is applied.

【図3】本発明の一実施形態の動作を説明するためのフ
ローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of one embodiment of the present invention.

【図4】標準試料上に載置された未知試料の一例を示す
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of an unknown sample placed on a standard sample.

【図5】標準試料の各倍率による観察例を示す説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of observation of a standard sample at various magnifications.

【図6】本発明の一実施形態による未知試料の寸法測定
の一例を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of dimension measurement of an unknown sample according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施形態における標準試料と未知試
料の倍率の関係を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a relationship between magnifications of a standard sample and an unknown sample in one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A〜E 粒子からなる未知の試料 M 標準マイクロスケール P パターン R 基準試料 1 電子銃 2 引き出し電極 3 加速電極 4 電子ビーム 5 コンデンサレンズ 6 対物レンズ 7 試料台 8 試料ステージ 9 X方向走査コイル 10 Y方向走査コイル 11 2次電子 12 検出器 13 高圧印加制御部 14 倍率制御部 15 レンズ制御部 16 画像モニタ/メモリ部 17 測定条件制御部 18 測長制御部 A-E Unknown sample composed of particles M Standard micro-scale P Pattern R Reference sample 1 Electron gun 2 Extraction electrode 3 Acceleration electrode 4 Electron beam 5 Condenser lens 6 Objective lens 7 Sample stage 8 Sample stage 9 X direction scanning coil 10 Y direction Scanning coil 11 Secondary electron 12 Detector 13 High voltage application control unit 14 Magnification control unit 15 Lens control unit 16 Image monitor / memory unit 17 Measurement condition control unit 18 Length measurement control unit

フロントページの続き (72)発明者 中川 美音 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 吉成 淳一 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 高橋 要 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器グループ内 Fターム(参考) 2G001 AA03 BA07 CA03 FA06 HA13 MA04 SA12 SA30 2G052 AA39 GA35 5C001 AA08 CC04 5C033 FF10 Continued on the front page (72) Inventor Mine Nakagawa, 882 Ma, Ichiki, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Science Systems, Ltd. (72) Inventor Kaname Takahashi 882, Ichimo, Hitachinaka-shi, Ibaraki F-term within the Hitachi Measuring Instruments Group (reference) 2G001 AA03 BA07 CA03 FA06 HA13 MA04 SA12 SA30 2G052 AA39 GA35 5C001 AA08 CC04 5C033 FF10

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 既知寸法のパターンを有する基準試料を
用い、当該パターンを標準試料として電子顕微鏡を校正
する方法において、 前記既知寸法から段階的に寸法が異なっている複数の粒
子を前記基準試料の観察面に分散支持させ、 最初、前記複数の粒子の中の1個の寸法を、前記基準試
料のパターンにより校正して第2の標準試料とした後、
前記複数の粒子の中の他の1個の寸法を、前記第2の標
準試料により校正して第3の標準試料とし、以後、同じ
処理を残りの粒子についても繰り返えすことにより、第
2から第nまでの標準試料を求め、 これら第2から第nまでの標準試料に前記基準試料のパ
ターンを第1の標準試料として含めた上で、 これら第1から第nの標準試料の何れかを用いて校正を
行うことを特徴とする電子顕微鏡の校正方法。
1. A method of calibrating an electron microscope using a reference sample having a pattern of a known size and using the pattern as a standard sample, the method comprising the steps of: First, one of the plurality of particles is calibrated according to the pattern of the reference sample to obtain a second standard sample.
The other one of the plurality of particles is calibrated with the second standard sample to obtain a third standard sample, and thereafter, the same process is repeated for the remaining particles, whereby the second particle is obtained. To the n-th standard sample, and after including the pattern of the reference sample as the first standard sample in the second to n-th standard samples, any of the first to n-th standard samples A method for calibrating an electron microscope, wherein the method is used to perform calibration.
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、 前記基準試料の観察面に未知試料が支持されていること
を特徴とする電子顕微鏡の校正方法。
2. The method according to claim 1, wherein an unknown sample is supported on an observation surface of the reference sample.
【請求項3】 請求項1に記載の発明において、 前記未知試料が、前記第1の標準試料による校正範囲を
外れた寸法で、 当該未知試料の校正が、前記第2から第nの標準試料を
用いて行われることを特徴とする電子顕微鏡の校正方
法。
3. The invention according to claim 1, wherein the unknown sample has a size outside a calibration range of the first standard sample, and the unknown sample is calibrated by the second to n-th standard samples. A method for calibrating an electron microscope, characterized in that the method is performed by using a method.
【請求項4】 既知寸法のパターンを有する基準試料の
観察面に、前記既知寸法から段階的に寸法が異なってい
る複数の粒子を分散支持させたことを特徴とする電子顕
微鏡校正用標準試料。
4. A standard sample for electron microscope calibration, wherein a plurality of particles having different sizes in a stepwise manner from the known size are dispersed and supported on an observation surface of a reference sample having a pattern of a known size.
【請求項5】 既知寸法のパターンを有する基準試料の
観察面に、前記既知寸法から段階的に寸法が異なってい
る複数の粒子を分散支持させ、前記観察面に未知試料が
支持されることを特徴とする電子顕微鏡校正用標準試
料。
5. A method for dispersing and supporting a plurality of particles having different sizes stepwise from the known dimensions on an observation surface of a reference sample having a pattern of a known size, wherein the unknown sample is supported on the observation surface. Characteristic standard sample for electron microscope calibration.
JP2001160854A 2001-05-29 2001-05-29 Electron microscope calibration method and electron microscope calibration standard sample Expired - Fee Related JP3657891B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001160854A JP3657891B2 (en) 2001-05-29 2001-05-29 Electron microscope calibration method and electron microscope calibration standard sample

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001160854A JP3657891B2 (en) 2001-05-29 2001-05-29 Electron microscope calibration method and electron microscope calibration standard sample

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002352764A true JP2002352764A (en) 2002-12-06
JP2002352764A5 JP2002352764A5 (en) 2005-01-13
JP3657891B2 JP3657891B2 (en) 2005-06-08

Family

ID=19004212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001160854A Expired - Fee Related JP3657891B2 (en) 2001-05-29 2001-05-29 Electron microscope calibration method and electron microscope calibration standard sample

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3657891B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2417623A (en) * 2004-08-28 2006-03-01 Siemens Ag Dead-time compensation in a voltage source inverter
JP2006058210A (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam microscopic method, charged particle beam microscopic device, length measuring method, and length measuring instrument
JP2006140119A (en) * 2004-10-14 2006-06-01 Jeol Ltd Alignment automatic correction method and device, and control method of aberration corrector
KR100657144B1 (en) * 2004-12-31 2006-12-12 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for Calibration of Magnification of Transmission Election Microscopy
JP2008014850A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam microscopic method, and charged particle beam device
US7923701B2 (en) 2005-04-05 2011-04-12 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam equipment
CN109916941A (en) * 2019-03-25 2019-06-21 苏州大学 A kind of premixing powder 3D printing method for separating and detecting
WO2019150524A1 (en) * 2018-02-01 2019-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ Particle measurement device and method
US10699873B2 (en) 2016-04-27 2020-06-30 Kwansei Gakuin Educational Foundation Reference sample with inclined support base, method for evaluating scanning electron microscope, and method for evaluating SiC substrate

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4587742B2 (en) * 2004-08-23 2010-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ Charged particle beam microscopic method and charged particle beam application apparatus
JP2006058210A (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam microscopic method, charged particle beam microscopic device, length measuring method, and length measuring instrument
GB2417623A (en) * 2004-08-28 2006-03-01 Siemens Ag Dead-time compensation in a voltage source inverter
JP2006140119A (en) * 2004-10-14 2006-06-01 Jeol Ltd Alignment automatic correction method and device, and control method of aberration corrector
JP4628076B2 (en) * 2004-10-14 2011-02-09 日本電子株式会社 Aberration correction method and aberration correction apparatus
KR100657144B1 (en) * 2004-12-31 2006-12-12 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for Calibration of Magnification of Transmission Election Microscopy
US7923701B2 (en) 2005-04-05 2011-04-12 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam equipment
JP2008014850A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp Charged particle beam microscopic method, and charged particle beam device
US10699873B2 (en) 2016-04-27 2020-06-30 Kwansei Gakuin Educational Foundation Reference sample with inclined support base, method for evaluating scanning electron microscope, and method for evaluating SiC substrate
US10847342B2 (en) 2016-04-27 2020-11-24 Kwansei Gakuin Educational Foundation Reference sample with inclined support base, method for evaluating scanning electron microscope, and method for evaluating SiC substrate
EP3783637A1 (en) 2016-04-27 2021-02-24 Kwansei Gakuin Educational Foundation Method for evaluating sic substrate with inclined support base
WO2019150524A1 (en) * 2018-02-01 2019-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ Particle measurement device and method
US11143606B2 (en) 2018-02-01 2021-10-12 Hitachi High-Tech Corporation Particle measuring device and particle measuring method
CN109916941A (en) * 2019-03-25 2019-06-21 苏州大学 A kind of premixing powder 3D printing method for separating and detecting

Also Published As

Publication number Publication date
JP3657891B2 (en) 2005-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7365322B2 (en) Method and apparatus for arranging recipe of scanning electron microscope and apparatus for evaluating shape of semiconductor device pattern
US7009178B2 (en) Scanning electron microscope
JP5164355B2 (en) Charged particle beam scanning method and charged particle beam apparatus
US6548811B1 (en) Transmission electron microscope apparatus with equipment for inspecting defects in specimen and method of inspecting defects in specimen using transmission electron microscope
US7807980B2 (en) Charged particle beam apparatus and methods for capturing images using the same
JP5069904B2 (en) Designated position specifying method and designated position measuring device
JP4464857B2 (en) Charged particle beam equipment
JP4922962B2 (en) Circuit pattern inspection method and inspection apparatus
US7652248B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
US9576772B1 (en) CAD-assisted TEM prep recipe creation
US20210384007A1 (en) Scanning Electron Microscope
JP2005338043A (en) Defect inspection device and charged particle beam device
JPH09304023A (en) Apparatus for measuring sample dimension
JP2002352764A (en) Method for calibrating electron microscope, and standard sample for calibrating the electron microscope
CN116868300A (en) High resolution X-ray spectrometer surface material analysis
JPH1027833A (en) Foreign substance analytical method
JP2006032202A (en) Charged particle beam device
US20110291009A1 (en) Semiconductor inspection method and device that consider the effects of electron beams
US11670479B2 (en) Electron microscope and method of adjusting focus of electron microscope
JP4603448B2 (en) Circuit pattern inspection device
JP2002116017A (en) Method and apparatus for measurement of pattern size
US11557457B2 (en) Charged particle beam apparatus
US10662059B2 (en) Micro-electro-mechanical-systems processing method, and micro-electro-mechanical-systems processing apparatus
Postek et al. Nanomanufacturing concerns about measurements made in the SEM I: imaging and its measurement
JPH0963937A (en) Charged beam drawing system

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040216

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050215

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090318

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090318

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120318

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130318

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130318

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees