JP2002351931A - Management method of mask drawing data making its data processing system and manufacturing method of photo- mask - Google Patents

Management method of mask drawing data making its data processing system and manufacturing method of photo- mask

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JP2002351931A
JP2002351931A JP2001161209A JP2001161209A JP2002351931A JP 2002351931 A JP2002351931 A JP 2002351931A JP 2001161209 A JP2001161209 A JP 2001161209A JP 2001161209 A JP2001161209 A JP 2001161209A JP 2002351931 A JP2002351931 A JP 2002351931A
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JP
Japan
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mask
data
drawing data
customer
manufacturing
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JP2001161209A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Okamoto
好彦 岡本
Satoshi Momose
聡 百瀬
Masamichi Kobayashi
正道 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable drawing of integrated circuits mask patterns efficiently at manufacturing processes of masks used at manufacturing of semiconductor integrated circuits devices. SOLUTION: The system of this invention is comprised of circuits design users U, a mask drawing data making manufacturer MD and a mask manufacturer MM; the circuits design users U and the mask drawing data making manufacturer MD are connected by Internet, etc., in a state in which good communication is possible, and the mask drawing data making manufacturer MD and the mask manufacturer MM are connected by dedicated lines in a state in which good communication is possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク描画データ
作成管理方法、データ処理システムおよびフォトマスク
の製造技術に関し、特に、半導体装置の製造で用いるフ
ォトマスクのデータ作成および製造技術に適用して有効
な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask drawing data creation management method, a data processing system, and a technique for manufacturing a photomask, and more particularly to a method for creating and manufacturing data for a photomask used in manufacturing a semiconductor device. Technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置は、年々回路パターンの微細
化および高集積化が進展している。半導体ウエハ上への
回路パターンの形成は、フォトマスク(以下、マスクと
略す)上に一旦回路パターンを形成しておき、紫外線光
を使用して半導体ウエハに転写する方式が採られてい
る。
2. Description of the Related Art In semiconductor devices, finer circuit patterns and higher integration are progressing year by year. A circuit pattern is formed on a semiconductor wafer by forming a circuit pattern on a photomask (hereinafter abbreviated as a mask) and transferring the circuit pattern to the semiconductor wafer using ultraviolet light.

【0003】この方式は、集積回路パターンの超高集積
化に伴って、効率よくマスク基板上に回路パターンを形
成すること、半導体ウエハ上へ回路パターンを精度良く
形成することなどが課題となっている。
[0003] With this system, with the ultra-high integration of integrated circuit patterns, there are problems such as efficiently forming circuit patterns on a mask substrate and accurately forming circuit patterns on a semiconductor wafer. I have.

【0004】集積回路パターンの半導体ウエハへの転写
精度の低下を防ぐことに関しては、たとえば、1996
年8月20日、株式会社工業調査会発行、「フォトマス
ク技術のはなし」、p236〜p240に、半導体ウエ
ハへ転写される集積回路パターンの変形を見込んで、マ
スク上に形成される回路パターンの寸法または形状を補
正してマスクの設計を行い、集積回路パターンの半導体
ウエハへの転写精度を向上させる光近接効果補正(Opti
cal Proximity Correction;OPC)技術についての記
載がある。
In order to prevent a decrease in the transfer accuracy of an integrated circuit pattern onto a semiconductor wafer, for example, 1996
August 20, 2008, published by the Industrial Research Institute, Inc., “Photomask Technology Story”, p. 236 to p. 240, considering the deformation of the integrated circuit pattern transferred to the semiconductor wafer, Optical proximity correction (Opti Proximity Correction) to improve the accuracy of transferring integrated circuit patterns to semiconductor wafers by designing masks by correcting dimensions or shapes
cal Proximity Correction (OPC) technology is described.

【0005】また、たとえば上記した「フォトマスク技
術のはなし」、p229〜p236には、マスクを透過
する光に位相差を設け、その透過光の干渉を用いて半導
体ウエハへ転写される集積回路パターンの解像度を向上
させる位相シフト技術についての記載がある。
[0005] For example, in the above-mentioned "Photomask technology", p229 to p236 are provided with a phase difference in light transmitted through the mask, and an integrated circuit pattern transferred to a semiconductor wafer using the interference of the transmitted light. There is a description of a phase shift technique for improving the resolution of the image.

【0006】マスク上に集積回路に対応した回路パター
ンを形成する技術として、たとえば上記した「フォトマ
スク技術のはなし」、p40〜p46に、電子線描画装
置を用いる電子ビーム露光方式についての記載がある。
その電子ビーム露光方式において用いられる電子ビーム
走査方式は、たとえばラスタ方式とベクタ方式とがあ
る。ラスタ方式はマスクの全面を走査して、回路パター
ンが形成される部分にのみ電子ビームを照射する方式で
ある。また、ベクタ方式は、マスク上の回路パターンが
形成される部分のみ走査する方式である。1つの半導体
集積回路装置を製造するための露光処理の際に複数枚の
マスクが必要となるが、それらマスクへの回路パターン
の描画はラスタ方式もしくはベクタ方式のどちらかを用
いて行っている。
As a technique for forming a circuit pattern corresponding to an integrated circuit on a mask, for example, the above-mentioned "Photomask Technology", p. .
The electron beam scanning method used in the electron beam exposure method includes, for example, a raster method and a vector method. The raster method scans the entire surface of a mask and irradiates only a portion where a circuit pattern is formed with an electron beam. The vector system is a system in which only a portion of the mask where a circuit pattern is formed is scanned. A plurality of masks are required at the time of exposure processing for manufacturing one semiconductor integrated circuit device. Drawing of a circuit pattern on these masks is performed using either a raster method or a vector method.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、電子ビーム
描画装置などの回路パターン描画装置を利用するには、
マスク上に描画する回路パターンの微細化および高集積
化に伴って、以下の課題があることを本発明者らが初め
て見出した。
However, to use a circuit pattern drawing apparatus such as an electron beam drawing apparatus,
The present inventors have found for the first time that there are the following problems with miniaturization and high integration of a circuit pattern drawn on a mask.

【0008】すなわち、回路パターンの微細化および高
集積化の進展が早く、マスク描画装置を含むマスク製造
条件、投影露光装置を含むウエハ製造条件に適合してい
ないマスク描画データを用いてマスク製作することにな
り、半導体ウエハ上への回路パターン転写が技術的に困
難となってきている。
That is, the progress of miniaturization and high integration of circuit patterns is rapid, and a mask is manufactured by using mask writing data that does not conform to mask manufacturing conditions including a mask writing apparatus and wafer manufacturing conditions including a projection exposure apparatus. As a result, it has become technically difficult to transfer a circuit pattern onto a semiconductor wafer.

【0009】また、マスク描画装置を含むマスク製造条
件、投影露光装置を含むウエハ製造条件に適合したマス
ク描画データを用いた場合でも、マスク描画データ作成
分野は市場規模が小さいために、開発費用およびランニ
ングコストが膨大となる。そのため、この開発費用およ
びランニングコストを回収するために、マスクの価格が
高価になるという問題がある。
Further, even when mask drawing data that conforms to mask manufacturing conditions including a mask drawing apparatus and wafer manufacturing conditions including a projection exposure apparatus are used, the mask drawing data creation field has a small market scale, so that development costs and The running cost becomes huge. Therefore, there is a problem that the price of the mask becomes high in order to recover the development cost and the running cost.

【0010】本発明の目的は、半導体集積回路装置の製
造に用いられるマスクを製作する工程において、集積回
路マスクパターンを効率的に描画することのできる技術
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently drawing an integrated circuit mask pattern in a step of manufacturing a mask used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device.

【0011】また、本発明の他の目的は、マスク描画デ
ータの作成とそのマスク描画データの管理とにかかるコ
ストを低減することのできる技術を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the cost for creating mask drawing data and managing the mask drawing data.

【0012】また、本発明の他の目的は、マスクに描画
された回路パターンを高精度に半導体ウエハに転写する
ことのできる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of transferring a circuit pattern drawn on a mask onto a semiconductor wafer with high accuracy.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0015】すなわち、本発明は、半導体装置の設計部
(または設計業者)と、マスクの製造部(または製造業
者)との間に、マスクデータの作成業部(または作成業
者)を介在させ、それらの間のコミュニケーションが良
好に行われるような状態で、それらの間を通信回線を通
じて接続し、これらの構成を用いてマスクのデータ作成
処理から製造処理までを進める工程を有するものであ
る。
That is, according to the present invention, a mask data creation section (or maker) is interposed between a semiconductor device design section (or a designer) and a mask manufacturing section (or a manufacturer). In such a state that communication between them is performed well, a connection is established between them through a communication line, and a process is performed from the mask data creation process to the manufacturing process using these configurations.

【0016】また、本願において開示される発明のう
ち、他の概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
Another outline of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0017】すなわち、本発明は、回路設計ユーザより
半導体ウエハ上に形成される集積回路パターンデータ、
またはそれに対応した集積回路データを受け取り、半導
体ウエハ製造ラインのウエハ露光装置、現像装置、エッ
チング装置及びマスク製造ラインの描画装置、現像装
置、エッチング装置、成膜材料などに合せて、計算機に
よるデータ変換処理することで適切なマスク描画データ
を作成する際に、次のステップを有する;複数顧客の集
積回路マスク製作に用いるマスク描画データは、(a)
顧客認証後、顧客からのマスク描画データ処理依頼信号
の受信に応じ、(顧客の半導体ウエハ上に形成する)回
路パターンデータを受け取り、暗号化保管するステッ
プ、(b)メニュー化した描画データの作成条件に対す
る顧客の選択により、マスク描画データを作成し、描画
データを暗号化保管するステップ、(c)顧客認証後、
顧客単位または顧客の属するグループ全体のマスク描画
データ検索により描画データを取り出し、顧客指定のネ
ットワークアドレスに送付して、復号化処理を行うステ
ップ、(d)顧客認証後、指示により登録した描画デー
タを削除するステップ、(e)顧客の属するグループの
描画データファイル数とデータボリューム総量と保管期
間のデータを顧客側へ呈示するステップ、を有すること
で、効率と信頼性良くマスク描画データ作成管理するも
のである。
That is, the present invention provides an integrated circuit pattern data formed on a semiconductor wafer by a circuit design user,
Or receive the corresponding integrated circuit data and convert it by a computer according to the wafer exposure device, developing device, etching device, drawing device, developing device, etching device, film forming material, etc. of the semiconductor wafer manufacturing line. Producing the appropriate mask drawing data by processing includes the following steps; the mask drawing data used for the fabrication of an integrated circuit mask for a plurality of customers includes (a)
After the customer authentication, receiving the mask drawing data processing request signal from the customer, receiving the circuit pattern data (formed on the customer's semiconductor wafer), storing it in an encrypted form, and (b) creating menu-based drawing data Creating mask drawing data and encrypting and storing the drawing data according to the customer's selection for the conditions; (c) after customer authentication,
A step of extracting drawing data by searching for mask drawing data for each customer or the entire group to which the customer belongs, sending the drawing data to a network address designated by the customer, and performing a decryption process; (E) presenting the drawing data file number, data volume total amount, and storage period data of the group to which the customer belongs to the customer side, thereby creating and managing mask drawing data with high efficiency and reliability. It is.

【0018】また、本発明は、半導体ウエハ露光に用い
る集積回路マスクを製造する際に、マスクメーカとイン
ターネットなどを介してオンライン接続してマスクデー
タを送付する際に、集積回路マスク製作に用いるマスク
データは、第1種データ(オーダー伝票、マスク製作仕
様書およびチップ配列データの少なくとも一つを含む)
と第2種データ(集積回路パターンデータを含む)に分
け、前記第1種データと第2種データとのリンク付け情
報を付加して、マスクメーカへ時間的に離散したオンラ
イン送付を可能とし、前記リンク付け情報を用いて集積
回路マスクを製作するものである。
The present invention is also directed to a mask used for producing an integrated circuit mask when manufacturing an integrated circuit mask used for semiconductor wafer exposure and sending mask data by connecting online with a mask maker via the Internet or the like. The data is the first type data (including at least one of order slip, mask production specification and chip arrangement data).
And second type data (including integrated circuit pattern data), and linking information of the first type data and the second type data is added to enable time-discrete online transmission to a mask maker, An integrated circuit mask is manufactured using the linking information.

【0019】また、本発明は、前記第1種データと第2
種データとは、データ送付側でのマスクデータの記憶装
置が異なり、別々に独立して作成し、マスクメーカへオ
ンライン送付するものである。
Also, the present invention provides the first type data and the second type data.
The seed data differs in the storage device of the mask data on the data sending side, is created separately and independently, and is sent online to a mask maker.

【0020】また、本発明は、前記第2種データは、マ
スクメーカへオンライン送付の際に、暗号化によるセキ
ュリティ確保とデータ圧縮によるデータ送付時間短縮さ
せたものである。
Further, according to the present invention, when the second type data is sent online to a mask manufacturer, security is ensured by encryption and data sending time is shortened by data compression.

【0021】また、本発明は、半導体ウエハ露光に用い
るマスクを製作する際に、半導体ウエハ上に形成する回
路パターンデータからマスク上に形成する回路パターン
の描画データを作成し、描画データ名称の重複を許容し
て一つのコンピュータ記憶装置に保管し、前記重複描画
データから選択した描画データを前記コンピュータ記憶
装置よりマスクメーカへ描画データ転送させて、集積回
路マスク製作するものである。
Further, according to the present invention, when a mask used for semiconductor wafer exposure is manufactured, drawing data of a circuit pattern to be formed on a mask is created from circuit pattern data to be formed on a semiconductor wafer, and duplication of drawing data names is performed. Is stored in one computer storage device, and the drawing data selected from the overlapping drawing data is transferred from the computer storage device to a mask maker to produce an integrated circuit mask.

【0022】また、本発明は、半導体ウエハ露光に用い
るマスクを製作する際に、マスク描画データは、回路パ
ターンを複数に分割し、分散処理により作成し、前記分
割データの描画データ名称の重複を許容して一つのコン
ピュータ記憶装置に保管し、(前記マスクデータは、露
光装置のアライメントマークデータを含めて、)マスク
基板上への前記分割描画データ配置を規定する情報、マ
スク製作仕様書とのリンク情報を付加した上で、ユーザ
側からマスクメーカへ時間的に離散してオンライン送付
し、前記リンク付け情報を用いて、集積回路マスクを製
作するものである。ここで、1つのコンピュータ記憶装
置は、コンピュータを用いた1回のデータ検索により、
検索処理が実行される記憶装置を示したものであり、1
つのコンピュータに複数台の記憶装置が接続されたもの
を含む。本実施の形態のシステムでは、EWSにレイド
ディスクと2台の光ディスクを接続している。
Further, according to the present invention, when a mask used for semiconductor wafer exposure is manufactured, mask drawing data is created by dividing a circuit pattern into a plurality of pieces and performing distributed processing, and overlapping of drawing data names of the divided data is performed. It is allowed to be stored in one computer storage device, and the information defining the arrangement of the divided drawing data on the mask substrate (including the mask data including the alignment mark data of the exposure apparatus) and the mask manufacturing specification After adding link information, the user side discretely sends the information to a mask maker and sends it on-line, and manufactures an integrated circuit mask using the linking information. Here, one computer storage device performs one data search using a computer.
This indicates a storage device on which a search process is executed, and 1
It includes a case where a plurality of storage devices are connected to one computer. In the system of the present embodiment, a raid disk and two optical disks are connected to the EWS.

【0023】また、マスクの描画データは、現状60M
B程度から60GB程度に対し、マスク仕様書データ、
配列データなどは6MB程度である。描画データとのリ
ンク情報があれば、データ量の差が極めて大きい場合に
おいても、マスク仕様書データ、配列データ等をマスク
製造メーカが先に入手し(小さいデータ量のものを先に
送る)、マスク製作上準備に早く取り掛かることができ
る。
The drawing data of the mask is 60M at present.
From about B to about 60 GB, mask specification data,
Sequence data and the like are about 6 MB. If there is link information with the drawing data, even if the difference in data amount is extremely large, the mask manufacturer first obtains the mask specification data, array data, and the like (sends a small data amount first), Preparations for mask production can be started quickly.

【0024】また、本発明は、前記マスク描画データ
は、半導体ウエハ露光装置の投影露光歪が低減するよう
にルールベースの光近接効果補正(OPC)処理したも
のである。
In the present invention, the mask writing data is obtained by performing a rule-based optical proximity correction (OPC) process so as to reduce a projection exposure distortion of a semiconductor wafer exposure apparatus.

【0025】また、本発明は、前記マスク描画データ
は、フォトマスクの透過光に位相差を生じさせて転写パ
ターンの解像度を向上させる位相シフトマスク用描画デ
ータを含むものである。
Further, in the present invention, the mask drawing data includes drawing data for a phase shift mask for improving the resolution of a transfer pattern by causing a phase difference in transmitted light of a photomask.

【0026】また、本発明は、前記マスク描画データ
は、半導体ウエハ露光装置の投影露光歪が低減するよう
にルールベースの光近接効果補正(OPC)処理した半
導体集積回路用マスクデータを作成処理するものであ
る。
Further, according to the present invention, the mask writing data is subjected to a rule-based optical proximity correction (OPC) process so as to generate mask data for a semiconductor integrated circuit so as to reduce projection exposure distortion of a semiconductor wafer exposure apparatus. Things.

【0027】また、本発明は、前記マスク描画データ
は、マスクの透過光に位相差を生じさせて転写パターン
の解像度を向上させる位相シフトマスク用描画データを
含む半導体集積回路用マスクデータを作成処理するもの
である。
Further, according to the present invention, the mask writing data is a process for generating mask data for a semiconductor integrated circuit including drawing data for a phase shift mask for improving the resolution of a transfer pattern by causing a phase difference in light transmitted through the mask. Is what you do.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, members having the same functions are denoted by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0029】なお、本発明の実施の形態において、半導
体ウエハ(以下、単にウエハという)とは半導体集積回
路装置の製造に用いるシリコンその他の半導体単結晶基
板(一般にほぼ円形)、サファイア基板、ガラス基板そ
の他の絶縁、反絶縁または半導体基板等、並びにそれら
の複合的基板であり、絶縁層、エピタキシャル半導体
層、その他の半導体層および配線層などを形成して集積
回路を形成する基板である。なお、基板表面の一部また
は全部を他の半導体、たとえばSiGe等にしてもよ
い。また、マスクとは、フォトマスクおよびレチクル等
の露光原版を含むものとし、マスク基板上に光を遮蔽す
るパターンや光の位相を変化させるパターンが形成され
たものである。
In the embodiments of the present invention, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) refers to a silicon or other semiconductor single crystal substrate (generally a substantially circular shape) used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, a sapphire substrate, or a glass substrate. Other insulating, anti-insulating or semiconductor substrates, or a composite substrate thereof, and a substrate on which an integrated circuit is formed by forming an insulating layer, an epitaxial semiconductor layer, other semiconductor layers, wiring layers, and the like. Note that part or all of the substrate surface may be made of another semiconductor, for example, SiGe. The mask includes an exposure original such as a photomask and a reticle, and is a mask substrate on which a pattern for shielding light or a pattern for changing the phase of light is formed.

【0030】(実施の形態1)本発明者は、マスクに描
画される回路パターンの微細化および高集積化に伴い、
半導体集積回路装置の製造に用いる複数枚のマスク(マ
スクセット)を効率よく製造することを目的として、次
のような観点で解決手段を検討した。
(Embodiment 1) The inventor of the present invention has been working on the miniaturization and high integration of a circuit pattern drawn on a mask.
In order to efficiently manufacture a plurality of masks (mask sets) used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, a solution was studied from the following viewpoints.

【0031】回路設計ユーザ(顧客)よりウエハ上に形
成される集積回路の設計パターンデータ(SFデータ)
を受け取り、効率的に半導体集積回路用のマスク描画デ
ータを作成する。ここで、マスク描画データ(マスクデ
ータ)は、ウエハ製造ファブリケーションの投影露光装
置、現像装置、エッチング装置及びマスク製造ラインの
描画装置、現像装置、エッチング装置、成膜装置などに
合せて、マスク描画データの作成条件設定し、コンピュ
ータによるデータ変換処理を施す。その際に、前記回路
設計ユーザに対しインターネット等のような通信回線を
介して、マスク描画データの作成処理内容と処理費用を
含む案内を提示する。回路設計ユーザの認証後、コンピ
ュータネットワークを介して、回路設計ユーザ側より、
ウエハ上に形成される集積回路パターンデータ、マスク
の使用条件を示すデータ、処理費用の支払い方法を示す
データとを受け取り、マスク描画装置用描画データを作
成して暗号化保管する。前記回路設計ユーザ側からの指
示により、マスク描画装置、またはマスク描画装置とケ
ーブル接続されているマスク描画データ保管装置にデー
タ送付することで効率よく投影露光用マスク製造するた
めの半導体集積回路用のマスク描画データを作成するも
のである。
Circuit design user (customer) design pattern data (SF data) of an integrated circuit formed on a wafer
And efficiently creates mask drawing data for the semiconductor integrated circuit. Here, the mask drawing data (mask data) is written in accordance with the projection exposure apparatus, developing apparatus, etching apparatus, drawing apparatus, developing apparatus, etching apparatus, film forming apparatus, etc. of the wafer manufacturing fabrication. Data creation conditions are set, and data conversion processing is performed by a computer. At this time, a guide including the contents of the mask drawing data creation processing and the processing cost is presented to the circuit design user via a communication line such as the Internet. After the authentication of the circuit design user, from the circuit design user side via a computer network,
It receives the integrated circuit pattern data formed on the wafer, the data indicating the conditions of use of the mask, and the data indicating the method of paying the processing cost, and creates and stores encryption data for the mask writing apparatus. In accordance with an instruction from the circuit design user side, data is sent to a mask writing apparatus or a mask writing data storage apparatus which is connected to the mask writing apparatus via a cable, thereby efficiently manufacturing a projection exposure mask for a semiconductor integrated circuit. This is for creating mask drawing data.

【0032】このマスク描画データ作成の際に、コンピ
ュータネットのリソースを活用することで、ウエハ上に
形成する回路パターンに対応して、効率的にマスクデー
タ処理を行い、マスク描画装置へのマスク描画データ送
付を可能とする。
By utilizing the resources of the computer network when creating the mask drawing data, mask data processing is efficiently performed in accordance with the circuit pattern formed on the wafer, and the mask drawing is performed by a mask drawing apparatus. Enables data transmission.

【0033】ウエハ上に形成する回路パターンに対応し
てマスク描画データの作成条件を適正化することによ
り、ウエハへのパターン転写を最適化させる。これを実
現するためのマスク描画データを簡単に作成することが
でき、回路設計ユーザに提供できる。そして、マスクの
製造効率を向上させることができるので、マスクの製造
コストを低減することが可能となる。
The pattern transfer to the wafer is optimized by optimizing the conditions for creating the mask drawing data in accordance with the circuit pattern formed on the wafer. Mask drawing data for realizing this can be easily created and provided to a circuit design user. Further, since the manufacturing efficiency of the mask can be improved, the manufacturing cost of the mask can be reduced.

【0034】また、回路パターンの高集積化に伴い、マ
スクのデータ量および品種数が増えており、マスク描画
データ作成とその管理が困難になっている問題がある。
そこで、本発明者が検討した二点目の解決手段は、マス
ク描画データ作成とその管理のためのデータベースを構
築する方法である。このデータベースは、マスク描画デ
ータに関する管理情報を整理保管するが、データベース
への描画データ登録の際に、マスク描画に用いるファイ
ル名称に重複を許容させることで、描画データの作成条
件を複数設定して、同一ファイル名称の描画データを作
成し、作成後に描画データ検証して最適な描画データを
選択することが可能となる。なお、前記データベース内
部では、同一ファイル名称の描画データに対し、登録し
た日時分秒の時間差で区別している。最適な描画データ
として選択した描画データはデータベース上でフラグを
付加して、区別する。この際にマスク描画に用いるファ
イル名称の一部、例えば枝番号を変える方式では、これ
に伴って、このファイルをマスク基板上に形成する際に
指定するチップ配列データも変更しなければならなくな
り、チップ配列データは描画データ作成して、描画デー
タ検証後に作成することになる。逆に、マスク描画に用
いるファイル名称に重複を許容させることで、チップ配
列データは、描画データ作成の進捗に関係なく、独立し
て作成することが可能となる。
Further, with the increase in the degree of integration of circuit patterns, the amount of data of masks and the number of types of masks are increasing, and there is a problem that it is difficult to create and manage mask drawing data.
The second solution studied by the present inventors is a method of constructing a database for creating and managing mask drawing data. This database organizes and stores management information on mask drawing data. However, when registering drawing data in the database, multiple file data creation conditions are set by allowing duplication of file names used for mask drawing. It is possible to create drawing data having the same file name, verify the drawing data after creation, and select the optimum drawing data. Note that, in the database, drawing data having the same file name is distinguished by a registered date, time, minute, and second time difference. The drawing data selected as the optimum drawing data is distinguished by adding a flag on the database. At this time, in the method of changing a part of the file name used for mask drawing, for example, the branch number, along with this, the chip arrangement data specified when forming this file on the mask substrate also has to be changed, The chip array data is created after the writing data is created and the writing data is verified. Conversely, by allowing file names used for mask drawing to overlap, chip array data can be created independently of the progress of drawing data creation.

【0035】また、1つのマスク基板上に形成される回
路パターンの描画データを複数に分割して作成すること
で、描画データ作成の作業と処理時間とを短縮すること
が可能となる。
Further, by dividing the drawing data of the circuit pattern formed on one mask substrate into a plurality of pieces and creating the same, it is possible to reduce the work of creating the drawing data and the processing time.

【0036】また、分散処理により作成したマスクデー
タをマスク製造メーカ(マスク描画ライン)へリンク情
報を付加して自動送付させることにより、マスク製造メ
ーカ側でマスク描画データ、配列データ、オーダ伝票な
どの確認のかかる時間を大幅に短縮できるので、マスク
の製造効率を向上させることができる。そして、マスク
の製造効率を向上させることができるので、マスクの製
造コストの上昇を抑制することが可能となる。マスク描
画に用いるファイル名称に重複を許容させているのは、
マスク描画データのファイル名称を異ならせて、その度
毎に1つのマスク描画データを最初から作成するような
形態をとると、半導体装置のパターンデータが多層でか
つ各層がリンク付けされた状態で構築されているという
特別な理由から、マスク描画データの作成に膨大な時間
と労力とが必要となり、益々、高集積化する半導体装置
の製造にそぐわないという観点からである。
The mask data created by the distributed processing is automatically sent to the mask maker (mask drawing line) with link information added thereto, so that the mask maker can obtain mask drawing data, array data, order slips, etc. Since the time required for confirmation can be greatly reduced, the manufacturing efficiency of the mask can be improved. Further, since the manufacturing efficiency of the mask can be improved, it is possible to suppress an increase in the manufacturing cost of the mask. The reason that the file name used for mask drawing is allowed to overlap is
If the mask drawing data is made to have a different file name and one mask drawing data is created from the beginning each time, the pattern data of the semiconductor device is constructed in multiple layers and each layer is linked. Because of the special reason that the mask drawing data is created, enormous time and labor are required to create the mask drawing data, and this is from the viewpoint that it is not suitable for manufacturing a semiconductor device with higher integration.

【0037】以上の観点から本発明者が検討した本発明
の実施の形態について、以下に詳細に説明する。
Embodiments of the present invention studied by the present inventors from the above viewpoints will be described in detail below.

【0038】まず、図1は、本実施の形態におけるマス
ク処理システムを含む全体的なシステムSを示してい
る。このシステムSは、回路設計ユーザ(顧客)Uと、
マスク描画データ作成業者MDと、マスク製造メーカM
Mと、ウエハ製造ファブリケーションリケーションWF
とを有している。回路設計ユーザUと、マスク描画デー
タ作成業者MDとは、インターネット等のような通信回
線を通じて接続されている。これにより、回路設計ユー
ザUと、マスク描画データ作成業者MDとは、互いの情
報を自由にしかも迅速に交換することが可能となってい
る。
FIG. 1 shows an overall system S including a mask processing system according to the present embodiment. This system S includes a circuit design user (customer) U,
Mask drawing data creator MD and mask maker M
M and wafer manufacturing fabrication WF
And The circuit design user U and the mask drawing data creator MD are connected via a communication line such as the Internet. This allows the circuit design user U and the mask drawing data creator MD to freely and quickly exchange information with each other.

【0039】マスク描画データ作成業者MDは、認証サ
ーバ(ファイアウォール)と、ユーザI/Oサーバと、
マスクデータ処理サーバと、ライブラリサーバと、回線
装置LM1とを有している。ライブラリサーバは、管理
データベースと、マスク描画データを暗号化して保管す
るデータ記憶部DMとを有している。回線装置LM1
は、作成されたマスク描画データを暗号化することが可
能となっている。このマスク描画データ作成業者MD
は、その回線装置LM1および専用回線(通信回線)を
通じてマスク製造メーカMMの回線装置LM2と接続さ
れている。回線装置LM2では、暗号化されたマスク描
画データを復合化することが可能となっている。これに
より、マスク描画データ作成業者MDと、マスク製造メ
ーカMMとは、互いの情報を自由に迅速にしかも高いセ
キュリティで交換することが可能となっている。また、
このようにして、上記回路設計ユーザUとマスク製造メ
ーカMMとはネットワーク接続されている。それぞれ、
上記認証サーバ(ファイアウォール)、暗号化回線装置
(回線装置LM1,LM2)などを介在させることで、
マスク描画データのセキュリティを確保している。
The mask drawing data creator MD includes an authentication server (firewall), a user I / O server,
It has a mask data processing server, a library server, and a line device LM1. The library server has a management database and a data storage unit DM for encrypting and storing mask drawing data. Line device LM1
Is capable of encrypting the created mask drawing data. This mask drawing data creator MD
Is connected to the line device LM2 of the mask manufacturer MM through the line device LM1 and a dedicated line (communication line). In the line device LM2, it is possible to decrypt the encrypted mask drawing data. This allows the mask drawing data creator MD and the mask manufacturer MM to freely and quickly exchange information with each other with high security. Also,
In this way, the circuit design user U and the mask manufacturer MM are connected to the network. Respectively,
By interposing the above authentication server (firewall), encryption line device (line device LM1, LM2), etc.,
Security of mask drawing data is secured.

【0040】マスク製造メーカMMは、回線装置LM2
の他、マスク製造に必要なマスク描画装置、マスク検査
装置およびマスクデータベース等を有している。そし
て、ここで製造されたマスクは、ウエハ製造ファブリケ
ーションWFに搬送されるようになっている。ウエハ製
造ファブリケーションWFでは、そのマスクを用いてウ
エハの主面(デバイス形成面)上のフォトレジスト膜に
所定の集積回路パターンを転写(露光)し、エッチング
工程やイオン注入工程等を経て半導体装置を製造する。
The mask manufacturer MM has a line device LM2
In addition, it has a mask drawing apparatus, a mask inspection apparatus, a mask database, and the like necessary for mask production. Then, the mask manufactured here is transported to the wafer manufacturing fabrication WF. In the wafer manufacturing fabrication WF, a predetermined integrated circuit pattern is transferred (exposed) to a photoresist film on a main surface (device forming surface) of the wafer using the mask, and the semiconductor device is subjected to an etching process, an ion implantation process, and the like. To manufacture.

【0041】図2は、半導体製品の仕様設計からマスク
設計パターンデータ出力までの処理フローを示してい
る。この処理工程は、上記回路設計ユーザUにより処理
が施される。
FIG. 2 shows a processing flow from specification design of a semiconductor product to output of mask design pattern data. This processing step is performed by the circuit design user U.

【0042】図2のマスク設計データの作成フローチャ
ートに於いて、最終的に製造される製品の仕様により、
システム設計、論理設計、回路設計およびレイアウト設
計が行われる。
In the flowchart of FIG. 2 for creating mask design data, according to the specifications of a product to be finally manufactured,
System design, logic design, circuit design, and layout design are performed.

【0043】システム設計は、設計、製造および検査に
必要な基本仕様を決める工程であり、ここでは、システ
ム仕様を基に、半導体装置の機能仕様が作成され、動作
が詳細に設計される。機能記述言語や状態遷移図にて、
例えば論理ブロックの機能レジスタ数、ビット数などの
アーキテクチャを含む半導体装置の動作が定められる
(工程101)。
The system design is a process of determining basic specifications required for design, manufacture, and inspection. In this step, functional specifications of the semiconductor device are created based on the system specifications, and the operation is designed in detail. In the function description language and state transition diagram,
For example, the operation of the semiconductor device including the architecture such as the number of function registers and the number of bits of the logic block is determined (step 101).

【0044】続く、論理設計は、論理シミュレーション
を行い、論理ゲート等で表現する工程であり、ここで
は、システム設計データを基に、論理ゲート単位に具体
化される。シミュレーションチェックにより論理誤りが
訂正される(工程102)。
Subsequently, the logic design is a process of performing a logic simulation and expressing it by logic gates or the like. Here, the logic design is embodied in logic gate units based on system design data. The logic error is corrected by the simulation check (step 102).

【0045】続く、回路設計は、回路シミュレーション
を行うことにより、回路構成素子で表現する工程であ
り、ここでは、半導体装置の製造条件を基に、トランジ
スタなどのような素子の電気的特性などが設計される。
これを基に、基本回路、回路セル、全体回路が設計され
る(工程103)。
The subsequent circuit design is a process of expressing circuit components by performing circuit simulation. Here, the electrical characteristics of elements such as transistors and the like are determined based on the manufacturing conditions of the semiconductor device. Designed.
Based on this, a basic circuit, a circuit cell, and an entire circuit are designed (step 103).

【0046】続く、レイアウト設計は、配線チェック、
レイアウトルールチェックを行うことにより、回路パタ
ーンとして配置する工程であり、ここでは、論理ゲート
の配置、配線が行なわれ、設計マスクパターンデータが
作成される(工程104)。
Subsequently, the layout design includes a wiring check,
This is a step of arranging as a circuit pattern by performing a layout rule check. Here, arrangement and wiring of logic gates are performed, and design mask pattern data is created (step 104).

【0047】このような工程を経て設計(SF)データ
が作成され、出力される(工程105)。作成されたマ
スク設計データは、たとえばCAD(Computer Aided D
esign)などのような計算機処理システムを用いて、配
線のチェックおよびレイアウトのチェックなど、設計仕
様チェックを行う。その後、作成されたマスク設計パタ
ーンデータは、カルマストリームフォーマット形式(S
F(Stream Format)データ)などのような集積回路パ
ターンの標準データ形式で出力される。
Through these steps, design (SF) data is created and output (step 105). The created mask design data is, for example, CAD (Computer Aided D)
A design processing check such as wiring check and layout check is performed using a computer processing system such as esign). Thereafter, the created mask design pattern data is stored in a karma stream format (S
The data is output in a standard data format of an integrated circuit pattern such as F (Stream Format) data.

【0048】図3は、SFデータなどで出力されたマス
ク設計パターンデータから、マスク描画データを作成
し、マスク作成し、ウエハ(基板)への露光(縮小投影
露光等)工程までの処理フローの一例を示す。この処理
工程は、通常、回路設計ユーザにより処理が施されるも
のであるが、ここではマスク描画データ作成業者MDに
よる処理を想定している。
FIG. 3 shows a processing flow from mask design pattern data output as SF data or the like to mask drawing data, a mask, and exposure (reduction projection exposure, etc.) to a wafer (substrate). An example is shown. This processing step is usually performed by a circuit design user, but here, processing by a mask drawing data creator MD is assumed.

【0049】SFデータとして出力されたマスク設計デ
ータは、図形データの重なり除去、基本図形除去、フィ
ールド分割およびマスクパターン寸法補正などの各処理
が施される。これらの処理の際に、マスク描画データへ
変換するための設定条件は、マスク基板上へパターン描
画を行なう装置によって異なる。
The mask design data output as SF data is subjected to various processes such as removal of overlap of graphic data, removal of basic graphics, field division, and correction of mask pattern dimensions. In these processes, the setting conditions for converting to mask drawing data differ depending on the apparatus that performs pattern drawing on the mask substrate.

【0050】現状、マスク描画データは、各マスク装置
メーカのマスク描画装置の専用フォーマットとなってお
り、適用するマスク描画装置に合せて変換される。例え
ば、マスク描画装置として、米国ETEC社のMEBE
Sがあり、この装置はラスター方式と呼ばれる描画方式
で、マスク基板への回路パターンの描画は、マスク設計
データのアドレス寸法に近い寸法の電子ビーム照射のオ
ンオフを繰り返すこと(所定のエネルギービームサイズ
のオンオフ照射)により行われる。また、例えば日立製
作所のHL800では、ベクター方式と呼ばれる描画方
式で、マスク基板への回路パターンの描画は、マスクパ
ターン設計アドレス単位に対応した可変寸法の電子ビー
ムの照射により行われる。
At present, the mask drawing data is in a format dedicated to the mask drawing apparatus of each mask apparatus maker, and is converted according to the applied mask drawing apparatus. For example, as a mask drawing apparatus, MEBE manufactured by ETEC, USA
This apparatus uses a drawing method called a raster method. In drawing a circuit pattern on a mask substrate, electron beam irradiation of a size close to the address size of the mask design data is repeatedly turned on and off (a predetermined energy beam size). On-off irradiation). For example, in HL800 of Hitachi, Ltd., drawing of a circuit pattern on a mask substrate is performed by irradiating a variable size electron beam corresponding to a mask pattern design address unit by a drawing method called a vector method.

【0051】マスク描画データは、マスク設計パターン
データに対して、マスク描画方式、描画装置によるデー
タフォーマットを合せて、マスク描画のための基本図形
分解、フィールド分割などの描画データ変換、マスクパ
ターン形成時の歪み補正変換および投影露光時の歪み補
正するための光近接効果補正変換などの変換がなされ
る。
The mask drawing data is obtained by matching the mask design pattern data with the data format of the mask drawing pattern and the drawing device, converting the drawing data such as basic figure decomposition for mask drawing and field division, and forming the mask pattern. , And a conversion such as an optical proximity effect correction conversion for correcting distortion at the time of projection exposure.

【0052】このようにして作成されたマスク描画デー
タに基づいて、マスクへ回路パターンを描画することが
可能となる。このようにして変換された複数のマスク描
画データをマスク上に配置することにより、マスク上に
回路パターン、集積回路テスト用パターン、マスクテス
トパターンおよび露光アライメントマークパターンなど
を形成することができる。
A circuit pattern can be drawn on a mask based on the mask drawing data thus created. By arranging a plurality of mask writing data converted in this way on a mask, a circuit pattern, an integrated circuit test pattern, a mask test pattern, an exposure alignment mark pattern, and the like can be formed on the mask.

【0053】集積回路の製造工程では、半導体集積回路
の拡散層(半導体領域)形成の不純物注入時に用いられ
る回路パターンなど、パターン寸法が比較的ラフなマス
クと、ゲート電極や回路の配線などの加工に用いられる
回路パターンなど、パターン寸法が微細で高い寸法精度
が要求されるマスクとが必要となる。
In the process of manufacturing an integrated circuit, a mask having a relatively rough pattern size, such as a circuit pattern used when implanting impurities for forming a diffusion layer (semiconductor region) of a semiconductor integrated circuit, and processing of a gate electrode, circuit wiring, and the like. It is necessary to provide a mask having a fine pattern dimension and a high dimensional accuracy, such as a circuit pattern used for the semiconductor device.

【0054】特に、半導体集積回路の微細化に伴って、
ゲート電極や回路の配線などの加工に用いられるマスク
では、マスクパターンを歪ませておくことにより投影露
光歪みを低減させる光近接効果補正(OPC;Optical
Proximity Correction)、マスクの透過光に位相差を設
けることで転写パターンの解像度を向上させる位相シフ
ト用マスク描画データなどをコンピュータによりデータ
作成することが必要となる。
In particular, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits,
Optical proximity correction (OPC) for masks used for processing gate electrodes, circuit wiring, etc., reduces projection exposure distortion by distorting the mask pattern.
Proximity Correction), it is necessary to create data such as phase shift mask drawing data by a computer to improve the resolution of the transfer pattern by providing a phase difference to the transmitted light of the mask.

【0055】次に、図1に示したマスク描画データ処理
システムに関して、インターネットを介して、回路設計
ユーザUの集積回路パターンからマスク描画データを効
率的に作成処理するフローを図4、図5、図6、図7お
よび図8によって説明する。
Next, with respect to the mask drawing data processing system shown in FIG. 1, a flow for efficiently creating mask drawing data from an integrated circuit pattern of a circuit design user U via the Internet will be described with reference to FIGS. This will be described with reference to FIGS.

【0056】図4は、マスク描画データ処理システムの
ユーザI/Oサーバと回路設計ユーザUとの処理方式を
示したものである。ユーザI/Oサーバは、インターネ
ット接続されている。
FIG. 4 shows a processing system between the user I / O server and the circuit design user U of the mask drawing data processing system. The user I / O server is connected to the Internet.

【0057】回路設計ユーザUが、インターネットを通
じてユーザI/Oサーバへアクセスすると(矢印A)、
そのホームページには、マスク描画データの作成および
管理に関連する処理内容と処理に要する費用などが表示
されている(矢印B)。ここで、回路設計ユーザUが、
マスク描画データの作成および管理に関連する処理を行
なう場合、マスク描画データ作成業者MDは、回路設計
ユーザUに対して、ユーザ、グループユーザ認証のため
のセキュアカード(IC(Integrated circuit)カー
ド)を発行する(矢印B)。これは、回路設計ユーザU
側の集積回路パターンに対してセキュリティを確保する
ための処理である。
When the circuit design user U accesses the user I / O server through the Internet (arrow A),
The home page displays processing contents related to creation and management of mask drawing data, costs required for the processing, and the like (arrow B). Here, the circuit design user U
When performing processing related to creation and management of mask drawing data, the mask drawing data creator MD provides the circuit design user U with a secure card (IC (Integrated circuit) card) for user and group user authentication. Issue (arrow B). This is the circuit design user U
This is a process for ensuring security for the integrated circuit pattern on the side.

【0058】マスク描画データ作成業者MDは、回路設
計ユーザUにセキュアカードを送付する。回路設計ユー
ザUは、そのセキュアカードを用いて回路設計ユーザU
側のパーソナルコンピュータPCまたはエンジニアリン
グワークステーション(EWS)のネットワークアドレ
スを設定する。また、マスクデータ処理システムの認証
サーバ(ファイアウォール)のルーティング設定を行な
う。回路設計ユーザU側にもインターネットとの間に、
認証サーバがある場合は、ルーティング設定のサポート
を行なう。マスク描画データ作成業者MDは、回路設計
ユーザU側にてマスク関連データの送付、受け付けが簡
単に行なえる処理プログラムを回路設計ユーザU側に送
付する。このプログラムにより、ユーザ設計データはセ
キュリティ確保用暗号化、データ圧縮送付、受け付け後
解凍などのようなデータ処理が可能となる。
The mask drawing data creator MD sends the secure card to the circuit design user U. The circuit design user U uses the secure card to
Set the network address of the personal computer PC or engineering workstation (EWS) on the side. Also, the routing setting of the authentication server (firewall) of the mask data processing system is performed. Between the circuit design user U and the Internet,
If there is an authentication server, it supports routing settings. The mask drawing data creator MD sends to the circuit design user U a processing program that allows the circuit design user U to easily send and accept mask-related data. With this program, user design data can be subjected to data processing such as encryption for security assurance, data compression transmission, and decompression after reception.

【0059】図5は、マスク描画データの作成処理方式
を示したものである。
FIG. 5 shows a method of creating mask drawing data.

【0060】回路設計ユーザUは、上記セキュアカード
を用いてユーザI/Oサーバへアクセスすると(図5の
矢印C)、ユーザ認証がなされ、マスクデータ処理サー
バを起動することができる(図5の矢印D)。この後、
回路設計ユーザUからユーザ回路パターンデータと費用
処理に関するデータを受け付ける。回路設計ユーザU側
より、マスク製作条件及びマスク使用条件となるデータ
を必要により受け付け、マスク描画データを作成する
(矢印E)。
When the circuit design user U accesses the user I / O server using the above-mentioned secure card (arrow C in FIG. 5), the user is authenticated and the mask data processing server can be started (FIG. 5). Arrow D). After this,
User circuit pattern data and cost processing data are received from the circuit design user U. The mask design condition and mask use condition data are received from the circuit design user U as needed, and mask drawing data is created (arrow E).

【0061】マスク描画データ作成後、描画データ作成
処理結果と処理費用データを回路設計ユーザUへ送付す
る(矢印F)。また、マスク描画データ作成業者MDで
は、マスク描画データをライブラリサーバへ保管する
(矢印G)。マスク描画データの作成条件データ、処理
費用データは、データベース化(上記管理データベー
ス)して保管する。また、マスク描画データは、通常、
暗号化してデータ記憶部DMに保管する。これにより、
セキュリティを確保できる。
After the mask drawing data is created, the result of the drawing data creation processing and the processing cost data are sent to the circuit design user U (arrow F). Further, the mask drawing data creator MD stores the mask drawing data in the library server (arrow G). The creation condition data and processing cost data of the mask drawing data are stored in a database (the management database). Also, mask drawing data is usually
The data is encrypted and stored in the data storage unit DM. This allows
Security can be ensured.

【0062】図6は、マスク配列データの作成処理方式
を示したものである。マスク配列データは、マスク上で
回路パターンの描画データをどのように配置するかを想
定したデータである。そのデータには、後述するアライ
メントマーク等のようなマスク上の各種のパターンのフ
ァイル名称とマスク基板上の位置座標データが記述され
ている。
FIG. 6 shows a method of creating mask array data. The mask array data is data assuming how the drawing data of the circuit pattern is arranged on the mask. In the data, file names of various patterns on the mask such as an alignment mark described later and position coordinate data on the mask substrate are described.

【0063】前記したのと同様に、回路設計ユーザU
は、セキュアカードを用いてユーザI/Oサーバへアク
セスすると(図6の矢印C)、ユーザ認証され、マスク
データ処理サーバを起動することができる(図6の矢印
D)。この後、回路設計ユーザUの指定するマスク製作
条件及びマスク使用条件となるデータを受け付け、マス
ク配列データを作成し、それを検証する(矢印H)。
As described above, the circuit design user U
When the user accesses the user I / O server using the secure card (arrow C in FIG. 6), the user is authenticated and the mask data processing server can be started (arrow D in FIG. 6). Thereafter, the mask design condition and the data for the mask use condition specified by the circuit design user U are received, and the mask arrangement data is created and verified (arrow H).

【0064】マスク配列データ作成および検証後、配列
データ作成処理結果と処理費用データをユーザへ送付す
る(矢印I)。マスク描画データ作成業者MDでは、作
成されたマスク配列データをライブラリサーバへ保管す
る(矢印J)。配列データの作成条件データ、処理費用
データは、データベース化(上記管理データベース)し
て保管する。また、マスク配列データは暗号化してデー
タ記憶部DMに保管する。これにより、セキュリティを
確保できる。
After the mask array data is created and verified, the result of the array data creation processing and the processing cost data are sent to the user (arrow I). The mask drawing data creator MD stores the created mask array data in the library server (arrow J). The preparation condition data and the processing cost data of the sequence data are stored in a database (the management database). The mask array data is encrypted and stored in the data storage unit DM. Thereby, security can be ensured.

【0065】図7は、マスク描画データの検証処理方式
を示したものである。回路設計ユーザUは、セキュアカ
ードを用いてユーザI/Oサーバへアクセスすると(図
7の矢印C)、ユーザ認証され、マスクデータ処理サー
バを起動することができる(図7の矢印K)。回路設計
ユーザUのマスク描画データを検索し(図7の矢印
L)、マスクデータ処理サーバにて描画データ検証処理
する(図7の矢印M)。そして、描画データ検証処理結
果、処理費用データを回路設計ユーザUへ送付する(図
7の矢印N)。
FIG. 7 shows a verification processing method for mask drawing data. When the circuit design user U accesses the user I / O server using the secure card (arrow C in FIG. 7), the user is authenticated and can start the mask data processing server (arrow K in FIG. 7). The mask drawing data of the circuit design user U is searched (arrow L in FIG. 7), and the mask data processing server performs the drawing data verification processing (arrow M in FIG. 7). Then, the drawing data verification processing result and the processing cost data are sent to the circuit design user U (arrow N in FIG. 7).

【0066】回路設計ユーザUは、描画データの検証処
理結果を確認し、ライブラリサーバのマスク描画データ
に対して、使用可否を示すフラグを付加して区別可能と
する。これにより、例えば1つの回路パターンに対し
て、異なるOPC処理した描画データを選択する場合や
同じグループ内で共用して描画データを用いる場合に、
効率よく確認し、マスク描画することが可能となる。
The circuit design user U confirms the result of the verification processing of the drawing data, and adds a flag indicating whether or not the mask drawing data can be used to the mask drawing data of the library server so that the mask drawing data can be distinguished. Thus, for example, when selecting drawing data subjected to different OPC processing for one circuit pattern, or when using drawing data shared in the same group,
It is possible to efficiently check and draw a mask.

【0067】図8は、マスク描画データ、配列データの
送付処理方式を示したものである。
FIG. 8 shows a method of transmitting mask drawing data and array data.

【0068】回路設計ユーザUは、セキュアカードを用
いてユーザI/Oサーバへアクセスすると(図8の矢印
C)、ユーザ認証され、ライブラリサーバを起動するこ
とができる(図8の矢印P)。ライブラリサーバでは、
所望のマスク描画データを検索する(矢印Q)。マスク
描画データ作成業者MDは、検索された回路設計ユーザ
Uのマスク描画データ、配列データを、指定するマスク
製造ラインまたは指定のEWSサーバへ送付処理する。
描画データ、配列データの送付結果及び処理費用を示す
データを回路設計ユーザUへ送付する(矢印R1,R
2)。
When the circuit design user U accesses the user I / O server using the secure card (arrow C in FIG. 8), the user is authenticated and can start the library server (arrow P in FIG. 8). On the library server,
The desired mask drawing data is searched (arrow Q). The mask drawing data creator MD sends the retrieved mask drawing data and array data of the circuit design user U to the specified mask manufacturing line or the specified EWS server.
The drawing result, the sending result of the array data, and the data indicating the processing cost are sent to the circuit design user U (arrows R1, R
2).

【0069】回路設計ユーザUのマスク描画データ、配
列データを指定するマスク製造ラインへ送付する場合
は、どのユーザからのマスク製作依頼か、製作費用処理
方式を示すデータがセットで送付される。
When sending the mask drawing data and array data of the circuit design user U to a mask manufacturing line for designating the mask manufacturing request from which user, data indicating the manufacturing cost processing method are sent as a set.

【0070】マスク基板上に形成する複数の描画データ
とその配置を示す配列データを準備してあれば、配列デ
ータと共に、その配列データに従って、一括して指定す
るマスク製造ラインまたは指定のEWSサーバへ送付処
理する。
If a plurality of drawing data to be formed on the mask substrate and arrangement data indicating the arrangement thereof are prepared, together with the arrangement data, a mask manufacturing line designated collectively or a designated EWS server in accordance with the arrangement data. Send processing.

【0071】配列データ作成と描画データ作成とは同時
とならないが、配列データに従って、描画データの確認
が完了次第、マスク製造ラインまたは指定のEWSサー
バへ送付処理することができる。
Although the creation of the array data and the creation of the drawing data are not performed at the same time, they can be sent to a mask manufacturing line or a designated EWS server as soon as the confirmation of the drawing data is completed in accordance with the array data.

【0072】図9に、マスク描画データを管理するため
の管理情報(マスク描画データ用データベース)の一例
を示す。図9中には記載していないが、その管理情報中
には、上記したマスク描画データへ変換するための設定
条件、マスク描画データへの変換年月日時分も含まれ
る。また、上記したマスク描画データについても、半導
体集積回路装置の製品名、工程名、枝番号およびデータ
変換年月日などをキーアイテムとして磁気ディスクなど
に保存される。
FIG. 9 shows an example of management information (mask drawing data database) for managing mask drawing data. Although not shown in FIG. 9, the management information also includes the above-described setting conditions for conversion to mask drawing data and the date, month, day, and time of conversion to mask drawing data. Also, the mask drawing data described above is stored on a magnetic disk or the like with the product name, process name, branch number, data conversion date, and the like of the semiconductor integrated circuit device as key items.

【0073】そのマスク描画データ用のデータベース
は、マスク設計データをマスク描画データとするための
各種条件、すなわち、マスク描画データID(Identifi
cation)、データ作成、データフラグ、描画装置対応
(データフォーマット、アドレスサイズおよびマスク寸
法補正など)、露光対応(光近接効果補正条件;OP
C)およびデータハンドリング(データ量、図形数およ
びデータサムチェック値など)などを構成要素としてい
る。データサムチェック値は、1つのマスク描画データ
全体またはマスク描画データを構成する回路図形データ
に対し、サムチェック演算処理をした値を比較する際に
用いられる。このデータサムチェック値を用いて、作成
されたマスク描画データを磁気ディスクなどに保存する
時やマスク描画データをマスク描画装置へ転送する時な
どに再度演算することで、マスク描画データの異常有無
を確認することが可能となる。
The database for the mask drawing data includes various conditions for using mask design data as mask drawing data, that is, a mask drawing data ID (Identifi.
cation), data creation, data flag, drawing device support (data format, address size and mask dimension correction, etc.), exposure support (optical proximity effect correction condition; OP)
C) and data handling (data amount, number of graphics, data sum check value, etc.) are constituent elements. The data sum check value is used when comparing values obtained by performing a sum check calculation process on one mask drawing data as a whole or on circuit graphic data constituting the mask drawing data. Using this data sum check value, when the created mask drawing data is stored on a magnetic disk or the like, or when the mask drawing data is transferred to a mask drawing device, the calculation is performed again to determine whether or not the mask drawing data is abnormal. It is possible to confirm.

【0074】それぞれのマスク描画データは、半導体集
積回路装置の製品名、工程名、枝番号およびデータ変換
年月日などをキーアイテムとしてコンピュータにより管
理されている。また、図9に示した管理情報も半導体集
積回路装置の製品名、工程名、枝番号およびデータ変換
年月日などをキーアイテムとしたデータベースとなって
いるので、それぞれのマスク描画データに対応するデー
タフォーマットおよび投影露光時の補正(OPC)など
の情報を、マスク描画データ用のデータベースにより検
索することが可能となる。逆に、たとえばマスク描画デ
ータ用のデータベースにおいて、半導体集積回路装置の
製品名、工程名、枝番号およびデータ変換年月日などの
キーアイテムの一部分を指定することにより、そのキー
アイテムの一部分に該当するマスク描画データを検索
(リストアップ)することも可能になる。すなわち、マ
スク設計データを作成するマスク設計者は、マスク描画
データIDの一部分だけでも判明していれば、その一部
分を含むすべてのマスク描画データを短時間で検索する
ことが可能となる。
Each piece of mask drawing data is managed by a computer using the product name, process name, branch number, data conversion date, etc. of the semiconductor integrated circuit device as key items. Further, the management information shown in FIG. 9 is also a database using the product name, process name, branch number, data conversion date, and the like of the semiconductor integrated circuit device as key items, and thus corresponds to each mask drawing data. Information such as a data format and correction at the time of projection exposure (OPC) can be retrieved from a mask drawing data database. Conversely, by specifying a part of a key item such as a product name, a process name, a branch number, and a data conversion date of a semiconductor integrated circuit device in a mask drawing data database, for example, It is also possible to search (list up) the mask drawing data to be performed. In other words, a mask designer who creates mask design data can search all mask drawing data including a part of the mask drawing data ID in a short time if only a part of the mask drawing data ID is known.

【0075】また、上記マスク描画データ用データベー
スでは、描画装置内では同一とされるファイル名の描画
データに関して、登録順にバージョンを付加して区別し
ている。バージョン付けした描画データより、上記描画
データ検証にてフラグを付け使用する描画データを決め
ることができる。これにより、上記配列データは、通常
時間的に先に作成完了しており、描画データファイル名
の変更などが不要にできる。
In the mask drawing data database, drawing data having the same file name in the drawing apparatus is distinguished by adding a version in the registration order. From the versioned drawing data, it is possible to determine the drawing data to be used with a flag in the above-mentioned drawing data verification. As a result, the above-mentioned array data is normally completed beforehand in time, and it is not necessary to change the drawing data file name.

【0076】回路設計ユーザUは、インターネットなど
のような通信回線を介して、オンラインでマスク描画デ
ータの検索およびマスク描画データ用のデータベースへ
の書き込みが可能である。それにより、マスク設計者
は、該当するマスク描画データの使用可否を指定(フラ
グ処理)することができ、そのマスクの描画データの使
用可否に関する情報は、図9に示したマスク描画データ
用のデータベースに記録される。
The circuit design user U can search for mask drawing data online and write it to the mask drawing data database via a communication line such as the Internet. As a result, the mask designer can specify whether or not the corresponding mask drawing data can be used (flag processing). The information on whether the mask drawing data can be used is stored in the mask drawing data database shown in FIG. Will be recorded.

【0077】検索したマスク描画データは、コンピュー
タのモニタ画面上にグラフィック表示させることで検証
することができる。同様に、マスク描画データをマスク
基板上に配置する際の配置データについても、モニタ画
面上にグラフィック表示させることで検証することがで
きる。そのため、そのマスク描画データに対応した回路
パターンの検証を容易にすることができる。
The retrieved mask drawing data can be verified by graphic display on a monitor screen of a computer. Similarly, the arrangement data when arranging the mask drawing data on the mask substrate can be verified by graphic display on the monitor screen. Therefore, verification of a circuit pattern corresponding to the mask drawing data can be facilitated.

【0078】また、同一グループ内の他のユーザが過去
に作成したマスク描画データに関する情報についても、
図9に示したマスク描画データ用のデータベースに記録
される。そのため、マスク描画データを検索した結果、
複数のユーザが過去に作成したマスク描画データを用い
ることが可能な場合には、改めてマスク描画データを作
成することなくそのマスク描画データを共用することが
可能になる。すなわち、マスク描画データを共用するこ
とが可能な場合には、新たなマスク設計データおよびマ
スク描画データを作成する工程を省略することができる
ので、半導体集積回路装置の製造に要する時間を短縮す
ることが可能となる。
Also, regarding information on mask drawing data created in the past by other users in the same group,
It is recorded in the mask drawing data database shown in FIG. Therefore, as a result of searching the mask drawing data,
When mask drawing data created in the past by a plurality of users can be used, the mask drawing data can be shared without creating mask drawing data again. That is, when the mask drawing data can be shared, the step of creating new mask design data and mask drawing data can be omitted, so that the time required for manufacturing the semiconductor integrated circuit device can be reduced. Becomes possible.

【0079】次に、図10に本実施の形態である半導体
集積回路装置の製造の露光工程で用いるマスクの全体構
造の一例を示す。
Next, FIG. 10 shows an example of the entire structure of a mask used in the exposure step of manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment.

【0080】図10に示すマスク1は、たとえばDRA
M(Dynamic Random Access Memory)の集積回路パター
ンをウエハ(ウエハ上のフォトレジスト膜;以下の記載
において同じ)に露光する際に用いるものであり、実際
の集積回路パターンの約5倍程度に拡大された回路パタ
ーン原画が形成されたレチクルである。このマスク1は
チップ転写領域CA,CBおよびアライメントマークA
Mなどを有している。マスク1に形成された集積回路パ
ターンは、縮小投影露光装置によりウエハに転写され
る。
The mask 1 shown in FIG.
It is used when exposing an integrated circuit pattern of M (Dynamic Random Access Memory) onto a wafer (a photoresist film on the wafer; the same applies in the following description), and is enlarged to about 5 times the actual integrated circuit pattern. This is a reticle on which an original circuit pattern is formed. This mask 1 includes chip transfer areas CA and CB and alignment marks A
M or the like. The integrated circuit pattern formed on the mask 1 is transferred to a wafer by a reduction projection exposure apparatus.

【0081】マスク1を構成するマスク基板1Sは、た
とえば平面四角形状の透明な石英ガラス基板等からな
り、その中央には、たとえば長方形状の2つのチップ転
写領域CA,CBが、互いの長辺を平行にした状態で並
設されている。チップ転写領域CA,CBの各々が、1
つのDRAMチップの転写分に対応する。チップ転写領
域CA,CBを2つ配置したことにより、マスク製造の
スループットの向上およびマスクの検査をダイ・トゥ・
ダイで行うことなどが可能になる。
The mask substrate 1S constituting the mask 1 is formed of, for example, a transparent quartz glass substrate having a rectangular shape in a plane, and two chip transfer regions CA, CB having, for example, a rectangular shape are formed at the center of the substrate. Are arranged side by side in parallel. Each of the chip transfer areas CA and CB is 1
It corresponds to the transfer amount of one DRAM chip. By arranging two chip transfer areas CA and CB, the throughput of mask manufacturing can be improved and the inspection of the mask can be performed die-to-die.
It is possible to do with a die.

【0082】このチップ転写領域CA,CBは、たとえ
ばクロム(Cr)等のような遮光材からなる枠状の遮光
帯SLで区画されて形成されている。チップ転写領域C
Aは、一つの集積回路パターンが構成されている。同様
に、チップ転写領域CBは、同じ集積回路パターンが構
成されている。遮光帯SLの周辺部に上記アライメント
マークAMが配置されている。
The chip transfer areas CA and CB are formed by being partitioned by a frame-shaped light-shielding band SL made of a light-shielding material such as chrome (Cr). Chip transfer area C
A indicates one integrated circuit pattern. Similarly, the same integrated circuit pattern is formed in the chip transfer area CB. The alignment mark AM is arranged around the light shielding band SL.

【0083】マスク1は、複数の種類のマスク描画デー
タにより形成されたメモリ回路領域からなるチップ転写
領域CA,CBを有している。符号CA0は、チップ転
写領域CAの中心座標、符号CB0は、チップ転写領域
CBの中心座標をそれぞれ示している。マスク基板1S
の中心に対しオフセットを加えて合成することにより、
マスク1を形成することが可能となる。符号C0は、遮
光帯SLで囲まれた領域の中心座標を示している。
The mask 1 has chip transfer areas CA and CB composed of memory circuit areas formed by a plurality of types of mask drawing data. Reference sign CA0 indicates the center coordinates of the chip transfer area CA, and reference sign CB0 indicates the center coordinates of the chip transfer area CB. Mask substrate 1S
By adding an offset to the center of
The mask 1 can be formed. Symbol C0 indicates the center coordinates of the area surrounded by the light-shielding band SL.

【0084】上記チップ転写領域CA,CB、遮光帯S
L、アライメントマークAMはそれぞれ独立した描画デ
ータとしてファイル名が付けられる。マスク配列データ
は、描画データに対応したファイル名称とマスク基板1
S上の位置座標とがセットで規定されている。
The above-mentioned chip transfer areas CA, CB, light shielding band S
L and the alignment mark AM are given file names as independent drawing data. The mask array data includes a file name corresponding to the drawing data and a mask substrate 1.
Position coordinates on S are defined as a set.

【0085】回路設計ユーザUは、インターネットを介
して、マスク手配プログラムにて描画データ名とそのマ
スク1上の位置を組み合わせたマスク配列データを作成
する。マスク配列データは、マスク基板1S上に搭載さ
れる全ての描画データ名が含まれる。このマスク配列デ
ータを基に、図9に示したデータベースより、描画デー
タを自動検索して、マスク描画ラインへ自動送付指示す
ることができる。
The circuit design user U creates mask array data by combining the drawing data name and the position on the mask 1 with the mask arrangement program via the Internet. The mask array data includes all drawing data names mounted on the mask substrate 1S. Based on this mask arrangement data, the drawing data can be automatically retrieved from the database shown in FIG. 9 and an automatic transmission instruction can be given to the mask drawing line.

【0086】図11は、マスク設計パターンデータの一
例として、露光波長以下のラインアンドスペースパター
ンの入力パターンIP1(図11(a))に対して、パ
ターンの端から交互に位相を変えるための位相シフタパ
ターンを抜き取り、かつ、マスク製作プロセスでの露光
処理でパターンを拡大したの出力パターンOP1(図1
1(b))の一例を示したものである。ここでは、入力
パターンIP1は、互いに平行に隣接する複数の帯状の
開口パターン2aと、これらを取り囲むように配置され
た遮光パターン3aとを有している。また、出力パター
ンOP1には、入力パターンIP1の互いに隣接する帯
状の開口パターン2aの1つおきに、その帯状の開口パ
ターン2aの平面全体を覆うように位相シフタパターン
PS1が配置されている。回路設計ユーザUの回路パタ
ーンに合せて計算機を用いた図形演算処理により位相シ
フタパターンPS1を作成する。位相シフタパターンP
S1のデータは、別ファイルデータである。回路パター
ンによって、シフタ配置ができない場合、その個所のデ
ータを回路設計ユーザU側に送付する。
FIG. 11 shows, as an example of mask design pattern data, a phase for alternately changing the phase from the end of the pattern with respect to the input pattern IP1 (FIG. 11A) of the line-and-space pattern of the exposure wavelength or less. An output pattern OP1 obtained by extracting the shifter pattern and enlarging the pattern by exposure processing in a mask manufacturing process (FIG. 1)
1 (b)). Here, the input pattern IP1 has a plurality of strip-shaped opening patterns 2a that are adjacent to each other in parallel with each other, and a light-shielding pattern 3a that is arranged so as to surround them. In the output pattern OP1, a phase shifter pattern PS1 is disposed at every other strip-shaped opening pattern 2a adjacent to the input pattern IP1 so as to cover the entire plane of the strip-shaped opening pattern 2a. The phase shifter pattern PS1 is created by graphic operation using a computer in accordance with the circuit pattern of the circuit design user U. Phase shifter pattern P
The data in S1 is separate file data. If the shifter cannot be arranged due to the circuit pattern, the data at that location is sent to the circuit design user U side.

【0087】図12は、マスク設計パターンデータの一
例として、露光波長以下の微細ゲートパターンを形成す
るもので、遮光パターン3bを有する入力パターンIP
2(図12(a))に対し、第1マスクの開口パターン
2b、位相シフタパターンPS2、第2マスクの遮光パ
ターン3b1の3種類のパターンデータを有する出力パ
ターンOP2を生成する一例を示したものである。回路
設計ユーザUの回路パターンに合せて、計算機を用いた
図形演算処理により位相シフタパターンPS2を作成す
る。
FIG. 12 shows an example of a mask design pattern data in which a fine gate pattern having an exposure wavelength or less is formed.
2 (FIG. 12A), an example of generating an output pattern OP2 having three types of pattern data of an opening pattern 2b of a first mask, a phase shifter pattern PS2, and a light-shielding pattern 3b1 of a second mask. It is. In accordance with the circuit pattern of the circuit design user U, the phase shifter pattern PS2 is created by graphic operation using a computer.

【0088】この方式ではウエハ上のフォトレジスト膜
に第1マスクにて露光し、続いて第2マスクで露光す
る。第1マスクでは、開口パターンを挟んでマスクの透
過光の位相が反転しており、これにより、微細なゲート
パターン部のみの潜像が形成される。第2マスクの露光
後に、現像処理して、所望のレジストパターンを形成す
る。
In this method, a photoresist film on a wafer is exposed with a first mask, and subsequently exposed with a second mask. In the first mask, the phase of the transmitted light of the mask is inverted across the opening pattern, whereby a fine latent image of only the gate pattern portion is formed. After the exposure of the second mask, a development process is performed to form a desired resist pattern.

【0089】図13は、回路パターンの投影露光によっ
て生じる転写歪みに対し、マスク上のパターンを予め歪
ませておくことで、転写歪みを低減させるパターンの一
例を示したものである。図13(a)は、平面L字型の
入力パターンIP3を示している。また、図13(b)
はOPC処理後の出力パターンOP3を示している。図
13のL字型の入力パターンIP3において、パターン
幅が投影露光に用いる露光光の波長と同等またはそれ以
下となる場合に有効である。投影露光の際に、露光光強
度が過剰となる個所に対応したマスクパターンに対して
微小な遮光パターン4aが追加され、露光光強度が不足
となる個所に対応したマスクパターンに対して微小な開
口パターン5aが追加される。図13のL字型の入力パ
ターンIP3は、マスク上で開口パターン、島パターン
の両方に適用できる。
FIG. 13 shows an example of a pattern for reducing the transfer distortion by previously distorting the pattern on the mask with respect to the transfer distortion caused by the projection exposure of the circuit pattern. FIG. 13A shows a flat L-shaped input pattern IP3. FIG. 13 (b)
Indicates an output pattern OP3 after the OPC process. This is effective when the pattern width of the L-shaped input pattern IP3 in FIG. 13 is equal to or less than the wavelength of exposure light used for projection exposure. At the time of projection exposure, a minute light-shielding pattern 4a is added to a mask pattern corresponding to a portion where the exposure light intensity becomes excessive, and a minute opening is formed to a mask pattern corresponding to a portion where the exposure light intensity becomes insufficient. The pattern 5a is added. The L-shaped input pattern IP3 in FIG. 13 can be applied to both the opening pattern and the island pattern on the mask.

【0090】ユーザ回路パターンをEWSによる図形演
算処理により、投影露光時の転写歪み補正した回路パタ
ーンを作成する。
The user circuit pattern is subjected to graphic operation processing by EWS to create a circuit pattern in which transfer distortion during projection exposure has been corrected.

【0091】このような本実施の形態によれば、コンピ
ュータネットワークリソースを利用し、回路設計ユーザ
Uからの集積回路パターンデータを受け取り、マスク描
画データとして指定ネットアドレスへの送付まで、描画
データの信頼度、セキュリティを確保して、効率良くマ
スク描画装置を含むマスク製造条件、投影露光装置を含
むウエハ製造条件に適合したウエハ露光用のマスクを製
作できる。すなわち、高集積、かつ微細な回路パターン
を形成するためのマスク描画データがマスク描画装置を
含むマスク製造条件、投影露光装置を含むウエハ製造条
件に適合させることが可能となる。
According to this embodiment, the computer network resources are used to receive the integrated circuit pattern data from the circuit design user U, and to transmit the integrated circuit pattern data to the designated net address as mask drawing data until the reliability of the drawing data is reached. In addition, it is possible to efficiently manufacture a mask for wafer exposure suitable for mask manufacturing conditions including a mask drawing apparatus and wafer manufacturing conditions including a projection exposure apparatus while ensuring security. That is, the mask writing data for forming a highly integrated and fine circuit pattern can be adapted to the mask manufacturing conditions including the mask writing apparatus and the wafer manufacturing conditions including the projection exposure apparatus.

【0092】また、マスク描画データを効率的に作成
し、かつデータ作成コストを削減し、マスク価格を引き
下げることができる。
Further, the mask drawing data can be efficiently created, the data creation cost can be reduced, and the mask price can be reduced.

【0093】また、マスクを用いて投影露光によりウエ
ハ上に回路パターンを形成する工程において、投影露光
装置の性能に合せたマスクを用いることで、マスクに描
画された回路パターンを高精度にウエハに転写すること
がが可能となる。
In the step of forming a circuit pattern on a wafer by projection exposure using a mask, a circuit pattern drawn on the mask is highly accurately applied to the wafer by using a mask suitable for the performance of the projection exposure apparatus. It becomes possible to transfer.

【0094】また、マスク描画データのデータハンドリ
ングとなるデータサムチェック値などをマスク描画デー
タ用のデータベースに記録することができるので、作成
されたマスク描画データを磁気ディスクなどに保存する
時やマスク描画データを電子線描画装置へ転送する時な
どに、そのデータサムチェック値を用いて再度演算する
ことにより、マスク描画データの異常有無を確認するこ
とが可能となる。
Further, since a data sum check value for data handling of mask drawing data can be recorded in a database for mask drawing data, the created mask drawing data can be stored on a magnetic disk or the like, or when mask drawing is performed. When the data is transferred to the electron beam lithography apparatus or the like, it is possible to confirm the presence / absence of abnormality in the mask drawing data by performing the calculation again using the data sum check value.

【0095】また、マスク上に形成される集積回路パタ
ーンデータとその配列データとをマスクメーカへリンク
情報を付加して分散送付することで、効率良くウエハ露
光用マスクを製作できる。
Also, the integrated circuit pattern data formed on the mask and its array data are distributed to the mask maker with link information added thereto, so that the wafer exposure mask can be manufactured efficiently.

【0096】また、マスク基板上に形成される集積回路
パターンデータ名称に関して、一旦重複保管し、保管デ
ータから選択してマスクメーカへ分散送付することで、
リンク用データ、サムチェックデータにより効率良く半
導体ウエハ露光用マスク製作できる。
Further, the names of the integrated circuit pattern data formed on the mask substrate are once stored in duplicate, selected from the stored data and distributed to the mask maker, whereby
A mask for semiconductor wafer exposure can be efficiently manufactured by using link data and sum check data.

【0097】また、マスク描画データは半導体集積回路
装置の製品名、工程名、枝番号およびデータ変換年月日
などをキーアイテムとしてデータベースを構築したコン
ピュータにより管理することができる。回路設計ユーザ
Uは、前記データベースに対して半導体集積回路装置の
製品名、工程名、枝番号およびデータ変換年月日などの
キーアイテムの一部分だけでも判明していれば、その一
部分を含むすべてのマスク描画データを短時間で検索す
ることが可能となる。
Further, the mask drawing data can be managed by a computer having a database constructed using the product name, process name, branch number, data conversion date, etc. of the semiconductor integrated circuit device as key items. If the circuit design user U knows only a part of key items such as a product name, a process name, a branch number, and a data conversion date of the semiconductor integrated circuit device in the database, all circuit parts including the part are known. It is possible to search for mask drawing data in a short time.

【0098】また、回路設計ユーザはインターネットな
どの所定の通信回線を介して、オンラインでマスク描画
データの検索とデータベースへの書き込みとができるの
で、回路パターンを描画する工程に該当するマスク描画
データの使用可否をデータベースに記録することが可能
となる。
Further, since the circuit design user can search the mask drawing data and write it in the database online through a predetermined communication line such as the Internet, the user can input the mask drawing data corresponding to the step of drawing the circuit pattern. Usability can be recorded in a database.

【0099】また、同一グループユーザが過去に作成し
たマスク描画データに関する情報についてもデータベー
スに記録することができるので、それらマスク描画デー
タを用いることが可能な場合には、改めてマスク描画デ
ータを作成することなくそのマスク描画データを共用す
ることが可能となる。
Further, since information on mask drawing data created in the past by the same group user can be recorded in the database, if the mask drawing data can be used, the mask drawing data is newly created. It is possible to share the mask drawing data without the need.

【0100】また、前記マスク描画データは、全回路設
計ユーザが共通利用できるマスク描画データと、同一グ
ループ内で共通利用できるマスク描画データと、個別回
路設計ユーザが利用できるマスク描画データとに分類さ
れ、機密管理して前記回路設計ユーザに提供される。こ
れにより、効率よく半導体集積回路用のマスク描画デー
タを作成できる。
The mask drawing data is classified into mask drawing data that can be commonly used by all circuit design users, mask drawing data that can be commonly used within the same group, and mask drawing data that can be used by individual circuit design users. Confidentially managed and provided to the circuit design user. Thereby, mask drawing data for a semiconductor integrated circuit can be efficiently created.

【0101】また、同一グループユーザまたは複数の回
路設計ユーザUが過去に作成したマスク描画データに関
する情報についてもマスク描画データ用のデータベース
に記録することができるので、それらマスク描画データ
を用いることが可能な場合には、改めてマスク描画デー
タを作成することなくそのマスク描画データを共用する
ことができる。すなわち、新たなマスク設計データおよ
びマスク描画データを作成する工程を省略することが可
能となる。
Further, since information on mask drawing data created in the past by the same group user or a plurality of circuit design users U can be recorded in the mask drawing data database, the mask drawing data can be used. In such a case, the mask drawing data can be shared without creating the mask drawing data again. That is, it is possible to omit the step of creating new mask design data and mask drawing data.

【0102】また、回路設計ユーザUは、オンラインで
検索したマスク描画データおよびマスク描画データをマ
スク基板上に配置する際の配置データをコンピュータの
モニタ画面上にグラフィック表示、そのマスク描画デー
タに対応した回路パターンの検証を容易にすることがで
きる。
Further, the circuit design user U graphically displays on the monitor screen of the computer the mask drawing data retrieved online and the arrangement data for arranging the mask drawing data on the mask substrate, and corresponds to the mask drawing data. Verification of the circuit pattern can be facilitated.

【0103】また、マスク描画データをマスク製造メー
カへ送付する際に、集積回路マスク製作に用いるマスク
描画データを、オーダー伝票、マスク製作仕様書および
チップ配列データの少なくとも一つを含む第1種データ
と、集積回路パターンデータを含む第2種データとに分
け、前記第1種データと第2種データとのリンク付け情
報を付加して、時間的に離散したオンライン送付を可能
とし、前記リンク付け情報を用い集積回路マスク製作す
る。これにより、マスク製造メーカはマスク製造に迅速
に取りかかることができ、マスクを効率良く製造するこ
とができる。これは、マスク描画データと第1種データ
(マスク製作仕様データ、配列データ等)とを分割せず
にマスク製造メーカに送るとすると、データ量が多くな
ることや、そのデータが送付されるまでマスク製造メー
カはマスク製造に取りかかることができない、といった
不具合がある。これに対して、相対的小さなデータ量の
第1種データをマスク製造メーカに先に送れば、その時
点からマスク製造メーカは、回路設計ユーザUが希望す
るマスクの製造の準備を開始でき、後から送られるデー
タ量の多い第2種データ(集積回路パターンデータ)を
用いた本格的なマスクの製造にスムーズに入ることがで
きる。すなわち、本来待ち時間としたものを無くせるの
で、マスクの製造時間を短縮させることが可能となる。
半導体装置の製造では試作品や製品を短期間のうちに製
造しなければならないという特殊な理由を持つ場合があ
ることから、上記のように回路設計ユーザUの要求と、
マスク製造メーカMMの製造装置にかかわる要求との整
合を取りながらも迅速に半導体装置を製造するためのマ
スクを製造することは極めて重要な課題である。したが
って、本実施の形態における技術は、極めてシンプルで
ありながら今後の半導体装置にかかわる産業の発達を進
める上で重要な技術である。
When sending the mask drawing data to the mask manufacturer, the mask drawing data used for the manufacture of the integrated circuit mask should be first-class data including at least one of an order slip, a mask manufacturing specification, and chip arrangement data. And second type data including integrated circuit pattern data, and linking information of the first type data and the second type data is added to enable time-discrete online transmission. Fabrication of integrated circuit mask using information. As a result, the mask manufacturer can quickly start manufacturing the mask, and can efficiently manufacture the mask. This is because if the mask drawing data and the first type data (mask manufacturing specification data, array data, etc.) are sent to the mask manufacturer without being divided, the amount of data will increase, and until the data is sent. There is a problem that the mask maker cannot start manufacturing the mask. On the other hand, if the first type of data having a relatively small data amount is sent to the mask maker first, the mask maker can start preparation for manufacturing the mask desired by the circuit design user U from that point onward. It is possible to smoothly start a full-scale manufacturing of a mask using the second type data (integrated circuit pattern data) having a large amount of data sent from the company. That is, it is possible to reduce the time required for manufacturing the mask because the time originally required for the waiting time can be eliminated.
In the manufacture of semiconductor devices, there may be a special reason that a prototype or a product must be manufactured in a short period of time.
It is a very important task to manufacture a mask for manufacturing a semiconductor device quickly while matching the requirements of the manufacturing equipment of the mask manufacturer MM. Therefore, the technology in the present embodiment is an extremely simple but important technology for advancing the development of the industry related to semiconductor devices in the future.

【0104】また、マスクパターンを歪ませることでウ
エハ露光装置の投影露光歪を低減させる光近接効果補正
(OPC)処理したマスクデータにより、投影露光装置
の性能に合せたマスクを用いることで、マスクに描画さ
れた回路パターンを高精度にウエハに転写することがが
可能となる。
Also, by using mask data that has been subjected to optical proximity correction (OPC) processing to reduce the projection exposure distortion of the wafer exposure apparatus by distorting the mask pattern, a mask suitable for the performance of the projection exposure apparatus can be used. It is possible to transfer the circuit pattern drawn on the wafer with high accuracy.

【0105】また、マスクの透過光に位相差を生じさせ
て転写パターンの解像度を向上させる位相シフトマスク
用描画データにより、マスクに描画された回路パターン
を高精度に半導体ウェハに転写することがが可能とな
る。
Further, the circuit pattern drawn on the mask can be transferred to the semiconductor wafer with high accuracy by the phase shift mask drawing data for generating a phase difference in the transmitted light of the mask to improve the resolution of the transfer pattern. It becomes possible.

【0106】(実施の形態2)図14は、マスク描画デ
ータ作成処理とマスク作成ラインとが一体化したシステ
ムの一例である。
(Embodiment 2) FIG. 14 shows an example of a system in which mask drawing data creation processing and a mask creation line are integrated.

【0107】回路設計ユーザUから、インターネットを
介して、ユーザ回路データを受け取り、マスク描画デー
タ作成からマスク製作まで請け負う。この場合、回路設
計ユーザUと、マスク描画データ処理部およびマスク製
造部との間でコミュニケーションを交わしながら双方の
要求に応じてマスクの製造を行える。費用処理は、マス
ク描画データ作成からマスク製作まで一括して行なう。
なお、図1のマスク製作と分離した場合においても、費
用処理は、マスク描画データ作成からマスク製作まで一
括して受け、マスク製造メーカMMに、インターネット
を介してオーダーすることができる。
The user circuit data is received from the circuit design user U via the Internet, and contracts are made from mask drawing data creation to mask production. In this case, the mask can be manufactured in accordance with both requirements while exchanging communication between the circuit design user U, the mask drawing data processing unit, and the mask manufacturing unit. Cost processing is performed collectively from mask drawing data creation to mask fabrication.
Note that even in the case of separating from the mask production shown in FIG. 1, the cost processing can be collectively received from the mask drawing data creation to the mask production, and can be ordered to the mask manufacturer MM via the Internet.

【0108】本実施の形態2においては、前記実施の形
態1で得られた効果の他に、マスク描画データの作成か
らマスクの製造を一貫して行うことができる、という効
果をえることができる。
In the second embodiment, in addition to the effect obtained in the first embodiment, an effect that a mask can be manufactured consistently from the creation of mask drawing data can be obtained. .

【0109】(実施の形態3)図15は、インターネッ
トを介して、マスク描画データの転送管理のみを行なう
一例である。回路設計ユーザU側で、マスク描画データ
作成処理を行い、その描画データを受け取り、一括管理
する。ユーザ側が必要とする時に、マスク製造メーカM
Mへの転送管理する。
(Embodiment 3) FIG. 15 shows an example in which only transfer management of mask drawing data is performed via the Internet. The circuit design user U performs mask drawing data creation processing, receives the drawing data, and manages it collectively. When the user needs it, the mask manufacturer M
Transfer management to M.

【0110】マスク描画データの管理は、図9に示した
方式にて、マスク描画データを管理するための管理情報
をマスク描画データ用データベースを構築して管理す
る。ユーザグループ内で、多数の描画データ管理し、そ
の一部の描画データを共通して用いる場合は特に有効で
ある。
In the management of the mask drawing data, the management information for managing the mask drawing data is managed by constructing a mask drawing data database by the method shown in FIG. This is particularly effective when a large number of drawing data are managed in a user group and a part of the drawing data is commonly used.

【0111】回路設計者個人がマスク描画データを保有
していると、設計者が変わってしまった場合などに、そ
のマスク描画データを管理できないという場合がある。
本実施の形態3においては、マスク描画データを管理で
きるので、そのような不具合を無くすことができる。し
たがって、マスクを効率良く製造することが可能とな
る。
If the circuit designer owns the mask drawing data, it may not be possible to manage the mask drawing data when the designer changes.
In the third embodiment, since mask drawing data can be managed, such a problem can be eliminated. Therefore, the mask can be manufactured efficiently.

【0112】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say,

【0113】たとえば、前記実施例においては、電子ビ
ーム描画装置を用いてマスクに回路パターンを描画する
場合について例示したが、レーザービーム描画装置によ
ってマスクに回路パターンを描画してもよい。
For example, in the above-described embodiment, the case where a circuit pattern is drawn on a mask using an electron beam drawing apparatus has been described. However, a circuit pattern may be drawn on a mask using a laser beam drawing apparatus.

【0114】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるDRA
Mの製造に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えばSRAM(Static Rando
m Access Memory)またはフラッシュメモリ(EEPR
OM;Electric Erasable Programmable Read Only Mem
ory)等のようなメモリ回路を有する半導体装置の製造
方法、マイクロプロセッサ等のような論理回路を有する
半導体装置あるいは上記メモリ回路と論理回路とを同一
基板に設けている混載型の半導体装置の製造方法にも適
用できる。また、各種半導体装置の製造工程におけるフ
ォトリソグラフィ工程に用いるマスク製作について例示
したが、液晶基板、プリント回路基板またはマイクロマ
シンなどの製造に用いるマスクの製作などに適用でき
る。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor has been described in terms of the DRA which is the application field in which the invention is based.
Although the description has been given of the case where the present invention is applied to the manufacture of the M, the present invention is not limited thereto.
m Access Memory) or flash memory (EEPR)
OM; Electric Erasable Programmable Read Only Mem
or a semiconductor device having a logic circuit such as a microprocessor, or a semiconductor device having a logic circuit such as a microprocessor, or a hybrid semiconductor device having the memory circuit and the logic circuit provided on the same substrate. The method can also be applied. In addition, although mask production used in a photolithography process in the production process of various semiconductor devices has been described as an example, the present invention can be applied to production of a mask used in production of a liquid crystal substrate, a printed circuit board, a micromachine, or the like.

【0115】[0115]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。 (1).半導体装置の設計部(または設計業者)と、マスク
の製造部(または製造業者)との間に、マスクデータの
作成業部(または作成業者)を介在させ、それらの間の
コミュニケーションが良好に行われるような状態で、そ
れらの間を通信回線を通じて接続し、これらの構成を用
いてマスクのデータ作成処理から製造処理を進める工程
を有することにより、半導体装置の設計部とマスクの製
造部との間の整合をマスクデータの作業部により取るこ
とができ、集積回路マスクパターンを効率的にマスクに
描画することができるので、マスクを効率的に製造する
ことが可能となる。 (2).上記(1)により、マスク描画データの作成とそのマ
スク描画データの管理とにかかるコストを低減すること
が可能となる。 (3).上記(2)により、マスクを用いて投影露光により半
導体ウエハ上に回路パターンを形成する工程において、
投影露光装置の性能に合ったマスクを用いることができ
るので、マスクに描画された回路パターンを半導体ウエ
ハに高精度に転写することが可能となる。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows. (1). A mask data creation department (or maker) is interposed between a semiconductor device design department (or a designer) and a mask manufacturing department (or a manufacturer), and communication between them is performed. In such a state that satisfactorily is performed, there is a step of connecting between them through a communication line and proceeding from the mask data creation processing to the manufacturing processing by using these configurations, so that the design part of the semiconductor device and the mask are formed. The matching with the manufacturing unit can be performed by the mask data working unit, and the integrated circuit mask pattern can be efficiently drawn on the mask, so that the mask can be manufactured efficiently. (2) According to the above (1), it is possible to reduce the cost of creating mask drawing data and managing the mask drawing data. (3) According to the above (2), in the step of forming a circuit pattern on the semiconductor wafer by projection exposure using a mask,
Since a mask suitable for the performance of the projection exposure apparatus can be used, a circuit pattern drawn on the mask can be transferred onto a semiconductor wafer with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態であるマスク描画データ
作成業者、フォトマスク製造メーカおよび回路設計ユー
ザの相関を示す全体説明図である。
FIG. 1 is an overall explanatory diagram showing a correlation among a mask drawing data creator, a photomask manufacturer, and a circuit design user according to an embodiment of the present invention.

【図2】半導体集積回路装置の製造工程で製品仕様設計
からマスクパターンデータの作成までのフローチャート
の一例を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a flowchart from a product specification design to creation of mask pattern data in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device.

【図3】半導体集積回路装置の製造工程で、設計パター
ンデータからマスク描画データへ変換し、回路パターン
を半導体ウエハへの転写工程までの流れを示す説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a flow of converting a design pattern data into mask drawing data and transferring a circuit pattern to a semiconductor wafer in a manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device.

【図4】本発明の一実施の形態における回路設計ユーザ
とマスク描画データ処理システムとの処理開始の一例を
示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of the start of processing between a circuit design user and a mask drawing data processing system according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態において、回路設計ユー
ザがマスク描画データ処理システムを用い、マスク描画
データを作成する処理の一例を示す説明図である。であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of a process in which a circuit design user creates mask drawing data using a mask drawing data processing system according to an embodiment of the present invention; It is.

【図6】本発明の一実施の形態において、回路設計ユー
ザがマスク描画データ処理システムを用い、マスク配列
データを作成する処理の一例を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating an example of a process in which a circuit design user creates mask array data using a mask drawing data processing system according to an embodiment of the present invention;

【図7】本発明の一実施の形態において、回路設計ユー
ザがマスク描画データ処理システムを用い、マスク描画
データを検証する処理の一例を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an example of a process in which a circuit design user verifies mask drawing data using a mask drawing data processing system according to an embodiment of the present invention;

【図8】本発明の一実施の形態において、回路設計ユー
ザがマスク描画データ処理システムを用い、マスク描画
データを送付する処理の一例を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an example of a process in which a circuit design user sends mask drawing data using a mask drawing data processing system according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態において、半導体集積回
路用マスクの製造工程におけるマスク描画データを管理
するための管理情報(マスク描画データ用データベー
ス)の一例を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an example of management information (mask drawing data database) for managing mask drawing data in a manufacturing process of a mask for a semiconductor integrated circuit in one embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造に用いるフォトマスクの全体構成を示す説明
図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a photomask used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施の形態で用いられる位相シフ
トマスクデータ作成の説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram of creating phase shift mask data used in an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の一実施の形態で用いられる位相
シフトマスクデータ作成の説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of creating phase shift mask data used in another embodiment of the present invention.

【図13】本発明の他の一実施の形態で用いられる光近
接効果補正データ作成の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of creating optical proximity effect correction data used in another embodiment of the present invention.

【図14】本発明の他の一実施の形態で用いられるマス
クデータ処理とマスク製作とを一体化した場合のユーザ
との相関を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing a correlation with a user when mask data processing and mask production used in another embodiment of the present invention are integrated.

【図15】本発明の他の一実施の形態で用いられるマス
クデータ管理システムとユーザとの相関を示す説明図で
ある。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a correlation between a mask data management system used in another embodiment of the present invention and a user.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フォトマスク 1S マスク基板 2a,2b 開口パターン 3a,3b,3b1 遮光パターン 4a 遮光パターン 5a 開口パターン S システム U 回路設計ユーザ MD マスク描画データ作成業者 MM マスク製造メーカ WF 半導体ウエハ製造ファブリケーション LM1 回線装置 LM2 回線装置 DM データ記憶部 CA,CB チップ転写領域 AM アライメントマーク SL 遮光帯 IP1,IP2,IP3 入力パターン OP1,OP2,OP3 出力パターン PS1,PS2 位相シフタパターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photomask 1S Mask substrate 2a, 2b Opening pattern 3a, 3b, 3b1 Light-shielding pattern 4a Light-shielding pattern 5a Opening pattern S System U Circuit design user MD Mask drawing data maker MM Mask maker WF Semiconductor wafer manufacturing Fabrication LM1 Line device LM2 Line device DM Data storage unit CA, CB Chip transfer area AM Alignment mark SL Shading band IP1, IP2, IP3 Input pattern OP1, OP2, OP3 Output pattern PS1, PS2 Phase shifter pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 正道 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 2H095 BA01 BB02 5B046 AA08 BA10 DA05 GA01 KA04 KA05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Masamichi Kobayashi 5-20-1, Kamizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo F-term in the Semiconductor Group, Hitachi, Ltd. (Reference) 2H095 BA01 BB02 5B046 AA08 BA10 DA05 GA01 KA04 KA05

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数顧客の集積回路マスク製作に用いる
マスク描画データを作成管理する方法であって、(a)
顧客認証後、顧客からのマスク描画データ処理依頼信号
の受信に応じ、顧客の半導体ウエハ上に形成する回路パ
ターンデータを受け取り、暗号化保管するステップ、
(b)メニュー化した描画データの作成条件に対する顧
客の選択により、マスク描画データを作成し、描画デー
タを暗号化保管するステップ、(c)顧客認証後、顧客
単位または顧客の属するグループ全体のマスク描画デー
タ検索により描画データを取り出し、顧客指定のネット
ワークアドレスに送付して、復号化処理を行うステッ
プ、(d)顧客認証後、指示により登録した描画データ
を削除するステップ、(e)顧客の属するグループの描
画データファイル数とデータボリューム総量と保管期間
のデータを顧客側へ呈示するステップ、とを有すること
を特徴とするマスク描画データ作成管理方法。
1. A method for creating and managing mask drawing data used for manufacturing an integrated circuit mask for a plurality of customers, comprising:
Receiving the circuit pattern data formed on the semiconductor wafer of the customer in response to receiving the mask drawing data processing request signal from the customer after the customer authentication, and encrypting and storing the received circuit pattern data;
(B) a step of creating mask drawing data and encrypting and storing the drawing data according to the customer's selection with respect to a menu of drawing data creation conditions; and (c) masking the customer unit or the entire group to which the customer belongs after customer authentication. Drawing data by drawing data search, sending the drawing data to a customer-specified network address and performing a decryption process, (d) deleting the drawing data registered by the instruction after the customer authentication, and (e) belonging to the customer Presenting the data of the number of drawing data files, the total data volume, and the storage period of the group to the customer side.
【請求項2】 顧客の投影露光マスク製作に用いるマス
ク描画データを作成管理するデータ処理システムであっ
て、(a)インターネットを介し、ユーザの半導体ウエ
ハ上に形成する回路パターンデータを受け取る手段、
(b)半導体製造の標準プロセスに対応したマスク描画
データ作成内容をメニュー表示する手段、(c)顧客の
メニュー選択によりマスク描画データを作成する手段、
(d)顧客のマスク描画データを暗号化保管する手段、
(e)顧客のデータ検索により描画データの取り出し手
段、(f)顧客指定のネットワークアドレスに送付し
て、描画データの復号化処理を行う手段、(g)顧客の
描画データファイル数とデータボリューム総量と保管期
間をカウントする手段、を含むことを特徴とするデータ
処理システム。
2. A data processing system for creating and managing mask drawing data used for producing a projection exposure mask of a customer, comprising: (a) means for receiving, via the Internet, circuit pattern data to be formed on a user's semiconductor wafer;
(B) means for displaying a menu of mask drawing data creation contents corresponding to a standard process of semiconductor manufacturing, (c) means for creating mask drawing data by menu selection by a customer,
(D) means for encrypting and storing customer mask drawing data;
(E) means for retrieving drawing data by retrieving customer data, (f) means for sending to a network address designated by the customer to perform decoding processing on the drawing data, (g) number of drawing data files and total data volume of the customer And a means for counting a storage period.
【請求項3】 半導体ウエハ露光に用いるフォトマスク
を製造する方法であって、マスクメーカと通信回線を介
してオンライン接続してマスクデータを送付する際に、
集積回路マスク製作に用いるマスクデータは、オーダー
伝票、マスク製作仕様書およびチップ配列データの少な
くとも一つを含む第1種データと、集積回路パターンデ
ータを含む第2種データとに分け、前記第1種データと
第2種データとのリンク付け情報を付加して、マスクメ
ーカへ時間的に離散したオンライン送付を可能とし、前
記リンク付け情報を用い集積回路マスク製作することを
特徴とするフォトマスクの製造方法。
3. A method for manufacturing a photomask used for semiconductor wafer exposure, comprising: connecting a mask maker online via a communication line to send mask data;
The mask data used for manufacturing the integrated circuit mask is divided into first type data including at least one of an order slip, a mask manufacturing specification, and chip arrangement data, and second type data including integrated circuit pattern data. Linking information between the seed data and the second type data is added to enable time-dispersed online transmission to a mask maker, and an integrated circuit mask is manufactured using the linking information. Production method.
【請求項4】 半導体ウエハ露光に用いるフォトマスク
を製作する際に、半導体ウエハ上に形成する回路パター
ンデータからフォトマスク上に形成する回路パターンの
描画データを作成し、描画データ名称の重複を許容して
一つのコンピュータ記憶装置に保管し、前記重複描画デ
ータから選択した描画データを前記コンピュータ記憶装
置よりマスクメーカへ描画データ転送させて、マスク描
画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
4. When manufacturing a photomask used for semiconductor wafer exposure, drawing data of a circuit pattern formed on a photomask is created from circuit pattern data formed on a semiconductor wafer, and duplication of drawing data names is allowed. And storing the image data in one computer storage device, and transferring the drawing data selected from the duplicated drawing data to the mask maker from the computer storage device to a mask maker to perform mask drawing.
【請求項5】 半導体ウエハ露光に用いるフォトマスク
を製作する際に、マスクデータを複数に分割し、分散処
理により作成し、前記分割データの描画データ名称の重
複を許容して一つのコンピュータ記憶装置に保管し、前
記マスクデータは、露光装置のアライメントマークデー
タを含めて、マスク基板上への前記分割描画データ配置
を規定する情報、マスク製作仕様書とのリンク情報を付
加した上で、前記コンピュータ記憶装置からマスクメー
カへ時間的に離散してオンライン送付し、前記リンク付
け情報を用いて、集積回路マスクを製作することを特徴
とするフォトマスクの製造方法。
5. When manufacturing a photomask used for semiconductor wafer exposure, one computer storage device is formed by dividing mask data into a plurality of pieces and creating the mask data by distributed processing, and allowing overlapping of drawing data names of the divided data. The mask data, including the alignment mark data of the exposure apparatus, the information defining the arrangement of the divided drawing data on the mask substrate, the link information with the mask manufacturing specification, and the computer A method of manufacturing a photomask, comprising: discretely sending the information from a storage device to a mask maker and sending it on-line; and using the linking information to manufacture an integrated circuit mask.
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