JP2002343818A - Bga wiring substrate, manufacturing method therefor and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Bga wiring substrate, manufacturing method therefor and method of manufacturing semiconductor device

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JP2002343818A JP2001143217A JP2001143217A JP2002343818A JP 2002343818 A JP2002343818 A JP 2002343818A JP 2001143217 A JP2001143217 A JP 2001143217A JP 2001143217 A JP2001143217 A JP 2001143217A JP 2002343818 A JP2002343818 A JP 2002343818A
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resist layer
wiring board
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武志 千野
Hirofumi Fujii
浩文 藤井
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the warp of a BGA wiring board as much as possible or to substantially eliminate it and to improve connection reliability when it is mounted on the other printed wiring board. SOLUTION: Solder resist layers 13a and 13b as protection films are arranged on both sides of the board 12 constituted of an insulating material. The opening part of a mold gate 14 to which resin is injected at the time of sealing the mounted semiconductor chip is made in a part corresponding to the prescribed area of the board 12. An opening part 15 whose shape is almost similar to the mold gate 14 is arranged in a part which is face-symmetrical to the mold gate 14 across the board 12 in the solder resist layer 13b of a ball junction side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、BGA(ボール・
グリッド・アレイ)型配線基板及びその製造方法並びに
半導体装置に関し、より詳細には、BGA型配線基板の
反りを低減するのに有用な技術に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a BGA (ball
More particularly, the present invention relates to a technique useful for reducing the warpage of a BGA type wiring board, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、BGA型配線基板は、小型・多ピ
ン化されたBGAを搭載すべく、その軽量化及び薄型化
が要求されている。このため、最近のBGA型配線基板
には、ガラス−エポキシ樹脂複合板などを積層してなる
プラスチックタイプのものが多く用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, a BGA type wiring board has been required to be light and thin in order to mount a BGA having a small size and a large number of pins. For this reason, a plastic type laminated glass-epoxy resin composite board or the like is often used as a recent BGA type wiring board.

【0003】かかるプラスチックタイプのBGA型配線
基板は、典型的には、片面もしくは両面に銅箔を張り付
けた銅張り樹脂板(ガラス−エポキシ樹脂複合板など)
をレジスト塗布やエッチング等を行って銅配線パターン
を形成したり、樹脂板にスルーホールを明けてその内壁
面に銅めっきを施したものをエポキシ接着剤により積層
することにより、作製される。そして、このようにして
作製されたBGA型配線基板に所要個数の半導体チップ
が搭載され、半導体装置が製造される。
[0003] Such a plastic type BGA type wiring board is typically a copper-clad resin plate (such as a glass-epoxy resin composite plate) having a copper foil attached to one or both surfaces.
Is formed by applying a resist or etching to form a copper wiring pattern, or by laminating a resin plate having through holes formed therein and copper plating on the inner wall surface thereof with an epoxy adhesive. Then, a required number of semiconductor chips are mounted on the BGA type wiring board thus manufactured, and a semiconductor device is manufactured.

【0004】この半導体装置の製造プロセスは、一般的
に、基板に半導体チップを搭載する処理(ダイ・アタッ
チング)、半導体チップの電極と基板上の配線パターン
とをワイヤにより電気的に接続する処理(ワイヤ・ボン
ディング)、半導体チップ、ワイヤ等を封止樹脂により
封止する処理(モールディング)、チップ搭載側と反対
側の基板面にはんだボール等の外部接続端子を接合する
処理(ボール・マウンティング)、基板を各パッケージ
(半導体装置)単位に分割する処理(ダイシング又はカ
ッティング)等を含む。また、モールディングの形態と
しては、各半導体チップ毎にモールディングを行う個別
モールディング方式と、複数個の半導体チップ単位でモ
ールディングを行う一括モールディング方式とがある。
The manufacturing process of this semiconductor device generally includes a process of mounting a semiconductor chip on a substrate (die attaching) and a process of electrically connecting electrodes of the semiconductor chip to wiring patterns on the substrate by wires ( A process of bonding semiconductor chips, wires, etc. with a sealing resin (molding), a process of bonding external connection terminals such as solder balls to a substrate surface opposite to a chip mounting side (ball mounting), This includes processing (dicing or cutting) for dividing the substrate into packages (semiconductor devices). Further, as a form of molding, there are an individual molding method in which molding is performed for each semiconductor chip and a collective molding method in which molding is performed in units of a plurality of semiconductor chips.

【0005】最近のBGA型配線基板のトレンドとし
て、パッケージの組立(アセンブリ)の効率化という観
点から、個別モールディング方式よりも一括モールディ
ング方式の方が主流となりつつある。一括モールディン
グ方式では、ダイ・アタッチング及びワイヤ・ボンディ
ングが行われた後の配線基板に対し、モールディング金
型(基板を載置する下型と、封止樹脂の最終形状に応じ
た凹部を有する上型)を用いて、加熱及び加圧しながら
封止樹脂を充填する。
[0005] As a recent trend of BGA type wiring boards, from the standpoint of increasing the efficiency of package assembly (assembly), the collective molding method is becoming more mainstream than the individual molding method. In the batch molding method, the die after the die attachment and wire bonding are performed, a molding die (a lower die on which the substrate is placed, and an upper die having a concave portion corresponding to the final shape of the sealing resin) ), The sealing resin is filled while applying heat and pressure.

【0006】このとき、封止樹脂を充填するための注入
口として、「モールドゲート部」と呼ばれる領域が配線
基板に設けられている。このモールドゲート部は、配線
基板の表面を保護するために被覆された絶縁層(典型的
にはソルダレジスト層)の所定部分を除去する(つま
り、配線基板を断面的に見たときにその所定部分を開口
する)ことにより形成される。
At this time, a region called a “mold gate portion” is provided in the wiring board as an injection port for filling the sealing resin. The molded gate portion removes a predetermined portion of the insulating layer (typically, a solder resist layer) coated to protect the surface of the wiring board (that is, the predetermined portion when the wiring board is viewed in cross section). Opening part).

【0007】かかるモールドゲート部を備えたBGA型
配線基板の構成例を図1に示す。図中、(a)及び
(b)は配線基板1をそれぞれチップ搭載側(表面)及
びボール接合側(裏面)から見た平面図、(c)はA−
A’線に沿って見た、問題が生じている状態の断面図で
ある。また、2は配線基板1のベースとなる樹脂等から
なるコア基板、3a及び3bはそれぞれコア基板2のチ
ップ搭載側及びボール接合側に被覆されたソルダレジス
ト層、4はモールドゲート部を示す。
FIG. 1 shows a configuration example of a BGA type wiring board having such a mold gate portion. In the figures, (a) and (b) are plan views of the wiring board 1 as viewed from the chip mounting side (front side) and the ball bonding side (back side), respectively, and (c) is an A-
FIG. 4 is a cross-sectional view of a state where a problem has occurred, taken along line A ′. Reference numeral 2 denotes a core substrate made of resin or the like serving as a base of the wiring substrate 1, 3a and 3b denote solder resist layers coated on the chip mounting side and the ball bonding side of the core substrate 2, respectively, and 4 denotes a mold gate portion.

【0008】一括モールディング方式では、複数の半導
体チップに対して一括してモールディングを行うため
に、配線基板1のチップ搭載側において、モールドゲー
ト部4は幅広く開口しており、また基板1の周縁に沿っ
て長く帯状に存在している(図1(a)及び(c)参
照)。一方、配線基板1のボール接合側において、チッ
プ搭載側のモールドゲート部4に対応する部分は開口さ
れておらず、この部分にはソルダレジスト層3bが形成
されている(図1(b)及び(c)参照)。
In the collective molding method, the mold gate portion 4 has a wide opening on the chip mounting side of the wiring substrate 1 in order to collectively mold a plurality of semiconductor chips. It is present in a long strip along the length (see FIGS. 1 (a) and 1 (c)). On the other hand, on the ball bonding side of the wiring substrate 1, a portion corresponding to the mold gate portion 4 on the chip mounting side is not opened, and a solder resist layer 3b is formed in this portion (FIG. 1B and FIG. (C)).

【0009】このように、モールドゲート部4は配線基
板1の片面のみに設けられ、しかも基板上の特定の部分
に帯状に偏在していた。
As described above, the mold gate portion 4 is provided only on one surface of the wiring substrate 1, and is unevenly distributed in a specific portion on the substrate in a belt shape.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
BGA型配線基板(図1)では、後のアセンブリ工程で
モールディングを行う際に用いるモールドゲート部4が
配線基板1の片面のみに設けられていたため、配線基板
1のチップ搭載側に形成されたソルダレジスト層3aと
ボール接合側に形成されたソルダレジスト層3bとの面
積の差(つまり、全体としての熱膨張率の差)に起因し
て、図1(c)に矢印で示すようにボール接合側のソル
ダレジスト層3bが収縮し、その結果、基板1の裏面側
が収縮し、図中Wで示す分だけ基板1が反ってしまうと
いった不都合があった。
As described above, in the conventional BGA type wiring board (FIG. 1), the mold gate portion 4 used for performing molding in a later assembly process is provided on only one surface of the wiring board 1. Therefore, the difference in the area between the solder resist layer 3a formed on the chip mounting side of the wiring board 1 and the solder resist layer 3b formed on the ball joint side (that is, the difference in the thermal expansion coefficient as a whole) is caused. As shown by an arrow in FIG. 1C, the solder resist layer 3b on the ball bonding side shrinks, and as a result, the back side of the substrate 1 shrinks, and the substrate 1 warps by an amount indicated by W in the figure. There was an inconvenience.

【0011】かかる不都合は、特に、アセンブリ工程に
おいてモールディング時に加熱処理を行ったときに一層
顕著に現れる。また、特に最近では、薄型化等の要求に
伴い基板の厚さそのものが薄くなる傾向にあるため、上
記の基板の反りはより一層顕著である。基板が反った状
態でパッケージの組立を行うと、最終的にカッティング
により得られる個々のパッケージ(半導体装置)の裏面
も同様に反った状態(つまり、平坦ではない状態)とな
る。このため、このパッケージ(半導体装置)を他のプ
リント配線板等の実装用基板に実装したときに、両者間
に信頼性の高い電気的接続を確保するのが困難になると
いった不都合が生じる。
[0011] Such inconveniences become more conspicuous especially when a heat treatment is performed during molding in the assembly process. In recent years, in particular, since the thickness of the substrate itself tends to be reduced in accordance with a demand for thinning or the like, the warpage of the substrate is further remarkable. When the package is assembled in a state where the substrate is warped, the back surface of each package (semiconductor device) finally obtained by cutting is also in a warped state (that is, not flat). For this reason, when this package (semiconductor device) is mounted on another mounting substrate such as a printed wiring board, it is difficult to ensure reliable electrical connection between the two.

【0012】本発明は、かかる従来技術における課題に
鑑み創作されたもので、配線基板の反りを極力低減し又
は実質的に無くし、ひいては他のプリント配線板等に実
装したときの接続信頼性を高めるのに寄与することがで
きるBGA型配線基板及びその製造方法並びに半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and minimizes or substantially eliminates the warpage of a wiring board, thereby improving the connection reliability when mounted on another printed wiring board or the like. It is an object of the present invention to provide a BGA type wiring board, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor device, which can contribute to the enhancement.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の課題
を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体チッ
プを搭載するBGA型配線基板であって、絶縁材料から
なる基板と、該基板の一方の面及び他方の面にそれぞれ
所要のパターン形状を有して形成された第1の配線層及
び第2の配線層と、前記第1の配線層を被覆して前記基
板の一方の面に形成された第1のソルダレジスト層、及
び前記第2の配線層を被覆して前記基板の他方の面に形
成された第2のソルダレジスト層とを備え、前記第1の
ソルダレジスト層が、前記基板の一方の面の所定の領域
に対応する部分に、搭載する半導体チップを封止する際
に樹脂を注入するモールドゲート部の開口部を有し、前
記第2のソルダレジスト層が、前記基板を挟んで前記モ
ールドゲート部と面対称にある部分に、該モールドゲー
ト部と略同一形状の開口部を有することを特徴とするB
GA型配線基板が提供される。
According to an embodiment of the present invention, there is provided a BGA type wiring board on which a semiconductor chip is mounted, the board comprising an insulating material. A first wiring layer and a second wiring layer, each having a required pattern shape on one surface and the other surface of the substrate, and one of the substrates by covering the first wiring layer; A first solder resist layer formed on a surface of the substrate, and a second solder resist layer formed on the other surface of the substrate so as to cover the second wiring layer, wherein the first solder resist layer Has an opening of a mold gate portion for injecting a resin when sealing a semiconductor chip to be mounted, in a portion corresponding to a predetermined region on one surface of the substrate, and the second solder resist layer has And the mold gate portion across the substrate A portion of the symmetric, B characterized by having an opening of the mold gate portion and substantially the same shape
A GA type wiring board is provided.

【0014】この形態に係るBGA型配線基板によれ
ば、第2のソルダレジスト層(基板の他方の面側)にお
いて、第1のソルダレジスト層(基板の一方の面側)の
所定の部分が開口されて形成されたモールドゲート部に
対し、基板を挟んで面対称にある部分は、モールドゲー
ト部と同一形状で開口されているので、この部分におい
て基板両面間に実質的な熱膨張率の差は生じない。その
結果、配線基板の反りを極力低減し、あるいは実質的に
無くすことができる。
According to the BGA type wiring board of this embodiment, a predetermined portion of the first solder resist layer (one side of the substrate) is formed on the second solder resist layer (the other side of the substrate). With respect to the formed mold gate portion, a portion which is symmetric with respect to the plane with the substrate interposed therebetween is opened in the same shape as the mold gate portion. There is no difference. As a result, it is possible to minimize or substantially eliminate the warpage of the wiring substrate.

【0015】従って、アセンブリ工程においてモールデ
ィングの際に加熱処理を行ったときでも、基板面、すな
わちパッケージ(半導体装置)の裏面を平坦に維持する
ことができる。これによって、このパッケージ(半導体
装置)を他のプリント配線板等に実装したときに、両者
間の接続信頼性を高めることが可能となる。また、本発
明の他の形態によれば、絶縁材料からなる基板の両面に
それぞれ所要のパターン形状を有した配線層を形成する
工程と、前記配線層を被覆して前記基板の両面にそれぞ
れソルダレジスト層を形成する工程と、各ソルダレジス
ト層に対しそれぞれ所定の形状に従うようにパターニン
グを行う工程とを含み、該パターニングを行う工程にお
いて、一方の面側のソルダレジスト層の、前記基板の所
定の領域に対応する部分に、搭載する半導体チップを封
止する際に樹脂を注入するモールドゲート部の開口部を
形成すると共に、他方の面側のソルダレジスト層の、前
記基板を挟んで前記モールドゲート部と面対称にある部
分に、該モールドゲート部と略同一形状の開口部を形成
することを特徴とするBGA型配線基板の製造方法が提
供される。
Therefore, even when a heat treatment is performed during molding in the assembly process, the substrate surface, that is, the back surface of the package (semiconductor device) can be kept flat. As a result, when this package (semiconductor device) is mounted on another printed wiring board or the like, the connection reliability between the two can be improved. According to another embodiment of the present invention, a step of forming a wiring layer having a required pattern shape on both sides of a substrate made of an insulating material, and a step of coating the wiring layer with solder on both sides of the substrate, respectively. Forming a resist layer, and patterning each solder resist layer so as to follow a predetermined shape. In the patterning step, the solder resist layer on one surface side has a predetermined shape on the substrate. In a portion corresponding to the region of the above, an opening of a mold gate portion for injecting a resin when sealing a semiconductor chip to be mounted is formed, and the mold of the solder resist layer on the other surface side is sandwiched by the mold. A method for manufacturing a BGA type wiring board is provided, wherein an opening having substantially the same shape as the mold gate is formed in a portion symmetrical with the gate. .

【0016】さらに、前記配線層を形成する工程におい
て、搭載する半導体チップの電極に接続されるワイヤを
接続するためのパッドを有する第1の配線層を前記基板
の一方の面に形成すると共に、外部接続端子としてのは
んだボールを接合するためのパッドを有する第2の配線
層を前記基板の他方の面に形成し、前記パターニングを
行う工程において、一方の面側のソルダレジスト層の、
前記第1の配線層のパッドに対応する部分に開口部を形
成すると共に、他方の面側のソルダレジスト層の、前記
第2の配線層のパッドに対応する部分に開口部を形成す
るようにしてもよい。
Further, in the step of forming the wiring layer, a first wiring layer having a pad for connecting a wire connected to an electrode of a semiconductor chip to be mounted is formed on one surface of the substrate, In the step of forming a second wiring layer having a pad for bonding a solder ball as an external connection terminal on the other surface of the substrate, and performing the patterning, in the solder resist layer on one surface side,
An opening is formed in a portion corresponding to the pad of the first wiring layer, and an opening is formed in a portion of the solder resist layer on the other surface corresponding to the pad of the second wiring layer. You may.

【0017】本発明のさらに他の形態によれば、上述し
たBGA型配線基板の製造方法によって製造されたBG
A型配線基板を用いた半導体装置の製造方法が提供され
る。この方法は、BGA型配線基板の前記一方の面側の
チップ搭載領域に、半導体チップを搭載する工程と、前
記半導体チップの電極と前記一方の面側のソルダレジス
ト層から露出している前記第1の配線層のパッドとをボ
ンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記
モールドゲート部から樹脂を注入して、前記半導体チッ
プ及び前記ボンディングワイヤを当該樹脂により封止す
る工程と、前記他方の面側のソルダレジスト層から露出
している前記第2の配線層のパッドにはんだボールを接
合する工程と、以上の工程を経て得られたBGA型配線
基板を各半導体装置単位に分割する工程とを含むことを
特徴とする。
According to still another aspect of the present invention, a BG manufactured by the above-described method for manufacturing a BGA type wiring board is provided.
A method for manufacturing a semiconductor device using an A-type wiring board is provided. The method comprises the steps of: mounting a semiconductor chip on the chip mounting area on the one surface side of the BGA type wiring board; and forming the second semiconductor chip exposed from the electrodes of the semiconductor chip and the solder resist layer on the one surface side Electrically connecting a pad of the first wiring layer with a bonding wire, injecting a resin from the mold gate portion, and sealing the semiconductor chip and the bonding wire with the resin; Bonding a solder ball to the pad of the second wiring layer exposed from the solder resist layer on the surface side, and dividing the BGA type wiring board obtained through the above steps into semiconductor device units. It is characterized by including.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図2は本発明の第1の実施形態に
係るBGA型配線基板の構成を模式的に示したものであ
る。図2において、(a)は本実施形態に係るBGA型
配線基板11をチップ搭載側(表面)から見た平面図、
(b)は配線基板11をボール接合側(裏面)から見た
平面図、(c)はA−A’線に沿って見た断面図であ
る。また、12は配線基板11のベースとなる樹脂等の
絶縁材料からなるコア基板、13aはコア基板12のチ
ップ搭載側に被覆された保護膜(絶縁層)としてのソル
ダレジスト層、13bはコア基板12のボール接合側に
被覆された保護膜(絶縁層)としてのソルダレジスト
層、14はチップ搭載側に設けられたモールドゲート
部、15はボール接合側に設けられた開口部を示す。
FIG. 2 schematically shows the structure of a BGA type wiring board according to a first embodiment of the present invention. 2A is a plan view of the BGA type wiring board 11 according to the present embodiment as viewed from the chip mounting side (front surface).
(B) is a plan view of the wiring substrate 11 as viewed from the ball bonding side (back surface), and (c) is a cross-sectional view as viewed along the line AA '. Reference numeral 12 denotes a core substrate made of an insulating material such as resin serving as a base of the wiring substrate 11, 13a denotes a solder resist layer as a protective film (insulating layer) coated on the chip mounting side of the core substrate 12, and 13b denotes a core substrate. Reference numeral 12 denotes a solder resist layer as a protective film (insulating layer) coated on the ball bonding side, reference numeral 14 denotes a mold gate portion provided on the chip mounting side, and reference numeral 15 denotes an opening provided on the ball bonding side.

【0019】モールドゲート部14は、図1に関連して
上述したように封止樹脂を注入するための開口部であ
り、図2(a)及び(c)に示すようにチップ搭載側の
ソルダレジスト層13aが形成されていない領域によっ
て画定されている。本実施形態では、モールドゲート部
14は4箇所に設けられており、パッケージの組立を行
うときに、各モールドゲート部14からそれぞれマトリ
クス状に配列された3×3(=9)個の半導体チップに
対し一括してモールディングが行われるようになってい
る。
The mold gate portion 14 is an opening for injecting the sealing resin as described above with reference to FIG. 1, and as shown in FIGS. 2A and 2C, the solder on the chip mounting side. It is defined by a region where the resist layer 13a is not formed. In the present embodiment, the mold gate portions 14 are provided at four positions, and when assembling a package, 3 × 3 (= 9) semiconductor chips arranged in a matrix form from each mold gate portion 14 respectively. Molding is performed collectively.

【0020】一方、開口部15は、本発明の特徴をなす
部分であり、チップ搭載側の対応するモールドゲート部
14と同じ形状を有し、当該モールドゲート部の位置に
対応する部分(つまり、基板を挟んで面対称の位置)に
設けられている。この開口部15についても同様に、図
2(b)及び(c)に示すようにボール接合側のソルダ
レジスト層13bが形成されていない領域によって画定
されている。
On the other hand, the opening 15 is a feature of the present invention, has the same shape as the corresponding mold gate 14 on the chip mounting side, and has a portion corresponding to the position of the mold gate (ie, (A position symmetrical with respect to the plane across the substrate). Similarly, the opening 15 is defined by a region where the solder resist layer 13b on the ball joint side is not formed, as shown in FIGS. 2B and 2C.

【0021】以下、本実施形態に係るBGA型配線基板
11を製造する方法について、その製造工程を順に示す
図3〜図5を参照しながら説明する。なお、図3〜図5
の例示では、図2のB−B’線に沿って見た断面構造を
示しており、また、図示の簡単化のため2層配線構造と
している。先ず、最初の工程では(図3(a)参照)、
ガラス布基材銅張積層板を用意する。すなわち、ガラス
布を基材としてBT樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂等を含浸させてコア基板12とし、その両面に銅(C
u)箔21を積層し接着させた板を用意する。
Hereinafter, a method of manufacturing the BGA type wiring board 11 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5
2 shows a cross-sectional structure as viewed along the line BB 'in FIG. 2, and has a two-layer wiring structure for simplification of the drawing. First, in the first step (see FIG. 3A),
Prepare a glass cloth base copper-clad laminate. That is, a core substrate 12 is formed by impregnating a BT resin, an epoxy resin, a polyimide resin or the like with a glass cloth as a base material, and copper (C
u) Prepare a plate on which the foils 21 are laminated and bonded.

【0022】次の工程では(図3(b)参照)、ガラス
布基材銅張積層板12(21)の所要箇所に、例えば機
械的ドリルを用いて、スルーホール22を形成する。こ
の場合、形成すべきスルーホール22の直径に依って
は、機械的ドリルを用いる代わりに、CO2 レーザ、エ
キシマレーザ等を用いて所要の穴明け処理を行ってもよ
い。
In the next step (see FIG. 3B), a through hole 22 is formed at a required portion of the glass-clad copper-clad laminate 12 (21) by using, for example, a mechanical drill. In this case, depending on the diameter of the through hole 22 to be formed, a required drilling process may be performed using a CO 2 laser, an excimer laser, or the like instead of using a mechanical drill.

【0023】次の工程では(図3(c)参照)、ガラス
布基材銅張積層板12(21)のスルーホール22の内
壁を含めて表面全体にCuの導体層23を形成する。こ
の導体層23は、例えば、Cuの無電解めっきにより全
面に薄膜状Cu層を形成した後、この薄膜状Cu層を給
電層として、Cuの電解めっきにより薄膜状Cu層の上
にCu層を積層することで、形成され得る。
In the next step (see FIG. 3C), a Cu conductive layer 23 is formed on the entire surface including the inner wall of the through hole 22 of the glass cloth base copper clad laminate 12 (21). For example, after forming a thin-film Cu layer on the entire surface by electroless plating of Cu, the conductor layer 23 forms a Cu layer on the thin-film Cu layer by electrolytic plating of Cu using the thin-film Cu layer as a power supply layer. It can be formed by stacking.

【0024】次の工程では(図3(d)参照)、導体層
23が形成されたガラス布基材銅張積層板12(21)
の両面に、それぞれエッチングレジストとして用いる感
光性のドライフィルム24a及び24bを熱圧着により
貼り付ける。次の工程では(図4(a)参照)、それぞ
れ所要の配線パターンの形状に従うようにパターニング
が施されたマスク25a及び25bを用いて、両面のド
ライフィルム24a及び24bに露光を施す。すなわ
ち、各ドライフィルム24a,24bに対して各マスク
25a,25bの位置合わせを行い、マスク25aの上
方及びマスク25bの下方からそれぞれ矢印で示すよう
に紫外線(UV)を照射する。
In the next step (see FIG. 3D), the glass cloth substrate copper-clad laminate 12 (21) on which the conductor layer 23 is formed
Photosensitive dry films 24a and 24b to be used as etching resists are respectively adhered to both surfaces by thermocompression bonding. In the next step (see FIG. 4A), the dry films 24a and 24b on both sides are exposed using the masks 25a and 25b patterned so as to follow the required wiring pattern shape. That is, the respective masks 25a and 25b are aligned with respect to the respective dry films 24a and 24b, and ultraviolet rays (UV) are irradiated from above the mask 25a and below the mask 25b as indicated by arrows.

【0025】次の工程では(図4(b)参照)、ドライ
フィルム24a,24bに現像を施し、配線パターンの
形状に従うようにパターニングを行う。これは、ドライ
フィルム24a,24bがネガ型のレジストの場合には
有機溶剤を含む現像液を用いて、また、ポジ型のレジス
トの場合にはアルカリ系の現像液を用いて行うことがで
きる。図示の例はネガ型の場合を示しており、ドライフ
ィルム24a,24bのUV照射された部分(露光部
分)が残っている。
In the next step (see FIG. 4B), the dry films 24a and 24b are developed and patterned to follow the shape of the wiring pattern. This can be performed using a developer containing an organic solvent when the dry films 24a and 24b are negative resists, and using an alkaline developer when the dry films 24a and 24b are positive resists. The illustrated example shows a case of a negative type, in which portions of the dry films 24a and 24b that have been irradiated with UV (exposed portions) remain.

【0026】次の工程では(図4(c)参照)、配線パ
ターンの形状に従ってパターニングされたドライフィル
ム24a,24bをマスクにして、例えばウエットエッ
チングにより(この場合、Cuに対して可溶性の溶液を
用いて)、露出している部分のCu層23(その下層の
Cu箔21も含む)を除去する。次の工程では(図4
(d)参照)、ドライフィルム24a,24bを剥離し
て除去する。これによって、コア基板12の両面に所要
の配線パターン(導体層23)が形成されたことにな
る。
In the next step (see FIG. 4C), the dry films 24a and 24b patterned according to the wiring pattern shape are used as a mask, for example, by wet etching (in this case, a solution soluble in Cu is applied). Then, the exposed portion of the Cu layer 23 (including the underlying Cu foil 21) is removed. In the next step (Fig. 4
(See (d)), the dry films 24a and 24b are peeled and removed. As a result, the required wiring patterns (conductor layers 23) are formed on both surfaces of the core substrate 12.

【0027】次の工程では(図5(a)参照)、配線パ
ターン(導体層23)が形成されたコア基板12の両面
に、例えばスクリーン印刷により、感光性のソルダレジ
ストを塗布する(ソルダレジスト層13a,13bの形
成)。次の工程では(図5(b)参照)、それぞれ所定
の形状にパターニングされたマスク26a及び26bを
用いて、両面のソルダレジスト層13a及び13bに露
光を施す。すなわち、各ソルダレジスト層13a,13
bに対して各マスク26a,26bの位置合わせを行
い、マスク26aの上方及びマスク26bの下方からそ
れぞれ矢印で示すように紫外線(UV)を照射する。
In the next step (see FIG. 5A), a photosensitive solder resist is applied to both surfaces of the core substrate 12 on which the wiring pattern (conductor layer 23) is formed, for example, by screen printing (solder resist). Formation of layers 13a and 13b). In the next step (see FIG. 5B), the solder resist layers 13a and 13b on both sides are exposed using the masks 26a and 26b patterned into a predetermined shape, respectively. That is, each of the solder resist layers 13a, 13
The position of each of the masks 26a and 26b is aligned with respect to b, and ultraviolet light (UV) is irradiated from above the mask 26a and from below the mask 26b as indicated by arrows.

【0028】この工程で用いる各マスク26a,26b
は、所要の電極パッドの形状に従うように、且つ、モー
ルドゲート部に対応する部分については表裏同一パター
ンとなるように、パターニングが施されている。次の工
程では(図5(c)参照)、ソルダレジスト層13a,
13bに現像を施し、上記の所定の形状に従うようにパ
ターニングを行う。これは、図4(b)の工程と同様に
して、有機溶剤を含む現像液(ネガ型の場合)、又はア
ルカリ系の現像液(ポジ型の場合)を用いて行うことが
できる。図示の例はネガ型の場合を示しており、ソルダ
レジスト層13a,13bのUV照射された部分(露光
部分)が残っている。
Each mask 26a, 26b used in this step
Are patterned so as to conform to the required shape of the electrode pad, and that the portion corresponding to the mold gate portion has the same front and back patterns. In the next step (see FIG. 5C), the solder resist layer 13a,
13b is developed and patterned so as to conform to the above-mentioned predetermined shape. This can be performed using a developer containing an organic solvent (in the case of a negative type) or an alkali-based developer (in the case of a positive type) in the same manner as in the step of FIG. 4B. The illustrated example shows a case of a negative type, in which portions (exposed portions) of the solder resist layers 13a and 13b irradiated with UV remain.

【0029】このとき、ソルダレジスト層13a,13
bが除去されてコア基板12が露出した部分は、モール
ドゲート部14及びこれに対応する開口部15を構成す
る。また、ソルダレジスト層13a,13bが除去され
て導体層(Cu層)23が露出した部分は、半導体チッ
プの電極に接続されるボンディングワイヤを接続するた
めのパッド、及びはんだボール(外部接続端子)を接合
するためのパッドを構成する。
At this time, the solder resist layers 13a, 13
The portion where b is removed and the core substrate 12 is exposed forms a mold gate portion 14 and an opening 15 corresponding thereto. The portions where the solder resist layers 13a and 13b are removed and the conductor layer (Cu layer) 23 is exposed are pads for connecting bonding wires connected to the electrodes of the semiconductor chip, and solder balls (external connection terminals). To form a pad for bonding.

【0030】最後の工程では(図5(d)参照)、ソル
ダレジスト層13a,13bからそれぞれ露出している
Cu層23(パッド)に、各Cu層23を給電層として
ニッケル(Ni)の電解めっきを施し、更に金(Au)
の電解めっきを施して、それぞれ導体層(Ni/Au
層)27a,27bを形成する。このNi/Au層の形
成は、後の段階でボンディングワイヤを接続する際の密
着性、及びはんだボールを接合する際の密着性を高める
ために行う。
In the last step (see FIG. 5 (d)), nickel (Ni) electrolysis is performed on the Cu layers 23 (pads) exposed from the solder resist layers 13a and 13b by using the respective Cu layers 23 as power supply layers. Plating, then gold (Au)
Of the conductor layers (Ni / Au
Layers) 27a and 27b are formed. The formation of the Ni / Au layer is performed in order to enhance the adhesion at the time of connecting a bonding wire and the adhesion at the time of joining a solder ball in a later stage.

【0031】以上の工程(図3〜図5)により、本実施
形態のBGA型配線基板11が作製されたことになる。
次に、本実施形態のBGA型配線基板11を用いた半導
体装置について、その製造工程を示す図6を参照しなが
ら説明する。先ず、最初の工程では(図6(a)参
照)、ダイ・アタッチング及びワイヤ・ボンディングを
行う。
By the above steps (FIGS. 3 to 5), the BGA type wiring board 11 of the present embodiment is manufactured.
Next, a semiconductor device using the BGA type wiring board 11 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, in the first step (see FIG. 6A), die attaching and wire bonding are performed.

【0032】すなわち、配線基板11のソルダレジスト
層13a上のチップ(又はダイ)搭載領域にエポキシ系
樹脂等の接着剤30を塗布し、搭載すべき半導体チップ
31の裏面(電極が形成されている側と反対側の面)を
下にして、接着剤30によりチップ搭載領域に半導体チ
ップ31を接着する(ダイ・アタッチング)。次いで、
半導体チップ31の電極とソルダレジスト層13aから
露出しているパッド(Ni/Au層27aを介してCu
層23)とを、例えばAuのボンディングワイヤ32に
より電気的に接続する(ワイヤ・ボンディング)。
That is, an adhesive 30 such as an epoxy resin is applied to the chip (or die) mounting area on the solder resist layer 13a of the wiring board 11, and the back surface (electrodes are formed) of the semiconductor chip 31 to be mounted. The semiconductor chip 31 is bonded to the chip mounting area with the adhesive 30 with the surface opposite to the side facing down (die attaching). Then
Pads exposed from the electrodes of the semiconductor chip 31 and the solder resist layer 13a (Cu through the Ni / Au layer 27a)
The layers 23) are electrically connected to each other by, for example, Au bonding wires 32 (wire bonding).

【0033】なお、図6(a)の例示では、説明の簡単
化のため半導体チップ31が1個のみ搭載されている
が、実際上は複数個の半導体チップが搭載される。次の
工程では(図6(b)参照)、一括モールディング方式
により、半導体チップ31及びボンディングワイヤ32
を封止樹脂33により封止する。これは、封止樹脂33
の最終形状に応じた凹部を有するモールディング金型
(図示せず)を用いて、モールドゲート部14から封止
樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われ
る。この工程では、一括モールディング方式を用いてい
るが、これに代えて個別モールディング方式を用いても
よいことはもちろんである。
In the example of FIG. 6A, only one semiconductor chip 31 is mounted for simplification of description, but a plurality of semiconductor chips are actually mounted. In the next step (see FIG. 6B), the semiconductor chip 31 and the bonding wires 32 are formed by a batch molding method.
Is sealed with a sealing resin 33. This is the sealing resin 33
By using a molding die (not shown) having a concave portion corresponding to the final shape, heating and pressing are performed while the sealing resin is injected from the mold gate portion 14. In this step, the collective molding method is used, but, of course, the individual molding method may be used instead.

【0034】最後の工程では(図6(c)参照)、ソル
ダレジスト層13bから露出しているパッド(Ni/A
u層27bを介してCu層23)上にはんだボール34
を載せ、リフローを行って当該パッドにはんだボール3
4を接合する(ボール・マウンティング)。更に、ダイ
サー等により、破線で示すように分割線D−D’に沿っ
て配線基板11を各パッケージ単位に分割し、半導体装
置40を得る(カッティング)。
In the last step (see FIG. 6C), the pads (Ni / A) exposed from the solder resist layer 13b are used.
Solder balls 34 on Cu layer 23) via u layer 27b
And reflow the solder balls 3 on the pads.
4 is joined (ball mounting). Further, the wiring board 11 is divided into package units along a division line DD ′ as indicated by a broken line by a dicer or the like, and the semiconductor device 40 is obtained (cutting).

【0035】以上説明したように、第1の実施形態に係
るBGA型配線基板11(該基板を用いた半導体装置4
0を含む)及びその製造方法によれば、配線基板11の
ボール接合側(裏面)において、基板11を挟んでチッ
プ搭載側(表面)のモールドゲート部14と面対称にあ
る部分は、モールドゲート部14と同一形状で同様に開
口されているので、この部分において基板両面間に実質
的な熱膨張率の差は生じない。その結果、BGA型配線
基板11の反りを極力低減し、あるいは実質的に無くす
ことができる。
As described above, the BGA type wiring board 11 according to the first embodiment (the semiconductor device 4 using the board)
0) and the method of manufacturing the same, the portion of the wiring substrate 11 on the ball bonding side (back surface) that is symmetric with the mold gate portion 14 on the chip mounting side (front surface) across the substrate 11 is the mold gate Since the opening has the same shape as that of the portion 14, there is no substantial difference in the coefficient of thermal expansion between the two surfaces of the substrate in this portion. As a result, the warpage of the BGA type wiring board 11 can be minimized or substantially eliminated.

【0036】従って、アセンブリ工程においてモールデ
ィングの際に加熱処理を行ったときでも、基板面、すな
わちパッケージ(半導体装置40)の裏面を平坦に維持
することができる。これによって、この半導体装置40
を他のプリント配線板等に実装したときに、両者間に信
頼性の高い電気的接続を確保することができる。上述し
た第1の実施形態では、所期の目的(基板の反りを低減
すること)を達成するために、配線基板11のチップ搭
載側に存在するモールドゲート部14と同じ形状の開口
部15(ソルダレジスト層13bが形成されていない領
域)を配線基板11のボール接合側の対応する部分(基
板11を挟んで面対称の位置)に設けるようにしたが、
所期の目的を達成するための手段はこれに限定されない
ことはもちろんであり、他の有効な手段も考えられる。
Therefore, even when heat treatment is performed during molding in the assembly process, the substrate surface, that is, the back surface of the package (semiconductor device 40) can be kept flat. Thereby, the semiconductor device 40
Is mounted on another printed wiring board or the like, a highly reliable electrical connection between them can be secured. In the first embodiment described above, in order to achieve the intended purpose (reducing the warpage of the substrate), the opening 15 (the same shape as the mold gate 14 existing on the chip mounting side of the wiring substrate 11). The area where the solder resist layer 13b is not formed) is provided at a corresponding portion of the wiring board 11 on the ball bonding side (a plane symmetrical position across the board 11).
The means for achieving the intended purpose is, of course, not limited to this, and other effective means are also conceivable.

【0037】すなわち、図1(従来技術)に関連して上
述したように、基板の反りは、基板の両面に形成された
各々のソルダレジスト層の面積の差(つまり、全体とし
ての熱膨張率の差)に起因して生じる。よって、基板の
反りを有効に低減するためには、この基板の両面間の熱
膨張率の差を極力小さくできるようにモールドゲート部
の配列を工夫すればよい。
That is, as described above with reference to FIG. 1 (prior art), the warpage of the substrate is caused by the difference between the areas of the solder resist layers formed on both sides of the substrate (that is, the overall thermal expansion coefficient). ). Therefore, in order to effectively reduce the warpage of the substrate, the arrangement of the mold gate portions should be devised so that the difference in the coefficient of thermal expansion between both surfaces of the substrate can be minimized.

【0038】図7は本発明の第2の実施形態に係るBG
A型配線基板の構成を模式的に示したものであり、上述
した第1の実施形態における図2(a)の平面図に対応
している。この第2の実施形態では、配線基板11aの
周縁に沿って帯状に設けられた各モールドゲート部14
aにそれぞれ分離部SPを設けることで、所期の目的を
達成している。この場合、分離部SPは、チップ搭載側
のソルダレジスト層13aの一部分によって形成され、
その長さ及び幅は、アセンブリ性を考慮して適宜決定さ
れる。つまり第2の実施形態では、配線基板11aのチ
ップ搭載側に分離部SPを設けることでチップ搭載側の
ソルダレジスト層13aの面積を相対的に増やし、ボー
ル接合側のソルダレジスト層の面積との差を相対的に小
さくして、基板の反りの低減を図っている。
FIG. 7 shows a BG according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 2 schematically shows the configuration of an A-type wiring substrate, and corresponds to the plan view of FIG. 2A in the first embodiment described above. In the second embodiment, each of the molded gate portions 14 provided in a band along the periphery of the wiring board 11a is formed.
The intended purpose is achieved by providing the separation part SP in each of the “a”. In this case, the separation part SP is formed by a part of the solder resist layer 13a on the chip mounting side,
The length and width are appropriately determined in consideration of the ease of assembly. That is, in the second embodiment, by providing the separation portion SP on the chip mounting side of the wiring board 11a, the area of the solder resist layer 13a on the chip mounting side is relatively increased, and the area of the solder resist layer on the ball bonding side is reduced. By making the difference relatively small, the warpage of the substrate is reduced.

【0039】なお、図7の例では、各モールドゲート部
14aを1箇所で分離しているが、複数箇所で分離する
ようにしてもよい。複数箇所で分離すると、チップ搭載
側のソルダレジスト層13aの面積が更に増えるので、
基板の反りをより一層効果的に低減することができる。
また、図7には特に示していないが、第1の実施形態と
同様にして、配線基板11aのチップ搭載側に存在する
各モールドゲート部14aと同じ形状の開口部を配線基
板11aのボール接合側の対応する部分に設けるように
してもよい。この場合には、基板の反りを実質的に無く
すことが期待できる。
In the example of FIG. 7, each mold gate portion 14a is separated at one place, but may be separated at a plurality of places. Separation at a plurality of locations further increases the area of the solder resist layer 13a on the chip mounting side,
The warpage of the substrate can be reduced even more effectively.
Although not particularly shown in FIG. 7, similarly to the first embodiment, an opening having the same shape as each mold gate portion 14a present on the chip mounting side of the wiring board 11a is ball-joined to the wiring board 11a. It may be provided in a corresponding portion on the side. In this case, it can be expected that the warpage of the substrate is substantially eliminated.

【0040】また、上述した第1,第2の実施形態で
は、モールドゲート部14,14aが配線基板11,1
1aの周縁に沿って帯状に配置されている形態を例にと
って説明したが、モールドゲート部の配置形態はこれに
限定されないことはもちろんである。その一例を図8に
示す。図8は本発明の第3の実施形態に係るBGA型配
線基板の構成を模式的に示したものであり、第1の実施
形態における図2(a)と同様に、BGA型配線基板1
1bをチップ搭載側(表面)から見た平面図である。
In the first and second embodiments described above, the mold gates 14 and 14a are connected to the wiring substrates 11 and 1
Although the form in which the mold gate portion is arranged along the periphery of 1a has been described as an example, it is needless to say that the arrangement form of the mold gate portion is not limited to this. One example is shown in FIG. FIG. 8 schematically shows a configuration of a BGA type wiring board according to a third embodiment of the present invention. As in FIG.
FIG. 2 is a plan view of 1b as viewed from the chip mounting side (front surface).

【0041】この第3の実施形態では、各モールドゲー
ト部14bは、複数個(図示の例では3個)の半導体チ
ップに対して個別に且つ同時に一括モールディングが行
えるように、各チップ間の領域に沿って帯状に設けられ
ている。さらに、各モールドゲート部14bには、第2
の実施形態(図7)と同様の分離部SPが設けられてい
る。各分離部SPの長さ及び幅、設置個数などの選定に
ついては、第2の実施形態と同様である。この第3の実
施形態においても、第2の実施形態と同様に、チップ搭
載側のソルダレジスト層13aとボール接合側のソルダ
レジスト層との面積の差を相対的に小さくし、基板の反
りの低減を図ることができる。
In the third embodiment, each mold gate portion 14b is formed in an area between the chips so that multiple (three in the illustrated example) semiconductor chips can be individually and simultaneously subjected to collective molding. Are provided along the band. Further, each mold gate portion 14b has a second
A separation unit SP similar to that of the embodiment (FIG. 7) is provided. The selection of the length and width of each separation unit SP, the number of installations, and the like is the same as in the second embodiment. Also in the third embodiment, similarly to the second embodiment, the difference in area between the solder resist layer 13a on the chip mounting side and the solder resist layer on the ball bonding side is relatively reduced, and the warpage of the substrate is reduced. Reduction can be achieved.

【0042】また、第1の実施形態と同様にして、配線
基板11bのチップ搭載側に存在する各モールドゲート
部14bと同じ形状の開口部を配線基板11bのボール
接合側の対応する部分に設けるようにすると、基板の反
りを実質的に無くすことが期待できる。なお、上述した
各実施形態に係るBGA型配線基板については、説明の
簡単化のために2層配線構造を例にとって説明したが、
本発明は2層配線構造に限定されないことはもちろんで
ある。例えば、周知のビルドアップ法などを用いて4層
以上に積み上げた配線構造としてもよい。
In the same manner as in the first embodiment, an opening having the same shape as each molded gate portion 14b existing on the chip mounting side of the wiring board 11b is provided in a corresponding portion on the ball bonding side of the wiring board 11b. By doing so, it can be expected that the warpage of the substrate is substantially eliminated. Note that the BGA type wiring board according to each of the above-described embodiments has been described using a two-layer wiring structure as an example for simplification of description.
Of course, the present invention is not limited to the two-layer wiring structure. For example, a wiring structure in which four or more layers are stacked using a known build-up method or the like may be used.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、B
GA型配線基板の両面間の熱膨張率の差を極力小さくで
きるように基板両面のソルダレジスト層の形状及び配置
形態を工夫することにより、BGA型配線基板の反りを
極力低減し又は実質的に無くすことができる。これによ
って、他のプリント配線板等に実装したときに、両者間
に信頼性の高い電気的接続を確保することが可能とな
る。
As described above, according to the present invention, B
By devising the shape and arrangement of the solder resist layers on both sides of the GA-type wiring board so that the difference in the coefficient of thermal expansion between both sides of the GA-type wiring board can be minimized, the warpage of the BGA-type wiring board is reduced or substantially reduced. Can be eliminated. As a result, when mounted on another printed wiring board or the like, a highly reliable electrical connection between the two can be ensured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来技術に係るBGA型配線基板の構成を模式
的に示した図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a BGA type wiring board according to a conventional technique.

【図2】本発明の第1の実施形態に係るBGA型配線基
板の構成を模式的に示した図である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration of a BGA type wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】図2の配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a process of manufacturing the wiring board of FIG. 2;

【図4】図3の製造工程に続く製造工程を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process following the manufacturing process of FIG. 3;

【図5】図4の製造工程に続く製造工程を示す断面図で
ある。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing step that follows the manufacturing step of FIG. 4;

【図6】図2の配線基板を用いた半導体装置の製造工程
を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of a semiconductor device using the wiring board of FIG. 2;

【図7】本発明の第2の実施形態に係るBGA型配線基
板の構成を模式的に示した図である。
FIG. 7 is a diagram schematically showing a configuration of a BGA type wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3の実施形態に係るBGA型配線基
板の構成を模式的に示した図である。
FIG. 8 is a diagram schematically showing a configuration of a BGA type wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,11a,11b…BGA型配線基板 12…コア基板 13a,13b…ソルダレジスト層(保護膜/絶縁層) 14,14a,14b…モールドゲート部 15…モールドゲート部と同じ形状の開口部 23…Cu層(導体層/配線層) 27a,27b…Ni/Au層(導体層) 31…半導体チップ(ダイ) 32…ボンディングワイヤ 33…封止樹脂 34…はんだボール(外部接続端子) 40…半導体装置 SP…(モールドゲート部の)分離部 11, 11a, 11b BGA type wiring board 12 core board 13a, 13b solder resist layer (protective film / insulating layer) 14, 14a, 14b mold gate section 15 opening having the same shape as mold gate section 23 Cu layer (conductor layer / wiring layer) 27a, 27b Ni / Au layer (conductor layer) 31 semiconductor chip (die) 32 bonding wire 33 sealing resin 34 solder ball (external connection terminal) 40 semiconductor device SP… Separation part (of mold gate part)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを搭載するBGA型配線基
板であって、 絶縁材料からなる基板と、 該基板の一方の面及び他方の面にそれぞれ所要のパター
ン形状を有して形成された第1の配線層及び第2の配線
層と、 前記第1の配線層を被覆して前記基板の一方の面に形成
された第1のソルダレジスト層、及び前記第2の配線層
を被覆して前記基板の他方の面に形成された第2のソル
ダレジスト層とを備え、 前記第1のソルダレジスト層が、前記基板の一方の面の
所定の領域に対応する部分に、搭載する半導体チップを
封止する際に樹脂を注入するモールドゲート部の開口部
を有し、 前記第2のソルダレジスト層が、前記基板を挟んで前記
モールドゲート部と面対称にある部分に、該モールドゲ
ート部と略同一形状の開口部を有することを特徴とする
BGA型配線基板。
1. A BGA type wiring board on which a semiconductor chip is mounted, comprising: a board made of an insulating material; and a first board formed with a required pattern shape on one surface and the other surface of the board. A wiring layer and a second wiring layer, a first solder resist layer formed on one surface of the substrate by covering the first wiring layer, and a second solder layer covering the second wiring layer. A second solder resist layer formed on the other surface of the substrate, wherein the first solder resist layer seals a semiconductor chip to be mounted on a portion corresponding to a predetermined region on one surface of the substrate. An opening of a mold gate portion for injecting a resin when stopping, wherein the second solder resist layer is substantially symmetric with the mold gate portion at a portion which is plane-symmetric with the mold gate portion with the substrate interposed therebetween. It is characterized by having openings of the same shape. BGA-type wiring board and.
【請求項2】 前記第1の配線層が、搭載する半導体チ
ップの電極に接続されるワイヤを接続するためのパッド
を有し、 前記第2の配線層が、外部接続端子としてのはんだボー
ルを接合するためのパッドを有し、 前記第1のソルダレジスト層が、前記第1の配線層のパ
ッドに対応する部分に開口部を有し、 前記第2のソルダレジスト層が、前記第2の配線層のパ
ッドに対応する部分に開口部を有することを特徴とする
請求項1に記載のBGA型配線基板。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first wiring layer has a pad for connecting a wire connected to an electrode of a semiconductor chip to be mounted, and the second wiring layer has a solder ball as an external connection terminal. The first solder resist layer has an opening at a portion corresponding to the pad of the first wiring layer; and the second solder resist layer has the second solder resist layer. 2. The BGA type wiring board according to claim 1, wherein an opening is provided in a portion corresponding to a pad of the wiring layer.
【請求項3】 絶縁材料からなる基板の両面にそれぞれ
所要のパターン形状を有した配線層を形成する工程と、 前記配線層を被覆して前記基板の両面にそれぞれソルダ
レジスト層を形成する工程と、 各ソルダレジスト層に対しそれぞれ所定の形状に従うよ
うにパターニングを行う工程とを含み、 該パターニングを行う工程において、一方の面側のソル
ダレジスト層の、前記基板の所定の領域に対応する部分
に、搭載する半導体チップを封止する際に樹脂を注入す
るモールドゲート部の開口部を形成すると共に、他方の
面側のソルダレジスト層の、前記基板を挟んで前記モー
ルドゲート部と面対称にある部分に、該モールドゲート
部と略同一形状の開口部を形成することを特徴とするB
GA型配線基板の製造方法。
A step of forming a wiring layer having a required pattern shape on each side of the substrate made of an insulating material; and a step of forming a solder resist layer on each side of the substrate by covering the wiring layer. Patterning each solder resist layer so as to follow a predetermined shape. In the patterning step, the solder resist layer on one side corresponds to a portion corresponding to a predetermined region of the substrate. An opening of a mold gate portion for injecting a resin when sealing a semiconductor chip to be mounted is formed, and a solder resist layer on the other surface is plane-symmetric with the mold gate portion across the substrate. Wherein an opening having substantially the same shape as the mold gate portion is formed in the portion B
Manufacturing method of GA type wiring board.
【請求項4】 前記配線層を形成する工程において、搭
載する半導体チップの電極に接続されるワイヤを接続す
るためのパッドを有する第1の配線層を前記基板の一方
の面に形成すると共に、外部接続端子としてのはんだボ
ールを接合するためのパッドを有する第2の配線層を前
記基板の他方の面に形成し、 前記パターニングを行う工程において、一方の面側のソ
ルダレジスト層の、前記第1の配線層のパッドに対応す
る部分に開口部を形成すると共に、他方の面側のソルダ
レジスト層の、前記第2の配線層のパッドに対応する部
分に開口部を形成することを特徴とする請求項3に記載
のBGA型配線基板の製造方法。
4. In the step of forming the wiring layer, a first wiring layer having a pad for connecting a wire connected to an electrode of a semiconductor chip to be mounted is formed on one surface of the substrate, Forming a second wiring layer having a pad for bonding a solder ball as an external connection terminal on the other surface of the substrate, and performing the patterning in the second step; An opening is formed in a portion corresponding to the pad of the first wiring layer, and an opening is formed in a portion of the solder resist layer on the other surface side corresponding to the pad of the second wiring layer. The method for manufacturing a BGA type wiring board according to claim 3.
【請求項5】 請求項4に記載のBGA型配線基板の製
造方法によって製造されたBGA型配線基板を用いた半
導体装置の製造方法であって、 前記BGA型配線基板の前記一方の面側のチップ搭載領
域に、半導体チップを搭載する工程と、 前記半導体チップの電極と前記一方の面側のソルダレジ
スト層から露出している前記第1の配線層のパッドとを
ボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、 前記モールドゲート部から樹脂を注入して、前記半導体
チップ及び前記ボンディングワイヤを当該樹脂により封
止する工程と、 前記他方の面側のソルダレジスト層から露出している前
記第2の配線層のパッドにはんだボールを接合する工程
と、 以上の工程を経て得られたBGA型配線基板を各半導体
装置単位に分割する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
5. A method for manufacturing a semiconductor device using a BGA type wiring board manufactured by the method for manufacturing a BGA type wiring board according to claim 4, wherein the one side of the BGA type wiring board is provided. A step of mounting a semiconductor chip in a chip mounting area; and electrically connecting an electrode of the semiconductor chip to a pad of the first wiring layer exposed from the solder resist layer on the one surface side by a bonding wire. Performing a step of injecting a resin from the mold gate portion and sealing the semiconductor chip and the bonding wires with the resin; and a step of exposing the second surface exposed from the solder resist layer on the other surface side. Joining a solder ball to a pad of a wiring layer, and dividing the BGA type wiring board obtained through the above steps into each semiconductor device unit The method of manufacturing a semiconductor device according to claim.
【請求項6】 半導体チップを搭載するBGA型配線基
板であって、 絶縁材料からなる基板と、 該基板の一方の面及び他方の面にそれぞれ所要のパター
ン形状を有して形成された第1の配線層及び第2の配線
層と、 前記第1の配線層を被覆して前記基板の一方の面に形成
された第1のソルダレジスト層、及び前記第2の配線層
を被覆して前記基板の他方の面に形成された第2のソル
ダレジスト層とを備え、 前記第1のソルダレジスト層が、前記基板の一方の面の
所定の領域に対応する部分に、搭載する半導体チップを
封止する際に樹脂を注入するモールドゲート部の開口部
を有し、該モールドゲート部の少なくとも1箇所に、前
記第1のソルダレジスト層の一部分によって形成された
分離部が設けられていることを特徴とするBGA型配線
基板。
6. A BGA type wiring board on which a semiconductor chip is mounted, comprising: a substrate made of an insulating material; and a first pattern formed on one surface and the other surface of the substrate, each having a required pattern shape. A wiring layer and a second wiring layer, a first solder resist layer formed on one surface of the substrate by covering the first wiring layer, and a second solder layer covering the second wiring layer. A second solder resist layer formed on the other surface of the substrate, wherein the first solder resist layer seals a semiconductor chip to be mounted on a portion corresponding to a predetermined region on one surface of the substrate. It has an opening of a mold gate portion for injecting a resin when stopping, and a separation portion formed by a part of the first solder resist layer is provided in at least one place of the mold gate portion. Characteristic BGA type wiring Plate.
【請求項7】 前記第2のソルダレジスト層が、前記分
離部が設けられたモールドゲート部と面対称にある部分
に、該モールドゲート部と略同一形状の開口部を有する
ことを特徴とする請求項6に記載のBGA型配線基板。
7. The semiconductor device according to claim 7, wherein the second solder resist layer has an opening having substantially the same shape as the mold gate portion at a portion which is plane-symmetric with the mold gate portion provided with the separation portion. The BGA type wiring board according to claim 6.
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