JP2002334424A - Magnetic recording medium, method for manufacturing the same and magnetic recording and reproducing device - Google Patents

Magnetic recording medium, method for manufacturing the same and magnetic recording and reproducing device

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JP2002334424A
JP2002334424A JP2001138170A JP2001138170A JP2002334424A JP 2002334424 A JP2002334424 A JP 2002334424A JP 2001138170 A JP2001138170 A JP 2001138170A JP 2001138170 A JP2001138170 A JP 2001138170A JP 2002334424 A JP2002334424 A JP 2002334424A
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寛夫 望月
Kenji Shimizu
謙治 清水
Akira Sakawaki
彰 坂脇
Teru Yo
輝 楊
Masato Kokubu
誠人 國分
Hiroshi Sakai
浩志 酒井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic recording medium in which the crystal orientation of the magnetic film can be increased and the magnetic particles can be made fine, and to provide a method for manufacturing the medium and a magnetic recording and reproducing device. SOLUTION: A soft magnetic base film 2, orientation controlling film 4, perpendicular magnetic film 5 and protective film 6 are formed on a nonmagnetic substrate 1. The orientation controlling film 4 consists of an alloy containing a first element and a second element which can form a solid solution with the first element. The first element is Ru and/or Re while the second element has the solid solution limit with the first element and does not form the hcp structure as a single crystal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法、およびこの磁気記録媒体を用いた磁気記録
再生装置に関するものである。
The present invention relates to a magnetic recording medium, a method for manufacturing the same, and a magnetic recording / reproducing apparatus using the magnetic recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板
に対し平行に配向した面内磁気記録媒体が広く用いられ
ている。面内磁気記録媒体において、高記録密度化を実
現するには、ノイズを低くすることが必要となるが、ノ
イズ低減のため磁性粒子の小粒径化を図ると、この粒子
の体積が小さくなるため、熱揺らぎに起因する再生特性
の悪化が生じやすくなる。また、記録密度を高めた際
に、記録ビット境界での反磁界の影響により媒体ノイズ
が増加することがある。これに対し、磁性膜内の磁化容
易軸が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁
気記録媒体は、高記録密度化した場合でも、ビット境界
での反磁界の影響が小さく、境界が鮮明な記録磁区が形
成されるため、熱揺らぎ特性およびノイズ特性を高める
ことができることから、大きな注目を集めている垂直磁
気記録媒体の例としては、特開昭60−214417号
公報、特開昭63−211117号公報に開示されたも
のを挙げることができる。垂直磁気記録媒体の垂直磁性
膜には、通常、磁気異方性を大きくできるCoCr合金
などのCo合金が用いられる。非磁性基板上に直接Co
合金磁性膜を形成した場合には、磁性膜の結晶配向性が
劣化し、柱状結晶の粒径も不均一となるため、非磁性基
板と垂直磁性膜との間に下地膜を設けることによって、
磁性膜の結晶配向性(C軸配向性)を向上させる試みが
なされてきた。Ti等の六方最密充填構造材料は、結晶
が(0001)に配向しやすいため、これを下地膜に用
いることによって、Co合金磁性膜の配向性を改善する
ことができることが報告されている。Tiを含む下地膜
を用いた垂直磁気記録媒体に関しては、IEEE Transacti
ons on Magnetics MAG., 19(1983)1644に記載されてい
る。特公平7−101495号公報には、Ti含有下地
膜の下にSi、Ge、Snなどからなる膜を設けること
により、Ti含有下地膜とCo合金磁性膜のC軸配向性
を高める手法が提案されている。また特許第26695
29号公報には、Ti含有下地膜に他の元素を含有させ
ることにより、下地膜とCo合金磁性膜との間の格子の
整合性を高め、Co合金磁性膜の結晶配向性を向上させ
る手法が提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an in-plane magnetic recording medium in which an easy axis of magnetization in a magnetic film is mainly oriented parallel to a substrate has been widely used. In an in-plane magnetic recording medium, it is necessary to reduce noise in order to achieve high recording density. However, if the size of magnetic particles is reduced for noise reduction, the volume of the particles is reduced. As a result, the reproduction characteristics are likely to deteriorate due to the thermal fluctuation. In addition, when the recording density is increased, medium noise may increase due to the influence of a demagnetizing field at a recording bit boundary. On the other hand, a so-called perpendicular magnetic recording medium in which the easy axis of magnetization in the magnetic film is mainly oriented perpendicular to the substrate has a small effect of the demagnetizing field at the bit boundary even when the recording density is increased, and the boundary is small. Since a clear recording magnetic domain is formed, thermal fluctuation characteristics and noise characteristics can be enhanced, examples of perpendicular magnetic recording media that have received great attention include JP-A-60-214417 and JP-A-60-214417. 63-111117. For the perpendicular magnetic film of the perpendicular magnetic recording medium, usually, a Co alloy such as a CoCr alloy capable of increasing magnetic anisotropy is used. Co on the non-magnetic substrate directly
When an alloy magnetic film is formed, the crystal orientation of the magnetic film deteriorates, and the grain size of the columnar crystals becomes non-uniform, so that by providing a base film between the non-magnetic substrate and the perpendicular magnetic film,
Attempts have been made to improve the crystal orientation (C-axis orientation) of the magnetic film. It has been reported that the hexagonal close-packed structure material such as Ti can easily improve the orientation of a Co alloy magnetic film by using this as a base film because the crystal is easily oriented to (0001). For perpendicular magnetic recording media using a Ti-containing underlayer, see IEEE Transacti
ons on Magnetics MAG., 19 (1983) 1644. Japanese Patent Publication No. 7-101495 proposes a method of improving the C-axis orientation of a Ti-containing base film and a Co alloy magnetic film by providing a film made of Si, Ge, Sn or the like under a Ti-containing base film. Have been. Patent No. 26695
No. 29 discloses a technique for improving the lattice alignment between a base film and a Co alloy magnetic film and improving the crystal orientation of the Co alloy magnetic film by adding another element to the Ti-containing base film. Has been proposed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年では、垂直磁気記
録媒体の磁気特性を向上させ、さらなる高記録密度化を
実現するため、再生出力を高め、ノイズを減少させるこ
とが要望されている。しかしながら、上記従来の磁気記
録媒体では、結晶配向性が不十分となりやすく、しかも
磁性粒子を微細化するのが難しいことから、十分な磁気
特性を得ることができないのが現状である。特に、結晶
粒を微細化するために下地膜の膜厚を薄くした場合にお
いて、初期成長層の影響によって下地膜の結晶粒が不均
一となり、垂直磁性膜の結晶配向性が劣化することがあ
った。また近年、垂直磁性膜と基板との間に、軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜(いわゆる裏打ち層)を設け、
磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の磁束の出入りの効率
を向上させた磁気記録媒体が提案されている。この磁気
記録媒体では、記録再生時において、磁気ヘッドからの
磁束が、垂直磁性膜、軟磁性下地膜を経由する閉磁路を
形成することから、磁束の出入りの効率が増し、高密度
の記録再生が可能になる。しかしながら、従来の磁気記
録媒体では、垂直磁性膜の結晶配向性が不十分で磁気異
方性が劣るために上記閉磁路が不安定になりやすく、記
録再生特性、熱揺らぎ特性、記録分解能などが不十分と
なりやすい問題があった。本発明は、上記事情に鑑みて
なされたもので、磁性膜の結晶配向性を高め、かつ磁性
粒子を微細化することができる磁気記録媒体、その製造
方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的と
する。
In recent years, in order to improve the magnetic characteristics of a perpendicular magnetic recording medium and achieve a higher recording density, it has been desired to increase the reproduction output and reduce noise. However, in the above-mentioned conventional magnetic recording medium, the crystal orientation is likely to be insufficient, and it is difficult to make the magnetic particles finer, so that at present, sufficient magnetic characteristics cannot be obtained. In particular, when the thickness of the underlayer is reduced to reduce the crystal grains, the crystal grains of the underlayer become non-uniform due to the influence of the initial growth layer, and the crystal orientation of the perpendicular magnetic film may deteriorate. Was. In recent years, a soft magnetic underlayer (a so-called backing layer) made of a soft magnetic material is provided between a perpendicular magnetic film and a substrate.
There has been proposed a magnetic recording medium in which the efficiency of moving a magnetic flux between a magnetic head and a magnetic recording medium is improved. In this magnetic recording medium, at the time of recording and reproduction, the magnetic flux from the magnetic head forms a closed magnetic path passing through the perpendicular magnetic film and the soft magnetic underlayer, so that the efficiency of the entry and exit of the magnetic flux increases, and high-density recording and reproduction is performed. Becomes possible. However, in the conventional magnetic recording medium, the crystal orientation of the perpendicular magnetic film is insufficient and the magnetic anisotropy is inferior, so the closed magnetic path tends to be unstable, and the recording / reproducing characteristics, thermal fluctuation characteristics, recording resolution, etc. There was a problem that was likely to be insufficient. The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a magnetic recording medium capable of improving the crystal orientation of a magnetic film and miniaturizing magnetic particles, a method for manufacturing the same, and a magnetic recording / reproducing apparatus. With the goal.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟
磁性下地膜と、配向制御下地膜と、直上の膜の配向性を
制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂
直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向
制御膜が、第1元素と、この第1元素に対し固溶可能な
第2元素とを含む合金からなり、第1元素が、Ruおよ
び/またはReであり、第2元素が、第1元素に対する
固溶限界を有し、かつその単体結晶がhcp構造をとら
ないものであることを特徴とする。第2元素としては、
V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Pd、
Pt、Irのうちから選ばれる少なくとも1種を挙げる
ことができる。配向制御膜の材料としては、Si酸化
物、Zr酸化物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化
物、C、Bのうちから選ばれる少なくとも1種を、Ru
および/またはReに添加した合金を挙げることもでき
る。配向制御下地膜は、NiAl、FeAl、CoF
e、CoZr、NiTi、AlCo、AlRu、CoT
iのうち1種または2種以上の合金を主成分とするもの
であるのが好ましい。軟磁性下地膜と垂直磁性膜との間
隔は、60nm以下とするのが好ましい。
The magnetic recording medium of the present invention controls the orientation of a soft magnetic underlayer made of at least a soft magnetic material, an orientation control underlayer, and a film directly above a nonmagnetic substrate. An orientation control film, a perpendicular magnetic film whose easy axis is mainly oriented perpendicular to the substrate, and a protective film are provided, and the orientation control film is capable of forming a first element and a solid solution with respect to the first element. An alloy containing a second element, wherein the first element is Ru and / or Re, the second element has a solid solution limit to the first element, and the single crystal does not have an hcp structure. It is characterized by being. As the second element,
V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Ni, Pd,
At least one selected from Pt and Ir can be mentioned. As a material of the orientation control film, at least one selected from Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C and B is Ru.
And / or alloys added to Re. The orientation control base film is made of NiAl, FeAl, CoF
e, CoZr, NiTi, AlCo, AlRu, CoT
It is preferable that one or more alloys of i be a main component. The distance between the soft magnetic underlayer and the perpendicular magnetic layer is preferably set to 60 nm or less.

【0005】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁
性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地
膜と、配向制御下地膜と、直上の膜の配向性を制御する
配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向
した垂直磁性膜と、保護膜とを設ける磁気記録媒体の製
造方法であって、配向制御膜を、第1元素と、この第1
元素に対し固溶可能な第2元素とを含む合金からなり、
第1元素がRuまたはReであり、第2元素が、第1元
素に対する固溶限界を有し、かつその単体結晶がhcp
構造をとらないものとすることを特徴とする。本発明の
磁気記録媒体の製造方法は、配向制御膜を、Si酸化
物、Zr酸化物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化
物、C、Bのうちから選ばれる少なくとも1種を、Ru
および/またはReに添加した合金からなるものとする
こともできる。
According to the method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, a soft magnetic underlayer made of at least a soft magnetic material, an orientation control underlayer, and an orientation control film for controlling the orientation of the film immediately above are provided on a nonmagnetic substrate. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: a perpendicular magnetic film whose easy axis of magnetization is oriented mainly perpendicular to the substrate; and a protective film, wherein the orientation control film comprises: a first element;
An alloy containing a second element capable of forming a solid solution with the element,
The first element is Ru or Re, the second element has a solid solution limit to the first element, and the single crystal is hcp
It is characterized by having no structure. In the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, the orientation control film is formed by converting at least one selected from Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C, and B with Ru.
And / or an alloy added to Re.

【0006】本発明の磁気記録再生装置は、上記磁気記
録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘ
ッドとを備えたことを特徴とする。
A magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention includes the above-mentioned magnetic recording medium, and a magnetic head for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施の形態で
ある磁気記録媒体の構成を模式的に示す断面構成図であ
る。図1に示すように、本実施形態の磁気記録媒体は、
非磁性基板1上に、軟磁性下地膜2と、配向制御下地膜
3と、配向制御膜4と、垂直磁性膜5と、保護膜6と、
潤滑膜7とが設けられて構成されている。基板1として
は、磁気記録媒体用基板として一般に用いられているN
iPメッキ膜を有するアルミニウム合金基板、ガラス基
板(結晶化ガラス、強化ガラス等)、セラミックス基
板、カーボン基板、シリコン基板、シリコンカーバイド
基板を挙げることができる。またこれらの基板にNiP
膜をメッキ法やスパッタ法などにより形成した基板を挙
げることができる。基板1の表面の平均粗さRaは、
0.01〜2nm(好ましくは0.05〜1.5nm)
とするのが好適である。表面平均粗さRaがこの範囲未
満であると、媒体への磁気ヘッドの吸着や、記録再生時
の磁気ヘッド振動が起こりやすくなる。また表面平均粗
さRaがこの範囲を越えるとグライド特性が不十分とな
りやすい。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the magnetic recording medium of the present embodiment is:
On a non-magnetic substrate 1, a soft magnetic under film 2, an orientation control under film 3, an orientation control film 4, a perpendicular magnetic film 5, a protective film 6,
The lubrication film 7 is provided. As the substrate 1, N, which is generally used as a substrate for a magnetic recording medium, is used.
Examples include an aluminum alloy substrate having an iP plating film, a glass substrate (crystallized glass, tempered glass, etc.), a ceramic substrate, a carbon substrate, a silicon substrate, and a silicon carbide substrate. In addition, NiP
A substrate on which a film is formed by a plating method, a sputtering method, or the like can be given. The average roughness Ra of the surface of the substrate 1 is:
0.01 to 2 nm (preferably 0.05 to 1.5 nm)
It is preferable that When the surface average roughness Ra is less than this range, the magnetic head is likely to be attracted to the medium and the magnetic head vibrates during recording and reproduction. If the surface average roughness Ra exceeds this range, the glide characteristics tend to be insufficient.

【0008】軟磁性下地膜2は、垂直磁性膜5の磁化を
より強固に基板1と垂直な方向に固定するために設けら
れているものである。軟磁性下地膜2を構成する軟磁性
材料としては、Feを60at%以上含有するFe合金
を用いることができる。この材料としては、FeCo系
合金(FeCo、FeCoVなど)、FeNi系合金
(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiS
iなど)、FeAl系合金(FeAl、FeAlSi、
FeAlSiCr、FeAlSiTiRuなど)、Fe
Cr系合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCuな
ど)、FeTa系合金(FeTa、FaTaCなど)、
FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP
系合金、FeNb系合金、FeHf系合金を挙げること
ができる。軟磁性下地膜2は、FeAlO、FeMg
O、FeTaN、FeZrNなどの微細結晶を有する構
造とすることができる。またこの微細結晶がマトリクス
中に分散されたグラニュラー構造を有する構成とするこ
ともできる。軟磁性下地膜2には、上記のほかCoを8
0at%以上含有し、かつZr、Nb、Ta、Cr、M
o等のうち少なくとも1種以上を含有するCo合金を用
いることができる。例えば、CoZr、CoZrNb、
CoZrTa、CoZrCr、CoZrMoなどを好適
なものとして挙げることができる。また、軟磁性下地膜
2は、アモルファス構造をなす合金からなるものとする
こともできる。
The soft magnetic underlayer 2 is provided to more firmly fix the magnetization of the perpendicular magnetic film 5 in a direction perpendicular to the substrate 1. As a soft magnetic material constituting the soft magnetic underlayer 2, an Fe alloy containing 60 at% or more of Fe can be used. Examples of this material include FeCo-based alloys (FeCo, FeCoV, etc.) and FeNi-based alloys (FeNi, FeNiMo, FeNiCr, FeNiS
i), FeAl alloys (FeAl, FeAlSi,
FeAlSiCr, FeAlSiTiRu, etc.), Fe
Cr-based alloys (FeCr, FeCrTi, FeCrCu, etc.), FeTa-based alloys (FeTa, FaTaC, etc.),
FeC alloy, FeN alloy, FeSi alloy, FeP
Alloys, FeNb-based alloys, and FeHf-based alloys. The soft magnetic underlayer 2 is made of FeAlO, FeMg
A structure having fine crystals such as O, FeTaN, and FeZrN can be provided. Further, a structure having a granular structure in which the fine crystals are dispersed in a matrix may be employed. In addition to the above, Co is added to
0 at% or more and Zr, Nb, Ta, Cr, M
It is possible to use a Co alloy containing at least one of o and the like. For example, CoZr, CoZrNb,
Suitable examples include CoZrTa, CoZrCr, and CoZrMo. Also, the soft magnetic underlayer 2 may be made of an alloy having an amorphous structure.

【0009】軟磁性下地膜2は、その飽和磁束密度が
0.8T以上であることが好ましい。飽和磁束密度が
0.8Tより小さい場合には、再生波形が乱れ、ノイズ
が増加するおそれがある。また、軟磁性下地膜2の保磁
力は可能な限り小さくすることが好ましいが、実用的に
は、200(Oe)(15.8×103A/m)より小
さくすれば十分な磁気特性を得ることができる。
The soft magnetic underlayer 2 preferably has a saturation magnetic flux density of 0.8 T or more. If the saturation magnetic flux density is smaller than 0.8T, the reproduced waveform may be disturbed and noise may increase. It is preferable that the coercive force of the soft magnetic underlayer 2 is as small as possible. However, practically, if the coercive force is smaller than 200 (Oe) (15.8 × 10 3 A / m), sufficient magnetic properties can be obtained. Obtainable.

【0010】軟磁性下地膜2の厚さは、軟磁性下地膜2
を構成する材料の飽和磁束密度によって適宜設定され
る。具体的には、軟磁性下地膜を構成する材料の飽和磁
束密度Bs(T)と、軟磁性下地膜2の膜厚t(nm)
の積であるBs・t(T・nm)が、40T・nm以上
(好ましくは60T・nm以上)であることが望まし
い。
The thickness of the soft magnetic underlayer 2 is
Is appropriately set in accordance with the saturation magnetic flux density of the material constituting. Specifically, the saturation magnetic flux density Bs (T) of the material constituting the soft magnetic underlayer and the thickness t (nm) of the soft magnetic underlayer 2
It is desirable that Bs · t (T · nm), which is the product of the above, be 40 T · nm or more (preferably 60 T · nm or more).

【0011】軟磁性下地膜2の表面(配向制御下地膜3
側の面)は、軟磁性下地膜2を構成する材料が部分的ま
たは完全に酸化されて構成されていることが好ましい。
この酸化部分(酸化層)の厚さは0.1nm以上3nm
未満とするのが好ましい。軟磁性下地膜2が酸化された
状態はオージェ電子分光法、SIMS法などにより確認
することができる。また軟磁性下地膜2表面の酸化部分
(酸化層)の厚さは、例えば媒体断面の透過型電子顕微
鏡(TEM)写真により求めることができる。
The surface of the soft magnetic underlayer 2 (the orientation control underlayer 3
The side surface) is preferably formed by partially or completely oxidizing the material constituting the soft magnetic underlayer 2.
The thickness of the oxidized portion (oxide layer) is 0.1 nm or more and 3 nm.
It is preferred to be less than. The oxidized state of the soft magnetic underlayer 2 can be confirmed by Auger electron spectroscopy, SIMS, or the like. The thickness of the oxidized portion (oxide layer) on the surface of the soft magnetic underlayer 2 can be determined, for example, by a transmission electron microscope (TEM) photograph of a cross section of the medium.

【0012】配向制御下地膜3は、配向制御膜4の配向
性を向上させるとともに、結晶粒を微細化するために設
けられるものであり、配向制御下地膜3の材料として
は、NiAl、FeAl、CoFe、CoZr、NiT
i、AlCo、AlRu、CoTiのうち1種または2
種以上の合金を主成分とするものを挙げることができ
る。なお主成分とは当該成分を50at%を越えて含む
ことを意味する。また、これらの合金にCr、Nb、
V、W、Mo、B、O、N、Ru、Nd等を添加した材
料を用いることもできる。上記2元系合金(NiAl、
FeAl、CoFe、CoZr、NiTi、AlCo、
AlRu、CoTi)を用いる場合には、この合金を構
成する2つの成分の含有率を、いずれも40〜60at
%(好ましくは45〜55at%)とするのが好まし
い。配向制御下地膜3の材料としては、B2構造をとる
ものが好適である。配向制御下地膜3の厚さは、0.1
〜20nmとするのが好ましい。また、配向制御下地膜
3には、融点が1200℃以上であるものを用いると、
結晶粒径を小さくできるため好ましい。
The orientation control base film 3 is provided to improve the orientation of the orientation control film 4 and to refine the crystal grains. The material of the orientation control base film 3 is NiAl, FeAl, CoFe, CoZr, NiT
one or two of i, AlCo, AlRu, and CoTi
An alloy containing at least one kind of alloy as a main component can be given. The main component means that the component is contained in excess of 50 at%. In addition, Cr, Nb,
A material to which V, W, Mo, B, O, N, Ru, Nd, or the like is added can also be used. The binary alloy (NiAl,
FeAl, CoFe, CoZr, NiTi, AlCo,
In the case of using AlRu or CoTi), the content of each of the two components constituting the alloy is set to 40 to 60 at.
% (Preferably 45 to 55 at%). As the material of the orientation control base film 3, a material having a B2 structure is preferable. The thickness of the orientation control base film 3 is 0.1
It is preferable to set it to 20 nm. When the alignment control base film 3 has a melting point of 1200 ° C. or more,
This is preferable because the crystal grain size can be reduced.

【0013】配向制御膜4は、直上に位置する垂直磁性
膜5の配向性や結晶粒径を制御するために設けられた膜
である。配向制御膜4は、Ruおよび/またはRe(以
下、第1元素ということがある)と、この第1元素に対
し固溶可能な第2元素とを含む合金からなるものとする
ことができる。
The orientation control film 4 is a film provided for controlling the orientation and the crystal grain size of the perpendicular magnetic film 5 located immediately above. The orientation control film 4 can be made of an alloy containing Ru and / or Re (hereinafter, sometimes referred to as a first element) and a second element that is soluble in the first element.

【0014】第2元素は、第1元素に対し、固溶可能で
あるが、固溶限界を有する(限られた組成範囲において
のみ固溶する)元素である。また第2元素は、その単体
結晶が常温においてhcp構造をとらない元素である。
この第2元素としては、V、Nb、Ta、Cr、Mo、
W、Mn、Ni、Pd、Pt、Irのうちから選ばれる
少なくとも1種を挙げることができる。これら元素の常
温における単体の結晶構造、RuおよびReに対する最
大固溶度、単体結晶のa軸長さを表1に示す。表1に
は、RuおよびReの単体結晶構造を併せて示す。
The second element is an element capable of forming a solid solution with the first element, but having a solid solution limit (solid solution only in a limited composition range). The second element is an element whose single crystal does not have an hcp structure at room temperature.
As the second element, V, Nb, Ta, Cr, Mo,
At least one selected from W, Mn, Ni, Pd, Pt, and Ir can be mentioned. Table 1 shows the crystal structures of these elements at room temperature, the maximum solid solubility in Ru and Re, and the a-axis length of the elements. Table 1 also shows the single crystal structures of Ru and Re.

【0015】[0015]

【表1】 [Table 1]

【0016】表1に示すように、ここに示す元素は、R
uおよびReに対する固溶度が限界値(最大固溶度)を
有する。なおReに対するMnの最大固溶度は不明であ
るが、MnはReに対し固溶限界を有する元素であるこ
とが確認されている。また表1より、ここに示す元素の
単体の結晶構造は、hcp構造をとらないことがわか
る。
As shown in Table 1, the element shown here is R
The solid solubility for u and Re has a limit value (maximum solid solubility). Although the maximum solid solubility of Mn with respect to Re is unknown, it has been confirmed that Mn is an element having a solid solubility limit with respect to Re. Table 1 also shows that the crystal structure of the element shown here does not take the hcp structure.

【0017】配向制御膜4に用いられる合金の具体例と
しては、Ru−V、Ru−Nb、Ru−Ta、Ru−C
r、Ru−Mo、Ru−W、Ru−Mn、Ru−Ni、
Ru−Pd、Ru−Pt、Ru−Ir、Re−V、Re
−Nb、Re−Ta、Re−Cr、Re−Mo、Re−
W、Re−Mn、Re−Ni、Re−Pd、Re−P
t、Re−Irを挙げることができる。
Specific examples of the alloy used for the orientation control film 4 include Ru-V, Ru-Nb, Ru-Ta, and Ru-C.
r, Ru-Mo, Ru-W, Ru-Mn, Ru-Ni,
Ru-Pd, Ru-Pt, Ru-Ir, Re-V, Re
-Nb, Re-Ta, Re-Cr, Re-Mo, Re-
W, Re-Mn, Re-Ni, Re-Pd, Re-P
t and Re-Ir.

【0018】配向制御膜4を構成する合金中の第2元素
の含有率は、1〜50at%(好ましくは1〜40at
%)とするのが好適である。この含有率が上記範囲未満
である場合には、配向制御膜4の結晶粒径が大きくな
り、垂直磁性膜5における磁性粒子の粗大化を招くため
好ましくない。また第2元素含有率が上記範囲を越える
場合には、配向制御膜4の配向性が悪化し、垂直磁性膜
5の配向性が劣化しやすくなる。また、配向制御膜4に
は、第1および第2元素だけでなく、配向制御膜4の結
晶構造を悪化させない範囲で他の元素を含有する合金を
用いることもできる。
The content of the second element in the alloy constituting the orientation control film 4 is 1 to 50 at% (preferably 1 to 40 at%).
%). If the content is less than the above range, the crystal grain size of the orientation control film 4 becomes large and the magnetic particles in the perpendicular magnetic film 5 are undesirably coarsened. If the second element content exceeds the above range, the orientation of the orientation control film 4 is deteriorated, and the orientation of the perpendicular magnetic film 5 is easily deteriorated. Further, the orientation control film 4 may be made of an alloy containing not only the first and second elements but also other elements as long as the crystal structure of the orientation control film 4 is not deteriorated.

【0019】配向制御膜4には、Si酸化物、Zr酸化
物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化物、C、Bのう
ちから選ばれる少なくとも1種を、第1元素(Ruおよ
び/またはRe)に添加した合金を用いることもでき
る。この合金の具体例としては、Ru−SiO2、Ru
−ZrO2、Ru−HfO2、Ru−TiO2、Ru−A
23、Ru−C、Ru−B、Re−SiO2、Re−
ZrO2、Re−HfO2、Re−TiO2、Re−Al2
3、Re−C、Re−Bを挙げることができる。配向
制御膜4を構成する合金中において、上記材料(Si酸
化物、Zr酸化物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化
物、C、Bのうち1種以上)の含有率は、1〜50at
%(好ましくは1〜40at%)とするのが好適であ
る。この含有率が上記範囲未満である場合には、配向制
御膜4の結晶粒径が大きくなり、垂直磁性膜5における
磁性粒子の粗大化を招くため好ましくない。またこの含
有率が上記範囲を越える場合には、配向制御膜4の配向
性が悪化し、垂直磁性膜5の配向性が劣化しやすくな
る。
The orientation control film 4 contains at least one selected from the group consisting of Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C and B as a first element (Ru and / or Alternatively, an alloy added to Re) can be used. Specific examples of this alloy include Ru—SiO 2 , Ru
-ZrO 2, Ru-HfO 2, Ru-TiO 2, Ru-A
l 2 O 3 , Ru-C, Ru-B, Re-SiO 2 , Re-
ZrO 2 , Re-HfO 2 , Re-TiO 2 , Re-Al 2
O 3 , Re-C and Re-B can be mentioned. In the alloy constituting the orientation control film 4, the content of the above materials (at least one of Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C, and B) is 1 to 3. 50at
% (Preferably 1 to 40 at%). If the content is less than the above range, the crystal grain size of the orientation control film 4 becomes large and the magnetic particles in the perpendicular magnetic film 5 are undesirably coarsened. When the content exceeds the above range, the orientation of the orientation control film 4 is deteriorated, and the orientation of the perpendicular magnetic film 5 is easily deteriorated.

【0020】配向制御膜4の厚さは、1〜50nm(好
ましくは1〜30nm)とするのが好適である。この膜
厚が上記範囲未満であると、垂直磁性膜5の結晶配向性
を高める効果が不十分となりやすい。またこの膜厚が上
記範囲を越えると、配向制御膜4内で結晶粒の粒径が大
きくなり、垂直磁性膜5における磁性粒子が粗大化しや
すくなる。また記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性
下地膜2との距離が大きくなり、再生信号の分解能が低
下し、ノイズ特性が劣化するため好ましくない。配向制
御膜4は、少なくとも表面(図中上面)がhcp構造を
なすものであることが好ましい。
The thickness of the orientation control film 4 is preferably 1 to 50 nm (preferably 1 to 30 nm). If the thickness is less than the above range, the effect of enhancing the crystal orientation of the perpendicular magnetic film 5 tends to be insufficient. If the thickness exceeds the above range, the crystal grain size in the orientation control film 4 becomes large, and the magnetic particles in the perpendicular magnetic film 5 tend to become coarse. In addition, the distance between the magnetic head and the soft magnetic underlayer 2 at the time of recording / reproducing becomes large, so that the resolution of the reproduced signal is lowered and the noise characteristic is deteriorated, which is not preferable. It is preferable that at least the surface (upper surface in the figure) of the orientation control film 4 has an hcp structure.

【0021】垂直磁性膜5は、磁化容易軸が基板に対し
主に垂直に配向した磁性膜であり、この垂直磁性膜5に
は、Co合金を用いることが好ましい。例えば、CoC
rPt合金やCoPt合金を用いることができる。また
これらの合金にTa、Zr、Nb、Cu、Re、Ru、
V、Ni、Mn、Ge、Si、B、O、Nなどから選ば
れる少なくとも1種の元素を添加した合金を用いること
ができる。
The perpendicular magnetic film 5 is a magnetic film in which the axis of easy magnetization is oriented mainly perpendicular to the substrate, and it is preferable to use a Co alloy for the perpendicular magnetic film 5. For example, CoC
An rPt alloy or a CoPt alloy can be used. Further, Ta, Zr, Nb, Cu, Re, Ru,
An alloy to which at least one element selected from V, Ni, Mn, Ge, Si, B, O, and N is added can be used.

【0022】垂直磁性膜5は、上記Co合金からなる均
一な単層構造とすることもできるが、遷移金属(Co、
Co合金)からなる層と貴金属(Pt、Pd等)からな
る層とを積層した多層構造とすることもできる。このC
o合金には、上記CoCrPt系合金やCoPt系合金
などを用いることができる。CoCrPt系合金を用い
る場合には、垂直磁気異方性を高めるため、Pt含有率
を8〜24at%とすることが好ましい。貴金属からな
る層の厚さは、0.4〜1.4nmの範囲とするのが好
ましい。これは、貴金属層の厚さが0.4nmより小さ
くなると、保磁力Hcや逆磁区核生成磁界が低下すると
ともにその層厚の設定が難しくなり、1.4nmよりも
大きくなると、ノイズ特性が悪化するためである。遷移
金属からなる層の厚さは、0.1〜0.6nm(好まし
くは0.1〜0.4nm)とするのが好適である。この
遷移金属層は、薄すぎれば保磁力Hc、逆磁区核生成磁
界が低下するとともに厚さの設定が難しくなり、厚すぎ
ればノイズ特性が悪化する。垂直磁性膜5においては、
これら遷移金属層と貴金属層のうちいずれを最上層とし
てもかまわないが、最下層は貴金属層とするのが好まし
い。
The perpendicular magnetic film 5 may have a uniform single-layer structure made of the above-mentioned Co alloy.
It may have a multilayer structure in which a layer made of a Co alloy) and a layer made of a noble metal (Pt, Pd, etc.) are stacked. This C
As the o alloy, the above-mentioned CoCrPt-based alloy or CoPt-based alloy can be used. When a CoCrPt-based alloy is used, the Pt content is preferably set to 8 to 24 at% in order to increase the perpendicular magnetic anisotropy. The thickness of the layer made of a noble metal is preferably in the range of 0.4 to 1.4 nm. This is because when the thickness of the noble metal layer is smaller than 0.4 nm, the coercive force Hc and the reverse magnetic domain nucleation magnetic field decrease, and it is difficult to set the layer thickness. When the thickness is larger than 1.4 nm, the noise characteristics deteriorate. To do that. The thickness of the layer made of a transition metal is preferably 0.1 to 0.6 nm (preferably 0.1 to 0.4 nm). If the transition metal layer is too thin, the coercive force Hc and the reverse magnetic domain nucleation magnetic field decrease, and it is difficult to set the thickness. If the transition metal layer is too thick, the noise characteristics deteriorate. In the perpendicular magnetic film 5,
Any of the transition metal layer and the noble metal layer may be the uppermost layer, but the lowermost layer is preferably a noble metal layer.

【0023】上記単層構造型、積層構造型の磁性膜の構
成材料はいずれも多結晶構造をとるが、本発明の磁気記
録媒体では、非晶質構造をとる材料を使用することもで
きる。具体的には、希土類元素を含む合金(TbFeC
o系合金など)を用いることができる。
The constituent materials of the above-mentioned single-layer structure type and laminated structure type magnetic films each have a polycrystalline structure. In the magnetic recording medium of the present invention, a material having an amorphous structure may be used. Specifically, an alloy containing a rare earth element (TbFeC
o-based alloy) can be used.

【0024】垂直磁性膜5の膜厚は、目的とする再生出
力によって適宜最適化すればよいが、垂直磁性膜5が厚
すぎる場合には、ノイズ特性が悪化する、分解能が低下
する等の問題が起こりやすいため、実用上は3〜100
nmであることが好ましい。垂直磁性膜5は、hcp構
造をなすものであることが好ましい。
The thickness of the perpendicular magnetic film 5 may be appropriately optimized depending on the intended reproduction output. However, if the perpendicular magnetic film 5 is too thick, there are problems such as deterioration of noise characteristics and reduction of resolution. 3 to 100 in practice
It is preferably nm. It is preferable that the perpendicular magnetic film 5 has an hcp structure.

【0025】垂直磁性膜5と軟磁性下地膜2との間隔、
すなわち図1に示す間隔Aは、60nm以下(好ましく
は40nm以下、さらに好ましくは20nm以下)とす
るのが好ましい。この間隔Aを上記範囲とすることによ
って、記録再生時に磁気ヘッドと垂直磁性膜5と軟磁性
下地膜2との間に形成される閉磁路を安定化し、磁束の
出入りの効率を高め、記録再生特性、熱揺らぎ特性、記
録分解能などを向上させることができるようになる。間
隔Aが上記範囲を越えると、記録再生時に磁気ヘッドか
らの磁束が軟磁性下地膜2に届きにくくなり、上記各特
性が劣化する。
The distance between the perpendicular magnetic film 5 and the soft magnetic underlayer 2,
That is, the interval A shown in FIG. 1 is preferably 60 nm or less (preferably 40 nm or less, more preferably 20 nm or less). By setting the interval A within the above range, the closed magnetic path formed between the magnetic head, the perpendicular magnetic film 5 and the soft magnetic underlayer 2 during recording and reproduction is stabilized, the efficiency of magnetic flux entry and exit is increased, and recording and reproduction is performed. Characteristics, thermal fluctuation characteristics, recording resolution, and the like can be improved. If the interval A exceeds the above range, it becomes difficult for the magnetic flux from the magnetic head to reach the soft magnetic underlayer 2 at the time of recording / reproducing, and the above-mentioned characteristics are deteriorated.

【0026】保護膜6は、垂直磁性膜5の腐食を防ぐと
ともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の
損傷を防ぎ、かつ磁気ヘッドと媒体の間の潤滑特性を確
保するためのもので、従来公知の材料を使用することが
可能であり、例えばC、SiO2、ZrO2の単一組成、
またはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能
である。保護膜6の厚さは、1〜10nmの範囲とする
のが望ましい。
The protective film 6 prevents corrosion of the perpendicular magnetic film 5, prevents damage to the medium surface when the magnetic head comes into contact with the medium, and ensures lubrication characteristics between the magnetic head and the medium. It is possible to use a conventionally known material, for example, a single composition of C, SiO 2 , ZrO 2 ,
Alternatively, those containing these as main components and containing other elements can be used. It is desirable that the thickness of the protective film 6 be in the range of 1 to 10 nm.

【0027】潤滑膜7には、パーフルオロポリエーテ
ル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸など公知
の潤滑剤を使用することができる。その種類および膜厚
は、使用される保護膜や潤滑剤の特性に応じて適宜設定
することができる。
Known lubricants such as perfluoropolyether, fluorinated alcohol, and fluorinated carboxylic acid can be used for the lubricating film 7. The type and thickness can be appropriately set according to the properties of the protective film and the lubricant used.

【0028】上記構成の磁気記録媒体を製造するには、
図1に示す基板1上に、スパッタ法などにより軟磁性下
地膜2を形成し、次いで、必要に応じてこの軟磁性膜2
の表面に酸化処理を施し、次いで配向制御下地膜3、配
向制御膜4、垂直磁性膜5を順次スパッタ法などにより
形成する。次いで、スパッタ法、CVD法、イオンビー
ム法等によって保護膜6を形成した後、ディップコーテ
ィング法、スピンコート法などにより潤滑膜7を形成す
る。
To manufacture the magnetic recording medium having the above structure,
A soft magnetic underlayer 2 is formed on a substrate 1 shown in FIG. 1 by a sputtering method or the like.
Is subjected to an oxidizing treatment, and then an orientation control base film 3, an orientation control film 4, and a perpendicular magnetic film 5 are sequentially formed by a sputtering method or the like. Next, after forming the protective film 6 by a sputtering method, a CVD method, an ion beam method or the like, a lubricating film 7 is formed by a dip coating method, a spin coating method or the like.

【0029】軟磁性下地膜2の表面に酸化処理を施す場
合には、軟磁性下地膜2を形成した後、軟磁性下地膜2
を酸素含有ガスに曝す方法や、軟磁性下地膜2の表面に
近い部分を成膜する際のプロセスガス中に酸素を導入す
る方法を採ることができる。軟磁性下地膜2の表面を酸
素含有ガスに曝す場合には、軟磁性下地膜2を、酸素を
アルゴンや窒素で希釈した希釈ガスや純酸素に0.1〜
30秒程度接触させればよい。また軟磁性下地膜2を大
気に曝す方法を採ることもできる。具体的には、10-4
〜10-6Paの真空度に対して10-3Pa以上の酸素ガ
ス圧の雰囲気に軟磁性下地膜2表面を0.1〜30秒間
曝すことで、好ましい酸化状態を得ることができる。軟
磁性下地膜2を酸素含有ガスに曝す際には、使用する酸
素の量、酸素への曝露時間を適宜設定することで酸化の
度合いを調節することができる。特に酸素をアルゴン等
の希ガスで希釈したガスを用いる場合には、ガスの希釈
率の設定によって軟磁性下地膜2表面の酸化の度合いの
調整が容易になる。軟磁性下地膜2の成膜用のプロセス
ガスに酸素を導入する場合には、例えば成膜法としてス
パッタ法を用い、成膜時間の一部のみ(例えば成膜終了
前の1秒間)に、酸素を含有させたプロセスガスを用い
てスパッタを行う方法をとることができる。このプロセ
スガスとしては、例えばアルゴンに酸素を体積率で0.
05〜10%程度混合したガスが好適に用いられる。こ
の軟磁性下地膜2の表面酸化によって、軟磁性下地膜2
の最表面の磁気的な揺らぎを抑え、軟磁性下地膜2上に
形成される配向制御下地膜3、配向制御膜4の結晶粒を
微細化してノイズ特性の改善効果を得ることができる。
また軟磁性下地膜2表面の酸化部分のバリア層的機能に
より、軟磁性下地膜2または非磁性基板1から腐食性物
質が媒体表面に移動することを抑え、媒体表面の腐食発
生を防ぐことができる。
In the case where the surface of the soft magnetic underlayer 2 is subjected to an oxidation treatment, the soft magnetic underlayer 2 is formed and then the soft magnetic underlayer 2 is formed.
May be exposed to an oxygen-containing gas, or a method of introducing oxygen into a process gas when forming a portion near the surface of the soft magnetic underlayer 2. When the surface of the soft magnetic underlayer 2 is exposed to an oxygen-containing gas, the soft magnetic underlayer 2 is exposed to a diluent gas obtained by diluting oxygen with argon or nitrogen or pure oxygen.
The contact may be performed for about 30 seconds. Alternatively, a method of exposing the soft magnetic underlayer 2 to the atmosphere can be adopted. Specifically, 10 -4
A preferable oxidation state can be obtained by exposing the surface of the soft magnetic underlayer 2 to an atmosphere having an oxygen gas pressure of 10 -3 Pa or more with respect to a degree of vacuum of 10 -6 Pa for 0.1 to 30 seconds. When exposing the soft magnetic underlayer 2 to an oxygen-containing gas, the degree of oxidation can be adjusted by appropriately setting the amount of oxygen used and the time of exposure to oxygen. In particular, when a gas obtained by diluting oxygen with a rare gas such as argon is used, the degree of oxidation of the surface of the soft magnetic underlayer 2 can be easily adjusted by setting the dilution ratio of the gas. When oxygen is introduced into the process gas for forming the soft magnetic underlayer 2, for example, a sputtering method is used as the film formation method, and only a part of the film formation time (for example, one second before the completion of the film formation) is performed. A method of performing sputtering using a process gas containing oxygen can be employed. As this process gas, for example, oxygen is added to argon in a volume ratio of 0.1.
Gas mixed with about 05 to 10% is preferably used. By oxidizing the surface of the soft magnetic underlayer 2, the soft magnetic underlayer 2
The magnetic fluctuation of the outermost surface can be suppressed, and the crystal grains of the orientation control base film 3 and the orientation control film 4 formed on the soft magnetic base film 2 can be refined to obtain an effect of improving noise characteristics.
In addition, the function of the oxidized portion on the surface of the soft magnetic underlayer 2 as a barrier layer prevents the corrosive substance from migrating from the soft magnetic underlayer 2 or the non-magnetic substrate 1 to the surface of the medium, thereby preventing the corrosion of the medium surface. it can.

【0030】配向制御膜4に、第1元素(Ruおよび/
またはRe)と第2元素(V、Nb、Ta、Cr、M
o、W、Mn、Ni、Pd、Pt、Irなど)を含む合
金を用いる場合には、この合金からなるターゲットを用
いて、スパッタ法により配向制御膜4を形成することが
できる。
A first element (Ru and / or
Or Re) and the second element (V, Nb, Ta, Cr, M)
When an alloy containing o, W, Mn, Ni, Pd, Pt, Ir, etc.) is used, the orientation control film 4 can be formed by sputtering using a target made of this alloy.

【0031】配向制御膜4に、上記酸化物(Si酸化
物、Zr酸化物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化物
のうちから選ばれる少なくとも1種)を含む第1元素合
金を用いる場合には、この酸化物と第1元素とを含む材
料からなるターゲットを用いて配向制御膜4を形成する
ことができる。またSi、Zr、Hf、Ti、Alのう
ち少なくとも1種と、第1元素とを含む材料からなるタ
ーゲットを用い、酸素を含有するプロセスガスを用いて
配向制御膜4を形成してもよい。
When a first element alloy containing the above oxide (at least one selected from Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide and Al oxide) is used for the orientation control film 4. Then, the orientation control film 4 can be formed using a target made of a material containing this oxide and the first element. Alternatively, the orientation control film 4 may be formed using a target made of a material containing at least one of Si, Zr, Hf, Ti, and Al and the first element, and using a process gas containing oxygen.

【0032】垂直磁性膜5を、遷移金属層と貴金属層か
らなる多層構造とする場合には、遷移金属(Co、Co
合金)からなる第1のターゲットと、貴金属(Pt、P
d等)からなる第2のターゲットを交互に用いて、それ
ぞれのターゲットの材料を交互にスパッタすることによ
り垂直磁性膜5を形成する。
When the perpendicular magnetic film 5 has a multilayer structure composed of a transition metal layer and a noble metal layer, the transition metal (Co, Co
Alloy) and a noble metal (Pt, Pt)
d), the perpendicular magnetic film 5 is formed by alternately sputtering the material of each target.

【0033】保護膜6の形成方法としては、カーボンタ
ーゲットを用いたスパッタ法や、CVD法、イオンビー
ム法を挙げることができる。また、SiO2やZrO2
ターゲットを用いたRFスパッタ、あるいはSiやZr
のターゲットを用い、プロセスガスとして酸素を含むガ
スを用いる反応性スパッタによって、SiO2やZrO2
からなる保護膜6を形成する方法を適用することができ
る。CVD法、イオンビーム法を用いる場合には、極め
て硬度の高い保護膜6を形成することができ、スパッタ
法により形成された保護膜に比べ、その膜厚を大幅に小
さくすることが可能となるため、記録再生時のスペーシ
ングロスを小さくし、高密度の記録再生を行うことがで
きる。
The protective film 6 can be formed by a sputtering method using a carbon target, a CVD method, or an ion beam method. RF sputtering using a target of SiO 2 or ZrO 2 , or Si or ZrO 2
With the target, by reactive sputtering using a gas containing oxygen as a process gas, SiO 2 and ZrO 2
A method of forming the protective film 6 made of When the CVD method or the ion beam method is used, the protective film 6 having extremely high hardness can be formed, and the film thickness can be significantly reduced as compared with the protective film formed by the sputtering method. Therefore, spacing loss during recording and reproduction can be reduced, and high-density recording and reproduction can be performed.

【0034】本実施形態の磁気記録媒体では、配向制御
膜4が、第1元素と、この第1元素に対し固溶可能な第
2元素とを含む合金からなり、第1元素がRuおよび/
またはReであり、第2元素が、第1元素に対する固溶
限界を有し、かつその単体結晶がhcp構造をとらない
ものである構成によって、配向制御膜4の結晶配向性を
高め、垂直磁性膜5の結晶配向性を向上させることがで
きる。また配向制御膜4において結晶粒を小粒径化し、
垂直磁性膜5において磁性粒子を微細化することができ
る。従って、保磁力を高め、再生出力を向上させるとと
もに、ノイズ低減が可能となる。
In the magnetic recording medium of the present embodiment, the orientation control film 4 is made of an alloy containing a first element and a second element which can form a solid solution with the first element, wherein the first element is Ru and / or
Or, it is Re, and the second element has a solid solution limit with respect to the first element, and its single crystal does not have an hcp structure. The crystal orientation of the film 5 can be improved. Further, the crystal grains in the orientation control film 4 are reduced in size,
The magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film 5. Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0035】配向制御膜4を、上記第1および第2元素
を含む合金からなるものとすることによって、優れた磁
気特性が得られる理由は、次に示すとおりであると考え
ることができる。第2元素は、第1元素に対し固溶可能
であるものの、固溶限界を有する元素である。さらに、
第1元素が、単体結晶がhcp構造をとる元素であるの
に対し、第2元素は、単体結晶がhcp構造をとらない
元素である。このように、第2元素は、固溶性および結
晶構造の点で第1元素とは異なる性質をもつため、配向
制御膜4内で結晶粒が成長する際に、第2元素が析出し
た粒界層が形成されやすくなると考えられる。このた
め、配向制御膜4内において、粒径が小さく、かつ均一
な結晶粒が数多く形成される。この第2元素を含む粒界
層は、配向制御膜4の影響下で成長する垂直磁性膜5に
おける粒界層の形成を促し、垂直磁性膜5において、微
細かつ均一な磁性粒子が形成される。従って、保磁力を
高め、再生出力を向上させるとともに、ノイズ低減が可
能となる。
The reason why excellent magnetic properties can be obtained by forming the orientation control film 4 from an alloy containing the first and second elements can be considered as follows. The second element is an element capable of forming a solid solution with the first element, but having a solid solution limit. further,
The first element is an element in which a single crystal has an hcp structure, while the second element is an element in which a single crystal does not have an hcp structure. As described above, since the second element has different properties from the first element in terms of solid solubility and crystal structure, when the crystal grain grows in the orientation control film 4, the grain boundary where the second element is precipitated is formed. It is considered that a layer is easily formed. Therefore, many uniform crystal grains having a small grain size are formed in the orientation control film 4. The grain boundary layer containing the second element promotes the formation of a grain boundary layer in the perpendicular magnetic film 5 grown under the influence of the orientation control film 4, and fine and uniform magnetic particles are formed in the perpendicular magnetic film 5. . Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0036】また、配向制御膜4において、結晶粒が成
長する際に、この結晶粒の配向面は、この結晶粒に隣接
して成長する粒界層の影響を受けると考えられる。この
粒界層が第2元素を多く含むため、結晶粒の結晶面は、
この第2元素の種類や含有率に応じて一定となりやす
い。このため、配向制御膜4の結晶粒の配向面は均一と
なる。よって、配向制御膜4の影響下で成長する垂直磁
性膜5において、結晶配向性を高めることができる。従
って、保磁力、再生出力などの磁気特性をさらに向上さ
せることができる。
In the orientation control film 4, when a crystal grain grows, the orientation plane of the crystal grain is considered to be affected by the grain boundary layer growing adjacent to the crystal grain. Since this grain boundary layer contains a large amount of the second element, the crystal plane of the crystal grain is
It tends to be constant depending on the type and content of this second element. For this reason, the orientation plane of the crystal grains of the orientation control film 4 becomes uniform. Therefore, the crystal orientation of the perpendicular magnetic film 5 grown under the influence of the orientation control film 4 can be enhanced. Therefore, magnetic characteristics such as coercive force and reproduction output can be further improved.

【0037】これに対し、第1元素に対し固溶限界をも
たず(すなわち全組成にわたって固溶する)、かつhc
p構造をとる元素(例えばCo)を含む合金を配向制御
膜4に用いた場合には、この元素(Coなど)が、第1
元素とよく似た性質を持つことから、第1元素に対し抵
抗なく固溶するため、粒界層が形成されにくく、結晶粒
径が大きくなりやすい。このため、垂直磁性膜5におい
て、磁性粒子が粗大かつ不均一となりやすくなる。
On the other hand, it has no solid solution limit to the first element (that is, it forms a solid solution over the entire composition) and hc
When an alloy containing an element having a p-structure (for example, Co) is used for the orientation control film 4, this element (for example, Co) becomes the first element.
Since it has properties very similar to the element, it forms a solid solution with no resistance to the first element, so that a grain boundary layer is hardly formed and the crystal grain size tends to be large. Therefore, the magnetic particles in the perpendicular magnetic film 5 tend to be coarse and non-uniform.

【0038】また配向制御膜4に、Si酸化物、Zr酸
化物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化物、C、Bの
うちから選ばれる少なくとも1種を、Ruおよび/また
はReに添加した合金を用いることによって、配向制御
膜4および垂直磁性膜5の結晶配向性を向上させること
ができる。また配向制御膜4において結晶粒を小粒径化
し、垂直磁性膜5において磁性粒子を微細化することが
できる。従って、保磁力を高め、再生出力を向上させる
とともに、ノイズ低減が可能となる。
Further, at least one selected from the group consisting of Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C and B is added to Ru and / or Re to the orientation control film 4. By using the alloy thus obtained, the crystal orientation of the orientation control film 4 and the perpendicular magnetic film 5 can be improved. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film 4 and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film 5. Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0039】配向制御膜4に、上記合金を用いることに
よって、優れた磁気特性が得られる理由は、次に示すと
おりであると考えることができる。上記酸化物、C、B
は、第1元素(Ruおよび/またはRe)に対し固溶し
ない物質であるため、配向制御膜4内で結晶粒が成長す
る際に、結晶粒に比べ粒界層中に析出しやすいことか
ら、配向制御膜4において、粒界層が形成されやすくな
る。またこの粒界層が幅の広いものとなりやすくなる。
このため、配向制御膜4内において、粒径が小さく、か
つ均一な結晶粒が数多く形成される。また結晶粒が互い
に大きく離間した状態となる。従って、保磁力を高め、
再生出力を向上させるとともに、ノイズ低減が可能とな
る。
The reason why excellent magnetic properties can be obtained by using the above alloy for the orientation control film 4 can be considered as follows. The above oxide, C, B
Is a substance that does not form a solid solution with the first element (Ru and / or Re), and is more likely to precipitate in the grain boundary layer than the crystal grains when the crystal grains grow in the orientation control film 4. In the orientation control film 4, a grain boundary layer is easily formed. In addition, the grain boundary layer tends to be wide.
Therefore, many uniform crystal grains having a small grain size are formed in the orientation control film 4. Further, the crystal grains are largely separated from each other. Therefore, increase the coercive force,
It is possible to improve the reproduction output and reduce noise.

【0040】また、配向制御膜4において、結晶粒の結
晶面は、粒界層に含まれる上記材料(上記酸化物、C、
B)種類や含有率に応じて一定となりやすい。このた
め、配向制御膜4の結晶粒の配向面は均一となる。よっ
て、配向制御膜4の影響下で成長する垂直磁性膜5にお
いて、結晶配向性を高めることができる。従って、保磁
力、再生出力などの磁気特性をさらに向上させることが
できる。
In the orientation control film 4, the crystal plane of the crystal grain is formed by the above-mentioned material (the oxide, C,
B) It tends to be constant depending on the type and content. For this reason, the orientation plane of the crystal grains of the orientation control film 4 becomes uniform. Therefore, the crystal orientation of the perpendicular magnetic film 5 grown under the influence of the orientation control film 4 can be enhanced. Therefore, magnetic characteristics such as coercive force and reproduction output can be further improved.

【0041】また、垂直磁性膜5の結晶配向性を向上さ
せることができるため、垂直磁性膜5の磁気異方性を高
めることができる。このため、記録再生時において磁気
ヘッドと垂直磁性膜5と軟磁性下地膜2との間に形成さ
れる閉磁路が、垂直磁性膜5において不安定化するのを
防ぎ、安定した閉磁路を形成することができる。このた
め、磁束の出入りの効率を高め、記録再生特性、熱揺ら
ぎ特性、記録分解能などを向上させることができる。
Since the crystal orientation of the perpendicular magnetic film 5 can be improved, the magnetic anisotropy of the perpendicular magnetic film 5 can be increased. For this reason, the closed magnetic path formed between the magnetic head, the perpendicular magnetic film 5 and the soft magnetic underlayer 2 during recording and reproduction is prevented from becoming unstable in the perpendicular magnetic film 5, and a stable closed magnetic path is formed. can do. Therefore, it is possible to increase the efficiency of the magnetic flux in and out, and to improve the recording / reproducing characteristics, the thermal fluctuation characteristics, the recording resolution, and the like.

【0042】また、この磁気記録媒体では、Ruおよび
/またはReに、上記材料(第2元素、上記酸化物、
C、B)を含有させた合金を用いるので、高価なRuお
よび/またはReを単独で用いる場合に比べ、材料コス
トを削減することができる。従って、製造コストの低減
が可能となる。
In this magnetic recording medium, Ru and / or Re are added to the above-mentioned materials (the second element, the above-mentioned oxide,
Since an alloy containing C and B) is used, material costs can be reduced as compared with a case where expensive Ru and / or Re are used alone. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

【0043】本実施形態では、軟磁性下地膜2と配向制
御膜4との間に、NiAl等からなる配向制御下地膜3
を設けた。配向制御膜4の構成材料であるRu合金、R
e合金は結晶粒径が大きくなりやすい性質があるが、本
実施形態では、結晶粒微細化膜として機能する配向制御
下地膜3を設けることによって、配向制御膜4の結晶を
微細化し、その上に形成される垂直磁性膜5の結晶粒径
を小さくすることができる。このため、さらなるノイズ
低減が可能となる。配向制御下地膜3を設けることによ
って配向制御膜4の結晶の微細化が可能となるのは、配
向制御下地膜3(NiAl等)の結晶粒径が小さくなる
ためであると考えられる。
In this embodiment, the orientation control underlayer 3 made of NiAl or the like is interposed between the soft magnetic underlayer 2 and the orientation control layer 4.
Was provided. Ru alloy, R, which is a constituent material of the orientation control film 4
The e-alloy has a property that the crystal grain size tends to be large. However, in the present embodiment, the crystal of the orientation control film 4 is refined by providing the orientation control base film 3 functioning as a crystal grain refinement film. The crystal grain size of the perpendicular magnetic film 5 formed on the substrate can be reduced. Therefore, it is possible to further reduce noise. It is considered that the provision of the orientation control base film 3 enables the crystal size of the orientation control film 4 to be reduced because the crystal grain size of the orientation control base film 3 (NiAl or the like) is reduced.

【0044】またCo系軟磁性材料(CoZr系、Co
ZrNb系、CoZrTa系、CoZrCr系、CoZ
rMo系合金等)、Fe系軟磁性材料(FeCo系、F
eNi系、FeAl系、FeCr系合金等)などからな
る軟磁性下地膜2上に、Ru合金やRe合金からなる配
向制御膜4を、直接形成する場合には、これら軟磁性下
地膜2と配向制御膜4との間の結晶性の違いから、配向
制御膜4の初期成長時において核形成が起こりにくくな
り、配向制御膜4において結晶粒径が不均一となりやす
い。これに対し、本実施形態では、NiAlなどからな
る配向制御下地膜3が、結晶性の点で配向制御膜4に似
通っているため、配向制御膜4の初期成長時における核
形成性が良好となり、均一な結晶粒が形成されやすくな
る。従って、本実施形態では、配向制御下地膜3を設け
ることによって、配向制御膜4において粒径が小さくか
つ均一な結晶粒が形成され、いっそうのノイズ低減が可
能となる。
Further, Co-based soft magnetic materials (CoZr-based, Co-
ZrNb, CoZrTa, CoZrCr, CoZ
rMo alloys, etc.), Fe soft magnetic materials (FeCo, F
When the orientation control film 4 made of a Ru alloy or a Re alloy is directly formed on the soft magnetic underlayer 2 made of eNi-based, FeAl-based, FeCr-based alloy, etc. Due to the difference in crystallinity with the control film 4, nucleation hardly occurs during the initial growth of the orientation control film 4, and the crystal grain size in the orientation control film 4 tends to be non-uniform. On the other hand, in the present embodiment, since the orientation control base film 3 made of NiAl or the like resembles the orientation control film 4 in terms of crystallinity, nucleation during initial growth of the orientation control film 4 is improved. And uniform crystal grains are easily formed. Therefore, in the present embodiment, by providing the orientation control base film 3, uniform crystal grains having a small grain size are formed in the orientation control film 4, and noise can be further reduced.

【0045】本実施形態の製造方法では、配向制御膜4
に、上記第1および第2元素を含む合金を用いるので、
配向制御膜4および垂直磁性膜5の結晶配向性を向上さ
せることができる。また配向制御膜4において結晶粒を
小粒径化し、垂直磁性膜5において磁性粒子を微細化す
ることができる。従って、保磁力を高め、再生出力を向
上させるとともに、ノイズ低減が可能となる。
In the manufacturing method of this embodiment, the alignment control film 4
In this case, an alloy containing the first and second elements is used.
The crystal orientation of the orientation control film 4 and the perpendicular magnetic film 5 can be improved. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film 4 and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film 5. Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0046】また、配向制御膜4に、上記酸化物、C、
Bを含む第1元素合金を用いることによって、配向制御
膜4および垂直磁性膜5の結晶配向性を向上させ、優れ
た磁気異方性を得ることができる。また配向制御膜4に
おいて結晶粒を小粒径化し、垂直磁性膜5において磁性
粒子を微細化することができる。従って、保磁力を高
め、再生出力を向上させるとともに、ノイズ低減が可能
となる。
The above-mentioned oxide, C,
By using the first element alloy containing B, the crystal orientation of the orientation control film 4 and the perpendicular magnetic film 5 can be improved, and excellent magnetic anisotropy can be obtained. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film 4 and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film 5. Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0047】図2に示すように、本発明の磁気記録媒体
では、配向制御膜4と垂直磁性膜5との間に、非磁性材
料からなる非磁性中間膜8を設けることができる。非磁
性中間膜8には、Co合金を用いることができる。この
Co合金としては、CoCrを用いることができる。ま
たTa、Zr、Nb、Cu、Re、Ru、Ni、Mn、
Ge、Si、O、N、Bから選ばれる1種または2種以
上の元素をCoCrに添加した合金を用いることができ
る。またTa、Zr、Nb、Cu、Re、Ru、Ni、
Mn、Ge、Si、O、N、Bから選ばれる1種または
2種以上の元素と、Coとを含む非磁性のCo合金を用
いることもできる。非磁性中間膜8は、厚すぎると垂直
磁性膜5と軟磁性下地膜2との距離が大きくなることに
より分解能が低下しノイズ特性が悪化するため、厚さを
20nm以下とするのが好ましく、10nm以下とする
のがより好ましい。非磁性中間膜8を設けることによっ
て、垂直磁性膜5の配向性を向上させ保磁力を高めるこ
とができる。
As shown in FIG. 2, in the magnetic recording medium of the present invention, a non-magnetic intermediate film 8 made of a non-magnetic material can be provided between the orientation control film 4 and the perpendicular magnetic film 5. For the nonmagnetic intermediate film 8, a Co alloy can be used. As this Co alloy, CoCr can be used. Ta, Zr, Nb, Cu, Re, Ru, Ni, Mn,
An alloy in which one or more elements selected from Ge, Si, O, N, and B are added to CoCr can be used. Ta, Zr, Nb, Cu, Re, Ru, Ni,
A nonmagnetic Co alloy containing Co and one or more elements selected from Mn, Ge, Si, O, N, and B and Co can also be used. If the non-magnetic intermediate film 8 is too thick, the resolution between the non-magnetic intermediate film 5 and the soft magnetic under film 2 is increased due to an increase in the distance, and the noise characteristics are deteriorated. More preferably, the thickness is 10 nm or less. By providing the nonmagnetic intermediate film 8, the orientation of the perpendicular magnetic film 5 can be improved and the coercive force can be increased.

【0048】図3に示すように、本発明の磁気記録媒体
では、軟磁性下地膜2と基板1との間に、面内磁気異方
性を有する硬磁性材料からなる硬磁性膜9を設けること
もできる。硬磁性膜9に用いられる材料としては、Co
Cr合金を用いることができる。また遷移金属と希土類
元素との合金からなる磁性材料(CoSm合金など)を
用いることもできる。硬磁性膜9は、保磁力Hcが50
0(Oe)以上(好ましくは1000(Oe)以上)で
あることが好ましい。硬磁性膜9の厚さは、20〜15
0nm(好ましくは40〜70nm)とするの好まし
い。硬磁性膜9は、軟磁性下地膜2が基板半径方向の磁
壁を形成しないようにするため、基板中心から放射状の
方向に磁化され、軟磁性下地膜2との間に交換結合が形
成されていることが好ましい。硬磁性膜9の直下には、
CrまたはCr合金からなる下地膜(図示略)を設ける
のが好ましい。
As shown in FIG. 3, in the magnetic recording medium of the present invention, a hard magnetic film 9 made of a hard magnetic material having in-plane magnetic anisotropy is provided between the soft magnetic underlayer 2 and the substrate 1. You can also. The material used for the hard magnetic film 9 is Co
A Cr alloy can be used. A magnetic material (such as a CoSm alloy) made of an alloy of a transition metal and a rare earth element can also be used. The hard magnetic film 9 has a coercive force Hc of 50.
It is preferably 0 (Oe) or more (preferably 1000 (Oe) or more). The thickness of the hard magnetic film 9 is 20 to 15
It is preferably set to 0 nm (preferably 40 to 70 nm). The hard magnetic film 9 is magnetized in a radial direction from the center of the substrate so that the soft magnetic underlayer 2 does not form a domain wall in the substrate radial direction, and exchange coupling is formed between the hard magnetic film 9 and the soft magnetic underlayer 2. Is preferred. Immediately below the hard magnetic film 9,
It is preferable to provide a base film (not shown) made of Cr or a Cr alloy.

【0049】硬磁性膜9を設けることによって、軟磁性
下地膜2が形成する巨大な磁区によるスパイクノイズの
発生を防ぐことができ、エラーレート特性に優れ、高密
度記録が可能な磁気記録媒体を得ることができる。これ
は、以下の理由による。軟磁性下地膜2は、保磁力が小
さく磁化の方向が変わりやすいために、基板1の面内方
向に巨大な磁区を形成する。この軟磁性下地膜2中の磁
区の境界である磁壁は、スパイクノイズ発生の原因とな
り、磁気記録媒体のエラーレートを低下させる要因とな
ることがある。硬磁性膜9を軟磁性下地膜2と基板1と
の間に設けることにより、硬磁性膜9と軟磁性下地膜2
を交換結合させ、軟磁性下地膜2の磁化方向を強制的に
基板1半径方向に向け、上記巨大磁区が形成されないよ
うにすることができる。このため、スパイクノイズ発生
を防ぐことができる。
By providing the hard magnetic film 9, it is possible to prevent the occurrence of spike noise due to the giant magnetic domains formed by the soft magnetic underlayer 2, and to provide a magnetic recording medium having excellent error rate characteristics and capable of high-density recording. Obtainable. This is for the following reason. The soft magnetic underlayer 2 forms a huge magnetic domain in the in-plane direction of the substrate 1 because the coercive force is small and the direction of magnetization is easily changed. The domain wall, which is the boundary of the magnetic domains in the soft magnetic underlayer 2, may cause spike noise and may lower the error rate of the magnetic recording medium. By providing the hard magnetic film 9 between the soft magnetic under film 2 and the substrate 1, the hard magnetic film 9 and the soft magnetic under film 2
Are exchange-coupled, and the magnetization direction of the soft magnetic underlayer 2 is forcibly directed in the radial direction of the substrate 1 so that the giant magnetic domain is not formed. Therefore, generation of spike noise can be prevented.

【0050】図4は、本発明に係る磁気記録再生装置の
一例を示す断面構成図である。この図に示す磁気記録再
生装置は、上記構成の磁気記録媒体10と、この磁気記
録媒体10を回転駆動させる媒体駆動部11と、磁気記
録媒体10に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッド1
2と、磁気ヘッド12を駆動させるヘッド駆動部13
と、記録再生信号処理系14とを備えている。記録再生
信号系14は、入力されたデータを処理して記録信号を
磁気ヘッド12に送ったり、磁気ヘッド12からの再生
信号を処理してデータを出力することができるようにな
っている。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention. The magnetic recording / reproducing apparatus shown in FIG. 1 includes a magnetic recording medium 10 having the above configuration, a medium driving unit 11 for driving the magnetic recording medium 10 to rotate, and a magnetic head 1 for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium 10.
2 and a head drive unit 13 for driving the magnetic head 12
And a recording / reproducing signal processing system 14. The recording / reproducing signal system 14 can process input data and send a recording signal to the magnetic head 12, or can process a reproducing signal from the magnetic head 12 and output data.

【0051】磁気ヘッド12としては、単磁極ヘッドを
用いることができる。図5は、単磁極ヘッドの一例を示
すもので、単磁極ヘッド12は、磁極15と、コイル1
6とから概略構成されている。磁極15は、幅の狭い主
磁極17と幅広の補助磁極18とを有する側面視略コ字
状に形成され、主磁極17は、記録時に垂直磁性膜5に
印加される磁界を発生し、かつ再生時に垂直磁性膜5か
らの磁束を検出することができるようになっている。
As the magnetic head 12, a single-pole head can be used. FIG. 5 shows an example of a single-pole head. The single-pole head 12 includes a magnetic pole 15 and a coil 1.
6 and 6. The magnetic pole 15 is formed in a substantially U-shape in side view having a narrow main magnetic pole 17 and a wide auxiliary magnetic pole 18, and the main magnetic pole 17 generates a magnetic field applied to the perpendicular magnetic film 5 during recording, and At the time of reproduction, the magnetic flux from the perpendicular magnetic film 5 can be detected.

【0052】単磁極ヘッド12を用いて、磁気記録媒体
10への記録を行う際には、主磁極17の先端から発せ
られた磁束が、垂直磁性膜5を、基板1に対し垂直な方
向に磁化させる。この際、磁気記録媒体10には軟磁性
下地膜2が設けられているため、主磁極17からの磁束
は、垂直磁性膜5、軟磁性下地膜2を通って補助磁極1
8に至る閉磁路を形成する。この閉磁路が単磁極ヘッド
12と磁気記録媒体10との間に形成されることによ
り、磁束の出入りの効率が増し、高密度の記録再生が可
能になる。なお、軟磁性膜2と補助磁極18との間の磁
束は、主磁極17と軟磁性膜2との間の磁束とは逆向き
になるが、補助磁極18の面積は主磁極17に比べて十
分に広いため、補助磁極18からの磁束密度は十分に小
さくなり、この補助磁極18からの磁束により垂直磁性
膜5の磁化が影響を受けることはない。また本発明で
は、磁気ヘッドとして、単磁極ヘッド以外のもの、例え
ば再生部に巨大磁気抵抗(GMR)素子を備えた複合型
薄膜磁気記録ヘッドを用いることもできる。
When recording is performed on the magnetic recording medium 10 using the single pole head 12, the magnetic flux generated from the tip of the main pole 17 causes the perpendicular magnetic film 5 to move in the direction perpendicular to the substrate 1. Magnetize. At this time, since the magnetic recording medium 10 is provided with the soft magnetic underlayer 2, the magnetic flux from the main magnetic pole 17 passes through the perpendicular magnetic film 5 and the soft magnetic underlayer 2 to form the auxiliary magnetic pole 1.
8 to form a closed magnetic circuit. Since the closed magnetic path is formed between the single-pole head 12 and the magnetic recording medium 10, the efficiency of entering and exiting the magnetic flux increases, and high-density recording / reproduction becomes possible. Although the magnetic flux between the soft magnetic film 2 and the auxiliary magnetic pole 18 is opposite to the magnetic flux between the main magnetic pole 17 and the soft magnetic film 2, the area of the auxiliary magnetic pole 18 is larger than that of the main magnetic pole 17. Since the magnetic flux density is sufficiently large, the magnetic flux density from the auxiliary magnetic pole 18 is sufficiently small, and the magnetic flux from the auxiliary magnetic pole 18 does not affect the magnetization of the perpendicular magnetic film 5. In the present invention, a magnetic head other than a single-pole head, for example, a composite thin-film magnetic recording head having a giant magnetoresistive (GMR) element in a reproducing section can be used.

【0053】本発明の磁気記録媒体は、磁気記録媒体1
0の配向制御膜4に、上記第1および第2元素を含む合
金(または上記酸化物、C、Bを含む第1元素合金)を
用いるので、配向制御膜4および垂直磁性膜5の結晶配
向性を向上させることができる。また配向制御膜4にお
いて結晶粒を小粒径化し、垂直磁性膜5において磁性粒
子を微細化することができる。よって、保磁力を高め、
再生出力を向上させるとともに、ノイズ低減が可能とな
る。従って、高記録密度化を図ることができる。
The magnetic recording medium of the present invention is a magnetic recording medium 1
Since the alloy containing the first and second elements (or the first element alloy containing the above oxides, C and B) is used for the zero orientation control film 4, the crystal orientation of the orientation control film 4 and the perpendicular magnetic film 5 is controlled. Performance can be improved. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film 4 and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film 5. Therefore, increase the coercive force,
It is possible to improve the reproduction output and reduce noise. Therefore, high recording density can be achieved.

【0054】[0054]

【実施例】以下、実施例を示して本発明の作用効果を明
確にする。 (実施例1〜36)洗浄済みのガラス基板1(オハラ社
製、外径2.5インチ)をDCマグネトロンスパッタ装
置(アネルバ社製C−3010)の成膜チャンバ内に収
容し、到達真空度1×10-5Paとなるまで成膜チャン
バ内を排気した後、このガラス基板1上に、100℃の
温度条件で89at%Co−4at%Zr−7at%N
bからなる軟磁性下地膜2(厚さ100nm)をスパッ
タ法により形成した。次いで、200℃の温度条件で、
軟磁性下地膜2上に、50at%Ni−50at%Al
からなる配向制御下地膜3(厚さ8nm)と、配向制御
膜4(厚さ5nm)とをスパッタ法により形成した。配
向制御膜4には、第1原料(RuまたはRe)と、第2
原料(V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、
Pd、Pt、Ir、SiO2、ZrO2、HfO2、Ti
2、Al23、C、またはB)とからなる合金を用い
た。第2原料の含有率は表2に示した通りとした。次い
で、62at%Co−20at%Cr−14at%Pt
−4at%Bからなる垂直磁性膜5(厚さ30nm)を
形成した。上記スパッタリング工程においては、成膜用
のプロセスガスとしてアルゴンを用い、ガス圧力0.5
Paにて成膜を行った。次いで、CVD法によりカーボ
ンからなる保護膜6(厚さ5nm)を形成した。次い
で、ディップコーティング法により、パーフルオロポリ
エーテルからなる潤滑膜7(厚さ2nm)を形成し、磁
気記録媒体を得た。
The following examples are provided to clarify the operation and effect of the present invention. (Examples 1 to 36) A cleaned glass substrate 1 (manufactured by OHARA, 2.5 inches in outer diameter) was housed in a film forming chamber of a DC magnetron sputtering apparatus (C-3010, manufactured by Anelva), and the ultimate vacuum degree was set. After the inside of the film forming chamber was evacuated to 1 × 10 −5 Pa, 89 at% Co-4 at% Zr-7 at% N was placed on the glass substrate 1 at a temperature of 100 ° C.
A soft magnetic underlayer 2 (thickness: 100 nm) made of b was formed by a sputtering method. Then, at a temperature of 200 ° C.,
On the soft magnetic underlayer 2, 50 at% Ni-50 at% Al
An alignment control base film 3 (thickness: 8 nm) and an alignment control film 4 (thickness: 5 nm) were formed by sputtering. The orientation control film 4 includes a first material (Ru or Re) and a second material.
Raw materials (V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Ni,
Pd, Pt, Ir, SiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , Ti
An alloy consisting of O 2 , Al 2 O 3 , C or B) was used. The content of the second raw material was as shown in Table 2. Next, 62 at% Co-20 at% Cr-14 at% Pt
A perpendicular magnetic film 5 (thickness: 30 nm) of -4 at% B was formed. In the sputtering step, argon is used as a process gas for film formation, and a gas pressure of 0.5 is used.
Film formation was performed at Pa. Next, a protective film 6 (thickness: 5 nm) made of carbon was formed by a CVD method. Next, a lubricating film 7 (2 nm thick) made of perfluoropolyether was formed by dip coating to obtain a magnetic recording medium.

【0055】(比較例1、2)配向制御膜を、Ruまた
はReからなるものとすること以外は実施例1と同様に
して磁気記録媒体を作製した。
(Comparative Examples 1 and 2) A magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the orientation control film was made of Ru or Re.

【0056】各磁気記録媒体の磁気特性を、GUZIK
社製リードライトアナライザRWA1632、およびス
ピンスタンドS1701MPを用いて測定した。磁気特
性の評価には、磁気ヘッドとして単磁極ヘッドを用い、
線記録密度100kFCI、エラーレート600kFC
I(再生時)にて測定を行った。結果を表2に示す。H
cは、磁気記録媒体を基板1に対し垂直な方向に磁化さ
せたときの保磁力を示す。
The magnetic characteristics of each magnetic recording medium were determined by GUZIK
The measurement was performed using a read / write analyzer RWA1632 manufactured by KK and a spin stand S1701MP. For evaluation of magnetic characteristics, a single pole head was used as the magnetic head,
Linear recording density 100 kFCI, error rate 600 kFC
The measurement was performed at I (during regeneration). Table 2 shows the results. H
c indicates a coercive force when the magnetic recording medium is magnetized in a direction perpendicular to the substrate 1.

【0057】[0057]

【表2】 [Table 2]

【0058】表2より、配向制御膜4にRuまたはRe
を用いた比較例に比べ、RuまたはReに上記第2原料
を添加した合金を配向制御膜4に用いた実施例では、保
磁力Hc、再生出力、SNRについて優れた結果が得ら
れたことがわかる。
As shown in Table 2, Ru or Re was used for the orientation control film 4.
In the example using the alloy in which the second raw material was added to Ru or Re for the orientation control film 4, as compared with the comparative example using No., excellent results were obtained in the coercive force Hc, the reproduction output, and the SNR. Understand.

【0059】(実施例37)配向制御下地膜3の厚さを
変えることによって軟磁性下地膜2と垂直磁性膜5との
距離を変化させること以外は実施例1と同様にして磁気
記録媒体を作製した。これら磁気記録媒体のオーバーラ
イト(Over Wright、以下、OWという)を
測定した結果を図6に示す。図6より、軟磁性下地膜2
と垂直磁性膜5との間隔が60nmを越える場合にはO
Wが35dB以下となり再生特性が低くなるのに対し、
この間隔を60nm以下とすることによって、優れた再
生特性を得ることができたことがわかる。
(Example 37) A magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the distance between the soft magnetic underlayer 2 and the perpendicular magnetic film 5 was changed by changing the thickness of the orientation control underlayer 3. Produced. FIG. 6 shows the results of measurement of overwriting (overwriting, hereinafter referred to as OW) of these magnetic recording media. As shown in FIG.
When the distance between the magnetic layer and the perpendicular magnetic film 5 exceeds 60 nm, O
Whereas W becomes 35 dB or less and the reproduction characteristics are lowered,
It can be seen that excellent reproduction characteristics could be obtained by setting this interval to 60 nm or less.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体にあっては、配向制御膜が、第1元素と、この第1
元素に対し固溶可能な第2元素とを含む合金からなり、
第1元素がRuおよび/またはReであり、第2元素
が、第1元素に対する固溶限界を有し、かつその単体結
晶がhcp構造をとらないものである構成によって、配
向制御膜の結晶配向性を高め、垂直磁性膜の結晶配向性
を向上させることができる。また配向制御膜において結
晶粒を小粒径化し、垂直磁性膜において磁性粒子を微細
化することができる。従って、保磁力を高め、再生出力
を向上させるとともに、ノイズ低減が可能となる。
As described above, in the magnetic recording medium of the present invention, the orientation control film includes the first element and the first element.
An alloy containing a second element capable of forming a solid solution with the element,
The structure in which the first element is Ru and / or Re, the second element has a solid solution limit with respect to the first element, and the single crystal thereof does not have the hcp structure, and thus the crystal orientation of the orientation control film is obtained. And the crystal orientation of the perpendicular magnetic film can be improved. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film. Therefore, the coercive force can be increased, the reproduction output can be improved, and noise can be reduced.

【0061】また配向制御膜に、Si酸化物、Zr酸化
物、Hf酸化物、Ti酸化物、Al酸化物、C、Bのう
ちから選ばれる少なくとも1種を、Ruおよび/または
Reに添加した合金を用いることによって、配向制御膜
および垂直磁性膜の結晶配向性を向上させることができ
る。また配向制御膜において結晶粒を小粒径化し、垂直
磁性膜において磁性粒子を微細化することができる。従
って、保磁力を高め、再生出力を向上させるとともに、
ノイズ低減が可能となる。
Further, at least one selected from Si oxide, Zr oxide, Hf oxide, Ti oxide, Al oxide, C and B was added to Ru and / or Re to the orientation control film. By using an alloy, the crystal orientation of the orientation control film and the perpendicular magnetic film can be improved. Further, the crystal grains can be reduced in the orientation control film and the magnetic particles can be reduced in the perpendicular magnetic film. Therefore, while increasing the coercive force and improving the reproduction output,
Noise can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の磁気記録媒体の第1の実施形態を
示す一部断面図である。
FIG. 1 is a partial sectional view showing a first embodiment of a magnetic recording medium according to the present invention.

【図2】 本発明の磁気記録媒体の第2の実施形態を
示す一部断面図である。
FIG. 2 is a partial sectional view showing a second embodiment of the magnetic recording medium of the present invention.

【図3】 本発明の磁気記録媒体の第3の実施形態を
示す一部断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view illustrating a third embodiment of the magnetic recording medium of the present invention.

【図4】 本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概
略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention.

【図5】 図4に示す磁気記録再生装置に使用される
磁気ヘッドの一例を示
5 shows an example of a magnetic head used in the magnetic recording / reproducing apparatus shown in FIG.

【図6】 試験結果を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing test results.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…非磁性基板、2…軟磁性下地膜、3・・・配向制御下
地膜、4…配向制御膜、5…垂直磁性膜、6…保護膜、
10…磁気記録媒体、12…磁気ヘッド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Non-magnetic substrate, 2 ... Soft magnetic base film, 3 ... Alignment control base film, 4 ... Alignment control film, 5 ... Perpendicular magnetic film, 6 ... Protective film,
10 ... magnetic recording medium, 12 ... magnetic head

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂脇 彰 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 楊 輝 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 國分 誠人 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 (72)発明者 酒井 浩志 千葉県市原市八幡海岸通5番の1 昭和電 工エイチ・ディー株式会社内 Fターム(参考) 5D006 CA01 CA06 DA08 EA03 5D112 AA03 BD03 BD08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Akira Sakawaki 5-1, Yawata Kaigandori, Ichihara-shi, Chiba Prefecture Inside Showa Denko H.D. Co., Ltd. (1) Inside Showa Denko H.D. Co., Ltd. (72) Inventor Masato Kokubu 5-1, Yawata Kaigan-dori, Ichihara City, Chiba Prefecture Inside Showa Denko H. D. Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Sakai Ichihara, Chiba Prefecture 5th, Yawata Kaigandori Showa Denko H.D. Co., Ltd. F-term (reference) 5D006 CA01 CA06 DA08 EA03 5D112 AA03 BD03 BD08

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、配向制御下地膜と、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設
けられ、 配向制御膜は、第1元素と、この第1元素に対し固溶可
能な第2元素とを含む合金からなり、 第1元素が、Ruおよび/またはReであり、 第2元素が、第1元素に対する固溶限界を有し、かつそ
の単体結晶がhcp構造をとらないものであることを特
徴とする磁気記録媒体。
1. A non-magnetic substrate, comprising: a soft magnetic underlayer made of at least a soft magnetic material; an orientation control underlayer; an orientation control film for controlling the orientation of a film immediately above the nonmagnetic substrate; A perpendicular magnetic film mainly oriented vertically and a protective film are provided, and the orientation control film is made of an alloy containing a first element and a second element which is soluble in the first element. A magnetic recording medium, wherein the element is Ru and / or Re, the second element has a solid solution limit with respect to the first element, and a single crystal thereof does not have an hcp structure.
【請求項2】 第2元素が、V、Nb、Ta、Cr、
Mo、W、Mn、Ni、Pd、Pt、Irのうちから選
ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1
記載の磁気記録媒体。
2. The method according to claim 1, wherein the second element is V, Nb, Ta, Cr,
2. The material according to claim 1, wherein the material is at least one selected from Mo, W, Mn, Ni, Pd, Pt, and Ir.
The magnetic recording medium according to the above.
【請求項3】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、配向制御下地膜と、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設
けられ、 配向制御膜は、Si酸化物、Zr酸化物、Hf酸化物、
Ti酸化物、Al酸化物、C、Bのうちから選ばれる少
なくとも1種を、Ruおよび/またはReに添加した合
金からなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
3. A soft magnetic underlayer made of at least a soft magnetic material on a nonmagnetic substrate, an orientation control underlayer, an orientation control film for controlling the orientation of a film immediately above, and an easy axis of magnetization with respect to the substrate. A perpendicular magnetic film mainly oriented vertically and a protective film are provided. The orientation control film is made of Si oxide, Zr oxide, Hf oxide,
A magnetic recording medium comprising an alloy obtained by adding at least one selected from Ti oxide, Al oxide, C, and B to Ru and / or Re.
【請求項4】 配向制御下地膜は、NiAl、FeA
l、CoFe、CoZr、NiTi、AlCo、AlR
u、CoTiのうち1種または2種以上の合金を主成分
とするものであることを特徴とする請求項1〜3のうち
いずれか1項記載の磁気記録媒体。
4. The alignment control underlayer is made of NiAl or FeA.
1, CoFe, CoZr, NiTi, AlCo, AlR
The magnetic recording medium according to any one of claims 1 to 3, wherein one or more alloys of u and CoTi are used as main components.
【請求項5】 軟磁性下地膜と垂直磁性膜との間隔が
60nm以下であることを特徴とする請求項1〜4のう
ちいずれか1項記載の磁気記録媒体。
5. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein an interval between the soft magnetic underlayer and the perpendicular magnetic layer is 60 nm or less.
【請求項6】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、配向制御下地膜と、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設
ける磁気記録媒体の製造方法であって、 配向制御膜を、第1元素と、この第1元素に対し固溶可
能な第2元素とを含む合金からなり、第1元素がRuお
よび/またはReであり、第2元素が、第1元素に対す
る固溶限界を有し、かつその単体結晶がhcp構造をと
らないものとすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
6. A non-magnetic substrate, comprising: a soft magnetic under film made of at least a soft magnetic material; an orientation control under film; an orientation control film for controlling the orientation of the film immediately above; What is claimed is: 1. A method for manufacturing a magnetic recording medium comprising a perpendicular magnetic film mainly oriented vertically and a protective film, wherein the orientation control film comprises a first element and a second element capable of forming a solid solution with the first element. Wherein the first element is Ru and / or Re, the second element has a solid solution limit to the first element, and the single crystal thereof does not have an hcp structure. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項7】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材
料からなる軟磁性下地膜と、配向制御下地膜と、直上の
膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板
に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設
ける磁気記録媒体の製造方法であって、 配向制御膜を、Si酸化物、Zr酸化物、Hf酸化物、
Ti酸化物、Al酸化物、C、Bのうちから選ばれる少
なくとも1種を、Ruおよび/またはReに添加した合
金からなるものとすることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
7. A non-magnetic substrate, comprising: a soft magnetic underlayer made of at least a soft magnetic material; an orientation control underlayer; an orientation control film for controlling the orientation of the film immediately above; What is claimed is: 1. A method for manufacturing a magnetic recording medium comprising a perpendicular magnetic film mainly oriented vertically and a protective film, wherein the orientation control film is formed of a Si oxide, a Zr oxide, a Hf oxide,
A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising an alloy in which at least one selected from Ti oxide, Al oxide, C, and B is added to Ru and / or Re.
【請求項8】 請求項1〜7のうちいずれか1項記載
の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生す
る磁気ヘッドとを備えたことを特徴とする磁気記録再生
装置。
8. A magnetic recording / reproducing apparatus comprising: the magnetic recording medium according to claim 1; and a magnetic head for recording / reproducing information on / from the magnetic recording medium.
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