JP2002329764A - Wafer transfer apparatus and transfer method - Google Patents

Wafer transfer apparatus and transfer method

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JP2002329764A
JP2002329764A JP2001134518A JP2001134518A JP2002329764A JP 2002329764 A JP2002329764 A JP 2002329764A JP 2001134518 A JP2001134518 A JP 2001134518A JP 2001134518 A JP2001134518 A JP 2001134518A JP 2002329764 A JP2002329764 A JP 2002329764A
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JP
Japan
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wafer
claw
transfer
heat stage
stage
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Application number
JP2001134518A
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Japanese (ja)
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Hirobumi Moroe
博文 諸江
Yasuyuki Komachi
保幸 小町
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Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer transfer apparatus and a method which can reduce a stress to a wafer, realizes simplification of the apparatus, and the temperature variation of the wafer is little. SOLUTION: The wafer transfer apparatus is equipped with heat stages 20, 21, 22 on upper surfaces of which grooved channels 23 parallel in a direction A of transferring wafer are formed, pawls 35 inserted into the grooved channels 23, and a transfer means which holds the pawls 35, moves them up/down, and removes them in a direction of transferring. An inclined plane 35a is formed at a tip of the pawl 35 in the transfer direction, the inclined planes 35a are formed so as to extrude little over the heat stages 20, 21, 22 when the pawls 35 are positioned in the grooved channels 23.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ搬送装置
及び搬送方法に関する。
The present invention relates to a wafer transfer device and a transfer method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェーハ搬送装置を図4により説
明する。相対向して配設された一対の搬送アーム40A
及び40Bには、それぞれ2個一対の爪41A及び41
Bが固定されている。搬送アーム40A及び40Bは、
搬送手段42に設けられた図示しないアーム開閉機構に
よって開閉、上下駆動機構及び水平駆動機構によって上
下動及び水平移動させられる。
2. Description of the Related Art A conventional wafer transfer device will be described with reference to FIG. A pair of transfer arms 40A disposed opposite to each other
And 40B have two pairs of claws 41A and 41, respectively.
B is fixed. The transfer arms 40A and 40B
It is opened / closed by an arm opening / closing mechanism (not shown) provided on the transport means 42, and is vertically moved and horizontally moved by a vertical driving mechanism and a horizontal driving mechanism.

【0003】そこで、ヒートステージ43に載置された
ウェーハ1を搬送する時は、図4(a)に示すように、
一対の搬送アーム40A及び40Bが開いた状態で、搬
送手段42の図示しないアーム開閉機構によって搬送ア
ーム40A及び40Bが閉じる。これにより、図4
(b)に示すように、爪41A及び41Bによってウェ
ーハ1の側面を挟み込む。次に図示しない上下駆動機構
によって搬送アーム40A及び40Bが上昇し、ウェー
ハ1はヒートステージ43より持ち上げられる。続いて
図示しない水平駆動機構によって搬送アーム40A及び
40Bが水平移動して搬送される。
Therefore, when transporting the wafer 1 placed on the heat stage 43, as shown in FIG.
With the pair of transfer arms 40A and 40B open, the transfer arms 40A and 40B are closed by an arm opening / closing mechanism (not shown) of the transfer means 42. As a result, FIG.
As shown in (b), the side surface of the wafer 1 is sandwiched between the claws 41A and 41B. Next, the transfer arms 40 </ b> A and 40 </ b> B are raised by a vertical drive mechanism (not shown), and the wafer 1 is lifted from the heat stage 43. Subsequently, the transport arms 40A and 40B are horizontally moved and transported by a horizontal drive mechanism (not shown).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ヒートステージ43で
加熱されたウェーハ1をヒートステージ43より搬送さ
せるものではないが、特開平10−1772号公報に
は、ウェーハ1には、加熱、冷却による温度差により帯
電する熱電性素材で構成されたものがあることが開示さ
れている。このような熱電性素材で構成されたウェーハ
1をヒートステージ43より持ち上げる場合、従来技術
は爪41A及び41Bで挟み込んでそのまま上方に持ち
上げるので、垂直抗力がそのまま作用し、ウェーハ1に
ストレスが加わる。
Although the wafer 1 heated by the heat stage 43 is not transported from the heat stage 43, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1772 discloses that the wafer 1 has a temperature caused by heating and cooling. It is disclosed that there is one made of a thermoelectric material charged by the difference. When the wafer 1 made of such a thermoelectric material is lifted from the heat stage 43, in the related art, the wafer 1 is sandwiched between the claws 41A and 41B and lifted upward, so that the vertical drag acts as it is and stress is applied to the wafer 1.

【0005】また従来技術は、搬送アーム40A及び4
0Bを開閉させて爪41A及び41Bによってウェーハ
1を挟むので、アーム開閉機構を必要とし、装置が複雑
となる。またヒートステージ43よりウェーハ1全体を
浮かしてしまうので、ウェーハ1の温度変化が大きく、
ウェーハ1に悪影響を及ぼす。
In the prior art, the transfer arms 40A and 4A
Since the wafer 1 is sandwiched between the claws 41A and 41B by opening and closing 0B, an arm opening and closing mechanism is required, and the apparatus becomes complicated. Also, since the entire wafer 1 is lifted from the heat stage 43, the temperature change of the wafer 1 is large,
This has an adverse effect on the wafer 1.

【0006】また熱電性素材でないウェーハ1であって
も、ウェーハ1がヒートステージ43に密着している場
合には、前記した問題が同様に生じる。なお、基板表面
の帯電を除去するものとして、例えば特開平7−321
177号公報に示すように、基板表面にイオン化された
気体を吹き付けることが提案されている。しかし、この
方法によっては、基板表面の帯電は除去されても、ヒー
トステージと基板又はウェーハとの接触面の帯電は除去
できない。
[0006] Even if the wafer 1 is not a thermoelectric material, the above-described problem similarly occurs when the wafer 1 is in close contact with the heat stage 43. As a device for removing the charge on the substrate surface, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 177, 177, it has been proposed to spray an ionized gas onto a substrate surface. However, according to this method, even if the charge on the substrate surface is removed, the charge on the contact surface between the heat stage and the substrate or wafer cannot be removed.

【0007】本発明の課題は、ウェーハに加わるストレ
スを軽減させることができ、また装置の簡素化が図れ、
更にウェーハの温度変化が少ないウェーハ搬送装置及び
搬送方法を提供することにある。
An object of the present invention is to reduce the stress applied to a wafer and to simplify the apparatus,
It is still another object of the present invention to provide a wafer transfer device and a transfer method in which a change in wafer temperature is small.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の装置は、上面に搬送方向と平行な溝を形成し
たヒートステージと、前記溝に挿入される爪と、この爪
を保持して上下動及び搬送方向に移動させる搬送手段と
を備え、前記爪は、搬送方向の先端に斜面部が形成さ
れ、斜面部は、爪が溝内に位置している時にヒートステ
ージより僅かに出る高さに形成されていることを特徴と
する。
According to an embodiment of the present invention, there is provided a heat stage having a groove formed on an upper surface thereof, the groove being parallel to the conveying direction, a claw inserted into the groove, and a claw holding the claw. The claw is formed with a slope at the tip in the conveyance direction, and the slope is slightly smaller than the heat stage when the claw is located in the groove. It is characterized by being formed at a protruding height.

【0009】上記課題を解決するための本発明の方法
は、ヒートステージ上に載置されたウェーハを搬送方向
から見て後方の裏面エッジを爪で押し上げてヒートステ
ージから離し、前記爪でウェーハの後方を押し上げたま
ま押して搬送することを特徴とする。
According to the method of the present invention for solving the above-mentioned problems, a wafer placed on a heat stage is pushed up with a claw on a rear surface rear side when viewed from the transfer direction, and separated from the heat stage with the claw. It is characterized in that it is conveyed by pushing while pushing up the rear.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1及び
図2により説明する。図1に示すように、ウェーハ1を
積層する形で収納したローダ側マガジン2と、加工が完
了したウェーハ1を積層する形で収納するアンローダ側
マガジン3は、それぞれローダ側エレベータ4及びアン
ローダ側エレベータ5に位置決め載置されている。ロー
ダ側エレベータ4とアンローダ側エレベータ5間には、
オリフラ合わせ機構10、プリヒートステージ20、メ
インヒートステージ21、アフタヒートステージ22が
配設されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, a loader-side magazine 2 for storing wafers 1 in a stacked form and an unloader-side magazine 3 for storing processed wafers 1 in a stacked form are a loader-side elevator 4 and an unloader-side elevator, respectively. 5 is positioned and mounted. Between the loader-side elevator 4 and the unloader-side elevator 5,
An orientation flat aligning mechanism 10, a pre-heat stage 20, a main heat stage 21, and an after-heat stage 22 are provided.

【0011】オリフラ合わせ機構10は、該オリフラ合
わせ機構10の中心部に配設された回転テーブル11
と、プリヒートステージ20側に配設された固定のウェ
ーハ位置決めブロック12と、ウェーハ1の搬送方向A
と直角方向に配設された一対の開閉するウェーハ位置決
めブロック13とからなっている。ここで、回転テーブ
ル11は、図示しない駆動手段で上下及び回転駆動させ
られる。ウェーハ位置決めブロック12の上面は、プリ
ヒートステージ20の上面より低くなっている。ウェー
ハ位置決めブロック13は、図示しない駆動手段で開閉
駆動させられる。
The orientation flat aligning mechanism 10 includes a rotary table 11 disposed at the center of the orientation flat aligning mechanism 10.
A fixed wafer positioning block 12 disposed on the preheat stage 20 side;
And a pair of opening / closing wafer positioning blocks 13 arranged at right angles to each other. Here, the rotary table 11 is driven to rotate vertically and rotationally by driving means (not shown). The upper surface of the wafer positioning block 12 is lower than the upper surface of the preheat stage 20. The wafer positioning block 13 is driven to open and close by driving means (not shown).

【0012】ローダ側マガジン2内の下方のウェーハ1
をオリフラ合わせ機構10に搬送するために、ローダ側
マガジン2からオリフラ合わせ機構10部には、ベルト
コンベア14が配設されている。以上の構成は、周知の
構造であるので、これ以上の説明は省略する。
Lower wafer 1 in loader side magazine 2
A belt conveyor 14 is provided from the loader side magazine 2 to the orientation flat aligning mechanism 10 in order to transport the sheet to the orientation flat aligning mechanism 10. Since the above configuration is a well-known structure, further description is omitted.

【0013】プリヒートステージ20、メインヒートス
テージ21及びアフタヒートステージ22には、ウェー
ハ1の搬送方向Aに沿ってそれぞれ2個の溝23が設け
られている。
Each of the preheat stage 20, the main heat stage 21 and the afterheat stage 22 is provided with two grooves 23 along the transfer direction A of the wafer 1.

【0014】オリフラ合わせ機構10からメインヒート
ステージ21の側方及びプリヒートステージ20からア
ンローダ側エレベータ5の側方には、それぞれウェーハ
1の搬送方向Aと平行で水平に伸びたガイドレール30
A、30Bが配設されている。ガイドレール30A、3
0Bには、それぞれスライダ31A、31Bが摺動自在
に嵌挿されている。スライダ31A、31Bには、それ
ぞれ垂直に伸びたガイドレール32A、32Bが設けら
れており、ガイドレール32A、32Bには、それぞれ
第1及び第2の搬送アーム33A、33Bが摺動自在に
嵌挿されている。第1及び第2の搬送アーム33A、3
3Bは、それぞれ図示しない駆動手段でガイドレール3
0A、30Bに沿って水平駆動及びガイドレール32
A、32Bに沿って上下駆動させられる。
The guide rails 30 extending horizontally in parallel with the transfer direction A of the wafer 1 are provided from the orientation flat aligning mechanism 10 to the side of the main heat stage 21 and from the preheat stage 20 to the side of the unloader-side elevator 5, respectively.
A and 30B are provided. Guide rail 30A, 3
Sliders 31A and 31B are slidably fitted to OB, respectively. The sliders 31A and 31B are provided with vertically extending guide rails 32A and 32B, respectively, and the first and second transfer arms 33A and 33B are slidably fitted into the guide rails 32A and 32B, respectively. Have been. First and second transfer arms 33A, 3A
3B are driving means (not shown) each of which is a guide rail 3B.
0A, 30B and horizontal drive and guide rail 32
A and 32B are driven up and down.

【0015】図2に示すように、第1及び第2の搬送ア
ーム33A、33Bの下面には、それぞれ爪ブロック3
4が固定されており、爪ブロック34には、2個の溝2
3に対応して2個の爪35が形成されている。爪35の
搬送方向Aの先端には、斜面部35aが形成され、斜面
部35aは、爪35が溝23内に位置している時に、上
方部がプリヒートステージ20、メインヒートステージ
21、アフタヒートステージ22より僅かに出る高さと
なっている。
As shown in FIG. 2, claw blocks 3 are provided on the lower surfaces of the first and second transfer arms 33A and 33B, respectively.
4 are fixed, and the claw block 34 has two grooves 2
3, two claws 35 are formed. An inclined surface 35a is formed at the tip of the claw 35 in the transport direction A. When the claw 35 is located in the groove 23, the upper surface of the inclined surface 35a is the preheat stage 20, the main heat stage 21, and the after heat. The height is slightly higher than the stage 22.

【0016】次に作用について説明する。まず、ローダ
側マガジン2内のウェーハ1がオリフラ合わせ機構10
に搬送される。この場合は、第1の搬送アーム33Aの
爪35は、ベルトコンベア14によって搬送されるウェ
ーハ1に干渉しないようにベルトコンベア14より上方
に位置している。また回転テーブル11は、ベルトコン
ベア14より下方に位置している。この状態でローダ側
マガジン2が下降させられ、ローダ側マガジン2内の下
方のウェーハ1がベルトコンベア14上に載置される。
次にベルトコンベア14が駆動させられ、ウェーハ1は
ローダ側マガジン2より回転テーブル11の上方に搬送
され、ウェーハ1の前端部がウェーハ位置決めブロック
12に当接する。
Next, the operation will be described. First, the wafer 1 in the loader side magazine 2 is moved to the orientation flat aligning mechanism 10.
Transported to In this case, the claw 35 of the first transfer arm 33A is positioned above the belt conveyor 14 so as not to interfere with the wafer 1 transferred by the belt conveyor 14. The turntable 11 is located below the belt conveyor 14. In this state, the loader-side magazine 2 is lowered, and the lower wafer 1 in the loader-side magazine 2 is placed on the belt conveyor 14.
Next, the belt conveyor 14 is driven, and the wafer 1 is transported above the turntable 11 from the loader-side magazine 2, and the front end of the wafer 1 contacts the wafer positioning block 12.

【0017】次にオリフラ合わせ機構10によってウェ
ーハ1の位置決めが行なわれる。この動作は、一対のウ
ェーハ位置決めブロック13が閉じてウェーハ1の中心
を位置決めした後に開く。続いて回転テーブル11の上
面がプリヒートステージ20の上面と同一面になるよう
に上昇する。これにより、ウェーハ1はベルトコンベア
14より持ち上げられる。その後回転テーブル11が回
転し、ウェーハ1のオリフラ1aを爪ブロック34の前
面部に位置するように位置決めされる。
Next, the wafer 1 is positioned by the orientation flat aligning mechanism 10. This operation is opened after the pair of wafer positioning blocks 13 is closed and the center of the wafer 1 is positioned. Subsequently, the upper surface of the turntable 11 is raised so as to be flush with the upper surface of the preheat stage 20. As a result, the wafer 1 is lifted from the belt conveyor 14. Thereafter, the rotary table 11 is rotated, and the orientation flat 1a of the wafer 1 is positioned so as to be positioned on the front surface of the claw block 34.

【0018】次に第1の搬送アーム33Aによって回転
テーブル11上のウェーハ1をプリヒートステージ20
上に搬送する動作が行なわれる。この動作は、爪35の
斜面部35aがウェーハ1の後方側の裏面エッジに対応
した状態で、スライダ31Aがガイドレール30Aに沿
って前進し、第1の搬送アーム33Aがプリヒートステ
ージ20の後方の位置まで移動する。これにより回転テ
ーブル11上のウェーハ1は、爪ブロック34の前面部
でウェーハ1のオリフラ1aが押され、プリヒートステ
ージ20上に載置される。次に第1の搬送アーム33A
が僅かに後退して待機する。
Next, the wafer 1 on the turntable 11 is moved to the preheat stage 20 by the first transfer arm 33A.
The operation of transporting upward is performed. In this operation, the slider 31A moves forward along the guide rail 30A with the inclined surface 35a of the claw 35 corresponding to the back surface edge on the rear side of the wafer 1, and the first transfer arm 33A moves backward of the preheat stage 20. Move to the position. As a result, the wafer 1 on the turntable 11 is placed on the preheat stage 20 by pressing the orientation flat 1 a of the wafer 1 on the front surface of the claw block 34. Next, the first transfer arm 33A
Slightly retreats and waits.

【0019】プリヒートステージ20上のウェーハ1が
常温より設定温度(例えば150℃)に加熱され、そし
て、メインヒートステージ21上にウェーハ1が無く、
かつ第2の搬送アーム33Bがメインヒートステージ2
1の前方にある場合には、第1の搬送アーム33Aがガ
イドレール30Aに沿って前進する。これにより、爪3
5の斜面部35aがウェーハ1の裏面エッジを押し上げ
てウェーハ1をプリヒートステージ20より離し、爪ブ
ロック34の前面部がウェーハ1のオリフラ1aを押し
ながらウェーハ1をプリヒートステージ20よりメイン
ヒートステージ21に搬送する。
The wafer 1 on the preheat stage 20 is heated from a normal temperature to a set temperature (for example, 150 ° C.), and there is no wafer 1 on the main heat stage 21;
And the second transfer arm 33B is the main heat stage 2
When the first transfer arm 33A is located in front of the first transfer arm 33, the first transfer arm 33A moves forward along the guide rail 30A. Thereby, the nail 3
5 pushes up the back surface edge of the wafer 1 to separate the wafer 1 from the preheat stage 20, and the front surface of the claw block 34 moves the wafer 1 from the preheat stage 20 to the main heat stage 21 while pressing the orientation flat 1a of the wafer 1. Transport.

【0020】その後、第1の搬送アーム33Aは、後退
して爪35がウェーハ1の裏面エッジから離れ、続いて
上昇及び後退してローダ側マガジン2の前方に位置し、
下降して初期の状態になる。前記したように、ウェーハ
1がオリフラ合わせ機構10よりプリヒートステージ2
0に搬送されると、回転テーブル11が下降し、ローダ
側マガジン2内の次のウェーハ1が前記した動作によっ
てオリフラ合わせ機構10に搬送されてウェーハ1の位
置決めが行なわれる。
Thereafter, the first transfer arm 33A retreats to move the claw 35 away from the back surface edge of the wafer 1, and then moves up and retreats to be positioned in front of the loader side magazine 2,
It descends to the initial state. As described above, the wafer 1 is moved from the orientation flat aligning mechanism 10 to the preheat stage 2.
When the wafer 1 is transported to 0, the rotary table 11 is lowered, and the next wafer 1 in the loader-side magazine 2 is transported to the orientation flat aligning mechanism 10 by the above-described operation, and the wafer 1 is positioned.

【0021】メインヒートステージ21上に載置された
ウェーハ1は、メインヒートステージ21によって設定
温度(例えば150℃)に維持され、ウェーハ1への加
工、例えばボンディング装置によりウェーハ1にバンプ
が形成される。ウェーハ1の加工が完了すると、第2の
搬送アーム33Bは、該第2の搬送アーム33Bの爪3
5がメインヒートステージ21上のウェーハ1の後方の
上方に位置するように、ガイドレール30Bに沿って移
動させられ、その後ガイドレール32Bに沿って下降さ
せられ、爪35が溝23内に挿入される。
The wafer 1 placed on the main heat stage 21 is maintained at a set temperature (for example, 150 ° C.) by the main heat stage 21 and processed into the wafer 1, for example, a bump is formed on the wafer 1 by a bonding apparatus. You. When the processing of the wafer 1 is completed, the second transfer arm 33B moves the claw 3 of the second transfer arm 33B.
5 is moved along the guide rail 30B so as to be positioned above the wafer 1 on the main heat stage 21 and then lowered along the guide rail 32B, and the claw 35 is inserted into the groove 23. You.

【0022】次に第2の搬送アーム33Bがガイドレー
ル30Bに沿って前進する。これにより、前記した第1
の搬送アーム33Aの動作と同様に、第2の搬送アーム
33Bの爪35の斜面部35aがウェーハ1の裏面エッ
ジを押し上げてウェーハ1をメインヒートステージ21
より離し、爪ブロック34の前面部がウェーハ1のオリ
フラ1aを押しながらウェーハ1をメインヒートステー
ジ21よりアフタヒートステージ22に搬送する。その
後、第2の搬送アーム33Bは後退して爪35がウェー
ハ1の裏面エッジから離れる。これにより、ウェーハ1
はアフタヒートステージ22に載置される。
Next, the second transfer arm 33B advances along the guide rail 30B. As a result, the first
Similarly to the operation of the transfer arm 33A, the slope 35a of the claw 35 of the second transfer arm 33B pushes up the back surface edge of the wafer 1 to move the wafer 1 to the main heat stage 21.
Then, the wafer 1 is transferred from the main heat stage 21 to the after-heat stage 22 while the front surface of the claw block 34 presses the orientation flat 1 a of the wafer 1. Thereafter, the second transfer arm 33 </ b> B retreats, and the claw 35 separates from the back surface edge of the wafer 1. Thereby, the wafer 1
Is mounted on the after-heat stage 22.

【0023】アフタヒートステージ22上のウェーハ1
が設定温度(例えば150℃)より常温に冷却される
と、第2の搬送アーム33Bは再びガイドレール30B
に沿って前進させられる。これにより、前記したと同様
に、第2の搬送アーム33Bの爪35の斜面部35aが
ウェーハ1の裏面エッジを押し上げてウェーハ1をアフ
タヒートステージ22より離し、爪ブロック34の前面
部がウェーハ1のオリフラ1aを押しながらウェーハ1
をアフタヒートステージ22よりアンローダ側マガジン
3に収納する。続いて第2の搬送アーム33Bは後退し
て爪35がウェーハ1の裏面エッジから離れた後に上昇
して待機し、次のメインヒートステージ21上のウェー
ハ1の加工が完了するのを待つ。メインヒートステージ
21上のウェーハ1の加工が完了すると、第2の搬送ア
ーム33Bは前記した一連の動作を行なう。
Wafer 1 on After Heat Stage 22
Is cooled to a normal temperature from a set temperature (for example, 150 ° C.), the second transfer arm 33B again moves the guide rail 30B
Is advanced along. Thus, similarly to the above, the inclined surface 35a of the claw 35 of the second transfer arm 33B pushes up the back surface edge of the wafer 1 to separate the wafer 1 from the after-heat stage 22, and the front surface of the claw block 34 Wafer 1 while pressing the orientation flat 1a
From the after-heat stage 22 in the unloader-side magazine 3. Subsequently, the second transfer arm 33B retreats and rises after the claws 35 are separated from the back surface edge of the wafer 1, and waits until the processing of the next wafer 1 on the main heat stage 21 is completed. When the processing of the wafer 1 on the main heat stage 21 is completed, the second transfer arm 33B performs a series of operations described above.

【0024】このように、爪35の斜面部35aによっ
てウェーハ1の裏面エッジの一部分を押し上げるので、
この押し上げによって垂直抗力が分力され、ウェーハ1
がヒートステージ20、21、22より離れる時にウェ
ーハ1に加わるストレスが軽減される。また爪ブロック
34によってウェーハ1を押して搬送するので、搬送手
段と別個にウェーハ1を挟み込むアーム開閉機構を必要
としない。
As described above, since a part of the back surface edge of the wafer 1 is pushed up by the inclined surface 35a of the claw 35,
This push-up separates the vertical drag into the wafer 1
Is applied to the wafer 1 when moving away from the heat stages 20, 21, and 22. Further, since the wafer 1 is pushed and transferred by the claw block 34, there is no need for an arm opening / closing mechanism for holding the wafer 1 separately from the transfer means.

【0025】また爪35の斜面部35aによってウェー
ハ1の後端側の裏面エッジを押し上げた時、図3(b)
に示すように対辺(ウェーハ1の前端側)のエッジはヒ
ートステージ20、21、22に接地しているので、図
3(a)に示すように全体を浮かす従来技術より、ヒー
トステージ20、21、22とウェーハ1との間の空間
が少なく、輻射熱を受け易いので、〔表1〕に示すよう
に、温度変化が従来技術より少なくて済む。〔表1〕よ
り明らかなように、ウェーハ1を持ち上げる高さHが
0.3〜0.5mmの場合、温度変化は、従来技術が5
〜8℃であるのに対し、本発明では2〜3℃と少ない。
When the back surface edge of the rear end side of the wafer 1 is pushed up by the inclined surface 35a of the claw 35, FIG.
As shown in FIG. 3, the edge of the opposite side (front end side of the wafer 1) is grounded to the heat stages 20, 21, and 22. Therefore, as shown in FIG. , 22 and the wafer 1 are small, and are susceptible to radiant heat. Therefore, as shown in [Table 1], the temperature change can be smaller than in the prior art. As is clear from Table 1, when the height H for lifting the wafer 1 is 0.3 to 0.5 mm, the temperature change is
In contrast, in the present invention, the temperature is as low as 2 to 3 ° C.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】本実施の形態においては、爪35の斜面部
35aでウェーハ1の裏面エッジを持ち上げる量、即ち
許容範囲は、0.5mm以下の場合に好ましい結果が得
られた。
In the present embodiment, favorable results were obtained when the amount by which the back surface edge of the wafer 1 was lifted by the inclined portion 35a of the nail 35, that is, the allowable range was 0.5 mm or less.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明は、上面に搬送方向と平行な溝を
形成したヒートステージと、前記溝に挿入される爪と、
この爪を保持して上下動及び搬送方向に移動させる搬送
手段とを備え、前記爪は、搬送方向の先端に斜面部が形
成され、斜面部は、爪が溝内に位置している時にヒート
ステージより僅かに出る高さに形成されているので、ウ
ェーハに加わるストレスを軽減させることができ、また
装置の簡素化が図れ、更にウェーハの温度変化が少な
い。
According to the present invention, there is provided a heat stage having a groove formed on an upper surface thereof in parallel with a conveying direction, a claw inserted into the groove,
The claw is provided with conveying means for holding and moving the claw up and down and moving in the conveying direction, wherein the claw has a slope portion formed at a leading end in the conveyance direction, and the slope portion is heated when the claw is located in the groove. Since it is formed at a height slightly above the stage, the stress applied to the wafer can be reduced, the apparatus can be simplified, and the temperature change of the wafer is small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のウェーハ搬送装置の一実施の形態を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a wafer transfer device of the present invention.

【図2】搬送状態を示し、(a1)は爪がウェーハに当
接した時の平面図、(a2)は(a1)のB−B線断面
図、(b1)は搬送時の平面図、(b2)は(b1)の
C−C線断面図である。
2A and 2B show a transfer state, wherein FIG. 2A is a plan view when a nail abuts on a wafer, FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2A, and FIG. (B2) is a sectional view taken along line CC of (b1).

【図3】測定部を示し、(a)は従来技術の場合の説明
図、(b)は本発明の場合の説明図である。
FIGS. 3A and 3B show a measuring unit, wherein FIG. 3A is an explanatory diagram in the case of the conventional technique, and FIG. 3B is an explanatory diagram in the case of the present invention.

【図4】従来のウェーハ搬送装置を示し、(a)はウェ
ーハを爪で挟み込む前の平面説明図、(b)はウェーハ
を爪で挟み込んだ状態の平面説明図、(c)は(b)の
D−D線断面図である。
4A and 4B show a conventional wafer transfer device, wherein FIG. 4A is a plan view showing a wafer before being caught by a nail, FIG. 4B is a plan view showing a state where the wafer is held by a claw, and FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along line DD of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェーハ 2 ローダ側マガジン 3 アンローダ側マガジン 4 ローダ側エレベータ 5 アンローダ側エレベータ 10 オリフラ合わせ機構 11 回転テーブル 12、13 ウェーハ位置決めブロック 14 ベルトコンベア 20 プリヒートステージ 21 メインヒートステージ 22 アフタヒートステージ 23 溝 30A、30B ガイドレール 31A、31B スライダ 32A、32B ガイドレール 33A 第1の搬送アーム 33B 第2の搬送アーム 34 爪ブロック 35 爪 35a 斜面部 Reference Signs List 1 wafer 2 loader-side magazine 3 unloader-side magazine 4 loader-side elevator 5 unloader-side elevator 10 orientation flat aligning mechanism 11 rotation table 12, 13 wafer positioning block 14 belt conveyor 20 preheat stage 21 main heat stage 22 after heat stage 23 groove 30A, 30B Guide rail 31A, 31B Slider 32A, 32B Guide rail 33A First transfer arm 33B Second transfer arm 34 Claw block 35 Claw 35a Slope

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Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上面に搬送方向と平行な溝を形成したヒ
ートステージと、前記溝に挿入される爪と、この爪を保
持して上下動及び搬送方向に移動させる搬送手段とを備
え、前記爪は、搬送方向の先端に斜面部が形成され、斜
面部は、爪が溝内に位置している時にヒートステージよ
り僅かに出る高さに形成されていることを特徴とするウ
ェーハ搬送装置。
1. A heat stage having a groove formed on an upper surface thereof in parallel with a transfer direction, a claw inserted into the groove, and a transfer means for holding the claw and vertically moving and moving in the transfer direction; A wafer transfer device, wherein the claw has a slope portion formed at a leading end in a transfer direction, and the slope portion is formed at a height slightly protruding from the heat stage when the claw is located in the groove.
【請求項2】 ヒートステージ上に載置されたウェーハ
を搬送方向から見て後方の裏面エッジを爪で押し上げて
ヒートステージから離し、前記爪でウェーハの後方を押
し上げたまま押して搬送することを特徴とするウェーハ
搬送方法。
2. The method according to claim 1, wherein the rear surface edge of the wafer placed on the heat stage as viewed from the transfer direction is pushed up with a nail to separate the heat stage from the heat stage, and the wafer is pushed and transferred with the claw pushing up the rear of the wafer. Wafer transfer method.
【請求項3】 ウェーハの裏面エッジの押し上げ量は、
ウェーハの温度低下許容範囲内であることを特徴とする
請求項2記載のウェーハ搬送方法。
3. The pushing amount of the back edge of the wafer is:
3. The wafer transfer method according to claim 2, wherein the wafer temperature falls within an allowable range.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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