JP2002328478A - Defoaming agent composition for photoresist dissolving liquid - Google Patents

Defoaming agent composition for photoresist dissolving liquid

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JP2002328478A
JP2002328478A JP2001133844A JP2001133844A JP2002328478A JP 2002328478 A JP2002328478 A JP 2002328478A JP 2001133844 A JP2001133844 A JP 2001133844A JP 2001133844 A JP2001133844 A JP 2001133844A JP 2002328478 A JP2002328478 A JP 2002328478A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a defoaming agent for a photoresist dissolving liquid less liable to generate a flocculate and having a satisfactory defoaming effect and a photoresist dissolving liquid obtained by adding the defoaming agent and to provide a method for dissolving a photoresist using the photoresist dissolving liquid. SOLUTION: The defoaming agent composition contains a compound A prepared by adding 8-20 mol ethylene oxide to an alcohol having 10-22 straight chain or branched chain alkyl groups and then adding 10-30 mol propylene oxide and a compound B prepared by adding propylene oxide to at least one selected from propylene glycol, glycerol and trimethylolpropane and then adding ethylene oxide and having a weight average molecular weight of 1,500-5,000 and 5-25 mass% proportion of polyethylene oxide groups in the entire compound as essential components. When the composition is used as a defoaming agent for a photoresist dissolving liquid, diminution of a flocculate and an excellent defoaming effect can be simultaneously satisfied.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト溶解
液用消泡剤組成物と、これを添加して得られるフォトレ
ジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を用いたフォト
レジストの溶解方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antifoaming composition for a photoresist solution, a photoresist solution obtained by adding the same, and a method for dissolving a photoresist using the photoresist solution. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、印刷回路の形成、リードフレ
ーム等の金属加工、プラズマディスプレイパネルの隔壁
形成加工、基材の保護材料としてフォトレジストが用い
られている。フォトレジストの取り扱いに際してはフォ
トレジスト溶解液が用いられ、主なフォトレジスト溶解
液としては、現像液と剥離液が知られている。フォトレ
ジストは活性線照射により現像液への溶解性が未露光部
分と露光部分とで差が生じ、現像液は、溶解性を示す部
分を除去するために用いられる。活性線照射されたフォ
トレジストの現像液に対する不溶性を示す部分は基材上
に皮膜を形成し、フォトレジストの現像除去後露出した
基材のエッチング、めっき等の加工や、皮膜で覆われた
部分を保護し、レジストとしての性能を発揮する。剥離
液は、加工に用いられたフォトレジストの皮膜を基材か
ら除去するために用いられる。フォトレジスト溶解液は
各種の溶液が用いられているが、従来からの有機溶剤の
ほかに近年は環境上の理由からアルカリ性溶液、特にア
ルカリ水溶液を用いる例が多くなっている。フォトレジ
ストの溶解方法としては、フォトレジスト溶解液を滴
下、シャワーまたはスプレーによりレジスト表面へ供給
する方法やフォトレジスト溶解液に浸漬する方法が用い
られているが、循環使用されることが多く、特にスプレ
ーにより発泡しやすくなるため消泡剤が使用される。消
泡剤としては、一般的にはシリコーン系統のものは消泡
効果が高いことが知られている。しかしながら、フォト
レジストの現像工程、剥離工程においてはシリコーンの
高い被覆力及び撥水作用により現像後の基材の加工工
程、剥離後の後工程において、種々の問題が生じるため
敬遠されている。したがって、従来の消泡剤としてポリ
オキシアルキレンモノオールあるいはそれらのエステル
化物、高級脂肪酸にアルキレンオキシドを付加した化合
物等が消泡剤として使用されてきた。これらは特開平7
−28865号公報、特開平7−319170号公報、
特開平8−10600号公報、特開平8−160632
号公報、特開平9−87380号公報、特開平9−87
381号公報、特開平9−87382号公報、特開平9
−293964号公報、特開平10−319606号公
報、特開平11−258820号公報、特開平11−3
52700号公報等の技術として知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a photoresist has been used as a material for forming a printed circuit, metal working of a lead frame or the like, forming a partition of a plasma display panel, and protecting a base material. When handling the photoresist, a photoresist solution is used, and as the main photoresist solution, a developer and a stripper are known. The photoresist has a difference in solubility in a developing solution between an unexposed portion and an exposed portion due to irradiation with actinic rays, and the developing solution is used to remove a portion exhibiting solubility. The part of the photoresist exposed to actinic radiation that shows insolubility in the developing solution forms a film on the substrate, and the exposed part of the substrate after development and removal of the photoresist is processed by etching, plating, etc., or is covered with the film Protects and exhibits the performance as a resist. The stripper is used to remove the photoresist film used for the processing from the substrate. Various solutions are used as the photoresist dissolving solution. In recent years, in addition to conventional organic solvents, an alkaline solution, particularly an alkaline aqueous solution, has recently been used for environmental reasons. As a method of dissolving the photoresist, a method of dripping a photoresist solution, supplying it to the resist surface by shower or spray, or a method of immersing in a photoresist solution is used, but it is often used in circulation, particularly An antifoaming agent is used because it is easy to foam by spraying. As a defoaming agent, it is generally known that a silicone type defoaming agent has a high defoaming effect. However, in the photoresist development step and the peeling step, the high covering power and water repellency of the silicone cause various problems in the processing step of the base material after development and the subsequent step after the peeling. Therefore, as a conventional defoaming agent, polyoxyalkylene monol or an esterified product thereof, a compound obtained by adding an alkylene oxide to a higher fatty acid, and the like have been used as the defoaming agent. These are disclosed in
-28865, JP-A-7-319170,
JP-A-8-10600, JP-A-8-160632
JP, JP-A-9-87380, JP-A-9-87
381, JP-A-9-87382, JP-A-9-87382
-293964, JP-A-10-319606, JP-A-11-258820, JP-A-11-3
It is known as a technique such as Japanese Patent No. 52700.

【0003】フォトレジスト溶解液は循環使用されるた
め、現像装置や剥離装置等の処理装置を長時間使用する
と次第にフォトレジストの不溶分が析出するとか、消泡
剤の種類によってはフォトレジストの成分と作用するな
どして、油状物やゲル状物(以下凝集物)が発生する。
凝集物は基材表面や処理槽、配管、ポンプ等に付着し、
場合によっては固化することもある。処理槽、配管、ポ
ンプ等に付着した凝集物を除去するには、かき落とすと
か、分解清掃するなど手間のかかる作業である。また、
油状物や凝集物は、基材に付着することで加工される部
分の欠損、ショート等の原因になったり、保護されない
で露出する部分の表面残さとなり、後工程の接合不良の
原因となったりして問題となる。近年の印刷回路幅、リ
ードフレームピッチ、プラズマディスプレイパネル隔壁
ピッチ等の微細化に伴いフォトレジスト溶解液の処理装
置はスプレー式が主流になった。この方法では溶解部分
の確実な除去のためスプレー圧を高めに設定する傾向が
あるためフォトレジスト溶解液が発泡しやすくなり、十
分な消泡効果のある消泡剤が必要である。また、微細化
に伴って、現像後に形成されるフォトレジスト皮膜のパ
ターンの間隙も狭くなるため発生した凝集物が付着する
と除去することが困難となり、凝集物の発生を抑制する
ことがますます重要となっている。しかしながら、現像
液、剥離液に用いられた従来消泡剤のうち、エステル系
の消泡剤はアルカリ濃度の高い状態では加水分解により
効果の持続に劣った。消泡効果が無くなってくるとフォ
トレジスト溶解液の発泡がひどくなり、処理装置の停止
による生産性低下、フォトレジスト溶解液の入れ替えに
よるコストアップの原因となった。また従来のエーテル
系の消泡剤は、消泡効果が見られる反面で、フォトレジ
スト溶解液中の分散性が悪く、現像液や剥離液に溶解し
たフォトレジスト成分と作用し凝集物の発生がより顕著
になる傾向があり、製品の不良原因となった。一方、フ
ォトレジストは前記微細化に対応して高解像性が要求さ
れている。フォトレジストは解像度を上げるために組成
物のうち光重合性モノマーとして多官能モノマーを用い
ることが知られているが、この多官能モノマーは疎水性
構造が多く、添加量により析出や油状物となったり、消
泡剤と前記作用によって凝集物となり問題となる。特
に、ウレタン系モノマーにおいて凝集物発生が顕著に見
られた。つまり、従来の消泡剤には凝集物の発生が少な
く、消泡効果の十分な性能を兼ね備えたものは見うけら
れず、従来の消泡剤が添加されたフォトレジスト溶解液
およびこの溶解液を用いた従来の溶解方法では、発泡に
よる生産性低下およびコストアップ、凝集物発生による
不良品の発生が改善されず、更にフォトレジストの高解
像度化に対応するのが困難であった。
[0003] Since the photoresist solution is circulated, the insoluble content of the photoresist gradually precipitates when a processing device such as a developing device or a stripping device is used for a long period of time, or depending on the type of defoaming agent, the components of the photoresist. To produce oily substances or gel-like substances (hereinafter, aggregates).
Agglomerates adhere to the substrate surface, treatment tanks, piping, pumps, etc.
In some cases, it may solidify. Removing aggregates adhering to the processing tank, piping, pump, and the like is a troublesome operation such as scraping or disassembling and cleaning. Also,
Oily substances and agglomerates may cause defects or short-circuits in the parts to be processed by adhering to the base material, or may result in surface residues of exposed parts that are not protected and may cause poor bonding in the subsequent process. It becomes a problem. With the recent miniaturization of printed circuit width, lead frame pitch, plasma display panel partition wall pitch, etc., a spray-type processing apparatus for a photoresist solution has become mainstream. In this method, the spray pressure tends to be set higher to ensure the removal of the dissolved portion, so that the photoresist solution tends to foam, and a defoaming agent having a sufficient defoaming effect is required. In addition, with the miniaturization, the gap between the patterns of the photoresist film formed after development becomes narrower, so it is difficult to remove the aggregates generated when they adhere, and it is increasingly important to suppress the generation of aggregates. It has become. However, among the conventional antifoaming agents used in the developing solution and the stripping solution, the ester type antifoaming agent was inferior in its effect due to hydrolysis at a high alkali concentration. When the defoaming effect is lost, foaming of the photoresist solution becomes severe, causing a reduction in productivity due to the stop of the processing apparatus and an increase in cost due to replacement of the photoresist solution. Conventional ether-based antifoaming agents have a defoaming effect, but have poor dispersibility in photoresist solution, and act with photoresist components dissolved in developer and stripper to form aggregates. It tended to be more pronounced, causing product failure. On the other hand, photoresists are required to have high resolution in response to the miniaturization. It is known that a photoresist uses a polyfunctional monomer as a photopolymerizable monomer in a composition in order to increase the resolution.However, this polyfunctional monomer has a large hydrophobic structure, and depending on the amount added, it becomes a precipitate or an oily substance. It becomes an agglomerate due to the defoaming agent and the above-mentioned action, and becomes a problem. In particular, generation of aggregates was remarkably observed in the urethane monomer. In other words, the conventional antifoaming agent has a low generation of agglomerates, and none of the conventional antifoaming agents has sufficient performance of the antifoaming effect. In the conventional dissolution method using the method described above, the reduction in productivity and cost increase due to foaming, the generation of defective products due to the generation of agglomerates were not improved, and it was difficult to cope with a higher resolution photoresist.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、凝集物の発
生が少なく、消泡効果の十分な性能を兼ね備えたフォト
レジスト溶解液用消泡剤組成物と、これを添加して得ら
れるフォトレジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を
用いたフォトレジストの溶解方法を提供する事を目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an antifoaming agent composition for a photoresist dissolving solution, which has a small amount of agglomerates and has sufficient performance of an antifoaming effect, and a photoresist obtained by adding the same. An object of the present invention is to provide a resist dissolving solution and a method for dissolving a photoresist using the photoresist dissolving solution.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決すべく検討した結果、以下に示す化合物Aと化合
物Bを消泡剤の必須成分として用いることにより、消泡
性、分散性の両性能とも満足することを見いだし、本発
明に到達した。即ち本発明は、式(1) R−O(CHCHO)m−(CHCH(CH)O)n−H ・・・・(1) (ただし、Rは炭素数10〜22の直鎖または分岐鎖ア
ルキル基を示し、mが8〜20、nが10〜30の数を
示す)で表される化合物Aと、プロピレングリコール、
グリセリン、トリメチロールプロパンの中から選ばれる
少なくとも1種にプロピレンオキシドを付加した後エチ
レンオキシドを付加した化合物であって、重量平均分子
量が1,500〜5,000でかつポリエチレンオキシ
ド基の化合物全体に占める割合が5〜25質量%である
化合物Bとを、必須成分として含有することを特徴とす
るフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物、および当該消
泡剤組成物が0.01〜1.00体積%添加されている
ことを特徴とするフォトレジスト溶解液、ならびにその
フォトレジスト溶解液を用いることを特徴とするフォト
レジストの溶解方法、さらには該溶解液を用いて特定の
組成のレジストを溶解するフォトレジストの溶解方法で
ある。
Means for Solving the Problems The present inventors have studied to solve the above problems, and as a result, by using the following compound A and compound B as essential components of an antifoaming agent, the defoaming property and the dispersing property are improved. The present inventors have found that both performances are satisfied, and have reached the present invention. That is, the present invention has the formula (1) R-O (CH 2 CH 2 O) m- (CH 2 CH (CH 3) O) n-H ···· (1) ( wherein, R is 10 carbon atoms 22 represents a straight-chain or branched-chain alkyl group, m represents a number of 8 to 20, and n represents a number of 10 to 30), and propylene glycol;
A compound obtained by adding propylene oxide to at least one selected from glycerin and trimethylolpropane and then adding ethylene oxide, and having a weight-average molecular weight of 1,500 to 5,000 and occupying in the entire polyethylene oxide group compound A defoaming agent composition for a photoresist solution, comprising a compound B having a ratio of 5 to 25% by mass as an essential component, and 0.01 to 1.00. A photoresist solution characterized by being added by volume%, a photoresist dissolution method characterized by using the photoresist solution, and a resist having a specific composition dissolved by using the solution. This is a method of dissolving the photoresist to be formed.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明について、以下具体的に説
明する。本発明において化合物Aは、炭素数10〜22
の直鎖または分岐鎖アルキル基を有する高級アルコール
にエチレンオキシドを付加反応させ、次いでプロピレン
オキシドを付加反応させることによって容易に合成する
ことができる。なお、エチレンオキシド中には若干量の
エチレンオキシド以外のアルキレンオキシド(プロピレ
ンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良
く、プロピレンオキシド中には若干量のプロピレンオキ
シド以外のアルキレンオキシド(エチレンオキシド、ブ
チレンオキシドなど)を含んでいても良い。高級アルコ
ールとしては例えばデシルアルコール、ラウリルアルコ
ール、2−ブチルオクタノール、トリデシルアルコー
ル、ミリスチルアルコール、2−ブチルデカノール、2
−ヘキシルオクタノール、セチルアルコール、2−ヘキ
シルデカノール、2−オクチルデカノール、ステアリル
アルコール、2−ヘキシルドデカノール、2−オクチル
デカノール、ベヘニルアルコールまたはプロピレン重合
体から作られる合成アルコールなどがあげられる。本高
級アルコールの炭素数が10未満の場合、消泡性が非常
に乏しく消泡剤として機能しない。また炭素数が22を
超えると、分散性が低下して凝集物発生量が多くなる。
これら高級アルコールに対するエチレンオキシドおよび
プロピレンオキシドの付加反応は常法によって合成され
る。本発明の化合物Aはエチレンオキシドを付加反応さ
せた後にプロピレンオキシドを付加反応させて得ること
ができる。付加反応の順序が逆の場合、あるいはエチレ
ンオキシドとプロピレンオキシドの混合物を付加反応さ
せた場合、消泡性が非常に乏しく消泡剤として機能しな
い。エチレンオキシドの付加数は8〜20モル、プロピ
レンオキシドの付加数は10〜30モルが適当である。
エチレンオキシドの付加数が8モル未満かあるいはプロ
ピレンオキシドの付加数が30モルを超えると、分散性
が低下して凝集物発生量が多くなる。またエチレンオキ
シドの付加数が20モルを超えるかまたはプロピレンオ
キシドの付加数が10モル未満になると、消泡性が低下
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be specifically described below. In the present invention, compound A has 10 to 22 carbon atoms.
Can be easily synthesized by subjecting a higher alcohol having a linear or branched chain alkyl group to an addition reaction of ethylene oxide, followed by an addition reaction of propylene oxide. The ethylene oxide may contain a small amount of an alkylene oxide other than ethylene oxide (propylene oxide, butylene oxide, etc.), and the propylene oxide may contain a small amount of an alkylene oxide other than propylene oxide (ethylene oxide, butylene oxide, etc.). May be included. Examples of higher alcohols include decyl alcohol, lauryl alcohol, 2-butyl octanol, tridecyl alcohol, myristyl alcohol, 2-butyl decanol,
-Hexyl octanol, cetyl alcohol, 2-hexyl decanol, 2-octyl decanol, stearyl alcohol, 2-hexyl decanol, 2-octyl decanol, behenyl alcohol, and synthetic alcohols prepared from propylene polymers. When the carbon number of the present higher alcohol is less than 10, the defoaming property is very poor and does not function as an antifoaming agent. On the other hand, when the number of carbon atoms exceeds 22, the dispersibility decreases and the amount of aggregates increases.
The addition reaction of ethylene oxide and propylene oxide to these higher alcohols is synthesized by a conventional method. Compound A of the present invention can be obtained by subjecting ethylene oxide to an addition reaction followed by propylene oxide. When the order of the addition reaction is reversed, or when a mixture of ethylene oxide and propylene oxide is added, the defoaming properties are very poor and do not function as a defoaming agent. The addition number of ethylene oxide is suitably 8 to 20 mol, and the addition number of propylene oxide is suitably 10 to 30 mol.
If the number of additions of ethylene oxide is less than 8 moles or the number of additions of propylene oxide exceeds 30 moles, the dispersibility decreases and the amount of aggregate generation increases. When the number of additions of ethylene oxide exceeds 20 moles or the number of additions of propylene oxide becomes less than 10 moles, the defoaming property decreases.

【0007】本発明における化合物Aは従来の技術に見
られた消泡剤に比べ特に消泡性およびその持続性に優れ
る。特開平8−10600号公報に示された化合物は、
炭素数24の直鎖または分岐鎖のアルキル基またはアル
ケニル基の高級アルコールにプロピレンオキシドを5〜
60モル付加した後エチレンオキシドを1〜25モル付
加した化合物とある。すなわち本発明の化合物Aとはプ
ロピレンオキシドとエチレンオキシドの付加順序が逆で
ある。前にも述べたが付加反応の順序が逆の場合、本発
明のフォトレジスト溶解液において消泡性が不十分であ
った。また特開平9−87380号公報に示された化合
物は、炭素数8〜24の直鎖または分岐鎖の高級アルコ
ールあるいは炭素数10〜24のアルキルフェノールに
プロピレンオキシドを6〜60モルおよびエチレンオキ
シドを2〜50モル付加した後炭素数10〜24の脂肪
酸でエステル化した化合物とある。すなわち本発明の化
合物Aと異なりエステル基を導入している。前にも述べ
たが本発明のフォトレジスト溶解液においてエステル基
はアルカリによって加水分解され、消泡効果が持続しな
かった。
The compound A according to the present invention is particularly excellent in defoaming property and sustainability as compared with the antifoaming agent found in the prior art. The compound disclosed in JP-A-8-10600 is
Propylene oxide is added to a linear or branched alkyl or alkenyl higher alcohol having 24 carbon atoms by
There is a compound in which ethylene oxide is added in an amount of 1 to 25 mol after addition of 60 mol. That is, the order of addition of propylene oxide and ethylene oxide is opposite to that of compound A of the present invention. As described above, when the order of the addition reaction is reversed, the defoaming property of the photoresist solution of the present invention was insufficient. The compound disclosed in JP-A-9-87380 is a straight-chain or branched-chain higher alcohol having 8 to 24 carbon atoms or an alkylphenol having 10 to 24 carbon atoms and 6 to 60 moles of propylene oxide and 2 to 2 moles of ethylene oxide. There is a compound obtained by adding 50 moles and then esterifying with a fatty acid having 10 to 24 carbon atoms. That is, unlike the compound A of the present invention, an ester group is introduced. As described above, in the photoresist solution of the present invention, the ester group was hydrolyzed by the alkali, and the defoaming effect was not maintained.

【0008】化合物Aを単独でフォトレジスト溶解液に
使用した場合、凝集物の発生を少なく抑え、かつ十分な
消泡性を得ることができなかった。高級アルコールの種
類、エチレンオキシド、プロピレンオキシドの付加数に
もよるが、凝集物の発生が少ないものは消泡性が十分で
はなく、また逆に十分な消泡性を示すものは凝集物が多
く発生する傾向が認められ、消泡性と分散性の両性能を
共に満足することはできなかった。一方以下で説明する
化合物Bは単独でフォトレジスト溶解液に使用した場
合、凝集物の発生量は非常に少ないものの消泡性は非常
に乏しかった。そこで本発明者らは消泡性が優れた化合
物Aに、凝集物の発生量が非常に少ない化合物Bを併用
して消泡剤を調製した。その結果、化合物Bは所定の範
囲内で化合物Aと併用することによって、化合物Aの消
泡性をほとんど低下させずに凝集物の量を低減する効果
があり、これを併用した消泡剤は消泡性と分散性の両性
能を共に満足させることができた。
When Compound A alone was used in a photoresist solution, the formation of aggregates was suppressed and sufficient defoaming properties could not be obtained. Depending on the type of higher alcohol and the number of ethylene oxide and propylene oxide added, those with less generation of aggregates do not have sufficient defoaming properties, while those with sufficient defoaming generate more aggregates. However, both performances of defoaming and dispersibility could not be satisfied. On the other hand, when Compound B described below was used alone in a photoresist solution, the amount of aggregates generated was very small, but the defoaming property was very poor. Therefore, the present inventors prepared an antifoaming agent by using a compound A having excellent defoaming properties in combination with a compound B having an extremely small amount of aggregates. As a result, when compound B is used together with compound A within a predetermined range, compound B has an effect of reducing the amount of agglomerates without substantially reducing the defoaming property of compound A. Both defoaming and dispersing performances could be satisfied.

【0009】化合物Bはプロピレングリコール、グリセ
リンまたはトリメチロールプロパンの中から選ばれる少
なくとも1種類にプロピレンオキシドを付加反応させ、
次いでエチレンオキシドを付加反応させることによって
容易に合成することができる。なお、エチレンオキシド
中には若干量のエチレンオキシド以外のアルキレンオキ
シド(プロピレンオキシド、ブチレンオキシドなど)を
含んでいても良く、プロピレンオキシド中には若干量の
プロピレンオキシド以外のアルキレンオキシド(エチレ
ンオキシド、ブチレンオキシドなど)を含んでいても良
い。これら多価アルコールに対するエチレンオキシドお
よびプロピレンオキシドの付加反応は常法によって合成
される。化合物Bは重量平均分子量が1,500〜5,
000であるものが適当である。重量平均分子量がこの
範囲をはずれると分散性が低下して凝集物の発生量が多
くなる。化合物Bのポリエチレンオキシド基の化合物全
体に占める割合は5〜25質量%が適当である。この割
合が5質量%未満では分散性が低下して凝集物の発生量
が多くなり、25質量%を超えると消泡性が低下する。
また化合物Bは1種類を用いてもよく、複数を用いても
よい。本発明における消泡剤組成物中の化合物Bの割合
は好ましくは3〜50質量%、さらに好ましくは5〜2
0質量%が適当である。化合物Bの割合が3質量%未満
では凝集物を低減させる効果が現れず、50質量%を超
えると消泡性が低下する。
Compound B is obtained by adding propylene oxide to at least one selected from propylene glycol, glycerin and trimethylolpropane,
Then, it can be easily synthesized by subjecting ethylene oxide to an addition reaction. The ethylene oxide may contain a small amount of an alkylene oxide other than ethylene oxide (propylene oxide, butylene oxide, etc.), and the propylene oxide may contain a small amount of an alkylene oxide other than propylene oxide (ethylene oxide, butylene oxide, etc.). May be included. The addition reaction of ethylene oxide and propylene oxide to these polyhydric alcohols is synthesized by a conventional method. Compound B has a weight average molecular weight of 1,500 to 5,
000 is suitable. If the weight-average molecular weight is out of this range, the dispersibility decreases and the amount of aggregates generated increases. The ratio of the polyethylene oxide group of the compound B to the whole compound is suitably from 5 to 25% by mass. If this ratio is less than 5% by mass, the dispersibility decreases and the amount of aggregates generated increases, and if it exceeds 25% by mass, the defoaming property decreases.
In addition, one type of compound B may be used, or a plurality of types may be used. The proportion of the compound B in the antifoaming composition of the present invention is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 2% by mass.
0 mass% is appropriate. When the proportion of the compound B is less than 3% by mass, the effect of reducing the aggregates does not appear, and when it exceeds 50% by mass, the defoaming property decreases.

【0010】化合物Aと化合物Bからなる組成物は消泡
性と分散性に悪影響を及ぼさない希釈剤成分を併用した
消泡剤組成物として調製することができる。希釈剤成分
を含有させることにより、製品粘度を低下させることに
よって容器からの取り出しを容易にするとかフォトレジ
スト溶解液に添加した際の拡散性を向上させる効果、あ
るいは製品の凝固点を低下させて冬季保管においても固
化しないものにする効果が得られる。希釈剤成分として
はエチレングリコール、プロパンジオール、2−メチル
−2,4−ペンタンジオール、3−メチル−1,5−ペ
ンタンジオール、ネオペンチルグリコール、水などが挙
げられ、1種類を用いてもよく、複数を用いてもよい。
希釈剤成分は一般に、消泡剤組成物とフォトレジスト溶
解液のいずれにも可溶の成分あるいは成分の組み合わせ
が選ばれる。希釈剤成分の併用割合は47質量%以下が
適当である。希釈剤成分の割合は47質量%を超えると
消泡性が低下する。
The composition comprising Compound A and Compound B can be prepared as an antifoaming composition using a diluent component which does not adversely affect the antifoaming property and dispersibility. Includes diluent component to reduce product viscosity to facilitate removal from container, to improve diffusivity when added to photoresist solution, or to reduce product freezing point during winter The effect of not solidifying even during storage is obtained. Examples of the diluent component include ethylene glycol, propanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, neopentyl glycol, water, and the like, and one type may be used. , May be used.
As the diluent component, a component or a combination of components that are soluble in both the defoamer composition and the photoresist solution is generally selected. It is appropriate that the diluent component is used in an amount of not more than 47% by mass. When the ratio of the diluent component exceeds 47% by mass, the defoaming property decreases.

【0011】本発明の消泡剤組成物はフォトレジスト溶
解液に添加使用される。フォトレジスト溶解液の具体的
な例としてはpH8.0〜14.0のアルカリ性溶解液
が用いられている。使用するフォトレジストにより違い
が見られるが、現像液の例としてpH8.0〜13.0
温度20〜40℃のアルカリ性溶液、剥離液の例として
pH11.0〜14.0温度30〜60℃のアルカリ性
溶液が用いられることが多い。これらアルカリ性溶液は
塩基性アルカリ金属塩化合物、アミン化合物等の塩基性
化合物を含有するアルカリ性水溶液を用いることが多
く、塩基性アルカリ金属塩化合物としては、例えば炭酸
ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸
化物、燐酸ナトリウム、燐酸カリウム等のアルカリ金属
燐酸塩、メタケイ酸ナトリウムが挙げられ、アミン化合
物としてはヒドロキシルアミン、エチルアミン、モノエ
タノールアミン等のアミン化合物またはアンモニア水な
どが挙げられる。これらは単独または他の化合物と一緒
に水溶液として用いられることが多い。
The antifoam composition of the present invention is used by adding to a photoresist solution. As a specific example of the photoresist solution, an alkaline solution having a pH of 8.0 to 14.0 is used. Although differences are seen depending on the photoresist used, examples of the developer include pH 8.0 to 13.0.
As an example of an alkaline solution at a temperature of 20 to 40 ° C and a stripper, an alkaline solution at a pH of 11.0 to 14.0 and a temperature of 30 to 60 ° C is often used. These alkaline solutions often use an alkaline aqueous solution containing a basic compound such as a basic alkali metal salt compound and an amine compound. Examples of the basic alkali metal salt compound include alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate. Sodium hydroxide, alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide, alkali metal phosphates such as sodium phosphate and potassium phosphate, and sodium metasilicate. Examples of the amine compound include amines such as hydroxylamine, ethylamine, and monoethanolamine. Compounds or aqueous ammonia. These are often used alone or together with other compounds as an aqueous solution.

【0012】本発明の消泡剤組成物の使用量はフォトレ
ジスト溶解液の種類、濃度、消泡目的等種々の条件で異
なるが、通常フォトレジスト溶解液に対する消泡剤組成
物の添加量として0.01〜1.00体積%、多くの場
合は0.05〜0.50体積%が使用される。添加方法
は消泡剤組成物そのままでも良く、水やフォトレジスト
溶解液等で希釈したものを添加しても良い。またフォト
レジスト溶解液の調製時に添加しても良く、発泡したフ
ォトレジスト溶解液に添加しても良い。希釈して用いる
場合は消泡剤組成物としての添加量が前述の量になるよ
うに添加する。
The amount of the defoamer composition of the present invention varies depending on various conditions such as the type and concentration of the photoresist solution and the purpose of defoaming. 0.01-1.00% by volume, often 0.05-0.50% by volume, is used. The method of addition may be the antifoaming composition as it is, or a solution diluted with water or a photoresist solution may be added. It may be added at the time of preparing the photoresist solution or may be added to the foamed photoresist solution. When it is used after dilution, it is added so that the addition amount of the antifoam composition becomes the above-mentioned amount.

【0013】本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジス
ト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用される光重
合開始剤は、特に限定されるもので無く公知のものを用
いることができる。具体例として、芳香族ケトン、ベン
ジル誘導体、2,4,5−トリアリールイミダゾール2
量体類、アクリジン誘導体、フェニルグリシン誘導体、
ジアゾニウム化合物、チオキサントン誘導体等を使用す
ることができる。光重合開始剤の含有量は全質量基準で
0.05〜30.00質量%、好ましくは0.05〜2
0.00質量%、より好ましくは0.10〜15.00
質量%である。含有量が少なすぎると十分な光感度が得
られず、多すぎるとフォトレジスト表面の光吸収が増加
して内部の光硬化が不足する傾向がある。
The photopolymerization initiator used for the photoresist dissolved in the photoresist solution containing the antifoaming composition of the present invention is not particularly limited, and a known one can be used. Specific examples include aromatic ketones, benzyl derivatives, 2,4,5-triarylimidazole 2
Dimers, acridine derivatives, phenylglycine derivatives,
A diazonium compound, a thioxanthone derivative, or the like can be used. The content of the photopolymerization initiator is 0.05 to 30.00% by mass, preferably 0.05 to 2% by mass based on the total mass.
0.00% by mass, more preferably 0.10 to 15.00
% By mass. If the content is too small, sufficient photosensitivity cannot be obtained. If the content is too large, light absorption on the photoresist surface increases, and the photocuring inside tends to be insufficient.

【0014】本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジス
ト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用される光重
合性モノマーは分子内にエチレン性不飽和二重結合を含
有する公知のものを用いることができる。光重合モノマ
ーの例としてはポリオールの(メタ)アクリル酸エステ
ル、アクリルアミド類、ビスフェノールAから変性誘導
された(メタ)アクリル酸エステル類、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ポリエチレングリコールジ
(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
The photopolymerizable monomer used for the photoresist dissolved in the photoresist solution containing the antifoaming composition of the present invention is a known one containing an ethylenically unsaturated double bond in the molecule. be able to. Examples of photopolymerizable monomers include polyol (meth) acrylates, acrylamides, (meth) acrylates modified and derived from bisphenol A, trimethylolpropane triacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, and polypropylene glycol. Di (meth) acrylate and the like can be mentioned.

【0015】本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジス
ト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用されるウレ
タンジ(メタ)アクリレートの具体例としてはポリオー
ルとジイソシアナートとを反応させて得られる化合物に
β−ヒドロキシルアルキル(メタ)アクリレートを反応
させて得られるものを用いる。ウレタンジ(メタ)アク
リレートの分子量は500〜30,000好ましくは5
00〜25,000、より好ましくは800〜20,0
00である。分子量が小さすぎると硬化した皮膜の強度
が不足し、大きすぎるとフォトレジスト溶解液による溶
解性が悪化する傾向がある。
A specific example of urethane di (meth) acrylate used for a photoresist dissolved in a photoresist solution containing the antifoaming composition of the present invention is a compound obtained by reacting a polyol with a diisocyanate. And a product obtained by reacting β-hydroxylalkyl (meth) acrylate. The molecular weight of the urethane di (meth) acrylate is from 500 to 30,000, preferably 5
00 to 25,000, more preferably 800 to 20,000
00. If the molecular weight is too small, the strength of the cured film will be insufficient, and if it is too large, the solubility in the photoresist solution will tend to deteriorate.

【0016】本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジス
ト溶解液で溶解されるフォトレジストに使用されるビニ
ル共重合体は、少なくともカルボキシル基を含むビニル
単量体を共重合成分として得られるビニル共重合体を用
いることができる。カルボキシル基を含むビニル単量体
としては、公知のものを用いることができる。具体例と
して、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エ
チルアクリレート、エチルメタクリレート、n−プロピ
ルアクリレート、n−プロピルメタクリレート、シクロ
ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレー
ト、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、2−
エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタ
クリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、
アクリルアミド、メタクリルアミド、スチレンおよびス
チレン誘導体が挙げられる。ビニル共重合体はこれらビ
ニル単量体2〜5種類を既知の手法で共重合させて得ら
れるものを用いる。
The vinyl copolymer used for the photoresist dissolved in the photoresist solution containing the antifoaming composition of the present invention is a vinyl copolymer obtained by using a vinyl monomer containing at least a carboxyl group as a copolymer component. Copolymers can be used. Known vinyl monomers containing a carboxyl group can be used. Specific examples include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-
Ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, acrylonitrile, methacrylonitrile,
Acrylamide, methacrylamide, styrene and styrene derivatives are included. As the vinyl copolymer, those obtained by copolymerizing 2 to 5 kinds of these vinyl monomers by a known method are used.

【0017】本発明の消泡剤組成物を含むフォトレジス
ト溶解液で溶解されるフォトレジストは従来から採用さ
れている形態で提供される。フォトレジストの形態とし
ては溶液やドライフィルムレジストが広く用いられてい
る。溶液のフォトレジストはフォトレジストの成分を溶
媒に溶解させた溶液を、スピンコーター、ディップコー
ター、ロールコーター、カーテンコーター等の方法で基
材上に塗布、乾燥させてフォトレジストの皮膜を得る。
ドライフィルムレジストは、フォトレジスト成分を溶媒
に溶解させた溶液をダイコーター、キスディッピング等
の方法で支持フィルム上に塗布、乾燥させてフォトレジ
スト層を形成した後、必要に応じてカバーフィルムを張
り合わせて通常はロール状に巻かれて提供される。ドラ
イフィルムレジストはカバーフィルムを剥離した後ホッ
トロール式ラミネーター等でフォトレジスト層が基材上
になるように熱圧着してフォトレジストの皮膜を得る。
なお、フォトレジスト層の基材とは逆側にある支持フィ
ルムは、現像前や露光前に剥離される。フォトレジスト
の溶解方法は、溶解されるフォトレジスト皮膜上にフォ
トレジスト溶解液を供給する方法やフォトレジスト皮膜
を形成した基材全体をフォトレジスト溶解液に浸漬する
方法等が用いられている。具体的な例としては、周囲を
樹脂又は金属で覆った槽内にスプレーノズルや穴等を配
置した配管を設置し、フォトレジスト溶解液をポンプに
より滴下又はスプレーする。基材はコンベアや治具によ
って搬送され、基材表面のフォトレジストの溶解される
部分は滴下やスプレーで供給されたフォトレジスト溶解
液で溶解される。使用されたフォトレジスト溶解液はポ
ンプにより循環使用される。配管は搬送面に対して平行
に設置されることが多い。フォトレジスト溶解液に浸漬
する例としては、基材を治具に取りつける等の方法でフ
ォトレジスト溶解液を満たした槽に浸漬、必要により攪
拌、揚動、超音波振動等を与える。これら溶解方法では
基材を所望の時間処理した後水等で洗浄され次の工程へ
移る。
The photoresist dissolved in the photoresist solution containing the antifoaming composition of the present invention is provided in a conventionally employed form. As a form of the photoresist, a solution or a dry film resist is widely used. The photoresist in the solution is obtained by applying a solution obtained by dissolving the components of the photoresist in a solvent onto a substrate by a method such as a spin coater, a dip coater, a roll coater, and a curtain coater, and then drying to obtain a photoresist film.
A dry film resist is prepared by applying a solution obtained by dissolving a photoresist component in a solvent on a supporting film using a method such as a die coater or kiss dipping and drying to form a photoresist layer, and then bonding a cover film as necessary. And usually provided in a roll. After the cover film is peeled off, the dry film resist is hot-pressed with a hot roll type laminator or the like so that the photoresist layer is on the base material to obtain a photoresist film.
The support film on the opposite side of the photoresist layer from the substrate is peeled off before development or exposure. As a method of dissolving the photoresist, a method of supplying a photoresist solution on the photoresist film to be dissolved, a method of immersing the entire substrate on which the photoresist film is formed in the photoresist solution, and the like are used. As a specific example, a pipe in which a spray nozzle, a hole, and the like are arranged is installed in a tank whose periphery is covered with resin or metal, and a photoresist solution is dropped or sprayed with a pump. The substrate is conveyed by a conveyor or a jig, and a portion of the substrate surface where the photoresist is dissolved is dissolved by a photoresist dissolving solution supplied by dropping or spraying. The used photoresist solution is circulated by a pump. Piping is often installed parallel to the transport surface. Examples of immersion in a photoresist solution include immersion in a tank filled with a photoresist solution by a method such as mounting a base material on a jig, and, if necessary, stirring, lifting, ultrasonic vibration and the like. In these dissolving methods, the base material is treated for a desired time, washed with water or the like, and then moved to the next step.

【0018】以下、本発明を実施例および比較例に基づ
いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
Hereinafter, the present invention will be described based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0019】化合物A−1 5リットルのオートクレーブに分岐のトリデシルアルコ
ール200.0gと水酸化カリウム2.3gをオートク
レーブに仕込み、系内を窒素置換した後、温度130
℃、約100kPaの減圧下で30分間脱水し、アルコ
ラート化を行った。次にエチレンオキシド528.0g
を100〜110℃、100〜500kPaにて約3時
間をかけて導入し、付加反応させた。次いでプロピレン
オキシド1044.0gを100〜110℃、100〜
500kPaにて7〜8時間かけて導入し、付加反応さ
せた。反応終了後、生成物のアルカリ価を滴定法にて測
定し、小過剰量の乳酸水溶液にて触媒の中和処理を行っ
た。ここで得られた化合物は、分岐のトリデシルアルコ
ールのエチレンオキシド12モル、プロピレンオキシド
18モル付加物である。これを化合物A−1とした。
Compound A-1 In a 5 liter autoclave, 200.0 g of branched tridecyl alcohol and 2.3 g of potassium hydroxide were charged, and the system was purged with nitrogen.
The solution was dehydrated under a reduced pressure of about 100 kPa at 30 ° C. for 30 minutes to perform alcoholation. Next, 528.0 g of ethylene oxide
Was introduced at 100 to 110 ° C. and 100 to 500 kPa over about 3 hours to cause an addition reaction. Next, 1044.0 g of propylene oxide was added at 100 to 110 ° C and 100 to
The mixture was introduced at 500 kPa for 7 to 8 hours to carry out an addition reaction. After the completion of the reaction, the alkali value of the product was measured by a titration method, and the catalyst was neutralized with a small excess amount of an aqueous lactic acid solution. The compound obtained here is an adduct of 12 mol of ethylene oxide and 18 mol of propylene oxide of a branched tridecyl alcohol. This was designated as compound A-1.

【0020】化合物A−2 n−テトラデシルアルコール214.0gと水酸化カリ
ウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1
と同様の方法でエチレンオキシド616.0g、次いで
プロピレンオキシド1624.0gを付加反応させ、中
和処理を行った。ここで得られた化合物は、n−テトラ
デシルアルコールのエチレンオキシド14モル、プロピ
レンオキシド28モル付加物である。これを化合物A−
2とした。
Compound A-2 214.0 g of n-tetradecyl alcohol and 2.3 g of potassium hydroxide were charged into an autoclave, and Compound A-1 was charged.
616.0 g of ethylene oxide and 1624.0 g of propylene oxide were subjected to an addition reaction in the same manner as described above to carry out a neutralization treatment. The compound obtained here is an adduct of 14 mol of ethylene oxide and 28 mol of propylene oxide of n-tetradecyl alcohol. The compound A-
And 2.

【0021】化合物A−3 n−デシルアルコール158.0gと水酸化カリウム
2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同
様の方法でエチレンオキシド352.0g、次いでプロ
ピレンオキシド1740.0gを付加反応させ、中和処
理を行った。ここで得られた化合物は、n−デシルアル
コールのエチレンオキシド8モル、プロピレンオキシド
30モル付加物である。これを化合物A−3とした。
Compound A-3 158.0 g of n-decyl alcohol and 2.3 g of potassium hydroxide were charged into an autoclave, and 352.0 g of ethylene oxide and then 1740.0 g of propylene oxide were added and reacted in the same manner as in Compound A-1. And a neutralization treatment was performed. The compound obtained here is an adduct of n-decyl alcohol with 8 mol of ethylene oxide and 30 mol of propylene oxide. This was designated as compound A-3.

【0022】化合物A−4 ベヘニルアルコール326.0gと水酸化カリウム2.
3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の
方法でエチレンオキシド880.0g、次いでプロピレ
ンオキシド1740.0gを付加反応させ、中和処理を
行った。ここで得られた化合物は、ベヘニルアルコール
のエチレンオキシド20モル、プロピレンオキシド30
モル付加物である。これを化合物A−4とした。
Compound A-4 326.0 g of behenyl alcohol and potassium hydroxide
3 g was charged into an autoclave, and in the same manner as in Compound A-1, 880.0 g of ethylene oxide and then 1740.0 g of propylene oxide were subjected to an addition reaction to carry out a neutralization treatment. The compound obtained here was 20 moles of ethylene oxide of behenyl alcohol and 30 moles of propylene oxide.
It is a molar adduct. This was designated as compound A-4.

【0023】化合物A−5 ベヘニルアルコール326.0gと水酸化カリウム2.
3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1と同様の
方法でエチレンオキシド352.0g、次いでプロピレ
ンオキシド580.0gを付加反応させ、中和処理を行
った。ここで得られた化合物は、ベヘニルアルコールの
エチレンオキシド8モル、プロピレンオキシド10モル
付加物である。これを化合物A−5とした。
Compound A-5 326.0 g of behenyl alcohol and potassium hydroxide
3 g was charged in an autoclave, and 352.0 g of ethylene oxide and then 580.0 g of propylene oxide were subjected to an addition reaction in the same manner as in the compound A-1 to perform a neutralization treatment. The compound obtained here is a behenyl alcohol adduct of 8 mol of ethylene oxide and 10 mol of propylene oxide. This was designated as compound A-5.

【0024】化合物B−1 トリメチロールプロパンのプロピレンオキシド、エチレ
ンオキシドブロック付加物で、重量平均分子量4,50
0でかつエチレンオキシドの化合物全体に占める割合が
10質量%の市販の界面活性剤を化合物B−1とした。
Compound B-1 A propylene oxide / ethylene oxide block adduct of trimethylolpropane having a weight average molecular weight of 4,50.
A commercially available surfactant in which the ratio of ethylene oxide to the total amount of ethylene oxide was 10% by mass was designated as Compound B-1.

【0025】化合物B−2 ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物
で、重量平均分子量2,200でかつエチレンオキシド
の化合物全体に占める割合が20質量%の市販の界面活
性剤を化合物B−2とした。
Compound B-2 A commercially available surfactant which is an ethylene oxide adduct of polypropylene glycol and has a weight average molecular weight of 2,200 and a proportion of ethylene oxide in the whole compound of 20% by mass is referred to as Compound B-2.

【0026】化合物B−3 グリセリンのプロピレンオキシド、エチレンオキシドブ
ロック付加物で、重量平均分子量3,000でかつエチ
レンオキシドの化合物全体に占める割合が20質量%の
市販の界面活性剤を化合物B−3とした。
Compound B-3 A commercially available surfactant having a weight average molecular weight of 3,000 and a proportion of ethylene oxide in the total compound of 20% by mass, which is a propylene oxide / ethylene oxide block adduct of glycerin, was designated as Compound B-3. .

【0027】化合物B−4 ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物
で、重量平均分子量2,300でかつエチレンオキシド
の化合物全体に占める割合が10質量%の市販の界面活
性剤を化合物B−4とした。
Compound B-4 A commercially available surfactant which is an ethylene oxide adduct of polypropylene glycol and has a weight average molecular weight of 2,300 and a proportion of ethylene oxide in the whole compound of 10% by mass is referred to as Compound B-4.

【0028】化合物ZA−1 2−エチルヘキシルアルコール130.0gと水酸化カ
リウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−
1と同様の方法でエチレンオキシド352.0g、次い
でプロピレンオキシド1740.0gを付加反応させ、
中和処理を行った。ここで得られた化合物は、2−エチ
ルヘキシルアルコールのエチレンオキシド8モル、プロ
ピレンオキシド30モル付加物である。これを化合物Z
A−1とするが、これは化合物AのRの炭素数が好適範
囲を外れた比較例である。
Compound ZA-1 130.0 g of 2-ethylhexyl alcohol and 2.3 g of potassium hydroxide were charged into an autoclave, and Compound A-
In the same manner as in 1, 352.0 g of ethylene oxide and then 1740.0 g of propylene oxide were subjected to an addition reaction,
A neutralization treatment was performed. The compound obtained here is an adduct of 2-ethylhexyl alcohol with 8 mol of ethylene oxide and 30 mol of propylene oxide. This is compound Z
A-1 is a comparative example in which the number of carbon atoms in R of compound A is out of the preferred range.

【0029】化合物ZA−2 n−テトラデシルアルコール214.0gと水酸化カリ
ウム2.3gをオートクレーブに仕込み、化合物A−1
と同様の方法でエチレンオキシド220.0g、次いで
プロピレンオキシド2030.0gを付加反応させ、中
和処理を行った。ここで得られた化合物はn−テトラデ
シルアルコールのエチレンオキシド5モル、プロピレン
オキシド35モル付加物である。これを化合物ZA−2
とするが、これは化合物Aのエチレンオキシド、プロピ
レンオキシドの付加数が好適範囲を外れた比較例であ
る。
Compound ZA-2 214.0 g of n-tetradecyl alcohol and 2.3 g of potassium hydroxide were charged into an autoclave, and Compound A-1 was charged.
In the same manner as described above, 220.0 g of ethylene oxide and then 2030.0 g of propylene oxide were subjected to an addition reaction to carry out a neutralization treatment. The compound obtained here is an adduct of n-tetradecyl alcohol with 5 mol of ethylene oxide and 35 mol of propylene oxide. This was compounded with Compound ZA-2.
This is a comparative example in which the number of additions of ethylene oxide and propylene oxide of the compound A is out of the preferred range.

【0030】化合物ZB−1 ポリプロピレングリコールのエチレンオキシド付加物
で、重量平均分子量4,100でかつエチレンオキシド
の付加割合が50質量%の市販の界面活性剤を化合物Z
B−1とするが、これは化合物Bのポリエチレンオキシ
ド割合が好適範囲を外れた比較例である。
Compound ZB-1 A commercially available surfactant having an ethylene oxide adduct of polypropylene glycol having a weight average molecular weight of 4,100 and an ethylene oxide addition ratio of 50% by mass was added to Compound ZB.
B-1 is a comparative example in which the proportion of polyethylene oxide in compound B is out of the preferred range.

【0031】[0031]

【実施例1】化合物A−1を96質量部、化合物B−1
を4質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
Example 1 96 parts by mass of compound A-1 and compound B-1
Was mixed in an amount of 4 parts by mass to obtain an antifoaming composition.

【実施例2】化合物A−2を95質量部、化合物B−2
を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
Example 2 95 parts by mass of compound A-2 and compound B-2
Was mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain an antifoaming composition.

【実施例3】化合物A−3を95質量部、化合物B−2
を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
Example 3 95 parts by mass of compound A-3 and compound B-2
Was mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain an antifoaming composition.

【実施例4】化合物A−4を95質量部、化合物B−2
を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
Example 4 95 parts by mass of compound A-4, compound B-2
Was mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain an antifoaming composition.

【実施例5】化合物A−5を95質量部、化合物B−2
を5質量部混合し、消泡剤組成物を得た。
Example 5 Compound A-5 (95 parts by mass), Compound B-2
Was mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain an antifoaming composition.

【実施例6】化合物A−2を50質量部、化合物B−2
を40質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオール
を7重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得
た。
Example 6 Compound A-2 was 50 parts by mass, Compound B-2
Was mixed with 7 parts by weight of 3-methyl-1,5-pentanediol and 3 parts by weight of water to obtain an antifoaming composition.

【実施例7】化合物A−2を75質量部、化合物B−3
を15質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオール
を7重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得
た。
Example 7 Compound A-2 (75 parts by mass), Compound B-3
Was mixed with 7 parts by weight of 3-methyl-1,5-pentanediol and 3 parts by weight of water to obtain an antifoaming composition.

【実施例8】化合物A−2を70質量部、化合物B−4
を10質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオール
を17重量部、水を3重量部混合し、消泡剤組成物を得
た。
Example 8 70 parts by mass of compound A-2 and compound B-4
Was mixed with 17 parts by weight of 3-methyl-1,5-pentanediol and 3 parts by weight of water to obtain an antifoaming composition.

【0032】[0032]

【比較例1】化合物A−1単独。Comparative Example 1 Compound A-1 alone.

【比較例2】化合物A−2単独。Comparative Example 2 Compound A-2 alone.

【比較例3】化合物ZA−1を95質量部、化合物B−
2を5質量部混合し、組成物を得た。
Comparative Example 3 95 parts by mass of compound ZA-1 and compound B-
2 were mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain a composition.

【比較例4】化合物ZA−2を95質量部、化合物B−
2を5質量部混合し、組成物を得た。
Comparative Example 4 Compound ZA-2 (95 parts by mass), Compound B-
2 were mixed in an amount of 5 parts by mass to obtain a composition.

【比較例5】化合物A−2を70質量部、化合物ZB−
1を10質量部、3−メチル−1,5−ペンタンジオー
ルを17重量部、水を3重量部混合し、組成物を得た。
Comparative Example 5 70 parts by mass of compound A-2 and compound ZB-
10 parts by mass, 17 parts by weight of 3-methyl-1,5-pentanediol and 3 parts by weight of water were mixed to obtain a composition.

【比較例6】シリコーン含有の市販消泡剤、SNデフォ
ーマー470(サンノプコ株式会社製)。
Comparative Example 6 A commercially available defoamer containing silicone, SN Deformer 470 (manufactured by San Nopco Co., Ltd.).

【比較例7】高級脂肪酸アルキレンオキシド付加物の市
販消泡剤、SNデフォーマー265(サンノプコ株式会
社製)。
Comparative Example 7 SN Deformer 265 (manufactured by San Nopco Co., Ltd.), a commercially available antifoaming agent for higher fatty acid alkylene oxide adducts.

【比較例8】高級アルコールにプロピレンオキシド、エ
チレンオキシドの順に付加させた市販消泡剤、SNデフ
ォーマー170(サンノプコ株式会社製)。
Comparative Example 8 SN Deformer 170 (manufactured by San Nopco Co., Ltd.), a commercially available antifoaming agent obtained by adding propylene oxide and ethylene oxide in this order to a higher alcohol.

【0033】前記実施例1〜8および比較例1〜8のサ
ンプルを用い、次の性能評価試験を行った。
Using the samples of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 8, the following performance evaluation tests were performed.

【0034】[0034]

【試験結果1】現像試験液は、旭化成製ドライフィルム
レジストAQ−4067(光重合性モノマー、光重合開
始剤、ビニル共重合体、染料等からなるフォトレジスト
組成物を支持フィルム上に厚み40μmとなるように塗
布し、カバーフィルムを張り合わせ3層構造としてロー
ル状の形態で提供されているフォトレジスト)の未露光
のフォトレジスト層0.25mを30℃に温調した1
dmの炭酸ナトリウム1質量%水溶液に浸漬、2時間
攪拌し溶解させた液である。ここで用いた炭酸ナトリウ
ム1質量%水溶液はpHが11.4、未露光のフォトレ
ジスト組成物をこれに浸漬、溶解させた液はpHが1
0.5であった。この現像試験液120mlと消泡剤サ
ンプル0.24mlを市販の1リットルガラスメスシリ
ンダーに入れ、30℃のウォーターバスで温調しながら
ガラスボールフィルターから空気を6,000ml/分
の速度で送り込み、通気後30分後の泡の高さを記録す
る方法で行った。この結果を表1に示す。
[Test Result 1] A development test solution was prepared using a dry film resist AQ-4067 manufactured by Asahi Kasei (a photoresist composition comprising a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator, a vinyl copolymer, a dye, etc.) having a thickness of 40 μm on a support film. so as to be applied, and the temperature control of the photoresist layer 0.25 m 2 of the unexposed photoresist) provided in roll form a three-layer structure laminated cover film 30 ° C. 1
immersed in 1% by weight sodium carbonate aqueous solution dm 3, a solution prepared by stirring for 2 hours to dissolve. The 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate used herein had a pH of 11.4, and the unexposed photoresist composition was immersed and dissolved in the solution.
0.5. 120 ml of this development test solution and 0.24 ml of the defoamer sample were put into a commercially available 1-liter glass measuring cylinder, and air was sent from the glass ball filter at a rate of 6,000 ml / min while controlling the temperature in a 30 ° C. water bath. This was performed by recording the height of the foam 30 minutes after aeration. Table 1 shows the results.

【0035】[0035]

【試験結果2】剥離試験液は上記フォトレジストの露光
された部分0.75mを50℃に温調した1dm
水酸化ナトリウム3質量%水溶液に浸漬して2時間攪拌
した後、フォトレジストを浸漬したまま室温下で22時
間放置、その後未溶解フォトレジストを取り除いた液で
ある。ここで用いた水酸化ナトリウム3質量%水溶液は
pHが13.5、露光されたフォトレジスト組成物をこ
れに浸漬した液はpHが13.5であった。この剥離試
験液120mlと消泡剤サンプル0.06mlを市販の
1リットルガラスメスシリンダーに剥離液を入れ、50
℃のウォーターバスで温調しながらガラスボールフィル
ターから空気を6,000ml/分の速度で送り込み、
通気後8時間後の泡の高さを記録する方法で行った。こ
の結果を表2に示す。
[Test result 2] The peeling test solution was prepared by immersing 0.75 m 2 of the exposed portion of the above photoresist in a 3% by mass aqueous solution of 1 dm 3 sodium hydroxide adjusted to 50 ° C. and stirring for 2 hours. Is a solution at room temperature for 22 hours with immersion, and then the undissolved photoresist is removed. The 3% by weight aqueous solution of sodium hydroxide used here had a pH of 13.5, and the pH of the liquid in which the exposed photoresist composition was immersed was 13.5. 120 ml of the peel test liquid and 0.06 ml of the defoamer sample were placed in a commercially available 1 liter glass measuring cylinder, and 50 ml of the peel liquid was added.
While controlling the temperature in a water bath at ℃, air is sent from the glass ball filter at a rate of 6,000 ml / min.
This was performed by recording the height of the foam 8 hours after aeration. Table 2 shows the results.

【0036】凝集物量の試験は、消泡性試験が終わった
現像液、剥離液液をガラス瓶にとり、蓋をして室温下で
約20時間静置した後、孔径5マイクロメートルのメン
ブランフィルターで減圧ろ過し、メンブランフィルター
を50℃の乾燥機で3時間乾燥した際のフィルターの質
量増を凝集物量として記録する方法で行った。各サンプ
ルの性能試験結果を表1、表2に示す。
The test for the amount of agglomerates is performed by taking a developer and a stripping solution after the defoaming test is completed in a glass bottle, covering with a lid and allowing to stand at room temperature for about 20 hours, and then reducing the pressure with a membrane filter having a pore size of 5 micrometers. Filtration was performed by a method in which the increase in the mass of the filter when the membrane filter was dried with a dryer at 50 ° C. for 3 hours was recorded as the amount of aggregates. Tables 1 and 2 show the performance test results of each sample.

【0037】判定基準としては、消泡性については泡高
さが60mm未満を良、60mm以上120mm未満を
可、120mm以上を不可とし、凝集物量については凝
集物が20mg未満を良、20mg以上30mg未満を
可、30mg以上を不可とした。
The criteria for the defoaming were that the foam height was less than 60 mm, that the height was 60 mm or more and less than 120 mm, and that the foam height was 120 mm or more. Less than 30 mg and not more than 30 mg were considered unacceptable.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】[0039]

【表2】 [Table 2]

【0040】[0040]

【試験結果3】以下の仕様からなるフォトレジストの溶
解処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの溶解部
分を現像液で溶解した。この現像液は循環使用して泡の
高さと凝集物の発生を観察した。 処理装置 :コンベア式自動溶解処理装置 液の供給 :スプレーノズルにより基材面に供給され
る。現像液は槽の下部に集まり、ポンプによりスプレー
ノズルに循環供給される。 搬送装置 :コンベア 現像液 :30℃に温調した炭酸ナトリウム1質量%
水溶液 消泡剤 :実施例8、比較例6、比較例8の消泡剤組
成物を0.05体積%添加 試験基板 :銅張積層板R-1766(松下電工製)に旭化成
製ドライフィルムレジストAQ−4067をホットロー
ル式ラミネーターで熱圧着させた基板 試験方法 :ドライフィルムレジスト表面の支持フィル
ムを剥離し未露光のフォトレジスト組成物を露出させた
試験基板をコンベアにより上記溶解処理装置に投入、溶
解槽にてスプレーノズルから供給される現像液でフォト
レジスト層を溶解させた。基板は未露光のフォトレジス
ト層の溶解量が0.25m/dmに達するまで投入
した。ポンプによるスプレー運転を継続し泡高さを計
測、24時間後に停止、凝集物の発生を確認した。結果
を表3にまとめた。
[Test Result 3] The dissolved portion of the dry film resist was dissolved with a developer using a photoresist dissolution apparatus having the following specifications. This developer was circulated to observe the height of bubbles and the formation of aggregates. Processing equipment: Conveyor-type automatic dissolution processing equipment Supply of liquid: Supply to the substrate surface by a spray nozzle. The developer collects in the lower part of the tank and is circulated and supplied to the spray nozzle by a pump. Conveyor: Conveyor Developing solution: 1% by mass of sodium carbonate controlled at 30 ° C
Aqueous solution defoamer: 0.05% by volume of the defoamer composition of Example 8, Comparative Example 6, Comparative Example 8 Test substrate: Dry film resist made by Asahi Kasei on copper-clad laminate R-1766 (Matsushita Electric Works) AQ-4067 substrate thermocompressed with a hot roll laminator Test method: A test substrate in which a support film on the surface of a dry film resist is peeled and an unexposed photoresist composition is exposed is put into the above-mentioned dissolution apparatus by a conveyor. The photoresist layer was dissolved in a dissolving tank with a developer supplied from a spray nozzle. The substrate was charged until the amount of dissolution of the unexposed photoresist layer reached 0.25 m 2 / dm 3 . The spray operation by the pump was continued to measure the foam height, and stopped after 24 hours, and the generation of aggregates was confirmed. The results are summarized in Table 3.

【0041】[0041]

【表3】 [Table 3]

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明の消泡剤組成物は実施例に見られ
るように、フォトレジスト溶解液において消泡性ととも
に良好な分散性も併せ持っている。これは従来用いられ
ている消泡剤の技術に比べても、その効果は優れてい
る。本発明の消泡剤組成物およびこれを添加して得られ
るフォトレジスト溶解液、該フォトレジスト溶解液を用
いたフォトレジストの溶解方法はフォトレジストの現像
工程、剥離工程で消泡効果が優れるだけでなく凝集物の
発生が少ないことから、従来の消泡剤に見られた基材へ
の凝集物付着、発泡による処理装置停止、凝集物付着に
よるフォトレジスト溶解液入れ替えや設備の清掃等の問
題点を改善するものとして有用である。
As can be seen from the examples, the antifoaming composition of the present invention has both good antifoaming properties and good dispersibility in a photoresist solution. This is more effective than the conventional antifoaming technology. The defoaming agent composition of the present invention and a photoresist dissolving solution obtained by adding the same, and a method for dissolving a photoresist using the photoresist dissolving solution only have an excellent defoaming effect in a photoresist developing step and a peeling step. However, since the generation of agglomerates is low, problems such as the adhesion of aggregates to the substrate, the stoppage of processing equipment due to foaming, the replacement of the photoresist solution, the cleaning of equipment, etc. due to the adhesion of agglomerates, as seen with conventional antifoaming agents Useful for improving points.

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成14年5月24日(2002.5.2
4)
[Submission Date] May 24, 2002 (2005.2.
4)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0002[Correction target item name] 0002

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、印刷回路の形成、リードフレ
ーム等の金属加工、プラズマディスプレイパネルの隔壁
形成加工、基材の保護材料としてフォトレジストが用い
られている。フォトレジストの取り扱いに際してはフォ
トレジスト溶解液が用いられ、主なフォトレジスト溶解
液としては、現像液と剥離液が知られている。フォトレ
ジストは活性線照射により現像液への溶解性が未露光部
分と露光部分とで差が生じ、現像液は、溶解性を示す部
分を除去するために用いられる。活性線照射されたフォ
トレジストの現像液に対する不溶性を示す部分は基材上
に皮膜を形成し、フォトレジストの現像除去後露出した
基材のエッチング、めっき等の加工や、皮膜で覆われた
部分を保護し、レジストとしての性能を発揮する。剥離
液は、加工に用いられたフォトレジストの皮膜を基材か
ら除去するために用いられる。フォトレジスト溶解液は
各種の溶液が用いられているが、従来からの有機溶剤の
ほかに近年は環境上の理由からアルカリ性溶液、特にア
ルカリ水溶液を用いる例が多くなっている。フォトレジ
ストの溶解方法としては、フォトレジスト溶解液を滴
下、シャワーまたはスプレーによりレジスト表面へ供給
する方法やフォトレジスト溶解液に浸漬する方法が用い
られているが、循環使用されることが多く、特にスプレ
ーにより発泡しやすくなるため消泡剤が使用される。消
泡剤としては、一般的にはシリコーン系統のものは消泡
効果が高いことが知られている。しかしながら、フォト
レジストの現像工程、剥離工程においてはシリコーンの
高い被覆力及び撥水作用により現像後の基材の加工工
程、剥離後の後工程において、種々の問題が生じるため
敬遠されている。したがって、従来の消泡剤としてポリ
オキシアルキレンモノオールあるいはそれらのエステル
化物、高級脂肪酸にアルキレンオキシドを付加した化合
物等が消泡剤として使用されてきた。これらは特開平7
−128865号公報、特開平7−319170号公
報、特開平8−10600号公報、特開平8−1606
32号公報、特開平9−87380号公報、特開平9−
87381号公報、特開平9−87382号公報、特開
平9−293964号公報、特開平10−319606
号公報、特開平11−258820号公報、特開平11
−352700号公報等の技術として知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a photoresist has been used as a material for forming a printed circuit, metal working of a lead frame or the like, forming a partition of a plasma display panel, and protecting a base material. When handling the photoresist, a photoresist solution is used, and as a main photoresist solution, a developer and a stripper are known. The photoresist has a difference in solubility in a developing solution between an unexposed portion and an exposed portion due to irradiation with actinic rays, and the developing solution is used to remove a portion showing the solubility. The part of the photoresist exposed to actinic radiation that shows insolubility in the developing solution forms a film on the substrate, and the exposed part of the substrate after development and removal of the photoresist is processed by etching, plating, etc., or is covered with the film Protects and exhibits the performance as a resist. The stripper is used to remove the photoresist film used for the processing from the substrate. Various solutions are used as the photoresist dissolving solution. In recent years, in addition to the conventional organic solvent, an alkaline solution, particularly an alkaline aqueous solution, has been increasingly used for environmental reasons. As a method of dissolving the photoresist, a method of dropping a photoresist solution, a method of supplying the photoresist to the resist surface by shower or spray, and a method of dipping in a photoresist solution are used, but often used in circulation, An antifoaming agent is used because it is easy to foam by spraying. As a defoaming agent, it is generally known that a silicone type defoaming agent has a high defoaming effect. However, in the photoresist development step and the peeling step, various problems arise in the processing step of the base material after development and the subsequent step after the peeling due to the high covering power and water repellency of the silicone, so that it is avoided. Therefore, as a conventional defoaming agent, polyoxyalkylene monol or an ester thereof, a compound obtained by adding an alkylene oxide to a higher fatty acid, and the like have been used as the defoaming agent. These are disclosed in
JP-A-128865, JP-A-7-319170, JP-A-8-10600, JP-A-8-1606
No. 32, JP-A-9-87380, JP-A-9-87
87381, JP-A-9-87382, JP-A-9-293964, JP-A-10-319606
JP, JP-A-11-258820, JP-A-11-258820
It is known as a technique such as Japanese Patent No.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木下 泰彦 静岡県富士市鮫島2番地の1 旭化成株式 会社内 Fターム(参考) 2H096 AA26 AA28 BA05 GA10 GA11 LA30 4D011 CB02 CB06 CC01 5F046 LA03 LA12  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Yasuhiko Kinoshita 2 Samejima, Fuji-shi, Shizuoka Prefecture Asahi Kasei Corporation F-term (reference) 2H096 AA26 AA28 BA05 GA10 GA11 LA30 4D011 CB02 CB06 CC01 5F046 LA03 LA12

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 式(1) R−O(CHCHO)m−(CHCH(CH)O)n−H ・・・・(1) (ただし、Rは炭素数10〜22の直鎖または分岐鎖ア
ルキル基を示し、mは8〜20、nは10〜30の数を
示す)で表される化合物Aと、プロピレングリコール、
グリセリン、トリメチロールプロパンの中から選ばれる
少なくとも1種にプロピレンオキシドを付加した後エチ
レンオキシドを付加した化合物であって、重量平均分子
量が1,500〜5,000でかつポリエチレンオキシ
ド基の化合物全体に占める割合が5〜25質量%である
化合物Bとを、必須成分として含有することを特徴とす
るフォトレジスト溶解液用消泡剤組成物。
1. Formula (1) R—O (CH 2 CH 2 O) m— (CH 2 CH (CH 3 ) O) n—H (1) (where R is 10 to 10 carbon atoms) 22 represents a linear or branched alkyl group, m represents a number of 8 to 20, n represents a number of 10 to 30), and propylene glycol;
A compound obtained by adding propylene oxide to at least one selected from glycerin and trimethylolpropane and then adding ethylene oxide, and having a weight-average molecular weight of 1,500 to 5,000 and occupying in the entire polyethylene oxide group compound An antifoaming composition for a photoresist solution, comprising a compound B having a ratio of 5 to 25% by mass as an essential component.
【請求項2】 化合物Aを50〜97質量%、化合物B
を3〜50質量%含有する請求項1記載の消泡剤組成
物。
2. A compound A comprising 50 to 97% by mass of a compound B
The defoaming agent composition according to claim 1, comprising 3 to 50% by mass.
【請求項3】 pH8.0〜14.0のアルカリ性溶液
であって、請求項1または2記載の消泡剤組成物が0.
01〜1.00体積%添加されていることを特徴とする
フォトレジスト溶解液。
3. An anti-foaming composition according to claim 1, which is an alkaline solution having a pH of 8.0 to 14.0.
A photoresist solution, which is added in an amount of from 0.01 to 1.00% by volume.
【請求項4】 請求項3記載のフォトレジスト溶解液を
用いることを特徴とするフォトレジストの溶解方法。
4. A method for dissolving a photoresist, comprising using the photoresist dissolving solution according to claim 3.
【請求項5】 フォトレジストが、全質量基準で光重合
開始剤0.05〜30.00質量%、分子内にエチレン
性不飽和二重結合を有する光重合性モノマー15.00
〜84.95質量%、少なくともカルボキシル基を含む
ビニル単量体を共重合成分として得られるビニル共重合
体15.00〜84.95質量%からなることを特徴と
する請求項4記載のフォトレジストの溶解方法。
5. A photoresist comprising 0.05 to 30.00% by mass of a photopolymerization initiator based on the total mass and a photopolymerizable monomer having an ethylenically unsaturated double bond in the molecule of 15.00.
The photoresist according to claim 4, comprising from 15.00 to 84.95% by mass of a vinyl copolymer obtained by using a vinyl monomer containing at least a carboxyl group as a copolymer component. Dissolution method.
【請求項6】 フォトレジストが光重合性モノマーとし
て分子量500〜30,000のウレタンジ(メタ)ア
クリレートを10質量%以上含有することを特徴とする
請求項5記載のフォトレジストの溶解方法。
6. The method according to claim 5, wherein the photoresist contains 10% by mass or more of urethane di (meth) acrylate having a molecular weight of 500 to 30,000 as a photopolymerizable monomer.
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