JP2002324739A - Treatment equipment - Google Patents

Treatment equipment

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JP2002324739A
JP2002324739A JP2002041747A JP2002041747A JP2002324739A JP 2002324739 A JP2002324739 A JP 2002324739A JP 2002041747 A JP2002041747 A JP 2002041747A JP 2002041747 A JP2002041747 A JP 2002041747A JP 2002324739 A JP2002324739 A JP 2002324739A
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cooling
processing
duct
heat
processing apparatus
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雅敏 出口
Eiichi Sekimoto
栄一 磧本
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain radiation of heat from heating treatment equipment to the outside of a casing. SOLUTION: Ducts 35 and 36 are disposed on both side surfaces of an X direction side of a casing 30 of third treatment equipment G3 on which a prebaking part 34 is mounted. The ducts 35 and 36 are disposed so as to cover the whole surfaces of both of the side surfaces of the casing 30. To the ducts 35 and 36, fans for generating air flow in the ducts 35 and 36 are installed. In the ducts 35 and 36, cooling plates 41-44 which are in contact with the air flow and cool the air flow are disposed. Heat generated from the prebaking part 34 is conducted to the ducts 35 and 36. The heat conducted to the ducts 35 and 36 is transferred by the air flow flowing in the ducts 35 and 36. The air flow is cooled with the cooling plates 41-44. As a result, natural radiation of heat from the prebaking part 34 to the outside of the casing 30 is restrained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,基板の処理装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程は,塗布現像処理シス
テムにおいて行われている。当該塗布現像処理システム
は,ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処
理部,露光処理後のウェハに対して現像を行う現像処理
部,塗布処理前,露光処理前後及び現像処理後のウェハ
を熱処理する加熱処理部,冷却処理部等を有している。
これらの各処理部は,例えば一連のフォトリソグラフィ
ー工程が連続して効率的に行えるように塗布現像処理シ
ステムの処理ステーションに集約されており,当該処理
ステーションの中央部には,各処理部にアクセス可能で
ウェハの搬送を行う搬送装置が設けられている。
2. Description of the Related Art For example, a photolithography step in a semiconductor device manufacturing process is performed in a coating and developing system. The coating and developing processing system includes a resist coating processing section for forming a resist film on the wafer surface, a developing processing section for developing the exposed wafer, and a heat treatment for the wafer before the coating processing, before and after the exposure processing, and after the developing processing. And a heat treatment unit, a cooling treatment unit, and the like.
Each of these processing units is integrated in a processing station of a coating and developing processing system so that, for example, a series of photolithography processes can be continuously and efficiently performed, and a central portion of the processing station has access to each processing unit. A transfer device capable of transferring a wafer is provided.

【0003】また,各処理部は,各々の処理に適合した
それぞれの温度に制御されており,例えば加熱処理部で
は,ウェハを加熱する熱板が高温に維持され,冷却処理
部では,ウェハを冷却する冷却プレートが低温に維持さ
れている。
Further, each processing unit is controlled to a temperature suitable for each processing. For example, in a heating processing unit, a hot plate for heating a wafer is maintained at a high temperature, and in a cooling processing unit, the wafer is cooled. The cooling plate for cooling is maintained at a low temperature.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上述し
た処理ステーション内には,複数の加熱処理部が設けら
れることが多く,当該加熱処理部から放出される輻射熱
によって,処理ステーション内の雰囲気温度は上昇す
る。そして,当該雰囲気内で前記搬送装置によるウェハ
の搬送が行われると,当該搬送中に温度の上昇された雰
囲気によってウェハの温度が上昇する。このようなウェ
ハの温度上昇は,例えば冷却処理部においてウェハを所
定温度に冷却し,ウェハ上の塗布膜の化学反応を停止さ
せたにもかかわらず,当該温度上昇によって再び塗布膜
の反応が始まる等の弊害を生じさせる。したがって,処
理ステーション内の温度上昇は,ウェハ温度を上昇さ
せ,最終的にウェハ上に形成される回路パターンの線幅
に影響を与えることになり,歩留まりの低下を招く原因
となる。
However, the above-described processing station is often provided with a plurality of heat treatment sections, and the radiant heat emitted from the heat treatment section raises the ambient temperature in the processing station. I do. When the transfer of the wafer by the transfer device is performed in the atmosphere, the temperature of the wafer increases due to the atmosphere whose temperature has been increased during the transfer. Such a rise in the temperature of the wafer may be caused by, for example, cooling the wafer to a predetermined temperature in the cooling processing unit and stopping the chemical reaction of the coating film on the wafer, but the reaction of the coating film starts again due to the rise in the temperature. And other adverse effects. Therefore, an increase in the temperature in the processing station causes an increase in the temperature of the wafer, which affects the line width of the circuit pattern finally formed on the wafer, which causes a reduction in yield.

【0005】本発明は,かかる点に鑑みてなされたもの
であり,加熱処理部からの輻射熱によって,例えば処理
ステーション内の雰囲気温度が上昇することを抑制する
処理装置を提供することをその目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus which suppresses, for example, an increase in an ambient temperature in a processing station due to radiant heat from a heat processing section. I do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば,基板の処理が行われる処理装置であって,前記処理
装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行わ
れる加熱処理部と,前記ケーシングの側部に設けられ,
前記加熱処理部からの熱が前記ケーシング外に放出する
ことを抑制する熱遮断部材と,前記熱遮断部材に蓄熱さ
れた熱を前記処理装置外に移送する熱移送手段とを有す
ることを特徴とする処理装置が提供される。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for processing a substrate, wherein the heat processing section is provided in a casing of the processing apparatus and performs a heat processing on the substrate. And provided on the side of the casing,
And a heat transfer unit for transferring heat stored in the heat blocking member to the outside of the processing device. A processing device is provided.

【0007】請求項1によれば,熱遮断部材によって加
熱処理部からの熱を遮断し,当該熱遮断部材に蓄えられ
た熱を熱移送手段によって処理装置外に移送することが
できるので,加熱処理部で発生する熱がケーシング外に
放出され,ケーシング外の雰囲気の温度が上昇されるこ
とを抑制できる。したがって,ケーシング外において基
板を搬送等行っても当該基板が加熱処理部からの熱によ
って影響されず,適切な温度を維持することができる。
According to the first aspect, the heat from the heat treatment section is blocked by the heat blocking member, and the heat stored in the heat blocking member can be transferred to the outside of the processing apparatus by the heat transfer means. The heat generated in the processing section is released to the outside of the casing, and the temperature of the atmosphere outside the casing can be prevented from rising. Therefore, even when the substrate is transported outside the casing, the substrate is not affected by the heat from the heat treatment unit, and the appropriate temperature can be maintained.

【0008】請求項2の発明によれば,基板の処理が行
われる処理装置であって,前記処理装置のケーシング内
に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱処理部と,
前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,前記ダク
ト内を流れる気流を発生させる気流発生機構とを有する
ことを特徴とする処理装置が提供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for processing a substrate, wherein the heat processing section is provided in a casing of the processing apparatus and heats the substrate.
There is provided a processing apparatus comprising: a duct provided on a side portion of the casing; and an airflow generating mechanism for generating an airflow flowing in the duct.

【0009】このように,処理装置のケーシング側部に
ダクトを設け,当該ダクト内を流れる気流を発生させる
気流発生機構を設けることによって,加熱処理部からダ
クトに伝導した熱をダクト内を流れる気流によって所定
の場所に排熱することができる。これによって,加熱処
理部からの熱がケーシング外に放熱されることが抑制さ
れ,ケーシング外の雰囲気温度が上昇することを抑制で
きる。
As described above, by providing the duct on the casing side of the processing apparatus and providing the airflow generating mechanism for generating the airflow flowing through the duct, the heat conducted from the heat processing unit to the duct can be transferred to the airflow flowing through the duct. Can discharge heat to a predetermined place. Thus, the heat from the heat treatment section is prevented from being dissipated to the outside of the casing, and the rise in the ambient temperature outside the casing can be suppressed.

【0010】かかる請求項2の発明において,請求項3
のように前記気流発生機構が,前記ダクト内に上昇気流
を形成するものであってもよい。このように,ダクト内
に伝導した熱の移送を上昇気流によって行うことによっ
て,本来の熱による上昇気流に逆らわず,熱の排熱をス
ムーズに行うことができる。また,加熱処理部が,処理
装置の上部に配置された場合には,下部の他の処理部に
熱的な影響を与えることなく好適に熱を排出することが
できる。
[0010] In the invention of claim 2, claim 3
As described above, the airflow generating mechanism may form an upward airflow in the duct. As described above, by transferring the heat conducted into the duct by the ascending airflow, the heat can be smoothly discharged without opposing the ascending airflow due to the original heat. In addition, when the heat treatment section is disposed above the processing apparatus, the heat can be appropriately discharged without thermally affecting other lower processing sections.

【0011】かかる請求項2又は3の発明において,請
求項4のように前記ダクト内には,前記気流の熱を吸熱
する吸熱部材が設けられていてもよい。このように,吸
熱部材を設けることによって,加熱処理部からの熱を積
極的に吸熱し,当該吸収した熱を前記ダクト内の気流に
よって排熱することができる。これによって,加熱処理
部内の熱を効果的に排熱することができるので,加熱処
理部の熱がケーシング外に放出され,ケーシング外の温
度が上昇することを抑制できる。
In the second or third aspect of the present invention, as in the fourth aspect, the duct may be provided with a heat absorbing member for absorbing the heat of the airflow. By providing the heat absorbing member in this way, it is possible to positively absorb the heat from the heat treatment section and exhaust the absorbed heat by the airflow in the duct. Thereby, the heat in the heat treatment section can be effectively exhausted, so that the heat in the heat treatment section is released to the outside of the casing and the temperature outside the casing can be prevented from rising.

【0012】また,かかる請求項2又は3の発明におい
て,請求項5のように前記ダクト内には,前記気流を冷
却する冷却装置が設けられていてもよい。このように,
ダクト内を流れる気流を冷却する冷却装置を設けること
によって,加熱処理部からの熱を受け取って温度が上昇
した気流を冷却することができる。これによって,多量
の熱を保有した気体がダクトに沿ってそのまま流され,
下流域に配置された処理部等に熱的な影響を与えること
を防止できる。また,気流が高温になることを抑制でき
るため,例えばそのまま処理装置が設置されているクリ
ーンルーム内に放出したとしても,クリーンルーム内の
温度を維持することが可能となる。
Further, in the invention of the second or third aspect, as in the fifth aspect, a cooling device for cooling the airflow may be provided in the duct. in this way,
By providing a cooling device for cooling the airflow flowing in the duct, it is possible to receive the heat from the heat treatment unit and cool the airflow whose temperature has increased. As a result, a large amount of heat-carrying gas flows along the duct as it is,
It is possible to prevent the processing section and the like arranged in the downstream area from being thermally affected. In addition, since the temperature of the airflow can be suppressed from becoming high, even if the airflow is released into the clean room where the processing apparatus is installed, the temperature in the clean room can be maintained.

【0013】かかる請求項5の発明において,請求項6
のように前記冷却装置が冷却板を有し,前記冷却板は,
冷媒としての流体を流通させるための管路を有していて
もよい。このように,ダクト内に冷却板を設けることに
よって,その分ダクト内の気体との接触面積が大きくな
り,ダクト内の気体を効果的に冷却することができる。
また,冷却板内に冷媒としての流体を流通させることに
よって,冷却板に伝導した熱を適宜排熱して,冷却板に
よる気流の冷却を好適に行うことができる。
According to the fifth aspect of the present invention, in the sixth aspect,
The cooling device has a cooling plate as described above,
It may have a pipeline for flowing a fluid as a refrigerant. Thus, by providing the cooling plate in the duct, the contact area with the gas in the duct is increased by that amount, and the gas in the duct can be cooled effectively.
In addition, by flowing a fluid as a cooling medium through the cooling plate, the heat conducted to the cooling plate can be appropriately exhausted, and the airflow can be appropriately cooled by the cooling plate.

【0014】また,かかる請求項6において,請求項7
のように前記冷却板にフィンを取り付けるようにしても
よい。このようにフィンを取り付けることによって,ダ
クト内の気流と冷却板との接触面積がさらに増大し,ダ
クト内の気流をより効果的に冷却することができる。
Further, in claim 6, claim 7
A fin may be attached to the cooling plate as described above. By attaching the fins in this manner, the contact area between the airflow in the duct and the cooling plate is further increased, and the airflow in the duct can be more effectively cooled.

【0015】かかる請求項6又は7の発明において,請
求項8のように基板を冷却処理する冷却処理部を有し,
前記流体には,前記冷却処理部の前記冷却処理の際に用
いられる冷媒が使用されるようにしてもよい。このよう
に,冷却処理部に用いられる冷媒を前記冷却板内に流通
させる流体に利用することによって,冷媒を供給するた
めの機構や,温度調節機構を新たに設ける必要が無く,
既存の機構を利用することができるので,処理装置全体
の構成が複雑になったり,装置の製造コストや消費冷媒
のコストが増大したりすることを防止できる。
According to the sixth or seventh aspect of the present invention, there is provided a cooling unit for cooling the substrate as in the eighth aspect,
As the fluid, a refrigerant used at the time of the cooling processing of the cooling processing unit may be used. As described above, by using the refrigerant used in the cooling processing unit as the fluid flowing through the cooling plate, there is no need to newly provide a mechanism for supplying the refrigerant or a temperature control mechanism.
Since the existing mechanism can be used, it is possible to prevent the overall configuration of the processing apparatus from becoming complicated, and from increasing the manufacturing cost of the apparatus and the cost of the consumed refrigerant.

【0016】かかる請求項2〜8の各処理装置におい
て,請求項9のように前記ダクト内に冷却水のミストを
供給するミスト供給機構を有するようにしてもよい。請
求項9によれば,ダクト内に冷却水のミストを供給し,
当該ミストが蒸発する際の潜熱によって,ダクト内の気
流の熱を奪い,ダクト内の気流を冷却することができ
る。これによって,多量の熱を保有した気体がダクトに
沿ってそのまま流され,下流域に配置された処理部等に
熱的な影響を与えることを防止できる。
In each of the processing apparatuses according to the second to eighth aspects, a mist supply mechanism for supplying a mist of cooling water into the duct may be provided as in the ninth aspect. According to claim 9, a mist of cooling water is supplied into the duct,
By the latent heat when the mist evaporates, the heat of the airflow in the duct is taken away, and the airflow in the duct can be cooled. As a result, it is possible to prevent the gas having a large amount of heat from flowing along the duct as it is, thereby preventing the processing section and the like disposed downstream from being thermally affected.

【0017】また,請求項2〜9の各処理装置におい
て,請求項10のように前記加熱処理部が,基板を加熱
する加熱部と基板を冷却する冷却部とを並列して有し,
前記ダクトは,前記ケーシングの前記加熱部側の側部に
設けられていてもよい。このように,加熱処理部が加熱
部と冷却部との両者を有することによって,例えば加熱
された基板を即座に冷却することができる。これによっ
て,加熱によって基板に与えられる熱履歴を基板間で均
一に揃えることができる。また,この場合にダクトを加
熱部側にのみ設けることによって,必要のない冷却部側
への設置を省き,加熱処理部からの熱の排熱を効率的に
行うことができる。
Further, in each of the processing apparatuses according to claims 2 to 9, the heating processing section has a heating section for heating the substrate and a cooling section for cooling the substrate in parallel, as in claim 10.
The duct may be provided on a side of the casing closer to the heating unit. As described above, since the heat processing unit has both the heating unit and the cooling unit, for example, a heated substrate can be immediately cooled. Thereby, the heat history given to the substrate by the heating can be made uniform between the substrates. In this case, by providing the duct only on the heating section side, unnecessary installation on the cooling section side can be omitted, and heat can be efficiently discharged from the heat treatment section.

【0018】また請求項11によれば,基板の処理が行
われる処理装置であって,前記処理装置のケーシング内
に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱部を有する
加熱処理部と,前記ケーシングの側部に設けられたダク
トと,前記ダクトに設けられ,冷却流体が流れる冷却流
路とを有することを特徴とする,処理装置が提供され
る。かかる処理装置によれば,ダクト内に流れる気流に
よって断熱されるので,ケーシングからの放熱が抑えら
れる。しかも冷却流路に流れる冷却流体によって熱が吸
収されるから,さらに前記放熱は抑えられる。この場
合,前記冷却流路が前記ダクトにおける外側寄りに設け
られていると,前記したように,ダクト内の気流によっ
て一旦断熱され,しかもケーシングから冷却流路への熱
の急激な移動はないので,ケーシング内での熱処理を安
定して行える。しかもまた熱の急激な移動がないので,
その分温度低下を補償するための電力を極めて低く抑え
て,全体として必要電力量を節約することができる。
According to the eleventh aspect, there is provided a processing apparatus for processing a substrate, the heating processing section having a heating section provided in a casing of the processing apparatus and performing a heating process on the substrate; A processing apparatus is provided, comprising: a duct provided on a side portion of a casing; and a cooling passage provided in the duct and through which a cooling fluid flows. According to such a processing apparatus, heat is insulated by the airflow flowing in the duct, so that heat radiation from the casing is suppressed. In addition, since the heat is absorbed by the cooling fluid flowing through the cooling passage, the heat radiation is further suppressed. In this case, if the cooling flow path is provided on the outer side of the duct, as described above, the heat is once insulated by the air flow in the duct, and the heat does not suddenly move from the casing to the cooling flow path. The heat treatment in the casing can be stably performed. And since there is no rapid heat transfer,
The power for compensating for the temperature drop can be kept extremely low, and the required power can be saved as a whole.

【0019】さらにまた,少なくとも電気配線を収容す
る配線収容部を具備し,当該配線収容部と前記加熱部と
の間には,冷却流体が流通する流路が形成された熱遮蔽
パネルを配置するようにしてもよい。例えば制御系のケ
ーブル等も当該配線収容部に納めるとよい。これによっ
て制御系に対する熱による外乱は抑えられ,安定したか
つ正確な制御を実施することができる。
Furthermore, a heat shielding panel having a wiring accommodating portion for accommodating at least the electric wiring and having a flow path through which the cooling fluid flows is disposed between the wiring accommodating portion and the heating portion. You may do so. For example, a control system cable or the like may be stored in the wiring housing. Thereby, disturbance due to heat on the control system is suppressed, and stable and accurate control can be performed.

【0020】また加熱処理部に基板を冷却する冷却部を
付加し,前記冷却流体には,この冷却部の前記冷却処理
の際に用いられた後の冷媒を使用するようにすれば,格
別専用の冷媒の供給源は不要である。
A cooling section for cooling the substrate is added to the heat processing section, and the cooling fluid used after the cooling processing of the cooling section is used as the cooling fluid. The supply source of the refrigerant is unnecessary.

【0021】ダクトは複数の流路に分割されていれば,
排気する量に応じた流路設定,それに伴う排気ポンプ等
の定格を適切に行うことができる。
If the duct is divided into a plurality of channels,
The flow path can be set according to the amount of exhaust gas, and the rating of the exhaust pump and the like can be appropriately set accordingly.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図1は,本発明にかかる処理装置
を有する塗布現像処理システム1の概略を示す平面図で
あり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であ
り,図3は本発明にかかる処理装置の斜視図,図4は,
塗布現像処理システム1の背面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view schematically showing a coating and developing processing system 1 having a processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a front view of the coating and developing processing system 1, and FIG. 3 is a processing apparatus according to the present invention. The perspective view of FIG.
FIG. 2 is a rear view of the coating and developing processing system 1.

【0023】塗布現像処理システム1は,図1に示すよ
うに,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセ
ットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットス
テーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理部を多段配置してなる処理ステー
ション3と,この処理ステーション3に隣接して設けら
れている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡
しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成
を有している。
As shown in FIG. 1, for example, the coating and developing system 1 carries 25 wafers W into and out of the coating and developing system 1 from the outside in units of cassettes and carries wafers W into and out of the cassette C. A cassette station 2 for unloading, a processing station 3 in which various processing units for performing predetermined processing in a single-wafer manner in a coating and developing processing step are arranged in multiple stages, and provided adjacent to the processing station 3. An interface unit 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) is integrally connected.

【0024】カセットステーション2では,載置部とな
るカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセット
CをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)と
カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z
方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が
搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセッ
トCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be mounted in a row in the X direction (up and down direction in FIG. 1) at predetermined positions on a cassette mounting table 5 serving as a mounting portion. Then, the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z
(A vertical direction) is provided movably along a transfer path 8 so that each cassette C can be selectively accessed.

【0025】ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置G3に属するエクステンション部33に対しても
アクセスできるように構成されている。
The wafer carrier 7 has an alignment function for positioning the wafer W. The wafer carrier 7 is configured so as to be able to access an extension unit 33 belonging to the third processing apparatus G3 on the processing station 3 side as described later.

【0026】処理ステーション3では,その中心部に主
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理部が多段に配置されて処理装置を構成
している。該塗布現像処理システム1においては,4つ
の処理装置G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び
第2の処理装置G1,G2は塗布現像処理システム1の正面
側に配置され,処理装置としての第3の処理装置G3は,
カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処
理装置G4は,インターフェイス部4に隣接して配置され
ている。さらにオプションとして破線で示した第5の処
理装置G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主
搬送装置13は,これらの処理装置G1,G2,G3,
G4,G5に配置されている後述する各種処理部に対し
て,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置の数
や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異な
り,処理装置の数は,1以上であれば任意に選択でき
る。
In the processing station 3, a main transfer unit 13 is provided at the center thereof, and various processing units are arranged in multiple stages around the main transfer unit 13 to constitute a processing unit. In the coating and developing system 1, four processing units G1, G2, G3 and G4 are arranged, and the first and second processing units G1 and G2 are arranged on the front side of the coating and developing system 1, The third processing device G3 as a processing device is
The fourth processing unit G4 is disposed adjacent to the cassette station 2, and is disposed adjacent to the interface unit 4. Further, a fifth processing device G5 shown by a broken line as an option can be separately arranged on the back side. The main transfer device 13 includes these processing devices G1, G2, G3,
The wafer W can be loaded and unloaded to and from various processing units described below disposed in G4 and G5. Note that the number and arrangement of the processing apparatuses differ depending on the type of processing performed on the wafer W, and the number of processing apparatuses can be arbitrarily selected as long as it is one or more.

【0027】第1の処理装置G1では,例えば図2に示す
ように,ウェハWにレジスト液を供給し,レジスト膜を
形成するレジスト塗布処理部17と,露光後のウェハW
を現像する現像処理部18とが下から順に2段に配置さ
れている。処理装置G2の場合も同様に,レジスト塗布処
理部19と,現像処理部20とが下から順に2段に積み
重ねられている。
In the first processing apparatus G1, for example, as shown in FIG. 2, a resist coating section 17 for supplying a resist solution to the wafer W to form a resist film, and a wafer W
Are arranged in two stages from the bottom in order from the bottom. Similarly, in the case of the processing apparatus G2, the resist coating processing section 19 and the developing processing section 20 are stacked in two stages from the bottom in the same manner.

【0028】第3の処理装置G3は,図3に示すように略
直方体形状のケーシング30を有している。ケーシング
30内には,ケーシング30内を複数の部屋に分割する
水平板30aが複数設けられており,複数の処理部を多
段に配置できるようになっている。当該ケーシング30
内には,例えば図4に示すように,ウェハWを冷却処理
するクーリング部31,レジスト液とウェハWとの定着
性を高めるためのアドヒージョン部32,ウェハWを待
機させるエクステンション部33,レジスト液中の溶剤
を乾燥させる加熱処理部としてのプリベーキング部34
が下から順に,例えば4段に積層されて設けられてい
る。
The third processing unit G3 has a substantially rectangular parallelepiped casing 30 as shown in FIG. A plurality of horizontal plates 30a that divide the inside of the casing 30 into a plurality of rooms are provided in the casing 30, so that a plurality of processing units can be arranged in multiple stages. The casing 30
For example, as shown in FIG. 4, a cooling unit 31 for cooling the wafer W, an adhesion unit 32 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, an extension unit 33 for waiting the wafer W, a resist solution Prebaking unit 34 as a heat treatment unit for drying the solvent therein
Are stacked in order from the bottom, for example, in four layers.

【0029】ケーシング30のX方向側の両側面には,
図3に示すように当該側面全面に接し,上下方向に気体
を流通させる熱遮断部材としてのダクト35,36がそ
れぞれ設けられている。以下,ダクト35及び36の構
成をダクト35を例にとって説明する。
On both sides of the casing 30 on the X direction side,
As shown in FIG. 3, ducts 35 and 36 are provided in contact with the entire surface of the side surface and as heat blocking members for flowing gas in the vertical direction. Hereinafter, the configuration of the ducts 35 and 36 will be described using the duct 35 as an example.

【0030】ダクト35は,ケーシング30の上端部に
一端の開口部37を有し,ダクト35の他端は,ケーシ
ング30の下方から,例えば塗布現像処理システム1外
に開口されている。ダクト35のケーシング30側の側
部38の材質は,熱伝導性の優れた材質,例えばアルミ
ニウムが使用されており,当該側部38の逆側の側部3
9,すなわちケーシング30の外方の側部39には,熱
伝導性の低い材質,例えば多孔質セラミックが使用され
ている。これによって,ケーシング30内のプリベーキ
ング部34から放射される熱が容易にダクト35内に伝
導され,また当該ダクト35内に伝導された熱がダクト
35の側部39からケーシング30外方に漏れないよう
になっている。なお,ダクト35の全部に熱伝導性の優
れた材質のものを使用してもよいし,熱伝導性の低い材
質のものを使用してもよい。また,側部39を構成する
部材に所定の厚みを有する樹脂材を設けてもよいし,ス
ポンジ状の断熱部材を設けてもよい。
The duct 35 has an opening 37 at one end at the upper end of the casing 30, and the other end of the duct 35 is opened from below the casing 30, for example, outside the coating and developing system 1. As a material of the side portion 38 of the duct 35 on the casing 30 side, a material having excellent heat conductivity, for example, aluminum is used, and the side portion 3 on the opposite side of the side portion 38 is used.
9, that is, a material having low thermal conductivity, for example, a porous ceramic, is used for the outer side portion 39 of the casing 30. Thereby, the heat radiated from the pre-baking portion 34 in the casing 30 is easily conducted into the duct 35, and the heat conducted into the duct 35 leaks from the side portion 39 of the duct 35 to the outside of the casing 30. Not to be. The entire duct 35 may be made of a material having excellent heat conductivity or a material having low heat conductivity. Further, a resin material having a predetermined thickness may be provided on a member constituting the side portion 39, or a sponge-like heat insulating member may be provided.

【0031】ダクト35内には,図5に示すように気流
発生機構としてのファン40が設けられており,ダクト
35内に下降気流を形成し,処理ステーション3内の雰
囲気をダクト35の開口部37から流入させ,ダクト3
5の下方から排出できるようになっている。なお,請求
項1に記載の熱移送手段は,本実施の形態に関しては,
ファン40と当該ファン40によって形成された気流に
よって構成される。
As shown in FIG. 5, a fan 40 as an airflow generating mechanism is provided in the duct 35 to form a downward airflow in the duct 35, and the atmosphere in the processing station 3 is changed to the opening of the duct 35. Inflow from duct 37
5 can be discharged from below. Incidentally, the heat transfer means according to claim 1 is, in this embodiment,
It is composed of a fan 40 and an airflow formed by the fan 40.

【0032】また,ダクト35内には,ダクト35内の
気流と接触し,当該気流を冷却するための略直方体形状
の冷却板41,42,43及び44が上下方向に並べら
れて設けられている。冷却板41〜44には,熱伝導性
の優れた材質,例えばアルミニウムが使用されている。
In the duct 35, cooling plates 41, 42, 43 and 44 each having a substantially rectangular parallelepiped shape for contacting the airflow in the duct 35 and cooling the airflow are provided vertically. I have. The cooling plates 41 to 44 are made of a material having excellent heat conductivity, for example, aluminum.

【0033】また,各冷却板41〜44には,図6に示
すようにその表面に複数のフィン45が設けられてお
り,ダクト35内の気流との接触面積がより大きくなる
ように構成されている。各冷却板41〜44内には,冷
媒としての冷却水を流通させるための管路46〜49が
それぞれ設けられており,ダクト35内の気流から各冷
却板41〜44に伝導した熱を排熱し,各冷却板41〜
44を低温に維持できるようになっている。例えば管路
46は,冷却板41内部に設けられた空間部46aと,
冷却板41の上部から空間部46aに通じる流入部46
bと,空間部46aから冷却板41の下部に通じる流出
部46cとを有しており,図示しない冷媒供給源から冷
却板41内に流入された冷却水は空間部46aで一旦貯
留され,そこで冷却板41の熱が冷却水に十分に伝導さ
れるようになっている。なお,各冷却板41〜44は,
加熱処理部,例えばプリベーキング部34に対応するダ
クト35のケーシング30側の側部38に直接取り付け
られていてもよい。
Each of the cooling plates 41 to 44 is provided with a plurality of fins 45 on its surface as shown in FIG. 6, so that the contact area with the airflow in the duct 35 is increased. ing. Pipes 46 to 49 for circulating cooling water as a coolant are provided in the cooling plates 41 to 44, respectively, and exhaust heat conducted to the cooling plates 41 to 44 from the airflow in the duct 35. Heating, each cooling plate 41-
44 can be maintained at a low temperature. For example, the conduit 46 includes a space 46a provided inside the cooling plate 41,
Inflow part 46 leading from the upper part of cooling plate 41 to space part 46a
b, and an outflow portion 46c communicating from the space portion 46a to the lower portion of the cooling plate 41. Cooling water flowing into the cooling plate 41 from a coolant supply source (not shown) is temporarily stored in the space portion 46a, where it is stored. The heat of the cooling plate 41 is sufficiently conducted to the cooling water. In addition, each cooling plate 41-44 is
It may be directly attached to the side portion 38 of the duct 35 corresponding to the heat treatment portion, for example, the pre-baking portion 34, on the casing 30 side.

【0034】また,上下方向に隣り合う各冷却板41〜
44の各管路46〜49間は,接続管50によって接続
されており,最上部の冷却板41から流入した冷却水
は,各冷却板41〜44内を順に通って最下部の冷却板
44から流出されるようになっている。なお,上述した
冷却水は,例えば図示しない冷媒供給源から供給される
ようになっており,冷却板41〜44を通過した冷却水
は,再び冷媒供給源に戻され,温度調節されるように構
成されている。なお,ダクト36やダクト36内部の構
成は,ダクト35と同様であり,説明を省略する。
Each of the cooling plates 41 to 41 vertically adjacent to each other
The pipes 46 to 49 are connected by connecting pipes 50, and the cooling water flowing from the uppermost cooling plate 41 passes through the respective cooling plates 41 to 44 in order, and the lowermost cooling plate 44 is connected thereto. It is to be leaked from. The above-described cooling water is supplied from, for example, a coolant supply source (not shown). The cooling water that has passed through the cooling plates 41 to 44 is returned to the coolant supply source again so that the temperature is adjusted. It is configured. Note that the configuration of the duct 36 and the inside of the duct 36 are the same as those of the duct 35, and a description thereof will be omitted.

【0035】上述したプリベーキング部34は,図7に
示すように例えば中央部にウェハWを載置し加熱するた
めの円盤状で厚みのある熱板55を有しており,所定温
度に熱せされた熱板55上にウェハWを所定時間載置す
ることによって,ウェハWを加熱処理できるようになっ
ている。また,プリベーキング部34へのウェハWの搬
送は,ダクト35及び36の無いY方向側の側面からで
きるようになっている。
As shown in FIG. 7, the pre-baking section 34 has a disk-shaped and thick hot plate 55 for mounting and heating the wafer W at the center, for example, as shown in FIG. By mounting the wafer W on the heated plate 55 for a predetermined time, the wafer W can be heated. Further, the transfer of the wafer W to the pre-baking unit 34 can be performed from the side surface on the Y direction side where the ducts 35 and 36 are not provided.

【0036】第4の処理装置G4は,図1に示すように第
3の処理装置G3と同様に略直方形状のケーシング60と
X方向側の両側面のダクト61及び62とを有してい
る。ケーシング60内には,図4に示すように例えばク
ーリング部65,エクステンション・クーリング部6
6,エクステンション部67,露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング部68,現像処理後
の加熱処理を行うポストベーキング部69が下から順に
例えば5段に積み重ねられている。なお,その他の構成
は,第3の処理装置G3と同様であり,説明を省略する。
As shown in FIG. 1, the fourth processing unit G4 has a substantially rectangular casing 60 and ducts 61 and 62 on both sides in the X direction, as in the third processing unit G3. . In the casing 60, for example, as shown in FIG.
6, an extension section 67, a post-exposure baking section 68 for performing a heat treatment after exposure, and a post-baking section 69 for performing a heat treatment after development processing are, for example, stacked in five stages from the bottom. The other configuration is the same as that of the third processing device G3, and the description is omitted.

【0037】インターフェイス部4の中央部にはウェハ
搬送体70が設けられている。このウェハ搬送体70は
X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移
動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在
にできるように構成されており,第4の処理装置G4に属
するエクステンション・クーリング部66,エクステン
ション部67,周辺露光装置71及び図示しない露光装
置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送
できるように構成されている。
At the center of the interface section 4, a wafer carrier 70 is provided. The wafer carrier 70 is configured to freely move in the X direction (vertical direction in FIG. 1), the Z direction (vertical direction), and rotate in the θ direction (rotational direction around the Z axis). , The extension cooling unit 66, the extension unit 67, the peripheral exposure unit 71, and the exposure unit (not shown) belonging to the fourth processing unit G4, and the wafer W can be transferred to each of them. .

【0038】次に,以上のように構成されている塗布現
像処理システム1における第3の処理装置G3の作用をフ
ォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
Next, the operation of the third processing unit G3 in the coating and developing system 1 configured as described above will be described together with the photolithography process.

【0039】先ず,ウェハWの処理が開始される前に,
第3の処理装置G3におけるプリベーキング部34の熱
板55がウェハWの加熱温度,例えば140℃に加熱さ
れ,維持される。このとき,ダクト35及び36のファ
ン40が稼動され,処理ステーション3内の雰囲気が開
口部37からダクト35及び36内に流入して,ダクト
35及び36内に下降気流が形成される。また,図示し
ない冷媒供給源から低温の冷却水が供給され始め,冷却
板41〜44が低温に維持される。これによって,プリ
べーキング部34の熱板55で発熱された熱はダクト3
5及び36に伝導され,その中を流れる気流によって移
送される。そして,当該熱は気流が冷却板41〜44に
接触することによって,冷却板41〜44に移動し,ダ
クト35及び36内の気流が冷却される。さらに,冷却
板41〜44に移動した熱は,冷却水に受け渡されて排
熱される。また,冷却された気流は,ダクト35及び3
6の下方から例えば塗布現像処理システム1が設置され
ているクリーンルーム内に排出される。
First, before the processing of the wafer W is started,
The hot plate 55 of the pre-baking unit 34 in the third processing apparatus G3 is heated and maintained at the heating temperature of the wafer W, for example, 140 ° C. At this time, the fans 40 of the ducts 35 and 36 are operated, the atmosphere in the processing station 3 flows into the ducts 35 and 36 from the opening 37, and a downdraft is formed in the ducts 35 and 36. Further, low-temperature cooling water starts to be supplied from a refrigerant supply source (not shown), and the cooling plates 41 to 44 are maintained at a low temperature. As a result, the heat generated by the hot plate 55 of the pre-baking section 34 is transferred to the duct 3
5 and 36 and are transported by the airflow flowing therethrough. Then, the heat moves to the cooling plates 41 to 44 when the airflow contacts the cooling plates 41 to 44, and the airflow in the ducts 35 and 36 is cooled. Further, the heat transferred to the cooling plates 41 to 44 is transferred to the cooling water and discharged. Further, the cooled airflow is supplied to the ducts 35 and 3.
6 is discharged from below into a clean room where the coating and developing system 1 is installed, for example.

【0040】そして,ウェハWの処理が開始されると,
先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハ
Wを1枚取りだし,第3の処理装置G3に属するアドヒー
ジョン部32に搬入する。次いで,アドヒージョン部3
2において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSな
どの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置1
3によって,例えばクーリング部31に搬送され,所定
の温度に冷却される。
Then, when the processing of the wafer W is started,
First, the wafer carrier 7 takes out one unprocessed wafer W from the cassette C and carries it into the adhesion unit 32 belonging to the third processing apparatus G3. Next, the adhesion section 3
2, the wafer W coated with an adhesion enhancer such as HMDS for improving the adhesion to the resist solution is applied to the main transfer device 1
By 3, for example, it is conveyed to the cooling unit 31 and cooled to a predetermined temperature.

【0041】その後,ウェハWは,レジスト塗布処理部
17又19に搬送され,レジスト塗布処理が施される。
そして,レジスト膜が形成されたウェハWは,プリベー
キング部34に搬送される。ペリベーキング部34に搬
送されたウェハWは,熱板55上に載置され,所定時間
加熱処理される。そして,加熱処理の終了したウェハW
は,エクステンション・クーリング部66に搬送され
る。
Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating unit 17 or 19, where the resist coating process is performed.
Then, the wafer W on which the resist film is formed is transferred to the pre-baking unit 34. The wafer W transferred to the peri-baking unit 34 is placed on the hot plate 55 and is heated for a predetermined time. Then, the wafer W after the heat treatment is completed.
Is transported to the extension cooling section 66.

【0042】次いで,ウェハWはエクステンション・ク
ーリング部66からウェハ搬送体70によって取り出さ
れ,周辺露光装置71に搬送され,ウェハWの周辺部が
露光される。周辺露光の終了したウェハWは,再びウェ
ハ搬送体70に保持され,露光装置(図示せず)に搬送
される。そして,露光処理の終了したウェハWは,ウェ
ハ搬送体70によりエクステンション部67に搬送さ
れ,次いで主搬送装置13によってポストエクスポージ
ャーベーキング部68,クーリング部65に順次搬送さ
れて,所定の処理が施される。
Next, the wafer W is taken out of the extension cooling section 66 by the wafer carrier 70 and carried to the peripheral exposure device 71, where the peripheral portion of the wafer W is exposed. The wafer W for which the peripheral exposure has been completed is again held by the wafer carrier 70 and carried to an exposure device (not shown). Then, the wafer W having been subjected to the exposure processing is transferred to the extension section 67 by the wafer transfer body 70, and then transferred to the post-exposure baking section 68 and the cooling section 65 by the main transfer device 13 in order to be subjected to predetermined processing. You.

【0043】その後,ウェハWは,現像処理部18又は
20に搬送され,現像処理される。そして,現像処理さ
れたウェハWは,ポストベーキング部69に搬送されて
加熱され,その後クーリング部31に搬送され,所定温
度に冷却される。そして,エクステンション部33に搬
送され,そこからウェハ搬送体7によって,カセットス
テーション2のカセットCに戻される。以上の工程によ
り,一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
Thereafter, the wafer W is transported to the developing section 18 or 20, where it is developed. Then, the developed wafer W is transferred to the post-baking unit 69 and heated, and then transferred to the cooling unit 31 and cooled to a predetermined temperature. Then, the wafer is transferred to the extension unit 33, from which it is returned to the cassette C of the cassette station 2 by the wafer transfer body 7. Through the above steps, a series of photolithography steps is completed.

【0044】以上の実施の形態によれば,プリべーキン
グ部34から発生する熱が処理ステーション3内に放出
される前にダクト35及び36内を流れる気流によって
移送されるため,処理ステーション3内の温度上昇を抑
制することができる。したがって,各処理部間でウェハ
Wを搬送させる際に,処理ステーション3の雰囲気によ
ってウェハWの温度が上昇されることを抑制できる。
According to the above embodiment, the heat generated from the pre-baking section 34 is transferred by the airflow flowing through the ducts 35 and 36 before being discharged into the processing station 3. Temperature rise can be suppressed. Therefore, when the wafer W is transported between the processing units, it is possible to suppress the temperature of the wafer W from being increased by the atmosphere of the processing station 3.

【0045】また,プリべーキング部34から熱を受け
取ったダクト35及び36内の気流を冷却板41〜44
によって冷却できるので,気流が大量の熱を保持したま
ま流れて,下流に配置されている例えばクーリング部3
1等に熱的な影響を与えることを抑制できる。また,温
度制御されているクリーンルーム内にそのまま排気する
ことも可能となる。
Further, the air flow in the ducts 35 and 36 which received the heat from the pre-baking section 34 is changed to the cooling plates 41 to 44.
Cooling, the airflow flows while retaining a large amount of heat, and is disposed downstream, for example, in the cooling unit 3.
It is possible to suppress a thermal influence on 1 or the like. In addition, it is possible to directly exhaust air into a temperature-controlled clean room.

【0046】冷却板41内の管路46に空間部46aを
設けたため,冷却水が当該空間部46aに一旦貯留され
て,ダクト35内の気流から冷却板41に受け渡された
熱が冷却水に伝導される時間を十分に確保できるので,
当該熱交換を効果的に行うことができる。
Since the space 46a is provided in the conduit 46 in the cooling plate 41, the cooling water is temporarily stored in the space 46a, and the heat transferred from the airflow in the duct 35 to the cooling plate 41 is cooled. Because it has enough time to be transmitted to
The heat exchange can be performed effectively.

【0047】また,冷却板41〜44にフィン45を取
り付けたことによって,冷却板41〜44の表面積が増
大し,前記気流との接触面積が増えたため,当該気流を
効果的に冷却することができる。
Since the fins 45 are attached to the cooling plates 41 to 44, the surface area of the cooling plates 41 to 44 is increased, and the contact area with the air flow is increased, so that the air flow can be effectively cooled. it can.

【0048】以上の実施の形態では,ダクト35及び3
6を第3の処理装置G3のケーシング30のX方向側の
二辺に取り付けたが,ケーシング30の側面のいずれか
一面だけでもよく,Y方向側の側面を含めた三面に設け
るようにしてもよい。特に三面に設けた場合には,第3
の処理装置G3から発生する熱がより多く遮断され,処
理ステーション3内に放出される熱量をより少なくする
ことができる。
In the above embodiment, the ducts 35 and 3
6 is mounted on the two sides on the X direction side of the casing 30 of the third processing apparatus G3, but may be provided on only one of the side surfaces of the casing 30, or may be provided on three surfaces including the side surface on the Y direction side. Good. In particular, if it is provided on three sides, the third
The heat generated from the processing device G3 is more blocked, and the amount of heat released into the processing station 3 can be reduced.

【0049】また,以上の実施の形態では,ファン40
によってダクト35及び36内に下降気流を形成してい
たが,上昇気流を形成するようにしてもよい。こうする
ことによって,温められ上昇しようとする気体に逆うこ
となく,好適に気流を形成することができる。また,大
量の熱を保持した気体をクーリング部31等の熱的な影
響が懸念される処理部の無い上方側に流すことによっ
て,当該処理部への影響を最小限に抑制することができ
る。
In the above embodiment, the fan 40
Thus, a downward airflow is formed in the ducts 35 and 36, but an upward airflow may be formed. By doing so, it is possible to suitably form an air flow without opposing the gas to be heated and going to rise. In addition, by flowing a gas holding a large amount of heat to an upper side of the cooling unit 31 or the like where there is no concern about a thermal effect on the processing unit, the influence on the processing unit can be suppressed to a minimum.

【0050】さらに,上述した冷却板41内には,空間
部46aを有する管路46を設けていたが,他のパター
ン,例えば図8に示すように管路80を冷却板41内に
おいて蛇行するように設けてもよい。また,図9に示す
ように管路90を露出した状態で蛇行させて設けるよう
にしてもよい。なお,管路90には,直接フィンを取り
付け表面積を増大させるようにしてもよい。
Further, the pipe 46 having the space portion 46a is provided in the above-mentioned cooling plate 41, but another pattern, for example, the pipe 80 meanders in the cooling plate 41 as shown in FIG. It may be provided as follows. Further, as shown in FIG. 9, the pipe 90 may be provided in a meandering manner with the pipe 90 exposed. Note that fins may be directly attached to the conduit 90 to increase the surface area.

【0051】また,冷却板41〜44を冷却するための
冷却水に,他の冷却処理部,例えば冷却処理部としての
クーリング部31で用いられている冷媒としての冷却水
を使用してもよい。例えばクーリング部31には,図1
0に示すようにウェハWを載置し冷却する冷却プレート
100が設けられている。冷却プレート100には,ペ
ルチェ素子101が設けられており,当該ペルチェ素子
101によって冷却プレート100は所定の温度に維持
できるようになっている。冷却プレート100内には,
ペルチェ素子101で発熱した熱をクーリング部31外
に排熱するための冷却水を流通させる配管102が設け
られている。当該配管102は,温度調節機能を有する
冷媒供給装置103に冷却水を戻す帰還路104と,冷
媒供給装置103から冷却プレート100に冷却水を供
給する供給路105とを有しており,循環路を形成して
いる。
Further, as the cooling water for cooling the cooling plates 41 to 44, other cooling processing units, for example, cooling water as a refrigerant used in the cooling unit 31 as the cooling processing unit may be used. . For example, as shown in FIG.
As shown at 0, a cooling plate 100 for mounting and cooling the wafer W is provided. The cooling plate 100 is provided with a Peltier device 101, and the cooling plate 100 can be maintained at a predetermined temperature by the Peltier device 101. In the cooling plate 100,
A pipe 102 is provided for flowing cooling water for discharging heat generated by the Peltier element 101 to the outside of the cooling unit 31. The pipe 102 has a return path 104 for returning the cooling water to the refrigerant supply device 103 having a temperature control function, and a supply path 105 for supplying the cooling water from the refrigerant supply device 103 to the cooling plate 100. Is formed.

【0052】また,供給路105には,供給路105か
ら分岐し,ダクト35及び36の最上部の冷却板41に
冷却水を供給するダクト供給路106が設けられてい
る。また帰還路104には,最下部の冷却板44からの
冷却水を帰還路104に戻すダクト帰還路107が設け
られている。かかる構成によって,冷却プレート100
で使用される冷却水の一部をダクト35及び36の冷却
板41に供給し,当該冷却水を冷却板41〜44用の冷
却水として使用し,その後冷媒供給装置103に戻すこ
とができる。これによって,冷却板41〜44に冷却水
を供給するための装置を別途設ける必要が無く,既存の
循環路を用いて冷却板41〜44に冷却水を供給するこ
とができる。なお,冷却板41〜44用の冷却水を供給
路105から最下部の冷却板44に供給し,最上部の冷
却板41から帰還路104に戻すようにしてもよい。
The supply path 105 is provided with a duct supply path 106 that branches off from the supply path 105 and supplies cooling water to the uppermost cooling plate 41 of the ducts 35 and 36. The return path 104 is provided with a duct return path 107 for returning the cooling water from the lowermost cooling plate 44 to the return path 104. With this configuration, the cooling plate 100
Is supplied to the cooling plates 41 of the ducts 35 and 36, the cooling water is used as cooling water for the cooling plates 41 to 44, and then returned to the refrigerant supply device 103. Accordingly, it is not necessary to separately provide a device for supplying the cooling water to the cooling plates 41 to 44, and the cooling water can be supplied to the cooling plates 41 to 44 using the existing circulation path. The cooling water for the cooling plates 41 to 44 may be supplied from the supply passage 105 to the lowermost cooling plate 44, and returned from the uppermost cooling plate 41 to the return passage 104.

【0053】以上の実施の形態では,ダクト35及び3
6内の気流を冷却するために冷却板41〜44を設けて
いたが,ダクト35及び36内に冷却水としての純水の
ミストを供給するミスト供給機構を設けて,気流を冷却
するようにしてもよい。このような場合には,例えば図
11に示すようにダクト35及び36の開口部37に,
ダクト35及び36内にミストを噴出する供給ノズル1
10を設ける。供給ノズル110は,図示しないミスト
供給源との間を供給管111によって接続されており,
供給管111には,ミストの供給量を変えられる弁11
2が設けられる。当該弁112は,コントローラ113
によってその開閉度が制御されており,当該コントロー
ラ113によって,ミストの噴出タイミング及び噴出量
が制御できるようになっている。そして,例えばウェハ
Wの処理が開始されてから断続的にミストを噴出して,
ミストの潜熱によってダクト35及び36内の気流から
熱を奪い,当該気流を冷却するようにする。こうするこ
とによっても,ダクト35及び36内の気流が冷却さ
れ,下流域の処理部に熱的な影響を及ぼすことを抑制で
きる。
In the above embodiment, the ducts 35 and 3
Although the cooling plates 41 to 44 are provided to cool the air flow in 6, the mist supply mechanism for supplying pure water mist as cooling water is provided in the ducts 35 and 36 to cool the air flow. You may. In such a case, for example, as shown in FIG.
Supply nozzle 1 for jetting mist into ducts 35 and 36
10 is provided. The supply nozzle 110 is connected to a mist supply source (not shown) by a supply pipe 111.
The supply pipe 111 has a valve 11 that can change the supply amount of mist.
2 are provided. The valve 112 includes a controller 113
The opening / closing degree of the mist is controlled by the controller 113, so that the mist ejection timing and the ejection amount can be controlled by the controller 113. Then, for example, mist is intermittently ejected after the processing of the wafer W is started,
The latent heat of the mist removes heat from the airflow in the ducts 35 and 36 to cool the airflow. By doing so, the airflow in the ducts 35 and 36 is cooled, and it is possible to suppress the thermal effect on the processing section in the downstream area.

【0054】また,上述の実施の形態では,ダクト35
及び36内に冷媒を通した冷却板41〜44を設けてい
たが,ダクト35及び36内に,単に当該ダクト35及
び36内の気流の熱を吸熱する,例えばアルミニウム板
等の吸熱部材を設けてもよい。これによっても,プリべ
ーキング部34から発生する熱を積極的に吸熱し,ダク
ト35及び36内の気流によって排熱することができる
ので,処理ステーション3内の温度上昇を抑制すること
ができる。
In the above embodiment, the duct 35
And 36 are provided with cooling plates 41 to 44 through which a refrigerant is passed. However, in ducts 35 and 36, heat absorbing members, such as aluminum plates, for merely absorbing the heat of the airflow in the ducts 35 and 36 are provided. You may. This also allows the heat generated from the pre-baking section 34 to be positively absorbed and exhausted by the airflow in the ducts 35 and 36, so that the temperature rise in the processing station 3 can be suppressed.

【0055】さらに,上述したプリベーキング部34の
代わりに,加熱部と冷却部とを有する加熱処理部を設
け,当該加熱部側にのみダクトを設けるようにしてもよ
い。例えば図12に示すように加熱処理部120内に
は,加熱部としての熱板121と冷却部としての冷却プ
レート122を並べて設けられている。そして,上述し
たダクト35と同様の構成を有するダクト123を,熱
板121側のケーシング30の側面に熱板121を取り
囲むようにして設ける。これによって,加熱処理部12
0を用いた場合においても,熱板121側からの熱の放
射を抑制し,処理ステーション3内の温度上昇を抑制す
ることができる。
Further, instead of the pre-baking section 34 described above, a heating section having a heating section and a cooling section may be provided, and a duct may be provided only on the heating section side. For example, as shown in FIG. 12, a heating plate 121 as a heating unit and a cooling plate 122 as a cooling unit are provided side by side in the heating processing unit 120. A duct 123 having the same configuration as the above-described duct 35 is provided on the side surface of the casing 30 on the side of the hot plate 121 so as to surround the hot plate 121. Thereby, the heat treatment unit 12
Even when 0 is used, the radiation of heat from the hot plate 121 side can be suppressed, and the temperature rise in the processing station 3 can be suppressed.

【0056】図13に示したものは,加熱処理部の別な
例を示している。この加熱処理部130は,ケーシング
131内に加熱部132と冷却部133を有している。
このケーシングは,例えば第3の処理装置G3や第4の
処理装置G4の組み込んだ場合,これら第3の処理装置
G3や第4の処理装置G4全体のケーシングを兼ねるも
のである。加熱部132は熱板134を有し,熱板13
4内にはヒータが内蔵されている。したがって熱板13
4上のウエハWに対して,所定の加熱処理を行うことが
可能である。熱板134には,ウエハWを昇降させる際
に熱板134上から突出する3本の昇降ピン135が設
けられている。この昇降ピン135は,例えばモータ等
の適宜の駆動装置によって上下動する。
FIG. 13 shows another example of the heat treatment section. The heat processing section 130 has a heating section 132 and a cooling section 133 in a casing 131.
For example, when the third processing device G3 or the fourth processing device G4 is incorporated, this casing also serves as a casing of the entirety of the third processing device G3 and the fourth processing device G4. The heating unit 132 has a hot plate 134,
4 has a built-in heater. Therefore, hot plate 13
It is possible to perform a predetermined heating process on the wafer W on the wafer 4. The heating plate 134 is provided with three lifting pins 135 protruding from above the heating plate 134 when the wafer W is moved up and down. The elevating pin 135 is moved up and down by an appropriate driving device such as a motor.

【0057】ケーシング131の内部には,以上の加熱
部132の他に,冷却部133が設けられている。この
冷却部133は,移動レール141に沿って移動し,ま
た上下動する冷却プレート142を有している。冷却プ
レート142は,全体として略方形の平板形状をなし,
その内部には,外部に設置されている恒温水供給源14
3から供給される所定温度(たとえば23℃)の冷却流
体,たとえば水CW1が,冷却プレート142の入口1
42aから冷却プレート142内に形成されている流路
を巡り,冷却プレート142の出口142bから出るよ
うになっている。これによって冷却プレート142上に
載置されたウエハWを冷却する構成を有している。
Inside the casing 131, a cooling unit 133 is provided in addition to the heating unit 132 described above. The cooling unit 133 has a cooling plate 142 that moves along the moving rail 141 and moves up and down. The cooling plate 142 has a substantially rectangular flat plate shape as a whole,
Inside, a constant temperature water supply source 14 installed outside is installed.
A cooling fluid at a predetermined temperature (for example, 23 ° C.), for example, water CW1 supplied from the inlet 3 of the cooling plate 142
From 42a, it goes around the flow path formed in the cooling plate 142 and exits from the outlet 142b of the cooling plate 142. Thereby, the wafer W placed on the cooling plate 142 is cooled.

【0058】なお冷却プレート142における前記加熱
部132側の端部には,2つのスリット144,145
が形成されている。これらスリット144,145は,
冷却プレート142が加熱部132側に移動して,熱板
134上で昇降ピン135に支持されているウエハWを
受け取るために熱板134上に位置した際に,該昇降ピ
ン135が障害とならないように設けられているもので
ある。したがって,冷却プレート142は,熱板132
の上方で昇降ピン135に対してウエハWを受け渡すこ
とが可能である。
At the end of the cooling plate 142 on the side of the heating section 132, two slits 144, 145 are provided.
Are formed. These slits 144, 145
When the cooling plate 142 moves to the heating unit 132 side and is positioned on the hot plate 134 to receive the wafer W supported by the lifting pins 135 on the hot plate 134, the lifting pins 135 do not become an obstacle. It is provided as follows. Therefore, the cooling plate 142 is
The wafer W can be transferred to the elevating pins 135 above the wafer W.

【0059】ケーシング131の外側における加熱部1
32に対応した両側には,ダクト151,152が取り
付けられている。ダクト151は垂直方向に気流が流通
する第1のダクト151a,第2のダクト151b,第
3のダクト151cに分割されている。またダクト15
2についても,垂直方向に気流が流通する第1のダクト
152a,第2のダクト152b,第3のダクト152
cに分割されている。第1のダクト151a,152a
は,例えば第3の処理装置G3や,第4の処理装置G4
に搭載される各種のユニットとしての処理部のユニット
排気を行うための流路であり,例えばユニット内全体の
排気がかかる第1のダクト151a,152aを通じて
処理装置外に排気される。第2のダクト151b,15
2bは,例えば第3の処理装置G3や第4の処理装置G
4に搭載される各種のユニットとしての処理部におい
て,高温の排気,例えば熱板を有するユニットから発生
する高温の排気を行うための流路である。そして第3の
ダクト151c,152cは,例えば第3の処理装置G
3や第4の処理装置G4に搭載される各種のユニットと
しての処理部において,排気中に溶剤や各種処理液,例
えばウエハWに対してアドヒージョン処理を行うために
用いたHMDS(ヘキサ・メチル・ジ・シ・ラザン)を
排気するための流路である。
Heating section 1 outside casing 131
Ducts 151 and 152 are attached to both sides corresponding to 32. The duct 151 is divided into a first duct 151a, a second duct 151b, and a third duct 151c through which air flows in the vertical direction. Duct 15
2, the first duct 152a, the second duct 152b, and the third duct 152 through which the air flows in the vertical direction.
c. First ducts 151a, 152a
Is, for example, a third processing device G3 or a fourth processing device G4
This is a flow path for exhausting the unit of the processing unit as various units mounted on the unit. For example, exhaust of the entire unit is exhausted to the outside of the processing apparatus through the first ducts 151a and 152a. Second duct 151b, 15
2b is, for example, a third processing device G3 or a fourth processing device G
4 is a flow path for performing high-temperature exhaust, for example, high-temperature exhaust generated from a unit having a hot plate, in a processing unit as various units mounted on the unit 4. The third ducts 151c and 152c are connected to the third processing device G, for example.
In a processing unit as various units mounted on the third or fourth processing apparatus G4, a solvent or various processing liquids, for example, HMDS (hexamethyl methyl methacrylate) used for performing an adhesion process on a wafer W during exhaustion. This is a flow path for exhausting the gas.

【0060】なお図14に示したように,外側パネル1
53,154は,例えば第3の処理装置に適用された場
合,多段に積み重ねられている各加熱処理部130の側
面全てに渡る上下方向の長さを有している。すなわちダ
クト151,152は各加熱処理部130からの排気を
行うことが可能である。
As shown in FIG. 14, the outer panel 1
53, 154, for example, when applied to the third processing apparatus, has a length in the vertical direction over the entire side surface of each of the heat treatment units 130 stacked in multiple stages. That is, the ducts 151 and 152 can exhaust air from each of the heat treatment units 130.

【0061】第1のダクト151a,152a,第2の
ダクト151b,152b,第3のダクト151c,1
52cは,各々単位時間あたりの排気流量を変えて設定
することが可能であり,排気のされる空気の特性に応じ
て最適なかつ必要最小限の排気量で各種の排気を実施す
ることが可能である。
The first duct 151a, 152a, the second duct 151b, 152b, the third duct 151c, 1
52c can be set by changing the exhaust flow rate per unit time, and various types of exhaust can be performed with an optimum and minimum required exhaust amount according to the characteristics of the air to be exhausted. is there.

【0062】各ダクト151,152におけるこれら第
1のダクト151a,152a,第2のダクト151
b,152b,第3のダクト151c,152cを形成
し,かつこれらの外側に位置することになる外側パネル
153,154は,例えばアルミニウムで構成すること
ができ,かつ当該外側パネル153の内部には,垂直方
向に,冷却流路153a,153bが形成され,外側パ
ネル154の内部には,垂直方向に,冷却流路154
a,154bが形成されている。
The first duct 151a, 152a and the second duct 151 in each duct 151, 152
b, 152b, and the outer panels 153, 154, which form the third ducts 151c, 152c, and which are located outside these, can be made of, for example, aluminum. The cooling channels 153a and 153b are formed in the vertical direction, and the cooling channels 154a and 153b are formed in the outer panel 154 in the vertical direction.
a, 154b are formed.

【0063】冷却流路153a,153bは,ダクト1
51を3つに区画している仕切板151d,151eの
ちょうど外側に位置するように形成されている。また冷
却流路154a,154bも,ダクト152を3つに区
画している仕切板152d,152eのちょうど外側に
位置するように形成されている。
The cooling channels 153a and 153b
The partition 51 is formed so as to be located just outside the partition plates 151d and 151e that divide the partition 51 into three. The cooling channels 154a and 154b are also formed so as to be located just outside the partition plates 152d and 152e that divide the duct 152 into three.

【0064】前記各冷却流路153a,153b,冷却
流路154a,154bには,恒温水供給源155から
供給される所定温度(たとえば23℃)の冷却流体,た
とえば水CW2が,流通する。例えば恒温水供給源15
5から供給される水は,例えば図14に示したように,
外側パネル153の冷却流路153aの頂部から,外側
パネル153内に入り,外側パネル153の下部にて連
通管を経て冷却流路153bに入って頂部から出て,次
いで外側パネル154の冷却流路154bの上方から,
外側パネル154内に入り,外側パネル154の下部に
て連通管154cを経て冷却流路154aに入ってその
頂部から出て,恒温水供給源155に戻るようになって
いる。
A cooling fluid, for example, water CW2 at a predetermined temperature (for example, 23 ° C.) supplied from a constant temperature water supply source 155 flows through the cooling channels 153a, 153b and the cooling channels 154a, 154b. For example, constant temperature water supply source 15
The water supplied from 5 is, for example, as shown in FIG.
From the top of the cooling channel 153 a of the outer panel 153, enter the outer panel 153, enter the cooling channel 153 b through the communication pipe at the lower part of the outer panel 153, exit from the top, and then cool the outer panel 154. From above 154b,
It enters the outer panel 154, enters the cooling channel 154a through the communication pipe 154c at the lower part of the outer panel 154, exits from the top, and returns to the constant temperature water supply source 155.

【0065】ケーシング131内における加熱部132
の背面側空間には,配線収容部161が設けられてい
る。配線収容部161には,各種の配線や電気機器等が
収容されている。配線収容部161と加熱部132との
間には,熱遮蔽パネル162が配線収容部161と加熱
部132とを仕切るようにして配置されている。この熱
遮蔽パネル162は,例えばアルミニウムで構成され,
その内部には冷却流体が水平方向に流通するための流路
163が上下多段に形成されている。
The heating section 132 in the casing 131
A wiring housing 161 is provided in the space on the back side of the device. Various wirings, electric devices, and the like are housed in the wiring housing 161. A heat shield panel 162 is arranged between the wiring housing 161 and the heating unit 132 so as to partition the wiring housing 161 and the heating unit 132. The heat shield panel 162 is made of, for example, aluminum.
Inside, a flow path 163 for allowing the cooling fluid to flow in the horizontal direction is formed in a vertically multi-stage manner.

【0066】そして前記流路163には,図13に示し
たように,冷却プレート142の出口142bから出た
冷却水が流通し,その後この流路163を出て,恒温水
供給源143に戻るようになっている。
As shown in FIG. 13, the cooling water flowing out of the outlet 142b of the cooling plate 142 flows through the flow path 163, and then exits the flow path 163 and returns to the constant temperature water supply source 143. It has become.

【0067】加熱処理部130周りは以上のような構成
を有しており,この例によれば,加熱部132に対面し
たケーシング131における両側に,空気が流通するダ
クト151,152が設けられているので,加熱部13
2ので発生した熱は,まずこれら空気によって熱が加熱
処理部130の外方に伝達することが抑制される。しか
もダクト151,152の外側パネル153,154の
内部には,冷却流路153a,153b,154a,1
54bが設けられており,その中を冷却流体としての水
が流れているので,外側パネル153,154が冷却パ
ネルとして機能し,加熱部132ので発生した熱の外部
への伝達をさらに抑制することができる。
The periphery of the heat treatment section 130 has the above configuration. According to this example, ducts 151 and 152 through which air flows are provided on both sides of the casing 131 facing the heating section 132. The heating unit 13
2, the heat generated by the air suppresses the transmission of heat to the outside of the heat treatment section 130. Moreover, cooling channels 153a, 153b, 154a, 1 are provided inside the outer panels 153, 154 of the ducts 151, 152.
The outer panel 153, 154 functions as a cooling panel, and further suppresses the transmission of heat generated by the heating unit 132 to the outside, since the cooling panel 54b is provided therein and water as a cooling fluid flows therein. Can be.

【0068】ところでケーシング131を直接冷却流体
で冷却すると,加熱部132からケーシング131への
熱の移動が急激になり,その結果,加熱部132での加
熱の安定性が損なわれ,また当該熱移動に伴う温度低下
を補償するために,加熱部132のヒータへの電力を多
く供給する必要が生ずる。
When the casing 131 is directly cooled by the cooling fluid, the heat transfer from the heating section 132 to the casing 131 becomes rapid, and as a result, the stability of the heating in the heating section 132 is impaired. In order to compensate for the temperature drop accompanying the above, it is necessary to supply a large amount of power to the heater of the heating unit 132.

【0069】この点前記実施の形態では,ケーシング1
31における加熱部132に対応した両側には,ダクト
151,152によって,すなわちダクト内の気流によ
って一旦断熱しているので,加熱部132からケーシン
グや外部への熱の急激な移動はなく,安定した加熱が行
える。また熱の急激な移動がないので,その分温度低下
を補償するための電力を極めて低く抑えて,全体として
必要電力量を節約することができる。
In this respect, in the above embodiment, the casing 1
On both sides corresponding to the heating section 132 in the duct 31, the heat is once insulated by the ducts 151 and 152, that is, by the air flow in the duct. Heating can be performed. In addition, since there is no rapid movement of heat, the power for compensating for the temperature drop can be kept extremely low, and the required power can be saved as a whole.

【0070】ところでケーシング131を直接冷却流体
で冷却すると,加熱部130からケーシング131への
熱の移動が急激になり,その結果,加熱部131での加
熱の安定性が損なわれ,また当該熱移動に伴う温度低下
を補償するために,加熱部130のヒータへの電力を多
く供給する必要が生ずる。この点前記実施の形態では,
ケーシング130における加熱部130に対応した両側
には,ダクト151,152によって,すなわちダクト
内の気流によって一旦断熱しているので,加熱部131
からケーシングや外部への熱の急激な移動はなく,安定
した加熱が行える。また熱の急激な移動がないので,そ
の分温度低下を補償するための電力を極めて低く抑え
て,全体として必要電力量を節約することができる。
When the casing 131 is directly cooled by the cooling fluid, the heat transfer from the heating section 130 to the casing 131 becomes sharp, and as a result, the stability of the heating in the heating section 131 is impaired, and In order to compensate for the temperature drop accompanying the above, it is necessary to supply a large amount of power to the heater of the heating unit 130. In this regard, in the above embodiment,
On both sides of the casing 130 corresponding to the heating unit 130, the heat is temporarily insulated by the ducts 151 and 152, that is, by the airflow in the duct.
There is no rapid transfer of heat to the casing or outside, and stable heating can be performed. In addition, since there is no rapid movement of heat, the power for compensating for the temperature drop can be kept extremely low, and the required power can be saved as a whole.

【0071】またダクト151,152自体は,各々第
1のダクト151a,152a,第2のダクト151
b,152b,第3のダクト151c,152cに分割
されており,高温の排気は第2のダクト151b,15
2b内を流れるようになっているが,前記冷却流路15
3a,153bは,ダクト151を3つに区画している
仕切板151d,151eのちょうど外側に位置し,ま
た冷却流路154a,154bも,ダクト152を3つ
に区画している仕切板152d,152eのちょうど外
側に位置しているので,最も高温の排気が流れる第2の
ダクト151b,152bは,各々冷却流路153a,
153b,冷却流路154a,154bの間に位置して
いる。したがって,第2のダクト151b,152b内
を流れる排気の熱自体も,これら冷却流路153a,1
53b,冷却流路154a,154bを流れる冷却流体
によって,その外部への伝達が抑制されている。
The ducts 151 and 152 are respectively provided with first ducts 151a and 152a and second duct 151, respectively.
b, 152b, and third ducts 151c, 152c, and the high-temperature exhaust gas is divided into second ducts 151b, 15b.
2b, the cooling flow path 15
3a and 153b are located just outside the partition plates 151d and 151e that partition the duct 151 into three sections, and the cooling channels 154a and 154b also have partition plates 152d that partition the duct 152 into three sections. Since the second ducts 151b and 152b through which the hottest exhaust gas flows are located just outside of the cooling passages 152e, the cooling ducts 153a and 152b, respectively.
153b, located between the cooling channels 154a, 154b. Therefore, the heat itself of the exhaust gas flowing in the second ducts 151b and 152b is also affected by the cooling passages 153a and 153a.
The transmission to the outside is suppressed by the cooling fluid flowing through the cooling passage 53b and the cooling passages 154a, 154b.

【0072】そして各種配線が収容されている配線収容
部161と,加熱部132との間には熱遮蔽パネル16
2が配置され,この熱遮蔽パネル162内の流路163
には,冷媒として水が流れているので,加熱部132で
発生した熱が配線収容部161に伝達することが抑制さ
れる。配線収容部161に収容されている各種配線は,
例えば熱板134や冷却プレート142の温度を測定す
る温度センサからの信号線があり,これに温度センサか
らの信号に基づいて熱板134や冷却プレート142の
温度が制御されているが,そのように加熱部132から
の熱の影響を抑えることで,外乱を抑えて,正確,かつ
安定した温度制御を実施することが可能である。
The heat shield panel 16 is provided between the wiring housing 161 in which various wirings are housed and the heating unit 132.
2 and a flow path 163 in the heat shield panel 162.
Since water flows as a coolant, the heat generated in the heating unit 132 is suppressed from being transmitted to the wiring housing unit 161. The various wirings housed in the wiring housing 161 include:
For example, there is a signal line from a temperature sensor that measures the temperature of the hot plate 134 or the cooling plate 142, and the temperature of the hot plate 134 or the cooling plate 142 is controlled based on a signal from the temperature sensor. By suppressing the influence of the heat from the heating unit 132, it is possible to suppress disturbance and perform accurate and stable temperature control.

【0073】しかも前記流路163に流れる冷媒として
の水は,冷却プレート142の冷却に使用した水である
ので,格別他の冷媒供給源からの冷媒の供給を受ける必
要はない。
Further, since the water flowing through the flow path 163 is the water used for cooling the cooling plate 142, it is not necessary to receive the supply of the refrigerant from a special refrigerant supply source.

【0074】なおかかる構成の加熱処理部130は,第
3の処理装置G3,第4の処理装置G4のいずれにも設
置可能である。そしてこの加熱処理部130は両側に開
閉自在なシャッタを有する搬入出口130a,130b
を有しているので,第3の処理装置G3に設置した場合
にはウエハ搬送体7と主搬送装置13の双方が,冷却プ
レート142に対してウエハWの受け渡しが可能であ
り,また第4の処理装置G4に設置した場合にはウエハ
搬送体70と主搬送装置13の双方が,冷却プレート1
42に対してウエハWの受け渡しが可能である。
The heat processing section 130 having such a configuration can be installed in any of the third processing apparatus G3 and the fourth processing apparatus G4. The heat treatment section 130 has loading / unloading ports 130a, 130b having shutters that can be opened and closed on both sides.
Therefore, when installed in the third processing apparatus G3, both the wafer transfer body 7 and the main transfer apparatus 13 can transfer the wafer W to the cooling plate 142, and If the wafer carrier 70 and the main carrier 13 are both installed in the processing apparatus G4, the cooling plate 1
The transfer of the wafer W to and from the wafer 42 is possible.

【0075】以上の実施の形態では,第3処理装置G3に
ついて説明したが,第4の処理装置G4も当然に同様の構
成を有するようにしてもよい。
In the above embodiment, the third processing unit G3 has been described, but the fourth processing unit G4 may of course have the same configuration.

【0076】また,以上で説明した実施の形態は,半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの処理装置についてであったが,本
発明は半導体ウェハ以外の基板,例えばLCDの処理装
置においても応用できる。
Although the above-described embodiment is directed to a wafer processing apparatus in a photolithography step of a semiconductor wafer device manufacturing process, the present invention is also applicable to a substrate other than a semiconductor wafer, for example, an LCD processing apparatus. Can be applied.

【0077】[0077]

【発明の効果】本発明によれば,ケーシング外の雰囲気
の温度上昇を抑制できるので,基板の搬送時等に基板の
温度が上昇することが無くなり,基板の不測の温度変動
が抑制され,基板を適切な温度に維持することができ
る。これによって,基板の厳格な温度制御が可能となり
歩留まりの向上が図られる。
According to the present invention, an increase in the temperature of the atmosphere outside the casing can be suppressed, so that the temperature of the substrate does not increase when the substrate is transported or the like, and unexpected temperature fluctuations of the substrate are suppressed. Can be maintained at an appropriate temperature. As a result, strict temperature control of the substrate becomes possible, and the yield is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態にかかる第3の処理装置を有する塗
布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a coating and developing processing system having a third processing apparatus according to an embodiment.

【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system of FIG. 1;

【図3】第3の処理装置の構成の概略を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view schematically showing a configuration of a third processing apparatus.

【図4】図1の塗布現像処理システムの背面図である。FIG. 4 is a rear view of the coating and developing system of FIG. 1;

【図5】ダクト内部の構成を模式的に示す第3の処理装
置の縦断面の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view of a vertical section of a third processing apparatus schematically showing a configuration inside a duct.

【図6】ダクト内の冷却板の構成を示す縦断面の説明図
である。
FIG. 6 is an explanatory view of a longitudinal section showing a configuration of a cooling plate in a duct.

【図7】プリべーキング部の構成の概略を示す横断面の
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view schematically showing the configuration of a prebaking unit.

【図8】冷却板内を通る管路の他の構成例を示す縦断面
の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view of a longitudinal section showing another configuration example of a pipe passing through a cooling plate.

【図9】冷却水が流通する管路の他の構成例を示す説明
図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing another configuration example of the pipeline through which the cooling water flows.

【図10】冷却水の配管例を模式的に示す説明図であ
る。
FIG. 10 is an explanatory view schematically showing a piping example of cooling water.

【図11】ダクト内にミストを供給する場合の第3の処
理装置の構成を示す縦断面の説明図である。
FIG. 11 is an explanatory longitudinal sectional view showing a configuration of a third processing apparatus when mist is supplied into a duct.

【図12】加熱冷却部の構成の概略を示す横断面の説明
図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a cross section schematically showing a configuration of a heating / cooling unit.

【図13】加熱処理部の他の構成の概略を示す横断面の
説明図である。
FIG. 13 is an explanatory cross-sectional view schematically illustrating another configuration of the heat treatment unit.

【図14】図13の加熱処理部を有する処理装置の斜視
図である。
FIG. 14 is a perspective view of a processing apparatus having the heat processing section of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理システム 3 処理ステーション 30 ケーシング 31 クーリング部 34 プリベーキング部 35,36 ダクト 40 ファン 41〜44 冷却板 55 熱板 G3 第3の処理装置 W ウェハ Reference Signs List 1 coating / developing processing system 3 processing station 30 casing 31 cooling unit 34 prebaking unit 35, 36 duct 40 fan 41 to 44 cooling plate 55 hot plate G3 third processing device W wafer

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の処理が行われる処理装置であっ
て,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加
熱処理が行われる加熱処理部と,前記ケーシングの側部
に設けられ,前記加熱処理部からの熱が前記ケーシング
外に放出することを抑制する熱遮断部材と,前記熱遮断
部材に蓄熱された熱を前記処理装置外に移送する熱移送
手段とを有することを特徴とする,処理装置。
1. A processing apparatus for processing a substrate, the processing apparatus being provided in a casing of the processing apparatus and performing a heating process on the substrate; A heat shut-off member for suppressing heat from the processing unit from being emitted to the outside of the casing; and a heat transfer unit for transferring heat stored in the heat shut-off member to the outside of the processing device. Processing equipment.
【請求項2】 基板の処理が行われる処理装置であっ
て,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加
熱処理が行われる加熱処理部と,前記ケーシングの側部
に設けられたダクトと,前記ダクト内を流れる気流を発
生させる気流発生機構とを有することを特徴とする,処
理装置。
2. A processing apparatus for processing a substrate, comprising: a heating processing section provided in a casing of the processing apparatus for performing a heating process on the substrate; and a duct provided on a side of the casing. An airflow generating mechanism for generating an airflow flowing in the duct.
【請求項3】 前記気流発生機構は,前記ダクト内に上
昇気流を形成するものであることを特徴とする,請求項
2に記載の処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 2, wherein the airflow generating mechanism generates an upward airflow in the duct.
【請求項4】 前記ダクト内には,前記気流の熱を吸熱
する吸熱部材が設けられていることを特徴とする,請求
項2又は3のいずれかに記載の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 2, wherein a heat absorbing member that absorbs heat of the airflow is provided in the duct.
【請求項5】 前記ダクト内には,前記気流を冷却する
冷却装置が設けられていることを特徴とする,請求項2
又は3のいずれかに記載の処理装置。
5. A cooling device for cooling the airflow is provided in the duct.
Or the processing apparatus according to any one of 3.
【請求項6】 前記冷却装置は,冷却板を有し,前記冷
却板は,冷媒としての流体を流通させるための管路を有
することを特徴とする,請求項5に記載の処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 5, wherein the cooling device has a cooling plate, and the cooling plate has a pipe for flowing a fluid as a refrigerant.
【請求項7】 前記冷却板には,フィンが設けられてい
ることを特徴とする,請求項6に記載の処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 6, wherein the cooling plate is provided with fins.
【請求項8】 基板を冷却処理する冷却処理部を有し,
前記流体には,前記冷却処理部の前記冷却処理の際に用
いられる冷媒が使用されることを特徴とする,請求項6
又は7のいずれかに記載の処理装置。
8. A cooling processing unit for cooling the substrate,
7. The refrigerant according to claim 6, wherein the fluid is a refrigerant used in the cooling process of the cooling unit.
Or the processing apparatus according to any one of 7.
【請求項9】 前記ダクト内に冷却水のミストを供給す
るミスト供給機構を有することを特徴とする,請求項
2,3,4,5,6,7又は8のいずれかに記載の処理
装置。
9. The processing apparatus according to claim 2, further comprising a mist supply mechanism for supplying a mist of the cooling water into the duct. .
【請求項10】 前記加熱処理部は,基板を加熱する加
熱部と基板を冷却する冷却部とを並列して有し,前記ダ
クトは,前記ケーシングの前記加熱部側の側部に設けら
れていることを特徴とする,請求項2,3,4,5,
6,7,8又は9のいずれかに記載の処理装置。
10. The heating unit has a heating unit for heating the substrate and a cooling unit for cooling the substrate in parallel, and the duct is provided on a side of the casing on the heating unit side. Claims 2, 3, 4, 5,
10. The processing apparatus according to any one of 6, 7, 8 and 9.
【請求項11】 基板の処理が行われる処理装置であっ
て,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加
熱処理が行われる加熱部を有する加熱処理部と,前記ケ
ーシングの側部に設けられたダクトと,前記ダクトに設
けられ,冷却流体が流れる冷却流路とを有することを特
徴とする,処理装置。
11. A processing apparatus for processing a substrate, wherein the processing apparatus is provided in a casing of the processing apparatus and has a heating section having a heating section for performing a heating process on the substrate; A processing apparatus, comprising: a duct provided in the duct; and a cooling passage provided in the duct and through which a cooling fluid flows.
【請求項12】 前記冷却流路は,前記ダクトにおける
外側寄りに設けられていることを特徴とする,請求項1
1に記載の処理装置。
12. The cooling passage according to claim 1, wherein the cooling passage is provided on an outer side of the duct.
2. The processing device according to 1.
【請求項13】 少なくとも電気配線を収容する配線収
容部を有し,当該配線収容部と前記加熱部との間には,
冷却流体が流通する流路が形成された熱遮蔽パネルが配
置されていることを特徴とする,請求項11又は12に
記載の処理装置。
13. A heating apparatus according to claim 13, further comprising: a wiring housing for housing at least an electric wiring, wherein a wiring housing is provided between said wiring housing and said heating unit.
13. The processing apparatus according to claim 11, wherein a heat shield panel having a flow path through which a cooling fluid flows is formed.
【請求項14】 前記加熱処理部は基板を冷却する冷却
部を有し,前記冷却流体には,前記冷却部の前記冷却処
理の際に用いられた後の冷媒が使用されることを特徴と
する,請求項13に記載の処理装置。
14. The heat processing section has a cooling section for cooling a substrate, and the cooling fluid is a refrigerant that has been used in the cooling processing of the cooling section. The processing apparatus according to claim 13, wherein the processing is performed.
【請求項15】 前記ダクトは複数の流路に分割されて
いることを特徴とする,請求項11,12,13又は1
4に記載の処理装置。
15. The apparatus according to claim 11, wherein said duct is divided into a plurality of flow paths.
5. The processing device according to 4.
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