JP2002324468A - Semiconductor device and its test method - Google Patents

Semiconductor device and its test method

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JP2002324468A
JP2002324468A JP2001126788A JP2001126788A JP2002324468A JP 2002324468 A JP2002324468 A JP 2002324468A JP 2001126788 A JP2001126788 A JP 2001126788A JP 2001126788 A JP2001126788 A JP 2001126788A JP 2002324468 A JP2002324468 A JP 2002324468A
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JP
Japan
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test
temperature
semiconductor device
mold
sealed
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2001126788A
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Japanese (ja)
Inventor
Masashi Kodama
正志 児玉
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which can accurately grasps the test temperature after assembly, and its method. SOLUTION: In a semiconductor device having a lead frame 2 to be connected to an integrated circuit formed on semiconductor chip 1 sealed by molding to the outside, a temperature fuse 4 which fuses at a prescribed temperature is installed in an inner leg 3a sealed by molding of a lead frame 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置とそ
のテスト方法、特に、温度ヒューズ付きマイコンとその
テスト方法に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor device and a test method therefor, and more particularly to a microcomputer with a thermal fuse and a test method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】アセンブリ後のテストにおいて、テスト
温度が上下して、不良が多発しても、実際のテスト温度
がわからないため不良がテスト温度が原因とわかるまで
時間がかかった。
2. Description of the Related Art In a test after assembly, even if the test temperature fluctuates and a lot of failures occur, it takes a long time before the actual test temperature is known because the test temperature causes the failure.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、テスト温
度を的確に把握できる半導体装置とそのテスト方法を得
ようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a test method thereof that can accurately determine a test temperature.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係る半導体
装置では、モールドにより封止される半導体チップに形
成された集積回路を外部に接続するための接続部片を備
えた半導体装置において、前記接続部片のモールドによ
って封止される内側脚部に所定温度で溶断する温度ヒュ
ーズを設けたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a connection piece for externally connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold. A thermal fuse for blowing at a predetermined temperature is provided on the inner leg portion sealed by the mold of the connection piece.

【0005】第2の発明に係る半導体装置では、モール
ドにより封止される半導体チップに形成された集積回路
を外部に接続するための複数の接続部片を備えた半導体
装置において、前記接続部片における空き状態の接続部
片につき、そのモールドによって封止される内側脚部に
所定温度で溶断する温度ヒューズを設けたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a plurality of connecting pieces for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by molding to the outside. Is provided with a thermal fuse that blows at a predetermined temperature on the inner leg portion sealed by the mold for the connection portion piece in the empty state.

【0006】第3の発明に係る半導体装置では、モール
ドにより封止される半導体チップに形成された集積回路
を外部に接続するための接続部片を備えた半導体装置に
おいて、導通テストを受ける前記接続部片のモールドに
よって封止される内側脚部に所定温度で溶断す温度ヒュ
ーズを設けたものである。
In a semiconductor device according to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein the connection is subjected to a continuity test. A temperature fuse for blowing at a predetermined temperature is provided on the inner leg portion sealed by the mold of the piece.

【0007】第4の発明に係る半導体装置では、第1な
いし第3に発明において、互いに異なる所定温度で溶断
する温度ヒューズをそれぞれ設けた複数の接続部片を備
えたものである。
A semiconductor device according to a fourth aspect of the present invention is the semiconductor device according to the first to third aspects, further comprising a plurality of connecting pieces each provided with a thermal fuse that blows at a predetermined different temperature.

【0008】第5の発明に係る半導体装置のテスト方法
では、モールドにより封止される半導体チップに形成さ
れた集積回路を外部に接続するための接続部片を備えた
半導体装置についてテストを行うにあたり、前記半導体
装置の温度テスト後に、前記接続部片のモールドによっ
て封止される内側脚部に設けられた所定温度で溶断する
温度ヒューズが溶断しているかどうかを導通テストによ
り確認し、前記温度テストが正しい温度でテストされた
かどうかを把握できるようにしたものである。
In a method for testing a semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside. After the temperature test of the semiconductor device, it is confirmed by a continuity test whether or not a temperature fuse provided at an inner leg portion sealed by the mold of the connection piece and blown at a predetermined temperature is blown, and the temperature test is performed. Was able to determine if the test was performed at the correct temperature.

【0009】第6の発明に係る半導体装置のテスト方法
では、モールドにより封止される半導体チップに形成さ
れた集積回路を外部に接続するための接続部片を備えた
半導体装置についてテストを行うにあたり、モールドに
よって封止される内側脚部に設けられた所定温度で溶断
する温度ヒューズを有する接続部片について、電流を流
通した状態で特性テストを行う電流印加テストを実行
し、前記温度ヒューズの溶断によりテスト温度の異常を
検知するようにしたものである。
In a semiconductor device test method according to a sixth aspect of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside. A current application test is performed on a connection piece having a temperature fuse provided on an inner leg portion sealed by a mold and blown at a predetermined temperature in a state where a current flows, and the temperature fuse is blown. Is used to detect an abnormality in the test temperature.

【0010】第7の発明に係る半導体装置のテスト方法
では、第5または第6の発明において、モールドにより
封止される半導体チップに形成された集積回路を外部に
接続するための接続部片を備えた半導体装置についてテ
ストを行うにあたり、モールドによって封止される内側
脚部に設けられテスト温度よりも低い温度で溶断する温
度ヒューズを含む溶断温度が互いに異なる温度ヒューズ
を有する複数の接続部片について、温度が低くなり過ぎ
た場合に、テスト温度を把握できるようにしたものであ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor device test method according to the fifth or sixth aspect, the connecting piece for connecting the integrated circuit formed on the semiconductor chip sealed by the mold to the outside is provided. In conducting a test on a semiconductor device provided with a plurality of connecting pieces having a temperature fuse different from each other, including a temperature fuse provided on an inner leg portion sealed by a mold and fusing at a temperature lower than a test temperature. When the temperature is too low, the test temperature can be ascertained.

【0011】第8の発明に係る半導体装置のテスト方法
では、モールドにより封止される半導体チップに形成さ
れた集積回路を外部に接続するための接続部片を備えた
半導体装置についてテストを行うにあたり、複数の接続
部片のモールドによって封止される内側脚部にそれぞれ
設けられた溶断温度が互いに異なる複数の温度ヒューズ
について、電流を流通した状態で特性テストを行う電流
印加テスト実行時における前記温度ヒューズが溶断した
かどうかの情報を記憶手段に記憶し、前記記憶手段の記
憶内容によりテスト温度を把握するようにしたものであ
る。
In a method of testing a semiconductor device according to an eighth aspect of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside. The temperature at the time of executing a current application test for performing a characteristic test in a state where a current is flowing, for a plurality of thermal fuses provided on inner legs respectively sealed by the mold of the plurality of connection pieces and having different fusing temperatures. Information on whether the fuse has blown is stored in a storage means, and the test temperature is grasped from the storage contents of the storage means.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を図1について説明する。図1は実施の形態
1における構成を示す平面図である。図において、1は
半導体集積回路を形成したチップ、1aはチップ1に設
けられたボンディングパッド、2はチップ1を樹脂によ
りモールド封止するためのパッケージ、3はチップ1に
設けられたボンディングパッド1aとワイヤを介して接
続され、チップ1に形成された半導体集積回路を外部回
路に接続するためのリードフレームからなる接続部片、
3aはリードフレームからなる接続部片3の内側に設け
られパッケージ3によりモールド封止される脚部、4は
接続部片3の脚部3aに設けられ所定温度で溶断する半
田ヒューズからなる温度ヒューズである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing a configuration according to the first embodiment. In the figure, 1 is a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, 1a is a bonding pad provided on the chip 1, 2 is a package for molding and sealing the chip 1 with a resin, 3 is a bonding pad 1a provided on the chip 1 And a connection piece formed of a lead frame for connecting the semiconductor integrated circuit formed on the chip 1 to an external circuit, which is connected to the semiconductor device via wires.
Reference numeral 3a denotes a leg provided inside the connection piece 3 formed of a lead frame and molded and sealed by the package 3. Reference numeral 4 denotes a temperature fuse formed of a solder fuse provided on the leg 3a of the connection piece 3 and blown at a predetermined temperature. It is.

【0013】図1に示す実施の形態1においては、空き
ピンとしてのリードフレームからなる接続部片3に図の
ようにテスト温度より少し高めの温度で溶ける半田で温
度ヒューズ4を作っておき、接続部片3を介する導通テ
ストにて、このヒューズ4が溶けているかいないかを判
別することにより、適切な温度でテストされたかどうか
がモールド後にわかるようにする。
In the first embodiment shown in FIG. 1, a thermal fuse 4 is made of a solder which is melted at a temperature slightly higher than a test temperature on a connecting piece 3 composed of a lead frame as an empty pin as shown in FIG. By judging whether or not the fuse 4 is melted by a continuity test through the connection piece 3, it is possible to know after the molding whether or not the test has been performed at an appropriate temperature.

【0014】この実施の形態1では、アセンブリ時、リ
ードフレームからなる接続部片3の足3aに低温(テス
ト温度が115℃なら120℃)で溶ける半田で空きピ
ンヒューズ4を作り、モールド後のテストでテスト温度
が設定温度より高い温度になった場合、半田が溶けてい
るか否かの導通テストにて、正しい温度でテストされた
かどうかの目安にすることを特徴とする半導体装置のテ
スト方法を提示するものである。
In the first embodiment, at the time of assembly, an empty pin fuse 4 is formed on the leg 3a of the connecting piece 3 made of a lead frame at low temperature (120 ° C. if the test temperature is 115 ° C.), and after molding, When the test temperature becomes higher than the set temperature in the test, a continuity test for whether or not the solder is melted is used as a guide to whether or not the test has been performed at the correct temperature. It is presented.

【0015】この発明による実施の形態1によれば、モ
ールドにより封止される半導体チップ1に形成された集
積回路を外部に接続するための複数の接続部片3を備え
た半導体装置において、前記接続部片3における空き状
態の接続部片3のモールドによって封止される内側脚部
3aに所定温度で溶断する温度ヒューズ4を設けたの
で、前記温度ヒューズ4によりテスト温度を的確に把握
できる半導体装置を得ることができる。
According to the first embodiment of the present invention, in a semiconductor device having a plurality of connection pieces 3 for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip 1 sealed by a mold to the outside, Since the thermal fuse 4 that blows at a predetermined temperature is provided on the inner leg 3a of the connection piece 3 that is sealed by the molding of the empty connection piece 3, a semiconductor that can accurately grasp the test temperature by the thermal fuse 4 is provided. A device can be obtained.

【0016】また、この発明による実施の形態1によれ
ば、モールドにより封止される半導体チップ1に形成さ
れた集積回路を外部に接続するための接続部片3を備え
た半導体装置についてテストを行うにあたり、前記半導
体装置の温度テスト後に、前記接続部片3のモールドに
よって封止される内側脚部3aに設けられた所定温度で
溶断する温度ヒューズ4が溶断しているかどうかを導通
テストにより確認し、前記温度テストが正しい温度でテ
ストされたかどうかを把握できるようにしたので、前記
温度ヒューズ4が溶断しているかどうかを導通テストに
よって確認することにより、テスト温度を的確に把握で
きる半導体装置のテスト方法を得ることができる。
Further, according to the first embodiment of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece 3 for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip 1 sealed by a mold to the outside. In performing the test, after the temperature test of the semiconductor device, it is confirmed by a continuity test whether or not the thermal fuse 4 that is blown at a predetermined temperature provided on the inner leg 3a sealed by the molding of the connection piece 3 is blown. Since it is possible to grasp whether the temperature test has been performed at the correct temperature or not, it is possible to confirm whether or not the thermal fuse 4 is blown by a continuity test. You can get a test method.

【0017】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を図2について説明する。図2は実施の形態2におけ
る構成を示す平面図である。この実施の形態2におい
て、ここで説明する特有の構成以外の構成ないし作用に
ついては、先に説明した実施の形態1と同様の構成を有
し、同様の作用を奏するものである。図中、同一符号は
同一または相当部分を示す。
Embodiment 2 FIG. Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view showing a configuration according to the second embodiment. In the second embodiment, the configuration and operation other than the specific configuration described here have the same configuration as the first embodiment described above and exert the same operation. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【0018】図において、1は半導体集積回路を形成し
たチップ、1aはチップ1に設けられたボンディングパ
ッド、2はチップ1を樹脂によりモールド封止するため
のパッケージ、3はチップ1に形成された半導体集積回
路を外部回路に接続するためのリードフレームからなる
接続部片、3aはリードフレームからなる接続部片3の
内側に設けられパッケージ3によりモールド封止される
脚部、4は接続部片3の脚部3aに設けられ所定温度で
溶断する半田ヒューズからなる温度ヒューズである。
In the figure, 1 is a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, 1a is a bonding pad provided on the chip 1, 2 is a package for molding and sealing the chip 1 with resin, and 3 is formed on the chip 1. A connection piece 3a made of a lead frame for connecting the semiconductor integrated circuit to an external circuit, 3a are provided inside the connection piece 3 made of the lead frame, and are molded and sealed by the package 3. 4 is a connection piece. 3 is a temperature fuse formed of a solder fuse which is provided on the leg 3a of the third and melts at a predetermined temperature.

【0019】図2に示す実施の形態2においては、テス
トピンとしてのリードフレームからなる接続部片3の脚
部3aに温度ヒューズ4を作っておき、設定温度より高
い温度でモールド後のテストが行われてしまった場合、
半田が溶けて、IFテスト、すなわち、電流を流通した
状態で特性テストを行う電流印加テストでNGとなり、
実テストが高目で行われたという目安にする。
In the second embodiment shown in FIG. 2, a thermal fuse 4 is formed in a leg 3a of a connecting piece 3 formed of a lead frame as a test pin, and a test after molding at a temperature higher than a set temperature is performed. If done,
When the solder melts, the IF test, that is, a current application test for performing a characteristic test in a state where a current flows, becomes NG,
Use this as an indication that the actual test was performed at a high level.

【0020】この実施の形態2では、実施の形態1で説
明した仕掛けをIFテストするピンとしてのリードフレ
ームからなる接続部片3に作っておき、テスト温度が高
くふれた際、半田が溶けて温度ヒューズ4が溶断し、I
FテストでNGとなるようにすることを特徴とする半導
体装置のテスト方法を提示するものである。
In the second embodiment, the device described in the first embodiment is formed on the connection piece 3 composed of a lead frame as a pin for IF test, and when the test temperature is high, the solder melts. The thermal fuse 4 is blown and I
A test method of a semiconductor device characterized by making an F test NG.

【0021】この発明による実施の形態2によれば、モ
ールドにより封止される半導体チップ1に形成された集
積回路を外部に接続するための接続部片3を備えた半導
体装置についてテストを行うにあたり、モールドによっ
て封止される内側脚部3aに設けられた所定温度で溶断
する温度ヒューズ4を有する接続部片について、電流を
流通した状態で特性テストを行う電流印加テスト(IF
テスト)を実行し、前記温度ヒューズ4の溶断によりテ
スト温度の異常を検知するようにしたので、温度ヒュー
ズ4を有する接続部片3について電流印加テストを実行
することにより、テスト温度を的確に把握できる半導体
装置のテスト方法を得ることができる。
According to the second embodiment of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece 3 for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip 1 sealed by a mold to the outside. A current application test (IF) for performing a characteristic test on a connection piece having a thermal fuse 4 provided at an inner leg 3a sealed by a mold and blowing at a predetermined temperature while a current is flowing.
Test) to detect an abnormality in the test temperature by fusing the thermal fuse 4, so that the current application test is performed on the connection piece 3 having the thermal fuse 4 to accurately grasp the test temperature. A method of testing a semiconductor device that can be obtained can be obtained.

【0022】実施の形態3.この発明による実施の形態
3を図3について説明する。図3は実施の形態3におけ
る構成を示す平面図である。この実施の形態3におい
て、ここで説明する特有の構成以外の構成ないし作用に
ついては、先に説明した実施の形態1および実施の形態
2と同様の構成を有し、同様の作用を奏するものであ
る。図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Embodiment 3 FIG. Third Embodiment A third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a plan view showing a configuration according to the third embodiment. In the third embodiment, configurations and operations other than the specific configuration described here have the same configurations as those of the first and second embodiments described above, and exhibit the same operations. is there. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【0023】図において、1は半導体集積回路を形成し
たチップ、1aはチップ1に設けられたボンディングパ
ッド、2はチップ1を樹脂によりモールド封止するため
のパッケージ、3はチップ1に形成された半導体集積回
路を外部回路に接続するためのリードフレームからなる
接続部片、3aはリードフレームからなる接続部片3の
内側に設けられパッケージ3によりモールド封止される
脚部、4は接続部片3の脚部3aに設けられ所定温度で
溶断する半田ヒューズからなる温度ヒューズである。
In the figure, 1 is a chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, 1a is a bonding pad provided on the chip 1, 2 is a package for molding and sealing the chip 1 with resin, and 3 is formed on the chip 1. A connection piece 3a made of a lead frame for connecting the semiconductor integrated circuit to an external circuit, 3a are provided inside the connection piece 3 made of the lead frame, and are molded and sealed by the package 3. 4 is a connection piece. 3 is a temperature fuse formed of a solder fuse which is provided on the leg 3a of the third and melts at a predetermined temperature.

【0024】図3に示す実施の形態3においては、空き
ピンとしてのリードフレームからなる接続部片3に、溶
ける温度の違う半田でヒューズ4を作り、低い温度でテ
ストされた場合にもどこのヒューズ4が溶けているか
で、実テスト温度がわかるようにする。
In the third embodiment shown in FIG. 3, a fuse 4 is formed on a connecting piece 3 composed of a lead frame as a vacant pin with solder having a different melting temperature, and even when a test is performed at a low temperature, a fuse 4 is formed. The actual test temperature is determined based on whether the fuse 4 is melted.

【0025】この実施の形態3では、溶ける温度の違う
半田でいくつかヒューズ4を作り、温度が低くなりすぎ
た場合にも、何度の半田が溶けているかでテスト温度の
目安とできるようにすることを特徴とする半導体装置の
テスト方法を提示するものである。
In the third embodiment, several fuses 4 are made of solders having different melting temperatures, so that even if the temperature becomes too low, the test temperature can be determined by how many solders are melted. And a method of testing a semiconductor device.

【0026】この発明による実施の形態3によれば、前
記実施の形態1および実施の形態2の半導体装置の構成
において、互いに異なる所定温度で溶断する温度ヒュー
ズ4をそれぞれ設けた複数の接続部片3を備えたので、
複数の接続部片3にそれぞれ設けられた前記温度ヒュー
ズ4により、テスト温度を的確に把握できる半導体装置
を得ることができる。
According to the third embodiment of the present invention, in the configuration of the semiconductor device of the first and second embodiments, a plurality of connecting pieces each provided with a thermal fuse 4 that blows at a different temperature from each other. 3
By the thermal fuses 4 respectively provided on the plurality of connecting pieces 3, a semiconductor device capable of accurately grasping the test temperature can be obtained.

【0027】また、この発明による実施の形態3によれ
ば、前記実施の形態1および実施の形態2の半導体装置
のテスト方法において、モールドにより封止される半導
体チップ1に形成された集積回路を外部に接続するため
の接続部片3を備えた半導体装置についてテストを行う
にあたり、モールドによって封止される内側脚部3aに
設けられた所定温度で溶断する温度ヒューズ4を有する
接続部片3について、電流を流通した状態で特性テスト
を行う電流印加テストを実行し、前記温度ヒューズ4の
溶断によりテスト温度の異常を検知するようにしたもの
であって、モールドによって封止される内側脚部3aに
設けられテスト温度よりも低い温度で溶断する温度ヒュ
ーズ4を含む溶断温度が互いに異なる温度ヒューズ4を
有する複数の接続部片3について、温度が低くなり過ぎ
た場合に、テスト温度を把握できるようにしたので、溶
断温度が互いに異なる前記温度ヒューズ4により、テス
ト温度を的確に把握できる半導体装置のテスト方法を得
ることができる。
According to the third embodiment of the present invention, in the method of testing a semiconductor device of the first and second embodiments, the integrated circuit formed on the semiconductor chip 1 sealed by the mold is removed. In conducting a test on the semiconductor device provided with the connecting piece 3 for connection to the outside, the connecting piece 3 having the thermal fuse 4 that is blown at a predetermined temperature and provided on the inner leg 3a sealed by the mold is used. A current application test for performing a characteristic test in a state where a current flows, and detecting an abnormality of a test temperature by fusing the thermal fuse 4, wherein an inner leg 3a sealed by a mold is used. A plurality of connections having thermal fuses 4 having different fusing temperatures, including thermal fuses 4 provided at a temperature lower than a test temperature. Since the test temperature can be grasped when the temperature of the piece 3 becomes too low, it is possible to obtain a semiconductor device test method capable of accurately grasping the test temperature by the temperature fuses 4 having different fusing temperatures. it can.

【0028】実施の形態4.この発明による実施の形態
4を、実施の形態3を参照して説明する。この実施の形
態4において、ここで説明する特有の構成以外の構成な
いし作用については、先に説明した実施の形態1,実施
の形態2および実施の形態3と同様の構成を有し、同様
の作用を奏するものである。
Embodiment 4 A fourth embodiment according to the present invention will be described with reference to a third embodiment. In the fourth embodiment, the configuration and operation other than the specific configuration described here have the same configurations as those of the first, second, and third embodiments described above, and the same It works.

【0029】この発明による実施の形態4においては、
実施の形態3のように違う温度で溶ける複数のヒューズ
4を作っておき、IFテストのNG,PASSの情報を
半導体チップ1(図3参照)に形成された集積回路中に
構成されたレジスタに記憶しておき、そのレジスタを読
み出すことでテスト温度がわかるようにする。
In the fourth embodiment according to the present invention,
A plurality of fuses 4 melting at different temperatures are prepared as in the third embodiment, and the information of NG and PASS of the IF test is stored in a register formed in an integrated circuit formed on the semiconductor chip 1 (see FIG. 3). The test temperature is stored so that the test temperature can be determined by reading the register.

【0030】この実施の形態4では、実施の形態3のよ
うに違う温度で溶けるヒューズ4を作っておき、IFテ
ストでNG,PASSの情報をレジスタに記憶してお
き、そのレジスタを読むことでテスト温度がわかるよう
にすることを特徴とする半導体装置のテスト方法を提示
するものである。
In the fourth embodiment, a fuse 4 that melts at a different temperature is made as in the third embodiment, NG and PASS information is stored in a register in an IF test, and the register is read. A test method for a semiconductor device, characterized in that a test temperature is known.

【0031】この発明による実施の形態4によれば、モ
ールドにより封止される半導体チップ1に形成された集
積回路を外部に接続するための接続部片3を備えた半導
体装置についてテストを行うにあたり、複数の接続部片
3のモールドによって封止される内側脚部3aにそれぞ
れ設けられた溶断温度が互いに異なる複数の温度ヒュー
ズ4(図3参照)について、電流を流通した状態で特性
テストを行う電流印加テスト実行時における前記温度ヒ
ューズ4が溶断したかどうかの情報を半導体チップ1
(図3参照)に形成された集積回路中に構成されたレジ
スタからなる記憶手段に記憶し、前記レジスタからなる
記憶手段の記憶内容を読み出すことによりテスト温度を
把握するようにしたので、前記記憶手段の情報により、
テスト温度を的確に把握できる半導体装置のテスト方法
を得ることができる。
According to the fourth embodiment of the present invention, a test is performed on a semiconductor device having a connection piece 3 for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip 1 sealed by a mold to the outside. A characteristic test is performed on a plurality of thermal fuses 4 (see FIG. 3) provided on the inner leg portions 3a sealed by the molding of the plurality of connection pieces 3 and having different fusing temperatures in a state where a current flows. Information on whether or not the thermal fuse 4 has blown during the execution of the current application test is stored in the semiconductor chip 1.
(See FIG. 3) The test temperature is stored in a storage unit composed of a register formed in an integrated circuit formed in the integrated circuit, and the storage temperature of the storage unit composed of the register is read so as to grasp the test temperature. According to the information of the means,
It is possible to obtain a semiconductor device test method capable of accurately grasping a test temperature.

【0032】[0032]

【発明の効果】第1の発明によれば、モールドにより封
止される半導体チップに形成された集積回路を外部に接
続するための接続部片を備えた半導体装置において、前
記接続部片のモールドによって封止される内側脚部に所
定温度で溶断する温度ヒューズを設けたので、前記温度
ヒューズにより、テスト温度を的確に把握できる半導体
装置を得ることができる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a connecting portion for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein the molding of the connecting portion is performed. Since the thermal fuse for blowing at a predetermined temperature is provided on the inner leg portion sealed by the thermal fuse, a semiconductor device capable of accurately grasping the test temperature can be obtained by the thermal fuse.

【0033】第2の発明によれば、モールドにより封止
される半導体チップに形成された集積回路を外部に接続
するための複数の接続部片を備えた半導体装置におい
て、前記接続部片における空き状態の接続部片につき、
そのモールドによって封止される内側脚部に所定温度で
溶断する温度ヒューズを設けたので、空き状態の接続部
片に設けた前記温度ヒューズにより、テスト温度を的確
に把握できる半導体装置を得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, in a semiconductor device having a plurality of connecting pieces for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, an empty space in the connecting pieces is provided. For the connection piece in the state,
Since a thermal fuse that blows at a predetermined temperature is provided on the inner leg portion sealed by the mold, a semiconductor device capable of accurately grasping the test temperature can be obtained by the thermal fuse provided on the vacant connection piece. it can.

【0034】第3の発明によれば、モールドにより封止
される半導体チップに形成された集積回路を外部に接続
するための接続部片を備えた半導体装置において、導通
テストを受ける前記接続部片のモールドによって封止さ
れる内側脚部に所定温度で溶断す温度ヒューズを設けた
ので、導通テストを受ける接続部片に設けた前記温度ヒ
ューズにより、テスト温度を的確に把握できる半導体装
置を得ることができる。
According to the third aspect of the present invention, in a semiconductor device having a connecting portion for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, the connecting portion is subjected to a continuity test. Since a temperature fuse that blows at a predetermined temperature is provided on the inner leg portion sealed by the mold, it is possible to obtain a semiconductor device that can accurately grasp the test temperature by using the temperature fuse provided on the connection piece to be subjected to the continuity test. Can be.

【0035】第4の発明によれば、第1ないし第3の発
明において、互いに異なる所定温度で溶断する温度ヒュ
ーズをそれぞれ設けた複数の接続部片を備えたので、複
数の接続部片にそれぞれ設けられた前記温度ヒューズに
より、テスト温度を的確に把握できる半導体装置を得る
ことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, in the first to third aspects, a plurality of connecting pieces provided with respective thermal fuses for blowing at different predetermined temperatures are provided. By using the provided thermal fuse, it is possible to obtain a semiconductor device capable of accurately grasping the test temperature.

【0036】第5の発明によれば、モールドにより封止
される半導体チップに形成された集積回路を外部に接続
するための接続部片を備えた半導体装置についてテスト
を行うにあたり、前記半導体装置の温度テスト後に、前
記接続部片のモールドによって封止される内側脚部に設
けられた所定温度で溶断する温度ヒューズが溶断してい
るかどうかを導通テストにより確認し、前記温度テスト
が正しい温度でテストされたかどうかを把握できるよう
にしたので、前記温度ヒューズが溶断しているかどうか
を導通テストによって確認することにより、テスト温度
を的確に把握できる半導体装置のテスト方法を得ること
ができる。
According to the fifth aspect of the present invention, when a test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, After the temperature test, it is confirmed by a continuity test whether or not the temperature fuse provided at the predetermined temperature provided on the inner leg portion sealed by the mold of the connection piece is blown, and the temperature test is performed at a correct temperature. Since it is possible to determine whether or not the test has been performed, it is possible to obtain a semiconductor device test method capable of accurately determining the test temperature by checking whether or not the thermal fuse is blown by a continuity test.

【0037】第6の発明によれば、モールドにより封止
される半導体チップに形成された集積回路を外部に接続
するための接続部片を備えた半導体装置についてテスト
を行うにあたり、モールドによって封止される内側脚部
に設けられた所定温度で溶断する温度ヒューズを有する
接続部片について、電流を流通した状態で特性テストを
行う電流印加テストを実行し、前記温度ヒューズの溶断
によりテスト温度の異常を検知するようにしたので、温
度ヒューズを有する接続部片について電流印加テストを
実行することにより、テスト温度を的確に把握できる半
導体装置のテスト方法を得ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, when a test is performed on a semiconductor device provided with a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, the semiconductor chip is sealed by the mold. A current application test for performing a characteristic test is performed on a connection piece having a temperature fuse provided at a predetermined temperature provided on an inner leg portion to be blown at a predetermined temperature while a current is flowing. Since the current application test is performed on the connection piece having the thermal fuse, a test method for a semiconductor device capable of accurately grasping the test temperature can be obtained.

【0038】第7の発明によれば、第5または第6の発
明において、第モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置についてテストを行うにあたり、モ
ールドによって封止される内側脚部に設けられテスト温
度よりも低い温度で溶断する温度ヒューズを含む溶断温
度が互いに異なる温度ヒューズを有する複数の接続部片
について、温度が低くなり過ぎた場合に、テスト温度を
把握できるようにしたので、溶断温度が互いに異なる温
度ヒューズにより、テスト温度を的確に把握できる半導
体装置のテスト方法を得ることができる。
According to a seventh aspect, in the fifth or sixth aspect, the semiconductor device includes a connection piece for connecting an integrated circuit formed on the semiconductor chip sealed by the mold to the outside. In performing the test, a plurality of connecting pieces having different thermal fuses having different fusing temperatures, including a thermal fuse provided on the inner leg portion sealed by the mold and fusing at a temperature lower than the test temperature, have a lower temperature. Since the test temperature can be ascertained in the case of too much, it is possible to obtain a test method for a semiconductor device in which the test temperature can be accurately ascertained by using thermal fuses having different fusing temperatures.

【0039】第8の発明によれば、モールドにより封止
される半導体チップに形成された集積回路を外部に接続
するための接続部片を備えた半導体装置についてテスト
を行うにあたり、複数の接続部片のモールドによって封
止される内側脚部にそれぞれ設けられた溶断温度が互い
に異なる複数の温度ヒューズについて、電流を流通した
状態で特性テストを行う電流印加テスト実行時における
前記温度ヒューズが溶断したかどうかの情報を記憶手段
に記憶し、前記記憶手段の記憶内容によりテスト温度を
把握するようにしたので、前記記憶手段の情報により、
テスト温度を的確に把握できる半導体装置のテスト方法
を得ることができる。
According to the eighth aspect, when a test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, a plurality of connection parts are required. For a plurality of thermal fuses provided on the inner leg portions sealed by the one-piece mold and having different fusing temperatures, whether the thermal fuse has blown during a current application test for performing a characteristic test in a state where a current is flowing. The information of whether the test temperature is stored in the storage means and the test temperature is grasped by the storage contents of the storage means,
It is possible to obtain a semiconductor device test method capable of accurately grasping a test temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による実施の形態1における温度ヒ
ューズ付きマイコンの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a microcomputer with a thermal fuse according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明による実施の形態2における温度ヒ
ューズ付きマイコンの構成を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a microcomputer with a thermal fuse according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明による実施の形態3における温度ヒ
ューズ付きマイコンの構成を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a microcomputer with a thermal fuse according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チップ、2 パッケージ、3 リードフレームから
なる接続部片、3aリードフレームからなる接続部片3
の脚部、4 温度ヒューズ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip, 2 package, connection piece consisting of 3 lead frames, connection piece 3 consisting of 3a lead frames
Legs, 4 thermal fuse.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/822 G01R 31/28 U 27/04 H01H 85/00 T Fターム(参考) 2G132 AA03 AK02 AL09 AL11 AL21 5F038 AV15 BE07 DF04 DT04 DT12 DT17 EZ20 5F064 BB10 BB31 BB33 FF12 FF27 FF32 5G502 AA02 BB13 EE04 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01L 21/822 G01R 31/28 U 27/04 H01H 85/00 TF term (reference) 2G132 AA03 AK02 AL09 AL11 AL21 5F038 AV15 BE07 DF04 DT04 DT12 DT17 EZ20 5F064 BB10 BB31 BB33 FF12 FF27 FF32 5G502 AA02 BB13 EE04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置において、前記接続部片のモールド
によって封止される内側脚部に所定温度で溶断する温度
ヒューズを設けたことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device provided with a connecting piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein inner leg portions sealed by the molding of the connecting piece are provided. A semiconductor device, further comprising a thermal fuse that blows at a predetermined temperature.
【請求項2】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための複数の接
続部片を備えた半導体装置において、前記接続部片にお
ける空き状態の接続部片につき、そのモールドによって
封止される内側脚部に所定温度で溶断する温度ヒューズ
を設けたことを特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device having a plurality of connection pieces for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein each of the connection pieces in an empty state in the connection pieces is provided. A semiconductor fuse provided at an inner leg portion sealed by the mold at a predetermined temperature.
【請求項3】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置において、導通テストを受ける前記
接続部片のモールドによって封止される内側脚部に所定
温度で溶断す温度ヒューズを設けたことを特徴とする半
導体装置。
3. A semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein the connection piece subjected to a continuity test is sealed by a mold. A semiconductor fuse provided at an inner leg portion of the fuse to blow at a predetermined temperature.
【請求項4】 互いに異なる所定温度で溶断する温度ヒ
ューズをそれぞれ設けた複数の接続部片を備えたことを
特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の
半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a plurality of connecting pieces each provided with a thermal fuse that melts at a predetermined temperature different from each other.
【請求項5】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置についてテストを行うにあたり、前
記半導体装置の温度テスト後に前記接続部片のモールド
によって封止される内側脚部に設けられた所定温度で溶
断する温度ヒューズが溶断しているかどうかを導通テス
トにより確認し、前記温度テストが正しい温度でテスト
されたかどうかを把握できるようにしたことを特徴とす
る半導体装置のテスト方法。
5. A test for a semiconductor device provided with a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, wherein the test is performed after a temperature test of the semiconductor device. A continuity test is used to check whether the thermal fuse that blows at a predetermined temperature provided on the inner leg portion sealed by the one-piece mold is blown, so that it can be grasped whether the temperature test has been performed at the correct temperature. A method for testing a semiconductor device, comprising:
【請求項6】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置についてテストを行うにあたり、モ
ールドによって封止される内側脚部に設けられた所定温
度で溶断する温度ヒューズを有する接続部片について、
電流を流通した状態で特性テストを行う電流印加テスト
を実行し、前記温度ヒューズの溶断によりテスト温度の
異常を検知するようにしたことを特徴とする半導体装置
のテスト方法。
6. A test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside. For the connecting piece having a thermal fuse that blows at a predetermined temperature provided,
A method of testing a semiconductor device, comprising: performing a current application test for performing a characteristic test in a state where a current is flowing; and detecting an abnormality in a test temperature by blowing the thermal fuse.
【請求項7】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置についてテストを行うにあたり、モ
ールドによって封止される内側脚部に設けられテスト温
度よりも低い温度で溶断する温度ヒューズを含む溶断温
度が互いに異なる温度ヒューズを有する複数の接続部片
について、温度が低くなり過ぎた場合に、テスト温度を
把握できるようにしたことを特徴とする請求項5または
請求項6に記載の半導体装置のテスト方法。
7. A test is performed on a semiconductor device having a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside. It is now possible to determine the test temperature of a plurality of connecting pieces having different temperature fuses, including a temperature fuse that is provided and blows at a temperature lower than the test temperature when the temperature becomes too low. The method for testing a semiconductor device according to claim 5, wherein:
【請求項8】 モールドにより封止される半導体チップ
に形成された集積回路を外部に接続するための接続部片
を備えた半導体装置についてテストを行うにあたり、複
数の接続部片のモールドによって封止される内側脚部に
それぞれ設けられた溶断温度が互いに異なる複数の温度
ヒューズについて、電流を流通した状態で特性テストを
行う電流印加テスト実行時における前記温度ヒューズが
溶断したかどうかの情報を記憶手段に記憶し、前記記憶
手段の記憶内容によりテスト温度を把握するようにした
ことを特徴とする半導体装置のテスト方法。
8. A test is performed on a semiconductor device provided with a connection piece for connecting an integrated circuit formed on a semiconductor chip sealed by a mold to the outside, and a plurality of connection pieces are sealed by a mold. For a plurality of thermal fuses having different fusing temperatures provided on the inner legs respectively, information on whether or not the thermal fuse has blown at the time of executing a current application test for performing a characteristic test in a state where a current is flowing is stored. Wherein the test temperature is determined based on the storage contents of the storage means.
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