JP2002323749A - Method for discriminating defect of photomask and defect part having been corrected - Google Patents
Method for discriminating defect of photomask and defect part having been correctedInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクを用
いてＩＣを作製する場合に用いられるフォトマスクの欠
陥部あるいは、修正後の欠陥部が、Ｉｃを作成する際
に、回路的に不良となる致命的な要因となるか否かを判
定する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask used for manufacturing an IC using a photomask, or a defective portion after repairing a photomask. The present invention relates to a method of determining whether or not a fatal factor is caused.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の
傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
た。即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機
能を実現することがＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められて
いる。上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回
路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパタン
作製用の図形データ（以下、設計パタンデータとも言
う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した
後、フォトマスクのパタンをウエハ上に縮小投影露光等
により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うとい
う数々の工程を経て作製されるものである。フォトマス
クは、一般には、上記設計パタンデータを用い、これを
変換して電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等の
フォト露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマス
クブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性
レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を
経て、作製される。作製されたフォトマスクは、欠陥検
査装置にて検査され、抽出した欠陥部は欠陥修正装置に
て修正されるのが一般的である。尚、フォトマスクのパ
タンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写す
る場合は、フォトマスクをレチクルとも言う。2. Description of the Related Art In recent years, various LS1s represented by ASICs have been required to have higher integration and higher functions due to the trend toward higher functionality and lighter and smaller electronic devices. That is, it is required for an LSI such as an ASIC to realize a high function by minimizing the chip size as much as possible. The above-mentioned LSI such as an ASIC produces graphic data (hereinafter also referred to as design pattern data) for producing a photomask pattern through a function, a logic design, a circuit design, a layout design and the like, and produces a photomask using the same. After that, the pattern of the photomask is transferred onto the wafer by reduction projection exposure or the like, and the process is performed through a number of steps of performing a semiconductor device manufacturing process. In general, a photomask uses the above-mentioned design pattern data, converts the data, and uses an electron beam exposure device or a photo exposure device such as an excimer wavelength to form a photomask on a light-shielding film of a photomask substrate (also referred to as a photomask blank). Exposure and drawing are performed on the provided photosensitive resist, and development and etching processes are performed. Generally, the manufactured photomask is inspected by a defect inspection device, and the extracted defective portion is generally corrected by a defect correction device. In the case where the pattern of the photomask is reduced and projected on the wafer and the pattern is transferred, the photomask is also referred to as a reticle.
【０００３】欠陥検査装置によるフォトマスクの検査
は、設計パタンデータ、あるいはこれから作成された描
画用パタンデータないし検査用パタンデータとの比較、
あるいは、マスク内の共通パターン同士の比較であり、
検出された不一致箇所を欠陥としている。尚、欠陥検出
は、装置側で決められた所定の欠陥検出感度で行われ、
通常は、検出された欠陥のサイズでもって、欠陥検出感
度を定義している。欠陥修正装置は、レーザ、イオンビ
ーム等による残部欠陥除去、集束イオンビームアシスト
ＣＶＤによる欠損欠陥修正等を行なうものであるが、欠
陥部を完全に修正することは難しく、再度の欠陥検査装
置による検査において、欠陥として検出されることがあ
る。[0003] Inspection of a photomask by a defect inspection apparatus is performed by comparing with design pattern data or drawing pattern data or inspection pattern data created therefrom.
Alternatively, it is a comparison between common patterns in the mask,
The detected inconsistency is regarded as a defect. Incidentally, the defect detection is performed at a predetermined defect detection sensitivity determined by the apparatus side,
Usually, the defect detection sensitivity is defined by the size of the detected defect. The defect repairing device performs residual defect removal using a laser, an ion beam, etc., and defect defect correction using a focused ion beam assisted CVD. However, it is difficult to completely repair a defective portion. May be detected as a defect.
【０００４】近年のＩＣの高集積化、高機能化に伴い、
フォトマスクのパタンの高密度化、微細化が進み、作製
されたフォトマスクの欠陥検査装置による欠陥検出レベ
ルも一段と厳しいものになってきている。０. ２μｍ〜
０. １８μｍルールのフォトマスクの場合、欠陥検査装
置により検出された欠陥全てを、決められた所定の欠陥
検出レベルでＯＫとなるように修正することが難しくな
ってきている。この決められた所定の欠陥検出レベルで
良品となるフォトマスクを作製するには、歩留まりの面
で問題となっている。With the recent high integration and high functionality of ICs,
The density and miniaturization of the photomask pattern have been advanced, and the defect detection level of a manufactured photomask by a defect inspection apparatus has become more severe. 0.2 μm ~
In the case of a photomask of the 0.18 μm rule, it has become difficult to correct all the defects detected by the defect inspection apparatus so as to be OK at a predetermined predetermined defect detection level. Producing a non-defective photomask at the determined predetermined defect detection level poses a problem in terms of yield.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このように、近年のＩ
Ｃの高集積化、高機能化に伴い、フォトマスクのパタン
の高密度化、微細化が進み、作製されたフォトマスクの
欠陥検査装置による欠陥検出レベルも一段と厳しいもの
になり、欠陥検査装置により検出された欠陥全てを、決
められた所定の欠陥検出レベルでＯＫとなるように修正
することが難しく、フォトマスクの歩留まりの面で問題
となっている。本発明は、これに対応し、欠陥検査装置
により検出された欠陥部や、欠陥修正装置により修正さ
れた欠陥部を有するフォトマスクを用いてＩＣを作製し
た場合、必ずしも前記欠陥部ないし修正した欠陥部が全
て回路不良となる致命的な要因とはなりえないはずであ
り、これらの全てについて、ＩＣを作製する際に、回路
不良となる致命的な要因のものであるか否かを、それぞ
れ判定する判定方法を提供しようとするものである。そ
して、該判定方法にて致命的な要因となるものがないと
判定されたフォトマスクを良品として使用しようとする
ものである。As described above, the recent I
As the integration and performance of C become higher and higher, the density and miniaturization of the photomask pattern progress, and the level of defect detection by the defect inspection device of the manufactured photomask becomes even more severe. It is difficult to correct all the detected defects so as to be OK at a predetermined predetermined defect detection level, and this poses a problem in terms of photomask yield. According to the present invention, when an IC is manufactured using a photomask having a defective portion detected by a defect inspection device or a defective portion corrected by a defect repair device, the defect or the corrected defect is not necessarily required. All of the parts should not be fatal factors that cause circuit failure, and all of these factors must be determined whether or not they are fatal factors that cause circuit failure when manufacturing an IC. It is intended to provide a judgment method. Then, a photomask determined to have no critical factor in the determination method is used as a non-defective product.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
欠陥部ないし修正後の欠陥部の判定方法は、欠陥部ある
いは修正後の欠陥部を有するフォトマスクを用い、ウエ
ハ上に回路を形成し、ＩＣを作製する場合に、前記欠陥
部あるいは修正後の欠陥部が、回路的に不良となる致命
的な要因となるか否かを判定する方法であって、順に、
（ａ）フォトマスク欠陥検査装置にて欠陥として検出さ
れた欠陥部を含む画像の画像データあるいは欠陥修正装
置にて欠陥を修正して得られた、修正後の欠陥部を含む
画像の画像データを処理の対象である処理対象画像デー
タとし、該処理対象画像データと、フォトマスクの設計
パタンデータから得られる前記処理対象画像データに対
応する画像データである正常画像データに対し、排他的
論理和図形演算を施し、処理対象画像データの欠陥だけ
の画像情報である欠陥画像データを抽出する画像抽出処
理と、（ｂ）抽出された欠陥画像データの欠陥の輪郭線
から設計ツールにて取り込めるポリゴンデータを作成
し、作成されたポリゴンデータと設計データとを合成し
て検証用パタンデータを作成する検証用データ作成処理
と、（ｃ）検証装置を用いて、作成された検証用パタン
データを検証する検証処理とを行ない、検証処理の結果
より、フォトマスクの前記処理対象画像データに対応す
る箇所が、ＩＣを作製する際に、回路不良となる致命的
な要因となるものであるか否かを判定するものであるこ
とを特徴とするものである。そして、上記において、検
証装置は、ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃ
ｋ）および／またはＬＶＳ（Ｌａｙｏｕｔ Ｖｅｒｓｕ
ｓ Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ）等の検証処理を行なうもので
あることを特徴とするものである。尚、ここでは、修正
後の欠陥部とは、修正装置により欠陥を修正した部分、
あるいは修正した部分で、且つ欠陥検査装置で欠陥と認
識される部分を言う。また、回路的に不良、回路不良と
は、回路動作、回路特性を含めた回路仕様を満足しない
ことを言う。また、検証装置とは、通常、設計データの
検証に用いられているものである。According to the method of the present invention for determining a defective portion or a defective portion after repair of a photomask, a circuit is formed on a wafer using a photomask having a defective portion or a repaired defective portion. A method for determining whether or not the defective portion or the defective portion after repair is a fatal cause of a circuit failure when manufacturing an IC,
(A) Image data of an image including a defective portion detected as a defect by a photomask defect inspection apparatus or image data of an image including a defective portion obtained by correcting a defect by a defect correcting apparatus. The processing target image data to be processed, and the processing target image data and the normal image data that is the image data corresponding to the processing target image data obtained from the photomask design pattern data, are exclusive-ORed. An image extraction process for performing an operation to extract defect image data, which is image information of only a defect of the image data to be processed, and (b) polygon data that can be captured by a design tool from a contour of the defect of the extracted defect image data. A verification data generating process for generating the generated polygon data and the design data to generate verification pattern data; and (c) a verification device. A verification process for verifying the generated verification pattern data is performed using the verification process. Based on a result of the verification process, a portion of the photomask corresponding to the processing target image data becomes a circuit failure when an IC is manufactured. It is characterized in that it is determined whether or not it is a fatal factor. Then, in the above, the verification device performs the DRC (Design Rule Chec).
k) and / or LVS (Layout Versu)
s Schematic) is performed. Here, the defect portion after the correction is a portion where the defect is corrected by the correction device,
Alternatively, it refers to a corrected portion and a portion that is recognized as a defect by the defect inspection apparatus. In addition, a circuit failure or a circuit failure refers to failure to satisfy circuit specifications including circuit operation and circuit characteristics. Further, the verification device is generally used for verifying design data.
【０００７】[0007]
【作用】本発明のフォトマスクの欠陥部ないし修正後の
欠陥部の判定方法は、このような構成にすることによ
り、欠陥検査装置により検出された欠陥部や、欠陥修正
装置により修正された欠陥部について、これらを有する
フォトマスクを用いてＩＣを作製する際に、これらが回
路不良となる致命的な要因のものであるか否かを、それ
ぞれ判定する判定方法の提供を可能としており、結果、
該判定方法にて致命的な要因となるものがないと判定さ
れたフォトマスクを良品として使用することを可能とし
ている。即ち、本発明のフォトマスクの欠陥部ないし修
正後の欠陥部の判定方法は、設計データに欠陥部ないし
修正後の欠陥部の形状を盛り込んだパタンデータを検証
用データとして作成し、これを用いて、検証装置にて検
証用データを検証することにより、前記欠陥部ないし修
正後の欠陥部が、ＩＣを作製する際に、回路不良となる
致命的な要因となるものであるか否かを判断するもので
ある。According to the method for determining a defective portion of a photomask or a defective portion after repair according to the present invention, by adopting such a configuration, a defective portion detected by a defect inspection device or a defect repaired by a defect repair device is determined. It is possible to provide a method of determining whether each of the parts is a fatal cause of a circuit failure when manufacturing an IC using a photomask having these, ,
It is possible to use a non-defective photomask that has been determined to have no critical factor in the determination method. That is, in the method for determining a defective portion or a defective portion after repair of a photomask of the present invention, pattern data in which the shape of a defective portion or a defective portion after repair is included in design data is created as verification data, and this is used. By verifying the verification data with a verification device, it can be determined whether or not the defective portion or the defective portion after repair is a fatal cause of a circuit failure when manufacturing an IC. To judge.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例を挙げ、図
に基づいて説明する。図１は本発明のフォトマスクの欠
陥部ないし修正後の欠陥部の判定方法の実施の形態の１
例の処理フロー図である。図１中、１０は設計データ
（ＣＡＤデータとも言う）、１１は正常な画像データ、
１２は処理対象画像データ、１３は座標データ、１４は
欠陥画像データ、１５はポリゴンデータ（設計データと
同フォーマットの欠陥部データ）、１６は検証用パタン
データ、２０はフォトマスク、３０は欠陥検査装置、４
０は欠陥修正装置、５０は検証装置である。また、Ｓ１
１０〜Ｓ１２５は処理ステップを示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of a method for determining a defective portion of a photomask or a defective portion after repair according to the present invention.
It is a process flow figure of an example. In FIG. 1, 10 is design data (also called CAD data), 11 is normal image data,
12 is image data to be processed, 13 is coordinate data, 14 is defect image data, 15 is polygon data (defect portion data in the same format as design data), 16 is pattern data for verification, 20 is a photomask, and 30 is defect inspection. Device, 4
0 is a defect repair device, 50 is a verification device. Also, S1
10 to S125 indicate processing steps.
【０００９】本発明のフォトマスクの欠陥部ないし修正
後の欠陥部の判定方法の実施の形態の１例を図１に基づ
いて説明する。本例は、欠陥部あるいは修正後の欠陥部
を有するフォトマスクを用い、ウエハ上に回路を形成
し、ＩＣを作製する場合に、前記欠陥部あるいは修正後
の欠陥部が、回路的に不良となる致命的な要因となるか
否かを判定する方法であり、簡単には、設計データ１０
に欠陥部ないし修正後の欠陥部の形状を盛り込んだパタ
ンデータを検証用データ１６として作成し、これを用い
て、検証装置にて検証用データ１６を検証することによ
り、前記欠陥部ないし修正後の欠陥部の形状がＩＣを作
製する際に、回路的に不良となる致命的な要因となるも
のであるか否かを判断するものである。An embodiment of a method for determining a defective portion of a photomask or a defective portion after repair according to the present invention will be described with reference to FIG. In this example, when a circuit is formed on a wafer using a photomask having a defective portion or a defective portion after repair and an IC is manufactured, the defective portion or the defective portion after repair is regarded as a circuit defect. This is a method of determining whether or not the cause is a fatal factor.
A pattern data including the shape of the defective portion or the defective portion after the correction is created as the verification data 16 and the verification data is used to verify the verification data 16 by using the data. It is determined whether or not the shape of the defective portion is a fatal factor that causes a circuit failure when an IC is manufactured.
【００１０】以下、図１に基づいて本例を簡単に説明す
る。先ず、設計データ１０に基づいて通常のフォトマス
ク作製プロセスを経て作製されたフォトマスク２０（Ｓ
１１１）に対し欠陥検査装置３０により欠陥検出処理
（Ｓ１１２）を行ない、欠陥箇所を検出する。次いで、
欠陥箇所について、欠陥修正装置４０により欠陥修正処
理（Ｓ１１３）を行ない、再度、このフォトマスク２０
に対し欠陥検査装置３０により欠陥検出処理（Ｓ１１
２）を行ない、欠陥箇所の検出を実施し、欠陥部の画像
データ１２、と対応する欠陥部の座標データ１３とを抽
出しておく。（Ｓ１１５、Ｓ１１６） この欠陥検出処理により検出された欠陥部の画像データ
が処理対象の処理対象画像データ１２である。一方、欠
陥部の座標データ１３をもとに、フォトマスク２０の設
計データ１１（Ｓ１１０）から、処理対象画像データに
対応する箇所の正常な画像データ（正常画像データとも
言う）１１を抽出しておく。（Ｓ１１４）Hereinafter, this embodiment will be briefly described with reference to FIG. First, based on the design data 10, a photomask 20 (S
111) is subjected to a defect detection process (S112) by the defect inspection device 30 to detect a defective portion. Then
A defect repairing process (S113) is performed on the defective portion by the defect repairing device 40.
The defect detection processing (S11)
2) is performed to detect a defective portion, and the image data 12 of the defective portion and the coordinate data 13 of the corresponding defective portion are extracted in advance. (S115, S116) The image data of the defective portion detected by the defect detection processing is the processing target image data 12 to be processed. On the other hand, based on the coordinate data 13 of the defective part, normal image data (also referred to as normal image data) 11 corresponding to the processing target image data is extracted from the design data 11 (S110) of the photomask 20. deep. (S114)
【００１１】次いで、処理対象画像データ１２と、これ
に対応する正常画像データ１１に対し、対応する領域で
排他的論理和図形演算を施し、欠陥だけの画像情報を抽
出する欠陥画像抽出処理（欠陥画像取り出し処理とも言
う）を行なう。（Ｓ１１７） このようにして、欠陥だけの画像情報である欠陥画像デ
ータ１４が得られる。（Ｓ１１８） 通常、欠陥画像データ１４は、所定の領域（画素とも言
う）を２値で表し、画像を表現する２値データとなる。
得られた欠陥画像データ１４に対しアウトライン処理を
施し（Ｓ１１９）、得られたデータ（図示していない）
と、処理対象画像データ１２に対応する座標データ１３
とからポリゴン化処理を行ない（Ｓ１２０）、ポリゴン
データ１５を作成する。（Ｓ１２１） ポリゴンデータ１５は、設計データ１０と同フォーマッ
トの、欠陥画像を表すデータである。次いで、設計デー
タ１０とポリゴンデータ１５とを合成処理（Ｓ１２２）
により合成し、設計データ１０と同フォーマットの検証
用パタンデータ１６を作成する。（Ｓ１２３）Next, a defect image extraction process (defect image processing) is performed on the image data 12 to be processed and the normal image data 11 corresponding thereto by performing an exclusive OR graphic operation on the corresponding area to extract image information of only defects. Image retrieval processing). (S117) In this manner, the defect image data 14, which is the image information of only the defect, is obtained. (S118) Normally, the defect image data 14 represents a predetermined area (also referred to as a pixel) in binary, and is binary data representing an image.
An outline process is performed on the obtained defect image data 14 (S119), and the obtained data (not shown).
And coordinate data 13 corresponding to the processing target image data 12
Then, polygon conversion processing is performed (S120), and polygon data 15 is created. (S121) The polygon data 15 is data representing a defect image in the same format as the design data 10. Next, the design data 10 and the polygon data 15 are combined (S122).
To create verification pattern data 16 in the same format as the design data 10. (S123)
【００１２】次いで、このようにして得られた検証用デ
ータ１６を用いて、検証装置５０にて検証し、処理対象
画像データ１２に対応する箇所が、ＩＣを作成する際
に、回路不良となる致命的な要因となるものであるか否
かを判定し（Ｓ１２４）、判定結果（Ｓ１２５）を得
る。検証装置としては、電気的な検証、幾何学的な検
証、階層的な検証（層間の検証）を行なう検証装置が挙
げられる。公知の（市販の）ＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒ
ｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）および／またはＬＶＳ（Ｌａｙｏ
ｕｔ Ｖｅｒｓｕｓ Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ）等の検証処
理を行なう検証装置が挙げられる。尚、一般に設計デー
タのフォーマットで、これらの検証装置は検証できるよ
うになっている。判定結果において、欠陥部の画像デー
タ（欠陥情報画像のデータ）に対応する箇所全てが、回
路不良となる致命的な要因となるものでない場合には、
欠陥修正処理（Ｓ１１３）後のフォトマスク２０を良品
とする。判定結果において、欠陥部の画像データ（欠陥
情報画像のデータ）に対応する箇所のうち１個でも、回
路不良となる致命的な要因となるものがある場合には、
欠陥修正処理（Ｓ１１３）後のフォトマスク２０を不良
品とする。Next, using the verification data 16 obtained in this manner, verification is performed by the verification device 50, and a portion corresponding to the processing target image data 12 becomes a circuit failure when an IC is created. It is determined whether or not it is a fatal factor (S124), and a determination result (S125) is obtained. Examples of the verification device include a verification device that performs electrical verification, geometric verification, and hierarchical verification (verification between layers). Known (commercially available) DRC (Design R
ule Check) and / or LVS (Layo)
a verification device that performs a verification process such as “out Versus Schematic”. In general, these verification devices can perform verification in the format of design data. In the determination result, when all the portions corresponding to the image data of the defective portion (data of the defect information image) are not fatal factors that cause a circuit failure,
The photomask 20 after the defect correction processing (S113) is regarded as a non-defective product. In the determination result, if any one of the portions corresponding to the image data of the defective portion (data of the defect information image) is a fatal cause of a circuit failure,
The photomask 20 after the defect correction processing (S113) is regarded as a defective product.
【００１３】本例では、フォトマスク製造プロセスにて
作製されたフォトマスクに対し、欠陥検査装置３０にて
欠陥検出処理（Ｓ１１２）を行ない、検出された欠陥部
を修正装置４０にて修正した後、再度、フォトマスク２
０を欠陥検査装置３０にて欠陥検出処理（Ｓ１１２）を
行ない、検出された欠陥部について、欠陥部を含む画像
データを処理対象画像データ１２としたが、処理対象画
像データ１２としては、これに限定されない。場合によ
っては、フォトマスク製造プロセスにて作製されたフォ
トマスクに対し、欠陥検査装置３０にて欠陥検出処理
（Ｓ１１２）を行ない、検出された欠陥部を含む画像デ
ータを処理対象画像データ１２としても良い。In this embodiment, a defect inspection process (S112) is performed on the photomask manufactured in the photomask manufacturing process by the defect inspection device 30, and the detected defect is corrected by the correction device 40. , Again, Photomask 2
The defect inspection apparatus 30 performs a defect detection process (S112), and for the detected defective part, the image data including the defective part is set as the processing target image data 12. However, as the processing target image data 12, Not limited. In some cases, a defect detection process (S112) is performed on the photomask manufactured in the photomask manufacturing process by the defect inspection device 30, and the image data including the detected defective portion is used as the processing target image data 12. good.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明は、上記のように、欠陥部あるい
は修正後の欠陥部を有するフォトマスクを用い、ウエハ
上に回路を形成し、ＩＣを作製する場合に、前記欠陥部
あるいは修正後の欠陥部が、回路的に不良となる致命的
な要因となるか否かを判定する方法の提供を可能とし
た。これにより、該判定方法にて致命的な要因となるも
のがないと判定されたフォトマスクを良品として使用す
ることを可能とし、結局、近年のＩＣの高集積化、高機
能化に伴い、フォトマスクのパタンの高密度化、微細化
が進み、作製されたフォトマスクの欠陥検査装置による
欠陥検出レベルも一段と厳しいものになり、欠陥検査装
置により検出された欠陥全てを、決められた所定の欠陥
検出レベルでＯＫとなるように修正することが難しい
が、フォトマスクの歩留まりを向上させることができ
た。According to the present invention, as described above, a circuit is formed on a wafer using a photomask having a defective portion or a defective portion after repair, and an IC is manufactured. It has been made possible to provide a method for determining whether or not the defective portion becomes a fatal cause of circuit failure. As a result, it is possible to use a photomask determined to have no critical factor in the determination method as a non-defective product, and eventually, with the recent high integration and high functionality of IC, As the pattern density of masks has become higher and smaller, the level of defect detection by the defect inspection device for the manufactured photomask has become even more severe, and all defects detected by the defect inspection device have been replaced by a predetermined defect. It is difficult to correct the detection level to be OK, but the yield of the photomask could be improved.
【図１】本発明のフォトマスクの欠陥部ないし修正後の
欠陥部の判定方法の実施の形態の１例の処理フロー図FIG. 1 is a processing flowchart of an example of an embodiment of a method for determining a defective portion of a photomask or a defective portion after repair according to the present invention;
１０ 設計データ（ＣＡＤデータとも言う） １１ 正常な画像データ １２ 処理対象画像データ １３ 座標データ １４ 欠陥画像データ １５ ポリゴンデータ（設計データと同フォーマ
ットの欠陥部データ） １６ 検証用パタンデータ ２０ フォトマスク ３０ 欠陥検査装置 ４０ 欠陥修正装置 ５０ 検証装置REFERENCE SIGNS LIST 10 design data (also referred to as CAD data) 11 normal image data 12 processing target image data 13 coordinate data 14 defect image data 15 polygon data (defect portion data in the same format as design data) 16 verification pattern data 20 photomask 30 defect Inspection device 40 Defect repair device 50 Verification device
Claims (2)
フォトマスクを用い、ウエハ上に回路を形成し、ＩＣを
作製する場合に、前記欠陥部あるいは修正後の欠陥部
が、回路的に不良となる致命的な要因となるか否かを判
定する方法であって、順に、（ａ）フォトマスク欠陥検
査装置にて欠陥として検出された欠陥部を含む画像の画
像データあるいは欠陥修正装置にて欠陥を修正して得ら
れた、修正後の欠陥部を含む画像の画像データを処理の
対象である処理対象画像データとし、該処理対象画像デ
ータと、フォトマスクの設計パタンデータから得られる
前記処理対象画像データに対応する画像データである正
常画像データに対し、排他的論理和図形演算を施し、処
理対象画像データの欠陥だけの画像情報である欠陥画像
データを抽出する画像抽出処理と、（ｂ）抽出された欠
陥画像データの欠陥の輪郭線から設計ツールにて取り込
めるポリゴンデータを作成し、作成されたポリゴンデー
タと設計データとを合成して検証用パタンデータを作成
する検証用データ作成処理と、（ｃ）検証装置を用い
て、作成された検証用パタンデータを検証する検証処理
とを行ない、検証処理の結果より、フォトマスクの前記
処理対象画像データに対応する箇所が、ＩＣを作製する
際に、回路不良となる致命的な要因となるものであるか
否かを判定するものであることを特徴とするフォトマス
クの欠陥部ないし修正後の欠陥部の判定方法。When a circuit is formed on a wafer using a photomask having a defective portion or a defective portion after repair and an IC is manufactured, the defective portion or the defective portion after repair is defective in circuit. (A) image data of an image including a defective portion detected as a defect by a photomask defect inspection device or a defect correcting device. The image data of the image including the defect portion after the correction obtained by correcting the defect is set as the processing target image data to be processed, and the processing obtained from the processing target image data and the design pattern data of the photomask is performed. An image for performing exclusive OR graphic operation on normal image data, which is image data corresponding to the target image data, and extracting defect image data that is image information of only defects in the processing target image data Extraction processing and (b) creating polygon data that can be captured by a design tool from the outline of the defect in the extracted defect image data, and combining the created polygon data with the design data to create verification pattern data A verification data generation process and (c) a verification process for verifying the generated verification pattern data using a verification device are performed. Based on a result of the verification process, a portion of the photomask corresponding to the target image data is processed. Is a method for determining whether or not it is a fatal cause of a circuit failure when manufacturing an IC. .
（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）および／また
はＬＶＳ（Ｌａｙｏｕｔ Ｖｅｒｓｕｓ Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ）等の検証処理を行なうものであることを特徴と
するフォトマスクの欠陥部ないし修正後の欠陥部の判定
方法。2. The method according to claim 1, wherein the verification device comprises:
(Design Rule Check) and / or LVS (Layout Versus Schema)
tic) or the like, and a method for determining a defective portion of a photomask or a defective portion after repair.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126930A JP2002323749A (en) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | Method for discriminating defect of photomask and defect part having been corrected |
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| JP2002323749A true JP2002323749A (en) | 2002-11-08 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001126930A Pending JP2002323749A (en) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | Method for discriminating defect of photomask and defect part having been corrected |
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| JP (1) | JP2002323749A (en) |
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