JP2002319714A - Piezoelectric element and method for manufacturing the same - Google Patents

Piezoelectric element and method for manufacturing the same

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JP2002319714A
JP2002319714A JP2002020667A JP2002020667A JP2002319714A JP 2002319714 A JP2002319714 A JP 2002319714A JP 2002020667 A JP2002020667 A JP 2002020667A JP 2002020667 A JP2002020667 A JP 2002020667A JP 2002319714 A JP2002319714 A JP 2002319714A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric element, having a stable and high piezoelectric characteristics by obtaining a prescribed orientation degree of a piezoelectric film stably and with high reproducibility and provide a method for manufacturing the same. SOLUTION: The method comprises a step (S1) of forming a diaphragm film 30 (31 or 32) on a substrate 20, a step of forming a lower electrode 33 on the film 30, a first step (S2) of forming a Ti layer on the electrode 33, a step of patterning the electrode 33 into a prescribed shape, a second step (S3) of forming a Ti layer on the electrode 33 which remains after patterning and on the film 30 from which the lower electrode is removed, a step (S4) of forming a PZT layer 43 (Pb, Zr, Ti-lead zirconate titanate) on the lower electrode layer on which the Ti layer is formed by the step (S3), and a step (S5) of forming an upper electrode 44 on the layer 43.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気機械変換機能
を有する圧電体素子に係り、特に、インクジェット式記
録ヘッドに用いた際に、優れた圧電特性が得られる圧電
体素子及びその製造方法、この圧電体素子を用いたイン
クジェット式記録ヘッド及びプリンタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric element having an electromechanical conversion function, and more particularly, to a piezoelectric element capable of obtaining excellent piezoelectric characteristics when used in an ink jet recording head, and a method of manufacturing the same. The present invention relates to an ink jet recording head and a printer using the piezoelectric element.

【0002】[0002]

【従来の技術】インクジェット式記録ヘッドは、プリン
タのインク吐出の駆動源として圧電体素子を用いる。こ
の圧電体素子は、一般的に、圧電体薄膜とこれを挟んで
配置される上部電極および下部電極とを備えて構成され
る。
2. Description of the Related Art An ink jet recording head uses a piezoelectric element as a driving source for ink ejection of a printer. This piezoelectric element generally includes a piezoelectric thin film and an upper electrode and a lower electrode which are arranged to sandwich the piezoelectric thin film.

【0003】従来、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)か
らなる薄膜の結晶構造を規定したり、下部電極上にTi
核を形成させることにより、特性改善を図った圧電体素
子が開発されている。たとえば、特開平10−8101
6号公報には、菱面体晶系の結晶構造を備えかつ所定の
配向度を備えたPZT薄膜が開示されている。また、特
開平8−335676号公報には、Irの下部電極上に
チタン核を形成した圧電体素子が開示されている。
Conventionally, the crystal structure of a thin film made of lead zirconate titanate (PZT) has been defined, and Ti
Piezoelectric elements with improved characteristics by forming nuclei have been developed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-8101
No. 6 discloses a PZT thin film having a rhombohedral crystal structure and a predetermined degree of orientation. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-335676 discloses a piezoelectric element in which a titanium nucleus is formed on a lower electrode of Ir.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の圧電体
素子では、圧電体膜の所定の配向度を安定して再現性良
く得ることが困難であるという問題があった。このよう
な圧電体素子は、安定した高い圧電特性を得ることが難
しく、インクジェット式記録ヘッドないしはプリンタの
印字性能を十分に得られない要因となっている。
However, the conventional piezoelectric element has a problem that it is difficult to stably obtain a predetermined degree of orientation of the piezoelectric film with good reproducibility. With such a piezoelectric element, it is difficult to obtain stable and high piezoelectric characteristics, and this is a factor that makes it impossible to obtain sufficient printing performance of an ink jet recording head or a printer.

【0005】特に、振動板膜上に成膜した下部電極を所
定形状にパターニングした後に、当該下部電極上に圧電
体膜を成膜する場合には、圧電体膜の所定の配向度を安
定して再現性よく得ることが困難であった。
In particular, when a piezoelectric film is formed on the lower electrode after the lower electrode formed on the diaphragm film is patterned into a predetermined shape, the predetermined degree of orientation of the piezoelectric film is stabilized. It was difficult to obtain with good reproducibility.

【0006】そこで、本発明は、圧電体膜の所定の配向
度を安定して再現性良く得ることにより、安定した高い
圧電特性を備えた圧電体素子およびその製造方法を提供
することを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a piezoelectric element having stable and high piezoelectric characteristics by stably obtaining a predetermined degree of orientation of a piezoelectric film with good reproducibility, and a method of manufacturing the same. I do.

【0007】さらには、上記圧電体素子をインク吐出駆
動源とするインクジェット式記録ヘッド及びその製造方
法並びにインクジェットプリンタを提供することを目的
とする。
It is still another object of the present invention to provide an ink jet recording head using the piezoelectric element as an ink discharge driving source, a method of manufacturing the same, and an ink jet printer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の圧電体素子の製造方法は、基板上に振動板膜を
成膜する工程と、前記振動板膜上に下部電極を成膜する
工程と、前記下部電極上にTi層を成膜するTi層成膜
第1工程と、前記下部電極を所定形状にパターニングす
る工程と、前記パターニングにより残された下部電極上
および下部電極が除去された前記振動板膜上にTi層を
成膜するTi層成膜第2工程と、前記Ti層成膜第2工
程によりTi層を成膜した下部電極上にPZT層を成膜
する工程と、前記PZT層上に上部電極を形成する工程
と、を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a piezoelectric element according to the present invention comprises the steps of forming a diaphragm film on a substrate and forming a lower electrode on the diaphragm film. Forming a Ti layer on the lower electrode, forming a Ti layer on the lower electrode, patterning the lower electrode into a predetermined shape, removing the lower electrode and the lower electrode left by the patterning. Forming a Ti layer on the formed diaphragm film, forming a Ti layer on the lower electrode, and forming a PZT layer on the lower electrode on which the Ti layer is formed by the Ti layer forming second step. Forming an upper electrode on the PZT layer.

【0009】Ti層を2回に分けて成膜することによ
り、湿度など影響を受けずに安定した100面配向度を
有するPZTを成膜することができるようになった。
[0009] By forming the Ti layer twice, it has become possible to form PZT having a stable 100-plane orientation degree without being affected by humidity or the like.

【0010】上記製造方法において、前記Ti層成膜第
1工程により成膜するTi層の膜厚は、前記Ti層成膜
第2工程により成膜するTi層の膜厚より大きいことが
望ましい。この方が100面配向度の再現性がより高か
った。
In the above manufacturing method, it is desirable that the thickness of the Ti layer formed in the first step of forming the Ti layer is larger than the thickness of the Ti layer formed in the second step of forming the Ti layer. In this case, the reproducibility of the degree of 100-plane orientation was higher.

【0011】上記製造方法において、前記Ti層成膜第
1工程により成膜するTi層の膜厚および前記Ti層成
膜第2工程により成膜するTi層の膜厚の合計は、3n
m以上20nm以下であることが望ましい。
In the above manufacturing method, the total thickness of the Ti layer formed in the Ti layer forming first step and the Ti layer formed in the Ti layer forming second step is 3n.
It is desirable that the thickness be not less than m and not more than 20 nm.

【0012】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製
造方法は、上記の方法によって得られた圧電体素子を備
え、前記基板をエッチングし圧力室を形成する工程と、
前記圧力室を覆うノズル板を形成する工程と、を備えた
ことを特徴とする。
[0012] A method of manufacturing an ink jet recording head according to the present invention includes a step of providing a piezoelectric element obtained by the above method and etching the substrate to form a pressure chamber.
Forming a nozzle plate that covers the pressure chamber.

【0013】本発明の圧電体素子は、基板上に振動板
膜、下部電極、PZT層、上部電極を順次積層してなる
圧電体素子であって、前記下部電極は所定形状にパター
ニングしてなり、前記PZT層は、パターニングにより
残された下部電極上及び下部電極が除去された前記振動
板膜上に形成され、前記PZT層のうち前記振動板膜上
に形成された部分は、所定の配向性を有することを特徴
とする。
The piezoelectric element of the present invention is a piezoelectric element in which a diaphragm film, a lower electrode, a PZT layer, and an upper electrode are sequentially laminated on a substrate, and the lower electrode is patterned into a predetermined shape. The PZT layer is formed on the lower electrode left by patterning and on the diaphragm film from which the lower electrode has been removed, and a portion of the PZT layer formed on the diaphragm film has a predetermined orientation. It has characteristics.

【0014】上記圧電体素子において、前記PZT層の
うち前記下部電極が除去された振動板膜上に形成された
部分は、111面優先配向でもよい。
In the above-described piezoelectric element, a portion of the PZT layer formed on the diaphragm film from which the lower electrode has been removed may have a 111 plane preferential orientation.

【0015】上記圧電体素子において、前記PZT層の
うち前記パターニングにより残された下部電極上に形成
された部分は、100面配向度が70%以上であること
が望ましい。
In the above-mentioned piezoelectric element, it is preferable that a portion of the PZT layer formed on the lower electrode left by the patterning has a degree of 100 plane orientation of 70% or more.

【0016】本発明のインクジェット式記録ヘッドは、
上記の圧電体素子と、当該圧電体素子の機械的変位によ
って内容積が変化する圧力室と、当該圧力室に連通して
インク滴を吐出する吐出口とを備えることを特徴とす
る。
[0016] The ink jet recording head of the present invention comprises:
It is characterized by comprising the above-mentioned piezoelectric element, a pressure chamber whose internal volume changes due to mechanical displacement of the piezoelectric element, and a discharge port for discharging ink droplets in communication with the pressure chamber.

【0017】本発明のプリンタは、上記のインクジェッ
ト式記録ヘッドを印字機構に備えることを特徴とする。
A printer according to the present invention includes the above-described ink jet recording head in a printing mechanism.

【0018】なお、本願にいう「100面配向度」と
は、X線回折広角法においてCuKα線を用いたときの
XYZ面に対応するピーク(2θ)の回折強度をI(X
YZ)と表記したとき、I(100)の、I(100)
とI(110)とI(111)の和に対する比率を意味
する。
The term "degree of 100-plane orientation" used in the present application means that the diffraction intensity of the peak (2θ) corresponding to the XYZ plane when CuKα radiation is used in the X-ray diffraction wide-angle method is I (X
YZ), I (100) of I (100)
, I (110) and I (111).

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】<インクジェットプリンタの全体構成>図
1は、本実施形態の圧電体素子が使用されるプリンタの
構造を説明する斜視図である。このプリンタには、本体
2に、トレイ3、排出口4および操作ボタン9が設けら
れている。さらに本体2の内部には、インクジェット式
記録ヘッド1、供給機構6、制御回路8が備えられてい
る。
<Overall Configuration of Inkjet Printer> FIG. 1 is a perspective view illustrating the structure of a printer using the piezoelectric element of the present embodiment. In this printer, a tray 3, a discharge port 4 and an operation button 9 are provided on a main body 2. Further, an ink jet recording head 1, a supply mechanism 6, and a control circuit 8 are provided inside the main body 2.

【0021】インクジェット式記録ヘッド1は基板上に
形成された複数の圧電体素子を備え、制御回路8から供
給される吐出信号に対応して、ノズルからインクを吐出
可能に構成されている。
The ink jet recording head 1 includes a plurality of piezoelectric elements formed on a substrate, and is configured to be able to discharge ink from nozzles in accordance with a discharge signal supplied from a control circuit 8.

【0022】本体2は、プリンタの筐体であって、用紙
5をトレイ3から供給可能な位置に供給機構6を配置
し、用紙5に印字可能なようにインクジェット式記録ヘ
ッド1を配置している。トレイ3は、印字前の用紙5を
供給機構6に供給可能に構成され、排出口4は、印刷が
終了した用紙5を排出する出口である。
The main body 2 is a housing of the printer, in which a supply mechanism 6 is disposed at a position where the paper 5 can be supplied from the tray 3, and the ink jet recording head 1 is disposed so as to print on the paper 5. I have. The tray 3 is configured to be able to supply the paper 5 before printing to the supply mechanism 6, and the outlet 4 is an outlet for discharging the paper 5 on which printing has been completed.

【0023】供給機構6は、モータ600、ローラ60
1・602、その他の図示しない機械構造を備えてい
る。モータ600は、制御回路8から供給される駆動信
号に対応して回転可能になっている。機械構造は、モー
タ600の回転力をローラ601・602に伝達可能に
構成されている。ローラ601および602は、モータ
600の回転力が伝達されると回転するようになってお
り、回転によりトレイ3に載置された用紙5を引き込
み、ヘッド1によって印刷可能に供給するようになって
いる。
The supply mechanism 6 includes a motor 600, a roller 60
1, 602 and other mechanical structures (not shown). The motor 600 is rotatable in accordance with a drive signal supplied from the control circuit 8. The mechanical structure is configured to transmit the rotational force of the motor 600 to the rollers 601 and 602. The rollers 601 and 602 rotate when the rotational force of the motor 600 is transmitted. The rollers 601 and 602 draw the paper 5 placed on the tray 3 by rotation, and supply the paper 5 so that the head 1 can print. I have.

【0024】制御回路8は、図示しないCPU、RO
M、RAM、インターフェース回路などを備え、図示し
ないコネクタを介してコンピュータから供給される印字
情報に対応させて、駆動信号を供給機構6に供給した
り、吐出信号をインクジェット式記録ヘッド1に供給し
たりできるようになっている。また、制御回路8は操作
パネル9からの操作信号に対応させて動作モードの設
定、リセット処理などが行えるようになっている。
The control circuit 8 includes a CPU (not shown) and an RO (not shown).
M, a RAM, an interface circuit, and the like. The drive signal is supplied to the supply mechanism 6 and the ejection signal is supplied to the ink jet recording head 1 in accordance with print information supplied from a computer via a connector (not shown). Or you can do it. The control circuit 8 can set an operation mode, perform a reset process, and the like in accordance with an operation signal from the operation panel 9.

【0025】本実施形態のプリンタは、後述の安定した
高い圧電特性を有し良好な印字性能を有するインクジェ
ット式記録ヘッドを備えているので、性能の高いプリン
タとなっている。
The printer of the present embodiment has an ink jet recording head having stable high piezoelectric characteristics and good printing performance, which will be described later, so that the printer has high performance.

【0026】<インクジェット式記録ヘッドの構成>図
2は、本実施形態による圧電体素子を備えたインクジェ
ット式記録ヘッドの構造の説明図である。インクジェッ
ト式記録ヘッド1は、図に示すように、ノズル板10、
圧力室基板20および振動板30を備えて構成されてい
る。
<Structure of Inkjet Recording Head> FIG. 2 is an explanatory diagram of the structure of the inkjet recording head having the piezoelectric element according to the present embodiment. As shown in the drawing, the inkjet recording head 1 includes a nozzle plate 10,
The pressure chamber substrate 20 and the vibration plate 30 are provided.

【0027】圧力室基板20は、キャビティ(圧力室)
21、側壁(隔壁)22、リザーバ23および供給口2
4を備えている。キャビティ21は、シリコン等の基板
をエッチングすることにより形成されたインクなどを吐
出するために貯蔵する空間となっている。側壁22はキ
ャビティ21間を仕切るよう形成されている。リザーバ
23は、インクを共通して各キャビティ21に充たすた
めの流路となっている。供給口24は、リザーバ23か
ら各キャビティ21にインクを導入可能に形成されてい
る。
The pressure chamber substrate 20 has a cavity (pressure chamber).
21, side wall (partition wall) 22, reservoir 23 and supply port 2
4 is provided. The cavity 21 is a space for storing ink or the like formed by etching a substrate such as silicon for discharging. The side wall 22 is formed so as to partition between the cavities 21. The reservoir 23 is a flow path for filling the respective cavities 21 with ink in common. The supply port 24 is formed so that ink can be introduced from the reservoir 23 into each cavity 21.

【0028】ノズル板10は、圧力室基板20に設けら
れたキャビティ21の各々に対応する位置にそのノズル
穴11が配置されるよう、圧力室基板20の一方の面に
貼り合わせられている。ノズル板10を貼り合わせた圧
力室基板20は、さらに筐体25に納められて、インク
ジェット式記録ヘッド1を構成している。
The nozzle plate 10 is bonded to one surface of the pressure chamber substrate 20 such that the nozzle holes 11 are arranged at positions corresponding to the cavities 21 provided in the pressure chamber substrate 20. The pressure chamber substrate 20 to which the nozzle plate 10 is attached is further housed in a housing 25 to constitute the ink jet recording head 1.

【0029】振動板30は圧力室基板20の他方の面に
貼り合わせられている。振動板30には圧電体素子(図
示しない)が設けられている。振動板30には、インク
タンク口(図示せず)が設けられて、図示しないインク
タンクに貯蔵されているインクを圧力室基板20内部に
供給可能になっている。
The vibration plate 30 is bonded to the other surface of the pressure chamber substrate 20. The vibration plate 30 is provided with a piezoelectric element (not shown). The diaphragm 30 is provided with an ink tank opening (not shown) so that ink stored in an ink tank (not shown) can be supplied into the pressure chamber substrate 20.

【0030】<圧電体素子の構成>図3は、上記インク
ジェット式記録ヘッドの圧電体素子部分を拡大した平面
図(a)及びそのi−i線断面図(b)である。図4
は、図3(a)のii−ii線断面図である。
<Structure of Piezoelectric Element> FIGS. 3A and 3B are an enlarged plan view of the piezoelectric element portion of the ink jet recording head and a sectional view taken along line ii of FIG. FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line ii-ii of FIG.

【0031】これらの図に示すように、圧電体素子は、
絶縁膜31上にZrO膜32、下部電極33、圧電体
膜43および上部電極44を順次積層して構成されてい
る。
As shown in these figures, the piezoelectric element
A ZrO 2 film 32, a lower electrode 33, a piezoelectric film 43, and an upper electrode 44 are sequentially laminated on an insulating film 31.

【0032】絶縁膜31は、例えば厚さ220μmの単
結晶シリコンからなる圧力室基板20上に形成する。好
適には、酸化ケイ素(SiO)からなる膜を1.0μ
mの厚さに形成して得る。
The insulating film 31 is formed on the pressure chamber substrate 20 made of, for example, single-crystal silicon having a thickness of 220 μm. Preferably, a film made of silicon oxide (SiO 2 ) has a thickness of 1.0 μm.
m.

【0033】ZrO膜32は、弾性を備える層であっ
て、絶縁膜31と一体となって振動板30を構成してい
る。このZrO膜32は、弾性を与える機能を備える
ため、好ましくは、200nm以上800nm以下の厚
みを有する。
The ZrO 2 film 32 is a layer having elasticity, and constitutes the diaphragm 30 integrally with the insulating film 31. Since the ZrO 2 film 32 has a function of giving elasticity, it preferably has a thickness of 200 nm or more and 800 nm or less.

【0034】ZrO膜32と下部電極33の間には、
双方の層を密着するような金属、好ましくは、チタンま
たはクロムからなる密着層(図示しない)を設けてもよ
い。密着層を設ける場合は、好ましくは、10nm以上
の厚みとする。
Between the ZrO 2 film 32 and the lower electrode 33,
An adhesion layer (not shown) made of a metal, preferably titanium or chromium, that adheres both layers may be provided. When the adhesion layer is provided, the thickness is preferably 10 nm or more.

【0035】下部電極33は、少なくともIrを含む
層、例えば最下層からIrを含む層/Ptを含む層/I
rを含む層の層構造となっている。下部電極33の全体
の厚みは、例えば100nmとする。下部電極33の層
構造はこれに限らず、Irを含む層/Ptを含む層の2
層構成、またはPtを含む層/Irを含む層の2層構造
でもよい。また、Irを含む層のみで構成してもよい。
The lower electrode 33 is formed of a layer containing at least Ir, for example, a layer containing Ir / a layer containing Pt / I
It has a layer structure of a layer containing r. The overall thickness of the lower electrode 33 is, for example, 100 nm. The layer structure of the lower electrode 33 is not limited to this.
It may have a layer structure or a two-layer structure of a layer containing Pt / a layer containing Ir. Further, it may be constituted only by a layer containing Ir.

【0036】圧電体膜43は、ここではチタン酸ジルコ
ン酸鉛(PZT)を用いる。PZTは必要に応じて酸化
ニオブ、酸化ニッケルまたは酸化マグネシウム等の金属
酸化物を添加したものでもよい。
Here, the piezoelectric film 43 uses lead zirconate titanate (PZT). PZT may be added with a metal oxide such as niobium oxide, nickel oxide or magnesium oxide as needed.

【0037】圧電体膜43のうち下部電極33上に形成
された部分は、良好な圧電特性を示すためにはX線回折
広角法により測定した100面配向度が70%以上の膜
であることが望ましい。そして、110面配向度は10
%以下、111面配向度が残部であることが望ましい。
圧電体膜43の厚みは、例えば1000nm以上150
0nm以下とする。但し、100面配向度、110面配
向度及び111面配向度の和は100%とする。
The portion of the piezoelectric film 43 formed on the lower electrode 33 must have a 100-plane orientation degree of 70% or more measured by the X-ray diffraction wide angle method in order to exhibit good piezoelectric characteristics. Is desirable. And the 110 plane orientation degree is 10
% Or less, and the degree of orientation in the 111 plane is desirably the remainder.
The thickness of the piezoelectric film 43 is, for example, 1000 nm or more and 150
0 nm or less. However, the sum of the 100-, 110-, and 111-plane orientations is 100%.

【0038】上部電極44は、下部電極33と対になる
電極であり、好適には、PtまたはIrにより構成され
る。上部電極44の厚みは、好適には50nm程度であ
る。
The upper electrode 44 is an electrode paired with the lower electrode 33, and is preferably made of Pt or Ir. The thickness of the upper electrode 44 is preferably about 50 nm.

【0039】下部電極33は各圧電体素子に共通な電極
となっている。これに対して配線用下電極33aは下部
電極33と同じ高さの層に位置するが、下部電極33や
他の配線用下電極33aとは分離され、細帯電極45を
介して上部電極44に導通可能になっている。
The lower electrode 33 is an electrode common to each piezoelectric element. On the other hand, the lower electrode for wiring 33a is located in a layer having the same height as the lower electrode 33, but is separated from the lower electrode 33 and other lower electrodes for wiring 33a, and the upper electrode 44 via the narrow band electrode 45. Can be conducted.

【0040】<インクジェット式記録ヘッドの動作>上
記インクジェット式記録ヘッド1の構成において、印刷
動作を説明する。制御回路8から駆動信号が出力される
と、供給機構6が動作し用紙5がヘッド1によって印刷
可能な位置まで搬送される。制御回路8から吐出信号が
供給されず圧電体素子の下部電極33と上部電極44と
の間に電圧が印加されていない場合、圧電体膜43には
変形を生じない。吐出信号が供給されていない圧電体素
子が設けられているキャビティ21には、圧力変化が生
じず、そのノズル穴11からインク滴は吐出されない。
<Operation of Inkjet Recording Head> In the configuration of the inkjet recording head 1, a printing operation will be described. When a drive signal is output from the control circuit 8, the supply mechanism 6 operates and the paper 5 is transported by the head 1 to a printable position. When the ejection signal is not supplied from the control circuit 8 and no voltage is applied between the lower electrode 33 and the upper electrode 44 of the piezoelectric element, the piezoelectric film 43 does not deform. No pressure change occurs in the cavity 21 provided with the piezoelectric element to which the ejection signal is not supplied, and no ink droplet is ejected from the nozzle hole 11.

【0041】一方、制御回路8から吐出信号が供給され
圧電体素子の下部電極33と上部電極44との間に一定
電圧が印加された場合、圧電体膜43に変形を生じる。
吐出信号が供給された圧電体素子が設けられているキャ
ビティ21ではその振動板30が大きくたわむ。このた
めキャビティ21内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル穴
11からインク滴が吐出される。ヘッド中で印刷させた
い位置の圧電体素子に吐出信号を個別に供給すること
で、任意の文字や図形を印刷させることができる。
On the other hand, when a discharge signal is supplied from the control circuit 8 and a constant voltage is applied between the lower electrode 33 and the upper electrode 44 of the piezoelectric element, the piezoelectric film 43 is deformed.
In the cavity 21 in which the piezoelectric element to which the ejection signal is supplied is provided, the vibration plate 30 is largely bent. Therefore, the pressure in the cavity 21 increases instantaneously, and ink droplets are ejected from the nozzle holes 11. Arbitrary characters and figures can be printed by individually supplying an ejection signal to the piezoelectric element at a position where printing is desired in the head.

【0042】<製造方法>次に、本発明の圧電体素子の
製造方法を説明する。図5及び図6は、本実施形態の圧
電体素子及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法を
示す断面模式図である。
<Manufacturing Method> Next, a method for manufacturing the piezoelectric element of the present invention will be described. 5 and 6 are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the piezoelectric element and the ink jet recording head according to the present embodiment.

【0043】振動板形成工程(S1) シリコン基板20に絶縁膜31を形成する。シリコン基
板20の厚みは、例えば200μm程度のものを使用す
る。絶縁膜の製造には酸素或いは水蒸気を含む酸化性雰
囲気中で高温処理し、例えば厚さ1μm程度の二酸化珪
素(SiO)の膜を形成する。この工程には通常用い
る熱酸化法の他、CVD法を使用することもできる。
Vibration Plate Forming Step (S1) An insulating film 31 is formed on the silicon substrate 20. The thickness of the silicon substrate 20 is, for example, about 200 μm. To manufacture the insulating film, high-temperature treatment is performed in an oxidizing atmosphere containing oxygen or water vapor to form a silicon dioxide (SiO 2 ) film having a thickness of about 1 μm, for example. In this step, a CVD method can be used in addition to a thermal oxidation method that is usually used.

【0044】更に、絶縁膜31の上に、厚さ400nm
程度のZrO膜32を更に形成する。このZrO
32は、スパッタ法または真空蒸着法等によりZrの層
を形成したものを酸素雰囲気中で高温処理して得られ
る。
Further, on the insulating film 31, a thickness of 400 nm
Further, a ZrO 2 film 32 of a degree is further formed. The ZrO 2 film 32 is obtained by high-temperature processes that form a layer of Zr by sputtering or a vacuum evaporation method or the like in an oxygen atmosphere.

【0045】下部電極を形成する工程(S2) 次に、ZrO膜32上に下部電極33を成膜する。下
部電極33は、例えばIrを含む層を成膜する工程と、
その上にPtを含む層を成膜する工程と、更にその上に
Irを含む層を成膜する工程とからなる。
Step of Forming Lower Electrode (S 2) Next, a lower electrode 33 is formed on the ZrO 2 film 32. The lower electrode 33 includes, for example, a step of forming a layer containing Ir,
The method includes a step of forming a layer containing Pt thereon, and a step of forming a layer containing Ir thereon.

【0046】下部電極33を構成する上記各層は、それ
ぞれIrまたはPtをZrO膜32上に、スパッタ法
等で付着させて成膜する。なお、下部電極33の成膜に
先立ち、チタン又はクロムからなる密着層(図示せず)
をスパッタ法又は真空蒸着法により成膜しても良い。
[0046] The layers constituting the lower electrode 33, the Ir or Pt on ZrO 2 film 32, respectively, forming a film deposited at a sputtering method or the like. Prior to the formation of the lower electrode 33, an adhesion layer made of titanium or chromium (not shown)
May be formed by a sputtering method or a vacuum evaporation method.

【0047】下部電極33の成膜後、直ちに下部電極3
3上にTi層(核)を形成するTi層成膜第1工程を実
行する。例えばスパッタ法等により、Ti層を2nm以
上18nm以下の厚みに成膜する。Ti層は下部電極3
3上に均一に成膜するが、場合によって島状となっても
構わない。
Immediately after the formation of the lower electrode 33, the lower electrode 3
A first step of forming a Ti layer (nucleus) on the third layer is performed. For example, a Ti layer is formed to a thickness of 2 nm to 18 nm by a sputtering method or the like. Ti layer is lower electrode 3
The film is uniformly formed on the substrate 3, but may be island-shaped depending on the case.

【0048】下部電極形成後のパターニング工程(S
3) 次に、下部電極33を配線用下電極33aと分離するた
め所望の形状にマスクし、その周辺をエッチングするこ
とでパターニングを行う。具体的には、まずスピンナー
法、スプレー法等により均一な厚みのレジスト材料を下
部電極上に塗布し(図示せず)、次いで、マスクを圧電
体素子の形状に形成してから露光・現像して、レジスト
パターンを下部電極上に形成する(図示せず)。これに
通常用いるイオンミリング又はドライエッチング法等に
より下部電極33をエッチング除去しZrO膜32を
露出させる。
Patterning step (S) after lower electrode formation
3) Next, the lower electrode 33 is masked into a desired shape to separate it from the lower electrode for wiring 33a, and patterning is performed by etching the periphery. Specifically, first, a resist material having a uniform thickness is applied on the lower electrode by a spinner method, a spray method or the like (not shown), and then a mask is formed in the shape of a piezoelectric element, and then exposed and developed. Then, a resist pattern is formed on the lower electrode (not shown). This lower electrode 33 is etched away usually by ion milling or dry etching method is used to expose the ZrO 2 film 32.

【0049】次に、前記パターニング工程において下部
電極表面に付着した汚染物質や酸化部分等を除去するた
め、逆スパッタリングによるクリーニングを行う(図示
せず)。本実施形態では上記Ti層成膜第1工程で成膜
したTi層が下部電極33上に形成されているため、下
部電極33が逆スパッタリングによる悪影響を受けにく
いものと考えられる。
Next, in order to remove contaminants and oxidized portions attached to the lower electrode surface in the patterning step, cleaning by reverse sputtering is performed (not shown). In the present embodiment, since the Ti layer formed in the first step of forming the Ti layer is formed on the lower electrode 33, it is considered that the lower electrode 33 is hardly affected by the reverse sputtering.

【0050】更に連続して、スパッタ法等により、下部
電極33及びZrO膜32上にTi層(核)を成膜す
るTi層成膜第2工程を実行する。ここで成膜するTi
層は、1nm以上2nm以下の厚みとする。上記第1工
程で成膜するTi層の厚みより、第2工程で成膜するT
i層の厚みを薄くすることが望ましい。2回の工程で付
与されるTi層の合計厚みは、3nm以上20nm以下
となる。
Subsequently, a second step of forming a Ti layer (nucleus) on the lower electrode 33 and the ZrO 2 film 32 is performed by a sputtering method or the like. Ti deposited here
The layer has a thickness of 1 nm to 2 nm. From the thickness of the Ti layer formed in the first step, the T
It is desirable to reduce the thickness of the i-layer. The total thickness of the Ti layers provided in the two steps is 3 nm or more and 20 nm or less.

【0051】圧電体膜を形成する工程(S4) 次に、下部電極33上に圧電体膜43を成膜する。ま
ず、ゾル・ゲル法により、圧電体前駆体膜を形成する。
具体的には、有機金属アルコキシド溶液からなるゾルを
スピンコート等の塗布法によりTi核上に塗布する。次
いで、一定温度で一定時間乾燥させ、溶媒を蒸発させ
る。乾燥後、さらに大気雰囲気下において所定の高温で
一定時間脱脂し、金属に配位している有機の配位子を熱
分解させ、金属酸化物とする。この塗布、乾燥、脱脂の
各工程を所定回数、例えば2回繰り返して2層の圧電体
前駆体膜を積層する。これらの乾燥と脱脂処理により、
溶液中の金属アルコキシドと酢酸塩とは配位子の熱分解
を経て金属、酸素、金属のネットワークを形成する。
Step of Forming Piezoelectric Film (S4) Next, a piezoelectric film 43 is formed on the lower electrode 33. First, a piezoelectric precursor film is formed by a sol-gel method.
Specifically, a sol composed of an organic metal alkoxide solution is applied on the Ti nucleus by an application method such as spin coating. Next, drying is performed at a constant temperature for a predetermined time, and the solvent is evaporated. After drying, degreasing is further performed at a predetermined high temperature in an air atmosphere for a certain period of time, and the organic ligand coordinated to the metal is thermally decomposed into a metal oxide. These steps of coating, drying, and degreasing are repeated a predetermined number of times, for example, twice, so that two piezoelectric precursor films are laminated. By these drying and degreasing,
The metal alkoxide and acetate in the solution form a network of metal, oxygen and metal through thermal decomposition of the ligand.

【0052】次に、圧電体前駆体膜を焼成して圧電体膜
を結晶化させる。この焼成により、圧電体前駆体膜は、
アモルファス状態から菱面体結晶構造をとるようにな
り、電気機械変換作用を示す膜へと変化する。
Next, the piezoelectric precursor film is fired to crystallize the piezoelectric film. By this baking, the piezoelectric precursor film becomes
It changes from an amorphous state to a rhombohedral crystal structure to a film exhibiting an electromechanical conversion action.

【0053】以上のような圧電体膜の形成とその焼成と
を複数回繰り返すことにより、圧電体薄膜を所望の膜厚
とすることができる。例えば1回の焼成につき塗布する
前駆体膜の膜厚を200nmとし、これを5回繰り返
す。
By repeating the above-described formation and firing of the piezoelectric film a plurality of times, the desired thickness of the piezoelectric thin film can be obtained. For example, the thickness of the precursor film applied per firing is set to 200 nm, and this is repeated five times.

【0054】こうして形成された圧電体膜43は、下部
電極33上の部分は下部電極の組成および上記Ti層成
膜第1、第2工程で成膜されたTi層の影響を受け、X
線回折広角法により測定した100面配向度が約80%
の圧電体膜となる。また、下部電極33がパターニング
により除去されZrO膜32が露出した部分に形成さ
れた部分は、上記Ti層成膜第2工程で成膜されたTi
層の影響を受け、100面あるいは111面に優先配向
される。ZrO膜32上のPZTが配向されているの
で、PZTの結晶性が良く結晶粒が細かいため割れるお
それが少ない。
The portion of the piezoelectric film 43 thus formed on the lower electrode 33 is affected by the composition of the lower electrode and the Ti layer formed in the first and second steps of forming the Ti layer.
The degree of orientation of 100 planes measured by X-ray diffraction wide angle method is about 80%
Of the piezoelectric film. The portion ZrO 2 film 32 lower electrode 33 is removed by patterning is formed on the portion exposed was formed by the Ti layer forming second step Ti
Under the influence of the layer, it is preferentially oriented on the 100 plane or the 111 plane. Since the PZT on the ZrO 2 film 32 is oriented, the crystallinity of the PZT is good and the crystal grains are fine, so that there is little possibility of cracking.

【0055】上部電極形成工程(S5) 圧電体膜43上に、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法
により上部電極44を形成する。上部電極44としては
白金(Pt)、イリジウム(Ir)その他の金属を用
い、50nmの膜厚に成膜する。
Upper Electrode Forming Step (S5) An upper electrode 44 is formed on the piezoelectric film 43 by an electron beam evaporation method or a sputtering method. The upper electrode 44 is formed of platinum (Pt), iridium (Ir), or another metal and is formed to a thickness of 50 nm.

【0056】圧電体膜及び上部電極除去工程(S6) 圧電体膜43及び上部電極44を圧電体素子の所定形状
にパターニングする。具体的には、上部電極44上にレ
ジストをスピンコートした後、圧力室が形成されるべき
位置に合わせて露光・現像してパターニングする。残っ
たレジストをマスクとして上部電極44、圧電体膜43
をイオンミリング等でエッチングする。以上の工程によ
り圧電体素子が形成される。
Step of Removing Piezoelectric Film and Upper Electrode (S6) The piezoelectric film 43 and the upper electrode 44 are patterned into a predetermined shape of the piezoelectric element. Specifically, after a resist is spin-coated on the upper electrode 44, patterning is performed by exposing and developing in accordance with a position where a pressure chamber is to be formed. The upper electrode 44 and the piezoelectric film 43 are formed by using the remaining resist as a mask.
Is etched by ion milling or the like. Through the above steps, a piezoelectric element is formed.

【0057】細帯電極形成工程(S7) 次に、上部電極44と配線用下電極33aを導通する細
帯電極45を形成する。細帯電極45の材質は剛性が低
く、電気抵抗が低い金が好ましい。他に、アルミニウ
ム、銅なども好適である。細帯電極45は約0.2μm
の膜厚で成膜し、その後各上部電極と配線用下電極との
導通部が残るようにパターニングする。
Narrow Band Electrode Forming Step (S7) Next, a narrow band electrode 45 for conducting between the upper electrode 44 and the lower electrode for wiring 33a is formed. The material of the narrow band electrode 45 is preferably gold having low rigidity and low electric resistance. Besides, aluminum, copper and the like are also suitable. The band electrode 45 is about 0.2 μm
Then, patterning is performed so that a conductive portion between each upper electrode and the lower electrode for wiring remains.

【0058】圧力室形成工程(S8) 次に、圧電体素子40が形成された圧力室基板20の他
方の面に、異方性エッチングまたは平行平板型反応性イ
オンエッチング等の活性気体を用いた異方性エッチング
を施し、圧力室21を形成する。エッチングされずに残
された部分が側壁22になる。
Pressure Chamber Forming Step (S8) Next, an active gas such as anisotropic etching or parallel plate reactive ion etching is used on the other surface of the pressure chamber substrate 20 on which the piezoelectric element 40 is formed. The pressure chamber 21 is formed by performing anisotropic etching. The portion left without being etched becomes the side wall 22.

【0059】ノズル板貼り合わせ工程(S9) 最後に、エッチング後の圧力室基板20にノズル板10
を接着剤で貼り合わせる。貼り合わせのときに各ノズル
11が圧力室21各々の空間に配置されるよう位置合わ
せする。ノズル板10が貼り合わせられた圧力室基板2
0を図示しない筐体に取り付け、インクジェット式記録
ヘッド1を完成させる。
Nozzle Plate Bonding Step (S9) Finally, the nozzle plate 10 is placed on the pressure chamber substrate 20 after etching.
Are bonded with an adhesive. At the time of bonding, the nozzles 11 are aligned so as to be arranged in the respective spaces of the pressure chambers 21. Pressure chamber substrate 2 to which nozzle plate 10 is attached
0 is attached to a housing (not shown) to complete the ink jet recording head 1.

【0060】<その他の応用例>本発明は、上記実施形
態によらず種々に変形して適用することが可能である。
例えば、本発明で製造した圧電体素子は上記インクジェ
ット式記録ヘッドの圧電体素子のみならず、不揮発性半
導体記憶装置、薄膜コンデンサ、パイロ電気検出器、セ
ンサ、表面弾性波光学導波管、光学記憶装置、空間光変
調器、ダイオードレーザ用周波数二倍器等のような強誘
電体装置、誘電体装置、パイロ電気装置、圧電装置、お
よび電気光学装置の製造に適用することができる。
<Other Applications> The present invention can be applied in various modifications without depending on the above embodiment.
For example, the piezoelectric element manufactured by the present invention is not limited to the piezoelectric element of the above-described ink jet recording head, but also includes a nonvolatile semiconductor memory device, a thin film capacitor, a pyroelectric detector, a sensor, a surface acoustic wave optical waveguide, and an optical memory. The present invention can be applied to the manufacture of ferroelectric devices, such as devices, spatial light modulators, frequency doublers for diode lasers, etc., dielectric devices, pyroelectric devices, piezoelectric devices, and electro-optical devices.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明によれば、圧電体膜の100面配
向度を安定して再現性良く得ることができる。これによ
り、高周波および低周波のいずれにおいても安定した高
い圧電特性を備えた圧電体素子およびこれを用いたイン
クジェット式記録ヘッド、プリンタ並びに圧電体素子の
製造方法を提供することができる。
According to the present invention, the degree of 100-plane orientation of the piezoelectric film can be obtained stably with good reproducibility. As a result, it is possible to provide a piezoelectric element having stable and high piezoelectric characteristics at both high and low frequencies, and an ink jet recording head, a printer and a method of manufacturing the piezoelectric element using the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本実施形態の圧電体素子が使用されるプリン
タの構造を説明する斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a structure of a printer using a piezoelectric element according to an embodiment.

【図2】 本実施形態による圧電体素子を備えたインク
ジェット式記録ヘッドの構造の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a structure of an ink jet recording head including a piezoelectric element according to the present embodiment.

【図3】 上記インクジェット式記録ヘッドの圧電体素
子部分を拡大した平面図(a)及びそのi−i線断面図
(b)である。
FIGS. 3A and 3B are an enlarged plan view of a piezoelectric element portion of the ink jet recording head and a cross-sectional view taken along line ii of FIG.

【図4】 図3(a)のii−ii線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line ii-ii of FIG.

【図5】 本実施形態の圧電体素子及びインクジェット
式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the piezoelectric element and the ink jet recording head according to the embodiment.

【図6】 本実施形態の圧電体素子及びインクジェット
式記録ヘッドの製造方法を示す断面模式図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view illustrating a method for manufacturing the piezoelectric element and the ink jet recording head according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20…圧力室基板、30…振動板、31…絶縁膜、32
…ZrO膜、40…圧電体素子、33…下部電極、4
3…圧電体膜、44…上部電極
20: pressure chamber substrate, 30: diaphragm, 31: insulating film, 32
... ZrO 2 film, 40 ... piezoelectric element, 33 ... lower electrode, 4
3: Piezoelectric film, 44: Upper electrode

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 41/187 H01L 41/08 C 41/22 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01L 41/187 H01L 41/08 C 41/22

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に振動板膜を成膜する工程と、 前記振動板膜上に下部電極を成膜する工程と、 前記下部電極上にTi層を成膜するTi層成膜第1工程
と、 前記下部電極を所定形状にパターニングする工程と、 前記パターニングにより残された下部電極上および下部
電極が除去された前記振動板膜上にTi層を成膜するT
i層成膜第2工程と、 前記Ti層成膜第2工程によりTi層を成膜した下部電
極上にPZT層を成膜する工程と、 前記PZT層上に上部電極を形成する工程と、 を備えた圧電体素子の製造方法。
A step of forming a diaphragm film on the substrate; a step of forming a lower electrode on the diaphragm film; and forming a Ti layer on the lower electrode. A step of patterning the lower electrode into a predetermined shape; and forming a Ti layer on the lower electrode left by the patterning and on the diaphragm film from which the lower electrode has been removed.
a second step of forming an i-layer, a step of forming a PZT layer on the lower electrode on which the Ti layer is formed by the second step of forming a Ti layer, and a step of forming an upper electrode on the PZT layer. A method for manufacturing a piezoelectric element comprising:
【請求項2】 請求項1において、 前記Ti層成膜第1工程により成膜するTi層の膜厚
は、前記Ti層成膜第2工程により成膜するTi層の膜
厚より大きい圧電体素子の製造方法。
2. The piezoelectric body according to claim 1, wherein the thickness of the Ti layer formed in the first step of forming the Ti layer is larger than the thickness of the Ti layer formed in the second step of forming the Ti layer. Device manufacturing method.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、 前記Ti層成膜第1工程により成膜するTi層の膜厚お
よび前記Ti層成膜第2工程により成膜するTi層の膜
厚の合計は、3nm以上20nm以下である圧電体素子
の製造方法。
3. The film thickness of the Ti layer formed in the Ti layer forming first step and the Ti layer formed in the Ti layer forming second step according to claim 1 or 2. The total is a method for manufacturing a piezoelectric element having a thickness of 3 nm or more and 20 nm or less.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記
載の方法によって得られた圧電体素子を備えたインクジ
ェット式記録ヘッドの製造方法であって、 前記基板をエッチングし圧力室を形成する工程と、 前記圧力室を覆うノズル板を形成する工程と、を備えた
インクジェット式記録ヘッドの製造方法。
4. A method of manufacturing an ink jet recording head including a piezoelectric element obtained by the method according to claim 1, wherein the pressure chamber is formed by etching the substrate. A method for manufacturing an ink jet recording head, comprising: a step of forming; and a step of forming a nozzle plate that covers the pressure chamber.
【請求項5】 基板上に振動板膜、下部電極、PZT
層、上部電極を順次積層してなる圧電体素子であって、 前記下部電極は所定形状にパターニングしてなり、 前記PZT層は、パターニングにより残された下部電極
上及び下部電極が除去された前記振動板膜上に形成さ
れ、 前記PZT層のうち前記振動板膜上に形成された部分
は、所定の配向性を有する圧電体素子。
5. A diaphragm film, a lower electrode, a PZT on a substrate
A piezoelectric element formed by sequentially laminating a layer and an upper electrode, wherein the lower electrode is patterned into a predetermined shape, and the PZT layer is formed by removing the lower electrode and the lower electrode left by patterning. A piezoelectric element formed on a diaphragm film, wherein a portion of the PZT layer formed on the diaphragm film has a predetermined orientation.
【請求項6】 請求項5において、 前記PZT層のうち前記下部電極が除去された振動板膜
上に形成された部分は、100面優先配向あるいは11
1面優先配向である圧電体素子。
6. The PZT layer according to claim 5, wherein a portion of the PZT layer formed on the diaphragm film from which the lower electrode has been removed has a 100 plane preferential orientation or 11
A piezoelectric element having one-plane preferred orientation.
【請求項7】 請求項5又は請求項6において、 前記PZT層のうち前記パターニングにより残された下
部電極上に形成された部分は、100面配向度が70%
以上である圧電体素子。
7. The PZT layer according to claim 5, wherein a portion of the PZT layer formed on the lower electrode left by the patterning has a 100-plane orientation degree of 70%.
The piezoelectric element described above.
【請求項8】 請求項5乃至請求項7の何れか一項に記
載の圧電体素子と、当該圧電体素子の機械的変位によっ
て内容積が変化する圧力室と、当該圧力室に連通してイ
ンク滴を吐出する吐出口とを備えることを特徴とするイ
ンクジェット式記録ヘッド。
8. The piezoelectric element according to claim 5, a pressure chamber whose internal volume changes due to mechanical displacement of the piezoelectric element, and a pressure chamber communicating with the pressure chamber. An ink jet recording head, comprising: a discharge port for discharging ink droplets.
【請求項9】 請求項8に記載のインクジェット式記録
ヘッドを印字機構に備えるインクジェットプリンタ。
9. An ink jet printer comprising the ink jet recording head according to claim 8 in a printing mechanism.
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