JP2002314394A - Circuit for controlling output buffer capability - Google Patents

Circuit for controlling output buffer capability

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JP2002314394A
JP2002314394A JP2001117738A JP2001117738A JP2002314394A JP 2002314394 A JP2002314394 A JP 2002314394A JP 2001117738 A JP2001117738 A JP 2001117738A JP 2001117738 A JP2001117738 A JP 2001117738A JP 2002314394 A JP2002314394 A JP 2002314394A
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circuit
output buffer
buffer capacity
mos transistor
control circuit
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JP2001117738A
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Hidetoshi Okamura
秀敏 岡村
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NEC AccessTechnica Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an output buffer capability control circuit which can eliminate small characteristic deviation or the like liable to occur when a semiconductor is manufactured and when a device is used and in which power consumption is also small. SOLUTION: A pair of a P-MOS transistor and an N-MOS transistor is arranged, and a circuit network obtained by combining serial connections of resistors having different resistances and switching means with a serial connection as a base unit is connected between the source terminal of the P-MOS transistor and the drain terminal of the N-MOS transistor. The performance of the pair of the P-MOS transistor and the N-MOS transistor can be controlled by making on-off selectively controllable according to the data in a register which includes the switching means.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おける出力バッファ回路に関し、特に必要に応じて能力
を制御可能とする機能を有する出力バッファ能力制御回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output buffer circuit in a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an output buffer capacity control circuit having a function capable of controlling the capacity as required.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気装置開発にあたっては、集積回路の
設計を行なわなければならない。その際、集積回路や周
辺回路を基板に実装してからでないとノイズ輻射量や、
信号遅延、波形鈍り等の不具合を完全には把握できない
ことが多い。シミュレーションで事前にある程度の予測
は可能であるが、装置として構成された状態における正
確かつ実際の波形予測は困難である。
2. Description of the Related Art In developing an electric device, an integrated circuit must be designed. At that time, the amount of noise radiation and the integrated circuit and peripheral circuits must be mounted on the substrate,
Problems such as signal delay and waveform dulling cannot often be completely understood. Although a certain amount of prediction is possible in advance by simulation, accurate and actual waveform prediction in a state configured as an apparatus is difficult.

【0003】集積回路設計段階で、出力端子のバッファ
出力能力を決定することになるが、周辺回路の追加、基
板上の予想以上の配線長、漂遊容量の影響などにより、
バッファ能力が適切でない場合がたまたま出現する。バ
ッファ能力が大きすぎる場合の対策として、現状ではそ
の出力端子にシリーズ抵抗を挿入して信号を通過させる
ことにより、ノイズの低減、アンダーシュート、オーバ
ーシュートの低減を図ったりしている。
[0003] At the stage of designing an integrated circuit, the buffer output capability of the output terminal is determined.
It happens that the buffering capacity is not appropriate. At present, as a countermeasure for the case where the buffer capacity is too large, a series resistor is inserted into its output terminal to allow a signal to pass, thereby reducing noise, undershoot, and overshoot.

【0004】これとは、逆にバッファ能力が小さかった
場合は、出力端子の近傍にバッファ能力の大きい回路の
搭載されたIC等をシリーズに挿入することで問題解決
することが多かった。
On the other hand, when the buffer capacity is small, the problem is often solved by inserting an IC or the like having a circuit with a large buffer capacity near the output terminal into the series.

【0005】このような不都合を考慮して、多くの対策
技術が提案されている。特開平2‐44415号公報で
は、CMOS回路を複数段組合わせておき、各段間の互
いに対応するMOSFETのゲート間にそれぞれスイッ
チ回路を設けた出力バッファ回路を開示している。これ
ら各スイッチに対してスイッチ制御回路から制御信号を
与えることにより適宜組合せのスイッチをオン‐オフ可
能にして、製品化後にあっても出力信号のドライブ能力
制御が可能なように構成された出力バッファ回路として
いる。
[0005] In consideration of such inconveniences, many countermeasure techniques have been proposed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-44415 discloses an output buffer circuit in which a plurality of CMOS circuits are combined and a switch circuit is provided between the gates of MOSFETs corresponding to each other. By providing a control signal from the switch control circuit to each of these switches, an appropriate combination of switches can be turned on and off, and an output buffer configured to be able to control the output signal drive capability even after commercialization. Circuit.

【0006】また、特開平3‐238917号公報は、
個別的に対応するように配置された複数系統の出力バッ
ファを開示している。これらの出力バッファを介して信
号送出を行う複数の出力バッファが同一の端子に共通接
続された状態を選択的に形成するバッファ制御手段を含
む半導体回路として構成されている。その結果、負荷駆
動能力がユーザ使用状態に応じて変更可能としたもので
ある。
[0006] Also, JP-A-3-238917 discloses that
A plurality of output buffers arranged to correspond individually are disclosed. A plurality of output buffers for transmitting signals via these output buffers are configured as semiconductor circuits including buffer control means for selectively forming a state in which they are commonly connected to the same terminal. As a result, the load driving capability can be changed according to the user usage state.

【0007】回路の負荷容量に応じて出力バッファの駆
動能力を調整する他の先行技術、特開平9‐21431
5号公報では、入力信号が印加される入力ノードと信号
出力パッドとの間に並列接続された複数個のトランジス
タを設けた出力バッファ、半導体回路および出力バッフ
ァの駆動能力調整方法を開示している。これらトランジ
スタの入力を個別に切り換え可能な複数のスイッチ手段
を設け、信号出力パッドに接続される外部回路の負荷容
量を参照して各スイッチ手段の切り換え状態を設定可能
としている。
Another prior art for adjusting the driving capability of an output buffer according to the load capacity of a circuit is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-21431.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5 (1999) -125 discloses an output buffer provided with a plurality of transistors connected in parallel between an input node to which an input signal is applied and a signal output pad, a semiconductor circuit, and a method for adjusting the driving capability of the output buffer. . A plurality of switch means capable of individually switching the inputs of these transistors are provided, and the switching state of each switch means can be set by referring to the load capacitance of an external circuit connected to the signal output pad.

【0008】さらに、複数段のCMOSを利用した駆動
電流制御用CMOS出力バッファ回路を開示している先
行技術もある(特開平9−270698号公報)。この
先行技術では、各段間の互いに対応するMOSFETの
ゲート間にそれぞれスイッチ回路を設け、これらスイッ
チに対してスイッチ制御回路から制御信号を与えてオン
‐オフ制御するものである。
Further, there is another prior art which discloses a CMOS output buffer circuit for driving current control using a plurality of CMOS stages (Japanese Patent Laid-Open No. 9-27098). In this prior art, switch circuits are provided between the gates of MOSFETs corresponding to each stage, and a switch control circuit supplies a control signal to these switches to perform on-off control.

【0009】上述の先行技術にかかる解決手段では、多
くの並列回路を設けることによりオン抵抗を小さくする
ことを基本としている。したがって、各回路のオンタイ
ミングの微細なズレにより波形にノイズ成分が重畳する
可能性がある。また、使用される半導体素子が多くなる
ため消費電力が大きくなり、そして大きな電源容量が必
要となることから、特に小形軽量化を目指す携帯機器、
モバイル機器等に利用する際に重要な要素となる持続時
間延長の要請に反することになる。
The above-mentioned solution according to the prior art is based on reducing on-resistance by providing many parallel circuits. Therefore, there is a possibility that a noise component is superimposed on the waveform due to a minute shift of the ON timing of each circuit. In addition, power consumption increases due to the increase in the number of semiconductor elements used, and a large power supply capacity is required.
This is contrary to the demand for extending the duration, which is an important factor when used in mobile devices and the like.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な従来技術の欠点を解消し、簡易な回路構成により消費
電力が少なく、かつノイズ発生等のおそれがない上、半
導体製造時に生じがちな微細な特性ズレをもソフトウェ
ア変更により解決可能な出力バッファ能力制御回路を提
供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned drawbacks of the prior art, reduces power consumption by a simple circuit configuration, does not cause noise or the like, and also causes noise during semiconductor manufacturing. An object of the present invention is to provide an output buffer capacity control circuit capable of solving even a minute characteristic deviation by changing software.

【0011】[0011]

【課題を解決する為の手段】本発明の課題は、1対のP
チャンネルMOSトランジスタ(以下、P-MOSとも
いう)及びNチャンネルMOSトランジスタ(以下、N
-MOSともいう)を配設し、前記P-MOSトランジス
タのソース端子とN-MOSトランジスタのドレイン端
子との間に、異なる抵抗値を有する抵抗とスイッチ手段
との直列接続を基本単位として組み合わされた回路網を
接続し、内蔵するレジスタのデータにしたがって前記ス
イッチ手段を選択的にオン‐オフ制御可能とすることに
より、前記1対のP-MOSトランジスタ及びN-MOS
トランジスタの能力を制御可能となるよう構成した出力
バッファ能力制御回路によって解決される。
The object of the present invention is to provide a pair of P
A channel MOS transistor (hereinafter also referred to as P-MOS) and an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as N-
-MOS), and a series connection of resistors having different resistance values and switch means is connected between the source terminal of the P-MOS transistor and the drain terminal of the N-MOS transistor as a basic unit. Connected to a pair of P-MOS transistors and N-MOSs by selectively turning on and off the switch means in accordance with data in a built-in register.
The problem is solved by an output buffer capacity control circuit configured so that the capacity of the transistor can be controlled.

【0012】また、本発明の課題は、前記レジスタのデ
ータが、電子装置の完成後及び/又は装置使用状態に応
じてソフト的に設定可能である出力バッファ能力制御回
路によって有利に解決される。
Further, the object of the present invention is advantageously solved by an output buffer capacity control circuit in which the data of the register can be set by software after completion of the electronic device and / or according to the state of use of the device.

【0013】さらに、前記抵抗の最小抵抗値が、実質上
0〔Ω〕に選定された出力バッファ能力制御回路によっ
て有利に解決される。
Furthermore, the minimum resistance value of the resistor is advantageously solved by an output buffer capacity control circuit selected to be substantially 0 [Ω].

【0014】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路
によれば、電子装置としての調整の際及び/又は使用可
能な状態になって、バッファ能力が不適切であることに
よるノイズや異常波形の発生を、ソフトウェアの変更に
よって容易に回避、改善が可能であり、装置開発に要す
る開発期間の短縮、工数の削減、装置回路の簡略化によ
る小型化、軽量化が達せられ、原価低減に資するメリッ
トがある。
According to the output buffer capacity control circuit according to the present invention, when the electronic apparatus is adjusted and / or when the electronic apparatus is in a usable state, generation of noise or abnormal waveform due to inappropriate buffer capacity is prevented. , Can be easily avoided and improved by changing the software, shortening the development period required for device development, reducing man-hours, and miniaturizing and reducing weight by simplifying device circuits, which has the advantage of contributing to cost reduction. .

【0015】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路
の回路構成を備えた集積回路によれば、信号の鈍り、信
号からの輻射ノイズという問題に対し、集積回路出力端
子のバッファ能力をソフトウェアによって変更すること
ができ、その信号から輻射されるノイズの低減や、アン
ダーシュート、オーバーシュート等の低減が可能とな
る。また、その信号の負荷が大きく、波形が鈍ってしま
う場合であっても、同様にソフトウェア変更により出力
端子のバッファ能力を上げる様修正することができ、目
標とする波形を出力することが可能となる。
According to the integrated circuit having the circuit configuration of the output buffer capacity control circuit according to the present invention, the buffer capacity of the output terminal of the integrated circuit is changed by software in response to the problem of signal dullness and radiation noise from the signal. Thus, noise radiated from the signal can be reduced, and undershoot, overshoot, and the like can be reduced. Also, even when the signal load is large and the waveform becomes dull, the software can be modified to increase the buffer capacity of the output terminal in the same manner, and the target waveform can be output. Become.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照しつつ本発明
にかかる出力バッファ能力制御回路を開示する。実施例
の構成を図1及び図3を用いて説明する。図3は、様々
な電子・電気装置を象徴的に示すブロック図である。こ
こに示す周辺回路10は、多様な装置の回路部分を代表
的に総称しているものであり、この周辺回路10に対し
てCPU11、さらにメモリ12が接続されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An output buffer capacity control circuit according to the present invention will be disclosed below with reference to the accompanying drawings. The configuration of the embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram symbolically showing various electronic / electric devices. The peripheral circuit 10 shown here is a generic name for circuit parts of various devices, and a CPU 11 and a memory 12 are connected to the peripheral circuit 10.

【0017】CPU11及び周辺回路10中における種
々の集積回路の出力端子は、図1のような回路で構成さ
れる。ここでは、図示が省略されている上位回路要素か
らの出力信号が左端の入力端子INから入って右端の出
力端子OUTから次段に伝えられる。
Output terminals of various integrated circuits in the CPU 11 and the peripheral circuit 10 are constituted by circuits as shown in FIG. Here, an output signal from an upper circuit element, not shown, enters from the left input terminal IN and is transmitted to the next stage from the right output terminal OUT.

【0018】図1の回路では、P-MOS21とN-MO
S31が上下に配設され、それぞれのゲートが入力端子
INに接続されている。P-MOS21のソース端子2
2とN-MOS31のドレイン端子32との間には、ス
イッチ手段SW及び抵抗Rとの直列接続を基本単位とす
る3通りの接続、すなわち(1)SW1‐R0‐R0’
‐SW2、(2)SW3‐R1‐R2‐SW4、(3)
SW5‐R3‐R4‐SW6のそれぞれが並列に接続さ
れた組合せ回路網が接続される。各抵抗R0‐R0’、
R1‐R2及びR3‐R4のそれぞれの接続点を電気
的に接続した引出し線が出力端子OUTとなる。
In the circuit of FIG. 1, the P-MOS 21 and the N-MO
S31 is disposed above and below, and each gate is connected to the input terminal IN. Source terminal 2 of P-MOS 21
3 and the drain terminal 32 of the N-MOS 31 are connected in three ways based on a series connection of the switch means SW and the resistor R, that is, (1) SW1-R0-R0 '.
-SW2, (2) SW3-R1-R2-SW4, (3)
A combination network in which SW5-R3-R4-SW6 are connected in parallel is connected. Each resistor R0-R0 ',
A lead line that electrically connects the respective connection points of R1-R2 and R3-R4 becomes the output terminal OUT.

【0019】なお、P-MOS21のドレイン端子22
にはドレイン電圧が印加され、またN-MOSのソース
端子33は接地されている。
The drain terminal 22 of the P-MOS 21
Is applied with a drain voltage, and the source terminal 33 of the N-MOS is grounded.

【0020】ここに示されたスイッチ手段SW1〜SW
6は、後述するように集積回路内に設けられているレジ
スタの出力にしたがってオン‐オフ制御される。また、
これらスイッチと直列に接続されている抵抗R0‐R
0’、R1‐R2及びR3‐R4はそれぞれ異なる抵抗
値となる様に選定されるものであり、例えばR0<R1
<R3、そしてR0’<R2<R4である。なお、最小
抵抗R0及びR0’は接続導体の抵抗のみとして実質的
に0〔Ω〕であるように構成することができる。
The switch means SW1 to SW shown here
6 is controlled on-off according to the output of a register provided in the integrated circuit as described later. Also,
Resistors R0-R connected in series with these switches
0 ', R1-R2 and R3-R4 are selected to have different resistance values, for example, R0 <R1
<R3, and R0 ′ <R2 <R4. Note that the minimum resistances R0 and R0 ′ can be configured to be substantially 0 [Ω] only as the resistance of the connection conductor.

【0021】図1の実施例では、スイッチSWと抵抗R
との直列接続は3種類が並列接続されているが、4以上
とすることも可能である。
In the embodiment shown in FIG. 1, the switch SW and the resistor R
Are connected in parallel in three types, but may be four or more.

【0022】以下、実施例の動作の詳細について図1〜
4を用いて説明する。図3に示したブロック図による電
子・電気装置によれば、CPU11は、メモリ12に搭
載されているソフトウェアの内容にしたがって周辺回路
10へ動作命令を行う。命令を行う手段としては、バス
ライン、ポート信号、その他の信号線によって行なわ
れ、それぞれが対応部位に接続されている。
Hereinafter, details of the operation of the embodiment will be described with reference to FIGS.
4 will be described. According to the electronic / electric device according to the block diagram shown in FIG. 3, the CPU 11 issues an operation instruction to the peripheral circuit 10 in accordance with the contents of software installed in the memory 12. The means for executing the instruction is performed by a bus line, a port signal, and other signal lines, each of which is connected to a corresponding part.

【0023】CPU11及び周辺回路10中の集積回路
の内部には、図2に示すような論理により動作するレジ
スタが設けられており、CPU11により又はCPU1
1からの命令によって書き込み可能な構成を持ってい
る。図2の論理によれば、データが01Hの場合は、図
1に示した最も小さな抵抗R0、R0’、例えば実質上
0〔Ω〕である回路のSW1、SW2のみをオンにす
る。このように小さな抵抗を接続するとバッファ能力は
大となる。
A register which operates according to the logic shown in FIG. 2 is provided inside the integrated circuit in the CPU 11 and the peripheral circuit 10.
It has a configuration that can be written by an instruction from 1. According to the logic of FIG. 2, when the data is 01H, only the smallest resistances R0 and R0 'shown in FIG. 1, for example, only the switches SW1 and SW2 of the circuit having substantially 0 [Ω] are turned on. Connecting such a small resistor increases the buffer capacity.

【0024】同様に、データが02Hの場合はSW3、
SW4のみをオンとし、またデータが04Hの場合はS
W5、SW6のみをオンとし、それぞれに接続されてい
る抵抗値の大きな抵抗R1‐R2またはR3‐R4の直
列回路を入れることができ、対応する能力を達成するこ
とができる。大きな抵抗値の抵抗を接続した場合、バッ
ファ能力は小となる。
Similarly, when the data is 02H, SW3,
When only SW4 is turned on, and when the data is 04H, S
Only W5 and SW6 are turned on, and a series circuit of resistors R1-R2 or R3-R4 having a large resistance value connected to each can be inserted, and the corresponding capability can be achieved. When a resistor having a large resistance value is connected, the buffer capacity becomes small.

【0025】これらの動作を総括すると、図2のデータ
「01H」ではSW1、SW2のみがオンとなり抵抗が
最小であるため、バッファ能力は最大である。データ
「02H」ではSW3、SW4のみがオンとなり抵抗が
中位であるため、バッファ能力は中位となる。また、デ
ータ「04H」ではSW5、SW6のみがオンとなり抵
抗が最大であるため、バッファ能力は最小となる。実際
の運用にあたっては、初期状態ではデータ「02H」と
してバッファ能力を中位としておき、バッファ能力を低
減する場合はデータ「04H」とし、またバッファ能力
を大きくする場合はデータ「01H」とするように制御
することができる。なお、ここに示したのは例示であっ
て、これとは異なる論理によって動作せしめることも可
能である。
To summarize these operations, in the data "01H" of FIG. 2, only SW1 and SW2 are turned on and the resistance is minimum, so that the buffer capacity is maximum. In the data "02H", only the switches SW3 and SW4 are turned on and the resistance is medium, so that the buffer capacity is medium. Further, in the data "04H", only the switches SW5 and SW6 are turned on and the resistance is the maximum, so that the buffer capacity is the minimum. In an actual operation, the buffer capacity is set to a medium level in the initial state as data “02H”, the data is set to “04H” when the buffer capacity is reduced, and the data is “01H” when the buffer capacity is increased. Can be controlled. It is to be noted that what is shown here is merely an example, and it is also possible to operate by a different logic.

【0026】図1に示した回路のSW1、SW2;SW
3、SW4;SW5、SW6は、前述のように図2のレ
ジスタの値にしたがってオン‐オフ制御される様な回路
を持ち、各スイッチSW0〜SW6のオン‐オフ操作に
よって、回路内に接続される抵抗値が様々に変化するた
め、出力端子OUTからみたバッファ能力の変更を実現
している。またこの出力バッファは、予め判っているバ
ッファ能力を有し、それぞれの抵抗値の組合せにより任
意の能力変更が可能となる。
SW1, SW2; SW of the circuit shown in FIG.
3, SW4; SW5 and SW6 have a circuit that is controlled on-off according to the value of the register of FIG. 2 as described above, and are connected in the circuit by the on-off operation of each of the switches SW0 to SW6. Since the resistance value varies in various ways, a change in the buffer capacity viewed from the output terminal OUT is realized. Further, this output buffer has a buffer capacity known in advance, and an arbitrary capacity can be changed by a combination of the respective resistance values.

【0027】本発明者は、あるレジスタ値で波形の確認
を行った。例えば、図4の様なアンダーシュートないし
はオーバーシュートとなる波形が存在した場合や、波形
の動作する高調波によるノイズの輻射が問題となる場合
は、大きな抵抗値の抵抗を接続してバッファ能力を小と
する方向にソフトウェアのレジスタ値を決定するデータ
の変更を行ない、バッファ能力の変更を行うことができ
る。
The inventor has confirmed the waveform with a certain register value. For example, when there is an undershoot or overshoot waveform as shown in FIG. 4, or when there is a problem of noise radiation due to a harmonic that operates, a resistor having a large resistance value is connected to increase the buffer capacity. The data for determining the register value of the software is changed in the direction of decreasing the size, and the buffer capacity can be changed.

【0028】また、図5の様に、基板の容量の大小や配
線長の要因による波形の鈍りの問題が生ずる場合は、小
さな抵抗値の回路とすることによりバッファ能力を大き
くする方向にソフトウェアのレジスタ値を決定するよう
にデータの変更を行ない、バッファ能力の変更を行うこ
とができる。なお、実質上0〔Ω〕で両MOS間を接続
した場合に最大のバッファ能力が得られる。
As shown in FIG. 5, when there is a problem of waveform dulling due to the size of the substrate capacitance or the wiring length, a software having a small resistance value is used to increase the buffer capacity by using a circuit having a small resistance value. The data can be changed so as to determine the register value, and the buffer capacity can be changed. It should be noted that the maximum buffer capacity is obtained when both MOS transistors are connected at substantially 0 [Ω].

【0029】[0029]

【効果】装置開発段階の電気装置において、本発明にか
かる出力バッファ能力制御回路を搭載することによっ
て、バッファ能力の不適切によるノイズや異常な波形
を、ソフトウェアによる回路構成の変更により容易に回
避可能となる。
[Effect] By mounting the output buffer capacity control circuit according to the present invention in an electrical device in a device development stage, noise and abnormal waveforms due to inappropriate buffer capacity can be easily avoided by changing the circuit configuration by software. Becomes

【0030】また、従来技術における同様の構成に対し
て所要回路素子数が少ないため、消費電力が増大するこ
ともない。したがって、電子装置開発の開発期間の短
縮、工数の削減、装置回路の簡略化による小型化、軽量
化、原価低減が可能となる大きな効果が期待できる。
Further, since the number of required circuit elements is smaller than that of the same configuration in the prior art, power consumption does not increase. Therefore, it is possible to expect a great effect that the development period of the electronic device can be shortened, the number of steps can be reduced, and the device circuit can be reduced in size and weight and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路の実
施例の回路構成図である。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an embodiment of an output buffer capacity control circuit according to the present invention.

【図2】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路にお
ける各スイッチを制御するレジスタの構成例である。
FIG. 2 is a configuration example of a register that controls each switch in an output buffer capacity control circuit according to the present invention.

【図3】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路を利
用する電子・電気装置を象徴的に示したブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram symbolically showing an electronic / electric device using the output buffer capacity control circuit according to the present invention.

【図4】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路を利
用する電子・電気装置におけるオーバーシュート及びア
ンダーシュート出力波形の例を示した波形図である。
FIG. 4 is a waveform diagram showing an example of overshoot and undershoot output waveforms in an electronic / electric device using the output buffer capacity control circuit according to the present invention.

【図5】本発明にかかる出力バッファ能力制御回路を利
用する電子・電気装置における容量不適切の場合の出力
波形の例を示した波形図である。
FIG. 5 is a waveform diagram showing an example of an output waveform in the case of inappropriate capacity in an electronic / electric device using the output buffer capacity control circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 周辺回路 11 CPU 12 メモリ 21 PチャンネルMOSトランジスタ(P-MO
S) 22 ドレイン端子 23 ソース端子 31 NチャンネルMOSトランジスタ(N-MO
S) 32 ドレイン端子 33 ソース端子 SW1〜SW6 スイッチ手段 R0、R0’、R1、R2、R3、R4 抵抗
10 Peripheral circuit 11 CPU 12 Memory 21 P-channel MOS transistor (P-MO
S) 22 Drain terminal 23 Source terminal 31 N-channel MOS transistor (N-MO
S) 32 drain terminal 33 source terminal SW1 to SW6 switch means R0, R0 ', R1, R2, R3, R4 Resistance

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1対のP-MOSトランジスタ及びN-M
OSトランジスタを配設し、前記P-MOSトランジス
タのソース端子とN-MOSトランジスタのドレイン端
子との間に、異なる抵抗値を有する抵抗とスイッチ手段
との直列接続を基本単位として組み合わされた回路網を
接続し、内蔵するレジスタのデータにしたがって前記ス
イッチ手段を選択的にオン‐オフ制御可能とすることに
より、前記1対のP-MOSトランジスタ及びN-MOS
トランジスタの能力を制御可能となるよう構成したこと
を特徴とする出力バッファ能力制御回路。
1. A pair of P-MOS transistors and N-M
A circuit network in which an OS transistor is provided, and a series connection of a resistor and a switch having different resistance values is connected between a source terminal of the P-MOS transistor and a drain terminal of the N-MOS transistor as a basic unit. And the switch means can be selectively turned on / off in accordance with data of a built-in register, whereby the pair of P-MOS transistors and N-MOS
An output buffer capacity control circuit characterized in that the capacity of a transistor can be controlled.
【請求項2】 前記レジスタのデータが、電子装置の完
成後及び/又は装置使用状態に応じてソフト的に設定可
能であることを特徴とする請求項1に記載の出力バッフ
ァ能力制御回路。
2. The output buffer capacity control circuit according to claim 1, wherein the data of the register can be set by software after completion of the electronic device and / or in accordance with the use condition of the device.
【請求項3】 前記抵抗の抵抗値が、小から大まで順次
異なるように選定された抵抗であることを特徴とする請
求項1又は請求項2に記載の出力バッファ能力制御回
路。
3. The output buffer capacity control circuit according to claim 1, wherein the resistance value of the resistor is selected so that the resistance value sequentially changes from small to large.
【請求項4】 前記抵抗の最小の抵抗値が、実質上ゼロ
〔Ω〕に選定されることを特徴とする請求項3に記載の
出力バッファ能力制御回路。
4. The output buffer capacity control circuit according to claim 3, wherein a minimum resistance value of said resistor is selected to be substantially zero [Ω].
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