JP2002303985A - 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応性、剛直性及び基板密着性に優れ、かつ
現像時の膨潤の小さい高分子化合物、該高分子化合物を
ベース樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及びエッ
チング耐性を有するレジスト材料、及び該レジスト材料
を用いたパターン形成方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 下記一般式（１−１）又は（１−２）で
示される繰り返し単位を含有する重量平均分子量１，０
００〜５００，０００の新規高分子化合物と、該高分子
化合物をベース樹脂として用いたレジスト材料と、該レ
ジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、（１）特定の繰り
返し単位を含有する高分子化合物、（２）この高分子化
合物をベース樹脂として含有するレジスト材料、及び
（３）このレジスト材料を用いたパターン形成方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴
い、パターンルールの微細化が求められているなか、次
世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有
望視されている。中でもＫｒＦエキシマレーザー光、Ａ
ｒＦエキシマレーザー光を光源としたフォトリソグラフ
ィーは、０．３μｍ以下の超微細加工に不可欠な技術と
してその実現が切望されている。

【０００３】ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト材料で
は、実用可能レベルの透明性とエッチング耐性を併せ持
つポリヒドロキシスチレンが事実上の標準ベース樹脂と
なっている。ＡｒＦエキシマレーザー用レジスト材料で
は、ポリアクリル酸又はポリメタクリル酸の誘導体や脂
肪族環状化合物を主鎖に含有する高分子化合物等の材料
が検討されているが、いずれのものについても長所と短
所があり、未だ標準ベース樹脂が定まっていないのが現
状である。

【０００４】即ち、ポリアクリル酸又はポリメタクリル
酸の誘導体を用いたレジスト材料の場合、酸分解性基の
反応性が高い、基板密着性に優れる等の利点が有り、感
度と解像性については比較的良好な結果が得られるもの
の、樹脂の主鎖が軟弱なためにエッチング耐性が極めて
低く、実用的でない。一方、脂肪族環状化合物を主鎖に
含有する高分子化合物を用いたレジスト材料の場合、樹
脂の主鎖が十分剛直なためにエッチング耐性は実用レベ
ルにあるものの、酸分解性保護基の反応性が（メタ）ア
クリル系のものに比べて大きく劣るために低感度及び低
解像性であり、また樹脂の主鎖が剛直過ぎるために基板
密着性が低く、やはり好適でない。なお、（メタ）アク
リル系は、メタクリル系又はアクリル系を意味する。

【０００５】また、（メタ）アクリル系、脂環主鎖系の
双方に共通の問題として、レジスト膜の膨潤によるパタ
ーンの崩壊がある。これらの系のレジスト材料は、露光
前後の溶解速度差を大きくすることでその解像性能を向
上させてきており、その結果、非常に疎水性の高いもの
となってしまっている。高疎水性のレジスト材料は、未
露光部では強力に膜を維持し、過露光部では瞬時に膜を
溶解させることができる一方で、その間のかなり広い露
光領域では現像液の浸入を許しながらも溶解には至ら
ず、即ち膨潤する。実際にＡｒＦエキシマレーザーが用
いられる極めて微細なパターンサイズでは、膨潤によっ
て隣接するパターンが癒着、崩壊してしまうレジスト材
料は使用できない。パターンルールのより一層の微細化
が求められる中、感度、解像性、エッチング耐性におい
て優れた性能を発揮することに加え、さらに膨潤も十分
に抑えられたレジスト材料が必要とされているのであ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたもので、（１）反応性、剛直性及び基板密着
性に優れ、かつ現像時の膨潤の小さい高分子化合物、
（２）該高分子化合物をベース樹脂とし、従来品を大き
く上回る解像性及びエッチング耐性を有するレジスト材
料、及び（３）該レジスト材料を用いたパターン形成方
法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成するため鋭意検討を重ねた結果、後述する方法によっ
て得られる下記一般式（１−１）又は（１−２）で示さ
れる繰り返し単位を含有する重量平均分子量１，０００
〜５００，０００の新規高分子化合物が反応性、剛直性
及び基板密着性に優れ、また現像液に対する溶解性が適
度に高く、膨潤が小さいこと、この高分子化合物をベー
ス樹脂として用いたレジスト材料が高解像性及び高エッ
チング耐性を有すること、そしてこのレジスト材料が精
密な微細加工に極めて有効であることを知見した。

【０００８】即ち、下記一般式（１−１）又は（１−
２）で示される繰り返し単位を含有することを特徴とす
る重量平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子
化合物を提供する。

【化６】 （式中、Ｒ¹は水素原子、メチル基又はＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ³を
示す。Ｒ²は水素原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ³を示す。
Ｒ³は、Ｒ¹とＲ²で共通しても異なってもよい炭素数１
〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。
Ｗは炭素数２〜１０の直鎖状又は分岐状の２価の炭化水
素基を示し、その構造中に１個以上のエステル結合を有
し、更にヘテロ原子を含む別の原子団で置換されていて
もよい。ｋは０又は１である。）

【０００９】また、本発明は、上記高分子化合物を含む
ことを特徴とするレジスト材料を提供し、該レジスト材
料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスク
を介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程
と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像
する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を
提供する。

【００１０】一般式（１−１）又は（１−２）で示され
る繰り返し単位を含有する高分子化合物は、架橋を持つ
脂環を主鎖に含有しているため、高い剛直性を有する。
また、側鎖に極めて極性の高い７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプタン環を有するため、基板密着性及
び膨潤軽減に直結する現像液親和性にも優れる。更に、
７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン環と剛直な
主鎖との間に導入された適当な長さのスペーサーによっ
て従来過剰であった剛直性が適度に緩和され、また７−
オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン環部分が主鎖か
ら離れて配置されるために極性基としてより有効に働く
ようになり、結果として従来品を大きく上回る基板密着
性を有するものとなった。また、従来より大きな問題で
あった反応性の低さに関しても、スペーサー導入の効果
で発生酸の拡散性が高くなったことで改善され、同時に
ラインエッジラフネスの低減も達成された。従って、こ
の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、感
度、解像性及びエッチング耐性のすべてにおいて優れた
性能を有し、更に現像時の膨潤も十分に抑制されてお
り、微細パターンの形成に極めて有用なものとなるので
ある。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明につき更に詳細に説
明する。本発明の新規高分子化合物は、一般式（１−
１）又は（１−２）で示される繰り返し単位を含有する
ことを特徴とする重量平均分子量１，０００〜５００，
０００のものである。

【００１２】ここで、Ｒ¹は水素原子、メチル基又はＣ
Ｈ₂ＣＯ₂Ｒ³を示す。Ｒ³の具体例については後述する。
Ｒ²は水素原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ³を示す。Ｒ³は、
Ｒ¹とＲ²で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の
直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的に
はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシ
クロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシク
ロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル
基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を
例示できる。ｋは０又は１である。

【００１３】Ｗは炭素数２〜１０の直鎖状又は分岐状の
２価の炭化水素基を示し、その構造中に１個以上のエス
テル結合を有してもよく、更にヘテロ原子を含む別の原
子団で置換されていてもよい。Ｗとしては種々例示でき
るが、具体的には下記の基を挙げられる。

【化７】 （式中、鎖線は結合手を示す。）

【００１４】また、本発明の高分子化合物は、好ましく
は次の４種類のものとすることができる。 （１）一般式（１−１）で示される繰り返し単位に加
え、下記一般式（２−１）で示される繰り返し単位を含
有するもの。

【化８】 （式中、ｋは上記と同様である。Ｒ^1'は水素原子、メチ
ル基又はＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^2'は水素原子、メチ
ル基又はＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^3'は、Ｒ^1'とＲ^2'で共通
しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴は酸不安定基を示
す。Ｒ⁵はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１５の直
鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、アシルオキシ基
又はアルキルスルフォニルオキシ基、又は炭素数２〜１
５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルコキシ基
又はアルコキシカルボニルオキシ基を示し、構成炭素原
子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換さ
れていてもよい。Ｚは単結合又は炭素数１〜５の直鎖
状、分岐状又は環状の（ｐ＋２）価の炭化水素基を示
し、炭化水素基である場合には、１個以上のメチレン基
が酸素原子に置換されて鎖状又は環状のエーテルを形成
してもよく、同一炭素上の２個の水素原子が酸素原子に
置換されてケトンを形成してもよい。ｐは０、１又は２
である。）

【００１５】（２）一般式（１−１）で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式（２−１）及び（３）で示さ
れる繰り返し単位を含有するもの。

【化９】 （式中、ｋ、ｐ、Ｒ^1'〜Ｒ^3'、Ｒ⁴〜Ｒ⁵は上記と同様で
ある。Ｙは−Ｏ−又は−（ＮＲ⁶）−を示し、Ｒ⁶は水素
原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基を示す。）

【００１６】（３）一般式（１−１）で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式（４）で示される繰り返し単
位又は下記一般式（４）で示される繰り返し単位と下記
一般式（２−１）で示される繰り返し単位を含有し、更
に下記一般式（３）で示される繰り返し単位とを含有す
るもの。

【化１０】 （式中、ｋ、ｐ、Ｒ^1'〜Ｒ^3'、Ｒ⁴〜Ｒ⁵、Ｙは上記と同
様である。Ｒ^1"は水素原子、メチル基又はＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ
^3"を示す。Ｒ^2"は水素原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3"を
示す。Ｒ^3"は、Ｒ^1"とＲ^2"で共通しても異なってもよい
炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基
を示す。Ｒ^4'は酸不安定基を示す。）

【００１７】（４）一般式（１−２）で示される繰り返
し単位に加え、下記一般式（２−２）で示される繰り返
し単位を含有するもの。

【化１１】 （式中、ｋ、ｐ、Ｒ^1'〜Ｒ^3'、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、上記と同様
である。）

【００１８】Ｒ^1'〜Ｒ^3'及びＲ^1"〜Ｒ^3"は、Ｒ¹〜Ｒ³に
関する上記と同様である。Ｒ⁴とＲ^{4 '}は酸不安定基を示
し、その具体例については後述する。Ｒ⁵はハロゲン原
子、水酸基、炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状
のアルコキシ基、アシルオキシ基又はアルキルスルフォ
ニルオキシ基、又は炭素数２〜１５の直鎖状、分岐状又
は環状のアルコキシアルコキシ基又はアルコキシカルボ
ニルオキシ基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部
又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよく、具体
的にはフッ素、塩素、臭素、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
アミロキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、エチルシクロペンチルオキシ基、ブチルシクロペン
チルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ブチル
シクロヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ基、エチ
ルアダマンチルオキシ基、ブチルアダマンチルオキシ
基、フォルミルオキシ基、アセトキシ基、エチルカルボ
ニルオキシ基、ピバロイルオキシ基、メタンスルフォニ
ルオキシ基、エタンスルフォニルオキシ基、ｎ−ブタン
スルフォニルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ト
リクロロアセトキシ基、２，２，２−トリフルオロエチ
ルカルボニルオキシ基、メトキシメトキシ基、１−エト
キシエトキシ基、１−エトキシプロポキシ基、１−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキシ
エトキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、２−
テトラヒドロピラニルオキシ基、メトキシカルボニルオ
キシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ基等を例示できる。Ｙは−Ｏ−又
は−（ＮＲ⁶）−を示し、Ｒ⁶は水素原子又は炭素数１〜
１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具
体的にはＲ³で例示したものと同様のものが例示でき
る。Ｚは単結合又は炭素数１〜５の直鎖状、分岐状又は
環状の（ｐ＋２）価の炭化水素基を示し、炭化水素基で
ある場合には、１個以上のメチレン基が酸素原子に置換
されて鎖状又は環状のエーテルを形成してもよく、同一
炭素上の２個の水素原子が酸素原子に置換されてケトン
を形成してもよく、例えばｐ＝０の場合には、具体的に
はメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレ
ン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、１，２−プロパ
ンジイル、１，３−ブタンジイル、１−オキソ−２−オ
キサプロパン−１，３−ジイル、３−メチル−１−オキ
ソ−２−オキサブタン−１，４−ジイル等を例示でき、
ｐ＝０以外の場合には、上記具体例からｐ個の水素原子
を除いた（ｐ＋２）価の基等を例示できる。

【００１９】Ｒ⁴とＲ^4'の酸不安定基としては、種々用
いることができるが、具体的には下記一般式（Ｌ１）〜
（Ｌ４）で示される基、炭素数４〜２０、好ましくは４
〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素
数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオ
キソアルキル基等を挙げることができる。

【化１２】

【００２０】ここで、鎖線は結合手を示す（以下、同
様）。式中、Ｒ^L01、Ｒ^L02は水素原子又は炭素数１〜１
８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のア
ルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等
が例示できる。Ｒ^L03は炭素数１〜１８、好ましくは１
〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の
炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル
基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、
オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換された
ものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキ
ル基等が例示できる。

【化１３】

【００２１】Ｒ^L01とＲ^L02、Ｒ^L01とＲ^L03、Ｒ^L02とＲ
^L03とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ
^L01、Ｒ^L02、Ｒ^L03はそれぞれ炭素数１〜１８、好まし
くは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示
す。

【００２２】Ｒ^L04は炭素数４〜２０、好ましくは４〜
１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数
１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキ
ソアルキル基又は上記一般式（Ｌ１）で示される基を示
し、三級アルキル基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピ
ル基、２−シクロペンチルプロパン−２−イル基、２−
シクロヘキシルプロパン−２−イル基、２−（ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−２−イル）プロパン−２−イ
ル基、２−（アダマンタン−１−イル）プロパン−２−
イル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシク
ロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチ
ルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニ
ル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチ
ル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチ
ル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具
体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジ
メチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が例示でき、オキ
ソアルキル基としては、具体的には３−オキソシクロヘ
キシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル
基、５−メチル−２−オキソオキソラン−５−イル基等
が例示できる。ｙは０〜６の整数である。

【００２３】Ｒ^L05は炭素数１〜８のヘテロ原子を含ん
でもよい１価の炭化水素基又は炭素数６〜２０の置換さ
れていてもよいアリール基を示し、ヘテロ原子を含んで
もよい１価の炭化水素基としては、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸
基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニ
ル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ
基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換
されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリー
ル基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル
基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピ
レニル基等が例示できる。ｍは０又は１、ｎは０、１、
２、３のいずれかであり、２ｍ＋ｎ＝２又は３を満足す
る数である。

【００２４】Ｒ^L06は炭素数１〜８のヘテロ原子を含ん
でもよい１価の炭化水素基又は炭素数６〜２０の置換さ
れていてもよいアリール基を示し、具体的にはＲ^L05と
同様のもの等が例示できる。Ｒ^L07〜Ｒ^L16はそれぞれ独
立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んで
もよい１価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ
−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オ
クチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シ
クロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シク
ロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロ
ヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ
ル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ
基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ
基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプ
ト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等
が例示できる。Ｒ^L07〜Ｒ^L16は互いに環を形成していて
もよく（例えば、Ｒ^L07とＲ^L08、Ｒ^L07とＲ^L09、Ｒ^L08
とＲ^L10、Ｒ^L09とＲ^L10、Ｒ ^L11とＲ^L12、Ｒ^L13とＲ^L14
等）、その場合には炭素数１〜１５のヘテロ原子を含ん
でもよい２価の炭化水素基を示し、具体的には上記１価
の炭化水素基で例示したものから水素原子を１個除いた
もの等が例示できる。また、Ｒ^L07〜Ｒ^L16は隣接する炭
素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合
を形成してもよい（例えば、Ｒ^L07とＲ^L09、Ｒ^L09とＲ
^L15、Ｒ^L13とＲ^L15等）。

【００２５】式（Ｌ１）で示される酸不安定基のうち直
鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が
例示できる。

【化１４】

【００２６】式（Ｌ１）で示される酸不安定基のうち環
状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン−２
−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル
基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテト
ラヒドロピラン−２−イル基等が例示できる。

【００２７】式（Ｌ２）の酸不安定基としては、具体的
にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、
１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１
−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エ
チルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシ
クロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−
２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル
−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１
−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒ
ドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒ
ドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示でき
る。

【００２８】上記式（Ｌ３）の酸不安定基としては、具
体的には１−メチルシクロペンチル、１−エチルシクロ
ペンチル、１−ｎ−プロピルシクロペンチル、１−イソ
プロピルシクロペンチル、１−ｎ−ブチルシクロペンチ
ル、１−ｓｅｃ−ブチルシクロペンチル、１−メチルシ
クロヘキシル、１−エチルシクロヘキシル、３−メチル
−１−シクロペンテン−３−イル、３−エチル−１−シ
クロペンテン−３−イル、３−メチル−１−シクロヘキ
セン−３−イル、３−エチル−１−シクロヘキセン−３
−イル等が例示できる。

【００２９】式（Ｌ４）の酸不安定基としては、具体的
には下記の基が例示できる。

【化１５】

【００３０】また、炭素数４〜２０の三級アルキル基、
各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシ
リル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基としては、
具体的にはＲ^L04で挙げたものと同様のもの等が例示で
きる。

【００３１】一般式（１−１）で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。

【化１６】

【００３２】一般式（１−２）で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。

【化１７】

【００３３】一般式（２−１）で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。

【化１８】

【００３４】一般式（２−２）で示される繰り返し単位
の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるも
のではない。

【化１９】

【００３５】一般式（４）で示される繰り返し単位の具
体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるもので
はない。

【化２０】

【００３６】本発明の高分子化合物は、更に必要に応
じ、下記一般式（Ｍ１）〜（Ｍ８−２）で示される繰り
返し単位から選ばれる１種又は２種以上を含有するもの
であってもよい。

【化２１】

【００３７】（式中、Ｒ⁰⁰¹は水素原子、メチル基又は
ＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰²は水素原子、メチル基又
はＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰³は炭素数１〜１５の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁰⁰⁴は水素
原子又は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含
有する１価の炭化水素基を示す。Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なく
とも１個は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を
含有する１価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立
に水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基を示す。Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸は互いに環を形成
していてもよく、その場合にはＲ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくと
も１個は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含
有する２価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
単結合又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状の
アルキレン基を示す。Ｒ⁰⁰⁹は炭素数２〜１５のエーテ
ル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸
無水物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の
部分構造を含有する１価の炭化水素基を示す。Ｒ⁰¹⁰〜
Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数２〜１５のエーテル、
アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水
物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の部分
構造を含有する１価の炭化水素基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³は互いに結
合して環を形成していてもよく、その場合にはＲ⁰¹⁰〜
Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数１〜１５のエーテル、
アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水
物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の部分
構造を含有する２価の炭化水素基を示し、残りはそれぞ
れ独立に単結合又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキレン基を示す。Ｒ⁰¹⁴は炭素数７〜１５
の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するア
ルキル基を示す。Ｒ⁰¹⁵は酸不安定基を示す。ＸはＣＨ₂
又は酸素原子を示す。ｋは０又は１である。）

【００３８】ここで、Ｒ⁰⁰¹は水素原子、メチル基又は
ＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰³の具体例については後述
する。Ｒ⁰⁰²は水素原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示
す。Ｒ⁰⁰³は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状
のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、
ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシ
クロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシク
ロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル
基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。

【００３９】Ｒ⁰⁰⁴は水素原子又は炭素数１〜１５のカ
ルボキシ基又は水酸基を含有する１価の炭化水素基を示
し、具体的にはカルボキシエチル、カルボキシブチル、
カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシ
ル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチ
ル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシ
シクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキ
シノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル等が例示でき
る。

【００４０】Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくとも１個は炭素数１
〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有する１価の炭化
水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素
数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示
す。炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有す
る１価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、
カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチ
ル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシ
ブチル、２−カルボキシエトキシカルボニル、４−カル
ボキシブトキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカ
ルボニル、４−ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボ
キシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシク
ロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニル
オキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカル
ボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、
ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキ
シノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマン
チルオキシカルボニル等が例示できる。炭素数１〜１５
の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、具体的
にはＲ⁰⁰³で例示したものと同様のものが例示できる。
Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸は互いに結合して環を形成していてもよ
く、その場合にはＲ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくとも１個は炭素
数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含有する２価の
炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭
素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基
を示す。炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含
有する２価の炭化水素基としては、具体的には上記カル
ボキシ基又は水酸基を含有する１価の炭化水素基で例示
したものから水素原子を１個除いたもの等を例示でき
る。炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状、環状のアルキレ
ン基としては、具体的にはＲ ³で例示したものから水素
原子を１個除いたもの等を例示できる。

【００４１】Ｒ⁰⁰⁹は炭素数２〜１５のエーテル、アル
デヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水物、
アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の部分構造
を含有する１価の炭化水素基を示し、具体的にはメトキ
シメチル、メトキシエトキシメチル、２−オキソオキソ
ラン−３−イル、２−オキソオキソラン−４−イル、
４，４−ジメチル−２−オキソオキソラン−３−イル、
４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル、２−オキ
ソ−１，３−ジオキソラン−４−イルメチル、５−メチ
ル−２−オキソオキソラン−５−イル等を例示できる。
Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数２〜１５のエー
テル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、
酸無水物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種
の部分構造を含有する１価の炭化水素基を示し、残りは
それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、
分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数２〜１５の
エーテル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネー
ト、酸無水物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも
１種の部分構造を含有する１価の炭化水素基としては、
具体的にはメトキシメチル、メトキシメトキシメチル、
ホルミル、メチルカルボニル、ホルミルオキシ、アセト
キシ、ピバロイルオキシ、ホルミルオキシメチル、アセ
トキシメチル、ピバロイルオキシメチル、メトキシカル
ボニル、２−オキソオキソラン−３−イルオキシカルボ
ニル、４，４−ジメチル−２−オキソオキソラン−３−
イルオキシカルボニル、４−メチル−２−オキソオキサ
ン−４−イルオキシカルボニル、２−オキソ−１，３−
ジオキソラン−４−イルメチルオキシカルボニル、５−
メチル−２−オキソオキソラン−５−イルオキシカルボ
ニル等を例示できる。炭素数１〜１５の直鎖状、分岐
状、環状のアルキル基としては、具体的にはＲ⁰⁰³で例
示したものと同様のものが例示できる。

【００４２】Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³は互いに結合して環を形成し
ていてもよく、その場合にはＲ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³の少なくとも
１個は炭素数１〜１５のエーテル、アルデヒド、ケト
ン、エステル、カーボネート、酸無水物、アミド、イミ
ドから選ばれる少なくとも１種の部分構造を含有する２
価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又
は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレ
ン基を示す。炭素数１〜１５のエーテル、アルデヒド、
ケトン、エステル、カーボネート、酸無水物、アミド、
イミドから選ばれる少なくとも１種の部分構造を含有す
る２価の炭化水素基としては、具体的には２−オキサプ
ロパン−１，３−ジイル、１，１−ジメチル−２−オキ
サプロパン−１，３−ジイル、１−オキソ−２−オキサ
プロパン−１，３−ジイル、１，３−ジオキソ−２−オ
キサプロパン−１，３−ジイル、１−オキソ−２−オキ
サブタン−１，４−ジイル、１，３−ジオキソ−２−オ
キサブタン−１，４−ジイル等の他、上記炭素数１〜１
５のエーテル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボ
ネート、酸無水物、アミド、イミドから選ばれる少なく
とも１種の部分構造を含有する１価の炭化水素基で例示
したものから水素原子を１個除いたもの等を例示でき
る。炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状、環状のアルキレ
ン基としては、具体的にはＲ⁰⁰³で例示したものから水
素原子を１個除いたもの等を例示できる。

【００４３】Ｒ⁰¹⁴は炭素数７〜１５の多環式炭化水素
基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、
具体的にはノルボルニル、ビシクロ［３．３．１］ノニ
ル、トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシル、アダマ
ンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノ
ルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示でき
る。Ｒ⁰¹⁵は酸不安定基を示し、具体的には先の説明で
挙げたものと同様のもの等を例示できる。ＸはＣＨ₂又
は酸素原子を示す。ｋは０又は１である。

【００４４】一般式（Ｍ１）〜（Ｍ８−２）で示される
繰り返し単位は、レジスト材料とした際の現像液親和
性、基板密着性、エッチング耐性等の諸特性を付与する
ものであり、これらの繰り返し単位の含有量を適宜調整
することにより、レジスト材料の性能を微調整すること
ができる。

【００４５】なお、本発明の高分子化合物の重量平均分
子量は、ポリスチレン換算でのゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定した場合、
１，０００〜５００，０００、好ましくは３，０００〜
１００，０００である。この範囲を外れると、エッチン
グ耐性が極端に低下したり、露光前後の溶解速度差が確
保できなくなって解像性が低下したりすることがある。

【００４６】本発明の高分子化合物の製造は、下記一般
式（１ａ）で示される化合物を第１の単量体に、下記一
般式（２ａ）〜（４ａ）で示される化合物から選ばれる
１〜３種を第２〜４の単量体に、更に必要に応じ、下記
一般式（Ｍ１ａ）〜（Ｍ８ａ）で示される化合物から選
ばれる１種又は２種以上をそれ以降の単量体に用いた共
重合反応により行うことができる。

【００４７】

【化２２】 （式中、ｋ、ｐ、Ｒ¹〜Ｒ⁵、Ｒ^1'〜Ｒ^4'、Ｒ^1"〜Ｒ^3"、
Ｗ、Ｙ、Ｚは上記と同様である。）

【００４８】

【化２３】 （式中、ｋ、Ｒ⁰⁰¹〜Ｒ⁰¹⁵、Ｘは上記と同様である。）

【００４９】共重合反応においては、各単量体の存在割
合を適宜調節することにより、レジスト材料とした時に
好ましい性能を発揮できるような高分子化合物とするこ
とができる。この場合、本発明の高分子化合物は、 （ｉ）上記式（１ａ）の単量体 （ｉｉ）上記式（２ａ）〜（４ａ）の単量体 （ｉｉｉ）上記式（Ｍ１ａ）〜（Ｍ８ａ）の単量体 に加え、更に、 （ｉｖ）上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）以外の炭素−炭素二重
結合を含有する単量体、例えば、メタクリル酸メチル、
クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジ
メチル等の置換アクリル酸エステル類、マレイン酸、フ
マル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸、ノルボルネ
ン、ノルボルネン−５−カルボン酸メチル等の置換ノル
ボルネン類、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、その
他の単量体を共重合しても差支えない。

【００５０】本発明の高分子化合物において、各単量体
に基づく各繰り返し単位の好ましい含有割合は、例えば
以下に示す範囲（モル％）とすることができるが、これ
に限定されるものではない。 （Ｉ）高分子化合物が、上記一般式（１−１）で示され
る繰り返し単位と（２−１）で示される繰り返し単位を
含有するものである場合には、 式（１ａ）の単量体に基づく式（１−１）で示される
繰り返し単位を１〜９０モル％、好ましくは５〜８０モ
ル％、より好ましくは１０〜７０モル％、 式（２ａ）の単量体に基づく式（２−１）で示される
繰り返し単位を１〜９０モル％、好ましくは５〜８０モ
ル％、より好ましくは１０〜７０モル％、 式（Ｍ５ａ）〜（Ｍ８ａ）の単量体に基づく式（Ｍ５
−１）〜（Ｍ８−１）で示される繰り返し単位を０〜５
０モル％、好ましくは０〜４０モル％、より好ましくは
０〜３０モル％、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を０〜５０モル
％、好ましくは０〜４０モル％、より好ましくは０〜３
０モル％、それぞれ含有することができる。

【００５１】（ＩＩ）高分子化合物が、上記一般式（１
−１）で示される繰り返し単位と（２−１）で示される
繰り返し単位と（３）で示される繰り返し単位を含有す
るものである場合には、 式（１ａ）の単量体に基づく式（１−１）で示される
繰り返し単位を１〜４９モル％、好ましくは３〜４５モ
ル％、より好ましくは５〜４０モル％、 式（２ａ）の単量体に基づく式（２−１）で示される
繰り返し単位を１〜４９モル％、好ましくは３〜４５モ
ル％、より好ましくは５〜４０モル％、 式（３ａ）の単量体に基づく式（３）で示される繰り
返し単位を５０モル％、 式（Ｍ５ａ）〜（Ｍ８ａ）の単量体に基づく式（Ｍ５
−１）〜（Ｍ８−１）で示される繰り返し単位を０〜２
５モル％、好ましくは０〜２０モル％、より好ましくは
０〜１５モル％、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を０〜２５モル
％、好ましくは０〜２０モル％、より好ましくは０〜１
５モル％、それぞれ含有することができる。

【００５２】（ＩＩＩ）高分子化合物が、上記一般式
（１−１）で示される繰り返し単位と一般式（４）で示
される繰り返し単位と一般式（３）で示される繰り返し
単位を有する場合、又は上記一般式（１−１）で示され
る繰り返し単位と一般式（２−１）で示される繰り返し
単位と一般式（４）で示される繰り返し単位と一般式
（３）で示される繰り返し単位を含有するものである場
合には、 式（１ａ）の単量体に基づく式（１−１）で示される
繰り返し単位を１〜４９モル％、好ましくは３〜４５モ
ル％、より好ましくは５〜４０モル％、 式（２ａ）の単量体に基づく式（２−１）で示される
繰り返し単位を０〜４０モル％、好ましくは０〜３５モ
ル％、より好ましくは０〜３０モル％、 式（４ａ）の単量体に基づく式（４）で示される繰り
返し単位を１〜８０モル％、好ましくは１〜７０モル
％、より好ましくは１〜５０モル％、 式（３ａ）の単量体に基づく式（３）で示される繰り
返し単位を１〜４９モル％、好ましくは５〜４５モル
％、より好ましくは１０〜４０モル％、 式（Ｍ１ａ）〜（Ｍ８ａ）の単量体に基づく式（Ｍ
１）〜（Ｍ８−１）で示される繰り返し単位を０〜２５
モル％、好ましくは０〜２０モル％、より好ましくは０
〜１５モル％、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を０〜２５モル
％、好ましくは０〜２０モル％、より好ましくは０〜１
５モル％、それぞれ含有することができる。

【００５３】（ＩＶ）高分子化合物が、上記一般式（１
−２）で示される繰り返し単位と（２−２）で示される
繰り返し単位を含有するものである場合には、 式（１ａ）の単量体に基づく式（１−２）で示される
繰り返し単位を１〜９０モル％、好ましくは５〜８０モ
ル％、より好ましくは１０〜７０モル％、 式（２ａ）の単量体に基づく式（２−２）で示される
繰り返し単位を１〜９０モル％、好ましくは５〜８０モ
ル％、より好ましくは１０〜７０モル％、 式（Ｍ５ａ）〜（Ｍ８ａ）の単量体に基づく式（Ｍ５
−２）〜（Ｍ８−２）で示される繰り返し単位を０〜５
０モル％、好ましくは０〜４０モル％、より好ましくは
０〜３０モル％、 その他の単量体に基づく繰り返し単位を０〜５０モル
％、好ましくは０〜４０モル％、より好ましくは０〜３
０モル％、それぞれ含有することができる。

【００５４】本発明の高分子化合物の特徴である一般式
（１−１）及び（１−２）の単位の元となるモノマー
は、先ず二重結合を有する化合物（例えば、アクリル酸
誘導体、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等）とフ
ランとのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって７−オキ
サビシクロ［２．２．１］へプタン環を構築し、次いで
該環の置換基部分を既知の有機化学的手法を用いて改変
していくことで合成できる。

【００５５】本発明の高分子化合物を製造する共重合反
応は種々例示することができるが、好ましくはラジカル
重合、アニオン重合又は配位重合である。

【００５６】ラジカル重合反応の反応条件は、（ア）溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、エタノール等のアルコール類、又はメ
チルイソブチルケトン等のケトン類を用い、（イ）重合
開始剤として２，２’−アゾビスイソブチロニトリル等
のアゾ化合物、又は過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイ
ル等の過酸化物を用い、（ウ）反応温度を０℃から１０
０℃程度に保ち、（エ）反応時間を０．５時間から４８
時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外れる場合
を排除するものではない。

【００５７】アニオン重合反応の反応条件は、（ア）溶
剤としてベンゼン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン
等のエーテル類、又は液体アンモニアを用い、（イ）重
合開始剤としてナトリウム、カリウム等の金属、ｎ−ブ
チルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム等のアルキル金
属、ケチル、又はグリニャール反応剤を用い、（ウ）反
応温度を−７８℃から０℃程度に保ち、（エ）反応時間
を０．５時間から４８時間程度とし、（オ）停止剤とし
てメタノール等のプロトン供与性化合物、ヨウ化メチル
等のハロゲン化物、その他求電子性物質を用いるのが好
ましいが、この範囲を外れる場合を排除するものではな
い。

【００５８】配位重合の反応条件は、（ア）溶剤として
ｎ−ヘプタン、トルエン等の炭化水素類を用い、（イ）
触媒としてチタン等の遷移金属とアルキルアルミニウム
からなるチーグラー−ナッタ触媒、クロム及びニッケル
化合物を金属酸化物に担持したフィリップス触媒、タン
グステン及びレニウム混合触媒に代表されるオレフィン
−メタセシス混合触媒等を用い、（ウ）反応温度を０℃
から１００℃程度に保ち、（エ）反応時間を０．５時間
から４８時間程度とするのが好ましいが、この範囲を外
れる場合を排除するものではない。

【００５９】本発明の高分子化合物は、レジスト材料の
ベースポリマーとして有効であり、本発明は、この高分
子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料、特に化
学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。

【００６０】本発明のレジスト材料には、高エネルギー
線もしくは電子線に感応して酸を発生する化合物（以
下、酸発生剤）、有機溶剤、必要に応じてその他の成分
を含有することができる。

【００６１】本発明で使用される酸発生剤としては、 ｉ．下記一般式（Ｐ１ａ−１）、（Ｐ１ａ−２）又は
（Ｐ１ｂ）のオニウム塩、 ｉｉ．下記一般式（Ｐ２）のジアゾメタン誘導体、 ｉｉｉ．下記一般式（Ｐ３）のグリオキシム誘導体、 ｉｖ．下記一般式（Ｐ４）のビススルホン誘導体、 ｖ．下記一般式（Ｐ５）のＮ−ヒドロキシイミド化合物
のスルホン酸エステル、 ｖｉ．β−ケトスルホン酸誘導体、 ｖｉｉ．ジスルホン誘導体、 ｖｉｉｉ．ニトロベンジルスルホネート誘導体、 ｉｘ．スルホン酸エステル誘導体 等が挙げられる。

【００６２】

【化２４】 （式中、Ｒ^101a、Ｒ^101b、Ｒ^101cはそれぞれ炭素数１〜
１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニ
ル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素
数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラル
キル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの
基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって
置換されていてもよい。また、Ｒ^101bとＲ^101cとは環を
形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ^101b、Ｒ
^101cはそれぞれ炭素数１〜６のアルキレン基を示す。Ｋ
^-は非求核性対向イオンを表す。）

【００６３】上記Ｒ^101a、Ｒ^101b、Ｒ^101cは互いに同一
であっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基
として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロプロピルメチル基、４−メチルシクロ
ヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル
基、アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基とし
ては、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられ
る。オキソアルキル基としては、２−オキソシクロペン
チル基、２−オキソシクロヘキシル基等が挙げられ、２
−オキソプロピル基、２−シクロペンチル−２−オキソ
エチル基、２−シクロヘキシル−２−オキソエチル基、
２−（４−メチルシクロヘキシル）−２−オキソエチル
基等を挙げることができる。アリール基としては、フェ
ニル基、ナフチル基等や、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ
−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジ
メチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフ
チル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、メ
トキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキシ
ナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル基
等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジ
エトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙
げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニル
エチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオキ
ソアルキル基としては、２−フェニル−２−オキソエチ
ル基、２−（１−ナフチル）−２−オキソエチル基、２
−（２−ナフチル）−２−オキソエチル基等の２−アリ
ール−２−オキソエチル基等が挙げられる。Ｋ^-の非求
核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等
のハライドイオン、トリフレート、１，１，１−トリフ
ルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホ
ネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレー
ト、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスル
ホネート、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼ
ンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレー
ト、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙
げられる。

【００６４】

【化２５】 （式中、Ｒ^102a、Ｒ^102bはそれぞれ炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ¹⁰³は炭素
数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を
示す。Ｒ^104a、Ｒ^104bはそれぞれ炭素数３〜７の２−オ
キソアルキル基を示す。Ｋ^-は非求核性対向イオンを表
す。）

【００６５】上記Ｒ^102a、Ｒ^102bとして具体的には、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチ
ル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメ
チル基等が挙げられる。Ｒ¹⁰³としては、メチレン基、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン
基、へキシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニ
レン基、１，４−シクロへキシレン基、１，２−シクロ
へキシレン基、１，３−シクロペンチレン基、１，４−
シクロオクチレン基、１，４−シクロヘキサンジメチレ
ン基等が挙げられる。Ｒ^104a、Ｒ^104bとしては、２−オ
キソプロピル基、２−オキソシクロペンチル基、２−オ
キソシクロヘキシル基、２−オキソシクロヘプチル基等
が挙げられる。Ｋ^-は式（Ｐ１ａ−１）及び（Ｐ１ａ−
２）で説明したものと同様のものを挙げることができ
る。

【００６６】

【化２６】 （式中、Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭
素数６〜２０のアリール基又はハロゲン化アリール基、
又は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。） Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶のアルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ノル
ボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン
化アルキル基としてはトリフルオロメチル基、１，１，
１−トリフルオロエチル基、１，１，１−トリクロロエ
チル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリー
ル基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ
−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エト
キシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジ
メチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられ
る。ハロゲン化アリール基としてはフルオロフェニル
基、クロロフェニル基、１，２，３，４，５−ペンタフ
ルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基として
はベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。

【００６７】

【化２７】 （式中、Ｒ¹⁰⁷、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹は炭素数１〜１２の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキ
ル基、炭素数６〜２０のアリール基又はハロゲン化アリ
ール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基を示す。Ｒ
¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹は互いに結合して環状構造を形成してもよ
く、環状構造を形成する場合、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹はそれぞれ
炭素数１〜６の直鎖状、分岐状のアルキレン基を示
す。） Ｒ¹⁰⁷、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹のアルキル基、ハロゲン化アルキ
ル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル
基としては、Ｒ¹⁰⁵、Ｒ¹⁰⁶で説明したものと同様の基が
挙げられる。なお、Ｒ¹⁰⁸、Ｒ¹⁰⁹のアルキレン基として
はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン
基、ヘキシレン基等が挙げられる。

【００６８】

【化２８】 （式中、Ｒ^101a、Ｒ^101bは上記と同じである。）

【００６９】

【化２９】 （式中、Ｒ¹¹⁰は炭素数６〜１０のアリーレン基、炭素
数１〜６のアルキレン基又は炭素数２〜６のアルケニレ
ン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更
に炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はア
ルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で
置換されていてもよい。Ｒ¹¹¹は炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はア
ルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示
し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数
１〜４のアルキル基又はアルコキシ基；炭素数１〜４の
アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で
置換されていてもよいフェニル基；炭素数３〜５のヘテ
ロ芳香族基；又は塩素原子、フッ素原子で置換されてい
てもよい。）

【００７０】ここで、Ｒ¹¹⁰のアリーレン基としては、
１，２−フェニレン基、１，８−ナフチレン基等が、ア
ルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメ
チレン基、テトラメチレン基、フェニルエチレン基、ノ
ルボルナン−２，３−ジイル基等が、アルケニレン基と
しては、１，２−ビニレン基、１−フェニル−１，２−
ビニレン基、５−ノルボルネン−２，３−ジイル基等が
挙げられる。Ｒ¹¹¹のアルキル基としては、Ｒ^101a〜Ｒ
^101cと同様のものが、アルケニル基としては、ビニル
基、１−プロペニル基、アリル基、１−ブテニル基、３
−ブテニル基、イソプレニル基、１−ペンテニル基、３
−ペンテニル基、４−ペンテニル基、ジメチルアリル
基、１−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセ
ニル基、１−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、６−ヘ
プテニル基、７−オクテニル基等が、アルコキシアルキ
ル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、
プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ペンチロキシ
メチル基、ヘキシロキシメチル基、ヘプチロキシメチル
基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシ
エチル基、ブトキシエチル基、ペンチロキシエチル基、
ヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシ
プロピル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル
基、メトキシブチル基、エトキシブチル基、プロポキシ
ブチル基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基、
メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基等が挙げられ
る。

【００７１】なお、更に置換されていてもよい炭素数１
〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が、炭素数１〜４のアルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が、炭素数１〜４のアルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換さ
れていてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリ
ル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｐ−アセチ
ルフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基等が、炭素数３〜
５のヘテロ芳香族基としては、ピリジル基、フリル基等
が挙げられる。

【００７２】具体的には、オニウム塩、ジアゾメタン誘
導体、グリオキシム誘導体、ビススルホン誘導体、β−
ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジ
ルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、Ｎ
−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。

【００７３】例えば、オニウム塩としては、トリフルオ
ロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフル
オロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジ
フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオ
ロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスル
ホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スル
ホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホ
ニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブト
キシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエン
スルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フ
ェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノ
ナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウ
ム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリ
フルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オ
キソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメ
チルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジ
メチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスル
ホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−ト
ルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、エチレン
ビス［メチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホナート］、１，２’−ナフ
チルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリ
フレート等が挙げられる。

【００７４】ジアゾメタン誘導体としては、ビス（ベン
ゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅ
ｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロ
ピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルス
ルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタ
ン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−
ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシル
スルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジア
ゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔ
ｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられ
る。

【００７５】グリオキシム誘導体としては、ビス−Ｏ−
（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフ
ェニルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホ
ニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−Ｏ
−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオ
ングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシ
ム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチ
ルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）
−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタ
ンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、
ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタ
ンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホ
ニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキ
シム、ビス−Ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−Ｏ−（トリフルオロメタンスルホ
ニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（１，
１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチ
ルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホ
ニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（パー
フルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキ
シム、ビス−Ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−
ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ベンゼンスルホニ
ル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−フ
ルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシ
ム、ビス−Ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホ
ニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（キシ
レンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−
Ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキ
シム等が挙げられる。

【００７６】ビススルホン誘導体としては、ビスナフチ
ルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニ
ルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルス
ルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビス
イソプロピルスルホニルメタン、ビス−ｐ−トルエンス
ルホニルメタン、ビスベンゼンスルホニルメタン等が挙
げられる。β−ケトスルホン誘導体としては、２−シク
ロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニ
ル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ
−トルエンスルホニル）プロパン等が挙げられる。

【００７７】ジスルホン誘導体としては、ジフェニルジ
スルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等が挙げられ
る。ニトロベンジルスルホネート誘導体としては、ｐ−
トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−ト
ルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等が挙げら
れる。スルホン酸エステル誘導体としては、１，２，３
−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，
２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスル
ホニルオキシ）ベンゼン等が挙げられる。

【００７８】Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸
エステル誘導体としては、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミ
ドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシン
イミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒ
ドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ
−ヒドロキシスクシンイミド１−プロパンスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンス
ルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−
ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシン
イミド１−オクタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキ
シスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ
−ヒドロキシスクシンイミドｐ−メトキシベンゼンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−ク
ロロエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシ
ンイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミド−２，４，６−トリメチルベンゼンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ナ
フタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシン
イミド２−ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロ
キシ−２−フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フェニルマレイミドメタ
ンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミド
メタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイ
ミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタ
ルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフ
タルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキ
シフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドｐ−トルエンスルホン
酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスル
ホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼ
ンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−
ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エス
テル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジ
カルボキシイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル等が
挙げられる。

【００７９】好ましくは、トリフルオロメタンスルホン
酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスル
ホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス
（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ
−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−
トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸
トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、１，２’
−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）
ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ
−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロ
ピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチ
ルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、
ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−
α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビ
スナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステ
ル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタン
スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１
−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシ
ンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミド１−ペンタンスルホン酸エステル、
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸
エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホ
ン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼン
スルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物の
スルホン酸エステル誘導体が挙げられる。

【００８０】なお、上記酸発生剤は１種を単独で又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。オニウム塩
は矩形性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリ
オキシム誘導体は定在波低減効果に優れるため、両者を
組み合わせることによりプロファイルの微調整を行うこ
とが可能である。

【００８１】酸発生剤の添加量は、ベース樹脂１００重
量部に対して好ましくは０．１〜１５重量部、より好ま
しくは０．５〜８重量部である。０．１重量部より少な
いと感度が悪い場合があり、１５重量部より多いと透明
性が低くなり解像性が低下する場合がある。

【００８２】本発明で使用される有機溶剤としては、ベ
ース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有
機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤と
しては、例えばシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−ア
ミルケトン等のケトン類、３−メトキシブタノール、３
−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２
−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等の
アルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン
酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノｔｅｒ
ｔ−ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ−ブ
チロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの１種
を単独で又は２種以上を混合して使用することができる
が、これらに限定されるものではない。本発明では、こ
れらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶
解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエ
ーテルや１−エトキシ−２−プロパノールの他、安全溶
剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶
剤の使用量は、ベース樹脂１００重量部に対して２００
〜１，０００重量部、特に４００〜８００重量部が好適
である。

【００８３】本発明のレジスト材料には、上記一般式
（１−１）又は（１−２）で示される繰り返し単位を含
有する高分子化合物とは別の高分子化合物を添加するこ
とができる。該高分子化合物の具体的な例としては下記
式（Ｒ１）及び／又は下記式（Ｒ２）で示される重量平
均分子量１，０００〜５００，０００、好ましくは５，
０００〜１００，０００のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。

【００８４】

【化３０】

【００８５】（式中、Ｒ⁰⁰¹は水素原子、メチル基又は
ＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰²は水素原子、メチル基又
はＣＯ₂Ｒ⁰⁰³を示す。Ｒ⁰⁰³は炭素数１〜１５の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁰⁰⁴は水素
原子又は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含
有する１価の炭化水素基を示す。Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なく
とも１個は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を
含有する１価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立
に水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基を示す。Ｒ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸は互いに環を形成
していてもよく、その場合にはＲ⁰⁰⁵〜Ｒ⁰⁰⁸の少なくと
も１個は炭素数１〜１５のカルボキシ基又は水酸基を含
有する２価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に
単結合又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状の
アルキレン基を示す。Ｒ⁰⁰⁹は炭素数２〜１５のエーテ
ル、アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸
無水物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の
部分構造を含有する１価の炭化水素基を示す。Ｒ⁰¹⁰〜
Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数２〜１５のエーテル、
アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水
物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の部分
構造を含有する１価の炭化水素基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁰¹⁰〜Ｒ⁰¹³は互いに結
合して環を形成していてもよく、その場合にはＲ⁰¹⁰〜
Ｒ⁰¹³の少なくとも１個は炭素数１〜１５のエーテル、
アルデヒド、ケトン、エステル、カーボネート、酸無水
物、アミド、イミドから選ばれる少なくとも１種の部分
構造を含有する２価の炭化水素基を示し、残りはそれぞ
れ独立に単結合又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキレン基を示す。Ｒ⁰¹⁴は炭素数７〜１５
の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するア
ルキル基を示す。Ｒ⁰¹⁵は酸不安定基を示す。Ｒ⁰¹⁶は水
素原子又はメチル基を示す。Ｒ⁰¹⁷は炭素数１〜８の直
鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ＸはＣＨ₂
又は酸素原子を示す。ｋ’は０又は１である。ａ１’、
ａ２’、ａ３’、ｂ１’、ｂ２’、ｂ３’、ｃ１’、ｃ
２’、ｃ３’、ｄ１’、ｄ２’、ｄ３’、ｅ’は０以上
１未満の数であり、ａ１’＋ａ２’＋ａ３’＋ｂ１’＋
ｂ２’＋ｂ３’＋ｃ１’＋ｃ２’＋ｃ３’＋ｄ１’＋ｄ
２’＋ｄ３’＋ｅ’＝１を満足する。ｆ’、ｇ’、
ｈ’、ｉ’、ｊ’は０以上１未満の数であり、ｆ’＋
ｇ’＋ｈ’＋ｉ’＋ｊ’＝１を満足する。ｘ’、ｙ’、
ｚ’は０〜３の整数であり、１≦ｘ’＋ｙ’＋ｚ’≦
５、１≦ｙ’＋ｚ’≦３を満足する。）

【００８６】なお、それぞれの基の具体例については、
先の説明と同様である。

【００８７】上記一般式（１−１）又は（１−２）で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物と別の高分
子化合物との配合比率は、０：１００〜９０：１０、特
に０：１００〜８０：２０の重量比の範囲内にあること
が好ましい。上記一般式（１−１）又は（１−２）で示
される繰り返し単位を含有する高分子化合物の配合比が
これより少ないと、レジスト材料として好ましい性能が
得られないことがある。上記の配合比率を適宜変えるこ
とにより、レジスト材料の性能を調整することができ
る。

【００８８】なお、上記高分子化合物は１種に限らず２
種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物
を用いることにより、レジスト材料の性能を調整するこ
とができる。

【００８９】本発明のレジスト材料には、更に溶解制御
剤を添加することができる。溶解制御剤としては、好ま
しくは、平均分子量が１００〜１，０００、さらに好ま
しくは１５０〜８００で、かつ分子内にフェノール性水
酸基を２つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の
水素原子を酸不安定基により全体として平均０〜１００
モル％の割合で置換した化合物又は分子内にカルボキシ
基を有する化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安
定基により全体として平均５０〜１００モル％の割合で
置換した化合物を配合する。

【００９０】なお、フェノール性水酸基の水素原子の酸
不安定基による置換率は、平均でフェノール性水酸基全
体の０モル％以上、好ましくは３０モル％以上であり、
その上限は１００モル％、より好ましくは８０モル％で
ある。カルボキシ基の水素原子の酸不安定基による置換
率は、平均でカルボキシ基全体の５０モル％以上、好ま
しくは７０モル％以上であり、その上限は１００モル％
である。

【００９１】この場合、かかるフェノール性水酸基を２
つ以上有する化合物又はカルボキシ基を有する化合物と
しては、下記式（Ｄ１）〜（Ｄ１４）で示されるものが
好ましい。

【化３１】

【００９２】（但し、式中Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²はそれぞれ水素
原子、又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基を示す。Ｒ²⁰³は水素原子、又は炭
素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケ
ニル基、或いは−（Ｒ²⁰⁷）_hＣＯＯＨを示す。Ｒ²⁰⁴は
−（ＣＨ₂）_i−（ｉ＝２〜１０）、炭素数６〜１０のア
リーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又
は硫黄原子を示す。Ｒ^{20 5}は炭素数１〜１０のアルキレ
ン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、カルボニル基、
スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ²⁰⁶は
水素原子、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基、アルケニル基、又はそれぞれ水酸基で置換されたフ
ェニル基又はナフチル基を示す。Ｒ²⁰⁷は炭素数１〜１
０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ²⁰⁸は
水素原子又は水酸基を示す。ｊは０〜５の整数である。
ｕ、ｈは０又は１である。ｓ、ｔ、ｓ’、ｔ’、
ｓ’’、ｔ’’はそれぞれｓ＋ｔ＝８、ｓ’＋ｔ’＝
５、ｓ’’＋ｔ’’＝４を満足し、かつ各フェニル骨格
中に少なくとも１つの水酸基を有するような数である。
αは式（Ｄ８）、（Ｄ９）の化合物の分子量を１００〜
１，０００とする数である。）

【００９３】上記式中Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²としては、例えば水
素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、
エチニル基、シクロヘキシル基、Ｒ²⁰³としては、例え
ばＲ^{2 01}、Ｒ²⁰²と同様なもの、或いは−ＣＯＯＨ、−Ｃ
Ｈ₂ＣＯＯＨ、Ｒ²⁰⁴としては、例えばエチレン基、フェ
ニレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子、硫
黄原子等、Ｒ²⁰⁵としては、例えばメチレン基、或いは
Ｒ²⁰⁴と同様なもの、Ｒ ²⁰⁶としては例えば水素原子、メ
チル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル
基、シクロヘキシル基、それぞれ水酸基で置換されたフ
ェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

【００９４】溶解制御剤の酸不安定基としては、種々用
いることができるが、具体的には下記一般式（Ｌ１）〜
（Ｌ４）で示される基、炭素数４〜２０の三級アルキル
基、各アルキル基の炭素数がそれぞれ１〜６のトリアル
キルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基等を
挙げることができる。

【化３２】

【００９５】（式中、Ｒ^L01、Ｒ^L02は水素原子又は炭素
数１〜１８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示
す。Ｒ^L03は炭素数１〜１８の酸素原子等のヘテロ原子
を有してもよい１価の炭化水素基を示す。Ｒ^L01と
Ｒ^L02、Ｒ^L01とＲ^L03、Ｒ^L02とＲ^L03とは環を形成して
もよく、環を形成する場合にはＲ^L01、Ｒ^L02、Ｒ^L03は
それぞれ炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレ
ン基を示す。Ｒ^L04は炭素数４〜２０の三級アルキル
基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキ
ルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上
記一般式（Ｌ１）で示される基を示す。Ｒ^L05は炭素数
１〜８のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基又
は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を
示す。Ｒ^L06は炭素数１〜８のヘテロ原子を含んでもよ
い１価の炭化水素基又は炭素数６〜２０の置換されてい
てもよいアリール基を示す。Ｒ^L07〜Ｒ^L16はそれぞれ独
立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んで
もよい１価の炭化水素基を示す。Ｒ^{L0 7}〜Ｒ^L16は互いに
環を形成していてもよく、その場合には炭素数１〜１５
のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を示す。
また、Ｒ^L07〜Ｒ^L16は隣接する炭素に結合するもの同士
で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。ｙ
は０〜６の整数である。ｍは０又は１、ｎは０、１、
２、３のいずれかであり、２ｍ＋ｎ＝２又は３を満足す
る数である。）

【００９６】なお、それぞれの基の具体例については、
先の説明と同様である。

【００９７】上記溶解制御剤の配合量は、ベース樹脂１
００重量部に対し、０〜５０重量部、好ましくは０〜４
０重量部、より好ましくは０〜３０重量部であり、単独
又は２種以上を混合して使用できる。配合量が５０重量
部を超えるとパターンの膜減りが生じ、解像度が低下す
る場合がある。

【００９８】なお、上記のような溶解制御剤は、フェノ
ール性水酸基又はカルボキシ基を有する化合物に対し、
有機化学的手法を用いて酸不安定基を導入することによ
り合成される。

【００９９】更に、本発明のレジスト材料には、塩基性
化合物を配合することができる。塩基性化合物として
は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する
際の拡散速度を抑制することができる化合物が適してい
る。塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の
拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変
化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余
裕度やパターンプロファイル等を向上することができ
る。

【０１００】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を
有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミ
ド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。

【０１０１】具体的には、第一級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒ
ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示される。

【０１０２】第二級の脂肪族アミン類として、ジメチル
アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ
イソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブ
チルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルア
ミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジ
シクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチル
アミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシル
アミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。

【０１０３】第三級の脂肪族アミン類として、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミ
ン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミ
ン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、
トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ
ヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミ
ン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエ
チレンペンタミン等が例示される。

【０１０４】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。

【０１０５】芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体
例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メ
チルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリ
ン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチル
アニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２
−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロア
ニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロ
アニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、
メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニ
レンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、
ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１
−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５
−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサ
ゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール
等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチア
ゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニ
ルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導
体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１
−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジ
ン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチル
ピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン
誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリ
ジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリ
ジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチル
ピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、
フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジ
ン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジ
ン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピ
リジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリド
ン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニ
ルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、ア
ミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾ
リン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、
ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導
体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導
体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリ
ン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘
導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサ
リン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリ
ジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘
導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０
−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシ
ン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシ
ル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。

【０１０６】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシア
ラニン）等が例示される。

【０１０７】スルホニル基を有する含窒素化合物として
３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリ
ジニウム等が例示される。

【０１０８】水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ
フェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素
化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレ
ゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメ
タノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタ
ノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、ト
リイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノ
ール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパ
ノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒド
ロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチ
ル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
ン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピ
ペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキ
シエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）
−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパ
ンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオー
ル、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノー
ル、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエ
タノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒド
ロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエ
チル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導
体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド
誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレ
イミド等が例示される。

【０１０９】更に、下記一般式（Ｂ１）で示される塩基
性化合物から選ばれる１種または２種以上を配合するこ
ともできる。

【化３３】 （式中、ｎ＝１、２、３である。Ｙは各々独立に水素原
子又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２０のアル
キル基を示し、ヒドロキシ基又はエーテルを含んでもよ
い。Ｘは各々独立に下記一般式（Ｘ１）〜（Ｘ３）で表
される基を示し、２個又は３個のＸが結合して環を形成
しても良い。）

【化３４】 （式中Ｒ³⁰⁰、Ｒ³⁰²、Ｒ³⁰⁵は炭素数１〜４の直鎖状又
は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ³⁰¹、Ｒ³⁰⁴は水素原
子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル
基を示し、ヒドロキシ基、エーテル、エステル又はラク
トン環を１個又は複数個含んでいても良い。Ｒ³⁰³は単
結合又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキレン
基を示す。）

【０１１０】一般式（Ｂ１）で表される化合物として具
体的には、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミ
ン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝ア
ミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）
エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキ
シ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエト
キシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプ
ロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−
ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，
７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０
−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，
７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシ
クロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−
テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカ
ン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−
クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６、トリス
（２−フォルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−
ホルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−アセトキ
シエチル）アミン、トリス（２−プロピオニルオキシエ
チル）アミン、トリス（２−ブチリルオキシエチル）ア
ミン、トリス（２−イソブチリルオキシエチル）アミ
ン、トリス（２−バレリルオキシエチル）アミン、トリ
ス（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビ
ス（２−アセトキシエチル）２−（アセトキシアセトキ
シ）エチルアミン、トリス（２−メトキシカルボニルオ
キシエチル）アミン、トリス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニルオキシエチル）アミン、トリス［２−（２−
オキソプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２−（メ
トキシカルボニルメチル）オキシエチル］アミン、トリ
ス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキ
シ）エチル］アミン、トリス［２−（シクロヘキシルオ
キシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス
（２−メトキシカルボニルエチル）アミン、トリス（２
−エトキシカルボニルエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）２−（メトキシカルボニル）
エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）
２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）２−（エトキシカルボニ
ル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチ
ル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ
−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−メトキシエ
トキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−
アセトキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボ
ニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）２−（２−ヒドロキシエトキシカルボニル）エチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−
（２−アセトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（メトキ
シカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（メトキ
シカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−オキ
ソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−アセトキシエチル）２−（２−オキソプロポキシ
カルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカル
ボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシ
エチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニ
ル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イ
ル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−アセトキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒ
ドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（４−
ヒドロキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ
−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（４−ホルミ
ルオキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−
ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（２−ホルミル
オキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビ
ス（２−メトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）
エチルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２
−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−
アセトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）
エチル］アミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス
［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−
（２−アセトキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボ
ニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プ
ロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］ア
ミン、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）ビス［２
−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−
メトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エ
チル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（メトキシカルボ
ニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（２−メ
トキシエトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−メチ
ルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビ
ス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−メチルビス
（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビ
ス［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］アミ
ン、Ｎ−エチルビス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ）エチル］アミン、トリス（メトキシカルボ
ニルメチル）アミン、トリス（エトキシカルボニルメチ
ル）アミン、Ｎ−ブチルビス（メトキシカルボニルメチ
ル）アミン、Ｎ−ヘキシルビス（メトキシカルボニルメ
チル）アミン、β−（ジエチルアミノ）−δ−バレロラ
クトン等が例示できる。

【０１１１】更に、下記一般式（Ｂ２）で示される環状
構造を有する塩基性化合物から選ばれる１種または２種
以上を配合することもできる。

【化３５】 （式中、Ｘは上記と同様である。Ｒ³⁰⁷は炭素数２〜２
０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニ
ル基、エーテル構造、エステル構造又はスルフィド構造
を１個あるいは複数個含んでいても良い。）

【０１１２】上記一般式（Ｂ２）で示される環状構造を
有する塩基性化合物として具体的には、１−［２−（メ
トキシメトキシ）エチル］ピロリジン、１−［２−（メ
トキシメトキシ）エチル］ピペリジン、４−［２−（メ
トキシメトキシ）エチル］モルホリン、１−［２−
［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］ピロリ
ジン、１−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキ
シ］エチル］ピペリジン、４−［２−［（２−メトキシ
エトキシ）メトキシ］エチル］モルホリン、酢酸２−
（１−ピロリジニル）エチル、酢酸２−ピペリジノエチ
ル、酢酸２−モルホリノエチル、ギ酸２−（１−ピロリ
ジニル）エチル、プロピオン酸２−ピペリジノエチル、
アセトキシ酢酸２−モルホリノエチル、メトキシ酢酸２
−（１−ピロリジニル）エチル、４−［２−（メトキシ
カルボニルオキシ）エチル］モルホリン、１−［２−
（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］ピペリジ
ン、４−［２−（２−メトキシエトキシカルボニルオキ
シ）エチル］モルホリン、３−（１−ピロリジニル）プ
ロピオン酸メチル、３−ピペリジノプロピオン酸メチ
ル、３−モルホリノプロピオン酸メチル、３−（チオモ
ルホリノ）プロピオン酸メチル、２−メチル−３−（１
−ピロリジニル）プロピオン酸メチル、３−モルホリノ
プロピオン酸エチル、３−ピペリジノプロピオン酸メト
キシカルボニルメチル、３−（１−ピロリジニル）プロ
ピオン酸２−ヒドロキシエチル、３−モルホリノプロピ
オン酸２−アセトキシエチル、３−（１−ピロリジニ
ル）プロピオン酸２−オキソテトラヒドロフラン−３−
イル、３−モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフ
リル、３−ピペリジノプロピオン酸グリシジル、３−モ
ルホリノプロピオン酸２−メトキシエチル、３−（１−
ピロリジニル）プロピオン酸２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル、３−モルホリノプロピオン酸ブチル、３−
ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α−（１−ピ
ロリジニル）メチル−γ−ブチロラクトン、β−ピペリ
ジノ−γ−ブチロラクトン、β−モルホリノ−δ−バレ
ロラクトン、１−ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ
酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢
酸メチル、１−ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢
酸２−メトキシエチル等が例示できる。

【０１１３】更に、下記一般式（Ｂ３）〜（Ｂ６）で示
されるシアノ基を有する塩基性化合物から選ばれる１種
または２種以上を配合することもできる。

【化３６】 （式中、Ｘ、Ｒ³⁰⁷、ｎは上記と同様である。Ｒ³⁰⁸、Ｒ
³⁰⁹は各々独立に炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のア
ルキレン基である。）

【０１１４】上記一般式（Ｂ３）〜（Ｂ６）で示される
シアノ基を有する塩基性化合物として具体的には、具体
的には３−（ジエチルアミノ）プロピオノニトリル、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプ
ロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチ
ル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオノ
ニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−
アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メト
キシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオノニトリ
ル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエ
チル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−シ
アノエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−ア
ミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−アセトキシエチ
ル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオ
ン酸メチル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−エチル−
３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチ
ル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロ
ピオノニトリル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−
（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリ
ル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ホルミルオ
キシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−
（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエチル）−
３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチ
ル）−Ｎ−［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−
アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）
−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）−３−アミノ
プロピオノニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロ
ピル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピ
オノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（３−
ホルミルオキシ−１−プロピル）−３−アミノプロピオ
ノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−テトラヒ
ドロフルフリル−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，
Ｎ−ビス（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノ
ニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）アミノアセトニ
トリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）ア
ミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチ
ル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メト
キシメトキシ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−シ
アノメチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノ
プロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ
−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−シアノメチル−３−
アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−
（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−
（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（シアノメチル）アミ
ノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ホル
ミルオキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノ
メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アミノアセトニト
リル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−［２−（メトキシメトキ
シ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−（シアノメチ
ル）−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）アミノア
セトニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）
−Ｎ−（シアノメチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シ
アノメチル−Ｎ−（３−ホルミルオキシ−１−プロピ
ル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（シアノメチ
ル）アミノアセトニトリル、１−ピロリジンプロピオノ
ニトリル、１−ピペリジンプロピオノニトリル、４−モ
ルホリンプロピオノニトリル、１−ピロリジンアセトニ
トリル、１−ピペリジンアセトニトリル、４−モルホリ
ンアセトニトリル、３−ジエチルアミノプロピオン酸シ
アノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−
３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シ
アノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチ
ル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−
ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸
シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキ
シ）エチル］−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、
３−ジエチルアミノプロピオン酸２−シアノエチル、
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプ
ロピオン酸２−シアノエチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセ
トキシエチル）−３−アミノプロピオン酸２−シアノエ
チル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３
−アミノプロピオン酸２−シアノエチル、Ｎ，Ｎ−ビス
（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸２−
シアノエチル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキ
シ）エチル］−３−アミノプロピオン酸２−シアノエチ
ル、１−ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、１−ピ
ペリジンプロピオン酸シアノメチル、４−モルホリンプ
ロピオン酸シアノメチル、１−ピロリジンプロピオン酸
２−シアノエチル、１−ピペリジンプロピオン酸２−シ
アノエチル、４−モルホリンプロピオン酸２−シアノエ
チル等が例示できる。

【０１１５】上記塩基性化合物の配合量は、酸発生剤１
重量部に対して０．００１〜１０重量部、好ましくは
０．０１〜１重量部である。配合量が０．００１重量部
未満であると添加剤としての効果が十分に得られない場
合があり、１０重量部を超えると解像度や感度が低下す
る場合がある。

【０１１６】更に、本発明のレジスト材料には、分子内
に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する化合物を配合す
ることができる。分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基
を有する化合物としては、例えば下記Ｉ群及びＩＩ群か
ら選ばれる１種又は２種以上の化合物を使用することが
できるが、これらに限定されるものではない。本成分の
配合により、レジストのＰＥＤ安定性が向上し、窒化膜
基板上でのエッジラフネスが改善されるのである。

【０１１７】［Ｉ群］下記一般式（Ａ１）〜（Ａ１０）
で示される化合物のフェノール性水酸基の水素原子の一
部又は全部を−Ｒ⁴⁰¹−ＣＯＯＨ（Ｒ⁴⁰¹は炭素数１〜１
０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基）により置換して
なり、かつ分子中のフェノール性水酸基（Ｃ）と≡Ｃ−
ＣＯＯＨで示される基（Ｄ）とのモル比率がＣ／（Ｃ＋
Ｄ）＝０．１〜１．０である化合物。

【０１１８】［ＩＩ群］下記一般式（Ａ１１）〜（Ａ１
５）で示される化合物。

【化３７】

【０１１９】（但し、式中Ｒ⁴⁰⁸は水素原子又はメチル
基を示す。Ｒ⁴⁰²、Ｒ⁴⁰³はそれぞれ水素原子又は炭素数
１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル
基を示す。Ｒ⁴⁰⁴は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状
又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、或いは−
（Ｒ⁴⁰⁹）_h−ＣＯＯＲ’基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ
⁴⁰⁹−ＣＯＯＨ）を示す。Ｒ⁴⁰⁵は−（ＣＨ₂）_i−（ｉ＝
２〜１０）、炭素数６〜１０のアリーレン基、カルボニ
ル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ
⁴⁰⁶は炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数６〜１０
のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原
子又は硫黄原子を示す。Ｒ⁴⁰⁷は水素原子又は炭素数１
〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、
それぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基
を示す。Ｒ⁴⁰⁹は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状の
アルキレン基を示す。Ｒ⁴¹⁰は水素原子又は炭素数１〜
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基又
は−Ｒ⁴¹¹−ＣＯＯＨ基を示す。Ｒ⁴¹¹は炭素数１〜１０
の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。ｊは０〜５
の整数である。ｕ、ｈは０又は１である。ｓ１、ｔ１、
ｓ２、ｔ２、ｓ３、ｔ３、ｓ４、ｔ４はそれぞれｓ１＋
ｔ１＝８、ｓ２＋ｔ２＝５、ｓ３＋ｔ３＝４、ｓ４＋ｔ
４＝６を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも１
つの水酸基を有するような数である。κは式（Ａ６）の
化合物をポリスチレン換算でのＧＰＣを用いて測定した
重量平均分子量１，０００〜５，０００とする数であ
る。λは式（Ａ７）の化合物をポリスチレン換算でのＧ
ＰＣを用いて測定した重量平均分子量１，０００〜１
０，０００とする数である。）

【０１２０】

【化３８】 （Ｒ⁴⁰²、Ｒ⁴⁰³、Ｒ⁴¹¹は上記と同様の意味を示す。Ｒ
⁴¹²は水素原子又は水酸基を示す。ｓ５、ｔ５は、ｓ５
≧０、ｔ５≧０で、ｓ５＋ｔ５＝５を満足する数であ
る。ｈ’は０又は１である。）

【０１２１】本成分として、具体的には下記一般式ＡＩ
−１〜１４及びＡＩＩ−１〜１０で示される化合物を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。

【化３９】 （Ｒ’’は水素原子又はＣＨ₂ＣＯＯＨ基を示し、各化
合物においてＲ’’の１０〜１００モル％はＣＨ₂ＣＯ
ＯＨ基である。α、κは上記と同様の意味を示す。）

【０１２２】

【化４０】

【０１２３】なお、上記分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示さ
れる基を有する化合物は、１種を単独で又は２種以上を
組み合わせて用いることができる。上記分子内に≡Ｃ−
ＣＯＯＨで示される基を有する化合物の添加量は、ベー
ス樹脂１００重量部に対して０〜５重量部、好ましくは
０．１〜５重量部、より好ましくは０．１〜３重量部、
更に好ましくは０．１〜２重量部である。５重量部より
多いとレジスト材料の解像性が低下する場合がある。

【０１２４】更に、本発明のレジスト材料には、添加剤
としてアセチレンアルコール誘導体を配合することがで
き、これにより保存安定性を向上させることができる。
アセチレンアルコール誘導体としては、下記一般式（Ｓ
１）、（Ｓ２）で示されるものを好適に使用することが
できる。

【化４１】 （式中、Ｒ⁵⁰¹、Ｒ⁵⁰²、Ｒ⁵⁰³、Ｒ⁵⁰⁴、Ｒ⁵⁰⁵はそれぞ
れ水素原子、又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環
状のアルキル基であり、Ｘ、Ｙは０又は正数を示し、下
記値を満足する。０≦Ｘ≦３０、０≦Ｙ≦３０、０≦Ｘ
＋Ｙ≦４０である。）

【０１２５】アセチレンアルコール誘導体として好まし
くは、サーフィノール６１、サーフィノール８２、サー
フィノール１０４、サーフィノール１０４Ｅ、サーフィ
ノール１０４Ｈ、サーフィノール１０４Ａ、サーフィノ
ールＴＧ、サーフィノールＰＣ、サーフィノール４４
０、サーフィノール４６５、サーフィノール４８５（Ａ
ｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ
Ｉｎｃ．製）、サーフィノールＥ１００４（日信化学
工業社製）等が挙げられる。

【０１２６】上記アセチレンアルコール誘導体の添加量
は、レジスト組成物１００重量％中０．０１〜２重量
％、より好ましくは０．０２〜１重量％である。０．０
１重量％より少ないと塗布性及び保存安定性の改善効果
が十分に得られない場合があり、２重量％より多いとレ
ジスト材料の解像性が低下する場合がある。

【０１２７】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤を添加することができる。なお、任意成
分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量と
することができる。

【０１２８】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
ＥＯ付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が
挙げられる。例えばフロラード「ＦＣ−４３０」、「Ｆ
Ｃ−４３１」（いずれも住友スリーエム社製）、サーフ
ロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４５」、「ＫＨ−１
０」、「ＫＨ−２０」、「ＫＨ−３０」、「ＫＨ−４
０」（いずれも旭硝子社製）、ユニダイン「ＤＳ−４０
１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いずれも
ダイキン工業社製）、メガファック「Ｆ−８１５１」
（大日本インキ工業社製）、「Ｘ−７０−０９２」、
「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化学工業社製）等
を挙げることができる。好ましくは、フロラード「ＦＣ
−４３０」（住友スリーエム社製）、「ＫＨ−２０」、
「ＫＨ−３０」（いずれも旭硝子社製）、「Ｘ−７０−
０９３」（信越化学工業社製）が挙げられる。

【０１２９】本発明のレジスト材料を使用してパターン
を形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して
行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上に
スピンコーティング等の手法で膜厚が０．２〜２．０μ
ｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０
〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１３０
℃、１〜５分間プリベークする。次いで目的のパターン
を形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざ
し、遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギ
ー線もしくは電子線を露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ²程
度、好ましくは５〜１００ｍＪ／ｃｍ²程度となるよう
に照射する。その後、ホットプレート上で６０〜１５０
℃、１〜５分間、好ましくは８０〜１３０℃、１〜３分
間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。更に、
０．１〜５％、好ましくは２〜３％テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の
現像液を用い、０．１〜３分間、好ましくは０．５〜２
分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、
スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像すること
により基板上に目的のパターンが形成される。なお、本
発明材料は、特に高エネルギー線の中でも２４８〜１９
３ｎｍの遠紫外線又はエキシマレーザー、Ｘ線及び電子
線による微細パターンニングに最適である。また、上記
範囲を上限及び下限から外れる場合は、目的のパターン
を得ることができない場合がある。

【０１３０】

【実施例】以下、合成例及び実施例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。 ［合成例］本発明の高分子化合物を、以下に示す処方で
合成した。 ［合成例１］Ｐｏｌｙｍｅｒ１の合成 ３７．２ｇの５−ノルボルネン−２−カルボン酸７−オ
キサビシクロ［２．２．１］−２−ヘプチルメチル（フ
ランとアクリル酸メチルのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応
物を水素添加、還元して７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−２−メタノールとし、５−ノルボルネン
−２−カルボン酸とエステル化して合成）、９１．０ｇ
の５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−
ノルボルニル及び４９．０ｇの無水マレイン酸を１５０
ｍｌのテトラヒドロフランに溶解し、１．８ｇの２，
２’−アゾビスイソブチロニトリルを加えた。６０℃で
１５時間撹拌した後、減圧下濃縮した。得られた残さを
４００ｍｌのテトラヒドロフランに溶解し、１０Ｌのｎ
−ヘキサンに滴下した。生じた固形物を濾過して取り、
更に１０Ｌのｎ−ヘキサンで洗浄し、４０℃で６時間真
空乾燥したところ、８９．５ｇの下記式Ｐｏｌｙｍｅｒ
１で示される高分子化合物が得られた。収率は５０．５
％であった。なお、Ｍｗは、ポリスチレン換算でのＧＰ
Ｃを用いて測定した重量平均分子量を表す。また、モノ
マーとして用いた（５−ノルボルネン−２−カルボン酸
７−オキサビシクロ［２．２．１］−２−へプチルメチ
ル）の¹Ｈ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲのデータを以下に示
す。¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃、２７０ＭＨｚ）：δ０．
９０−２．９６（ｍ、１３Ｈ）、２．９８−３．２２
（ｍ、１Ｈ）、３．６８−４．２６（ｍ、２Ｈ）、４．
３４−４．５８（ｍ、２Ｈ）、５．８６−６．２０
（ｍ、２Ｈ）； ＦＴ−ＩＲ：１７３２ｃｍ^-1

【０１３１】［合成例２〜１２］Ｐｏｌｙｍｅｒ２〜１
２の合成 上記と同様にして、又は公知の処方で、Ｐｏｌｙｍｅｒ
２〜１２を合成した。

【０１３２】

【化４２】

【０１３３】

【化４３】

【０１３４】［実施例Ｉ］本発明の高分子化合物につい
て、ベース樹脂としてレジスト材料に配合した際の基板
密着性の評価を行った。 ［実施例Ｉ−１〜４及び比較例Ｉ−１、２］上記式で示
されるポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ１〜４）及び比較とし
て下記式で示されるポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ１３、１
４）をベース樹脂とし、下記式で示される酸発生剤（Ｐ
ＡＧ１）、塩基性化合物及び溶剤を、表１に示す組成で
混合した。次にそれらをテフロン（登録商標）製フィル
ター（孔径０．２μｍ）で濾過し、レジスト材料とし
た。

【０１３５】

【化４４】

【０１３６】

【化４５】

【０１３７】レジスト液を９０℃、４０秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、１１０℃、９０秒間の熱処理を施して、厚さ０．５
μｍのレジスト膜を形成した。これをＫｒＦエキシマレ
ーザーステッパー（ニコン社製、ＮＡ＝０．５）を用い
て露光し、１１０℃、９０秒間の熱処理を施した後、
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて６０秒間パドル現像を行い、１：１のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を上空ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、剥れずに
残っている最小線幅（μｍ）を評価レジストの密着限界
とした。各レジストの組成及び評価結果を表１に示す。
なお、表１において、溶剤及び塩基性化合物は下記の通
りである。また、溶剤はすべてＫＨ−２０（旭硝子社
製）を０．０１重量％含むものを用いた。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート ＴＢＡ：トリブチルアミン 表１の結果より、本発明の高分子化合物が、高い基板密
着性を有していることが確認された。

【０１３８】

【表１】

【０１３９】［実施例ＩＩ］本発明の高分子化合物につ
いて、ベース樹脂としてレジスト材料に配合した際の膨
潤低減効果の評価を行った。 ［実施例ＩＩ−１〜４及び比較例ＩＩ−１、２］上記と
同様に、表２に示す組成でレジスト材料を調製した。レ
ジスト液を９０℃、９０秒間ヘキサメチルジシラザンを
噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布し、１１０℃、
９０秒間の熱処理を施して、厚さ０．５μｍのレジスト
膜を形成した。これをＫｒＦエキシマレーザーステッパ
ー（ニコン社製、ＮＡ＝０．５）を用い、別途測定した
感度（Ｅｔｈ、ｍＪ／ｃｍ²）を中心値に、５％のピッ
チで上下５点ずつ、合計１１点の露光量で露光した後、
１１０℃、９０秒間の熱処理を施した。ここで各露光点
の膜厚を測定し、現像前膜厚（Å）とした。次に、この
シリコンウエハーを２．３８％のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液に２００秒間浸漬して現像し、
再び各露光点の膜厚を測定し、現像後膜厚（Å）とし
た。各露光点の現像前膜厚と現像後膜厚を比較し、現像
前後で膜厚が増加している点については膨潤が起こった
ものとし、その増加量の最大値を膨潤量（Å）とした。

【０１４０】各レジストの組成及び評価結果を表２に示
す。なお、表２において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤はすべてＫＨ−２０（旭硝子
社製）を０．０１重量％含むものを用いた。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート ＴＢＡ：トリブチルアミン 表２の結果より、本発明の高分子化合物が、高い膨潤低
減効果を有していることが確認された。

【０１４１】

【表２】

【０１４２】［実施例ＩＩＩ］本発明のレジスト材料に
ついて、ＫｒＦエキシマレーザー露光における解像性の
評価を行った。 ［実施例ＩＩＩ−１〜２１］レジストの解像性の評価 上記式で示されるポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒ１〜１２）
をベース樹脂とし、下記式で示される酸発生剤（ＰＡＧ
１、２）、下記式で示される溶解制御剤（ＤＲＲ1〜
４）、塩基性化合物、下記式で示される分子内に≡Ｃ−
ＣＯＯＨで示される基を有する化合物（ＡＣＣ１、２）
及び溶剤を、表３に示す組成で混合した。次にそれらを
テフロン製フィルター（孔径０．２μｍ）で濾過し、レ
ジスト材料とした。

【０１４３】

【化４６】

【０１４４】

【化４７】

【０１４５】

【化４８】

【０１４６】レジスト液を９０℃、９０秒間ヘキサメチ
ルジシラザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布
し、１１０℃、９０秒間の熱処理を施して、厚さ０．５
μｍのレジスト膜を形成した。これをＫｒＦエキシマレ
ーザーステッパー（ニコン社製、ＮＡ＝０．５）を用い
て露光し、１１０℃、９０秒間の熱処理を施した後、
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液を用いて６０秒間パドル現像を行い、１：１のライ
ンアンドスペースパターンを形成した。現像済ウエハー
を割断したものを断面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観
察し、０．３０μｍのラインアンドスペースを１：１で
解像する露光量（最適露光量＝Ｅｏｐ、ｍＪ／ｃｍ²）
における分離しているラインアンドスペースの最小線幅
（μｍ）を評価レジストの解像度とした。また、その際
のパターンの形状を矩形、頭丸、Ｔ−トップ、順テーパ
ー、逆テーパーのいずれかに分類することとしたが、結
果的には全て矩形となった。

【０１４７】各レジストの組成及び評価結果を表３に示
す。なお、表３において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤はすべてＫＨ−２０（旭硝子
社製）を０．０１重量％含むものを用いた。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート ＴＥＡ：トリエタノールアミン ＴＭＭＥＡ：トリスメトキシメトキシエチルアミン ＴＭＥＭＥＡ：トリスメトキシエトキシメトキシエチル
アミン 表３の結果より、本発明のレジスト材料が、ＫｒＦエキ
シマレーザー露光において、高感度かつ高解像性である
ことが確認された。

【０１４８】

【表３】

【０１４９】［実施例ＩＶ］本発明のレジスト材料につ
いて、ＡｒＦエキシマレーザー露光における解像性の評
価を行った。 ［実施例ＩＶ−１、２］レジストの解像性の評価 上記と同様に、表４に示す組成でレジスト材料を調製し
た。レジスト液を９０℃、９０秒間ヘキサメチルジシラ
ザンを噴霧したシリコンウエハー上へ回転塗布し、１１
０℃、９０秒間の熱処理を施して、厚さ０．５μｍのレ
ジスト膜を形成した。これをＡｒＦエキシマレーザース
テッパー（ニコン社製、ＮＡ＝０．５５）を用いて露光
し、１１０℃、９０秒間の熱処理を施した後、２．３８
％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用
いて６０秒間パドル現像を行い、１：１のラインアンド
スペースパターンを形成した。現像済ウエハーを割断し
たものを断面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、
０．２５μｍのラインアンドスペースを１：１で解像す
る露光量（最適露光量＝Ｅｏｐ、ｍＪ／ｃｍ²）におけ
る分離しているラインアンドスペースの最小線幅（μ
ｍ）を評価レジストの解像度とした。また、その際のパ
ターンの形状を矩形、頭丸、Ｔ−トップ、順テーパー、
逆テーパーのいずれかに分類することとしたが、結果的
には全て矩形となった。

【０１５０】各レジストの組成及び評価結果を表４に示
す。なお、表４において、溶剤及び塩基性化合物は下記
の通りである。また、溶剤はすべてＫＨ−２０（旭硝子
社製）を０．０１重量％含むものを用いた。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート ＴＥＡ：トリエタノールアミン ＴＭＭＥＡ：トリスメトキシメトキシエチルアミン 表４の結果より、本発明のレジスト材料が、ＡｒＦエキ
シマレーザー露光において、高感度かつ高解像性である
ことが確認された。

【０１５１】

【表４】

【０１５２】

【発明の効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂とし
たレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解
像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫
外線による微細加工に有用である。特にＡｒＦエキシマ
レーザー、ＫｒＦエキシマレーザーの露光波長での吸収
が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパター
ンを容易に形成することができるという特徴を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｇ 61/08 Ｃ０８Ｇ 61/08 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 長谷川 幸士 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA04 AA09 AA13 AA14 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB14 CB41 CB55 CB56 FA17 4J032 CA33 CA34 CA36 CB05 4J100 AK32R AL08S AM43R AR09P AR11P AR11Q BA02Q BA03P BA15P BA15Q BC03S BC04Q BC04S BC08Q BC09Q BC09S BC53P BC53S JA37 JA38

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１−１）又は（１−２）で
   示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量
   平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子化合
   物。 【化１】 （式中、Ｒ¹は水素原子、メチル基又はＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ³を
   示す。Ｒ²は水素原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ³を示す。
   Ｒ³は、Ｒ¹とＲ²で共通しても異なってもよい炭素数１
   〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。
   Ｗは炭素数２〜１０の直鎖状又は分岐状の２価の炭化水
   素基を示し、その構造中に１個以上のエステル結合を有
   してもよく、更にヘテロ原子を含む別の原子団で置換さ
   れていてもよい。ｋは０又は１である。）
2. 【請求項２】 上記一般式（１−１）で示される繰り返
   し単位に加え、下記一般式（２−１）で示される繰り返
   し単位を含有することを特徴とする請求項１記載の高分
   子化合物。 【化２】 （式中、ｋは請求項１の記載と同様である。Ｒ^1'は水素
   原子、メチル基又はＣＨ ₂ＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^2'は水素
   原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^3'は、Ｒ^1'と
   Ｒ^2'で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴は酸不安
   定基を示す。Ｒ⁵はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜
   １５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、アシル
   オキシ基又はアルキルスルフォニルオキシ基、又は炭素
   数２〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアル
   コキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基を示し、構
   成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子
   に置換されていてもよい。Ｚは単結合又は炭素数１〜５
   の直鎖状、分岐状又は環状の（ｐ＋２）価の炭化水素基
   を示し、炭化水素基である場合には、１個以上のメチレ
   ン基が酸素原子に置換されて鎖状又は環状のエーテルを
   形成してもよく、同一炭素上の２個の水素原子が酸素原
   子に置換されてケトンを形成してもよい。ｐは０、１又
   は２である。）
3. 【請求項３】 上記一般式（１−１）で示される繰り返
   し単位に加え、下記一般式（２−１）及び（３）で示さ
   れる繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１
   記載の高分子化合物。 【化３】 （式中、ｋは請求項１の記載と同様である。Ｒ^1'は水素
   原子、メチル基又はＣＨ ₂ＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^2'は水素
   原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^3'は、Ｒ^1'と
   Ｒ^2'で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴は酸不安
   定基を示す。Ｒ⁵はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜
   １５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、アシル
   オキシ基又はアルキルスルフォニルオキシ基、又は炭素
   数２〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアル
   コキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基を示し、構
   成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子
   に置換されていてもよい。Ｙは−Ｏ−又は−（ＮＲ⁶）
   −を示し、Ｒ⁶は水素原子又は炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ｐは０、１又
   は２である。）
4. 【請求項４】 上記一般式（１−１）で示される繰り返
   し単位に加え、下記一般式（４）で示される繰り返し単
   位又は下記一般式（４）で示される繰り返し単位と下記
   一般式（２−１）で示される繰り返し単位を含有し、更
   に下記一般式（３）で示される繰り返し単位とを含有す
   ることを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。 【化４】 （式中、ｋは請求項１の記載と同様である。Ｒ^1'は水素
   原子、メチル基又はＣＨ ₂ＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^2'は水素
   原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^3'は、Ｒ^1'と
   Ｒ^2'で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ^1"は水素原
   子、メチル基又はＣＨ₂ＣＯ₂Ｒ^3"を示す。Ｒ^2"は水素原
   子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3"を示す。Ｒ^3"は、Ｒ^1"とＲ
   ^2"で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴とＲ^4'は
   それぞれ独立して酸不安定基を示す。Ｒ⁵はハロゲン原
   子、水酸基、炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状
   のアルコキシ基、アシルオキシ基又はアルキルスルフォ
   ニルオキシ基、又は炭素数２〜１５の直鎖状、分岐状又
   は環状のアルコキシアルコキシ基又はアルコキシカルボ
   ニルオキシ基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部
   又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。Ｙは
   −Ｏ−又は−（ＮＲ⁶）−を示す。ｐは０、１又は２で
   ある。）
5. 【請求項５】 上記一般式（１−２）で示される繰り返
   し単位に加え、下記一般式（２−２）で示される繰り返
   し単位を含有することを特徴とする請求項１記載の高分
   子化合物。 【化５】 （式中、ｋは請求項１の記載と同様である。Ｒ^1'は水素
   原子、メチル基又はＣＨ ₂ＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^2'は水素
   原子、メチル基又はＣＯ₂Ｒ^3'を示す。Ｒ^3'は、Ｒ^1'と
   Ｒ^2'で共通しても異なってもよい炭素数１〜１５の直鎖
   状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴は酸不安
   定基を示す。Ｒ⁵はハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜
   １５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、アシル
   オキシ基又はアルキルスルフォニルオキシ基、又は炭素
   数２〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアル
   コキシ基又はアルコキシカルボニルオキシ基を示し、構
   成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子
   に置換されていてもよい。ｐは０、１又は２である。）
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の高分子
   化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
7. 【請求項７】 請求項６に記載のレジスト材料を基板上
   に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高
   エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処
   理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを
   特徴とするパターン形成方法。