JP2002289907A - Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element - Google Patents

Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element

Info

Publication number
JP2002289907A
JP2002289907A JP2001087540A JP2001087540A JP2002289907A JP 2002289907 A JP2002289907 A JP 2002289907A JP 2001087540 A JP2001087540 A JP 2001087540A JP 2001087540 A JP2001087540 A JP 2001087540A JP 2002289907 A JP2002289907 A JP 2002289907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
apd
receiving module
light receiving
apd element
difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001087540A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Tagami
上 雄 一 田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001087540A priority Critical patent/JP2002289907A/en
Publication of JP2002289907A publication Critical patent/JP2002289907A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the cut-off frequency of a light-receiving module for optical communication for mounting an APD element to be set within a specified range. SOLUTION: To sort the APD element in the light-receiving module for optical communication, which has the APD element for outputting a received optical signal as a electrical signal, an amplifier for amplifying the electrical signal of the output of the APD element and outputting it, and a low-pass filter connected to the output side of the amplifier, the above APD elements are sorted, so that a second difference is within a predetermined range, based on the relation between the first difference of the cut-off frequency between the first and second values out of the multiplication factor within the prescribed range and the applied bias voltage, in each of a plurality of APD elements and the second difference of the cut-off frequency between the first and second values at using each of the plural APD elements as the APD element of the light-receiving module.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、APD(アバラン
シェフォトダイオード)素子の選別方法及びそれを搭載
する光通信用の受光モジュールに関し、より詳しくは、
例えば、光通信用の受光モジュールの遮断周波数を所望
の範囲内とするのに用いるAPD素子の選別方法及びそ
のようにして選別されたAPD素子を用いることにより
遮断周波数を所望の範囲内のものとした光通信用の受光
モジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for selecting an APD (avalanche photodiode) element and a light receiving module for optical communication mounting the same.
For example, a method of selecting an APD element used to set a cutoff frequency of a light receiving module for optical communication within a desired range and a cutoff frequency within a desired range by using the APD element thus selected. And a light receiving module for optical communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年光通信技術の発達にともなって、光
通信技術における主要部品である光通信用の受光モジュ
ール(受光モジュール)もそれに追従した性能及び信頼
性を有することが求められている。APD素子は、その
増幅機能及び低雑音性等の特徴により受光モジュールの
受光素子として一般的に広く用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of optical communication technology, a light receiving module (light receiving module) for optical communication, which is a main component in optical communication technology, is required to have performance and reliability that follow the module. An APD element is generally widely used as a light receiving element of a light receiving module due to its amplifying function and low noise characteristics.

【0003】図6は従来の受光モジュールの一例であ
り、受光素子としてAPD素子2が用いられている。光
信号1がAPD素子2に入射すると、光信号1はAPD
素子2により電気信号に変換され、この電気信号は増幅
器3により増幅される。増幅された電気信号のうち交流
成分がAC出力用コンデンサ4を通過し、出力端子9か
ら出力される。
FIG. 6 shows an example of a conventional light receiving module, in which an APD element 2 is used as a light receiving element. When the optical signal 1 enters the APD element 2, the optical signal 1
The electric signal is converted into an electric signal by the element 2, and the electric signal is amplified by the amplifier 3. An AC component of the amplified electric signal passes through the AC output capacitor 4 and is output from an output terminal 9.

【0004】以下、APD素子2の特性評価について述
べる。図7はAPD素子2の周波数特性グラフである。
APD素子2の特性評価の一つとして遮断周波数特性が
ある。これは、低域で基準となる基準周波数f0を決
め、この基準周波数f0での電気信号出力利得よりも3
dB下がった周波数を遮断周波数(fc3dB)とし、
このfc3dBの値をもって評価を行うものである。す
なわち、APD素子2へ入力される光信号に対してどの
程度まで追従できるのかを、遮断周波数により評価する
ものである。たとえば、APD素子2に対して、低域で
基準となる周波数を300kHzとした場合に、その周
波数における電気信号出力利得が3dB低下する周波数
が3GHzであったとすると、APD素子2の遮断周波
数特性は3GHzであるということになる。
Hereinafter, the evaluation of the characteristics of the APD element 2 will be described. FIG. 7 is a frequency characteristic graph of the APD element 2.
One of the characteristic evaluations of the APD element 2 is a cutoff frequency characteristic. This is because the reference frequency f0 which is a reference in the low frequency range is determined, and the output gain of the electric signal at the reference frequency f0 is more than 3%.
The frequency decreased by dB is defined as a cutoff frequency (fc3dB),
Evaluation is performed using the value of fc3 dB. That is, the degree to which the optical signal input to the APD element 2 can be followed is evaluated by the cutoff frequency. For example, if the reference frequency in the low frequency range is 300 kHz with respect to the APD element 2 and the frequency at which the electric signal output gain decreases by 3 dB at that frequency is 3 GHz, the cut-off frequency characteristic of the APD element 2 becomes That is, it is 3 GHz.

【0005】また、APD素子2の他の特性評価として
増倍率Mによる遮断周波数特性がある。ここで増倍率M
について予め簡単に説明する。APD素子2は逆バイア
ス電圧を印加して用いられ、印可バイアス電圧量を増や
すことによって受光した光量に対する電気信号出力が増
倍するという機能を有している。一般にAPD素子2を
使用する場合は増倍率(Mとする)を定め、増倍してい
ない印加バイアス電圧を増倍率M=1のバイアス電圧と
し、基準の電圧する。このときのAPD素子2に流れる
電流値を光電流値Iph(M=1)という。APD素子
2の印加バイアス電圧を増加させていき、光電流値Ip
hが光電流値Iph(M=1)の2倍になったときの印
加バイアス電圧を増倍率M=2の印加バイアス電圧とい
う。同様にして光電流値Iphの増加に対して増倍率M
を決めて行く。このように決められた増倍率Mをあたえ
る印加バイアス電圧はAPD素子2によって異なる値を
有する。ここで、図8はAPD素子2の増倍率Mによる
遮断周波数特性を示したもので、横軸が増倍率M、縦軸
が遮断周波数である。図8からも分かるように、APD
素子2はこの増倍率Mによって異なる遮断周波数を有し
ている。増倍率Mが大きくなると雑音も増すため一般に
使用される増倍率MはM=3〜15程度である。
As another characteristic evaluation of the APD element 2, there is a cutoff frequency characteristic by a multiplication factor M. Where M
Will be briefly described in advance. The APD element 2 is used by applying a reverse bias voltage, and has a function of increasing an electric signal output with respect to a received light amount by increasing an applied bias voltage amount. In general, when the APD element 2 is used, a multiplication factor (M) is determined, an applied bias voltage that has not been multiplied is set as a bias voltage with a multiplication factor M = 1, and a reference voltage is set. The current value flowing through the APD element 2 at this time is called a photocurrent value Iph (M = 1). By increasing the applied bias voltage of the APD element 2, the photocurrent value Ip
The applied bias voltage when h becomes twice the photocurrent value Iph (M = 1) is referred to as an applied bias voltage with a multiplication factor M = 2. Similarly, when the photocurrent value Iph increases, the multiplication factor M
And decide. The applied bias voltage giving the multiplication factor M determined in this way has different values depending on the APD element 2. Here, FIG. 8 shows a cut-off frequency characteristic of the APD element 2 according to the multiplication factor M, wherein the horizontal axis represents the multiplication factor M and the vertical axis represents the cut-off frequency. As can be seen from FIG.
The element 2 has a different cutoff frequency depending on the multiplication factor M. As the multiplication factor M increases, the noise also increases. Therefore, the multiplication factor M generally used is about M = 3 to 15.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述の図6の受光モジ
ュールは、ノイズを遮断するなどのために、その遮断周
波数が狭い範囲に制限される場合がある。例えば、高周
波側のノイズを遮断して用いなければならないシステム
(例えば2.5Gb/sシステム)では、遮断周波数を
1.3GHz以上、1.5GHz以下に収めなければな
らない場合もある。このような場合には、図6の受光モ
ジュールの遮断周波数を下限値及び上限値で定められる
範囲内に収める必要がある。図6の受光モジュールはこ
の下限値の制限を満たすことにおいては有用であった。
しかし、図6の受光モジュールは、遮断周波数が下限値
及び上限値の双方によって制限されている場合において
は、この制限を満たすことは期待できなかった。
In the light receiving module shown in FIG. 6, the cutoff frequency may be limited to a narrow range in order to cut off noise. For example, in a system (for example, a 2.5 Gb / s system) in which noise on the high-frequency side must be cut off and used, the cut-off frequency may need to be kept within a range from 1.3 GHz to 1.5 GHz. In such a case, it is necessary to keep the cutoff frequency of the light receiving module in FIG. 6 within the range defined by the lower limit and the upper limit. The light receiving module of FIG. 6 was useful in satisfying the lower limit.
However, in the case where the cutoff frequency is limited by both the lower limit and the upper limit, the light receiving module of FIG. 6 cannot be expected to satisfy this limit.

【0007】そこで、本発明はこのような問題点に鑑み
なされたもので、APD素子を搭載する受光モジュール
の遮断周波数を下限値及び上限値で定められる範囲内に
収めることができるようにすることを目的とする。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to enable a cut-off frequency of a light receiving module having an APD element to fall within a range defined by a lower limit and an upper limit. With the goal.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のAPD素子の選
別方法は、受光した光信号を電気信号として出力するA
PD素子と、前記APD素子の出力の電気信号を増幅し
て出力する増幅アンプと、前記増幅アンプの出力側に接
続された低域通過フィルタと、を有する光通信用の受光
モジュールにおける前記APD素子を選別するにあた
り、複数のAPD素子のそれぞれにおける、予め定めた
範囲の増倍率又は印可バイアス電圧のうちの第1及び第
2の値における遮断周波数の第1の差と、前記複数のA
PD素子のそれぞれを前記受光モジュールの前記APD
素子として用いたときにおける前記第1及び第2の値に
おける遮断周波数の第2の差と、の関係に基づいて、前
記第2の差が所定の範囲内にあるように前記APD素子
を選別することを特徴とするものとして構成する。
According to the method of selecting an APD element of the present invention, an APD for outputting a received optical signal as an electric signal is provided.
The APD element in a light receiving module for optical communication, comprising: a PD element; an amplification amplifier that amplifies and outputs an electric signal output from the APD element; and a low-pass filter connected to an output side of the amplification amplifier. When selecting a plurality of APD elements, a first difference between cutoff frequencies at first and second values of a multiplication factor or an applied bias voltage in a predetermined range in each of the plurality of APD elements and the plurality of APD elements
Each of the PD elements is connected to the APD of the light receiving module.
The APD element is selected so that the second difference is within a predetermined range based on a relationship between the first and second values and a second difference between cutoff frequencies when the element is used as an element. It is configured as a feature.

【0009】本発明のAPD素子の選別方法は、受光し
た光信号を電気信号として出力するAPD素子と、前記
APD素子の出力の電気信号を増幅して出力する増幅ア
ンプと、前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過
フィルタと、を有する光通信用の受光モジュールにおけ
る前記APD素子を選別するにあたり、複数のAPD素
子のそれぞれにおける、予め定めた範囲の増倍率又は印
可バイアス電圧における最大及び最小の遮断周波数の第
1の差と、前記複数のAPD素子をそれぞれの前記受光
モジュールの前記APD素子として用いたときの、前記
予め定めた範囲の増倍率又は印可バイアス電圧における
最大及び最小の遮断周波数の第2の差と、の関係に基づ
いて、前記第2の差が所定の範囲内にある前記APD素
子を選別することを特徴とするものとして構成する。
A method for selecting an APD element according to the present invention includes an APD element for outputting a received optical signal as an electric signal, an amplifying amplifier for amplifying and outputting an electric signal output from the APD element, and an output of the amplifying amplifier. A low-pass filter connected to the side, and for selecting the APD element in the light receiving module for optical communication having a maximum and a predetermined range of multiplication factor or applied bias voltage in each of the plurality of APD elements. A first difference between minimum cutoff frequencies and maximum and minimum cutoffs in the predetermined range of multiplication factor or applied bias voltage when the plurality of APD elements are used as the APD elements of the respective light receiving modules. Selecting the APD element having the second difference within a predetermined range based on a relationship between the APD element and a second difference in frequency. Configured as those characterized.

【0010】本発明の受光モジュールは、受光した光信
号を電気信号として出力するAPD素子と、前記APD
素子の出力の電気信号を増幅して出力する増幅アンプ
と、前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィ
ルタと、を有する光通信用の受光モジュールにおける前
記APD素子を選別するにあたり、複数のAPD素子の
それぞれにおける、予め定めた範囲の増倍率又は印可バ
イアス電圧のうちの第1及び第2の値における遮断周波
数の第1の差と、前記複数のAPD素子をそれぞれの前
記受光モジュールの前記APD素子として用いたときに
おける前記第1及び第2の値における遮断周波数の第2
の差と、の関係に基づいて、前記第2の差が所定の範囲
内にある前記APD素子を用いたものとして構成する。
A light receiving module according to the present invention comprises: an APD element for outputting a received optical signal as an electric signal;
In selecting the APD element in the light receiving module for optical communication, the amplifier includes an amplification amplifier that amplifies and outputs an electric signal output from the element and a low-pass filter connected to an output side of the amplification amplifier. In each of the APD elements, a first difference between a cutoff frequency at a first and a second value of a multiplication factor or an applied bias voltage in a predetermined range, and the plurality of APD elements, The second cutoff frequency at the first and second values when used as the APD element
And the second difference is within a predetermined range based on the relationship between the APD element and the APD element.

【0011】本発明の受光モジュールは、受光した光信
号を電気信号として出力するAPD素子と、前記APD
素子の出力の電気信号を増幅して出力する増幅アンプ
と、前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィ
ルタと、を有する光通信用の受光モジュールにおける前
記APD素子を選別するにあたり、複数のAPD素子の
それぞれにおける、予め定めた範囲の増倍率又は印可バ
イアス電圧における最大及び最小の遮断周波数の第1の
差と、前記複数のAPD素子をそれぞれの前記受光モジ
ュールの前記APD素子として用いたときの、前記予め
定めた範囲の増倍率又は印可バイアス電圧における最大
及び最小の遮断周波数の第2の差と、の関係に基づい
て、前記第2の差が所定の範囲内にある前記APD素子
を用いたものとして構成する。
The light receiving module according to the present invention comprises: an APD element for outputting a received optical signal as an electric signal;
In selecting the APD element in the light receiving module for optical communication, the amplifier includes an amplification amplifier that amplifies and outputs an electric signal output from the element and a low-pass filter connected to an output side of the amplification amplifier. In each of the APD elements, a first difference between the maximum and minimum cutoff frequencies in a multiplication factor or an applied bias voltage in a predetermined range, and the plurality of APD elements were used as the APD elements of the respective light receiving modules. The APD element, wherein the second difference is within a predetermined range, based on the relationship between the predetermined range of the multiplication factor or the second difference between the maximum and minimum cutoff frequencies in the applied bias voltage. It is configured as one using.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は本発明が適用される光通信
用の受光モジュール(受光モジュール)11を示す。受
光モジュール11は、光信号1を受光して電気信号とし
て出力するAPD素子2と、APD素子2にバイアス電
圧を印可するバイアス印可端子7と、APD素子2の出
力信号を増幅する増幅用アンプ3と、増幅アンプ3にバ
イアス電圧を印可するバイアス印可端子8と、増幅用ア
ンプの出力信号のうち直流成分を遮断し交流成分を通過
させるAC出力用コンデンサ4と、AC出力用コンデン
サ4からの出力である交流成分のうち不要な高周波成分
を除去する抵抗5及びコンデンサ6からなる低域通過フ
ィルタ(LPF)10と、出力端子9と、を備えてい
る。
FIG. 1 shows a light receiving module (light receiving module) 11 for optical communication to which the present invention is applied. The light receiving module 11 includes an APD element 2 that receives the optical signal 1 and outputs it as an electric signal, a bias application terminal 7 that applies a bias voltage to the APD element 2, and an amplification amplifier 3 that amplifies an output signal of the APD element 2. A bias application terminal 8 for applying a bias voltage to the amplification amplifier 3, an AC output capacitor 4 for cutting off a DC component and passing an AC component of an output signal of the amplification amplifier, and an output from the AC output capacitor 4. And a low-pass filter (LPF) 10 including a resistor 5 and a capacitor 6 for removing unnecessary high-frequency components from the AC component, and an output terminal 9.

【0013】光信号1がAPD素子2に入射すると、A
PD素子2により光信号1は電気信号に変換される。変
換された電気信号は増幅アンプ3により増幅されたあ
と、AC出力用コンデンサ4により交流成分が取り出さ
れる。取り出された交流成分のうち不要な高周波成分は
低域通過フィルタ10により取り除かれ、必要とする交
流成分は出力端子9より出力信号として出力される。
When the optical signal 1 enters the APD element 2, A
The optical signal 1 is converted into an electric signal by the PD element 2. After the converted electric signal is amplified by the amplification amplifier 3, an AC component is extracted by the AC output capacitor 4. Unnecessary high-frequency components are removed from the extracted AC components by the low-pass filter 10, and the required AC components are output from the output terminal 9 as output signals.

【0014】低域通過フィルタ10の特徴は、高帯域で
のフィルタ効果が大きく、低帯域での効果は小さく出る
という特徴がある。このことをより詳しく説明するため
に、たとえば、受光モジュール11から該低域通過フィ
ルタ10を取り除いた受光モジュールについて考えてみ
る。該受光モジュールの遮断周波数が、増倍率M=3に
おいて高く、増倍率M=12において低いとする。この
場合、該受光モジュールに低域通過フィルタ10を取り
付けると、M=3ではフィルタ効果が大きいため遮断周
波数は大きく下がるが、一方、M=12ではフィルタ効
果が小さくでるため遮断周波数の低下は少ない。したが
って、低域通過フィルタ10を設けることにより、該受
光モジュールの増倍率Mに対する遮断周波数のバラツキ
を小さくすることが可能となる。
The characteristic of the low-pass filter 10 is that the filter effect in the high band is large, and the effect in the low band is small. To explain this in more detail, consider a light receiving module in which the low-pass filter 10 is removed from the light receiving module 11, for example. It is assumed that the cutoff frequency of the light receiving module is high at the multiplication factor M = 3 and low at the multiplication factor M = 12. In this case, when the low-pass filter 10 is attached to the light receiving module, the cutoff frequency is greatly reduced when M = 3 because the filter effect is large, whereas the cutoff frequency is small when M = 12 because the filter effect is small. . Therefore, by providing the low-pass filter 10, it is possible to reduce the variation of the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M of the light receiving module.

【0015】しかし、APD素子2には製造上の特性分
布が存在し、増倍率Mに対する遮断周波数のばらつが非
常に小さいAPD素子2があれば、逆に、増倍率Mに対
する遮断周波数のバラツキが非常に大きいものもある。
このため、低域通過フィルタ10を用いても、受光モジ
ュール11の遮断周波数を所望の範囲内にすることは極
めて困難である場合もある。すなわち、増倍率Mに対す
るバラツキが非常に大きいAPD素子2を用いた場合
は、受光モジュール11のように低域通過フィルタ10
を用いて遮断周波数のバラツキを小さくしようとして
も、なおそのバラツキは大きく所望の特性を満足できな
い場合もある。一方、増幅用アンプ3にも製造上の特性
分布が存在するものの増倍率Mに対する遮断周波数のバ
ラツキは非常に少ないので、受光モジュール11の遮断
周波数を所望の範囲内にすることに問題は少ない。例え
ば、APD素子2の増倍率Mに対する遮断周波数のバラ
ツキは数GHzにまで及ぶものもあるのに対し、増幅用
アンプ3の増倍率Mに対する遮断周波数のバラツキが数
百MHz程度である。このように、低域通過フィルタ1
0を用いても、受光モジュール11の遮断周波数を、安
定して所望の範囲内にすることはなお難しい。
However, the APD element 2 has a characteristic distribution in manufacturing, and if the APD element 2 has a very small variation in the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M, conversely, the variation in the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M will increase. Some are very large.
For this reason, even if the low-pass filter 10 is used, it may be extremely difficult to keep the cutoff frequency of the light receiving module 11 within a desired range. That is, when the APD element 2 having a very large variation with respect to the multiplication factor M is used, the low-pass filter 10 like the light receiving module 11 is used.
However, even if an attempt is made to reduce the variation of the cutoff frequency by using the method, the variation may still be large and the desired characteristics may not be satisfied. On the other hand, although the amplification amplifier 3 also has a characteristic distribution in manufacturing, the variation of the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M is very small, so that there is little problem in setting the cutoff frequency of the light receiving module 11 within a desired range. For example, the variation of the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M of the APD element 2 may reach several GHz, while the variation of the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M of the amplification amplifier 3 is about several hundred MHz. Thus, the low-pass filter 1
Even if 0 is used, it is still difficult to stably set the cutoff frequency of the light receiving module 11 within a desired range.

【0016】そこで、本発明者は、複数のAPD素子2
を受光モジュール11に組み込んで、受光モジュール1
1の遮断周波特性数を調べるという実験を繰り返し行っ
た。このような実験の結果、多くの、APD素子2につ
いての遮断周波数特性のデータ及び受光モジュール11
の遮断周波数特性のデータを得ることができた。この実
験結果のデータを検討しているうちに、受光モジュール
11の遮断周波数特性とAPD素子2の遮断周波数特性
との間に相関関係があることを本発明者は独自に知得し
た。以下に本発明の実施例を詳しく説明する。
Therefore, the present inventor has proposed a plurality of APD elements 2.
Into the light receiving module 11, and the light receiving module 1
The experiment of examining the cutoff frequency characteristic number of 1 was repeated. As a result of such an experiment, many data on the cut-off frequency characteristics of the APD element 2 and the light receiving module 11
The data of the cut-off frequency characteristic was obtained. While examining the data of the experimental results, the inventor independently learned that there is a correlation between the cutoff frequency characteristic of the light receiving module 11 and the cutoff frequency characteristic of the APD element 2. Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail.

【0017】(実施例1)図2は、受光モジュール11
の遮断周波数特性と、APD素子2の遮断周波数特性と
の関係を示すもので、本発明者が独自に作成した図であ
る。横軸は、増倍率M=3での受光モジュール11の遮
断周波数と、M=12での同受光モジュール11の遮断
周波数の差であり、縦軸は増倍率M=3でのAPD素子
2の遮断周波数と、M=12での同APD素子2の遮断
周波数の差である。図2から、両者の間には相関関係が
あることが分かる。すなわち、受光モジュール11の遮
断周波数の変動幅は、APD素子2の遮断周波数の変動
幅に対応しているといえる。このことから、図2の関係
に基づいて適切なAPD素子2を選別することにより、
受光モジュール11の遮断周波数の変動幅を所望の範囲
に制御できることがわかる。したがって、受光モジュー
ル11の遮断周波数を下限値及び上限値で制御できるこ
とがわかる。ただし、本第1実施例においては、APD
素子2の採用に当たって、先ず、予め決めた増倍率M
1、M2(例えば、M1=M6、M2=M12)での遮
断周波数をみて、それらの差が、ある基準値(例えば2
GHz)以上のAPD素子2は、増倍率Mに対する遮断
周波数のバラツキが大きすぎるため不適なAPD素子2
と判断し、採用していない。以下、実際に、この図2の
特性図に基づいて適切なAPD素子2を選択すれば受光
モジュール11の遮断周波数の変動幅を制御できること
を示すことにより上記知得内容の効果を検討する。
(Embodiment 1) FIG.
FIG. 6 shows the relationship between the cut-off frequency characteristics of the APD element 2 and the cut-off frequency characteristics of the APD element 2, and is a diagram created independently by the present inventors. The horizontal axis represents the difference between the cutoff frequency of the light receiving module 11 when the multiplication factor is M = 3 and the cutoff frequency of the same light receiving module 11 when M = 12. The vertical axis is the difference between the cutoff frequency of the APD element 2 and the multiplication factor M = 3. This is the difference between the cutoff frequency and the cutoff frequency of the APD element 2 when M = 12. FIG. 2 shows that there is a correlation between the two. That is, it can be said that the variation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 corresponds to the variation width of the cutoff frequency of the APD element 2. From this, by selecting an appropriate APD element 2 based on the relationship of FIG.
It can be seen that the variation range of the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be controlled within a desired range. Therefore, it can be seen that the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be controlled by the lower limit and the upper limit. However, in the first embodiment, the APD
In adopting the element 2, first, a predetermined multiplication factor M
Looking at cutoff frequencies at 1, M2 (for example, M1 = M6, M2 = M12), the difference between them is a certain reference value (for example, 2
GHz) or more, the variation of the cutoff frequency with respect to the multiplication factor M is too large,
Judged, not adopted. Hereinafter, the effect of the above-described knowledge will be examined by showing that the variation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be controlled by selecting an appropriate APD element 2 based on the characteristic diagram of FIG.

【0018】いま、受光モジュール11の遮断周波数を
下限値が1.32HGz以上、上限値が1.5GHz以
下に制御する場合を考える。この場合、受光モジュール
11の遮断周波数の変動幅は180MHzである。した
がって、図2により、APD素子2の遮断周波数の変動
幅が1500MHz以下のAPD素子2を選別すれば、
受光モジュール11の遮断周波数の変動幅を180MH
z以下に制御できる。ここで、上記実験で作成したAP
D素子2の遮断周波数特性のデータの中から、遮断周波
数の変動幅が1500MHz以下のもののAPD素子2
を選び出し、そのうちの一つのAPD素子2の遮断周波
数特性を図3(a)に示す。図3(a)から、このAP
D素子2の遮断周波数はM=3で3.5GHz、M=1
2で2.0GHzであることが読みとれる。したがって
遮断周波数の変動幅は1500MHzであり、上記基準
を満たすことは明らかである。図3(b)はAPD素子
2の出力を遮断周波数が2GHzの増幅用アンプ3に通
した場合の増倍率Mによる遮断周波数特性を示す図であ
る。この遮断周波数は図3(b)のように上限が約2G
Hzで制限される。図3(c)は、増幅アンプ3の出力
をさらに低域通過フィルタ10を通した場合の増倍率M
による遮断周波数特性、すなわち受光モジュール11の
増倍率Mによる遮断周波数特性を示す図である。図3
(c)のように低域通過フィルタ10により遮断周波数
の上限値を1.5GHzで制御しても、遮断周波数の下
限値を1.32GHz以上とすることができることが分
かる。すなわち受光モジュール11の遮断周波数の変動
幅を180MHz以下に制御できていることが分かる。
以上の説明から、本発明に基づき作成した図2のグラフ
が正しいということが証明された。
Now, consider a case where the cutoff frequency of the light receiving module 11 is controlled so that the lower limit is 1.32 HGz or more and the upper limit is 1.5 GHz or less. In this case, the fluctuation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 is 180 MHz. Therefore, according to FIG. 2, if the variation range of the cutoff frequency of the APD element 2 is selected to be 1500 MHz or less,
The fluctuation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 is 180 MHz
can be controlled below z. Here, the AP created in the above experiment
From the data of the cut-off frequency characteristics of the D element 2, the APD element 2 having a cut-off frequency variation of 1500 MHz or less
FIG. 3A shows the cut-off frequency characteristics of one of the APD elements 2. From FIG. 3A, this AP
The cut-off frequency of the D element 2 is 3.5 GHz with M = 3 and M = 1.
2, it can be seen that the frequency is 2.0 GHz. Therefore, the fluctuation range of the cutoff frequency is 1500 MHz, and it is clear that the above criterion is satisfied. FIG. 3B is a diagram showing a cut-off frequency characteristic based on a multiplication factor M when the output of the APD element 2 is passed through the amplification amplifier 3 having a cut-off frequency of 2 GHz. This cutoff frequency has an upper limit of about 2G as shown in FIG.
Hz. FIG. 3C shows a multiplication factor M when the output of the amplification amplifier 3 is further passed through a low-pass filter 10.
FIG. 6 is a diagram illustrating cut-off frequency characteristics of the light receiving module 11 according to a multiplication factor M of FIG. FIG.
It can be seen that the lower limit of the cutoff frequency can be set to 1.32 GHz or more even when the upper limit of the cutoff frequency is controlled at 1.5 GHz by the low-pass filter 10 as shown in FIG. That is, it can be seen that the fluctuation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be controlled to 180 MHz or less.
From the above description, it has been proved that the graph of FIG. 2 created based on the present invention is correct.

【0019】図4は、前記選考基準で不適良と判断され
たAPD素子2のうちの一つを図1の回路に組み込み、
受光モジュール11の遮断周波数を制御しようとした場
合の例を示す。図4(a)は、このAPD素子2の増倍
率Mによる遮断周波数特性を示す。図4(a)から、遮
断周波数はM=6で3.5GHz、M=12で1.2G
Hzであるから、変動幅は2300MHzであり、この
APD素子2が前記選考基準(2.0GHz以下)を満
たしていないのは明らかである。図4(b)は、この用
いたAPD素子2の出力を増幅用アンプ3に通した場合
の増倍率Mによる遮断周波数を示す図である。図4
(c)は、増幅アンプ3の出力をさらに低域通過フィル
タ10を通した場合の、すなわち受光モジュール11の
増倍率Mによる遮断周波数特性を示す図である。図4
(c)に示すように遮断周波数の下限値は、1.32G
Hzを割ってしまい上記所望の特性を得られない。すな
わち、受光モジュール11の遮断周波数の変動幅を18
0MHz以下に制御することが出来ない。このように図
2の関係をみたさないAPD素子2を選択した場合は、
受光モジュール11の遮断周波数の変動幅を所望の範囲
内に制御できないことが分かる。このことも、本発明の
正当性を裏付けるものであるといえる。
FIG. 4 shows that one of the APD elements 2 determined to be inappropriate according to the selection criteria is incorporated into the circuit of FIG.
An example in which the cutoff frequency of the light receiving module 11 is to be controlled will be described. FIG. 4A shows a cutoff frequency characteristic of the APD element 2 according to the multiplication factor M. From FIG. 4A, the cutoff frequency is 3.5 GHz when M = 6, and 1.2 G when M = 12.
Hz, the fluctuation range is 2300 MHz, and it is clear that this APD element 2 does not satisfy the selection criteria (2.0 GHz or less). FIG. 4B is a diagram showing a cutoff frequency based on the multiplication factor M when the output of the used APD element 2 is passed through the amplifier 3 for amplification. FIG.
(C) is a diagram showing a cut-off frequency characteristic when the output of the amplification amplifier 3 is further passed through the low-pass filter 10, that is, the multiplication factor M of the light receiving module 11. FIG.
As shown in (c), the lower limit of the cutoff frequency is 1.32G
Hz, and the desired characteristics cannot be obtained. That is, the variation range of the cutoff frequency of the light receiving module 11 is set to 18
It cannot be controlled below 0 MHz. When the APD element 2 that does not satisfy the relationship shown in FIG. 2 is selected,
It can be seen that the fluctuation range of the cutoff frequency of the light receiving module 11 cannot be controlled within a desired range. This can also be said to support the validity of the present invention.

【0020】本実施例においては、増倍率M=3〜12
の範囲における場合の例を示したが、本発明は、この範
囲のみならず所望の増倍率Mの範囲において使用でき
る。
In this embodiment, the multiplication factor M = 3 to 12
Although the example in the case of the range is shown, the present invention can be used not only in this range but also in a range of a desired multiplication factor M.

【0021】(実施例2)実施例1においては、所望の
増倍率Mの範囲において、下限の増倍率Mにおける遮断
周波数と、上限の増倍率Mにおける遮断周波数との差に
着目して、受光モジュールの遮断周波数特性とAPD素
子2の遮断周波数特性の関係を示した。その他に、本発
明者はAPD素子2が使用される範囲内での、すなわ
ち、APD素子2に印可されるバイアス電圧の範囲で
の、APD素子2の遮断周波数最大値と最小値の差と、
受光モジュール11の遮断周波数の最大値と最小値の差
との間にも相関関係があることを独自に知得した。以
下、図5を用いて、この相関関係について説明する。な
お、本実施例2では実施例1と異なり予めAPD素子2
の適良及び不適良の選別判断をすることはしなくともよ
い。
(Embodiment 2) In the first embodiment, in the range of a desired multiplication factor M, attention is paid to the difference between the cutoff frequency at the lower limit multiplication factor M and the cutoff frequency at the upper limit multiplication factor M. The relationship between the cut-off frequency characteristic of the module and the cut-off frequency characteristic of the APD element 2 is shown. In addition, the inventor has determined that the difference between the maximum value and the minimum value of the cutoff frequency of the APD element 2 within the range where the APD element 2 is used, that is, within the range of the bias voltage applied to the APD element 2;
It has been uniquely found that there is also a correlation between the difference between the maximum value and the minimum value of the cutoff frequency of the light receiving module 11. Hereinafter, this correlation will be described with reference to FIG. In the second embodiment, unlike the first embodiment, the APD element 2
It is not necessary to judge the appropriateness and unsuitability of the above.

【0022】図5は、印加バイアス電圧の範囲におけ
る、APD素子2の遮断周波数特性と受光モジュールの
遮断周波数特性との関係を示すもので、本発明者が独自
に作成した図である。横軸は印可バイアス電圧の範囲に
おける受光モジュール11の遮断周波数の最大値と最小
値の差であり、縦軸は印可バイアス電圧の範囲における
APD素子2の遮断周波数の最大値と最小値の差であ
る。この図5から、受光モジュール11の遮断周波数の
最大変動幅と、APD素子2の遮断周波数の最大変動幅
との間には相関関係があることが分かる。この関係を用
いることにより適切なAPD素子2を選別し、受光モジ
ュール11の遮断周波数を所望の範囲内にすることがで
きる。
FIG. 5 shows the relationship between the cut-off frequency characteristic of the APD element 2 and the cut-off frequency characteristic of the light receiving module in the range of the applied bias voltage, and is a diagram created by the present inventors. The horizontal axis is the difference between the maximum value and the minimum value of the cutoff frequency of the light receiving module 11 in the range of the applied bias voltage, and the vertical axis is the difference between the maximum value and the minimum value of the cutoff frequency of the APD element 2 in the range of the applied bias voltage. is there. FIG. 5 shows that there is a correlation between the maximum fluctuation width of the cutoff frequency of the light receiving module 11 and the maximum fluctuation width of the cutoff frequency of the APD element 2. By using this relationship, an appropriate APD element 2 can be selected and the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be set within a desired range.

【0023】例えば、APD素子2に対する印加バイア
ス電圧の範囲において受光モジュールの遮断周波数を下
限値が1.25GHz以上、上限値が1.5GHz以下
にしようとする場合を考える。この場合、遮断周波数の
変動幅が250MHz以下であるから、図5に示すよう
に、遮断周波数の変動幅が1800MHz以下のAPD
素子2を採用すればよい。このように採用したAPD素
子2を図1の回路に組み込むことにより、受光モジュー
ル11の遮断周波数を所望の範囲内にすることができ
る。
For example, consider a case where the cutoff frequency of the light receiving module is to be set to a lower limit of 1.25 GHz or more and an upper limit of 1.5 GHz or less in the range of the bias voltage applied to the APD element 2. In this case, since the fluctuation width of the cutoff frequency is 250 MHz or less, as shown in FIG.
Element 2 may be employed. By incorporating the APD element 2 thus employed in the circuit of FIG. 1, the cutoff frequency of the light receiving module 11 can be set within a desired range.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、モジュール化後の遮断
周波数の変動幅があらかじめ判明しているAPD素子を
選別できるので、受光モジュールの遮断周波数の変動幅
を所望の範囲内にすることができるとともに、選別した
APD素子をグループ化しておくことができる。また、
遮断周波数が所望の範囲である受光モジュールを安定し
て製造することができるので、極めて経済的である。
According to the present invention, it is possible to select an APD element whose variation width of the cut-off frequency after modularization is known in advance, so that the variation range of the cut-off frequency of the light receiving module is within a desired range. In addition, the sorted APD elements can be grouped. Also,
The light receiving module having a cutoff frequency in a desired range can be manufactured stably, which is extremely economical.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例で使用する回路である。FIG. 1 is a circuit used in an embodiment of the present invention.

【図2】増倍率M=3〜12の範囲内における、APD
素子を搭載した受光モジュールの遮断周波数特性と、こ
のAPD素子の遮断周波数特性との相関関係を示すグラ
フである。
FIG. 2 shows an APD in a range of a multiplication factor M = 3 to 12.
5 is a graph showing a correlation between a cut-off frequency characteristic of a light receiving module on which an element is mounted and a cut-off frequency characteristic of the APD element.

【図3】本発明の実施例で選別したAPD素子を用いて
受光モジュールの遮断周波数を所望の範囲内に制御する
状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which the cutoff frequency of the light receiving module is controlled within a desired range using the APD elements selected in the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例で不適良と判断されたAPD素
子を用いて受光モジュールの遮断周波数を所望の範囲内
に制御しようとする状態を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which the cut-off frequency of the light receiving module is to be controlled within a desired range using an APD element determined to be inappropriate in the embodiment of the present invention.

【図5】印可バイアス電圧の範囲内における、APD素
子を搭載した受光モジュールの遮断周波数特性と、この
APD素子の遮断周波数特性との相関関係を示すグラフ
である。
FIG. 5 is a graph showing a correlation between a cutoff frequency characteristic of a light receiving module on which an APD element is mounted and a cutoff frequency characteristic of the APD element within a range of an applied bias voltage.

【図6】従来の回路である。FIG. 6 is a conventional circuit.

【図7】APD素子の遮断周波数特性を説明するための
図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining cut-off frequency characteristics of an APD element.

【図8】APD素子の増倍率Mによる遮断周波数特性を
説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a cutoff frequency characteristic of the APD element according to a multiplication factor M;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光信号入力 2 APD素子 3 増幅用アンプ 4 AC出力用コンデンサ 5 抵抗 6 コンデンサ 7 APD素子へのバイアス印加端子 8 アンプへのバイアス印加端子 9 出力端子 10 低域通過フィルタ 11 受光モジュール Reference Signs List 1 optical signal input 2 APD element 3 amplification amplifier 4 AC output capacitor 5 resistor 6 capacitor 7 bias application terminal to APD element 8 bias application terminal to amplifier 9 output terminal 10 low-pass filter 11 light receiving module

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】受光した光信号を電気信号として出力する
APD素子と、 前記APD素子の出力の電気信号を増幅して出力する増
幅アンプと、 前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィルタ
と、 を有する光通信用の受光モジュールにおける前記APD
素子を選別するにあたり、 複数のAPD素子のそれぞれにおける、予め定めた範囲
の増倍率又は印可バイアス電圧のうちの第1及び第2の
値における遮断周波数の第1の差と、前記複数のAPD
素子のそれぞれを前記受光モジュールの前記APD素子
として用いたときにおける前記第1及び第2の値におけ
る遮断周波数の第2の差と、の関係に基づいて、前記第
2の差が所定の範囲内にあるように前記APD素子を選
別することを特徴とする受光モジュールに用いるAPD
素子の選別方法。
1. An APD element for outputting a received optical signal as an electric signal, an amplification amplifier for amplifying and outputting an electric signal output from the APD element, and a low-pass connected to an output side of the amplification amplifier. APD in a light receiving module for optical communication, comprising: a filter;
In selecting the elements, a first difference between a cutoff frequency at a first and a second value of a predetermined range of a gain or an applied bias voltage in each of the plurality of APD elements and the plurality of APD elements
The second difference is within a predetermined range based on a relationship between the first and second values and a second difference in cutoff frequency when each of the elements is used as the APD element of the light receiving module. APD for use in a light receiving module, wherein the APD element is selected as described in (1).
Element sorting method.
【請求項2】受光した光信号を電気信号として出力する
APD素子と、 前記APD素子の出力の電気信号を増幅して出力する増
幅アンプと、 前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィルタ
と、 を有する光通信用の受光モジュールにおける前記APD
素子を選別するにあたり、 複数のAPD素子のそれぞれにおける、予め定めた範囲
の増倍率又は印可バイアス電圧における最大及び最小の
遮断周波数の第1の差と、前記複数のAPD素子をそれ
ぞれの前記受光モジュールの前記APD素子として用い
たときの、前記予め定めた範囲の増倍率又は印可バイア
ス電圧における最大及び最小の遮断周波数の第2の差
と、の関係に基づいて、前記第2の差が所定の範囲内に
ある前記APD素子を選別することを特徴とする受光モ
ジュールに用いるAPD素子の選別方法。
2. An APD element for outputting a received optical signal as an electric signal, an amplification amplifier for amplifying and outputting an electric signal output from the APD element, and a low-pass connected to an output side of the amplification amplifier. APD in a light receiving module for optical communication, comprising: a filter;
In selecting the elements, a first difference between a maximum and a minimum cutoff frequency in a predetermined range of a multiplication factor or an applied bias voltage in each of the plurality of APD elements, and the plurality of APD elements are each connected to the light receiving module. The second difference is a predetermined value based on the relationship between the gain and the second difference between the maximum and minimum cutoff frequencies in the predetermined range of the multiplication factor or the applied bias voltage when used as the APD element of A method for selecting an APD element for use in a light receiving module, wherein the APD element within a range is selected.
【請求項3】受光した光信号を電気信号として出力する
APD素子と、 前記APD素子の出力の電気信号を増幅して出力する増
幅アンプと、 前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィルタ
と、 を有する光通信用の受光モジュールにおける前記APD
素子を選別するにあたり、 複数のAPD素子のそれぞれにおける、予め定めた範囲
の増倍率又は印可バイアス電圧のうちの第1及び第2の
値における遮断周波数の第1の差と、前記複数のAPD
素子をそれぞれの前記受光モジュールの前記APD素子
として用いたときにおける前記第1及び第2の値におけ
る遮断周波数の第2の差と、の関係に基づいて、前記第
2の差が所定の範囲内にある前記APD素子を用いたこ
とを特徴とする受光モジュール。
3. An APD element for outputting a received optical signal as an electric signal, an amplification amplifier for amplifying and outputting an electric signal output from the APD element, and a low-pass connected to an output side of the amplification amplifier. APD in a light receiving module for optical communication, comprising: a filter;
In selecting the elements, a first difference between a cutoff frequency at a first and a second value of a predetermined range of a gain or an applied bias voltage in each of the plurality of APD elements and the plurality of APD elements
The second difference is within a predetermined range based on a relationship between the first and second values and a second difference between cutoff frequencies when the element is used as the APD element of each of the light receiving modules. A light-receiving module using the APD element according to claim 1.
【請求項4】受光した光信号を電気信号として出力する
APD素子と、 前記APD素子の出力の電気信号を増幅して出力する増
幅アンプと、 前記増幅アンプの出力側に接続された低域通過フィルタ
と、 を有する光通信用の受光モジュールにおける前記APD
素子を選別するにあたり、 複数のAPD素子のそれぞれにおける、予め定めた範囲
の増倍率又は印可バイアス電圧における最大及び最小の
遮断周波数の第1の差と、前記複数のAPD素子をそれ
ぞれの前記受光モジュールの前記APD素子として用い
たときの、前記予め定めた範囲の増倍率又は印可バイア
ス電圧における最大及び最小の遮断周波数の第2の差
と、の関係に基づいて、前記第2の差が所定の範囲内に
ある前記APD素子を用いたことを特徴とする受光モジ
ュール。
4. An APD element for outputting a received optical signal as an electric signal, an amplification amplifier for amplifying and outputting an electric signal output from the APD element, and a low pass connected to an output side of the amplification amplifier. APD in a light receiving module for optical communication, comprising: a filter;
In selecting the elements, a first difference between a maximum and a minimum cutoff frequency in a predetermined range of a multiplication factor or an applied bias voltage in each of the plurality of APD elements, and the plurality of APD elements are each connected to the light receiving module. The second difference is a predetermined value based on the relationship between the gain and the second difference between the maximum and minimum cutoff frequencies in the predetermined range of the multiplication factor or the applied bias voltage when used as the APD element of A light receiving module using the APD element within a range.
JP2001087540A 2001-03-26 2001-03-26 Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element Pending JP2002289907A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001087540A JP2002289907A (en) 2001-03-26 2001-03-26 Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001087540A JP2002289907A (en) 2001-03-26 2001-03-26 Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002289907A true JP2002289907A (en) 2002-10-04

Family

ID=18942773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001087540A Pending JP2002289907A (en) 2001-03-26 2001-03-26 Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002289907A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012249047A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp Light receiving device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012249047A (en) * 2011-05-27 2012-12-13 Mitsubishi Electric Corp Light receiving device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1292776C (en) Optical receiver circuit and method
EP1776783B1 (en) Transimpedance amplifier with integrated filtering and reduced parasitic capacitance
US10044328B2 (en) Transimpedance amplifier with bandwidth extender
EP0905925B1 (en) Light receiving amplifying device
JPH11122173A (en) Detection of waveform change by wavelength dispersion, and method and device for compensation of waveform
JP2003168933A (en) Photoreceiving circuit
CN111983588B (en) Self-adaptive feedback control device and method
JP2002289907A (en) Method of sorting apd element used for light-receiving module, and optical module using the apd element
US6812795B2 (en) Transimpedance amplifier with feedback resistive network
JP3048966B2 (en) Infrared remote control circuit
JP2954127B2 (en) Infrared signal receiver
US20050134398A1 (en) Tunable high-order bessel low pass filter
US7385170B1 (en) Ambient light suppression circuit for photodiode receiver applications
US6624918B1 (en) Voltage control of optical receiver bandwidth
US6765714B1 (en) System and method for measuring an amount of error associated with an optical amplifier
US7119949B1 (en) System and method for measuring an amount of error associated with an optical amplifier
JP2002135214A (en) Optical receiver
US20240097799A1 (en) Amplification circuit, human body channel-based communication system including the same, and operation method thereof
KR100660377B1 (en) A apparatus for receiving infrared ray using constant current and constant voltage
JP3006319B2 (en) Light receiving circuit
JPH10135746A (en) Light receiving circuit for optical free-space transmission
JP3460831B2 (en) Optical receiver for optical digital communication
JP3460829B2 (en) Optical receiver for optical digital communication
JPH02164112A (en) Optical receiver
JPH10304471A (en) Infrared-ray data receiver