JP2002289411A - Sliding resistor - Google Patents

Sliding resistor

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JP2002289411A
JP2002289411A JP2001086020A JP2001086020A JP2002289411A JP 2002289411 A JP2002289411 A JP 2002289411A JP 2001086020 A JP2001086020 A JP 2001086020A JP 2001086020 A JP2001086020 A JP 2001086020A JP 2002289411 A JP2002289411 A JP 2002289411A
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sliding resistor
sliding
contact
deposited film
carbon
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Totokawa
真志 都外川
Hiroyuki Yoshida
浩之 吉田
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sliding resistor which is capable of reducing wear and keeping electrical continuity stably. SOLUTION: A sliding resistor 1 is equipped with sliding resistors 2 (21 and 22) provided on the surface of a board 20, and contacts 3 (31 and 32) sliding on the sliding resistors 2 (21 and 22), where each sliding resistor 2 (21 and 22) is formed of a carbon deposited film DLC having higher hardness than that of the contact 3 (31 and 32). The carbon deposited film DLC has an amorphous structure where a diamond structure and a graphite structure are mixedly present at a prescribed ratio, and the amorphous structure is improved in density.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、摺動抵抗器に関
し、特に耐摩耗性と電気的導通安定性を備える摺動抵抗
体およびそれを用いた摺動抵抗器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sliding resistor, and more particularly to a sliding resistor having wear resistance and electrical conduction stability, and a sliding resistor using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属ブラシいわゆる接点コンタクトを接
触摺動させることで可変抵抗とする、樹脂製摺動抵抗体
を備えた摺動抵抗器が知られている(特開平4−187
03号公報等)。
2. Description of the Related Art There is known a sliding resistor provided with a resin-made sliding resistor for making a variable resistance by sliding a so-called contact contact made of a metal brush (JP-A-4-187).
03 publication).

【0003】この摺動抵抗体は、カーボンブラックを樹
脂中に混練してなる厚膜抵抗体であって、カーボンブラ
ックとしては、アセチレンブラック、ファーネスブラッ
ク等の導電性カーボンが用いられ、また樹脂には、エポ
キシ樹脂等が用いられている。
This sliding resistor is a thick film resistor obtained by kneading carbon black in a resin. As the carbon black, conductive carbon such as acetylene black or furnace black is used. Is an epoxy resin or the like.

【0004】このため、接点コンタクトと摺動抵抗体が
継続的に摺動摩擦する結果、複合材料である摺動抵抗体
は、摩耗の過程で、カーボンブラックと樹脂とに完全分
離していた。場合によっては、摺動抵抗体の摩耗粉、特
に樹脂が、摺動軌跡上に付着、堆積すると、接点コンタ
クトと摺動抵抗体との電気的接触が不安定、すなわち電
気的導通性が不安定となることがある。
[0004] As a result, as a result of the sliding friction between the contact contact and the sliding resistor continuously, the sliding resistor as a composite material is completely separated into carbon black and resin in the course of abrasion. In some cases, if the abrasion powder, especially resin, of the sliding resistor adheres and accumulates on the sliding track, the electrical contact between the contact contact and the sliding resistor becomes unstable, that is, the electrical conductivity becomes unstable It may be.

【0005】この対策として、特開平4−18703号
公報によれば、摺動抵抗体中にアルミナ等の無機成分を
添加して、摺動抵抗体の摩耗を抑制し、摺動抵抗器の寿
命向上を図っている。
As a countermeasure against this, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-18703, an inorganic component such as alumina is added to the sliding resistor to suppress the wear of the sliding resistor and to reduce the life of the sliding resistor. We are improving.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来構造ではいずれ
も、ある程度摩耗が進むと、樹脂が摺動軌跡上に付着、
堆積するので、電気的導通性が不安定となる。
In any of the conventional structures, when the wear progresses to some extent, the resin adheres on the sliding locus,
As a result, the electrical conductivity becomes unstable.

【0007】すなわち、実用範囲内で、寿命向上の飛躍
的向上は望めない。
That is, a dramatic improvement in service life cannot be expected within a practical range.

【0008】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、摩耗を低減しつつ、電気
的導通性が安定維持できる摺動抵抗器を提供することに
ある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a sliding resistor capable of stably maintaining electrical conductivity while reducing abrasion.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1による
と、基板の表面に配設された摺動抵抗体と、摺動抵抗体
上を摺動するコンタクトを備えた摺動抵抗器において、
摺動抵抗体は、コンタクトの硬度以上の硬度を有するカ
ーボン蒸着膜からなる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a sliding resistor having a sliding resistor disposed on a surface of a substrate and a contact sliding on the sliding resistor. ,
The sliding resistor is made of a carbon deposited film having a hardness equal to or higher than the hardness of the contact.

【0010】摺動抵抗体が、コンタクトの硬度以上の硬
度を有するカーボン蒸着膜で形成されるので、コンタク
トが摺動抵抗体上を継続的に摺動したとしても、摺動抵
抗体の摩耗防止が可能である。
[0010] Since the sliding resistor is formed of a carbon vapor deposited film having a hardness equal to or higher than the hardness of the contact, even if the contact slides continuously on the sliding resistor, wear of the sliding resistor is prevented. Is possible.

【0011】本発明の請求項2によると、基板の表面に
配設された摺動抵抗体と、摺動抵抗体上を摺動するコン
タクトを備えた摺動抵抗器において、コンタクトは、貴
金属からなり、摺動抵抗体はカーボン蒸着膜から形成さ
れるとともに、コンタクトの表面にはカーボン蒸着膜が
コーティングしてある。
According to a second aspect of the present invention, in the sliding resistor provided with the sliding resistor disposed on the surface of the substrate and the contact sliding on the sliding resistor, the contact is made of a noble metal. The sliding resistor is formed of a carbon vapor deposited film, and the surface of the contact is coated with a carbon vapor deposited film.

【0012】すなわち、摺動抵抗体はカーボン蒸着膜か
ら形成されつつ、貴金属のコンタクトの表面はカーボン
蒸着膜によりコーティングすなわち薄膜成形される。
That is, while the sliding resistor is formed from a carbon vapor deposited film, the surface of the contact of the noble metal is coated with the carbon vapor deposited film, that is, formed into a thin film.

【0013】このため、摺動抵抗体とコンタクトとが摺
動するそれぞれの表面は同材質であるので、摺動抵抗体
とコンタクトの双方の摩耗防止が可能で、かつ、コンタ
クトの表面を形成するカーボン蒸着膜は薄膜成形される
ので、カーボン蒸着膜によるコンタクトの導電特性への
影響をきわめて小さくすることが可能である。
For this reason, since the surfaces on which the sliding resistor and the contact slide are made of the same material, wear of both the sliding resistor and the contact can be prevented, and the surface of the contact is formed. Since the carbon deposited film is formed into a thin film, the influence of the carbon deposited film on the conductive properties of the contact can be extremely reduced.

【0014】請求項1または請求項2に記載の上記カー
ボン蒸着膜は、本発明の請求項3に記載のように、ダイ
ヤモンド構造とグラファイト構造とが所定の比率で混在
したアモルファス構造を有し、アモルファス構造が緻密
化されている。
The carbon deposited film according to claim 1 or 2 has an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure are mixed at a predetermined ratio, as described in claim 3 of the present invention. The amorphous structure has been densified.

【0015】このため、絶縁物であるダイヤモンド構造
と、導電物であるグラファイト構造が混在したアモルフ
ァス構造に起因して、その混在比率を所定の範囲にすれ
ば、分子レベルで存在するアモルファス構造により、所
望の硬度と、抵抗体としての導電性を有することが可能
である。
For this reason, if the mixing ratio is within a predetermined range due to the amorphous structure in which the diamond structure as the insulator and the graphite structure as the conductor are mixed, the amorphous structure existing at the molecular level can It is possible to have desired hardness and conductivity as a resistor.

【0016】これにより、カーボン蒸着膜は、分子レベ
ルでの所定の硬度と導電特性を有するので、摩耗が生じ
たとしたとしても、摩耗粉が導電物と絶縁物に分離して
しまうことはない。
As a result, the carbon vapor-deposited film has predetermined hardness and conductive properties at the molecular level, so that even if abrasion occurs, the abrasion powder does not separate into a conductive material and an insulating material.

【0017】しかも、カーボン蒸着膜すなわちアモルフ
ァス構造が緻密化されているので、カーボン蒸着膜の表
面硬度の向上と、表面粗さの向上すなわち摩擦係数低減
が可能である。
Moreover, since the carbon deposited film, that is, the amorphous structure is densified, it is possible to improve the surface hardness and the surface roughness of the carbon deposited film, that is, to reduce the friction coefficient.

【0018】本発明の請求項4によれば、緻密化された
カーボン蒸着膜は、摩擦係数が0.2以下である。
According to claim 4 of the present invention, the densified carbon deposited film has a coefficient of friction of 0.2 or less.

【0019】このため、コンタクトが摺動する摺動抵抗
体の表面は、摺動摩擦抵抗を低く抑えることができるの
で、摺動摩擦による表面の面荒れにより生じる摩耗の防
止が可能である。
For this reason, since the surface of the sliding resistor on which the contact slides can keep the sliding friction resistance low, it is possible to prevent wear caused by surface roughening due to sliding friction.

【0020】請求項3または請求項4に対応する上記所
定の混在比率は、請求項5に記載のように、ラマン分光
分析法のラマンスペクトルにおいて、Gバンド(155
0cm-1近傍)とDバンド(1350cm-1近傍)のラ
マン強度比が0.6〜1.2の範囲となる比率であるこ
とが望ましい。
According to a third aspect of the present invention, the predetermined mixture ratio corresponds to the G band (155) in the Raman spectrum of the Raman spectroscopy.
Raman intensity ratio of 0 cm -1 vicinity) and D-band (1350 cm -1 vicinity) is desirably ratio in the range of 0.6 to 1.2.

【0021】これにより、カーボン蒸着膜は、少なくと
も摺動抵抗体としての基本特性である導電性を満たし、
さらに耐摩耗性、および摺動摩擦抵抗が低く抑えられる
結果、摺動性の向上が可能である。
As a result, the carbon deposited film satisfies at least conductivity, which is a basic characteristic as a sliding resistor,
Furthermore, as the abrasion resistance and the sliding frictional resistance are suppressed low, the slidability can be improved.

【0022】請求項6によれば、カーボン蒸着膜は、水
素を含む不純物を有しており、前記水素の残存量が10
重量%以下である。
According to claim 6, the carbon deposition film has an impurity containing hydrogen, and the remaining amount of hydrogen is 10%.
% By weight or less.

【0023】耐摩耗性を向上するために意図的に添加す
る添加物は、上述の不純物を除くとすると、一般に不純
物は硬度低下を招くので、不純物である水素は、残存量
を10重量%以下にすることが望ましい。
If the above-mentioned impurities are excluded from the additives intentionally added to improve the wear resistance, the impurities generally cause a decrease in hardness. Therefore, the hydrogen as an impurity has a residual amount of 10% by weight or less. Is desirable.

【0024】これにより、例えば、上記所定の混在比率
によるアモルファス構造のカーボン蒸着膜の導電性、耐
摩耗性、摺動性の各特性が安定して得られる。
Thus, for example, the conductivity, abrasion resistance, and slidability of the amorphous carbon deposited film having the predetermined mixture ratio can be stably obtained.

【0025】請求項7によれば、カーボン蒸着膜の導電
性が、体積固有抵抗として、0.01〜10Ω・cmの
範囲にある。
According to claim 7, the conductivity of the deposited carbon film is in the range of 0.01 to 10 Ω · cm as the volume resistivity.

【0026】これにより、カーボン蒸着膜は、摺動抵抗
器用の摺動抵抗体として好適である。
Thus, the carbon deposited film is suitable as a sliding resistor for a sliding resistor.

【0027】請求項1に記載のコンタクトは、請求項8
に記載のように、コンタクトの表面にロジウムメッキ処
理がなされていてもよい。
[0027] The contact according to claim 1 is a contact according to claim 8.
As described above, the surface of the contact may be subjected to rhodium plating.

【0028】これにより、耐摩耗性が向上した摺動抵抗
体により、逆にコンタクトの摩耗量が増加するのを防止
できる。
[0028] Thus, with the sliding resistor having improved wear resistance, it is possible to prevent the amount of contact wear from increasing.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の摺動抵抗器を具体
化した実施形態を図面に従って説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a sliding resistor according to an embodiment of the present invention.

【0030】図1は、本発明の実施形態の摺動抵抗器を
内蔵するポテンショメータを示す平面図である。図2
は、図1のポテンショメータをII−IIからみた断面
図である。
FIG. 1 is a plan view showing a potentiometer incorporating a sliding resistor according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a sectional view of the potentiometer of FIG. 1 as viewed from II-II.

【0031】図3は、本発明の実施形態である摺動抵抗
器の構成を表す構成図であって、図3(a)は、平面
図、図3(b)はA−Aからみた断面図、図3(c)
は、側面図である。
FIGS. 3A and 3B are configuration diagrams showing the configuration of a sliding resistor according to an embodiment of the present invention. FIG. 3A is a plan view, and FIG. FIG. 3 (c)
Is a side view.

【0032】図1〜図3に示すように、本発明に係わる
摺動抵抗器1は、抵抗体基板20の表面に配設された摺
動抵抗体2と、摺動抵抗体2上を摺動するコンタクト3
とよりなる。
As shown in FIGS. 1 to 3, a sliding resistor 1 according to the present invention includes a sliding resistor 2 provided on the surface of a resistor substrate 20 and a sliding resistor on the sliding resistor 2. Moving contact 3
And

【0033】以下、本発明の摺動抵抗器1を自動車用ポ
テンショメータに適用して、具体化した実施形態につい
て説明する。
An embodiment in which the sliding resistor 1 of the present invention is applied to a potentiometer for an automobile will be described below.

【0034】図1、図2に示すように、ポテンショメー
タ10は、摺動抵抗器1と、外部からの回転が伝達され
る回転筒体30と、ケース11とを含んで構成され、回
転位置を検出する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the potentiometer 10 includes a sliding resistor 1, a rotary cylinder 30 to which rotation from the outside is transmitted, and a case 11, and has a rotational position. To detect.

【0035】摺動抵抗器1は、図1〜図3に示すよう
に、ポテンショメータ10の基板20上に、導電性を有
するカーボン蒸着膜からなる摺動抵抗体2が配設されて
いる。
As shown in FIGS. 1 to 3, the sliding resistor 1 is provided with a sliding resistor 2 made of a conductive carbon vapor-deposited film on a substrate 20 of a potentiometer 10.

【0036】摺動抵抗体2は、図2、図3に示すよう
に、回転筒体30の回転中心突起302に対応する、抵
抗体基板20側に設けられた嵌合孔202を中心とする
同心円状に形成された第1の摺動抵抗体21(内側集電
用)と、この第1摺動抵抗体21の外周に形成された第
2摺動抵抗体22(外側出力用)とからなる。言い換え
ると、摺動抵抗体2は、後述する2つのコンタクト3が
移動する摺動軌跡に対応して、円弧状に2列に並べた内
側の第1の摺動抵抗体21と外側の第2の摺動抵抗体2
2とより構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the sliding resistor 2 is centered on a fitting hole 202 provided on the resistor substrate 20 side corresponding to the rotation center projection 302 of the rotary cylinder 30. A first sliding resistor 21 (for inner current collection) formed concentrically and a second sliding resistor 22 (for outer output) formed on the outer periphery of the first sliding resistor 21 Become. In other words, the sliding resistor 2 has an inner first sliding resistor 21 and an outer second sliding resistor 21 arranged in two rows in an arc shape corresponding to a sliding trajectory in which two contacts 3 described later move. Sliding resistor 2
2 is comprised.

【0037】そして、内側の第1の摺動抵抗体21の一
端部と、外側の第2の摺動抵抗体22の両端部は、ケー
ス11に配された3つの電気端子12との電気的導通を
図るための接点部23を形成している。なお、ケース1
1は、ポテンショメータ10の外郭を形成するものであ
る。
One end of the inner first sliding resistor 21 and both ends of the outer second sliding resistor 22 are electrically connected to three electrical terminals 12 arranged in the case 11. A contact portion 23 for achieving conduction is formed. Case 1
Reference numeral 1 denotes an outer shell of the potentiometer 10.

【0038】また、上記2つの摺動抵抗体21、22
は、いずれも後述するダイヤモンド構造とグラファイト
構造とが混在したアモルファス構造からなるカーボン蒸
着膜で形成されている。
The two sliding resistors 21 and 22
Are formed of a carbon vapor-deposited film having an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure described later are mixed.

【0039】なお、第1、第2の摺動抵抗体21、22
すなわち摺動抵抗体2を形成する上記カーボン蒸着膜の
詳細については、後述する。
The first and second sliding resistors 21 and 22
That is, the details of the carbon deposited film forming the sliding resistor 2 will be described later.

【0040】次に、コンタクト3は、図3(a)、
(c)に示すように、回転筒体30の抵抗体基板20と
の対向面側に固定配設されている。詳しくは、図3
(a)に示すように、コンタクト3は、導電板39から
二股に分岐して設けられた第1のコンタクト31と第2
のコンタクト32とにより構成されており、回転筒体3
0の上部に、導電板39を介して、固定されている。
Next, the contact 3 is shown in FIG.
As shown in (c), the rotary cylinder 30 is fixedly provided on the side facing the resistor substrate 20. See Figure 3 for details.
As shown in (a), the contact 3 is made up of a first contact 31 and a second contact branched from the conductive plate 39.
Of the rotating cylinder 3
It is fixed on the upper part of the “0” via a conductive plate 39.

【0041】このコンタクト3(詳しくは、第1、第2
のコンタクト31、32)は、6元合金等の貴金属また
は貴金属合金からなり、その硬度(詳しくは、ビッカー
ス硬度)は、Hv200〜300の範囲にある。
This contact 3 (specifically, the first and second contacts
Are made of a noble metal such as a hexagonal alloy or a noble metal alloy, and the hardness (specifically, Vickers hardness) is in the range of Hv200 to 300.

【0042】また、図2に示すように、ポテンショメー
タ10には、ケース11と摺動抵抗体2を配設した基板
20とにより囲まれた接点室4が設けてある。この接点
室4内には、上記コンタクト3を有する回転筒体30が
回動可能に配設されている。
As shown in FIG. 2, the potentiometer 10 has a contact chamber 4 surrounded by a case 11 and a substrate 20 on which the sliding resistor 2 is disposed. A rotary cylinder 30 having the contact 3 is rotatably disposed in the contact chamber 4.

【0043】上述した構成を有するポテンショメータ
は、回転筒体30の回転に伴い摺動抵抗体2上を摺動す
ることで、コンタクト3の位置に応じた電圧が端子23
より出力される。
In the potentiometer having the above-described configuration, the voltage corresponding to the position of the contact 3 is applied to the terminal 23 by sliding on the sliding resistor 2 as the rotary cylinder 30 rotates.
Output.

【0044】ここで、本発明の摺動抵抗器1の特徴であ
るカーボン蒸着膜からなる摺動抵抗体2(詳しくは、第
1、第2の摺動抵抗体21、22)について、以下説明
する。
Here, the sliding resistor 2 (specifically, the first and second sliding resistors 21 and 22) made of a carbon vapor-deposited film, which is a feature of the sliding resistor 1 of the present invention, will be described below. I do.

【0045】まず、摺動抵抗体2を形成するカーボン蒸
着膜DLCは、コンタクト3(詳しくは、第1、第2の
コンタクト31、32)の硬度以上の硬度を有する。こ
のカーボン蒸着膜DLCは、後述するダイヤモンド構造
とグラファイト構造とが混在したアモルファス構造によ
り、硬度(詳しくは、ビッカース硬度)がHv300以
上とすることが可能である。
First, the carbon deposited film DLC forming the sliding resistor 2 has a hardness equal to or higher than the hardness of the contact 3 (specifically, the first and second contacts 31 and 32). The carbon vapor deposited film DLC can have a hardness (specifically, Vickers hardness) of Hv300 or more due to an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure described later are mixed.

【0046】このため、コンタクト3の硬度(Hv20
0〜300)に比べて、摺動抵抗体2は、ダイヤモンド
構造とグラファイト構造とが混在したアモルファス構造
からなる硬度がHv300以上のカーボン蒸着膜DLC
で構成されるので、摺動抵抗体2が、コンタクト3の硬
度と同等以上の硬度を有することができる。
For this reason, the hardness of the contact 3 (Hv20
0 to 300), the sliding resistor 2 has an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure are mixed, and has a hardness of Hv300 or more and has a hardness of Hv300 or more.
Therefore, the sliding resistor 2 can have a hardness equal to or higher than the hardness of the contact 3.

【0047】したがって、コンタクト3の硬度以上に硬
度が大きい摺動抵抗体2は、コンタクト3が摺動抵抗体
2上を継続的に摺動したとしても、摺動抵抗体2の摩耗
防止が可能である。
Therefore, the sliding resistor 2 having a hardness higher than the hardness of the contact 3 can prevent the sliding resistor 2 from being worn even if the contact 3 slides on the sliding resistor 2 continuously. It is.

【0048】次に、カーボン蒸着膜DLCの摺動抵抗体
2を形成するダイヤモンド構造とグラファイト構造とが
混在したアモルファス構造について、以下説明する。な
お、本実施形態において、DLCとは、Diamond
−Like Carbonの略語として呼ぶ。
Next, an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure forming the sliding resistor 2 of the carbon vapor deposited film DLC are described below. In the present embodiment, DLC refers to Diamond.
-Called as an abbreviation for Like Carbon.

【0049】カーボン蒸着膜DLCは、その主要成分が
カーボン(C)であり、含有不純物成分としては水素
(H)、酸素(O)を含んでいる。このカーボン蒸着膜
DLCは、後述するPVD、P−CVD等プラズマを用
いた成膜方法により、カーボンの分子構造において、結
晶性のダイヤモンド構造とグラファイト構造とが混在し
たアモルファス構造を形成する。
The main component of the carbon deposited film DLC is carbon (C), and contains hydrogen (H) and oxygen (O) as the contained impurity components. This carbon deposited film DLC forms an amorphous structure in which a crystalline diamond structure and a graphite structure are mixed in the molecular structure of carbon by a film forming method using plasma such as PVD or P-CVD described later.

【0050】ダイヤモンド構造とは、単結晶体としては
いわゆるダイヤモンドであって、完全な絶縁体であり
(抵抗値>1013Ω)、かつ、非常に硬いという特徴を
有する。一方、グラファイト構造とは、単結晶体として
はいわゆるグラファイトであって、高い導電性を有し
(抵抗値>10-13Ω)、滑り性が良いという特徴を有
する。
The diamond structure is a so-called diamond as a single crystal, is a perfect insulator (resistance value> 10 13 Ω), and has a feature of being very hard. On the other hand, the graphite structure is a so-called graphite as a single crystal body, has characteristics of high conductivity (resistance value> 10 -13 Ω) and good slipperiness.

【0051】このため、このダイヤモンド構造とグラフ
ァイト構造とが混在したアモルファス構造に起因して、
その混在比率を後述の所定の範囲に設定すれば、分子レ
ベルで存在するアモルファス構造により、所望の硬度
と、抵抗体としての導電性を有することが可能である。
Therefore, due to the amorphous structure in which the diamond structure and the graphite structure are mixed,
By setting the mixture ratio in a predetermined range described later, it is possible to have a desired hardness and conductivity as a resistor due to the amorphous structure existing at the molecular level.

【0052】これにより、コンタクト3が摺動抵抗体2
上を継続的に摺動することで摺動抵抗体2の摩耗が生じ
てしまったとしても、すなわちカーボン蒸着膜DLCが
摩耗するようなことがあったとしても、カーボン蒸着膜
DLCは、分子レベルでの所定の硬度と導電特性を有す
るので、摩耗粉が導電物と絶縁物に分離してしまうこと
はない。
Thus, the contact 3 is connected to the sliding resistor 2
Even if the sliding resistor 2 is worn by continuous sliding on the upper side, that is, even if the carbon deposited film DLC is worn out, the carbon deposited film DLC has a molecular level. In this case, the abrasion powder does not separate into a conductor and an insulator.

【0053】したがって、カーボンブラックを樹脂中に
混練してなる、従来の樹脂製摺動抵抗体において、その
摩耗過程で、導電物のカーボンブラックと絶縁物の樹脂
に分離してしまった結果、摺動軌跡上に付着した樹脂に
起因して、コンタクトと摺動抵抗体との電気的接触が不
安定、すなわち電気的導電性が不安定となる現象を生じ
る場合があるが、本発明の摺動抵抗体2では、このよう
な現象を確実に防止できる。
Therefore, in a conventional resin-made sliding resistor in which carbon black is kneaded in a resin, the conductive carbon black and the insulating resin are separated during the abrasion process. Due to the resin adhering to the trajectory, the electrical contact between the contact and the sliding resistor may be unstable, that is, the electrical conductivity may be unstable. In the resistor 2, such a phenomenon can be reliably prevented.

【0054】なお、このカーボン蒸着膜DLCの成膜
は、PVD、P−CDV等のプラズマを用いた製造方法
にて形成する。
The carbon deposited film DLC is formed by a manufacturing method using plasma such as PVD or P-CDV.

【0055】PVD(Physical Vapor
Depositionの略語で、いわゆる物理蒸着法
の)成膜方法については、例えば原料ガスとしてベンゼ
ン(C 66)を用いてプラズマ化したイオンプレーティ
ング法、或いは、固体カーボン(C)をターゲットとし
たイオンスパッタリング法等を適用できる。なお、上記
イオンプレーティング法は、後述する水素の残存量を低
減できる特徴を有しており望ましい。
PVD (Physical Vapor)
Abbreviation of Deposition, so-called physical vapor deposition
), For example, as a source gas
(C 6H6) Ionized plate
Method or solid carbon (C) as a target
For example, an ion sputtering method can be applied. The above
The ion plating method reduces the residual amount of hydrogen described later.
It is desirable because it has a feature that can be reduced.

【0056】また、P−CVD(Plasma−Che
mical Vapor Depositionの略語
で、いわゆるプラズマ化学蒸着法の)成膜方法について
は、メタン(CH4)等の原料ガスを用いたプラズマに
より形成する方法を適用することができる。
Further, P-CVD (Plasma-Che)
As a film forming method (abbreviation of physical vapor deposition, which is a so-called plasma chemical vapor deposition method), a method of forming by plasma using a source gas such as methane (CH 4 ) can be applied.

【0057】次に、本発明の摺動抵抗体2のカーボン蒸
着膜DLC、すなわち上記アモルファス構造は、上記成
膜方法における成膜条件を例えばバイアス電圧を大きく
する等で行なうことにより、緻密化されて形成されてい
てもよい。
Next, the carbon deposited film DLC of the sliding resistor 2 of the present invention, that is, the above-mentioned amorphous structure is densified by performing the film forming conditions in the above film forming method, for example, by increasing the bias voltage. May be formed.

【0058】これにより、カーボン蒸着膜DLCの表面
硬度の向上と、表面粗さの向上すなわち摩擦係数低減が
可能である。
Thus, it is possible to improve the surface hardness of the carbon vapor deposited film DLC and to improve the surface roughness, that is, to reduce the friction coefficient.

【0059】詳しくは、この緻密化されたカーボン蒸着
膜DLCは、表面硬度をHv300以上、かつ表面粗度
をRZ3μm以下とすることが容易に可能である。
More specifically, the densified carbon vapor-deposited film DLC can easily have a surface hardness of Hv 300 or more and a surface roughness of RZ 3 μm or less.

【0060】このとき、RZ3μm以下である表面粗度
に起因して、摩擦係数(詳しくは、ドライ状態の摩擦係
数)が、0.2以下とすることができる。
At this time, the friction coefficient (specifically, the friction coefficient in a dry state) can be 0.2 or less due to the surface roughness of RZ 3 μm or less.

【0061】このため、コンタクト3が摺動する摺動抵
抗体2の表面は、摩擦係数に応じて摺動摩擦抵抗を低く
抑えることができるので、摺動摩擦による表面の面荒れ
によって生じる摩耗の防止が可能である。
For this reason, the surface of the sliding resistor 2 on which the contact 3 slides can keep the sliding friction resistance low according to the friction coefficient, so that the abrasion caused by the surface roughening due to the sliding friction can be prevented. It is possible.

【0062】ここで、上述の特徴を有するカーボン蒸着
膜DLCの物性、特に構造の特定方法について、図4に
従って以下説明する。
Here, the method of specifying the physical properties, particularly the structure, of the carbon vapor deposited film DLC having the above-described characteristics will be described with reference to FIG.

【0063】図4は、本発明の実施形態の要部である摺
動抵抗体、つまりカーボン蒸着膜DLCの物性を表すラ
マン分光分析法によるラマンスペクトルのグラフであ
る。なお、図4の横軸は、ラマンシフトいわゆる波数
(cm-1)を示し、縦軸は、相対強度を示す。
FIG. 4 is a graph of the Raman spectrum by Raman spectroscopy showing the physical properties of the sliding resistor, ie, the carbon deposited film DLC, which is the main part of the embodiment of the present invention. The horizontal axis in FIG. 4 indicates the Raman shift, that is, the so-called wave number (cm -1 ), and the vertical axis indicates the relative intensity.

【0064】グラファイト構造を反映した部分は、波数
1550cm-1近傍(いわゆるGバンド)に、一方アモ
ルファスな部分は、波数1350cm-1近傍(いわゆる
Dバンド)に現れる。
The portion reflecting the graphite structure appears near the wave number of 1550 cm -1 (so-called G band), while the amorphous portion appears near the wave number of 1350 cm -1 (so-called D band).

【0065】そこで、ラマン分光測定には日本分光
(株)製NRS−1000を用いて、Gバンド(155
0cm-1近傍)とDバンド(1350cm-1近傍)のラ
マン強度比を実験的に求めた結果から、カーボン蒸着膜
DLCの物性をこの強度比の範囲にて、特定した。
For Raman spectroscopy, NRS-1000 manufactured by JASCO Corporation was used to measure the G band (155).
The Raman intensity ratio of 0 cm -1 vicinity) and D-band (1350 cm -1 vicinity) from the results obtained experimentally, the physical properties of the carbon deposited film DLC in the range of the intensity ratio, were identified.

【0066】すなわち、波数1550cm-1近傍と波数
1350cm-1近傍のピーク部の強度比、すなわちラマ
ン強度比は、0.6〜1.2の範囲が望ましい。
[0066] That is, the intensity ratio of the wave number 1550 cm -1 vicinity and the wave number 1350 cm -1 peak portion near, i.e. the Raman intensity ratio is in the range of 0.6 to 1.2 is desirable.

【0067】強度比が0.6より小さくなると、カーボ
ン蒸着膜DLCの所望の導電性が得られなくなる。この
状態(強度比が0.6以下)で導電性を確保しようとす
れば、カーボン蒸着膜DLCに含有する非導電性物質、
例えば水素(H)を極力低減させること、或いは逆に、
導電性の金属成分を添加する必要が生じて、摺動性が損
なわれてしまう結果となる。
If the intensity ratio is less than 0.6, the desired conductivity of the carbon deposited film DLC cannot be obtained. In order to secure conductivity in this state (strength ratio is 0.6 or less), a non-conductive substance contained in the carbon deposited film DLC,
For example, reducing hydrogen (H) as much as possible, or conversely,
It becomes necessary to add a conductive metal component, resulting in impaired slidability.

【0068】一方、強度比が1.2より大きくなると、
カーボン蒸着膜DLCの導電性が低くなりすぎるととも
に、膜質がもろくなってしまうことになる。
On the other hand, when the intensity ratio exceeds 1.2,
The conductivity of the carbon vapor deposited film DLC becomes too low, and the film quality becomes fragile.

【0069】このため、上記ラマン強度比を、0.6〜
1.2の範囲に設定するので、カーボン蒸着膜DLC
は、少なくとも摺動抵抗体2としての基本特性である後
述の所定の導電性を満たし、さらに耐摩耗性の向上(詳
しくは、硬度の向上、および摩擦係数の低減)、および
摺動摩擦抵抗を低く抑える摺動性の向上(詳しくは、摩
擦係数の低減)が可能である。
Therefore, the Raman intensity ratio is set to 0.6 to
Since it is set in the range of 1.2, the carbon deposited film DLC
Satisfies at least the following predetermined conductivity, which is a basic characteristic of the sliding resistor 2, and further improves the abrasion resistance (specifically, increases the hardness and reduces the friction coefficient) and reduces the sliding friction resistance. It is possible to improve the slidability to be suppressed (specifically, to reduce the friction coefficient).

【0070】なお、本実施形態の摺動抵抗器1の摺動抵
抗体2としての導電性において、カーボン蒸着膜DLC
の導電性が、体積固有抵抗で表される0.01〜10Ω
・cmの範囲で得られる。これにより、自動車用ポテン
ショメータ10等に適用する摺動抵抗器1の摺動抵抗体
2として好適である。
The conductivity of the sliding resistor 2 of the sliding resistor 1 of this embodiment is different from that of the carbon deposited film DLC.
Is 0.01 to 10 Ω expressed by volume resistivity.
-Obtained in the range of cm. Thereby, it is suitable as the sliding resistor 2 of the sliding resistor 1 applied to the automotive potentiometer 10 and the like.

【0071】ここで、カーボン蒸着膜DLCにおいて、
不純物として含まれる水素(H)の残存量は、10重量
%以下であることが望ましい。なお、逆に、この残存量
が多い場合には、カーボン蒸着膜DLCの体積固有抵抗
が大きくなり、硬度低下すなわち耐摩耗性が低下するこ
とになる。
Here, in the carbon deposited film DLC,
It is desirable that the residual amount of hydrogen (H) contained as an impurity is 10% by weight or less. Conversely, when the residual amount is large, the volume specific resistance of the carbon deposited film DLC becomes large, and the hardness is reduced, that is, the wear resistance is reduced.

【0072】このため、水素(H)の残存量を10重量
%以下にするので、例えば、上記所定の混在比率(詳し
くは、ラマン強度比が0.6〜1.2の範囲)によるア
モルファス構造のカーボン蒸着膜DLCの導電性、耐摩
耗性、摺動性の各特性が安定して得られる。
For this reason, the remaining amount of hydrogen (H) is reduced to 10% by weight or less. Therefore, for example, the amorphous structure with the above-mentioned predetermined mixture ratio (specifically, the Raman intensity ratio is in the range of 0.6 to 1.2) is used. The properties of conductivity, abrasion resistance and slidability of the carbon deposited film DLC can be stably obtained.

【0073】次に、本発明の摺動抵抗器1の寿命加速試
験を実施し、耐摩耗性向上等の効果を確認したので、図
5に従って以下説明する。
Next, the sliding resistor 1 of the present invention was subjected to a life acceleration test to confirm the effect of improving the wear resistance and the like.

【0074】この寿命加速試験としては、雰囲気温度を
120℃と−30℃との間で繰返す冷熱作動耐久試験等
を行い、摩耗量と、寿命を評価したものである。
As the life accelerating test, a cooling operation endurance test and the like were repeated at an ambient temperature between 120 ° C. and −30 ° C., and the wear amount and the life were evaluated.

【0075】なお、図5中の実施例―1、実施例―2、
実施例―3は、図4に示すそれぞれのラマン分光分析法
によるラマンスペクトルに対応する。また、比較例とし
て、従来のポリマー系樹脂製抵抗体を用いた。
Note that, in FIGS. 5A and 5B, Example-1, Example-2,
Example-3 corresponds to the Raman spectra obtained by the respective Raman spectroscopy methods shown in FIG. As a comparative example, a conventional polymer-based resin resistor was used.

【0076】図5に示す如く、実施例―1、実施例―
2、実施例―3は、各硬度がHv523、542、58
0であり、本発明の摺動抵抗体2であるカーボン蒸着膜
DLCの硬度(Hv300以上)を満足する。これに対
して、比較例のポリマー系樹脂製抵抗体の硬度は、Hv
55と極めて低い。
As shown in FIG. 5, Embodiment-1 and Embodiment-
2. In Example-3, each hardness was Hv523, 542, 58.
0, which satisfies the hardness (Hv 300 or more) of the carbon deposited film DLC as the sliding resistor 2 of the present invention. On the other hand, the hardness of the polymer resin resistor of the comparative example is Hv
It is extremely low at 55.

【0077】このため、比較例が5μm摩耗しているの
に対し、実施例―1、実施例―2、実施例―3は、摺動
抵抗体2に摺動軌跡が僅かに確認できる程度であり、そ
の摩耗量も0.1μm以下という測定誤差範囲内の値し
か認められず、略摩耗しないと判断できる。
For this reason, while the comparative example is worn out by 5 μm, the sliding traces of the sliding resistors 2 in Examples 1, 2, and 3 are such that the sliding locus can be slightly confirmed in the sliding resistor 2. In addition, the amount of abrasion was only within a measurement error range of 0.1 μm or less, and it can be determined that the abrasion was substantially not caused.

【0078】したがって、図5に示すように、寿命加速
試験結果の比較においても、比較例は、100万サイク
ルを限界としたのに対して、本発明の摺動抵抗体2のカ
ーボン蒸着膜DLCでは、いずれも200万サイクル以
上と寿命が飛躍的に向上できる。
Therefore, as shown in FIG. 5, in comparison of the life acceleration test results, the comparative example was limited to 1,000,000 cycles, whereas the carbon deposited film DLC of the sliding resistor 2 of the present invention was limited to 1,000,000 cycles. In either case, the life can be dramatically improved to 2 million cycles or more.

【0079】(変形例)上述の実施形態では、摩耗を低
減しつつ、電気的導通性が安定維持できる摺動抵抗器を
提供するため、摺動抵抗体2を、カーボン蒸着膜DLC
からなる厚膜抵抗体で説明したが、近年要請されている
メンテナンスフリーな製品提供の観点から、変形例とし
て、コンタクト3の表面に、カーボン蒸着膜DLC、あ
るいはロジムメッキいわゆるRhメッキ膜が形成されて
いてもよい。
(Modification) In the above embodiment, in order to provide a sliding resistor capable of stably maintaining electrical conductivity while reducing abrasion, the sliding resistor 2 is made of a carbon vapor deposited film DLC.
However, from the viewpoint of providing a maintenance-free product that has been required in recent years, a carbon vapor deposition film DLC or a rhodium plating so-called Rh plating film is formed on the surface of the contact 3 as a modification. You may.

【0080】このコンタクト3の表面に設けるカーボン
蒸着膜DLCは、コーティングすなわち薄膜成形により
形成される。
The carbon deposited film DLC provided on the surface of the contact 3 is formed by coating, that is, forming a thin film.

【0081】このため、摺動抵抗体2とコンタクト3と
が摺動するそれぞれの表面は同材質で形成されるので、
摺動抵抗体2とコンタクト3の双方の摩耗防止を可能に
しつつ、コンタクト3の表面を形成するカーボン蒸着膜
DLCは薄膜成形され、従ってカーボン蒸着膜によるコ
ンタクトの導電特性への影響をきわめて小さくすること
が可能である。
For this reason, since the respective surfaces on which the sliding resistor 2 and the contact 3 slide are formed of the same material,
The carbon-deposited film DLC forming the surface of the contact 3 is formed into a thin film while preventing the abrasion of both the sliding resistor 2 and the contact 3, so that the influence of the carbon-deposited film on the conductive properties of the contact is extremely reduced. It is possible.

【0082】なお、摺動抵抗体2として実施例−2を用
い、またコンタクト3のコーティングとしては、コーテ
ィングなし、カーボン蒸着膜DLC(Hv542)、R
hメッキ(Hv700)のそれぞれを用いて、前述の寿
命加速試験の試験条件にて耐久試験を実施したところ、
コンタクト3の摩耗は、コーティングなしに比べて、カ
ーボン蒸着膜DLC(Hv542)、Rhメッキ(Hv
700)の方が少なく、硬度が最も高いRhメッキを施
したコンタクト3の摩耗が特に小さい。
Example 2 was used as the sliding resistor 2, and the contact 3 was coated without coating, with a carbon deposited film DLC (Hv542), R
Using each of the h-plates (Hv700), a durability test was performed under the test conditions of the life acceleration test described above.
The wear of the contact 3 was higher than that of the case without the coating, in which the carbon deposited film DLC (Hv542) and Rh plating (Hv
700), and the wear of the Rh-plated contact 3 having the highest hardness is particularly small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態の摺動抵抗器を内蔵するポテ
ンショメータを示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a potentiometer incorporating a sliding resistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のポテンショメータをII−IIからみた
断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of the potentiometer of FIG. 1 as viewed from II-II.

【図3】本発明の実施形態である摺動抵抗器の構成を表
す構成図であって、図3(a)は、平面図、図3(b)
はA−Aからみた断面図、図3(c)は、側面図であ
る。
3A and 3B are configuration diagrams illustrating a configuration of a sliding resistor according to an embodiment of the present invention. FIG. 3A is a plan view, and FIG.
Is a cross-sectional view from AA, and FIG. 3C is a side view.

【図4】本発明の実施形態の要部である摺動抵抗体、つ
まりカーボン蒸着膜DLCの物性を表すラマン分光分析
法によるラマンスペクトルのグラフである。
FIG. 4 is a graph of a Raman spectrum by Raman spectroscopy showing physical properties of a sliding resistor, ie, a carbon deposited film DLC, which is a main part of an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の摺動抵抗体のカーボン蒸着膜DLCの
効果を確認するため、寿命加速試験を実施した評価結果
を示し、硬度、摩耗量、寿命等を比較した表である。
FIG. 5 is a table showing evaluation results of a life acceleration test performed to confirm the effect of the carbon deposited film DLC of the sliding resistor according to the present invention, and comparing hardness, wear amount, life, and the like.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 摺動抵抗器 2、(21、22) 摺動抵抗体、(第1の摺動抵抗
体、第1の摺動抵抗体) 3、(31、32) コンタクト、(第1のコンタク
ト、第2のコンタクト) 10 ポテンショメータ 20 基板 DLC カーボン蒸着膜
1 sliding resistor 2, (21, 22) sliding resistor, (first sliding resistor, first sliding resistor) 3, (31, 32) contact, (first contact, 2 contacts) 10 potentiometer 20 substrate DLC carbon deposited film

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に配設された摺動抵抗体と、
該摺動抵抗体上を摺動するコンタクトを備えた摺動抵抗
器において、前記摺動抵抗体は、前記コンタクトの硬度
以上の硬度を有するカーボン蒸着膜からなることを特徴
とする摺動抵抗器。
A sliding resistor provided on a surface of a substrate;
A sliding resistor provided with a contact that slides on the sliding resistor, wherein the sliding resistor is made of a carbon vapor-deposited film having a hardness equal to or higher than the hardness of the contact. .
【請求項2】 基板の表面に配設された摺動抵抗体と、
該摺動抵抗体上を摺動するコンタクトを備えた摺動抵抗
器において、 前記コンタクトは、貴金属からなり、 前記摺動抵抗体はカーボン蒸着膜から形成されるととも
に、前記コンタクトの表面には前記カーボン蒸着膜がコ
ーティングしてあることを特徴とする摺動抵抗器。
2. A sliding resistor disposed on a surface of a substrate,
In a sliding resistor provided with a contact that slides on the sliding resistor, the contact is made of a noble metal, and the sliding resistor is formed of a carbon vapor-deposited film, and the surface of the contact is A sliding resistor characterized by being coated with a carbon deposition film.
【請求項3】 前記カーボン蒸着膜は、ダイヤモンド構
造とグラファイト構造とが所定の比率で混在したアモル
ファス構造を有し、前記アモルファス構造が緻密化され
ていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載
の摺動抵抗器。
3. The carbon deposited film has an amorphous structure in which a diamond structure and a graphite structure are mixed at a predetermined ratio, and the amorphous structure is densified. 3. The sliding resistor according to 2.
【請求項4】 前記緻密化されたカーボン蒸着膜は、摩
擦係数が0.2以下であることを特徴とする請求項3に
記載の摺動抵抗器。
4. The sliding resistor according to claim 3, wherein the densified carbon deposited film has a friction coefficient of 0.2 or less.
【請求項5】 前記所定の混在比率は、ラマン分光分析
法のラマンスペクトルにおいて、Gバンド(1550c
-1近傍)とDバンド(1350cm-1近傍)のラマン
強度比が0.6〜1.2の範囲となる比率であることを
特徴とする請求項3または請求項4に記載の摺動抵抗
器。
5. The Raman spectrum of Raman spectroscopy is used to determine the predetermined mixture ratio in G band (1550c
The sliding according to claim 3 or 4, wherein the Raman intensity ratio between the m- 1 ) and the D band (1350cm- 1 ) is in the range of 0.6 to 1.2. Resistor.
【請求項6】 前記カーボン蒸着膜は、水素を含む不純
物を有しており、前記水素の残存量が10重量%以下で
あることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか
一項に記載の摺動抵抗器。
6. The carbon deposited film has impurities containing hydrogen, and the residual amount of hydrogen is 10% by weight or less. A sliding resistor according to item 1.
【請求項7】 前記カーボン蒸着膜の導電性が、体積固
有抵抗として、0.01〜10Ω・cmの範囲にあるこ
とを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に
記載の摺動抵抗器。
7. The method according to claim 1, wherein the conductivity of the carbon vapor-deposited film is in a range of 0.01 to 10 Ω · cm as a volume resistivity. Sliding resistor.
【請求項8】 請求項1に記載の前記コンタクトは、前
記コンタクトの表面にロジウムメッキ処理がなされてい
ることを特徴とする摺動抵抗器。
8. The sliding resistor according to claim 1, wherein the surface of the contact is rhodium-plated.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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