JP2002277662A - Method for manufacturing optical waveguide coupler - Google Patents

Method for manufacturing optical waveguide coupler

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JP2002277662A
JP2002277662A JP2001072920A JP2001072920A JP2002277662A JP 2002277662 A JP2002277662 A JP 2002277662A JP 2001072920 A JP2001072920 A JP 2001072920A JP 2001072920 A JP2001072920 A JP 2001072920A JP 2002277662 A JP2002277662 A JP 2002277662A
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core
polymer material
optical waveguide
waveguide
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JP2001072920A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimasa Haga
由昌 芳賀
Saburo Imamura
三郎 今村
Akira Tomaru
暁 都丸
Makoto Hikita
真 疋田
Kazuko Hashimoto
和子 橋本
Atsushi Yamauchi
篤 山内
Ayako Sakuma
綾子 佐久間
Masayuki Michiguchi
将之 道口
Chie Tomiyoshi
千恵 冨吉
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NTT Advanced Technology Corp
Original Assignee
NTT Advanced Technology Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a polymer optical waveguide coupler which is easily manufactured with superior productivity and is easily connected with optical parts. SOLUTION: Waveguides with large core diameters or different core diameters and refractive indices are formed on a single substrate by using reactive oligomers having easy pattern forming performance, excellent heat resistance and moisture resistance, low birefringence and excellent formability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子材料を用い
た光導波路カプラに関するもので、光通信分野および光
学情報処理の分野に用いられる種々の光導波路カプラと
して、光集積回路または光配線板等に利用できる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide coupler using a polymer material, and as various optical waveguide couplers used in the fields of optical communication and optical information processing, an optical integrated circuit or an optical wiring board. Etc. can be used.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来は、光通信分野および光学情報処理
の分野において、シングルモードおよびマルチモードの
光の処理はそれぞれのモードの光ファイバおよび導波路
を利用することにより行われている。ファイバではマル
チモードはコア径が大きいことをメリットにクローズし
たLANや工場内配線などに使われている。一方、シン
グルモードは大容量・高伝送速度であり、導波路設計の
しやすさもあることなどから幹線に使用されている。近
年加入者の近くまでファイバが引かれるFTTH(Fibe
r To The Home)等が提唱されシングルとマルチが混在
した形態が見られる様になってきた。そのためシングル
・マルチ両者に対応した部品あるいは両者のメリットを
生かした部品、光配線板が考えられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the fields of optical communication and optical information processing, single-mode and multi-mode light processing is performed by using an optical fiber and a waveguide in each mode. In the fiber, the multi mode is used for LAN or factory wiring which is closed because of its large core diameter. On the other hand, the single mode has a large capacity and a high transmission rate, and is easily used for designing a waveguide. Recently, FTTH (Fibe
r To The Home) has been proposed and single and multi-mixed forms have come to be seen. For this reason, a component that can be used for both single and multi, a component that takes advantage of both, and an optical wiring board can be considered.

【0003】導波路では屈折率差やコア径が違うことも
あり、シングル・マルチコアを同時に作製することは困
難でまた使用場所が異なっていたため混在した形で使わ
れることはほとんどなかった。また石英系などガラス導
波路においては、コア径を厚く、または異なるコア径、
屈折率の導波路は作製することが難しく、また一般に工
程が多く高価であるために安価な光導波路、光集積回路
または光配線板等へあまり利用されていない。これに対
し、高分子材料はシングル・マルチ両者とも対応可能で
ある。またスピンコート法やディップ法等による薄膜形
成が容易であり、大面積の光導波路を作製するのに適し
ている。また、成膜に際して高温での熱処理工程を含ま
ないことから、ガラス材料を用いる場合に比べて、半導
体基板やプラスチック基板等、高温での熱処理が困難な
基板上に光導波路を作製できるという利点がある。更
に、高分子の柔軟性や強靱性を活かしたフレキシブルな
光導波路の作製も可能である。従来、高分子光学材料
は、耐熱性又は耐湿性といった耐環境性の点で問題があ
るとされてきたが、近年、ベンゼン環などの芳香族基を
含ませることあるいは無機高分子を用いることで耐熱性
を向上した材料が報告されるに至っている[例えば、特
開平3−43423号公報]。高分子材料は上記のよう
に薄膜形成や熱処理工程などに特徴をもっており、耐熱
性や耐湿性といった問題点も改善されつつある。高分子
導波路の作成方法としては高分子の中にモノマーを含ま
せ、光照射によりモノマーと反応させ非照射部分との屈
折率差を作るフォトロッキングあるいは選択光重合法
(黒川ら、アプライドオプティックス17巻646ペー
ジ、1978年)、リソグラフィやエッチングなど半導
体加工に用いる方法の適用(今村ら、エレクトロニクス
レター、27巻1342ページ、1991年)、感光性
高分子あるいはレジストを用いた方法(トレウェラら、
SPIE1177巻379ページ、1989年)があ
る。この中では最後の方法がもっとも簡易性が高く、生
産性にも優れている。しかし、これまでの感光性高分子
は固体であるため、厚膜にすればするほど、紫外、可視
領域における散乱が多くなり、光透過特性が劣化し、特
に厚膜におけるパターン信頼性が低く、硬化した際の解
像度が悪くなり、作製する導波路の損失にも悪影響を与
える等の欠点を有する。また、透明性に対して材料の吸
収損失等の低減に配慮されていないため導波路損失も高
く、当該材料を用いて作製された光部品等の実用性が不
十分であった。また、偏波依存性を解消するためには、
偏光子等と組み合わせて用いることが必要なため実際に
は光デバイスの構成がかなり複雑になるという欠点があ
った。
In waveguides, the refractive index difference and the core diameter may be different, and it is difficult to manufacture single and multi-cores simultaneously, and since they are used in different places, they are rarely used in a mixed form. Also, in a glass waveguide such as a quartz-based one, the core diameter is thick, or a different core diameter,
A waveguide having a refractive index is difficult to manufacture, and generally has many steps and is expensive, so that it is not often used for inexpensive optical waveguides, optical integrated circuits, optical wiring boards, and the like. On the other hand, the polymer material can support both single and multi. Further, a thin film can be easily formed by a spin coating method, a dip method, or the like, and is suitable for manufacturing a large-area optical waveguide. In addition, since a heat treatment step at a high temperature is not included in film formation, an advantage that an optical waveguide can be manufactured on a substrate that is difficult to heat at a high temperature, such as a semiconductor substrate or a plastic substrate, as compared with a case of using a glass material, is obtained. is there. Further, a flexible optical waveguide utilizing the flexibility and toughness of a polymer can be produced. Conventionally, polymer optical materials have been considered to have a problem in terms of environmental resistance such as heat resistance or moisture resistance, but recently, by including an aromatic group such as a benzene ring or by using an inorganic polymer. Materials with improved heat resistance have been reported [for example, JP-A-3-43423]. As described above, the polymer material has features in the formation of a thin film and a heat treatment step, and problems such as heat resistance and moisture resistance are being improved. As a method for producing a polymer waveguide, a photo-locking method or a selective photopolymerization method in which a monomer is included in a polymer and reacted with the monomer by light irradiation to produce a refractive index difference from a non-irradiated portion (Kurokawa et al., Applied Optics) 17, Vol. 646, 1978), application of methods used in semiconductor processing such as lithography and etching (Imamura et al., Electronics Letter, Vol. 27, p. 1342, 1991), methods using photosensitive polymers or resists (Trewela et al.,
SPIE 1177, p. 379, 1989). Among them, the last method has the highest simplicity and is excellent in productivity. However, since conventional photosensitive polymers are solid, the thicker the film, the greater the scattering in the ultraviolet and visible regions, the light transmission characteristics deteriorate, and especially the pattern reliability in the thick film is low, It has disadvantages such as poor resolution when cured and adversely affecting the loss of the waveguide to be manufactured. In addition, the waveguide loss is high because the reduction of the absorption loss and the like of the material is not considered with respect to the transparency, and the practicality of an optical component or the like manufactured using the material is insufficient. In order to eliminate the polarization dependence,
There is a drawback that the configuration of the optical device is actually considerably complicated because it is necessary to use it in combination with a polarizer or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
現状に鑑みてなされた光導波路カプラパターン形成方法
であり、その目的は、簡易なパターン形成能とまた耐熱
性及び耐湿性に優れ、複屈折が小さく、加工性に優れた
反応性オリゴマーを用いることを特徴とする簡易で生産
性に優れ光部品との接続が容易に行われる高分子光導波
路カプラパターン形成方法を提供することにある。ま
た、高分子材料を用いることにより、コア径を厚く、ま
たは異なるコア径、屈折率の導波路を同じ基板上に作製
するなどの複雑な工程もできるようになる。例えば、同
じ材質の高分子材料を用いた場合にはコア径の異なる導
波路から交差する部分を透過したときに、この部分のコ
ア間の屈折率差がほとんどないと、交差している部分の
両方の導波路に光が通過して行くことから、本発明の導
波路における光の経路を表す概念図である図3および本
発明の光導波路カプラの断面図および平面図を表す図4
に示すように、コア径の小さな導波路からコア径の大き
な導波路への光の合流または分岐が可能となる。また、
屈折率が異なることにより同一基板上に光の閉じこみの
異なる導波路を作製することができ、シングル導波路と
マルチ導波路の混在した導波路を作製することができ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a method for forming an optical waveguide coupler pattern which has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its object is to provide a simple pattern forming ability and excellent heat resistance and moisture resistance. It is an object of the present invention to provide a method for forming a polymer optical waveguide coupler pattern, which is characterized by using a reactive oligomer having low birefringence and excellent in processability, which is simple, has high productivity and is easily connected to an optical component. . In addition, by using a polymer material, a complicated process such as increasing the core diameter or manufacturing waveguides having different core diameters and refractive indexes on the same substrate can be performed. For example, when the same polymer material is used, when light passes through a crossing portion from a waveguide having a different core diameter, if there is almost no difference in the refractive index between the cores in this portion, the crossing portion is Since light passes through both waveguides, FIG. 3 is a conceptual diagram showing a light path in the waveguide of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view and a plan view of the optical waveguide coupler of the present invention.
As shown in (1), light can be combined or branched from a waveguide having a small core diameter to a waveguide having a large core diameter. Also,
Since the refractive indices are different, waveguides having different confinement of light can be manufactured on the same substrate, and a waveguide in which a single waveguide and a multi-waveguide are mixed can be manufactured.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明において特徴とな
る感光性高分子材料が反応性オリゴマーであることの利
点をまとめて記す。
The advantages of the photosensitive polymer material, which is a feature of the present invention, being a reactive oligomer are summarized below.

【0006】1)硬化する前の状態が均一性を高くでき
るので紫外、可視域の光透過特性に優れ、硬化する膜が
厚くなっても十分な解像度を有する。
[0006] 1) Since the state before curing can improve the uniformity, it has excellent light transmission characteristics in the ultraviolet and visible regions, and has a sufficient resolution even when the cured film becomes thick.

【0007】2)硬化する前の状態がオリゴマーである
ため、凹凸を有する部分があっても平坦化が可能でくま
なく浸透するのでさまざまな形状に対応して膜形成が容
易となる。
2) Since the state before curing is an oligomer, even if there is a portion having irregularities, it can be flattened and permeate all over, so that it is easy to form a film corresponding to various shapes.

【0008】3)オリゴマーがランダムに連結され硬化
するため、硬化した際の材料の複屈折性を小さくするこ
とが可能である。
3) Since the oligomers are randomly linked and cured, the birefringence of the cured material can be reduced.

【0009】そこで、目的を達成するため、本発明の第
1の態様は、光導波路カプラの製造方法において、同一
基板上に第1のコア径を有する第1の導波路を作製する
工程と、前記第1のコア径と異なる第2のコア径を有し
て前記第1の導波路と結合する第2の導波路を作製する
工程とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the object, a first aspect of the present invention is a method of manufacturing an optical waveguide coupler, comprising the steps of: forming a first waveguide having a first core diameter on the same substrate; Producing a second waveguide having a second core diameter different from the first core diameter and being coupled to the first waveguide.

【0010】本発明の第2の態様は、光導波路カプラの
製造方法において、同一基板上に第1のコア屈折率を有
する第1の導波路を作製する工程と、前記第1の屈折率
と異なる第2のコア屈折率を有して前記第1の導波路と
結合する第2の導波路を作製する工程とを備えることを
特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in a method of manufacturing an optical waveguide coupler, a step of manufacturing a first waveguide having a first core refractive index on the same substrate; Producing a second waveguide having a different second core refractive index and being coupled to the first waveguide.

【0011】本発明の第3の態様は、光導波路カプラの
製造方法において、同一基板上に第1のコア屈折率と第
1のコア径を有する第1の導波路を作製する工程と、前
記第1の屈折率と異なる第2の屈折率を有するとともに
第1のコア径と異なる第2のコア径を有して第1の導波
路と結合する第2の導波路を作製する工程を備えること
を特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical waveguide coupler, comprising the steps of: forming a first waveguide having a first core refractive index and a first core diameter on the same substrate; Forming a second waveguide having a second refractive index different from the first refractive index and having a second core diameter different from the first core diameter and coupled to the first waveguide; It is characterized by the following.

【0012】本発明の第4の態様は、光導波路カプラの
製造方法において、前記第1の態様または第3の態様の
いずれかにおいて、第1のコア径と第2のコア径は少な
くとも縦方向の径が異なることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical waveguide coupler according to any one of the first and third aspects, wherein the first core diameter and the second core diameter are at least in the longitudinal direction. Are characterized by different diameters.

【0013】本発明の第5の態様は、光導波路カプラの
製造方法の、前記第1の態様において、第1の高分子材
料を第1の膜厚で層状に形成した後、リソグラフィ手段
またはレジストと反応性イオンエッチングを用いる手段
のいずれか一方により第1の導波路のパターンを形成し
て第1のコアを作製する工程と、前記第1のコアが形成
された基板上に第2の高分子材料を前記第1の膜厚と異
なる第2の膜厚で層状に形成した後、リソグラフィ手段
またはレジストと反応性イオンエッチングを用いる手段
のいずれか一方により第2の導波路のパターンを形成し
て第2のコアを作製する工程とを備えることを特徴とす
る。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical waveguide coupler according to the first aspect, wherein the first polymer material is formed into a layer with a first thickness, and then lithographic means or resist is used. Forming a pattern of a first waveguide by one of means using reactive ion etching and a first core, and forming a second core on a substrate on which the first core is formed. After a molecular material is formed in a layer with a second thickness different from the first thickness, a pattern of a second waveguide is formed by one of lithography means and a means using resist and reactive ion etching. And manufacturing a second core.

【0014】本発明の第6の態様は、光導波路カプラの
製造方法の、前記第2の態様において、硬化時の屈折率
がnになる第1の高分子材料を層状に形成し、リソグ
ラフィ手段またはレジストと反応性イオンエッチングを
用いる手段のいずれか一方により第1の導波路のパター
ンを形成して第1のコアを作製する工程と、前記第1の
コアが形成された基板上に、硬化時の屈折率が前記n
と異なるnになる第2の高分子材料を層状に形成した
後に、リソグラフィ手段またはレジストと反応性イオン
エッチングを用いる手段のいずれか一方により第2の導
波路のパターンを形成して第2のコアを作製する工程と
を備えることを特徴とする。
[0014] A sixth aspect of the invention, the method for manufacturing an optical waveguide coupler, in the second embodiment, the first polymeric material having a refractive index upon curing becomes n 1 is formed into a layer, lithography Forming a first core pattern by forming a pattern of a first waveguide by any one of means or a means using resist and reactive ion etching; and forming a first core on the substrate on which the first core is formed. The refractive index at the time of curing is n 1
After forming a second polymer material having a different n 2 from the layer shape, a pattern of the second waveguide is formed by one of lithography means or means using reactive ion etching with resist. And a step of manufacturing a core.

【0015】本発明の第7の態様は、光導波路カプラの
製造方法の、前記第3の態様において、硬化時の屈折率
がnになる第1の高分子材料を第1の膜厚で層状に形
成した後に、リソグラフィ手段またはレジストと反応性
イオンエッチングを用いる手段のいずれか一方により第
1の導波路のパターンを形成して第1のコアを作製し、
前記第1のコアが形成された基板上に、硬化時の屈折率
が前記nと異なるn になる第2の高分子材料を前記
第1の膜厚と異なる第2の膜厚で層状に形成し、リソグ
ラフィ手段またはレジストと反応性イオンエッチングを
用いる手段のいずれか一方により第2の導波路のパター
ンを形成して第2のコアを作製することを特徴とする。
A seventh aspect of the present invention is an optical waveguide coupler.
In the third aspect of the manufacturing method, the refractive index at the time of curing
Is n1The first polymer material to be formed into a layer with a first thickness
After forming, reactive with lithographic means or resist
Either of the means using ion etching
Forming a first waveguide pattern to form a first core,
On the substrate on which the first core is formed, a refractive index at the time of curing
Is the n1N different from 2The second polymer material that becomes
Forming a layer with a second thickness different from the first thickness,
Rough means or reactive ion etching with resist
Patterning the second waveguide by one of the means used
And forming a second core by forming the second core.

【0016】本発明の第8の態様は、光導波路カプラの
製造方法の、前記第5の態様から第7の態様において、
第1の高分子材料および/または第2の高分子材料が透
明で感光性を有することを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an optical waveguide coupler according to the fifth to seventh aspects, wherein
The first polymer material and / or the second polymer material are transparent and photosensitive.

【0017】本発明の第9の態様は、光導波路カプラの
製造方法の、前記第5の態様から第8の態様において、
第1の高分子材料および/または第2の高分子材料が感
光性のポリアミド酸から作製されるか、またはエポキシ
系またはアクリル系またはシリコーン系のオリゴマーも
しくはモノマーから作製されることを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical waveguide coupler according to the fifth to eighth aspects, wherein
The first polymer material and / or the second polymer material are made of a photosensitive polyamic acid or are made of an epoxy-based or acrylic-based or silicone-based oligomer or monomer.

【0018】本発明の第10の態様は、光導波路カプラ
の製造方法において、前記第9の態様において、第1の
高分子材料および/または第2の高分子材料が式(1)
According to a tenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical waveguide coupler, in the ninth aspect, the first polymer material and / or the second polymer material is represented by the formula (1).

【0019】[0019]

【化6】 Embedded image

【0020】(式中、Rはビスアルキルベンゼンまた
はビスパーフルオロアルキルベンゼンの4価基であり、
は、アルキル基、フルオロアルキル基、およびフェ
ニル基からなる群から選択され、Rはアルキレン基、
アルキルフェニレン基、およびパーフルオロフェニレン
基からなる群から選択される)であらわされるポリアミ
ド酸から作製されることを特徴とする。
(Wherein R 1 is a tetravalent group of bisalkylbenzene or bisperfluoroalkylbenzene,
R 3 is selected from the group consisting of an alkyl group, a fluoroalkyl group, and a phenyl group; R 2 is an alkylene group;
(Selected from the group consisting of an alkylphenylene group and a perfluorophenylene group).

【0021】本発明の第11の態様は、光導波路カプラ
の製造方法において、前記第9の態様において、第1の
高分子材料および/または第2の高分子材料が式(2)
According to an eleventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical waveguide coupler, in the ninth aspect, the first polymer material and / or the second polymer material is represented by formula (2).

【0022】[0022]

【化7】 Embedded image

【0023】(式中、R,Rはそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキル基、アルコ
キシ基またはトリフルオロメチル基からなる群から選択
され、X,X,Xはそれぞれ独立にC〜C
アルキレン基、オキシアルキレン基およびアルキレンオ
キシ基からなる群から選択される連結基であり、Yはエ
ポキシ基または
(Wherein R 1 and R 2 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group and a trifluoromethyl group, and X 1 , X 2 and X 3 Is independently a linking group selected from the group consisting of a C 1 -C 3 alkylene group, an oxyalkylene group and an alkyleneoxy group, and Y is an epoxy group or

【0024】[0024]

【化8】 Embedded image

【0025】である)であらわされるエポキシ系オリゴ
マーから作製されることを特徴とする。
Is produced from the epoxy oligomer represented by the formula (1).

【0026】本発明の第12の態様は、光導波路カプラ
の製造方法において、前記第9の態様において、第1の
高分子材料および/または第2の高分子材料が式(3)
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical waveguide coupler, in the ninth aspect, the first polymer material and / or the second polymer material is represented by the formula (3)

【0027】[0027]

【化9】 Embedded image

【0028】(式中、R,Rはそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキル基、アルコ
キシ基またはトリフルオロメチル基からなる群から選択
され、X,X,Xはそれぞれ独立にC〜C
アルキレン基、オキシアルキレン基およびアルキレンオ
キシ基からなる群から選択される連結基であり、Yはア
クリル基あるいはメタクリル基である)であらわされる
アクリル系オリゴマーまたはモノマーから作製されるこ
とを特徴とする。
(Wherein R 1 and R 2 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group and a trifluoromethyl group, and X 1 , X 2 and X 3 alkylene group of C 1 -C 3 are each independently, a linking group selected from the group consisting of oxyalkylene groups and alkylene group, the acrylic oligomer or monomer Y is represented by an acrylic group or a methacrylic group) It is characterized by being manufactured from.

【0029】本発明の第13の態様は、光導波路カプラ
の製造方法において、前記第9の態様において、第1の
高分子材料および/または第2の高分子材料が式(4)
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an optical waveguide coupler, in the ninth aspect, the first polymer material and / or the second polymer material is represented by formula (4).

【0030】[0030]

【化10】 Embedded image

【0031】(式中、Xは水素原子、重水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基を表し、mは1〜
4の整数を表す。x,yは各ユニットの存在割合を示
し、x,yともに0であることはない。R,Rは、
メチル基、エチル基、イソプロピル基を表し、RとR
が相等しくてもよい)であらわされるシリコーン系オ
リゴマーまたはモノマーから作製されることを特徴とす
る。
(Wherein, X represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and m represents 1 to
Represents an integer of 4. x and y indicate the existence ratio of each unit, and neither x nor y is 0. R 1 and R 2 are
Methyl group, ethyl group, isopropyl group, R 1 and R
2 may be the same), or a silicone-based oligomer or monomer represented by the formula:

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】本発明の2以上のコアを有する導
波路からなる光導波路カプラの製造方法において、コア
を作製するには、感光性高分子材料を塗布し、導波路パ
ターンを有するマスク越しにUV光を照射し、リソグラ
フィしてパターンニングを行う方法(本明細書において
はリソグラフィ手段と呼ぶ)と、感光性高分子材料を塗
布し硬化し、その上にシリコン含有レジストを塗布し、
導波路パターンを有するマスク越しにUV光を照射し硬
化し、酸素による反応性イオンエッチングによりパター
ン溝を形成し、シリコン含有レジストを取り除く方法
(本明細書においてはレジストと反応性イオンエッチン
グを用いる手段と呼ぶ)の2種類を組み合わせることが
できる。これにより、同一基板上に異なるコア径または
/および異なる屈折率を有する導波路からなる光導波路
カプラを製造することができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the method of manufacturing an optical waveguide coupler comprising a waveguide having two or more cores according to the present invention, a core is manufactured by applying a photosensitive polymer material and forming a mask having a waveguide pattern. A method of irradiating with UV light, patterning by lithography (referred to as lithography means in this specification), applying and curing a photosensitive polymer material, applying a silicon-containing resist thereon,
A method of irradiating with a UV light through a mask having a waveguide pattern, hardening, forming a pattern groove by reactive ion etching with oxygen, and removing a silicon-containing resist (in this specification, a method using resist and reactive ion etching) ) Can be combined. Thus, it is possible to manufacture an optical waveguide coupler including waveguides having different core diameters and / or different refractive indexes on the same substrate.

【0033】本明細書においてコア径は、塗布される膜
厚に依存する方向を「縦方向」と呼び、マスクのスリッ
ト幅に依存する方向を「横方向」と呼ぶ。
In the present specification, the direction in which the core diameter depends on the film thickness to be applied is referred to as “vertical direction”, and the direction depending on the slit width of the mask is referred to as “lateral direction”.

【0034】本発明の光導波路カプラにおける導波路の
第1のコア径と第2のコア径においては、縦方向および
横方向の両方の径が異なることができるが、少なくとも
縦方向が異なるものである。
In the optical waveguide coupler of the present invention, the first core diameter and the second core diameter of the waveguide can be different both in the vertical direction and the horizontal direction, but at least in the vertical direction. is there.

【0035】コアの縦方向の径が異なる場合、第1のコ
ア径用の第1の高分子材料を塗布する場合の第1層目と
第2のコア径用の第2の高分子材料を塗布する場合の第
2層目の厚さに関しては、先に作製される第1層目を第
2層目よりも薄くする方が、第2層目を塗布する際の凹
凸が少なくなるために好ましいが、これに限定されな
い。
When the diameters of the cores in the longitudinal direction are different, the first polymer layer for applying the first polymer material for the first core diameter and the second polymer material for the second core diameter are used. Regarding the thickness of the second layer in the case of application, it is preferable to make the first layer produced earlier thinner than the second layer, because unevenness when applying the second layer is reduced. Preferred, but not limited to.

【0036】一般に2つのコア径は、一方が1μm〜1
0μmで他方が3μm〜100μmであるのが好まし
い。
Generally, one of the two core diameters is 1 μm to 1 μm.
Preferably, 0 μm and the other is 3 μm to 100 μm.

【0037】本発明を実施例により更に具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。
The present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0038】[0038]

【実施例】(実施例1)以下に示した構造式を有する屈
折率可変の液状のエポキシオリゴマーと光重合開始剤2
wt%を調整した溶液1を準備した。
EXAMPLES Example 1 A liquid epoxy oligomer having a variable refractive index having the following structural formula and a photopolymerization initiator 2
Solution 1 in which wt% was adjusted was prepared.

【0039】[0039]

【化11】 Embedded image

【0040】図1の(a)〜(e)を参照して本発明の
光導波路の作製方法の一例を説明する。
An example of a method for manufacturing an optical waveguide according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0041】まず、(a)に示すように、4インチのS
i基板10に光硬化時の屈折率が波長0.85μmで
1.52となるように溶液1を主成分とする感光性高分
子材料であるエポキシ樹脂をスピンコートによって、目
的の厚みに塗布した。次いで、UV光を照射し、下層ク
ラッド11を作製した後、硬化時の屈折率が波長0.8
5μmで1.535となるように溶液1を主成分とする
コア1層目用の感光性高分子材料12であるエポキシ樹
脂を厚さが6μmとなるように塗布した。
First, as shown in FIG.
An epoxy resin, which is a photosensitive polymer material mainly composed of the solution 1, was applied to the i-substrate 10 to a desired thickness by spin coating so that the refractive index at the time of light curing was 1.52 at a wavelength of 0.85 μm. . Next, after irradiation with UV light to produce the lower cladding 11, the refractive index at the time of curing has a wavelength of 0.8.
An epoxy resin, which is the photosensitive polymer material 12 for the first layer of the core, containing the solution 1 as a main component and having a thickness of 6 μm was applied so that the thickness was 5 μm and 1.535.

【0042】次に、(b)に示すように、導波路パター
ン13aを有するマスク13越しにUV光14を照射し
た。照射量は2000mJ/cmであった。その後、
この試料をイソプロパノール溶液で現像したところ、マ
スクのリッジパターンに従い、光照射部のみ液状のエポ
キシオリゴマーが硬化し、コア16のリッジパターンが
作製できた。
Next, as shown in (b), UV light 14 was irradiated through a mask 13 having a waveguide pattern 13a. The irradiation amount was 2000 mJ / cm 2 . afterwards,
When this sample was developed with an isopropanol solution, the liquid epoxy oligomer was cured only in the light-irradiated portion according to the ridge pattern of the mask, and a ridge pattern of the core 16 could be produced.

【0043】次に、(c)に示すように、前記コア1層
目用と同じ屈折率(波長0.85μmで1.535)を
有するコア2層目用の感光性高分子材料であるエポキシ
樹脂15を厚さが50μmとなるよう塗布した。
Next, as shown in (c), an epoxy which is a photosensitive polymer material for the second core layer having the same refractive index (1.535 at a wavelength of 0.85 μm) as that for the first core layer. Resin 15 was applied to a thickness of 50 μm.

【0044】次に、(d)に示すように、前記リッジパ
ターンと交差するようなパターン17aを有するマスク
17を用い、マスク17越しにUV光14を照射した。
同様にイソプロパノール溶液で現像したところ、マスク
のリッジパターンに従い、光照射部のみ液状のエポキシ
オリゴマーが硬化し、(e)に示すようなコア18のリ
ッジパターンが作製できた(A−A線での断面図を示
す)。
Next, as shown in (d), a mask 17 having a pattern 17a crossing the ridge pattern was used, and UV light 14 was irradiated through the mask 17.
Similarly, when developed with an isopropanol solution, the liquid epoxy oligomer was cured only in the light-irradiated portion according to the ridge pattern of the mask, and a ridge pattern of the core 18 as shown in FIG. A cross-sectional view is shown).

【0045】その後、(f)に示すように、このリッジ
パターンに光硬化時の屈折率が波長0.85μmで1.
52になるように溶液1を主成分とするクラッド用エポ
キシ樹脂を塗布して硬化し、光導波路カプラを作製し
た。
Thereafter, as shown in (f), the ridge pattern has a refractive index of 1.15 at a wavelength of 0.85 μm during photocuring.
An epoxy resin for cladding containing solution 1 as a main component was applied and cured so as to obtain an optical waveguide coupler of 52.

【0046】(実施例2)図2の(a)〜(f)を参照
して本発明の光導波路の製造する方法の一例を説明す
る。
(Embodiment 2) An example of a method for manufacturing an optical waveguide of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0047】まず、(a)に示すように、4インチのS
i基板20に光硬化時の屈折率が波長0.85μmで
1.52になるように溶液1を主成分とする感光性高分
子材料であるエポキシ樹脂をスピンコートによって、目
的の厚みに塗布した。次いで、UV光を照射し、下層ク
ラッド21を作製した。さらにその上に硬化時の屈折率
が波長0.85μmで1.535になるように溶液1を
主成分とするコア1層目用のエポキシ樹脂を厚さが6μ
mとなるように塗布した後、UV光を照射して硬化させ
た樹脂膜22にシリコン含有レジスト23を塗布し、導
波路パターン25aを有するマスク25越しにUV光2
4を照射した。
First, as shown in FIG.
An epoxy resin, which is a photosensitive polymer material containing Solution 1 as a main component, was applied to an i-substrate 20 by spin coating so that the refractive index at the time of photocuring was 1.52 at a wavelength of 0.85 μm. . Next, the lower clad 21 was produced by irradiation with UV light. Furthermore, an epoxy resin for the first layer of the core having the solution 1 as a main component has a thickness of 6 μm so that the refractive index upon curing becomes 1.535 at a wavelength of 0.85 μm.
m, and a silicon-containing resist 23 is applied to the resin film 22 cured by irradiating UV light, and the UV light 2 is applied through a mask 25 having a waveguide pattern 25a.
4 were irradiated.

【0048】次に、(b)に示すように、この試料を主
原料テトラメチルアンモニウムの現像液で現像したとこ
ろ、マスクのリッジパターンに従い、未照射部のみシリ
コン含有レジストが残像できた。これを(c)に示すよ
うに、酸素による反応性イオンエッチング26によりパ
ターン溝を形成し、シリコン含有レジストのリッジパタ
ーン面に従い、エポキシオリゴマー樹脂のリッジパター
ンが作製できた。
Next, as shown in (b), when this sample was developed with a developing solution of the main material tetramethylammonium, a residual image of the silicon-containing resist could be left only in the non-irradiated portion according to the ridge pattern of the mask. As shown in (c), a pattern groove was formed by reactive ion etching 26 using oxygen, and a ridge pattern of an epoxy oligomer resin was formed according to the ridge pattern surface of the silicon-containing resist.

【0049】次に、(d)に示すように、シリコン含有
レジストを除去した後、前記コア1層目用と同じ屈折率
(波長0.85μmで1.535)を有するコア2層目
用の感光性高分子材料であるエポキシ樹脂27を厚さが
50μmとなるよう塗布した。
Next, as shown in (d), after removing the silicon-containing resist, a second core layer having the same refractive index (1.535 at a wavelength of 0.85 μm) as the first core layer is used. Epoxy resin 27, which is a photosensitive polymer material, was applied to a thickness of 50 μm.

【0050】次に、(e)に示すように、前記リッジパ
ターンと交差するような導波路パターン28aを有する
マスク28越しにUV光24を照射した。照射量は20
00mJ/cmであった。
Next, as shown in (e), UV light 24 was irradiated through a mask 28 having a waveguide pattern 28a crossing the ridge pattern. The irradiation dose is 20
It was 00 mJ / cm 2 .

【0051】その後、(f)に示すように、この試料を
イソプロパノール溶液で現像したところ、マスクのリッ
ジパターンに従い、光照射部のみ液状のエポキシオリゴ
マーが硬化し、コア29のリッジパターンが作製でき
た。次に、このリッジパターンに光硬化時の屈折率が波
長0.85μmで1.52になるように溶液1を主成分
とするクラッド用エポキシ樹脂30を塗布して硬化し、
光導波路カプラを作製した。
Thereafter, as shown in (f), when this sample was developed with an isopropanol solution, the liquid epoxy oligomer was hardened only in the light-irradiated portion according to the ridge pattern of the mask, and a ridge pattern of the core 29 was produced. . Next, the cladding epoxy resin 30 containing the solution 1 as a main component is applied and cured on the ridge pattern so that the refractive index at the time of light curing becomes 1.52 at a wavelength of 0.85 μm.
An optical waveguide coupler was manufactured.

【0052】(実施例3)実施例1と同様な方法によ
り、4インチのSi基板に光硬化時の屈折率が波長0.
85μmで1.52になるように溶液1から調製された
エポキシ樹脂をスピンコートによって、塗布し目的の厚
みにし、UV光を照射し、下層クラッドを作製した。次
に硬化時の屈折率が波長0.85μmで1.535にな
るように溶液1を主成分とするコア1層目用のエポキシ
樹脂を塗布して、導波路パターンを有するマスク越しに
UV光を照射した。照射量は2000mJ/cmであ
った。その後、この試料をイソプロパノール溶液で現像
したところ、マスクのリッジパターンに従い、光照射部
のみ液状のエポキシオリゴマーが硬化し、コアのリッジ
パターンが作製できた。
(Example 3) By a method similar to that of Example 1, a 4-inch Si substrate having a refractive index at the time of photocuring at a wavelength of 0.1 was used.
An epoxy resin prepared from Solution 1 so as to have a thickness of 85 μm and 1.52 was applied by spin coating to a desired thickness, and was irradiated with UV light to produce a lower clad. Next, an epoxy resin for the first layer of the core containing solution 1 as a main component is applied so that the refractive index at the time of curing becomes 1.535 at a wavelength of 0.85 μm, and UV light is applied through a mask having a waveguide pattern. Was irradiated. The irradiation amount was 2000 mJ / cm 2 . Thereafter, when this sample was developed with an isopropanol solution, the liquid epoxy oligomer was cured only in the light-irradiated portion according to the ridge pattern of the mask, and a ridge pattern of the core could be produced.

【0053】次に溶液1から調製された前記コア1層目
用と同じ屈折率(波長0.85μmで1.535)を有
するコア2層目用のエポキシ樹脂を塗布しUV光を照射
し、さらにシリコン含有レジストを塗布し、前記リッジ
パターンと交差するようなパターンを有するマスクを用
い、マスク越しにUV光を照射した。その後、この試料
を主原料テトラメチルアンモニウムの現像液で現像した
ところ、マスクのリッジパターンに従い、未照射部のみ
シリコン含有レジストが残像できた。これを酸素による
反応性イオンエッチングによりパターン溝を形成し、シ
リコン含有レジストのリッジパターン面に従い、エポキ
シオリゴマー樹脂のリッジパターンが作製できた。
Next, an epoxy resin for the second core layer having the same refractive index (1.535 at a wavelength of 0.85 μm) as that for the first core layer prepared from the solution 1 is applied and irradiated with UV light. Further, a silicon-containing resist was applied, and a mask having a pattern crossing the ridge pattern was used, and UV light was irradiated through the mask. Thereafter, when this sample was developed with a developing solution of tetramethylammonium as a main material, a residual image of a silicon-containing resist could be left only in an unirradiated portion according to a ridge pattern of a mask. A pattern groove was formed by reactive ion etching using oxygen, and a ridge pattern of an epoxy oligomer resin was formed according to the ridge pattern surface of the silicon-containing resist.

【0054】次に、シリコン含有レジストを取り除き、
このリッジパターンに光硬化時の屈折率が波長0.85
μmで1.52になるように溶液1を主成分とするエポ
キシ樹脂を塗布して硬化し、光導波路カプラを作製し
た。
Next, the silicon-containing resist is removed,
This ridge pattern has a refractive index of 0.85 at the time of photocuring.
An epoxy resin containing Solution 1 as a main component was applied so as to have a thickness of 1.52 μm, and cured, thereby producing an optical waveguide coupler.

【0055】つまり、実施例2の工程を変更して、エポ
キシ樹脂を塗布し、導波路パターンを有するマスク越し
にUV光を照射し、リソグラフィしてパターンニングを
行う方法でコア1層目を作製し、次にエポキシ樹脂を塗
布し硬化し、その上にシリコン含有レジストを塗布し、
導波路パターンを有するマスク越しにUV光を照射し残
像し、反応性イオンエッチングによりパターン溝を形成
し、シリコン含有レジストを取り除く方法でコア2層目
を作製し、光導波路カプラを作製した。
That is, by modifying the process of the second embodiment, the first core layer is formed by applying an epoxy resin, irradiating UV light through a mask having a waveguide pattern, and performing lithography and patterning. Then, apply epoxy resin and cure, apply a silicon-containing resist on it,
An afterimage was irradiated by irradiating UV light through a mask having a waveguide pattern, a pattern groove was formed by reactive ion etching, and a second core layer was formed by a method of removing a silicon-containing resist, thereby manufacturing an optical waveguide coupler.

【0056】図2のコア1層目とコア2層目の工程の順
番を逆にするだけであるので図は省略する。
Since the order of the steps of the first core layer and the second core layer in FIG. 2 is simply reversed, the drawing is omitted.

【0057】(実施例4)実施例1と同様な方法によ
り、4インチのSi基板に光硬化時の屈折率が波長0.
85μmで1.52になるように溶液1から調製された
エポキシ樹脂をスピンコートによって、塗布し目的の厚
みにし、UV光を照射し、下層クラッドを作製した。次
に硬化時の屈折率が波長0.85μmで1.535にな
るように溶液1を主成分とするコア1層目用のエポキシ
樹脂を塗布しUV光を照射し、さらにシリコン含有レジ
ストを塗布し、導波路パターンを有するマスク越しにU
V光を照射した。その後、この試料を主原料テトラメチ
ルアンモニウムの現像液で現像したところ、マスクのリ
ッジパターンに従い、未照射部のみシリコン含有レジス
トが残像できた。これを酸素の反応性イオンエッチング
によりパターン溝を形成し、シリコン含有レジストのリ
ッジパターン面に従い、エポキシオリゴマー樹脂のリッ
ジパターンが作製できた。
(Example 4) In the same manner as in Example 1, a 4-inch Si substrate had a refractive index at the time of photocuring at a wavelength of 0.3.
An epoxy resin prepared from Solution 1 so as to have a thickness of 85 μm and 1.52 was applied by spin coating to a desired thickness, and was irradiated with UV light to produce a lower clad. Next, an epoxy resin for the first layer of the core containing solution 1 as a main component is applied so that the refractive index at the time of curing becomes 1.535 at a wavelength of 0.85 μm, irradiated with UV light, and further coated with a silicon-containing resist. U through a mask having a waveguide pattern
V light was applied. Thereafter, when this sample was developed with a developing solution of tetramethylammonium as a main material, a residual image of a silicon-containing resist could be left only in an unirradiated portion according to a ridge pattern of a mask. A pattern groove was formed by reactive ion etching of oxygen, and a ridge pattern of an epoxy oligomer resin was formed according to the ridge pattern surface of the silicon-containing resist.

【0058】次にシリコン含有レジストを取り除き、溶
液1から調製された前記コア1層目用と同じ屈折率(波
長0.85μmで1.535)を有するコア2層目用の
エポキシ樹脂を塗布しUV光を照射し、さらにシリコン
含有レジストを塗布し、導波路パターンを有するマスク
越しにUV光を照射した。その後、この試料を主原料テ
トラメチルアンモニウムの現像液で現像したところ、マ
スクのリッジパターンに従い、未照射部のみ液状のシリ
コン含有レジストが残像できた。これを酸素による反応
性イオンエッチングによりパターン溝を形成し、シリコ
ン含有レジストのリッジパターン面に従い、エポキシオ
リゴマー樹脂のリッジパターンが作製できた。
Next, the silicon-containing resist was removed, and an epoxy resin for the second core having the same refractive index (1.535 at a wavelength of 0.85 μm) as that for the first core prepared from Solution 1 was applied. UV light was applied, a silicon-containing resist was applied, and UV light was applied through a mask having a waveguide pattern. Thereafter, when this sample was developed with a developing solution of tetramethylammonium as a main raw material, a liquid silicon-containing resist was left only in an unirradiated portion according to the ridge pattern of the mask. A pattern groove was formed by reactive ion etching using oxygen, and a ridge pattern of an epoxy oligomer resin was formed according to the ridge pattern surface of the silicon-containing resist.

【0059】次に、シリコン含有レジストを取り除き、
このリッジパターンに光硬化時の屈折率が波長0.85
μmで1.52になるように溶液1を主成分とするエポ
キシ樹脂を塗布して硬化し、光導波路カプラを作製し
た。
Next, the silicon-containing resist is removed,
This ridge pattern has a refractive index of 0.85 at the time of photocuring.
An epoxy resin containing Solution 1 as a main component was applied so as to have a thickness of 1.52 μm, and cured, thereby producing an optical waveguide coupler.

【0060】つまり、実施例2の工程を変更して、エポ
キシ樹脂を塗布し硬化し、その上にシリコン含有レジス
トを塗布し、導波路パターンを有するマスク越しにUV
光を照射し硬化し、酸素による反応性イオンエッチング
によりパターン溝を形成し、シリコン含有レジストを取
り除く方法でコア1層目を作製し、続いて同様な方法で
コア2層目を作製し、光導波路カプラを作製した。図2
のコア1層目の工程をコア2層目にも適応し、同じ方法
を繰返すので図は省略する。
That is, the process of the second embodiment is changed to apply and cure an epoxy resin, apply a silicon-containing resist thereon, and apply UV through a mask having a waveguide pattern.
After curing by irradiation with light, a pattern groove is formed by reactive ion etching with oxygen, the first layer of the core is formed by removing the silicon-containing resist, and then the second layer of the core is formed by the same method. A waveguide coupler was manufactured. FIG.
The process of the first core layer is applied to the second core layer, and the same method is repeated.

【0061】(実施例5)硬化時の屈折率が波長0.8
5μmで1.525となるように溶液1を主成分とする
エポキシ樹脂をコア1層目として用いた以外は実施例1
と同様な方法により、コアの比屈折率差の異なる光導波
路カプラを作製した。
(Example 5) The refractive index at the time of curing has a wavelength of 0.8.
Example 1 except that an epoxy resin containing Solution 1 as a main component was used as the first layer of the core so that 1.525 at 5 μm.
By the same method as described above, optical waveguide couplers having different relative refractive index differences of the cores were manufactured.

【0062】(実施例6)硬化時の屈折率が波長0.8
5μmで1.525となるように溶液1を主成分とする
エポキシ樹脂をコア1層目として用いた以外は実施例2
と同様な方法により、コアの比屈折率差の異なる光導波
路カプラを作製した。
(Example 6) The refractive index at the time of curing was 0.8 wavelength.
Example 2 except that an epoxy resin containing Solution 1 as a main component was used as the first layer of the core so that 1.525 at 5 μm.
By the same method as described above, optical waveguide couplers having different relative refractive index differences of the cores were manufactured.

【0063】(実施例7)硬化時の屈折率が波長0.8
5μmで1.525となるように溶液1を主成分とする
エポキシ樹脂をコア1層目として用いた以外は実施例3
と同様な方法により、コアの比屈折率差の異なる光導波
路カプラを作製した。
(Example 7) The refractive index at the time of curing has a wavelength of 0.8.
Example 3 except that an epoxy resin containing Solution 1 as a main component was used as the first layer of the core so that the thickness became 1.525 at 5 μm.
By the same method as described above, optical waveguide couplers having different relative refractive index differences of the cores were manufactured.

【0064】(実施例8)硬化時の屈折率が波長0.8
5μmで1.525となるように溶液1を主成分とする
エポキシ樹脂をコア1層目として用いた以外は実施例4
と同様な方法により、コアの比屈折率差の異なる光導波
路カプラを作製した。
(Embodiment 8) The refractive index at the time of curing has a wavelength of 0.8.
Example 4 except that an epoxy resin containing Solution 1 as a main component was used as the first layer of the core so as to obtain 1.525 at 5 μm.
By the same method as described above, optical waveguide couplers having different relative refractive index differences of the cores were manufactured.

【0065】以下の表は、上記実施例に用いた2層のコ
ア作製工程を行うパターニング方法および屈折率につい
てまとめたものである。
The following table summarizes the patterning method and the refractive index for performing the two-layer core manufacturing process used in the above examples.

【0066】[0066]

【表1】 [Table 1]

【0067】[0067]

【表2】 [Table 2]

【0068】実施例5〜8のようにコアの屈折率を取る
ことにより、コア1をよりシングルモード条件に近づけ
ることができ、コア2をマルチモードのように扱うこと
ができるようになるのでシングルモードとマルチモード
の混在する導波路が作製することができる。
By taking the refractive index of the core as in Examples 5 to 8, the core 1 can be brought closer to the single mode condition, and the core 2 can be handled like a multimode. A waveguide in which mode and multi-mode are mixed can be manufactured.

【0069】(実施例9)実施例1と同様な方法によ
り、以下の構造式で表される液状シリコーンエポキシオ
リゴマーと光重合開始剤2wt%を調整した溶液を用
い、光導波路カプラを作製した。
Example 9 An optical waveguide coupler was produced in the same manner as in Example 1, using a solution prepared by adjusting a liquid silicone epoxy oligomer represented by the following structural formula and 2 wt% of a photopolymerization initiator.

【0070】この光導波路カプラをダイシングソーによ
って5cmの長さに切り出し、挿入損失を測定したとこ
ろ、1.3μmで1.5dB以下、波長1.55μmで
3.0dB以下であった。また、挿入損失の偏波依存性
は波長1.3μmでも波長1.55μmでも0.1dB
以下であった。更に、この光導波路カプラの損失は75
℃/90%RHの条件下においても1箇月以上変動しな
かった。
The optical waveguide coupler was cut into a length of 5 cm by a dicing saw, and the insertion loss was measured. The loss was 1.5 dB or less at 1.3 μm and 3.0 dB or less at a wavelength of 1.55 μm. The polarization dependence of the insertion loss is 0.1 dB at both 1.3 μm and 1.55 μm.
It was below. Further, the loss of this optical waveguide coupler is 75
It did not fluctuate for more than one month under the conditions of ° C / 90% RH.

【0071】[0071]

【化12】 Embedded image

【0072】(実施例10)実施例1と同様な方法によ
り、下記構造式で表される液状シリコーンオリゴマーと
光重合開始剤2wt%を調整した溶液を用い、光導波路
カプラを作製した。この光導波路カプラをダイシングソ
ーによって5cmの長さに切り出し、挿入損失を測定し
たところ、1.3μmで1.5dB以下、波長1.55
μmで3.0dB以下であった。また、挿入損失の偏波
依存性は波長1.3μmでも波長1.55μmでも0.
1dB以下であった。更に、この光導波路カプラの損失
は75℃/90%RHの条件下においても1箇月以上変
動しなかった。
Example 10 An optical waveguide coupler was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a solution prepared by adjusting a liquid silicone oligomer represented by the following structural formula and a photopolymerization initiator at 2 wt% was used. This optical waveguide coupler was cut out to a length of 5 cm by a dicing saw, and the insertion loss was measured.
It was 3.0 dB or less in μm. In addition, the polarization dependence of the insertion loss is equal to 0.3 at both 1.3 μm and 1.55 μm.
It was 1 dB or less. Further, the loss of this optical waveguide coupler did not fluctuate for more than one month even under the condition of 75 ° C./90% RH.

【0073】[0073]

【化13】 Embedded image

【0074】(実施例11)実施例1と同様な方法によ
り、下記構造式で表される液状シリコーンビニルエーテ
ルオリゴマーと光重合開始剤2wt%を調整した溶液を
用い、実施例1と同様な方法により光導波路カプラを作
製した。この光導波路カプラをダイシングソーによって
5cmの長さに切り出し、挿入損失を測定したところ、
波長0.85μmで1.0dB以下、1.3μmで0.
5dB以下、波長1.55μmで1.0dB以下であっ
た。また、挿入損失の偏波依存性は0.1dB以下であ
った。更に、この光導波路カプラの損失は75℃/90
%RHの条件下においても1箇月以上変動しなかった。
(Example 11) In the same manner as in Example 1, a solution prepared by adjusting a liquid silicone vinyl ether oligomer represented by the following structural formula and 2 wt% of a photopolymerization initiator was used. An optical waveguide coupler was manufactured. This optical waveguide coupler was cut out to a length of 5 cm with a dicing saw, and the insertion loss was measured.
1.0 dB or less at a wavelength of 0.85 μm and 0.3 at 1.3 μm.
It was 5 dB or less and 1.0 dB or less at a wavelength of 1.55 μm. The polarization dependence of the insertion loss was 0.1 dB or less. Further, the loss of this optical waveguide coupler is 75 ° C./90.
It did not fluctuate for more than one month even under the condition of% RH.

【0075】[0075]

【化14】 Embedded image

【0076】(実施例12)以下に示した構造式を有す
る液状のアクリルオリゴマーと光重合開始剤2wt%を
調整した溶液を準備した。
(Example 12) A solution prepared by adjusting a liquid acrylic oligomer having the following structural formula and 2 wt% of a photopolymerization initiator was prepared.

【0077】[0077]

【化15】 Embedded image

【0078】次に、実施例1から8と同様な方法により
光導波路カプラを作製した。
Next, an optical waveguide coupler was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 8.

【0079】なお、実施例1から8の液状エポキシオリ
ゴマーの代わりに、本発明の液状アクリルオリゴマーを
用いても実施例9から11と同等の性能を有する部品が
作製できた。
It should be noted that even if the liquid acrylic oligomer of the present invention was used instead of the liquid epoxy oligomer of Examples 1 to 8, parts having the same performance as those of Examples 9 to 11 could be produced.

【0080】(実施例13)以下に示した構造式を有す
るポリアミド酸と光重合開始剤2wt%を調整した溶液
を準備した。
Example 13 A solution was prepared in which a polyamic acid having the structural formula shown below and 2 wt% of a photopolymerization initiator were prepared.

【0081】[0081]

【化16】 Embedded image

【0082】次に、実施例1から8と同様な方法により
光導波路カプラを作製した。
Next, an optical waveguide coupler was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 8.

【0083】なお、実施例1から8の液状エポキシオリ
ゴマーの代わりに、本発明のポリアミド酸を用いても実
施例9から12と同等の性能を有する部品が作製でき
た。
In addition, even when the polyamic acid of the present invention was used in place of the liquid epoxy oligomer of Examples 1 to 8, parts having the same performance as those of Examples 9 to 12 could be produced.

【0084】以上の実施例のように本発明は、コア作製
工程において感光性高分子材料を塗布し、導波路パター
ンを有するマスク越しにUV光を照射し、リソグラフィ
してパターンニングを行う方法とエポキシ樹脂を塗布し
硬化し、その上にシリコン含有レジストを塗布し、導波
路パターンを有するマスク越しにUV光を照射し硬化
し、酸素による反応性イオンエッチングによりパターン
溝を形成し、シリコン含有レジストを取り除く方法の2
種類を組み合わせることによって、同一基板にコア径も
しくは屈折率の異なる導波路からなる光導波路を製造す
ることができる。
As described in the above embodiments, the present invention relates to a method of patterning by applying a photosensitive polymer material in a core forming step, irradiating UV light through a mask having a waveguide pattern, and performing lithography. Apply and cure an epoxy resin, apply a silicon-containing resist on it, irradiate it with UV light through a mask having a waveguide pattern, cure it, and form a pattern groove by reactive ion etching with oxygen. 2 of the way to get rid of
By combining the types, an optical waveguide composed of waveguides having different core diameters or different refractive indexes can be manufactured on the same substrate.

【0085】コアを3層目、4層目と作製すると、作製
工程が多くなるためパターン精度の低下やリソグラフィ
等によるパターンの劣化があるが、パターンを作製する
ことは確認された。
When the core is formed as the third layer and the fourth layer, the number of manufacturing steps is increased, so that the pattern accuracy is lowered and the pattern is deteriorated by lithography or the like. However, it was confirmed that the pattern was formed.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下のような効果を有する。 (1)簡易なパターン形成能とまた耐熱性及び耐湿性に
優れ、複屈折が小さく、加工性に優れた反応性オリゴマ
ーを用いることを特徴とする簡易で生産性に優れ光部品
との接続が容易に行われる高分子光導波路カプラを作製
できる。 (2)また、コア径を厚く、または異なるコア径、屈折
率の導波路を同じ基板上に作製することができる。これ
により、シングル導波路とマルチ導波路の混在した導波
路を作製することができる。
As described above, the present invention has the following effects. (1) Simple and highly productive, characterized by using a reactive oligomer having a simple pattern-forming ability, excellent heat resistance and moisture resistance, low birefringence, and excellent workability, and excellent connection with optical components. A polymer optical waveguide coupler that can be easily manufactured can be manufactured. (2) In addition, a waveguide having a large core diameter or different core diameters and refractive indexes can be manufactured on the same substrate. Thus, a waveguide in which a single waveguide and a multi-waveguide are mixed can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(f)は、本発明の光導波路カプラの
1実施例を作製する場合の各工程を示す模式図である。
1 (a) to 1 (f) are schematic views showing respective steps in producing an embodiment of an optical waveguide coupler of the present invention.

【図2】(a)〜(f)は、本発明の光導波路カプラの
1実施例を作製する場合の各工程を示す模式図である。
FIGS. 2A to 2F are schematic views showing each step in the case of manufacturing an embodiment of the optical waveguide coupler of the present invention.

【図3】本発明の導波路における光の経路を表す概念図
である。
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a light path in a waveguide according to the present invention.

【図4】本発明の光導波路カプラの断面図および平面図
である。
FIG. 4 is a sectional view and a plan view of the optical waveguide coupler of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 11 クラッド 12 感光性材料 13 マスク 14 UV光 15 感光性材料 16 コア 17 マスク 18 コア 19 クラッド 20 基板 21 クラッド 22 UV硬化されたコア用樹脂膜 23 レジスト 24 UV光 25 マスク 26 反応性イオンエッチング 27 感光性材料 28 マスク 29 コア 30 クラッド Reference Signs List 10 substrate 11 clad 12 photosensitive material 13 mask 14 UV light 15 photosensitive material 16 core 17 mask 18 core 19 clad 20 substrate 21 clad 22 UV-cured resin film for core 23 resist 24 UV light 25 mask 26 reactive ion etching 27 Photosensitive material 28 Mask 29 Core 30 Clad

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 6/12 G02B 6/12 N (72)発明者 今村 三郎 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 都丸 暁 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 疋田 真 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 橋本 和子 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 山内 篤 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 佐久間 綾子 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 道口 将之 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 冨吉 千恵 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA04 LA12 PA01 PA21 PA24 PA28 QA05 TA21 TA43 4J035 BA04 CA01U CA04U CA041 LB20 4J036 AC01 AC09 AC11 AD01 HA02 JA08 KA01 4J043 PA02 PC075 QB31 QB61 RA05 ZB21 4J100 AL66P BA02P BC43P CA01 CA03 JA46 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02B 6/12 G02B 6/12 N (72) Inventor Saburo Imamura 2-1-1 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo No.NTT Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Akira Tomaru 2-1-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Inventor Makoto Hikita Within NTT Advanced Technology Co., Ltd. 2-1-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo (72) Inventor Kazuko Hashimoto 2-1-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo・ TTI Advance Technology Co., Ltd. (72) Inventor Atsushi Yamauchi 2-1-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo NTT Inside Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Ayako Sakuma 2-1-1 Nishi Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo NTT Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Masayuki Doguchi Shinjuku-ku, Tokyo (1-1) Nishi Shinjuku 2-1-1 NTT Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Chie Tomiyoshi 2-1-1 Nishi Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo NTT Advanced Technology Co., Ltd. F term in the formula company (reference) 2H047 KA04 LA12 PA01 PA21 PA24 PA28 QA05 TA21 TA43 4J035 BA04 CA01U CA04U CA041 LB20 4J036 AC01 AC09 AC11 AD01 HA02 JA08 KA01 4J043 PA02 PC075 QB31 QB61 RA05 ZB21 4J100 CA66P

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一基板上に第1のコア径を有する第1
の導波路を作製する工程と、前記第1のコア径と異なる
第2のコア径を有して前記第1の導波路と結合する第2
の導波路を作製する工程とを備えることを特徴とする光
導波路カプラの製造方法。
A first core having a first core diameter on the same substrate;
Forming a second waveguide having a second core diameter different from the first core diameter and coupling with the first waveguide.
And a step of manufacturing the optical waveguide.
【請求項2】 同一基板上に第1のコア屈折率を有する
第1の導波路を作製する工程と、前記第1の屈折率と異
なる第2のコア屈折率を有して前記第1の導波路と結合
する第2の導波路を作製する工程とを備えることを特徴
とする光導波路カプラの製造方法。
2. A step of manufacturing a first waveguide having a first core refractive index on the same substrate; and forming the first waveguide having a second core refractive index different from the first refractive index. Producing a second waveguide to be coupled with the waveguide.
【請求項3】 同一基板上に第1のコア屈折率と第1の
コア径を有する第1の導波路を作製する工程と、前記第
1の屈折率と異なる第2の屈折率を有するとともに第1
のコア径と異なる第2のコア径を有して第1の導波路と
結合する第2の導波路を作製する工程を備えることを特
徴とする光導波路カプラの製造方法。
3. A step of manufacturing a first waveguide having a first core refractive index and a first core diameter on the same substrate, wherein the first waveguide has a second refractive index different from the first refractive index. First
A method of manufacturing a second waveguide having a second core diameter different from that of the first waveguide and coupling to the first waveguide.
【請求項4】 第1のコア径と第2のコア径は少なくと
も縦方向の径が異なることを特徴とする請求項1または
請求項3に記載の光導波路カプラの製造方法。
4. The method of manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 1, wherein the first core diameter and the second core diameter are different at least in a vertical direction.
【請求項5】 第1の高分子材料を第1の膜厚で層状に
形成した後、リソグラフィ手段またはレジストと反応性
イオンエッチングを用いる手段のいずれか一方により第
1の導波路のパターンを形成して第1のコアを作製する
工程と、前記第1のコアが形成された基板上に第2の高
分子材料を前記第1の膜厚と異なる第2の膜厚で層状に
形成した後、リソグラフィ手段またはレジストと反応性
イオンエッチングを用いる手段のいずれか一方により第
2の導波路のパターンを形成して第2のコアを作製する
工程とを備えることを特徴とする請求項1に記載の光導
波路カプラの製造方法。
5. After forming a first polymer material in a layer with a first thickness, a pattern of a first waveguide is formed by one of lithography means and a means using resist and reactive ion etching. Forming a first core by forming a second polymer material on the substrate on which the first core is formed in a second film thickness different from the first film thickness. Forming a second core pattern by forming a pattern of a second waveguide by one of lithography means and a means using a resist and reactive ion etching. The manufacturing method of the optical waveguide coupler of the above.
【請求項6】 硬化時の屈折率がnになる第1の高分
子材料を層状に形成し、リソグラフィ手段またはレジス
トと反応性イオンエッチングを用いる手段のいずれか一
方により第1の導波路のパターンを形成して第1のコア
を作製する工程と、前記第1のコアが形成された基板上
に、硬化時の屈折率が前記nと異なるnになる第2
の高分子材料を層状に形成した後に、リソグラフィ手段
またはレジストと反応性イオンエッチングを用いる手段
のいずれか一方により第2の導波路のパターンを形成し
て第2のコアを作製する工程とを備えることを特徴とす
る請求項2に記載の光導波路カプラの製造方法。
6. A refractive index upon curing is first made to n 1 polymer material is formed into a layer, the first waveguide by either means of using a reactive ion etching lithography unit or resist a step of preparing a first core to form a pattern, the first core is formed onto a substrate that, the refractive index upon curing becomes the n 1 is different from n 2 2
Forming a second core pattern by forming either one of lithography means or means using resist and reactive ion etching after forming the polymer material in a layered form. 3. The method of manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 2, wherein:
【請求項7】 硬化時の屈折率がnになる第1の高分
子材料を第1の膜厚で層状に形成した後に、リソグラフ
ィ手段またはレジストと反応性イオンエッチングを用い
る手段のいずれか一方により第1の導波路のパターンを
形成して第1のコアを作製する工程と、前記第1のコア
が形成された基板上に、硬化時の屈折率が前記nと異
なるnになる第2の高分子材料を前記第1の膜厚と異
なる第2の膜厚で層状に形成し、リソグラフィ手段また
はレジストと反応性イオンエッチングを用いる手段のい
ずれか一方により第2の導波路のパターンを形成して第
2のコアを作製する工程とを備えることを特徴とする請
求項3に記載の光導波路カプラの製造方法。
After 7. refractive index upon curing to form a layer of the first polymeric material to become n 1 in the first film thickness, whereas any means using reactive ion etching and lithography unit or resist a step of forming a pattern of the first waveguide to produce a first core arrangement, the first core formed on the substrate, the refractive index upon curing becomes the n 1 is different from n 2 A second polymer material is formed in a layer with a second film thickness different from the first film thickness, and the pattern of the second waveguide is formed by either lithography means or means using resist and reactive ion etching. Forming a second core by forming the second core. 4. The method of manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 3, further comprising:
【請求項8】 第1の高分子材料および/または第2の
高分子材料が透明で感光性を有することを特徴とする請
求項5から請求項7のいずれか一項に記載の光導波路カ
プラの製造方法。
8. The optical waveguide coupler according to claim 5, wherein the first polymer material and / or the second polymer material are transparent and have photosensitivity. Manufacturing method.
【請求項9】 第1の高分子材料および/または第2の
高分子材料が感光性のポリアミド酸から作製されるか、
またはエポキシ系またはアクリル系またはシリコーン系
のオリゴマーもしくはモノマーから作製されることを特
徴とする請求項5から請求項8のいずれか一項に記載の
光導波路カプラの製造方法。
9. The method according to claim 1, wherein the first polymer material and / or the second polymer material is made from a photosensitive polyamic acid;
The method of manufacturing an optical waveguide coupler according to any one of claims 5 to 8, wherein the optical waveguide coupler is manufactured from an epoxy-based, acrylic-based, or silicone-based oligomer or monomer.
【請求項10】 第1の高分子材料および/または第2
の高分子材料が式(1) 【化1】 (式中、Rはビスアルキルベンゼンまたはビスパーフ
ルオロアルキルベンゼンの4価基であり、Rは、アル
キル基、フルオロアルキル基、およびフェニル基からな
る群から選択され、Rはアルキレン基、アルキルフェ
ニレン基、およびパーフルオロフェニレン基からなる群
から選択される)であらわされるポリアミド酸から作製
されることを特徴とする請求項9に記載の光導波路カプ
ラの製造方法。
10. The first polymer material and / or the second polymer material.
Is a polymer material of the formula (1) (Wherein, R 1 is a tetravalent group of bisalkylbenzene or bisperfluoroalkylbenzene, R 3 is selected from the group consisting of an alkyl group, a fluoroalkyl group, and a phenyl group, and R 2 is an alkylene group, an alkylphenylene The method for producing an optical waveguide coupler according to claim 9, wherein the optical waveguide coupler is made of a polyamic acid represented by the following formula:
【請求項11】 第1の高分子材料および/または第2
の高分子材料が式(2) 【化2】 (式中、R,Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基またはトリフルオロ
メチル基からなる群から選択され、X,X,X
それぞれ独立にC〜Cのアルキレン基、オキシアル
キレン基およびアルキレンオキシ基からなる群から選択
される連結基であり、Yはエポキシ基または 【化3】 である)であらわされるエポキシ系オリゴマーまたはモ
ノマーから作製されることを特徴とする請求項9に記載
の光導波路カプラの製造方法。
11. The first polymer material and / or the second polymer material.
Is a polymer material of the formula (2) (Wherein, R 1 and R 2 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group and a trifluoromethyl group, and X 1 , X 2 and X 3 are each independently C 1 A linking group selected from the group consisting of an alkylene group, an oxyalkylene group and an alkyleneoxy group of C 3 to C 3 , wherein Y is an epoxy group or 10. The method of manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 9, wherein the optical waveguide coupler is produced from an epoxy-based oligomer or monomer represented by the following formula:
【請求項12】 第1の高分子材料および/または第2
の高分子材料が式(3) 【化4】 (式中、R,Rはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基またはトリフルオロ
メチル基からなる群から選択され、X,X,X
それぞれ独立にC〜Cのアルキレン基、オキシアル
キレン基およびアルキレンオキシ基からなる群から選択
される連結基であり、Yはアクリル基またはメタクリル
基である)であらわされるアクリル系オリゴマーまたは
モノマーから作製されることを特徴とする請求項9に記
載の光導波路カプラの製造方法。
12. The first polymer material and / or the second polymer material.
Is a polymer material of the formula (3) (Wherein, R 1 and R 2 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group and a trifluoromethyl group, and X 1 , X 2 and X 3 are each independently C 1 alkylene group -C 3, a linking group selected from the group consisting of oxyalkylene groups and alkylene group, Y is to be produced from the acrylic oligomer or monomer represented by a is) acrylic group or methacrylic group The method for manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 9, wherein:
【請求項13】 第1の高分子材料および/または第2
の高分子材料が式(4) 【化5】 (式中、Xは水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基を表し、mは1〜4の整数を表
す。x,yは各ユニットの存在割合を示し、x,yとも
に0であることはない。R,Rは、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基を表し、RとRが相等しくて
もよい)であらわされるシリコーン系オリゴマーまたは
モノマーから作製されることを特徴とする請求項9に記
載の光導波路カプラの製造方法。
13. The first polymer material and / or the second polymer material.
Is a polymer material of the formula (4) (In the formula, X represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy group, m represents an integer of 1 to 4. x and y represent the abundance ratio of each unit. R 1 and R 2 represent a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group, and R 1 and R 2 may be the same.) The method for manufacturing an optical waveguide coupler according to claim 9, wherein:
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