JP2002271278A - Measurement system for mutual modulation distortion - Google Patents

Measurement system for mutual modulation distortion

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JP2002271278A
JP2002271278A JP2001062405A JP2001062405A JP2002271278A JP 2002271278 A JP2002271278 A JP 2002271278A JP 2001062405 A JP2001062405 A JP 2001062405A JP 2001062405 A JP2001062405 A JP 2001062405A JP 2002271278 A JP2002271278 A JP 2002271278A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a measurement system for mutual modulation distortion capable of measuring a mutual modulation distortion generated in a contact part between metal materials with little labor, in a short time, at small cost, and accurately. SOLUTION: A plane contact device is prepared by providing a conductor pattern having contact conductor parts formed with a metal material to be measured on the surface of flat dielectric substrates, respectively. A first planar contact device is connected to a mutual modulation distortion measuring circuit via a noncontact connector, and a second plane contact device is superimposed on the first planar contact device so that the contact conductor part thereof comes into contact with the contact conductor part of the first plane contact device. Further, the second planar contact device is connected to a dummy load via a second noncontact connector, for measuring a mutual modulation distortion depending on a contact of the contact conductor parts of conductor patterns of the first and second plane contact devices.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属材料間の接触個所
において発生する相互変調歪を、簡単かつ正確に測定す
る技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for simply and accurately measuring intermodulation distortion generated at a contact point between metallic materials.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種通信システムにおいては、周波数の
異なる2つの信号の干渉による相互変調歪の問題があ
る。例えば移動体通信の基地局で利用されているアンテ
ナは送信と受信に兼用されており、送信周波数と受信周
波数とは相違しているので、これらの間での相互変調歪
が問題となり、相互変調歪によるノイズが受信帯域を干
渉し、通信不能となる場合もある。従来、このような移
動体通信システムにおいては、増幅器などの能動回路に
おける相互変調歪の抑止については種々の研究がなされ
ており、相当の成果が上げられている。しかしながら、
受動回路部分において発生する相互変調歪については有
効な対策が採られていない。この受動回路部分として
は、金属材料同士の接触面、例えばコネクタ、アンテ
ナ、アンテナ取付金具などのアンテナ周辺部材などが考
えられる。
2. Description of the Related Art In various communication systems, there is a problem of intermodulation distortion due to interference between two signals having different frequencies. For example, an antenna used in a mobile communication base station is used for both transmission and reception. Since the transmission frequency and the reception frequency are different, intermodulation distortion between them becomes a problem, and In some cases, noise due to distortion interferes with the reception band and communication becomes impossible. Conventionally, in such a mobile communication system, various studies have been made on suppression of intermodulation distortion in an active circuit such as an amplifier, and considerable results have been obtained. However,
No effective countermeasures have been taken for the intermodulation distortion generated in the passive circuit portion. The passive circuit portion may be a contact surface between metal materials, for example, a connector, an antenna, an antenna peripheral member such as an antenna mounting bracket, or the like.

【0003】 図1は、移動体通信システムの基地局に
おけるアンテナ周辺の相互変調歪の発生箇所を示すもの
である。基地局のタワー11には送信アンテナ12と受
信アンテナ13とが設置されており、これらのアンテナ
の内部には、多数のアンテナ素子を配列したアンテナ素
子列14が設けられ、これらのアンテナ素子は、ビーム
を所定の方向に指向させるためのビーム制御装置15を
介してアンテナ入出力端子16に接続されている。図2
は、アンテナ素子列14の素子としてプリントダイポー
ルアンテナを用いた場合の例であり、プリント基板17
のアンテナ素子18が所定のパターンにしたがって形成
され、プリント基板17とほぼ直交するように2つの反
射板19が設けられ、これらのプリント基板17および
反射板19は円筒状のカバー20の内部に配置されてい
る。このような構成においては、アンテナ素子列14の
給電回路とビーム制御装置15との接続箇所、ビーム制
御装置15の内部における導体接続箇所、アンテナ入出
力端子16と同軸ケーブル17との接続箇所、アンテナ
12、13をタワー11に取り付ける金具、2つの反射
板19の接触箇所などにおいて相互変調歪が発生する。
FIG. 1 shows locations where intermodulation distortion occurs around an antenna in a base station of a mobile communication system. A transmitting antenna 12 and a receiving antenna 13 are installed in a tower 11 of a base station, and an antenna element array 14 in which a large number of antenna elements are arranged is provided inside these antennas. It is connected to an antenna input / output terminal 16 via a beam control device 15 for directing a beam in a predetermined direction. FIG.
Is an example in which a printed dipole antenna is used as an element of the antenna element array 14, and the printed circuit board 17
Are formed according to a predetermined pattern, and two reflectors 19 are provided so as to be substantially orthogonal to the printed board 17. These printed boards 17 and the reflectors 19 are arranged inside a cylindrical cover 20. Have been. In such a configuration, a connection point between the feed circuit of the antenna element row 14 and the beam control device 15, a conductor connection position inside the beam control device 15, a connection position between the antenna input / output terminal 16 and the coaxial cable 17, an antenna Intermodulation distortion occurs in the fittings for attaching the substrates 12 and 13 to the tower 11 and at the contact points between the two reflectors 19.

【0004】 上述した移動体通信システムの基地局に
おけるアンテナ周辺での相互変調歪の発生箇所を調べる
と、金属材料と金属材料との接触界面が存在しているこ
とが分かる。従来、このような金属の接触界面における
相互変調歪は余り問題とはならなかったが、周波数の高
周波化、信号電界の微弱化などが進むにつれて金属の接
触界面の非線形特性による相互変調歪ノイズの影響が問
題となってきている。
Investigation of the occurrence of intermodulation distortion around the antenna in the base station of the above-described mobile communication system reveals that there is a contact interface between a metal material and a metal material. Conventionally, such intermodulation distortion at the metal contact interface has not been a serious problem, but as the frequency becomes higher and the signal electric field becomes weaker, the intermodulation distortion noise due to the nonlinear characteristics of the metal contact interface increases. The impact is becoming a problem.

【0005】 特に携帯電話の基地局では、送受信にア
ンテナを共通に使用しており、さらにこれらのアンテナ
が隣接して複数設置されることもあるので、上述した金
属材料同士の接触面で発生する相互変調歪ノイズが重要
な問題となってきている。特に携帯電話の基地局では、
送信電力に比べて受信電力は小さくなっており、受信信
号電界がきわめて微弱となり、相互変調歪ノイズの影響
が相対的に大きくなり、受信帯域に相互変調歪ノイズが
入ると受信不能となる恐れがある。
Particularly, in a mobile phone base station, an antenna is commonly used for transmission and reception, and a plurality of these antennas may be installed adjacent to each other. Intermodulation distortion noise has become an important issue. Especially in mobile phone base stations,
The reception power is smaller than the transmission power, the received signal electric field becomes extremely weak, the influence of the intermodulation distortion noise becomes relatively large, and if the intermodulation distortion noise enters the reception band, the reception may not be possible. is there.

【0006】[0006]

【発明が解決すべき課題】上述したような金属材料間の
接触界面において発生する相互変調歪を抑止する方法と
しては、先ず第1に接触界面をなくすことが考えられ
る。しかし、実際に携帯電話の基地局を建設する際に、
金属材料間の接触をなくすには限界があり、実際的では
ない。また、同種金属材料間でも接触部分の表面状態の
差によって相互変調歪が発生するので、導体部分を同じ
金属材料で形成しても相互変調歪をなくすことはできな
い。
As a method of suppressing the intermodulation distortion generated at the contact interface between the metal materials as described above, first, it is conceivable to eliminate the contact interface. However, when actually building a mobile phone base station,
Eliminating contact between metallic materials is limited and impractical. In addition, since intermodulation distortion occurs between the same type of metal materials due to the difference in the surface state of the contact portion, the intermodulation distortion cannot be eliminated even if the conductor is formed of the same metal material.

【0007】 次の解決策としては、接触面積を大きく
すると共に接触圧力を高くして電流密度を低減すること
が考えられる。しかしながら、基地局自体の小形、軽量
化が求められているので、金属材料間の接触面積を広く
するにも限界があり、実用的な解決策とはならない。例
えば同軸ケーブルとの接続には同軸コネクタが使用され
ているが、この同軸コネクタとしては相互変調歪の発生
が少ないDINコネクタが一般に使用されているが、サイ
ズが大きく、小形化が要求されている。
The next solution is to increase the contact area and increase the contact pressure to reduce the current density. However, since the base station itself is required to be small and light, there is a limit in increasing the contact area between the metal materials, and this is not a practical solution. For example, a coaxial connector is used to connect to a coaxial cable, and as this coaxial connector, a DIN connector that generates less intermodulation distortion is generally used, but a large size and a small size are required. .

【0008】 第3の解決手段として、金属材料間の接
触部分の表面状態を改良して相互変調歪の発生を抑える
ことが考えられる。例えば、下地金属、メッキ材料、表
面の粗さなどを最適化することによって、接触面積や接
触圧力を過度に大きくしなくとも相互変調歪の発生を有
効の抑制することができると予想される。
As a third solution, it is conceivable to improve the surface condition of a contact portion between metal materials to suppress the occurrence of intermodulation distortion. For example, by optimizing the base metal, plating material, surface roughness, and the like, it is expected that the occurrence of intermodulation distortion can be effectively suppressed without excessively increasing the contact area and contact pressure.

【0009】 しかしながら、このように金属材料間の
接触部分の表面状態を改良するには、下地金属の種類、
メッキ材料の種類、膜圧、表面の粗さなどの幾つものパ
ラメータを種々に変えて多数の同軸コネクタを試作し、
それらを用いて相互変調歪を測定しなければならず、試
作のために多大の労力、時間およびコストがかかってい
る。また、同軸コネクタの加工精度のばらつきや脱着に
よる特性劣化などの不確定要素が多く、相互変調歪の正
確な測定が困難となる問題がある。
However, in order to improve the surface condition of the contact portion between the metal materials as described above, the type of the underlying metal,
Prototype of many coaxial connectors by changing various parameters such as plating material type, film pressure, surface roughness, etc.
They must be used to measure intermodulation distortion, which requires a great deal of labor, time, and cost for trial production. In addition, there are many uncertain factors such as variations in processing accuracy of the coaxial connector and deterioration of characteristics due to attachment / detachment, and there is a problem that accurate measurement of intermodulation distortion is difficult.

【0010】 さらに同軸コネクタを用いる場合には、
コネクタと同軸ケーブルとの間をハンダ付けする必要が
あり、その作業も面倒であると共に、個々の同軸コネク
タのハンダ付けの状態は一様とはならないので、この接
触部分での相互変調歪の発生状況が測定に大きく影響
し、コネクタ同士での接触箇所で発生する本来測定した
い相互変調歪のみを正確に測定できないという問題もあ
る。
When using a coaxial connector,
It is necessary to solder between the connector and the coaxial cable, and the work is troublesome, and since the soldering condition of each coaxial connector is not uniform, the occurrence of intermodulation distortion at this contact part The situation greatly affects the measurement, and there is also a problem that only the intermodulation distortion which is originally required to be measured and which is generated at the contact point between the connectors cannot be accurately measured.

【0011】 したがって本発明の目的は、金属材料間
の接触部分で発生される相互変調歪を、少ない労力で、
短時間に、低コストで、しかも正確に測定することがで
きる相互変調歪測定システムを提供しようとするもので
ある。
Therefore, an object of the present invention is to reduce intermodulation distortion generated at a contact portion between metal materials with a small amount of effort.
It is an object of the present invention to provide an intermodulation distortion measurement system capable of performing accurate measurement in a short time at low cost.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による相互変調歪
測定システムは、それぞれ平坦な誘電体基板の一方の表
面に金属材料より成る接触導体部、接続導体部およびこ
れら接触導体部と接続導体部との間を連結する中継導体
部を有する導体パターンを形成し、他方の表面に地板を
形成した複数の平面コンタクト素子を準備し、第1の平
面コンタクト素子の接続導体部を第1の非接触コネクタ
を介して相互変調歪測定回路に接続し、第2の平面コン
タクト素子を、その接触導体部が前記第1の平面コンタ
クト素子の導体パターンの接触導体部と接触するように
第1の平面コンタクト素子と重ね合わせると共に、第2
の平面コンタクト素子の導体パターンの接続導体部を第
2の非接触コネクタを介してダミーロードに接続して、
第1および第2の平面コンタクト素子の導体パターンの
接触導体部の接触に基づく相互変調歪を測定することを
特徴とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An intermodulation distortion measuring system according to the present invention comprises a contact conductor, a connection conductor made of a metal material on one surface of a flat dielectric substrate, and the contact conductor and the connection conductor. A plurality of planar contact elements having a conductor pattern having a relay conductor section connecting the first planar contact element and a ground plane formed on the other surface, and connecting the connection conductor section of the first planar contact element to the first non-contact area. The first planar contact element is connected to the intermodulation distortion measuring circuit via a connector, and the second planar contact element is connected to the first planar contact element such that the contact conductor thereof contacts the contact conductor of the conductor pattern of the first planar contact element. With the element
Connecting the connection conductor of the conductor pattern of the planar contact element to the dummy load via the second non-contact connector,
The intermodulation distortion based on the contact of the contact conductor of the conductor pattern of the first and second planar contact elements is measured.

【0013】 このような本発明による相互変調歪測定
システムにおいては、平坦な誘電体基板の表面に、被測
定対象となる金属材料で導体パターンを形成した平面コ
ンタクト素子を用いるが、この平面コンタクト素子は、
例えばプリント配線基板を利用して製作することがで
き、したがって、サンプル製作に要する労力、時間、コ
ストが著しく低減されることになると共に、加工精度の
ばらつきが少なくなると共に、着脱による特性劣化も生
じないので相互変調歪測定精度が向上する。さらに、こ
の平面コンタクト素子を相互変調歪測定回路およびダミ
ーロードに接続する際には非接触コネクタを用いるの
で、従来のようなハンダ付け作業が不要になると共に、
ハンダ付けの状態の変動による測定誤差が混入すること
がなくなり、相互変調歪をきわめて正確に測定すること
ができる。
In such an intermodulation distortion measuring system according to the present invention, a planar contact element having a conductor pattern formed of a metal material to be measured on the surface of a flat dielectric substrate is used. Is
For example, it can be manufactured using a printed wiring board, so that the labor, time, and cost required for manufacturing a sample are significantly reduced, the variation in processing accuracy is reduced, and the characteristic is deteriorated due to attachment and detachment. Since there is no intermodulation distortion measurement accuracy, the accuracy is improved. Furthermore, when connecting this planar contact element to the intermodulation distortion measuring circuit and the dummy load, a non-contact connector is used, so that the soldering work as in the related art becomes unnecessary, and
The measurement error due to the change in the soldering state is not mixed, and the intermodulation distortion can be measured very accurately.

【0014】 このような本発明による相互変調歪測定
システムを実施するに際しては、前記第1および第2の
非接触コンタクトは、インピーダンス50Ωの同軸ケー
ブルを介して相互変調歪測定回路およびダミーロードに
それぞれ接続されるが、前記平面コンタクト素子の接触
導体部をこの50Ωの抵抗と整合させるように形成する
と、その幅が数ミリ以下と狭くなるが、測定精度を考慮
するとこの幅は5ミリ以上とするのが好ましい。しかし
ながら、このように形成すると、接触導体部のインピー
ダンスは小さくなり、50Ωの同軸インピーダンスと整
合しなくなってしまう。そこで本発明による平面コンタ
クト素子の好適実施例においては、接触導体部の幅を広
くし、接触導体部と接続導体部とを連結する中継導体部
に、幅を広くした接触導体部のインピーダンスと接続導
体部のインピーダンスとを整合させるためのインピーダ
ンス変成部を形成する。
In implementing the intermodulation distortion measuring system according to the present invention, the first and second non-contact contacts are respectively connected to the intermodulation distortion measuring circuit and the dummy load via a coaxial cable having an impedance of 50Ω. Although the connection is made, if the contact conductor of the planar contact element is formed so as to match with the resistance of 50Ω, the width is reduced to several millimeters or less, but in consideration of measurement accuracy, the width is set to 5 millimeters or more. Is preferred. However, when formed in this manner, the impedance of the contact conductor portion becomes small, and the impedance does not match with the coaxial impedance of 50Ω. Therefore, in a preferred embodiment of the planar contact element according to the present invention, the width of the contact conductor is increased, and the relay conductor connecting the contact conductor and the connection conductor is connected to the impedance of the wider contact conductor. An impedance transformer for matching the impedance of the conductor is formed.

【0015】 さらに、本発明による相互変調歪測定シ
ステムを実施する際には、前記非接触コネクタを、前記
平面コンタクト素子の厚さにほぼ等しい空間をおいて互
いに平行に配置した第1および第2の平坦な誘電体基板
と、これら第1および第2の誘電体基板によって挟まれ
た第3の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の外側表
面に、平面コンタクト素子を第1および第2の誘電体基
板の間の空間に、その先端が前記第3の誘電体基板の先
端から所定の距離だけ離間するように挿入されるとき
に、その接続導体部の延在方向と整列して延在するよう
に形成された導体ストリップと、前記第2の誘電体基板
の外側表面全体に形成された導体膜と、前記第3の誘電
体基板の、前記第1の誘電体基板と対向する表面に、第
1の誘電体基板の外側表面に形成された導体ストリップ
の延在方向と整列して延在するように形成された導体ス
トリップと、第3の誘電体基板の反対側表面全体に形成
された導電膜とを以て構成するのが好適である。
Further, when implementing the intermodulation distortion measuring system according to the present invention, the first and second non-contact connectors are arranged parallel to each other with a space substantially equal to the thickness of the planar contact element. A flat dielectric substrate, a third dielectric substrate sandwiched between the first and second dielectric substrates, and first and second planar contact elements on the outer surface of the first dielectric substrate. When the leading end of the third dielectric substrate is inserted into the space between the two dielectric substrates so as to be separated from the leading end of the third dielectric substrate by a predetermined distance, it is aligned with the extending direction of the connection conductor. A conductive strip formed so as to extend, a conductive film formed on the entire outer surface of the second dielectric substrate, and a third dielectric substrate facing the first dielectric substrate On the surface, outside the first dielectric substrate It is composed of a conductor strip formed so as to extend in alignment with the extending direction of the conductor strip formed on the surface and a conductive film formed on the entire opposite surface of the third dielectric substrate. It is suitable.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図3は本発明による相互変調歪測
定システム全体の構成を示すブロック図である。相互変
調歪を測定すべき金属材料間の接触部を構成する第1お
よび第2平面コンタクト素子を含む測定ユニット21
を、第1の非接触コネクタ22を経てデュープレクサ2
3に接続すると共に第2の非接触コネクタ24を介して
ダミーロード25に接続する。本例では、このダミーロ
ード25としては長さ50mのセミリジッド同軸ケーブ
ルを用いている。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the entire intermodulation distortion measuring system according to the present invention. Measuring unit 21 including first and second planar contact elements forming a contact between metal materials whose intermodulation distortion is to be measured
To the duplexer 2 via the first non-contact connector 22.
3 and to the dummy load 25 via the second non-contact connector 24. In this example, a semi-rigid coaxial cable having a length of 50 m is used as the dummy load 25.

【0017】 デュープレクサ23を電力結合器26に
接続し、この電力結合器を第1および第2波源27およ
び28に接続する。これら第1および第2波源27およ
び28は、それぞれf、fの周波数の標準信号発生
器29、30および電力増幅器31、32で構成する。
さらに、デュープレクサ23を、相互変調歪成分を取り
出す帯域通過フィルタ33、ローノイズアンプ34およ
びスペクトラムアナライザ35を有する相互変調歪測定
回路36に接続する。
The duplexer 23 is connected to a power combiner 26, which is connected to first and second wave sources 27 and 28. These first and second wave sources 27 and 28 are composed of standard signal generators 29 and 30 and power amplifiers 31 and 32 having frequencies of f 1 and f 2 , respectively.
Further, the duplexer 23 is connected to an intermodulation distortion measuring circuit 36 having a bandpass filter 33 for extracting an intermodulation distortion component, a low noise amplifier 34, and a spectrum analyzer 35.

【0018】 図4は、第1および第2の平面コンタク
ト素子を含む測定ユニット21と、第1および第2の非
接触コネクタ22、24の詳細な構成を示す斜視図であ
る。第1および第2の平面コンタクト素子41および4
2の構成はほぼ同じであるので、第1の非接触コネクタ
22を介してデュープレクサ23に接続される第1の平
面コンタクト素子41について説明する。第1の平面コ
ンタクト素子41はプリント基板により構成されてい
る。例えば、トリテトラフルオロエチレン(商品名:テ
フロン)や比誘電率が約2.6の誘電体材料で形成された
誘電体基板43aの平坦な表面の一方には、接触導体部
44aと、接続導体部45aと、これらの接触導体部お
よび接続導体部との間を連結する中継導体部46aとを
含む導体パターンが形成され、他方の表面全面には金属
膜より成る地板47aが形成されている。
FIG. 4 is a perspective view showing a detailed configuration of the measuring unit 21 including the first and second planar contact elements, and the first and second non-contact connectors 22 and 24. First and second planar contact elements 41 and 4
2 is almost the same, the first planar contact element 41 connected to the duplexer 23 via the first non-contact connector 22 will be described. The first planar contact element 41 is constituted by a printed circuit board. For example, one of the flat surfaces of a dielectric substrate 43a formed of tritetrafluoroethylene (trade name: Teflon) or a dielectric material having a relative dielectric constant of about 2.6 has a contact conductor portion 44a and a connection conductor portion 45a. And a conductor pattern including a relay conductor portion 46a connecting between the contact conductor portion and the connection conductor portion, and a ground plate 47a made of a metal film is formed on the entire other surface.

【0019】 第2の平面コンタクト素子42も同様に
形成されており、対応する部分は同じ符号にbを添えて
表してある。相互変調歪の測定に際してはこれら第1お
よび第2平面コンタクト素子41および42の接触導体
部44aおよび44bを互いに所定の圧力で接触させる
ように重ね合わせることによって、これらの接触導体部
の表面状態および接触圧力による相互変調歪の発生状況
を測定することができる。
The second planar contact element 42 is formed in the same manner, and the corresponding parts are represented by the same reference numerals with the addition of b. When measuring the intermodulation distortion, the contact conductor portions 44a and 44b of the first and second planar contact elements 41 and 42 are overlapped so as to contact each other at a predetermined pressure, so that the surface condition of these contact conductor portions and The occurrence state of the intermodulation distortion due to the contact pressure can be measured.

【0020】 本発明においては、相互変調歪を測定す
べき金属材料間の接触を、平坦なプリント基板より成る
第1および第2平面コンタクト素子41および42を接
触させることにより実現しているので、従来のように複
雑な同軸コネクタを試作して測定する必要はない。した
がって、測定サンプルを、簡単に短時間で安価に試作す
ることができる。また、測定サンプル製作の精度も向上
し、そのばらつきが相互変調歪の測定精度に与える影響
もきわめて小さくなり、正確な測定が可能となる。
In the present invention, the contact between the metal materials whose intermodulation distortion is to be measured is realized by bringing the first and second planar contact elements 41 and 42 made of a flat printed circuit board into contact. There is no need to prototype and measure a complicated coaxial connector as in the prior art. Therefore, a test sample can be easily and inexpensively manufactured in a short time. In addition, the accuracy of manufacturing the measurement sample is improved, and the influence of the variation on the measurement accuracy of the intermodulation distortion is extremely small, so that accurate measurement can be performed.

【0021】 さらに、本発明においては第1の平面コ
ンタクト素子41をデュプレクサ23を介して第1およ
び第2の波源27および28、相互変調歪測定回路36
に接続し、第2の平面コンタクト素子42をダミーロー
ド25に接続するのに、第1および第2の非接触コネク
タ22および24を用い、測定サンプルを相互変調歪測
定回路やダミーロードに接続する作業を簡単とすると共
に、これらの接触箇所において相互変調歪が発生しない
ようにしている。
Further, in the present invention, the first planar contact element 41 is connected to the first and second wave sources 27 and 28 via the duplexer 23 and the intermodulation distortion measuring circuit 36.
The first and second non-contact connectors 22 and 24 are used to connect the second planar contact element 42 to the dummy load 25 and connect the measurement sample to the intermodulation distortion measurement circuit and the dummy load. The operation is simplified, and no intermodulation distortion is generated at these contact points.

【0022】 図5aは、第1の非接触コネクタ22の
詳細な構成を示す斜視図であり、図5bはその一部分を
拡大して示す断面図である。第2の非接触コネクタ24
の構成もほぼ同様であるので、第1の非接触コネクタ2
2の構成について説明する。非接触コネクタ22は、前
記平面コンタクト素子41の厚さにほぼ等しい空間をお
いて互いに平行に配置した第1および第2の平坦な誘電
体基板51aおよび52aと、これら第1および第2の
誘電体基板の間に挟持された第3の誘電体基板53aと
を有している。この場合、第3の誘電体基板53aは、
その先端が第1および第2誘電体基板51a、52aの
中間位置よりもやや手前まで挿入されている。これら第
1〜第3の誘電体基板51a、52aおよび53aは、例
えば比誘電率が2.0〜3.0の誘電体材料で形成することが
できる。
FIG. 5A is a perspective view showing a detailed configuration of the first non-contact connector 22, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a part of the first non-contact connector 22 in an enlarged manner. Second non-contact connector 24
Of the first non-contact connector 2
2 will be described. The non-contact connector 22 includes first and second flat dielectric substrates 51a and 52a arranged in parallel with each other with a space substantially equal to the thickness of the planar contact element 41, and the first and second dielectric substrates 51a and 52a. And a third dielectric substrate 53a sandwiched between the body substrates. In this case, the third dielectric substrate 53a
The tip is inserted slightly before the intermediate position between the first and second dielectric substrates 51a and 52a. These first to third dielectric substrates 51a, 52a and 53a can be formed of a dielectric material having a relative dielectric constant of 2.0 to 3.0, for example.

【0023】 平面コンタクト素子41は、非接触コネ
クタ22の第1および第2の誘電体基板51aおよび5
2aの間の空間に、その先端がこれらの誘電体基板の中
間位置のやや手前まで挿入されるように構成する。した
がって、平面コンタクト素子41が挿入されたときは、
その先端は前記第3の誘電体基板53aの先端から所定
の距離dだけ離間するようになる。この離間距離d
は、例えば約1mmとすることができる。また、第1お
よび第2の誘電体基板51aおよび52aの長さd
は、本例では156mmである。
The planar contact element 41 is provided on the first and second dielectric substrates 51 a and 5 of the non-contact connector 22.
In the space between 2a, the tip is inserted to a position slightly before the intermediate position of these dielectric substrates. Therefore, when the planar contact element 41 is inserted,
The tip will be spaced from the distal end of said third dielectric substrate 53a by a predetermined distance d 1. This separation distance d 1
Can be, for example, about 1 mm. The length d of the first and second dielectric substrates 51a and 52a
2 is 156 mm in this example.

【0024】 前記第1の誘電体基板51aの外側表面
には、平面コンタクト素子41を挿入したときに、その
接続導体部45aの延在方向と整列して延在するように
導体ストリップ54aを形成する。また、前記第2の誘
電体基板52aの外側表面の全体には導体膜55aを形
成する。さらに、前記第3の誘電体基板53aの、前記
第1の誘電体基板51aと対向する表面には、第1の誘
電体基板の外側表面に形成された導体ストリップ54a
の延在方向と整列して延在するように導体ストリップ5
6aを形成し、裏面全体には導体膜57aを形成する。
A conductor strip 54a is formed on the outer surface of the first dielectric substrate 51a so as to extend in alignment with the extending direction of the connection conductor 45a when the planar contact element 41 is inserted. I do. Further, a conductor film 55a is formed on the entire outer surface of the second dielectric substrate 52a. Further, a conductor strip 54a formed on the outer surface of the first dielectric substrate is provided on the surface of the third dielectric substrate 53a facing the first dielectric substrate 51a.
Conductor strip 5 so as to extend in alignment with the extension direction of
6a, and a conductor film 57a is formed on the entire back surface.

【0025】 また、第1の非接触コネクタ22は、同
軸ケーブル61を介してデュープレクサ23に接続する
が、図5bに示すように、第3の誘電体基板53aの一
方の表面に形成した導電ストリップ56aを同軸ケーブ
ル61の芯線62にはんだ64により接続し、他方の表
面に形成した導体膜57aを同軸ケーブルのシールド6
3にはんだ65により接続する。このように非接触コネ
クタ22と同軸ケーブル61との間は直接接続されてい
るが、測定サンプルである平面コンタクト素子41、4
2を交換する場合でもこの接続はそのままで良いので、
この接続状態による相互変調歪測定への影響はない。第
2の非接触コネクタ24の構成も上述したところとほぼ
同様であり、図4においては、対応する部分には同じ符
号にbを添えて示してある。ただし、第1の非接触コネ
クタ22の第1の誘電体基板51aの一方の表面に形成
した導電ストリップ54aにはスタブが形成されていな
いが、第2の非接触コネクタ24の第1の誘電体基板5
1bの一方の表面に形成した導電ストリップ54bには
スタブ54c(図4参照)が形成されている点が相違し
ている。
The first non-contact connector 22 is connected to the duplexer 23 via a coaxial cable 61. As shown in FIG. 5B, a conductive strip formed on one surface of the third dielectric substrate 53a 56a is connected to the core wire 62 of the coaxial cable 61 by solder 64, and the conductor film 57a formed on the other surface is connected to the shield 6 of the coaxial cable.
3 is connected by solder 65. Although the non-contact connector 22 and the coaxial cable 61 are directly connected as described above, the planar contact elements 41, 4
Even if you exchange 2, this connection can be left as it is,
This connection state does not affect the intermodulation distortion measurement. The configuration of the second non-contact connector 24 is also substantially the same as that described above. In FIG. 4, the corresponding parts are indicated by the same reference numerals with the addition of b. However, no stub is formed on the conductive strip 54a formed on one surface of the first dielectric substrate 51a of the first non-contact connector 22, but the first dielectric of the second non-contact connector 24 is not formed. Substrate 5
The difference is that a stub 54c (see FIG. 4) is formed on the conductive strip 54b formed on one surface of the first strip 1b.

【0026】 図6は上述した非接触コネクタ22の入
力特性を示すものであり、0.84GHz〜0.99GHzの比帯域17
%の広い周波数領域における反射損は-20dB以下であ
る。また、挿入損失も0.2dB以下と小さいものである。
したがって、例えば送信周波数を862MHzおよび887MHzと
し、937MHzに発生する5次の相互変調歪を測定する場合
にも有効に利用することができる。ここで、3次、7次
等の他の次数の相関変調歪も測定も可能であることは言
うまでもない。
FIG. 6 shows the input characteristics of the non-contact connector 22 described above, and the ratio band 17 of 0.84 GHz to 0.99 GHz.
%, The reflection loss is -20 dB or less in a wide frequency range. Also, the insertion loss is as small as 0.2 dB or less.
Therefore, for example, when the transmission frequencies are set to 862 MHz and 887 MHz, the fifth-order intermodulation distortion generated at 937 MHz can be effectively used. Here, it goes without saying that the correlation modulation distortion of other orders such as the third and seventh orders can also be measured.

【0027】 本発明では、接触導体部の金属材料や表
面状態を種々に変えた平面コンタクト素子をプリント配
線基板を利用して製作しておき、これらの中から選択し
た2つの平面コンタクト素子41、42を図4に示すよ
うにそれらの接触導体部44a、44bが互いに接触す
るように重ね合わせ、さらにそのときの接触圧力を調整
可能とする。さらにこれらの平面コンタクト素子41、
42を、それぞれ非接触コネクタ22および24の第1
および第2の誘電体基板51a、52aの間に挿入する
ことによって相互変調歪測定回路36およびダミーロー
ド25にそれぞれ接続して、相互変調歪の測定を行うこ
とができる。
In the present invention, a planar contact element in which the metal material and the surface condition of the contact conductor are variously changed is manufactured using a printed wiring board, and two planar contact elements 41 selected from these are selected. As shown in FIG. 4, the contact conductors 42a and 44b are overlapped so that the contact conductors 44a and 44b are in contact with each other, and the contact pressure at that time can be adjusted. Further, these planar contact elements 41,
42, the first of the non-contact connectors 22 and 24, respectively.
By inserting between the second dielectric substrates 51a and 52a and connecting to the intermodulation distortion measuring circuit 36 and the dummy load 25, intermodulation distortion can be measured.

【0028】 この場合、平面コンタクト素子41、4
2と測定回路およびダミーロード25との間は従来のよ
うにハンダ付けにより接続する必要がないので、接続作
業はきわめて簡単になると共に、ハンダ付けの状態の変
動による測定誤差がなくなり、相互変調歪をきわめて正
確に測定することができる。
In this case, the planar contact elements 41, 4
2 and the measurement circuit and the dummy load 25 do not need to be connected by soldering as in the prior art, so that the connection work is extremely simplified, and a measurement error due to a change in the soldering state is eliminated. Can be measured very accurately.

【0029】 本発明は上述した実施例に限定されるも
のではなく、幾多の変更や変形が可能である。例えば、
上述した実施例では、平面コンタクト素子の接触導体部
の幅を広くすることによるインピーダンスの不整合をな
くすために中継導体部にインピーダンス変成部を設けた
が、接触導体部の幅を50Ωとする場合には、このよう
なインピーダンス変成部を設ける必要はない。さらに、
非接触コネクタの構成も上述した実施例に限定されるも
のではなく、平板状の平面コンタクト素子を非接触で測
定回路やダミーロードへ着脱自在に接続できるものであ
ればどのような構成のものでもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and many modifications and variations are possible. For example,
In the above-described embodiment, the impedance transforming portion is provided in the relay conductor portion in order to eliminate the impedance mismatch caused by increasing the width of the contact conductor portion of the planar contact element. However, when the width of the contact conductor portion is set to 50Ω. Need not be provided with such an impedance transformer. further,
The configuration of the non-contact connector is not limited to the above-described embodiment, and any configuration may be used as long as the flat planar contact element can be detachably connected to the measurement circuit or the dummy load in a non-contact manner. Good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】移動体通信の基地局における相互変調歪発生箇
所を示す線図である。
FIG. 1 is a diagram showing locations where intermodulation distortion occurs in a mobile communication base station.

【図2】同じくそのアンテナでの相互変調歪発生箇所を
示す線図である。
FIG. 2 is a diagram showing locations where intermodulation distortion occurs in the antenna.

【図3】本発明による相互変調歪測定システムの全体の
構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing the overall configuration of an intermodulation distortion measurement system according to the present invention.

【図4】同じくその平面コンタクト素子の詳細な構成を
示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a detailed configuration of the planar contact element.

【図5】aおよびbは、同じくその非接触コネクタの詳
細な構成を示す斜視図および断面図である。
FIGS. 5A and 5B are a perspective view and a sectional view, respectively, showing a detailed configuration of the non-contact connector.

【図6】非接触コネクタの入力特性を示すグラフであ
る。
FIG. 6 is a graph showing input characteristics of a non-contact connector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 測定ユニット、 22、24 非接触コネクタ、
23 デュープレクサ、 25 ダミーロード、 2
6 電力結合器、 27、28 波源、29、30 標
準信号発生器、 31、32 電力増幅器、 33 帯
域通過フィルタ、34 ローノイズアンプ、 35 ス
ペクトラムアナライザ、 36 相互変調歪測定回路、
41、42 第1、第2の平面コンタクト素子、 4
3a,43b 誘電体基板、 44a,44b 接触導
体部、 45a、45b 接続導体部、 46a、46
b 中継導体部、 47a、47b 地板、 51a、
52a、53a 第1〜第3の誘電体基板、 54a、
56a 導体ストリップ、55a、57a 導体膜、
61 同軸ケーブル
21 measuring unit, 22, 24 non-contact connector,
23 duplexer, 25 dummy load, 2
6 power combiner, 27, 28 wave source, 29, 30 standard signal generator, 31, 32 power amplifier, 33 band pass filter, 34 low noise amplifier, 35 spectrum analyzer, 36 intermodulation distortion measurement circuit,
41, 42 first and second planar contact elements, 4
3a, 43b Dielectric substrate, 44a, 44b Contact conductor, 45a, 45b Connection conductor, 46a, 46
b relay conductor part, 47a, 47b ground plane, 51a,
52a, 53a first to third dielectric substrates, 54a,
56a conductor strip, 55a, 57a conductor film,
61 Coaxial cable

フロントページの続き Fターム(参考) 5J046 AA03 AB07 TA03 5K042 AA06 CA02 CA13 CA23 DA03 DA14 Continued on the front page F-term (reference) 5J046 AA03 AB07 TA03 5K042 AA06 CA02 CA13 CA23 DA03 DA14

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 それぞれ平坦な誘電体基板の一方の表面
に金属材料より成る接触導体部、接続導体部およびこれ
ら接触導体部と接続導体部との間を連結する中継導体部
を有する導体パターンを形成し、他方の表面に地板を形
成した複数の平面コンタクト素子を準備し、第1の平面
コンタクト素子の接続導体部を第1の非接触コネクタを
介して相互変調歪測定回路に接続し、第2の平面コンタ
クト素子を、その接触導体部が前記第1の平面コンタク
ト素子の導体パターンの接触導体部と接触するように第
1の平面コンタクト素子と重ね合わせると共に、第2の
平面コンタクト素子の導体パターンの接続導体部を第2
の非接触コネクタを介してダミーロードに接続して、第
1および第2の平面コンタクト素子の導体パターンの接
触導体部の接触に基づく相互変調歪を測定することを特
徴とする相互変調歪測定システム。
1. A conductor pattern having a contact conductor, a connection conductor, and a relay conductor connecting between the contact conductor and the connection conductor made of a metal material on one surface of a flat dielectric substrate. Forming a plurality of planar contact elements having a ground plane formed on the other surface, connecting a connection conductor of the first planar contact element to an intermodulation distortion measuring circuit via a first non-contact connector, The second planar contact element is overlapped with the first planar contact element such that its contact conductor contacts the contact conductor of the conductor pattern of the first planar contact element, and the conductor of the second planar contact element is Connect the connecting conductor of the pattern to the second
Intermodulation distortion measurement system for measuring intermodulation distortion based on contact of a contact conductor portion of a conductor pattern of a first and second planar contact element by connecting to a dummy load through a non-contact connector of the first aspect of the invention. .
【請求項2】 前記平面コンタクト素子をプリント配線
基板を用いて製作することを特徴とする請求項1に記載
の相互変調歪測定システム。
2. The intermodulation distortion measuring system according to claim 1, wherein the planar contact element is manufactured using a printed wiring board.
【請求項3】 前記平面コンタクト素子の導体パターン
の接触導体部の幅を広くし、接触導体部と接続導体部と
を連結する中継導体部に、幅を広くした接触導体部のイ
ンピーダンスと接続導体部のインピーダンスとを整合さ
せるためのインピーダンス変成部を形成したことを特徴
とする請求項1または2に記載の相互変調歪測定システ
ム。
3. The impedance of the contact conductor having a wider width and the connecting conductor are provided on the relay conductor for connecting the contact conductor and the connection conductor, wherein the width of the contact conductor of the conductor pattern of the planar contact element is increased. The intermodulation distortion measuring system according to claim 1 or 2, wherein an impedance transformation unit for matching impedance of the unit is formed.
【請求項4】 前記非接触コンタクトを、前記平面コン
タクト素子の厚さにほぼ等しい空間をおいて互いに平行
に配置した第1および第2の平坦な誘電体基板と、これ
ら第1および第2の誘電体基板によって挟まれた第3の
誘電体基板と、前記第1の誘電体基板の外側表面に、平
面コンタクト素子を第1および第2の誘電体基板の間の
空間に、その先端が前記第3の誘電体基板の先端から所
定の距離だけ離間するように挿入されるときに、その接
続導体部の延在方向と整列して延在するように形成され
た導体ストリップと、前記第2の誘電体基板の外側表面
全体に形成された導体膜と、前記第3の誘電体基板の、
前記第1の誘電体基板と対向する表面に、第1の誘電体
基板の外側表面に形成された導体ストリップの延在方向
と整列して延在するように形成された導体ストリップ
と、第3の誘電体基板の反対側表面全体に形成された導
電膜とを有することを特徴とする請求項1〜3の何れか
に記載の相互変調歪測定システム。
4. A first and second flat dielectric substrate in which said non-contact contacts are arranged in parallel with each other with a space substantially equal to the thickness of said planar contact element, and said first and second flat dielectric substrates. A third dielectric substrate sandwiched between dielectric substrates, a planar contact element on an outer surface of the first dielectric substrate, a space between the first and second dielectric substrates, A conductor strip formed so as to extend in alignment with the extending direction of the connection conductor when inserted so as to be separated from the tip of the third dielectric substrate by a predetermined distance; A conductive film formed on the entire outer surface of the dielectric substrate;
A conductor strip formed on a surface facing the first dielectric substrate so as to extend in alignment with an extending direction of the conductor strip formed on the outer surface of the first dielectric substrate; The intermodulation distortion measuring system according to any one of claims 1 to 3, further comprising: a conductive film formed on the entire opposite surface of the dielectric substrate.
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