JP2002270495A - Substrate treating method and apparatus therefor - Google Patents

Substrate treating method and apparatus therefor

Info

Publication number
JP2002270495A
JP2002270495A JP2001071794A JP2001071794A JP2002270495A JP 2002270495 A JP2002270495 A JP 2002270495A JP 2001071794 A JP2001071794 A JP 2001071794A JP 2001071794 A JP2001071794 A JP 2001071794A JP 2002270495 A JP2002270495 A JP 2002270495A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating liquid
coating
leveling
traveling wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001071794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kamiyama
勉 上山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001071794A priority Critical patent/JP2002270495A/en
Publication of JP2002270495A publication Critical patent/JP2002270495A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating method and an apparatus therefor, Which levels a coating liquid by a travelling wave to form a coat film without giving stress to a substrate. SOLUTION: The substrate treating method for forming a film of a coating liquid R on the surface of a substrate S comprises a step for expanding and leveling a coating liquid R fed to the substrate S surface by a travelling wave PW to form a film. The generated travelling wave PW moves and expands the coating liquid R fed to the substrate S surface in its direction, thereby leveling the liquid R. Thus, a coat film can be formed without giving stress to the substrate S.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、円形の半導体ウエ
ハや矩形状のガラス基板(以下、単に基板と称する)に
対してフォトレジスト液などの塗布液を供給して基板の
表面に塗布被膜を形成する基板処理方法及びその装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of supplying a coating liquid such as a photoresist liquid to a circular semiconductor wafer or a rectangular glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) to form a coating film on the surface of the substrate. The present invention relates to a substrate processing method and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の方法としては、スピンコ
ーティング法が最も代表的なものである。
2. Description of the Related Art As a conventional method of this kind, a spin coating method is the most representative.

【0003】この方法は、例えば、基板を低速回転させ
つつ一定量の塗布液を供給した後、基板を高速回転させ
ることによって基板の表面全体に塗布液を塗り拡げると
ともに、強力な遠心力により余剰分の塗布液を周囲に振
り切って膜厚を均一にするレベリングを行うというもの
である。これによりほぼ一定膜厚の塗布被膜が基板の表
面に形成されるようになっている。
In this method, for example, after a certain amount of coating liquid is supplied while the substrate is rotated at a low speed, the coating liquid is spread over the entire surface of the substrate by rotating the substrate at a high speed. In this case, leveling is performed in such a manner that the coating liquid is shaken off around the periphery to make the film thickness uniform. As a result, a coating film having a substantially constant thickness is formed on the surface of the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来例の場合には、次のような問題がある。すなわ
ち、レベリングに必要な遠心力を生じさせるためには数
千RPMという高速度で基板を回転させる必要があるの
で、基板に対して大きなストレスがかかるという問題が
ある。
However, in the case of such a conventional example, there are the following problems. That is, in order to generate a centrifugal force required for leveling, it is necessary to rotate the substrate at a high speed of several thousand RPM, which causes a problem that a large stress is applied to the substrate.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、進行波で塗布液をレベリングすること
によって、基板にストレスを与えることなく塗布被膜を
形成することができる基板処理方法及びその装置を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a substrate processing method capable of forming a coating film without applying stress to a substrate by leveling a coating solution with a traveling wave. And an apparatus therefor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の方法発明は、基板の表面に塗布液
の被膜を形成する基板処理方法において、基板の表面に
供給された塗布液を進行波により拡げてレベリングする
ことにより被膜を形成することを特徴とするものであ
る。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, in the method of the present invention, in a substrate processing method for forming a coating film of a coating liquid on a surface of a substrate, a coating film is formed by spreading and leveling the coating liquid supplied to the surface of the substrate by a traveling wave. It is characterized by doing.

【0007】また、請求項2に記載の方法発明は、請求
項1に記載の基板処理方法において、塗布液の供給及び
レベリングは、塗布液の飽和蒸気圧以上に加圧した雰囲
気中で実施されることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method of the first aspect, the supply and leveling of the coating liquid are performed in an atmosphere pressurized to a pressure higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid. It is characterized by that.

【0008】また、請求項3に記載の方法発明は、請求
項1または2に記載の基板処理方法において、塗布液の
供給及びレベリングは、塗布液に含まれる溶媒と同じ雰
囲気中で実施されることを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing method of the first or second aspect, the supply and leveling of the coating liquid are performed in the same atmosphere as the solvent contained in the coating liquid. It is characterized by the following.

【0009】また、請求項4に記載の装置発明は、基板
の表面に塗布液の被膜を形成する基板処理装置におい
て、基板をほぼ水平姿勢で保持する保持手段と、基板に
塗布液を供給する供給手段と、基板に進行波を生じさせ
る進行波発生手段とを備え、前記進行波発生手段によっ
て進行波を発生させることにより、前記供給手段から基
板の表面に供給された塗布液を基板の表面に拡げてレベ
リングすることにより被膜を形成することを特徴とする
ものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for forming a coating film of a coating liquid on a surface of a substrate, wherein the holding means holds the substrate in a substantially horizontal posture, and the coating liquid is supplied to the substrate. A supplying means, and a traveling wave generating means for generating a traveling wave on the substrate, wherein the traveling liquid is generated by the traveling wave generating means, so that the coating liquid supplied from the supplying means to the surface of the substrate is exposed to the surface of the substrate. The film is formed by spreading and leveling.

【0010】また、請求項5に記載の装置発明は、請求
項4に記載の基板処理装置において、前記保持手段を収
容する外容器と、前記外容器内を塗布液の飽和蒸気圧以
上に加圧する溶媒蒸気加圧手段とをさらに備えているこ
とを特徴とする
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the fourth aspect, an outer container for accommodating the holding means, and the pressure in the outer container is set to be higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid. And a solvent vapor pressurizing means for pressurizing.

【0011】[0011]

【作用】請求項1に記載の方法発明によれば、進行波を
発生させると、基板の表面に供給された塗布液がその方
向に移動されて拡げられ、塗布液が均一な厚さになるよ
うにレベリングされる。
According to the first aspect of the present invention, when a traveling wave is generated, the coating liquid supplied to the surface of the substrate is moved and spread in the direction, and the coating liquid has a uniform thickness. Leveled.

【0012】また、請求項2に記載の方法発明によれ
ば、雰囲気を塗布液の飽和蒸気圧以上に加圧することに
より、塗布液に含まれる溶媒の揮発を抑制できる。
According to the second aspect of the present invention, volatilization of the solvent contained in the coating liquid can be suppressed by pressurizing the atmosphere to a pressure higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid.

【0013】また、請求項3に記載の方法発明によれ
ば、塗布液の溶媒雰囲気により、塗布液に含まれる溶媒
の揮発を抑制できる。
[0013] According to the third aspect of the present invention, the solvent contained in the coating solution can be prevented from volatilizing by the solvent atmosphere of the coating solution.

【0014】請求項4に記載の装置発明によれば、保持
手段に保持された基板に対して供給手段から塗布液を供
給し、進行波発生手段で進行波を発生させると、塗布液
がその方向に移動されて拡げられ、塗布液がレベリング
される。
According to the fourth aspect of the present invention, when the coating liquid is supplied from the supply means to the substrate held by the holding means and the traveling wave is generated by the traveling wave generating means, the coating liquid is The liquid is moved in the direction and spread, and the coating liquid is leveled.

【0015】請求項5に記載の装置発明によれば、外容
器内を溶媒蒸気加圧手段で飽和蒸気圧以上に加圧するこ
とで塗布液の溶媒揮発を抑制できる。
[0015] According to the apparatus described in claim 5, the inside of the outer container is pressurized to a saturated vapor pressure or higher by the solvent vapor pressurizing means, whereby the solvent volatilization of the coating liquid can be suppressed.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 <基板処理方法>図1は、本発明に係る基板処理方法の
一実施例について説明する模式図であり、塗布液が供給
された基板の一部を拡大した模式図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <Substrate Processing Method> FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an embodiment of a substrate processing method according to the present invention, and is a schematic diagram in which a part of a substrate supplied with a coating liquid is enlarged.

【0017】まず、基板Sの表面全体に塗布液Rを供給
する(図1(a))。塗布液Rの供給方法は、特に限定
されないが、塗布装置で一般的なノズルから塗布液を吐
出するノズル方式、離間して配備されたヘッドから塗布
液を飛ばすインクジェット方式、印刷などで使われるス
クリーンを介して塗布液を供給するスクリーン方式など
が採用可能である。供給された直後の塗布液Rの表面に
は、図示のように微小な凹凸が存在している。
First, the coating liquid R is supplied to the entire surface of the substrate S (FIG. 1A). The method of supplying the coating liquid R is not particularly limited, but a nozzle method for discharging the coating liquid from a general nozzle in a coating apparatus, an ink jet method for ejecting the coating liquid from a head provided at a distance, a screen used in printing, and the like. For example, a screen system for supplying a coating liquid via a liquid crystal panel can be adopted. The surface of the coating liquid R immediately after being supplied has minute irregularities as shown in the figure.

【0018】次に、基板S及び塗布液Rに弾性表面波S
AWを発生させ、進行波PWを水平方向に向けて進行さ
せる(図1(b))。
Next, a surface acoustic wave S is applied to the substrate S and the coating liquid R.
AW is generated, and the traveling wave PW is caused to travel in the horizontal direction (FIG. 1B).

【0019】このように基板Sに進行波PWを発生させ
ると、塗布液Rの全体が揺すられつつ全体が進行波PW
によって移動されて拡げられるので、塗布液Rの表面に
ある凹凸がならされてゆく。
When the traveling wave PW is generated on the substrate S in this manner, the entire coating liquid R is shaken while the entire traveling wave PW is generated.
As a result, the unevenness on the surface of the coating liquid R is smoothed out.

【0020】所定時間だけ弾性表面波SAWの進行波P
Wを付与し続けると、塗布液Rの全体が均一な厚さにな
るようにレベリングされる(図1(c))。
The traveling wave P of the surface acoustic wave SAW for a predetermined time
When the application of W is continued, the coating liquid R is leveled so as to have a uniform thickness (FIG. 1C).

【0021】このようにしてレベリングが完了した場合
には、進行波PWの付与を停止した後、塗布液Rから溶
媒を揮発させることによって、基板Sの表面全体に塗布
被膜を形成する。
When the leveling is completed as described above, the application of the traveling wave PW is stopped, and then the solvent is volatilized from the coating solution R, thereby forming a coating film on the entire surface of the substrate S.

【0022】なお、レベリングに必要な時間は、予め実
験を行い、所望膜厚が得られて、かつ、均一性などを勘
案して決定するのが好ましい。
It is preferable that the time required for leveling is determined by conducting an experiment in advance and obtaining a desired film thickness and taking into consideration uniformity and the like.

【0023】このように進行波PWを発生させると、基
板Sの表面に供給された塗布液Rがその方向に移動され
て拡げられ、塗布液Rがレベリングされる。したがっ
て、基板Sにストレスを与えることなく塗布被膜を形成
することができる。
When the traveling wave PW is generated as described above, the coating liquid R supplied to the surface of the substrate S is moved in the direction and spreads, and the coating liquid R is leveled. Therefore, a coating film can be formed without giving stress to the substrate S.

【0024】なお、塗布液Rを供給してからレベリング
が完了するまでは、塗布液Rの飽和蒸気圧以上に加圧し
た雰囲気中で処理することが好ましい。これによって塗
布液Rに含まれる溶媒の揮発を抑制できるので、塗布液
Rの粘度をほぼ一定のままに保持でき、塗布液Rのレベ
リングが容易にできる。
It is preferable that the treatment is performed in an atmosphere pressurized above the saturated vapor pressure of the coating liquid R until the leveling is completed after the supply of the coating liquid R. Thus, the volatilization of the solvent contained in the coating liquid R can be suppressed, so that the viscosity of the coating liquid R can be kept substantially constant, and the leveling of the coating liquid R can be facilitated.

【0025】また、塗布液Rの供給とレベリングは、塗
布液Rに含まれる溶媒の雰囲気中で実施することが好ま
しい。このようにすると、塗布液Rに含まれる溶媒の揮
発を抑制できるので、塗布液Rの粘度をほぼ一定に保持
できる雰囲気を比較的容易に形成することができ、塗布
液Rのレベリングが容易にできるのである。
The supply and leveling of the coating liquid R are preferably performed in an atmosphere of a solvent contained in the coating liquid R. In this way, the volatilization of the solvent contained in the coating liquid R can be suppressed, so that an atmosphere in which the viscosity of the coating liquid R can be maintained substantially constant can be relatively easily formed, and the leveling of the coating liquid R can be easily performed. You can.

【0026】また、塗布液Rの飽和蒸気圧以上であっ
て、かつ塗布液Rに含まれる溶媒を満たした雰囲気中で
処理を施すようにしてもよい。
Further, the treatment may be performed in an atmosphere which is higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid R and which is filled with a solvent contained in the coating liquid R.

【0027】なお、塗布液Rは、必ずしも基板Sの表面
の全体にわたって供給する必要はない。つまり、基板W
の一部にのみ塗布液Rを供給しておき、その後に付与す
る進行波PWによって塗布液Rを基板Sの表面全体に拡
げながらレベリングを行うようにしてもよい。
It is not necessary to supply the coating liquid R over the entire surface of the substrate S. That is, the substrate W
The coating liquid R may be supplied to only a part of the substrate S, and the leveling may be performed while spreading the coating liquid R over the entire surface of the substrate S by the subsequently applied traveling wave PW.

【0028】<基板処理装置>次に、図2及び図3を参
照して、上述した基板処理方法を好適に実施可能な基板
処理装置の一実施例について説明する。なお、図2は、
基板処理装置の一実施例を示した縦断面図であり、図3
は、処理台1の斜視図である。
<Substrate Processing Apparatus> Next, with reference to FIGS. 2 and 3, an embodiment of a substrate processing apparatus capable of suitably executing the above-described substrate processing method will be described. In addition, FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of the substrate processing apparatus, and FIG.
2 is a perspective view of the processing table 1. FIG.

【0029】処理台1は、載置台3と基台5とを備え
る。載置台3は、上面にある載置面に矩形状の基板Sを
載置するものであり、載置面には複数個の吸着孔3aが
開口形成されている。また、各吸着孔3aには、吸引通
路3bが連通接続されており、図示しない吸引手段に接
続されている。したがって、吸引手段を作動させること
により、載置台3に載置された基板Sが吸着されて、基
板Sが保持されるようになっている。
The processing table 1 includes a mounting table 3 and a base 5. The mounting table 3 mounts a rectangular substrate S on a mounting surface on the upper surface, and has a plurality of suction holes 3a formed in the mounting surface. A suction passage 3b is connected to each suction hole 3a, and is connected to suction means (not shown). Therefore, by operating the suction means, the substrate S mounted on the mounting table 3 is sucked and the substrate S is held.

【0030】なお、上記の載置台3が本発明における保
持手段に相当する。
The mounting table 3 corresponds to the holding means in the present invention.

【0031】基台5は、載置台3の下部に配備されてい
る。その上部には、複数個の圧電素子7が埋設されてい
るとともに、それらの上部が載置台3の下面に当接する
ように取り付けられている。
The base 5 is provided below the mounting table 3. A plurality of piezoelectric elements 7 are buried in the upper part, and are mounted so that the upper parts thereof are in contact with the lower surface of the mounting table 3.

【0032】圧電素子7としては、例えば、PZT(Pb
Zr1-x Tix )が挙げられるが、その他にBaTiO3などが使
用可能である。図示は省略しているが、載置台3と基台
5とは縦方向に伸縮する引張コイルバネで互いに連結さ
れている。したがって、圧電素子7の微小振動(例え
ば、数μm程度)が効率的に伝達されるとともに、その
振動で載置台3が位置ずれを起こさないように構成して
ある。また、各圧電素子7の下部には、後述する信号を
付与するための配線9がそれぞれ接続されている。
As the piezoelectric element 7, for example, PZT (Pb
Zr 1-x Ti x ), but BaTiO 3 or the like can also be used. Although not shown, the mounting table 3 and the base 5 are connected to each other by a tension coil spring that expands and contracts in the vertical direction. Therefore, the micro vibration (for example, about several μm) of the piezoelectric element 7 is efficiently transmitted, and the mounting table 3 is configured not to cause a positional shift due to the vibration. Wirings 9 for applying signals to be described later are connected to the lower portions of the respective piezoelectric elements 7.

【0033】なお、圧電素子7が本発明における進行波
発生手段に相当する。
Incidentally, the piezoelectric element 7 corresponds to the traveling wave generating means in the present invention.

【0034】上記のように構成されている処理台1は、
処理雰囲気を一定に維持するための外容器11によって
覆われている。この外容器11は、基板Sを搬入・搬出
する際に開閉するシャッター(図示省略)を備えている
とともに、その上部には、インクジェット方式のノズル
であるインクジェットノズル13が配備されている。
The processing table 1 configured as described above
It is covered with an outer container 11 for maintaining a constant processing atmosphere. The outer container 11 includes a shutter (not shown) that opens and closes when the substrate S is loaded and unloaded, and an inkjet nozzle 13 that is an inkjet type nozzle is provided above the shutter.

【0035】インクジェットノズル13は、図示しない
モータに連動連結された螺軸15に螺合されており、螺
軸15に沿って図の左右方向に水平移動可能となってい
る。なお、インクジェットノズル13の内圧は、外容器
11の内圧よりも高くなるように設定し、外容器11の
雰囲気がノズル13内に流入するのを防止しておくこと
が好ましい。インクジェットノズル13の吐出部13a
と基板Sの表面とは離間しているが、圧力が印加された
塗布液が吐出面13aから吐出され、微小液滴とされた
塗布液が基板Sの表面に付着するようになっている。
The ink jet nozzle 13 is screwed to a screw shaft 15 linked to a motor (not shown), and is horizontally movable along the screw shaft 15 in the left-right direction in the figure. It is preferable that the internal pressure of the ink jet nozzle 13 is set to be higher than the internal pressure of the outer container 11 to prevent the atmosphere of the outer container 11 from flowing into the nozzle 13. Discharge unit 13a of inkjet nozzle 13
Although the substrate and the surface of the substrate S are separated from each other, the application liquid to which pressure is applied is discharged from the discharge surface 13a, and the coating liquid in the form of fine droplets adheres to the surface of the substrate S.

【0036】なお、インクジェットノズル13が本発明
における供給手段に相当する。
Incidentally, the ink jet nozzle 13 corresponds to the supply means in the present invention.

【0037】外容器11には、本発明の溶媒蒸気加圧手
段に相当する溶媒蒸気供給源17と、ドライN2 供給源
19とが連通接続されている。溶媒蒸気供給源17は、
インクジェットノズル13から吐出される塗布液に含ま
れる溶媒の蒸気を外容器11に供給する。また、単に蒸
気を供給するだけでなく、外容器11の雰囲気を塗布液
の飽和蒸気圧以上に加圧する機能も備えている。
The outer container 11 is connected to a solvent vapor supply source 17 corresponding to the solvent vapor pressurizing means of the present invention and a dry N 2 supply source 19. The solvent vapor supply source 17
The vapor of the solvent contained in the coating liquid discharged from the inkjet nozzle 13 is supplied to the outer container 11. In addition to the function of simply supplying steam, the function of pressurizing the atmosphere of the outer container 11 to be higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid is also provided.

【0038】ドライN2 供給源19は、外容器11の内
部を積極的に乾燥雰囲気にする。これにより、基板Sに
塗布されてレベリングされた塗布液を乾燥させて、基板
Sの表面に塗布被膜を形成する。
The dry N 2 supply source 19 positively brings the inside of the outer container 11 into a dry atmosphere. Thus, the coating liquid applied to the substrate S and leveled is dried to form a coating film on the surface of the substrate S.

【0039】上述した複数個の圧電素子7を結ぶ配線9
には、信号付与部21が接続されている。この信号付与
部21は、信号発生部23と、バイアス調整部25と、
スイッチング回路27とを備えている。
The wiring 9 connecting the plurality of piezoelectric elements 7 described above
Is connected to the signal providing unit 21. The signal providing unit 21 includes a signal generating unit 23, a bias adjusting unit 25,
And a switching circuit 27.

【0040】信号発生部23は、例えば、圧電素子7の
固有振動数に応じた周波数f1 の信号を制御部29の指
示に基づき出力する。周波数f1 は、例えば、700〜
1,000MHz程度である。
The signal generator 23 outputs a signal having a frequency f 1 corresponding to the natural frequency of the piezoelectric element 7 based on an instruction from the controller 29, for example. Frequency f 1 is, for example, 700
It is about 1,000 MHz.

【0041】バイアス調整部25は、信号発生部23に
付与するバイアス量を制御部29からの指示に基づく周
波数f2 で可変する。この周波数f2 は、例えば、周波
数f 1 の1/10程度であり、具体的には70〜100
Hz程度である。
The bias adjusting unit 25 controls the signal generating unit 23
The amount of bias to be applied is determined based on an instruction from the control unit 29.
Wave number fTwo To change. This frequency fTwo Is, for example,
Number f 1 About 1/10, specifically 70 to 100
Hz.

【0042】スイッチング回路27は、信号発生部23
からの出力を複数個の圧電素子7のうちいずれかに付与
するために、制御部29の指示に応じた所定の順序で出
力先を電気的に切り換える。
The switching circuit 27 includes a signal generator 23.
In order to apply the output from the control unit 29 to any one of the plurality of piezoelectric elements 7, the output destination is electrically switched in a predetermined order according to the instruction of the control unit 29.

【0043】基台5の各圧電素子7は、図4(a)の周
波数f1 の信号によって共振して微小振動を生じる。こ
の微小振動により載置台3が上下方向に波うつように弾
性変形して弾性表面波が生じる。また、周波数f1 の信
号は、図4(b)の周波数f 2 の信号と合成されるの
で、各圧電素子7は周波数f1 の信号によって微小振動
しながら周波数f2 の信号によって上下方向に微小振動
の位置が可変されてゆく。さらに、スイッチング回路2
7の作用により、載置台3に生じた弾性表面波は、一定
の方向に進行する進行波とされる。
Each piezoelectric element 7 of the base 5 has a peripheral
Wave number f1 Resonates with the signal of the above to generate minute vibration. This
When the mounting table 3 is waved up and down by the minute vibration of
Surface acoustic waves occur due to sexual deformation. Also, the frequency f1 No faith
The signal corresponds to the frequency f in FIG. Two Is synthesized with the signal of
And each piezoelectric element 7 has a frequency f1 Micro vibration by the signal of
While frequency fTwo Small vibration in the vertical direction by the signal of
Is being changed. Further, the switching circuit 2
7, the surface acoustic waves generated on the mounting table 3 are constant.
Traveling wave traveling in the direction of.

【0044】なお、進行波を減衰させないように効率よ
く利用するために、各圧電素子7の配置間隔を図3に示
すように設定するのが好ましい。
In order to efficiently use the traveling wave so as not to attenuate the traveling wave, it is preferable to set the arrangement intervals of the piezoelectric elements 7 as shown in FIG.

【0045】すなわち、配置間隔Lを、基板Sが共振す
る波長の1/4にするのである。例えば、周波数f1
38kHzであって基板Sがガラス基板である場合に
は、ガラス中の音波の速度を5000m/secとする
と、波長λ=約13cmとなるので配置間隔L=約3c
mとなる。
That is, the arrangement interval L is set to 1 / of the wavelength at which the substrate S resonates. For example, when the frequency f 1 is 38 kHz and the substrate S is a glass substrate, if the speed of the acoustic wave in the glass is 5000 m / sec, the wavelength λ = about 13 cm, so the arrangement interval L = about 3c
m.

【0046】次に、上述した構成の基板処理装置を用い
た基板の処理について説明する。
Next, processing of a substrate using the above-configured substrate processing apparatus will be described.

【0047】まず、図示しない基板搬送機構を用いて基
板Sを載置台3に載置する。そして、制御部29が溶媒
蒸気供給源17を制御して、外容器11内に溶媒蒸気を
供給するとともに、外容器11の内部を塗布液の飽和蒸
気圧以上になる圧力で一定に維持する。
First, the substrate S is mounted on the mounting table 3 using a substrate transport mechanism (not shown). Then, the control unit 29 controls the solvent vapor supply source 17 to supply the solvent vapor into the outer container 11 and maintain the inside of the outer container 11 at a pressure equal to or higher than the saturated vapor pressure of the application liquid.

【0048】基板Sが載置台3からずれないように、図
示しない吸引手段を作動させて吸引孔3aで基板Sの裏
面を吸着させ、次にインクジェットノズル13から塗布
液を吐出させつつ、基板Sの長手方向に移動させる。こ
れにより基板Sの表面全体には厚く塗布液Rが供給され
るが、上述したようにその表面には凹凸を含んでいる
(図1(a))。
The suction means (not shown) is operated so that the back surface of the substrate S is sucked by the suction holes 3 a so that the substrate S does not shift from the mounting table 3. In the longitudinal direction. As a result, the coating liquid R is supplied thickly over the entire surface of the substrate S, but as described above, the surface includes irregularities (FIG. 1A).

【0049】基板Sの表面全体に塗布液Rを塗布した後
は、予め決めておいた時間だけ信号付与部21を作動さ
せて、所定時間だけ基板Sに水平方向に向かう進行波を
生じさせる。これにより基板S上の塗布液Rが移動され
て拡げられ、一定の膜厚にレベリングされる(図1
(b),(c))。
After the application liquid R is applied to the entire surface of the substrate S, the signal applying section 21 is operated for a predetermined time to generate a traveling wave traveling in the horizontal direction on the substrate S for a predetermined time. Thereby, the coating liquid R on the substrate S is moved and spread, and is leveled to a constant film thickness (FIG. 1).
(B), (c)).

【0050】レベリングが完了すると、溶媒蒸気供給源
17を停止させるとともに、ドライN2 供給源19から
乾燥した窒素ガスを外容器11内に供給する。これによ
ってレベリングされた塗布液から溶媒を揮発させて塗布
被膜を形成することができる。
When the leveling is completed, the solvent vapor supply source 17 is stopped, and a dry nitrogen gas is supplied from the dry N 2 supply source 19 into the outer container 11. Thus, the solvent can be volatilized from the leveled coating liquid to form a coating film.

【0051】なお、窒素ガスを外容器11内に導入する
ことなく、溶媒蒸気供給源17を停止させた後に、信号
発生部23から周波数や振幅などを工夫した進行波を発
生させ、これによって溶媒だけを移動させて乾燥処理を
行うようにしてもよい。
After the solvent vapor supply source 17 is stopped without introducing nitrogen gas into the outer container 11, a traveling wave whose frequency and amplitude are devised is generated from the signal generating section 23, and thereby the solvent is supplied. May be moved to perform the drying process.

【0052】この後、別体のベーキング炉に基板Sを搬
送してベーク処理を行い、基板Sと塗布被膜の密着性を
高めることが好ましい。
Thereafter, it is preferable that the substrate S is transported to a separate baking furnace to perform a baking process to enhance the adhesion between the substrate S and the coating film.

【0053】このように進行波を発生させると、基板S
の表面に供給された塗布液がその方向に拡げられて塗布
液がレベリングされるので、基板Sにストレスを与える
ことなく塗布被膜を形成できる。また、外容器11内を
塗布液の飽和蒸気圧以上の加圧雰囲気にしておくことに
より、塗布液に含まれる溶媒の揮発を抑制できるので、
塗布液の粘度をほぼ一定のままに保持でき、塗布液のレ
ベリングが容易にできるようになっている。また、同時
に外容器11内を塗布液の溶媒雰囲気にすることによ
り、塗布液に含まれる溶媒の揮発を抑制でき、塗布液の
粘度をほぼ一定に保持できる雰囲気を比較的容易に形成
することができつつも、塗布液のレベリングが容易にで
きる。
When the traveling wave is generated as described above, the substrate S
The coating liquid supplied to the surface of the substrate S is spread in that direction, and the coating liquid is leveled, so that a coating film can be formed without applying stress to the substrate S. Further, by setting the inside of the outer container 11 to a pressurized atmosphere that is equal to or higher than the saturated vapor pressure of the coating liquid, volatilization of the solvent contained in the coating liquid can be suppressed.
The viscosity of the coating liquid can be kept almost constant, and the leveling of the coating liquid can be easily performed. At the same time, by setting the inside of the outer container 11 to the solvent atmosphere of the coating liquid, the volatilization of the solvent contained in the coating liquid can be suppressed, and the atmosphere in which the viscosity of the coating liquid can be kept almost constant can be formed relatively easily. While it is possible, the leveling of the coating solution can be facilitated.

【0054】なお、上記の構成では、インクジェットノ
ズル13を備えているが、これに代えてスピンコーティ
ングで使用される通常のノズルやスリットノズルを備え
た装置であっても同様の効果を得ることが可能である。
また、低速のスピンコーティングにより基板の表面全体
に塗布液を塗り拡げた後に、上述した方法でレベリング
を行うようにしてもよい。
In the above configuration, the ink jet nozzle 13 is provided, but the same effect can be obtained by an apparatus having a normal nozzle or a slit nozzle used in spin coating instead. It is possible.
Alternatively, the leveling may be performed by the above-described method after the application liquid is spread over the entire surface of the substrate by low-speed spin coating.

【0055】また、上述したように基板Sの表面全体に
塗布液を塗布した後に進行波でレベリングするのではな
く、図5(a)に示すように基板Sの一端側に塗布液を
盛っておき、図5(b)に示すようにそれを進行波で移
動させて基板Sの表面全体に塗布液を塗り拡げるととも
に、レベリングを行うようにしてもよい。
Instead of applying the coating liquid to the entire surface of the substrate S as described above and then leveling with a traveling wave, the coating liquid is applied to one end of the substrate S as shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 5 (b), it may be moved by a traveling wave to spread the coating liquid over the entire surface of the substrate S and to perform leveling.

【0056】また、上記の構成では、圧電素子7を比較
的密に複数個配設して進行波を発生させているが、基台
5の両端部にのみ圧電素子7を配備し、これらを加振用
と吸振用に用いて載置台3と基板Sに進行波を発生させ
るようにしてもよい。
Further, in the above configuration, a plurality of piezoelectric elements 7 are arranged relatively densely to generate traveling waves, but the piezoelectric elements 7 are provided only at both ends of the base 5 and A traveling wave may be generated on the mounting table 3 and the substrate S for vibration and vibration absorption.

【0057】なお、圧電素子7としては、共振を利用し
て効率的な振動が可能なランジュバン振動子を用いるの
が好ましい。
As the piezoelectric element 7, it is preferable to use a Langevin vibrator that can efficiently vibrate using resonance.

【0058】また、溶媒蒸気供給源17による加圧雰囲
気と蒸気雰囲気の形成は必須ではなく、塗布液の種類な
どによってはこれらの雰囲気を形成する必要はなく、溶
媒蒸気供給源17の構成は不要である。
The formation of the pressurized atmosphere and the vapor atmosphere by the solvent vapor supply source 17 is not essential. Depending on the type of the coating liquid, it is not necessary to form these atmospheres, and the structure of the solvent vapor supply source 17 is unnecessary. It is.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の方法発明によれば、進行波を発生させると、
基板の表面に供給された塗布液がその方向に移動されて
拡げられ、塗布液がレベリングされる。したがって、基
板にストレスを与えることなく塗布被膜を形成すること
ができる。
As is apparent from the above description, according to the method of the first aspect, when a traveling wave is generated,
The coating liquid supplied to the surface of the substrate is moved in the direction and spread, and the coating liquid is leveled. Therefore, a coating film can be formed without applying stress to the substrate.

【0060】また、請求項2に記載の方法発明によれ
ば、飽和蒸気圧以上の加圧雰囲気により、塗布液に含ま
れる溶媒の揮発を抑制できる。したがって、塗布液の粘
度をほぼ一定のままに保持できるので、塗布液のレベリ
ングが容易にできる。
According to the second aspect of the present invention, the volatilization of the solvent contained in the coating solution can be suppressed by the pressurized atmosphere having a saturated vapor pressure or higher. Therefore, since the viscosity of the coating liquid can be kept substantially constant, leveling of the coating liquid can be easily performed.

【0061】また、請求項3に記載の方法発明によれ
ば、塗布液の溶媒雰囲気により、塗布液に含まれる溶媒
の揮発を抑制できる。したがって、塗布液の粘度をほぼ
一定に保持できる雰囲気を比較的容易に形成することが
でき、塗布液のレベリングが容易にできる。
According to the third aspect of the present invention, the volatilization of the solvent contained in the coating liquid can be suppressed by the solvent atmosphere of the coating liquid. Therefore, an atmosphere in which the viscosity of the coating liquid can be maintained substantially constant can be relatively easily formed, and leveling of the coating liquid can be easily performed.

【0062】また、請求項4に記載の装置発明によれ
ば、請求項1に記載の方法発明を好適に実施することが
できる。
Further, according to the apparatus invention described in claim 4, the method invention described in claim 1 can be suitably implemented.

【0063】また、請求項5に記載の装置発明によれ
ば、請求項2に記載の方法発明を好適に実施することが
できる。
According to the apparatus described in claim 5, the method described in claim 2 can be suitably implemented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(c)は塗布液が供給された基板を一
部拡大した模式図である。
FIGS. 1A to 1C are schematic diagrams in which a substrate to which a coating liquid is supplied is partially enlarged.

【図2】基板処理装置の一実施例を示した縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of the substrate processing apparatus.

【図3】処理台の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a processing table.

【図4】(a),(b)は信号付与部から出力される信
号のプロファイルを示す図である。
FIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating profiles of signals output from a signal providing unit.

【図5】(a),(b)は塗布液の供給形態について他
の例を説明する図である。
FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating another example of a supply form of a coating liquid.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S … 基板 R … 塗布液 SAW … 弾性表面波 PW … 進行波 1 … 処理台 3 … 載置台(支持手段) 3a … 吸着孔(吸着手段) 5 … 基台 7 … 圧電素子(進行波発生手段) 13 … インクジェットノズル(供給手段) 21 … 信号付与部 29 … 制御部 S: substrate R: coating liquid SAW: surface acoustic wave PW: traveling wave 1: processing table 3: mounting table (supporting means) 3a: suction hole (adsorption means) 5: base 7: piezoelectric element (traveling wave generating means) 13 ... Inkjet nozzle (supplying means) 21 ... Signal application unit 29 ... Control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA00 AA18 AB13 AB14 AB15 AB16 AB17 EA04 4D075 BB12Z BB56Z BB69Z CA48 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA45 4F042 AA02 AA07 AA10 DC03 DD02 DD41 5F046 JA02 JA09 JA16 JA27  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F term (reference) 2H025 AA00 AA18 AB13 AB14 AB15 AB16 AB17 EA04 4D075 BB12Z BB56Z BB69Z CA48 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA45 4F042 AA02 AA07 AA10 DC03 DD02 DD41 5F046 JA02 JA09 JA16 JA27

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に塗布液の被膜を形成する基
板処理方法において、 基板の表面に供給された塗布液を進行波により拡げてレ
ベリングすることにより被膜を形成することを特徴とす
る基板処理方法。
1. A substrate processing method for forming a coating of a coating liquid on a surface of a substrate, wherein the coating is formed by spreading and leveling the coating liquid supplied to the surface of the substrate by a traveling wave. Processing method.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理方法におい
て、 塗布液の供給及びレベリングは、塗布液の飽和蒸気圧以
上に加圧した雰囲気中で実施されることを特徴とする基
板処理方法。
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the supply and the leveling of the coating liquid are performed in an atmosphere pressurized to a saturation vapor pressure of the coating liquid or higher.
【請求項3】 請求項1または2に記載の基板処理方法
において、 塗布液の供給及びレベリングは、塗布液に含まれる溶媒
と同じ雰囲気中で実施されることを特徴とする基板処理
方法。
3. The substrate processing method according to claim 1, wherein the supply and the leveling of the coating liquid are performed in the same atmosphere as the solvent contained in the coating liquid.
【請求項4】 基板の表面に塗布液の被膜を形成する基
板処理装置において、 基板をほぼ水平姿勢で保持する保持手段と、 基板に塗布液を供給する供給手段と、 基板に進行波を生じさせる進行波発生手段とを備え、 前記進行波発生手段によって進行波を発生させることに
より、前記供給手段から基板の表面に供給された塗布液
を基板の表面に拡げてレベリングすることにより被膜を
形成することを特徴とする基板処理装置。
4. A substrate processing apparatus for forming a coating film of a coating liquid on a surface of a substrate, comprising: holding means for holding the substrate in a substantially horizontal posture; supply means for supplying the coating liquid to the substrate; Forming a coating by spreading the coating liquid supplied from the supply unit to the surface of the substrate and leveling the coating liquid by generating the traveling wave by the traveling wave generating unit. A substrate processing apparatus.
【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
て、 前記保持手段を収容する外容器と、 前記外容器内を塗布液の飽和蒸気圧以上に加圧する溶媒
蒸気加圧手段とをさらに備えていることを特徴とする基
板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising: an outer container accommodating the holding unit; and a solvent vapor pressurizing unit configured to pressurize the inside of the outer container to a pressure equal to or higher than a saturated vapor pressure of the application liquid. A substrate processing apparatus.
JP2001071794A 2001-03-14 2001-03-14 Substrate treating method and apparatus therefor Pending JP2002270495A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001071794A JP2002270495A (en) 2001-03-14 2001-03-14 Substrate treating method and apparatus therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001071794A JP2002270495A (en) 2001-03-14 2001-03-14 Substrate treating method and apparatus therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002270495A true JP2002270495A (en) 2002-09-20

Family

ID=18929471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001071794A Pending JP2002270495A (en) 2001-03-14 2001-03-14 Substrate treating method and apparatus therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002270495A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005131497A (en) * 2003-10-29 2005-05-26 Seiko Epson Corp Method and apparatus for forming film, method and apparatus for manufacturing device, device, and electronic equipment
US7903203B2 (en) 2004-03-15 2011-03-08 Fuji Xerox Co., Ltd. Liquid crystal display element and manufacturing method thereof
JP2012507880A (en) * 2008-11-04 2012-03-29 コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズ Apparatus for forming surface pattern of fluid and method for forming the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005131497A (en) * 2003-10-29 2005-05-26 Seiko Epson Corp Method and apparatus for forming film, method and apparatus for manufacturing device, device, and electronic equipment
CN100349049C (en) * 2003-10-29 2007-11-14 精工爱普生株式会社 Film forming method, film forming machine, device manufacturing method, apparatus and electronic equipment
US7903203B2 (en) 2004-03-15 2011-03-08 Fuji Xerox Co., Ltd. Liquid crystal display element and manufacturing method thereof
JP2012507880A (en) * 2008-11-04 2012-03-29 コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・マテリアルズ Apparatus for forming surface pattern of fluid and method for forming the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101373706B (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP5839523B2 (en) Single wafer etching system
KR20070117919A (en) Priming roller cleaning unit and method, and substrate coating apparatus with the cleaner
US6551765B1 (en) Coating apparatus, discharge device, and coating method
JP2002270495A (en) Substrate treating method and apparatus therefor
JP2003517917A (en) Improved object drying and cleaning process using controlled spray and gas quality
JP2004298787A (en) Plotting system, electro-optical apparatus and electronic equipment
JP4602699B2 (en) Spray coating apparatus and spray coating method
JP2009170709A (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2004039843A (en) Apparatus and method for cleaning substrate
JP3093185B2 (en) Semiconductor device film forming method and film forming apparatus
JP3558484B2 (en) Substrate cleaning device
WO2006051900A1 (en) Organic layer forming method and organic layer forming apparatus
JPH0314230A (en) Cleaning of semiconductor wafer and device therefor
JP2006007135A (en) Method for forming layer and wiring substrate
JP2006007163A (en) Spray coating apparatus and spray coating method using it
JP6542613B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2002086068A (en) Ultrasonic vibration unit, ultrasonic cleaner, and ultrasonic cleaning method
JP2003164785A (en) Method and apparatus for coating
JP3706228B2 (en) Development processing method
JPH076991A (en) Method and device of cleaning substrate
JPS63180470A (en) Method for bonding wafer
JP2002014297A (en) Galvano mirror
JP2004298842A (en) Thin film pattern formation apparatus, thin film pattern formation method, program, electro-optical apparatus, and electronic appliance
JP2003276182A (en) Liquid drop ejection apparatus, method of ejecting liquid drop, device manufacturing machine, method of manufacturing device, and device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050816

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050926

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060606

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060725

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20060808

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061101

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20061208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070215