JP2002270485A - Processing apparatus and temperature control system - Google Patents

Processing apparatus and temperature control system

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JP2002270485A JP2001065441A JP2001065441A JP2002270485A JP 2002270485 A JP2002270485 A JP 2002270485A JP 2001065441 A JP2001065441 A JP 2001065441A JP 2001065441 A JP2001065441 A JP 2001065441A JP 2002270485 A JP2002270485 A JP 2002270485A
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恭満 山口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus that is simplified in a structure and improved in operability and management by reducing the number of pipes and the number of wirings. SOLUTION: A resist applying and developing system 100 of the processing apparatus has developing units (DEV) 24a to 24c, a cooling unit (COL) for cooling a substrate G subjected to a developing process after a heat treatment, and temperature control heads 53a to 53c for circulating temperature control water between the developing units (DEV) 24a to 24c and the cooling unit (COL) and between them and a chiller 52. The independent control of the temperature control heads 53a to 53c and the chiller 52 can reduce the number of wiring for controlling and the number of pipes for flowing the temperature control water and thus improve assembling ability and controllability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置(LCD)用ガラス基板等に洗浄処理やレジスト塗
布処理または現像処理等の所定の液処理を施し、このよ
うな液処理が行われた後の基板に所定の熱的処理を施す
処理装置と処理装置に用いられる温調システムに関す
る。
The present invention relates to a liquid crystal display (LCD) glass substrate or the like which is subjected to a predetermined liquid treatment such as a cleaning treatment, a resist coating treatment or a development treatment, and the liquid treatment is performed. The present invention relates to a processing apparatus for performing a predetermined thermal processing on a substrate after the processing and a temperature control system used for the processing apparatus.

【従来の技術】[Prior art]

【0002】例えば、液晶ディスプレイ(LCD)の製
造においては、ガラス製の矩形基板にフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンに
てレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィ技術により所定の回路パター
ンが形成される。
For example, in the manufacture of a liquid crystal display (LCD), a photoresist liquid is applied to a glass rectangular substrate to form a resist film, the resist film is exposed in a predetermined circuit pattern, and this is developed. That is, a predetermined circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique.

【0003】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質が行われた後、洗浄ユニットにおいてブラシ洗
浄および超音波水洗浄等の洗浄処理が施される。その
後、基板はレジストの安定性を高めるために、アドヒー
ジョン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)さ
れる。この疎水化処理は加熱処理であるため、次にレジ
スト塗布ユニットにて基板にレジスト塗布を行う前に、
基板は、一旦、冷却ユニットにおいて所定温度まで冷却
される。この冷却された基板にレジスト膜を塗布して加
熱ユニットにおいてプリベーク処理を施し、所定温度に
冷却して露光装置に基板を搬送する。露光装置において
所定の回路パターンが露光された基板は、現像ユニット
において現像処理された後に加熱ユニットにおいてポス
トベーク処理され、次いで所定温度に冷却される。こう
して基板に所定の回路パターンが形成される。
The formation of such a circuit pattern is performed using a resist coating / developing processing system in which a plurality of processing units are integrated. In such a system, first, the surface of the substrate is modified by irradiating ultraviolet rays as necessary, and then the cleaning unit performs a cleaning process such as brush cleaning and ultrasonic water cleaning. Thereafter, the substrate is subjected to a hydrophobic treatment (HMDS treatment) in an adhesion treatment unit in order to enhance the stability of the resist. Since this hydrophobizing treatment is a heating treatment, before the resist is applied to the substrate by the resist applying unit,
The substrate is once cooled to a predetermined temperature in the cooling unit. A resist film is applied to the cooled substrate, prebaked in a heating unit, cooled to a predetermined temperature, and transferred to an exposure apparatus. The substrate on which the predetermined circuit pattern is exposed in the exposure apparatus is subjected to a post-baking process in a heating unit after being developed in a developing unit, and then cooled to a predetermined temperature. Thus, a predetermined circuit pattern is formed on the substrate.

【0004】このように、洗浄処理やレジスト塗布処
理、現像処理といった所定の液処理の後には、基板は所
定の加熱処理と加熱処理後の冷却処理を経た後に、次工
程を行うユニットへと搬送され、処理される。ここで、
例えば、加熱処理後の基板を所定温度に冷却する冷却ユ
ニットとしては、基板を載置する冷却プレート内部に所
定の温度に調節された冷却水を循環させる水冷ジャケッ
ト構造とすることで、冷却プレートの温度を所定温度に
保持する構造のものが用いられる。また、レジスト塗布
処理等に用いられる各種の処理液は、所定の温度に保持
された状態で基板へ供給されることが好ましく、このた
め、例えば、処理液を吐出する吐出ヘッド等をジャケッ
ト構造として吐出ヘッドに所定温度に調節された水(以
下「温調水」という)を供給して循環させ、処理液の温
度を所定温度に保持するものが用いられている。
As described above, after a predetermined liquid treatment such as a cleaning process, a resist coating process, and a development process, the substrate is subjected to a predetermined heating process and a cooling process after the heating process, and then transported to a unit for performing the next process. And processed. here,
For example, as a cooling unit that cools the substrate after the heat treatment to a predetermined temperature, a water cooling jacket structure that circulates cooling water adjusted to a predetermined temperature inside the cooling plate on which the substrate is mounted, so that the cooling plate A structure having a structure for maintaining the temperature at a predetermined temperature is used. Further, it is preferable that various processing liquids used for the resist coating processing or the like are supplied to the substrate while being maintained at a predetermined temperature. For this reason, for example, a discharge head or the like that discharges the processing liquid has a jacket structure. Water that is adjusted to a predetermined temperature (hereinafter referred to as “temperature-regulated water”) is supplied to the discharge head and circulated to maintain the temperature of the processing liquid at the predetermined temperature.

【0005】このような冷却ユニットや吐出ヘッド等に
供給される温調水を調整するための温調システムの構成
例を図4の説明図に示す。この温調システム80は、循
環させる水の温度を所定の低温に調節するチラー(一次
温調部)81と、冷却プレート83や吐出ヘッド84等
に送液する水を所定温度に調節する複数の温調ヘッド
(温調循環装置;二次温調部)82とを有している。
FIG. 4 shows an example of the configuration of a temperature control system for adjusting the temperature control water supplied to such a cooling unit or a discharge head. This temperature control system 80 includes a chiller (primary temperature control unit) 81 for adjusting the temperature of the circulating water to a predetermined low temperature and a plurality of water chillers for adjusting the water supplied to the cooling plate 83 and the discharge head 84 to a predetermined temperature. And a temperature control head (temperature control circulating device; secondary temperature control unit) 82.

【0006】チラー81においては、所定の低温の温調
水(一次温調水)が調製され、温調ヘッド82では一次
温調水よりも温度の高い温調水(二次温調水)が調整さ
れる。具体的には、チラー81は所定量の一次温調水を
温調ヘッド82へ送液して、温調ヘッド82から同量の
二次温調水を回収するように温調水の循環を行うが、こ
の一次温調水は、温調ヘッド82から戻された二次温調
水を冷却することによって調製される。また、温調ヘッ
ド82は冷却プレート83等との間で所定量の二次温調
水の循環を行うが、この二次温調水は、チラー81から
送液された温度の低い一次温調水と冷却プレート83等
から戻された温められた二次温調水とを混合し、内蔵す
るヒータ等を用いてこの混合水を加熱することで調製さ
れる。ここで、チラー81と温調ヘッド82における一
次温調水と二次温調水の温度制御と流量制御は、チラー
81に備えられた制御装置85により行われていた。ま
た、温調ヘッド82の動作電源として、チラー81に備
えられた電源86を用いていた。
In the chiller 81, predetermined low-temperature water (primary temperature water) is prepared, and in the temperature control head 82, temperature-control water (second temperature water) having a higher temperature than the primary temperature water is prepared. Adjusted. More specifically, the chiller 81 sends a predetermined amount of the primary temperature control water to the temperature control head 82, and circulates the temperature control water so that the same amount of the secondary temperature control water is collected from the temperature control head 82. In practice, the primary temperature control water is prepared by cooling the secondary temperature control water returned from the temperature control head 82. The temperature control head 82 circulates a predetermined amount of secondary temperature control water with the cooling plate 83 and the like, and the secondary temperature control water is supplied from the chiller 81 and has a low temperature. It is prepared by mixing water and the warmed secondary temperature adjusted water returned from the cooling plate 83 and the like, and heating the mixed water using a built-in heater or the like. Here, the temperature control and the flow rate control of the primary temperature control water and the secondary temperature control water in the chiller 81 and the temperature control head 82 have been performed by the control device 85 provided in the chiller 81. Further, a power supply 86 provided in the chiller 81 was used as an operation power supply for the temperature control head 82.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、温調シ
ステム80のように、一体のチラー81に複数の温調ヘ
ッド82を接続した場合には、一次温調水を循環させる
ための配管数や温調ヘッド82の制御のための配線数、
電源ケーブルの配線数が多くなって装置構造が煩雑化
し、多くの配管スペースを必要とするといった問題があ
った。また、この場合には、装置の組立やメンテナンス
時の作業性が悪くなり、配線を間違って接続する等の事
故が発生するおそれもあった。さらに、温調ヘッド82
は個々に構造や仕様が異なる場合があり、このような複
数の温調ヘッド82の制御をチラー81に備えられた制
御装置85で行う場合には、制御装置85の管理工数が
多くなり、また、管理ミスを誘発しかねない問題があっ
た。
However, when a plurality of temperature control heads 82 are connected to an integrated chiller 81 as in a temperature control system 80, the number of pipes for circulating the primary temperature control water and the temperature are controlled. Number of wires for controlling the tuning head 82,
There is a problem in that the number of wirings of the power cable increases, the structure of the device becomes complicated, and a large amount of piping space is required. In this case, workability during assembly and maintenance of the device is deteriorated, and there is a possibility that an accident such as incorrect connection of wiring may occur. Further, the temperature control head 82
May have different structures and specifications, and when such a plurality of temperature control heads 82 are controlled by the control device 85 provided in the chiller 81, the number of management steps of the control device 85 increases, and There was a problem that could lead to management mistakes.

【0008】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、配管数や配線数を低減して
構造を簡単なものとした処理装置を提供することを目的
とする。また本発明は、制御系を見直すことで操作性や
管理性を改善した処理装置を提供することを目的とす
る。さらに、本発明は、これらの処理装置に適用される
温調システムを提供することを目的とする。
[0008] The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and has as its object to provide a processing apparatus having a simplified structure by reducing the number of pipes and wirings. . Another object of the present invention is to provide a processing apparatus in which operability and manageability are improved by reviewing a control system. Further, another object of the present invention is to provide a temperature control system applied to these processing apparatuses.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は第1
発明として、複数の処理ユニットを備えた処理装置であ
って、前記複数の処理ユニットに温調媒体を供給して各
処理ユニットに対して所定の温調を行う温調システムを
具備し、前記温調システムは、前記複数の処理ユニット
へ送液する温調媒体を所定温度に調節し、前記複数の処
理ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環する第1の
温調循環装置と、前記第1の温調循環装置へ送液する温
調媒体を一定温度に調節し、前記第1の温調循環装置と
の間で所定量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置
と、前記第1の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う第1の制御装置と、前記第2の
温調循環装置における温調媒体の温度制御および流量制
御を行う前記第1の制御装置とは別体で設けられた第2
の制御装置と、を有することを特徴とする処理装置、を
提供する。
That is, the present invention provides the first aspect.
According to the present invention, there is provided a processing apparatus including a plurality of processing units, comprising a temperature control system for supplying a temperature control medium to the plurality of processing units and performing a predetermined temperature control on each processing unit. A first temperature adjustment circulating device that adjusts a temperature adjustment medium to be sent to the plurality of processing units to a predetermined temperature, and circulates a predetermined amount of the temperature adjustment medium between the plurality of processing units; A second temperature control circulating device that adjusts a temperature control medium to be sent to the first temperature control circulating device to a constant temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium with the first temperature control circulating device; A first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the first temperature control circulating device; and a temperature control and flow rate control for the temperature control medium in the second temperature control circulating device. The second control device is provided separately from the first control device.
And a control device.

【0010】本発明は第2発明として、被処理体に対し
て液処理と液処理後の熱的処理を行う処理装置であっ
て、被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニッ
トと、被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行
うことで被処理体に所定の熱的処理を施す熱的処理ユニ
ットと、前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環させる温調媒体循環装置と、を具備し、前記温
調媒体循環装置は、前記熱的処理ユニットへ送液する温
調媒体を所定温度に調節し、前記熱的処理ユニットとの
間で所定量の温調媒体を循環する第1の温調循環装置
と、前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定
温度に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定量
の温調媒体を循環する第2の温調循環装置と、前記第1
の温調循環装置における温調媒体の温度制御および流量
制御を行う第1の制御装置と、前記第2の温調循環装置
における温調媒体の温度制御および流量制御を行う前記
第1の制御装置とは別体で設けられた第2の制御装置
と、を有することを特徴とする処理装置、を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a liquid treatment on a workpiece and a thermal treatment after the liquid processing, and a liquid processing unit for performing a predetermined liquid processing on the workpiece. A thermal processing unit for performing a predetermined thermal process on the processing object by performing heat exchange between the processing object and the thermal processing medium, and a predetermined amount of temperature between the thermal processing unit and the thermal processing unit. A temperature control medium circulating device for circulating the temperature control medium, wherein the temperature control medium circulating device adjusts the temperature control medium to be sent to the thermal processing unit to a predetermined temperature, and A first temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of temperature control medium between the first temperature control circulating device and a first temperature control circulating device that controls a temperature control medium to be sent to the first temperature control circulating device to a constant temperature; A second temperature control circulating device for circulating a predetermined amount of temperature control medium between
A first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the temperature control circulating device, and a first control device for controlling the temperature control and flow rate of the temperature control medium in the second temperature control circulating device And a second control device provided separately from the second control device.

【0011】本発明は第3発明として、被処理体に対し
て所定の液処理を行う処理装置であって、被処理体に対
して所定の液処理を施す液処理ユニットと、前記液処理
ユニットにおいて用いられる処理液との間での熱交換を
温調媒体によって行うことで処理液を所定温度に保持す
る処理液温調装置と、前記処理液温調装置との間で所定
量の温調媒体を循環させる温調媒体循環装置と、を具備
し、前記温調媒体循環装置は、前記処理液温調装置へ送
液する温調媒体を所定温度に調節し、前記処理液温調装
置との間で所定量の温調媒体を循環する第1の温調循環
装置と、前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を
一定温度に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所
定量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置と、前記
第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う第1の制御装置と、前記第2の温調循環
装置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う
前記第1の制御装置とは別体で設けられた第2の制御装
置と、を有することを特徴とする処理装置、を提供す
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on an object, a liquid processing unit for performing a predetermined liquid processing on the object, and the liquid processing unit. A predetermined amount of temperature control between the processing liquid temperature control device and the processing liquid temperature control device that maintains the processing liquid at a predetermined temperature by performing heat exchange with the processing liquid used in the process using a temperature control medium. A temperature control medium circulating device for circulating a medium, wherein the temperature control medium circulating device adjusts the temperature control medium to be sent to the processing liquid temperature control device to a predetermined temperature, and the processing liquid temperature control device and A first temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of temperature control medium between the first temperature control circulating device and the first temperature control circulating device that controls the temperature control medium to be sent to the first temperature control circulating device to a constant temperature; A second temperature control circulating device for circulating a predetermined amount of temperature control medium between the first temperature control circulating device and the first temperature control circulating device; The first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the above and the first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the second temperature control circulating device are separate bodies. And a second control device provided.

【0012】本発明は第4発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温
度に調節された処理液を用いて被処理体に対して所定の
液処理を施す液処理ユニットと、液処理後の被処理体に
所定の加熱処理を施す加熱ユニットと、加熱処理後の被
処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
被処理体を冷却する冷却ユニットと、前記液処理ユニッ
トに送液する温調媒体を所定温度に調節し、前記液処理
ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環させる第1の
温調循環装置と、前記冷却ユニットに送液する温調媒体
を所定温度に調節し、前記冷却ユニットとの間で所定量
の温調媒体を循環させる第2の温調循環装置と、前記第
1の温調循環装置および第2の温調循環装置に送液する
温調媒体を一定温度に調節し、前記第1の温調循環装置
および第2の温調循環装置との間で所定量の温調媒体を
循環させる第3の温調循環装置と、前記第1の温調循環
装置および第2の温調循環装置におけるそれぞれの温調
媒体の温度制御および流量制御を行う第1の制御装置
と、前記第3の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で
設けられた第2の制御装置と、を具備することを特徴と
する処理装置、を提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a liquid treatment and a thermal treatment after the liquid treatment on an object to be processed, wherein a predetermined temperature is obtained by performing heat exchange with a temperature control medium. A liquid processing unit for performing a predetermined liquid processing on the object to be processed using the processing liquid adjusted to a predetermined temperature, a heating unit for performing a predetermined heating process on the object to be processed after the liquid processing, and a processing unit after the heat processing. A cooling unit that cools the object to be processed by performing heat exchange with the body by using a temperature control medium, and a temperature control medium that is sent to the liquid processing unit is adjusted to a predetermined temperature, and the liquid processing unit A first temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of temperature control medium between the first temperature control medium and a temperature control medium to be sent to the cooling unit to a predetermined temperature; Temperature circulating device for circulating water and the first temperature circulating device And adjusting the temperature control medium to be sent to the second temperature control circulating device to a constant temperature, and circulating a predetermined amount of the temperature control medium between the first temperature control circulating device and the second temperature control circulating device. A third temperature control circulating device, a first control device performing temperature control and flow rate control of each temperature control medium in the first temperature control circulating device and the second temperature control circulating device, and the third temperature controlling circulating device; A second control device provided separately from the first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the temperature control circulating device. provide.

【0013】本発明は第5発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニ
ットと、前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施
された被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行
うことで被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処
理ユニットと、前記複数の熱的処理ユニットの個々に対
して設けられ、対応する熱的処理ユニットへ送液する温
調媒体を所定温度に調節して熱的処理ユニットとの間で
所定量の温調媒体を循環する複数の第1の温調循環装置
と、前記複数の第1の温調循環装置へ送液する温調媒体
を一定温度に調節し、前記複数の第1の温調循環装置と
の間で所定量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置
と、前記複数の第1の温調循環装置における温調媒体の
温度制御および流量制御を行う第1の制御装置と、前記
第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設けられ
た第2の制御装置と、を具備することを特徴とする処理
装置、を提供する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a liquid treatment and a thermal treatment after the liquid treatment on a processing target, and a liquid processing unit for performing a predetermined liquid processing on the processing target. And a plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on the object by performing heat exchange with the object to be processed on which the predetermined liquid processing has been performed in the liquid processing unit by using a temperature control medium. A temperature control medium provided for each of the plurality of thermal processing units and sent to the corresponding thermal processing unit to a predetermined temperature to control a predetermined amount of temperature control with the thermal processing unit. A plurality of first temperature control circulating devices for circulating a medium, and adjusting the temperature control medium to be sent to the plurality of first temperature control circulating devices to a constant temperature; A second temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of the temperature control medium between A first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the temperature control circulating device, and a first control device for controlling the temperature control and flow rate of the temperature control medium in the second temperature control circulating device And a second control device provided separately from the second control device.

【0014】本発明は第6発明として、被処理体に対し
て液処理および液処理後の熱的処理を行う処理装置であ
って、温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温
度に調節された処理液を用いて被処理体に対して所定の
液処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニットに
おいて所定の液処理が施された被処理体との間での熱交
換を温調媒体によって行うことで被処理体に所定の熱的
処理を施す複数の熱的処理ユニットと、前記液処理ユニ
ットおよび前記複数の熱的処理ユニットの個々に対して
設けられ、対応する液処理ユニットまたは熱的処理ユニ
ットへ送液する温調媒体を所定温度に調節して液処理ユ
ニットまたは熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環する複数の第1の温調循環装置と、前記複数の
第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御および
流量制御を行う第1の制御装置と、を有する複数の温度
制御ブロック、および、前記複数の温度制御ブロックに
おける第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温
度に調節して前記複数の第1の温調循環装置との間で所
定量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置、ならび
に、前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制
御および流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で
設けられた第2の制御装置、を具備することを特徴とす
る処理装置、を提供する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a liquid treatment and a thermal treatment after the liquid treatment on an object to be processed, wherein a predetermined temperature is obtained by performing heat exchange with a temperature control medium. The heat exchange between the liquid processing unit that performs the predetermined liquid processing on the object to be processed using the processing liquid adjusted to the above and the object that has been subjected to the predetermined liquid processing in the liquid processing unit is performed. A plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on the object to be processed by performing with a temperature control medium; and a corresponding liquid processing unit provided for each of the liquid processing unit and the plurality of thermal processing units. A plurality of first temperature control circulating devices for controlling a temperature control medium to be sent to the unit or the thermal processing unit to a predetermined temperature and circulating a predetermined amount of the temperature control medium between the liquid processing unit and the thermal processing unit; And the plurality of first temperature control circulating devices A first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the temperature control block, and a temperature control medium for sending liquid to the first temperature control circulation device in the plurality of temperature control blocks A second temperature adjustment circulating device that adjusts the temperature to a constant temperature and circulates a predetermined amount of a temperature adjustment medium between the plurality of first temperature adjustment circulating devices, and a temperature in the second temperature adjustment circulating device. A processing device, comprising: a second control device provided separately from the first control device for performing temperature control and flow rate control of a conditioning medium.

【0015】本発明は第7発明として、被処理体に対し
て洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の
処理を行う処理装置であって、被処理体の洗浄処理を行
う洗浄ユニットと、被処理体に所定のレジスト液を塗布
するレジスト塗布ユニットと、露光後の被処理体に所定
の現像処理を施す現像ユニットと、前記洗浄ユニットも
しくは前記レジスト塗布ユニットまたは前記現像ユニッ
トにおいて処理された被処理体に対して所定の加熱処理
を施す複数の加熱ユニットと、前記複数の加熱ユニット
において処理された被処理体に対して、被処理体との間
での熱交換を温調媒体によって行うことで被処理体を所
定温度に冷却する複数の冷却ユニットと、前記複数の冷
却ユニットの個々に対して、送液する温調媒体を所定温
度に調節して対応する冷却ユニットとの間で所定量の温
調媒体を循環する複数の第1の温調循環装置と、前記洗
浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットまたは前
記現像ユニットにおいて用いられる複数の処理液の個々
に対して、処理液との間での熱交換を温調媒体によって
行うことで処理液を所定温度に保持する複数の第2の温
調循環装置と、前記複数の第1の温調循環装置と第2の
温調循環装置の内で被処理体の洗浄処理に関係するもの
に用いられる温調媒体の温度制御および流量制御を行う
第1の制御装置と、前記複数の第1の温調循環装置と第
2の温調循環装置の内で被処理体のレジスト塗布処理に
関係するものに用いられる温調媒体の温度制御および流
量制御を行う第2の制御装置と、前記複数の第1の温調
循環装置と第2の温調循環装置の内で被処理体の現像処
理に関係するものに用いられる温調媒体の温度制御およ
び流量制御を行う第3の制御装置と、前記複数の第1の
温調循環装置および第2の温調循環装置へ送液する温調
媒体を一定温度に調節し、前記複数の第1の温調循環装
置および第2の温調循環装置との間で所定量の温調媒体
を循環する第3の温調循環装置と、前記第3の温調循環
装置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う
前記第1の制御装置とは別体で設けられた第4の制御装
置と、を具備することを特徴とする処理装置、を提供す
る。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a series of processing including cleaning, resist coating, and development after exposure to an object to be processed, comprising: A resist coating unit for applying a predetermined resist solution to the object to be processed, a developing unit for performing a predetermined developing process on the object to be processed after exposure, and the cleaning unit or the resist coating unit or the developing unit. A plurality of heating units for performing predetermined heat treatment on the object to be processed, and heat exchange between the object to be processed and the object to be processed in the plurality of heating units is performed by a temperature control medium. A plurality of cooling units for cooling the object to be processed to a predetermined temperature, and corresponding to each of the plurality of cooling units by adjusting a temperature control medium to be supplied to a predetermined temperature. A plurality of first temperature control circulating devices that circulate a predetermined amount of a temperature control medium between the cooling unit and a plurality of processing liquids used in the cleaning unit or the resist coating unit or the developing unit. A plurality of second temperature control circulating devices that maintain the processing solution at a predetermined temperature by performing heat exchange with the processing solution by using a temperature control medium; A first control device for controlling the temperature and flow rate of a temperature control medium used for a cleaning process of an object to be processed among the two temperature control circulators, and the plurality of first temperature control circulators And a second controller for controlling the temperature and flow rate of a temperature control medium used in the resist coating process for the object to be processed in the second temperature control circulating device, and the plurality of first temperatures. Of the temperature control circulation device and the second temperature control circulation device To a third control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium used for the process related to the development processing of the object, and to the plurality of first temperature control circulating devices and the second temperature control circulating devices. A third temperature control circulation for adjusting a temperature control medium to be fed to a constant temperature and circulating a predetermined amount of temperature control medium between the plurality of first temperature control circulating devices and the second temperature control circulating device. And a fourth control device provided separately from the first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the third temperature control circulating device. And a processing device.

【0016】本発明は上記処理装置に適用される温調シ
ステムを提供する。すなわち、本発明は第8発明とし
て、複数の処理ユニットを備えた処理装置において各処
理ユニットに温調媒体を供給して所定の温調を行う温調
システムであって、前記複数の処理ユニットへ送液する
温調媒体を所定温度に調節し、前記複数の処理ユニット
との間で所定量の温調媒体を循環する第1の温調循環装
置と、前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一
定温度に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定
量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置と、前記第
1の温調循環装置における温調媒体の温度制御および流
量制御を行う第1の制御装置と、前記第2の温調循環装
置における温調媒体の温度制御および流量制御を行う前
記第1の制御装置とは別体で設けられた第2の制御装置
と、を具備することを特徴とする温調システム、を提供
する。
The present invention provides a temperature control system applied to the above processing apparatus. That is, the present invention provides, as an eighth invention, a temperature control system for performing a predetermined temperature control by supplying a temperature control medium to each processing unit in a processing apparatus including a plurality of processing units. A first temperature control circulating device that adjusts the temperature control medium to be fed to a predetermined temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the plurality of processing units and a first temperature control circulating device. A second temperature control circulating device that adjusts the temperature of the liquid temperature control medium to a constant temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the first temperature control circulating device and the first temperature control circulating device The first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the above and the first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the second temperature control circulating device are separate bodies. And a second control device provided. Temu, to provide.

【0017】このような本発明の処理装置および温調シ
ステムにおいては、温調水の配管数および温調循環装置
の制御ケーブルの長さを減じて装置構造を簡単なものと
することができ、これによって処理装置の組立やメンテ
ナンスが容易となり、また、誤配線を防止することが可
能となる。さらに、温調循環装置の制御装置を個別に設
けることで、操作性や管理性が改善される。
In the processing apparatus and the temperature control system of the present invention, the number of piping for the temperature control water and the length of the control cable of the temperature control circulator can be reduced to simplify the apparatus structure. This facilitates assembling and maintenance of the processing apparatus, and prevents erroneous wiring. Furthermore, operability and controllability are improved by separately providing the control device of the temperature control circulation device.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の処理装置および温調システムの実施の形態につい
て説明する。ここでは、本発明を液晶表示装置(LC
D)用のガラス基板に、洗浄、レジスト塗布、現像処理
という一連の処理を行うレジスト塗布・現像処理システ
ムに適用した場合について説明することとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a processing apparatus and a temperature control system according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, the present invention relates to a liquid crystal display (LC).
A case where the present invention is applied to a resist coating / developing system that performs a series of processes of cleaning, resist coating, and developing on a glass substrate for D) will be described.

【0019】図1はレジスト塗布・現像処理システム1
00の平面図であり、このレジスト塗布・現像処理シス
テム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載
置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)と
の間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス
部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセッ
トステーション1およびインターフェイス部3が配置さ
れている。
FIG. 1 shows a resist coating and developing system 1.
00 is a plan view of the resist coating / developing processing system 100 for mounting a cassette C containing a plurality of substrates G thereon and a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. A processing unit 2 having a plurality of processing units, and an interface unit 3 for transferring a substrate G to and from an exposure apparatus (not shown). 1 and an interface unit 3 are arranged.

【0020】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
The cassette station 1 has a transport mechanism 1 for transporting the substrate G between the cassette C and the processing section 2.
0 is provided. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. Also, the transport mechanism 1
0 is a transport path 10 provided along the cassette arrangement direction.
A transfer arm 11 is provided which is movable on the substrate a. The transfer arm 11 transfers the substrate G between the cassette C and the processing unit 2.

【0021】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、搬送路12・13間お
よび搬送路13・14間には、それぞれ中継部15・1
6が設けられている。
The processing section 2 is divided into a front section 2a, a middle section 2b, and a rear section 2c.
13 and 14. Each processing unit is arranged on both sides of these transport paths. And, between the transport paths 12 and 13 and between the transport paths 13 and 14, the relay sections 15.1
6 are provided.

【0022】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には2つの洗浄ユニット(SCR)21a・21bが配
置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユニ
ット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重ね
られた温度制御ブロック25、加熱ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる温度制御ブロック26および冷却
ユニット(COL)が2段に重ねられてなる温度制御ブ
ロック27が配置されている。
The front section 2a is provided with a main transfer device 17 movable along the transfer path 12, and two cleaning units (SCR) 21a and 21b are arranged on one side of the transfer path 12. On the other side of the transport path 12, a temperature control block 25 in which an ultraviolet irradiation unit (UV) and a cooling unit (COL) are stacked in two stages, and a temperature control block 26 in which a heating unit (HP) is stacked in two stages. And a temperature control block 27 in which cooling units (COL) are stacked in two stages.

【0023】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側にはレジスト塗布ユニット(CT)22が設けら
れている。レジスト塗布ユニット(CT)22の隣には
レジスト塗布ユニット(CT)22においてレジスト膜
が形成された後の基板Gの周縁部のレジストを除去する
周縁レジスト除去ユニット(ER)23が設けられてい
る。
The middle section 2b is provided with a main transfer device 18 movable along the transfer path 13. A resist coating unit (CT) 22 is provided on one side of the transfer path 13. Next to the resist coating unit (CT) 22, there is provided a peripheral resist removing unit (ER) 23 for removing the resist on the peripheral portion of the substrate G after the resist film is formed in the resist coating unit (CT) 22. .

【0024】搬送路13の他方側には加熱ユニット(H
P)が2段に重ねられてなる温度制御ブロック28、加
熱ユニット(HP)と冷却ユニット(COL)が上下に
重ねられてなる温度制御ブロック29、およびアドヒー
ジョン処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)
とが上下に重ねられてなる温度制御ブロック30が配置
されている。
On the other side of the transport path 13, a heating unit (H
P), a temperature control block 28 in which a heating unit (HP) and a cooling unit (COL) are vertically stacked, and an adhesion processing unit (AD) and a cooling unit (COL). )
And a temperature control block 30 in which the temperature control block 30 is vertically overlapped.

【0025】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には3つの現像ユニット(DEV)24a・2
4b・24cが配置されており、搬送路14の他方側に
は加熱ユニット(HP)が2段に重ねられてなる温度制
御ブロック31、およびともに加熱ユニット(HP)と
冷却ユニット(COL)が上下に重ねられてなる温度制
御ブロック32・33が配置されている。
Further, the rear section 2c is provided with a main transport device 19 movable along the transport path 14,
On one side are three developing units (DEV) 24a and 2
4b and 24c are arranged, and on the other side of the transport path 14, a temperature control block 31 in which a heating unit (HP) is stacked in two stages, and both a heating unit (HP) and a cooling unit (COL) are vertically Temperature control blocks 32 and 33 which are overlapped with each other.

【0026】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット(SCR)21a、レジスト塗布
ユニット(CT)22、現像ユニット(DEV)24a
のようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方
の側に加熱ユニットや冷却ユニット等の熱系処理ユニッ
トのみを配置する構造となっている。また、中継部15
・16のスピナー系ユニット配置側の部分には薬液供給
ユニット34が配置されており、さらに主搬送装置のメ
ンテナンスを行うためのスペース35が設けられてい
る。
The processing unit 2 includes a cleaning unit (SCR) 21a, a resist coating unit (CT) 22, and a developing unit (DEV) 24a on one side of the transport path.
, Only the spinner-based unit is arranged, and only the thermal processing unit such as the heating unit or the cooling unit is arranged on the other side. Also, the relay unit 15
A chemical solution supply unit 34 is disposed at a portion 16 on the side where the spinner system unit is disposed, and a space 35 for performing maintenance of the main transport device is further provided.

【0027】主搬送装置17・18・19は、それぞれ
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
Each of the main transporting devices 17, 18, and 19 has an X-axis driving mechanism, a Y-axis driving mechanism, and a vertical Z-axis driving mechanism in two directions in a horizontal plane, and further rotates about the Z axis. , And each has an arm for supporting the substrate G.

【0028】主搬送装置17は搬送アーム17aを有
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
The main transfer device 17 has a transfer arm 17a, transfers the substrate G to and from the transfer arm 11 of the transfer mechanism 10, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the former stage 2a. Has a function of transferring the substrate G to and from the relay unit 15. Further, the main transfer device 18 has a transfer arm 18a, transfers the substrate G to and from the relay unit 15, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the middle unit 2b. And a function of transferring the substrate G during the transfer. Further, the main transfer device 19 has a transfer arm 19a, transfers the substrate G to and from the relay unit 16, loads and unloads the substrate G to and from the respective processing units in the rear-stage unit 2c, and further connects to the interface unit 3. And a function of transferring the substrate G during the transfer. The relay unit 1
5 and 16 also function as cooling plates.

【0029】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する2つのバッファステージ37
と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬
入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38
はエクステンション36およびバッファステージ37の
配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能
な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処
理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
The interface unit 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing unit 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette.
And a transport mechanism 38 for loading and unloading the substrate G between these and an exposure apparatus (not shown). Transport mechanism 38
Is provided with a transfer arm 39 movable along a transfer path 38a provided along the direction in which the extension 36 and the buffer stage 37 are arranged. The transfer arm 39 allows the transfer of the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Done.

【0030】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
By thus integrating and integrating the processing units, it is possible to save space and increase the efficiency of processing.

【0031】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが処理
部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2aの温度
制御ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却ユニット(COL)で冷
却された後、洗浄ユニット(SCR)21a・21bで
スクラバー洗浄が施され、温度制御ブロック26のいず
れかの加熱ユニット(HP)で加熱乾燥された後、温度
制御ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)
で冷却される。
In the resist coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing section 2, where the ultraviolet irradiation unit of the temperature control block 25 of the former section 2a is first used. (UV) for surface modification and cleaning processing, and after cooling in the cooling unit (COL), scrubber cleaning is performed in the cleaning units (SCR) 21a and 21b, and any of the heating units in the temperature control block 26 After being dried by heating at (HP), one of the cooling units (COL) of the temperature control block 27
Cooled by.

【0032】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、温度制御ブロック3
0の上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎
水化処理(HMDS処理)された後、下段の冷却ユニッ
ト(COL)で冷却される。次いで、レジスト塗布ユニ
ット(CT)22において、基板Gにレジストが塗布さ
れる。
Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b,
Temperature control block 3 to improve the fixability of the resist
0 is subjected to a hydrophobic treatment (HMDS treatment) in the upper adhesion processing unit (AD), and then cooled in the lower cooling unit (COL). Next, in the resist coating unit (CT) 22, a resist is coated on the substrate G.

【0033】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Gに供給する前に、基板Gを回転させなが
らシンナー等の処理液を供給して基板Gの表面のレジス
ト液に対する濡れ性を向上させて、その後に基板Gを一
旦静止させ、レジスト液を基板Gに供給してから再び基
板Gを回転させて基板Gの全面にレジスト液を拡げるよ
うにして、レジスト膜が形成される。
In this resist coating step, for example, before supplying the resist liquid to the substrate G, a processing liquid such as a thinner is supplied while rotating the substrate G to improve the wettability of the surface of the substrate G with respect to the resist liquid. Thereafter, the substrate G is once stopped, the resist solution is supplied to the substrate G, and then the substrate G is rotated again to spread the resist solution over the entire surface of the substrate G, thereby forming a resist film.

【0034】このようなレジスト塗布ユニット(CT)
22での処理の終了後に、基板Gは周縁レジスト除去ユ
ニット(ER)23へ搬送され、基板Gの周縁部のレジ
ストの除去(以下、このような処理を「エッジリムー
ブ」という)が行われる。エッジリムーブは、基板Gの
レジスト膜が形成された面の周縁部のレジストの除去
と、基板Gの側面ならびに基板Gの裏面に付着したレジ
ストの除去と、を行う処理をいう。
Such a resist coating unit (CT)
After the processing at 22, the substrate G is transported to the peripheral resist removal unit (ER) 23, and the resist on the peripheral edge of the substrate G is removed (hereinafter, such processing is referred to as "edge removal"). Edge removal refers to a process of removing the resist on the peripheral edge of the surface of the substrate G on which the resist film is formed, and removing the resist attached to the side surface of the substrate G and the back surface of the substrate G.

【0035】その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱
ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、温度制
御ブロック29または30の下段の冷却ユニット(CO
L)で冷却される。次いで、基板Gは中継部16から主
搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装
置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そ
して、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入
され、必要に応じて後段部2cの温度制御ブロック31
・32・33のいずれかの加熱ユニット(HP)でポス
トエクスポージャーベーク処理を施した後、現像ユニッ
ト(DEV)24a・24b・24cのいずれかで現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。
Thereafter, the substrate G is pre-baked in one of the heating units (HP) in the middle section 2b, and the lower cooling unit (CO) in the temperature control block 29 or 30 is used.
L). Next, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus via the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. Then, the substrate G is again carried in via the interface unit 3 and, if necessary, the temperature control block 31 of the subsequent stage 2c.
After the post-exposure bake process is performed by any one of the heating units (HP) 32 and 33, the development process is performed by any of the development units (DEV) 24a, 24b, and 24c to form a predetermined circuit pattern.

【0036】現像処理された基板Gは、後段部2cのい
ずれかの加熱ユニット(HP)にてポストベーク処理が
施された後、いずれかの冷却ユニット(COL)にて冷
却され、主搬送装置19・18・17および搬送機構1
0によってカセットステーション1上の所定のカセット
に収容される。
The developed substrate G is subjected to post-baking in one of the heating units (HP) in the rear stage 2c, and then cooled in one of the cooling units (COL). 19.18.17 and transport mechanism 1
0 is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1.

【0037】次に、レジスト塗布・現像処理システム1
00における温調システムの実施の形態について説明す
る。図2は温調システム50の説明図であり、温調シス
テム50は、3箇所の温度制御ブロック51a・51b
・51cと、チラー(冷却循環装置;一次温調部)52
とを有している。ここで、温度制御ブロック51aは後
段部2cの、温度制御ブロック51bは中段部2bの、
温度制御ブロック51cは前段部2aにおいて必要とさ
れる温度制御をそれぞれ担う。
Next, the resist coating / developing processing system 1
An embodiment of the temperature control system at 00 will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram of the temperature control system 50. The temperature control system 50 includes three temperature control blocks 51a and 51b.
-51c, chiller (cooling circulation device; primary temperature control unit) 52
And Here, the temperature control block 51a is for the rear stage 2c, the temperature control block 51b is for the middle stage 2b,
The temperature control block 51c is responsible for the temperature control required in the front section 2a.

【0038】温度制御ブロック51aは、例えば、3つ
の温調ヘッド(温調循環装置;二次温調部)53a〜5
3cと、温調ヘッド53a〜53cの動作用の電源56
aと、温調ヘッド53a〜53cの制御装置54aと、
温調ヘッド53a〜53cに異常等が生じた際にその信
号をチラー52へ送るときの中継パネル55aとを有し
ている。制御装置54aは、後段部2cに配設された各
種ユニットの図示しない制御装置とともに所定の場所に
配置され、後段部2cに配設された各種ユニットの制御
装置と連携しながら制御される。なお、後に詳細に説明
するように、温調ヘッド53a〜53cにおいては、所
定温度の水(二次温調水)が調製される。またチラー5
2では、二次温調水よりも低い温度の水(一次温調水)
が調製される。
The temperature control block 51a includes, for example, three temperature control heads (temperature control circulating devices; secondary temperature control units) 53a-5
3c and a power source 56 for operating the temperature control heads 53a to 53c.
a, a control device 54a for the temperature control heads 53a to 53c,
A relay panel 55a for sending a signal to the chiller 52 when an abnormality or the like occurs in the temperature control heads 53a to 53c. The control device 54a is arranged at a predetermined location together with a control device (not shown) of the various units disposed in the rear part 2c, and is controlled in cooperation with the control devices of the various units disposed in the rear part 2c. As described later in detail, water (secondary temperature-regulated water) having a predetermined temperature is prepared in the temperature-regulating heads 53a to 53c. Also chiller 5
In 2, water at a lower temperature than the secondary temperature control water (primary temperature control water)
Is prepared.

【0039】温調ヘッド53a〜53cとチラー52と
の間には、所定量の水を循環させるための配管61a・
61bが設けられている。配管61aは、その途中に設
けられた分岐部材58aによって3方向に分岐される構
造となっており、チラー52から温調ヘッド53a〜5
3cのそれぞれへ所定量の一次温調水が送液される。ま
た、温調ヘッド53a〜53cからチラー52へは二次
温調水が配管61bを用いて戻される。このため、配管
61bは、温調ヘッド53a〜53cのそれぞれに設け
られた配管が合流部材57aによって一本化される構造
を有している。
Between the temperature control heads 53a to 53c and the chiller 52, a pipe 61a for circulating a predetermined amount of water.
61b are provided. The pipe 61a has a structure in which the pipe 61a is branched in three directions by a branch member 58a provided in the middle thereof.
A predetermined amount of primary temperature-regulated water is sent to each of 3c. In addition, secondary temperature-regulated water is returned from the temperature-regulating heads 53a to 53c to the chiller 52 using the pipe 61b. For this reason, the piping 61b has a structure in which the piping provided in each of the temperature control heads 53a to 53c is unified by the joining member 57a.

【0040】温調ヘッド53aと温度制御ブロック33
に配設された冷却ユニット(COL)との間には、所定
量の二次温調水を循環させるための配管62a・62b
が設けられており、同様に、温調ヘッド53bと温度制
御ブロック32に配設された冷却ユニット(COL)と
の間には配管63a・63bが設けられ、温調ヘッド5
3cと現像ユニット(DEV)24a〜24cとの間に
は配管64a・64bが設けられている。
Temperature control head 53a and temperature control block 33
Pipes 62a and 62b for circulating a predetermined amount of secondary temperature water between the cooling unit (COL) and the cooling unit (COL)
Similarly, pipes 63a and 63b are provided between the temperature control head 53b and the cooling unit (COL) disposed in the temperature control block 32, and the temperature control head 5b
Pipes 64a and 64b are provided between the developing unit 3c and the developing units (DEV) 24a to 24c.

【0041】温度制御ブロック51aと同様に、温度制
御ブロック51bは、3つの温調ヘッド(二次温調部)
53d〜53fと、温調ヘッド53d〜53fの動作用
の電源56bと、温調ヘッド53d〜53fの制御装置
54bと、温調ヘッド53d〜53fに異常等が生じた
際にその信号をチラー52へ送るときの中継パネル55
bとを有している。ここで、制御装置54bは、中段部
2bに配設された各種ユニットの図示しない制御装置と
ともに所定の場所に配置され、中段部2bに配設された
各種ユニットの制御装置と連携しながら制御される。
Like the temperature control block 51a, the temperature control block 51b includes three temperature control heads (secondary temperature control units).
53d to 53f, a power supply 56b for operating the temperature control heads 53d to 53f, a control device 54b for the temperature control heads 53d to 53f, and a chiller 52 when an abnormality or the like occurs in the temperature control heads 53d to 53f. Relay panel 55 when sending to
b. Here, the control device 54b is disposed at a predetermined location together with a control device (not shown) of various units disposed in the middle section 2b, and is controlled in cooperation with the control devices of various units disposed in the middle section 2b. You.

【0042】温調ヘッド53d〜53fとチラー52と
の間には、所定量の水を循環させるための配管65a・
65bが設けられている。配管65a・65bの途中に
はそれぞれ分岐部材58bと合流部材57bが配設され
ており、配管61a・61bと同様の構造となってい
る。また、温調ヘッド53dと温度制御ブロック30に
配設された冷却ユニット(COL)との間には、所定量
の二次温調水を循環させるための配管66a・66bが
設けられており、同様に、温調ヘッド53eと温度制御
ブロック29に配設された冷却ユニット(COL)との
間には配管67a・67bが設けられ、温調ヘッド53
fとレジスト塗布ユニット(CT)22との間には配管
68a・68bが設けられている。
A pipe 65a for circulating a predetermined amount of water is provided between the temperature control heads 53d to 53f and the chiller 52.
65b are provided. A branching member 58b and a merging member 57b are provided in the middle of the pipes 65a and 65b, respectively, and have the same structure as the pipes 61a and 61b. Further, pipes 66a and 66b for circulating a predetermined amount of secondary temperature control water are provided between the temperature control head 53d and the cooling unit (COL) disposed in the temperature control block 30. Similarly, pipes 67a and 67b are provided between the temperature control head 53e and the cooling unit (COL) provided in the temperature control block 29, and the temperature control head 53e
Pipings 68 a and 68 b are provided between f and the resist coating unit (CT) 22.

【0043】温度制御ブロック51cは、2つの温調ヘ
ッド(二次温調部)53g・53hと、温調ヘッド53
g・53hの動作用の電源56cと、温調ヘッド53g
・53hの制御装置54cと、温調ヘッド53g・53
hに異常等が生じた際にその信号をチラー52へ送ると
きの中継パネル55cとを有している。中継パネル55
cはチラー52の制御部へ接続され、温調ヘッド53a
〜53hに異常等が生じた場合に、チラー52の運転を
停止等する。なお、温調ヘッド53a〜53hにはそれ
ぞれ異常が発生した場合のアラームが設けられており、
チラー52の運転が停止した際の原因となった温調ヘッ
ドを容易に特定することができるようになっている。ま
た、制御装置54cは、前段部2aに配設された各種ユ
ニットの図示しない制御装置とともに所定の場所に配置
され、前段部2aに配設された各種ユニットの制御装置
と連携しながら制御される。
The temperature control block 51c includes two temperature control heads (secondary temperature control units) 53g and 53h and a temperature control head 53
g · 53h power supply 56c and temperature control head 53g
53h control device 54c and temperature control heads 53g and 53
and a relay panel 55c for sending a signal to the chiller 52 when an abnormality or the like occurs in the h. Relay panel 55
c is connected to the control unit of the chiller 52, and the temperature control head 53a
When an abnormality or the like occurs in 〜53h, the operation of the chiller 52 is stopped or the like. The temperature control heads 53a to 53h are provided with alarms when an abnormality occurs, respectively.
It is possible to easily identify the temperature control head that caused the operation of the chiller 52 to stop. The control device 54c is disposed at a predetermined location together with a control device (not shown) of various units disposed in the front section 2a, and is controlled in cooperation with a control device of various units disposed in the front section 2a. .

【0044】温調ヘッド53g・53hとチラー52と
の間には、所定量の一次温調水を循環させるための配管
69a・69bが設けられている。配管69a・69b
の途中にはそれぞれ分岐部材58cと合流部材57cが
配設されており、配管61a・61bと同様の構造とな
っている。温調ヘッド53gと温度制御ブロック27に
配設された冷却ユニット(COL)との間には、所定量
の二次温調水を循環させるための配管78a・78bが
設けられており、同様に、温調ヘッド53hと温度制御
ブロック25に配設された冷却ユニット(COL)との
間には配管79a・79bが設けられている。
Between the temperature control heads 53g and 53h and the chiller 52, pipes 69a and 69b for circulating a predetermined amount of primary temperature control water are provided. Piping 69a / 69b
A branching member 58c and a merging member 57c are respectively disposed in the middle of, and have the same structure as the pipes 61a and 61b. Between the temperature control head 53g and the cooling unit (COL) disposed in the temperature control block 27, pipes 78a and 78b for circulating a predetermined amount of secondary temperature control water are provided. Pipes 79a and 79b are provided between the temperature control head 53h and the cooling unit (COL) disposed in the temperature control block 25.

【0045】温度制御ブロック51a〜51cは同様の
構造を有することから、以下、温度制御ブロック51a
を例にその構成を詳細に説明する。
Since the temperature control blocks 51a to 51c have the same structure, the temperature control blocks 51a
The configuration will be described in detail with reference to an example.

【0046】図3は温調ヘッド53aの概略構造を示し
た説明図であり、温調ヘッド53b・53cもまた温調
ヘッド53aと同様の構造を有する。温調ヘッド53a
はタンク71を有し、チラー52から送液された所定量
の温度の低い一次温調水および温度制御ブロック33に
配設された冷却ユニット(COL)から戻された温めら
れた二次温調水がこのタンク71へ流入して混合され
る。
FIG. 3 is an explanatory view showing a schematic structure of the temperature control head 53a. The temperature control heads 53b and 53c also have the same structure as the temperature control head 53a. Temperature control head 53a
Has a tank 71 and a predetermined amount of low-temperature primary temperature water sent from the chiller 52 and a heated secondary temperature control returned from a cooling unit (COL) provided in the temperature control block 33. Water flows into this tank 71 and is mixed.

【0047】温調ヘッド53aは温度センサ74および
ヒータ72を有しており、温度センサ74の測定温度に
基づいてヒータ72をオン/オフ動作させ、タンク71
内の水の温度を所定温度に加熱し、二次温調水を調製す
る。こうして、調製された二次温調水は、タンク71か
ら所定量ほど冷却ユニット(COL)へ送液され、チラ
ー52へも所定量の二次温調水が戻される。このような
温調ヘッド53aから冷却ユニット(COL)への二次
温調水の送液はポンプ73により行われ、温度センサ7
4によるタンク71内の温度測定とこの温度測定結果に
基づくヒータ72のオン/オフ動作、ポンプ73の駆動
制御は1台の制御装置54aによって行われるようにな
っている。
The temperature control head 53a has a temperature sensor 74 and a heater 72. The heater 72 is turned on / off based on the temperature measured by the temperature sensor 74, and the tank 71
The temperature of the water inside is heated to a predetermined temperature to prepare secondary temperature-regulated water. The secondary temperature adjusted water thus prepared is sent from the tank 71 to the cooling unit (COL) by a predetermined amount, and a predetermined amount of the secondary temperature adjusted water is returned to the chiller 52. The supply of the secondary temperature control water from the temperature control head 53a to the cooling unit (COL) is performed by the pump 73, and the temperature sensor 7
4, the control of the temperature of the inside of the tank 71, the ON / OFF operation of the heater 72 based on the result of the temperature measurement, and the drive control of the pump 73 are performed by one controller 54a.

【0048】なお、温調システム50において、このよ
うに一次温調水と二次温調水という2種類の温度の水を
用いるのは、例えば、冷却ユニット(COL)に配置さ
れた冷却プレートを一定温度に保持して基板Gを冷却す
るためには、冷却ユニットに送液する水の流量を多くす
る必要があり、チラーを直接に冷却ユニット(COL)
に取り付けるとチラーの負担が大きくなり、大型のチラ
ーが必要となることから、これを防止するためである。
また、二次温調水を調製する温調ヘッドを温調が必要な
処理部(温調ヘッド53aの場合には冷却ユニット(C
OL))の近くに配置することで、温調ヘッドから処理
部までの配管等を短くすることができ、これによって二
次温調水に対する外乱、例えば、配管途中での二次温調
水に対する熱の吸収や拡散等が減少し、より高精度に処
理部を温調することが可能となる。
In the temperature control system 50, the two types of water, that is, the primary temperature control water and the secondary temperature control water are used, for example, by using a cooling plate arranged in a cooling unit (COL). In order to cool the substrate G while maintaining it at a constant temperature, it is necessary to increase the flow rate of the water to be sent to the cooling unit, and the chiller is directly connected to the cooling unit (COL).
This is to prevent the chiller from being mounted on a large chiller, since the burden on the chiller increases and a large chiller is required.
Further, the temperature control head for preparing the secondary temperature control water is connected to a processing unit requiring temperature control (in the case of the temperature control head 53a, the cooling unit (C
OL)), it is possible to shorten the piping and the like from the temperature control head to the processing unit, thereby disturbing the secondary temperature control water, for example, the secondary temperature control water in the middle of the pipe. Heat absorption and diffusion are reduced, and the temperature of the processing unit can be controlled with higher accuracy.

【0049】図3において、温度センサ74は冷却ユニ
ット(COL)から戻された二次温調水の温度を測定す
る位置に配置されている。これは以下のような理由によ
る。つまり、冷却ユニット(COL)は、温調ヘッド5
3aから送液される二次温調水によって所定の温度に保
持される冷却プレートを有しており、この冷却プレート
上に加熱処理された基板Gが載置されると、基板Gの熱
が冷却プレートを伝って二次温調水を温めるような熱交
換が起き、こうして温められた二次温調水が温調ヘッド
53aのタンク71へ戻される。
In FIG. 3, the temperature sensor 74 is arranged at a position for measuring the temperature of the secondary temperature control water returned from the cooling unit (COL). This is for the following reasons. That is, the cooling unit (COL) includes the temperature control head 5
A cooling plate that is maintained at a predetermined temperature by the secondary temperature control water sent from the cooling plate 3a. When the substrate G subjected to the heat treatment is placed on the cooling plate, the heat of the substrate G is reduced. The heat exchange that warms the secondary temperature control water along the cooling plate occurs, and the secondary temperature control water thus warmed is returned to the tank 71 of the temperature control head 53a.

【0050】つまり、冷却ユニット(COL)から戻さ
れる二次温調水の温度は、冷却ユニット(COL)に基
板Gが搬入されているかどうか、および基板Gの冷却処
理時間の経過に従って変化することから、温度センサ7
4をこのような温度変化に追従させることで、ヒータ7
2への負荷を低減して二次温調水を調製を行うことが可
能となる。
That is, the temperature of the secondary temperature control water returned from the cooling unit (COL) changes according to whether the substrate G is carried into the cooling unit (COL) and the elapse of the cooling time of the substrate G. From the temperature sensor 7
4 is made to follow such a temperature change, so that the heater 7
2, it is possible to prepare the secondary temperature-regulated water by reducing the load on the water.

【0051】上述した温度制御ブロック51aにおいて
は、分岐部材58aおよび合流部材57aと温調ヘッド
53a〜53cとの距離を短くすることが可能であり、
また、分岐部材58aや合流部材57aは大型の装置で
はなく、分岐バルブ等の小型機器を用いることができる
ために、分岐部材58aと合流部材57aを設けること
により、チラー52と温調ヘッド53a〜53cとの間
で個別に送液配管を設ける場合に比べて、配管数を減ら
して省スペース化し、また、装置構造を簡単なものとし
て、装置の製造やメンテナンス時の作業を容易なものと
することができる。
In the above-described temperature control block 51a, the distance between the branching member 58a and the merging member 57a and the temperature control heads 53a to 53c can be reduced.
Further, since the branching member 58a and the merging member 57a are not large-sized devices but small devices such as a branch valve can be used, by providing the branching member 58a and the merging member 57a, the chiller 52 and the temperature control heads 53a to 53a. Compared to a case where a separate liquid supply pipe is provided between the liquid supply pipe 53c and the liquid supply pipe 53c, the number of pipes is reduced to save space, and the apparatus structure is simplified, so that the apparatus can be easily manufactured and maintained. be able to.

【0052】また、温調システム50を前述した図4に
示す従来の温調システム80と比較すると、温調システ
ム80においては、チラー81に設けられた制御装置8
5および電源86と温調ヘッド82とを接続していたた
めに、制御用ケーブルや電源ケーブルの配線が長く、し
かも多くの温調ヘッド82の配線がチラー81の制御装
置85や電源86に集中するために配線ミスが起こる可
能性も大きかった。しかし、温調ヘッド53a〜53c
の制御装置54aは温調ヘッド53a〜53cに近い位
置に配設することができるため配線を短くすることがで
き、しかも配線数も少ないことから、温度制御ブロック
51aの作製も容易となり、配線ミスを防止することが
できる。さらに、温調ヘッド53a〜53cはチラー5
2とは独立して運転することが可能であるから、動作確
認等を容易に行うことができる。温度制御ブロック51
aについて得られるこれらの効果は、温度制御ブロック
51b・51cについても同様に得ることができる。
When comparing the temperature control system 50 with the conventional temperature control system 80 shown in FIG. 4 described above, the temperature control system 80 includes a control device 8 provided in a chiller 81.
5 and the power supply 86 are connected to the temperature control head 82, the wiring of the control cable and the power supply cable is long, and the wiring of many temperature control heads 82 is concentrated on the control device 85 and the power supply 86 of the chiller 81. Therefore, there is a high possibility that a wiring error will occur. However, the temperature control heads 53a to 53c
Since the control device 54a can be arranged at a position close to the temperature control heads 53a to 53c, the wiring can be shortened, and the number of wirings is small, so that the temperature control block 51a can be easily manufactured, and Can be prevented. Further, the temperature control heads 53a to 53c are
Since operation can be performed independently of the operation 2, operation confirmation and the like can be easily performed. Temperature control block 51
These effects obtained for a can also be obtained for the temperature control blocks 51b and 51c.

【0053】なお、温調システム80においては、チラ
ー81に設けられた制御装置85および電源86と温調
ヘッド82とを接続していたために、チラー81に取り
付ける温調ヘッド82の数を変更する際に、制御装置8
5や電源86が不足したり、逆に余ったりする場合があ
り、その都度、チラー81を作製または交換する必要が
あったが、温調システム50においては、一種類のチラ
ー52を準備しておけば、必要な数の温調ヘッドを接続
することによって様々な温調システムを構築することが
可能である。
In the temperature control system 80, the number of the temperature control heads 82 attached to the chiller 81 is changed because the control device 85 and the power supply 86 provided in the chiller 81 are connected to the temperature control head 82. At this time, the control device 8
In some cases, the chiller 81 needs to be manufactured or replaced. However, in the temperature control system 50, one kind of the chiller 52 is prepared. If so, it is possible to construct various temperature control systems by connecting a required number of temperature control heads.

【0054】次に、温度制御ブロック51aにおける動
作形態について説明する。前述したように、温度制御ブ
ロック33の冷却ユニット(COL)は、温調ヘッド5
3aから送液される二次温調水によって所定の温度に保
持される冷却プレートを有しており、この冷却プレート
上に加熱処理された基板Gが載置されると、基板Gの熱
が冷却プレートを伝って二次温調水を温めるような熱交
換が起き、こうして温められた二次温調水が温調ヘッド
53aのタンク71へ戻される。
Next, the operation of the temperature control block 51a will be described. As described above, the cooling unit (COL) of the temperature control block 33 includes the temperature control head 5.
A cooling plate that is maintained at a predetermined temperature by the secondary temperature control water sent from the cooling plate 3a. When the substrate G subjected to the heat treatment is placed on the cooling plate, the heat of the substrate G is reduced. The heat exchange that warms the secondary temperature control water along the cooling plate occurs, and the secondary temperature control water thus warmed is returned to the tank 71 of the temperature control head 53a.

【0055】チラー52においては、冷却ユニット(C
OL)から温調ヘッド53aに流入するこのような温め
られた二次温調水との熱的バランスをとるために、温調
ヘッド53aから冷却ユニット(COL)へ送液する二
次温調水の温度よりも低い温度の一次温調水を調製して
温調ヘッド53aへ送液する。そして、温調ヘッド53
aにおいては、冷却ユニット(COL)へ所定温度に調
製された二次温調水を送液することができるように、温
度センサ74による温度測定結果に基づいて、また、チ
ラー52から流入する温度の低い一次温調水の流量およ
び冷却ユニット(COL)から流入する温度の高い二次
温調水の流量、ならびに冷却ユニット(COL)および
チラー52へ流出する二次温調水の温度と流量のバラン
スを考慮して、ヒータ72をオン/オフ動作させる。な
お、チラー52から温調ヘッド53a〜53cへの一次
温調水の送液はチラー52に設けられた図2には図示し
ないポンプによって行われる。
In the chiller 52, the cooling unit (C
OL) from the temperature control head 53a to the cooling unit (COL) in order to balance the heat with the warmed secondary temperature control water flowing into the temperature control head 53a from the temperature control head 53a. Is prepared and sent to the temperature control head 53a. And the temperature control head 53
In (a), based on the temperature measurement result by the temperature sensor 74, and the temperature flowing from the chiller 52, the secondary temperature regulated water adjusted to a predetermined temperature can be sent to the cooling unit (COL). Of the primary temperature control water having a low temperature and the flow rate of the secondary temperature control water having a high temperature flowing from the cooling unit (COL), and the temperature and flow rate of the secondary temperature control water flowing out to the cooling unit (COL) and the chiller 52. The heater 72 is turned on / off in consideration of the balance. The supply of the primary temperature control water from the chiller 52 to the temperature control heads 53a to 53c is performed by a pump (not shown in FIG. 2) provided in the chiller 52.

【0056】温調ヘッド53bについても、温調ヘッド
53aと同様に制御することができ、温度制御ブロック
32の冷却ユニット(COL)における冷却プレートの
設定温度によって、チラー52から温調ヘッド53bへ
供給される一次温調水の量を増減し、または、ヒータ7
2の動作時間を調節することにより、温調ヘッド53b
から温度制御ブロック32の冷却ユニット(COL)へ
所定温度の二次温調水を送液することが可能である。
The temperature control head 53b can be controlled similarly to the temperature control head 53a, and is supplied from the chiller 52 to the temperature control head 53b according to the set temperature of the cooling plate in the cooling unit (COL) of the temperature control block 32. Increase or decrease the amount of primary temperature control water to be
2 by adjusting the operation time of the temperature control head 53b.
It is possible to send secondary temperature regulated water at a predetermined temperature to the cooling unit (COL) of the temperature control block 32.

【0057】温調ヘッド53cから現像ユニット(DE
V)24a〜24cへ送液される二次温調水は、より具
体的には、現像ユニット(DEV)24a〜24cにお
いて用いられる現像液の温度調節に用いられ、これによ
って現像特性を一定の品質に保つことが可能となる。例
えば、現像液を貯留するタンクや、現像液を基板Gに向
けて吐出するノズル、タンクとノズルとを接続する配管
等を、二次温調水が循環可能なジャケット構造として一
定の温度に保持することができるようにしておき、温調
ヘッド53cから所定温度に保持された二次温調水をこ
れらの部材に送液することで現像液の温度を一定に保つ
ことが可能となる。
From the temperature control head 53c to the developing unit (DE)
V) The secondary temperature-regulated water sent to the 24a to 24c is more specifically used to control the temperature of the developer used in the developing units (DEV) 24a to 24c, thereby making the developing characteristics constant. It is possible to maintain quality. For example, a tank for storing the developer, a nozzle for discharging the developer toward the substrate G, a pipe connecting the tank and the nozzle, and the like are maintained at a constant temperature as a jacket structure through which secondary temperature water can be circulated. The temperature of the developer can be kept constant by sending the secondary temperature-regulated water maintained at a predetermined temperature from the temperature control head 53c to these members.

【0058】温度制御ブロック51b・51cの構成と
動作形態は上述した温度制御ブロック51aに準ずる。
すなわち、温度制御ブロック33に配置された冷却ユニ
ット(COL)と温調ヘッド53aとの間の制御形態
は、温度制御ブロック30・29・27・25にぞれぞ
れ配置された冷却ユニット(COL)とこれらの冷却ユ
ニット(COL)対応する温調ヘッド53d・53e・
53g・53hとの間での制御形態に適用される。
The configuration and operation of the temperature control blocks 51b and 51c are the same as those of the above-described temperature control block 51a.
That is, the control mode between the cooling unit (COL) arranged in the temperature control block 33 and the temperature control head 53a is based on the cooling units (COL) arranged in the temperature control blocks 30, 29, 27, and 25, respectively. ) And the temperature control heads 53d, 53e,
This is applied to a control mode between 53g and 53h.

【0059】また、温調ヘッド53fとレジスト塗布ユ
ニット(CT)22との間の制御形態は、温調ヘッド5
3cと現像ユニット(DEV)24a〜24cとの間の
制御形態に準ずる。つまり、レジスト液を貯留するタン
クや、レジスト液を基板Gに向けて吐出するノズル、タ
ンクとノズルとを接続する配管等を二次温調水が循環可
能なジャケット構造として一定の温度に保持することが
できるようにしておき、温調ヘッド53fから所定温度
に保持された二次温調水をこれらの部材に送液すること
で、レジスト液の温度を一定に保つことが可能となる。
こうして、例えば、レジスト液を基板Gに塗布した際に
形成される膜厚が基板Gごとに異なるといった問題の発
生を防止して、基板Gごとの品質のばらつきを低減する
ことが可能となる。
The control mode between the temperature control head 53f and the resist coating unit (CT) 22 is as follows.
3c and the developing unit (DEV) 24a to 24c. In other words, a tank for storing the resist solution, a nozzle for discharging the resist solution toward the substrate G, a pipe connecting the tank and the nozzle, and the like are maintained at a constant temperature as a jacket structure through which secondary temperature water can circulate. The temperature of the resist solution can be kept constant by sending secondary temperature-regulated water maintained at a predetermined temperature from the temperature control head 53f to these members.
Thus, for example, it is possible to prevent the problem that the film thickness formed when the resist solution is applied to the substrate G differs for each substrate G, and to reduce the variation in quality for each substrate G.

【0060】なお、チラー52から温調ヘッド53a〜
53hに供給される一次温調水の温度はほぼ同じ温度で
あるのに対し、温調ヘッド53a〜53hにおける二次
温調水の設定温度は異なる場合がある。このため、チラ
ー52における一次温調水の設定温度は、温調ヘッド5
3a〜53hにおける二次温調水の設定温度の最も低い
温度よりもさらに低い温度とすることが好ましい。
The temperature control heads 53a to 53a to
While the temperature of the primary temperature control water supplied to 53h is almost the same temperature, the set temperature of the secondary temperature control water in the temperature control heads 53a to 53h may be different. For this reason, the set temperature of the primary temperature control water in the chiller 52 is controlled by the temperature control head 5.
It is preferable that the temperature is set lower than the lowest set temperature of the secondary temperature control water in 3a to 53h.

【0061】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、温度制御ブロック51a〜51cのそ
れぞれに配設することができる温調ヘッドは2台または
3台に限定されず、それ以上であってもよい。温度制御
ブロックも温度制御ブロック51a〜51cのように3
ブロックに限定されるものではない。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the number of temperature control heads that can be disposed in each of the temperature control blocks 51a to 51c is not limited to two or three, but may be more. The temperature control blocks are also 3 like the temperature control blocks 51a to 51c.
It is not limited to blocks.

【0062】また、上述した温調システム50において
は、温調ヘッド53a〜53hに異常が生じた場合に
は、中継パネル55a〜55cを介してチラー52の運
転を停止する構成としたが、例えば、チラー52を止め
ずに、異常の生じた温調ヘッドのみの運転を停止させ、
レジスト塗布・現像処理システム100の運転状況を確
認にして、レジスト塗布・現像処理システム100に設
けられた各ユニットにおける処理が中途半端に終わらな
いように、処理中の基板Gについては処理が完結するま
で運転を継続して、その後にチラー52を停止するよう
な構成とすることも好ましい。
In the temperature control system 50 described above, the operation of the chiller 52 is stopped via the relay panels 55a to 55c when an abnormality occurs in the temperature control heads 53a to 53h. Without stopping the chiller 52, stopping the operation of only the temperature control head in which the abnormality has occurred,
The operation status of the resist coating / developing processing system 100 is checked, and the processing of the substrate G being processed is completed so that the processing in each unit provided in the resist coating / developing processing system 100 does not end halfway. It is also preferable that the operation is continued until the chiller 52 is stopped.

【0063】さらに、温調ヘッド53a〜53hを用い
た温度制御の対象となるものは、冷却ユニット(CO
L)やレジスト液、現像液に限定されず、その他の処理
液、例えば、洗浄ユニット(SCR)21a・21bで
用いられる洗浄液、周縁レジスト除去ユニット(ER)
23においてレジスト塗布後に基板周縁のレジスト膜を
除去するために用いられるシンナー等の溶剤、さらに、
現像ユニット(DEV)24a〜24cにおいて現像処
理時間経過後に基板Gに供給されるリンス液について
も、温調ヘッドによる温度調節の対象とすることができ
る。
Further, the temperature control target using the temperature control heads 53a to 53h is a cooling unit (CO
L), not limited to the resist solution and the developing solution, but other processing solutions such as the cleaning solution used in the cleaning units (SCR) 21a and 21b, the peripheral resist removing unit (ER)
In 23, a solvent such as a thinner used for removing the resist film on the peripheral edge of the substrate after applying the resist,
The rinsing liquid supplied to the substrate G after the elapse of the development processing time in the development units (DEV) 24a to 24c can also be subjected to temperature control by the temperature control head.

【0064】さらにまた、温調ヘッド53a〜53hに
おいて、温度センサ74は、冷却ユニット(COL)等
から戻された二次温調水の温度を測定するための位置に
配設しなければならないものではなく、調製した二次温
調水を送液する配管側に設けることもできる。例えば、
現像液やレジスト液のように温度調節を行う対象物の温
度変化が小さい場合には、温度センサ74を現像ユニッ
ト(DEV)24a〜24cまたはレジスト塗布ユニッ
ト(CT)22へ送液する配管64a・68a側に設け
ることにより、常に一定温度の二次温調水をこれらのユ
ニットへ送液して、現像液やレジスト液の温度を一定に
保持することが可能となる。
Further, in the temperature control heads 53a to 53h, the temperature sensor 74 must be arranged at a position for measuring the temperature of the secondary temperature control water returned from the cooling unit (COL) or the like. Instead, it may be provided on the pipe side for sending the prepared secondary temperature-regulated water. For example,
When the temperature change of the object whose temperature is to be adjusted, such as a developing solution or a resist solution, is small, a pipe 64 a for sending the temperature sensor 74 to the developing units (DEV) 24 a to 24 c or the resist coating unit (CT) 22. By providing it on the 68a side, it is possible to always supply a constant temperature secondary water to these units and keep the temperature of the developing solution or the resist solution constant.

【0065】また、制御装置54a〜54cのそれぞれ
が並行して3台の温調ヘッドを制御可能である場合にお
いて、制御装置54cのように2台の温調ヘッド53g
・53hしか制御しないときには、例えば、温度制御ブ
ロック26に配設された加熱ユニット(HP)の温度制
御を、制御装置54cの残りの制御系統を利用して行う
ことができる。この場合には、加熱ユニット(HP)の
温度制御装置を別途設ける必要がなく、部品点数の低減
が可能となり、装置の信頼性が向上する。なお、制御装
置54a〜54cがそれぞれが並行して制御可能な温調
ヘッドおよびその他の機器の数は3台に限定されるもの
ではない。
When each of the control devices 54a to 54c can control three temperature control heads in parallel, the two temperature control heads 53g as in the control device 54c.
When only 53h is controlled, for example, the temperature control of the heating unit (HP) arranged in the temperature control block 26 can be performed using the remaining control system of the control device 54c. In this case, there is no need to separately provide a temperature control device for the heating unit (HP), and the number of components can be reduced, and the reliability of the device is improved. Note that the number of temperature control heads and other devices that can be controlled by the control devices 54a to 54c in parallel is not limited to three.

【0066】温調システム50に用いられる温調媒体
は、水に限定されるものではなく、その他の液体、例え
ば、オイル等を用いることも可能であり、水を用いた場
合には所定量の防錆剤等を添加することも、各種装置の
保守上、好ましい。また、上記実施の形態においては、
被処理体としてLCD基板について説明してきたが、半
導体ウエハ、CD基板、等の他の基板であっても構わ
ず、被処理体はこのような基板状の形状を有するものに
限定されるものではない。
The temperature control medium used in the temperature control system 50 is not limited to water, and other liquids such as oil can be used. When water is used, a predetermined amount of water is used. Addition of a rust inhibitor or the like is also preferable for maintenance of various devices. In the above embodiment,
Although an LCD substrate has been described as an object to be processed, other substrates such as a semiconductor wafer and a CD substrate may be used, and the object to be processed is not limited to one having such a substrate-like shape. Absent.

【0067】[0067]

【発明の効果】上述の通り、本発明の処理装置および温
調システムによれば、複数の温度制御ブロックにおいて
温調水による温度調節が必要な複数のユニットに対する
制御を温度制御ブロックごとに行うことができ、これに
よって温調水の配管数および温調循環装置の制御ケーブ
ルの長さを減じて装置構造を簡単なものとすることがで
きるという効果が得られる。また、この場合において
は、処理装置の組立やメンテナンスが容易となり、ま
た、誤配線を防止することが可能となるという効果が得
られる。さらに、温調循環装置の制御装置を個別に設け
ることで、操作性や管理性が改善されるという効果が得
られる。なお、本発明の処理装置をレジスト塗布・現像
処理システムに適用してレジスト液を温度調節した場合
には、基板に形成されるレジスト膜の厚みが基板ごとに
異なるといった問題の発生を防止することができ、ま
た、現像液を温度調節した場合には、現像特性が一定し
て基板ごとに品質差が生ずることを防止することができ
るという効果を奏する。
As described above, according to the processing apparatus and the temperature control system of the present invention, control of a plurality of units requiring temperature control by temperature control water in a plurality of temperature control blocks is performed for each temperature control block. As a result, the number of piping for the temperature control water and the length of the control cable of the temperature control circulating device can be reduced, and the effect that the device structure can be simplified can be obtained. Further, in this case, there are obtained effects that the assembling and maintenance of the processing device are facilitated, and that erroneous wiring can be prevented. Further, by separately providing the control devices of the temperature adjusting and circulating device, an effect that operability and manageability are improved can be obtained. When the temperature of the resist solution is adjusted by applying the processing apparatus of the present invention to a resist coating / developing processing system, it is necessary to prevent a problem that the thickness of a resist film formed on a substrate varies from substrate to substrate. In addition, when the temperature of the developing solution is adjusted, it is possible to prevent the occurrence of a quality difference between the substrates due to constant development characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト
塗布・現像処理システムを示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / developing processing system which is an embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】レジスト塗布・現像処理システムの温調システ
ムの構成を示す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a temperature control system of a resist coating / developing processing system.

【図3】温調システムに用いられる温調ヘッドの構成を
示す説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a temperature control head used in the temperature control system.

【図4】レジスト塗布・現像処理システムの従来の温調
システムの構成を示す説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional temperature control system of a resist coating / developing processing system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21a・21b;洗浄ユニット(SCR) 22;レジスト塗布ユニット(CT) 24a〜24c;現像ユニット(DEV) 50;温調システム 51a〜51c;温度制御ブロック 52;チラー 53a〜53h;温調ヘッド 54a〜54c;制御装置 55a〜55c;中継パネル 56a〜56c;電源 57a〜57c;合流部材 58a〜58c;分岐部材 61a〜69a・78a・79a;配管 61b〜69b・78b・79b;配管 71;タンク 72;ヒータ 73;ポンプ 74;温度センサ 100;レジスト塗布・現像処理システム COL;冷却ユニット G;基板(LCD基板) 21a, 21b; cleaning unit (SCR) 22; resist coating unit (CT) 24a to 24c; developing unit (DEV) 50; temperature control system 51a to 51c; temperature control block 52; chillers 53a to 53h; Control devices 55a to 55c; Relay panels 56a to 56c; Power supplies 57a to 57c; Merging members 58a to 58c; Branch members 61a to 69a, 78a, 79a; Heater 73; Pump 74; Temperature sensor 100; Resist coating and developing system COL; Cooling unit G; Substrate (LCD substrate)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 569F ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 569F

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の処理ユニットを備えた処理装置で
あって、 前記複数の処理ユニットに温調媒体を供給して各処理ユ
ニットに対して所定の温調を行う温調システムを具備
し、 前記温調システムは、 前記複数の処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度
に調節し、前記複数の処理ユニットとの間で所定量の温
調媒体を循環する第1の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定量の温
調媒体を循環する第2の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う第1の制御装置と、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus comprising a plurality of processing units, comprising: a temperature control system for supplying a temperature control medium to the plurality of processing units and performing a predetermined temperature control on each processing unit. A first temperature control circulating device that controls a temperature control medium to be sent to the plurality of processing units to a predetermined temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the plurality of processing units; A second temperature control unit that adjusts a temperature control medium to be sent to the first temperature control circulator to a constant temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium with the first temperature control circulator. A circulation device; a first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the first temperature control and circulation device; and a temperature control and flow rate control for the temperature control medium in the second temperature control and circulation device. A second control device provided separately from the first control device, A processing device, comprising:
【請求項2】 被処理体に対して液処理と液処理後の熱
的処理を行う処理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
と、 被処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うこと
で被処理体に所定の熱的処理を施す熱的処理ユニット
と、 前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環
させる温調媒体循環装置と、 を具備し、 前記温調媒体循環装置は、 前記熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度に
調節し、前記熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環する第1の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定量の温
調媒体を循環する第2の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う第1の制御装置と、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
2. A processing apparatus for performing a liquid process and a thermal process after the liquid process on a processing target, comprising: a liquid processing unit configured to perform a predetermined liquid processing on the processing target; A thermal processing unit for performing predetermined thermal processing on the object to be processed by performing heat exchange between the thermal processing medium and a temperature for circulating a predetermined amount of the temperature controlling medium between the thermal processing unit and the thermal processing unit. A temperature control medium circulating device, wherein the temperature control medium circulating device adjusts a temperature control medium to be sent to the thermal processing unit to a predetermined temperature, and controls a predetermined amount of temperature between the temperature control medium and the thermal processing unit. A first temperature control circulating device that circulates the temperature control medium, and a temperature control medium that is sent to the first temperature control circulator is adjusted to a constant temperature, and a predetermined amount is set between the first temperature control circulator and the first temperature control circulator. A second temperature control circulating device that circulates the temperature control medium, and a temperature control of the temperature control medium in the first temperature control circulating device. And a first control device that performs flow control and a second control that is provided separately from the first control device that performs temperature control and flow control of the temperature control medium in the second temperature control circulation device. A processing device comprising: a device.
【請求項3】 被処理体に対して所定の液処理を行う処
理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
と、 前記液処理ユニットにおいて用いられる処理液との間で
の熱交換を温調媒体によって行うことで処理液を所定温
度に保持する処理液温調装置と、 前記処理液温調装置との間で所定量の温調媒体を循環さ
せる温調媒体循環装置と、 を具備し、 前記温調媒体循環装置は、 前記処理液温調装置へ送液する温調媒体を所定温度に調
節し、前記処理液温調装置との間で所定量の温調媒体を
循環する第1の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定量の温
調媒体を循環する第2の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う第1の制御装置と、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を有することを特徴とする処理装置。
3. A processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a liquid processing unit for performing a predetermined liquid processing on the object to be processed, and a processing liquid used in the liquid processing unit. A processing liquid temperature control device that maintains the processing liquid at a predetermined temperature by performing heat exchange between the processing liquid and a temperature control device that circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the processing liquid temperature control device and the processing liquid temperature control device. And a medium circulation device, wherein the temperature adjustment medium circulation device adjusts the temperature adjustment medium to be sent to the processing liquid temperature adjustment device to a predetermined temperature, and a predetermined amount between the temperature adjustment medium and the processing liquid temperature adjustment device. A first temperature control circulating device that circulates a temperature control medium, and a temperature control medium that is sent to the first temperature control circulator is adjusted to a constant temperature, and a first temperature control circulating device is connected to the first temperature control circulator. A second temperature control circulating device for circulating a fixed amount of temperature control medium, and a temperature control medium in the first temperature control circulating device A first control device that performs temperature control and flow rate control; and a second control device that is provided separately from the first control device that performs temperature control and flow rate control of a temperature control medium in the second temperature control circulating device. And a control device.
【請求項4】 被処理体に対して液処理および液処理後
の熱的処理を行う処理装置であって、 温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温度に調
節された処理液を用いて被処理体に対して所定の液処理
を施す液処理ユニットと、 液処理後の被処理体に所定の加熱処理を施す加熱ユニッ
トと、 加熱処理後の被処理体との間での熱交換を温調媒体によ
って行うことで被処理体を冷却する冷却ユニットと、 前記液処理ユニットに送液する温調媒体を所定温度に調
節し、前記液処理ユニットとの間で所定量の温調媒体を
循環させる第1の温調循環装置と、 前記冷却ユニットに送液する温調媒体を所定温度に調節
し、前記冷却ユニットとの間で所定量の温調媒体を循環
させる第2の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置および第2の温調循環装置に送
液する温調媒体を一定温度に調節し、前記第1の温調循
環装置および第2の温調循環装置との間で所定量の温調
媒体を循環させる第3の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置および第2の温調循環装置にお
けるそれぞれの温調媒体の温度制御および流量制御を行
う第1の制御装置と、 前記第3の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
4. A processing apparatus for performing liquid processing and thermal processing after liquid processing on an object to be processed, wherein the processing liquid is adjusted to a predetermined temperature by performing heat exchange with a temperature control medium. A liquid processing unit for performing a predetermined liquid treatment on the object to be processed using the heat treatment, a heating unit for performing a predetermined heat treatment on the object to be processed after the liquid treatment, and a heat treatment unit. A cooling unit that cools the object by performing heat exchange with the temperature control medium; and a temperature control medium that is sent to the liquid processing unit is adjusted to a predetermined temperature, and a predetermined amount of temperature is set between the liquid processing unit and the liquid processing unit. A first temperature control circulating device that circulates a temperature control medium, and a second temperature control device that controls a temperature control medium to be sent to the cooling unit to a predetermined temperature and circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the temperature control medium and the cooling unit. A temperature regulating circulating device, the first temperature regulating circulating device and a second temperature regulating circulating device A third temperature control circulation in which the temperature control medium to be supplied to the apparatus is adjusted to a constant temperature, and a predetermined amount of the temperature control medium is circulated between the first temperature control circulating device and the second temperature control circulating device. A first control device for controlling the temperature and flow rate of each temperature control medium in the first temperature control circulating device and the second temperature control circulating device; and a temperature control device for controlling the temperature in the third temperature control circulating device. A second control device provided separately from the first control device for controlling the temperature and flow rate of the conditioning medium.
【請求項5】 被処理体に対して液処理および液処理後
の熱的処理を行う処理装置であって、 被処理体に対して所定の液処理を施す液処理ユニット
と、 前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施された被
処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニッ
トと、 前記複数の熱的処理ユニットの個々に対して設けられ、
対応する熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温
度に調節して熱的処理ユニットとの間で所定量の温調媒
体を循環する複数の第1の温調循環装置と、 前記複数の第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一
定温度に調節し、前記複数の第1の温調循環装置との間
で所定量の温調媒体を循環する第2の温調循環装置と、 前記複数の第1の温調循環装置における温調媒体の温度
制御および流量制御を行う第1の制御装置と、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
5. A processing apparatus for performing liquid processing and thermal processing after liquid processing on a target object, a liquid processing unit for performing predetermined liquid processing on the target object, and the liquid processing unit. A plurality of thermal processing units for performing a predetermined thermal treatment on the object to be processed by performing a heat exchange with the object to be processed which has been subjected to the predetermined liquid treatment in the temperature control medium; Provided for each individual processing unit,
A plurality of first temperature control circulating devices that adjust a temperature control medium to be sent to a corresponding thermal processing unit to a predetermined temperature and circulate a predetermined amount of the temperature control medium with the thermal processing unit; A second temperature control unit that adjusts the temperature control medium to be sent to the first temperature control circulating device to a constant temperature, and circulates a predetermined amount of the temperature control medium between the plurality of first temperature control circulating devices. A circulation device; a first control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium in the plurality of first temperature control and circulation devices; and a temperature control and flow rate for the temperature control medium in the second temperature control and circulation device And a second control device provided separately from the first control device for performing control.
【請求項6】 被処理体に対して液処理および液処理後
の熱的処理を行う処理装置であって、 温調媒体との間で熱交換を行うことにより所定温度に調
節された処理液を用いて被処理体に対して所定の液処理
を施す液処理ユニットと、 前記液処理ユニットにおいて所定の液処理が施された被
処理体との間での熱交換を温調媒体によって行うことで
被処理体に所定の熱的処理を施す複数の熱的処理ユニッ
トと、 前記液処理ユニットおよび前記複数の熱的処理ユニット
の個々に対して設けられ、対応する液処理ユニットまた
は熱的処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度に調
節して液処理ユニットまたは熱的処理ユニットとの間で
所定量の温調媒体を循環する複数の第1の温調循環装置
と、 前記複数の第1の温調循環装置における温調媒体の温度
制御および流量制御を行う第1の制御装置と、 を有する複数の温度制御ブロック、および、 前記複数の温度制御ブロックにおける第1の温調循環装
置へ送液する温調媒体を一定温度に調節して前記複数の
第1の温調循環装置との間で所定量の温調媒体を循環す
る第2の温調循環装置、ならびに、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置、 を具備することを特徴とする処理装置。
6. A processing apparatus for performing liquid processing and thermal processing after liquid processing on an object to be processed, wherein the processing liquid is adjusted to a predetermined temperature by performing heat exchange with a temperature control medium. Using a temperature control medium to perform heat exchange between a liquid processing unit that performs predetermined liquid processing on the object to be processed using the method and a processing object that has been subjected to the predetermined liquid processing in the liquid processing unit. A plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on the object to be processed, and a corresponding liquid processing unit or thermal processing unit provided for each of the liquid processing unit and the plurality of thermal processing units A plurality of first temperature control circulating devices for circulating a predetermined amount of temperature control medium between a liquid processing unit or a thermal processing unit by adjusting the temperature control medium to be sent to the predetermined temperature; 1 of the temperature control medium in the temperature control circulation device A plurality of temperature control blocks having a first control device for performing temperature control and a flow rate control; and adjusting a temperature control medium to be sent to a first temperature control circulation device in the plurality of temperature control blocks to a constant temperature. A second temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of temperature control medium between the plurality of first temperature control circulating devices, and a temperature control of the temperature control medium in the second temperature control circulating device. And a second control device provided separately from the first control device for controlling the flow rate.
【請求項7】 被処理体に対して洗浄、レジスト塗布お
よび露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であ
って、 被処理体の洗浄処理を行う洗浄ユニットと、 被処理体に所定のレジスト液を塗布するレジスト塗布ユ
ニットと、 露光後の被処理体に所定の現像処理を施す現像ユニット
と、 前記洗浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットま
たは前記現像ユニットにおいて処理された被処理体に対
して所定の加熱処理を施す複数の加熱ユニットと、 前記複数の加熱ユニットにおいて処理された被処理体に
対して、被処理体との間での熱交換を温調媒体によって
行うことで被処理体を所定温度に冷却する複数の冷却ユ
ニットと、 前記複数の冷却ユニットの個々に対して、送液する温調
媒体を所定温度に調節して対応する冷却ユニットとの間
で所定量の温調媒体を循環する複数の第1の温調循環装
置と、 前記洗浄ユニットもしくは前記レジスト塗布ユニットま
たは前記現像ユニットにおいて用いられる複数の処理液
の個々に対して、処理液との間での熱交換を温調媒体に
よって行うことで処理液を所定温度に保持する複数の第
2の温調循環装置と、 前記複数の第1の温調循環装置と第2の温調循環装置の
内で被処理体の洗浄処理に関係するものに用いられる温
調媒体の温度制御および流量制御を行う第1の制御装置
と、 前記複数の第1の温調循環装置と第2の温調循環装置の
内で被処理体のレジスト塗布処理に関係するものに用い
られる温調媒体の温度制御および流量制御を行う第2の
制御装置と、 前記複数の第1の温調循環装置と第2の温調循環装置の
内で被処理体の現像処理に関係するものに用いられる温
調媒体の温度制御および流量制御を行う第3の制御装置
と、 前記複数の第1の温調循環装置および第2の温調循環装
置へ送液する温調媒体を一定温度に調節し、前記複数の
第1の温調循環装置および第2の温調循環装置との間で
所定量の温調媒体を循環する第3の温調循環装置と、 前記第3の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第4の制御装置と、 を具備することを特徴とする処理装置。
7. A processing apparatus for performing a series of processing including cleaning, resist coating, and development after exposure to an object to be processed, comprising: a cleaning unit for performing a cleaning process on the object to be processed; A resist coating unit for applying a resist liquid of the type described above, a developing unit for performing a predetermined developing process on the object to be processed after exposure, and a processing unit for the cleaning unit or the resist applying unit or the object processed in the developing unit. A plurality of heating units for performing a predetermined heating process, and for the object to be processed in the plurality of heating units, heat exchange between the object to be processed and the object to be processed is performed by using a temperature control medium. A plurality of cooling units for cooling to a predetermined temperature, and a cooling unit corresponding to each of the plurality of cooling units by adjusting a temperature control medium to be supplied to a predetermined temperature. A plurality of first temperature control circulating devices for circulating a predetermined amount of a temperature control medium therebetween, and a processing solution for each of the plurality of processing solutions used in the cleaning unit or the resist coating unit or the developing unit. A plurality of second temperature control circulating devices for maintaining the processing liquid at a predetermined temperature by performing heat exchange between the first temperature control circulating device and the second temperature control circulating device A first control device for controlling the temperature and flow rate of a temperature control medium used for cleaning the object to be processed in the apparatus; and a plurality of the first temperature control circulating devices and a second temperature control device. A second control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium used for the resist coating process on the object to be processed in the control and circulating device; and the plurality of first temperature control and circulating devices. Of the object to be processed in the temperature control circulation device 2 A third control device for controlling the temperature and flow rate of the temperature control medium used for the temperature control medium, and a temperature control for sending the liquid to the plurality of first temperature control circulating devices and the second temperature control circulating devices. A third temperature control circulating device that adjusts the medium to a constant temperature and circulates a predetermined amount of temperature control medium between the plurality of first temperature control circulating devices and the second temperature controlling circulating device; And a fourth control device provided separately from the first control device for performing temperature control and flow rate control of the temperature control medium in the temperature control circulating device of (3).
【請求項8】 前記第3の温調循環装置は、温調媒体
を、前記複数の第1の温調循環装置および第2の温調循
環装置において調節される温調媒体の温度よりも低い一
定温度に冷却して前記複数の第1の温調循環装置および
第2の温調循環装置へ送液することを特徴とする請求項
7に記載の処理装置。
8. The third temperature control circulating device sets the temperature control medium at a temperature lower than the temperature of the temperature control medium adjusted in the plurality of first temperature control circulating devices and the second temperature control circulating device. The processing apparatus according to claim 7, wherein the processing apparatus is cooled to a constant temperature and is sent to the plurality of first temperature control circulating apparatuses and the second temperature control circulating apparatus.
【請求項9】 前記複数の第1の温調循環装置および第
2の温調循環装置は、循環させる温調媒体を加熱するた
めのヒータを具備することを特徴とする請求項7または
請求項8に記載の処理装置。
9. The apparatus according to claim 7, wherein each of the first and second temperature control circulating devices includes a heater for heating a temperature control medium to be circulated. 9. The processing apparatus according to 8.
【請求項10】 前記温調媒体の主成分が水であること
を特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記
載の処理装置。
10. The processing apparatus according to claim 1, wherein a main component of the temperature control medium is water.
【請求項11】 複数の処理ユニットを備えた処理装置
において各処理ユニットに温調媒体を供給して所定の温
調を行う温調システムであって、 前記複数の処理ユニットへ送液する温調媒体を所定温度
に調節し、前記複数の処理ユニットとの間で所定量の温
調媒体を循環する第1の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置へ送液する温調媒体を一定温度
に調節し、前記第1の温調循環装置との間で所定量の温
調媒体を循環する第2の温調循環装置と、 前記第1の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う第1の制御装置と、 前記第2の温調循環装置における温調媒体の温度制御お
よび流量制御を行う前記第1の制御装置とは別体で設け
られた第2の制御装置と、 を具備することを特徴とする温調システム。
11. A temperature control system for performing a predetermined temperature control by supplying a temperature control medium to each processing unit in a processing apparatus having a plurality of processing units, wherein the temperature control system sends the liquid to the plurality of processing units. A first temperature adjusting and circulating device that adjusts the medium to a predetermined temperature and circulates a predetermined amount of the temperature adjusting medium between the plurality of processing units; and a temperature adjusting medium that sends the liquid to the first temperature adjusting and circulating device. And a second temperature control circulating device that circulates a predetermined amount of temperature control medium between the first temperature control circulating device and the first temperature control circulating device. A first control device that performs temperature control and flow rate control; and a second control device that is provided separately from the first control device that performs temperature control and flow rate control of a temperature control medium in the second temperature control circulating device. A temperature control system, comprising: a control device;
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