JP2002270430A - パルストランス - Google Patents
パルストランスInfo
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- JP2002270430A JP2002270430A JP2001068156A JP2001068156A JP2002270430A JP 2002270430 A JP2002270430 A JP 2002270430A JP 2001068156 A JP2001068156 A JP 2001068156A JP 2001068156 A JP2001068156 A JP 2001068156A JP 2002270430 A JP2002270430 A JP 2002270430A
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- electrostatic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電移行や電磁誘導サージによる影響が少な
く、また安定した絶縁性能の得られる信頼性の高いパル
ストランスを提供する。 【解決手段】 一次巻線導体１０の周囲に配置された静
電遮蔽導体１１〜１６は交互に２群に分割され、静電遮
蔽導体１２、１４、１６からなる第１の静電遮蔽導体群
は下部で接地線３０に接続されて接地され、静電遮蔽導
体１１、１３、１５からなる第２の静電遮蔽導体群は上
部において接地線３０に接続されて接地される。静電遮
蔽導体１１〜１６に流れる静電移行サージ電流の半数は
上から下へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心
１を貫く電流は差し引き略０となる。従って、静電移行
サージ電流によって二次巻線２に電圧が発生することが
ない。
く、また安定した絶縁性能の得られる信頼性の高いパル
ストランスを提供する。 【解決手段】 一次巻線導体１０の周囲に配置された静
電遮蔽導体１１〜１６は交互に２群に分割され、静電遮
蔽導体１２、１４、１６からなる第１の静電遮蔽導体群
は下部で接地線３０に接続されて接地され、静電遮蔽導
体１１、１３、１５からなる第２の静電遮蔽導体群は上
部において接地線３０に接続されて接地される。静電遮
蔽導体１１〜１６に流れる静電移行サージ電流の半数は
上から下へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心
１を貫く電流は差し引き略０となる。従って、静電移行
サージ電流によって二次巻線２に電圧が発生することが
ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高電圧パルス発生器
等に用いられる直流高圧スイッチのゲートを駆動するパ
ルストランスに関するものである。
等に用いられる直流高圧スイッチのゲートを駆動するパ
ルストランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パルス状の電圧、電流を利用してガスレ
ーザーの励起や荷電粒子加速を行うパルスパワー技術で
は、パルス高電圧を発生する方法として、高電圧に充電
されたコンデンサを高速スイッチにより急速に放電させ
る方法が一般的に用いられており、高速スイッチとして
は水素ガスを封入したサイラトロンがよく用いられてき
た。しかし、サイラトロンのスイッチングはガス放電作
用を伴うため電極の消耗をさけることができず、寿命が
短いという欠点があった。この欠点を解決するため、最
近では半導体素子により必要なスイッチングを行うとい
う試みがなされている。
ーザーの励起や荷電粒子加速を行うパルスパワー技術で
は、パルス高電圧を発生する方法として、高電圧に充電
されたコンデンサを高速スイッチにより急速に放電させ
る方法が一般的に用いられており、高速スイッチとして
は水素ガスを封入したサイラトロンがよく用いられてき
た。しかし、サイラトロンのスイッチングはガス放電作
用を伴うため電極の消耗をさけることができず、寿命が
短いという欠点があった。この欠点を解決するため、最
近では半導体素子により必要なスイッチングを行うとい
う試みがなされている。
【０００３】パルスパワー用のスイッチには数十キロボ
ルトという高電圧に耐えることが必要であるが、現在の
ところ、このような定格を充たす単独の素子は存在しな
いため半導体素子を直列に接続する必要がある。半導体
素子を直列接続するにあたって技術上の課題の一つに個
々の素子をどのようにして駆動するかということがある
が、その方法の一つとして特開平５−３０４４５１に示
されているように、図８のように円環状の鉄心を用い鉄
心の中央に高絶縁を施したケーブルを貫通させたパルス
トランスを介して各素子を駆動する方法がある。
ルトという高電圧に耐えることが必要であるが、現在の
ところ、このような定格を充たす単独の素子は存在しな
いため半導体素子を直列に接続する必要がある。半導体
素子を直列接続するにあたって技術上の課題の一つに個
々の素子をどのようにして駆動するかということがある
が、その方法の一つとして特開平５−３０４４５１に示
されているように、図８のように円環状の鉄心を用い鉄
心の中央に高絶縁を施したケーブルを貫通させたパルス
トランスを介して各素子を駆動する方法がある。
【０００４】図８において、高電圧半導体スイッチは互
いに直列接続された半導体スイッチ素子４が、個々に別
個のパルストランス５とゲート回路６を介して駆動され
る。またパルストランス５の一次巻線は全部のパルスト
ランス５を串刺しするように高絶縁ケーブルで構成さ
れ、さらにゲートパルス発生回路７に接続される。この
ようにするとパルストランス５の一次二次間の絶縁が高
絶縁ケーブルによって行われるため高電圧のスイッチが
容易に得られる、直列接続された各素子の駆動タイミン
グが完全に一致するため素子の駆動タイミングのずれに
よって生じる過電圧を防止できるなどの利点がある。
いに直列接続された半導体スイッチ素子４が、個々に別
個のパルストランス５とゲート回路６を介して駆動され
る。またパルストランス５の一次巻線は全部のパルスト
ランス５を串刺しするように高絶縁ケーブルで構成さ
れ、さらにゲートパルス発生回路７に接続される。この
ようにするとパルストランス５の一次二次間の絶縁が高
絶縁ケーブルによって行われるため高電圧のスイッチが
容易に得られる、直列接続された各素子の駆動タイミン
グが完全に一致するため素子の駆動タイミングのずれに
よって生じる過電圧を防止できるなどの利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなパ
ルストランスによる駆動方式の問題点はスイッチの動作
時に一次二次巻線間の静電容量を介したいわゆる静電移
行サージによってゲートパルス発生回路に誤動作を起こ
させる可能性があることである。これを防止するため
に、一般的には一次二次の間に静電遮蔽が施される。静
電遮蔽により静電移行サージがゲートパルス発生回路に
及ぼす影響は防止される。しかし、この場合にも静電遮
蔽にサージ電流が流れるためにあたかも静電遮蔽がパル
ストランスの一次巻線のように作用し、二次巻線に電圧
が誘起されスイッチが誤動作する可能性があった。
ルストランスによる駆動方式の問題点はスイッチの動作
時に一次二次巻線間の静電容量を介したいわゆる静電移
行サージによってゲートパルス発生回路に誤動作を起こ
させる可能性があることである。これを防止するため
に、一般的には一次二次の間に静電遮蔽が施される。静
電遮蔽により静電移行サージがゲートパルス発生回路に
及ぼす影響は防止される。しかし、この場合にも静電遮
蔽にサージ電流が流れるためにあたかも静電遮蔽がパル
ストランスの一次巻線のように作用し、二次巻線に電圧
が誘起されスイッチが誤動作する可能性があった。
【０００６】本発明は上に述べたような従来の欠点を解
消するためになされたものであって、静電移行や電磁誘
導サージによる影響が少なく、また安定した絶縁性能の
得られる信頼性の高いパルストランスを得ることを目的
とする。
消するためになされたものであって、静電移行や電磁誘
導サージによる影響が少なく、また安定した絶縁性能の
得られる信頼性の高いパルストランスを得ることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載のパルストランスでは、円環状の鉄
心の中央に１ターンの直線状導体を貫いて一次巻線とな
し、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を放射状に配置、
巻回したパルストランスにおいて、一次巻線の周囲に複
数個の静電遮蔽導体を配置し、複数個の静電遮蔽導体を
交互に２群に分割して第１及び第２の静電遮蔽導体群と
し、電位固定点への引き出し配線を第１の静電遮蔽導体
群と第２の静電遮蔽導体群では逆向きとする。
に、請求項１に記載のパルストランスでは、円環状の鉄
心の中央に１ターンの直線状導体を貫いて一次巻線とな
し、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を放射状に配置、
巻回したパルストランスにおいて、一次巻線の周囲に複
数個の静電遮蔽導体を配置し、複数個の静電遮蔽導体を
交互に２群に分割して第１及び第２の静電遮蔽導体群と
し、電位固定点への引き出し配線を第１の静電遮蔽導体
群と第２の静電遮蔽導体群では逆向きとする。
【０００８】従って、静電移行によって静電遮蔽導体に
流れる電流は略同じ大きさで逆方向となり、二次巻線に
誘起される電圧は打ち消されて略０となってスイッチの
誤動作が防止できる。
流れる電流は略同じ大きさで逆方向となり、二次巻線に
誘起される電圧は打ち消されて略０となってスイッチの
誤動作が防止できる。
【０００９】請求項２に記載のパルストランスでは、円
環状の鉄心の中央に複数の１ターンの直線状導体を貫い
て一次巻線となし、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を
放射状に配置、巻回したパルストランスにおいて、一次
巻線は、各々静電遮蔽導体付の導体とし、静電遮蔽導体
を交互に２群に分割して第１及び第２の静電遮蔽導体群
とし、電位固定点への引き出し配線を第１の静電遮蔽導
体群と第２の静電遮蔽導体群では逆向きとする。
環状の鉄心の中央に複数の１ターンの直線状導体を貫い
て一次巻線となし、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を
放射状に配置、巻回したパルストランスにおいて、一次
巻線は、各々静電遮蔽導体付の導体とし、静電遮蔽導体
を交互に２群に分割して第１及び第２の静電遮蔽導体群
とし、電位固定点への引き出し配線を第１の静電遮蔽導
体群と第２の静電遮蔽導体群では逆向きとする。
【００１０】従って、静電移行によって静電遮蔽導体に
流れる電流は略同じ大きさで逆方向となり、二次巻線に
誘起される電圧は打ち消されて略０となってスイッチの
誤動作が防止できる。
流れる電流は略同じ大きさで逆方向となり、二次巻線に
誘起される電圧は打ち消されて略０となってスイッチの
誤動作が防止できる。
【００１１】請求項３に記載のパルストランスでは、請
求項１に記載のパルストランスにおいて、複数個の静電
遮蔽導体として、円筒状導体を円周上で複数に分割した
ものを用いる。
求項１に記載のパルストランスにおいて、複数個の静電
遮蔽導体として、円筒状導体を円周上で複数に分割した
ものを用いる。
【００１２】従って、請求項３に記載のパルストランス
においては、静電遮蔽導体によって作られる等電位面の
形状が滑らかとなり、静電遮蔽導体と二次巻線との間の
電位傾度が低減され絶縁上の信頼性が向上する。
においては、静電遮蔽導体によって作られる等電位面の
形状が滑らかとなり、静電遮蔽導体と二次巻線との間の
電位傾度が低減され絶縁上の信頼性が向上する。
【００１３】請求項４に記載のパルストランスでは、円
環状の鉄心の中央に１ターンの直線状導体を貫いて一次
巻線となし、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を放射状
に配置、巻回したパルストランスにおいて、一次巻線の
周囲を囲むように半導電層を形成し端部で電位固定する
ことによって静電遮蔽層とする。
環状の鉄心の中央に１ターンの直線状導体を貫いて一次
巻線となし、円環状の鉄心に複数個の二次巻線を放射状
に配置、巻回したパルストランスにおいて、一次巻線の
周囲を囲むように半導電層を形成し端部で電位固定する
ことによって静電遮蔽層とする。
【００１４】従って、請求項４に記載のパルストランス
においては、半導電層に流れる静電移行サージ電流が半
導電層の抵抗によって低減されるために二次巻線に誘起
される電圧も低減されてスイッチの誤動作が防止でき
る。
においては、半導電層に流れる静電移行サージ電流が半
導電層の抵抗によって低減されるために二次巻線に誘起
される電圧も低減されてスイッチの誤動作が防止でき
る。
【００１５】請求項５に記載のパルストランスでは、請
求項１乃至請求項４のいずれかに記載のパルストランス
において、一次巻線と前記静電遮蔽導体、または一次巻
線と静電遮蔽層を一括してモールド絶縁する。
求項１乃至請求項４のいずれかに記載のパルストランス
において、一次巻線と前記静電遮蔽導体、または一次巻
線と静電遮蔽層を一括してモールド絶縁する。
【００１６】従って請求項５に記載のパルストランスに
おいては、一次巻線と前記静電遮蔽導体、または一次巻
線と静電遮蔽層をモールドすることにより、絶縁上の信
頼性を向上することが出来る。
おいては、一次巻線と前記静電遮蔽導体、または一次巻
線と静電遮蔽層をモールドすることにより、絶縁上の信
頼性を向上することが出来る。
【００１７】請求項６に記載のパルストランスでは、請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパルストランス
において、静電遮蔽導体の電位固定点への引き出し配線
にツイストペアケーブルを用い、ツイストペアケーブル
の片側を第１の静電遮蔽導体群に接続し、もう片側を第
２の静電遮蔽導体の群に接続し、かつツイストペアケー
ブルの反対端において片側だけを電位固定する。
求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパルストランス
において、静電遮蔽導体の電位固定点への引き出し配線
にツイストペアケーブルを用い、ツイストペアケーブル
の片側を第１の静電遮蔽導体群に接続し、もう片側を第
２の静電遮蔽導体の群に接続し、かつツイストペアケー
ブルの反対端において片側だけを電位固定する。
【００１８】従って、請求項６に記載のパルストランス
においては、磁気誘導によって静電遮蔽導体に誘起され
る電圧が打ち消されるために、二次巻線に誘起される電
圧も低減されてスイッチの誤動作が防止できる。
においては、磁気誘導によって静電遮蔽導体に誘起され
る電圧が打ち消されるために、二次巻線に誘起される電
圧も低減されてスイッチの誤動作が防止できる。
【００１９】請求項７に記載のパルストランスでは、請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパルストランス
において、静電遮蔽導体の電位固定点への引き出し配線
に同軸ケーブルを用いる。
求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパルストランス
において、静電遮蔽導体の電位固定点への引き出し配線
に同軸ケーブルを用いる。
【００２０】従って、請求項７に記載のパルストランス
においては、磁気誘導によって静電遮蔽導体に誘起され
る電圧が打ち消されるために、二次巻線に誘起される電
圧も低減されてスイッチの誤動作が防止できる。
においては、磁気誘導によって静電遮蔽導体に誘起され
る電圧が打ち消されるために、二次巻線に誘起される電
圧も低減されてスイッチの誤動作が防止できる。
【００２１】以上により、静電移行サージによる影響の
少ない高信頼性のパルストランスを得ることができる。
少ない高信頼性のパルストランスを得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００２３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す斜視図で
ある。
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す斜視図で
ある。
【００２４】図１において、複数の円環状の鉄心１の中
央を１ターンの直線状の一次巻線導体１０が貫き、一次
巻線導体１０の周囲には、一次巻線導体１０を中心とす
る所定の円周上の位置において略等間隔に、静電遮蔽導
体１１〜１６が配置される。静電遮蔽導体１１〜１６は
円周方向の位置で交互に２群に分割され、静電遮蔽導体
１２、１４、１６からなる第１の静電遮蔽導体群は下部
で接地線３０に接続されて接地され、静電遮蔽導体１
１、１３、１５からなる第２の静電遮蔽導体群は上部に
おいて接地線３０に接続されて接地される。
央を１ターンの直線状の一次巻線導体１０が貫き、一次
巻線導体１０の周囲には、一次巻線導体１０を中心とす
る所定の円周上の位置において略等間隔に、静電遮蔽導
体１１〜１６が配置される。静電遮蔽導体１１〜１６は
円周方向の位置で交互に２群に分割され、静電遮蔽導体
１２、１４、１６からなる第１の静電遮蔽導体群は下部
で接地線３０に接続されて接地され、静電遮蔽導体１
１、１３、１５からなる第２の静電遮蔽導体群は上部に
おいて接地線３０に接続されて接地される。
【００２５】また、鉄心１には複数の二次巻線２が放射
状に配置されて巻回されており、それらの二次巻線２は
スイッチ（図示せず）のゲート回路（図示せず）に接続
される。また、一次巻線導体１０は上下から引き出さ
れ、ゲート駆動パルス発生回路（図示せず）に接続され
る。
状に配置されて巻回されており、それらの二次巻線２は
スイッチ（図示せず）のゲート回路（図示せず）に接続
される。また、一次巻線導体１０は上下から引き出さ
れ、ゲート駆動パルス発生回路（図示せず）に接続され
る。
【００２６】次に、以上のように構成した本実施形態に
よるパルストランスの作用について説明する。図示しな
いゲート駆動パルス発生回路によってゲート駆動パルス
が発生すると、一次巻線導体１０を通って鉄心１を貫く
ように電流が流れるので二次巻線２に電圧が誘起されス
イッチが駆動される。一方スイッチ動作時に二次巻線２
と静電遮蔽導体１１〜１６との間の静電容量結合を介す
る静電移行によって静電遮蔽導体１１〜１６に発生した
電荷は静電移行サージ電流として静電遮蔽導体１１〜１
６をそれぞれ接地点に向かって流れるが半数は上から下
へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心１を貫く
電流は差し引き略０となる。従って、静電移行サージ電
流によって二次巻線２に電圧が発生することはなくスイ
ッチの誤動作が防止できる。
よるパルストランスの作用について説明する。図示しな
いゲート駆動パルス発生回路によってゲート駆動パルス
が発生すると、一次巻線導体１０を通って鉄心１を貫く
ように電流が流れるので二次巻線２に電圧が誘起されス
イッチが駆動される。一方スイッチ動作時に二次巻線２
と静電遮蔽導体１１〜１６との間の静電容量結合を介す
る静電移行によって静電遮蔽導体１１〜１６に発生した
電荷は静電移行サージ電流として静電遮蔽導体１１〜１
６をそれぞれ接地点に向かって流れるが半数は上から下
へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心１を貫く
電流は差し引き略０となる。従って、静電移行サージ電
流によって二次巻線２に電圧が発生することはなくスイ
ッチの誤動作が防止できる。
【００２７】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す斜視図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す斜視図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
【００２８】図２において、複数の円環状の鉄心１の中
央を１ターンの直線状の静電遮蔽導体付導体２１〜２６
が貫く。静電遮蔽導体付導体２１〜２６は所定の円周上
の位置において略等間隔に配置された構成となってい
る。静電遮蔽導体付導体２１〜２６の静電遮蔽導体は円
周方向の位置で交互に２群に分割され、静電遮蔽導体付
導体２２、２４、２６の静電遮蔽導体からなる第１の静
電遮蔽導体群は下部で接地線３０に接続されて接地さ
れ、静電遮蔽導体付導体２１、２３、２５からなる第２
の静電遮蔽導体群は上部において接地線３０に接続され
て接地される。
央を１ターンの直線状の静電遮蔽導体付導体２１〜２６
が貫く。静電遮蔽導体付導体２１〜２６は所定の円周上
の位置において略等間隔に配置された構成となってい
る。静電遮蔽導体付導体２１〜２６の静電遮蔽導体は円
周方向の位置で交互に２群に分割され、静電遮蔽導体付
導体２２、２４、２６の静電遮蔽導体からなる第１の静
電遮蔽導体群は下部で接地線３０に接続されて接地さ
れ、静電遮蔽導体付導体２１、２３、２５からなる第２
の静電遮蔽導体群は上部において接地線３０に接続され
て接地される。
【００２９】また、静電遮蔽導体付導体２１〜２６の中
心導体は上下から引き出されてゲート駆動パルス発生回
路（図示せず）に接続される。
心導体は上下から引き出されてゲート駆動パルス発生回
路（図示せず）に接続される。
【００３０】次に、以上のように構成した本実施の形態
によるパルストランスの作用について説明する。図示し
ないゲート駆動パルス発生回路によってゲート駆動パル
スが発生すると、一次巻線導体即ち静電遮蔽導体付導体
２１〜２６の中心導体を通って鉄心１を貫くように電流
が流れるので二次巻線２に電圧が誘起されスイッチが駆
動される。一方スイッチ動作時に二次巻線２と静電遮蔽
導体付導体２１〜２６の静電遮蔽導体との間の静電容量
結合を介する静電移行によって静電遮蔽導体付導体２１
〜２６の静電遮蔽導体に発生した電荷はそれぞれ静電移
行サージ電流として静電遮蔽導体付導体２１〜２６の静
電遮蔽導体を接地点に向かって流れるが半数は上から下
へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心１を貫く
電流は差し引き略０となる。従って、静電移行サージ電
流によって二次巻線２に電圧が発生することはなくスイ
ッチの誤動作が防止できる。
によるパルストランスの作用について説明する。図示し
ないゲート駆動パルス発生回路によってゲート駆動パル
スが発生すると、一次巻線導体即ち静電遮蔽導体付導体
２１〜２６の中心導体を通って鉄心１を貫くように電流
が流れるので二次巻線２に電圧が誘起されスイッチが駆
動される。一方スイッチ動作時に二次巻線２と静電遮蔽
導体付導体２１〜２６の静電遮蔽導体との間の静電容量
結合を介する静電移行によって静電遮蔽導体付導体２１
〜２６の静電遮蔽導体に発生した電荷はそれぞれ静電移
行サージ電流として静電遮蔽導体付導体２１〜２６の静
電遮蔽導体を接地点に向かって流れるが半数は上から下
へ、半数は下から上に向かって流れるため鉄心１を貫く
電流は差し引き略０となる。従って、静電移行サージ電
流によって二次巻線２に電圧が発生することはなくスイ
ッチの誤動作が防止できる。
【００３１】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
【００３２】図３において、静電遮蔽導体１１〜１６
は、円筒状の導体を円周上で６分割したものを用い、分
割部分にはギャップを設ける。
は、円筒状の導体を円周上で６分割したものを用い、分
割部分にはギャップを設ける。
【００３３】このようにすると、第３の実施形態におい
ては静電遮蔽導体１１〜１６によって形成される電界は
１個の円筒導体単体によって形成される電界と略同一の
ものとなり電界の集中がなく安定した絶縁性能が得られ
る。即ち、静電遮蔽導体１１〜１６によって作られる等
電位面の形状が滑らかとなり静電遮蔽導体１１〜１６と
二次巻線２との間の電位傾度が低減され絶縁上の信頼性
が向上する。また、静電遮蔽導体１１〜１６が略完全に
一次巻線導体１０を被うことになり遮蔽効果が向上す
る。
ては静電遮蔽導体１１〜１６によって形成される電界は
１個の円筒導体単体によって形成される電界と略同一の
ものとなり電界の集中がなく安定した絶縁性能が得られ
る。即ち、静電遮蔽導体１１〜１６によって作られる等
電位面の形状が滑らかとなり静電遮蔽導体１１〜１６と
二次巻線２との間の電位傾度が低減され絶縁上の信頼性
が向上する。また、静電遮蔽導体１１〜１６が略完全に
一次巻線導体１０を被うことになり遮蔽効果が向上す
る。
【００３４】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
【００３５】図４において、一次巻線導体１０はポリエ
チレン層４０によって被われ、さらにポリエチレン層４
０の表面には半導電層４１が形成される。半導電層４１
の材料としては炭素を混入したゴムなどが好適である。
この半導電層４１は一端において接地される。
チレン層４０によって被われ、さらにポリエチレン層４
０の表面には半導電層４１が形成される。半導電層４１
の材料としては炭素を混入したゴムなどが好適である。
この半導電層４１は一端において接地される。
【００３６】このようにして構成された第４の実施形態
においては、静電遮蔽導体は半導電層４１からなる抵抗
性のものとなり、静電移行サージ電流はこの抵抗によっ
て制限されることになる。従って、静電移行サージ電流
によって二次巻線２に誘起される電圧も小さくなりスイ
ッチの誤動作が防止できる。
においては、静電遮蔽導体は半導電層４１からなる抵抗
性のものとなり、静電移行サージ電流はこの抵抗によっ
て制限されることになる。従って、静電移行サージ電流
によって二次巻線２に誘起される電圧も小さくなりスイ
ッチの誤動作が防止できる。
【００３７】（第５の実施形態）図５は、本発明の第５
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの主要部の構成を示す
断面図であり、図１と同一部分または対応する部分には
同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部
分についてのみ述べる。
【００３８】図５において、一次巻線導体１０と静電遮
蔽導体１１〜１６は共にモールド絶縁層４２によって被
われる。モールド絶縁の素材としてはエポキシなどが好
適である。
蔽導体１１〜１６は共にモールド絶縁層４２によって被
われる。モールド絶縁の素材としてはエポキシなどが好
適である。
【００３９】このようにして構成された第５の実施形態
においては、電界の集中する一次巻線導体１０と静電遮
蔽導体１１〜１６の表面が強い絶縁耐力をもつモールド
絶縁層４２で被われるので安定した絶縁性能が得られ
る。
においては、電界の集中する一次巻線導体１０と静電遮
蔽導体１１〜１６の表面が強い絶縁耐力をもつモールド
絶縁層４２で被われるので安定した絶縁性能が得られ
る。
【００４０】なお、上述の説明では、図１に示す一次巻
線導体１０と静電遮蔽導体１１〜１６を一括してモール
ド絶縁層４２によって被う場合を図５に示して説明した
が、図２に示す静電遮蔽導体付導体２１〜２６、または
図３に示す一次巻線導体１０と静電遮蔽導体１１〜１
６、または図４に示す一次巻線導体１０〜半導電層４１
を一括してモールド絶縁層で被うこととしてもよい。
線導体１０と静電遮蔽導体１１〜１６を一括してモール
ド絶縁層４２によって被う場合を図５に示して説明した
が、図２に示す静電遮蔽導体付導体２１〜２６、または
図３に示す一次巻線導体１０と静電遮蔽導体１１〜１
６、または図４に示す一次巻線導体１０〜半導電層４１
を一括してモールド絶縁層で被うこととしてもよい。
【００４１】（第６の実施形態）図６は、本発明の第６
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す回路図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す回路図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
【００４２】図６において、第１の静電遮蔽導体群１Ａ
（図１の静電遮蔽導体１２、１４、１６）は上部と下部
の両方においてツイストペアケーブル４３に接続され
る。そして下部において接続されたツイストペアケーブ
ル４３の反対端において接地される。
（図１の静電遮蔽導体１２、１４、１６）は上部と下部
の両方においてツイストペアケーブル４３に接続され
る。そして下部において接続されたツイストペアケーブ
ル４３の反対端において接地される。
【００４３】また第２の静電遮蔽導体群１Ｂ（図１の静
電遮蔽導体１１、１３、１５）も上部と下部の両方にお
いてツイストペアケーブル４３に接続される。そして上
部において接続されたツイストペアケーブル４３の反対
端において接地される。ツイストペアケーブル４３の接
地点は略同一点である。
電遮蔽導体１１、１３、１５）も上部と下部の両方にお
いてツイストペアケーブル４３に接続される。そして上
部において接続されたツイストペアケーブル４３の反対
端において接地される。ツイストペアケーブル４３の接
地点は略同一点である。
【００４４】このようにして構成された第６の実施形態
においては、第１の静電遮蔽導体群１Ａの接地線に鎖交
する磁束の変化によって誘起される起電力が第１の静電
遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導体群１Ｂとでは大き
さが同じで逆極性となる。同様に第２の静電遮蔽導体群
１Ｂの接地線に鎖交する磁束の変化によって誘起される
起電力も第１の静電遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導
体群１Ｂとでは大きさが同じで逆極性となる。従って電
磁誘導ノイズが打ち消されスイッチの誤動作がなくな
る。
においては、第１の静電遮蔽導体群１Ａの接地線に鎖交
する磁束の変化によって誘起される起電力が第１の静電
遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導体群１Ｂとでは大き
さが同じで逆極性となる。同様に第２の静電遮蔽導体群
１Ｂの接地線に鎖交する磁束の変化によって誘起される
起電力も第１の静電遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導
体群１Ｂとでは大きさが同じで逆極性となる。従って電
磁誘導ノイズが打ち消されスイッチの誤動作がなくな
る。
【００４５】（第７の実施形態）図７は、本発明の第７
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す回路図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
の実施形態に係るパルストランスの構成を示す回路図で
あり、図１と同一部分または対応する部分には同一符号
を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分につい
てのみ述べる。
【００４６】図７において、第１の静電遮蔽導体群１Ａ
（図１の静電遮蔽導体１２、１４、１６）は上部と下部
の両方において同軸ケーブル４４に接続される。上部に
おいては同軸ケーブル４４の外側導体に、そして下部に
おいては同軸ケーブル４４の中心導体に接続される。そ
して下部において接続された同軸ケーブル４４の反対端
において同軸ケーブル４４の中心導体が接地される。
（図１の静電遮蔽導体１２、１４、１６）は上部と下部
の両方において同軸ケーブル４４に接続される。上部に
おいては同軸ケーブル４４の外側導体に、そして下部に
おいては同軸ケーブル４４の中心導体に接続される。そ
して下部において接続された同軸ケーブル４４の反対端
において同軸ケーブル４４の中心導体が接地される。
【００４７】また第２の静電遮蔽導体群１Ｂ（図１の静
電遮蔽導体１１、１３、１５）も上部と下部の両方にお
いて同軸ケーブル４４に接続される。上部においては同
軸ケーブル４４の中心導体に、そして下部においては同
軸ケーブル４４の外側導体に接続される。そして上部に
おいて接続された同軸ケーブル４４の反対端において同
軸ケーブル４４の中心導体が接地される。同軸ケーブル
４４の接地点は略同一点である。
電遮蔽導体１１、１３、１５）も上部と下部の両方にお
いて同軸ケーブル４４に接続される。上部においては同
軸ケーブル４４の中心導体に、そして下部においては同
軸ケーブル４４の外側導体に接続される。そして上部に
おいて接続された同軸ケーブル４４の反対端において同
軸ケーブル４４の中心導体が接地される。同軸ケーブル
４４の接地点は略同一点である。
【００４８】このようにして構成された第７の実施形態
においては、第１の静電遮蔽導体群１Ａの接地線に鎖交
する磁束の変化によって誘起される起電力が第１の静電
遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導体群１Ｂとでは大き
さが同じで逆極性となる。同様に第２の静電遮蔽導体群
１Ｂの接地線に鎖交する磁束の変化によって誘起される
起電力も第１の静電遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導
体群１Ｂとでは大きさが同じで逆極性となる。従って電
磁誘導ノイズが打ち消されスイッチの誤動作がなくな
る。
においては、第１の静電遮蔽導体群１Ａの接地線に鎖交
する磁束の変化によって誘起される起電力が第１の静電
遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導体群１Ｂとでは大き
さが同じで逆極性となる。同様に第２の静電遮蔽導体群
１Ｂの接地線に鎖交する磁束の変化によって誘起される
起電力も第１の静電遮蔽導体群１Ａと第２の静電遮蔽導
体群１Ｂとでは大きさが同じで逆極性となる。従って電
磁誘導ノイズが打ち消されスイッチの誤動作がなくな
る。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、静
電移行や電磁誘導サージによる影響が少なく、また安定
した絶縁性能の得られる信頼性の高いパルストランスを
得ることができる。
電移行や電磁誘導サージによる影響が少なく、また安定
した絶縁性能の得られる信頼性の高いパルストランスを
得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係るパルストラン
スの構成を示す斜視図。
スの構成を示す斜視図。
【図２】 本発明の第２の実施形態に係るパルストラン
スの構成を示す斜視図。
スの構成を示す斜視図。
【図３】 本発明の第３の実施形態に係るパルストラン
スの主要部の構成を示す断面図。
スの主要部の構成を示す断面図。
【図４】 本発明の第４の実施形態に係るパルストラン
スの主要部の構成を示す断面図。
スの主要部の構成を示す断面図。
【図５】 本発明の第５の実施形態に係るパルストラン
スの主要部の構成を示す断面図。
スの主要部の構成を示す断面図。
【図６】 本発明の第６の実施形態に係るパルストラン
スの構成を示す回路図。
スの構成を示す回路図。
【図７】 本発明の第７の実施形態に係るパルストラン
スの構成を示す回路図。
スの構成を示す回路図。
【図８】 従来のパルストランスを用いた高電圧半導体
スイッチの動作を説明するための回路図。
スイッチの動作を説明するための回路図。
１…鉄心 ２…二次巻線 １０…一次巻線導体 １１〜１６…静電遮蔽導体 ２１〜２６…静電遮蔽導体付導体 ３０…接地線 ４０…ポリエチレン層 ４１…半導電層 ４２…モールド絶縁層 １Ａ…第１の静電遮蔽導体群 １Ｂ…第２の静電遮蔽導体群 ４３…ツイストペアケーブル ４４…同軸ケーブル ４…半導体スイッチ素子 ５…パルストランス ６…ゲート回路 ７…ゲートパルス発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｍ 1/08 ３０１ Ｈ０１Ｆ 31/00 Ｃ Ｒ
Claims (7)
- 【請求項１】円環状の鉄心の中央に１ターンの直線状導
体を貫いて一次巻線となし、前記円環状の鉄心に複数個
の二次巻線を放射状に配置、巻回したパルストランスに
おいて、前記一次巻線の周囲に複数個の静電遮蔽導体を
配置し、前記複数個の静電遮蔽導体を交互に２群に分割
して第１及び第２の静電遮蔽導体群とし、電位固定点へ
の引き出し配線を前記第１の静電遮蔽導体群と前記第２
の静電遮蔽導体群では逆向きとしたことを特徴とするパ
ルストランス。 - 【請求項２】円環状の鉄心の中央に複数の１ターンの直
線状導体を貫いて一次巻線となし、前記円環状の鉄心に
複数個の二次巻線を放射状に配置、巻回したパルストラ
ンスにおいて、前記一次巻線は、各々静電遮蔽導体付の
導体とし、前記静電遮蔽導体を交互に２群に分割して第
１及び第２の静電遮蔽導体群とし、電位固定点への引き
出し配線を前記第１の静電遮蔽導体群と前記第２の静電
遮蔽導体群では逆向きとしたことを特徴とするパルスト
ランス。 - 【請求項３】前記複数個の静電遮蔽導体として、円筒状
導体を円周上で複数に分割したものを用いたことを特徴
する請求項１に記載のパルストランス。 - 【請求項４】円環状の鉄心の中央に１ターンの直線状導
体を貫いて一次巻線となし、前記円環状の鉄心に複数個
の二次巻線を放射状に配置、巻回したパルストランスに
おいて、前記一次巻線の周囲を囲むように半導電層を形
成し端部で電位固定することによって静電遮蔽層とした
ことを特徴とするパルストランス。 - 【請求項５】前記一次巻線と前記静電遮蔽導体、または
前記一次巻線と前記静電遮蔽層を一括してモールド絶縁
したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
に記載のパルストランス。 - 【請求項６】前記静電遮蔽導体の電位固定点への引き出
し配線にツイストペアケーブルを用い、ツイストペアケ
ーブルの片側を前記第１の静電遮蔽導体群に接続し、も
う片側を前記第２の静電遮蔽導体の群に接続し、かつツ
イストペアケーブルの反対端において片側だけを電位固
定したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かに記載のパルストランス。 - 【請求項７】前記静電遮蔽導体の電位固定点への引き出
し配線に同軸ケーブルを用いたことを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載のパルストランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068156A JP2002270430A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | パルストランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068156A JP2002270430A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | パルストランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270430A true JP2002270430A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18926386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001068156A Pending JP2002270430A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | パルストランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012005025A1 (ja) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | オムロン株式会社 | ネットワーク機器および通信モジュール |
| WO2018070023A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 株式会社東芝 | 負荷時タップ切換装置 |
| JP2018148057A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 株式会社明電舎 | パルス電源用巻線機器 |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068156A patent/JP2002270430A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012005025A1 (ja) | 2010-07-07 | 2012-01-12 | オムロン株式会社 | ネットワーク機器および通信モジュール |
| US9723767B2 (en) | 2010-07-07 | 2017-08-01 | Omron Corporation | Network device and communication module |
| WO2018070023A1 (ja) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | 株式会社東芝 | 負荷時タップ切換装置 |
| JP2018148057A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 株式会社明電舎 | パルス電源用巻線機器 |
| JP7003421B2 (ja) | 2017-03-07 | 2022-01-20 | 株式会社明電舎 | パルス電源用巻線機器 |
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