JP2002266067A - Evaporation source system - Google Patents

Evaporation source system

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JP2002266067A JP2001069076A JP2001069076A JP2002266067A JP 2002266067 A JP2002266067 A JP 2002266067A JP 2001069076 A JP2001069076 A JP 2001069076A JP 2001069076 A JP2001069076 A JP 2001069076A JP 2002266067 A JP2002266067 A JP 2002266067A
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崇展 堀
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an evaporation source system which is capable of preventing a thin film forming material from spilling from a boat. SOLUTION: This evaporation source system has a pair of electrode members 7A and 7B disposed in a vacuum chamber 2, the boat 8 for housing the thin film forming material 9 spanned between the pair of the electrode members 7A and 7B and a power source 30 for heating to supply current I for heating through the pair of the electrode members 7A and 7B to the boat 8. The power source 30 for heating is composed of an inverter 11 which outputs the current I for heating controlled of magnitude by a PWM.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空成膜装置に用
いられる蒸発源装置に関し、特に抵抗加熱方式のものに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an evaporation source device used in a vacuum film forming apparatus, and more particularly to an evaporation source device of a resistance heating type.

【0002】[0002]

【従来の技術】真空成膜装置は、真空チャンバ内におい
て蒸発源から薄膜形成材料(薬剤)を蒸発させ、その蒸
発した薄膜形成材料を真空チャンバ内に置かれた基材上
に堆積させ、それにより、その基材上に薄膜形成材料か
らなる薄膜を形成するものである。
2. Description of the Related Art In a vacuum film forming apparatus, a thin film forming material (drug) is evaporated from an evaporation source in a vacuum chamber, and the evaporated thin film forming material is deposited on a substrate placed in the vacuum chamber. Thus, a thin film made of a thin film forming material is formed on the base material.

【0003】ところで、製品によっては、基材上にタン
タル等の高融点金属からなる薄膜が被着される場合があ
る。このような場合、蒸発源には、電子銃によって薄膜
形成材料を蒸発させる方式が採用されていた。
[0003] In some products, a thin film made of a high melting point metal such as tantalum is deposited on a substrate. In such a case, a method of evaporating a thin film forming material by an electron gun has been adopted as an evaporation source.

【0004】ところが、電子銃を用いると蒸発源のコス
トが高くつくため、蒸発源のコストを低減するため、コ
ストが低く専ら低融点金属の成膜に採用されていた抵抗
加熱方式が採用され始めた。
However, the use of an electron gun increases the cost of the evaporation source, and in order to reduce the cost of the evaporation source, the resistance heating method, which is low in cost and exclusively used for depositing a low melting point metal, has begun to be adopted. Was.

【0005】抵抗加熱方式は、一対の電極間に掛け渡さ
れたボートと呼ばれる上方が開放された加熱容器上に薄
膜形成材料を載置し、そのボートを電極を介して加熱用
電源で通電加熱することにより薄膜形成材料を蒸発させ
るものである。
In the resistance heating method, a thin film forming material is placed on a heating vessel called a boat which is stretched between a pair of electrodes and is open at the top, and the boat is heated by a heating power supply through the electrodes. By doing so, the thin film forming material is evaporated.

【0006】しかし、抵抗加熱方式で高融点の薄膜形成
材料を蒸発させようとすると、大電流が必要とされる。
そこで、加熱用電源には直流ではなく交流が用いられ
る。また、真空成膜における成膜速度は蒸発源からの薄
膜形成材料の蒸発速度に依存する。一方、真空成膜にお
いては、成膜速度が基材上に形成される薄膜の品質に大
きな影響を及ぼす。そこで、真空成膜においては、成膜
速度を一定に維持するよう制御している。この成膜速度
の制御は、基材上に形成された薄膜の膜厚を膜厚センサ
で検出し、その検出した膜厚値に基づいてボートの加熱
用電流をフィードバック制御することにより行われる。
従って、そのフィードバック制御を安定して行うため
に、加熱用電源には、電流値を調整するのに高速な応答
性が必要とされる。このような観点から、加熱用電源に
は、スライダック方式等の電流調整の応答速度の遅い方
式は採用されず、電流調整の応答速度の速い半導体スイ
ッチング素子を用いた位相制御方式が採用されている。
However, a large current is required to evaporate a high melting point thin film forming material by a resistance heating method.
Therefore, an alternating current, not a direct current, is used as a heating power supply. Further, the deposition rate in vacuum deposition depends on the evaporation rate of the thin film forming material from the evaporation source. On the other hand, in vacuum film formation, the film formation speed has a great effect on the quality of a thin film formed on a substrate. Therefore, in vacuum film formation, the film formation speed is controlled to be kept constant. The control of the film forming speed is performed by detecting the film thickness of the thin film formed on the base material by a film thickness sensor, and performing feedback control of the boat heating current based on the detected film thickness value.
Therefore, in order to stably perform the feedback control, the heating power supply needs to have a high-speed response in adjusting the current value. From this point of view, the heating power supply does not employ a slow response method of current adjustment, such as the Slidak method, but employs a phase control method using a semiconductor switching element having a fast response time of current adjustment. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この位相制御
方式では、ボート上に載置された薄膜形成材料がこぼれ
るという問題が発生する。一般に、真空成膜において
は、基材上に形成する薄膜の最終的な厚みをボート上に
載置する薄膜形成材料の量で調整しているため、薄膜形
成材料がボートからこぼれると、膜厚を目的の厚みにす
ることができない。特に、膜厚が薄い場合には膜厚の精
度が低下する。従って、この問題は重大である。
However, this phase control method has a problem that the thin film forming material placed on the boat spills. In general, in vacuum film formation, the final thickness of a thin film formed on a substrate is adjusted by the amount of the thin film forming material placed on a boat. Cannot be set to the desired thickness. In particular, when the film thickness is small, the accuracy of the film thickness decreases. Therefore, this problem is significant.

【0008】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ボートから薄膜形成材料がこぼれ
るのを防止することが可能な蒸発源装置を提供すること
を目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide an evaporation source device capable of preventing a thin film forming material from spilling from a boat.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本件発明者は、ボートの振動の原因の究明に取り組
んだ。その結果、以下の事実が判明した。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present inventor has worked on investigation of the cause of boat vibration. As a result, the following facts became clear.

【0010】すなわち、図1に示すように、ボート8
は、中央部が薄膜形成材料の収容部としてボート状に形
成され、両端部が電極7A,7Bへの固定部として平板状に
形成された金属製の板状部材からなっている。このよう
に構成されたボート8は弾性を有するので、両端を電極
7A,7Bに固定されると振動系を構成し、振動しやすい
ものとなる。そして、実験によれば、ボートの共振周波
数は、大体、300Hz及び600Hzであった。
That is, as shown in FIG.
Is formed of a metal plate-like member having a central portion formed in a boat shape as a storage portion for a thin film forming material, and both end portions formed in a flat plate shape as fixing portions to the electrodes 7A and 7B. Since the boat 8 configured as described above has elasticity, when both ends are fixed to the electrodes 7A and 7B, a vibration system is formed and the boat 8 easily vibrates. According to experiments, the resonance frequencies of the boat were approximately 300 Hz and 600 Hz.

【0011】また、位相制御方式の加熱用電源は、商用
電源の正弦波の電流(図4(a)参照)を、サイリスタを
用いた電力調整器で位相制御してチョッピングすること
により、加熱用電流を得ている(図4(b)参照)ので、
その加熱用電流の波形が滑らかではない。そのため、振
動を発生させやすい。また、高調波を多く含むので共振
を生じ易い。
The heating power supply of the phase control system uses a thyristor-based power regulator to control the phase of a sine wave current of a commercial power supply (see FIG. 4A) and chopping the same. Since the current is obtained (see FIG. 4 (b)),
The waveform of the heating current is not smooth. Therefore, vibration is easily generated. In addition, since many harmonics are included, resonance easily occurs.

【0012】以上の事実から、本件発明者は、ボートの
振動は、波形が滑らかでない加熱用電流によってボート
が加振され、共振によってその振幅が増幅されて生じる
ものであると推測した。そこで、加熱用電流の波形を、
現行のもの、正弦波、及び平坦な直流の3種類に変化さ
せてボートの振動を比較する実験を行ったところ、正弦
波及び平坦な直流の場合は、ボートの振動がほとんど生
じなかった。これにより、上記推測が裏付けられた。
From the above facts, the inventor of the present invention has presumed that the vibration of the boat is caused by the vibration of the boat caused by the heating current having a non-smooth waveform, and the amplitude thereof is amplified by resonance. Therefore, the waveform of the heating current is
An experiment was conducted to compare the vibration of the boat by changing the current one, the sine wave, and the flat DC, and found that the boat hardly vibrated in the case of the sine wave and the flat DC. This confirmed the above assumption.

【0013】但し、加熱用電源には、成膜速度を一定に
制御するために加熱用電流の調整に関して高速な応答性
が要求される。
However, the power supply for heating is required to have a high responsiveness with respect to the adjustment of the current for heating in order to keep the film forming rate constant.

【0014】そこで、本発明に係る蒸発源装置は、真空
成膜を行うためのチャンバ内に配設された一対の電極部
材と、該一対の電極部材間に掛け渡され薄膜形成材料を
収容するボートと、該ボートに上記一対の電極部材を通
じて加熱用電流を供給する加熱用電源とを備え、該加熱
用電源が、PWMによって大きさを制御された上記加熱
用電流を出力するインバータで構成されてなるものであ
る(請求項1)。
Therefore, an evaporation source device according to the present invention accommodates a pair of electrode members provided in a chamber for performing vacuum film formation and a thin film forming material which is bridged between the pair of electrode members. A boat, and a heating power supply for supplying a heating current to the boat through the pair of electrode members, the heating power supply including an inverter for outputting the heating current whose size is controlled by PWM. (Claim 1).

【0015】かかる構成とすると、PWMによればイン
バータを構成するスイッチング素子のゲート制御回路に
おける信号波を正弦波とすることにより、出力される加
熱用電流の波形が正弦波になり、高調波をほとんど含ま
ないものとなる。その結果、ボートの振動を防止するこ
とができ、それにより、薄膜形成材料がボートからこぼ
れるのを防止することができる。また、加熱用電源がイ
ンバータで構成されているので、加熱用電流を高速に応
答して調整することができる。
According to this configuration, according to the PWM, the signal wave in the gate control circuit of the switching element constituting the inverter is a sine wave, so that the waveform of the heating current to be output becomes a sine wave, and the harmonic wave is reduced. It is almost not included. As a result, it is possible to prevent the boat from vibrating, thereby preventing the thin film forming material from spilling from the boat. Further, since the heating power supply is constituted by an inverter, the heating current can be adjusted in response to the current at high speed.

【0016】この場合、上記加熱用電源のインバータ
が、PWMによって上記加熱用電流の周波数を制御可能
なものであるとしてもよい(請求項2)。
In this case, the inverter of the heating power supply may be capable of controlling the frequency of the heating current by PWM.

【0017】かかる構成とすると、出力される加熱用電
流に歪等により多少の高調波成分が含まれることとなっ
たとしても、その周波数を、当該周波数及びその高調波
がボートの共振周波数と一致しないように制御すること
により、ボートの振動を防止することができる。
With this configuration, even if the output heating current contains some harmonic components due to distortion or the like, the frequency is adjusted to match the frequency and the harmonics with the boat resonance frequency. By controlling the boat not to vibrate, vibration of the boat can be prevented.

【0018】この場合、上記ボートの振動を検出する振
動検出手段と、該振動検出手段で検出された振動の主要
な周波数成分を求める周波数解析手段と、該周波数解析
手段で求められた主要な周波数成分の周波数を上記イン
バータから出力される加熱用電流の基本波及び高調波の
周波数として含まないように該加熱用電流の周波数を制
御する周波数制御手段とを備えたものとしてもよい(請
求項3)。
In this case, vibration detection means for detecting the vibration of the boat, frequency analysis means for obtaining a main frequency component of the vibration detected by the vibration detection means, and main frequency information obtained by the frequency analysis means Frequency control means for controlling the frequency of the heating current so that the frequency of the component is not included as the frequencies of the fundamental wave and the harmonics of the heating current output from the inverter may be provided. ).

【0019】かかる構成とすると、周波数制御手段によ
って、加熱用電流による振動に対するボートの共振が回
避されるので、自動的にボートの振動を防止することが
できる。
With this configuration, the resonance of the boat due to the vibration caused by the heating current is avoided by the frequency control means, so that the vibration of the boat can be automatically prevented.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 実施の形態1 図1は本発明の実施の形態1に係る蒸発源装置を用いた
真空成膜装置の構成を示す模式図、図2は図1の蒸発源
装置の加熱用電源のPWMによる電圧制御過程を示す図
であって、(a)は信号波及び搬送波を示す図、(b)はイン
バータの出力電圧及びその平均的瞬時値を示す図、(c)
は信号波の振幅が小さい場合の該信号波及び搬送波を示
す図、(d)は信号波の振幅が小さい場合のインバータの
出力電圧及びその平均的瞬時値を示す図である。真空成
膜には、通常の蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング等が含まれるが、本実施の形態では、真空成膜装
置としてイオンプレーティング装置を例示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a vacuum film forming apparatus using an evaporation source device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. It is a diagram showing a control process, (a) is a diagram showing a signal wave and a carrier wave, (b) is a diagram showing the output voltage of the inverter and its average instantaneous value, (c)
FIG. 8 is a diagram showing the signal wave and the carrier wave when the amplitude of the signal wave is small, and FIG. 9D is a diagram showing the output voltage of the inverter and the average instantaneous value thereof when the amplitude of the signal wave is small. Vacuum film formation includes ordinary vapor deposition, sputtering, ion plating, and the like. In this embodiment, an ion plating apparatus is exemplified as a vacuum film formation apparatus.

【0021】図1において、真空成膜装置1は、導電性
部材からなる真空チャンバ2を有している。真空チャン
バ2内には、基材を保持する基材ホルダ3が配設されて
いる。基材ホルダ3は導電性部材で構成され、導電性部
材からなる回転軸4の一端に接続されている。回転軸4
は、他端がモータ5に接続され、真空チャンバ2の壁部
に回動自在に保持されている。回転軸4とモータ5及び
真空チャンバ2との間は図示されない絶縁部材によって
絶縁されている。回転軸4のチャンバ外の部分には、図
示されないスリップリング及びブラシを介して高周波電
源22及び直流電源23が並列に接続されている。高周波電
源22及び直流電源23と回転軸4との間には、それぞれ、
直流阻止用コンデンサC0及びマッチング回路21、並び
に交流阻止用チョークコイルL0が介挿されている。マ
ッチング回路21は高周波電源22と負荷とのインピーダン
スのマッチングを自動的に行うものである。また、高周
波電源22及び直流電源23の他端は真空チャンバ2に接続
され、該真空チャンバ2は接地されている。さらに、直
流電源23は、基材ホルダ3側が負となるように接続され
ている。
In FIG. 1, a vacuum film forming apparatus 1 has a vacuum chamber 2 made of a conductive member. In the vacuum chamber 2, a base material holder 3 for holding a base material is provided. The substrate holder 3 is made of a conductive member, and is connected to one end of a rotating shaft 4 made of the conductive member. Rotary axis 4
The other end is connected to the motor 5 and is rotatably held on the wall of the vacuum chamber 2. The rotating shaft 4, the motor 5, and the vacuum chamber 2 are insulated by an insulating member (not shown). A high frequency power supply 22 and a DC power supply 23 are connected in parallel to a portion of the rotary shaft 4 outside the chamber via a slip ring and a brush (not shown). Between the high-frequency power supply 22 and the DC power supply 23 and the rotating shaft 4,
A DC blocking capacitor C0, a matching circuit 21, and an AC blocking choke coil L0 are interposed. The matching circuit 21 automatically performs impedance matching between the high-frequency power supply 22 and the load. The other ends of the high frequency power supply 22 and the DC power supply 23 are connected to the vacuum chamber 2, and the vacuum chamber 2 is grounded. Further, the DC power supply 23 is connected such that the substrate holder 3 side is negative.

【0022】一方、真空チャンバ2内には、基材ホルダ
3に対向するように蒸発源6が配設されている。蒸発源
6は、真空チャンバ2の下壁に立設された一対の電極7
A,7B間にボート8が掛け渡されて構成されている。ボ
ート8上には薄膜形成材料9が載置される。そして、そ
の一対の電極7A,7B間に、真空チャンバ2外に配置さ
れた加熱用電源30が接続されている。この蒸発源6及び
加熱用電源30が蒸発源装置31を構成している。
On the other hand, an evaporation source 6 is provided in the vacuum chamber 2 so as to face the substrate holder 3. The evaporation source 6 comprises a pair of electrodes 7 erected on the lower wall of the vacuum chamber 2.
A boat 8 is bridged between A and 7B. A thin film forming material 9 is placed on the boat 8. A heating power supply 30 arranged outside the vacuum chamber 2 is connected between the pair of electrodes 7A and 7B. The evaporation source 6 and the heating power supply 30 constitute an evaporation source device 31.

【0023】加熱用電源30は、整流器12、インバータ1
1、ゲート制御回路13、電流センサ14、及びトランス10
を主な構成要素として構成されている。
The heating power supply 30 includes a rectifier 12, an inverter 1
1, gate control circuit 13, current sensor 14, and transformer 10
Is a main component.

【0024】整流器12は周知の構造のもので、商用電源
の3相交流を整流して所定の直流電圧Eを出力する。イ
ンバータ11は、周知の構造のもので、PWM(pulse wid
th modulation)によって、整流器12から出力される直流
電圧Eを所定の交流電圧eに変換して出力する。ゲート
制御回路13は、インバータ11のスイッチング素子のゲー
ト信号を生成する。トランス10は、インバータ11から出
力される交流電圧を巻数比aで所定の電圧に降圧する。
The rectifier 12 has a known structure, and rectifies a three-phase alternating current of a commercial power supply to output a predetermined DC voltage E. The inverter 11 has a well-known structure, and has a PWM (pulse wid
The DC voltage E output from the rectifier 12 is converted into a predetermined AC voltage e by th modulation) and output. The gate control circuit 13 generates a gate signal of a switching element of the inverter 11. The transformer 10 reduces the AC voltage output from the inverter 11 to a predetermined voltage at a turns ratio a.

【0025】次に、インバータ11及びゲート制御回路13
の構成を詳細に説明する。インバータ11は、第1のスイ
ッチング素子S1と第2のスイッチング素子S2とが直列
接続されてなる回路と第3のスイッチング素子S3と第
4のスイッチング素子S4とが直列接続されてなる回路
とが整流器12の出力端子に対し並列に接続され、双方の
回路の2つのスイッチング素子同士の接続個所がトラン
ス10の一次側の端子に接続されている。各スイッチング
素子S1〜S4には遅れ電流をバイパスさせるためのダイ
オードDがそれぞれ並列に接続されている。スイッチン
グ素子S1〜S4は、ここではIGBT(Insulsted Gate
Bipolar Transister)、パワーMOSFET(Power Meta
l Oxide Semiconductor Field Effect Transister)等で
構成される。そして、各スイッチング素子S1〜S4のゲ
ートにゲート制御回路13から制御信号g1〜g4が入力さ
れている。
Next, the inverter 11 and the gate control circuit 13
Will be described in detail. The inverter 11 includes a rectifier that includes a circuit including a first switching element S1 and a second switching element S2 connected in series and a circuit including a third switching element S3 and a fourth switching element S4 connected in series. Twelve output terminals are connected in parallel, and a connection point between two switching elements of both circuits is connected to a primary terminal of the transformer 10. A diode D for bypassing the delay current is connected in parallel to each of the switching elements S1 to S4. The switching elements S1 to S4 are IGBT (Insulsted Gate) here.
Bipolar Transister), Power MOSFET (Power Meta
l Oxide Semiconductor Field Effect Transister). Control signals g1 to g4 are input from the gate control circuit 13 to the gates of the switching elements S1 to S4.

【0026】図1及び図2(a)を参照して、ゲート制御
回路13は、内部で発生させる正弦波の信号波Scと三角
波の搬送波Cとから以下のようにしてゲート制御信号g
1〜g4を生成する。
Referring to FIGS. 1 and 2 (a), the gate control circuit 13 converts the internally generated sine wave signal wave Sc and triangular carrier wave C into a gate control signal g as follows.
Generate 1 to g4.

【0027】つまり、信号波Scの正の半サイクルで
は、全期間に渡って第1のスイッチング素子S1がオン
になるとともに、信号波Scが搬送波Cより大きい期間
t1に渡って第4のスイッチング素子S4がオンになりか
つ信号波Scが搬送波Cより小さい期間t2に渡って第3
のスイッチング素子S3がオンになるように、また、信
号波Scの負の半サイクルでは、全期間に渡って第3の
スイッチング素子S3がオンになるとともに、信号波Sc
が搬送波Cより小さい期間t3に渡って第2のスイッチ
ング素子S2がオンになりかつ信号波Scが搬送波Cより
大きい期間t4に渡って第1のスイッチング素子S1がオ
ンになるように、第1〜第4のスイッチング素子S1〜
S4のゲートに制御信号g1〜g4を出力する。すると、
期間t1では、第1,第4のスイッチング素子S1,S4が
オンするため、トランス10の一次側端子に一定電圧Eが
出力され、期間t2では、第2,第4のスイッチング素子
S2,S4のいずれもオフするため、トランス10の一次側
端子には電圧が出力されない。一方、期間t3では、第
3,第2のスイッチング素子S3,S2がオンするため、ト
ランス10の一次側端子に負の一定電圧Eが出力され、期
間t4では、第2,第4のスイッチング素子S2,S4のい
ずれもオフするため、トランス10の一次側端子には電圧
が出力されない。
That is, in the positive half cycle of the signal wave Sc, the first switching element S1 is turned on over the entire period, and the fourth switching element S1 is turned on over the period t1 when the signal wave Sc is larger than the carrier wave C. During a period t2 when S4 is on and the signal wave Sc is smaller than the carrier wave C, the third
Is turned on, and in the negative half cycle of the signal wave Sc, the third switching element S3 is turned on over the entire period, and the signal wave Sc is turned on.
Are switched on over a period t3 during which the signal wave Sc is smaller than the carrier wave C, and the first switching element S1 is turned on over a period t4 when the signal wave Sc is larger than the carrier wave C. Fourth switching element S1 ~
Control signals g1 to g4 are output to the gate of S4. Then
In the period t1, the first and fourth switching elements S1 and S4 are turned on, so that a constant voltage E is output to the primary terminal of the transformer 10. In the period t2, the second and fourth switching elements S2 and S4 are turned on. Since both are turned off, no voltage is output to the primary terminal of the transformer 10. On the other hand, in the period t3, the third and second switching elements S3 and S2 are turned on, so that a negative constant voltage E is output to the primary terminal of the transformer 10, and in the period t4, the second and fourth switching elements S3 and S2 are turned on. Since both S2 and S4 are turned off, no voltage is output to the primary terminal of the transformer 10.

【0028】よって、トランス10の一次側端子には、図
2(b)に示すように、その幅が信号波Scの値に近似的に
比例した矩形パルスの列からなる交流電圧eが出力され
る。この交流電圧eの平均的瞬時値V’は正弦波にな
る。そして、この交流電圧eは、トランス10の電磁誘導
作用により積分されてその二次側では上記平均的瞬時値
V’と同様に正弦波になる。従って、トランス10の二次
側には、上記平均的瞬時値V’が所定の巻数比aで降圧
された正弦波交流電圧Vが出力される。また、このトラ
ンス10の二次側電圧V(従ってV’も)の大きさ(振
幅)は、図2(c),(d)から明らかなように、信号波Scの
大きさ(振幅)に比例したものとなる。また、その周波
数は信号波Scの周波数と同じになる。また、トランス1
0の二次側負荷は抵抗負荷たるボートであるため、その
二次側電流である加熱用電流Iは上記二次側電圧Vと略
同一位相の正弦波となる。よって、ゲート制御回路13で
発生する信号波Scの振幅及び周波数を制御することに
より、加熱用電流Iの大きさ及び周波数を所望のものに
制御することができる。そして、インバータ11の出力側
には電流センサ14が介挿されており、ゲート制御回路13
は、該電流センサ14から入力される電流値と外部から入
力される信号波の振幅指令値とに基づいて加熱用電流I
(インバータ11の出力電流)をフィードバック制御す
る。本実施の形態では、搬送波Cの周波数は10KHzで
ある。また、商用電源の電圧及びインバータ11の出力電
圧eの実効値は200V、トランス10の二次側電圧Vは10
Vである。従って、トランス10の巻数比a=20である。
また、加熱用電流は500A〜1000Aの範囲に設定され
る。
Therefore, as shown in FIG. 2B, an AC voltage e composed of a train of rectangular pulses whose width is approximately proportional to the value of the signal wave Sc is output to the primary terminal of the transformer 10. You. The average instantaneous value V 'of the AC voltage e becomes a sine wave. The AC voltage e is integrated by the electromagnetic induction of the transformer 10, and becomes a sine wave on the secondary side, like the average instantaneous value V '. Accordingly, a sine wave AC voltage V obtained by reducing the average instantaneous value V ′ at a predetermined turns ratio a is output to the secondary side of the transformer 10. The magnitude (amplitude) of the secondary voltage V (and therefore also V ') of the transformer 10 is, as is apparent from FIGS. 2C and 2D, the magnitude (amplitude) of the signal wave Sc. It will be proportional. The frequency is the same as the frequency of the signal wave Sc. Also, transformer 1
Since the secondary load of 0 is a boat which is a resistive load, the heating current I as the secondary current is a sine wave having substantially the same phase as the secondary voltage V. Therefore, by controlling the amplitude and frequency of the signal wave Sc generated by the gate control circuit 13, the magnitude and frequency of the heating current I can be controlled to desired values. A current sensor 14 is interposed on the output side of the inverter 11, and a gate control circuit 13
Is a heating current I based on a current value input from the current sensor 14 and an amplitude command value of a signal wave input from the outside.
(The output current of the inverter 11) is feedback-controlled. In the present embodiment, the frequency of the carrier C is 10 KHz. The effective value of the voltage of the commercial power supply and the output voltage e of the inverter 11 is 200 V, and the secondary voltage V of the transformer 10 is 10 V.
V. Therefore, the turns ratio a of the transformer 10 is 20.
The heating current is set in the range of 500A to 1000A.

【0029】さらに、図示されていないが、基材ホルダ
3に保持された基材上に形成される薄膜の膜厚を検出す
る膜厚センサが適所に配設され、その検出出力がゲート
制御回路13に入力され、ゲート制御回路13がその検出さ
れた膜厚値に基づいて加熱用電流Iをフィードバック制
御するように構成されている。
Further, although not shown, a film thickness sensor for detecting the film thickness of the thin film formed on the base material held by the base material holder 3 is provided at an appropriate position, and the detection output is provided by a gate control circuit. The gate control circuit 13 is configured to feedback-control the heating current I based on the detected film thickness value.

【0030】次に、以上のように構成された真空成膜装
置及び蒸発源装置の動作を説明する。
Next, the operation of the vacuum film forming apparatus and the evaporation source apparatus configured as described above will be described.

【0031】図1において、一対の電極7A,7B間に掛
け渡されたボート8の共振周波数は300Hz及び600Hzで
あるものとする。この場合、この共振周波数は、基本波
の周波数が60Hzである歪波の5次高調波及び10次高調
波の周波数に等しい。そこで、作業員は、ゲート制御回
路13に対し信号波の周波数指令値を例えば70Hzに設定
しておく。また、薄膜形成材料が高融点金属であるた
め、信号波の振幅指令値を加熱用電流Iの値が例えば10
00Aとなるような値に設定しておく。
In FIG. 1, it is assumed that the resonance frequency of the boat 8 bridged between the pair of electrodes 7A and 7B is 300 Hz and 600 Hz. In this case, the resonance frequency is equal to the frequency of the fifth harmonic and the tenth harmonic of the distorted wave whose fundamental frequency is 60 Hz. Therefore, the operator sets the frequency command value of the signal wave to the gate control circuit 13 at, for example, 70 Hz. Further, since the thin film forming material is a high melting point metal, the amplitude command value of the signal
The value is set so as to be 00A.

【0032】この状態で、基材ホルダ3上に基材を載置
するとともに、ボート8上に所要量の薄膜形成材料9を
載置する。
In this state, the substrate is placed on the substrate holder 3 and a required amount of the thin film forming material 9 is placed on the boat 8.

【0033】次いで、真空成膜装置1を起動すると、高
周波電源22により印加される高周波電力によって真空チ
ャンバ2内にプラズマが立つとともに直流電源23によっ
て真空チャンバ2から基材ホルダ3に向かう直流電界が
形成される。そして、ボート8に加熱用電源30から加熱
電流Iが供給されて該ボート8が通電加熱され、それに
より、該ボート8上に載置された高融点の薄膜形成材料
9が蒸発する。すると、この蒸発した薄膜形成材料は、
プラズマによって励起され直流電界によって加速され
て、基材ホルダ3に保持された基材の表面に衝突し付着
する。これにより、基材上に薄膜形成材料9からなる薄
膜が形成される。
Next, when the vacuum film forming apparatus 1 is started, the plasma rises in the vacuum chamber 2 by the high frequency power applied by the high frequency power supply 22, and a DC electric field from the vacuum chamber 2 to the substrate holder 3 is generated by the DC power supply 23. It is formed. Then, a heating current I is supplied from the heating power supply 30 to the boat 8, and the boat 8 is energized and heated, whereby the high-melting-point thin-film forming material 9 placed on the boat 8 evaporates. Then, the evaporated thin film forming material becomes
It is excited by the plasma and accelerated by the DC electric field, and collides and adheres to the surface of the substrate held by the substrate holder 3. Thereby, a thin film made of the thin film forming material 9 is formed on the base material.

【0034】この際、加熱用電源30からは正弦波の加熱
用電流Iがボート9に供給されるので、該加熱用電流I
が高調波をほとんど含まないものとなっている。また、
波形の歪により若干の高調波を含んでいたとしても、ボ
ート8の共振周波数に最も近いその高調波の周波数は、
280Hz及び630Hzであり、ボート8の共振周波数300Hz
及び600Hzから外れたものとなっている。よって、加熱
用電流Iが1000Aもの大電流であっても、ボート8の振
動を防止することができる。その結果、薄膜形成材料9
がボート8上からこぼれるのを防止することができる。
また、加熱用電源30の電流制御装置がインバータ11で構
成されているので、その出力電流が高速な応答によりフ
ィードバック制御されて調整されるため、膜厚センサの
検出出力に基づく成膜速度のフィードバック制御が安定
して行われる。 実施の形態2 図3は本発明の実施の形態2に係る真空成膜装置の構成
を示す模式図である。本実施の形態では、蒸発源装置30
は、実施の形態1の構成に加えてさらに、電極7Aの先
端部取り付けられた振動センサ29と、振動センサ29で検
出された振動の主要な周波数成分、すなわち共振周波数
を求める周波数解析装置32、周波数解析装置32で求めら
れた主要な周波数成分に基づいてゲート制御回路13に信
号波の周波数指令値を制御信号として入力する周波数制
御装置33を備えている。振動センサ29は、例えば加速度
センサ、速度センサで構成される。周波数解析装置32は
例えばFFT(Fast Fourier Transform)アナライザで構
成される。周波数制御装置33は例えばCPUで構成され
る。ここで、発明者の実験によれば、ボート8の共振周
波数は、大体100Hz〜700Hzの範囲内にあり、かつその
数もせいぜい3つぐらいであるので、例えば、周波数制
御装置33から入力される周波数にある範囲を持たせたも
のと、その範囲を持たせた周波数をその基本波及び高調
波の周波数として含まないような周波数(以下、共振回
避周波数という)とを対応させたテーブルを作成するこ
とが可能である。そこで、本実施の形態では、周波数制
御装置33は、予めそのようなテーブルを主メモリに格納
しており、周波数解析装置32で求められた主要な周波数
をそのテーブルと対比し、それにより得られた共振回避
周波数を周波数指令値としてゲート制御回路33に出力す
る。
At this time, a sine-wave heating current I is supplied from the heating power supply 30 to the boat 9, so that the heating current I
Have almost no harmonics. Also,
Even if the waveform includes some harmonics due to the distortion of the waveform, the frequency of the harmonic closest to the resonance frequency of the boat 8 is
280Hz and 630Hz, the resonance frequency of boat 8 is 300Hz
And 600Hz. Therefore, even when the heating current I is as large as 1000 A, the boat 8 can be prevented from vibrating. As a result, the thin film forming material 9
Spilling from the boat 8 can be prevented.
Further, since the current control device of the heating power supply 30 is constituted by the inverter 11, the output current is adjusted by feedback control with a high-speed response. Control is performed stably. Embodiment 2 FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a vacuum film forming apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. In the present embodiment, the evaporation source device 30
Further includes, in addition to the configuration of the first embodiment, a vibration sensor 29 attached to the tip of the electrode 7A, and a frequency analysis device 32 for obtaining a main frequency component of vibration detected by the vibration sensor 29, that is, a resonance frequency. A frequency control device 33 is provided that inputs a frequency command value of a signal wave to the gate control circuit 13 as a control signal based on the main frequency components obtained by the frequency analysis device 32. The vibration sensor 29 includes, for example, an acceleration sensor and a speed sensor. The frequency analyzer 32 is constituted by, for example, an FFT (Fast Fourier Transform) analyzer. The frequency control device 33 is composed of, for example, a CPU. Here, according to the experiment performed by the inventor, the resonance frequency of the boat 8 is approximately in the range of 100 Hz to 700 Hz, and the number thereof is at most about three. A table is created in which a frequency having a certain range is associated with a frequency (hereinafter referred to as a resonance avoidance frequency) that does not include the frequency having the range as a fundamental frequency and a harmonic frequency. It is possible. Therefore, in the present embodiment, the frequency control device 33 stores such a table in the main memory in advance, compares the main frequency obtained by the frequency analysis device 32 with the table, and obtains the table. The generated resonance avoidance frequency is output to the gate control circuit 33 as a frequency command value.

【0035】このような構成によれば、ボート8が加熱
用電流Iによる振動に共振したとしても、振動センサ29
がその振動を検出し、その検出された振動の主要な周波
数成分を周波数解析装置32が求め、その求められた主要
な周波数成分の周波数をその基本波及び高調波の周波数
として含まないような周波数を周波数指令値として周波
数制御装置33がゲート制御回路33に出力する。それによ
り、加熱用電流Iの周波数がそのような周波数に変化す
るので、ボート8の共振が自動的に防止される。
According to such a configuration, even if the boat 8 resonates with the vibration caused by the heating current I, the vibration sensor 29
Detects the vibration, the frequency analysis device 32 determines a main frequency component of the detected vibration, and a frequency that does not include the determined frequency of the main frequency component as the frequency of the fundamental wave and the harmonic. Is output from the frequency control device 33 to the gate control circuit 33 as a frequency command value. Thereby, the frequency of the heating current I changes to such a frequency, and the resonance of the boat 8 is automatically prevented.

【0036】なお、上記実施の形態1、2では、電圧型
のインバータを用いたが、電流型のインバータを用いて
もよい。
Although the voltage type inverter is used in the first and second embodiments, a current type inverter may be used.

【0037】また、上記実施の形態1、2では、蒸発源
装置をイオンプレテーィング装置に用いる場合を説明し
たが、通常の蒸着装置、スパッタリング装置等の他の真
空成膜装置にも同様に用いることができる。
Further, in the first and second embodiments, the case where the evaporation source device is used for the ion plating device has been described. However, other vacuum film forming devices such as a normal vapor deposition device and a sputtering device are similarly used. Can be used.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、以下のような効果を奏する。 (1)ボートの振動を防止することができ、それによ
り、薄膜形成材料がボートからこぼれるのを防止するこ
とができる。また、加熱用電源がインバータで構成され
ているので、加熱用電流を高速に応答して調整すること
ができる。 (2)加熱用電源のインバータが、PWMによって上記
加熱用電流の周波数を制御可能なものであるとすると、
出力される加熱用電流に歪等により多少の高調波成分が
含まれることとなったとしても、その周波数を、当該周
波数及びその高調波がボートの共振周波数と一致しない
ように制御することにより、ボートの振動を防止するこ
とができる。 (3)ボートの振動を検出する振動検出手段と、振動検
出手段で検出された振動の主要な周波数成分を求める周
波数解析手段と、周波数解析手段で求められた主要な周
波数成分の周波数をインバータから出力される加熱用電
流の基本波及び高調波の周波数として含まないように加
熱用電流の周波数を制御する制御手段とを備えたものと
すると、自動的にボートの振動を防止することができ
る。
The present invention is embodied in the form described above and has the following effects. (1) The vibration of the boat can be prevented, whereby the material for forming the thin film can be prevented from spilling from the boat. Further, since the heating power supply is constituted by an inverter, the heating current can be adjusted in response to the current at high speed. (2) Assuming that the inverter of the heating power supply can control the frequency of the heating current by PWM,
Even if the output heating current contains some harmonic components due to distortion or the like, by controlling the frequency so that the frequency and the harmonic do not match the resonance frequency of the boat, The vibration of the boat can be prevented. (3) Vibration detection means for detecting the vibration of the boat, frequency analysis means for obtaining the main frequency components of the vibration detected by the vibration detection means, and the frequency of the main frequency component obtained by the frequency analysis means from the inverter. If a control means for controlling the frequency of the heating current so as not to be included in the frequency of the fundamental wave and the harmonics of the heating current to be output is provided, the vibration of the boat can be automatically prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1に係る蒸発源装置を用い
た真空成膜装置の構成を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a vacuum film forming apparatus using an evaporation source device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】図1の蒸発源装置の加熱用電源のPWMによる
電圧制御過程を示す図であって、(a)は信号波及び搬送
波を示す図、(b)はインバータの出力電圧及びその平均
的瞬時値を示す図、(c)は信号波の振幅が小さい場合の
該信号波及び搬送波を示す図、(d)は信号波の振幅が小
さい場合のインバータの出力電圧及びその平均的瞬時値
を示す図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a voltage control process by PWM of a heating power supply of the evaporation source device of FIG. 1, wherein FIG. 2A shows a signal wave and a carrier wave, and FIG. (C) is a diagram showing the signal wave and the carrier wave when the amplitude of the signal wave is small, (d) is an output voltage of the inverter when the amplitude of the signal wave is small and its average instantaneous value FIG.

【図3】本発明の実施の形態2に係る蒸発源装置を用い
た真空成膜装置の構成を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a vacuum film forming apparatus using an evaporation source device according to Embodiment 2 of the present invention.

【図4】従来の蒸発源置の加熱用電源の電流制御過程を
示す図であって、(a)は入力電流の波形を示す図、(b)は
出力電流の波形を示す図である。
4A and 4B are diagrams showing a current control process of a conventional heating power supply of an evaporation source, wherein FIG. 4A is a diagram showing a waveform of an input current, and FIG. 4B is a diagram showing a waveform of an output current.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 真空成膜装置 2 真空チャンバ 3 基材ホルダ 4 回転軸 5 モータ 6 蒸発源 7A,7B 電極 8 ボート 9 薄膜形成材料 10 トランス 11 インバータ 12 整流器 13 ゲート制御回路 14 電流センサ 21 マッチング回路 22 高周波電源 23 直流電源 29 振動センサ 30 加熱用電源 31 蒸発源装置 32 周波数解析装置 33 周波数制御装置 C 搬送波 Sc 信号波 C0 交流阻止用コンデンサ E 整流器の出力電圧 e インバータの出力電圧 g1〜g4 ゲート信号 I 加熱用電流 L0 直流阻止用チョークコイル S1〜S4 スイッチング素子 V トランスの二次側電圧 V’ インバータの出力電圧の平均的瞬時値 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum film-forming apparatus 2 Vacuum chamber 3 Substrate holder 4 Rotating shaft 5 Motor 6 Evaporation source 7A, 7B electrode 8 Boat 9 Thin film forming material 10 Transformer 11 Inverter 12 Rectifier 13 Gate control circuit 14 Current sensor 21 Matching circuit 22 High frequency power supply 23 DC power supply 29 Vibration sensor 30 Heating power supply 31 Evaporation source device 32 Frequency analysis device 33 Frequency control device C Carrier wave Sc Signal wave C0 AC blocking capacitor E Rectifier output voltage e Inverter output voltage g1 to g4 Gate signal I Heating current L0 DC blocking choke coil S1 to S4 Switching element V Secondary voltage of transformer V 'Average instantaneous value of output voltage of inverter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 崇展 兵庫県西宮市田近野町6番107号 新明和 工業株式会社開発センタ内 (72)発明者 古塚 毅士 兵庫県西宮市田近野町6番107号 新明和 工業株式会社開発センタ内 (72)発明者 能勢 功一 兵庫県西宮市田近野町6番107号 新明和 工業株式会社開発センタ内 Fターム(参考) 3K058 AA00 BA00 CA04 CA12 CA23 CB07 CB22 4K029 CA01 DB03 DB11 DB18 EA09 4M104 DD34 HH20 5F103 AA01 BB02 RR01 RR02 RR08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Takanori Hori 6-107 Takino-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo Inside Shin-Meiwa Industry Development Center (72) Inventor Takeshi Furusuka 6 Takino-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo No. 107 Shinmeiwa Industry Co., Ltd. Development Center (72) Inventor Koichi Nose 6 107 Takinocho, Nishinomiya City, Hyogo Prefecture Shinmeiwa Industry Co., Ltd. Development Center F term (reference) 3K058 AA00 BA00 CA04 CA12 CA23 CB07 CB22 4K029 CA01 DB03 DB11 DB18 EA09 4M104 DD34 HH20 5F103 AA01 BB02 RR01 RR02 RR08

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空成膜を行うためのチャンバ内に配設
された一対の電極部材と、 該一対の電極部材間に掛け渡され薄膜形成材料を収容す
るボートと、 該ボートに上記一対の電極部材を通じて加熱用電流を供
給する加熱用電源とを備え、 該加熱用電源が、PWMによって大きさを制御された上
記加熱用電流を出力するインバータで構成されてなる蒸
発源装置。
1. A pair of electrode members disposed in a chamber for performing vacuum film formation, a boat that is bridged between the pair of electrode members and stores a thin film forming material, An evaporation source device comprising: a heating power supply that supplies a heating current through an electrode member; and the heating power supply is configured by an inverter that outputs the heating current whose size is controlled by PWM.
【請求項2】 上記加熱用電源のインバータが、PWM
によって上記加熱用電流の周波数を制御可能なものであ
る請求項1記載の蒸発源装置。
2. An inverter for a heating power supply, comprising:
2. The evaporation source device according to claim 1, wherein the frequency of the heating current can be controlled by the heating device.
【請求項3】 上記ボートの振動を検出する振動検出手
段と、 該振動検出手段で検出された振動の主要な周波数成分を
求める周波数解析手段と、 該周波数解析手段で求められた主要な周波数成分の周波
数を上記インバータから出力される加熱用電流の基本波
及び高調波の周波数として含まないように該加熱用電流
の周波数を制御する周波数制御手段とを備えた請求項2
記載の蒸発源装置。
3. A vibration detecting means for detecting vibration of the boat, a frequency analyzing means for obtaining a main frequency component of the vibration detected by the vibration detecting means, and a main frequency component obtained by the frequency analyzing means. 3. A frequency control means for controlling the frequency of the heating current so that the frequency of the heating current is not included as the fundamental and harmonic frequencies of the heating current output from the inverter.
The evaporation source device as described in the above.
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