JP2002258302A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2002258302A
JP2002258302A JP2001399155A JP2001399155A JP2002258302A JP 2002258302 A JP2002258302 A JP 2002258302A JP 2001399155 A JP2001399155 A JP 2001399155A JP 2001399155 A JP2001399155 A JP 2001399155A JP 2002258302 A JP2002258302 A JP 2002258302A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
picture element
liquid crystal
electrode
element electrode
active matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001399155A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3490995B2 (en
Inventor
Hirohiko Nishiki
博彦 錦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2001399155A priority Critical patent/JP3490995B2/en
Publication of JP2002258302A publication Critical patent/JP2002258302A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3490995B2 publication Critical patent/JP3490995B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a liquid crystal display device to have small power consumption in a light place and to give a display state with sufficient display luminance in a dark place. SOLUTION: This active substrate has a pixel electrode 10 for reflection and a pixel electrode 11 for transmission in one pixel, and a pixel electrode part for reflection which reflects external light and a pixel electrode part for transmission which transmits the light of a back light are formed in one pixel.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、透過表示領域と反
射表示領域を備えた液晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display having a transmissive display area and a reflective display area.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置としては、互いに交差する
複数本ずつのゲート配線とデータ配線とともに、アモル
ファスSiにより構成した薄膜トランジスタ(TFT)
或いはMIM素子を基板上に形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置が知られている。
2. Description of the Related Art As a liquid crystal display device, a thin film transistor (TFT) made of amorphous Si together with a plurality of gate lines and data lines crossing each other is used.
Alternatively, an active matrix type liquid crystal display device having an MIM element formed on a substrate is known.

【0003】このアクティブマトリクス基板には、光源
としてバックライトを利用する透過型液晶表示装置と、
外部の光を反射して表示に利用する反射型液晶表示装置
がある。
The active matrix substrate includes a transmission type liquid crystal display device using a backlight as a light source,
There is a reflection type liquid crystal display device that reflects external light and uses it for display.

【0004】これらのアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、感光性透明アクリル樹脂などの有機材料
を層間絶縁膜として用い、ゲート配線及びデータ配線に
絵素電極を層間絶縁膜を介して重畳させる高開口率構造
の透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置が開発され
ている。
In these active matrix type liquid crystal display devices, an organic material such as a photosensitive transparent acrylic resin is used as an interlayer insulating film, and a high aperture ratio is provided in which a pixel electrode is overlapped on a gate wiring and a data wiring via an interlayer insulating film. A transmission type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device having a structure have been developed.

【0005】図8(a)は、層間絶縁膜として有機絶縁
膜を用いた高開口率構造の反射型液晶表示装置の平面図
であり、図8(b)は、図8(a)のF−F断面を示す
断面図である。
FIG. 8A is a plan view of a reflection type liquid crystal display device having a high aperture ratio structure using an organic insulating film as an interlayer insulating film, and FIG. 8B is a plan view of FIG. It is sectional drawing which shows -F cross section.

【0006】図8に示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、ゲート配線1、データ配線2、駆動素子3、
ドレイン電極4、補助容量電極5、ゲート絶縁膜6、絶
縁性基板7、コンタクトホール8、層間絶縁膜9、反射
用絵素電極10、補助容量配線12とを備えている。
The active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. 8 has a gate wiring 1, a data wiring 2, a driving element 3,
It includes a drain electrode 4, an auxiliary capacitance electrode 5, a gate insulating film 6, an insulating substrate 7, a contact hole 8, an interlayer insulating film 9, a reflective pixel electrode 10, and an auxiliary capacitance wiring 12.

【0007】図8に示すアクティブマトリクス型液晶表
示装置の反射用絵素電極10を透明の電極とすることに
より透過型液晶表示装置とすることができる。
A transmission type liquid crystal display device can be obtained by using a transparent electrode as the reflection picture element electrode 10 of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG.

【0008】この高開口率構造に使用する層間絶縁膜9
の材料としては、層間絶縁膜9を介して絵素電極をゲー
ト配線及びデータ配線に重畳させることにより発生する
容量を低減するために、数μmの厚さで形成することが
容易であること、誘電率が窒化シリコン等と比較して小
さいこと等が要求されており、有機絶縁膜が用いられて
いる。
The interlayer insulating film 9 used for the high aperture ratio structure
Is easily formed with a thickness of several μm in order to reduce the capacitance generated by superimposing the picture element electrode on the gate wiring and the data wiring via the interlayer insulating film 9; It is required that the dielectric constant is smaller than that of silicon nitride or the like, and an organic insulating film is used.

【0009】また、この高開口率構造を形成する為に
は、層間絶縁膜9の下層に配設されたドレイン電極4と
層間絶縁膜9の上層に配設された絵素電極の電気的接触
を取るために、層間絶縁膜9にコンタクトホールを形成
する必要があるが、感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜9
として用いることにより、液状の樹脂材料をスピン塗布
法により基板に塗布した後、フォトリソ工程にて露光
し、アルカリ性溶液による現像を行うことによりパター
ニングし、コンタクトホールを形成することができるの
で、成膜とパターニングを同時に行うことが可能であ
る。
In order to form the high aperture ratio structure, the electrical contact between the drain electrode 4 provided below the interlayer insulating film 9 and the picture element electrode provided above the interlayer insulating film 9 is required. It is necessary to form a contact hole in the interlayer insulating film 9 in order to remove the
By using as a substrate, a liquid resin material is applied to a substrate by a spin coating method, then exposed in a photolithography process, and patterned by performing development with an alkaline solution to form a contact hole. And patterning can be performed simultaneously.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】バックライトからの光
を表示に利用する透過型液晶表示装置はバックライトを
使用するため消費電力が多く、バッテリーを使用する場
合、連続使用時間が短いという問題点があった。
A transmissive liquid crystal display device that uses light from a backlight for display uses a backlight, and thus consumes a large amount of power. When a battery is used, the continuous use time is short. was there.

【0011】また反射型液晶表示装置は、バックライト
を使用しないため消費電力が少なく、連続使用時間が長
いという長所を持っているが、反射強度が十分ではな
く、暗いところでは使用しにくいという問題点があっ
た。
The reflection type liquid crystal display has the advantages of low power consumption and long continuous use time because it does not use a backlight. However, the reflection intensity is not sufficient and it is difficult to use it in a dark place. There was a point.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板
と、該絶縁性基板上に設けられた複数のゲート配線と、
該ゲート配線と交差する複数のデータ配線と、該ゲート
配線と該データ配線との交差部に設けられた駆動素子
と、該駆動素子に電気的に接続された絵素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された
対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
基板との間に介在された液晶層と、バックライトとを有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを有
し、前記透過用絵素電極の液晶層側に接触して前記反射
用絵素電極が形成されることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an insulating substrate, a plurality of gate wirings provided on the insulating substrate,
An active matrix substrate having a plurality of data lines intersecting the gate lines, a driving element provided at an intersection of the gate lines and the data lines, and a pixel electrode electrically connected to the driving elements. And an opposing substrate on which an opposing electrode is formed, a liquid crystal layer interposed between the active matrix substrate and the opposing substrate, and an active matrix liquid crystal display device including a backlight, wherein the picture element electrode is It has a reflection picture element electrode and a transmission picture element electrode, and the reflection picture element electrode is formed in contact with the liquid crystal layer side of the transmission picture element electrode.

【0013】本発明によれば、明るいところでは反射型
液晶表示装置として使用し、暗い所ではバックライトを
点灯し透過型液晶表示装置として使用できる透過反射切
り替え可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の形
成が可能となる。
According to the present invention, an active matrix type liquid crystal display device which can be used as a transmission type liquid crystal display device which can be used as a reflection type liquid crystal display device in a bright place and turned on a backlight in a dark place to be used as a transmission type liquid crystal display device. Becomes possible.

【0014】また、前記反射用絵素電極と前記透過用絵
素電極を電気的に接続しているので、別々に駆動信号を
入力するための配線を設ける必要がなく、アクティブマ
トリクス基板の構成を簡略化できる。
Further, since the reflective picture element electrode and the transmissive picture element electrode are electrically connected, it is not necessary to separately provide a wiring for inputting a drive signal. Can be simplified.

【0015】また、前記駆動素子の上部に前記反射用絵
素電極を形成すれば、外部からの光が駆動素子に入射す
ることを防ぐことができる。
Further, by forming the reflective picture element electrode above the driving element, it is possible to prevent external light from being incident on the driving element.

【0016】また、前記反射用絵素電極によって外部の
光を反射する部分の面積を、前記透過用絵素電極によっ
てバックライトの光を透過する部分の面積よりも大きく
すれば、透過用絵素電極は、バックライトを消灯してい
るときはパネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を
反射する反射用絵素電極はバックライトの点灯、消灯に
かかわらずパネルの輝度に寄与するため、その面積を大
きくすることにより、バックライトの光が消灯したとき
や輝度が低いときにも表示の輝度を安定させることがで
きる。
Further, if the area of a portion where external light is reflected by the reflective picture element electrode is made larger than an area of a part where light of a backlight is transmitted by the transmissive picture element electrode, a transmissive picture element is provided. The electrodes do not contribute to the brightness of the panel when the backlight is turned off, but the reflective picture element for reflecting external light contributes to the brightness of the panel regardless of whether the backlight is on or off. By increasing the area, the display brightness can be stabilized even when the backlight light is turned off or when the brightness is low.

【0017】また、前記アクティブマトリクス基板と前
記バックライトの間にマイクロレンズを設ければ、反射
用絵素電極やゲート配線等により遮蔽されるバックライ
トからの光を透過用絵素電極に集めることができるた
め、バックライト自体の輝度を高めなくても、表示装置
の輝度を高めることができる。
If a microlens is provided between the active matrix substrate and the backlight, light from the backlight, which is shielded by the reflective picture element electrode or the gate wiring, can be collected by the transmissive picture element electrode. Therefore, the brightness of the display device can be increased without increasing the brightness of the backlight itself.

【0018】また、前記ドレイン電極上に傾斜部又は凹
凸部をもつ層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に前
記反射用絵素電極が形成されれば、反射用絵素電極によ
って外部からの光が反射される方向に拡がりが出るた
め、視野角を広げることができる。
Further, if an interlayer insulating film having an inclined portion or an uneven portion is formed on the drain electrode, and the reflective picture element electrode is formed on the interlayer insulating film, the reflective picture element electrode can be used from outside. Since the light spreads in the direction in which the light is reflected, the viewing angle can be widened.

【0019】また、前記ゲート配線又は前記データ配線
と同じ層に前記反射用絵素電極を形成すれば、反射用絵
素電極を形成する工程を別に設ける必要が無く、工程数
及び製造コストを増加させることが無い。
Further, if the reflection picture element electrode is formed in the same layer as the gate wiring or the data wiring, there is no need to provide a separate step of forming the reflection picture element electrode, which increases the number of steps and the manufacturing cost. I won't let you.

【0020】また、前記ゲート配線と同じ層に形成され
た前記反射用絵素電極と隣接した絵素のゲート配線を電
気的に接続すれば、反射用絵素電極の浮遊容量化を防ぐ
ことができ、ドレイン電極との間に補助容量を形成する
ことができる。
Further, if the reflection picture element electrode formed in the same layer as the gate wiring is electrically connected to the adjacent picture element gate wiring, stray capacitance of the reflection picture element electrode can be prevented. Thus, an auxiliary capacitor can be formed between the drain capacitor and the drain electrode.

【0021】また、前記ゲート配線と同じ層に形成され
た前記反射用絵素電極に前記対向電極に印加される信号
と同じ信号を入力すれば、反射用絵素電極の浮遊容量化
を防ぐことができる。
Further, by inputting the same signal as the signal applied to the counter electrode to the reflection picture element electrode formed on the same layer as the gate wiring, it is possible to prevent the reflection picture element electrode from becoming a floating capacitance. Can be.

【0022】また、前記ゲート配線と同じ層に形成され
た前記反射用絵素電極とドレイン電極又は透過用絵素電
極を重畳して補助容量を形成すれば、絵素電極に印加さ
れる電圧の補助容量を反射用絵素電極を利用して形成す
ることができる。
Further, if the auxiliary capacitance is formed by superimposing the reflective picture element electrode and the drain or transmissive picture element electrode formed in the same layer as the gate wiring, the voltage applied to the picture element electrode can be reduced. The auxiliary capacitance can be formed by using the reflective picture element electrode.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】(実施形態1)図1(a)は本発
明の実施形態1のアクティブマトリクス基板の平面図を
示し、図1(b)は図1(a)のA−A断面の断面図を
示す。
(Embodiment 1) FIG. 1A is a plan view of an active matrix substrate according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A. FIG.

【0024】アクティブマトリクス基板は、ゲート配線
1、データ配線2、駆動素子3、ドレイン電極4、補助
容量電極5、ゲート絶縁膜6、絶縁性基板7、コンタク
トホール8、層間絶縁膜9、反射用絵素電極10と透過
用絵素電極11を備えている。
The active matrix substrate includes a gate wiring 1, a data wiring 2, a driving element 3, a drain electrode 4, an auxiliary capacitance electrode 5, a gate insulating film 6, an insulating substrate 7, a contact hole 8, an interlayer insulating film 9, A pixel electrode 10 and a transmission pixel electrode 11 are provided.

【0025】補助容量電極5は、ドレイン電極4と電気
的に接続されており、ゲート絶縁膜6を介してゲート配
線1と重畳し補助容量を形成している。
The auxiliary capacitance electrode 5 is electrically connected to the drain electrode 4 and overlaps with the gate wiring 1 via the gate insulating film 6 to form an auxiliary capacitance.

【0026】コンタクトホール8は、透過用絵素電極1
1と補助容量電極5を接続するために層間絶縁膜9に設
けられている。
The contact hole 8 is formed in the picture element electrode 1 for transmission.
1 is provided in the interlayer insulating film 9 to connect the storage capacitor electrode 1 to the storage capacitor electrode 5.

【0027】このアクティブマトリクス基板は一つの絵
素の中に反射用絵素電極10と透過用絵素電極11を備
えており、図2に示すように、一つの絵素の中に外部か
らの光を反射する反射用絵素電極10部分とバックライ
トの光を透過する透過用絵素電極11部分を形成してい
る。
This active matrix substrate is provided with a reflection picture element electrode 10 and a transmission picture element electrode 11 in one picture element, and as shown in FIG. A reflective picture element electrode 10 that reflects light and a transmissive picture element electrode 11 that transmits light from the backlight are formed.

【0028】図2は、図1に示すアクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示装置を示す断面図であり、データ
配線2、ドレイン電極4、ゲート絶縁膜6、絶縁性基板
7、層間絶縁膜9、反射用絵素電極10、透過用絵素電
極11、カラーフィルター層13、対向電極14、液晶
層15、配向膜16、偏光板17、バックライト18を
有している。
FIG. 2 is a sectional view showing a liquid crystal display device using the active matrix substrate shown in FIG. 1, and includes a data line 2, a drain electrode 4, a gate insulating film 6, an insulating substrate 7, an interlayer insulating film 9, It has a reflective picture element electrode 10, a transmissive picture element electrode 11, a color filter layer 13, a counter electrode 14, a liquid crystal layer 15, an alignment film 16, a polarizing plate 17, and a backlight 18.

【0029】バックライト18の光を透過する透過用絵
素電極11部分は、バックライトを消灯しているときは
パネルの輝度に寄与しないが、外部からの光を反射する
反射用絵素電極10部分はバックライトの点灯、消灯に
かかわらずパネルの輝度に寄与するため、透過用絵素電
極11部分より反射用絵素電極10部分の面積を大きく
するほうが望ましい。
The portion of the transmitting picture element electrode 11 which transmits the light of the backlight 18 does not contribute to the brightness of the panel when the backlight is turned off, but the reflecting picture element electrode 10 which reflects light from the outside. Since the portion contributes to the brightness of the panel regardless of whether the backlight is turned on or off, it is desirable to make the area of the reflective picture element electrode 10 larger than that of the transmissive picture element electrode 11.

【0030】本実施形態では反射用絵素電極10と透過
用絵素電極11に同じ信号を入力するために反射用絵素
電極10を透過用絵素電極11の上に形成して電気的に
接続しているが、反射用絵素電極10と透過用絵素電極
11を電気的に接続せず、別の信号をそれぞれに入力し
別々の表示を行ってもよい。
In this embodiment, in order to input the same signal to the reflection picture element electrode 10 and the transmission picture element electrode 11, the reflection picture element electrode 10 is formed on the transmission picture element electrode 11 and electrically connected. Although connected, the reflective picture element electrode 10 and the transmissive picture element electrode 11 may not be electrically connected, and different signals may be input to each to perform separate display.

【0031】図2の液晶表示装置では反射用絵素電極1
0が形成された領域に入射されるバックライト18から
の光は、表示光として利用できないため、図3に示す液
晶表示装置の断面図のようにバックライト18と液晶表
示パネルの間にマイクロレンズ19とマイクロレンズ保
護層20を形成し、マイクロレンズ19により反射用絵
素電極10が形成されていない透過用絵素電極11の領
域にバックライト光を集光させ、透過用絵素電極11を
透過する光の量を増加させ表示の輝度を高めることがで
きる。
In the liquid crystal display device shown in FIG.
Since the light from the backlight 18 incident on the region where 0 is formed cannot be used as display light, a micro lens is disposed between the backlight 18 and the liquid crystal display panel as shown in the sectional view of the liquid crystal display device shown in FIG. 19 and a microlens protective layer 20 are formed, and the backlight is condensed by the microlens 19 in a region of the transmission pixel electrode 11 where the reflection pixel electrode 10 is not formed. The amount of transmitted light can be increased to increase the display brightness.

【0032】図4(a)は本実施形態の他の例のアクテ
ィブマトリクス基板の平面図を示し、図4(b)は図4
(a)のB−B断面の断面図を示しており、図1に対し
て反射用絵素電極10と透過用絵素電極11の領域を逆
転させており、反射用絵素電極10と透過用絵素電極1
1の面積比は適宜変更してもよい。
FIG. 4A is a plan view of another example of the active matrix substrate of the present embodiment, and FIG.
FIG. 2A is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1, and the areas of the reflective picture element electrode 10 and the transmissive picture element electrode 11 are reversed with respect to FIG. Picture element electrode 1
The area ratio of 1 may be appropriately changed.

【0033】図1のアクティブマトリクス基板と図4の
アクティブマトリクス基板を比べた場合、図1のアクテ
ィブマトリクス基板の方が、駆動素子3の上に反射用絵
素電極10を形成しており、外部からの光が駆動素子3
に入射することを防ぐことができ、また、透過用絵素電
極11が絵素の中央に配設されているため集光用のマイ
クロレンズ19を形成しやすい。
When the active matrix substrate of FIG. 1 is compared with the active matrix substrate of FIG. 4, the active matrix substrate of FIG. Light from the driving element 3
And since the transmission picture element electrode 11 is arranged at the center of the picture element, it is easy to form the condensing microlens 19.

【0034】本発明では、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するために、できるだけ開
口率を上げるほうが望まく、本実施形態では、絵素電極
とゲート配線1及びソース配線3との間に有機絶縁膜か
らなる層間絶縁膜9を介在した高開口率溝造を採用した
が、他の構造を用いてもよい。
In the present invention, it is desirable to increase the aperture ratio as much as possible in order to form a light-reflecting portion and a light-transmitting portion in one picture element. Although a high aperture ratio groove structure in which an interlayer insulating film 9 made of an organic insulating film is interposed between the source wiring 3 and the source wiring 3 is adopted, other structures may be used.

【0035】(実施形態2)図5(a)は実施形態2の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図5(b)
は図5(a)のC−C断面の断面図を示す。
(Embodiment 2) FIG. 5A is a plan view of an active matrix substrate of Embodiment 2, and FIG.
5 shows a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【0036】実施形態2のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、傾斜部又は凹凸部を形成した層間絶縁膜9
上に反射用絵素電極10を形成しており、反射用絵素電
極10によって外部からの光が反射される方向に拡がり
が出るため、視野角を広げることができる。
The active matrix type liquid crystal display device according to the second embodiment has an interlayer insulating film 9 having an inclined portion or an uneven portion.
The reflective picture element electrode 10 is formed on the upper part, and the reflection picture element electrode 10 spreads in the direction in which light from the outside is reflected, so that the viewing angle can be widened.

【0037】また層間絶縁膜9は、ゲート配線1やデー
タ配線2上で最も厚く、ドレイン電極4上には形成しな
いように傾斜部又は凹凸部を形成すると、ドレイン電極
4と絵素電極10の電気的接触を取るためのコンタクト
ホールを形成する必要が無く、コンタクトホール部での
急峻な段差のために発生していた液晶分子の配向乱れを
防ぐことができるため、開口率を大きく取れる。
The interlayer insulating film 9 is the thickest on the gate wiring 1 and the data wiring 2, and if an inclined portion or an uneven portion is formed so as not to be formed on the drain electrode 4, the drain electrode 4 and the pixel electrode 10 There is no need to form a contact hole for making electrical contact, and it is possible to prevent alignment disorder of liquid crystal molecules generated due to a steep step in the contact hole portion, so that a large aperture ratio can be obtained.

【0038】ドレイン電極4は透過用絵素電極を兼ねて
おり、ITO等からなる透明な電極である。
The drain electrode 4 also serves as a transmission picture element electrode, and is a transparent electrode made of ITO or the like.

【0039】また層間絶縁膜9の傾斜部の傾斜角又は凹
凸部の凹凸ピッチは、配向膜を形成した上でラビング処
理が十分行える程度の角度に抑える必要があり、各々の
ラビング条件及び液晶分子に対して最適化な条件を用い
る。
The angle of inclination of the inclined portion of the interlayer insulating film 9 or the pitch of the concave and convex portions of the concave and convex portions must be suppressed to such an angle that a rubbing process can be sufficiently performed after forming an alignment film. Conditions that are optimized for

【0040】本実施形態においても透過用絵素電極を兼
ねたドレイン電極4部分にマイクロレンズを設け、バッ
クライト点灯時の輝度を増すことができる。
Also in this embodiment, a microlens is provided in the drain electrode 4 which also serves as a transmission picture element electrode, so that the luminance when the backlight is turned on can be increased.

【0041】(実施形態3)図6(a)は実施形態3の
アクティブマトリクス基板の平面図を示し、図6(b)
は図6(a)のD−D断面の断面図を示す。
(Embodiment 3) FIG. 6A is a plan view of an active matrix substrate of Embodiment 3, and FIG.
FIG. 6A is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.

【0042】本実施形態において、反射用絵素電極10
はゲート配線1と同じ層に同一工程で形成する。
In this embodiment, the reflective picture element electrode 10
Are formed in the same layer as the gate wiring 1 in the same step.

【0043】このようにすれば、反射用絵素電極10を
形成する工程を別に設ける必要が無く、工程数及び製造
コストを増加させることが無い。
In this way, there is no need to provide a separate step of forming the reflective picture element electrode 10, and the number of steps and the manufacturing cost do not increase.

【0044】本実施形態の場合、反射用絵素電極10
は、駆動素子3のドレイン電極4と接続されておらず、
外部からの光を反射することのみに使われており、液晶
を駆動するための電極としての役割は透過用絵素電極1
1が行う。
In the case of this embodiment, the reflective picture element electrode 10
Is not connected to the drain electrode 4 of the driving element 3,
It is used only for reflecting light from the outside, and serves as an electrode for driving the liquid crystal.
1 does.

【0045】即ち、反射用絵素電極10が反射した光の
透過率の制御は、透過用絵素電極11の電圧によって液
晶層を制御して行う。
That is, the transmittance of the light reflected by the reflective picture element electrode 10 is controlled by controlling the liquid crystal layer by the voltage of the transmissive picture element electrode 11.

【0046】この際、反射用絵素電極10に何も信号を
入力していないと、ドレイン電極4若しくは透過用絵素
電極11との間に浮遊容量が発生するため、反射用絵素
電極10には表示に悪影響を与えないような信号を入力
することが望ましく、隣接したゲート配線1と接続する
ことにより、浮遊容量化を防ぎ、ドレイン電極4との間
に補助容量を形成することができる。
At this time, if no signal is input to the reflection picture element electrode 10, a floating capacitance is generated between the drain picture element electrode 10 and the transmission picture element electrode 11. It is desirable to input a signal which does not adversely affect the display. By connecting to the adjacent gate wiring 1, stray capacitance can be prevented, and an auxiliary capacitance can be formed between the gate electrode 1 and the drain electrode 4. .

【0047】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極に集光することによりバックライト点
灯時の輝度を増すことができる。
Also in this embodiment, the brightness at the time of backlight lighting can be increased by condensing the light on the transmitting picture element electrode by the microlens.

【0048】本発明でも、一つの絵素の中に光を反射す
る部分と透過する部分を形成するためにできるだけ開口
率を上げるほうが望ましい。
In the present invention as well, it is desirable to increase the aperture ratio as much as possible in order to form a light reflecting portion and a light transmitting portion in one picture element.

【0049】それ故本実施形態の構成としては、有機絶
縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口率構造を採用した
が、この他の構造を用いてもよい。
Therefore, the structure of the present embodiment employs a high aperture ratio structure using an organic insulating film as an interlayer insulating film, but other structures may be used.

【0050】(実施形態4)図7(a)には実施形態4
のアクティブマトリクス基板の平面図を示し、図7
(b)には図7(a)のE−E断面の断面図を示す。
Fourth Embodiment FIG. 7A shows a fourth embodiment.
FIG. 7 is a plan view of the active matrix substrate of FIG.
FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line EE in FIG.

【0051】本実施形態は反射用絵素電極10をデータ
配線2と同じ層に形成している。
In this embodiment, the reflective picture element electrode 10 is formed in the same layer as the data wiring 2.

【0052】このようにすれば、データ配線2を形成す
る際に反射用絵素電極10を形成することができ、工程
数及び製造コストを増加させることが無い。
In this way, the reflective picture element electrode 10 can be formed when the data wiring 2 is formed, without increasing the number of steps and the manufacturing cost.

【0053】本実施形態の場合でも層間絶縁膜9を介し
た高開口率構造を採用しているため、実施形態3と同様
に反射用絵素電極10は外部からの光を反射することの
みに使われており、液晶分子を駆動するための電極とし
ての役割は透過用絵素電極11のみが行う。
Also in the present embodiment, since the high aperture ratio structure via the interlayer insulating film 9 is adopted, the reflective picture element electrode 10 only reflects external light as in the third embodiment. Only the transmission picture element electrode 11 plays a role as an electrode for driving liquid crystal molecules.

【0054】ここで本実施形態が実施形態3と異なるの
は、ドレイン電極4と反射用絵素電極が電気的に接続し
た形で形成されている点であり、層間絶縁膜9を形成せ
ずにドレイン電極4を透過用絵素電極として用いる場合
には、反射用絵素電極10も液晶分子の駆動に寄与す
る。
Here, the present embodiment is different from the third embodiment in that the drain electrode 4 and the reflective picture element electrode are formed in an electrically connected form, and the interlayer insulating film 9 is not formed. When the drain electrode 4 is used as a transmission picture element electrode, the reflection picture element electrode 10 also contributes to driving of liquid crystal molecules.

【0055】本実施形態においてもマイクロレンズによ
り透過用絵素電極11に集光することによりバックライ
ト点灯時の輝度を増すことができる。
Also in the present embodiment, the brightness when the backlight is turned on can be increased by condensing the light on the transmission picture element electrode 11 by the microlens.

【0056】本実施形態でも、一つの絵素の中に光を反
射する部分と透過する部分を形成するためにできるだけ
開口率を上げるほうが望ましい。
Also in this embodiment, it is desirable to increase the aperture ratio as much as possible in order to form a light reflecting portion and a light transmitting portion in one picture element.

【0057】それ故本実施形態の構成としては、有機絶
縁膜を層間絶縁膜に使用した高開口率構造を採用した
が、他の構成を用いてもよい。
Therefore, as the configuration of the present embodiment, a high aperture ratio structure in which an organic insulating film is used as an interlayer insulating film is adopted, but another configuration may be used.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明によると反射型と透過型の切り替
えが可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置を形成
できる。
According to the present invention, an active matrix type liquid crystal display device capable of switching between a reflection type and a transmission type can be formed.

【0059】これにより使用者が使用状況に合わせて透
過と反射を切り替えることにより、どのような使用状況
でも十分な輝度を出しながらも、消費電力の少なく、長
時間使用可能な液晶表示装置を実現できる。
Thus, the user can switch between transmission and reflection in accordance with the use condition, thereby realizing a liquid crystal display device which consumes a small amount of power and can be used for a long time while providing sufficient luminance in any use condition. it can.

【0060】また、明るいところでは反射型液晶表示装
置として使用し、暗いところではバックライトを点灯し
透過型液晶表示装置として使用できる透過反射切り替え
可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置の形成が可
能となる。
Further, it is possible to form an active matrix type liquid crystal display device which can be used as a reflection type liquid crystal display device which can be used as a reflection type liquid crystal display device in a bright place and which can be used as a transmission type liquid crystal display device by lighting a backlight in a dark place. .

【0061】また、反射用絵素電極と透過用絵素電極を
電気的に接続しているので、別々に駆動信号を入力する
ための配線を設ける必要がなく、アクティブマトリクス
基板の構成を簡略化できる。
Further, since the reflection picture element electrode and the transmission picture element electrode are electrically connected, it is not necessary to separately provide a wiring for inputting a drive signal, and the configuration of the active matrix substrate is simplified. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view illustrating an active matrix substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an active matrix substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明のマイクロレンズを備えたアクティブマ
トリクス基板を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an active matrix substrate provided with a microlens of the present invention.

【図4】本発明の実施形態1のアクティブマトリクス基
板の他の例を示す平面図及び断面図である。
FIG. 4 is a plan view and a sectional view showing another example of the active matrix substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施形態2のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
FIG. 5 is a plan view and a cross-sectional view illustrating an active matrix substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施形態3のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
FIG. 6 is a plan view and a cross-sectional view illustrating an active matrix substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施形態4のアクティブマトリクス基
板を示す平面図及び断面図である。
FIG. 7 is a plan view and a cross-sectional view illustrating an active matrix substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】従来の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート配線 2 データ配線 3 駆動素子 4 ドレイン電極 5 補助容量電極 6 ゲート絶縁膜 7 絶縁性基板 8 コンタクトホール 9 層間絶縁膜 10 反射用絵素電極 11 透過用絵素電極 12 補助容量配線 13 カラーフィルター層 14 対向電極 15 液晶層 16 配向膜 17 偏光板 18 バックライト 19 マイクロレンズ 20 マイクロレンズ保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate wiring 2 Data wiring 3 Driving element 4 Drain electrode 5 Auxiliary capacitance electrode 6 Gate insulating film 7 Insulating substrate 8 Contact hole 9 Interlayer insulating film 10 Reflection picture element electrode 11 Transmission picture element electrode 12 Auxiliary capacity wiring 13 Color filter Layer 14 Counter electrode 15 Liquid crystal layer 16 Alignment film 17 Polarizing plate 18 Backlight 19 Micro lens 20 Micro lens protective layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けら
れた複数のゲート配線と、該ゲート配線と交差する複数
のデータ配線と、該ゲート配線と該データ配線との交差
部に設けられた駆動素子と、該駆動素子に電気的に接続
された絵素電極とを有するアクティブマトリクス基板
と、対向電極が形成された対向基板と、前記アクティブ
マトリクス基板と前記対向基板との間に介在された液晶
層と、バックライトとを有するアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、 前記絵素電極は、反射用絵素電極と透過用絵素電極とを
有し、 前記透過用絵素電極の液晶層側に接触して前記反射用絵
素電極が形成されることを特徴とするアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。
An insulating substrate; a plurality of gate wirings provided on the insulating substrate; a plurality of data wirings intersecting the gate wirings; and an intersection provided between the gate wirings and the data wirings. An active matrix substrate having a driving element, a pixel electrode electrically connected to the driving element, a counter substrate on which a counter electrode is formed, and an interposition between the active matrix substrate and the counter substrate. In the active matrix type liquid crystal display device having a divided liquid crystal layer and a backlight, the picture element electrode has a reflection picture element electrode and a transmission picture element electrode, and the liquid crystal layer of the transmission picture element electrode An active matrix type liquid crystal display device, wherein the reflective picture element electrode is formed in contact with the side.
JP2001399155A 2001-12-28 2001-12-28 Active matrix type liquid crystal display Expired - Lifetime JP3490995B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001399155A JP3490995B2 (en) 2001-12-28 2001-12-28 Active matrix type liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001399155A JP3490995B2 (en) 2001-12-28 2001-12-28 Active matrix type liquid crystal display

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27432797A Division JP3281849B2 (en) 1997-07-28 1997-10-07 Active matrix type liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002258302A true JP2002258302A (en) 2002-09-11
JP3490995B2 JP3490995B2 (en) 2004-01-26

Family

ID=19189435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001399155A Expired - Lifetime JP3490995B2 (en) 2001-12-28 2001-12-28 Active matrix type liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3490995B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579346B1 (en) * 2003-03-13 2006-05-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Liquid crystal display device and electronic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579346B1 (en) * 2003-03-13 2006-05-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Liquid crystal display device and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP3490995B2 (en) 2004-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3281849B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
US6195140B1 (en) Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US6914656B2 (en) Semi-transmissive liquid crystal display device
JP4209636B2 (en) Liquid crystal display
KR100312327B1 (en) reflection and transmission type liquid crystal display device
US6806934B2 (en) Transflective liquid crystal display having dielectric multilayer in LCD cells
US8570454B2 (en) Thin film transistor substrate and liquid crystal display device having the same
KR20010031885A (en) Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel, electronic apparatus comprising the panel, and method for manufacturing substrate for liquid crystal panel
US7876408B2 (en) Transflective type diode substrate and method having respective masks forming scan line and insulating pattern, organic pattern with hole exposing insulating pattern, and pixel electrode covering hole and reflection electrode overlapping organic pattern
KR100553286B1 (en) Active matrix substrate, liquid crystal display panel of transflective type, and liquid crystal display device of transflective type
KR100656696B1 (en) Transflective liquid crystal display device
JP3478528B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JPH10333168A (en) Device and system for liquid crystal
JP3490995B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JP2002277895A (en) Active matrix type liquid crystal display
JP3662013B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP2002258300A (en) Active-matrix type liquid crystal display
JP3641630B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP2002258301A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP2002303875A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP2002303874A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP3818984B2 (en) Liquid crystal display
JP2000111899A (en) Reflective liquid crystal display device and its manufacture
KR20070111199A (en) Diode substrate of transflective type and method for fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term