JP2002251779A - Phase change type optical information recording medium - Google Patents

Phase change type optical information recording medium

Info

Publication number
JP2002251779A
JP2002251779A JP2001382604A JP2001382604A JP2002251779A JP 2002251779 A JP2002251779 A JP 2002251779A JP 2001382604 A JP2001382604 A JP 2001382604A JP 2001382604 A JP2001382604 A JP 2001382604A JP 2002251779 A JP2002251779 A JP 2002251779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
optical information
recording medium
information recording
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001382604A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002251779A5 (en
Inventor
Michiaki Shinozuka
道明 篠塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2001382604A priority Critical patent/JP2002251779A/en
Publication of JP2002251779A publication Critical patent/JP2002251779A/en
Publication of JP2002251779A5 publication Critical patent/JP2002251779A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase change type optical information recording medium to use short wavelength, for example, blue wavelength as recording wavelength, to enable high density recording and to make recording reproduction cope with ROM compatibility. SOLUTION: The phase change type optical information recording medium is characterized that the recording wavelength is 370 nm to 450 nm, an absorption ratio Ac of optical energy of a crystal in a recording layer 4 is smaller than an absorption ratio Aa of optical energy in amorphous. A piece of information is recorded with recording pitch of 0.3 μm to 0.52 μm in the phase change type optical information recording medium 1 which is constituted at least by providing the recording layer 4 on a substrate 2 in order to perform recording, deletion and reproduction of the information.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に少なくと
も記録層が設けられてなり、かつ情報の記録、消去およ
び再生を行う相変化型光情報記録媒体に関するものであ
り、とくに記録層がアモルファス相と結晶相との間で可
逆的な相変化することにより情報の記録消去を行う相変
化型光情報記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase-change type optical information recording medium having at least a recording layer provided on a substrate and recording, erasing and reproducing information, and more particularly to an optical information recording medium having an amorphous recording layer. The present invention relates to a phase-change optical information recording medium that performs information recording and erasing by reversibly changing a phase between a phase and a crystalline phase.

【0002】[0002]

【従来の技術】特開平8−124218号公報には、マ
ークエッジ記録を利用し、情報の記録・消去・再生を行
う相変化光ディスクにおいて、基板上に第1誘電体層、
記録層、第2誘電体層、反射層、第3誘電体層、紫外線
硬化樹脂層を順に積層した構成であって、結晶の吸収率
Acと非晶質の吸収率Aaの関係がAc>Aaを満た
し、反射層として透過性の極薄金属膜あるいはSi、G
eを用い、第3誘電体層として屈折率nが1.5より大
きい誘電体を用いることを特徴とする光学情報記録媒体
が開示されている。この従来技術は、結晶の吸収率Ac
がアモルファスの吸収率Aaよりも大きい光情報記録媒
体を提供している。反射率差を使って記録再生する従来
の相変化記録メディアでは、透過率が結晶とアモルファ
スとでは同等であるため、吸収率が低いと反射率は高い
という相反の関係になる。従って、上記従来技術におい
ては、言い換えると結晶の反射率がアモルファスの反射
率よりも小さい光情報記録媒体を提供するものであり、
このような光情報記録媒体においては、ROMと反射率
の点で互換性がなくなってしまう。また特開平11−3
9716号公報には、前記屈折率が2.2〜2.3と大
きい媒体が開示されているが、このような屈折率では膜
厚分布が反映されすぎて、面内分布ができるため、特性
のむらとなる。ここで、屈折率および膜厚の面内分布と
は、例えば以下のようにして測定したものをいう。即
ち、φ120mmのディスクを適用する場合、内径22
mmから外径58mmまでの領域範囲で、10個のポイ
ント(例えば、22、26、30、34、38、42、
46、50、54、58mm)の位置を選定し、ディス
ク周方向で45度ずつ(例えば、0、45、90、13
5、180、225、270、315度)の8本の線を
選定して、この8本の線上の上記10個のポイント、す
なわち合計で80個のポイントにおける屈折率や膜厚を
エリプソで測定することによって得ることができる。
2. Description of the Related Art Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-124218 discloses a phase-change optical disk for recording, erasing, and reproducing information by using mark edge recording.
The recording layer, the second dielectric layer, the reflective layer, the third dielectric layer, and the ultraviolet curable resin layer are sequentially laminated, and the relationship between the crystal absorption rate Ac and the amorphous absorption rate Aa is Ac> Aa. And a transparent ultra-thin metal film or Si, G
An optical information recording medium characterized by using e and using a dielectric having a refractive index n of more than 1.5 as a third dielectric layer is disclosed. This prior art is based on the absorption rate Ac of the crystal.
Provides an optical information recording medium having an absorption rate Aa higher than that of an amorphous material. In a conventional phase-change recording medium that performs recording and reproduction using a reflectance difference, since the transmittance is the same between a crystal and an amorphous, there is a reciprocal relationship that the reflectance is high if the absorption is low. Therefore, in the above prior art, in other words, the reflectance of the crystal is to provide an optical information recording medium smaller than the reflectance of the amorphous,
Such an optical information recording medium loses compatibility with a ROM in terms of reflectance. Also, JP-A-11-3
No. 9716 discloses a medium having a large refractive index of 2.2 to 2.3. However, such a refractive index reflects too much a film thickness distribution to form an in-plane distribution. Will be uneven. Here, the in-plane distribution of the refractive index and the film thickness refers to, for example, those measured as follows. That is, when a disc of φ120 mm is applied, the inner diameter 22
10 points (for example, 22, 26, 30, 34, 38, 42,
46, 50, 54, and 58 mm) and 45 degrees in the disk circumferential direction (for example, 0, 45, 90, 13).
5, 180, 225, 270, 315 degrees), and the ellipsometer measures the refractive index and the film thickness at the ten points on the eight lines, that is, at a total of 80 points. Can be obtained.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明では、短波長例
えば青色波長を記録波長とし、高密度記録が可能である
とともに記録再生とROM互換性を両立できる相変化型
光情報記録媒体を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a phase-change type optical information recording medium which has a short wavelength, for example, a blue wavelength, as a recording wavelength, enables high-density recording, and can achieve both recording and reproduction and ROM compatibility. The purpose is to:

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
上に少なくとも記録層が設けられてなり、かつ情報の記
録、消去および再生を行う相変化型光情報記録媒体にお
いて、記録波長が370nm〜450nmであり、前記
記録層の結晶の光エネルギーの吸収率Acがアモルファ
スの光エネルギーの吸収率Aaよりも小さく、かつ記録
ピッチが0.3μm〜0.52μmで記録されることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体である。この構成に
よれば、高密度記録が可能であるとともに結晶の反射率
がアモルファスの反射率よりも高くなり、ROM互換性
が得られる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a phase change type optical information recording medium having at least a recording layer provided on a substrate and recording, erasing and reproducing information. 370 nm to 450 nm, wherein the recording layer has a crystal light energy absorption ratio Ac smaller than the amorphous light energy absorption ratio Aa and is recorded at a recording pitch of 0.3 μm to 0.52 μm. This is a phase change type optical information recording medium. According to this configuration, high-density recording is possible and the reflectivity of the crystal is higher than the reflectivity of the amorphous, so that ROM compatibility can be obtained.

【0005】請求項2の発明は、記録ピッチ/記録ビー
ム径(1/e)が、0.5〜0.9であることを特徴
とする請求項1に記載の相変化型光情報記録媒体であ
る。記録ピッチ/記録ビーム径(1/e)の値は、よ
り好ましくは0.6〜0.85である。これは、記録ピ
ッチ/記録ビーム径(1/e)が0.5未満である
と、隣接したトラックを消す量(クロスイレーズ)が増
え、エラーを増やす原因となり、0.90よりも大きく
なると、隣接したトラックを消す量(クロスイレーズ)
は減るが、ディスクの記録容量が少なくなってしまうか
らである。この構成によれば、高密度記録が可能である
とともに結晶の反射率がアモルファスの反射率よりも高
くなり、ROM互換性が得られる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a phase change type optical information recording apparatus according to the first aspect, wherein a recording pitch / a recording beam diameter (1 / e 2 ) is 0.5 to 0.9. Medium. The value of recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 ) is more preferably 0.6 to 0.85. If the recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 ) is less than 0.5, the amount of erasing adjacent tracks (cross erase) increases, causing an increase in errors. , Erase adjacent track (cross erase)
Is reduced, but the recording capacity of the disk is reduced. According to this configuration, high-density recording is possible and the reflectivity of the crystal is higher than the reflectivity of the amorphous, so that ROM compatibility can be obtained.

【0006】請求項3の発明は、記録線密度が0.05
〜0.16μm/bitであることを特徴とする請求項
1に記載の相変化型光情報記録媒体である。記録線密度
は、より好ましくは0.11〜0.16μm/bitで
ある。これは、0.05μm/bit未満では記録した
信号振幅が小さくなり、エラーを増やす原因となるから
である。また、0.16μm/bitを超えると、記録
容量が大きくならないという欠点を有しているからであ
る。この構成によれば、高密度記録が可能であるととも
に結晶の反射率がアモルファスの反射率よりも高くな
り、ROM互換性が得られる。
According to a third aspect of the present invention, the recording linear density is 0.05
The phase change type optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical recording medium has a thickness of 0.16 m / bit. The recording linear density is more preferably 0.11 to 0.16 μm / bit. This is because if it is less than 0.05 μm / bit, the recorded signal amplitude becomes small, which causes an increase in errors. Further, if the thickness exceeds 0.16 μm / bit, there is a disadvantage that the recording capacity does not increase. According to this configuration, high-density recording is possible and the reflectivity of the crystal is higher than the reflectivity of the amorphous, so that ROM compatibility can be obtained.

【0007】請求項4の発明は、基板上に下部保護層、
記録層、上部保護層、放熱層、紫外線硬化樹脂を順に積
層し、かつ前記下部保護層および前記上部保護層の屈折
率が1.8〜2.19であることを特徴とする請求項1
に記載の相変化型光情報記録媒体である。この構成によ
れば、青色等の400nm程度の短波長でも記録可能
で、変調度も取れる。
According to a fourth aspect of the present invention, a lower protective layer is provided on a substrate.
The recording layer, the upper protective layer, the heat radiation layer, and the ultraviolet curable resin are sequentially laminated, and the lower protective layer and the upper protective layer have a refractive index of 1.8 to 2.19.
3. The phase-change optical information recording medium according to item 1. According to this configuration, recording can be performed even at a short wavelength of about 400 nm, such as blue, and the degree of modulation can be obtained.

【0008】請求項5の発明は、記録層の材料が主成分
としてAg、In、SbおよびTeを含むことを特徴と
する請求項1に記載の相変化型光情報記録媒体である。
この構成によれば、感度良く記録再生およびオーバーラ
イトが可能となる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a phase change type optical information recording medium according to the first aspect, wherein the material of the recording layer contains Ag, In, Sb and Te as main components.
According to this configuration, recording / reproduction and overwriting can be performed with high sensitivity.

【0009】請求項6の発明は、基板の溝深さが25〜
50nmであることを特徴とする請求項1に記載の相変
化型光情報記録媒体である。基板の溝深さは、より好ま
しくは25〜35nmである。これは、50nmよりも
溝が深くなると、反射率が低下し、ROMとの反射率差
が大きくなり、回路的に検出がし難くなるからである。
また25nmよりも浅いとトラッキングが困難となる。
この構成によれば、短波長でもトラッキングが安定とな
り、記録再生が可能となる。
According to a sixth aspect of the present invention, the substrate has a groove depth of 25 to
2. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium has a thickness of 50 nm. The groove depth of the substrate is more preferably 25 to 35 nm. This is because, when the groove is deeper than 50 nm, the reflectance decreases, the reflectance difference from the ROM increases, and it becomes difficult to detect the circuit.
If it is shallower than 25 nm, tracking becomes difficult.
According to this configuration, tracking becomes stable even at a short wavelength, and recording / reproduction becomes possible.

【0010】請求項7の発明は、記録層の膜厚が7〜2
0nmであることを特徴とする請求項1に記載の相変化
型光情報記録媒体である。記録層の膜厚はより好ましく
は7〜15nmであるものとする。これは、記録層の膜
厚が20nmよりも大きくなると、より小さい記録マー
クを記録していくと、深さ方向にマークが傾斜しやすく
なり、再生ジッタが悪化し、エラーを増加させる原因と
なるからである。また、膜厚が7nm未満であると信号
の記録が困難となる。この構成によれば、短波長でもト
ラッキングが安定となり、記録再生が可能となる。
According to a seventh aspect of the present invention, the thickness of the recording layer is 7 to 2
The optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium has a thickness of 0 nm. The thickness of the recording layer is more preferably 7 to 15 nm. This is because, when the thickness of the recording layer is larger than 20 nm, when a smaller recording mark is recorded, the mark tends to be inclined in the depth direction, the reproduction jitter is deteriorated, and the error is increased. Because. If the film thickness is less than 7 nm, signal recording becomes difficult. According to this configuration, tracking becomes stable even at a short wavelength, and recording / reproduction becomes possible.

【0011】請求項8の発明は、記録および再生線速が
1.2〜14.0m/sであることを特徴とする請求項
1に記載の相変化型光情報記録媒体である。この構成に
よれば、短波長でも、高線速記録(オーバーライト)再
生が可能となる。
The invention according to claim 8 is the phase-change type optical information recording medium according to claim 1, wherein the recording and reproducing linear velocity is 1.2 to 14.0 m / s. According to this configuration, high linear velocity recording (overwrite) reproduction can be performed even with a short wavelength.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の相変化型光情報
記録媒体の一例を説明するための断面図である。相変化
型光情報記録媒体1は、例えばポリカーボネート製の透
明基板2の上に、下部保護層3(例えばZnS・SiO
、SiNxなどの誘電体材料を用いる)、記録層4
(例えばAgInSbTe、GeSbTeなどの相変化
材料を用いる)、上部保護層5(例えばZnS・SiO
、SiNxなどの誘電体材料を用いる)、放熱層6
(例えばAl、Al合金、Au、Agなどの熱伝導率の
高い材料を用いる)、紫外線硬化樹脂層7を順次積層し
てなるものである。本発明は、このような層構成や材料
に限定されるものではないが、前記の層構成、材料とし
た場合は、記録/再生およびオーバーライト特性がよく
なるので好適である。なお、このような相変化型光記録
媒体1は円盤ディスク状にしてもよいし(相変化型光デ
ィスク)、カード状、シート状などにしてもよい。
FIG. 1 is a sectional view for explaining an example of a phase change type optical information recording medium of the present invention. The phase change type optical information recording medium 1 is formed on a transparent substrate 2 made of, for example, polycarbonate and a lower protective layer 3 (for example, ZnS.SiO 2).
2 , using a dielectric material such as SiNx), recording layer 4
(For example, a phase change material such as AgInSbTe or GeSbTe is used), and the upper protective layer 5 (for example, ZnS.SiO
2 , using a dielectric material such as SiNx), a heat radiation layer 6
(For example, a material having high thermal conductivity such as Al, an Al alloy, Au, or Ag is used), and an ultraviolet curable resin layer 7 is sequentially laminated. The present invention is not limited to such a layer configuration and material, but the use of the above-described layer configuration and material is preferable because recording / reproducing and overwriting characteristics are improved. It should be noted that such a phase-change optical recording medium 1 may be formed in a disk shape (phase-change type optical disk), a card shape, a sheet shape, or the like.

【0013】本発明の相変化型光情報記録媒体1は、3
70nm〜450nmの短波長例えば青色波長を記録波
長としている。また、記録ピッチを0.3μm〜0.5
2μmにしているので、径方向だけでも記録容量をDV
D(記録ピッチ0.74μm:4.7GB)の1.4倍
〜2.4倍に増やすことが可能である。
The phase change type optical information recording medium 1 of the present invention
A short wavelength of 70 nm to 450 nm, for example, a blue wavelength is set as a recording wavelength. Further, the recording pitch is set to 0.3 μm to 0.5
Since the thickness is 2 μm, the recording capacity can be increased only in the radial direction by DV.
D (recording pitch 0.74 μm: 4.7 GB) can be increased to 1.4 times to 2.4 times.

【0014】次に、本発明の相変化型記録媒体の特性に
ついて調べた。試験結果を下記に示す。なお、本試験で
使用した媒体において、基板2は厚さ0.6mmのポリ
カーボネート製基板であり、下部保護層3は、厚さ40
μm、材質としてZnS・SiOを用い、記録層4
は、厚さ15nm、材質としてAgInSbTeを用
い、上部保護層5は、厚さ15nm、材質としてZnS
・SiOを用い、放熱層6は、厚さ120μm、材質
としてAgを用いたものである。また、紫外線硬化樹脂
層7は、厚さ6μmとした。媒体の形状は円盤ディスク
状である。なお、記録層の吸収率Acは、0.7であ
り、吸収率Aaは0.85であり、Ac<Aaが確認さ
れた。
Next, the characteristics of the phase change recording medium of the present invention were examined. The test results are shown below. In the medium used in this test, the substrate 2 was a polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm, and the lower protective layer 3 had a thickness of 40 mm.
μm, using ZnS · SiO 2 as the material,
Is made of AgInSbTe with a thickness of 15 nm, and the upper protective layer 5 is made of ZnS with a thickness of 15 nm.
The heat radiation layer 6 is made of SiO 2 , has a thickness of 120 μm, and uses Ag as a material. The ultraviolet curable resin layer 7 was 6 μm in thickness. The medium has a disk shape. The recording layer had an absorption ratio Ac of 0.7, an absorption ratio Aa of 0.85, and Ac <Aa was confirmed.

【0015】図2は、本発明の相変化型光情報記録媒体
1の記録ピッチとジッタ(Jitter)との関係を説
明するための図である。図2によれば、青色波長400
nm程度であれば記録ピッチ0.3μmでクロストーク
有りでもジッタがTwの9%以下になる。ジッタが9%
以下でDVDレベルのエラー訂正であれば、媒体、ドラ
イブが作成可能である。なお、図2においてNAとは開
口数(Numerical Aperture)を意味
している。
FIG. 2 is a diagram for explaining the relationship between the recording pitch of the phase-change optical information recording medium 1 of the present invention and the jitter. According to FIG.
If it is about nm, the jitter becomes 9% or less of Tw even if there is a cross talk at a recording pitch of 0.3 μm. 9% jitter
In the following, a medium and a drive can be created for error correction at the DVD level. In FIG. 2, NA means a numerical aperture (Numerical Aperture).

【0016】また本発明によれば、青色波長にて記録す
る場合、記録ピッチ/記録ビーム径(1/e)を0.
5〜0.9にし、かつ記録ピッチを0.3μm〜0.5
2μmにすることで、高密度記録が可能であるとともに
結晶の反射率がアモルファスの反射率よりも高くなり、
ROM互換性が得られ好ましい。記録ピッチ/記録ビー
ム径(1/e)の値と記録容量との関係を調べた。そ
の結果を表1に示す。記録ピッチ/記録ビーム径(1/
)を小さくしていくほど記録容量は増えていくが、
ビーム径が同じままでは記録密度は増えない。この場
合、記録ピッチを小さくしすぎると、前に記録したマー
クを消してしまうことになるからである。そこで本発明
では、記録ピッチ/記録ビーム径(1/e)を0.5
〜0.9に設定し、さらに記録ピッチを従来の0.6μ
mや0.74μmよりも狭ピッチにすることで記録容量
を向上することができた。
Further, according to the present invention, when recording at a blue wavelength, the recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 ) is set to 0.1.
5 to 0.9 and a recording pitch of 0.3 μm to 0.5
By setting the thickness to 2 μm, high-density recording is possible, and the reflectance of the crystal becomes higher than that of the amorphous.
ROM compatibility is obtained, which is preferable. The relationship between the value of recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 ) and the recording capacity was examined. Table 1 shows the results. Recording pitch / recording beam diameter (1 /
As e 2 ) decreases, the recording capacity increases,
The recording density does not increase if the beam diameter remains the same. In this case, if the recording pitch is too small, the previously recorded mark will be erased. Therefore, in the present invention, the recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 ) is set to 0.5
~ 0.9, and the recording pitch of the conventional 0.6μ
By setting the pitch to be smaller than m or 0.74 μm, the recording capacity could be improved.

【0017】[0017]

【表1】 [Table 1]

【0018】また本発明では、記録線密度を0.05〜
0.16μm/bitとし、かつ記録ピッチを0.3μ
m〜0.52μmにすることで、高密度記録が可能であ
るとともに結晶の反射率がアモルファスの反射率よりも
高くなり、ROM互換性が得られ好ましい。表2は、線
密度と記録容量との関係を示している。表2によれば、
記録線密度が0.05〜0.16μm/bitであると
きに約10GB以上の記録容量が可能になっている。
In the present invention, the recording linear density is set to 0.05 to
0.16 μm / bit and recording pitch of 0.3 μm
By setting the thickness to m to 0.52 μm, high-density recording is possible and the reflectance of the crystal becomes higher than the reflectance of the amorphous, so that ROM compatibility is obtained, which is preferable. Table 2 shows the relationship between the linear density and the recording capacity. According to Table 2,
When the recording linear density is 0.05 to 0.16 μm / bit, a recording capacity of about 10 GB or more is possible.

【0019】[0019]

【表2】 [Table 2]

【0020】また、下部保護層3および上部保護層5の
屈折率を1.8〜2.19に設定すると、下記表3に示
すように透過率が80%以上あり記録層まで光が十分透
過し、光のエンハンス効果が取れ、青色波長での反射率
が20%以上となり、媒体の反射率の面内分布((ma
x.− min.)/ave.)も20%未満であり好ま
しい。しかし屈折率が2.2以上では面内分布が20%
以上と大きい。
When the refractive indexes of the lower protective layer 3 and the upper protective layer 5 are set to 1.8 to 2.19, as shown in Table 3 below, the transmittance is 80% or more, and light is sufficiently transmitted to the recording layer. The effect of enhancing the light is obtained, the reflectance at the blue wavelength becomes 20% or more, and the in-plane distribution of the reflectance of the medium ((ma
x.-min. ) / Ave. ) Is also less than 20%, which is preferable. However, when the refractive index is 2.2 or more, the in-plane distribution is 20%.
Above and big.

【0021】[0021]

【表3】 [Table 3]

【0022】また本発明によれば、記録層の材料が主成
分としてAg、In、SbおよびTeを含むことによ
り、感度良く、記録再生およびオーバーライトが可能と
なる。下記表4は、記録層の材料としてAg、In、S
bおよびTeを用いた場合と記録層の材料としてGeS
bTeを用いた場合の比較結果を示している。記録層の
材料としてAg、In、SbおよびTeを用いること
で、ジッタおよび記録感度が良好となっている。
Further, according to the present invention, since the recording layer material contains Ag, In, Sb and Te as main components, recording and reproduction and overwriting can be performed with high sensitivity. Table 4 below shows that Ag, In, S
b and Te were used and GeS was used as the material of the recording layer.
The comparison result in the case of using bTe is shown. By using Ag, In, Sb and Te as the material of the recording layer, the jitter and the recording sensitivity are improved.

【0023】[0023]

【表4】 [Table 4]

【0024】さらに本発明によれば、基板の溝深さを2
5〜50nmにするのが好ましい。下記表5は、溝深さ
と初期ジッタ、反射率、モジュレーションおよびトラッ
キングとの関係を示している。基板の溝深さを25〜5
0nmにすることで、ジッタが9%以下と良好で反射率
も15%程度であり、モジュレーションも50%以上と
大きくなり、トラッキングも良好である。さらに好まし
い溝深さは20〜45nmである。
Further, according to the present invention, the groove depth of the substrate is set to 2
Preferably it is 5 to 50 nm. Table 5 below shows the relationship between the groove depth and the initial jitter, reflectance, modulation and tracking. 25 ~ 5 groove depth of substrate
By setting it to 0 nm, the jitter is as good as 9% or less, the reflectance is about 15%, the modulation is as large as 50% or more, and the tracking is also good. A more preferred groove depth is 20 to 45 nm.

【0025】[0025]

【表5】 [Table 5]

【0026】また、本発明によれば記録層の膜厚は7〜
20nmであるのが好ましい。記録層の膜厚を上記のよ
うにすることで、下記表6に示すように初期ジッタが1
ウインドウ幅Twの約8%以下であり反射率は18%以
上と高く、オーバーライト後のジッタも良好になる。
According to the present invention, the thickness of the recording layer is 7 to
Preferably it is 20 nm. By setting the film thickness of the recording layer as described above, the initial jitter is 1 as shown in Table 6 below.
The window width Tw is about 8% or less, the reflectance is as high as 18% or more, and the jitter after overwriting is also good.

【0027】[0027]

【表6】 [Table 6]

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明によれば、短波長例えば青色波長
を記録波長とし、高密度記録が可能であるとともに記録
再生とROM互換性を両立できる相変化型光情報記録媒
体が提供される。
According to the present invention, there is provided a phase-change type optical information recording medium which has a short wavelength, for example, a blue wavelength, as a recording wavelength, enables high-density recording, and can achieve both recording and reproduction and ROM compatibility.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の相変化型光情報記録媒体の一例を説明
するための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a phase-change optical information recording medium according to the present invention.

【図2】本発明の相変化型光情報記録媒体の記録ピッチ
とジッタ(Jitter)との関係を説明するための図
である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a relationship between a recording pitch and a jitter (Jitter) of the phase change type optical information recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 相変化型光情報記録媒体 2 基板 3 下部保護層 4 記録層 5 上部保護層 6 放熱層 7 紫外線硬化樹脂層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Phase-change optical information recording medium 2 Substrate 3 Lower protective layer 4 Recording layer 5 Upper protective layer 6 Heat radiation layer 7 UV curable resin layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 561 G11B 7/24 561P 563 563A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 7/24 561 G11B 7/24 561P 563 563A

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも記録層が設けられて
なり、かつ情報の記録、消去および再生を行う相変化型
光情報記録媒体において、記録波長が370nm〜45
0nmであり、前記記録層の結晶の光エネルギーの吸収
率Acがアモルファスの光エネルギーの吸収率Aaより
も小さく、かつ記録ピッチが0.3μm〜0.52μm
で記録されることを特徴とする相変化型光情報記録媒
体。
1. A phase-change type optical information recording medium having at least a recording layer provided on a substrate and recording, erasing and reproducing information, has a recording wavelength of 370 nm to 45 nm.
0 nm, the light energy absorption rate Ac of the crystal of the recording layer is smaller than the amorphous light energy absorption rate Aa, and the recording pitch is 0.3 μm to 0.52 μm.
A phase change type optical information recording medium, characterized by being recorded by:
【請求項2】 記録ピッチ/記録ビーム径(1/e
が、0.5〜0.9であることを特徴とする請求項1に
記載の相変化型光情報記録媒体。
2. Recording pitch / recording beam diameter (1 / e 2 )
2. The phase-change type optical information recording medium according to claim 1, wherein is 0.5 to 0.9.
【請求項3】 記録線密度が0.05〜0.16μm/
bitであることを特徴とする請求項1に記載の相変化
型光情報記録媒体。
3. A recording linear density of 0.05 to 0.16 μm /
2. The phase change type optical information recording medium according to claim 1, wherein the medium is a bit.
【請求項4】 基板上に下部保護層、記録層、上部保護
層、放熱層、紫外線硬化樹脂を順に積層し、かつ前記下
部保護層および前記上部保護層の屈折率が1.8〜2.
19であることを特徴とする請求項1に記載の相変化型
光情報記録媒体。
4. A lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, a heat radiation layer, and an ultraviolet curable resin are sequentially laminated on a substrate, and the lower protective layer and the upper protective layer have a refractive index of 1.8 to 2.
19. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the number is 19.
【請求項5】 記録層の材料が主成分としてAg、I
n、SbおよびTeを含むことを特徴とする請求項1に
記載の相変化型光情報記録媒体。
5. A recording layer comprising Ag and I as main components.
2. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, comprising n, Sb, and Te.
【請求項6】 基板の溝深さが25〜50nmであるこ
とを特徴とする請求項1に記載の相変化型光情報記録媒
体。
6. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the groove depth of the substrate is 25 to 50 nm.
【請求項7】 記録層の膜厚が7〜20nmであること
を特徴とする請求項1に記載の相変化型光情報記録媒
体。
7. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the recording layer has a thickness of 7 to 20 nm.
【請求項8】 記録および再生線速が1.2〜14.0
m/sであることを特徴とする請求項1に記載の相変化
型光情報記録媒体。
8. The recording and reproducing linear velocity is from 1.2 to 14.0.
2. The phase-change optical information recording medium according to claim 1, wherein the medium is m / s.
JP2001382604A 2000-12-21 2001-12-17 Phase change type optical information recording medium Pending JP2002251779A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001382604A JP2002251779A (en) 2000-12-21 2001-12-17 Phase change type optical information recording medium

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-388904 2000-12-21
JP2000388904 2000-12-21
JP2001382604A JP2002251779A (en) 2000-12-21 2001-12-17 Phase change type optical information recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002251779A true JP2002251779A (en) 2002-09-06
JP2002251779A5 JP2002251779A5 (en) 2005-07-14

Family

ID=26606275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001382604A Pending JP2002251779A (en) 2000-12-21 2001-12-17 Phase change type optical information recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002251779A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002237096A (en) Optical recording medium
JP4112153B2 (en) Inspection method of optical recording medium
KR930008455B1 (en) Optical disc medium
JP4065032B2 (en) Information recording medium
JP2004139690A (en) Phase change optical recording medium
JPH11203725A (en) Phase transition optical disk
JP2004296055A (en) Optical recording and reproducing method and optical recording medium
US20040062900A1 (en) Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium
JP2004220699A (en) Optical recording medium
US20040062189A1 (en) Information storage medium
JP2004296056A (en) Optical recording and reproducing method and optical recording medium
JP2002190139A (en) Optical storage medium
JPH11162010A (en) Phase transition recording medium and its recording and reproducing method
JPH10340489A (en) Phase transition type optical disk and production of phase transition type optical disk
JPH06155921A (en) Optical recording medium
JP2002251779A (en) Phase change type optical information recording medium
JP3138661B2 (en) Phase change optical disk
JP2002312979A (en) Optical information recording medium
JP3289716B2 (en) Phase change optical disk
JP2004013942A (en) Optical recording/reproducing method and optical recording medium
JP4152497B2 (en) Optical recording medium
JP4085300B2 (en) Phase change optical disk medium and method for initializing the medium
JPH113538A (en) Phase change type optical disk and its production
JP3830045B2 (en) Optical information recording medium and optical information recording / reproducing apparatus
JPH0562248A (en) Optical disk medium using two wavelengths

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041119

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041119

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20041119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060616

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071211