JP2002246167A - High-frequency heating device - Google Patents

High-frequency heating device

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JP2002246167A
JP2002246167A JP2001039814A JP2001039814A JP2002246167A JP 2002246167 A JP2002246167 A JP 2002246167A JP 2001039814 A JP2001039814 A JP 2001039814A JP 2001039814 A JP2001039814 A JP 2001039814A JP 2002246167 A JP2002246167 A JP 2002246167A
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Japan
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microwave
heated
transmitter
amplifier
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JP2001039814A
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Japanese (ja)
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Daisuke Betsusou
大介 別荘
Koji Yoshino
浩二 吉野
Yuji Nakabayashi
裕治 中林
Hideki Morozumi
英樹 両角
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B40/00Technologies aiming at improving the efficiency of home appliances, e.g. induction cooking or efficient technologies for refrigerators, freezers or dish washers

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency heating device for heating an object to be heated, such as foods, by utilizing microwaves, which are capable of heating the object uniformly and efficiently. SOLUTION: A means for generating microwaves is provided with a microwave transmitter 1 for varying a frequency, an amplifier 2 for amplifying signals of the transmitter 1, and a state-detecting means 5 for detecting the heating condition of the object to be heated. The state-detecting means 5 detects the condition of the object to be heated, and the frequency of the microwave transmitter 1 is adjusted by the microwave transmitter 1, so that the microwave distribution can be varied within an accommodating chamber 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を利用
して食品などを加熱する高周波加熱装置で、特に家庭用
の電子レンジに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency heating apparatus for heating food or the like using microwaves, and more particularly to a microwave oven for home use.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の高周波加熱装置は図4に示すよう
にマイクロ波発生手段としてマグネトロンを用いて、こ
れをインバータで駆動するように構成されている。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a conventional high-frequency heating apparatus uses a magnetron as microwave generating means and is driven by an inverter.

【0003】そして上記インバータは、商用電源を整流
する整流回路、ノイズを低減するフィルタ回路、約30
kHzで動作する高周波スイッチング回路、スイッチング
デバイスのスイッチング損失を低減する作用を行い、か
つ、電圧を昇圧する共振・昇圧回路、昇圧された高圧交
流電圧を整流する整流回路から構成されている。
The inverter includes a rectifier circuit for rectifying commercial power, a filter circuit for reducing noise, and a
It is composed of a high-frequency switching circuit operating at kHz, a resonance / boosting circuit for reducing the switching loss of the switching device and boosting the voltage, and a rectifying circuit for rectifying the boosted high-voltage AC voltage.

【0004】マグネトロンを動作させるためには直流の
高電圧を、マグネトロンのアノードとカソード間に印加
することが必要である。このため、インバータは直流の
約−4kVの電圧をマグネトロンに供給している。これ
により、マグネトロンは2.45GHzの周波数で発振す
る。この周波数はマグネトロンの構造から決まるもの
で、単一の周波数でしか発信することができない。
In order to operate the magnetron, it is necessary to apply a high DC voltage between the anode and the cathode of the magnetron. For this reason, the inverter supplies a DC voltage of about -4 kV to the magnetron. As a result, the magnetron oscillates at a frequency of 2.45 GHz. This frequency is determined by the structure of the magnetron and can only be transmitted at a single frequency.

【0005】マグネトロンは単一の周波数でしか発振で
きないが、そのスペクトルはある程度の幅をもったもの
である。図5マグネトロンの出力のスペクトルを示した
特性図で、横軸は周波数、縦軸はスペクトルの強さを示
している。このスペクトルは2450MHzを中心とし
て、約40MHzの幅を持っている。
[0005] A magnetron can only oscillate at a single frequency, but its spectrum has a certain width. 5 is a characteristic diagram showing the spectrum of the output of the magnetron, the horizontal axis represents the frequency, the vertical axis represents the intensity of the spectrum. This spectrum has a width of about 40 MHz centered at 2450 MHz.

【0006】このスペクトルは固定されたものではな
く、加熱される被加熱物とマグネトロンとの電気的な整
合によっても変化してしまう。さらに、マグネトロンに
は磁石が用いられており、これの温度特性の影響で動作
中にスペクトルが変化するようになる。
[0006] This spectrum is not fixed, and varies depending on the electrical matching between the object to be heated and the magnetron. Further, a magnet is used in the magnetron, and the spectrum changes during operation due to the temperature characteristics of the magnet.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の高周波加熱装置では、マグネトロンを用いているため
に、被加熱物との電気的な整合の状態や、温度特性のた
めに動作周波数を固定できないので、被加熱物を収納す
る収納庫内のマイクロ波分布を特定することができず、
被加熱物を均一に加熱することが十分にできないという
課題があった。
However, in the above-described conventional high-frequency heating apparatus, since the magnetron is used, the operating frequency cannot be fixed due to the state of electrical matching with the object to be heated and the temperature characteristics. , It is not possible to specify the microwave distribution in the storage that stores the object to be heated,
There is a problem that the object to be heated cannot be sufficiently heated uniformly.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、マイクロ波発生手段と被加熱物との電気的な
整合状態、あるいは、マイクロ波発生手段の温度特性な
どで、マイクロ波の周波数が変化しない構成とし、か
つ、マイクロ波の周波数は任意に調整できる構成とした
ものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for generating a microwave by using an electric matching state between a microwave generating means and an object to be heated or a temperature characteristic of the microwave generating means. The configuration is such that the frequency does not change, and the frequency of the microwave can be arbitrarily adjusted.

【0009】上記発明によれば、周波数が任意に決定で
きるため、収納庫内のマイクロ波分布を自在に制御する
ことができるようになり、被加熱物の均一な加熱、ある
いは効率の良い加熱を実現する子ができる。
According to the above invention, since the frequency can be arbitrarily determined, the microwave distribution in the storage can be freely controlled, and uniform heating or efficient heating of the object to be heated can be achieved. A child can be realized.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1にかかる高周波
加熱装置は、マイクロ波を発生する手段に周波数が可変
できるマイクロ波発信機と、発信機の信号を増幅する増
幅器とを有する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high-frequency heating apparatus according to a first aspect of the present invention has a microwave transmitter capable of changing a frequency in a means for generating a microwave, and an amplifier for amplifying a signal from the transmitter.

【0011】そして、マイクロ波発信機の周波数を調整
することで、収納庫内のマイクロ波分布を自在に変化さ
せることができる。
Then, by adjusting the frequency of the microwave transmitter, the microwave distribution in the storage can be freely changed.

【0012】本発明の請求項2にかかる高周波加熱装置
は、マイクロ波を発生する手段に周波数が可変できるマ
イクロ波発信機と、発信機の信号を増幅する増幅器と、
被加熱物の加熱状態を検知する状態検知手段とを有す
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a high-frequency heating apparatus comprising: a microwave generator capable of changing a frequency in a means for generating a microwave; an amplifier for amplifying a signal from the transmitter;
State detecting means for detecting a heating state of the object to be heated.

【0013】そして、状態検知手段が被加熱物の加熱状
態を検知し、その情報でマイクロ波発信機の周波数を調
整することで、収納庫内のマイクロ波分布を変化させる
ことができる。
[0013] The state detecting means detects the heating state of the object to be heated, and adjusts the frequency of the microwave transmitter based on the information, whereby the microwave distribution in the storage can be changed.

【0014】本発明の請求項3にかかる高周波加熱装置
は、被加熱物の温度を検知する状態検知手段を有する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a high-frequency heating apparatus having state detecting means for detecting a temperature of an object to be heated.

【0015】そして、温度を検知する状態検知手段の情
報で、マイクロ波発信機の周波数を設定するため、収納
庫内のマイクロ波分布を、均一加熱にあった適切な分布
にすることができる。
[0015] Since the frequency of the microwave transmitter is set by the information of the state detecting means for detecting the temperature, the microwave distribution in the storage can be made an appropriate distribution suitable for uniform heating.

【0016】本発明の請求項4にかかる高周波加熱装置
は、増幅器の温度を検知する状態検知手段を有する。
A high-frequency heating apparatus according to a fourth aspect of the present invention has a state detecting means for detecting the temperature of the amplifier.

【0017】そして、温度を検知する状態検知手段の情
報で、マイクロ波発信機の周波数を設定するため、収納
庫内のマイクロ波分布を、効率的な加熱にあった分布に
することができる。
[0017] Since the frequency of the microwave transmitter is set by the information of the state detecting means for detecting the temperature, the microwave distribution in the storage can be made a distribution suitable for efficient heating.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】(実施例1)図1は本発明の実施例1の高
周波加熱装置のブロック図である。1は発信機、2は増
幅器、3は導波手段、4は収納庫である。発信機は電子
レンジとして、使用が許可されている周波数である2.4G
Hzから2.5GHzの信号を発生するものである。増幅器2
は、発信機1の信号を、電源からの電力供給を受けて増
幅するもので、半導体素子を用いたA級、またはB級、ま
たはC級の増幅回路形態を用いる。加熱目的でマイクロ
波を利用するので、波形の歪は問題でないので、特に効
率の良いC級増幅を用いることが有利である。半導体素
子にはガリウムヒ素を用いたFETや、新しい半導体材料
として注目されているSiCを用いたHEMTなどが上げられ
る。このように、半導体素子を用いたマイクロ波の発生
手段を用いることにより、マグネトロンのように温度特
性で発振周波数が変化するようなことが無くなる。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram of a high-frequency heating apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 1 is a transmitter, 2 is an amplifier, 3 is a waveguide means, and 4 is a storage. The transmitter is a microwave oven, the frequency of which is allowed to use 2.4G
A signal of 2.5 GHz is generated from Hz. Amplifier 2
Amplifies the signal of the transmitter 1 by receiving power supply from a power supply, and uses a class A, class B, or class C amplifier circuit using a semiconductor element. Since microwaves are used for heating purposes, waveform distortion is not a problem, and it is advantageous to use particularly efficient class C amplification. Semiconductor devices include FETs using gallium arsenide and HEMTs using SiC, which is attracting attention as a new semiconductor material. As described above, by using the microwave generating means using the semiconductor element, the oscillation frequency does not change due to the temperature characteristic unlike the magnetron.

【0020】増幅器2で増幅された高出力のマイクロ波
は導波手段3によって、収納庫4に導かれる。導波手段
3には導波管や同軸ケーブルを用いることができる。導
波手段3により収納庫4に導かれたマイクロ波は、収納
庫4内の被加熱物に照射される。
The high-power microwave amplified by the amplifier 2 is guided to the storage 4 by the waveguide means 3. A waveguide or a coaxial cable can be used for the waveguide unit 3. The microwave guided to the storage 4 by the waveguide unit 3 is applied to an object to be heated in the storage 4.

【0021】増幅器3と被加熱物との間の電気的な整合
は、導波手段3のインピーダンス、被加熱物の誘電率
や、形状で決まるインピーダンス、収納庫4のインピー
ダンスなどの影響を受けるが、マイクロ波周波数は発信
機1で決定されるので、このような増幅器3と被加熱物
との間の整合には影響されることがなく、特定の周波数
のマイクロ波を出力することができる。
The electrical matching between the amplifier 3 and the object to be heated is affected by the impedance of the waveguide means 3, the dielectric constant of the object to be heated, the impedance determined by the shape, the impedance of the housing 4, and the like. Since the microwave frequency is determined by the transmitter 1, the microwave of a specific frequency can be output without being affected by the matching between the amplifier 3 and the object to be heated.

【0022】収納庫4内には状態検知手段5として、赤
外線センサが取り付けられている。この赤外線センサは
複数の赤外検知素子で構成されており、収納庫4の被加
熱物の載置個所をマトリックスで温度検知することによ
り、温度分布を明らかにしている。この状態検知手段5
の情報で、発信機1の信号周波数が決定される。すなわ
ち、検知した温度分布情報から温度の高い部分にはマイ
クロ波が弱く照射され、温度が低い部分にはマイクロ波
が強く照射されるマイクロ波の分布になるように、発信
機1の周波数を調整する。
An infrared sensor is mounted in the storage 4 as the state detecting means 5. This infrared sensor is composed of a plurality of infrared detecting elements, and the temperature distribution is clarified by detecting the temperature of the place where the object to be heated in the storage 4 is placed in a matrix. This state detecting means 5
, The signal frequency of the transmitter 1 is determined. That is, based on the detected temperature distribution information, the frequency of the transmitter 1 is adjusted so that a high temperature portion is irradiated with a weak microwave and a low temperature portion is irradiated with a strong microwave. I do.

【0023】図2は収納庫4内のマイクロ波の分布をシ
ミュレーションした結果を示した、マイクロ波分布図
で、等電界の点を結んだ等電界曲線で示している。同図
の(a)から(e)はマイクロ波の周波数を変えてシミ
ュレーションした結果であり、周波数によってマイクロ
波の分布が変化していることがわかる。従って、態検知
手段5の情報で望まれるマイクロ波分布になるように、
適切に周波数を設定することによって、被加熱物の均一
な加熱を実現することができる。
FIG. 2 is a microwave distribution diagram showing the result of simulating the distribution of microwaves in the storage box 4, which is indicated by an isoelectric field curve connecting points of the isoelectric field. (A) to (e) of the drawing are the results of a simulation in which the frequency of the microwave is changed, and it can be seen that the distribution of the microwave changes depending on the frequency. Therefore, the microwave distribution desired by the information of the state detection means 5 is obtained,
By setting the frequency appropriately, uniform heating of the object to be heated can be realized.

【0024】(実施例2)図3は本発明の実施例2の高
周波加熱装置のブロック図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a block diagram of a high-frequency heating apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.

【0025】本実施例において、実施例1と異なる点
は、状態検知手段6が増幅器2を構成する半導体素子の
温度を検知する温度検知素子から構成されている点であ
る。
The present embodiment is different from the first embodiment in that the state detecting means 6 comprises a temperature detecting element for detecting the temperature of the semiconductor element constituting the amplifier 2.

【0026】なお、実施例1と同一符号のものは同一構
造を有し、説明は省略する。
The components having the same reference numerals as in the first embodiment have the same structure, and a description thereof will be omitted.

【0027】次に動作、作用を説明すると、先に述べた
ように増幅器2と被加熱物との電気的な整合は、導波手
段3のインピーダンス、被加熱物の誘電率や、形状で決
まるインピーダンス、収納庫4のインピーダンスなどで
決定されるが、整合が取れていない場合、半導体素子の
損失が増大し、その温度が著しく上昇する。整合が取れ
ていない場合は、被加熱物が吸収するマイクロ波のエネ
ルギーが少なくなっているので、効率の良い加熱がなさ
れていない状態である。そこで、半導体素子の温度を検
知し、この情報で発信機1の信号周波数を変化させる。
マイクロ波の周波数が変われば、インピーダンスが変わ
るので、増幅器2と被加熱物との電気的な整合状態を変
えることができる。従って、半導体素子の温度が最小に
なるような周波数に設定することにより、最も適した増
幅器2と被加熱物との電気的な整合状態にすることがで
きる。これにより、もっとも効率的な加熱を行うことが
できるようになる。
Next, the operation and operation will be described. As described above, the electrical matching between the amplifier 2 and the object to be heated is determined by the impedance of the waveguide means 3, the dielectric constant and the shape of the object to be heated. The impedance is determined by the impedance, the impedance of the storage case 4, and the like. However, when the matching is not achieved, the loss of the semiconductor element increases, and the temperature thereof significantly increases. If the matching is not achieved, the energy of the microwave absorbed by the object to be heated is small, so that efficient heating is not performed. Therefore, the temperature of the semiconductor element is detected, and the signal frequency of the transmitter 1 is changed based on this information.
If the frequency of the microwave changes, the impedance changes, so that the electrical matching state between the amplifier 2 and the object to be heated can be changed. Therefore, by setting the frequency such that the temperature of the semiconductor element is minimized, the most suitable electrical matching between the amplifier 2 and the object to be heated can be achieved. Thereby, the most efficient heating can be performed.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明の高周波加熱
装置によれば、マイクロ波を発生する手段に周波数が可
変できるマイクロ波発信機と、発信機の信号を増幅する
増幅器とを有しているので、マイクロ波発信機の周波数
を調整することで、収納庫内のマイクロ波分布を自在に
変化させることができるという効果がある。
As described above, according to the high-frequency heating apparatus of the present invention, the means for generating microwaves has a microwave transmitter whose frequency can be varied, and an amplifier for amplifying the signal of the transmitter. Therefore, there is an effect that the microwave distribution in the storage can be freely changed by adjusting the frequency of the microwave transmitter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1における高周波加熱装置のブ
ロック図
FIG. 1 is a block diagram of a high-frequency heating device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同高周波加熱装置の収納庫内のマイクロ波分布
FIG. 2 is a microwave distribution diagram in a storage of the high-frequency heating device.

【図3】本発明の実施例2における高周波加熱装置のブ
ロック図
FIG. 3 is a block diagram of a high-frequency heating device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の高周波加熱装置の回路ブロック図FIG. 4 is a circuit block diagram of a conventional high-frequency heating device.

【図5】従来の高周波加熱装置に用いているマグネトロ
ンのスペクトルを示す特性図
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a spectrum of a magnetron used in a conventional high-frequency heating device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発信機 2 増幅器 3 導波手段 4 収納庫 5、6 状態検知手段 REFERENCE SIGNS LIST 1 transmitter 2 amplifier 3 waveguide means 4 storage 5, 6 state detection means

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 6/64 H05B 6/64 G 6/66 6/66 C (72)発明者 中林 裕治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 両角 英樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K086 AA01 AA08 BA08 BB02 BB08 CA02 CB04 CC02 CD09 DA15 3K090 AA01 AA02 AB02 BA03 BB01 EB13 EB14 3L086 CB01 CB05 CB16 CC08 DA05 DA12 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05B 6/64 H05B 6/64 G 6/66 6/66 C (72) Inventor Yuji Nakabayashi Yuji Kadoma, Kadoma City, Osaka 1006 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. BB01 EB13 EB14 3L086 CB01 CB05 CB16 CC08 DA05 DA12

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発振周波数が可変可能な発信機と、前記
発信機の信号を増幅する増幅器と、前記増幅器で発生さ
れるマイクロ波で加熱される被加熱物を収納する収納庫
と、前記増幅器の出力を、被加熱物を収納した収納庫に
導く導波手段とからなる高周波加熱装置。
A transmitter having a variable oscillation frequency; an amplifier for amplifying a signal from the transmitter; a storage for storing an object to be heated by microwaves generated by the amplifier; And a waveguide means for guiding the output of (1) to the storage housing the object to be heated.
【請求項2】 被加熱物の加熱状態を検知する状態検知
手段で検知した被加熱物の状態により、発信機の周波数
を設定する構成とした請求項1記載の高周波加熱装置。
2. The high-frequency heating apparatus according to claim 1, wherein a frequency of the transmitter is set according to a state of the object to be heated detected by a state detecting means for detecting a heating state of the object to be heated.
【請求項3】 状態検知手段は被加熱物の温度を検知す
る構成とした請求項2記載の高周波加熱装置。
3. The high-frequency heating apparatus according to claim 2, wherein the state detecting means detects a temperature of the object to be heated.
【請求項4】 状態検知手段は増幅器の温度を検知する
構成とした請求項2記載の高周波加熱装置。
4. The high-frequency heating apparatus according to claim 2, wherein the state detecting means detects the temperature of the amplifier.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096645A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp Microwave generating device and equipment using same
WO2008007777A3 (en) * 2006-07-14 2008-03-27 Sunny Engineering Co Ltd Microwave induction heating device
US7554054B2 (en) 2004-10-01 2009-06-30 Seiko Epson Corporation High-frequency heating device, semiconductor manufacturing device, and light source device
JP2009181728A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Panasonic Corp Microwave processing device
JP2009238402A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Corp Microwave processor
US20100243645A1 (en) * 2008-05-13 2010-09-30 Toshio Ishizaki Spread-spectrum high-frequency heating device
WO2021166562A1 (en) * 2020-02-21 2021-08-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 High frequency processing device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554054B2 (en) 2004-10-01 2009-06-30 Seiko Epson Corporation High-frequency heating device, semiconductor manufacturing device, and light source device
JP2007096645A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Seiko Epson Corp Microwave generating device and equipment using same
WO2008007777A3 (en) * 2006-07-14 2008-03-27 Sunny Engineering Co Ltd Microwave induction heating device
JP5048670B2 (en) * 2006-07-14 2012-10-17 克惇 田伏 Microwave dielectric heating device
US8735784B2 (en) 2006-07-14 2014-05-27 Sunny Engineering Co., Ltd. Microwave induction heating device
JP2009181728A (en) * 2008-01-29 2009-08-13 Panasonic Corp Microwave processing device
JP2009238402A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Corp Microwave processor
US20100243645A1 (en) * 2008-05-13 2010-09-30 Toshio Ishizaki Spread-spectrum high-frequency heating device
US8330085B2 (en) * 2008-05-13 2012-12-11 Panasonic Corporation Spread-spectrum high-frequency heating device
WO2021166562A1 (en) * 2020-02-21 2021-08-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 High frequency processing device

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