JP2002217774A - Mobile phone - Google Patents

Mobile phone

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JP2002217774A
JP2002217774A JP2001008292A JP2001008292A JP2002217774A JP 2002217774 A JP2002217774 A JP 2002217774A JP 2001008292 A JP2001008292 A JP 2001008292A JP 2001008292 A JP2001008292 A JP 2001008292A JP 2002217774 A JP2002217774 A JP 2002217774A
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JP
Japan
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source current
bias
circuit
mobile phone
power
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Pending
Application number
JP2001008292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiro Kawamoto
幸広 川本
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mobile phone that can be downsized without deteriorating its disturbing characteristic. SOLUTION: The mobile phone is provided with a low noise amplifier 2 placed at a receiver side high frequency circuit and with a source current supply circuit 6 that controls a source current of the low noise amplifier 2 depending on the communication power.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機に関
し、特にCDMA方式の携帯電話機における高周波回路の改
良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a portable telephone, and more particularly, to an improvement of a high frequency circuit in a CDMA portable telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】CDMA(Code Division Multiple Acces
s)方式は、一の基地局に複数の移動局が接続する多元
接続方式の一つで、各移動局の識別を固有の符号を使っ
て行なうものである。この方式は、スペクトル拡散方式
とも呼ばれるように、送信しようとする信号を、使用で
きる周波数帯全体の広い範囲のスペクトルに分散させて
送信する。このため、全ての局の信号は、同一の周波数
帯で重畳して送られることとなるが、局毎に固有の符号
を用いているので、混信することなく、識別が可能であ
る。CDMA方式は、多元接続方式として他に知られている
FDMA、TDMA各方式よりも一層干渉や妨害に強く、また秘
話性が高く、しかもチャンネル数を多くとれるとされ、
我が国や北米を始め多くの国において実用化されてい
る。
2. Description of the Related Art Code Division Multiple Acces (CDMA)
The s) system is one of the multiple access systems in which a plurality of mobile stations are connected to one base station, and each mobile station is identified using a unique code. In this method, a signal to be transmitted is dispersed and transmitted over a wide range of spectrum in the entire usable frequency band, which is also called a spread spectrum method. For this reason, the signals of all the stations are superimposed and transmitted in the same frequency band. However, since a unique code is used for each station, identification is possible without interference. CDMA is another known as multiple access
It is said that it is more resistant to interference and disturbance than FDMA and TDMA systems, and has high confidentiality, and can take more channels,
It has been put to practical use in many countries including Japan and North America.

【0003】しかしながら、一方で、同一セル内の使用
周波数が同じであり、異なる周波数を持つセルにおける
多局間信号等による干渉・妨害に対して、インターモジ
ュレーション妨害比が規格にて規定されている。特に8
00MHzのセルラーバンドでは希望信号の三段階の入力
に対して規定され、これを満たすため、主にミキサー回
路が原因となる妨害・干渉に対処する方法として、高周
波受信回路の初段に設けられるLNA(ローノイズアン
プ)のゲインをコントロールする回路は良く知られてい
る。
[0003] On the other hand, however, the intermodulation interference ratio is specified in the standard for interference / interference caused by multi-station signals in cells having the same frequency and different frequencies in the same cell. . Especially 8
The 00 MHz cellular band is defined for three-stage input of a desired signal, and in order to satisfy the requirement, an LNA (LNA) provided at the first stage of a high-frequency receiving circuit is mainly used as a method for dealing with interference and interference caused by a mixer circuit. Circuits for controlling the gain of a low-noise amplifier are well known.

【0004】この方法の原理を簡単に説明すると次の通
りである。図4は、横軸に信号入力(単位:dBm)、縦
軸に信号出力をとり、希望信号Dと妨害信号Uのそれぞ
れの入出力特性を示している。この図から判るように希
望信号Dと妨害信号Uとの入出力特性は勾配が異なって
いる。このため、両信号の特性曲線は交点をもち、その
点はインターセプロポイントと呼ばれている。また、入
力側のIIP3は(input 3'rd order intercept point )
は、非線形アンプの性能を示すパラメータの一つとして
知られている。今、ミキサー回路への希望信号Dの入力
レベルが-90dBm程度の低い値であるときは、出力レベル
が-75dBm程度と低く、かつ同じ出力レベルを生じるため
の妨害信号の入力レベルとの差異DU比(図中のΔ1)
が大きいため、ローノイズアンプのゲインを下げなくて
もインターモジュレーションの性能は満たされる。一
方、希望信号Uの入力レベルが-70dBm程度まで高くなる
と、出力レベルが-55dBm程度となり、かつ同じ出力レベ
ルを生じるための妨害信号の入力レベルとの差異DU比
(図中のΔ2)は低くなりローノイズアンプのゲインを
下げることによりインターモジュレーション妨害比の規
定が満たされる。
[0004] The principle of this method is briefly described as follows. FIG. 4 shows signal input (unit: dBm) on the horizontal axis and signal output on the vertical axis, and shows respective input / output characteristics of the desired signal D and the interference signal U. As can be seen from this figure, the input / output characteristics of the desired signal D and the interference signal U have different slopes. For this reason, the characteristic curves of the two signals have an intersection, which is called an intercept point. IIP3 on the input side is (input 3'rd order intercept point)
Is known as one of the parameters indicating the performance of the nonlinear amplifier. Now, when the input level of the desired signal D to the mixer circuit is a low value of about -90 dBm, the output level is as low as about -75 dBm, and the difference DU from the input level of the interfering signal for generating the same output level. Ratio (Δ1 in the figure)
, The intermodulation performance is satisfied without lowering the gain of the low noise amplifier. On the other hand, when the input level of the desired signal U increases to about -70 dBm, the output level becomes about -55 dBm, and the difference DU ratio (Δ2 in the figure) from the input level of the interfering signal for producing the same output level decreases. By lowering the gain of the low noise amplifier, the regulation of the intermodulation interference ratio is satisfied.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のよう
に携帯電話機の小型化が優先して設計されるようになっ
てくると、携帯電話機の内部において送信回路と受信回
路との距離が接近し、送信信号の受信回路に対するアイ
ソレーションが不十分となり、シングルトーン妨害比の
規格が満たされなくなる。悪くなるメカニズムの一例は
シングルトーン測定時の妨害信号に送信信号の変調成分
が発生(クロスモジュレーションと呼ばれ非線型素子の
3次の項が原因)しこの変調成分の一部が受信のIF帯
域内に落ち込み、希望信号の歪みとなってあらわれる。
By the way, when the miniaturization of the portable telephone is designed with priority as in recent years, the distance between the transmitting circuit and the receiving circuit becomes short inside the portable telephone. In addition, the isolation of the transmission signal from the reception circuit becomes insufficient, and the standard of the single tone interference ratio is not satisfied. One example of a worsening mechanism is that a modulation component of the transmission signal is generated in the interfering signal at the time of single tone measurement (referred to as cross modulation due to the third-order term of the nonlinear element), and a part of this modulation component is a part of the reception IF band. It falls inside and appears as distortion of the desired signal.

【0006】本発明は、小型化によるアイソレーション
の劣化を補い小型化に適した携帯電話機を提供すること
を目的とする。
An object of the present invention is to provide a portable telephone suitable for miniaturization by compensating for isolation degradation due to miniaturization.

【0007】[0007]

【課題を解決する為の手段】上記目的を達成するため、
本発明に係る携帯電話機は、高周波回路に設けられるロ
ーノイズアンプと、ローノイズアンプのソース電流の大
きさを、通信電力の大きさに応じてコントロールするソ
ース電流供給回路とを備えたことを特徴としている。
In order to achieve the above object,
A mobile phone according to the present invention includes a low-noise amplifier provided in a high-frequency circuit, and a source current supply circuit that controls the magnitude of the source current of the low-noise amplifier according to the magnitude of communication power. .

【0008】ここで、前記ソース電流供給回路は、電話
機が待ち受け状態又は所定電力より小電力で通信状態に
あるとき第1のソース電流を供給し、所定電力以上の電
力で通信状態にあるとき、第1のソース電流より大きな
第2のソース電流を供給する構成とすることができる。
また、前記ソース電流供給回路は、ローノイズアンプの
ソース端子に接続されたバイアス回路であり、その中の
バイアス抵抗の値を大小調整してバイアス電流の大きさ
をコントロールすることを特徴とする。
Here, the source current supply circuit supplies the first source current when the telephone is in a standby state or in a communication state with less power than a predetermined power, and when the telephone is in a communication state with a power equal to or more than the predetermined power, A configuration in which a second source current larger than the first source current is supplied can be employed.
Further, the source current supply circuit is a bias circuit connected to a source terminal of a low noise amplifier, wherein the magnitude of a bias resistor in the source circuit is adjusted to control the magnitude of a bias current.

【0009】さらに、前記ソース電流供給回路は、常に
ソース端子にバイアス電流を供給する主バイアス回路
と、電話機が所定電力以上の電力で通信状態にあると
き、主バイアス回路と相和的にバイアス電流を供給する
副バイアス回路とを備えた構成とすることができる。
Further, the source current supply circuit includes a main bias circuit that always supplies a bias current to the source terminal, and a bias current that is in harmony with the main bias circuit when the telephone is in a communication state with power equal to or more than a predetermined power. And a sub-bias circuit for supplying the same.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態とし
ての携帯電話機の受信回路の高周波回路を示す図であ
る。図中、1は、デュプレクサで、一の端子はアンテナ
に、他の一の端子は送信回路に、更に他の一の端子は受
信回路にそれぞれ接続されている。2は、ローノイズア
ンプ、3は高周波フィルタの一例としてSAWフィルタで
ある。SAWフィルタの出力側にはミキサー回路が接続さ
れる。
FIG. 1 is a diagram showing a high-frequency circuit of a receiving circuit of a portable telephone according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a duplexer, one terminal of which is connected to an antenna, the other terminal of which is connected to a transmitting circuit, and the other terminal of which is connected to a receiving circuit. Reference numeral 2 denotes a low noise amplifier, and reference numeral 3 denotes a SAW filter as an example of a high frequency filter. A mixer circuit is connected to the output side of the SAW filter.

【0011】前記デュプレクサ1とローノイズアンプ2
の間には、ローノイズアンプ2の入力整合回路4が、ロ
ーノイズアンプ2とSAWフィルタ3との間には、ローノ
イズアンプ2の出力整合回路兼バイアス供給回路5がそ
れぞれ設けられている。ローノイズアンプ2は、例えば
Ga―As型FETで、そのソース端子には、バイアス回路
6が設けられている。このバイアス回路6は、主バイア
ス回路61と副バイアス回路62と副バイアス回路62
をON・OFFするスイッチ回路63とからなる。
The duplexer 1 and the low noise amplifier 2
In between, an input matching circuit 4 of the low noise amplifier 2 is provided, and between the low noise amplifier 2 and the SAW filter 3, an output matching circuit / bias supply circuit 5 of the low noise amplifier 2 is provided. The low noise amplifier 2 is, for example,
It is a Ga-As type FET, and its source terminal is provided with a bias circuit 6. The bias circuit 6 includes a main bias circuit 61, a sub bias circuit 62, and a sub bias circuit 62.
And a switch circuit 63 for turning ON / OFF.

【0012】主バイアス回路61は、前記Ga―As型FET
のソースに印加する直流バイアス電圧を生成する抵抗R
1と、ソース端子から流れてくる高周波成分をバイパス
するバイパスコンデンサC4、C5とからなる。この主バ
イアス回路61によって生成されるバイアス電圧をV
1、バイアス電流をI1とする。副バイアス回路62
は、抵抗R2で構成される。
The main bias circuit 61 is provided with the Ga-As type FET.
A resistor R that generates a DC bias voltage applied to the source of
1 and bypass capacitors C4 and C5 for bypassing high frequency components flowing from the source terminal. The bias voltage generated by the main bias circuit 61 is represented by V
1. Assume that the bias current is I1. Sub bias circuit 62
Is composed of a resistor R2.

【0013】スイッチ回路63は、2個のFETスイッチT
r1、Tr2からなる。 FETスイッチTr1、Tr2のゲート
には、IDLE信号、LNAcontrol信号がそれぞれ入力され
る。IDLE信号は、携帯電話機が送信状態であるか、非送
信状態であるかを示す信号であり、非送信状態ではLo
w、送信状態Highになる。CDMA方式では、待ち受け受信
時は非送信状態、通信時(送信及び受信時)送信状態に
相当する。
The switch circuit 63 includes two FET switches T
r1 and Tr2. The gates of the FET switches Tr1 and Tr2 receive the IDLE signal and the LNAcontrol signal, respectively. The IDLE signal is a signal indicating whether the mobile phone is in a transmission state or a non-transmission state.
w, the transmission state becomes High. In the CDMA system, standby reception corresponds to a non-transmission state, and communication (transmission and reception) corresponds to a transmission state.

【0014】LNA control信号は、送信出力が所定電力
より小さいとき(受信信号レベルが基準値よりも大きい
とき)High、送信出力が所定電力より大きいとき(受信
信号レベルが基準値以下のとき)Lowとなる。本実施形
態における携帯電話機のようにCDMA方式では無線基地局
との間で送信電力と受信電力との関係を一定に保つ電力
制御を行っているので、送信出力が所定電力より小さい
か大きいかは、受信信号レベルが基準値よりも大きい小
さいかにより判定される。この判定は、携帯電話機内部
のMSM(Mobil Station MODEM)(図外)等によりなされ
る。
The LNA control signal is high when the transmission output is lower than a predetermined power (when the reception signal level is higher than a reference value) and low when the transmission output is higher than the predetermined power (when the reception signal level is lower than the reference value). Becomes In the CDMA system as in the mobile phone according to the present embodiment, power control is performed to maintain a constant relationship between transmission power and reception power with a radio base station, so whether the transmission output is smaller or larger than a predetermined power is determined. , The received signal level is larger than the reference value. This determination is made by an MSM (Mobil Station MODEM) (not shown) or the like inside the mobile phone.

【0015】上記電力制御における送信電力と受信電力
との関係は、単純化すれば(平均送信電力)+(平均受
信電力)=ほぼ一定値(例えば−76dBm)となる。電
力制御の詳細については、移動局が実施する開ループ推
定と、移動局及び無線基地局の双方による閉ループ補正
として規格化されている。また、上記の一定値が−76
dBmである場合には、上記の所定電力は例えば15dBm
(この場合上記の基準値は−91dBmとなる)とすれば
よい。この場合LNAcontrol信号は、受信信号レベルが−
91dBmよりも大きいとき)High、−91dBm以下のと
き)Lowとなる。
The relationship between the transmission power and the reception power in the above power control can be simplified to (average transmission power) + (average reception power) = substantially a constant value (for example, -76 dBm). The details of the power control are standardized as open-loop estimation performed by the mobile station and closed-loop correction performed by both the mobile station and the radio base station. In addition, the above constant value is -76.
In the case of dBm, the predetermined power is, for example, 15 dBm.
(In this case, the reference value is -91 dBm). In this case, the LNAcontrol signal has a received signal level of-
High when it is larger than 91 dBm) and Low when it is -91 dBm or less.

【0016】IDLE信号、LNA control信号の各状態によ
って、FETスイッチTr1、Tr2は以下の表に示すようにO
N・OFF動作する。
According to the states of the IDLE signal and the LNA control signal, the FET switches Tr1 and Tr2 are turned on as shown in the following table.
N / OFF operation.

【0017】[0017]

【表1】 [Table 1]

【0018】上記表から理解されるように、FETスイッ
チTr1は、送信出力が所定電力より大きいときにONし、
それ以外の場合はOFFする。そして、このFETスイッチTr
1がONすると、副バイアス回路62がONし、抵抗R2が
主バイアス回路61の抵抗R1と並列接続される。この
ため、Ga-As型FETのソースに供給されるバイアス電圧、
バイアス電流は、2個の抵抗R1、R2の合成抵抗値によ
って決まる。この時のバイアス電圧をV2、バイアス電
流をI2とする。
As can be understood from the above table, the FET switch Tr1 is turned on when the transmission output is higher than a predetermined power,
Otherwise, turn off. And this FET switch Tr
When 1 is turned on, the sub bias circuit 62 is turned on, and the resistor R2 is connected in parallel with the resistor R1 of the main bias circuit 61. Therefore, the bias voltage supplied to the source of the Ga-As type FET,
The bias current is determined by the combined resistance value of the two resistors R1 and R2. The bias voltage at this time is V2, and the bias current is I2.

【0019】図2は、上記ローノイズアンプ2のバイア
ス電流に対するIIP3の特性曲線の一例を示し、図3
は、バイアス電圧に対するIIP3の特性曲線の一例を示
している。これらの図から理解されるように、IIP3特
性は、バイアス電圧に対する依存性は少なく、バイアス
電流に対する依存性は高い。本実施の形態では、IIP3が
バイアス電流への依存性が高く、バイアス電圧への依存
性が低い点に着目し、主、副バイアス回路の抵抗R1、R
2の値を適切に定めている。すなわち主バイアス回路6
1だけでバイアス電流を供給しているときは、図2にバ
イアスポイント1で示す電流値I1とし、主、副両バイ
アス回路61、62によってバイアス電流を供給してい
るときは、図2にバイアスポイント2で示す電流値I2
としている。その結果、バイアス電流I1の場合のIIP3
は、−2.5dBmであるのに対し、I2の場合は、6.5
dBmとおよそ9.0dB増大することになる。
FIG. 2 shows an example of a characteristic curve of the IIP 3 with respect to the bias current of the low noise amplifier 2, and FIG.
Shows an example of a characteristic curve of the IIP3 with respect to the bias voltage. As understood from these figures, the IIP3 characteristic has little dependence on the bias voltage and has a high dependence on the bias current. In the present embodiment, focusing on the fact that IIP3 has a high dependence on the bias current and a low dependence on the bias voltage, the resistances R1, R
The value of 2 is appropriately determined. That is, the main bias circuit 6
When the bias current is supplied only by the bias circuit 1 and the bias current is indicated by the bias point 1 in FIG. 2, the bias current is supplied by the main and sub bias circuits 61 and 62. Current value I2 indicated by point 2
And As a result, IIP3 in the case of the bias current I1
Is -2.5 dBm, whereas I2 is 6.5
It will increase by about 9.0 dB with dBm.

【0020】なお、図2において、I3は、回路スペー
スが十分にあり、アイソレーションが満足しているバイ
アス電流の値(従来技術における設定値)を示す。本実
施の形態のバイアス電流I1は、この値より少なく、I2は
その値より大きい。バイアス電流I1がI3より少ないこと
から、待ち受け時や送信電力の小さいときは、従来より
低消費電力となる。通常、携帯電話機では通話時間より
も待ち受け時間の方が圧倒的に長いので、バッテリの長
寿命化またはバッテリ自身の小型化にも資するといえ
る。
In FIG. 2, I3 indicates a bias current value (set value in the prior art) that has sufficient circuit space and satisfactory isolation. In the present embodiment, the bias current I1 is smaller than this value, and I2 is larger than that value. Since the bias current I1 is smaller than I3, the power consumption is lower than in the past when the device is on standby or when the transmission power is small. Normally, in mobile phones, the standby time is much longer than the talk time, which can be said to contribute to extending the life of the battery or reducing the size of the battery itself.

【0021】なお、上記実施の形態において図1では抵
抗R1とR2を並列に接続しているが、直列に接続する構成
としてもよい。すまわち、抵抗R2の代わりに抵抗R
2’を抵抗R1と直列に接続し、さらに抵抗R2’にト
ランジスタTr1を並列に接続(抵抗R2’の両端とT
r1のドレイン端子及ソース端子とを接続)する構成と
してもよい。ただし、この場合のR1とR2の直列合成
抵抗がバイアス電流I1を、抵抗R1がバイアス電流I
2を与えるような抵抗値とする。
In the above embodiment, the resistors R1 and R2 are connected in parallel in FIG. 1, but they may be connected in series. That is, instead of the resistor R2, the resistor R
2 'is connected in series with the resistor R1, and a transistor Tr1 is connected in parallel with the resistor R2' (both ends of the resistor R2 'and T
The drain terminal and the source terminal of r1 may be connected). However, in this case, the series combined resistance of R1 and R2 is the bias current I1, and the resistance R1 is the bias current I1.
A resistance value that gives 2.

【0022】更に、図1では、バイアス電流を2段階に
切り替えているが、3段階以上の切り替とすることもで
きる。
Further, in FIG. 1, the bias current is switched in two stages, but it can be switched in three or more stages.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る携帯電
話機は、高周波回路に設けられるローノイズアンプと、
ローノイズアンプのソース電流の大きさを、送信電力の
大きさに応じてコントロールするソース電流供給回路と
を備える構成であるので、ローノイズアンプのIIP3特性
における希望信号と妨害信号の交点が、送信電力の大き
さに応じて移動し、通信電力の大きい場合においても希
望信号と妨害信号とを識別でき、良好な耐妨害特性を確
保でき、高周波送信回路と高周波受信回路を接近させる
更なる小型化に適しているという効果がある。
As described above, the portable telephone according to the present invention comprises a low-noise amplifier provided in a high-frequency circuit,
Since the configuration includes a source current supply circuit that controls the magnitude of the source current of the low noise amplifier according to the magnitude of the transmission power, the intersection of the desired signal and the interference signal in the IIP3 characteristics of the low noise amplifier is It moves according to the size and can distinguish desired signal and interference signal even when communication power is large, ensuring good anti-jamming characteristics, suitable for further miniaturization to make high-frequency transmission circuit and high-frequency reception circuit closer. There is an effect that.

【0024】その上、ローノイズアンプのソース電流
は、消費電力大きさに応じてコントロールされ、常に大
きなソース電流を流す訳ではなく、特に通話時の標準と
される10dBm出力時の消費電力、及び大きな時間を占
める待ち受け時の消費電力の増大を抑制でき、それだけ
バッテリの長寿命化または小型化にも資するものであ
り、耐妨害特性の向上と小型化とを両立できる点で、携
帯電話機の普及に大きく貢献するものである。
In addition, the source current of the low-noise amplifier is controlled in accordance with the power consumption, and does not always flow a large source current. It is possible to suppress the increase in power consumption during standby that occupies a long time, and it also contributes to extending the life or miniaturization of the battery, and it is possible to achieve both the improvement of anti-jamming characteristics and the miniaturization. It is a great contribution.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態としての携帯電話機の受
信回路の高周波回路部分を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a high-frequency circuit portion of a receiving circuit of a mobile phone according to an embodiment of the present invention.

【図2】ローノイズアンプのソース電流に対するIIP3特
性を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating IIP3 characteristics with respect to a source current of a low noise amplifier.

【図3】ローノイズアンプのソース電圧に対するIIP3特
性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating IIP3 characteristics with respect to a source voltage of a low noise amplifier.

【図4】ローノイズアンプ等一般能動素子におけるIIP3
特性を示す図である。
Fig. 4 IIP3 in general active devices such as low noise amplifier
It is a figure showing a characteristic.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・デュプレクサ、2・・・ローノイズアンプ、3・・・SAW
フィルタ、4・・・入力整合回路、5・・・出力整合回路兼バ
イアス供給回路、6・・・バイアス回路、61・・・主バイア
ス回路、62・・・副バイアス回路、63・・・スイッチ回
路、
1: Duplexer, 2: Low noise amplifier, 3: SAW
Filter: 4 Input matching circuit, 5: Output matching circuit and bias supply circuit, 6: Bias circuit, 61: Main bias circuit, 62: Sub bias circuit, 63: Switch circuit,

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高周波回路に設けられるローノイズアン
プと、ローノイズアンプのソース電流の大きさを、送信
電力の大きさに応じてコントロールするソース電流供給
回路と、を備えることを特徴とする携帯電話機。
1. A mobile phone comprising: a low-noise amplifier provided in a high-frequency circuit; and a source current supply circuit that controls the magnitude of a source current of the low-noise amplifier according to the magnitude of transmission power.
【請求項2】 前記ソース電流供給回路は、 電話機が待ち受け状態又は所定電力より小電力で送信状
態にあるとき第1のソース電流を供給し、所定電力以上
の電力で送信状態にあるとき、第1のソース電流より大
きな第2のソース電流を供給する構成であることを特徴
とする請求項1記載の携帯電話機。
2. The source current supply circuit supplies a first source current when the telephone is in a standby state or a transmission state with less power than a predetermined power, and supplies a first source current when the telephone is in a transmission state with power equal to or more than a predetermined power. 2. The mobile phone according to claim 1, wherein a second source current larger than the first source current is supplied.
【請求項3】 前記携帯電話機は、無線基地局との間で
送信電力と受信電力との関係を一定に保つ電力制御を行
っており、 前記ソース電流供給回路は、 通話時の受信信号レベルが基準値より大きいとき、第1
のソース電流を供給し、受信信号レベルが基準値以下の
ときには、第1のソース電流より大きな第2のソース電
流を供給する構成であることを特徴とする請求項1記載
の携帯電話機。
3. The mobile phone performs power control for maintaining a constant relationship between transmission power and reception power with a radio base station, and the source current supply circuit controls a reception signal level during a call. When the value is larger than the reference value, the first
2. The portable telephone according to claim 1, wherein the second source current is supplied when the received signal level is equal to or lower than the reference value, and the second source current is larger than the first source current.
【請求項4】 前記ソース電流供給回路は、ローノイズ
アンプのソース端子に接続されたバイアス回路であり、
その中のバイアス抵抗の値を大小調整してバイアス電流
の大きさをコントロールすることを特徴とする請求項1
記載の携帯電話機。
4. The source current supply circuit is a bias circuit connected to a source terminal of a low noise amplifier,
2. The method according to claim 1, wherein the magnitude of the bias current is controlled by adjusting the value of the bias resistor therein.
The described mobile phone.
【請求項5】 前記ソース電流供給回路は、 ソース端子にバイアス電流を供給する主バイアス回路
と、 電話機が所定電力以上の電力で通信状態にあるとき、主
バイアス回路と重畳的にバイアス電流を供給する副バイ
アス回路と、からなることを特徴とする請求項4記載の
携帯電話機。
5. A source current supply circuit, comprising: a main bias circuit for supplying a bias current to a source terminal; and a bias current which is superimposed on the main bias circuit when the telephone is in a communication state with power equal to or higher than a predetermined power. 5. The mobile phone according to claim 4, further comprising: a sub-bias circuit.
【請求項6】 携帯電話機の通信方式がCDMA方式である
ことを特徴とする請求項5記載の携帯電話機。
6. The mobile phone according to claim 5, wherein the communication system of the mobile phone is a CDMA system.
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