JP2002203907A - Method and device for circuit operation verification - Google Patents

Method and device for circuit operation verification

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JP2002203907A
JP2002203907A JP2000402723A JP2000402723A JP2002203907A JP 2002203907 A JP2002203907 A JP 2002203907A JP 2000402723 A JP2000402723 A JP 2000402723A JP 2000402723 A JP2000402723 A JP 2000402723A JP 2002203907 A JP2002203907 A JP 2002203907A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform high-accuracy circuit operation verification even on a fined LSI by performing the verification through circuit simulation taking the deviation of a characteristic length after correcting dimensions in a chip into consideration. SOLUTION: An estimated finished dimension, for example, a gate length obtained from data corrected through OPC is reflected (back annotation) in a circuit diagram (schematic). Thereafter, the circuit operation verification taking a partial dimensional deviation in the chip into consideration is performed by performing the circuit simulation on the circuit diagram. Consequently, the circuit operation verification can be performed with high accuracy even on the fined LSI.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIの設計回路
の動作の検証にOPC(Optical Proximity Effect Cor
rection)技術を用いて光近接効果による寸法偏りを考慮
した検証を行うことができる回路動作検証方法及び回路
動作検証装置に関する。
The present invention relates to an OPC (Optical Proximity Effect Correlation) for verifying the operation of an LSI design circuit.
The present invention relates to a circuit operation verification method and a circuit operation verification device capable of performing verification in consideration of dimensional deviation due to the optical proximity effect using a technique.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のLSIの微細化ぺースはここで述
べるまでもなく日進月歩であるが、その微細化技術を支
える一技術としてOPC技術がある。この技術は光近接
効果に因って生じるレイアウト(Layout)データと、仕
上がり寸法との誤差をデータに補正を掛けることによっ
て最小にする為の技術である。
2. Description of the Related Art In recent years, the miniaturization of LSIs has been evolving rapidly, needless to say here, but there is an OPC technology as one of the technologies supporting the miniaturization technology. This technique is a technique for minimizing an error between layout data generated by the optical proximity effect and a finished dimension by correcting the data.

【0003】一方、回路設計者によって設計された回路
図(Schematic)に対する回路シミュレーションが図7に
示すように回路動作検証方法で従来から行われる。図7
において、回路設計者によってSchematic が生成される
(ステップ701)。この中には各素子の接続情報、素
子寸法情報及び電気特性情報等が含まれている。但し、
この状態では回路図であり回路シミュレータヘ入力する
ことは出来ない。そこで、ネットリスター(Net1ister)
によって素子などの接続情報であるネットリスト(Net1
ist)に変換され(ステップ702)、ネットリストが得
られる(ステップ703)。回路シミュレータ(Circui
t Simu1ator)は、このネットリストを入力してシミュレ
ーションを行い、その出力結果である出力ファイル(Ou
tput Vector)1を出力する(ステップ704)。回路
設計者は、出力ファイル1を期待値ファイル(Ref.Vect
or)2と比較することによって回路機能が正常に動作す
るかどうかを判断することが出来る。
On the other hand, a circuit simulation for a circuit diagram (Schematic) designed by a circuit designer is conventionally performed by a circuit operation verification method as shown in FIG. FIG.
, A Schematic is generated by a circuit designer (step 701). This includes connection information of each element, element size information, electric characteristic information, and the like. However,
In this state, it is a circuit diagram and cannot be input to the circuit simulator. So Netlister
A netlist (Net1
ist) (step 702), and a net list is obtained (step 703). Circuit simulator (Circui
t Simu1ator) inputs this netlist and simulates it. The output file (Ou
tput Vector) 1 is output (step 704). The circuit designer sets the output file 1 to the expected value file (Ref.Vect
or) By comparing with (2), it can be determined whether the circuit function operates normally.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の回
路動作検証方法でも、ネットリスト内で酸化膜厚やゲー
ト長を3σ増減して計算し、回路シミュレーションによ
りタイミングを検証することは行われている。しかし、
これはプロセスのばらつきを含めてシミュレーションす
る手法であるが、チップ全体の変化が一律であり、チッ
プ内の部分的な偏りを検証できないという不具合があ
る。
In the conventional circuit operation verification method as described above, it is still necessary to calculate the oxide film thickness and the gate length in the netlist by increasing or decreasing by 3σ and verify the timing by circuit simulation. ing. But,
This is a method of performing simulation including process variations. However, there is a problem that a change in the entire chip is uniform and a partial bias in the chip cannot be verified.

【0005】ここで、上記したOPC技術を使っても最
先端のプロセスを用いて製造された微細化が進んだLS
Iでは、チップ内のパターンの粗密により仕上がり寸法
の偏りが生じてしまう。例えばポリ(Poly)ゲート長に
この偏りが生じると,チップ内の信号の完全性(Signal
Integrity)を悪化させ最悪、機能(Function)不良と
なる。
[0005] Here, even if the above-described OPC technology is used, the LS which has been manufactured using a state-of-the-art process and has been miniaturized has advanced.
In the case of I, unevenness in finished dimensions occurs due to the density of patterns in the chip. For example, when this bias occurs in the poly (Poly) gate length, the signal integrity within the chip (Signal
Integrity) is deteriorated, and at the worst, the function is bad.

【0006】ところが、従来の回路動作検証方法でも、
一律10%程度の寸法変化は行われていたが、チップ内
の寸法変化の部分的な偏りを考慮した回路検証はなされ
ていないため、微細化が進んだLSIについては検証精
度が落ちてしまうという問題があった。
However, even with the conventional circuit operation verification method,
Although a dimensional change of about 10% has been performed uniformly, circuit verification has not been performed in consideration of a partial deviation of the dimensional change in a chip, so that the verification accuracy is reduced for an LSI that has been miniaturized. There was a problem.

【0007】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、OPCによるチ
ップ内の寸法補正後の部分的な寸法の偏りを考慮した回
路シミュレーションによる動作検証を行うことによっ
て、微細化が進んだLSIについても精度の高い回路動
作検証を行うことができる回路動作検証方法及び回路動
作検証装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an operation verification by circuit simulation in which a partial dimensional deviation after dimensional correction in a chip by OPC is considered. And to provide a circuit operation verification method and a circuit operation verification device capable of performing highly accurate circuit operation verification even for an LSI that has been miniaturized.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の特徴は、設計された回路図に対する
回路シミュレーションを行って得られる出力値を期待値
と比較して前記回路の動作を検証する回路動作検証方法
において、前記回路図からレイアウトデータを作成する
ステップと、前記作成されたレイアウトデータにMDP
/OPC処理を施して修正レイアウトデータを得るステ
ップと、前記レイアウトデータと前記修正レイアウトデ
ータを比較して両者の間で異なる点のデータを抽出する
ステップと、前記抽出された異なる点のデータを前記回
路図に反映させるステップとを具備することにある。
In order to achieve the above object, a first feature of the present invention is to compare an output value obtained by performing a circuit simulation for a designed circuit diagram with an expected value and to compare the output value with an expected value. A circuit operation verification method for verifying the operation of (a), generating layout data from the circuit diagram;
/ OPC processing to obtain modified layout data; comparing the layout data with the modified layout data to extract data at different points between the two; And reflecting it on a circuit diagram.

【0009】本発明の第2の特徴は、設計された回路図
に対する回路シミュレーションを行って得られる出力値
を期待値と比較して前記回路の動作を検証する回路動作
検証方法において、前記回路図からネットリストを作成
するステップと、前記ネットリストを入力して回路シミ
ュレーションを行うことによりその結果である出力値を
得るステップと、前記回路シミュレーション結果である
出力値と前記期待値を比較するステップと、前記出力値
と前記期待値が一致した場合、前記回路図からレイアウ
トデータを作成するステップと、前記レイアウトデータ
にMDP/OPC処理を施して修正レイアウトデータを
得るステップと、前記修正レイアウトデータにリソシミ
ュレーションを施してMDP/OPC処理後のトランジ
スタのゲート長を得るステップと、前記得られたゲート
長を前記ネットリストに反映させてMDP/OPC処理
後のネットリストを得るステップと、前記MDP/OP
C処理後のネットリストを入力して回路シミュレーショ
ンを行うことによりMDP/OPC処理後の出力値を得
るステップと、前記得られたMDP/OPC処理後の出
力値と前記期待値を比較するステップとを具備すること
にある。
A second feature of the present invention is a circuit operation verification method for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value. A step of creating a netlist from; a step of obtaining the output value as a result by inputting the netlist and performing circuit simulation; and a step of comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value. Generating the layout data from the circuit diagram when the output value and the expected value match; performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain corrected layout data; Simulation is performed to determine the gate length of the transistor after MDP / OPC processing. That step a, obtaining a net list after the resulting gate length is reflected in the netlist MDP / OPC process, the MDP / OP
Obtaining an output value after the MDP / OPC processing by inputting the netlist after the C processing and performing a circuit simulation; and comparing the obtained output value after the MDP / OPC processing with the expected value. Is provided.

【0010】本発明の第3の特徴は、前記修正レイアウ
トデータにリソシミュレーションを施してGDSデータ
を得るステップと、前記GDSデータからゲート長とそ
の座標を抽出するステップとを具備することにある。
A third feature of the present invention resides in that the method includes a step of performing lithography simulation on the modified layout data to obtain GDS data, and a step of extracting a gate length and its coordinates from the GDS data.

【0011】本発明の第4の特徴は、設計された回路図
に対する回路シミュレーションを行って得られる出力値
を期待値と比較して前記回路の動作を検証する回路動作
検証方法において、前記回路図からネットリストを作成
するステップと、前記ネットリストを入力して回路シミ
ュレーションを行うことによりその結果である出力値を
得るステップと、前記回路シミュレーション結果である
出力値と前記期待値を比較するステップと、前記出力値
と期待値値が一致した場合、前記回路図からレイアウト
データを作成するステップと、前記レイアウトデータに
MDP/OPC処理を施して修正レイアウトデータを得
るステップと、前記修正レイアウトデータを入力してリ
ソシミュレーションを施すステップと、前記修正レイア
ウトデータにリソシミュレーションを施して得たデータ
からデバイスシミュレーション用のデータを抽出するス
テップと、前記デバイスシミュレーション用のデータを
入力してデバイスシミュレーションを行うことによりS
PICEモデルファイルを得るステップと、前記ネット
リストに前記SPICEモデルファイルを結合してMD
P/OPC処理後のネットリストを得るステップと、前
記MDP/OPC処理後のネットリストを入力して回路
シミュレーションを行うことによりMDP/OPC処理
後の出力値を得るステップと、前記得られたMDP/O
PC処理後の出力値と前記期待値を比較するステップと
を具備することにある。
A fourth feature of the present invention is a circuit operation verification method for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value. A step of creating a netlist from; a step of obtaining the output value as a result by inputting the netlist and performing circuit simulation; and a step of comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value. Generating the layout data from the circuit diagram when the output value matches the expected value value; performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain corrected layout data; and inputting the corrected layout data. Applying a lithography simulation to the corrected layout data. S extracting data for device simulation from the data obtained by applying the simulation, by performing the device simulation by entering the data for the device simulation
Obtaining a PICE model file, and combining the SPICE model file with the netlist to obtain an MD
Obtaining a netlist after the P / OPC processing, obtaining an output value after the MDP / OPC processing by inputting the netlist after the MDP / OPC processing and performing circuit simulation, / O
Comparing the output value after the PC processing with the expected value.

【0012】本発明の第5の特徴は、前記回路動作の検
証をチップ上の限定された範囲の回路にのみ施すことに
ある。
A fifth feature of the present invention is that the verification of the circuit operation is performed only on a limited range of circuits on a chip.

【0013】本発明の第6の特徴は、設計された回路図
に対する回路シミュレーションを行って得られる出力値
を期待値と比較して前記回路の動作を検証する回路動作
検証装置において、前記回路図からレイアウトデータを
作成する機能と、前記作成されたレイアウトデータにM
DP/OPC処理を施して修正レイアウトデータを得る
機能と、前記レイアウトデータと前記修正レイアウトデ
ータを比較して両者の間で異なる点のデータを抽出する
機能と、前記抽出された異なる点のデータを前記回路図
に反映させる機能とを具備することにある。
A sixth feature of the present invention is a circuit operation verification apparatus for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value. And a function for creating layout data from the
A function of performing modified DP / OPC processing to obtain modified layout data, a function of comparing the layout data and the modified layout data to extract data at a different point between the two, and a function of comparing the extracted data at the different points. And a function to be reflected in the circuit diagram.

【0014】本発明の第7特徴は、設計された回路図に
対する回路シミュレーションを行って得られる出力値を
期待値と比較して前記回路の動作を検証する回路動作検
証装置において、前記回路図からネットリストを作成す
る機能と、前記ネットリストを入力して回路シミュレー
ションを行うことによりその結果である出力値を得る機
能と、前記回路シミュレーション結果である出力値と前
記期待値を比較する機能と、前記出力値と期待値が一致
した場合、前記回路図からレイアウトデータを作成する
機能と、前記レイアウトデータにMDP/OPC処理を
施して修正レイアウトデータを得る機能と、前記修正レ
イアウトデータにリソシミュレーションを施してMDP
/OPC処理後のトランジスタのゲート長を得る機能
と、前記得られたゲート長を前記ネットリストに反映さ
せてMDP/OPC処理後のネットリストを得る機能
と、前記MDP/OPC処理後のネットリストを入力し
て回路シミュレーションを行うことによりMDP/OP
C処理後の出力値を得る機能と、前記得られたMDP/
OPC処理後の出力値と前記期待値を比較する機能とを
具備することにある。
A seventh feature of the present invention is a circuit operation verifying apparatus for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value. A function of creating a netlist, a function of obtaining the output value as a result by inputting the netlist and performing a circuit simulation, and a function of comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value, When the output value and the expected value match, a function of creating layout data from the circuit diagram, a function of performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain corrected layout data, and a lithography simulation of the corrected layout data MDP
A function of obtaining the gate length of the transistor after the / OPC processing, a function of reflecting the obtained gate length in the netlist to obtain a netlist after the MDP / OPC processing, and a function of obtaining the netlist after the MDP / OPC processing And MDP / OP by performing circuit simulation
A function for obtaining an output value after the C processing, and a function for obtaining the obtained MDP /
A function of comparing the output value after the OPC process with the expected value is provided.

【0015】本発明の第8の特徴は、前記修正レイアウ
トデータにリソシミュレーションを施してGDSデータ
を得る機能と、前記GDSデータからゲート長とその座
標を抽出する機能とを具備することにある。
An eighth feature of the present invention resides in that the modified layout data is provided with a function of performing a lithography simulation to obtain GDS data, and a function of extracting a gate length and its coordinates from the GDS data.

【0016】本発明の第9の特徴は、設計された回路図
に対する回路シミュレーションを行って得られる出力値
を期待値と比較して前記回路の動作を検証する回路動作
検証装置において、前記回路図からネットリストを作成
する機能と、前記ネットリストを入力して回路シミュレ
ーションを行うことによりその結果である出力値を得る
機能と、前記回路シミュレーション結果である出力値と
前記期待値を比較する機能と、前記出力値と前記期待値
が一致した場合、前記回路図からレイアウトデータを作
成する機能と、前記レイアウトデータにMDP/OPC
処理を施して修正レイアウトデータを得る機能と、前記
修正レイアウトデータを入力してリソシミュレーション
を施す機能と、前記修正レイアウトデータにリソシミュ
レーションを施して得たデータからデバイスシミュレー
ション用のデータを得る機能と、前記デバイスシミュレ
ーション用のデータを入力してデバイスシミュレーショ
ンを行うことによりSPICEモデルファイルを得る機
能と、前記ネットリストに前記SPICEモデルファイ
ルを結合してMDP/OPC処理後のネットリストを得
る機能と、前記MDP/OPC処理後のネットリストを
入力して回路シミュレーションを行うことによりMDP
/OPC処理後の出力値を得る機能と、前記得られたM
DP/OPC処理後の出力値と前記期待値を比較する機
能とを具備することにある。
According to a ninth feature of the present invention, there is provided a circuit operation verification apparatus for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value. A function of creating a netlist from the above, a function of obtaining the output value as a result of performing the circuit simulation by inputting the netlist, and a function of comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value. A function of creating layout data from the circuit diagram when the output value and the expected value match, and MDP / OPC
A function of performing processing to obtain corrected layout data, a function of inputting the corrected layout data and performing lithography simulation, and a function of obtaining device simulation data from data obtained by performing lithography simulation on the corrected layout data. A function of obtaining a SPICE model file by performing device simulation by inputting data for the device simulation, and a function of obtaining a netlist after MDP / OPC processing by combining the SPICE model file with the netlist, By inputting the netlist after the MDP / OPC processing and performing a circuit simulation,
A function for obtaining an output value after the / OPC processing;
A function of comparing the output value after the DP / OPC processing with the expected value is provided.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の回路動作検証方
法及び装置の第1の実施形態に係るフローを示したフロ
ーチャートである。本例の動作検証方法はブロックAと
ブロックBにより構成され、ブロックAは従来の方法と
同様である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart showing a flow according to a first embodiment of the circuit operation verification method and device of the present invention. The operation verification method of the present example includes a block A and a block B, and the block A is the same as the conventional method.

【0018】次に本実施形態の動作について説明する。
回路設計者によってSchematic が生成される(ステップ
101)。この中には各素子の接続情報、素子寸法情報
及び電気特性情報等が含まれている。但し、この状態で
は回路図でありサーキットシミュレータヘ入力すること
は出来ない。そこで、ネットリスター(Net1ister)によ
って素子などの接続情報であるネットリスト(Net1ist)
に変換され(ステップ102)、ネットリストが得られ
る(ステップ103)。回路シミュレータ(Circuit Si
mu1ator)は、このネットリストを入力として回路シミュ
レーションを行い、その出力結果である出力ファイル
(Output Vector)1を出力する(ステップ104)。
Next, the operation of this embodiment will be described.
A Schematic is generated by a circuit designer (Step 101). This includes connection information of each element, element size information, electric characteristic information, and the like. However, in this state, it is a circuit diagram and cannot be input to the circuit simulator. Therefore, a netlist (Net1ist) which is connection information of elements etc.
(Step 102), and a netlist is obtained (step 103). Circuit simulator (Circuit Si
mu1ator) performs a circuit simulation using this netlist as an input, and outputs an output file (Output Vector) 1 as an output result (step 104).

【0019】回路設計者は、出力ファイル1を期待値フ
ァイル(Ref.Vector)2と比較することによって、回路
機能が設計どおりに正常に動作するかどうかを判断す
る。正常に動作すると判断されない場合はSchematic に
戻って手直しし、再度、上記した動作検証を行うことを
繰り返す。
The circuit designer compares the output file 1 with the expected value file (Ref. Vector) 2 to judge whether the circuit function operates normally as designed. If it is not determined that the operation is normal, return to the Schematic and make a correction, and repeat the above-described operation verification again.

【0020】回路機能が正常に動作すると判断されるこ
とによって、通常ブロックAで検証の取れたSchematic
からは、これに対応するレイアウトパターンが作成され
る(ステップ105)。デザインルールの緩やかだった
世代では、このレイアウト通りにパターンをシリコンウ
ェハ上に転写することが出来たが、最近の超微細化プロ
セスでは、MDP(Mask Data Processing)/OPC処
理を施さないと(ステップ106)、回路設計者が意図
したMOSFETのポリゲート長等のターゲット寸法を
実現することは非常に困難である。
When it is determined that the circuit function operates normally, the Schematic that is normally verified in the block A can be obtained.
Thereafter, a layout pattern corresponding to this is created (step 105). In generations with loose design rules, patterns could be transferred to silicon wafers according to this layout, but in recent ultra-miniaturization processes, MDP (Mask Data Processing) / OPC processing must be performed (step 106), it is very difficult to realize the target dimensions such as the poly gate length of the MOSFET intended by the circuit designer.

【0021】このMDP/OPC処理後のレイアウトデ
ータを修正レイアウトデータとしてGDS形式でファイ
ル化し(ステップ107)、このGDSデータを入力と
してリソシミュレーション(Litho Simu1ation)を行な
った後(ステップ108)、チップ内寸法偏りを反映し
たMDP/OPC処理後のゲート長のファイルを作成す
る(ステップ109)。この情報をGate 1ength Back A
notate by LVS プログラムによりブロックAのネットリ
ストに戻して(ステップ110)、MDP/OPC処理
後のネットリストファイルに反映し(ステップ11
1)、もう一度、回路シミュレーションを実行する(ス
テップ112)。これにより得られる出力ファイル3
は、チップ内の補正偏りを反映したものとなるため、こ
れを期待値ファイル2と比較して回路検証を行う。
The layout data after the MDP / OPC processing is converted into a file in the GDS format as modified layout data (step 107), and a litho simulation (Litho Simu1ation) is performed using the GDS data as an input (step 108). A file of the gate length after the MDP / OPC processing reflecting the dimensional deviation is created (step 109). Gate 1ength Back A
The program returns to the netlist of block A by the notate by LVS program (step 110) and is reflected in the netlist file after MDP / OPC processing (step 11).
1) The circuit simulation is executed again (step 112). Output file 3 obtained by this
Since this reflects the correction bias in the chip, this is compared with the expected value file 2 to perform circuit verification.

【0022】ここで、図2の破線で示したポリゲートは
リソシミュレーションを行う前のレイアウトパターン
で、実線で示したポリゲートの形状がリソシミュレーシ
ョンを行った後のパターンである。
Here, the poly gate shown by the broken line in FIG. 2 is the layout pattern before the lithography simulation is performed, and the shape of the poly gate shown by the solid line is the pattern after the lithography simulation is performed.

【0023】図3は図1のブロックBの実線で示した処
理の詳細を示したフローチャートで、本例のキーとなる
部分を詳述したものである。ステップ108のリソシミ
ュレーションの処理からステップ111のポリゲート長
をBack Annotate する所までを示してある。
FIG. 3 is a flowchart showing the details of the processing indicated by the solid line in the block B of FIG. 1, and details the key portion of the present embodiment. The process from the lithography simulation processing in step 108 to the point where the poly gate length is back annotated in step 111 is shown.

【0024】まず、リソシミュレーション(ステップ1
08)によって計算された形状のGDSデータを取得する
(ステップ113)。このGDSデータには、チップ内の
パターン粗密によるチップ内ポリゲート長の偏りが含ま
れたデータとなっている。このデータを入力としてポリ
ゲート長とチップ内の座標とを抽出するプログラムによ
り、これら2種類のデータを取得する。よって、ステッ
プ109で作成されたファイルはポリゲート長とチップ
内の座標が含まれている。これらの情報とLVS の情報を
リンクし、ステップ110のBack Annotateプログラム
によって推定仕上がりポリゲート長を持つネットリスト
が生成される(ステップ111)。
First, a lithography simulation (step 1)
GDS data of the shape calculated in step 08) is obtained (step 113). This GDS data is data including a deviation in the poly gate length in the chip due to the pattern density in the chip. These two types of data are acquired by a program that extracts the poly gate length and the coordinates in the chip by using this data as an input. Therefore, the file created in step 109 includes the poly gate length and the coordinates in the chip. The information is linked with the LVS information, and a net list having an estimated finished polygate length is generated by the Back Annotate program in step 110 (step 111).

【0025】本実施形態によれば、OPCによって補正
をかけたデータより得られる推定仕上がり寸法(例えば
ゲート長)をschematicにBack Anotationして回路シミ
ュレーションすることにより、チップ内の部分的な寸法
偏りを考慮した回路動作検証を行うことができ、微細化
が進んだLSIについても精度の高い回路動作検証を行
うことができる。
According to the present embodiment, a circuit simulation is performed by back-notating an estimated finished dimension (eg, gate length) obtained from data corrected by OPC, thereby reducing partial dimensional deviation in a chip. It is possible to perform circuit operation verification in consideration of the above, and it is possible to perform highly accurate circuit operation verification even for an LSI that has been miniaturized.

【0026】図4は、本発明の回路動作検証方法及び装
置の第2の実施形態に係るフローを示したフローチャー
トである。本例の基本フローは第1の実施形態と同じで
あり、MOSFETが全てストレートゲートを有する場
合はステップ401からステップ412までの処理を行
い、第1の実施形態と同一である。MOSFETにベン
トゲートが使用されている場合、ステップ401からス
テップ408までの処理は上記と同一であるが、その
後、ステップ415からステップ417経由でステップ
411、412に進むところが、第1の実施形態と異な
るところである。
FIG. 4 is a flowchart showing a flow according to a second embodiment of the circuit operation verification method and apparatus of the present invention. The basic flow of this example is the same as that of the first embodiment. When all the MOSFETs have straight gates, the processing from step 401 to step 412 is performed, and is the same as that of the first embodiment. When a vent gate is used for the MOSFET, the processing from step 401 to step 408 is the same as described above, but the process proceeds from step 415 to step 411 or 412 via step 417. It is different.

【0027】図5はベントゲートの例で、リソシミュレ
ーション後には図中、aで示すようにゲートが太ってし
まうことがあり、元のレイアウトデータと異なってしま
う。
FIG. 5 shows an example of a bent gate. After the lithography simulation, the gate may become thick as indicated by a in the figure, which is different from the original layout data.

【0028】次に本実施形態の動作の特徴部分について
説明する。ステップ408で修正レイアウトを入力して
リソシミュレーションした後、そのシミュレーション結
果からベンドゲートのデバイスシミュレーションするた
めのデータを取り出し(ステップ415)、このデータ
を用いてデバイスシミュレーションを行う(ステップ4
16)。このデバイスシミュレーション結果をSPIC
Eモデルファイルとして保存した後(ステップ41
7)、このSPICEモデルファイルをステップ403
の処理で作成されたネットリストに結合し(ステップ4
11)、このネットリストを用いて、もう一度、回路シ
ミュレーションを実行する(ステップ412)。これに
より、得られる出力ファイル3は、チップ内のベントゲ
ートの補正偏りを反映したものとなるため、これを期待
値ファイル2と比較して回路検証を行う。
Next, features of the operation of the present embodiment will be described. After inputting the modified layout in step 408 and performing lithography, data for device simulation of the bend gate is extracted from the simulation result (step 415), and device simulation is performed using this data (step 4).
16). The result of this device simulation is
After saving as an E model file (step 41
7), the SPICE model file is stored in step 403
(Step 4)
11) A circuit simulation is executed again using this netlist (step 412). As a result, the obtained output file 3 reflects the correction bias of the bent gate in the chip. The output file 3 is compared with the expected value file 2 to perform circuit verification.

【0029】本実施形態によれば、ベントゲートのチッ
プ内の部分偏差に対しても考慮した回路動作検証を行う
ことができ、微細化が進んだLSIについても精度の高
い回路動作検証を行うことができる。ストレートゲート
についても第1の実施形態と同様の効果がある。
According to the present embodiment, it is possible to perform a circuit operation verification in consideration of a partial deviation of a vent gate in a chip, and to perform a highly accurate circuit operation verification even for an LSI that has been miniaturized. Can be. The straight gate also has the same effect as the first embodiment.

【0030】図6は、本発明の回路動作検証方法及び装
置の第3の実施形態に係るフローを示したフローチャー
トである。上記第1、第2の実施形態がMOSFETの
ポリゲート長に特化して検証する方法について説明して
あるが、本例は、MOSFETのゲート長の他にメタル
配線の幅などに対しても、精度の高い回路動作検証を行
う方法について説明してある。
FIG. 6 is a flowchart showing a flow according to a third embodiment of the circuit operation verification method and apparatus of the present invention. Although the first and second embodiments describe the method of verifying the poly gate length of the MOSFET specifically, in this example, the accuracy is not limited to the width of the metal wiring in addition to the gate length of the MOSFET. A method for performing a circuit operation verification with high reliability is described.

【0031】次に本実施形態の動作について説明する。
まず、回路設計者によってSchematicが生成され(ステ
ップ601)。このSchematicからレイアウトデザイナ
ーによってレイアウトが作成される(ステップ60
2)。この時点で、Schematic とレイアウトの回路属性
(ゲート長、ゲート幅、メタルのRC等;但しメタルのR
Cを考慮した場合、本SchematicにはレイアウトよりBac
k AnnotateされたRCを含むものとする)は1対1に対
応している。次に作成されたレイアウトにMDP/OP
C処理を施して(ステップ603)、修正レイアウトを
作成する(ステップ604)。
Next, the operation of this embodiment will be described.
First, a schematic is generated by a circuit designer (step 601). A layout is created from this Schematic by a layout designer (step 60).
2). At this point, schematic and layout circuit attributes
(Gate length, gate width, RC of metal, etc .; however, R of metal
When C is considered, this Schematic has Bac
k Annotated RC) has a one-to-one correspondence. Next, MDP / OP
C processing is performed (step 603), and a corrected layout is created (step 604).

【0032】この時点で、ステップ602のレイアウト
とステップ604の修正レイアウトの回路属性は等しく
なくなっている。その後、ステップ603で作成したレ
イアウトとステップ604で作成した修正レイアウトを
比較して、異なる点を抽出し(ステップ605)、異な
る点のデータを得る(ステップ606)。この異なる点
のデータをステップ601のSchematicに反映させて(B
ack Annotation)、Schematic をパターンの粗密に起因
するチップ内の偏りを考慮したものとする。その後、こ
のSchematic からネットリストを作成して、回路シミュ
レーションを行う。
At this point, the circuit attributes of the layout in step 602 and the modified layout in step 604 are not equal. Thereafter, the layout created in step 603 and the modified layout created in step 604 are compared to extract different points (step 605) and obtain data of different points (step 606). The data of this different point is reflected in the schematic of step 601 (B
ack Annotation) and Schematic take into account the bias in the chip due to the pattern density. After that, a netlist is created from this Schematic and circuit simulation is performed.

【0033】本実施形態によれば、MOSFETのゲー
ト長やゲート幅だけでなく、メタルの幅(RC)につい
ても、OPCによって補正をかけたデータより得られる
推定仕上がり寸法をschematicにBack Anotationして回
路シミュレーションすることにより、ゲート長やメタル
幅のチップ内の部分的な寸法偏りを考慮した回路動作検
証を行うことができ、微細化が進んだLSIについても
精度の高い回路動作検証を行うことができる。
According to the present embodiment, not only the gate length and gate width of the MOSFET but also the width (RC) of the metal are estimated by performing Back Anotation on the estimated finished dimensions obtained from the data corrected by OPC. By performing circuit simulation, it is possible to perform circuit operation verification in consideration of partial dimensional deviations in the chip such as the gate length and metal width, and to perform highly accurate circuit operation verification even for LSIs that have been miniaturized. it can.

【0034】ここで、上記した第1、第2、第3の実施
形態においてリソシミュレーションの適用範囲について
は言及していない。勿論、チップ全体についてシミュレ
ーションが出来れば設計者にとって負担がなく理想的で
はあるが、検証する範囲が広くなるので、適切な時間内
に結果を出すには、高速の計算機が必要になり、コスト
が高くなってしまう。そこで、適切な時間及び適切なコ
ストで検証を行うには、リソシミュレーションを行う範
囲を限定することが必要となってくる。例えば、ロジッ
クLSIにおいてクリテイカルパスを含むセルのみを処
理対象としてリソシミュレーションを実行して処理時間
を現実的な範囲に抑えることも重要なポイントである。
Here, in the first, second, and third embodiments, the application range of the lithography is not mentioned. Of course, if it is possible to simulate the entire chip, it is ideal without any burden on the designer, but since the range of verification is wide, a high-speed computer is needed to produce results within an appropriate time, and the cost is high. Will be expensive. Therefore, in order to perform verification at an appropriate time and at an appropriate cost, it is necessary to limit the range in which the lithography simulation is performed. For example, it is also important that a litho simulation is performed on only a cell including a critical path in a logic LSI as a processing target to suppress the processing time to a realistic range.

【0035】尚、本発明は上記実施形態に限定されるこ
となく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な
構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によ
っても実施することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be embodied in various other forms with specific configurations, functions, functions, and effects without departing from the gist thereof. .

【0036】[0036]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、半導体製造における光近接効果によるレイアウト
起因の回路・物理特性の回路設計値との相違を考慮した
回路シミュレーションを行うことによって起こるタイミ
ングミスマッチを製品試作前に発見することが出来る。
As described in detail above, according to the present invention, a circuit simulation is performed in consideration of a difference between a circuit design value and a circuit / physical characteristic caused by a layout due to an optical proximity effect in semiconductor manufacturing. Timing mismatch can be discovered before product prototype.

【0037】また、ポリゲートの光近接効果によるチッ
プ内寸法偏りを考慮した回路シミュレーションを行うこ
とによって起こるタイミングミスマッチを製品試作前に
発見することが出来る。
Further, a timing mismatch caused by performing a circuit simulation in consideration of a dimensional deviation in a chip due to an optical proximity effect of a poly gate can be found before a prototype of a product.

【0038】さらに、光近接効果に起因するBendGate形
状を元に素子特性の精度向上をデバイスシミュレーショ
ンにより実現し回路シミュレーションを行うことによっ
て起こるタイミングミスマッチを製品試作前に発見する
ことが出来る。
Further, it is possible to realize an improvement in element characteristics accuracy by device simulation based on the BendGate shape caused by the optical proximity effect, and find a timing mismatch caused by performing circuit simulation before product trial production.

【0039】さらに、検証方法中のリソシミュレーショ
ンの時間制約(現実的な処理時間を確保する)を解決す
ることが出来る。
Further, it is possible to solve the time constraint of lithography simulation during the verification method (to secure a realistic processing time).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の回路動作検証方法及び装置の第1の実
施形態に係るフローを示したフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing a flow according to a first embodiment of a circuit operation verification method and apparatus of the present invention.

【図2】ポリゲートのリソシミュレーション前後の形状
変化例を示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a shape change before and after a lithography simulation of a poly gate.

【図3】図1のブロックBの破線で示した処理の詳細を
示したフローチャートで、本例のキーとなる部分を詳述
した図である。
FIG. 3 is a flowchart showing details of a process indicated by a broken line of a block B in FIG. 1, and is a diagram illustrating a key portion of the present embodiment in detail.

【図4】本発明の回路動作検証方法及び装置の第2の実
施形態に係るフローを示したフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a flow according to a second embodiment of the circuit operation verification method and apparatus of the present invention.

【図5】ベントゲートのリソシミュレーション前後の形
状変化例を示した図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a shape change before and after a lithography simulation of a vent gate.

【図6】本発明の回路動作検証方法及び装置の第3の実
施形態に係るフローを示したフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a flow according to a third embodiment of the circuit operation verification method and apparatus of the present invention.

【図7】従来の回路動作検証方法を説明するフローを示
した図である。
FIG. 7 is a flowchart illustrating a conventional circuit operation verification method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 出力ファイル 2 期待値ファイル 3 MDP/OPC後の出力ファイル 1 Output file 2 Expected value file 3 Output file after MDP / OPC

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/822 H01L 27/04 T Fターム(参考) 2H095 BB01 BB02 BB36 5B046 AA08 BA04 DA05 JA04 5F038 CA17 CA20 DT01 EZ20 5F046 AA25 AA28 DA11 5F064 CC10 DD10 EE09 HH09 HH10 HH20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) H01L 21/822 H01L 27/04 TF term (Reference) 2H095 BB01 BB02 BB36 5B046 AA08 BA04 DA05 JA04 5F038 CA17 CA20 DT01 EZ20 5F046 AA25 AA28 DA11 5F064 CC10 DD10 EE09 HH09 HH10 HH20

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証方法において、 前記回路図からレイアウトデータを作成するステップ
と、 前記作成されたレイアウトデータにMDP/OPC処理
を施して修正レイアウトデータを得るステップと、 前記レイアウトデータと前記修正レイアウトデータを比
較して両者の間で異なる点のデータを抽出するステップ
と、 前記抽出された異なる点のデータを前記回路図に反映さ
せるステップと、 を具備することを特徴とする回路動作検証方法。
1. A circuit operation verification method for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein layout data is created from the circuit diagram. Subjecting the created layout data to MDP / OPC processing to obtain modified layout data; comparing the layout data with the modified layout data to extract data of different points between the two; Reflecting the extracted data of the different points on the circuit diagram.
【請求項2】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証方法において、 前記回路図からネットリストを作成するステップと、 前記ネットリストを入力して回路シミュレーションを行
うことによりその結果である出力値を得るステップと、 前記回路シミュレーション結果である出力値と前記期待
値を比較するステップと、 前記出力値と前記期待値が一致した場合、前記回路図か
らレイアウトデータを作成するステップと、 前記レイアウトデータにMDP/OPC処理を施して修
正レイアウトデータを得るステップと、 前記修正レイアウトデータにリソシミュレーションを施
してMDP/OPC処理後のトランジスタのゲート長を
得るステップと、 前記得られたゲート長を前記ネットリストに反映させて
MDP/OPC処理後のネットリストを得るステップ
と、 前記MDP/OPC処理後のネットリストを入力して回
路シミュレーションを行うことによりMDP/OPC処
理後の出力値を得るステップと、 前記得られたMDP/OPC処理後の出力値と前記期待
値を比較するステップと、 を具備することを特徴とする回路動作検証方法。
2. A circuit operation verification method for verifying an operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein a netlist is created from the circuit diagram. Obtaining the output value as a result by inputting the netlist and performing a circuit simulation; comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value; and outputting the output value and the expected value. If the values match, a step of creating layout data from the circuit diagram; a step of performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain modified layout data; Obtaining the gate length of the processed transistor; Reflecting the obtained gate length in the netlist to obtain a netlist after the MDP / OPC processing; and inputting the netlist after the MDP / OPC processing and performing a circuit simulation to perform a circuit simulation, A circuit operation verifying method, comprising: obtaining an output value of the above; and comparing the obtained output value after the MDP / OPC processing with the expected value.
【請求項3】 前記修正レイアウトデータにリソシミュ
レーションを施してGDSデータを得るステップと、 前記GDSデータからゲート長とその座標を抽出するス
テップとを具備することを特徴とする請求項2記載の回
路動作検証方法。
3. The circuit according to claim 2, further comprising: performing a lithographic simulation on the modified layout data to obtain GDS data; and extracting a gate length and its coordinates from the GDS data. Operation verification method.
【請求項4】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証方法において、 前記回路図からネットリストを作成するステップと、 前記ネットリストを入力して回路シミュレーションを行
うことによりその結果である出力値を得るステップと、 前記回路シミュレーション結果である出力値と前記期待
値を比較するステップと、 前記出力値と期待値値が一致した場合、前記回路図から
レイアウトデータを作成するステップと、 前記レイアウトデータにMDP/OPC処理を施して修
正レイアウトデータを得るステップと、 前記修正レイアウトデータを入力してリソシミュレーシ
ョンを施すステップと、 前記修正レイアウトデータにリソシミュレーションを施
して得たデータからデバイスシミュレーション用のデー
タを抽出するステップと、 前記デバイスシミュレーション用のデータを入力してデ
バイスシミュレーションを行うことによりSPICEモ
デルファイルを得るステップと、 前記ネットリストに前記SPICEモデルファイルを結
合してMDP/OPC処理後のネットリストを得るステ
ップと、 前記MDP/OPC処理後のネットリストを入力して回
路シミュレーションを行うことによりMDP/OPC処
理後の出力値を得るステップと、 前記得られたMDP/OPC処理後の出力値と前記期待
値を比較するステップと、 を具備することを特徴とする回路動作検証方法。
4. A circuit operation verification method for verifying operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein a netlist is created from the circuit diagram. Inputting the netlist and performing a circuit simulation to obtain an output value as a result thereof; comparing the output value as the circuit simulation result with the expected value; and the output value and the expected value. If the values match, a step of creating layout data from the circuit diagram; a step of performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain modified layout data; a step of inputting the modified layout data and performing lithography simulation Lithography simulation on the modified layout data Extracting device simulation data from the data obtained by performing the device simulation, obtaining the SPICE model file by performing the device simulation by inputting the device simulation data, and storing the SPICE model file in the netlist. Combining to obtain a netlist after MDP / OPC processing; inputting the netlist after MDP / OPC processing and performing circuit simulation to obtain an output value after MDP / OPC processing; And a step of comparing the output value after the MDP / OPC processing with the expected value.
【請求項5】 前記回路動作の検証をチップ上の限定さ
れた範囲の回路にのみ施すことを特徴とする請求項1乃
至4いずれかに記載の回路動作検証方法。
5. The circuit operation verification method according to claim 1, wherein the verification of the circuit operation is performed only for a limited range of circuits on the chip.
【請求項6】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証装置において、 前記回路図からレイアウトデータを作成する機能と、 前記作成されたレイアウトデータにMDP/OPC処理
を施して修正レイアウトデータを得る機能と、 前記レイアウトデータと前記修正レイアウトデータを比
較して両者の間で異なる点のデータを抽出する機能と、 前記抽出された異なる点のデータを前記回路図に反映さ
せる機能と、 を具備することを特徴とする回路動作検証装置。
6. A circuit operation verification device for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein a function of generating layout data from the circuit diagram A function of performing MDP / OPC processing on the created layout data to obtain modified layout data; a function of comparing the layout data with the modified layout data to extract data at a different point between the two; A function of reflecting the extracted data of different points on the circuit diagram.
【請求項7】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証装置において、 前記回路図からネットリストを作成する機能と、 前記ネットリストを入力して回路シミュレーションを行
うことによりその結果である出力値を得る機能と、 前記回路シミュレーション結果である出力値と前記期待
値を比較する機能と、 前記出力値と期待値が一致した場合、前記回路図からレ
イアウトデータを作成する機能と、 前記レイアウトデータにMDP/OPC処理を施して修
正レイアウトデータを得る機能と、 前記修正レイアウトデータにリソシミュレーションを施
してMDP/OPC処理後のトランジスタのゲート長を
得る機能と、 前記得られたゲート長を前記ネットリストに反映させて
MDP/OPC処理後のネットリストを得る機能と、 前記MDP/OPC処理後のネットリストを入力して回
路シミュレーションを行うことによりMDP/OPC処
理後の出力値を得る機能と、 前記得られたMDP/OPC処理後の出力値と前記期待
値を比較する機能と、 を具備することを特徴とする回路動作検証装置。
7. A circuit operation verification device for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein a function of creating a netlist from the circuit diagram A function of obtaining the output value as a result of the circuit simulation by inputting the netlist; a function of comparing the output value of the circuit simulation result with the expected value; and the output value and the expected value If they match, a function of creating layout data from the circuit diagram; a function of performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain corrected layout data; and a MDP / OPC processing of performing lithographic simulation on the corrected layout data A function of obtaining a gate length of a transistor to be obtained later; A function of obtaining a netlist after the MDP / OPC processing by reflecting the result on the list, a function of obtaining an output value after the MDP / OPC processing by inputting the netlist after the MDP / OPC processing and performing a circuit simulation, A function of comparing the obtained output value after the MDP / OPC processing with the expected value.
【請求項8】 前記修正レイアウトデータにリソシミュ
レーションを施してGDSデータを得る機能と、 前記GDSデータからゲート長とその座標を抽出する機
能とを具備することを特徴とする請求項7記載の回路動
作検証装置。
8. The circuit according to claim 7, further comprising: a function of obtaining a GDS data by performing a lithographic simulation on the modified layout data; and a function of extracting a gate length and its coordinates from the GDS data. Operation verification device.
【請求項9】 設計された回路図に対する回路シミュレ
ーションを行って得られる出力値を期待値と比較して前
記回路の動作を検証する回路動作検証装置において、 前記回路図からネットリストを作成する機能と、 前記ネットリストを入力して回路シミュレーションを行
うことによりその結果である出力値を得る機能と、 前記回路シミュレーション結果である出力値と前記期待
値を比較する機能と、 前記出力値と前記期待値が一致した場合、前記回路図か
らレイアウトデータを作成する機能と、 前記レイアウトデータにMDP/OPC処理を施して修
正レイアウトデータを得る機能と、 前記修正レイアウトデータを入力してリソシミュレーシ
ョンを施す機能と、 前記修正レイアウトデータにリソシミュレーションを施
して得たデータからデバイスシミュレーション用のデー
タを得る機能と、 前記デバイスシミュレーション用のデータを入力してデ
バイスシミュレーションを行うことによりSPICEモ
デルファイルを得る機能と、 前記ネットリストに前記SPICEモデルファイルを結
合してMDP/OPC処理後のネットリストを得る機能
と、 前記MDP/OPC処理後のネットリストを入力して回
路シミュレーションを行うことによりMDP/OPC処
理後の出力値を得る機能と、 前記得られたMDP/OPC処理後の出力値と前記期待
値を比較する機能と、 を具備することを特徴とする回路動作検証装置。
9. A circuit operation verification apparatus for verifying the operation of the circuit by comparing an output value obtained by performing a circuit simulation on a designed circuit diagram with an expected value, wherein a function of creating a netlist from the circuit diagram A function of obtaining the output value as a result of the circuit simulation by inputting the netlist; a function of comparing the output value of the circuit simulation result with the expected value; and the output value and the expected value When the values match, a function of creating layout data from the circuit diagram, a function of performing MDP / OPC processing on the layout data to obtain corrected layout data, and a function of inputting the corrected layout data and performing lithography simulation From the data obtained by performing the lithography simulation on the modified layout data A function of obtaining data for device simulation, a function of obtaining a SPICE model file by performing device simulation by inputting the data for device simulation, and an MDP / OPC process by combining the SPICE model file with the netlist A function for obtaining a netlist after the MDP / OPC processing; a function for obtaining an output value after the MDP / OPC processing by inputting the netlist after the MDP / OPC processing and performing a circuit simulation; And a function of comparing the output value of the above with the expected value.
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