JP2002197139A - Voltage drop analyzing system - Google Patents

Voltage drop analyzing system

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JP2002197139A
JP2002197139A JP2000395395A JP2000395395A JP2002197139A JP 2002197139 A JP2002197139 A JP 2002197139A JP 2000395395 A JP2000395395 A JP 2000395395A JP 2000395395 A JP2000395395 A JP 2000395395A JP 2002197139 A JP2002197139 A JP 2002197139A
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voltage drop
megacell
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cell
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the accuracy in analyzing the voltage drop of a semicon ductor integrated circuit. SOLUTION: The consumed current of one megacell 60 is divided into plural constant-current sources 64, and these plural constant-current sources 64 are equally allocated to a power source wiring 62 in the megacell to modelize the megacell 60. The modelized megacell 60 is applied as the megacell in the semiconductor integrated circuit, and then the voltage drop of the semiconductor integrated circuit is analyzed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧降下解析シス
テムに関し、特に、セル内部の消費電流をより正確に反
映した電圧降下解析を行うための電圧降下解析システム
に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a voltage drop analysis system, and more particularly to a voltage drop analysis system for performing a voltage drop analysis that more accurately reflects current consumption inside a cell.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体製造技術の進歩による半導
体集積回路の微細化や高速化が進んできている。このた
め、半導体集積回路の電源系の電源配線に関して、半導
体集積回路の内部における電源電圧の降下という問題
が、顕在化しつつある。このため、この電圧降下の状態
が1つの半導体集積回路内で、どのようになっているの
かを、コンピュータを用いて、解析することが行われて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and speeding up of semiconductor integrated circuits have been progressing due to advances in semiconductor manufacturing technology. For this reason, the problem of a drop in the power supply voltage inside the semiconductor integrated circuit is becoming apparent with respect to the power supply wiring of the power supply system of the semiconductor integrated circuit. For this reason, a computer is used to analyze the state of the voltage drop in one semiconductor integrated circuit.

【0003】このような半導体集積回路内には、各種の
機能を実現するためのトランジスタやキャパシタ等の複
数の素子と、これら複数の素子を電気的に接続する配線
とが設けられている。また、設計作業の効率化を図るた
め、予めまとまった機能を実現するための素子と配線を
セルとして用意しておき、これを半導体集積回路内に配
置する手法も用いられている。このようなセルの中で
も、特に大規模で高機能なものをメガセルと呼んでい
る。半導体集積回路内にセル(メガセル)を配置してい
る場合には、このセル(メガセル)の内部構成が、電圧
降下にも影響を与えることになる。
[0003] In such a semiconductor integrated circuit, a plurality of elements such as transistors and capacitors for realizing various functions and wirings for electrically connecting the plurality of elements are provided. Further, in order to increase the efficiency of the design work, a method of preparing elements and wirings for realizing a set of functions as cells in advance and arranging them in a semiconductor integrated circuit is also used. Among such cells, a particularly large-scale and high-performance cell is called a megacell. When a cell (megacell) is arranged in a semiconductor integrated circuit, the internal configuration of the cell (megacell) also affects the voltage drop.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このコ
ンピュータ解析では、半導体集積回路内のセル(メガセ
ル)部分は、その具体的内部構成が省略されているた
め、セル(メガセル)を含んでいる半導体集積回路内の
電圧降下の解析を、必要とされている精度で行うことが
できないという問題がある。
However, in this computer analysis, the cell (megacell) portion in the semiconductor integrated circuit does not have a specific internal configuration, and therefore, the semiconductor integrated circuit including the cell (megacell) is omitted. There is a problem that the analysis of the voltage drop in the circuit cannot be performed with the required accuracy.

【0005】例えば、特開平5−47928号には、半
導体集積回路内に親セルと子供セルという階層的なノー
ドが存在する場合の電圧降下解析手法が開示されてい
る。しかし、セル(メガセル)の内部構成や電源を消費
する箇所の分布については、何の考慮も払われておら
ず、このため、セル(メガセル)を含んでいる場合に
は、半導体集積回路内の電圧降下解析を適切に行えない
という、問題が存在している。
For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-47928 discloses a voltage drop analysis method in the case where hierarchical nodes of a parent cell and a child cell exist in a semiconductor integrated circuit. However, no consideration is given to the internal configuration of the cell (megacell) and the distribution of the places where the power is consumed. Therefore, when the cell (megacell) is included, There is a problem that voltage drop analysis cannot be performed properly.

【0006】そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、セルを含んでいる半導体集積回路内の電
圧降下をより適正に解析することのできる半導体集積回
路の電圧降下解析システムを、提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit voltage drop analysis system capable of more appropriately analyzing a voltage drop in a semiconductor integrated circuit including cells. The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る電圧降下解析システムは、半導体集積
回路内に配置されたセルを、このセル内部の消費電流の
分布を考慮してモデル化する、第1モデル化手段と、前
記第1モデル化手段によりモデル化された回路網に基づ
いて、電圧降下解析を行う、解析手段と、を備えること
を特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a voltage drop analysis system according to the present invention models a cell arranged in a semiconductor integrated circuit in consideration of the distribution of current consumption inside the cell. A first modeling unit, and an analyzing unit that performs a voltage drop analysis based on a circuit network modeled by the first modeling unit.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】〔第1実施形態〕本発明の第1実
施形態においては、メガセル内の消費電流を複数の定電
流源として分割し、これら複数の定電流源をメガセル内
の電源配線に対して均等に割り付けることにより、メガ
セル内の消費電流の分布をより適切に反映した半導体集
積回路の電圧降下の解析が行えるようにしたものであ
る。より詳しくを、以下に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] In a first embodiment of the present invention, the current consumption in a megacell is divided into a plurality of constant current sources, and the plurality of constant current sources are connected to a power supply wiring in the megacell. , It is possible to analyze the voltage drop of the semiconductor integrated circuit more appropriately reflecting the distribution of the current consumption in the megacell. A more detailed explanation will be given below.

【0009】図1は、半導体集積回路内の電圧降下を解
析するための本実施形態に係る電圧降下解析システム1
0におけるハードウェア構成を示すブロック図である。
FIG. 1 shows a voltage drop analysis system 1 according to the present embodiment for analyzing a voltage drop in a semiconductor integrated circuit.
FIG. 2 is a block diagram showing a hardware configuration at 0.

【0010】この図1に示すように、本実施形態に係る
電圧降下解析システム10は、コンピュータ本体20
と、このコンピュータ本体20に接続された表示装置3
0とを備えて、構成されている。コンピュータ本体20
は、CPU(Central Processing Unit)40と、RA
M(Random Access Memory)42と、ROM(Read Onl
yMemory)44とを備えており、これらは相互に内部バ
スを介して接続されている。また、内部バスは、この内
部バスに接続されたインターフェース回路46を介し
て、ハードディスク48が接続されている。また、内部
バスは、この内部バスに接続されたインターフェース回
路50とケーブルとを介して、表示装置30のインター
フェース回路32に接続されている。
As shown in FIG. 1, a voltage drop analysis system 10 according to this embodiment includes a computer
And the display device 3 connected to the computer body 20
0. Computer body 20
Is a CPU (Central Processing Unit) 40 and RA
M (Random Access Memory) 42 and ROM (Read Onl
yMemory) 44, which are mutually connected via an internal bus. The hard disk 48 is connected to the internal bus via an interface circuit 46 connected to the internal bus. The internal bus via and a cable interface circuit 50 connected to the internal bus, is connected to the interface circuit 32 of the display device 30.

【0011】次に、図2に基づいて、本実施形態に係る
電圧降下解析処理について説明する。この図2は、電圧
降下解析システム10が行う電圧降下解析処理を説明す
るフローチャートである。本実施形態においては、この
電圧降下解析処理は、ハードディスク48に電圧降下解
析プログラムとして格納されており、CPU40がこれ
を読み出して実行することにより、実現される。
Next, a voltage drop analysis process according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart illustrating a voltage drop analysis process performed by the voltage drop analysis system 10. In the present embodiment, this voltage drop analysis process is stored in the hard disk 48 as a voltage drop analysis program, and is realized by the CPU 40 reading and executing the program.

【0012】図2に示すように、まず、電圧降下解析シ
ステム10は、半導体集積回路内の電源系の抵抗網を抽
出する(ステップS10)。すなわち、ユーザが設計し
た半導体集積回路の設計データが、ハードディスク48
に格納されている。この設計データに基づいて、電圧降
下解析システム10は、半導体集積回路内の配線のうち
電源系の電源配線を抽出する。
As shown in FIG. 2, first, the voltage drop analysis system 10 extracts a resistance network of a power supply system in a semiconductor integrated circuit (step S10). That is, the design data of the semiconductor integrated circuit designed by the user is stored in the hard disk 48.
Is stored in Based on the design data, the voltage drop analysis system 10 extracts a power supply wiring of the power supply system from the wirings in the semiconductor integrated circuit.

【0013】次に、電圧降下解析システム10は、この
抽出した電源系の抵抗網に対する、消費電流を抽出する
(ステップS11)。すなわち、電源系の配線に接続さ
れているトランジスタやキャパシタ等の素子で消費され
る電流が、どの程度であるのかを決定する。
Next, the voltage drop analysis system 10 extracts current consumption for the extracted power supply system resistance network (step S11). That is, it determines how much current is consumed by elements such as transistors and capacitors connected to the power supply wiring.

【0014】次に、電圧降下解析システム10は、半導
体集積回路内に配置されているメガセルを、メガセルモ
デルに置き換える(ステップS12)。どうのようなメ
ガセルモデルに置き換えるかは、後述する。
Next, the voltage drop analysis system 10 replaces the megacell arranged in the semiconductor integrated circuit with a megacell model (step S12). The type of megacell model to be replaced will be described later.

【0015】次に、電圧降下解析システム10は、この
半導体集積回路内の電圧降下の解析を行う(ステップS
13)。この解析の具体的手法は既知のものであるの
で、ここではその詳しい説明は割愛する。
Next, the voltage drop analysis system 10 analyzes the voltage drop in the semiconductor integrated circuit (step S).
13). Since a specific method of this analysis is known, a detailed description thereof will be omitted here.

【0016】次に、図3に基づいて、上述したステップ
S12におけるメガセルモデル付加処理について詳しく
説明する。この図3は、本実施形態に係るメガセルモデ
ル付加処理を詳しく説明するフローチャートである。本
実施形態においては、このメガセルモデル付加処理につ
いても、ハードディスク48に格納されているメガセル
モデル付加プログラムをCPU40が読み出して実行す
ることにより、実現される。
Next, referring to FIG. 3, the megacell model adding process in step S12 will be described in detail. FIG 3 is a flowchart illustrating a mega cell model adding process according to the present embodiment in detail. In the present embodiment, the megacell model addition processing is also realized by the CPU 40 reading and executing the megacell model addition program stored in the hard disk 48.

【0017】図3に示すように、まず、電圧降下解析シ
ステム10は、半導体集積回路内のメガセルを1つ選択
する(ステップS20)。具体的には、ハードディスク
48に格納されている半導体集積回路の設計データに基
づいて、半導体集積回路の中からメガセルを1つ選択す
る。
As shown in FIG. 3, first, the voltage drop analysis system 10 selects one mega cell in the semiconductor integrated circuit (step S20). Specifically, one megacell is selected from the semiconductor integrated circuits based on the design data of the semiconductor integrated circuits stored in the hard disk 48.

【0018】次に、電圧降下解析システム10は、選択
したメガセル全体の消費電流を求める(ステップS2
1)。メガセル全体の消費電流は、メガセルの種類毎に
予めライブラリ登録されている。但し、ステップS21
で、メガセル全体の消費電流を、その都度解析により求
めるようにしてもよい。
Next, the voltage drop analysis system 10 calculates the current consumption of the entire selected megacell (step S2).
1). The current consumption of the entire megacell is registered in a library in advance for each type of megacell. However, step S21
In, the current consumption of the entire megacell may be obtained by each time analysis.

【0019】次に、電圧降下解析システム10は、メガ
セル内部に敷設されている配線の中から、電源配線を抽
出する(ステップS22)。図4は、一例として、メガ
セル60を示す図である。この図4に示すメガセル60
の場合、ステップS22で、格子状に敷設された電源配
線62が抽出される。
Next, the voltage drop analysis system 10 extracts a power supply wiring from the wiring laid inside the megacell (step S22). FIG. 4 is a diagram illustrating a megacell 60 as an example. The megacell 60 shown in FIG.
In step S22, the power supply wires 62 laid in a lattice are extracted in step S22.

【0020】次に、図3に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS21で求めたメガセル全体の
消費電流を、複数に均等に分割して、電源配線に定電流
源として割り付ける(ステップS23)。図4に示すメ
ガセル60の場合、20個の定電流源64を電源配線6
2に均等に割り付けている。例えば、メガセル60全体
の消費電流が20mAであるとすると、1mAの定電流
源を20個、均等に、電源配線62に割り付ける。
Next, as shown in FIG. 3, the voltage drop analysis system 10 equally divides the current consumption of the entire megacell obtained in step S21 into a plurality of pieces, and allocates the divided current to the power supply wiring as a constant current source (step S21). S23). In the case of the mega cell 60 shown in FIG.
Assigned equally to 2. For example, if the current consumption of the entire megacell 60 is 20 mA, twenty constant current sources of 1 mA are equally allocated to the power supply wiring 62.

【0021】次に、図3に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS23で生成したメガセルのモ
デルを、半導体集積回路にメガセルとして付加する(ス
テップS24)。続いて、半導体集積回路内のすべての
メガセルをモデル化したかどうかを判断する(ステップ
S25)。すべてのメガセルをモデル化し終えていない
場合(ステップS25:No)には、上述したステップ
S20からを繰り返す。一方、すべてのメガセルをモデ
ル化し終えた場合(ステップS25:Yes)には、こ
のメガセルモデル付加処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 3, the voltage drop analysis system 10 adds the mega cell model generated in step S23 to the semiconductor integrated circuit as a mega cell (step S24). Subsequently, it is determined whether or not all the megacells in the semiconductor integrated circuit have been modeled (step S25). If all the megacells have not been modeled (step S25: No), the above steps from step S20 are repeated. On the other hand, when the finished model all mega cells (step S25: Yes), the CPU ends the mega cell model adding process.

【0022】以上のように、本実施形態に係る電圧降下
解析システム10によれば、例えば図4に示すように、
電圧降下解析の際に、メガセル60全体の消費電流を、
複数の定電流源を用いて電源配線62に均等に割り付け
ることとしたので、メガセル60内部で消費される電流
を、より実際の製品に近い形式で表すことができる。こ
のため、より精度の高い電圧降下解析を行うことができ
るようになる。
As described above, according to the voltage drop analysis system 10 according to the present embodiment, for example, as shown in FIG.
At the time of voltage drop analysis, the current consumption of the entire megacell 60 is
Since the plurality of constant current sources are used to equally allocate the power supply wiring 62, the current consumed inside the megacell 60 can be represented in a form closer to an actual product. Therefore, a more accurate voltage drop analysis can be performed.

【0023】〔第2実施形態〕本発明の第2実施形態
は、上述した第1実施形態を変形して、メガセル内に設
けられている電源ピンの面積比に基づいてメガセル全体
の消費電流を分割し、この分割した消費電流を各電源ピ
ンに定電流源として割り付けるようにしたものである。
より詳しくを、以下に説明する。
[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention is a modification of the above-described first embodiment, and reduces the current consumption of the entire megacell based on the area ratio of the power supply pins provided in the megacell. The power supply is divided and the divided current consumption is allocated to each power supply pin as a constant current source.
This will be described in more detail below.

【0024】本実施形態における電圧降下解析システム
10は、上述した第1実施形態と比較して、メガセルモ
デル付加処理が異なる。
The voltage drop analysis system 10 of the present embodiment differs from the above-described first embodiment in the processing of adding a megacell model.

【0025】図5は、本実施形態に係るメガセルモデル
付加処理を詳しく説明するフローチャートである。本実
施形態においても、このメガセルモデル付加処理は、ハ
ードディスク48に格納されているメガセルモデル付加
プログラムを、CPU40が読み出して実行することに
より、実現される。
FIG. 5 is a flowchart for explaining the megacell model adding process according to the present embodiment in detail. Also in the present embodiment, the megacell model addition process is realized by the CPU 40 reading and executing the megacell model addition program stored in the hard disk 48.

【0026】図5に示すように、まず、電圧降下解析シ
ステム10は、半導体集積回路内のメガセルを1つ選択
する(ステップS30)。具体的には、ハードディスク
48に格納されている半導体集積回路の設計データに基
づいて、半導体集積回路の中からメガセルを1つ選択す
る。
As shown in FIG. 5, first, the voltage drop analysis system 10 selects one mega cell in the semiconductor integrated circuit (step S30). Specifically, one megacell is selected from the semiconductor integrated circuits based on the design data of the semiconductor integrated circuits stored in the hard disk 48.

【0027】次に、電圧降下解析システム10は、選択
したメガセル全体の消費電流を求める(ステップS3
1)。メガセル全体の消費電流は、メガセルの種類毎に
予めライブラリ登録されている。但し、ステップS31
で、メガセル全体の消費電流を、その都度解析により求
めるようにしてもよい。
Next, the voltage drop analysis system 10 calculates the current consumption of the entire selected megacell (step S3).
1). The current consumption of the entire megacell is registered in a library in advance for each type of megacell. However, step S31
Thus, the current consumption of the entire megacell may be determined by analysis each time.

【0028】次に、電圧降下解析システム10は、メガ
セル内部に設けられている電源ピンを抽出し、各電源ピ
ンの面積を算出する(ステップS32)。図6は、一例
として、メガセル70を示す図である。この図6に示す
メガセル70の場合、ステップS32で、メガセル内に
設けられた7個の電源ピン72が抽出される。さらに、
このステップS32で、7個の電源ピン72のそれぞれ
の面積が算出される。なお、この電源ピン72は、メガ
セル70の外部から内部に、電源配線を接続する部分で
あり、その面積が大きいほど、外部からの電源配線を接
続する箇所の設計自由度が増大することになる。
Next, the voltage drop analysis system 10 extracts power supply pins provided inside the megacell and calculates the area of each power supply pin (step S32). FIG. 6 is a diagram illustrating a megacell 70 as an example. In the case of the megacell 70 shown in FIG. 6, in step S32, seven power supply pins 72 provided in the megacell are extracted. further,
In this step S32, the area of each of the seven power supply pins 72 is calculated. The power supply pin 72 is a portion for connecting a power supply wiring from the outside to the inside of the megacell 70. As the area of the power supply pin 72 increases, the degree of freedom in designing a portion for connecting the power supply wiring from the outside increases. .

【0029】次に、図5に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS31で求めたメガセル全体の
消費電流を、ステップS32で算出した電源ピンの面積
に比例するように分割して、定電流源としてそれぞれの
電源ピンに割り付ける(ステップS33)。図6に示す
メガセル70の場合、7個の定電流源74を、各電源ピ
ン72の面積に比例する電流容量で割り振る。
Next, as shown in FIG. 5, the voltage drop analysis system 10 divides the current consumption of the entire megacell determined in step S31 so as to be proportional to the power supply pin area calculated in step S32. Assigned to each power supply pin as a constant current source (step S33). In the case of the mega cell 70 shown in FIG. 6, seven constant current sources 74 are allocated with current capacities proportional to the area of each power supply pin 72.

【0030】次に、図5に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS33で生成したメガセルのモ
デルを、半導体集積回路に付加する(ステップS3
4)。続いて、半導体集積回路内のすべてのメガセルを
モデル化したかどうかを判断する(ステップS35)。
すべてのメガセルをモデル化し終えていない場合(ステ
ップS35:No)には、上述したステップS30から
を繰り返す。一方、すべてのメガセルをモデル化し終え
た場合(ステップS35:Yes)には、このメガセル
モデル付加処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 5, the voltage drop analysis system 10 adds the mega cell model generated in step S33 to the semiconductor integrated circuit (step S3).
4). Subsequently, it is determined whether or not model all megacell in the semiconductor integrated circuit (step S35).
If not finished model all mega cells (step S35: No), the repeated from step S30 described above. On the other hand, when all the megacells have been modeled (step S35: Yes), the megacell model addition processing ends.

【0031】以上のように、本実施形態に係る電圧降下
解析システム10によれば、例えば図6に示すように、
メガセル70全体の消費電流を、電源ピン72の面積比
に応じて分割し、それぞれの電源ピン72に定電流源7
4として割り付けることとしたので、メガセル70内部
で消費される電流を、より実際の製品に近い形式で表す
ことができる。このため、より精度の高い電圧降下解析
を行うことができるようになる。
As described above, according to the voltage drop analysis system 10 according to the present embodiment, for example, as shown in FIG.
The current consumption of the entire megacell 70 is divided according to the area ratio of the power supply pins 72, and the constant current source 7
4, the current consumed inside the megacell 70 can be represented in a form closer to an actual product. Therefore, a more accurate voltage drop analysis can be performed.

【0032】なお、本実施形態は、図7に示すような電
源リング82を有するメガセル80に対して、適用する
こともできる。この場合、ステップS32で、電源リン
グ82を適当なサイズに分割して、複数の電源ピン84
とし、それぞれの面積を算出する。そして、ステップS
33で、それぞれ電源ピン84の面積比に応じてメガセ
ル80全体の消費電流を分割し、その分割した電流容量
を有する定電流源86を、それぞれの電源ピンに割り付
けるようにすればよい。
The present embodiment can be applied to a mega cell 80 having a power supply ring 82 as shown in FIG. In this case, in step S32, the power supply ring 82 is divided into
And calculate the area of each. And step S
At 33, the current consumption of the entire megacell 80 may be divided according to the area ratio of the power supply pins 84, and the constant current source 86 having the divided current capacity may be assigned to each power supply pin.

【0033】〔第3実施形態〕本発明の第3実施形態
は、上述した第2実施形態を変形して、シミュレータを
用いてメガセル内の各電源ピンで消費される電流を求
め、この消費電流を対応する電源ピンに定電流源として
割り付けるようにしたものである。より詳しくを、以下
に説明する。
[Third Embodiment] A third embodiment of the present invention is a modification of the above-described second embodiment, and a current consumed by each power supply pin in a megacell is obtained by using a simulator. the is obtained by the assignment of the corresponding power pins as a constant current source. This will be described in more detail below.

【0034】本実施形態における電圧降下解析システム
10は、上述した第1及び第2実施形態のものと、メガ
セルモデル付加処理が異なる。
The voltage drop analysis system 10 of this embodiment is different from the first and second embodiments in the megacell model addition processing.

【0035】図8は、本実施形態に係るメガセルモデル
付加処理を詳しく説明するフローチャートである。本実
施形態においても、このメガセルモデル付加処理は、ハ
ードディスク48に格納されているメガセルモデル付加
プログラムを、CPU40が読み出して実行することに
より、実現される。
FIG. 8 is a flowchart for explaining in detail the megacell model adding process according to the present embodiment. Also in the present embodiment, the megacell model addition process is realized by the CPU 40 reading and executing the megacell model addition program stored in the hard disk 48.

【0036】図8に示すように、まず、電圧降下解析シ
ステム10は、半導体集積回路内のメガセルを1つ選択
する(ステップS40)。具体的には、ハードディスク
48に格納されている半導体集積回路の設計データに基
づいて、半導体集積回路の中からメガセルを1つ選択す
る。
As shown in FIG. 8, first, a voltage drop analysis system 10, selects one megacell in the semiconductor integrated circuit (step S40). Specifically, one megacell is selected from the semiconductor integrated circuits based on the design data of the semiconductor integrated circuits stored in the hard disk 48.

【0037】次に、電圧降下解析システム10は、ライ
ブラリから、メガセル内の各電源ピンの消費電流を読み
出す(ステップS41)。すなわち、本実施形態におい
ては、予めシミュレータを用いて、各電源ピンで消費さ
れる電流を算出し、この算出結果がライブラリに、メガ
セルの種類毎に登録されている。したがって、本実施形
態に係るメガセルモデル付加処理では、このライブラリ
に登録されている対応するメガセルにおける各電源ピン
の消費電流を読み出す。本実施形態では、このライブラ
リもハードディスク48に格納されている。
Next, the voltage drop analysis system 10 reads the current consumption of each power supply pin in the megacell from the library (step S41). That is, in the present embodiment, the current consumed by each power supply pin is calculated in advance using a simulator, and the calculation result is registered in a library for each type of megacell. Therefore, in the megacell model addition processing according to the present embodiment, the current consumption of each power supply pin in the corresponding megacell registered in the library is read. In the present embodiment, this library is also stored in the hard disk 48.

【0038】なお、シミュレータとしては、SPIC
E、PowerMillなどが知られているが、これら
に限るものではない。また、シミュレータを実現するた
めのプログラムは、ハードディスク48に格納されてお
り、CPU40がこれを読み出して実行することによ
り、実現される。さらに、本実施形態においては、各電
源ピンの消費電流は予めライブラリに登録しておくこと
としたが、ステップS41でその都度シミュレータで算
出するようにしてもよい。
The simulator is SPIC.
E and PowerMill are known, but not limited to these. A program for realizing the simulator is stored in the hard disk 48, and is realized by the CPU 40 reading and executing the program. Further, in the present embodiment, the current consumption of each power supply pin is registered in the library in advance, but may be calculated by the simulator each time in step S41.

【0039】図9は、一例として、メガセル90を示す
図である。この図9に示すメガセル90の場合、ステッ
プS41で、メガセル内に設けられた7個の電源ピン9
2のそれぞれの消費電流が、ライブラリから読み出され
る。
FIG. 9 is a diagram showing a mega cell 90 as an example. In the case of the mega cell 90 shown in FIG. 9, in step S41, the seven power supply pins 9 provided in the mega cell
2 are read from the library.

【0040】次に、図8に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS41で求めた各電源ピンの消
費電流に相当する電流容量の定電流源を、対応する電源
ピンに割り付ける(ステップS42)。図9のメガセル
90では、シミュレータで算出された消費電流に相当す
る電流容量の定電流源94を、それぞれ対応する電源ピ
ン92に割り付ける。
Next, as shown in FIG. 8, the voltage drop analysis system 10 allocates a constant current source having a current capacity corresponding to the current consumption of each power supply pin determined in step S41 to the corresponding power supply pin (step S41). S42). In the megacell 90 of FIG. 9, constant current sources 94 having a current capacity corresponding to the current consumption calculated by the simulator are assigned to the corresponding power supply pins 92.

【0041】次に、図8に示すように、電圧降下解析シ
ステム10は、ステップS42で生成したメガセルのモ
デルを、半導体集積回路にメガセルとして付加する(ス
テップS43)。続いて、半導体集積回路内のすべての
メガセルをモデル化したかどうかを判断する(ステップ
S44)。すべてのメガセルをモデル化し終えていない
場合(ステップS44:No)には、上述したステップ
S40からを繰り返す。一方、すべてのメガセルをモデ
ル化し終えた場合(ステップS44:Yes)には、こ
のメガセルモデル付加処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 8, the voltage drop analysis system 10 adds the megacell model generated in step S42 to the semiconductor integrated circuit as a megacell (step S43). Subsequently, it is determined whether or not all the megacells in the semiconductor integrated circuit have been modeled (step S44). If all the megacells have not been modeled (step S44: No), the above steps S40 to S40 are repeated. On the other hand, when all the megacells have been modeled (step S44: Yes), the megacell model addition processing ends.

【0042】以上のように、本実施形態に係る電圧降下
解析システム10によれば、上述した第2実施形態と比
べて、メガセル90内部で消費される電流を、より実際
の製品に近い形式で表すことができ、より精度の高い電
圧降下解析を行うことができるようになる。
As described above, according to the voltage drop analysis system 10 according to the present embodiment, the current consumed inside the megacell 90 is reduced in a format closer to the actual product as compared with the above-described second embodiment. This makes it possible to perform more accurate voltage drop analysis.

【0043】なお、本実施形態は、図10に示すような
電源リング102を有するメガセル100に対して、適
用することもできる。この場合、電源リング102を適
当なサイズに分割して、複数の電源ピン104とし、そ
れぞれの電源ピン104で消費する電流をシミュレータ
を用いて予め算出し、これをライブラリに登録してお
く。そして、ステップS41で、ライブラリから各電源
ピン104の消費電流を読み出し、ステップS42で、
それぞれ電源ピン104の消費電流に相当する電流容量
を有する定電流源106を、それぞれの電源ピンに割り
付けるようにすればよい。
The present embodiment can be applied to a megacell 100 having a power supply ring 102 as shown in FIG. In this case, the power supply ring 102 is divided into an appropriate size to form a plurality of power supply pins 104, and the current consumed by each power supply pin 104 is calculated in advance using a simulator and registered in a library. Then, in step S41, the current consumption of each power supply pin 104 is read from the library, and in step S42,
A constant current source 106 having a current capacity corresponding to the current consumption of the power supply pins 104 may be assigned to each power supply pin.

【0044】〔第4実施形態〕本発明の第4実施形態
は、メガセルの電源配線をモデル化した抵抗網と、消費
電流をモデル化した定電流源とからなる回路網を生成
し、さらにこの回路網を縮約したものをライブラリとし
て登録しておき、このライブラリに登録したものを電圧
降下解析の際に使用するようにしたものである。より詳
しくを、以下に説明する。
[Fourth Embodiment] In a fourth embodiment of the present invention, a circuit network comprising a resistance network modeling a power supply wiring of a megacell and a constant current source modeling a current consumption is generated. A reduced version of the circuit network is registered as a library, and the registered version is used for voltage drop analysis. This will be described in more detail below.

【0045】図11は、メガセル110の電源配線を抵
抗を用いてモデル化し、且つ、消費電流を定電流源を用
いてモデル化した回路網を示す図である。この図11に
おいては、四隅のノードがメガセル110の外部に接続
する外部ノード112を構成しており、それ以外のノー
ドが外部には接続しない内部ノード114を構成してい
る。
FIG. 11 is a diagram showing a circuit network in which the power supply wiring of the megacell 110 is modeled using a resistor, and the current consumption is modeled using a constant current source. In FIG. 11, nodes at the four corners constitute an external node 112 connected to the outside of the megacell 110, and other nodes constitute an internal node 114 not connected to the outside.

【0046】図11のメガセル110の回路網から節点
方程式を生成すると、式(1)のようになる。
When a nodal equation is generated from the circuit network of the megacell 110 in FIG. 11, the equation becomes as shown in equation (1).

【0047】[0047]

【数1】 ここで、Y11〜Ymnは各ノードのアドミッタンスで
あり、V1〜Vnは、各ノードの電圧であり、I1〜I
mは各ノードに流れ込む電流である。式(1)におい
て、外部ノード112と、内部ノード114とに分離し
て、整理すると、式(2)のようになる。
(Equation 1) Here, Y11 to Ymn are admittances of each node, V1 to Vn are voltages of each node, and I1 to Imn
m is a current flowing into each node. In Expression (1), when the external node 112 and the internal node 114 are separated and arranged, Expression (2) is obtained.

【0048】[0048]

【数2】 但し、A、B、C、及び、Dは、それぞれアドミッタン
スの行列を表しており、Veは外部ノードの電圧の行列
を表しており、Viは内部ノードの電圧の行列を表して
おり、Ieは外部ノードの電流の行列を表しており、I
iは内部ノードの電流の行列を表している。この式
(2)を変形すると、式(3)のようになる。
(Equation 2) Here, A, B, C, and D each represent an admittance matrix, Ve represents a matrix of external node voltages, Vi represents a matrix of internal node voltages, and Ie represents Represents a matrix of currents at external nodes,
i represents a matrix of the current of the internal node. By transforming the equation (2), the equation (3) is obtained.

【0049】[0049]

【数3】 この式(3)においては、式(1)から内部ノードを消
去した節点方程式になっている。この式(3)を用いる
と、図12に示すような外部ノード112のみからなる
縮約された回路網120が得られる。つまり、図11の
メガセル110を縮約すると、図12に示す回路網12
0が得られる。
(Equation 3) In this equation (3), it has become nodal equation erasing the internal node from the equation (1). By using the equation (3), a reduced circuit network 120 including only the external nodes 112 as shown in FIG. 12 is obtained. That is, when the mega cell 110 in FIG. 11 is reduced, the circuit network 12 shown in FIG.
0 is obtained.

【0050】式(3)のA−BD−1Cにより、回路網
120の抵抗R120〜R125の値が定まり、式
(3)の−BD−1Iiにより、回路網120の定電流
源I120〜I123の電流容量が定まる。
The values of the resistors R120 to R125 of the network 120 are determined by A-BD -1 C in the equation (3), and the constant current sources I120 to R125 of the network 120 are determined by -BD -1 Ii in the equation (3). The current capacity of I123 is determined.

【0051】本実施形態においては、この縮約された回
路網120をライブラリに登録しておく。あるいは、式
(3)におけるA−BD−1Cと−BD−1Iiとをラ
イブラリに登録しておき、半導体集積回路全体の節点方
程式を立てる際に、メガセル部分のY行列要素、Iベク
トル要素として、利用するようにしてもよい。また、縮
約した回路網は、メガセルの種類毎に異なるので、その
種類毎に回路網を生成し、ライブラリに登録しておく。
In the present embodiment, the reduced circuit network 120 is registered in a library. Alternatively, when A-BD -1 C and -BD -1 Ii in the equation (3) are registered in a library and a node equation of the entire semiconductor integrated circuit is established, a Y matrix element and an I vector element of a megacell portion are set. As such, it may be used. Further, since the reduced network differs for each type of megacell, a network is generated for each type and registered in a library.

【0052】なお、式(2)を変形して、式(4)のよ
うにしてもよい。
It should be noted that equation (2) may be modified to form equation (4).

【0053】[0053]

【数4】 この式(4)は、内部ノード114の電圧Viと、外部
ノード112の電圧Veとの間の関係式になっている。
この式(4)をライブラリに登録しておくようにしても
よい。これにより、半導体集積回路全体の電圧降下解析
によりメガセルの外部ノードの電圧Veが求まった場合
に、そのメガセルの内部ノードの電圧Viを式(4)を
用いて求めることができる。
(Equation 4) Equation (4) is a relational expression between the voltage Vi of the internal node 114 and the voltage Ve of the external node 112.
This equation (4) may be registered in a library. Accordingly, when the voltage Ve of the external node of the megacell is obtained by the voltage drop analysis of the entire semiconductor integrated circuit, the voltage Vi of the internal node of the megacell can be obtained by using the equation (4).

【0054】次に、図13に基づいて、本実施形態に係
るメガセルモデル付加処理を説明する。この図13は、
本実施形態に係るメガセルモデル付加処理を詳しく説明
するフローチャートである。本実施形態においても、こ
のメガセルモデル付加処理は、ハードディスク48に格
納されているメガセルモデル付加プログラムを、CPU
40が読み出して実行することにより、実現される。
Next, the megacell model adding process according to the present embodiment will be described with reference to FIG. This FIG.
It is a flowchart explaining in detail the megacell model addition process concerning this embodiment. In this embodiment, the mega cell model adding process, a mega cell model adds program stored in the hard disk 48, CPU
This is realized by reading and executing by 40.

【0055】図13に示すように、まず、電圧降下解析
システム10は、半導体集積回路内のメガセルを1つ選
択する(ステップS50)。具体的には、ハードディス
ク48に格納されている半導体集積回路の設計データに
基づいて、半導体集積回路の中からメガセルを1つ選択
する。
As shown in FIG. 13, first, the voltage drop analysis system 10 selects one mega cell in the semiconductor integrated circuit (step S50). Specifically, one megacell is selected from the semiconductor integrated circuits based on the design data of the semiconductor integrated circuits stored in the hard disk 48.

【0056】次に、電圧降下解析システム10は、ライ
ブラリから、選択したメガセルに対応する回路網を読み
出す(ステップS51)。すなわち、本実施形態におい
ては、上述した式(3)により求められた回路網が予め
ライブラリに登録されているので、これを読み出す。本
実施形態では、このライブラリもハードディスク48に
格納されている。但し、式(3)により縮約した回路網
を予めライブラリに登録せずに、ステップS51で、そ
の都度、式(3)に基づいて縮約した回路網を生成する
ようにしてもよい。
Next, the voltage drop analysis system 10 reads a circuit network corresponding to the selected megacell from the library (step S51). That is, in the present embodiment, since the circuit network obtained by the above equation (3) is registered in the library in advance, it is read. In the present embodiment, this library is also stored in the hard disk 48. However, instead of registering the network reduced by the equation (3) in the library in advance, in step S51, a network reduced based on the equation (3) may be generated each time.

【0057】次に、電圧降下解析システム10は、ステ
ップS51で読み出した回路網を、メガセルモデルとし
て、半導体集積回路に付加する(ステップS52)。続
いて、電圧降下解析システム10は、半導体集積回路内
のすべてのメガセルをモデル化したかどうかを判断する
(ステップS53)。すべてのメガセルをモデル化し終
えていない場合(ステップS53:No)には、上述し
たステップS50からを繰り返す。一方、すべてのメガ
セルをモデル化し終えた場合(ステップS54:Ye
s)には、このメガセルモデル付加処理を終了する。
Next, the voltage drop analysis system 10 adds the circuit network read in step S51 to the semiconductor integrated circuit as a megacell model (step S52). Subsequently, the voltage drop analysis system 10 determines whether all the megacells in the semiconductor integrated circuit have been modeled (Step S53). If all the megacells have not been modeled (step S53: No), the above steps from step S50 are repeated. On the other hand, when all the megacells have been modeled (step S54: Ye
In s), the megacell model addition processing ends.

【0058】以上のように、本実施形態に係る電圧降下
解析システム10によれば、例えば図12に示すよう
に、メガセル120の縮約した回路網を予め求めてお
き、これをライブラリに登録しておく。そして、電圧降
下解析の際には、半導体集積回路内のメガセルに、ライ
ブラリに登録されているそのメガセルに対応する回路網
を割り付けた上で、解析を行うこととしたので、より実
際の回路に近い形式で電圧降下解析を行うことができ、
解析精度の向上を図ることができる。
As described above, according to the voltage drop analysis system 10 according to the present embodiment, for example, as shown in FIG. 12, a reduced network of the megacell 120 is obtained in advance and registered in the library. Keep it. Then, at the time of the voltage drop analysis, a circuit network corresponding to the mega cell registered in the library is allocated to the mega cell in the semiconductor integrated circuit, and the analysis is performed, so that the actual circuit can be further analyzed. can make a voltage drop analysis in close format,
Analysis accuracy can be improved.

【0059】〔第5実施形態〕本発明の第5実施形態
は、メガセルの電源配線と消費電流とをモデル化して抵
抗網を生成し、この抵抗網を縮約した回路網を、ライブ
ラリとして登録しておき、このライブラリに登録したも
のを電圧降下解析の際に使用するようにしたものであ
る。より詳しくを、以下に説明する。
[0059] Fifth Embodiment of the Fifth Embodiment The present invention models the current consumption and power wiring megacell generates resistor network, the network having contracted the resistor network, registered as a library The data registered in this library is used for the voltage drop analysis. This will be described in more detail below.

【0060】CMOS論理ゲートの平均消費電流は、式
(5)で表される。
[0060] The average current consumption of the CMOS logic gate is represented by the formula (5).

【0061】[0061]

【数5】 ここで、IはCMOS論理ゲートの平均消費電流であ
り、fは駆動周波数であり、VDDは電源電圧である。
この式(5)から分かるように、駆動周波数fが一定で
あれば、平均消費電流は電源電圧に比例する。したがっ
て、直流解析においては、図14に示すように、消費電
流を定電流源でモデル化する代わりに、抵抗でモデル化
することで、消費電流を電源電圧依存性を考慮してモデ
ル化することができる。すなわち、電源電圧VDDにお
いて、消費電流Iの部分はIの定電流源でモデル化する
代わりに、R=VDD/Iの抵抗でモデル化することが
できる。
(Equation 5) Here, I is the average current consumption of the CMOS logic gate, f is the drive frequency, and VDD is the power supply voltage.
As can be seen from equation (5), if the driving frequency f is constant, the average current consumption is proportional to the power supply voltage. Therefore, in the DC analysis, as shown in FIG. 14, instead of modeling the current consumption with a constant current source, the current consumption is modeled in consideration of the power supply voltage dependency by modeling it with a resistor. Can be. That is, in the power supply voltage V DD , the portion of the consumption current I can be modeled by a resistance of R = V DD / I instead of being modeled by a constant current source of I.

【0062】図15は、あるメガセルの、電源配線と消
費電流とを抵抗を用いてモデル化した抵抗網130を示
す図である。この図15においては、角部にあるノード
のうち4つのノードがメガセルの外部に接続する外部ノ
ード132を構成しており、それ以外のノードが外部に
は接続しない内部ノード134を構成している。また、
この図15の例では、図中垂直方向に延びる配線に設け
られた抵抗R130が消費流源をモデル化した抵抗であ
り、図中水平方向に延びる配線に設けられた抵抗R13
1が電源配線をモデル化した抵抗である。
FIG. 15 is a diagram showing a resistance network 130 in which a power supply wiring and a current consumption of a certain megacell are modeled using resistance. In FIG. 15, four nodes among the nodes at the corners constitute an external node 132 connected to the outside of the megacell, and the other nodes constitute an internal node 134 not connected to the outside. . Also,
In the example of FIG. 15, a resistor R130 provided on a wiring extending in the vertical direction in the figure is a resistance modeling a consumption flow source, and a resistor R13 provided on a wiring extending in the horizontal direction in the figure.
Reference numeral 1 denotes a resistor that models a power supply wiring.

【0063】図15の抵抗網130から節点方程式をた
てると、式(6)のようになる。
Formulating a nodal equation from the resistance network 130 in FIG.

【0064】[0064]

【数6】 ここで、Y11〜Ymnは各ノードのアドミッタンスで
あり、V1〜Vnは、各ノードの電圧であり、I1〜I
mは各ノードに流れ込む電流である。式(1)におい
て、外部ノード132と、内部ノード134とに分離し
て、整理すると、式(7)のようになる。
(Equation 6) Here, Y11 to Ymn are admittances of each node, V1 to Vn are voltages of each node, and I1 to Imn
m is a current flowing into each node. In Expression (1), when the external node 132 and the internal node 134 are separated and arranged, Expression (7) is obtained.

【0065】[0065]

【数7】 但し、A、B、C、及び、Dは、それぞれアドミッタン
スの行列を表しており、Veは外部ノードの電圧の行列
を表しており、Viは内部ノードの電圧の行列を表して
おり、Ieは外部ノードの電流の行列を表している。ま
た、内部ノードには電流源が存在しないので、対応する
の電流の行列はゼロになっている。この式(7)を変形
すると、式(8)のようになる。
(Equation 7) Here, A, B, C, and D each represent an admittance matrix, Ve represents a matrix of voltages of external nodes, Vi represents a matrix of voltages of internal nodes, and Ie represents a matrix of voltages of internal nodes. The matrix of the current of the external node is shown. Also, since no current source exists at the internal node, the corresponding current matrix is zero. By transforming the equation (7), the equation (8) is obtained.

【0066】[0066]

【数8】 この式(8)においては、式(6)から内部ノードを消
去した節点方程式になっている。この式(8)を用いる
と、図16に示すように、ノードとしては内部ノードの
存在しない外部ノード132のみからなる縮約された回
路網140が得られる。式(8)のA−BD−1Cによ
り、回路網140の抵抗R140〜R145の値が定ま
る。
(Equation 8) Equation (8) is a nodal equation in which internal nodes are eliminated from equation (6). Using this equation (8), as illustrated in FIG 16, the contracted network 140 consisting of only the external node 132 in the absence of internal nodes is obtained as a node. The values of the resistors R140 to R145 of the network 140 are determined by A-BD -1 C in equation (8).

【0067】本実施形態においては、この縮約された回
路網140をライブラリに登録しておく。あるいは、式
(8)におけるA−BD−1Cをライブラリに登録して
おき、半導体集積回路全体の節点方程式を立てる際に、
メガセル部分のY行列要素として、利用するようにして
もよい。また、縮約した回路網は、メガセルの種類毎に
異なるので、その種類毎に回路網を生成し、ライブラリ
に登録しておく。
In the present embodiment, the reduced circuit network 140 is registered in a library. Alternatively, when A-BD -1 C in equation (8) is registered in a library and a node equation of the entire semiconductor integrated circuit is established,
It may be used as a Y matrix element of a megacell part. Further, since the reduced network differs for each type of megacell, a network is generated for each type and registered in a library.

【0068】なお、式(7)を変形して、式(9)のよ
うにしてもよい。
Equation (7) may be modified to form equation (9).

【0069】[0069]

【数9】 この式(9)は、内部ノード144の電圧Viと、外部
ノード142の電圧Veとの間の関係式になっている。
この式(9)をライブラリに登録しておくようにしても
よい。これにより、半導体集積回路全体の電圧降下解析
からメガセルの外部ノードの電圧Veが求まった場合
に、そのメガセルの内部ノードの電圧Viを式(9)を
用いて求めることができる。
(Equation 9) Equation (9) is a relational expression between the voltage Vi of the internal node 144 and the voltage Ve of the external node 142.
This equation (9) may be registered in a library. Thus, when the voltage Ve of the external node of the megacell is determined from the voltage drop analysis of the entire semiconductor integrated circuit, the voltage Vi of the internal node of the megacell can be determined by using equation (9).

【0070】なお、本実施形態に係るメガセルモデル付
加処理は、上述した第4実施形態と同様であるので、そ
の詳しい説明は省略する。
Since the megacell model adding process according to the present embodiment is the same as that of the above-described fourth embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

【0071】以上のように、本実施形態に係る電圧降下
解析システム10によれば、例えば図16に示すよう
に、メガセル130の縮約した回路網140を予め求め
ておき、これをライブラリに登録しておく。そして、電
圧降下解析の際には、半導体集積回路内のメガセルに、
ライブラリに登録されているそのメガセルに対応する回
路網を割り付けた上で、解析を行うこととしたので、よ
り実際の回路に近い形式で電圧降下解析を行うことがで
き、解析精度の向上を図ることができる。
As described above, according to the voltage drop analysis system 10 of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 16, a reduced circuit network 140 of the megacell 130 is obtained in advance and registered in the library. Keep it. Then, at the time of the voltage drop analysis, the mega cell in the semiconductor integrated circuit
Analysis is performed after allocating a circuit network corresponding to the megacell registered in the library, so voltage drop analysis can be performed in a format closer to the actual circuit, improving analysis accuracy be able to.

【0072】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態にお
いては、メガセルを例に説明したが、メガセルよりも回
路規模の小さい通常のセルに対しても、本発明を同様に
適用することができる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above-described embodiment, a mega cell has been described as an example, but the present invention can be similarly applied to a normal cell having a smaller circuit scale than the mega cell.

【0073】さらに、上述の実施形態で説明した各処理
については、これら各処理を実行するためのプログラム
をフロッピー(登録商標)ディスク、CD−ROM(Co
mpact Disc-ReadOnly Memory)、ROM、メモリカード
等の記録媒体に記録して、記録媒体の形で頒布すること
が可能である。この場合、このプログラムが記録された
記録媒体をコンピュータ本体20に読み込ませ、実行さ
せることにより、上述した電圧降下解析システム10を
実現することができる。
Further, with respect to each processing described in the above embodiment, a program for executing each processing is stored in a floppy (registered trademark) disk, CD-ROM (Co-ROM).
It can be recorded on a recording medium such as a mpact disc-read only memory (ROM), a ROM, or a memory card and distributed in the form of a recording medium. In this case, the above-described voltage drop analysis system 10 can be realized by causing the computer main body 20 to read and execute a recording medium on which the program is recorded.

【0074】また、コンピュータ本体20は、オペレー
ティングシステムや別のアプリケーションプログラム等
の他のプログラムを備える場合がある。この場合、コン
ピュータ本体20の備える他のプログラムを活用し、記
録媒体にはそのコンピュータ本体20が備えるプログラ
ムの中から、上述した実施形態と同等の処理を実現する
プログラムを呼び出すような命令を記録するようにして
もよい。
The computer main body 20 may include another program such as an operating system or another application program. In this case, by utilizing another program included in the computer main body 20, an instruction for calling a program for realizing the same processing as the above-described embodiment from among the programs included in the computer main body 20 is recorded on the recording medium. You may do so.

【0075】さらに、このようなプログラムは、記録媒
体の形ではなく、ネットワークを通じて搬送波として頒
布することも可能である。ネットワーク上を搬送波の形
で伝送されたプログラムは、コンピュータ本体20に取
り込まれて、このプログラムを実行することにより上述
した実施形態を実現することができる。
[0075] Further, such a program is not in the form of a recording medium, it can be distributed as carrier waves through a network. The program transmitted on the network in the form of a carrier wave is taken into the computer main body 20, and the above-described embodiment can be realized by executing the program.

【0076】また、記録媒体にプログラムを記録する際
や、ネットワーク上を搬送波として伝送される際に、プ
ログラムの暗号化や圧縮化がなされている場合がある。
この場合には、これら記録媒体や搬送波からプログラム
を読み込んだコンピュータ本体20は、そのプログラム
の復号化や伸張化を行った上で、実行する必要がある。
Further, when a program is recorded on a recording medium or transmitted as a carrier wave over a network, the program may be encrypted or compressed.
In this case, the computer main body 20 that has read the program from the recording medium or the carrier wave needs to execute the program after decoding and decompressing the program.

【0077】[0077]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1モデル化手段で、前記半導体集積回路内に配置され
たセルを、このセル内部の消費電流の分布を考慮してモ
デル化し、このモデル化された回路網に基づいて電圧降
下解析を行うこととしたので、より精度の高い電圧降下
解析を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
The first modeling means models a cell arranged in the semiconductor integrated circuit in consideration of the distribution of current consumption inside the cell, and performs a voltage drop analysis based on the modeled network. Therefore, a more accurate voltage drop analysis can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る電圧降下解析システ
ムのハードウェア構成の一例を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a hardware configuration of a voltage drop analysis system according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係る電圧降下解析処理を
説明するフローチャートを示す図。
FIG. 2 is a view showing a flowchart illustrating a voltage drop analysis process according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施形態に係るメガセルモデル付
加処理を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a megacell model adding process according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施形態に係る定電流源割付手法
を説明するためのメガセルを示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a megacell for explaining a constant current source allocation method according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施形態に係るメガセルモデル付
加処理を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a megacell model adding process according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2実施形態に係る定電流源割付手法
を説明するためのメガセルを示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a megacell for explaining a constant current source allocation method according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2実施形態の変形例を説明するメガ
セルを示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a megacell explaining a modification of the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3実施形態に係るメガセルモデル付
加処理を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 8 is a flowchart illustrating a megacell model adding process according to a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3実施形態に係る定電流源割付手法
を説明するためのメガセルを示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a megacell for explaining a constant current source allocation method according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3実施形態の変形例を説明するメ
ガセルを示す図。
FIG. 10 is a diagram showing a megacell explaining a modification of the third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4実施形態におけるメガセルの縮
約手法を説明するためのメガセルを示す図。
FIG. 11 is a diagram showing a megacell for explaining a technique for reducing a megacell in a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4実施形態において、図11のメ
ガセルを縮約した回路網を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing a circuit network in which the megacell of FIG. 11 is reduced in the fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第4実施形態に係るメガセルモデル
付加処理を説明するフローチャートを示す図。
FIG. 13 is a flowchart illustrating a megacell model adding process according to a fourth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第5実施形態において、定電流源を
抵抗に置き換え可能であることを説明する図。
FIG. 14 is a diagram illustrating that a constant current source can be replaced with a resistor in the fifth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第5実施形態におけるメガセルの縮
約手法を説明するためのメガセルを示す図。
FIG. 15 is a view showing a megacell for explaining a technique for reducing a megacell in a fifth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第5実施形態において、図11のメ
ガセルを縮約した回路網を示す図。
FIG. 16 is a diagram showing a circuit network in which the megacell of FIG. 11 is reduced in the fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 電圧降下解析システム 20 コンピュータ本体 30 表示装置 32 インターフェース回路 40 CPU 42 RAM 44 ROM 46 インターフェース回路 48 ハードディスク 50 インターフェース回路 Reference Signs List 10 voltage drop analysis system 20 computer main body 30 display device 32 interface circuit 40 CPU 42 RAM 44 ROM 46 interface circuit 48 hard disk 50 interface circuit

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体集積回路内に配置されたセルを、こ
のセル内部の消費電流の分布を考慮してモデル化する、
第1モデル化手段と、 前記第1モデル化手段によりモデル化された回路網に基
づいて、電圧降下解析を行う、解析手段と、 を備えることを特徴とする電圧降下解析システム。
1. A cell arranged in a semiconductor integrated circuit is modeled in consideration of a distribution of current consumption inside the cell.
A voltage drop analysis system comprising: first modeling means; and analysis means for performing a voltage drop analysis based on a circuit network modeled by the first modeling means.
【請求項2】前記半導体集積回路内に敷設された電源配
線と、この電源配線に接続された素子とを、抵抗網とし
てモデル化する、第2モデル化手段を、さらに備えるこ
とを特徴とする請求項1に記載の電圧降下解析システ
ム。
2. The power supply system according to claim 1, further comprising a second modeling unit configured to model a power supply wiring laid in the semiconductor integrated circuit and an element connected to the power supply wiring as a resistance network. The voltage drop analysis system according to claim 1.
【請求項3】前記第1モデル化手段は、前記セルで消費
される消費電流を、前記セル内に敷設された電源配線に
均等に分割して、定電流源として割り付ける、ことを特
徴とする請求項1に記載の電圧降下解析システム。
3. The method according to claim 1, wherein the first modeling means equally divides a current consumed by the cell to a power supply line laid in the cell and allocates the divided current as a constant current source. The voltage drop analysis system according to claim 1.
【請求項4】前記第1モデル化手段は、前記セルで消費
される消費電流を、前記セル内に設けられた電源ピンの
面積比に基づいて分割し、この分割により得られる消費
電流分の電流容量を有する定電流源として、前記電源ピ
ンに割り付ける、ことを特徴とする請求項1に記載の電
圧降下解析システム。
4. The first modeling means divides a current consumed by the cell on the basis of an area ratio of a power supply pin provided in the cell, and divides the current consumed by the division. voltage drop analysis system according to claim 1 as a constant current source, assigned to the power supply pin, I am characterized in having a current capacity.
【請求項5】前記第1モデル化手段は、前記セル内に設
けられた電源ピンで消費される消費電流を解析し、この
解析結果に基づいて、前記電源ピンに定電流源を割り付
ける、ことを特徴とする請求項1に記載の電圧降下解析
システム。
Wherein said first modeling means analyzes the consumption current consumed by the power source pins provided in the cell, based on the analysis result, allocates a constant current source to the power supply pin, it The voltage drop analysis system according to claim 1, wherein:
【請求項6】前記第1モデル化手段は、前記セル内の電
源配線をモデル化した抵抗網と、前記セル内の消費電流
をモデル化した定電流源とを有する回路網を生成し、こ
の回路網を縮約した縮約回路網を、前記半導体集積回路
内の前記セルとして付加する、ことを特徴とする請求項
1に記載の電圧降下解析システム。
6. The first modeling means generates a network having a resistance network which models a power supply wiring in the cell and a constant current source which models a current consumption in the cell. The voltage drop analysis system according to claim 1, wherein a reduced network obtained by reducing a network is added as the cell in the semiconductor integrated circuit.
【請求項7】前記第1モデル化手段は、前記セル内の電
源配線と消費電流とを抵抗を用いてモデル化した回路網
を生成し、この回路網を縮約した縮約回路網を、前記半
導体集積回路内の前記セルとして付加する、ことを特徴
とする請求項1に記載の電圧降下解析システム。
7. The first modeling means generates a network in which power supply wiring and current consumption in the cell are modeled by using resistors, and generates a reduced network obtained by reducing this network. 2. The voltage drop analysis system according to claim 1, wherein the voltage drop analysis system is added as the cell in the semiconductor integrated circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015141650A (en) * 2014-01-30 2015-08-03 富士通株式会社 verification method, verification apparatus and program

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