JP2002184705A - Method and device for correcting process data - Google Patents
Method and device for correcting process dataInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜を実施するプ
ロセス装置のプロセスデータを自動補正するプロセスデ
ータ補正方法およびその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process data correction method for automatically correcting process data of a process apparatus for performing film formation and an apparatus therefor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えば、液晶表示装置のアレイ基
板の製造工程においては、プラズマＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）法などにより、基板上に薄膜を成膜
するプロセス装置が使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a manufacturing process of an array substrate of a liquid crystal display device, a plasma CVD (Chemical V
2. Description of the Related Art A process apparatus for forming a thin film on a substrate by an apor deposition method or the like is used.
【０００３】プラズマＣＶＤ法を用いたプロセス装置で
は、処理室に設けられた一対の電極のうちの一方の電極
上に基板を配置し、処理室を真空にして反応ガスを導入
し、一対の電極間に高周波電流を加えてプラズマを発生
させることにより、プラズマで反応ガスが分解され、活
性種が生成して基板上に膜が堆積し、薄膜が成膜され
る。In a process apparatus using a plasma CVD method, a substrate is disposed on one of a pair of electrodes provided in a processing chamber, a reaction chamber is evacuated to introduce a reaction gas, and a pair of electrodes is formed. By generating a plasma by applying a high-frequency current in between, a reactive gas is decomposed by the plasma, active species are generated, a film is deposited on the substrate, and a thin film is formed.
【０００４】そして、製品の歩留の向上のためには、プ
ロセス装置で成膜される薄膜の膜厚を適正に保つことが
重要な要因としてあり、そのため、プロセス装置によっ
て成膜する薄膜の膜厚を管理し、プロセス装置に与える
処理時間などの各種の条件の設定を補正して薄膜の膜厚
を最適化することが求められている。[0004] In order to improve the yield of products, it is an important factor to keep the thickness of the thin film formed by the process apparatus appropriate. Therefore, the film thickness of the thin film formed by the process apparatus is important. There is a demand for optimizing the thickness of a thin film by managing the thickness and correcting the setting of various conditions such as the processing time given to a process apparatus.
【０００５】プロセス装置で成膜される薄膜の膜厚を管
理して適正に保つためには、プロセス装置で薄膜が成膜
された基板を検査装置に移し、この検査装置により基板
上に成膜された薄膜の膜厚を検査し、検査結果を作業員
が確認し、適正な管理範囲から外れている場合には、作
業員の判断によりプロセス装置で適正に成膜させるのに
必要な条件を予測し、プロセス装置に与える条件の設定
を変更入力することで対応している。In order to control and properly maintain the thickness of the thin film formed by the process device, the substrate on which the thin film is formed by the process device is transferred to an inspection device, and the film is formed on the substrate by the inspection device. Inspection of the thickness of the deposited thin film, the operator confirms the inspection result, and if it is out of the proper management range, the operator determines the conditions necessary for proper film formation with the process equipment. It responds by predicting and changing and inputting the setting of the condition given to the process device.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プロセ
ス装置で成膜される薄膜の膜厚を管理して適正に保つた
めに、作業員の判断により、膜厚の検査結果からプロセ
ス装置で適正に成膜させるのに必要な条件を予測し、プ
ロセス装置に与える条件の設定を変更入力したのでは、
人手を要するとともに、補正する条件の予測に熟練を要
し、しかも、検査結果のみで判断し、プロセス装置での
実際の処理状況を確認していないことから、プロセス装
置の条件を変更入力しても、薄膜の膜厚を適正に保つの
が難しく、不適正な製品が多く発生し、歩留が低下する
問題がある。However, in order to manage and keep the film thickness of the thin film formed by the process apparatus properly, it is necessary for the worker to judge properly the film thickness from the inspection result of the film thickness by the process apparatus. After predicting the conditions required for film formation and changing and setting the conditions to be applied to the process equipment,
Since it requires labor and skill in predicting the conditions to be corrected, it is also necessary to judge only the inspection results and not confirm the actual processing status in the process equipment. However, it is difficult to keep the thickness of the thin film properly, and many unsuitable products are generated, and there is a problem that the yield is reduced.
【０００７】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、プロセス装置で適正に成膜させるのに必要な適正
なプロセスデータの補正値を求めて、プロセス装置のプ
ロセスデータを適正に自動補正し、プロセス装置で適正
な成膜を実施できるプロセスデータ補正方法およびその
装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and determines an appropriate correction value of process data necessary for forming a film properly by a process apparatus, and automatically corrects the process data of the process apparatus. It is an object of the present invention to provide a process data correction method and a process data correction method capable of performing a proper film formation by a process device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、プロセス装置
で成膜を実施したプロセスデータ、およびプロセス装置
で実施された成膜の状態を検査した検査データを取得
し、これらプロセスデータおよび検査データから、プロ
セス装置で適正に成膜させるのに必要なプロセスデータ
の補正値を求め、求めたプロセスデータの補正値をプロ
セス装置にフィードバックして実施させるものである。According to the present invention, process data obtained by forming a film by a process apparatus and inspection data obtained by inspecting a state of a film formed by the process apparatus are obtained, and the process data and the inspection data are obtained. Therefore, a correction value of process data necessary for properly forming a film by the process device is obtained, and the obtained correction value of the process data is fed back to the process device to be executed.
【０００９】そして、プロセス装置で成膜を実施したプ
ロセスデータ、およびプロセス装置で実施された成膜の
状態を検査した検査データを取得することで、これらプ
ロセスデータおよび検査データから、プロセス装置で適
正に成膜させるのに必要な最適なプロセスデータの補正
値を求めることが可能となり、求めたプロセスデータの
補正値をプロセス装置にフィードバックさせて実施させ
ることにより、プロセス装置のプロセスデータを適正に
自動補正し、プロセス装置で適正な成膜を実施可能とな
る。Then, by acquiring the process data of the film formation performed by the process device and the inspection data for inspecting the state of the film formation performed by the process device, the process data and the inspection data are used to determine the appropriateness of the process device. It is possible to obtain the optimum correction value of process data required for film formation on the film, and the correction value of the obtained process data is fed back to the process device for execution. After the correction, the appropriate film formation can be performed by the process device.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図５に、液晶表示装置のアレイ基板に形成
される薄膜トランジスタの断面図を示す。FIG. 5 is a sectional view of a thin film transistor formed on an array substrate of a liquid crystal display device.
【００１２】液晶表示装置は、アレイ基板およびこのア
レイ基板に対向して配設される図示しない対向基板を有
し、これらアレイ基板と対向基板との間に図示しない液
晶組成物としての液晶が配設されて形成されている。The liquid crystal display device has an array substrate and an opposing substrate (not shown) disposed opposite to the array substrate, and a liquid crystal as an unillustrated liquid crystal composition is interposed between the array substrate and the opposing substrate. It is provided and formed.
【００１３】薄膜トランジスタ（Ｐоｌｙ−ＳｉＴＦＴ
（Thin Film Transistor））10は、透光性を有する略透
明な無アルカリガラス(ＳｉＯ２)などで形成された絶縁
性を有する基板としてのガラス基板11上に形成されてい
る。このガラス基板11の一主面上には、このガラス基板
11からの不純物の拡散を防止するための無機系絶縁膜と
してのアンダーコート膜12が、例えば２．０×１０−７
ｍ程度の膜厚に成膜されている。A thin film transistor (Poly-Si TFT)
(Thin Film Transistor) 10 is formed on a glass substrate 11 as an insulating substrate made of a translucent substantially transparent alkali-free glass (SiO 2 ) or the like. On one main surface of the glass substrate 11, the glass substrate
Undercoat film 12 serving as the inorganic insulating film for preventing diffusion of impurities from the 11, for example, 2.0 × 10 -7
The thickness is about m.
【００１４】アンダーコート膜12上には、多結晶シリコ
ン、すなわちポリシリコン膜で形成されたシリコン半導
体層であるの活性層13が、例えば５．０×１０−８ｍ程
度の膜厚に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion）法により成膜されている。この活性層13は、非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）をエキシマレーザアニール
法で溶融させた後に結晶化させることにより形成されて
いる。また、この活性層13は、ＲＦ印加周波数４００Ｈ
ｚ〜５４ＭＨｚで水素化されることにより形成されたチ
ャネル領域14を備えている。On the undercoat film 12, an active layer 13, which is a silicon semiconductor layer formed of polycrystalline silicon, ie, a polysilicon film, is formed to a thickness of, for example, about 5.0 × 10 −8 m by plasma. CVD (Chemical Vapor Deposit)
ion) method. The active layer 13 is formed by melting amorphous silicon (a-Si: H) by excimer laser annealing and then crystallization. The active layer 13 has an RF application frequency of 400H.
It has a channel region 14 formed by hydrogenation at z to 54 MHz.
【００１５】チャネル領域14の一側である活性層13は、
ボロン（Ｂ２ＨＸ ＋）またはリン（ＰＨＸ ＋）などがイ
オンドーピングされることにより、（ｎ型，ｐ型）Ｐо
ｌｙ−Ｓｉ領域であるソース領域15が形成されている。
さらに、このソース領域15と対向するチャネル領域14の
他側である活性層13は、ソース領域15と同様に、ボロン
（Ｂ２ＨＸ ＋）またはリン（ＰＨＸ ＋）などがイオンド
ーピングされることにより、（ｎ型、ｐ型）Ｐоｌｙ−
Ｓｉ領域であるドレイン領域16が形成されている。The active layer 13 on one side of the channel region 14
By ion-doping boron (B 2 H X + ) or phosphorus (PH X + ), the (n-type, p-type) P
A source region 15 which is a ly-Si region is formed.
Further, the active layer 13 on the other side of the channel region 14 facing the source region 15 is ion-doped with boron (B 2 H X + ) or phosphorus (PH X + ), like the source region 15. Thus, (n-type, p-type) Poly-
A drain region 16 which is a Si region is formed.
【００１６】活性層13上には、絶縁性を有するシリコン
酸化膜（ＳｉＯＸ）などで無機系絶縁膜であるゲート絶
縁膜17が、例えば１．５×１０−７ｍ程度の膜厚に、プ
ラズマＣＶＤ法により堆積させた後、パターニングする
ことにより形成されている。[0016] On the active layer 13, a silicon oxide film (SiO X) gate insulating film 17 is an inorganic insulating film or the like having an insulating property, for example, a thickness of about 1.5 × 10 -7 m, It is formed by patterning after deposition by a plasma CVD method.
【００１７】ゲート絶縁膜17上には、例えば２．０×１
０−７ｍの膜厚を有する島状のゲート電極18が形成され
ている。このゲート電極18は、モリブデン−タングステ
ン合金(ＭｏＷ)などをスパッタリングした後にパターニ
ングすることにより形成されている。また、このゲート
電極18は、図示しない走査線に一体的に電気的に接続さ
れている。そして、このゲート電極18を含むゲート絶縁
膜17上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯＸ）などで形成さ
れた層間絶縁膜19が、例えば５．０×１０−７ｍ程度の
膜厚に成膜されている。On the gate insulating film 17, for example, 2.0 × 1
An island-shaped gate electrode 18 having a thickness of 0-7 m is formed. The gate electrode 18 is formed by sputtering a molybdenum-tungsten alloy (MoW) or the like and then patterning. The gate electrode 18 is integrally and electrically connected to a scanning line (not shown). Then, formed on the gate insulating film 17 including the gate electrode 18, a silicon oxide film (SiO X) interlayer insulating film 19 formed like, for example a thickness of about 5.0 × 10 -7 m Have been.
【００１８】層間絶縁膜19およびゲート絶縁膜17には、
ソース領域15およびドレイン領域16まで開口したスルー
ホール21a，21bがそれぞれ形成されている。これらスル
ーホール21a，21bには、アルミニウム（Ａｌ）およびモ
リブデン（Ｍо）などの低抵抗金属などが堆積されてソ
ース電極22およびドレイン電極23が形成されている。こ
のソース電極22は、スルーホール21aを介してソース領
域15に接続されており、また、ドレイン電極23は、スル
ーホール21bを介してドレイン領域16に接続されてい
る。さらに、これらソース電極22およびドレイン電極23
は、例えばアルミニウムを３．０×１０−７ｍの膜厚に
堆積させた後にモリブデンを５．０×１０ −８ｍの膜厚
に堆積させた状態にスパッタリングした後にパターニン
グすることにより形成されている。The interlayer insulating film 19 and the gate insulating film 17 include
Through opening to source region 15 and drain region 16
Holes 21a and 21b are respectively formed. These
Aluminum (Al) and metal
Low resistance metal such as molybdenum (Mо) is deposited
A source electrode 22 and a drain electrode 23 are formed. This
Source electrode 22 is connected to the source region through through hole 21a.
Region 15 and the drain electrode 23
Through the hole 21b to the drain region 16.
You. Further, the source electrode 22 and the drain electrode 23
Is, for example, 3.0 × 10 aluminum.-7m film thickness
After deposition, 5.0 × 10 molybdenum -8m film thickness
After sputtering in a state where it is deposited on
Formed.
【００１９】層間絶縁膜19、ソース電極22およびドレイ
ン電極23上には図示しない保護膜が成膜されており、こ
の保護膜上には図示しない平坦化膜が成膜されている。
そして、この平坦化膜上には、透明導体層である図示し
ない画素電極がマトリクス状に配設されている。この画
素電極は、図示しないスルーホールを介して保護膜およ
び平坦化膜を貫通してソース電極22に接続されている。A protective film (not shown) is formed on the interlayer insulating film 19, the source electrode 22, and the drain electrode 23, and a flattening film (not shown) is formed on the protective film.
On the flattening film, pixel electrodes (not shown), which are transparent conductor layers, are arranged in a matrix. This pixel electrode is connected to the source electrode 22 through a protective film and a planarizing film via a through hole (not shown).
【００２０】また、図４に、プラズマＣＶＤ法により、
活性層13などの薄膜を成膜するプロセス装置31の処理室
としてのチャンバ32の概略構成図を示す。FIG. 4 shows a plasma CVD method.
FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of a chamber 32 as a processing chamber of a process apparatus 31 for forming a thin film such as an active layer 13.
【００２１】このチャンバ32内には、ガラス基板11を載
置する基板ヒータ33が配設されるとともに、この基板ヒ
ータ33に対向して複数の細孔が形成されたシャワープレ
ートといわれる高周波電極34が配設されている。高周波
電極34には高周波電源35が接続されるとともに反応ガス
を導入するガス導入口36が設けられている。In the chamber 32, a substrate heater 33 on which the glass substrate 11 is placed is disposed, and a high-frequency electrode 34 called a shower plate having a plurality of pores formed opposite the substrate heater 33. Are arranged. The high-frequency electrode 34 is connected to a high-frequency power supply 35 and has a gas inlet 36 for introducing a reaction gas.
【００２２】そして、ガラス基板11をチャンバ32内の基
板ヒータ33上に配置し、チャンバ32内を真空に排気して
ガス導入口36から反応ガスを導入し、高周波電源35から
高周波電極34に高周波電流を加えてプラズマを発生させ
ることにより、プラズマで反応ガスが分解され、活性種
が生成してガラス基板11上に膜が堆積し、薄膜が成膜さ
れる。Then, the glass substrate 11 is placed on a substrate heater 33 in a chamber 32, the chamber 32 is evacuated to a vacuum, and a reaction gas is introduced from a gas inlet 36. By generating a plasma by applying an electric current, the reaction gas is decomposed by the plasma, active species are generated, a film is deposited on the glass substrate 11, and a thin film is formed.
【００２３】プロセス装置31は、複数のチャンバ32を有
し、各チャンバ32でガラス基板11に対する成膜が実施さ
れる。The process apparatus 31 has a plurality of chambers 32, and a film is formed on the glass substrate 11 in each chamber 32.
【００２４】また、図１に、プロセスデータ補正方法お
よびその装置を適用したプロセスデータフィードバック
システムの構成図を示す。FIG. 1 shows a configuration diagram of a process data feedback system to which the process data correction method and apparatus are applied.
【００２５】製造工程においては、複数枚のガラス基板
11が１組のロットとされ、ロット単位にプロセス装置31
に搬入されて各ガラス基板11に対する成膜が実施され、
次に、成膜の完了したガラス基板11がロット単位にプロ
セス装置31から検査装置41に移され、この検査装置41で
各ガラス基板11上に成膜された薄膜の膜厚が検査され、
検査の完了したガラス基板11がロット単位に検査装置41
から次工程に移される。検査装置41では、各ガラス基板
11上の薄膜の複数箇所について膜厚が検査される。In the manufacturing process, a plurality of glass substrates
11 is a set of lots.
And the film is formed on each glass substrate 11,
Next, the glass substrate 11 on which film formation has been completed is transferred from the process device 31 to the inspection device 41 in lot units, and the thickness of the thin film formed on each glass substrate 11 is inspected by the inspection device 41,
The inspected glass substrate 11 is inspected by lot
To the next step. In the inspection device 41, each glass substrate
The film thickness of a plurality of portions of the thin film on 11 is inspected.
【００２６】プロセス装置31には端末42が接続され、こ
の端末42からプロセスデータやプロセスデータの補正値
がプロセス装置31に送信されるとともに、プロセス装置
31からは各ロット毎に実際に実施した実処理のプロセス
データ（以下、実処理データという）が端末42に送信さ
れる。プロセスデータおよび実処理データには、ガラス
基板11を特定する基板ＩＤ、処理するチャンバ32を特定
するチャンバＩＤ、処理する条件を特定するレシピＩ
Ｄ、および成膜時間などの処理時間などが含まれる。A terminal 42 is connected to the process device 31. From this terminal 42, process data and a correction value of the process data are transmitted to the process device 31.
From 31, process data of actual processing actually executed for each lot (hereinafter, referred to as actual processing data) is transmitted to the terminal 42. The process data and the actual processing data include a substrate ID for specifying the glass substrate 11, a chamber ID for specifying the processing chamber 32, and a recipe I for specifying processing conditions.
D and a processing time such as a film forming time.
【００２７】検査装置41には端末43および転送用端末44
が接続され、プロセス装置31で処理した各ロット毎のガ
ラス基板11の基板ＩＤやチャンバＩＤなどのデータリン
ク情報が端末43から検査装置41に送信され、検査装置41
で検査したガラス基板11毎の基板ＩＤやチャンバＩＤな
どとともに検査結果を含む各ロット毎の検査データが検
査装置41から転送用端末44に送信される。The inspection device 41 includes a terminal 43 and a transfer terminal 44.
Is connected, and data link information such as the substrate ID and the chamber ID of the glass substrate 11 for each lot processed by the process device 31 is transmitted from the terminal 43 to the inspection device 41, and the inspection device 41
The inspection data for each lot including the inspection result together with the substrate ID and the chamber ID for each glass substrate 11 inspected in the above is transmitted from the inspection device 41 to the transfer terminal 44.
【００２８】プロセス装置31の端末42、検査装置41の端
末43および転送用端末44はホストコンピュータ45に接続
されており、このホストコンピュータ45は、プロセス装
置31の端末42に対してプロセスデータの補正値を送信す
るとともに端末42から各ロット毎の実処理データを入力
し、検査装置41の端末43に対して各ロット毎のデータリ
ンク情報を送信するとともに転送用端末44から各ロット
毎の検査データを入力する。さらに、ホストコンピュー
タ45は、端末42から入力される各ロット毎の実処理デー
タ、および転送用端末44から入力される各ロット毎の検
査データを記憶して蓄積するデータ蓄積部46を有してい
る。A terminal 42 of the process device 31, a terminal 43 of the inspection device 41, and a transfer terminal 44 are connected to a host computer 45. The host computer 45 corrects the process data with respect to the terminal 42 of the process device 31. In addition to transmitting the values, the actual processing data for each lot is input from the terminal 42, the data link information for each lot is transmitted to the terminal 43 of the inspection device 41, and the inspection data for each lot is transmitted from the transfer terminal 44. Enter Further, the host computer 45 has a data storage unit 46 for storing and accumulating actual processing data for each lot input from the terminal 42 and inspection data for each lot input from the transfer terminal 44. I have.
【００２９】ホストコンピュータ45には、プロセス装置
31のプロセスデータを適正に自動補正する補正値計算用
コンピュータ47が接続されている。この補正値計算用コ
ンピュータ47は、図２に示すように、プロセス装置31で
成膜を実施したプロセスデータ、およびプロセス装置31
で実施された成膜の状態を検査装置41で検査した検査デ
ータをホストコンピュータ45のデータ蓄積部46から取得
する取得手段の機能を有するデータ切出処理48、このデ
ータ切出処理48で取得されたプロセスデータおよび検査
データから、プロセス装置31で適正に成膜させるのに必
要なプロセスデータの補正値を計算する計算手段の機能
を有する補正値計算処理49、この補正値計算処理49で計
算されたプロセスデータの補正値をプロセス装置31にフ
ィードバックさせて実施させるためにプロセスデータの
補正値をホストコンピュータ45に送信するフィードバッ
ク手段の機能を有する補正値転送処理50、モニタ51に表
示させる画面表示を処理する画面表示処理52、グラフデ
ータファイルを作成するグラフデータ作成処理53、ログ
データファイルを作成するログデータ作成処理54の機能
などを備え、これら機能がソフトウエアで構成されてい
る。The host computer 45 has a process device
A correction value calculation computer 47 for automatically correcting the 31 process data appropriately is connected. As shown in FIG. 2, the computer 47 for calculating the correction value includes process data for forming a film by the process device 31 and the process device 31.
A data extraction process 48 having a function of an acquisition unit that acquires inspection data obtained by inspecting the state of the film formation performed by the inspection device 41 from the data storage unit 46 of the host computer 45, and is obtained by the data extraction process 48. Correction value calculation processing 49 having a function of a calculation means for calculating a correction value of process data necessary for properly forming a film in the process device 31 from the process data and the inspection data, and the correction value calculation processing 49 A correction value transfer process 50 having a function of a feedback unit for transmitting the correction value of the process data to the host computer 45 so that the correction value of the process data is fed back to the process device 31 for execution, and a screen display to be displayed on the monitor 51. Screen display processing 52 to process, graph data creation processing 53 to create a graph data file, log data creation And the like, and these functions are implemented by software.
【００３０】そして、データ切出処理48で切り出された
切出データファイルが補正値計算処理49およびグラフデ
ータ作成処理53に送られる。補正値計算処理49では、切
出データファイルおよび補正値計算用コンピュータ47内
でデータベース化された補正条件データテーブルが入力
され、補正データファイルが補正値転送処理50に送られ
るとともにモニタデータファイルが画面表示処理52に送
られる。グラフデータ作成処理53では、切出データファ
イルおよび補正条件データテーブルが入力され、グラフ
データファイルが画面表示処理52に送られる。Then, the cutout data file cut out in the data cutout processing 48 is sent to the correction value calculation processing 49 and the graph data creation processing 53. In the correction value calculation processing 49, the cut-out data file and the correction condition data table that is made into a database in the correction value calculation computer 47 are input, the correction data file is sent to the correction value transfer processing 50, and the monitor data file is displayed on the screen. It is sent to the display processing 52. In the graph data creation processing 53, the cutout data file and the correction condition data table are input, and the graph data file is sent to the screen display processing 52.
【００３１】なお、プロセス装置31は成膜を実施する複
数の処理室32を備えているので、各処理室32毎に対応し
て、プロセスデータおよび検査データを取得するととも
に、プロセスデータの補正値を計算してフィードバック
する。Since the process apparatus 31 includes a plurality of processing chambers 32 for performing film formation, process data and inspection data are obtained for each processing chamber 32, and a correction value of the process data is obtained. Is calculated and fed back.
【００３２】また、補正値計算用コンピュータ47は、プ
ロセスデータの補正値を計算してフィードバックさせる
条件として、図３に示すように、検査された膜厚ｄが適
正な管理範囲内つまり目標膜厚Ｄを基準とする管理幅Ｚ
内にあるか否かを、ｄ＞Ｄ＋Ｄ・Ｚ、ｄ＞Ｄ＋Ｄ・（−
Ｚ）の式により判断するもので、管理幅内であればプロ
セスデータの補正値を計算しないでプロセス装置31にも
フィードバックせず、管理幅外であればプロセスデータ
の補正値を計算してプロセス装置31にフィードバックす
る。As shown in FIG. 3, the correction value calculating computer 47 calculates the correction value of the process data and feeds it back as shown in FIG. Management width Z based on D
D> D + D.Z, d> D + D. (-
Z), the correction value of the process data is not calculated and fed back to the process device 31 if the value is within the control range, and the correction value of the process data is calculated and calculated if the value is outside the control range. This is fed back to the device 31.
【００３３】さらに、補正値計算用コンピュータ47は、
最新のロットから過去の所定数のロット分までの検査デ
ータから移動平均値を求めて傾向管理をし、この傾向管
理で得られる値が、管理幅内にあってもその管理幅の限
度域付近にある場合にはプロセスデータの補正値を計算
してプロセス装置31にフィードバックさせる機能を有し
ている。つまり、最新の移動平均値が、予め設定された
目標膜厚からの乖離率範囲外になった場合に、管理幅内
にあってもプロセスデータの補正値を計算してプロセス
装置31にフィードバックさせる。Further, the computer 47 for calculating the correction value
The trend management is performed by calculating the moving average value from the inspection data from the latest lot to a specified number of past lots, and even if the value obtained by this trend management is within the control range, it is near the limit of the control range. In this case, the function of calculating the correction value of the process data and feeding it back to the process device 31 is provided. In other words, when the latest moving average value is out of the range of the deviation rate from the preset target film thickness, the correction value of the process data is calculated and fed back to the process device 31 even within the management width. .
【００３４】移動平均値を求めるには、ｐｐ平均法また
は加重平均法のいずれかが適宜用いられる。なお、以下
の式で用いる変数の定義は、Ｎx-a〜Ｎx：最新のロット
から過去の所定数のロットまでのロット数、Ｄ：目標膜
厚、ｄ：測定した膜厚、Ｚ：管理幅、Ｔ0：設定処理時
間、Ｒ：測定された膜厚レート（＝ｄ／Ｔ0）、Ｔ：設
定する成膜時間（＝Ｄ／Ｒ）である。To determine the moving average, either the pp average method or the weighted average method is used as appropriate. The variables used in the following equations are defined as Nx-a to Nx: the number of lots from the latest lot to a predetermined number of past lots, D: target film thickness, d: measured film thickness, Z: control width , T0: set processing time, R: measured film thickness rate (= d / T0), and T: set film formation time (= D / R).
【００３５】ｐｐ平均法では、検査された膜厚の最大値
と最大値との平均を求めるもので、サンプルを最新のロ
ットから過去の所定数のロットまでとすることで、移動
平均値ｄ＝（max（Ｎx-a〜Ｎx）＋min（Ｎx-a〜Ｎx））
が求められる。In the pp averaging method, an average of the maximum value and the maximum value of the inspected film thickness is obtained. By moving the sample from the latest lot to a predetermined number of past lots, the moving average value d = (Max (Nx-a to Nx) + min (Nx-a to Nx))
Is required.
【００３６】そして、プロセスデータの補正値を計算し
てフィードバックする場合には、求められた移動平均値
ｄから膜厚レートＲ＝ｄ／Ｔ0を求め、さらに、成膜時
間Ｔ＝Ｄ／Ｒを求めることにより、プロセスデータの補
正値として成膜時間Ｔを求めることができる。When the correction value of the process data is calculated and fed back, the film thickness rate R = d / T0 is calculated from the obtained moving average value d, and the film formation time T = D / R is calculated. By this, the film formation time T can be obtained as a correction value of the process data.
【００３７】また、加重平均法では、最新のロットから
過去の所定数のロット分について、最新のロットを過去
のロットより重点をおいて平均化するもので、加重値と
して時間をパラメータとした重み付けをする加重係数を
用い、加重平均つまり加重移動平均が求められる。In the weighted averaging method, the latest lot is averaged for a predetermined number of past lots from the latest lot with emphasis on the past lots. , A weighted average, that is, a weighted moving average, is obtained.
【００３８】加重係数は、（データ１・Ｄt1／Ｄp）＋
（データ２・Ｄt2／Ｄp）＋……（データＮ・ＤtN／Ｄ
p）の式で求められる。データ１〜データＮは各ロッド
の検査された薄膜の膜厚であり、Ｄt1〜ＤtNは経過ロッ
トカウント（最新のロットから経過したロット数）であ
り、Ｄpは加重計数算出ロット数である。The weighting factor is (data 1 · Dt1 / Dp) +
(Data 2 · Dt2 / Dp) + ... (Data N · DtN / D
It can be obtained by the formula of p). Data 1 to data N are the thickness of the inspected thin film of each rod, Dt1 to DtN are elapsed lot counts (the number of lots that have elapsed since the latest lot), and Dp is the weighted count calculated lot number.
【００３９】加重平均は、加重係数／（Ｄt1／Ｄp）＋
（Ｄt2／Ｄp）……（ＤtN／Ｄp）の式で求められる。The weighted average is calculated by a weighting factor / (Dt1 / Dp) +
(Dt2 / Dp)... (DtN / Dp)
【００４０】そして、プロセスデータの補正値を計算し
てフィードバックする場合には、成膜時間Ｔを、Ｔ＝目
標膜厚・設定成膜時間／加重平均の式で求めることによ
り、プロセスデータの補正値として成膜時間Ｔを求める
ことができる。When the correction value of the process data is calculated and fed back, the film formation time T is calculated by the following equation: T = target film thickness / set film formation time / weighted average. The film formation time T can be obtained as a value.
【００４１】次に、プロセスデータフィードバックシス
テムの動作を説明する。Next, the operation of the process data feedback system will be described.
【００４２】プロセス装置31では、端末42から送信され
る設定されたプロセスデータに基づいて、ロット単位に
受け入れた複数枚のガラス基板11を各処理室32に搬入
し、各ガラス基板11上に薄膜を成膜し、各処理室32で処
理した実処理データを端末42を通じてホストコンピュー
タ45に送信する。ホストコンピュータ45では実処理デー
タを入力してデータ蓄積部46に蓄積する。In the process device 31, a plurality of glass substrates 11 received in lot units are carried into each processing chamber 32 based on the set process data transmitted from the terminal 42, and a thin film is placed on each glass substrate 11. The actual processing data processed in each processing chamber 32 is transmitted to the host computer 45 through the terminal 42. The host computer 45 inputs the actual processing data and stores it in the data storage unit 46.
【００４３】プロセス装置31で成膜の完了したガラス基
板11をロット単位にプロセス装置31から検査装置41に移
す。The glass substrate 11 on which film formation has been completed in the process device 31 is transferred from the process device 31 to the inspection device 41 in lot units.
【００４４】検査装置41では、各ガラス基板11上に成膜
された薄膜の膜厚を検査し、検査結果を含む検査データ
を転送用端末44を通じてホストコンピュータ45に転送す
る。ホストコンピュータ45では検査データを入力してデ
ータ蓄積部46に蓄積する。The inspection device 41 inspects the thickness of the thin film formed on each glass substrate 11 and transfers inspection data including the inspection result to the host computer 45 through the transfer terminal 44. The host computer 45 inputs the inspection data and stores it in the data storage unit 46.
【００４５】検査装置41で検査の完了したガラス基板11
をロット単位に検査装置41から次工程に移す。The glass substrate 11 which has been inspected by the inspection device 41
Are transferred from the inspection device 41 to the next process in lot units.
【００４６】補正値計算用コンピュータ47は、ホストコ
ンピュータ45のデータ蓄積部46に蓄積された実処理デー
タおよび検査データを取得し、検査データから薄膜の膜
厚が管理幅内にあるか否か、傾向管理で得られた値が管
理幅内にあってもその管理幅の限度域近くにあるか否か
により、プロセスデータの補正が必要か否かを判断す
る。The correction value calculation computer 47 obtains the actual processing data and the inspection data stored in the data storage unit 46 of the host computer 45, and determines whether or not the film thickness of the thin film is within the management range from the inspection data. Even if the value obtained by the trend management is within the management range, it is determined whether or not the process data needs to be corrected based on whether or not it is near the limit of the management range.
【００４７】検査データから薄膜の膜厚が管理幅内にあ
り、かつ、傾向管理で得られた値も目標膜厚に近い場合
には、補正の必要がないと判断し、プロセスデータの補
正値を計算せず、フィードバックをすることもない。こ
れにより、不必要なフィードバックを抑制できるため、
各ロット毎に常にフィードバックを繰り返した場合のよ
うに、ロット毎に膜厚の増減を繰り返して目標膜厚に収
束しない状態になるのを防止できる。If the film thickness of the thin film is within the control range from the inspection data and the value obtained by the trend management is close to the target film thickness, it is determined that no correction is necessary, and the correction value of the process data is determined. And does not provide feedback. This can reduce unnecessary feedback,
It is possible to prevent a situation where the film thickness does not converge to the target film thickness by repeatedly increasing and decreasing the film thickness for each lot as in the case where feedback is always repeated for each lot.
【００４８】検査データから薄膜の膜厚が管理幅を越え
ているか、傾向管理で得られた値が管理幅内にあっても
その管理幅の限度域近くにある場合には、補正が必要と
判断し、実処理データおよび検査データを照合して、プ
ロセス装置31で適正な成膜を実施するのに必要なプロセ
スデータの補正値を求め、求められたプロセスデータの
補正値をホストコンピュータ45に送信する。ホストコン
ピュータ45は、補正値計算用コンピュータ47から送信さ
れたプロセスデータの補正値を端末42を通じてプロセス
装置31に送信する。そして、プロセス装置31は、プロセ
スデータの補正値に基づいて、次回のロットの成膜工程
を実行する。If the thickness of the thin film exceeds the control width from the inspection data, or if the value obtained by the trend control is within the control width but close to the limit of the control width, correction is necessary. Judgment is made, the actual processing data and the inspection data are collated, a correction value of process data necessary for performing proper film formation in the process device 31 is obtained, and the correction value of the obtained process data is sent to the host computer 45. Send. The host computer 45 transmits the correction value of the process data transmitted from the correction value calculation computer 47 to the process device 31 through the terminal 42. Then, the process device 31 executes the film forming process of the next lot based on the correction value of the process data.
【００４９】このように、補正値計算用コンピュータ47
により、プロセス装置31で成膜を実施したプロセスデー
タ、およびプロセス装置31で実施された成膜の状態を検
査装置41で検査した検査データを取得することで、これ
らプロセスデータおよび検査データからプロセス装置31
で適正に成膜させるのに必要な最適なプロセスデータの
補正値を求めることができ、そして、求めたプロセスデ
ータの補正値をプロセス装置31にフィードバックさせて
実施させることで、プロセス装置31のプロセスデータを
適正に自動補正でき、プロセス装置31で適正な成膜を実
施できる。そのため、薄膜の膜厚を適正にして保つこと
ができ、不適正な製品の発生を減少でき、歩留を向上で
きる。As described above, the computer 47 for calculating the correction value
By acquiring the process data of the film formation performed by the process device 31 and the inspection data obtained by inspecting the state of the film formation performed by the process device 31 by the inspection device 41, the process device 31
The optimum correction value of the process data required for properly forming a film by the process can be obtained, and the obtained correction value of the process data is fed back to the process device 31 so as to execute the process. The data can be automatically corrected appropriately, and the process apparatus 31 can perform proper film formation. Therefore, the thickness of the thin film can be maintained at an appropriate value, the occurrence of inappropriate products can be reduced, and the yield can be improved.
【００５０】また、複数の検査データから移動平均値を
求めて傾向管理をし、この傾向管理で得られる値が、適
正な管理幅内にあってもその管理幅の限度域近くにある
場合にはプロセスデータの補正値をプロセス装置31にフ
ィードバックするので、膜厚が管理幅を超えるのを未然
に防止できるとともに、目標膜厚に近付けて膜厚をより
最適化できる。Further, a trend is managed by calculating a moving average value from a plurality of inspection data. If a value obtained by the trend management is within an appropriate management range but close to the limit of the management range. Since the correction value of the process data is fed back to the process device 31, the film thickness can be prevented from exceeding the control width, and the film thickness can be further optimized by approaching the target film thickness.
【００５１】また、プロセス装置31が成膜を実施する複
数の処理室32を備える場合に、各処理室32毎に対応し
て、プロセスデータおよび検査データを取得するととも
に、プロセスデータの補正値を計算してフィードバック
するので、各処理室32毎に処理条件が異なっても、各処
理室32毎に適正なプロセスデータの補正ができる。When the process apparatus 31 includes a plurality of processing chambers 32 for performing film formation, process data and inspection data are obtained for each processing chamber 32, and a correction value of the process data is obtained. Since the calculation and the feedback are performed, even if the processing conditions are different for each processing chamber 32, the process data can be properly corrected for each processing chamber 32.
【００５２】また、補正値計算用コンピュータ47のモニ
タ47aで、実処理データおよび検査データを同時に表示
させることで、処理の状況などを容易に分析できる。さ
らに、プロセスデータを補正した場合と補正しなかった
場合とを同時に表示させることで、補正した場合の効果
を容易に分析できる。Further, by displaying the actual processing data and the inspection data simultaneously on the monitor 47a of the correction value calculating computer 47, the processing status and the like can be easily analyzed. Further, by displaying the case where the process data is corrected and the case where the process data is not corrected at the same time, the effect of the correction can be easily analyzed.
【００５３】また、ホストコンピュータ45で、プロセス
データ、実処理データ、検査データおよびプロセスデー
タの補正値などを履歴として管理することにより、処理
の傾向などを容易に分析できる。Further, by managing the process data, the actual processing data, the inspection data, the correction value of the process data, and the like as a history in the host computer 45, the tendency of the processing can be easily analyzed.
【００５４】なお、処理する条件を特定する１つのレシ
ピには複数のステップが含まれており、これら各ステッ
プをプロセスデータの補正対象とし、かつ、それぞれの
ステップで補正の必要な値のみについて補正するように
してもよい。One recipe for specifying processing conditions includes a plurality of steps. Each step is set as a process data correction target, and only the values that need correction in each step are corrected. You may make it.
【００５５】以下、各ステップをプロセスデータの補正
対象とし、かつ、それぞれのステップで補正の必要な値
のみについて補正する例を説明する。Hereinafter, an example will be described in which each step is a process data correction target, and only the values that need to be corrected in each step are corrected.
【００５６】図１において、プロセス装置31から、１つ
のロット処理完了毎に、補正する可能性のある複数ステ
ップのプロセスデータを端末42に送信し、結果をデータ
蓄積部46に保存する。In FIG. 1, process data of a plurality of steps that may be corrected is transmitted to the terminal 42 from the process device 31 every time one lot process is completed, and the result is stored in the data storage unit 46.
【００５７】補正値計算用コンピュータ47は、データ蓄
積部46に保存された補正する可能性のあるステップのデ
ータを有するプロセスデータを各ステップ毎に所定の計
算方法により補正値計算を実施して、レシピ単位に複数
ステップの計算結果をまとめてホストコンピュータ45に
送信する。The computer 47 for calculating the correction value calculates the correction value of the process data having the data of the step to be corrected stored in the data storage section 46 by a predetermined calculation method for each step. The calculation results of a plurality of steps are collectively transmitted to the host computer 45 for each recipe.
【００５８】ホストコンピュータ45は、端末42を介して
プロセス装置31に補正値を送信する。プロセス装置31は
プロセスデータの補正値に基づいて、次回のロットの成
膜工程を実行する。The host computer 45 transmits the correction value to the processing device 31 via the terminal 42. The process device 31 executes the next lot film forming process based on the correction value of the process data.
【００５９】転送用端末44は、単一のステップを処理す
る場合と同じである。The transfer terminal 44 is the same as when processing a single step.
【００６０】このように、補正する必要のないステップ
は、プロセス装置31からは送信しないようにしているの
で、無駄な補正計算を実施するのを防ぐことができる。As described above, since the steps that do not need to be corrected are not transmitted from the process device 31, it is possible to prevent unnecessary correction calculations from being performed.
【００６１】しかも、１つのレシピに含まれる複数のス
テップ毎に補正することで、きめこまかく最適値を設定
することができ、製品品質を向上できる。Moreover, by correcting for each of a plurality of steps included in one recipe, an optimal value can be set finely and the product quality can be improved.
【００６２】なお、前記実施の形態のように、膜厚の管
理が重要な要因であるポリシリコン膜で形成される活性
層13の成膜に適用することが特に有効であるが、活性層
13に限らず、他の薄膜の成膜にも適用でき、同様の作用
効果が得られる。As described in the above embodiment, it is particularly effective to apply the present invention to the formation of the active layer 13 formed of a polysilicon film whose thickness control is an important factor.
The present invention can be applied not only to the formation of the thin film 13 but also to the formation of other thin films, and the same operation and effect can be obtained.
【００６３】[0063]
【発明の効果】本発明によれば、プロセス装置で成膜を
実施したプロセスデータ、およびプロセス装置で実施さ
れた成膜の状態を検査した検査データを取得すること
で、これらプロセスデータおよび検査データからプロセ
ス装置で適正に成膜させるのに必要な最適なプロセスデ
ータの補正値を求めることができ、そして、求めたプロ
セスデータの補正値をプロセス装置にフィードバックさ
せて実施させることで、プロセス装置のプロセスデータ
を適正に自動補正でき、プロセス装置で適正な成膜を実
施できる。According to the present invention, process data obtained by forming a film by a process apparatus and inspection data obtained by inspecting the state of a film formed by the process apparatus are obtained, whereby the process data and the inspection data are obtained. From the process device, it is possible to obtain the optimum correction value of the process data necessary for proper film formation with the process device, and the obtained correction value of the process data is fed back to the process device so that the process device can execute the correction value. Process data can be properly and automatically corrected, and appropriate film formation can be performed by a process device.
【図１】本発明の一実施の形態を示すプロセスデータ補
正方法およびその装置を適用したプロセスデータフィー
ドバックシステムの構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a process data feedback system to which a process data correction method and an apparatus thereof according to an embodiment of the present invention are applied.
【図２】同上の補正値計算用コンピュータの機能のブロ
ック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating functions of a computer for calculating a correction value according to the first embodiment.
【図３】同上検査装置で検査された薄膜の膜厚を示すグ
ラフである。FIG. 3 is a graph showing a film thickness of a thin film inspected by the inspection apparatus.
【図４】同上プロセス装置のチャンバの概略構成図であ
る。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a chamber of the process apparatus.
【図５】同上液晶表示装置のアレイ基板に形成される薄
膜トランジスタの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a thin film transistor formed on an array substrate of the liquid crystal display device.
31 プロセス装置 32 処理室としてのチャンバ 41 検査装置 47 取得手段、計算手段およびフィードバック手段の
機能を有する補正値計算用コンピュータ31 Process device 32 Chamber as a processing room 41 Inspection device 47 Computer for calculating a correction value having functions of acquisition means, calculation means and feedback means
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 豊弘 神奈川県川崎市幸区堀川町66番２ 東芝エ ンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 BA29 BA44 BB03 BB12 CA06 DA08 FA03 HA03 HA04 KA39 KA41 LA15 4M106 AA01 CA48 DJ17 DJ20 DJ21 DJ38 5F045 AB03 AB32 GB13 GB16 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toyohiro Murakami 66-2 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture F-term (reference) 4K030 BA29 BA44 BB03 BB12 CA06 DA08 FA03 HA03 HA04 KA39 KA41 LA15 4M106 AA01 CA48 DJ17 DJ20 DJ21 DJ38 5F045 AB03 AB32 GB13 GB16
Claims (8)
データ、およびプロセス装置で実施された成膜の状態を
検査した検査データを取得し、 これらプロセスデータおよび検査データから、プロセス
装置で適正に成膜させるのに必要なプロセスデータの補
正値を求め、 求めたプロセスデータの補正値をプロセス装置にフィー
ドバックして実施させることを特徴とするプロセスデー
タ補正方法。1. Process data obtained by performing a film formation by a process device and inspection data obtained by inspecting a state of a film formation performed by the process device are acquired, and the process data and the inspection data are appropriately formed by the process device. A process data correction method comprising: obtaining a correction value of process data necessary for forming a film; and feeding back the obtained correction value of the process data to a process device to execute the process data.
ある場合にはプロセスデータの補正値をプロセス装置に
フィードバックせず、適正な管理範囲外にある場合には
プロセスデータの補正値をプロセス装置にフィードバッ
クすることを特徴とする請求項１記載のプロセスデータ
補正方法。2. When the value of the inspection data is within an appropriate management range, the correction value of the process data is not fed back to the process device. When the value of the inspection data is outside the appropriate management range, the correction value of the process data is changed. 2. The method according to claim 1, wherein feedback is provided to a process device.
て傾向管理をし、この傾向管理で得られる値が、適正な
管理範囲内にあってもその管理範囲の限度域付近にある
場合にはプロセスデータの補正値をプロセス装置にフィ
ードバックすることを特徴とする請求項２記載のプロセ
スデータ補正方法。3. A moving average value is obtained from a plurality of inspection data to perform trend management. If a value obtained by the trend management is within an appropriate management range but is close to a limit of the management range. 3. The method according to claim 2, wherein a feedback value of the process data is fed back to the process device.
理室を備える場合に、各処理室毎に対応して、プロセス
データおよび検査データを取得するとともに、プロセス
データの補正値を求めてフィードバックすることを特徴
とする請求項１ないし３いずれか記載のプロセスデータ
補正方法。4. When a process apparatus includes a plurality of processing chambers for performing film formation, process data and inspection data are obtained for each processing chamber, and a correction value of the process data is obtained to provide feedback. 4. The method according to claim 1, wherein the process data is corrected.
データ、およびプロセス装置で実施された成膜の状態を
検査装置で検査した検査データを取得する取得手段と、 この取得手段で取得されたプロセスデータおよび検査デ
ータから、プロセス装置で適正に成膜させるのに必要な
プロセスデータの補正値を計算する計算手段と、 この計算手段で計算されたプロセスデータの補正値をプ
ロセス装置にフィードバックして実施させるフィードバ
ック手段とを具備していることを特徴とするプロセスデ
ータ補正装置。5. An acquisition unit for acquiring process data obtained by forming a film by a process device and inspection data obtained by inspecting a state of a film formed by the process device by an inspection device, and a process acquired by the acquisition unit. A calculation means for calculating a correction value of process data necessary for properly forming a film with a process device from data and inspection data; and a correction value of the process data calculated by the calculation means is fed back to the process device for execution. And a feedback means for causing the process data to be corrected.
管理範囲内にある場合にはプロセスデータの補正値をプ
ロセス装置にフィードバックせず、適正な管理範囲外に
ある場合にはプロセスデータの補正値をプロセス装置に
フィードバックすることを特徴とする請求項５記載のプ
ロセスデータ補正装置。6. The calculation means does not feed back the correction value of the process data to the process device when the value of the inspection data is within the proper management range, and when the value of the inspection data is outside the proper management range, 6. The process data correction device according to claim 5, wherein the correction value is fed back to the process device.
平均値を求めて傾向管理をし、この傾向管理で得られる
値が、適正な管理範囲内にあってもその管理範囲の限度
域付近にある場合にはプロセスデータの補正値をプロセ
ス装置にフィードバックすることを特徴とする請求項６
記載のプロセスデータ補正装置。7. The calculation means calculates a moving average value from a plurality of inspection data and manages the trend. Even if the value obtained by the trend management is within an appropriate management range, the calculation means may be in the vicinity of the limit of the management range. Wherein the correction value of the process data is fed back to the process device.
The process data correction device according to the above.
理室を備える場合に、各処理室毎に対応して、プロセス
データおよび検査データを取得するとともに、プロセス
データの補正値を計算してフィードバックすることを特
徴とする請求項５ないし７いずれか記載のプロセスデー
タ補正装置。8. When a process apparatus includes a plurality of processing chambers for performing film formation, process data and inspection data are acquired and a correction value of the process data is calculated for each processing chamber. 8. The process data correction apparatus according to claim 5, wherein feedback is provided.
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