JP2002182179A - Liquid crystal device and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal device and method of manufacturing the same

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JP2002182179A
JP2002182179A JP2000381931A JP2000381931A JP2002182179A JP 2002182179 A JP2002182179 A JP 2002182179A JP 2000381931 A JP2000381931 A JP 2000381931A JP 2000381931 A JP2000381931 A JP 2000381931A JP 2002182179 A JP2002182179 A JP 2002182179A
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liquid crystal
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substrates
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device reducing the generation of a galvanic corrosion or the like in a region between substrates outside a sealing material and a method of manufacturing the same. SOLUTION: The width of the region between the substrates outside the sealing material is reduced by carrying out laser cutting along scribe grooves 110a, 120a formed on the upper side of outer peripheries of the sealing material 13, and thereby, a galvanic corrosion is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置及びその製
造方法に係り、特に、基板の分割工程に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a substrate dividing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、液晶装置を構成する液晶パネル
は、2枚のガラス等からなる基板をシール材によって貼
り合わせ、シール材の内側に液晶を封入することによっ
て形成されている。比較的小型の液晶パネルは、液晶パ
ネルに相当する部分を複数包含する大型の母基板をシー
ル材によって張り合わせて大判パネルを構成し、この大
判パネルを分割することにより個々の液晶パネルを形成
する多数個取りの製造工程によって製造される。
2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal panel constituting a liquid crystal device is formed by bonding two substrates made of glass or the like with a sealing material and sealing liquid crystal inside the sealing material. A relatively small-sized liquid crystal panel is composed of a large-sized mother board including a plurality of portions corresponding to the liquid-crystal panel, which are bonded to each other with a sealing material to form a large-sized panel, and the large-sized panel is divided to form individual liquid-crystal panels. It is manufactured by an individual manufacturing process.

【0003】図14は、従来の液晶パネルの概略構造を
示す縦断面図(a)及びこの縦断面図内のBで示す部分
を拡大して示す部分平面透視図(b)である。液晶パネ
ル9は、ガラス等からなる基板1と2とがシール材3に
よって貼り合わされてなり、シール材3の内側に図示し
ない液晶が封入されている。基板1は、基板2の端面2
aよりも外側に張り出した基板張出部1aを備えてい
る。基板1,2の内面上には図示しない電極が形成さ
れ、これらの電極には図14(b)に示す配線1bが導
電接続され、これらの配線1bは上記の基板張出部1a
の表面上に引き出されるように形成されている。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view (a) showing a schematic structure of a conventional liquid crystal panel, and a partial plan perspective view (b) showing an enlarged portion indicated by B in the longitudinal sectional view. The liquid crystal panel 9 is formed by bonding substrates 1 and 2 made of glass or the like with a sealing material 3, and a liquid crystal (not shown) is sealed inside the sealing material 3. The substrate 1 is an end surface 2 of the substrate 2
and a substrate overhanging portion 1a which extends outwardly from a. Electrodes (not shown) are formed on the inner surfaces of the substrates 1 and 2, and wirings 1b shown in FIG. 14B are conductively connected to these electrodes.
It is formed so as to be drawn out on the surface of the.

【0004】上記液晶パネル9における基板1,2の外
周に形成される端面(図示の端面2aを含む。)は、公
知のスクライブ・ブレイク法等によって上記の大判パネ
ルを構成する母基板を破断させることによって形成され
る。このとき、スクライブ加工によって基板表面にスク
ライブ溝が形成され、そのスクライブ溝に沿って応力を
加えることによって基板が破断される。ここで、スクラ
イブ溝がシール材3の直上位置を通過するように形成さ
れてしまうと、シール材3の存在により破断面がスクラ
イブ溝からずれて形成されてしまうなどの破断不良が発
生しやすくなるので、一般に、スクライブ溝をシール材
3から或る程度離れた位置に形成し、破断不良が生じな
いようにしている。
The end faces (including the end face 2a shown) formed on the outer periphery of the substrates 1 and 2 in the liquid crystal panel 9 break the mother substrate constituting the large format panel by a known scribe-break method or the like. Formed by At this time, scribe grooves are formed on the substrate surface by the scribe processing, and the substrate is broken by applying stress along the scribe grooves. Here, if the scribe groove is formed so as to pass directly above the seal material 3, breakage failures such as the fracture surface being formed shifted from the scribe groove due to the presence of the seal material 3 are likely to occur. Therefore, generally, a scribe groove is formed at a position away from the sealing material 3 by a certain distance so that a breakage failure does not occur.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の液晶
パネル9の製造工程においては、シール材3の図示しな
い開口部から液晶を注入し、封止する作業が行われるた
め、液晶がシール材3の外側における基板1,2の間の
領域C(以下、単に「外側基板間領域」という。)に侵
入してしまう場合がある。そこで、その液晶を除去する
ために洗浄を行うが、基板1,2の間隔はセルギャップ
と同じ3〜10μm程度であり、一方、外側基板間領域
Cにおけるシール材3の外縁から端面2aまでは、上述
のように破断不良を回避するために通常0.5〜1.0
mm程度以上の幅があるため、洗浄だけでは侵入した液
晶を外側基板間領域Cから充分に排除することができ
ず、その結果、液晶装置の使用時において、当該外側基
板間領域Cに臨む配線1bにコロージョンやエロージョ
ンが生じる場合があるという問題点がある。
In the manufacturing process of the liquid crystal panel 9, liquid crystal is injected from an opening (not shown) of the sealing material 3 and sealing is performed. May enter the region C between the substrates 1 and 2 (hereinafter, simply referred to as “the region between the outer substrates”). Therefore, cleaning is performed to remove the liquid crystal. The distance between the substrates 1 and 2 is about 3 to 10 μm, which is the same as the cell gap. As described above, in order to avoid breaking failure, usually 0.5 to 1.0
Since the width is not less than about mm, the liquid crystal which has entered cannot be sufficiently removed from the outer inter-substrate region C only by washing, and as a result, the wiring facing the outer inter-substrate region C when the liquid crystal device is used. 1b has a problem that corrosion and erosion may occur.

【0006】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、外側基板間領域における電解腐食
等の発生を低減することのできる液晶装置及びその製造
方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a liquid crystal device capable of reducing the occurrence of electrolytic corrosion and the like in a region between outer substrates and a method of manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の液晶装置は、シール材を介して2枚の基板を
貼り合わせ、前記シール材の内側の前記基板間に液晶を
封入してなる液晶装置であって、前記基板の外周の少な
くとも一部の端面が前記シール材上若しくは前記シール
材の外縁から外側に100μm以内の範囲に形成されて
いることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a liquid crystal device according to the present invention comprises two substrates bonded together via a sealing material, and liquid crystal is sealed between the substrates inside the sealing material. Wherein at least a part of an end face of an outer periphery of the substrate is formed within a range of 100 μm on the sealing material or outside from an outer edge of the sealing material.

【0008】基板の端面がシール材上若しくはシール材
の外縁から外側に100μm以内の範囲に形成されてい
ることにより、外側基板間領域が存在する場合でもシー
ル材の外縁と基板端面との距離が100μm以下となる
ため、侵入した液晶を洗浄によって容易に除去すること
が可能になり、外側基板間領域におけるコロージョンや
エロージョンの発生を低減することができる。
Since the end face of the substrate is formed on the seal material or outside the outer edge of the seal material within a range of 100 μm or less, the distance between the outer edge of the seal material and the end face of the substrate can be reduced even when an outer inter-substrate region exists. Since the thickness is 100 μm or less, the penetrated liquid crystal can be easily removed by washing, and the occurrence of corrosion and erosion in the region between the outer substrates can be reduced.

【0009】ここで、上記端面がシール材の外縁から内
側に100μm以内の範囲にあることが好ましい。この
場合には、端面がシール材上に位置する場合でも、シー
ル材のはみ出し幅が100μm以内になっているため、
基板の破断時におけるシール材の変形や分割量が少なく
なるので、シール不良を防止することができる。
Here, it is preferable that the end face be within a range of 100 μm inward from the outer edge of the sealing material. In this case, even when the end face is located on the sealing material, the protrusion width of the sealing material is within 100 μm.
Since the deformation and the amount of division of the sealing material when the substrate is broken are reduced, it is possible to prevent poor sealing.

【0010】本発明において、前記端面が前記シール材
の外縁から外側に60μm以内の範囲に形成されている
ことが好ましい。この場合には、外側基板間領域の幅が
60μm以内に制限されていることにより、外側基板間
領域に残存する電解質をさらに低減することができる。
In the present invention, it is preferable that the end face is formed within a range of 60 μm outside the outer edge of the sealing material. In this case, since the width of the region between the outer substrates is limited to 60 μm or less, the electrolyte remaining in the region between the outer substrates can be further reduced.

【0011】本発明において、前記端面が前記シール材
上に配置されていることが好ましい。端面がシール材上
に配置されていることによって、外側基板間領域が全く
存在しないため、コロージョンやエロージョンの発生を
防止することができる。
In the present invention, it is preferable that the end face is arranged on the sealing material. Since the end face is disposed on the sealing material, there is no region between the outer substrates, so that occurrence of corrosion or erosion can be prevented.

【0012】本発明において、前記2枚の基板のうち、
一方の前記基板に、他方の前記基板の外縁よりも外側へ
張り出した基板張出部が設けられ、該基板張出部の表面
上に前記シール材から配線が引き出されてなり、前記端
面は、他方の前記基板における前記基板張出部に対向す
る外端部に設けられていることが好ましい。基板張出部
に対向する外端部にシール材上若しくはシール材の外縁
から外側に100μm以内の範囲に形成された端面が形
成されていることにより、基板張出部上に形成された配
線に対するコロージョンやエロージョンを低減すること
ができる。
In the present invention, of the two substrates,
One of the substrates is provided with a substrate overhang extending outside the outer edge of the other substrate, and wiring is drawn out of the sealing material on the surface of the substrate overhang, and the end face is Preferably, it is provided at the outer end of the other substrate facing the substrate overhang. Since the end face formed on the seal material or outside the outer edge of the seal material within a range of 100 μm is formed at the outer end portion opposite to the substrate overhang portion, it is possible to prevent the wiring formed on the substrate overhang portion from being formed. Corrosion and erosion can be reduced.

【0013】本発明において、前記端面が基板素材の局
所的な膨張及び収縮によって生ずる内部応力に起因する
破断面からなることが好ましい。基板素材の局所的な膨
張及び収縮によって生ずる内部応力に起因して生ずる破
断面は、外部応力に起因して生じた破断面とは異なり、
チッピングや段差がほとんどない平滑面状に形成され
る。このような内部応力は、基板素材を局所的に加熱若
しくは冷却することによって生じさせることができ、こ
れには例えばレーザ光照射などの光照射による加熱及び
その後に生ずる冷却が含まれる。外部応力を用いないこ
とによって、シール材の近傍若しくはシール材上の基板
部分を破断させる場合にも、シール材に応力を加えるこ
とがなく、また、シール材から影響を受けることもな
く、安定的に基板素材を破断させることができる。ま
た、破断面上にマイクロクラックが形成されにくいた
め、パネル強度を高めることができる。
In the present invention, it is preferable that the end face has a fractured surface caused by internal stress caused by local expansion and contraction of the substrate material. The fracture surface caused by internal stress caused by local expansion and contraction of the substrate material is different from the fracture surface caused by external stress.
It is formed into a smooth surface with almost no chipping or steps. Such an internal stress can be generated by locally heating or cooling the substrate material, and includes, for example, heating by light irradiation such as laser light irradiation and subsequent cooling. By not using external stress, even when the substrate near the seal material or the substrate part on the seal material is broken, no stress is applied to the seal material, and the seal material is not affected and stable. The substrate material can be easily broken. Moreover, since microcracks are not easily formed on the fractured surface, the panel strength can be increased.

【0014】本発明において、前記端面には、基板表面
との間の稜線に沿って伸びるリブマークが形成されてい
る場合がある。
In the present invention, the end face may be formed with a rib mark extending along a ridge line between the end face and the substrate surface.

【0015】本発明において、前記端面の角部近傍にリ
ブマークが形成されている場合もある。
In the present invention, a rib mark may be formed near a corner of the end face.

【0016】リブマークは、基板を破断作用を開始させ
るための傷痕(スクライブ溝など)の痕跡であり、傷痕
を形成することによって内部応力を傷痕の形成部分に集
中させ、傷痕の形成位置から破断を進行させることがで
きる。
The rib mark is a mark of a scar (a scribe groove or the like) for starting the breaking action of the substrate. By forming the scar, the internal stress is concentrated on the portion where the scar is formed, and the break is started from the position where the scar is formed. Let it proceed.

【0017】本発明において、前記端面には、基板表面
との間の稜線に沿ってリブマークが形成されてなり、前
記リブマークは前記稜線の端部および前記稜線の両端部
の間に位置しており、前記端部に位置するリブマークの
深さは、前記稜線の両端部の間に位置する少なくとも一
つのリブマークの深さと異なることが好ましい。この手
段によれば、例えば、レーザ割断の直進性が基板端面近
傍に比べて安定している分割予定線の両端部の間(の領
域)においては、傷痕の深さを浅くすることにより、マ
イクロクラックの発生量を低減しパネル強度の向上を図
ることができると共に、中間工程での不所望のタイミン
グでの基板の割れが生ずる可能性を低減でき、且つ端部
の傷痕の深さが深いことにより、レーザ割断による熱分
布の不安定な基板端面近傍のレーザ割断の直進性を安定
させることができる。
In the present invention, a rib mark is formed on the end surface along a ridge line between the end surface and the substrate surface, and the rib mark is located between an end of the ridge line and both ends of the ridge line. Preferably, the depth of the rib mark located at the end is different from the depth of at least one rib mark located between both ends of the ridge line. According to this means, for example, by reducing the depth of the scar between the two ends of the planned dividing line where the straightness of laser cutting is more stable than the vicinity of the end face of the substrate, the depth of the scar is reduced. The amount of cracks can be reduced and the panel strength can be improved, the possibility of the substrate cracking at an undesired timing in the intermediate process can be reduced, and the depth of the end scar is deep. Thereby, the straightness of laser cutting near the substrate end surface where the heat distribution is unstable due to laser cutting can be stabilized.

【0018】次に、本発明の液晶装置の製造方法は、シ
ール材を介して2枚の基板を貼り合わせ、前記シール材
の内側の前記基板間に液晶を封入してなる液晶装置の製
造方法であって、前記2枚の基板のうち、少なくとも一
方の前記基板における、前記シール材上若しくは前記シ
ール材の外縁から外側に100μm以内の範囲にある部
位を破断させる工程を具備することを特徴とする。ここ
で、前記部位が前記シール材の外縁から内側に100μ
m以内の範囲内にあることが好ましい。
Next, a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal device in which two substrates are bonded together via a sealing material and a liquid crystal is sealed between the substrates inside the sealing material. Wherein at least one of the two substrates is provided with a step of breaking a portion of the at least one substrate within a range of 100 μm on the sealing material or outside from the outer edge of the sealing material. I do. Here, the portion is 100 μm inward from the outer edge of the sealing material.
It is preferably within the range of m or less.

【0019】本発明において、前記部位を、前記シール
材の外縁から外側に60μm以内の範囲にある部位とす
ることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the portion is a portion within a range of 60 μm outside the outer edge of the sealing material.

【0020】本発明において、前記部位を、前記シール
材上に配置された部位とする場合がある。
In the present invention, the part may be a part arranged on the sealing material.

【0021】本発明において、前記部位に光を照射し、
当該光の照射による基板素材の局所的な膨張及び収縮に
よって生ずる内部応力により前記部位を破断させること
が好ましい。この手段によれば、基板に外部応力を加え
ることなく、非接触で所望部位を破断させることができ
る。特に、内部応力によって所望部位を破断させること
ができるので、シール材への応力負荷を低減することが
でき、シール不良等を防止することができ、また、破断
作用がシール材から受ける影響も低減できる。さらに、
破断面も段差部のない平滑な面とすることができるの
で、マイクロクラックの発生も少なくなり、パネル強度
を高めることが可能になる。
In the present invention, light is irradiated to the site,
It is preferable that the portion is broken by internal stress generated by local expansion and contraction of the substrate material due to the light irradiation. According to this means, the desired portion can be broken in a non-contact manner without applying external stress to the substrate. In particular, since a desired portion can be ruptured by internal stress, a stress load on the seal material can be reduced, sealing failure and the like can be prevented, and the influence of the rupture action from the seal material is also reduced. it can. further,
Since the fractured surface can also be a smooth surface without a step, the occurrence of microcracks is reduced and the panel strength can be increased.

【0022】本発明の別の液晶装置の製造方法は、シー
ル材を介して2枚の基板を貼り合わせ、前記シール材の
内側の前記基板間に液晶を封入してなる液晶装置の製造
方法であって、前記基板における前記シール材上の部位
に光を照射し、当該光の照射による基板素材の局所的な
膨張及び収縮によって生ずる内部応力により前記部位を
破断させる工程を具備することを特徴とする。
Another method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method of manufacturing a liquid crystal device in which two substrates are bonded together via a sealing material and a liquid crystal is sealed between the substrates inside the sealing material. A step of irradiating a portion of the substrate on the sealing material with light and breaking the portion by internal stress caused by local expansion and contraction of the substrate material due to the irradiation of light. I do.

【0023】本発明において、一方の前記基板の前記部
位に対して光照射を行うと同時に他方の前記基板に対し
ても光照射を行い、前記2枚の基板を同時に分割するこ
とが好ましい。この手段によれば、2枚の基板を非接触
で同時に分割できるので、迅速に処理を行うことができ
ることはもちろんのこと、他方の基板に妨害されること
もなく、確実に基板を分割することができる。また、2
枚の基板が共に光照射を受けることにより光照射時にお
いて生ずる膨張及び収縮に伴うパネル歪みを低減するこ
とができる。
In the present invention, it is preferable to irradiate the portion of one of the substrates with light and simultaneously irradiate the other of the substrates with light to simultaneously divide the two substrates. According to this means, the two substrates can be simultaneously divided in a non-contact manner, so that the processing can be performed quickly, and the substrate can be surely divided without being disturbed by the other substrate. Can be. Also, 2
When both of the substrates receive light irradiation, panel distortion due to expansion and contraction caused during light irradiation can be reduced.

【0024】本発明において、前記部位を通過する分割
予定線に沿って傷痕を形成し、該傷痕から前記基板を破
断させていくことが好ましい。
In the present invention, it is preferable that a scar is formed along a division line passing through the site, and the substrate is broken from the scar.

【0025】本発明において、前記傷痕を、前記分割予
定線に沿って伸びるスクライブ溝として形成する場合が
ある。
In the present invention, the scar may be formed as a scribe groove extending along the predetermined dividing line.

【0026】本発明において、前記傷痕を、前記分割予
定線上の前記基板の端部に部分的に形成する場合があ
る。
In the present invention, the scar may be partially formed at an end of the substrate on the dividing line.

【0027】本発明において、前記傷痕は、前記基板に
おいて、前記分割予定線の端部および前記分割予定線の
両端部の間に位置しており、前記端部に位置する傷痕の
深さは、前記分割予定線の両端部の間に位置する少なく
とも一つの傷痕の深さと異なることが好ましい。この手
段によれば、例えば、レーザ割断の直進性が基板端面近
傍に比べて安定している分割予定線の両端部の間(の領
域)においては、傷痕の深さを浅くすることにより、マ
イクロクラックの発生量を低減しパネル強度の向上を図
ることができると共に、中間工程での不所望のタイミン
グでの基板の割れが生ずる可能性を低減でき、且つ端部
の傷痕の深さが深いことにより、レーザ割断による熱分
布の不安定な基板端面近傍のレーザ割断の直進性を安定
させることができる。
In the present invention, the scar is located between an end of the planned dividing line and both ends of the planned dividing line on the substrate, and a depth of the scar located at the end is: It is preferable that the depth is different from the depth of at least one scar located between both ends of the planned dividing line. According to this means, for example, by reducing the depth of the scar between the two ends of the planned dividing line where the straightness of laser cutting is more stable than the vicinity of the end face of the substrate, the depth of the scar is reduced. The amount of cracks can be reduced and the panel strength can be improved, the possibility of the substrate cracking at an undesired timing in the intermediate process can be reduced, and the depth of the end scar is deep. Thereby, the straightness of laser cutting near the substrate end surface where the heat distribution is unstable due to laser cutting can be stabilized.

【0028】本発明において、前記傷痕を、前記分割予
定線上の前記基板の両端部にそれぞれ部分的に形成する
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the scar is partially formed on both ends of the substrate on the dividing line.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る液晶装置及びその製造方法の実施形態について詳
細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a liquid crystal device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0030】[第1実施形態]図1は、本発明に係る第
1実施形態の液晶装置の製造方法を模式的に示す概略工
程説明図である。図1(a)に示すように、ガラスから
なる母基板110と120とがシール材13によって貼
り合わせられ、大判パネル100が形成される。この大
判パネル100を構成する母基板110及び120の内
面には、図示しない電極や配線を所定のパターン形状に
て形成した導電体パターンが形成されている。母基板1
10,120上においては、それぞれ基板11となる部
分と基板12となる部分とが交互に配列されており、当
該部分毎に上記の導電体パターンが形成されている。母
基板110と母基板120とは、一方の母基板における
基板11となる部分と、他方の母基板における基板12
となる部分とが相互に対向するようにして貼り合わされ
ている。
[First Embodiment] FIG. 1 is a schematic process explanatory view schematically showing a method of manufacturing a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, mother substrates 110 and 120 made of glass are bonded with a sealant 13 to form a large-sized panel 100. On the inner surfaces of mother substrates 110 and 120 constituting large format panel 100, a conductor pattern in which electrodes and wiring (not shown) are formed in a predetermined pattern shape is formed. Mother board 1
On portions 10 and 120, portions to be substrates 11 and portions to be substrates 12 are alternately arranged, and the conductor pattern is formed for each of the portions. The mother board 110 and the mother board 120 are a part to be the board 11 in one mother board and a board 12 in the other mother board.
Are bonded to each other so as to face each other.

【0031】上記大判パネル100において、母基板1
10にはスクライブ溝110a及び110bが形成さ
れ、母基板120にはスクライブ溝120a及び120
bが形成される。これらのスクライブ溝は、図3に示す
スクライブ装置20によって形成される。
In the large format panel 100, the mother substrate 1
10, scribe grooves 110a and 110b are formed.
b is formed. These scribe grooves are formed by the scribe device 20 shown in FIG.

【0032】このスクライブ装置20は、回転可能に構
成された基台21と、基台21の上方に配置された直動
機構22と、直動機構22によって図示左右に移動可能
に構成されたスクライブヘッド23とを備えている。ス
クライブヘッド23には回転自在に取り付けられた回転
刃状のスクライブカッタ25が設けられている。このス
クライブカッタ25は、その最下位置が所定高さに制限
されているとともに、下方へ向けて常時所定の圧力が加
えられた状態となっている。
The scribing device 20 includes a rotatable base 21, a linear motion mechanism 22 disposed above the base 21, and a scribing device configured to be movable left and right in the drawing by the linear motion mechanism 22. And a head 23. The scribe head 23 is provided with a scribe cutter 25 having a rotary blade shape and rotatably mounted. The lowermost position of the scribe cutter 25 is limited to a predetermined height, and a predetermined pressure is constantly applied downward.

【0033】大判パネル100は上記基台21の上に載
置され、真空吸着等の適宜の方法で固定される。そし
て、上記直動機構22によってスクライブヘッド23は
例えば図示左端から図示右側へ移動を開始し、これによ
ってスクライブカッタ25が基台21上の大判パネル1
00上に乗り上げ、大判パネル100の上側にある母基
板の外面上にスクライブ溝を形成しながら図示右端まで
移動していく。
The large-sized panel 100 is placed on the base 21 and fixed by an appropriate method such as vacuum suction. Then, the scribe head 23 starts to move from the left end in the figure to the right side in the figure, for example, by the linear motion mechanism 22, whereby the scribe cutter 25 moves the large format panel 1 on the base 21.
00, and moves to the right end in the figure while forming scribe grooves on the outer surface of the mother substrate on the upper side of the large format panel 100.

【0034】図4は、上記スクライブ時の状態を拡大し
て示すものである。スクライブカッタ25には、スクラ
イブヘッド23内の機械的構造によって押し込み量Da
及び押し込み圧Faが付与されている。すなわち、スク
ライブカッタ25の刃先25aの最下位置は、基台21
上に固定された大判パネル100の上側の基板上面位置
よりも押し込み量Daだけ下方の位置まで降下可能に構
成され、また、スクライブカッタ25は、常時下方へ押
し込み圧Faで押し下げられている。したがって、スク
ライブカッタ25は最下位置が大判パネル10の基板上
面よりも押し込み量Daだけ下がった状態で大判パネル
10の角部に衝突し、そのまま大判パネル100の基板
上面上に乗り上げ、刃先25aによって大判パネル10
0の上面にスクライブ溝を形成しながら移動していく。
上記押し込み量Daは、スクライブ加工時においてスク
ライブカッタ25が大判パネルの湾曲等の原因によりそ
の基板上面から離れることを防止するためのマージンで
あり、上記押し込み圧Faは、スクライブカッタ25の
刃先25aにより大判パネル100の基板表面に既定の
溝深さDsを有するスクライブ溝を形成するための加工
圧である。
FIG. 4 is an enlarged view of the scribed state. The scribe cutter 25 has an indentation amount Da due to a mechanical structure in the scribe head 23.
And a pressing pressure Fa. That is, the lowest position of the cutting edge 25a of the scribe cutter 25 is
The scribe cutter 25 is configured to be able to be lowered to a position below the upper surface position of the upper substrate of the large format panel 100 fixed thereon by a pushing amount Da, and the scribe cutter 25 is always pushed down by the pushing pressure Fa. Therefore, the scribe cutter 25 collides with the corner of the large-format panel 10 in a state where the lowermost position is lower than the upper surface of the substrate of the large-format panel 10 by the indentation amount Da, and rides on the upper surface of the substrate of the large-format panel 100 as it is. Large format panel 10
0 while forming a scribe groove on the upper surface.
The indentation amount Da is a margin for preventing the scribe cutter 25 from separating from the upper surface of the substrate due to the curvature of the large-size panel or the like during the scribe processing. The indentation pressure Fa is determined by the cutting edge 25a of the scribe cutter 25. This is a processing pressure for forming a scribe groove having a predetermined groove depth Ds on the substrate surface of the large format panel 100.

【0035】上記のスクライブ装置20によって大判パ
ネル100の一方の基板110上にスクライブ溝110
a,110bを形成し、その後、大判パネル100を反
転させて他方の基板120上にスクライブ溝120a,
120bを形成する。その後、図5に示すレーザ割断装
置30を用いて基板110,120を分割する。
The scribe device 20 is used to scribe grooves 110 on one substrate 110 of the large format panel 100.
a, 110b are formed, and then the large format panel 100 is turned over and the scribe grooves 120a,
120b is formed. Thereafter, the substrates 110 and 120 are divided using the laser cutting device 30 shown in FIG.

【0036】図5に示すように、レーザ割断装置30
は、一対のレーザ発振器31,32と、このレーザ発振
器31,32から放出されるレーザ光を加工対象に導
き、集光するための照射光学系33,34と、加工対象
を保持するための保持板35と、保持板35を支持する
支持体36と、支持体36を駆動して加工対象の位置及
び姿勢を調整するための駆動機構37と、上記レーザ発
振器31,32、照射光学系33,34、及び、駆動機
構37を制御するための制御部38とを備えている。
As shown in FIG. 5, the laser cutting device 30
Is a pair of laser oscillators 31 and 32, irradiation optical systems 33 and 34 for guiding laser light emitted from the laser oscillators 31 and 32 to a processing target, and condensing the laser light, and holding for holding the processing target. A plate 35, a support 36 supporting the holding plate 35, a driving mechanism 37 for driving the support 36 to adjust the position and orientation of the processing target, the laser oscillators 31 and 32, the irradiation optical system 33, 34, and a control unit 38 for controlling the driving mechanism 37.

【0037】レーザ発振器31,32としては、CO
レーザ等の気体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、
或いは、半導体レーザその他の各種レーザ発振器を用い
ることができるが、加工対象の光吸収特性を勘案して、
加工対象が有効に吸収しうる帯域の発振波長を備えたも
のを選定する必要がある。例えば、液晶パネルの基板材
料として一般的に用いられるソーダガラス、ホウ珪酸ガ
ラス、石英ガラス等のガラス材料(シリカガラス)を加
工対象とする場合には、COレーザを用いることがで
きる。このレーザ発振器31,32は、その発振出力
(光パワー)を外部から制御できるように構成されてい
る。
As the laser oscillators 31 and 32, CO 2
Gas laser such as laser, solid-state laser such as YAG laser,
Alternatively, a semiconductor laser or other various laser oscillators can be used, but in consideration of the light absorption characteristics of the object to be processed,
It is necessary to select an object having an oscillation wavelength in a band that can be effectively absorbed by the object to be processed. For example, when a glass material (silica glass) such as soda glass, borosilicate glass, and quartz glass, which is generally used as a substrate material of a liquid crystal panel, is to be processed, a CO 2 laser can be used. The laser oscillators 31 and 32 are configured so that their oscillation output (optical power) can be controlled from the outside.

【0038】照射光学系33,34としては、通常、図
示の反射ミラー及び集光レンズを備えたものがあるが、
導光経路や照射スポット径に応じて適宜の光学的構成を
設計することができる。この照射光学系33,34は、
その導光経路及び照射スポット径(集光特性)を外部か
ら制御できるようになっている。
As the irradiation optical systems 33 and 34, there are usually those provided with a reflecting mirror and a condenser lens as shown in FIG.
An appropriate optical configuration can be designed according to the light guide path and the irradiation spot diameter. The irradiation optical systems 33 and 34
The light guide path and the irradiation spot diameter (light collection characteristics) can be controlled from the outside.

【0039】保持板35は、大判パネル100を載置可
能(好ましくは固定可能)に構成されている。保持板3
5は、大判パネル100を載置又は固定する面とは反対
側から(図示下方から)光を照射できるように、例え
ば、上記スクライブ溝17に沿ってスリット状に形成さ
れた光学窓35aを備えている。この光学窓35aは開
口部であっても、或いは、レーザ光を透過可能な素材で
構成されていてもよい。保持板35は加工対象の大き
さ、スクライブ溝の位置や方向によって取付姿勢を変え
ることができるように構成されていることが好ましい。
また、異なる形状の保持板を交換することができるよう
に支持体36に取り付けられていることが好ましい。
The holding plate 35 is configured so that the large-sized panel 100 can be placed (preferably fixed). Holding plate 3
5 is provided with, for example, an optical window 35a formed in a slit shape along the scribe groove 17 so that light can be emitted from the side opposite to the surface on which the large format panel 100 is placed or fixed (from below in the figure). ing. The optical window 35a may be an opening or may be made of a material that can transmit laser light. It is preferable that the holding plate 35 is configured so that the mounting posture can be changed depending on the size of the processing target and the position and direction of the scribe groove.
Further, it is preferable that the holding plate is attached to the support 36 so that a holding plate having a different shape can be exchanged.

【0040】支持体36は、保持板35に接続されてい
るとともに、駆動機構37によって水平方向及び垂直方
向に移動可能に構成されている。支持体36を駆動する
駆動機構37は、支持体36を水平方向及び垂直方向に
移動できるように構成されている。
The support 36 is connected to the holding plate 35 and is configured to be movable in the horizontal and vertical directions by a drive mechanism 37. The drive mechanism 37 for driving the support 36 is configured to move the support 36 in the horizontal and vertical directions.

【0041】制御部38は、上記レーザ発振器31,3
2の発振出力、照射光学系33,34の導光経路及び集
光特性、並びに、駆動機構37の駆動の有無及び位置を
それぞれ調整可能に構成されている。また、レーザ発振
器31,32が発振波長を切り換え可能に構成されてい
る場合には、制御部38は発振波長の切り換えも可能に
構成されていることが好ましい。さらに、レーザ光の照
射スポットをパネル上で走査する場合、パネルの所定部
位における照射エネルギー量(密度)はレーザ出力に比
例し、照射スポットの走査速度に反比例する。一方、基
板の割断作用はレーザ光の照射エネルギー量(密度)に
正の相関を有するので、割断作用を良好な状態に維持す
るために、レーザ出力と照射スポットの走査速度とを制
御部38にて制御し、照射エネルギー量(密度)が所定
範囲内に収まるようにすることが好ましい。
The control unit 38 controls the laser oscillators 31 and 3
2, the light output path, the light guide path and the light collecting characteristics of the irradiation optical systems 33 and 34, and the presence / absence and position of the driving mechanism 37 can be adjusted. When the laser oscillators 31 and 32 are configured to be able to switch the oscillation wavelength, it is preferable that the control unit 38 is also configured to be able to switch the oscillation wavelength. Further, when scanning the irradiation spot of the laser beam on the panel, the irradiation energy amount (density) at a predetermined portion of the panel is proportional to the laser output and inversely proportional to the scanning speed of the irradiation spot. On the other hand, since the cleaving action of the substrate has a positive correlation with the irradiation energy amount (density) of the laser beam, in order to maintain the cleaving action in a good state, the laser output and the scanning speed of the irradiation spot are sent to the control unit 38. It is preferable that the irradiation energy amount (density) falls within a predetermined range.

【0042】本実施形態においては、上記のレーザ割断
装置30を用いることにより、大判パネル100の表裏
の母基板110と母基板120とを、それぞれに形成さ
れたスクライブ溝110a,120aに沿って同時に破
断させる。また、同様に、スクライブ溝110b,12
0bに沿っても両母基板を同時に破断させる。
In the present embodiment, by using the above-described laser cutting device 30, the mother substrate 110 and the mother substrate 120 on the front and back of the large format panel 100 can be simultaneously formed along the scribe grooves 110a, 120a formed respectively. Break. Similarly, the scribe grooves 110b, 12b
Both mother substrates are simultaneously broken along 0b.

【0043】このようにスクライブ線が形成されている
場合には、レーザ光を照射することによって基板の照射
領域が加熱され、膨張することによって一時的に圧縮応
力が生ずるが、その後、照射領域の温度が低下するとと
もに基板素材が収縮し、スクライブ線の両側へ基板素材
を引き離そうとする引張応力が生ずることにより、スク
ライブ線に沿って基板が割断される。したがって、レー
ザ光をスクライブ線に沿って走査していくことにより、
レーザ光の照射スポットが通過した後の部位に引張応力
が生じるので、レーザ光照射にやや遅れてスクライブ溝
に沿った破断が進行していく。
In the case where the scribe line is formed as described above, the irradiation area of the substrate is heated by irradiating the laser beam, and the substrate expands to temporarily generate a compressive stress. As the temperature decreases, the substrate material shrinks, and a tensile stress is generated to separate the substrate material on both sides of the scribe line, whereby the substrate is cut along the scribe line. Therefore, by scanning the laser light along the scribe line,
Since a tensile stress is generated in a portion after the irradiation spot of the laser light has passed, the fracture along the scribe groove progresses slightly after the irradiation of the laser light.

【0044】ここで、上記引張応力の発生を助長するた
めに、レーザ光の照射スポットよりもやや走査方向後方
位置に気流の吹き付けなどで冷却を行うことも可能であ
る。
Here, in order to promote the generation of the tensile stress, it is possible to perform cooling by blowing an air current at a position slightly behind the irradiation spot of the laser beam in the scanning direction.

【0045】上記の大判パネル100その他の液晶パネ
ルに対してレーザ光による基板の割断を行う場合には、
図13に示すように局所的な応力が発生する。例えば、
図13(a)に示すように、2枚の基板51,52をシ
ール材53によって貼り合わせてなるパネル50を考え
る。この場合、基板51にスクライブ溝又はクラック5
1aを形成し、このスクライブ溝又はクラック51aの
近傍にレーザ光を照射すると、上記圧縮応力及び引張応
力はスクライブ溝又はクラック51aを中心に発生し、
例えば引張応力はスクライブ溝又はクラック51aを引
き離そうとする。この応力は、基板51を破断させる応
力となるが、パネル50においてはシール材53を介し
てもう一方の基板52が存在するため、シール材53を
介して基板52にも応力が伝達されるとともに、基板5
1における破断作用がシール材53と基板52とによっ
て妨げられる。
In the case where the substrate is cut by a laser beam on the large format panel 100 and other liquid crystal panels,
As shown in FIG. 13, local stress occurs. For example,
As shown in FIG. 13A, a panel 50 in which two substrates 51 and 52 are bonded together with a sealing material 53 is considered. In this case, scribe grooves or cracks 5
When forming a 1a and irradiating a laser beam near the scribe groove or crack 51a, the compressive stress and the tensile stress are generated around the scribe groove or crack 51a,
For example, tensile stress tends to separate scribe grooves or cracks 51a. This stress causes the substrate 51 to break, but in the panel 50, since the other substrate 52 exists via the sealing material 53, the stress is transmitted to the substrate 52 via the sealing material 53 and , Substrate 5
The breaking action at 1 is prevented by the sealing material 53 and the substrate 52.

【0046】したがって、図13(b)に示すように、
一枚の基板51のみをレーザ割断する場合に較べて、図
13(c)に示すようにパネル50を構成する基板51
のレーザ割断は一般に困難になる。例えば、0.4m
m、0.7mmの厚さの基板を用いて図13(b)に示
す単一の基板51にレーザ光を照射すると、いずれの基
板厚の場合においても良好に割断が行われるが、同様の
条件で図13(c)に示すパネル50を構成する基板5
1に対してレーザ光を照射すると、0.7mm厚の場合
には割断不能となり、0.4mm厚の場合にも割断がで
きない場合が生ずた。さらに、図13(d)に示すよう
に、基板51に対向する基板52の外面にもスクライブ
溝52aを形成した場合には、0.4mm厚の基板では
割断可能であるが、0.7mm厚の基板では割断ができ
ない場合が生じた。また、図13(e)に示すように、
基板52を破断面52bにて破断させた状態で、基板5
1にレーザ光を照射すると、いずれの厚さでも良好に割
断を行うことができた。
Therefore, as shown in FIG.
As compared with the case where only one substrate 51 is laser-cut, the substrate 51 constituting the panel 50 as shown in FIG.
Laser cutting is generally difficult. For example, 0.4m
When a single substrate 51 shown in FIG. 13B is irradiated with a laser beam using a substrate having a thickness of 0.7 mm and a thickness of 0.7 mm, the substrate is satisfactorily cleaved regardless of the substrate thickness. The substrate 5 constituting the panel 50 shown in FIG.
Irradiation of the laser light with respect to No. 1 made it impossible to cut when the thickness was 0.7 mm, and in some cases, it was impossible to cut even when the thickness was 0.4 mm. Further, as shown in FIG. 13D, when a scribe groove 52a is also formed on the outer surface of the substrate 52 facing the substrate 51, the substrate can be cut with a 0.4 mm thickness, but can be cut with a 0.7 mm thickness. In some cases, the substrate could not be cut. Also, as shown in FIG.
With the substrate 52 broken at the fracture surface 52b,
By irradiating the laser light to No. 1, the cleaving could be performed favorably at any thickness.

【0047】上記のように、パネルの一方の基板に対し
てレーザ割断を行う場合には、シール材を介して他方の
基板によって割断作用が妨げられるので、本実施形態の
ように、大判パネル10の表裏両側から同時にレーザ光
を照射して割断を行うことが割断不良を防止する上で好
ましい。また、この場合には、他方の基板応力による影
響を低減できるので、良好な破断面を得ることができる
という効果もある。
As described above, when the laser cutting is performed on one substrate of the panel, the cutting operation is prevented by the other substrate via the sealing material. It is preferable to irradiate laser beams simultaneously from both the front and back sides to perform cutting, in order to prevent cutting failure. In this case, the effect of the stress of the other substrate can be reduced, so that there is an effect that a good fracture surface can be obtained.

【0048】また、図13(a)に示す状況でレーザ割
断を行う場合には、レーザ光による加熱によって基板5
1に生ずる圧縮応力及び冷却によって生ずる引張応力の
双方によってパネル50に歪みが発生する可能性があ
る。一方、本実施形態のように両側の基板に同時にレー
ザ光を照射する方法を採用することによって、両側の基
板が同時に膨張又は収縮するので、パネルに発生する歪
みを低減することができるという効果がある。
When laser cutting is performed in the situation shown in FIG. 13A, the substrate 5 is heated by laser light.
Panel 50 may be distorted by both the compressive stress generated in 1 and the tensile stress generated by cooling. On the other hand, by adopting the method of simultaneously irradiating the laser beams to the substrates on both sides as in the present embodiment, the substrates on both sides expand or contract at the same time, so that the effect of reducing the distortion generated in the panel can be reduced. is there.

【0049】本実施形態では、上述のように、図1
(a)に示すスクライブ溝110aと120aとに同時
にレーザ光を照射し、スクライブ溝110a,120a
に沿ってレーザ光の照射スポットを走査していくことに
より、スクライブ溝110a,120aに沿って母基板
110,120を破断していく。このとき、スクライブ
溝110a,120aを、シール材13の外縁(液晶封
入領域A、すなわちシール材13により液晶が封入され
ている領域或いは液晶が封入されるべき領域、とは反対
側の縁部)とほぼ一致するように形成し、このスクライ
ブ溝に沿って上述のレーザ割断を実施することにより、
シール材13の外縁上に破断面12aが形成されるよう
にする。
In the present embodiment, as described above, FIG.
A laser beam is simultaneously applied to the scribe grooves 110a and 120a shown in FIG.
By scanning the irradiation spot of the laser light along, the mother substrates 110 and 120 are broken along the scribe grooves 110a and 120a. At this time, the scribe grooves 110a and 120a are formed with the outer edge of the sealing material 13 (the edge opposite to the liquid crystal sealing region A, that is, the region where the liquid crystal is sealed by the sealing material 13 or the region where the liquid crystal is to be sealed). By performing the above-mentioned laser cutting along this scribe groove,
The fracture surface 12a is formed on the outer edge of the sealing material 13.

【0050】また、上記レーザ割断によってスクライブ
溝110b,120bに沿った母基板110,120の
分割も行うことにより、基板11,12を備えた液晶パ
ネル10が形成される。レーザ割断による基板の分割
は、基板素材の局所的な膨張及び収縮に起因して生ずる
内部応力によってもたらされるものであり、当該分割部
位の直下に配置されたシール材13に外部応力を及ぼす
必要がないので、シール材13の変形やシール材13と
基板11,12との密着性の悪化をもたらすことがほと
んどない。
Also, by dividing the mother substrates 110 and 120 along the scribe grooves 110b and 120b by the laser cutting, the liquid crystal panel 10 having the substrates 11 and 12 is formed. The division of the substrate by laser cutting is caused by internal stress generated due to local expansion and contraction of the substrate material, and it is necessary to apply external stress to the sealing material 13 disposed immediately below the division. Therefore, the deformation of the sealing material 13 and the deterioration of the adhesion between the sealing material 13 and the substrates 11 and 12 hardly occur.

【0051】また、従来のスクライブ・ブレイク法によ
る基板の分割においては、スクライブ溝に沿って外部応
力を加えるが、シール材13が介在している場合には、
外部応力がシール材13によって分散され、シール材1
3上にスクライブ溝が形成されている場合には、破断面
の位置がシール材13上を回避するようにずれてしまう
事態が生ずる可能性がある。しかしながら、本実施形態
では、レーザ割断によってシール材13の存否とは無関
係に内部応力を発生させることができるので、当該内部
応力によってスクライブ溝を起点として確実に基板を破
断させることができる。したがって、スクライブ溝がシ
ール材13上に形成されていても、或いは、シール材1
3の近傍にスクライブ溝が形成されていても、シール材
13の位置とは無関係にスクライブ溝に沿って基板を破
断させることができる。特に、スクライブ溝がシール材
13の直上に位置する場合には破断不良を生ずることな
く精度良く基板を分割できることから非常に効果的であ
る。
In dividing the substrate by the conventional scribe-break method, an external stress is applied along the scribe groove.
External stress is dispersed by the sealing material 13 and the sealing material 1
In the case where the scribe groove is formed on 3, there is a possibility that the position of the fracture surface is shifted so as to avoid over the seal material 13. However, in the present embodiment, since the internal stress can be generated regardless of the presence or absence of the sealing material 13 by the laser cutting, the substrate can be reliably broken starting from the scribe groove by the internal stress. Therefore, even if the scribe groove is formed on the sealing material 13 or the sealing material 1
Even if the scribe groove is formed in the vicinity of 3, the substrate can be broken along the scribe groove regardless of the position of the sealing material 13. In particular, when the scribe groove is located immediately above the seal material 13, the substrate can be divided accurately without causing breakage failure, which is very effective.

【0052】図2は、上記スクライブ溝120aによっ
て形成される破断面近傍の構造を拡大して示す拡大部分
断面図である。スクライブ溝120aからのレーザ割断
によって形成される破断面、すなわち基板12の端面1
2aは、シール材13の外縁を基準として内側(液晶封
入領域A側)に幅W1、外側にW2の距離までの範囲内
に収まるように形成される。ここで、W1,W2は共に
100μmであることが好ましい。一般に、シール材1
3はスクリーン印刷や精密ディスペンサによる塗布等に
よって母基板上に配置されるが、その配置精度も比較的
低く、また母基板の貼り合わせ時におけるシール材13
の広がりの再現性も低いため、シール材13の外縁位置
はプラスマイナス100μm程度の範囲内にばらつく。
したがって、スクライブ溝120aの位置を製造工程上
パネル体の所定基準位置に対して予め設定する場合に
は、スクライブ溝120aがシール材13の外縁の予想
位置と一致するようにしておき、結果的にスクライブ溝
が上記幅W1,W2の範囲内に収まるようにしてもよ
い。
FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view showing the structure near the fractured surface formed by the scribe groove 120a in an enlarged manner. A fracture surface formed by laser cutting from the scribe groove 120a, that is, the end surface 1 of the substrate 12
2a is formed so as to fall within a range of a width W1 inside (toward the liquid crystal enclosing area A side) and a distance of W2 outside on the basis of the outer edge of the sealing material 13. Here, both W1 and W2 are preferably 100 μm. Generally, sealing material 1
Numeral 3 is arranged on the mother board by screen printing or coating with a precision dispenser, etc., but the arrangement accuracy is relatively low.
Because the reproducibility of the spread of the seal material 13 is low, the outer edge position of the seal material 13 varies within a range of about ± 100 μm.
Therefore, when the position of the scribe groove 120a is set in advance with respect to the predetermined reference position of the panel body in the manufacturing process, the scribe groove 120a is made to coincide with the expected position of the outer edge of the sealing material 13, and as a result, The scribe groove may be set within the range of the widths W1 and W2.

【0053】上記幅W1=100μmを越えた位置に端
面12aが形成されると、シール材13の外縁から基板
の端面12aまでの距離が大きくなり、外側基板間領域
に液晶等が残存することによってコロージョンやエロー
ジョンが発生する危険性が高まる。特に、コロージョン
やエロージョンの発生を確実に低減するためには、上記
W1=60μmとすることが望ましい。
When the end face 12a is formed at a position exceeding the width W1 = 100 μm, the distance from the outer edge of the sealing material 13 to the end face 12a of the substrate increases, and liquid crystal or the like remains in the outer inter-substrate region. The risk of corrosion and erosion increases. In particular, in order to reliably reduce the occurrence of corrosion and erosion, it is desirable to set the above W1 = 60 μm.

【0054】一方、上記W2=100μmを越えた位置
に端面12aが形成されると、分離される基板(スクラ
イブ溝120aの図示左側にある基板)の離反とともに
シール材13の一部が分断される可能性が高くなり、シ
ール不良の発生確率が増大したり、分離される基板の端
部にシール材13の一部が付着したままで残り、その後
の製造工程に支障をきたす場合があるという問題点が生
ずる。
On the other hand, if the end face 12a is formed at a position exceeding W2 = 100 μm, a part of the sealing material 13 is cut off while separating the substrate to be separated (the substrate on the left side of the scribe groove 120a in the drawing). There is a problem that the possibility increases, the probability of occurrence of sealing failure increases, or a part of the sealing material 13 remains attached to the edge of the substrate to be separated, which may hinder the subsequent manufacturing process. A point occurs.

【0055】本実施形態では、図示点線で示すように、
スクライブ溝120aがシール材13の上方に位置する
ように形成されていても、上述のようにレーザ割断を用
いることによって問題なく基板を分割することができ
る。
In this embodiment, as shown by the dotted line in the figure,
Even if the scribe groove 120a is formed above the sealing material 13, the substrate can be divided without any problem by using the laser cutting as described above.

【0056】図6は、上記実施形態の大判基板100を
分割する様子を示す部分平面図である。図6(a)は、
矩形状の大判基板100(液晶封入領域A、すなわち液
晶パネルとなる部分が図示左右に複数並列したもの)に
おいて、液晶パネルとなる部分の間にスクライブ溝11
0a,120aを形成し、図示矢印に沿ってレーザ光の
照射スポットを走査していくことにより、スクライブ溝
110a,120aに沿って基板を破断させ、各液晶パ
ネルを分割する。
FIG. 6 is a partial plan view showing how the large format substrate 100 of the above embodiment is divided. FIG. 6 (a)
In a rectangular large-sized substrate 100 (liquid crystal enclosing area A, that is, a plurality of liquid crystal panel portions arranged in the left and right directions in the figure), scribe grooves 11 are formed between the liquid crystal panel portions.
By forming laser beams 0a and 120a and scanning the irradiation spot of the laser beam along the arrows shown in the figure, the substrate is broken along the scribe grooves 110a and 120a, and each liquid crystal panel is divided.

【0057】図6(b)は、上記と同様の大判基板10
0において、上記スクライブ溝110a,120aの代
わりに、基板端部に傷痕110c,120cを形成し、
この傷痕110c,120cの部分からレーザ光を照射
し始め、図示矢印に沿って照射スポットを走査させてい
くことにより、基板を破断させていく方法を示すもので
ある。この方法によっても、基板を支障なく分割するこ
とができる。
FIG. 6B shows a large-sized substrate 10 similar to the above.
0, scratches 110c and 120c are formed at the end of the substrate instead of the scribe grooves 110a and 120a,
A method of starting to irradiate a laser beam from the scars 110c and 120c and scanning an irradiation spot along an arrow in the drawing to break the substrate is shown. According to this method, the substrate can be divided without any trouble.

【0058】この方法では、分割予定線の全長に亘って
スクライブ溝を形成する必要がないので、マイクロクラ
ックの発生を低減することができ、パネル強度を高める
ことができる。
In this method, it is not necessary to form scribe grooves over the entire length of the planned dividing line, so that the occurrence of microcracks can be reduced and the panel strength can be increased.

【0059】図6(c)には、上記と同様の大判基板1
00において、基板の一方の端部に上記傷痕110c,
120cを形成することに加えて、基板の他方の端部に
も傷痕110d,120dを形成する方法を示す。この
方法では、一方の基板端部に形成された傷痕110c,
120cの部分からレーザ光を照射し始め、他方の基板
端部に形成された傷痕110d,120dにまで照射ス
ポットを走査していく。
FIG. 6C shows a large-sized substrate 1 similar to the above.
At 00, the scars 110c,
A method of forming scars 110d and 120d on the other end of the substrate in addition to forming the scratches 110d will be described. In this method, scars 110c,
The irradiation of the laser beam is started from the portion 120c, and the irradiation spot is scanned to the scars 110d and 120d formed on the other substrate edge.

【0060】通常、レーザ割断においては、基板両端部
における走査開始位置近傍及び走査終了位置近傍におい
て破断方向が不安定になり、破断面の分割予定線からの
ずれが発生しやすくなる。したがって、図6(c)に示
すように基板の両端部にそれぞれ傷痕を形成することに
よって、安定かつ平滑な破断面を得ることができるとと
もに、マイクロクラックの発生量をも低減できるのでパ
ネル強度を向上させることが可能になる。
Normally, in laser cutting, the breaking direction becomes unstable in the vicinity of the scanning start position and the scanning end position at both ends of the substrate, and the deviation of the fractured surface from the planned dividing line is likely to occur. Therefore, as shown in FIG. 6 (c), by forming scars at both ends of the substrate, a stable and smooth fracture surface can be obtained, and the amount of microcracks can be reduced, so that the panel strength can be reduced. Can be improved.

【0061】上記実施形態のように分割予定線の全長に
亘って伸びるスクライブ溝を形成するのではなく、図6
(b)及び(c)に示すように、基板端部にのみ部分的
に傷痕を形成する場合、傷痕の長さとしては、2〜15
mmの範囲内であることが好ましく、特に、3〜10m
mの範囲内であることが望ましい。傷痕がこの範囲より
も長くなると、破断面の案内効果の向上度合が薄れると
ともに傷痕を形成することによってマイクロクラックが
増大し、パネル強度が低下する。傷痕がこの範囲よりも
短くなると破断面の案内効果が不足し、破断面の位置精
度が低下する。
Instead of forming scribe grooves extending over the entire length of the planned dividing line as in the above embodiment, FIG.
As shown in (b) and (c), when a scar is formed only at the edge of the substrate, the length of the scar is 2 to 15
mm, particularly 3 to 10 m
It is desirable to be within the range of m. If the scar is longer than this range, the degree of improvement in the effect of guiding the fractured surface is diminished, and the formation of the scar increases the microcracks and decreases the panel strength. If the scar is shorter than this range, the effect of guiding the fractured surface is insufficient, and the positional accuracy of the fractured surface is reduced.

【0062】[第2実施形態]図7には、本発明に係る
第2実施形態における基板の分割工程を示す。この実施
形態では、2枚の母基板がシール材153にて貼り合わ
されてなる大判パネル150が形成され、その長手方向
に隣接する複数の液晶封入領域A間のシール部153a
が両側の液晶封入領域Aに対して一体に構成され、共通
のシール部となっている。この大判パネル150におい
ては、液晶封入領域Aから図示上端に図示しない配線が
引き出され、入力端子が形成されている。
[Second Embodiment] FIG. 7 shows a substrate dividing process according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a large-sized panel 150 is formed by laminating two mother substrates with a sealing material 153, and a sealing portion 153a between a plurality of liquid crystal sealing regions A adjacent in the longitudinal direction.
Are integrally formed with the liquid crystal enclosing areas A on both sides to form a common seal portion. In the large format panel 150, wiring (not shown) is drawn out from the liquid crystal sealing area A to the upper end in the drawing, and input terminals are formed.

【0063】この実施形態では、図7(a)に示すよう
に、シール部153の幅方向ほぼ中央を分断するよう
に、上記と同様のスクライブ溝151a(152a)が
形成され、これらのスクライブ溝151a,152aに
沿って上記と同様のレーザ光の走査が施されることによ
り、図7(b)に示すように隣接する液晶パネル領域が
分割される。この実施形態では、常にレーザ割断による
分割部分がシール部153の直上位置にあるため、従来
のスクライブ・ブレイク法では安定した破断面を得るこ
とが困難であるが、レーザ割断によって基板を分割する
ことによって、シール部153にはほとんど影響される
ことなくブレイクを行うことができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 7A, scribe grooves 151a (152a) similar to the above are formed so as to divide substantially the center in the width direction of the seal portion 153, and these scribe grooves are formed. By performing the same laser beam scanning along the lines 151a and 152a, the adjacent liquid crystal panel regions are divided as shown in FIG. 7B. In this embodiment, since the divided portion by the laser cutting is always located immediately above the seal portion 153, it is difficult to obtain a stable fractured surface by the conventional scribe-break method. Thus, the break can be performed with little influence on the seal portion 153.

【0064】図7(c)には、図7(a)及び(b)に
示す実施形態のスクライブ溝の代わりに、上記図6
(b)と同様に基板端部に傷痕151b,152bを形
成した場合を示し、図7(d)には、上記図6(c)と
同様に反対側の基板端部にも傷痕151c,152cを
形成した場合を示す。このように、シール部153aの
直上位置に分割予定線がある場合でも、上述と同様に基
板端部に傷痕を設けるだけで支障なく基板を分割するこ
とができる。
In FIG. 7C, the scribe grooves of the embodiment shown in FIG. 7A and FIG.
FIG. 7D shows a case in which scratches 151b and 152b are formed on the edge of the substrate in the same manner as in FIG. 6B. FIG. 7D shows scratches 151c and 152c in the edge of the substrate on the opposite side as in FIG. Is shown. As described above, even when there is a planned division line immediately above the seal portion 153a, the substrate can be divided without any trouble simply by providing a scar on the substrate end as described above.

【0065】[スクライブ加工の詳細][Details of scribe processing]

【0066】上記各実施形態において、上述のスクライ
ブ加工によって形成するスクライブ溝の溝深さDsは、
従来の機械的応力を与えるいわゆるスクライブ・ブレイ
ク法による割断方法を行う場合よりもきわめて小さくて
足りる。
In each of the above embodiments, the groove depth Ds of the scribe groove formed by the above scribe processing is:
It is much smaller than the conventional method of applying a so-called scribe-break method for applying a mechanical stress.

【0067】図8は、ガラス基板に対して従来のスクラ
イブ・ブレイク法を実施する場合に要求されるスクライ
ブ溝の溝深さと、本実施形態のスクライブ・レーザ割断
を実施する場合に要求されるスクライブ溝の溝深さとを
示すグラフである。縦軸はスクライブ溝の溝深さDs
[μm]であり、横軸は基板厚t[mm]である。従来
のスクライブ・ブレイク法では、スクライブ溝の溝深さ
Dsが図示の点線A上の値以上でなければ良好なブレイ
クができず、破断不良が発生していた。したがって、従
来のスクライブ・ブレイク法で液晶パネルのガラス基板
を分割する場合には、0.4mm厚の基板を採用した場
合には溝深さDsを約80〜120μm、0.7mm厚
の基板を採用した場合には約120〜180μm程度に
していた。
FIG. 8 shows the scribe groove depth required when performing a conventional scribe-break method on a glass substrate, and the scribe width required when performing the scribe-laser cutting according to the present embodiment. It is a graph which shows the groove depth of a groove. The vertical axis is the groove depth Ds of the scribe groove.
[Μm], and the horizontal axis is the substrate thickness t [mm]. In the conventional scribe-break method, unless the groove depth Ds of the scribe groove is equal to or greater than the value on the dotted line A shown in FIG. Therefore, when a glass substrate of a liquid crystal panel is divided by a conventional scribe-break method, a groove depth Ds of about 80 to 120 μm and a 0.7 mm When adopted, the thickness was about 120 to 180 μm.

【0068】しかしながら、このようにスクライブ溝の
溝深さDsを大きくすると、スクライブ溝の形成時に生
ずるマイクロクラックが多くかつ大きくなり、パネル強
度が低下してしまう。このパネル強度の低下を低減する
という観点からみると、図8に示す一点鎖線C上の値以
下に溝深さDsを抑制する必要がある。
However, if the groove depth Ds of the scribe groove is increased in this manner, the number of micro cracks generated when the scribe groove is formed increases and increases, and the panel strength decreases. From the viewpoint of reducing the decrease in panel strength, it is necessary to suppress the groove depth Ds to a value equal to or less than the value on the dashed line C shown in FIG.

【0069】また、スクライブ溝を深く形成すると、ス
クライブ後ブレイク前において基板が不所望に破断して
しまう恐れがあり、この場合にはシール材の影響によっ
て破断面が分割予定線からずれてしまうことが多い。こ
のような未然の基板割れを防止するには、図8に示す実
線B(Ds=(200/3)t+70/3)上の値以下
に溝深さDsを抑制する必要がある。実線B以下の溝深
さであれば、不所望の基板割れはほとんど発生しない。
If the scribe groove is formed deep, the substrate may be undesirably broken after the scribe and before the break. In this case, the fracture surface may be shifted from the planned dividing line due to the influence of the sealing material. There are many. In order to prevent such a substrate crack beforehand, it is necessary to suppress the groove depth Ds to a value equal to or less than the value on the solid line B (Ds = (200/3) t + 70/3) shown in FIG. If the groove depth is less than the solid line B, undesired substrate cracking hardly occurs.

【0070】本実施形態のレーザ割断によれば、図8の
実線B以下の溝深さDsであっても、スクライブ溝が存
在する限り、全く問題なく割断を行うことができる。ま
た、基板厚tが0.2〜1.2mm程度の液晶パネル用
の基板であれば、基板厚tに拘わらず、約50μm以下
の溝深さDsであればパネル強度の低下や工程途中の基
板割れを実質的に回避することができる。この観点から
見た溝深さDsの下限は存在しないが、スクライブ加工
時に安定してスクライブ溝を形成するためには溝深さD
sは5μm以上であることが好ましく、特に10μm以
上であることが望ましい。
According to the laser cutting of this embodiment, even if the groove depth Ds is equal to or less than the solid line B in FIG. 8, the cutting can be performed without any problem as long as the scribe groove exists. Further, if the substrate thickness t is a substrate for a liquid crystal panel having a thickness of about 0.2 to 1.2 mm, regardless of the substrate thickness t, if the groove depth Ds is about 50 μm or less, the panel strength may decrease or the process may be interrupted. Substrate cracks can be substantially avoided. Although there is no lower limit of the groove depth Ds from this viewpoint, in order to stably form the scribe groove during the scribe processing, the groove depth Ds is required.
s is preferably 5 μm or more, and particularly preferably 10 μm or more.

【0071】図9には、本発明のさらに異なるスクライ
ブ方法を説明するためのパネル体250の平面図(a)
及び(b)を示す。このスクライブ方法においては、図
9(a)に示すように、パネル体250を構成する基板
251,252のうち、基板52の表面上に図示左右方
向に伸びるスクライブ溝252aを上記実施形態と同様
の方法で形成する。ただし、スクライブ溝252aは、
その長さ方向に見て溝深さが50μm若しくは(200
/3)t+70/3)(tは基板厚)を越え、好ましく
は80μmを越えるように形成された深溝部252a1
と、溝深さが50μm若しくは(200/3)t+70
/3)(tは基板厚)以下であるように形成された浅溝
部252a2とを有している点で、上記実施形態とは異
なるものである。深溝部252a1と浅溝部252a2
とは、図3及び図4に示す上記実施形態のスクライブ装
置を用いてスクライブ溝252aを刻設していく際に、
途中で押し込み圧Faを変化させることによって形成さ
れる。押し込み圧Faを大きくすると溝深さが大きくな
り、押し込み圧Faを小さくすると溝深さは小さくな
る。
FIG. 9 is a plan view (a) of a panel body 250 for explaining still another scribing method of the present invention.
And (b). In this scribing method, as shown in FIG. 9A, of the substrates 251 and 252 constituting the panel body 250, scribe grooves 252a extending in the left-right direction on the surface of the substrate 52 are formed in the same manner as in the above embodiment. Formed by a method. However, the scribe groove 252a is
A groove depth of 50 μm or (200
/ 3) t + 70/3) (t is the thickness of the substrate), preferably a deep groove 252a1 formed to exceed 80 μm.
And the groove depth is 50 μm or (200/3) t + 70
/ 3) (t is a substrate thickness) and is different from the above-described embodiment in that it has a shallow groove 252a2 formed so as to be equal to or less than (t is the substrate thickness). Deep groove portion 252a1 and shallow groove portion 252a2
When the scribe groove 252a is carved using the scribe device of the embodiment shown in FIGS. 3 and 4,
It is formed by changing the indentation pressure Fa on the way. The groove depth increases as the indentation pressure Fa increases, and the groove depth decreases as the indentation pressure Fa decreases.

【0072】スクライブ溝252aの深溝部252a1
は、スクライブ溝252aの両端部(基板252の図示
左右方向の端部に形成された部分)にそれぞれ形成され
ている。また、浅溝部252a2は、スクライブ溝25
2の両端部を除く全ての部分を構成している。
Deep groove portion 252a1 of scribe groove 252a
Are formed at both ends of the scribe groove 252a (portions formed at left and right ends of the substrate 252 in the drawing). In addition, the shallow groove portion 252a2 is
2 except for both ends.

【0073】このスクライブ方法においては、基板の端
部に深溝部252a1が形成されているので、特にレー
ザ割断を行う場合に、その割断位置が深溝部252a1
の位置によって規制されることから、基板の分割位置を
高精度に得ることができる。特に、図示のように、上記
スクライブ溝252aが基板251,252を貼り合わ
せているシール材253上に形成されている場合には、
直下のシール材253の存在により基板52の破断面の
位置が分割予定線からずれることを、深溝部252a1
を形成することによって防止することができる。
In this scribing method, since the deep groove 252a1 is formed at the end of the substrate, especially when laser cutting is performed, the cutting position is the deep groove 252a1.
, The dividing position of the substrate can be obtained with high accuracy. In particular, as shown in the figure, when the scribe groove 252a is formed on the sealing material 253 to which the substrates 251 and 252 are attached,
The fact that the position of the fractured surface of the substrate 52 deviates from the planned dividing line due to the presence of the sealing material 253 immediately below is determined by the deep groove 252a1.
Can be prevented.

【0074】また、スクライブ溝の一部にのみ溝深さの
深い部分が設けられているに過ぎないので、全体として
はスクライブに伴うマイクロクラックの発生量を低減す
ることができ、したがって分割後の基板強度の低下を抑
えることができる。
Further, since only a part of the scribe groove is provided with a deep groove only in a part of the scribe groove, the generation amount of micro cracks accompanying the scribe can be reduced as a whole. A decrease in substrate strength can be suppressed.

【0075】また、レーザ割断を用いて基板分割を行う
場合には、レーザ光の走査を開始する部分及び走査を終
了する部分(すなわち基板の両端部)において破断位置
が分割予定線からずれる傾向にある。これは、レーザ光
の照射によって生ずる加熱領域の温度分布及び進行方向
が走査開始時及び走査終了時において不安定になること
に起因する。しかし、上記のスクライブ方法において
は、基板の端部、特に基板の両端部において深溝部52
a1が形成されているので、当該部分においてスクライ
ブ溝によって破断位置が決定されることから、分割予定
線からの破断位置のずれを防止し、精度良く基板を分割
することができる。
When the substrate is divided using laser cutting, the breaking position tends to deviate from the dividing line at the part where the scanning of the laser beam starts and the part where the scanning ends (ie, both ends of the substrate). is there. This is because the temperature distribution and the traveling direction of the heating region generated by the irradiation of the laser beam become unstable at the start of scanning and at the end of scanning. However, in the above-described scribing method, the deep groove 52 is formed at the end of the substrate, particularly at both ends of the substrate.
Since the a1 is formed, the breaking position is determined by the scribe groove in the relevant portion, so that a shift of the breaking position from the planned dividing line can be prevented, and the substrate can be accurately divided.

【0076】図9(b)に示す例は、上記と同様のパネ
ル体250において、基板252の表面上に、同一の分
割予定線に沿って傷痕252b、252c,252dを
形成したものである。傷痕252bと252cは、分割
予定線上の基板252における図示左右方向の両端部に
それぞれ形成されている。また、傷痕252dは、傷痕
252bと252cとの間の領域、例えば図示例では分
割予定線上の中央部分に、上記傷痕252b,252c
とは分離された状態で形成されている。ここで、傷痕2
52b,252cは、溝深さが50μm若しくは(20
0/3)t+70/3)(tは基板厚)を越え、好まし
くは80μmを越えるように形成されている。また、傷
痕252dは、溝深さが50μm若しくは(200/
3)t+70/3)(tは基板厚)以下であるように形
成されている。
In the example shown in FIG. 9B, in the panel body 250 similar to the above, scratches 252b, 252c, 252d are formed on the surface of the substrate 252 along the same predetermined dividing line. The scars 252b and 252c are formed at both ends in the horizontal direction in the drawing of the substrate 252 on the dividing line. The scar 252d is located in a region between the scratches 252b and 252c, for example, in the illustrated example at the center on the dividing line.
Are formed in a state of being separated from. Here, scar 2
52b and 252c have a groove depth of 50 μm or (20
0/3) t + 70/3) (t is the thickness of the substrate), preferably more than 80 μm. The scar 252d has a groove depth of 50 μm or (200 /
3) t + 70/3) (t is the thickness of the substrate) or less.

【0077】この例においても、上記と同様に、シール
材253の直上位置であっても高精度に基板252を分
割することが可能になる。また、マイクロクラックの発
生量をさらに低減することができるので、分割された後
の基板強度をより向上させることができる。
Also in this example, the substrate 252 can be divided with high accuracy even at a position immediately above the sealing material 253, as described above. Further, since the amount of generation of microcracks can be further reduced, the strength of the substrate after division can be further improved.

【0078】[液晶パネルの構造]図10及び図11
は、上述のようにして形成された第1実施形態の液晶パ
ネル10の概略構造を示すものである。液晶パネル10
は、基板11と12とがシール材13によって貼り合わ
せられ、シール材13の内側であって基板11,12の
間に液晶14が封入されている。ここで、液晶注入口1
3aは封止材15によって封鎖されている。
[Structure of Liquid Crystal Panel] FIGS. 10 and 11
1 shows a schematic structure of the liquid crystal panel 10 of the first embodiment formed as described above. LCD panel 10
In the first embodiment, substrates 11 and 12 are bonded together with a sealing material 13, and a liquid crystal 14 is sealed between the substrates 11 and 12 inside the sealing material 13. Here, the liquid crystal injection port 1
3a is closed by a sealing material 15.

【0079】基板11の内面上には透明電極16及び配
向膜17が形成され、透明電極16はシール材13の外
側へ出て基板張出部11a上に引き出された配線となっ
ている。また、基板12の内面上には透明電極18及び
配向膜19が形成され、透明電極18は図示しない上下
導通部(例えば異方性導電体として形成されたシール材
13の一部によって構成される。)を介して基板張出部
11a上の配線に接続されている。
A transparent electrode 16 and an alignment film 17 are formed on the inner surface of the substrate 11, and the transparent electrode 16 is a wiring extending out of the sealing material 13 and extending to the substrate overhang portion 11a. In addition, a transparent electrode 18 and an alignment film 19 are formed on the inner surface of the substrate 12, and the transparent electrode 18 is constituted by a vertically conductive portion (not shown) (for example, a part of the sealing material 13 formed as an anisotropic conductor). .) Is connected to the wiring on the substrate overhang portion 11a.

【0080】基板張出部11aの表面上には、液晶駆動
回路を構成した半導体チップ40が実装される。半導体
チップ40は、上記の透明電極16,18に導通した基
板張出部11a上の配線と、基板張出部11aの端部に
形成された入力端子41とに導電接続された状態となっ
ている。液晶パネル10が形成された後の工程において
は、フレキシブル配線基板を入力端子41に導電接続し
たり、基板張出部11aの表面をシリコーン樹脂等の封
止剤によって封止したりするなどの処理が行われる。
A semiconductor chip 40 constituting a liquid crystal drive circuit is mounted on the surface of the substrate overhang 11a. The semiconductor chip 40 is in a state of being electrically connected to the wiring on the substrate overhang 11a that is electrically connected to the transparent electrodes 16 and 18 and the input terminal 41 formed at the end of the substrate overhang 11a. I have. In the process after the liquid crystal panel 10 is formed, processing such as conductive connection of the flexible wiring board to the input terminal 41 and sealing of the surface of the board overhang portion 11a with a sealing agent such as silicone resin are performed. Is performed.

【0081】[レーザ割断による破断面性状]最後に、
上述のようにしてレーザ光によって割断された破断面で
ある端面12aの性状について説明する。上記各実施形
態においてレーザ割断により形成された破断面からなる
端面12aは、図12(a)に示すように、基板表面と
の稜線近傍に、上記スクライブ溝の痕跡であるリブマー
ク12a−1と、このリブマーク12a−1以外の部分
においてきわめて平滑に形成された平坦面12a−2と
から構成されている。上記リブマーク12a−1は、上
記スクライブ装置20のスクライブカッタ25の刃先2
5aによって形成され、細かな段差が上記稜線に沿って
多数形成されたものとなっている。一方、平坦面12a
−2は、50〜100倍程度の倍率で観察しても段差が
全く見られず、きわめて平滑な平面となっている。
[Properties of fracture surface by laser cutting]
The properties of the end face 12a, which is a fractured surface cut by the laser beam as described above, will be described. As shown in FIG. 12A, the end surface 12a formed by the laser cutting in each of the above embodiments has a rib mark 12a-1, which is a trace of the scribe groove, near the ridge line with the substrate surface. It is composed of a flat surface 12a-2 formed extremely smoothly in a portion other than the rib mark 12a-1. The rib mark 12a-1 is provided on the cutting edge 2 of the scribe cutter 25 of the scribe device 20.
5a, a large number of fine steps are formed along the ridgeline. On the other hand, the flat surface 12a
-2 is a very smooth plane without any step even when observed at a magnification of about 50 to 100 times.

【0082】図12(b)には、上記スクライブ溝の代
わりに基板端部に限定して形成した傷痕を形成し、この
傷痕からレーザ割断によって基板を破断させた場合の端
面12a’の性状を示す。この場合にも、傷痕の痕跡で
あるリブマーク12a−3には細かな段差が多数形成さ
れているのに対して、このリブマーク以外の平坦面12
a−4は50〜100倍程度の倍率で観察しても全く段
差が見られず、きわめて平滑な平面に形成されている。
FIG. 12 (b) shows the nature of the end face 12a 'in the case where a scar formed only at the end of the substrate is formed instead of the scribe groove and the substrate is broken from the scar by laser cutting. Show. In this case as well, a large number of fine steps are formed in the rib mark 12a-3 which is a trace of a scar, whereas the flat surface 12 other than the rib mark is formed.
a-4 has no step at all even when observed at a magnification of about 50 to 100 times, and is formed on an extremely smooth plane.

【0083】上記の端面12a,12a’に対して、従
来のスクライブ・ブレイク法によって形成した端面1
2”の性状を図12(c)に示す。リブマーク12a−
1は図12(a)に示すものと同じであり、スクライブ
溝の痕跡である。この端面12a”におけるリブマーク
12а−1以外の部分は、外部応力によって微細な段
差、すなわちチッピングが多数形成された破断面12a
−5となっている。図は模式的なものであり、個々の破
断面によって異なる外観を持つが、レーザ割断による破
断面とは明らかに異なるものである。
An end face 1 formed by a conventional scribe-break method is formed on the end faces 12a and 12a '.
Fig. 12 (c) shows the properties of 2 ". The rib mark 12a-
Numeral 1 is the same as that shown in FIG. 12A, and is a trace of the scribe groove. A portion other than the rib mark 12a-1 on the end face 12a ″ is a fractured surface 12a on which fine steps, that is, many chippings are formed due to external stress.
−5. The figure is schematic and has a different appearance depending on the individual fracture surface, but is clearly different from the fracture surface due to laser cutting.

【0084】本発明の各実施形態のレーザ割断を用いる
基板分割方法では、図12(a)及び(b)の平坦面1
2a−2,12a−4に示すようにチッピングのない平
滑な破断面が得られ、これらは、外観的に明らかに図1
2(c)の破断面12a−5に示す従来のスクライブ・
ブレイク法によって形成された破断面とは区別され得る
ものである。これは、各実施形態における割断方法が基
板素材の局所的な膨張及び収縮によって生ずる内部応力
に基づくものであり、当該内部応力が基板に形成された
傷痕或いはスクライブ溝の底端に集中的に作用するから
であると考えられる。機械的に外部応力を与える方法で
は、傷痕或いはスクライブ溝の特定部位に応力を集中さ
せることはきわめて困難である。
In each of the embodiments of the present invention, in the substrate dividing method using laser cutting, the flat surface 1 shown in FIGS.
As shown in FIGS. 2a-2 and 12a-4, smooth fracture surfaces without chipping were obtained, and these were clearly apparent in FIG.
The conventional scribing device shown in FIG.
It can be distinguished from a fractured surface formed by the break method. This is because the cutting method in each embodiment is based on internal stress generated by local expansion and contraction of the substrate material, and the internal stress acts intensively on the scar formed on the substrate or the bottom end of the scribe groove. It is thought that it is because. With the method of mechanically applying external stress, it is extremely difficult to concentrate stress on a scar or a specific portion of a scribe groove.

【0085】尚、本発明の液晶装置及びその製造方法
は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得
ることは勿論である。
The liquid crystal device and the method of manufacturing the same according to the present invention are not limited to the above-described examples, but various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0086】例えば、液晶装置を構成する液晶パネルと
しては、上記のような多数個取りの液晶パネルに限定さ
れることなく、単に基板の端部を局所的に除去するため
に基板を分割する方法を用いて形成される液晶パネルに
適用することも可能である。
For example, the liquid crystal panel constituting the liquid crystal device is not limited to the above-mentioned multi-cavity liquid crystal panel, but may be a method of dividing the substrate simply to locally remove the edge of the substrate. It is also possible to apply to a liquid crystal panel formed by using.

【0087】また、スクライブ加工の方法も上記方法に
限定されるものではなく、砥粒やピン等を擦過するなど
の種々のスクライブ方法を用いることができる。
Further, the scribing method is not limited to the above-mentioned method, and various scribing methods such as rubbing abrasive grains or pins can be used.

【0088】さらに、ブレイク方法も上記のレーザ割断
に限定されるものではなく、結果的に基板素材の局所的
な膨張及び収縮による内部応力を発生させ得るものであ
ればよく、レーザ光以外の光照射、急激な加熱若しくは
冷却を局所的に行うための熱源との熱的接触などであっ
ても構わない。
Further, the breaking method is not limited to the laser cutting described above, but any method may be used as long as it can generate internal stress due to local expansion and contraction of the substrate material. Thermal contact with a heat source for locally performing irradiation, rapid heating or cooling may be used.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
シール材の外縁と基板端面との間の領域に残留する液晶
等に起因するコロージョンやエロージョンの発生を低減
できる。また、基板素材の局所的な膨張及び収縮によっ
て生ずる内部応力を用いることによりシール材の近傍に
おいても支障なくかつ精度良く基板を分割することがで
きる。
As described above, according to the present invention,
Corrosion and erosion caused by liquid crystal and the like remaining in a region between the outer edge of the sealing material and the end face of the substrate can be reduced. Further, by using the internal stress generated by local expansion and contraction of the substrate material, the substrate can be divided accurately and without difficulty even in the vicinity of the sealing material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る液晶装置及びその製造方法の第1
実施形態の基板分割態様を示す工程断面図(a)及び
(b)である。
FIG. 1 is a first view of a liquid crystal device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
It is process sectional drawing (a) and (b) which show the board | substrate division aspect of embodiment.

【図2】第1実施形態における基板分割部近傍の拡大断
面図である。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of a substrate division part in the first embodiment.

【図3】基板表面にスクライブ溝を形成するためのスク
ライブ装置の全体構成を示す概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an overall configuration of a scribe device for forming a scribe groove on a substrate surface.

【図4】図3に示す装置によってスクライブ加工を行う
様子を示す拡大断面図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which scribe processing is performed by the apparatus shown in FIG. 3;

【図5】同実施形態において用いるレーザ割断装置の全
体構成を示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an overall configuration of a laser cutting device used in the embodiment.

【図6】同実施形態の基板分割方法を示す部分平面図
(a)及び異なる基板分割方法を示す部分平面図(b)
及び(c)である。
FIG. 6A is a partial plan view illustrating a substrate dividing method according to the embodiment, and FIG. 6B is a partial plan view illustrating a different substrate dividing method.
And (c).

【図7】本発明に係る第2実施形態の基板分割方法を示
す部分平面図(a)及び(b)並びに異なる基板分割方
法を示す部分平面図(c)及び(d)である。
FIGS. 7A and 7B are partial plan views (a) and (b) showing a substrate dividing method according to a second embodiment of the present invention, and partial plan views (c) and (d) showing different substrate dividing methods.

【図8】基板厚t及びスクライブ溝の溝深さDsと、基
板割れやブレイク不良等との関係を説明するためのグラ
フである。
FIG. 8 is a graph for explaining a relationship between a substrate thickness t and a groove depth Ds of a scribe groove, a substrate crack, a break failure, and the like.

【図9】異なるスクライブ方法(傷痕の形成方法)を説
明するためのパネル体250の部分平面図(a)及び
(b)である。
FIGS. 9A and 9B are partial plan views (a) and (b) of the panel body 250 for explaining different scribing methods (scratch forming methods).

【図10】第1実施形態により形成された液晶パネルの
透視平面図である。
FIG. 10 is a perspective plan view of a liquid crystal panel formed according to the first embodiment.

【図11】第1実施形態により形成された液晶パネルの
概略断面図である。
FIG. 11 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel formed according to the first embodiment.

【図12】本発明の実施形態により分割された基板の端
面形状を模式的に示す端面図(a)及び(b)並びに従
来の方法により分割された基板の端面形状を模式的に示
す端面図(c)である。
FIGS. 12A and 12B are end views schematically showing an end face shape of a substrate divided according to an embodiment of the present invention, and end views schematically showing an end face shape of a substrate divided by a conventional method. (C).

【図13】レーザ割断によってパネルを分割する場合の
説明図(a)〜(e)である。
13A to 13E are diagrams illustrating a case where a panel is divided by laser cutting.

【図14】従来の液晶パネルの概略構造を示す概略縦断
面図(a)及び拡大部分平面図(b)である。
FIG. 14 is a schematic longitudinal sectional view (a) and an enlarged partial plan view (b) showing a schematic structure of a conventional liquid crystal panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 液晶パネル 11,12,251,252 基板 11a 基板張出部 12a 端面 12a−1,12a−3 リブマーク 12a−2,12a−4 平坦面 13 シール材 14 液晶 20 スクライブ装置 30 レーザ割断装置 100 大判パネル 110,120 母基板 110a,120a,110b,120b,252a
スクライブ溝 110c,120c,110d,120d,252b,
252c,252d 傷痕 250 パネル体 252a1 深溝部 252a2 浅溝部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid crystal panel 11, 12, 251, 252 Substrate 11a Substrate overhang 12a End surface 12a-1, 12a-3 Rib mark 12a-2, 12a-4 Flat surface 13 Sealing material 14 Liquid crystal 20 Scribe device 30 Laser cutting device 100 Large format panel 110, 120 Mother substrate 110a, 120a, 110b, 120b, 252a
Scribe grooves 110c, 120c, 110d, 120d, 252b,
252c, 252d Scar 250 Panel body 252a1 Deep groove 252a2 Shallow groove

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シール材を介して2枚の基板を貼り合わ
せ、前記シール材の内側の前記基板間に液晶を封入して
なる液晶装置であって、 前記基板の外周の少なくとも一部の端面が前記シール材
上若しくは前記シール材の外縁から外側に100μm以
内の範囲に形成されていることを特徴とする液晶装置。
1. A liquid crystal device comprising two substrates bonded together via a sealing material and a liquid crystal sealed between the substrates inside the sealing material, wherein at least a part of an end surface of an outer periphery of the substrate is provided. Is formed in a range of 100 μm or less on the sealing material or outside from the outer edge of the sealing material.
【請求項2】 前記端面が前記シール材の外縁から外側
に60μm以内の範囲に形成されていることを特徴とす
る請求項1に記載の液晶装置。
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the end face is formed within a range of 60 μm outside the outer edge of the sealing material.
【請求項3】 前記端面が前記シール材上に配置されて
いることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the end face is disposed on the sealing material.
【請求項4】 前記2枚の基板のうち、一方の前記基板
に、他方の前記基板の外縁よりも外側へ張り出した基板
張出部が設けられ、該基板張出部の表面上に前記シール
材から配線が引き出されてなり、前記端面は、他方の前
記基板における前記基板張出部に対向する外端部に設け
られていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のい
ずれか1項に記載の液晶装置。
4. A substrate overhang provided on one of the two substrates over an outer edge of an outer edge of the other substrate, and the seal is provided on a surface of the substrate overhang. The wiring is drawn out of a material, and the end surface is provided at an outer end portion of the other substrate facing the substrate overhanging portion. A liquid crystal device according to the item.
【請求項5】 前記端面が基板素材の局所的な膨張及び
収縮によって生ずる内部応力に起因する破断面からなる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項
に記載の液晶装置。
5. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the end face has a fracture surface caused by internal stress caused by local expansion and contraction of the substrate material. .
【請求項6】 前記端面には、基板表面との間の稜線に
沿って伸びるリブマークが形成されていることを特徴と
する請求項5に記載の液晶装置。
6. The liquid crystal device according to claim 5, wherein a rib mark extending along a ridge line between the end surface and the substrate surface is formed on the end face.
【請求項7】 前記端面の角部近傍にリブマークが形成
されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶装
置。
7. The liquid crystal device according to claim 5, wherein a rib mark is formed near a corner of the end face.
【請求項8】 前記端面には、基板表面との間の稜線に
沿ってリブマークが形成されてなり、 前記リブマークは前記稜線の端部および前記稜線の両端
部の間に位置しており、 前記端部に位置するリブマークの深さは、前記稜線の両
端部の間に位置する少なくとも一つのリブマークの深さ
と異なることを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。
8. A rib mark is formed on the end face along a ridge line between the end face and the substrate surface, wherein the rib mark is located between an end of the ridge and both ends of the ridge. The liquid crystal device according to claim 5, wherein the depth of the rib mark located at the end is different from the depth of at least one rib mark located between both ends of the ridge.
【請求項9】 シール材を介して2枚の基板を貼り合わ
せ、前記シール材の内側の前記基板間に液晶を封入して
なる液晶装置の製造方法であって、 前記2枚の基板のうち、少なくとも一方の前記基板にお
ける、前記シール材上若しくは前記シール材の外縁から
外側に100μm以内の範囲にある部位を破断させる工
程を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: bonding two substrates together via a sealing material; and sealing a liquid crystal between the substrates inside the sealing material. A method for manufacturing a liquid crystal device, the method further comprising the step of: breaking a portion of at least one of the substrates, which is located within 100 μm on the sealing material or outside from the outer edge of the sealing material.
【請求項10】 前記部位を、前記シール材の外縁から
外側に60μm以内の範囲にある部位とすることを特徴
とする請求項9に記載の液晶装置の製造方法。
10. The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 9, wherein the portion is a portion within a range of 60 μm outside the outer edge of the sealing material.
【請求項11】 前記部位を、前記シール材上に配置さ
れた部位とすることを特徴とする請求項9に記載の液晶
装置の製造方法。
11. The method according to claim 9, wherein the part is a part disposed on the seal material.
【請求項12】 前記部位に光を照射し、当該光の照射
による基板素材の局所的な膨張及び収縮によって生ずる
内部応力により前記部位を破断させることを特徴とする
請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載の液晶装
置の製造方法。
12. The method according to claim 9, wherein the part is irradiated with light, and the part is broken by an internal stress generated by local expansion and contraction of the substrate material due to the irradiation of the light. A method for manufacturing the liquid crystal device according to claim 1.
【請求項13】 シール材を介して2枚の基板を貼り合
わせ、前記シール材の内側の前記基板間に液晶を封入し
てなる液晶装置の製造方法であって、 前記基板における前記シール材上の部位に光を照射し、
当該光の照射による基板素材の局所的な膨張及び収縮に
よって生ずる内部応力により前記部位を破断させる工程
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
13. A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising: bonding two substrates together via a sealing material; and sealing a liquid crystal between the substrates inside the sealing material. Irradiate light to the part of
A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising a step of breaking the portion by internal stress generated by local expansion and contraction of a substrate material due to the light irradiation.
【請求項14】 一方の前記基板の前記部位に対して光
照射を行うと同時に他方の前記基板に対しても光照射を
行い、前記2枚の基板を同時に分割することを特徴とす
る請求項12又は請求項13に記載の液晶装置の製造方
法。
14. The method according to claim 1, further comprising irradiating the portion of one substrate with light and simultaneously irradiating the other substrate with light to divide the two substrates simultaneously. A method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 12.
【請求項15】 前記部位を通過する分割予定線に沿っ
て傷痕を形成し、該傷痕から前記基板を破断させていく
ことを特徴とする請求項12乃至請求項14のいずれか
1項に記載の液晶装置の製造方法。
15. The substrate according to claim 12, wherein a scar is formed along a predetermined dividing line passing through the part, and the substrate is broken from the scar. Of manufacturing a liquid crystal device.
【請求項16】 前記傷痕を、前記分割予定線に沿って
伸びるスクライブ溝として形成することを特徴とする請
求項15に記載の液晶装置の製造方法。
16. The method according to claim 15, wherein the scar is formed as a scribe groove extending along the predetermined dividing line.
【請求項17】 前記傷痕を、前記分割予定線上の前記
基板の端部に部分的に形成することを特徴とする請求項
15に記載の液晶装置の製造方法。
17. The method according to claim 15, wherein the scar is partially formed at an end of the substrate on the division line.
【請求項18】 前記傷痕は、前記基板において、前記
分割予定線の端部および前記分割予定線の両端部の間に
位置しており、 前記端部に位置する傷痕の深さは、前記分割予定線の両
端部の間に位置する少なくとも一つの傷痕の深さと異な
ることを特徴とする請求項15に記載の液晶装置の製造
方法。
18. The scar is located between an end of the planned dividing line and both ends of the planned dividing line on the substrate, and a depth of the scar located at the end is determined by the dividing. The method according to claim 15, wherein the depth of the at least one scar located between both ends of the predetermined line is different.
【請求項19】 前記傷痕を、前記分割予定線上の前記
基板の両端部にそれぞれ部分的に形成することを特徴と
する請求項17又は請求項18に記載の液晶装置の製造
方法。
19. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 17, wherein the scar is partially formed on both ends of the substrate on the predetermined dividing line.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634072B1 (en) 2003-08-21 2006-10-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method of manufacturing electro-optical device, method of dividing a plurality of substrates, electro-optical device substrate, and electro-optical device
JP2007271749A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Casio Comput Co Ltd Manufacturing method for liquid crystal cell and liquid crystal cell aggregate
JP2008053087A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Hitachi Displays Ltd Display unit and its manufacturing method
CN100412665C (en) * 2004-07-30 2008-08-20 乐金显示有限公司 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2009014748A (en) * 2007-06-29 2009-01-22 Citizen Finetech Miyota Co Ltd Method of manufacturing liquid crystal display element, and liquid crystal display element
WO2010147331A3 (en) * 2009-06-16 2011-03-03 주식회사 토비스 Method for cutting liquid crystal panel
JP4809368B2 (en) * 2005-12-06 2011-11-09 コーニング インコーポレイテッド System and method for frit sealing a glass package

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634072B1 (en) 2003-08-21 2006-10-13 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method of manufacturing electro-optical device, method of dividing a plurality of substrates, electro-optical device substrate, and electro-optical device
CN100412665C (en) * 2004-07-30 2008-08-20 乐金显示有限公司 Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP4809368B2 (en) * 2005-12-06 2011-11-09 コーニング インコーポレイテッド System and method for frit sealing a glass package
US9150450B2 (en) 2005-12-06 2015-10-06 Corning Incorporated System and method for frit sealing glass packages
JP2007271749A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Casio Comput Co Ltd Manufacturing method for liquid crystal cell and liquid crystal cell aggregate
JP4529932B2 (en) * 2006-03-30 2010-08-25 カシオ計算機株式会社 Liquid crystal cell assembly
JP2008053087A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Hitachi Displays Ltd Display unit and its manufacturing method
JP2009014748A (en) * 2007-06-29 2009-01-22 Citizen Finetech Miyota Co Ltd Method of manufacturing liquid crystal display element, and liquid crystal display element
WO2010147331A3 (en) * 2009-06-16 2011-03-03 주식회사 토비스 Method for cutting liquid crystal panel

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