JP2002174711A - Diffraction element and method for manufacturing the same - Google Patents

Diffraction element and method for manufacturing the same

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JP2002174711A
JP2002174711A JP2000374157A JP2000374157A JP2002174711A JP 2002174711 A JP2002174711 A JP 2002174711A JP 2000374157 A JP2000374157 A JP 2000374157A JP 2000374157 A JP2000374157 A JP 2000374157A JP 2002174711 A JP2002174711 A JP 2002174711A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a diffraction element, by which even after the direction of the diffraction element is controlled so as to correctly guide the reflected light from a disk by the diffraction pattern to a detecting part, the angle between the optical axis of a 1/4 wavelength plate included in the diffraction element an the polarization plane of the light from a laser light source is stably approximately 45 deg.. SOLUTION: The diffraction element 3 consists of a 1/4 wavelength plate 6, an upper transparent substrate 11a and a lower transparent substrate 11b stacked to interpose the 1/4 wavelength plate, and a UV-curing polymer member 13a as a diffraction pattern forming plate which has a diffraction pattern on its surface and which is staked on the upper side of the upper transparent substrate 11a. The angle between the optical axis of the diffraction pattern possessed by the diffraction pattern forming plate and the optical axis of the 1/4 wavelength plate 6 is approximately 45 deg..

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に光
学的に情報を記録または再生する装置に組み込まれる光
ピックアップ装置に用いるための回折素子に関するもの
である。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a diffraction element for use in an optical pickup device incorporated in an apparatus for optically recording or reproducing information on an information recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】光学的に情報を記録または再生できる情
報記録媒体である光ディスクは、大容量の情報を高密度
で記録できるため、オーディオ、ビデオ、コンピュータ
などの多くの分野で利用されている。光ディスクへの情
報の記録および再生には光ピックアップ装置が用いられ
る。光ピックアップ装置の記録再生特性を向上させるた
めには、より多くの信号光が光ピックアップ装置内の光
検出器に入射することが必要である。これに対して、従
来は、偏光光学系を採用することで信号品質の向上が図
られてきた。
2. Description of the Related Art An optical disk, which is an information recording medium capable of optically recording or reproducing information, is capable of recording a large amount of information at a high density, and is therefore used in many fields such as audio, video, and computers. An optical pickup device is used for recording and reproducing information on an optical disk. In order to improve the recording / reproducing characteristics of the optical pickup device, it is necessary that more signal light is incident on a photodetector in the optical pickup device. On the other hand, conventionally, signal quality has been improved by employing a polarization optical system.

【0003】しかし、近年、光ピックアップ装置やドラ
イブ技術の進歩により、より少ない信号光でも十分な特
性を得られるようになってきたことや、小型化、低コス
ト化のニーズが高まってきたことにより、偏光光学系を
採用しない、よりシンプルな光学系を採用する方式が重
視されるようになってきている。その代表的な例とし
て、回折素子を用いることで、光源と光検出部との一体
化を実現した、いわゆる集積ユニット光学系が挙げられ
る。この集積ユニット光学系は、基本的には、集積ユニ
ットと対物レンズで構成された、きわめてシンプルなも
のである。さらに、集積ユニット光学系には、バリエー
ションとして、対物レンズと集積ユニットとの間にコリ
メータレンズをコリメータレンズを挿入したものや、対
物レンズと集積ユニットとの間に立ち上げミラーを挿入
したものが考えられる。図24に示すのは、対物レンズ
5と集積ユニット4との間に、コリメータレンズ7と立
ち上げミラー8との両方を挿入した例である。
However, in recent years, due to advances in optical pickup devices and drive technologies, sufficient characteristics can be obtained with less signal light, and the need for miniaturization and cost reduction has increased. A system that does not employ a polarization optical system and employs a simpler optical system has been gaining importance. A typical example is a so-called integrated unit optical system in which a light source and a light detection unit are integrated by using a diffraction element. This integrated unit optical system is basically a very simple one composed of an integrated unit and an objective lens. Further, as the integrated unit optical system, as a variation, a type in which a collimator lens is inserted between the objective lens and the integrated unit, or a type in which a startup mirror is inserted between the objective lens and the integrated unit are considered. Can be FIG. 24 shows an example in which both the collimator lens 7 and the rising mirror 8 are inserted between the objective lens 5 and the integrated unit 4.

【0004】集積ユニット光学系に用いられる回折素子
3としては、従来、ガラス製のものが用いられていた
が、特開平10−254335号公報や、特開平10−
187014号公報に記載されているように、樹脂製の
ものが使用されるようになってきており、このような樹
脂製の回折素子の使用は、従来のガラス製のものに比べ
て、材料費のコストダウンが図れ、さらに製造工程にお
けるコストダウンも図れるため、好ましい。
As the diffraction element 3 used in the optical system of the integrated unit, a diffraction element 3 made of glass has conventionally been used. However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-254335 and
As described in Japanese Patent No. 187014, a resin-made one is used, and the use of such a resin-made diffraction element is more expensive than the conventional glass-made one. This is preferable because the cost can be reduced, and the cost in the manufacturing process can be reduced.

【0005】一方、近年、DVD(Digital Video Dis
c)などにおいては、記録のさらなる高密度化を図るた
めに、対物レンズの高NA化(「NA」とは、レンズ開
口率=レンズ半径/焦点距離)と並行して、ディスク厚
みの薄型化が図られている。
On the other hand, in recent years, DVD (Digital Video Dis
In c) and the like, in order to further increase the recording density, the disk thickness should be reduced in parallel with increasing the NA of the objective lens (“NA” means lens aperture ratio = lens radius / focal length). Is planned.

【0006】しかし、このディスク厚みの薄型化によっ
て、ディスク成形時に発生する複屈折が増大するという
問題が生じている。したがって、複屈折の大きなディス
クに対しても、安定して記録再生が可能な光ピックアッ
プ装置が求められている。
However, the thinning of the disk causes a problem that the birefringence generated at the time of forming the disk increases. Therefore, there is a need for an optical pickup device capable of recording and reproducing information stably even on a disk having a large birefringence.

【0007】たとえば、特開平10−83552号公報
に開示された光ピックアップ装置は、偏光光学系におい
て、旋光角を制御可能な液晶素子またはファラデー回転
素子、あるいは、姿勢を回転制御可能な波長板を設ける
ことによって、複屈折の大きいディスクであっても、反
射光量が最大になるように偏波面の方向を制御するもの
である。また、特開平6−309690号公報に開示さ
れた光ピックアップ装置は、無偏光ビームスプリッタを
採用することで、ディスクの複屈折の程度に関係なく、
受光部へディスクからの反射光を分離することができる
としている。さらに、無偏光ビームスプリッタと対物レ
ンズとの間に四分の一波長板を配置することで、一次光
と、レーザ光源の共振器端面における反射による二次光
との間の干渉ノイズを低減できるとしている。これら2
つの公報に記載の発明で、共通しているのは、波長板な
どの位相差を発生させる素子(以下、「位相差発生素
子」という。)を備えることで、ディスクの複屈折の影
響を緩和できるという点である。
For example, an optical pickup device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-83552 discloses a polarizing optical system which includes a liquid crystal element or a Faraday rotation element capable of controlling the angle of rotation, or a wavelength plate capable of controlling the attitude. With this arrangement, the direction of the plane of polarization is controlled so that the amount of reflected light is maximized even for a disk having a large birefringence. Further, the optical pickup device disclosed in JP-A-6-309690 employs a non-polarizing beam splitter, so that regardless of the degree of birefringence of the disk,
It is stated that the reflected light from the disk can be separated into a light receiving section. Further, by disposing a quarter-wave plate between the non-polarizing beam splitter and the objective lens, it is possible to reduce interference noise between the primary light and the secondary light due to reflection at the resonator end face of the laser light source. And These two
The inventions described in the two publications have in common that an element for generating a phase difference such as a wavelength plate (hereinafter, referred to as a “phase difference generating element”) is provided to mitigate the influence of birefringence of the disk. It is possible.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述の集積ユニットを
用いた光学系では、偏光素子を使用していないため、デ
ィスクの複屈折によって反射光の偏光状態が変化して
も、検出器に入射する信号光量が変化するなどの弊害は
生じない。
In the optical system using the above-mentioned integrated unit, since no polarizing element is used, even if the polarization state of the reflected light changes due to the birefringence of the disk, the light enters the detector. No adverse effect such as a change in the signal light amount occurs.

【0009】しかし、実際には、ディスクの複屈折の影
響によって、ディスク上に形成された情報ピットでの回
折状態が変化し、信号品質に影響を与えてしまう場合が
ある。つまり、無偏光光学系においても、ディスクの複
屈折が大きいと、ピット回折光であるディスク反射光自
身が変動してしまうという問題があった。要するに、デ
ィスクへの入射光の偏波面の方向と、ディスクの複屈折
の光学軸(optic axis)方向との関係により、ディスク
からの反射光が変動するということになる。
However, in practice, due to the influence of the birefringence of the disk, the state of diffraction at the information pits formed on the disk may change, which may affect the signal quality. That is, even in the non-polarization optical system, if the birefringence of the disk is large, there is a problem that the disk reflected light itself, which is the pit diffracted light, fluctuates. In short, the light reflected from the disk fluctuates depending on the relationship between the direction of the plane of polarization of the light incident on the disk and the direction of the optic axis of the birefringence of the disk.

【0010】そこで、無偏光光学系においても、上述の
特開平10−83552号公報や特開平6−30969
0号公報に記載の光ピックアップ装置で行なっているよ
うに、光学系中に波長板などの位相差発生素子を挿入す
ることで、ディスクへの入射光の偏光状態を最適化する
必要がある。しかし、上述の公報に記載されているよう
な回転制御可能な波長板や旋光角を制御するための素子
の類を新たに搭載すると、部品点数や組立て調整の必要
な箇所の増加を招く。さらに、波長板などは普通のミラ
ーなどの光学部品に比べて高価であるので、光ピックア
ップ装置のコストアップになってしまう。
Therefore, even in a non-polarizing optical system, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-83552 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
It is necessary to optimize the polarization state of the light incident on the disk by inserting a phase difference generating element such as a wave plate into the optical system as performed in the optical pickup device described in Japanese Patent Application Publication No. 0-205. However, if a rotation-controllable wave plate or an element for controlling the angle of rotation as described in the above-mentioned publication is newly mounted, the number of parts and the number of parts requiring assembly adjustment are increased. Further, the wavelength plate and the like are more expensive than optical components such as ordinary mirrors, so that the cost of the optical pickup device is increased.

【0011】この問題は、本願発明者のした特許出願で
ある特願2000−025234号に記載した集積ユニ
ット内に位相差発生素子を内装することにより、解決で
きる。集積ユニット内に位相差発生素子を内装する例の
一つとして、回折素子内部に位相差発生素子を内装した
構造について、図25、図26を参照して説明する。図
26は、図25に示す集積ユニット光学系に用いられて
いる集積ユニット4の構造を詳細に示す断面図である。
This problem can be solved by mounting a phase difference generating element in an integrated unit described in Japanese Patent Application No. 2000-025234 filed by the present inventor. A structure in which a phase difference generating element is provided inside a diffraction element will be described with reference to FIGS. 25 and 26 as one example of mounting a phase difference generating element in an integrated unit. FIG. 26 is a sectional view showing the structure of the integrated unit 4 used in the integrated unit optical system shown in FIG. 25 in detail.

【0012】図26に示すように、集積ユニット4は、
回折素子3とレーザ本体10とを備えている。回折素子
3は、多層構造となっており、その中核となる部分に、
位相差発生素子60を透明基板11a,11bによって
上下から挟みこんだ構造を含んでいる。透明基板11
a,11bをさらに上下から挟みこむようにプライマ処
理層14a,14bが形成されている。この上下のプラ
イマ処理層14a,14bをさらに上下から挟みこむよ
うに紫外線硬化型ポリマ部材13a,13bが形成され
ており、さらに上下から挟みこむように反射防止膜15
a,15bが形成されている。回折素子3は、紫外線硬
化型接着剤18を介してレーザ本体10のシールキャッ
プ16の開口を閉じるように固定されている。レーザ本
体10は、シールキャップ16の内部にレーザ光源1お
よび検出部2を備えており、シールキャップ16の開口
部には光の出入りは可能なようにキャップガラス17を
備えている。
As shown in FIG. 26, the integrated unit 4
The device includes a diffraction element 3 and a laser body 10. The diffractive element 3 has a multilayer structure, and a core portion thereof includes:
It has a structure in which the phase difference generating element 60 is sandwiched between the transparent substrates 11a and 11b from above and below. Transparent substrate 11
Primer processing layers 14a and 14b are formed so as to further sandwich a and 11b from above and below. UV curable polymer members 13a and 13b are formed so as to further sandwich the upper and lower primer processing layers 14a and 14b from above and below, and the antireflection film 15 is further sandwiched from above and below.
a and 15b are formed. The diffractive element 3 is fixed so as to close the opening of the seal cap 16 of the laser main body 10 via an ultraviolet curable adhesive 18. The laser main body 10 includes a laser light source 1 and a detection unit 2 inside a seal cap 16, and a cap glass 17 at an opening of the seal cap 16 so that light can enter and exit.

【0013】この集積ユニット4を光ピックアップ装置
に組み込んだ状態を、図24に示す。レーザ光源1から
出た光は、回折素子3を透過し、コリメータレンズ7に
よって平行光とされ、立ち上げミラー8によってディス
ク9に垂直な向きに曲げられ、対物レンズ5によってデ
ィスク9の表面に照射される。この光学系において、上
述のようなディスクからの反射光の変動を極力少なくす
るには、ディスク9の表面に入射する光が略円偏光であ
る必要がある。そのための条件としては、第一に、回折
素子3の内部に含まれる位相差発生素子60が発生させ
る位相差が略1/4波長であること、すなわち位相差発
生素子60が四分の一波長板6であること、第二には、
四分の一波長板6の光学軸がレーザ光の偏波面に対して
略45°をなすことである。
FIG. 24 shows a state in which the integrated unit 4 is incorporated in an optical pickup device. The light emitted from the laser light source 1 passes through the diffraction element 3, is converted into parallel light by a collimator lens 7, is bent in a direction perpendicular to the disk 9 by a rising mirror 8, and is irradiated on the surface of the disk 9 by an objective lens 5. Is done. In this optical system, the light incident on the surface of the disk 9 needs to be substantially circularly polarized in order to minimize the fluctuation of the reflected light from the disk as described above. First, the phase difference generated by the phase difference generating element 60 included in the diffraction element 3 is approximately 波長 wavelength, that is, the phase difference generating element 60 Second, the plate 6
That is, the optical axis of the quarter-wave plate 6 is approximately 45 ° with respect to the plane of polarization of the laser beam.

【0014】この第二の条件を満たすためには、表向き
は、四分の一波長板6を含む素子をシールキャップ16
に搭載する際に、レーザ光の偏波面に対して四分の一波
長板6の光学軸が略45°をなすように回転調整し、固
定すればよい。しかし、ここでは、四分の一波長板6を
含む素子は回折素子3であり、回折素子3にはディスク
9からの反射光を検出部2に導くために設けられた回折
パターンが存在する。回折パターンの回折すべき方向は
検出部2の位置によって決まる。
In order to satisfy the second condition, the element including the quarter-wave plate 6 is ostensibly mounted on the seal cap 16.
When mounted on the optical disk, the quarter-wave plate 6 may be rotated and adjusted so that the optical axis of the quarter-wave plate 6 forms approximately 45 ° with respect to the plane of polarization of the laser light, and fixed. However, here, the element including the quarter-wave plate 6 is the diffraction element 3, and the diffraction element 3 has a diffraction pattern provided to guide the reflected light from the disk 9 to the detection unit 2. The direction in which the diffraction pattern should be diffracted is determined by the position of the detection unit 2.

【0015】そこで、従来は、回折素子3の搭載の際に
は、既に一定位置に設置された検出部2で受光される光
信号をモニタしながら回折素子3の姿勢を調整し、回折
素子3が最適な位置および姿勢になるように調整し、固
定することとしている。回折素子3の姿勢を調整すると
内部に含まれる四分の一波長板6の姿勢も同時に変わっ
てしまうため、回折素子3の調整後の姿勢において、四
分の一波長板6の光学軸が必ずレーザ光の偏波面に対し
て略45°をなしているという保証はない。この角度が
45°から外れていくと、ディスク9に到達する光は円
偏光から遠ざかっていく。
Therefore, conventionally, when the diffraction element 3 is mounted, the attitude of the diffraction element 3 is adjusted while monitoring the optical signal received by the detection unit 2 already installed at a fixed position. Are adjusted and fixed so as to be in an optimal position and posture. When the attitude of the diffraction element 3 is adjusted, the attitude of the quarter-wave plate 6 included therein is also changed at the same time. Therefore, in the adjusted attitude of the diffraction element 3, the optical axis of the quarter-wave plate 6 must be There is no guarantee that the angle is approximately 45 ° with respect to the plane of polarization of the laser light. As this angle deviates from 45 °, the light that reaches the disk 9 moves away from circularly polarized light.

【0016】そこで、本発明は、回折素子に含まれる回
折パターンによってディスクからの反射光が検出部に正
しく導かれるように回折素子の向きを調整した後であっ
ても、この回折素子に含まれる四分の一波長板の光学軸
とレーザ光源からの光の偏波面とのなす角が安定して略
45°となるような、回折素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
Therefore, the present invention includes the diffraction element even if the direction of the diffraction element is adjusted so that the reflected light from the disk is correctly guided to the detection section by the diffraction pattern included in the diffraction element. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a diffraction element in which the angle between the optical axis of a quarter-wave plate and the plane of polarization of light from a laser light source stably becomes approximately 45 °.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に基づく回折素子は、上面と下面とを有する
四分の一波長板と、上記四分の一波長板の上側に重ねて
配置された上側透明基板と、上記四分の一波長板の下側
に重ねて配置された下側透明基板と、上記上側透明基板
の上側に重ねて配置され、表面に回折パターンを形成さ
れた回折パターン形成板とを備え、上記回折パターン形
成板の有する回折パターンの光学軸と、上記四分の一波
長板の光学軸とは、略45°の角度をなす。
In order to achieve the above object, a diffraction element according to the present invention comprises a quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface, and a quarter-wave plate overlying the quarter-wave plate. The disposed upper transparent substrate, the lower transparent substrate disposed so as to overlap the lower side of the quarter-wave plate, and disposed above the upper transparent substrate so as to have a diffraction pattern formed on the surface. A diffraction pattern forming plate, wherein the optical axis of the diffraction pattern of the diffraction pattern forming plate and the optical axis of the quarter-wave plate form an angle of approximately 45 °.

【0018】上記構成を採用することにより、レーザ光
源からのレーザ光の偏波面を回折パターンの光学軸と平
行にするだけで、レーザ光の偏波面と四分の一波長板の
光学軸とのなす角度が確実に略45°となるようにする
ことができる。その結果、ディスクに入射する光は略円
偏光となり、記録媒体の複屈折による反射光の変動を低
減することができる。
By adopting the above configuration, the polarization plane of the laser beam from the laser light source is made parallel to the optical axis of the diffraction pattern, and the polarization plane of the laser beam and the optical axis of the quarter-wave plate are aligned. It is possible to ensure that the angle formed is approximately 45 °. As a result, the light incident on the disk becomes substantially circularly polarized light, and the fluctuation of the reflected light due to the birefringence of the recording medium can be reduced.

【0019】上記目的を達成するため、本発明に基づく
回折素子の製造方法の一つの局面では、上面と下面とを
有する四分の一波長板と、上記四分の一波長板の上側に
重ねて配置された上側透明基板と、上記四分の一波長板
の下側に重ねて配置された下側透明基板とからなり、向
きを定めるための辺である方位決定辺を有する四分の一
波長基板に対して、上記方位決定辺を参照して、回折パ
ターンの光学軸を設定する方位を決定する回折パターン
形成方位決定工程と、上記回折パターン形成方位決定工
程で決定された方位を光学軸とするように、上記上側透
明基板の上方に上記回折パターンを形成する回折パター
ン形成工程とを含む。
In order to achieve the above object, in one aspect of the method for manufacturing a diffraction element according to the present invention, a quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface is overlapped on the upper side of the quarter-wave plate. And a lower transparent substrate disposed below the quarter-wave plate and having an orientation determining side that is a side for determining the direction. With respect to the wavelength substrate, with reference to the azimuth determining side, a diffraction pattern forming azimuth determining step of determining an azimuth for setting the optical axis of the diffraction pattern, and the azimuth determined in the diffraction pattern forming azimuth determining step is an optical axis Forming a diffraction pattern above the upper transparent substrate.

【0020】上記方法を採用することにより、回折パタ
ーンの光学軸と四分の一波長基板の光学軸とのなす角度
を所望の角度にすることができる。たとえば、略45°
にしておけば、回折パターンの光学軸とレーザ光の偏波
面とを平行にすることで、記録媒体に入射するレーザ光
を円偏光とすることができ、記録媒体の複屈折による反
射光の変動を低減することができる。
By adopting the above method, the angle between the optical axis of the diffraction pattern and the optical axis of the quarter wavelength substrate can be set to a desired angle. For example, approximately 45 °
By setting the optical axis of the diffraction pattern parallel to the plane of polarization of the laser beam, the laser beam incident on the recording medium can be circularly polarized, and the fluctuation of the reflected light due to the birefringence of the recording medium. Can be reduced.

【0021】上記発明において好ましくは、上記方位決
定辺が、上記四分の一波長基板の光学軸に平行である。
この方法を採用することにより、回折パターンの光学軸
と四分の一波長基板の光学軸とのなす角度を所望の角度
にする際に、方位決定辺の方向を基準に回折パターンの
光学軸の方向を決めやすい。
In the above invention, preferably, the azimuth determining side is parallel to the optical axis of the quarter wavelength substrate.
By adopting this method, when the angle between the optical axis of the diffraction pattern and the optical axis of the quarter-wavelength substrate is set to a desired angle, the optical axis of the diffraction pattern is determined based on the direction of the azimuth determining side. Easy to decide the direction.

【0022】上記目的を達成するため、本発明に基づく
回折素子の製造方法の他の局面では、上面と下面とを有
する四分の一波長板と、上記四分の一波長板の上側に重
ねて配置された上側透明基板と、上記四分の一波長板の
下側に重ねて配置された下側透明基板とからなり、上記
四分の一波長板の光学軸の方位を測定して、その測定結
果に基づいて回折パターンの光学軸を設定する方位を決
定する回折パターン形成方位決定工程と、上記回折パタ
ーン形成方位決定工程で決定された方位を光学軸とする
ように上記回折パターンを形成する回折パターン形成工
程とを含む。この方法を採用することにより、四分の一
波長板の光学軸が未知であった場合でも、四分の一波長
板の光学軸と回折パターンの光学軸とを所望の角度にす
ることができる。たとえば、略45°にしておけば、回
折パターンの光学軸とレーザ光の偏波面とを平行にする
ことで、記録媒体に入射するレーザ光を円偏光とするこ
とができ、記録媒体の複屈折による反射光の変動を低減
することができる。
In order to achieve the above object, in another aspect of the method of manufacturing a diffraction element according to the present invention, a quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface is provided on a top of the quarter-wave plate. The upper transparent substrate arranged in the lower side, comprising a lower transparent substrate placed over the lower side of the quarter-wave plate, measuring the orientation of the optical axis of the quarter-wave plate, A diffraction pattern forming direction determining step of determining an direction for setting an optical axis of the diffraction pattern based on the measurement result; and forming the diffraction pattern such that the direction determined in the diffraction pattern forming direction determining step is set as an optical axis. And forming a diffraction pattern. By adopting this method, even when the optical axis of the quarter-wave plate is unknown, the optical axis of the quarter-wave plate and the optical axis of the diffraction pattern can be at a desired angle. . For example, if the angle is set to approximately 45 °, by making the optical axis of the diffraction pattern parallel to the plane of polarization of the laser beam, the laser beam incident on the recording medium can be circularly polarized, and the birefringence of the recording medium can be obtained. The fluctuation of the reflected light due to the above can be reduced.

【0023】上記発明において好ましくは、上記回折パ
ターンの光学軸と、上記四分の一波長基板の光学軸とが
45°の角度をなすように、上記回折パターンを形成す
る。回折パターンの光学軸とレーザ光の偏波面とを平行
にすることで、レーザ光の偏波面と四分の一波長基板の
光学軸とが45°の角度をなすようになるため、記録媒
体に入射するレーザ光を円偏光とすることができ、記録
媒体の複屈折による反射光の変動を低減することができ
る。
Preferably, in the above invention, the diffraction pattern is formed such that the optical axis of the diffraction pattern and the optical axis of the quarter-wavelength substrate form an angle of 45 °. By making the optical axis of the diffraction pattern parallel to the plane of polarization of the laser beam, the plane of polarization of the laser beam and the optical axis of the quarter-wavelength substrate make an angle of 45 °. The incident laser light can be circularly polarized, and the fluctuation of reflected light due to birefringence of the recording medium can be reduced.

【0024】上記発明において好ましくは、上記回折パ
ターンの形成は、紫外線硬化性樹脂を配置し、上記回折
パターンに対応する形状に変形させた状態で紫外線を照
射して硬化させることで行なう。この方法を採用するこ
とにより、回折パターンを効率良く均一に形成すること
ができる。
Preferably, in the above invention, the formation of the diffraction pattern is performed by disposing an ultraviolet-curable resin and irradiating the resin with ultraviolet rays in a state where the resin is deformed into a shape corresponding to the diffraction pattern, and is cured. By employing this method, a diffraction pattern can be efficiently and uniformly formed.

【0025】上記発明において好ましくは、上記回折パ
ターンは分割線を有し、上記分割線の一つは上記回折パ
ターンの光学軸に平行である。この方法を採用すること
により、回折パターンの光学軸を直接認識できなくても
分割線を基準にレーザ光の偏波面の向きを決めることが
できるため、レーザ光の偏波面と回折パターンの光学軸
とのなす角度を定める際に好都合である。
In the above invention, preferably, the diffraction pattern has a dividing line, and one of the dividing lines is parallel to an optical axis of the diffraction pattern. By adopting this method, even if the optical axis of the diffraction pattern cannot be directly recognized, the direction of the polarization plane of the laser light can be determined based on the dividing line. This is convenient when determining the angle between the two.

【0026】上記発明において好ましくは、上記回折パ
ターン形成工程の後に、上記四分の一波長基板を円形に
し、ダイシングによって分割するダイシング工程を含
む。この構成を採用することにより、四分の一波長基板
の段階で回折パターンの光学軸や分割線がどのような向
きで形成されていても、一旦、円形に加工されてからダ
イシングによって分割されるため、一つの回折素子に対
応する分として得られるものは、外辺と分割線との幾何
学的関係を所望の関係とすることができる。
In the above invention, preferably, after the diffraction pattern forming step, a dicing step of making the quarter-wavelength substrate circular and dividing by dicing is included. By adopting this configuration, even if the optical axis or the dividing line of the diffraction pattern is formed in any direction at the stage of the quarter wavelength substrate, it is once processed into a circular shape and then divided by dicing. Therefore, what is obtained as a part corresponding to one diffraction element can have a desired geometrical relationship between the outer side and the dividing line.

【0027】上記目的を達成するため、本発明に基づく
集積ユニットは、レーザ光源と、上記レーザ光源から射
出され、記録媒体によって反射されて戻ってきた光を検
出するための検出部と、上記レーザ光源および上記検出
部を内部に収め、光が出入りするための開口部を有する
シールキャップと、上記開口部を覆い、かつ、上記回折
パターンの光学軸と上記レーザ光源から入射するレーザ
光の偏波面とが平行となるように配置された上記回折素
子とを備える。この構成を採用することにより、レーザ
光の偏波面と四分の一波長板の光学軸とのなす角度が略
45°となるようにすることができる。その結果、記録
媒体に入射する光は略円偏光となり、記録媒体の複屈折
による反射光の変動を低減することができる。
In order to achieve the above object, an integrated unit according to the present invention comprises a laser light source, a detection unit for detecting light emitted from the laser light source, reflected by a recording medium, and returned, A light source and the detection unit are housed therein, and a seal cap having an opening through which light enters and exits, and covers the opening, and an optical axis of the diffraction pattern and a polarization plane of laser light incident from the laser light source. And the above-described diffraction element arranged so as to be parallel to each other. By employing this configuration, the angle between the polarization plane of the laser beam and the optical axis of the quarter-wave plate can be set to approximately 45 °. As a result, the light incident on the recording medium becomes substantially circularly polarized light, and the fluctuation of the reflected light due to the birefringence of the recording medium can be reduced.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)本発明に基づく
実施の形態1における回折素子について説明する前に、
まず、四分の一波長板の光学軸とレーザ光源からの光の
偏波面とのなす角が、最終的に安定して略45°となる
には、どうしたらよいかについて検討する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) Before describing a diffraction element according to Embodiment 1 of the present invention,
First, how the angle formed between the optical axis of the quarter-wave plate and the plane of polarization of light from the laser light source stably becomes approximately 45 ° will be examined.

【0029】上述のように検出器2で受光状態をモニタ
しながら回折素子3の向きを調整した場合であっても、
回折素子3に含まれる回折パターンの光学軸は最終的に
検出器2の位置によって定まる一定の方向に落ち着くは
ずである。なお、「光学軸」(optic axis)という語
は、本来、複屈折性材料において複屈折の起きない方向
の軸を意味する語であって、回折パターンについて用い
る語ではないが、本明細書では、便宜上、回折パターン
の縞模様に垂直な方向を「回折パターンの光学軸」とい
うものとする。
As described above, even when the direction of the diffraction element 3 is adjusted while monitoring the light receiving state by the detector 2,
The optical axis of the diffraction pattern included in the diffraction element 3 should eventually settle in a certain direction determined by the position of the detector 2. Note that the term “optic axis” originally means an axis in a direction in which birefringence does not occur in a birefringent material, and is not a term used for a diffraction pattern. For convenience, the direction perpendicular to the stripe pattern of the diffraction pattern is referred to as the “optical axis of the diffraction pattern”.

【0030】そこで、もし、回折素子3に含まれる回折
パターンの光学軸と四分の一波長板6の光学軸とが常に
一定角度であれば、検出器2で受光状態をモニタして回
折素子3の向きを調整した結果、回折パターンの光学軸
が一定の方向に落ち着くと同時に四分の一波長板6の光
学軸も一定の方向に落ち着くはずである。あとは、集積
ユニット4として組み立てる際にレーザ光源1からの光
を偏光子に透過させるなどの公知の手段によって、レー
ザ光の偏波面を、四分の一波長板6の光学軸と45°を
なす角度に設定すればよい。
Therefore, if the optical axis of the diffraction pattern included in the diffraction element 3 and the optical axis of the quarter-wave plate 6 are always at a constant angle, the light receiving state is monitored by the detector 2 and the diffraction element is monitored. As a result of adjusting the direction of 3, the optical axis of the diffraction pattern should be settled in a fixed direction, and at the same time, the optical axis of the quarter-wave plate 6 should be settled in a fixed direction. Then, when assembling as the integrated unit 4, the polarization plane of the laser light is set at 45 ° with the optical axis of the quarter-wave plate 6 by a known means such as transmitting light from the laser light source 1 to a polarizer. What is necessary is just to set the angle to make.

【0031】(構成)そこで、本実施の形態における回
折素子は、図1に示すように、四分の一波長板6と、こ
の四分の一波長板6を上下から挟むように配置された透
明基板11a,11bと、さらに透明基板11a,11
bを上下から挟むように配置され、表面に回折パターン
を形成された回折パターン形成板13a,13bとを備
えている。さらに、回折パターン形成板13a,13b
の有する回折パターンの光学軸と、四分の一波長板6の
光学軸とは、略45°の角度をなしている。
(Structure) Therefore, as shown in FIG. 1, the diffraction element according to the present embodiment is arranged so as to sandwich the quarter-wave plate 6 from above and below. The transparent substrates 11a, 11b and the transparent substrates 11a, 11
b are arranged from above and below, and are provided with diffraction pattern forming plates 13a and 13b having a diffraction pattern formed on the surface. Further, the diffraction pattern forming plates 13a, 13b
And the optical axis of the quarter-wave plate 6 form an angle of approximately 45 °.

【0032】(作用・効果)回折素子3をこのような構
成としたことによって、レーザ光源1からのレーザ光の
偏波面を回折パターンの光学軸と平行にするだけで、レ
ーザ光の偏波面と四分の一波長板6の光学軸とのなす角
度が確実に略45°となるようにすることができる。そ
の結果、ディスク9に入射する光は略円偏光となり、デ
ィスク9の複屈折による反射光の変動を低減することが
できる。
(Function / Effect) With the above-described structure of the diffraction element 3, the polarization plane of the laser beam from the laser light source 1 is simply made parallel to the optical axis of the diffraction pattern, and the polarization plane of the laser beam is The angle between the quarter-wave plate 6 and the optical axis can be reliably set to approximately 45 °. As a result, the light incident on the disk 9 becomes substantially circularly polarized light, and the fluctuation of the reflected light due to the birefringence of the disk 9 can be reduced.

【0033】なお、このような回折素子3を用いて、図
26に示したものと同様の構造で集積ユニット4を構成
した場合、ディスク9に入射する光は略円偏光となり、
ディスク9の複屈折による反射光の変動を低減すること
ができる。
When the integrated unit 4 is constructed by using such a diffractive element 3 with the same structure as that shown in FIG. 26, the light incident on the disk 9 becomes substantially circularly polarized light.
Variations in reflected light due to birefringence of the disk 9 can be reduced.

【0034】(実施の形態2) (製造方法)本発明に基づく実施の形態2では、実施の
形態1で述べた回折素子3の製造方法について説明す
る。製造工程は、特開平10−254335号公報、特
開平10−187014号公報に記載された紫外線硬化
型樹脂による回折素子(ホログラム素子)の製造方法と
同様であるが、以下に説明する。
(Second Embodiment) (Manufacturing Method) In a second embodiment according to the present invention, a method of manufacturing the diffraction element 3 described in the first embodiment will be described. The manufacturing process is the same as the method of manufacturing a diffractive element (hologram element) using an ultraviolet curable resin described in JP-A-10-254335 and JP-A-10-187014, which will be described below.

【0035】本実施の形態では、図2に示すように、四
分の一波長板6を2枚の透明基板21a,21bで挟み
こみ、接着したものを四分の一波長基板20として用い
る。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, the quarter-wave plate 6 is sandwiched between two transparent substrates 21a and 21b and bonded to each other and used as the quarter-wave substrate 20.

【0036】まず、図3を参照して、プライマ処理工程
について説明する。プライマ処理工程としては、四分の
一波長基板20の表面にプライマ液23を塗布し、スピ
ンコート方式で四分の一波長基板20全面に広げる。同
様に裏面にもプライマ液23を塗布し、スピンコート方
式で全面に広げる。表裏両面に塗布したプライマ液23
を乾燥させる。この工程は、四分の一波長基板20の表
裏に、回折パターン形成のための紫外線硬化型樹脂42
a,42bが密着しやすくなるようにするために行なう
工程である。
First, the primer processing step will be described with reference to FIG. In the primer treatment step, the primer liquid 23 is applied to the surface of the quarter-wavelength substrate 20 and spread over the entire surface of the quarter-wavelength substrate 20 by spin coating. Similarly, the primer solution 23 is applied to the back surface and spread over the entire surface by spin coating. Primer solution 23 applied on both sides
Allow to dry. In this step, the ultraviolet curable resin 42 for forming a diffraction pattern is formed on the front and back of the quarter-wavelength substrate 20.
This is a step performed so that a and 42b can easily adhere to each other.

【0037】図4を参照して、2P(Photo Polymer)
成形工程について説明する。この工程は、図5に示す2
P成形装置50を用いて行なう。2P成形装置50は、
ダイセットユニット30を備える。ダイセットユニット
は、上ダイセットベース31と下ダイセットベース32
とが開閉可能な構成となっている。上ダイセットベース
31の下ダイセットベース32に対向する側には透明基
材部33を介して上スタンパ40が固定されている。下
ダイセットベース32の上ダイセットベース31に対向
する側には下スタンパ41が固定されている。また、ダ
イセットユニット30の上方には、紫外線硬化型樹脂を
硬化させるための紫外線照射機38が配置されている。
Referring to FIG. 4, 2P (Photo Polymer)
The molding step will be described. This step is performed as shown in FIG.
This is performed using a P molding device 50. The 2P molding device 50
A die set unit 30 is provided. The die set unit includes an upper die set base 31 and a lower die set base 32.
And can be opened and closed. On the side of the upper die set base 31 facing the lower die set base 32, an upper stamper 40 is fixed via a transparent base 33. A lower stamper 41 is fixed to a side of the lower die set base 32 facing the upper die set base 31. Above the die set unit 30, an ultraviolet irradiator 38 for curing the ultraviolet curable resin is disposed.

【0038】図6に示すように、透明基板21aの上面
と、下スタンパ41の上面とに紫外線硬化型樹脂42
a,42bをそれぞれ塗布する。図7に示すように、ダ
イセットユニット30を閉じる。すなわち、ダイセット
開閉用Z軸36により上ダイセットベース31と下ダイ
セットベース32とが接近し、紫外線硬化型樹脂42
a,42bを圧迫する。紫外線硬化型樹脂42a,42
bは、四分の一波長基板20に沿って広がり、上スタン
パ40、下スタンパ41の凹凸形状が転写される。図8
に示すように、紫外線照射機38により、ダイセットユ
ニット30の上方から透明基材部33、上スタンパ40
を通して紫外線を照射し、紫外線硬化型樹脂42a,4
2bを硬化させる。図9に示すように、ダイセットユニ
ット30をダイセット開閉用Z軸36により開くことに
より、四分の一波長基板20の表裏両面に回折格子がパ
ターニングされる。その結果、図4に示す状態となる。
As shown in FIG. 6, an ultraviolet curable resin 42 is provided on the upper surface of the transparent substrate 21a and the upper surface of the lower stamper 41.
a and 42b are applied respectively. As shown in FIG. 7, the die set unit 30 is closed. That is, the upper die set base 31 and the lower die set base 32 approach by the die set opening / closing Z-axis 36, and the ultraviolet curable resin 42
a, 42b. UV curable resin 42a, 42
b spreads along the quarter-wavelength substrate 20, and the irregularities of the upper stamper 40 and the lower stamper 41 are transferred. FIG.
As shown in FIG. 3, the transparent base 33 and the upper stamper 40 are positioned from above the die set unit 30 by the ultraviolet irradiation device 38.
UV light is irradiated through the UV-curable resin 42a, 4
2b is cured. As shown in FIG. 9, by opening the die set unit 30 by the die set opening / closing Z axis 36, the diffraction grating is patterned on both the front and back surfaces of the quarter-wavelength substrate 20. As a result, the state shown in FIG. 4 is obtained.

【0039】上スタンパ40および下スタンパ41の有
するパターン形状を、図10に示す。上スタンパ40お
よび下スタンパ41は、透明の材料からなり、表面には
同一形状の回折格子44を等間隔に配置している。図1
0の1区画を拡大したところを図11に示す。回折格子
44には、異なるピッチの格子縞からなる2つの回折格
子領域45a,45bが存在する。回折格子領域45
a,45bの間は、これらの格子縞と垂直な方向に延び
る分割線45によって分割されている。
FIG. 10 shows the pattern shapes of the upper stamper 40 and the lower stamper 41. The upper stamper 40 and the lower stamper 41 are made of a transparent material, and the diffraction gratings 44 having the same shape are arranged at equal intervals on the surface. FIG.
FIG. 11 shows an enlarged view of one section of 0. The diffraction grating 44 has two diffraction grating regions 45a and 45b composed of grating fringes having different pitches. Diffraction grating area 45
The space between a and 45b is divided by a dividing line 45 extending in a direction perpendicular to these lattice fringes.

【0040】組立て調整した後の状態を図12に示すよ
うに、回折格子領域45a,45bは、ディスク9から
の反射光を検出部2のセグメント2a,2bにそれぞれ
集光させるためのものである。検出部2は、信号処理を
行なうため、このような複数のセグメントに分かれてい
る。位置が異なるセグメント2a,2bにそれぞれ対応
した回折角度で光を導くため、回折格子領域45a,4
5bのピッチは異なるものとなっている。検出部2は、
予め、分割線45がレーザ光源1からディスク9に向か
うレーザ光の偏波面と平行になったときに正しく受光で
きるような位置を選んで配置される。したがって、回折
素子3の向きの調整を完了した時点では、分割線45
は、自ずと、ディスク9に向かうレーザ光の偏波面と平
行になる。
As shown in FIG. 12 after the assembly and adjustment, the diffraction grating regions 45a and 45b are for condensing the reflected light from the disk 9 on the segments 2a and 2b of the detection unit 2, respectively. . The detection unit 2 is divided into such a plurality of segments in order to perform signal processing. In order to guide light at diffraction angles corresponding to the segments 2a and 2b at different positions, the diffraction grating regions 45a and 4b
The pitch of 5b is different. The detection unit 2
A position where the division line 45 can be correctly received beforehand when the division line 45 is parallel to the polarization plane of the laser light from the laser light source 1 toward the disk 9 is selected and arranged. Therefore, when the adjustment of the direction of the diffraction element 3 is completed, the dividing line 45
Is naturally parallel to the plane of polarization of the laser beam toward the disk 9.

【0041】再び、図4などの製造方法の説明に戻る。
図13に示すように、有効パターン部のみの円形基板と
なるように外側を除去する基板打抜き工程を行なう。こ
うして円形四分の一波長基板25を得る。両面に反射防
止膜15a,15bを形成する。
Returning again to the description of the manufacturing method shown in FIG.
As shown in FIG. 13, a substrate punching step of removing the outside so as to form a circular substrate having only the effective pattern portion is performed. Thus, a circular quarter wavelength substrate 25 is obtained. Antireflection films 15a and 15b are formed on both surfaces.

【0042】ダイシング工程を行ない、図14に示すよ
うに、円形四分の一波長基板25から任意のサイズの回
折素子3を切り出す。図11に示したように、上スタン
パ40および下スタンパ41には、回折格子44と同時
にダイシング時の目印とするためのダイシングライン4
6がパターニングされており、ダイシング工程では、こ
のダイシングライン46に沿ってダイシングすればよ
い。なお、図11に明らかであるが、ダイシングライン
46は、回折格子44の分割線45と垂直または平行に
パターニングされている。したがって、ダイシング後に
得られる回折素子3の外辺は、分割線45と垂直または
平行となる。
A dicing step is performed to cut out a diffraction element 3 of an arbitrary size from the circular quarter-wavelength substrate 25 as shown in FIG. As shown in FIG. 11, the upper stamper 40 and the lower stamper 41 have a dicing line 4 at the same time as the diffraction grating 44 as a mark for dicing.
6 are patterned, and in the dicing step, dicing may be performed along the dicing line 46. As is apparent from FIG. 11, the dicing lines 46 are patterned perpendicularly or parallel to the dividing lines 45 of the diffraction grating 44. Therefore, the outer side of the diffraction element 3 obtained after the dicing is perpendicular or parallel to the dividing line 45.

【0043】こうして、回折素子3が得られる。次に、
2P成形工程について詳しく述べる。なぜなら、四分の
一波長基板20には2通りあり、いずれであるかによっ
て、2P成形工程が異なってくるからである。すなわ
ち、四分の一波長基板20の外形に対して四分の一波長
板6の光学軸がどういう方向になっているかがわかって
いる場合と、そうでない場合との2通りである。
Thus, the diffraction element 3 is obtained. next,
The 2P molding process will be described in detail. This is because there are two types of the quarter-wavelength substrate 20, and the 2P molding process differs depending on which one is used. In other words, there are two cases, one in which the direction of the optical axis of the quarter-wave plate 6 with respect to the outer shape of the quarter-wavelength substrate 20 is known, and the other case.

【0044】(例1)まず、例1として、四分の一波長
基板20の外形に対して四分の一波長板6の光学軸の方
向がわかっている場合の例を説明する。ここでは、その
さらに一例として、四分の一波長基板20を形成する際
に、透明基板21a,21bの外辺のいずれかに対して
四分の一波長板6の光学軸が平行になるように貼りつけ
られていることがわかっている場合の説明を、図15、
図16を参照して行なう。
Example 1 First, an example in which the direction of the optical axis of the quarter-wave plate 6 is known with respect to the outer shape of the quarter-wave substrate 20 will be described. Here, as a further example, when the quarter-wavelength substrate 20 is formed, the optical axis of the quarter-wavelength plate 6 is parallel to one of the outer sides of the transparent substrates 21a and 21b. In the case where it is known that the information is pasted in FIG.
This is performed with reference to FIG.

【0045】2P成形工程を行なうに当たって、まず、
図15に示すように、四分の一波長基板20が、2P成
形装置100内のダイセットユニット30に取付けられ
る。四分の一波長基板20は、基板把持ハンド103,
104によって把持されている。四分の一波長基板20
の上方には、図15、図16に示すように、3台のCC
Dカメラ101,105,106がそれぞれ四分の一波
長基板20を見下ろすように配置されている。
In performing the 2P molding process, first,
As shown in FIG. 15, the quarter wavelength substrate 20 is mounted on the die set unit 30 in the 2P molding apparatus 100. The quarter wavelength substrate 20 includes a substrate gripping hand 103,
It is gripped by 104. Quarter wavelength substrate 20
Above the three CCs as shown in FIG. 15 and FIG.
The D cameras 101, 105, and 106 are respectively arranged so as to look down at the quarter wavelength substrate 20.

【0046】図16に示すようにCCDカメラ101に
より、四分の一波長基板20の外辺22a,22bを認
識する。次に、別のCCDカメラ105,106で上ス
タンパ40に描かれている回折格子44の分割線45を
認識する。ここで、画像処理装置110によって、外辺
22a,22bと、分割線45とのなす角度が計算され
る。この角度が45°でなかった場合、目標値である4
5°との差、すなわち補正角を算出し、基板把持ハンド
103,104(図15参照)によって把持された四分
の一波長基板20を、駆動源(図示省略)によって補正
角だけ回転させる。
As shown in FIG. 16, the outer sides 22a and 22b of the quarter wavelength substrate 20 are recognized by the CCD camera 101. Next, the division lines 45 of the diffraction grating 44 drawn on the upper stamper 40 are recognized by the other CCD cameras 105 and 106. Here, the image processing device 110 calculates the angle between the outer sides 22a and 22b and the dividing line 45. If this angle is not 45 °, the target value of 4
The difference from 5 °, that is, the correction angle is calculated, and the quarter-wavelength substrate 20 gripped by the substrate gripping hands 103 and 104 (see FIG. 15) is rotated by the correction angle by a driving source (not shown).

【0047】なお、ここでは、透明基板21a,21b
の外辺のいずれかに対して四分の一波長板6の光学軸が
平行である例について説明しているが、平行以外の関係
であってもそのなす角度が既知であればその既知の角度
を考慮して四分の一波長基板20の光学軸の方向を導出
できるので、導出した光学軸を基に補正角を算出するこ
とができ、同様に回転調整することができる。
Here, the transparent substrates 21a, 21b
The example in which the optical axis of the quarter-wave plate 6 is parallel to any one of the outer sides of FIG. Since the direction of the optical axis of the quarter-wavelength substrate 20 can be derived in consideration of the angle, the correction angle can be calculated based on the derived optical axis, and the rotation can be adjusted similarly.

【0048】この後、既に説明したように紫外線硬化型
樹脂42a,42bを所定箇所に塗布し、上スタンパ4
0と下スタンパ41とで挟みこんで加圧し、パターニン
グを行なう。
Thereafter, as described above, the ultraviolet curable resins 42a and 42b are applied to predetermined locations, and the upper
0 and the lower stamper 41 are sandwiched and pressurized to perform patterning.

【0049】このような工程によって、四分の一波長基
板20の外辺22a,22bと、分割線45とのなす角
度は45°となり、なおかつ、四分の一波長板6の光学
軸と分割線45とのなす角度も45°になる。したがっ
て、このようにパターニングした四分の一波長基板20
から、図13、図14に示したように切り出して得られ
る回折素子3の外辺と四分の一波長板6の光学軸とのな
す角度は、必然的に45°となる。
By such a step, the angle between the outer sides 22a and 22b of the quarter-wavelength substrate 20 and the dividing line 45 becomes 45 °, and the angle between the outer edges 22a and 22b and the optical axis of the quarter-wavelength plate 6 is divided. The angle formed by the line 45 is also 45 °. Therefore, the quarter-wave substrate 20 thus patterned
Therefore, the angle between the outer edge of the diffraction element 3 obtained by cutting out as shown in FIGS. 13 and 14 and the optical axis of the quarter-wave plate 6 is necessarily 45 °.

【0050】(例2)例2として、四分の一波長基板2
0の外形に対して四分の一波長板6の光学軸がどの方向
を向いているかが不明な場合の一つの例について説明す
る。
Example 2 As Example 2, a quarter-wavelength substrate 2
One example in which the direction of the optical axis of the quarter-wave plate 6 with respect to the outer shape of 0 is unknown is described.

【0051】図17に示すように、四分の一波長基板2
0が、2P成形装置150内のダイセットユニット30
に取付けられる。四分の一波長基板20が、基板把持ハ
ンド103,104によって把持されている点は、図1
5と同じである。しかし、図17、図18に示すよう
に、四分の一波長基板20の上方には、2台のCCDカ
メラ105,106がそれぞれ四分の一波長基板20を
見下ろすように配置されている。さらに、図18に示さ
れるように、位相差測定装置200が、四分の一波長基
板20の一部を挟みこむように配置されている。
As shown in FIG. 17, the quarter wavelength substrate 2
0 is the die set unit 30 in the 2P molding apparatus 150
Attached to The point that the quarter-wavelength substrate 20 is gripped by the substrate gripping hands 103 and 104 is shown in FIG.
Same as 5. However, as shown in FIGS. 17 and 18, two CCD cameras 105 and 106 are arranged above the quarter wavelength substrate 20 so as to look down on the quarter wavelength substrate 20, respectively. Further, as shown in FIG. 18, the phase difference measuring device 200 is arranged so as to sandwich a part of the quarter wavelength substrate 20.

【0052】図18に示すように、位相差測定装置20
0によって、四分の一波長基板20の光学軸を測定す
る。位相差測定装置200の仕組みについては後述す
る。
As shown in FIG. 18, the phase difference measuring device 20
By 0, the optical axis of the quarter wavelength substrate 20 is measured. The mechanism of the phase difference measuring device 200 will be described later.

【0053】CCDカメラ105,106で、上スタン
パ40に描かれている回折格子44の分割線45を認識
する。画像処理装置110によって分割線45と四分の
一波長基板20の光学軸とのなす角度を計算する。この
角度が45°でなかった場合、目標値である45°との
差、すなわち補正角を算出し、基板把持ハンド103,
104(図15参照)によって把持された四分の一波長
基板20を、駆動源(図示省略)によって補正角だけ回
転させる。
The dividing lines 45 of the diffraction grating 44 drawn on the upper stamper 40 are recognized by the CCD cameras 105 and 106. The angle between the dividing line 45 and the optical axis of the quarter wavelength substrate 20 is calculated by the image processing device 110. If the angle is not 45 °, a difference from the target value of 45 °, that is, a correction angle is calculated, and the substrate gripping hands 103,
The quarter-wavelength substrate 20 gripped by 104 (see FIG. 15) is rotated by a correction angle by a driving source (not shown).

【0054】この後、既に説明したように紫外線硬化型
樹脂42a,42bを所定箇所に塗布し、上スタンパ4
0と下スタンパ41とで挟みこんで加圧し、パターニン
グを行なう。
Thereafter, as described above, the ultraviolet curable resins 42a and 42b are applied to predetermined locations, and the upper
0 and the lower stamper 41 are sandwiched and pressurized to perform patterning.

【0055】このような工程によって、四分の一波長板
6の光学軸と分割線45とのなす角度も45°になる。
したがって、このようにパターニングした四分の一波長
基板20から、図13、図14に示したように切り出し
て得られる回折素子3の外辺と四分の一波長板6の光学
軸とのなす角度は、必然的に45°となる。
By such a process, the angle between the optical axis of the quarter-wave plate 6 and the dividing line 45 becomes 45 °.
Therefore, the outer edge of the diffraction element 3 obtained by cutting out the quarter-wavelength substrate 20 patterned as described above as shown in FIGS. 13 and 14 and the optical axis of the quarter-wavelength plate 6 are formed. The angle is necessarily 45 °.

【0056】(例3)さらに、例3として、四分の一波
長基板20の外形に対して四分の一波長板6の光学軸が
どの方向を向いているかが不明な場合の他の例について
説明する。
(Example 3) Further, as Example 3, another example in which the direction of the optical axis of the quarter-wave plate 6 with respect to the external shape of the quarter-wave substrate 20 is unknown. Will be described.

【0057】これは、図19〜図21(a),(b)に
示すように、四分の一波長基板20の光学軸を位相差測
定機200によって測定し、四分の一波長基板20の外
辺を光学軸に対して所望の一定角度になるように整える
方法である。たとえば平行または垂直になるように整え
ると好都合である。
As shown in FIGS. 19 to 21 (a) and (b), the optical axis of the quarter wavelength substrate 20 is measured by the phase difference measuring device 200, and the quarter wavelength substrate 20 is measured. Is a method for adjusting the outer side of the lens to a desired constant angle with respect to the optical axis. For example, it is convenient to arrange them so as to be parallel or vertical.

【0058】具体的には、まず、図19、図20に示す
ように、四分の一波長基板20が、ダイシング装置16
0のXYθステージ162に搭載される。四分の一波長
基板20の光学軸47の方向を位相差測定装置200で
測定する。光学軸47がダイシング装置160のダイシ
ングカッター161のダイシング方向に平行になるよう
にXYθステージ162のθ軸によって角度を調整す
る。さらにXYθステージ162のX軸、Y軸によって
ダイシングすべき位置に合わせ、図19に直線で示すよ
うに、四分の一波長基板20の外辺をダイシングする。
この作業を4辺で実施することにより、図21(a)に
示すように、四分の一波長基板20の外辺と光学軸47
とがランダムな角度になっていた場合であっても、図2
1(b)に示すように、外辺と光学軸47とが平行また
は垂直となった新たな四分の一波長基板20nを得るこ
とができる。そのような四分の一波長基板20nが得ら
れれば、あとは例1に従って、工程を進めることができ
る。
Specifically, first, as shown in FIGS. 19 and 20, the quarter-wavelength substrate 20 is
0 XYθ stage 162. The direction of the optical axis 47 of the quarter wavelength substrate 20 is measured by the phase difference measuring device 200. The angle is adjusted by the θ axis of the XYθ stage 162 so that the optical axis 47 is parallel to the dicing direction of the dicing cutter 161 of the dicing device 160. Further, the outer side of the quarter-wavelength substrate 20 is diced as shown by a straight line in FIG. 19 in accordance with the position to be diced along the X and Y axes of the XYθ stage 162.
By performing this operation on four sides, as shown in FIG. 21A, the outer side of the quarter-wavelength substrate 20 and the optical axis 47 are connected.
Even if and were at random angles,
As shown in FIG. 1B, a new quarter-wavelength substrate 20n in which the outer side and the optical axis 47 are parallel or perpendicular can be obtained. If such a quarter-wavelength substrate 20n is obtained, the process can proceed according to Example 1.

【0059】(位相差測定装置)図22、図23を参照
して、上述の位相差測定装置について説明する。
(Phase Difference Measuring Apparatus) The above-described phase difference measuring apparatus will be described with reference to FIGS.

【0060】図22に示すように、レーザ光源201か
ら出射したレーザ光が、偏光子202と、四分の一波長
板203と、検光子204とをこの順に通過する構造と
なっている。検光子204を透過できた光をパワーメー
タ205で受光し、光量を測定する構造となっている。
As shown in FIG. 22, laser light emitted from a laser light source 201 passes through a polarizer 202, a quarter-wave plate 203, and an analyzer 204 in this order. The light transmitted through the analyzer 204 is received by the power meter 205, and the amount of light is measured.

【0061】まず、測定の前の調整について説明する。
レーザ光源201から出射したレーザ光は、偏波面の不
明な直線偏光である。このレーザ光が偏光子202を透
過することで、偏波面は一定の向きに揃えられる。説明
を簡単にするために、この偏波面の方向をX軸方向とす
る。四分の一波長板203の光学軸は、同じくX軸方向
となるように調整する。この調整を終えた状態では、四
分の一波長板203を透過した光は直線偏光であり、偏
波面方向は、X軸方向となる。次に検光子204を四分
の一波長板203とパワーメータ205との間に挿入
し、検光子204の偏光方向がX軸方向とは垂直なY軸
方向になるように調整する。この調整は、検光子204
を回転させて、パワーメータ205で検出される光量が
最小となる方向を選択することで行なうことができる。
この状態では、検光子204を透過する光は消光状態と
なる。
First, the adjustment before the measurement will be described.
The laser light emitted from the laser light source 201 is linearly polarized light whose polarization plane is unknown. When this laser beam passes through the polarizer 202, the plane of polarization is aligned in a fixed direction. For the sake of simplicity, the direction of this plane of polarization is defined as the X-axis direction. The optical axis of the quarter-wave plate 203 is also adjusted to be in the X-axis direction. In the state after the adjustment, the light transmitted through the quarter-wave plate 203 is linearly polarized light, and the polarization plane direction is the X-axis direction. Next, the analyzer 204 is inserted between the quarter-wave plate 203 and the power meter 205, and the polarization direction of the analyzer 204 is adjusted so as to be in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction. This adjustment is performed by the analyzer 204.
, And selecting the direction in which the amount of light detected by the power meter 205 is minimized.
In this state, the light transmitted through the analyzer 204 is in the extinction state.

【0062】図23を参照して、測定方法について説明
する。偏光子202と四分の一波長板203との間に、
試料である四分の一波長基板20を挿入する。偏光子2
02を透過した光はX軸方向の直線偏光となっている。
この光が四分の一波長基板20を透過することで、四分
の一波長基板20の光学軸がX軸方向と等しくなかった
場合、直線偏光から楕円偏光になる。楕円偏光になった
光が四分の一波長板203を透過することで、再び直線
偏光になる。この直線偏光の状態では、偏波面はX軸方
向から外れ、傾いた方向となる。この方向が四分の一波
長基板20の光学軸方向である。この方向の特定は、検
光子204を回転させて、パワーメータ205で検出さ
れる光量が最小となる方向を選択することで行なうこと
ができる。
The measuring method will be described with reference to FIG. Between the polarizer 202 and the quarter-wave plate 203,
A quarter wavelength substrate 20 as a sample is inserted. Polarizer 2
Light transmitted through 02 is linearly polarized light in the X-axis direction.
By transmitting this light through the quarter-wavelength substrate 20, if the optical axis of the quarter-wavelength substrate 20 is not equal to the X-axis direction, the light is changed from linearly polarized light to elliptically polarized light. When the elliptically polarized light passes through the quarter-wave plate 203, it becomes linearly polarized light again. In this state of linearly polarized light, the plane of polarization deviates from the X-axis direction and becomes a tilted direction. This direction is the optical axis direction of the quarter wavelength substrate 20. This direction can be specified by rotating the analyzer 204 and selecting the direction in which the amount of light detected by the power meter 205 is minimum.

【0063】(作用・効果)上述のような回折素子の製
造方法によれば、四分の一波長基板20の光学軸の方向
が既知である場合も未知である場合も、実施の形態1に
説明したような回折素子を製造することができる。
(Function / Effect) According to the above-described method for manufacturing a diffraction element, the first embodiment can be applied to the case where the direction of the optical axis of the quarter-wavelength substrate 20 is known or unknown. A diffractive element as described can be manufactured.

【0064】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
The above embodiment disclosed this time is an example in all respects and is not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and includes any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明によれば、回折パターンの光学軸
と、四分の一波長板の光学軸とは、略45°の角度をな
すため、レーザ光源からのレーザ光の偏波面を回折パタ
ーンの光学軸と平行にするだけで、レーザ光の偏波面と
四分の一波長板の光学軸とのなす角度が確実に略45°
となるようにすることができる。その結果、記録媒体に
入射する光は略円偏光となり、記録媒体の複屈折による
反射光の変動を低減することができる。
According to the present invention, since the optical axis of the diffraction pattern and the optical axis of the quarter-wave plate make an angle of approximately 45 °, the polarization plane of the laser light from the laser light source is diffracted. Just by making it parallel to the optical axis of the pattern, the angle between the polarization plane of the laser beam and the optical axis of the quarter-wave plate will be approximately 45 °.
It can be made to be. As a result, the light incident on the recording medium becomes substantially circularly polarized light, and the fluctuation of the reflected light due to the birefringence of the recording medium can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に基づく実施の形態1における回折素
子の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a diffraction element according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明に基づく実施の形態2における四分の
一波長基板の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a quarter wavelength substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第1の工程の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view of a first step of a method for manufacturing a diffraction element according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第2の工程の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a second step of the method for manufacturing the diffraction element according to the second embodiment based on the present invention.

【図5】 本発明に基づく実施の形態2における2P成
形装置の概念図である。
FIG. 5 is a conceptual diagram of a 2P molding apparatus according to a second embodiment based on the present invention.

【図6】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第3の工程の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a third step in the method for manufacturing a diffraction element according to the second embodiment based on the present invention.

【図7】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第4の工程の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a fourth step in the method for manufacturing a diffraction element according to the second embodiment based on the present invention.

【図8】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第5の工程の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a fifth step in the method for manufacturing a diffraction element according to the second embodiment of the present invention.

【図9】 本発明に基づく実施の形態2における回折素
子の製造方法の第6の工程の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a sixth step in the method for manufacturing the diffraction element according to the second embodiment based on the present invention.

【図10】 本発明に基づく実施の形態2における上下
スタンパの有するパターン形状を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a pattern shape of upper and lower stampers according to a second embodiment of the present invention.

【図11】 図10に示すパターン形状の1区画を拡大
した平面図である。
FIG. 11 is an enlarged plan view of one section of the pattern shape shown in FIG. 10;

【図12】 組立て調整後の回折素子から検出部への集
光の様子を示した説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state of light collection from a diffraction element to a detection unit after assembly and adjustment.

【図13】 本発明に基づく実施の形態2における回折
素子の製造方法の第7の工程の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of a seventh step in the method for manufacturing a diffraction element in the second embodiment based on the present invention.

【図14】 本発明に基づく実施の形態2における回折
素子の製造方法の第8の工程の説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram of an eighth step of the method for manufacturing the diffraction element according to the second embodiment based on the present invention.

【図15】 本発明に基づく実施の形態2の例1におい
て、四分の一波長基板が2P成形装置内に取付けられた
様子を示す平面図である。
FIG. 15 is a plan view showing a state in which a quarter-wavelength substrate is mounted in a 2P molding apparatus in Example 1 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図16】 本発明に基づく実施の形態2の例1におけ
る2P成形装置の概念図である。
FIG. 16 is a conceptual diagram of a 2P molding apparatus in Example 1 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図17】 本発明に基づく実施の形態2の例2におい
て、四分の一波長基板が2P成形装置内に取付けられた
様子を示す平面図である。
FIG. 17 is a plan view showing a state in which a quarter-wavelength substrate is mounted in a 2P molding apparatus in Example 2 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図18】 本発明に基づく実施の形態2の例2におけ
る2P成形装置の概念図である。
FIG. 18 is a conceptual diagram of a 2P molding apparatus in Example 2 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図19】 本発明に基づく実施の形態2の例3におい
て、四分の一波長基板を、ダイシング装置に搭載した状
態を示す第1の説明図である。
FIG. 19 is a first explanatory diagram showing a state where a quarter-wavelength substrate is mounted on a dicing apparatus in Example 3 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図20】 本発明に基づく実施の形態2の例3におい
て、四分の一波長基板を、ダイシング装置に搭載した状
態を示す第2の説明図である。
FIG. 20 is a second explanatory diagram showing a state where a quarter-wavelength substrate is mounted on a dicing device in Example 3 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図21】 (a),(b)は、本発明に基づく実施の
形態2の例3において、四分の一波長基板の光学軸を整
えるためのダイシングについての説明図である。
FIGS. 21 (a) and (b) are illustrations of dicing for adjusting an optical axis of a quarter-wavelength substrate in Example 3 of Embodiment 2 based on the present invention.

【図22】 本発明に基づく実施の形態2における位相
差測定装置の測定前の調整についての説明図である。
FIG. 22 is an explanatory diagram of adjustment before measurement of the phase difference measurement device according to the second embodiment based on the present invention.

【図23】 本発明に基づく実施の形態2における位相
差測定装置の測定方法についての説明図である。
FIG. 23 is a diagram illustrating a measurement method of the phase difference measurement device according to the second embodiment of the present invention.

【図24】 従来技術に基づく集積ユニット光学系の一
例を示す構成図である。
FIG. 24 is a configuration diagram showing an example of an integrated unit optical system based on a conventional technology.

【図25】 従来技術に基づく集積ユニット光学系の位
相差発生素子を内装した例を示す構成図である。
FIG. 25 is a configuration diagram showing an example in which a phase difference generating element of an integrated unit optical system based on the prior art is provided.

【図26】 従来技術に基づく集積ユニットの断面図で
ある。
FIG. 26 is a sectional view of an integrated unit according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源、2 検出部、2a,2b セグメン
ト、3 回折素子、4集積ユニット、5 対物レンズ、
6 四分の一波長板、7 コリメータレンズ、8 立ち
上げミラー、9 ディスク、10 レーザ本体、11
a,11b,21a,21b 透明基板、13a,13
b 紫外線硬化型ポリマ部材、14a,14b プライ
マ処理層、15a,15b 反射防止膜、17 キャッ
プガラス、18 紫外線硬化型接着剤、20,20n
四分の一波長基板、22a,22b外辺、23 プライ
マ液、25 円形四分の一波長基板、30 ダイセット
ユニット、31 上ダイセットベース、32 下ダイセ
ットベース、33 透明基材部、36 ダイセット開閉
用Z軸、38 紫外線照射機、40 上スタンパ、41
下スタンパ、42a,42b 紫外線硬化型樹脂、4
4 回折格子、45分割線、45a,45b 回折格子
領域、46 ダイシングライン、47 光学軸、50
2P成形装置、60 位相差発生素子、100,150
2P成形装置、101,105,106 CCDカメ
ラ、110 画像処理装置、160ダイシング装置、1
61 ダイシングカッター、162 XYθステージ、
200 位相差測定装置、201 (位相差測定装置
の)レーザ光源、202 偏光子、203 (位相差測
定装置の)四分の一波長板、204 検光子、205パ
ワーメータ。
1 laser light source, 2 detectors, 2a, 2b segments, 3 diffraction elements, 4 integrated units, 5 objective lenses,
6 Quarter wave plate, 7 Collimator lens, 8 Start-up mirror, 9 Disk, 10 Laser body, 11
a, 11b, 21a, 21b Transparent substrate, 13a, 13
b UV curable polymer member, 14a, 14b primer treatment layer, 15a, 15b antireflection film, 17 cap glass, 18 UV curable adhesive, 20, 20n
Quarter-wave substrate, 22a, 22b outer edge, 23 primer liquid, 25 circular quarter-wave substrate, 30 die set unit, 31 upper die set base, 32 lower die set base, 33 transparent base, 36 Z axis for opening and closing die set, 38 UV irradiation machine, 40 Upper stamper, 41
Lower stamper, 42a, 42b UV curable resin, 4
4 diffraction grating, 45 division line, 45a, 45b diffraction grating area, 46 dicing line, 47 optical axis, 50
2P molding device, 60 phase difference generating element, 100, 150
2P molding device, 101, 105, 106 CCD camera, 110 Image processing device, 160 dicing device, 1
61 dicing cutter, 162 XYθ stage,
200 phase difference measuring device, 201 laser light source (of phase difference measuring device), 202 polarizer, 203 quarter wave plate (of phase difference measuring device), 204 analyzer, 205 power meter.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上面と下面とを有する四分の一波長板
と、 前記四分の一波長板の上側に重ねて配置された上側透明
基板と、 前記四分の一波長板の下側に重ねて配置された下側透明
基板と、 前記上側透明基板の上側に重ねて配置され、表面に回折
パターンを形成された回折パターン形成板とを備え、前
記回折パターン形成板の有する回折パターンの光学軸
と、前記四分の一波長板の光学軸とは、略45°の角度
をなす、回折素子。
1. A quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface, an upper transparent substrate disposed on top of the quarter-wave plate, and a lower side of the quarter-wave plate. A lower transparent substrate arranged in an overlapped manner, and a diffraction pattern forming plate arranged in a superimposed manner on the upper transparent substrate and having a diffraction pattern formed on a surface thereof; A diffractive element, wherein the axis and the optical axis of the quarter-wave plate make an angle of approximately 45 °.
【請求項2】 上面と下面とを有する四分の一波長板
と、 前記四分の一波長板の上側に重ねて配置された上側透明
基板と、 前記四分の一波長板の下側に重ねて配置された下側透明
基板とからなり、向きを定めるための辺である方位決定
辺を有する四分の一波長基板に対して、前記方位決定辺
を参照して、回折パターンの光学軸を設定する方位を決
定する回折パターン形成方位決定工程と、 前記回折パターン形成方位決定工程で決定された方位を
光学軸とするように、前記上側透明基板の上方に前記回
折パターンを形成する回折パターン形成工程とを含む、 回折素子の製造方法。
2. A quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface; an upper transparent substrate disposed on top of the quarter-wave plate; and a lower side of the quarter-wave plate. For a quarter-wavelength substrate comprising a lower transparent substrate arranged in an overlapping manner and having an orientation determining side that is a side for determining the orientation, with reference to the orientation determining side, the optical axis of the diffraction pattern A diffraction pattern forming azimuth determining step of determining an azimuth to set, and a diffraction pattern forming the diffraction pattern above the upper transparent substrate so that the azimuth determined in the diffraction pattern forming azimuth determining step is used as an optical axis. A method for manufacturing a diffraction element, comprising: a forming step.
【請求項3】 前記方位決定辺が、前記四分の一波長基
板の光学軸に平行である、請求項2に記載の回折素子の
製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the direction determining side is parallel to an optical axis of the quarter wavelength substrate.
【請求項4】 上面と下面とを有する四分の一波長板
と、 前記四分の一波長板の上側に重ねて配置された上側透明
基板と、 前記四分の一波長板の下側に重ねて配置された下側透明
基板とからなり、前記四分の一波長板の光学軸の方位を
測定して、その測定結果に基づいて回折パターンの光学
軸を設定する方位を決定する回折パターン形成方位決定
工程と、 前記回折パターン形成方位決定工程で決定された方位を
光学軸とするように前記回折パターンを形成する回折パ
ターン形成工程とを含む、 回折素子の製造方法。
4. A quarter-wave plate having an upper surface and a lower surface, an upper transparent substrate disposed on top of the quarter-wave plate, and a lower surface of the quarter-wave plate. A diffraction pattern comprising a lower transparent substrate arranged in an overlapping manner, measuring the orientation of the optical axis of the quarter-wave plate, and determining the orientation for setting the optical axis of the diffraction pattern based on the measurement result. A method of manufacturing a diffraction element, comprising: a forming direction determining step; and a diffraction pattern forming step of forming the diffraction pattern such that the direction determined in the diffraction pattern forming direction determining step is used as an optical axis.
【請求項5】 前記回折パターンの光学軸と、前記四分
の一波長基板の光学軸とが45°の角度をなすように、
前記回折パターンを形成する、請求項2から4のいずれ
かに記載の回折素子の製造方法。
5. The optical axis of the diffraction pattern and the optical axis of the quarter-wavelength substrate form an angle of 45 °.
The method for manufacturing a diffraction element according to claim 2, wherein the diffraction pattern is formed.
【請求項6】 前記回折パターンの形成は、紫外線硬化
性樹脂を配置し、前記回折パターンに対応する形状に変
形させた状態で紫外線を照射して硬化させることで行な
う、請求項2から5のいずれかに記載の回折素子の製造
方法。
6. The method according to claim 2, wherein the formation of the diffraction pattern is performed by arranging an ultraviolet-curable resin, irradiating ultraviolet rays in a state where the resin is deformed into a shape corresponding to the diffraction pattern, and curing the resin. A method for manufacturing a diffraction element according to any one of the above.
【請求項7】 前記回折パターンは分割線を有し、前記
分割線の一つは前記回折パターンの光学軸に平行であ
る、請求項2から6のいずれかに記載の回折素子の製造
方法。
7. The method of manufacturing a diffraction element according to claim 2, wherein the diffraction pattern has a dividing line, and one of the dividing lines is parallel to an optical axis of the diffraction pattern.
【請求項8】 前記回折パターン形成工程の後に、前記
四分の一波長基板を円形にし、ダイシングによって分割
するダイシング工程を含む、請求項2から7のいずれか
に記載の回折素子の製造方法。
8. The method of manufacturing a diffraction element according to claim 2, further comprising, after the diffraction pattern forming step, a dicing step in which the quarter-wavelength substrate is made circular and divided by dicing.
【請求項9】 レーザ光源と、 前記レーザ光源から射出され、記録媒体によって反射さ
れて戻ってきた光を検出するための検出部と、 前記レーザ光源および前記検出部を内部に収め、光が出
入りするための開口部を有するシールキャップと、 前記開口部を覆い、かつ、前記回折パターンの光学軸と
前記レーザ光源から入射するレーザ光の偏波面とが平行
となるように配置された請求項1に記載の回折素子とを
備える、集積ユニット。
9. A laser light source; a detection unit for detecting light emitted from the laser light source, reflected by a recording medium and returned; and containing the laser light source and the detection unit inside, and receiving light. A seal cap having an opening for performing the operation, and covering the opening, and disposed so that an optical axis of the diffraction pattern and a polarization plane of laser light incident from the laser light source are parallel to each other. An integrated unit, comprising: the diffraction element according to (1).
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