JP2002174593A - Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the same - Google Patents
Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the sameInfo
- Publication number
- JP2002174593A JP2002174593A JP2000371469A JP2000371469A JP2002174593A JP 2002174593 A JP2002174593 A JP 2002174593A JP 2000371469 A JP2000371469 A JP 2000371469A JP 2000371469 A JP2000371469 A JP 2000371469A JP 2002174593 A JP2002174593 A JP 2002174593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal ingot
- single crystal
- ingot
- oxygen concentration
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、単結晶インゴッ
トの評価方法及びこれを用いた単結晶インゴットの切断
方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for evaluating a single crystal ingot and a method for cutting a single crystal ingot using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 従来、シリコンの単結晶インゴット
は、ウエハ切断を行う前に、単結晶インゴットの外周部
を円筒状に研削し、所定の寸法の円筒に仕上げる工程
と、製品として使用不可能なトップ及びテール部分を切
り落とした後、外周刃、ワイヤーソー等のウエハ厚さに
切断する装置（スライシング装置）に投入可能な所定の
長さのインゴットセグメントに切断するクロップ工程か
らなっている（図４参照）。2. Description of the Related Art Conventionally, a silicon single crystal ingot has a process of grinding an outer peripheral portion of the single crystal ingot into a cylindrical shape before cutting the wafer to finish the cylinder into a cylinder of a predetermined size, and a process that cannot be used as a product. After the top and tail portions are cut off, a cropping process is performed to cut into ingot segments of a predetermined length that can be put into a device (slicing device) for cutting to a wafer thickness such as an outer peripheral blade and a wire saw (FIG. 4). reference).
【０００３】 クロップ工程時に、酸素濃度や抵抗率を
確認するため、スラグサンプルを約２ｍｍの厚さで抜き
取りを行っている。このとき、酸素濃度は、エッチン
グ、研削、研磨等の表面処理を行った後、図３に示すよ
うに、スラグサンプル１０の厚さ方向からの赤外吸収で
測定していた。また、抵抗率は、偏析係数等から計算に
より結晶位置から抵抗率をかなり正確に予測可能であっ
た。At the time of the cropping process, a slag sample is extracted with a thickness of about 2 mm in order to check the oxygen concentration and the resistivity. At this time, the oxygen concentration was measured by infrared absorption in the thickness direction of the slag sample 10, as shown in FIG. 3, after performing surface treatments such as etching, grinding, and polishing. Further, the resistivity was able to be predicted quite accurately from the crystal position by calculation from the segregation coefficient and the like.
【０００４】 しかしながら、酸素濃度は、結晶引上げ
プロセスの変動により、変化しやすく、正確に予測する
ことが困難であった。このため、酸素濃度の仕様が厳し
い場合、かなり細かな頻度でスラグサンプルを抜き取る
必要があり、そのサンプル切断による収率悪化あるいは
後工程の効率悪化を招いていた。また、いかに細かくサ
ンプルチェックを行っても局所的な酸素濃度の変動によ
り仕様を満足できないことがあった。[0004] However, the oxygen concentration tends to change due to fluctuations in the crystal pulling process, and it has been difficult to accurately predict the oxygen concentration. For this reason, when the specification of the oxygen concentration is strict, it is necessary to take out the slag sample at a considerably fine frequency, and this has resulted in a decrease in the yield due to the cutting of the sample or a decrease in the efficiency of the post-process. Also, no matter how detailed the sample check, the specifications may not be satisfied due to local fluctuations in oxygen concentration.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、このよう
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、単結晶インゴットのまま、単
結晶インゴット中の酸素濃度のプロファイルを正確に予
測するとともに、局所的な酸素濃度の変動にも対応する
ことができる単結晶インゴットの評価方法を提供するこ
とにある。また、本発明の別の目的は、クロップ工程の
短縮化及び収率の向上と、製造工程の効率化と生産性の
向上に寄与することができる単結晶インゴットの切断方
法を提供することにある。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such problems of the related art,
The aim is to accurately predict the oxygen concentration profile in the single crystal ingot as it is and to evaluate the single crystal ingot that can respond to local fluctuations in oxygen concentration. To provide. Another object of the present invention is to provide a method for cutting a single crystal ingot that can contribute to shortening of a cropping step and improvement of a yield, and improvement of efficiency and productivity of a manufacturing step. .
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、単結晶インゴットを円筒研削した後、単結晶イン
ゴットのまま、単結晶インゴットの横方向から赤外線を
入射し、その吸収から単結晶インゴット中の酸素濃度を
測定することを特徴とする単結晶インゴットの評価方法
が提供される。このとき、本発明では、単結晶インゴッ
ト中の酸素濃度を、赤外吸収スペクトル装置（ＩＲ）又
はフーリエ変換赤外吸収スペクトル装置（ＦＴＩＲ）で
測定することが好ましい。That is, according to the present invention, after a single crystal ingot is cylindrically ground, infrared rays are incident from the lateral direction of the single crystal ingot as it is, and the single crystal ingot is absorbed from its absorption. The present invention provides a method for evaluating a single crystal ingot, which comprises measuring an oxygen concentration in the inside. At this time, in the present invention, it is preferable to measure the oxygen concentration in the single crystal ingot with an infrared absorption spectrum device (IR) or a Fourier transform infrared absorption spectrum device (FTIR).
【０００７】 また、本発明によれば、単結晶インゴッ
トからスライシング用のインゴットセグメントに切断す
る単結晶インゴットの切断方法であって、（ａ）単結晶
インゴットを円筒研削した後、（ｂ）単結晶インゴット
のまま、単結晶インゴットの横方向から赤外線を入射
し、その吸収から酸素濃度を測定し、（ｃ）工程（ｂ）
によって得られた酸素濃度のデータから、所定の酸素濃
度に適合する部分のみを、スライシング用のインゴット
セグメントとして切断することを特徴とする単結晶イン
ゴットの切断方法が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a method for cutting a single crystal ingot for cutting a single crystal ingot into ingot segments for slicing, wherein (a) after the single crystal ingot is cylindrically ground, (b) single crystal ingot In the ingot as it is, infrared rays are incident from the lateral direction of the single crystal ingot, and the oxygen concentration is measured from the absorption, and (c) step (b)
A method for cutting a single crystal ingot, characterized in that only a portion matching a predetermined oxygen concentration is cut as an ingot segment for slicing from the oxygen concentration data obtained by the method.
【０００８】 このとき、本発明では、単結晶インゴッ
ト中の酸素濃度を、赤外吸収スペクトル装置（ＩＲ）又
はフーリエ変換赤外吸収スペクトル装置（ＦＴＩＲ）で
測定することが好ましい。また、本発明では、単結晶イ
ンゴットが、バンドソー、内周刃、外周刃等の切断装置
で切断されることが好ましい。At this time, in the present invention, it is preferable to measure the oxygen concentration in the single crystal ingot with an infrared absorption spectrum device (IR) or a Fourier transform infrared absorption spectrum device (FTIR). Further, in the present invention, it is preferable that the single crystal ingot is cut by a cutting device such as a band saw, an inner peripheral blade, and an outer peripheral blade.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】 本発明に係る単結晶インゴット
の測定方法を概説すると、本発明では、図１に示すよう
に、単結晶インゴット２０を円筒研削した後、単結晶イ
ンゴット２０のまま、単結晶インゴット２０の横方向か
ら赤外線６を入射し、その吸収から単結晶インゴット２
０中の酸素濃度を測定する。これにより、単結晶インゴ
ットのまま、単結晶インゴット中の酸素濃度のプロファ
イルを正確に予測することができるだけでなく、局所的
な酸素濃度の変動にも対応することができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for measuring a single crystal ingot according to the present invention will be briefly described. In the present invention, as shown in FIG. An infrared ray 6 is incident from the lateral direction of the crystal ingot 20, and the single crystal ingot 2
The oxygen concentration in 0 is measured. This allows not only accurate prediction of the oxygen concentration profile in the single crystal ingot as it is in the single crystal ingot, but also coping with local fluctuations in oxygen concentration.
【００１０】 また、スラグサンプルを抜き取る必要が
ないため、クロップ工程の短縮化及び収率の向上と、所
定の仕様に合う酸素濃度を有する単結晶インゴットのみ
をクロップ工程に送ることができるため、製造工程の効
率化と生産性の向上に寄与することができる。例えば、
従来法では、図４に示すように、クロップ工程を行った
後、スラグサンプルの酸素濃度を測定することにより、
インゴットセグメントの仕様確認を行っていたが、本発
明では、図２に示すように、クロップ工程を行う前に、
単結晶インゴットの酸素濃度を測定することにより、単
結晶インゴットの仕様確認をすることができるため、ク
ロップ工程時に、所定の酸素濃度に適合する部分のみ
を、スライシング用のインゴットセグメントとして切断
することができる。In addition, since it is not necessary to extract a slag sample, the cropping step can be shortened and the yield can be improved, and only a single crystal ingot having an oxygen concentration that meets predetermined specifications can be sent to the cropping step. It can contribute to the efficiency of the process and the improvement of the productivity. For example,
In the conventional method, as shown in FIG. 4, after performing a cropping process, by measuring the oxygen concentration of a slag sample,
Although the specification of the ingot segment was checked, in the present invention, as shown in FIG.
By measuring the oxygen concentration of the single crystal ingot, it is possible to confirm the specifications of the single crystal ingot, so that only the portion that matches the predetermined oxygen concentration can be cut as a slicing ingot segment during the cropping process. it can.
【００１１】 本発明では、単結晶インゴット中の酸素
濃度を、赤外吸収スペクトル装置（ＩＲ）又はフーリエ
変換赤外吸収スペクトル装置（ＦＴＩＲ）で測定するこ
とが好ましい。このとき、本発明では、図６に示すよう
に、従来から赤外線吸収による酸素濃度の測定で使用さ
れている１１０７ｃｍ-1のピークではなく、１７２０ｃ
ｍ-1のピークで検出することが重要である。これは、イ
ンゴットの状態で、１１０７ｃｍ-1のピークを検出しよ
うとすると、表面散乱や妨害ピークにより検出不可能で
あるからである。一方、１７２０ｃｍ-1のピーク付近に
は、妨害ピークがないため、インゴットの状態でも好適
に検出することができる。In the present invention, it is preferable to measure the oxygen concentration in the single crystal ingot with an infrared absorption spectrum device (IR) or a Fourier transform infrared absorption spectrum device (FTIR). At this time, in the present invention, as shown in FIG. 6, instead of the peak at 1107 cm -1 which has been conventionally used in the measurement of the oxygen concentration by infrared absorption, 1720 c
It is important to detect at the m -1 peak. This is a state of an ingot, it is when you try to detect the peak of 1107cm -1, since it is not detectable by surface scattering and interfering peaks. On the other hand, since there is no interference peak near the peak at 1720 cm −1 , it can be suitably detected even in an ingot state.
【００１２】 尚、１７２０ｃｍ-1のピークは、通常の
スラグサンプル（ウエハ）用のＦＴＩＲでも検出可能で
あるが、非常に小さいピークであるため、一般的には酸
素濃度の測定検出用として用いられていなかった。しか
しながら、本発明では、図１に示すように、単結晶イン
ゴット２０の横方向から赤外線６を入射することによ
り、赤外線６の通過距離Ｄをかせぐことができるため、
酸素濃度検出に足りるようなピークを得ることができ
る。Although the peak at 1720 cm −1 can be detected by FTIR for ordinary slag samples (wafers), it is a very small peak and is generally used for measuring and detecting oxygen concentration. I didn't. However, in the present invention, as shown in FIG. 1, since the infrared rays 6 are incident from the lateral direction of the single crystal ingot 20, the passing distance D of the infrared rays 6 can be increased.
A peak sufficient for detecting the oxygen concentration can be obtained.
【００１３】 また、本発明では、結晶の長さ方向に任
意の間隔で測定することができるが、測定時間との関係
から、１０〜５０ｍｍの間隔で測定することが好まし
い。これは、上記の範囲よりも細かく測定すると、測定
時間がかかりすぎてしまい、また、上記の範囲以上間隔
を広くすると、異常な酸素濃度が検出できない可能性が
あるからである。In the present invention, the measurement can be performed at an arbitrary interval in the length direction of the crystal. However, it is preferable to perform the measurement at an interval of 10 to 50 mm from the relationship with the measurement time. This is because if the measurement is performed more finely than the above range, the measurement time will be too long, and if the interval is wider than the above range, an abnormal oxygen concentration may not be detected.
【００１４】 更に、本発明では、測定結果をデータベ
ース化し、逐次グラフ化できるようにしておけば、どの
ように切断すればよいかすぐに判断することができると
ともに、これらのデータを解析し、自動的に切断位置を
指示するシステムを構築することも可能である。Further, in the present invention, if the measurement results are stored in a database and can be sequentially graphed, it is possible to immediately determine how to cut the data, and to analyze these data and automatically perform It is also possible to construct a system for designating the cutting position.
【００１５】 尚、単結晶インゴットの状態で、測定可
能な装置としては、特に限定されないが、例えば、ＱＳ
−ＦＲＳ（Ｂｉｏ−Ｒａｄ社製）が挙げられる。これ
は、単結晶インゴットのまま、単結晶インゴットの横方
向から赤外線を入射し、その吸収から単結晶インゴット
中の酸素濃度を測定することができ、単結晶インゴット
の直径が１５０ｍｍ以下あるいは３００ｍｍ以上のサイ
ズについて適用することができる。The device that can be measured in the state of a single crystal ingot is not particularly limited.
-FRS (manufactured by Bio-Rad). This is because, as a single crystal ingot, infrared rays are incident from the lateral direction of the single crystal ingot, and the oxygen concentration in the single crystal ingot can be measured from the absorption, and the diameter of the single crystal ingot is 150 mm or less or 300 mm or more. Applicable for size.
【００１６】 被測定物である単結晶インゴットは、表
面散乱を抑制するため、予め円筒研削されていることが
重要である。尚、円筒研削時の粒度は７０以上あればよ
く、通常の円筒研削の表面状態で十分測定可能である。
また、被測定物である単結晶インゴットは、円筒研削さ
えされていればよく、トップ、テールは付いていても切
り落としてあってもかまわない。なるべく長い状態で酸
素濃度を測定したほうが、後のクロップ工程の自由度が
大きく有効であるが、周辺装置や設置場所により適当な
長さに切断して測定しても構わない。It is important that a single crystal ingot as an object to be measured is previously cylindrically ground in order to suppress surface scattering. In addition, the particle size at the time of cylindrical grinding may be 70 or more, and can be sufficiently measured in the surface state of ordinary cylindrical grinding.
Further, the single crystal ingot to be measured is only required to be cylindrically ground, and may have a top and a tail or may be cut off. It is more effective to measure the oxygen concentration in a state as long as possible, since the degree of freedom of the subsequent cropping step is large and effective. However, the measurement may be performed by cutting the oxygen concentration to an appropriate length depending on a peripheral device or an installation place.
【００１７】 次に、単結晶インゴットの評価方法を用
いた単結晶インゴットの切断方法について説明する。こ
れは、（ａ）単結晶インゴットを円筒研削した後、
（ｂ）単結晶インゴットのまま、単結晶インゴットの横
方向から赤外線を入射し、その吸収から酸素濃度を測定
し、（ｃ）工程（ｂ）によって得られた酸素濃度のデー
タから、所定の酸素濃度に適合する部分のみを、スライ
シング用のインゴットセグメントとして切断するもので
ある。このとき、単結晶インゴットの測定位置と酸素濃
度との結果を出力あるいはグラフ化して、酸素濃度の仕
様に合致しているか判断し、必要なインゴットセグメン
トに切断する。Next, a method for cutting a single crystal ingot using the method for evaluating a single crystal ingot will be described. This is because (a) after cylindrical grinding of single crystal ingot,
(B) With the single crystal ingot as it is, infrared rays are incident from the lateral direction of the single crystal ingot, the oxygen concentration is measured from the absorption thereof, and (c) the predetermined oxygen is obtained from the oxygen concentration data obtained in the step (b). Only the portion that conforms to the concentration is cut as an ingot segment for slicing. At this time, the results of the measurement position and the oxygen concentration of the single crystal ingot are output or graphed to judge whether or not the specification of the oxygen concentration is satisfied, and cut into necessary ingot segments.
【００１８】 また、本発明では、次のスライシング工
程で用いる切断方法等を考慮してインゴットセグメント
の分割を行うことにより、次のスライシング工程をより
効率良く行うことができるとともに、歩留まりを向上す
ることができる。例えば、ワイヤーソーでスライシング
する場合、インゴットセグメントの長さに関係なく、切
断時間はほぼ一定であるため、切断するインゴットセグ
メントが最長であれば、生産性が最も高くなることが知
られている。Further, according to the present invention, by dividing the ingot segment in consideration of the cutting method used in the next slicing step, the next slicing step can be performed more efficiently, and the yield can be improved. Can be. For example, when slicing with a wire saw, the cutting time is substantially constant regardless of the length of the ingot segment, and therefore, it is known that the productivity is highest if the ingot segment to be cut is the longest.
【００１９】 尚、単結晶インゴットの切断には、バン
ドソー、内周刃、外周刃等の切断装置を適宜用いること
ができる。For cutting the single crystal ingot, a cutting device such as a band saw, an inner peripheral blade, and an outer peripheral blade can be used as appropriate.
【００２０】[0020]
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。 （実施例、比較例）引き上げた８インチ単結晶インゴッ
トを円筒研削し、ＱＳ−ＦＲＳ（Ｂｉｏ−Ｒａｄ社製）
で、１０ｍｍ毎に１７２０ｃｍ-1の吸収強度から酸素濃
度を測定した（実施例［インゴットＦＴＩＲ］）。その
後、適当な結晶長さ毎に、２ｍｍ厚のスラグサンプルを
作成し、両面研削を行った後、通常のウエハ測定用ＦＴ
ＩＲで、１１０７ｃｍ-1の吸収強度から酸素濃度を測定
した（比較例［スラグＦＴＩＲ］）。EXAMPLES The present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. (Example, Comparative Example) QS-FRS (manufactured by Bio-Rad) was cylindrically ground from the pulled up 8-inch single crystal ingot.
Then, the oxygen concentration was measured from the absorption intensity of 1720 cm −1 every 10 mm (Example [Ingot FTIR]). After that, a slag sample of 2 mm thickness was prepared for each appropriate crystal length, and both sides were ground.
By IR, the oxygen concentration was measured from the absorption intensity at 1107 cm -1 (Comparative Example [Slag FTIR]).
【００２１】（考察）実施例では、図５に示すように、
比較例で測定した結果と良い一致を示していることを確
認した。また、図５に示すように、比較例では、局所的
な酸素濃度の変動への対応が困難であったが、実施例で
は、酸素濃度の仕様が合っていない箇所は前もって確認
できるため、仕様に合わない単結晶インゴットを、次の
工程に流してしまう危険性を軽減することができる。更
に、実施例は、１０００ｍｍの長さのインゴットを１０
ｍｍ間隔で測定した場合、２時間程度であり、比較例と
比べて短時間での処理が可能であった。(Consideration) In the embodiment, as shown in FIG.
It was confirmed that the results showed good agreement with the results measured in the comparative example. Further, as shown in FIG. 5, in the comparative example, it was difficult to cope with the local fluctuation of the oxygen concentration. However, in the example, the portion where the specification of the oxygen concentration did not match can be confirmed in advance. It is possible to reduce the risk that a single crystal ingot that does not fit into the process will flow to the next step. In addition, the example shows that an ingot having a length of 1000 mm
When measured at mm intervals, it was about 2 hours, and processing could be performed in a shorter time than in the comparative example.
【００２２】[0022]
【発明の効果】 以上説明した通り、本発明の単結晶イ
ンゴットの評価方法では、単結晶インゴットのまま、単
結晶インゴット中の酸素濃度のプロファイルを正確に予
測するとともに、局所的な酸素濃度の変動にも対応する
ことができる。As described above, according to the method for evaluating a single crystal ingot of the present invention, the profile of the oxygen concentration in the single crystal ingot is accurately predicted while the single crystal ingot remains unchanged, and the variation of the local oxygen concentration is Can also be accommodated.
【００２３】 また、本発明の単結晶インゴットの切断
方法を用いることにより、クロップ工程の短縮化及び収
率の向上と、製造工程の効率化と生産性の向上に寄与す
ることができる。Further, by using the method for cutting a single crystal ingot of the present invention, it is possible to contribute to shortening of a cropping step and improvement of a yield, and improvement of efficiency and productivity of a manufacturing step.
【図１】 本発明の単結晶インゴットにおける酸素濃度
の測定方法を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a method for measuring an oxygen concentration in a single crystal ingot of the present invention.
【図２】 本発明における単結晶インゴットのスライシ
ング前処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a pre-slicing process of a single crystal ingot according to the present invention.
【図３】 従来のスラグサンプルにおける酸素濃度の測
定方法を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a conventional method for measuring the oxygen concentration in a slag sample.
【図４】 従来における単結晶インゴットのスライシン
グ前処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing an example of a conventional pre-slicing process for a single crystal ingot.
【図５】 実施例及び比較例における結晶長さ（ｍｍ）
と酸素濃度（ｐｐｍａ）との関係を示すグラフである。FIG. 5 shows a crystal length (mm) in Examples and Comparative Examples.
6 is a graph showing a relationship between the oxygen concentration and the oxygen concentration (ppma).
【図６】 インゴット及びスラグのＦＴＩＲ吸収スペク
トルを示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing FTIR absorption spectra of an ingot and a slag.
２…赤外線源、４…赤外線検出器、６…赤外線、１０…
スラグサンプル（ウエハ）、２０…単結晶インゴット、
３０…軸。2 ... Infrared source, 4 ... Infrared detector, 6 ... Infrared, 10 ...
Slag sample (wafer), 20 ... single crystal ingot,
30 ... axis.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 慎 栃木県宇都宮市清原工業団地11番２ エ ム・イー・エム・シー株式会社内 (72)発明者 芳賀 博世 栃木県宇都宮市清原工業団地11番２ エ ム・イー・エム・シー株式会社内 Ｆターム(参考） 2G059 AA01 BB16 CC07 DD01 EE01 EE10 EE12 HH01 JJ01 4G077 AA02 BA04 FG13 GA01 GA06 HA12 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Shin Kojima 11-2 Kiyohara Industrial Park, Utsunomiya City, Tochigi Prefecture (72) Inventor Hiroyo Haga 11 Kiyohara Industrial Park, Utsunomiya City, Tochigi Prefecture No.2 F / C term in MMC Corporation (reference) 2G059 AA01 BB16 CC07 DD01 EE01 EE10 EE12 HH01 JJ01 4G077 AA02 BA04 FG13 GA01 GA06 HA12
Claims (5)
結晶インゴットのまま、単結晶インゴットの横方向から
赤外線を入射し、その吸収から単結晶インゴット中の酸
素濃度を測定することを特徴とする単結晶インゴットの
評価方法。1. After the single-crystal ingot is cylindrically ground, infrared rays are incident from the lateral direction of the single-crystal ingot while the single-crystal ingot remains, and the oxygen concentration in the single-crystal ingot is measured from the absorption. Evaluation method for single crystal ingot.
吸収スペクトル装置（ＩＲ）又はフーリエ変換赤外吸収
スペクトル装置（ＦＴＩＲ）で測定する請求項１に記載
の単結晶インゴットの評価方法。2. The method for evaluating a single crystal ingot according to claim 1, wherein the oxygen concentration in the single crystal ingot is measured by an infrared absorption spectrum device (IR) or a Fourier transform infrared absorption spectrum device (FTIR).
インゴットセグメントに切断する単結晶インゴットの切
断方法であって、 （ａ）単結晶インゴットを円筒研削した後、 （ｂ）単結晶インゴットのまま、単結晶インゴットの横
方向から赤外線を入射し、その吸収から酸素濃度を測定
し、 （ｃ）工程（ｂ）によって得られた酸素濃度のデータか
ら、所定の酸素濃度に適合する部分のみを、スライシン
グ用のインゴットセグメントとして切断することを特徴
とする単結晶インゴットの切断方法。3. A method for cutting a single crystal ingot, wherein the single crystal ingot is cut into slicing ingot segments, the method comprising: (a) after cylindrical grinding of the single crystal ingot; and (b) single crystal ingot as it is. An infrared ray is incident from the lateral direction of the ingot, and the oxygen concentration is measured from the absorption. A method for cutting a single crystal ingot, comprising cutting as an ingot segment.
吸収スペクトル装置（ＩＲ）又はフーリエ変換赤外吸収
スペクトル装置（ＦＴＩＲ）で測定する請求項３に記載
の単結晶インゴットの切断方法。4. The method for cutting a single crystal ingot according to claim 3, wherein the oxygen concentration in the single crystal ingot is measured by an infrared absorption spectrum device (IR) or a Fourier transform infrared absorption spectrum device (FTIR).
刃、外周刃等の切断装置で切断される請求項３又は４に
記載の単結晶インゴットの切断方法。5. The method for cutting a single crystal ingot according to claim 3, wherein the single crystal ingot is cut by a cutting device such as a band saw, an inner peripheral blade, and an outer peripheral blade.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000371469A JP2002174593A (en) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000371469A JP2002174593A (en) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002174593A true JP2002174593A (en) | 2002-06-21 |
Family
ID=18841189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000371469A Pending JP2002174593A (en) | 2000-12-06 | 2000-12-06 | Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002174593A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076333A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer and system for determining cut position of semiconductor ingot |
| WO2014162657A1 (en) * | 2013-04-02 | 2014-10-09 | 信越半導体株式会社 | Method for manufacturing semiconductor wafer and cutting positioning system for semiconductor ingot |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312721A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Measuring method of concentration of interstitial oxygen in single-crystal silicon through oxygen precipitation |
| JPH08225396A (en) * | 1995-11-04 | 1996-09-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Silicon wafer |
| JPH1074771A (en) * | 1996-06-28 | 1998-03-17 | Sumitomo Sitix Corp | Method and apparatus for heat treating silicon single crystal wafer, silicon monocrystalline wafer and its manufacture |
| JPH10291891A (en) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Production of single crystal |
| JP2000058801A (en) * | 1998-06-02 | 2000-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi substrate and manufacture thereof |
| JP2000281491A (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-10 | Nippon Steel Corp | Silicon semiconductor substrate and its production |
-
2000
- 2000-12-06 JP JP2000371469A patent/JP2002174593A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312721A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Measuring method of concentration of interstitial oxygen in single-crystal silicon through oxygen precipitation |
| JPH08225396A (en) * | 1995-11-04 | 1996-09-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Silicon wafer |
| JPH1074771A (en) * | 1996-06-28 | 1998-03-17 | Sumitomo Sitix Corp | Method and apparatus for heat treating silicon single crystal wafer, silicon monocrystalline wafer and its manufacture |
| JPH10291891A (en) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Production of single crystal |
| JP2000058801A (en) * | 1998-06-02 | 2000-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi substrate and manufacture thereof |
| JP2000281491A (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-10 | Nippon Steel Corp | Silicon semiconductor substrate and its production |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076333A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer and system for determining cut position of semiconductor ingot |
| US7749865B2 (en) | 2004-02-03 | 2010-07-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing semiconductor wafers and a system for determining a cut position in a semiconductor ingot |
| KR101045309B1 (en) | 2004-02-03 | 2011-06-29 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | Method for Manufacturing Semiconductor Wafer and System for Determining Cut Position of Semiconductor Ingot |
| WO2014162657A1 (en) * | 2013-04-02 | 2014-10-09 | 信越半導体株式会社 | Method for manufacturing semiconductor wafer and cutting positioning system for semiconductor ingot |
| JP2014201458A (en) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 信越半導体株式会社 | Method of producing semiconductor wafer and system for determining cutting position of semiconductor ingot |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020055259A1 (en) | Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis | |
| EP3767277A1 (en) | Method and device for analyzing gas | |
| JP2002174593A (en) | Method for evaluating single-crystal ingot, and method for cutting single crystal ingot using the same | |
| Zhuang et al. | Rapid determination of green tea origins by near-infrared spectroscopy and multi-wavelength statistical discriminant analysis | |
| CN110208666B (en) | Selection method of partial discharge characteristic spectrum | |
| CN116242842A (en) | Method, device and equipment for detecting notch of cutter and readable storage medium | |
| US3807873A (en) | Method for detecting temper color appearing on a metal strip | |
| US5578829A (en) | On-line monitor for moisture contamination in HCL gas and copper contamination in NH4 OH solutions | |
| JP2010114327A (en) | Detecting method and detecting device for time of end point of polishing | |
| JP4396640B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method and semiconductor ingot cutting position determination system | |
| US6342704B1 (en) | Method and apparatus for detecting nitride residue on semiconductor wafers | |
| CN111413324A (en) | Raman spectrum detection method for trace crude oil in naphtha by using fluorescence background | |
| JP2002517740A (en) | Method and apparatus for identifying process chamber clean or wafer etching endpoints | |
| EP2237309B1 (en) | Apparatus for chemically etching a workpiece | |
| JP3046724B2 (en) | Wafer thickness measurement method | |
| JP2002150446A (en) | Fire detector and fire detection method | |
| JP2002340794A (en) | Method for measuring infrared absorption of semiconductor wafer | |
| US20020119668A1 (en) | Method for monitoring a semiconductor fabrication process for processing a substrate | |
| JP2002162293A (en) | Fire alarm and fire detection method | |
| JPH03226652A (en) | Apparatus for measuring acetylene gas | |
| CN102830082A (en) | Preparation method of stokehold steel-making gas specimen as well as method for analyzing gas content | |
| JP2696290B2 (en) | Method for measuring interstitial oxygen concentration in oxygen-precipitated silicon single crystal | |
| JP2003014632A (en) | Gas pressure correction method for gas concentration monitor due to ultraviolet absorption or the like and correction system therefor | |
| JPH04138327A (en) | Processing method for measured spectrum data | |
| JP2002246429A (en) | Method of evaluating silicon wafer and nitrogen-doped annealed wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |