JP2002169722A - Plural-memory type module using single memory bus - Google Patents

Plural-memory type module using single memory bus

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JP2002169722A
JP2002169722A JP2001348627A JP2001348627A JP2002169722A JP 2002169722 A JP2002169722 A JP 2002169722A JP 2001348627 A JP2001348627 A JP 2001348627A JP 2001348627 A JP2001348627 A JP 2001348627A JP 2002169722 A JP2002169722 A JP 2002169722A
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memory
module
devices
memory devices
channel
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JP2001348627A
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Inventor
Dios Victor Gutierrez De
グティエレ デ ディオス ビクトール
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Avido Systems Inc
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Avido Systems Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a module which uses a module single memory bus and has memories of plural types. SOLUTION: A plural-memory type module which uses the single memory bus is provided. The module includes plural memory devices including at least one 1st memory device of a 1st memory type and at least one 2nd memory device of a 2nd memory type and the minimum configuration of the plural memory devices includes one memory device of the 1st memory type and one or two memory devices of the 2nd memory type. The module includes the single memory bus which is connected to the plural memory devices and the single memory bus links a processor to the plural memory devices.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はメモリに関し、さら
に詳細には、メモリのモジュラリティに関する。
The present invention relates to memories, and more particularly, to the modularity of memories.

【0002】[0002]

【従来の技術】メモリのモジュラリティは、コンピュー
タ産業に、販売の促進、メモリをエンドユーザのニーズ
に適合させる能力、メモリの性能を向上する能力、旧式
化の防止、マーケットの移り変わりに対する対策、およ
びメモリデバイスに関する在庫リスクの低減を含む多く
の利益をもたらしてきた。これらの利益は、メモリの規
格、ダイ改良、パッケージ、製造プロセス技術、メモリ
の価格および有用性の不安定性、ならびに他の利益にお
ける急速な変化のために重要であった。
2. Description of the Related Art The modularity of memory has given the computer industry the ability to promote sales, adapt the memory to the needs of the end user, enhance the performance of the memory, prevent obsolescence, counter market changes, and It has provided many benefits, including reduced inventory risk for memory devices. These benefits were significant due to the rapid change in memory standards, die improvement, packaging, manufacturing process technology, memory price and availability instability, and other benefits.

【0003】典型的に、コンピュータ産業は、デュアル
・インライン・メモリモジュール(ディム)(DIM
M)およびシングル・インライン・メモリモジュール
(シム)(SIMM)をメモリモジュールの標準フォー
ムファクタとして用いている。DIMMまたはSIMM
は、プリント基板であり、この基板上に、シン・スモー
ル・アウトラインプラスチック(TSOP)またはスモ
ール・アウトライン・Jベンド(SOJ)パッケージ内
の18個までのダイナミックランダムアクセスメモリ
(DRAM)デバイスと、シリアル・プレゼンス・ディ
テクトモードにおいて用いられるスモールシリアルのイ
ーイーピーロム(電気的に消去書き込み可能ROM)
(EEPROM)とを載せることができる。他のメモリ
デバイス、例えばフラッシュメモリおよびスタティック
RAMは、特に、DIMMおよびSIMMフォームファ
クタを用いている。これらのモジュールに共通の特徴
は、シリアルEEPROMと異なり、単一のメモリタイ
プを有することである。
[0003] Typically, the computer industry has developed dual in-line memory modules (DIMs) (DIMs).
M) and single in-line memory modules (shims) (SIMM) as standard form factors for memory modules. DIMM or SIMM
Is a printed circuit board on which up to 18 dynamic random access memory (DRAM) devices in a thin small outline plastic (TSOP) or small outline J bend (SOJ) package, and a serial Small serial EPROM (electrically erasable and writable ROM) used in presence detect mode
(EEPROM). Other memory devices, such as flash memory and static RAM, specifically use DIMM and SIMM form factors. A common feature of these modules is that they have a single memory type, unlike serial EEPROMs.

【0004】しかし、これらの既存のメモリモジュール
ソリューションは、埋め込み型システムアプリケーショ
ンによって広く用いられていない。なぜなら、埋め込み
型システムは、典型的に2個以上のメモリタイプを用
い、モデレートを用いてメモリタイプごとのビット量を
少なくし、かつ既存のメモリモジュールがもたらすより
も微細なグラニュラリティを必要とするからである。本
文中で用いられる用語「グラニュラリティ」は、メモリ
モジュールが費用効率性を維持しつつ有し得る最小数の
メモリデバイスとして定義される。
[0004] However, these existing memory module solutions are not widely used by embedded system applications. Because embedded systems typically use more than one memory type, use moderation to reduce the amount of bits per memory type, and require finer granularity than existing memory modules provide. It is. As used herein, the term "granularity" is defined as the minimum number of memory devices that a memory module can have while maintaining cost efficiency.

【0005】慣用のメモリモジュールにおいては、グラ
ニュラリティは、典型的に、所与のメモリタイプを有す
る4個のデバイスである。グラニュラリティをより低レ
ベルにすることを望む場合には、コンピュータ製造者が
メモリデバイスをマザーボードにはんだ付けすること
が、コネクタ、プリント基板、組立およびテストのよう
なコストアダーを必要とするモジュールを用いるよりも
費用効率的である。しかし、メモリデバイスをマザーボ
ードにはんだ付けすると、モジュラリティによってもた
らされるであろう利益、例えば、システム全体とは独立
に行われるメモリデバイスの交換、アップグレード、拡
張、および、メモリデバイスを、テストする能力を犠牲
にすることになる。
In a conventional memory module, the granularity is typically four devices with a given memory type. If a lower level of granularity is desired, computer manufacturers can solder memory devices to the motherboard rather than using modules that require cost adders such as connectors, printed circuit boards, assembly and testing. Is also cost effective. However, soldering the memory device to the motherboard will bring the benefits that modularity will offer, such as the ability to replace, upgrade, expand, and test memory devices independently of the overall system. You have to sacrifice.

【0006】さらに、複数のメモリタイプがシステム内
で必要である場合には、最小のグラニュラリティは、1
つのメモリタイプには適合し得るが、他のメモリタイプ
には適合しないことがある。例えば、システムメモリ
が、4個のDRAM、2個のパラレルフラッシュメモリ
デバイス、および1個のシリアルフラッシュメモリデバ
イスを必要とする場合、モジュールはDRAMのために
用いられることができるが、パラレルフラッシュデバイ
スおよびシリアルフラッシュデバイスは、なおマザーボ
ードにはんだ付けされる。このソリューションは、モジ
ュラリティの利益がパラレルフラッシュメモリデバイス
およびシリアルフラッシュメモリデバイスにはもたらさ
れないため、不十分である。さらに、DRAMモジュー
ル、および、マザーボードにはんだ付けされたメモリタ
イプのために別々のメモリバスを用いなければならず、
これがシステム設計をさらに複雑にする。
Further, if multiple memory types are required in the system, the minimum granularity is 1
It may fit one memory type but not the other. For example, if the system memory requires four DRAMs, two parallel flash memory devices, and one serial flash memory device, the module can be used for DRAM, but the parallel flash device and Serial flash devices are still soldered to the motherboard. This solution is inadequate because the benefits of modularity are not provided to parallel and serial flash memory devices. In addition, separate memory buses must be used for DRAM modules and memory types soldered to the motherboard,
This further complicates the system design.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】したがって、シングル
(単一の)メモリバスを用いた複数メモリ型のモジュー
ルが必要である。複数メモリ型モジュールおよびシング
ルメモリバスは、より大きいグラニュラリティをもたら
し、埋め込み型システムにおける使用に関して費用効率
的であるはずである。本発明は、このような必要性に向
けられている。
Therefore, there is a need for a multiple memory type module using a single (single) memory bus. Multiple memory type modules and single memory buses should provide greater granularity and be cost effective for use in embedded systems. The present invention addresses such a need.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、シングルメモ
リバスを用いた複数メモリ型モジュールを提供する。モ
ジュールは、第1のメモリタイプの少なくとも1つの第
1メモリデバイスと、第2のメモリタイプの少なくとも
1つの第2メモリデバイスとを含む複数のメモリデバイ
スを含み、複数のメモリデバイスの最小コンフィギュレ
ーションが、第1メモリタイプの1つのメモリデバイス
と、第2メモリタイプの1つまたは2つのメモリデバイ
スとを含む。前記モジュールは、また、複数のメモリデ
バイスに連結されたシングルメモリバスを含み、シング
ルメモリバスは、プロセッサと複数のメモリデバイスと
を連通させる。本発明に従うモジュールは、メモリのタ
イプに応じてメモリのタイプあたり1個または2個のメ
モリデバイスを有する最小のコンフィギュレーションを
有する。モジュールは、各タイプのメモリを1〜2個の
メモリデバイスごとにアップグレードおよび拡張する能
力を有する。モジュールは、システムメモリ全体を組み
込むことができ、システムメモリは、埋め込み型システ
ムの設計者の観点からシステムメモリ全体を1つの構成
単位とみなすアーキテクチャを含む。本発明のモジュー
ルは、埋め込み型システムに関する顧客ニーズに応える
ために、異なるメモリアーキテクチャ、データバス幅、
メモリデバイスパッケージ、モジュールフォームファク
タ、メモリベンダ、メモリ性能規格、マザーボードへの
コネクタまたはコネクションと共に有効に用いられる。
モジュールは、また、シリアルデータフラッシュメモリ
デバイスまたは他のメモリデバイスを組み込むことがで
きる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a multiple memory module using a single memory bus. The module includes a plurality of memory devices including at least one first memory device of a first memory type and at least one second memory device of a second memory type, wherein the minimum configuration of the plurality of memory devices is , One memory device of the first memory type and one or two memory devices of the second memory type. The module also includes a single memory bus coupled to the plurality of memory devices, the single memory bus communicating the processor with the plurality of memory devices. A module according to the present invention has a minimal configuration with one or two memory devices per type of memory, depending on the type of memory. The module has the ability to upgrade and expand each type of memory every 1-2 memory devices. Modules can incorporate the entire system memory, which includes an architecture that considers the entire system memory as a unit from the perspective of an embedded system designer. The modules of the present invention provide different memory architectures, data bus widths,
It is effectively used with memory device packages, module form factors, memory vendors, memory performance standards, and connectors or connections to motherboards.
The module may also incorporate a serial data flash memory device or other memory device.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明は、シングルメモリバスを
用いた複数メモリ型モジュールを提供する。以下の説明
は、当業者が本発明を利用可能であるように提示され、
かつ、特許出願およびその要求事項に関連して提供され
る。好ましい実施形態に対して種々の修正が行われ得る
ことは、当業者にとって明らかであろう。本文における
包括的な原理は他の実施形態にも適用され得る。したが
って、本発明は、例示された実施形態に限定されるもの
ではなく、本文中に記載される原理および特徴と矛盾し
ない、最も広範な範囲に従うものとする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a multiple memory type module using a single memory bus. The following description is presented to enable one of ordinary skill in the art to make and use the invention.
And provided in connection with the patent application and its requirements. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made to the preferred embodiment. The generic principles herein may be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not intended to be limited to the embodiments illustrated, but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and features described herein.

【0010】本発明に従う複数メモリ型モジュールは、
1以上のメモリタイプを有し、プロセッサと連通するた
めのシングルメモリバスを用いる。シングルメモリバス
は、複数メモリ型モジュールの構成が、最小のワーキン
グコンフィギュレーションとして、メモリのタイプに応
じてメモリタイプあたり1または2個のメモリデバイス
を有することを容易にする。これは、費用効率性を維持
しつつグラニュラリティを増大させる。
A multiple memory type module according to the present invention comprises:
It has one or more memory types and uses a single memory bus to communicate with the processor. A single memory bus facilitates the configuration of a multiple memory type module with one or two memory devices per memory type, depending on the type of memory, as a minimum working configuration. This increases granularity while maintaining cost efficiency.

【0011】本発明の特徴を、より詳細に記載する。図
1〜図4を以下の議論と共に参照されたい。図1の
(A)および(B)は、慣用のシステムメモリのコンフ
ィギュレーションの2個の例を示す。システムメモリ
は、しばしば、種々の要求条件を満たすために、異なる
タイプのメモリの混合により構成される。例えば、図1
の(A)に示すように、システムメモリ100Aは2個
のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デ
バイス120と、1個のパラレルフラッシュメモリデバ
イス122と、シリアルデータフラッシュメモリデバイ
ス106とを含むことができる。これらのメモリデバイ
スは、メモリのタイプあたりのデバイスの数が、費用効
率的なメモリモジュールソリューションに必要なグラニ
ュラリティのレベルより下であるため、マザーボードに
はんだ付けされる。しかし、この技術はモジュラリティ
をもたらさない。そしてこれは、アップグレード、拡張
またはシステム交換の能力を制限する。
The features of the present invention will now be described in more detail. Please refer to FIGS. 1-4 with the following discussion. FIGS. 1A and 1B show two examples of a conventional system memory configuration. System memory is often composed of a mixture of different types of memory to meet different requirements. For example, FIG.
As shown in FIG. 1A, the system memory 100A can include two dynamic random access memory (DRAM) devices 120, one parallel flash memory device 122, and a serial data flash memory device 106. These memory devices are soldered to the motherboard because the number of devices per type of memory is below the level of granularity required for cost effective memory module solutions. However, this technique does not provide modularity. And this limits the ability to upgrade, expand or replace the system.

【0012】モジュラリティをもたらす慣用の方法は、
複数のシングル・インライン・メモリモジュール(SI
MM)を用いることである。例えば、図1の(B)に示
されているように、4個のDRAM102がDRAM・
SIMM108に設けられており、4個のパラレルフラ
ッシュメモリデバイス104がフラッシュSIMM11
0に設けられている。DRAM・SIMM108および
フラッシュSIMM110は拡張可能であるように選択
される。慣用的には、シリアルデータフラッシュメモリ
デバイス、例えばデータフラッシュメモリデバイス10
6にモジュラリティをもたらすための方法がない。DR
AM・SIMM108は、プロセッサにSIMMを連通
させる32ビットのデータバス112を有する。フラッ
シュSIMM110は、プロセッサに連通させるための
32ビットデータバス114を有する。シリアルデータ
フラッシュメモリデバイス160は、マザーボードには
んだ付けされ、銅トレース116を介してプロセッサと
連通している。このように、この慣用的なコンフィギュ
レーションは、2個の独立したメモリバス112および
114を必要とする。さらに、SIMM108および1
10の各々に関して追加の費用がかかり(コストアダー
を要し)、またコネクタが必要である。追加の費用は、
モジュールプリント基板、組立、テストの費用、およ
び、モジュールを有することに関する他の費用を含む。
したがって、費用効率性を維持するためには、最小限の
コンフィギュレーションでも、DRAM・SIMM10
8のための4個のDRAMデバイス102と、フラッシ
ュSIMM110のための4個のフラッシュメモリデバ
イス104とを必要とする。システムメモリ100Bの
ためのこのタイプのコンフィギュレーションは、多くの
埋め込み型システムに必要な必須のグラニュラリティ
も、費用効率性ももたらさない。
A conventional way of providing modularity is
Multiple single in-line memory modules (SI
MM). For example, as shown in FIG. 1B, four DRAMs 102
The four parallel flash memory devices 104 are provided on the SIMM
0 is provided. DRAM SIMM 108 and flash SIMM 110 are selected to be scalable. Conventionally, a serial data flash memory device, such as data flash memory device 10
6 has no way to provide modularity. DR
The AM / SIMM 108 has a 32-bit data bus 112 for communicating the SIMM to the processor. The flash SIMM 110 has a 32-bit data bus 114 for communicating with a processor. Serial data flash memory device 160 is soldered to the motherboard and communicates with the processor via copper traces 116. Thus, this conventional configuration requires two independent memory buses 112 and 114. Further, SIMMs 108 and 1
Additional costs are required for each of the 10 (requires a cost adder) and a connector is required. Additional costs
Includes module printed circuit board, assembly, test costs, and other costs associated with having modules.
Therefore, in order to maintain cost efficiency, the DRAM SIMM
8 and four flash memory devices 104 for the flash SIMM 110 are required. This type of configuration for system memory 100B does not provide the necessary granularity or cost efficiency required for many embedded systems.

【0013】図2の(A)および(B)は、本発明に従
う複数メモリ型モジュールのコンフィギュレーションの
例を2つ示す。本発明に従う複数メモリ型モジュール2
00は、複数のタイプのメモリのためのシングルメモリ
バス208を用いる。図2の(A)に示されているよう
に、図1の(A)に示したメモリデバイスと同じ個数で
同じタイプのメモリデバイスに関し、モジュール200
は、2個のDRAM210、1個のパラレルフラッシュ
メモリデバイス212、および1個のシリアルデータフ
ラッシュデバイス206、ならびに、これらのメモリデ
バイスのためのシングルメモリバス208を有する。モ
ジュール200は完全なシステムメモリであることがで
きる。図2の(B)に示すように、図1の(B)に示し
たメモリデバイスと同じ個数で同じタイプのメモリデバ
イスに関し、モジュール200は、4個のDRAM20
2、4個のパラレルフラッシュメモリデバイス204、
および1個のシリアルデータフラッシュメモリデバイス
206、ならびに、これらのメモリデバイスのためのシ
ングルメモリバス208を有する。
FIGS. 2A and 2B show two examples of configurations of a multiple memory type module according to the present invention. Multiple memory type module 2 according to the present invention
00 uses a single memory bus 208 for multiple types of memories. As shown in FIG. 2A, the same number and type of memory devices as the memory device shown in FIG.
Has two DRAMs 210, one parallel flash memory device 212, and one serial data flash device 206, and a single memory bus 208 for these memory devices. Module 200 can be a complete system memory. As shown in FIG. 2B, with respect to memory devices of the same number and of the same type as the memory devices shown in FIG.
2, 4 parallel flash memory devices 204,
And one serial data flash memory device 206, and a single memory bus 208 for these memory devices.

【0014】図3および4は、本発明に従う複数メモリ
型モジュールのためのシングルメモリバスの好ましい実
施形態を示す。図3は、本発明に従うシングルメモリバ
スの構造(アーキテクチャ)を示す。シングルメモリバ
ス60は、システムメモリ70内のメモリデバイスにデ
ータを通信し、かつプログラミングアクセスを行うため
のものである。好ましい実施形態において、システムメ
モリ70は、本発明に従う複数メモリ型モジュール20
0である。シングルメモリバスは、1997年7月18
日に出願され、2000年5月23日に特許を付与さ
れ、本出願の譲受け人に譲渡された米国特許第6,06
7,593号に開示されている。本出願の出願人は、こ
の特許を援用して本文の記載の一部とする。本明細書中
で用いられる用語「シングルメモリバス」は、米国特許
第6,067,593号にて用いられた「ユニバーサル
メモリバス」と交換可能に用いられる。
FIGS. 3 and 4 show a preferred embodiment of a single memory bus for a multiple memory type module according to the present invention. FIG. 3 shows a structure (architecture) of a single memory bus according to the present invention. The single memory bus 60 is for communicating data to a memory device in the system memory 70 and performing programming access. In a preferred embodiment, the system memory 70 comprises a multi-memory module 20 according to the present invention.
0. The single memory bus was released on July 18, 1997.
U.S. Patent No. 6,062, filed on May 23, 2000, and assigned to the assignee of the present application.
No. 7,593. The applicant of the present application incorporates this patent by reference. As used herein, the term “single memory bus” is used interchangeably with “universal memory bus” used in US Pat. No. 6,067,593.

【0015】図4は、本発明に従うシングルメモリバス
のチャネル構造を示す。シングルメモリバス60は、ブ
ートデータを通信してホストシステムを作動させ、その
後ノーマルデータを通信するための主要チャネル62
と、システムメモリ70のデバイス構成を示すデータを
通信するための識別チャネル64と、プログラミングお
よびデータアクセスを、後にシステムメモリ70に加え
られるメモリデバイスに行うための拡張チャネル66
と、システムメモリ70内のプログラミング可能な各メ
モリデバイスにプログラミングアクセスをもたらすため
のプログラミングチャネル68から成る。
FIG. 4 shows a channel structure of a single memory bus according to the present invention. A single memory bus 60 communicates boot data to power the host system and then a primary channel 62 for communicating normal data.
An identification channel 64 for communicating data indicative of the device configuration of the system memory 70, and an expansion channel 66 for performing programming and data access to memory devices that are later added to the system memory 70.
And a programming channel 68 for providing programming access to each programmable memory device in the system memory 70.

【0016】主要チャネル62は、概して、パワー、ア
ドレス、データ、および、中央処理装置(CPU)60
とシステムメモリ70との通信リンクを確立するために
必要なコントロールラインから成る。
Main channels 62 generally include power, address, data, and central processing unit (CPU) 60.
And a control line necessary to establish a communication link between the system and the system memory 70.

【0017】識別チャネル64は、概して、データ、お
よび、システムメモリ70のデバイス構成をホストCP
U50示す識別データを通信するためのコントロールラ
インから成る。
The identification channel 64 generally stores data and device configurations of the system memory 70 on the host CP.
It comprises a control line for communicating the identification data indicated by U50.

【0018】拡張チャネル66は、概して、追加のデー
タ、アドレスおよび/またはプログラミングラインから
成る。プログラミングラインは、アドレス、データまた
はプログラミング信号を、次に加えられるメモリデバイ
スにもたらすために選択的に作動されることができる。
The extension channel 66 generally consists of additional data, address and / or programming lines. The programming lines can be selectively activated to bring address, data or programming signals to the next applied memory device.

【0019】プログラミングチャネル68は、概して、
システムメモリ内の直列または並列のプログラミング可
能なメモリデバイスをプログラミングするために必要な
プログラミングおよびコントロール信号をもたらすライ
ンから成る。好ましい実施形態において、プログラミン
グチャネルは、プログラミング操作中にのみ動作する専
用サブチャネル68Aと、プログラミング操作中にプロ
グラミング信号を通信し、かつ、アドレスまたはコント
ロール信号をノーマルデータ転送操作中にもたらす2機
能機能サブチャネル68Bとから成る。
The programming channel 68 generally comprises
Consists of lines that provide the programming and control signals necessary to program serial or parallel programmable memory devices in system memory. In a preferred embodiment, the programming channel includes a dedicated sub-channel 68A that operates only during a programming operation, and a dual function sub-channel that communicates programming signals during a programming operation and provides address or control signals during a normal data transfer operation. Channel 68B.

【0020】本発明に従うシングルメモリバス208を
用いた、複数のタイプのメモリを有するモジュール20
0は、慣用のメモリモジュールに対する幾つかの利点を
もたらす。1つの利点は、グラニュラリティがより微細
であることである。モジュール200のための最小のコ
ンフィギュレーションは、必要とされるメモリデバイス
が、慣用のモジュールよりも少ない。1つのメモリタイ
プの慣用のSIMMを用いると、メモリのタイプあたり
4個のデバイスを用いるが、モジュール200が有する
デバイスは、メモリのタイプに応じてメモリのタイプあ
たり最小の1個または2個であることができる。このよ
うにして、慣用のメモリにおいては費用効率的でなかっ
たメモリのモジュラリティの利益をもたらし、シングル
メモリバス208により、設計の労苦をより少なくす
る。
A module 20 having multiple types of memories using a single memory bus 208 according to the present invention.
0 provides several advantages over conventional memory modules. One advantage is that the granularity is finer. The minimum configuration for module 200 requires less memory devices than conventional modules. With a conventional SIMM of one memory type, four devices are used per memory type, but the module 200 has a minimum of one or two devices per memory type, depending on the memory type. be able to. In this manner, the benefits of memory modularity, which were not cost-effective in conventional memories, are provided by the single memory bus 208, which reduces design effort.

【0021】例えば、図2の(A)は、本発明に従う、
シングルメモリバスを用いた複数メモリ型モジュールの
ための最小のコンフィギュレーションを示す。図1の
(A)に示したものと同一タイプのメモリデバイスに関
し、本発明に従うモジュール200は、2個のDRAM
502、1個のパラレルフラッシュメモリデバイス50
4、および、1個のシリアルデータフラッシュメモリデ
バイス506から成る最小のコンフィギュレーションを
有することができる。これは、慣用のメモリ100Aよ
りもグラニュラリティがかなり微細であり、かつ、費用
効率性をもたらす。
For example, FIG.
2 shows a minimum configuration for a multiple memory type module using a single memory bus. For a memory device of the same type as shown in FIG. 1A, a module 200 according to the invention comprises two DRAMs.
502, one parallel flash memory device 50
4, and a minimal configuration consisting of one serial data flash memory device 506. This provides a much finer granularity than the conventional memory 100A and provides cost efficiency.

【0022】図2の(B)に示されたシングルメモリバ
ス208を用いる複数メモリ型モジュール200もま
た、慣用のメモリモジュール100Bよりもコストを節
減する利点を有する。例えば、(a)各メモリデバイス
の費用が3ドルであり、(b)各コストアダーの費用が
4ドルであり、(c)各コネクタの費用が1ドルである
と仮定する。図1の(B)に示したタイプおよび個数の
デバイスに関して、従来のモジュールの費用は37ドル
となる(メモリデバイスが9個で27ドル、2個のSI
MMのためのコストアダーが2個で8ドル、SIMMコ
ネクタが2個で2ドル)。一方、本発明に従うモジュー
ル200の場合には、費用は32ドルとなり(メモリデ
バイスが9個で27ドル、コストアダーが1個で4ド
ル、コネクタが1個で1ドル)、少なくとも14%の大
幅な費用節減をもたらす。
The multiple memory type module 200 using the single memory bus 208 shown in FIG. 2B also has the advantage of cost savings over the conventional memory module 100B. For example, assume that (a) the cost of each memory device is $ 3, (b) the cost of each cost adder is $ 4, and (c) the cost of each connector is $ 1. For the type and number of devices shown in FIG. 1B, the cost of a conventional module would be $ 37 ($ 27 for nine memory devices, two SIs).
(The cost adder for MM is $ 8 for two SIMM connectors and $ 2 for two SIMM connectors). On the other hand, in the case of the module 200 according to the invention, the cost is $ 32 ($ 27 for 9 memory devices, $ 4 for one cost adder, $ 1 for one connector), at least a significant 14%. Cost savings.

【0023】別の利点は、シングルメモリバス208を
用いる複数メモリ型モジュール200を有する設計は、
必要とするピンおよび銅トレースが、慣用のメモリ10
0Aおよび100Bを有する設計よりも少ないことであ
る。これにより、コスト、設計労力、貴重なエンジニア
リング資源の使用を少なくする。例えば、32ビットの
DRAM・SIMM108(図1の(B))が72個の
ピンを有し、32ビットのフラッシュSIMM110が
80個のピンを有し、シリアルフラッシュパッケージが
28個のピンを有するならば、このソリューションのピ
ンの総数は180個となる。好ましい実施形態におい
て、モジュール200は、144個のピンを有するスモ
ールアウトライン・デュアル・インラインモジュール
(エスオーディム)(SODIMM)フォームファクタ
ーにおいて実現される。このように、モジュール200
により、ピンの個数は20%減らされる。システム設計
者がメモリデバイスをマザーボードにはんだ付けする場
合でも、図1の(A)に示したモジュールにおいては、
ピンの総数は188個になる。モジュール200は、メ
モリの要求条件がより少なく、マザーボードにはんだ付
けする場合と比べて、ピンの個数を23%減少させる。
Another advantage is that designs with multiple memory type modules 200 using a single memory bus 208
The required pins and copper traces are
Less than designs with 0A and 100B. This reduces cost, design effort, and use of valuable engineering resources. For example, if a 32-bit DRAM SIMM 108 (FIG. 1B) has 72 pins, a 32-bit flash SIMM 110 has 80 pins, and a serial flash package has 28 pins. For example, the total number of pins in this solution is 180. In a preferred embodiment, module 200 is implemented in a small outline dual in-line module (SODIM) (SODIMM) form factor having 144 pins. Thus, module 200
As a result, the number of pins is reduced by 20%. Even when the system designer solders the memory device to the motherboard, the module shown in FIG.
The total number of pins is 188. Module 200 has fewer memory requirements and reduces the number of pins by 23% compared to soldering to the motherboard.

【0024】別の利点は、シングルメモリバス208を
用いる複数メモリ型モジュール200を完全なシステム
メモリにすることができ、また、システム全体の設計の
構成単位にできることである。これは、システム設計者
の設計の労力を最小にし、また、システムメモリ全体を
1つの部品として検査することを可能にする。本発明に
従うモジュール200は、慣用のメモリと異なり、シス
テムメモリのアーキテクチャ、例えば、バンクまたはイ
ンターリーブ機構、混合データバス幅、およびチップセ
レクトコンフィギュレーションを組み込んでいる。
Another advantage is that the multiple memory module 200 using the single memory bus 208 can be a complete system memory and can be a building block of the overall system design. This minimizes the design effort of the system designer, and also allows the entire system memory to be tested as a single component. Module 200 according to the present invention, unlike conventional memory, incorporates the architecture of system memory, for example, bank or interleave scheme, mixed data bus width, and chip select configuration.

【0025】シングルメモリバス208を用いた複数メ
モリ型モジュール200は、また、図2の(A)に示し
た最小のコンフィギュレーションから拡張されることが
できる。これは、不使用のメモリパッドを1〜2個のデ
バイスに同時に、慣用のモジュール100B(図1の
(B))の最小のコンフィギュレーションになるまで増
やすことにより行われる。これは、シリアルデータフラ
ッシュメモリデバイス206をモジュール200内に配
置可能であり、マザーボードからそのリスクが排除され
るという利点を有する。
The multiple memory type module 200 using the single memory bus 208 can also be extended from the minimum configuration shown in FIG. This is done by increasing the number of unused memory pads in one or two devices simultaneously until the minimum configuration of the conventional module 100B (FIG. 1B). This has the advantage that the serial data flash memory device 206 can be located in the module 200 and that risk is eliminated from the motherboard.

【0026】本発明を、上記のメモリのタイプ、デバイ
スパッケージ、コネクタ、アーキテクチャ、およびイン
タフェースバス幅に関して開示してきたが、当業者は、
他のタイプのメモリ、パッケージ、コネクタおよびバス
幅も本発明の精神および範囲から逸脱せずに用いられ得
ることを理解するであろう。
Although the present invention has been disclosed with respect to the above memory types, device packages, connectors, architectures, and interface bus widths, those skilled in the art
It will be appreciated that other types of memories, packages, connectors and bus widths may be used without departing from the spirit and scope of the present invention.

【0027】例えば、メモリモジュール200は、バン
クまたはインターリーブ機構、混合されたデータバス
幅、およびチップセレクトコンフィギュレーションを限
定的でなく含む任意のタイプのメモリアーキテクチャを
実現し得る。モジュール200は、DIMM、SIM
M、SODIMM、マルチチップモジュールおよびボー
ルグリッドアレイ(BGA)パッケージを限定的でなく
含む、異なるフォームを有し得る。モジュール200
は、TSOP、スモールアウトライン集積回路(SOI
C)、BGA、ファインピッチ・ボールグリッドアレイ
(FBGA)、およびスモールアウトラインJベンド
(SOJ)を限定的でなく含む、異なるフォームを有し
得る。モジュール200は、標準的なDIMM、SIM
MおよびSODIMMコネクタを限定的でなく含む、シ
ステムボードに連結する種々の方法を用い得る。モジュ
ール20は、異なるデータバス幅、例えば、16ビッ
ト、32ビット、64ビット、72ビットまたは異なる
バス幅の組み合わせを有し得る。
For example, memory module 200 may implement any type of memory architecture including, but not limited to, bank or interleave schemes, mixed data bus widths, and chip select configurations. Module 200 is DIMM, SIM
It may have different forms, including but not limited to M, SODIMM, multi-chip module and ball grid array (BGA) packages. Module 200
Is a TSOP, small outline integrated circuit (SOI
C), may have different foams, including but not limited to, BGA, fine pitch ball grid array (FBGA), and small outline J bend (SOJ). Module 200 is a standard DIMM, SIM
Various methods of coupling to the system board may be used, including but not limited to M and SODIMM connectors. Module 20 may have different data bus widths, for example, 16 bits, 32 bits, 64 bits, 72 bits, or a combination of different bus widths.

【0028】シングルメモリバスを用いる複数メモリ型
モジュールを開示してきた。本発明に従うモジュール
は、複数のタイプのメモリにシングルメモリバスを用い
る。本発明のモジュールは、グラニュラリティを増大さ
せ、慣用のメモリよりもコストをより多く節減する。本
発明に従うモジュールは、メモリのタイプに応じてメモ
リタイプあたりメモリデバイスが1個または2個である
最小のコンフィギュレーションを有する。モジュール
は、各タイプのメモリを1〜2個のメモリデバイスごと
にアップグレードおよび拡張する能力を有する。モジュ
ールは、システムメモリ全体を組み込むことができ、シ
ステムメモリは、埋め込み型システムの設計者の観点か
らシステムメモリ全体を1つの構成単位とみなすアーキ
テクチャを含む。本発明のモジュールは、埋め込み型シ
ステムに関する顧客ニーズに応えるために、異なるメモ
リアーキテクチャ、データバス幅、メモリデバイスパッ
ケージ、モジュールフォームファクタ、メモリベンダ、
メモリ性能規格、マザーボードへのコネクタまたはコネ
クションと共に有効に用いられる。モジュールは、ま
た、シリアルデータフラッシュメモリデバイスまたは他
のメモリデバイスを組み込むことができる。
A multiple memory module using a single memory bus has been disclosed. A module according to the invention uses a single memory bus for multiple types of memory. The modules of the present invention increase granularity and save more cost than conventional memories. The module according to the invention has a minimum configuration with one or two memory devices per memory type, depending on the type of memory. The module has the ability to upgrade and expand each type of memory every 1-2 memory devices. Modules can incorporate the entire system memory, which includes an architecture that considers the entire system memory as a unit from the perspective of an embedded system designer. The modules of the present invention are designed to meet customer needs for embedded systems with different memory architectures, data bus widths, memory device packages, module form factors, memory vendors,
Used effectively with memory performance standards, connectors or connections to the motherboard. The module may also incorporate a serial data flash memory device or other memory device.

【0029】本発明を、示された実施形態に従って記載
してきたが、当業者は、これらの実施形態に、本発明の
精神および範囲内において変更が可能であることを容易
に理解するであろう。したがって、当業者により多くの
修正が、特許請求の範囲およびその精神から逸脱せずに
行われ得る。
While the present invention has been described in accordance with the embodiments shown, those skilled in the art will readily appreciate that these embodiments can be modified within the spirit and scope of the invention. . Accordingly, many modifications may be made by one of ordinary skill in the art without departing from the scope and spirit of the claims.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上に記載したように、本発明に従え
ば、より大きいグラニュラリティをもたらし、かつ埋め
込み型システムにおいて費用効率的である、シングルメ
モリバスを用いた複数のメモリタイプのモジュールを提
供することができる。
As described above, the present invention provides a multiple memory type module using a single memory bus that provides greater granularity and is cost effective in embedded systems. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (A)および(B)は、慣用のシステムメモ
リのコンフィギュレーションの2つの例を示す。
1A and 1B show two examples of a conventional system memory configuration.

【図2】 (A)および(B)は、本発明に従う、シン
グルメモリバスを用いた複数メモリ型モジュールのコン
フィギュレーションの2つの例を示す。
2A and 2B show two examples of a configuration of a multiple memory module using a single memory bus according to the present invention.

【図3】 本発明に従うシングルメモリバスのアーキテ
クチャを示す。
FIG. 3 shows the architecture of a single memory bus according to the invention.

【図4】 本発明に従うシングルメモリバスのチャネル
構造を示す。
FIG. 4 shows a channel structure of a single memory bus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50…CPU、70…システムメモリ、102、12
0、202、210…RAM、104、122、20
4、212…フラッシュ、106、206…データフラ
ッシュ、200…複数メモリ型モジュール。
50: CPU, 70: System memory, 102, 12
0, 202, 210 ... RAM, 104, 122, 20
4, 212: flash, 106, 206: data flash, 200: multiple memory type module.

Claims (37)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のメモリタイプの少なくとも1つの
第1メモリデバイスと、第2のメモリタイプの少なくと
も1つの第2メモリデバイスとを含み、かつ、最小のコ
ンフィギュレーションが、第1のメモリタイプの1つの
メモリデバイス、および、第2のメモリタイプの1つま
たは2つのメモリデバイスからなる複数のメモリデバイ
スと;複数のメモリデバイスに連結された、プロセッサ
と複数のメモリデバイスとの連通をもたらすシングルメ
モリバスとを含むメモリモジュール。
1. A method comprising: at least one first memory device of a first memory type; and at least one second memory device of a second memory type, wherein the minimum configuration is the first memory type. And a plurality of memory devices comprising one or two memory devices of a second memory type; a single memory device coupled to the plurality of memory devices for providing communication between the processor and the plurality of memory devices. A memory module including a memory bus.
【請求項2】 第1メモリデバイスおよび第2メモリデ
バイスのいずれも、メモリモジュールのデバイス構成を
示す識別データを記憶しない請求項1に記載のモジュー
ル。
2. The module according to claim 1, wherein neither the first memory device nor the second memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module.
【請求項3】 複数のメモリデバイスが、さらに、 第3のメモリタイプの少なくとも1つの第3メモリデバ
イスを含み、第3メモリデバイスが、メモリモジュール
のデバイス構成を示す識別データを記憶する請求項2に
記載のモジュール。
3. The memory device of claim 2, wherein the plurality of memory devices further include at least one third memory device of a third memory type, wherein the third memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module. A module according to.
【請求項4】 シングルメモリバスが、 複数のメモリデバイスからプロセッサにオペレーティン
グシステムデータを通信するための主要チャネルと、 識別データを複数のメモリデバイスからプロセッサに通
信するための識別チャネルと、 複数のメモリデバイスの少なくとも1つをプログラミン
グするために必要なプログラミングおよび制御信号をも
たらすためのプログラミングチャネルとを含む請求項1
に記載のモジュール。
A single channel for communicating operating system data from the plurality of memory devices to the processor; an identification channel for communicating identification data from the plurality of memory devices to the processor; A programming channel for providing programming and control signals necessary to program at least one of the devices.
A module according to.
【請求項5】 プログラミングチャネルが、 専用のサブチャネルと、 シングルメモリバスがプログラミングモードにあるとき
にプログラミング信号を複数のメモリデバイスに通信
し、シングルメモリバスがデータ転送モードにあるとき
にデータ転送信号を複数のメモリデバイスに通信するよ
うに構成された1以上の2機能サブチャネルラインとを
含む請求項4に記載のモジュール。
5. A programming channel, comprising: a dedicated sub-channel for communicating programming signals to a plurality of memory devices when the single memory bus is in a programming mode; and a data transfer signal when the single memory bus is in a data transfer mode. 5. The module of claim 4, further comprising: one or more bi-functional sub-channel lines configured to communicate to a plurality of memory devices.
【請求項6】 シングルメモリバスが、さらに、追加の
メモリデバイスとプロセッサとの間でデータを通信する
ための拡張チャネルを含む請求項4に記載のモジュー
ル。
6. The module of claim 4, wherein the single memory bus further includes an extension channel for communicating data between the additional memory device and the processor.
【請求項7】 複数のメモリデバイスが少なくとも1つ
のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を
含む請求項1に記載のモジュール。
7. The module of claim 1, wherein the plurality of memory devices include at least one dynamic random access memory (DRAM).
【請求項8】 複数のメモリデバイスが少なくとも1つ
のパラレルフラッシュメモリデバイスを含む請求項1に
記載のモジュール。
8. The module according to claim 1, wherein the plurality of memory devices include at least one parallel flash memory device.
【請求項9】 前記第3メモリデバイスが少なくとも1
つのシリアルデータフラッシュメモリデバイスを含む請
求項3に記載のモジュール。
9. The method according to claim 9, wherein the third memory device has at least one
4. The module of claim 3, comprising one serial data flash memory device.
【請求項10】 さらに、コネクタ、およびコストアダ
ーを含む請求項1に記載のモジュール。
10. The module according to claim 1, further comprising a connector and a cost adder.
【請求項11】 メモリモジュールであって、 第1のメモリタイプの少なくとも1つの第1メモリデバ
イスと、第2のメモリタイプの少なくとも1つの第2メ
モリデバイスとを含む複数のメモリデバイスであって、
第1メモリデバイスおよび第2メモリデバイスのいずれ
もが前記メモリモジュールのデバイス構成を示す識別デ
ータを記憶せず、かつ、最小のコンフィギュレーション
が、第1のメモリタイプの1つのメモリデバイスと、第
2のメモリタイプの1つまたは2つのメモリデバイスと
からなる複数のメモリデバイスと;複数のメモリデバイ
スに連結された、プロセッサと複数のメモリデバイスと
の連通をもたらすシングルメモリバスとを含むメモリモ
ジュール。
11. A memory module, comprising: at least one first memory device of a first memory type; and at least one second memory device of a second memory type, wherein:
Neither the first memory device nor the second memory device stores the identification data indicating the device configuration of the memory module, and the minimum configuration includes one memory device of the first memory type and the second memory device. A memory module comprising one or two memory devices of one or more of the following memory types; and a single memory bus coupled to the plurality of memory devices for providing communication between the processor and the plurality of memory devices.
【請求項12】 複数のメモリデバイスが、さらに、 第3のメモリタイプの少なくとも1つの第3メモリデバ
イスを含み、第3メモリデバイスが、メモリモジュール
のデバイス構成を示す識別データを記憶する請求項11
に記載のモジュール。
12. The memory device of claim 11, further comprising at least one third memory device of a third memory type, wherein the third memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module.
A module according to.
【請求項13】 シングルメモリバスが、 複数のメモリデバイスからプロセッサにオペレーティン
グシステムデータを通信するための主要チャネルと、 識別データを複数のメモリデバイスからプロセッサに通
信するための識別チャネルと、 複数のメモリデバイスの少なくとも1つをプログラミン
グするために必要なプログラミングおよび制御信号をも
たらすためのプログラミングチャネルとを含む請求項1
1に記載のモジュール。
13. A single memory bus comprising: a primary channel for communicating operating system data from a plurality of memory devices to a processor; an identification channel for communicating identification data from the plurality of memory devices to the processor; A programming channel for providing programming and control signals necessary to program at least one of the devices.
2. The module according to 1.
【請求項14】 プログラミングチャネルが、 専用のサブチャネルと、 シングルメモリバスがプログラミングモードにあるとき
にプログラミング信号を複数のメモリデバイスに通信
し、シングルメモリバスがデータ転送モードにあるとき
にデータ転送信号を複数のメモリデバイスに通信するよ
うに構成された1以上の2機能サブチャネルラインとを
含む請求項13に記載のモジュール。
14. A programming channel, comprising: a dedicated sub-channel for communicating programming signals to a plurality of memory devices when the single memory bus is in a programming mode; and a data transfer signal when the single memory bus is in a data transfer mode. 14. The module of claim 13, comprising: one or more dual function sub-channel lines configured to communicate the plurality of memory devices to a plurality of memory devices.
【請求項15】 シングルメモリバスが、さらに、追加
のメモリデバイスとプロセッサとの間でデータを通信す
るための拡張チャネルを含む請求項13に記載のモジュ
ール。
15. The module of claim 13, wherein the single memory bus further includes an extension channel for communicating data between the additional memory device and the processor.
【請求項16】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)
を含む請求項11に記載のモジュール。
16. The method according to claim 16, wherein the plurality of memory devices are at least one.
Dynamic random access memory (DRAM)
The module according to claim 11, comprising:
【請求項17】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのパラレルフラッシュメモリデバイスを含む請求項1
1に記載のモジュール。
17. The method according to claim 17, wherein the plurality of memory devices are at least one.
2. The method of claim 1, wherein the device comprises two parallel flash memory devices.
2. The module according to 1.
【請求項18】 前記第3メモリデバイスが少なくとも
1つのシリアルデータフラッシュメモリデバイスを含む
請求項12に記載のモジュール。
18. The module according to claim 12, wherein said third memory device comprises at least one serial data flash memory device.
【請求項19】 さらに、コネクタ、およびコストアダ
ーを含む請求項11に記載のモジュール。
19. The module of claim 11, further comprising a connector and a cost adder.
【請求項20】 メモリモジュールであって、 第1のメモリタイプの少なくとも1つの第1メモリデバ
イス、および第2のメモリタイプの少なくとも1つの第
2メモリデバイスを含む複数のメモリデバイスであっ
て、第1メモリデバイスおよび第2メモリデバイスのい
ずれもが前記メモリモジュールのデバイス構成を示す識
別データを記憶せず、複数のメモリデバイスは、さら
に、第3のメモリタイプの少なくとも1つの第3メモリ
デバイスを含み、第3メモリデバイスは、メモリモジュ
ールのデバイス構成を示す識別データを記憶し、メモリ
デバイスの最小のコンフィギュレーションが、第1のメ
モリタイプの1つのメモリデバイス、および第2のメモ
リタイプの1つまたは2つのメモリデバイスからなる複
数のメモリデバイスと;複数のメモリデバイスに連結さ
れた、プロセッサと複数のメモリデバイスとの連通をも
たらすシングルメモリバスとを含むメモリモジュール。
20. A memory module, comprising: a plurality of memory devices including at least one first memory device of a first memory type and at least one second memory device of a second memory type; Neither the first memory device nor the second memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module, and the plurality of memory devices further include at least one third memory device of a third memory type. , A third memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module, wherein the minimum configuration of the memory device is one memory device of the first memory type and one of the second memory type or A plurality of memory devices consisting of two memory devices; Memory module that includes a single memory bus lead coupled to memory devices, the communication between the processor and the plurality of memory devices.
【請求項21】 シングルメモリバスが、 複数のメモリデバイスからプロセッサにオペレーティン
グシステムデータを通信するための主要チャネルと、 識別データを複数のメモリデバイスからプロセッサに通
信するための識別チャネルと、 複数のメモリデバイスの少なくとも1つをプログラミン
グするために必要なプログラミングおよび制御信号をも
たらすためのプログラミングチャネルとを含む請求項2
0に記載のモジュール。
21. A single memory bus comprising: a primary channel for communicating operating system data from a plurality of memory devices to a processor; an identification channel for communicating identification data from a plurality of memory devices to a processor; A programming channel for providing programming and control signals necessary to program at least one of the devices.
Module according to 0.
【請求項22】 プログラミングチャネルが、 専用のサブチャネルと、 シングルメモリバスがプログラミングモードにあるとき
にプログラミング信号を複数のメモリデバイスに通信
し、シングルメモリバスがデータ転送モードにあるとき
にデータ転送信号を複数のメモリデバイスに通信するよ
うに構成された1以上の2機能サブチャネルラインとを
含む請求項21に記載のモジュール。
22. A programming channel, comprising: a dedicated sub-channel for communicating programming signals to a plurality of memory devices when the single memory bus is in a programming mode; and a data transfer signal when the single memory bus is in a data transfer mode. 22. The module of claim 21, further comprising: one or more dual function sub-channel lines configured to communicate with a plurality of memory devices.
【請求項23】 シングルメモリバスが、さらに、追加
のメモリデバイスとプロセッサとの間でデータを通信す
るための拡張チャネルを含む請求項21に記載のモジュ
ール。
23. The module of claim 21, wherein the single memory bus further includes an extension channel for communicating data between the additional memory device and the processor.
【請求項24】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)
を含む請求項20に記載のモジュール。
24. A method according to claim 24, wherein the plurality of memory devices are at least one.
Dynamic random access memory (DRAM)
21. The module according to claim 20, comprising:
【請求項25】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのパラレルフラッシュメモリデバイスを含む請求項2
0に記載のモジュール。
25. At least one of the plurality of memory devices
3. The method of claim 2, wherein the device comprises two parallel flash memory devices.
Module according to 0.
【請求項26】 前記第3メモリデバイスが少なくとも
1つのシリアルデータフラッシュメモリデバイスを含む
請求項20に記載のモジュール。
26. The module of claim 20, wherein said third memory device comprises at least one serial data flash memory device.
【請求項27】 さらに、コネクタ、およびコストアダ
ーを含む請求項20に記載のモジュール。
27. The module of claim 20, further comprising a connector and a cost adder.
【請求項28】 プロセッサと、 第1のメモリタイプの少なくとも1つの第1メモリデバ
イス、および第2のメモリタイプの少なくとも1つの第
2メモリデバイスを含む複数のメモリデバイスであっ
て、最小のコンフィギュレーションが、第1のメモリタ
イプの1つのメモリデバイス、および第2のメモリタイ
プの1つまたは2つのメモリデバイスからなる複数のメ
モリデバイスを含む、前記プロセッサに連結されたメモ
リモジュールと、 複数のメモリデバイスに連結された、プロセッサと複数
のメモリデバイスとの連通をもたらすシングルメモリバ
スとを含むシステム。
28. A plurality of memory devices, including a processor, at least one first memory device of a first memory type, and at least one second memory device of a second memory type, the minimum configuration. A memory module coupled to said processor, comprising: a plurality of memory devices consisting of one memory device of a first memory type and one or two memory devices of a second memory type; And a single memory bus providing communication between the processor and the plurality of memory devices.
【請求項29】 第1メモリデバイスおよび第2メモリ
デバイスのいずれも、メモリモジュールのデバイス構成
を示す識別データを記憶しない請求項28に記載のシス
テム。
29. The system according to claim 28, wherein neither the first memory device nor the second memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module.
【請求項30】 複数のメモリデバイスが、さらに、 第3のメモリタイプの少なくとも1つの第3メモリデバ
イスを含み、第3メモリデバイスが、メモリモジュール
のデバイス構成を示す識別データを記憶する請求項29
に記載のシステム。
30. The plurality of memory devices further include at least one third memory device of a third memory type, wherein the third memory device stores identification data indicating a device configuration of the memory module.
System.
【請求項31】 シングルメモリバスが、 複数のメモリデバイスからプロセッサにオペレーティン
グシステムデータを通信するための主要チャネルと、 識別データを複数のメモリデバイスからプロセッサに通
信するための識別チャネルと、 複数のメモリデバイスの少なくとも1つをプログラミン
グするために必要なプログラミングおよび制御信号をも
たらすためのプログラミングチャネルとを含む請求項2
8に記載のシステム。
31. A single memory bus comprising: a primary channel for communicating operating system data from a plurality of memory devices to a processor; an identification channel for communicating identification data from a plurality of memory devices to a processor; A programming channel for providing programming and control signals necessary to program at least one of the devices.
9. The system according to 8.
【請求項32】 プログラミングチャネルが、 専用のサブチャネルと、 シングルメモリバスがプログラミングモードにあるとき
にプログラミング信号を複数のメモリデバイスに通信
し、シングルメモリバスがデータ転送モードにあるとき
にデータ転送信号を複数のメモリデバイスに通信するよ
うに構成された1以上の2機能サブチャネルラインとを
含む請求項31に記載のシステム。
32. A programming channel comprising: a dedicated sub-channel for communicating programming signals to a plurality of memory devices when the single memory bus is in a programming mode; and a data transfer signal when the single memory bus is in a data transfer mode. 32. The system of claim 31, further comprising one or more dual function sub-channel lines configured to communicate a plurality of memory devices to a plurality of memory devices.
【請求項33】 シングルメモリバスが、さらに、追加
のメモリデバイスとプロセッサとの間でデータを通信す
るための拡張チャネルを含む請求項31に記載のシステ
ム。
33. The system of claim 31, wherein the single memory bus further includes an extension channel for communicating data between the additional memory device and the processor.
【請求項34】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)
を含む請求項28に記載のシステム。
34. The method according to claim 34, wherein the plurality of memory devices are at least one.
Dynamic random access memory (DRAM)
29. The system of claim 28, comprising:
【請求項35】 複数のメモリデバイスが少なくとも1
つのパラレルフラッシュメモリデバイスを含む請求項2
8に記載のシステム。
35. At least one of the plurality of memory devices
3. The method of claim 2, wherein the device comprises two parallel flash memory devices.
9. The system according to 8.
【請求項36】 前記第3メモリデバイスが少なくとも
1つのシリアルデータフラッシュメモリデバイスを含む
請求項30に記載のシステム。
36. The system of claim 30, wherein said third memory device comprises at least one serial data flash memory device.
【請求項37】 さらに、コネクタ、およびコストアダ
ーを含む請求項28に記載のシステム。
37. The system of claim 28, further comprising a connector and a cost adder.
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