JP2002141586A - Telluride optical fiber for optical amplification or optical waveguide or optical amplifier - Google Patents

Telluride optical fiber for optical amplification or optical waveguide or optical amplifier

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JP2002141586A
JP2002141586A JP2000331743A JP2000331743A JP2002141586A JP 2002141586 A JP2002141586 A JP 2002141586A JP 2000331743 A JP2000331743 A JP 2000331743A JP 2000331743 A JP2000331743 A JP 2000331743A JP 2002141586 A JP2002141586 A JP 2002141586A
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optical
fiber
tellurite
mfd
optical fiber
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JP2000331743A
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Japanese (ja)
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Atsushi Mori
淳 森
Makoto Shimizu
誠 清水
Koji Kano
弘二 鹿野
Tadashi Sakamoto
匡 阪本
Yoshiki Nishida
好毅 西田
Yasutake Oishi
泰丈 大石
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NTT Electronics Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
NTT Electronics Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C13/00Fibre or filament compositions
    • C03C13/04Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
    • C03C13/048Silica-free oxide glass compositions

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To connect an erbium added telluride glass optical fiber (EDTF) with an optical fiber for communication without inserting a mode field diameter converting part in an erbium added optical fiber amplifier (EDFA). SOLUTION: Mode field diameter of an EDTF is set larger than 6.3 μm. Consequently, the EDTF can be connected with an optical fiber for communication while matching the mode field diameter within 10%. Today, the EDFA is commonly used in saturated region and energy conversion efficiency, dependent on connection loss, is more important than gain coefficient. Since the EDTF is connected directly with the optical fiber for communication in the invention, loss, reliability and yield in manufacturing are enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光増幅用テルライ
トガラスを用いた光ファイバまたは光導波路または光増
幅媒体( 光増幅器)に関するもので、該増幅媒体は、さ
らに広帯域光増幅器、レーザ装置及び光源に適用可能で
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical fiber, an optical waveguide or an optical amplifying medium (optical amplifier) using tellurite glass for optical amplifying. Applicable to light sources.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信システムの伝送容量の拡大および
機能向上のために、1本の光ファイバの中に複数の波長
の光信号を合波して伝送したり、逆に1本の光ファイバ
を伝搬してきた複数の波長の光信号を各波長ごとに分波
したりする波長多重伝送技術(WDM:Wavelength Div
ision Mutiplexing )の研究開発が現在行われている。
この伝送方式では、1本の光ファイバで複数の異なる波
長の光信号を伝送し、伝送距離に応じて従来と同じよう
に中継増幅する必要がある。そこで、光信号波長を増し
伝送容量を上げるには、広い増幅波長帯を持つ光増幅器
が必要になる。また、光通信システムを保守、監視する
ためのシステムの波長には1.61μmから1.66μ
mの間の波長が考えられており、保守、監視システムの
ための光源や光増幅器の開発が望まれている。
2. Description of the Related Art In order to expand the transmission capacity and improve the function of an optical communication system, optical signals of a plurality of wavelengths are multiplexed and transmitted in one optical fiber. Multiplexing transmission technology (WDM: Wavelength Div.) That separates optical signals of a plurality of wavelengths transmitted through
research and development of ision Mutiplexing is currently underway.
In this transmission method, it is necessary to transmit a plurality of optical signals of different wavelengths with one optical fiber and to repeat and amplify the signals according to the transmission distance as in the conventional case. Therefore, in order to increase the wavelength of an optical signal and increase the transmission capacity, an optical amplifier having a wide amplification wavelength band is required. In addition, the wavelength of a system for maintaining and monitoring an optical communication system ranges from 1.61 μm to 1.66 μm.
With wavelengths between m and m being considered, the development of light sources and optical amplifiers for maintenance and monitoring systems is desired.

【0003】近年、光通信分野への応用を目的として、
コアに希土類元素を添加した光ファイバを光増幅媒体と
した光ファイバ増幅器、例えばEr(エルビウム)添加
光ファイバ増幅器(EDFA)の研究開発が進められ、
光通信システムへの応用が盛んに進められている。この
EDFAは、石英系光ファイバの損失が最低となる1.
5μm帯で動作し、30dB以上の高利得、低雑音、広
い利得帯域、利得が偏波無依存、高い飽和出力などの優
れた特徴を有することが知られている。
In recent years, for the purpose of application to the optical communication field,
Research and development of an optical fiber amplifier using an optical fiber in which a core is doped with a rare earth element as an optical amplification medium, for example, an Er (erbium) -doped optical fiber amplifier (EDFA),
Applications to optical communication systems are being actively pursued. This EDFA minimizes the loss of a silica-based optical fiber.
It is known that it operates in the 5 μm band, and has excellent features such as high gain of 30 dB or more, low noise, a wide gain band, polarization independence, and high saturation output.

【0004】上記EDFAをWDM伝送に応用するとき
に要求される性能の一つは、上記したように、増幅帯域
が広いことである。これまで増幅帯域の広いEDFAと
して、フッ化物ガラスまたはテルライトガラスをEr添
加光ファイバ増幅器のホストとして用いたフッ化物ED
FAまたはテルライトEDFAが開発されている。
[0004] One of the performances required when the EDFA is applied to WDM transmission is that the amplification band is wide as described above. A fluoride ED using fluoride glass or tellurite glass as a host of an Er-doped optical fiber amplifier as an EDFA having a wide amplification band.
FA or Tellurite EDFA has been developed.

【0005】ところで、テルライトEDFAを用いる
と、従来の石英系EDFAやフッ化物EDFAの1.5
3μmから1.56μmまでの波長帯域よりも2倍以上
広い1.53μmから1.61μmまでの波長帯域での
一括増幅が可能となる(A.Mori et al., OFC’9
7,PD1)。さらに、このテルライトEDFAでは長
波長側の利得の得られる限界が石英系EDFAやフッ化
物EDFAに比べて7〜9nm広がっているため、従来
利用できなかった1.6μm帯の波長での増幅器が実現
できる(A.Mori et al., ECOC’97,vol.3,
pp. 135−138)。従って、将来の超大容量WDM
システム用EDFAとして注目されている。
By the way, when tellurite EDFA is used, 1.5% of conventional quartz EDFA or fluoride EDFA is used.
Batch amplification in the wavelength band from 1.53 μm to 1.61 μm, which is at least twice as wide as the wavelength band from 3 μm to 1.56 μm, becomes possible (A. Mori et al., OFC'9).
7, PD1). Further, in the tellurite EDFA, the gain at the long wavelength side can be obtained by 7 to 9 nm wider than that of the silica-based EDFA and the fluoride EDFA, so that an amplifier at a wavelength of 1.6 μm band which cannot be used conventionally is realized. (A. Mori et al., ECOC '97, vol. 3,
pp. 135-138). Therefore, future ultra-large capacity WDM
It is receiving attention as an EDFA for systems.

【0006】ところで、テルライトEDFAの増幅媒体
に用いられているEr添加テルライトファイバ(テルラ
イトEDF)は、利得係数を上げるために1%以上の高
い比屈折率差(Δn)を持つと共に、テルライトガラス
自体2以上の大きな屈折率(nD )をもつため、通常通
信用に用いられている1%以下のΔnを持つ石英系の光
ファイバとは大きくモードフィールド径が異なる。これ
らのファイバを直接接続すると大きな損失が生じるた
め、従来、その間にTEC(Thermally ExpandedCore
)技術(H.Hanafusa et al., Electron.Lett.,vol.
27, pp.1968−1969,1991)を用いたモ
ードフィールド径変換部を設けることにより、低損失に
接続することが可能となっている。その際、コア径が2
〜3μm程度のテルライトEDFと高いΔnを持つ石英
光ファイバとの接続には、低反射、低損失特性を実現す
るため、斜めV溝接続(特願平10−31874)を使
用している。
The Er-doped tellurite fiber (tellurite EDF) used as the amplifying medium of tellurite EDFA has a high relative refractive index difference (Δn) of 1% or more in order to increase the gain coefficient, and has a tellurite difference. Since the glass itself has a large refractive index (n D ) of 2 or more, the mode field diameter is largely different from that of a silica-based optical fiber having Δn of 1% or less, which is usually used for communication. If these fibers are directly connected, a large loss will occur. Conventionally, TEC (Thermally Expanded Core)
) Technology (H. Hanafusa et al., Electron. Lett., Vol.
27, pp. 1968-1969, 1991), it is possible to connect with low loss by providing a mode field diameter converter. At that time, the core diameter is 2
In order to realize low reflection and low loss characteristics, a diagonal V-groove connection (Japanese Patent Application No. 10-31874) is used for connecting a tellurite EDF of about 3 μm to a quartz optical fiber having a high Δn.

【0007】この場合、コア径が2〜3μm程度のファ
イバ同士の接続では、ファイバの軸ずれに対する接続損
失の変化量は大きく、室温からの温度の変動により接続
損失も変化する。これは上記接続方法では数種の材料の
複合体として接続されるので、温度変化に対する個々の
材料の膨張収縮が様々であり、光軸のずれを生じるから
である。上記の接続方法では−40〜+75℃の温度変
化に対し、接続損失は約±0.5dB程度変動し、使用
環境での温度変動に従ってデバイスの特性が変動すると
言う問題があった。また、ファイバモジュールの作製作
業効率の観点から、コア径が2〜3μm程度のファイバ
同士を調芯し、低反射、低損失に接続するには時間がか
かるだけでなく、作製歩留まりも低い。さらに、モード
フィールド径変換部を設けることにより、その片端0.
2dB程度の損失のために、光増幅器として重要な特性
である雑音指数を上昇させ、エネルギー変換効率を低下
させるといった問題があった。
In this case, when fibers having a core diameter of about 2 to 3 μm are connected to each other, the amount of change in the connection loss with respect to the misalignment of the fiber is large, and the connection loss also changes due to temperature fluctuation from room temperature. This is because, in the above connection method, since the connection is made as a composite of several kinds of materials, the expansion and contraction of each material with respect to the temperature change is various, and the optical axis is shifted. In the above connection method, there is a problem that the connection loss fluctuates about ± 0.5 dB with respect to a temperature change of −40 to + 75 ° C., and the characteristics of the device fluctuate according to the temperature fluctuation in the use environment. In addition, from the viewpoint of the production efficiency of the fiber module, it takes time to align fibers having a core diameter of about 2 to 3 μm and connect them with low reflection and low loss, and the production yield is low. Further, by providing a mode field diameter converter, one end of the mode field diameter converter is provided.
Due to the loss of about 2 dB, there is a problem that the noise figure, which is an important characteristic of the optical amplifier, is increased and the energy conversion efficiency is reduced.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、テル
ライトEDFAの増幅媒体に用いられているテルライト
EDFモジュールの信頼性、動作の安定性、作製効率、
作製歩留まりを向上し、損失を低下させることのできる
ファイバスペックを提供すると共に、該ファイバを光増
幅媒体とした広帯域テルライトEDFAを安価に提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the reliability, operation stability, production efficiency, and reliability of a tellurite EDF module used as an amplifying medium for tellurite EDFA.
It is an object of the present invention to provide a fiber specification capable of improving the production yield and reducing the loss, and to provide an inexpensive broadband tellurite EDFA using the fiber as an optical amplification medium.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、テルライトE
DFのモードフィールド径を通信用に用いられている石
英光ファイバ(単一モードファイバ、分散シフトファイ
バ、ノンゼロ分散ファイバ等)と10%以内に合わせる
ことを最も主要な特徴とする。従来、石英系EDFでは
利得係数を上げるために、Δnを1%以上に上げたスペ
ックとするのが一般的となっており、この場合、モード
フィールド径は通信用石英光ファイバよりも小さくな
る。これら2つのファイバを融着接続する際には、一度
融着接続した後、追加放電を施すことにより、TECを
作製する場合と同様な熱拡散現象が起こるため、モード
フィールド径をほぼ連続的につなげることができるので
0.1dB以下の低損失接続が実現できる。一方、テル
ライトEDFの場合はV溝斜め研磨接続を用いるため、
モードフィールド径の違いはそのまま接続面でのモード
フィールドのギャップとなり、大きな接続損失を生じ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a tellurite E
The most important feature is that the mode field diameter of the DF is set within 10% of the quartz optical fiber (single mode fiber, dispersion shift fiber, non-zero dispersion fiber, etc.) used for communication. Conventionally, in order to increase the gain coefficient of a silica-based EDF, it is general to increase the value of Δn to 1% or more. In this case, the mode field diameter is smaller than that of a quartz optical fiber for communication. When these two fibers are fusion-spliced, a thermal diffusion phenomenon similar to that in the case of producing a TEC occurs by performing additional discharge after fusion-splicing once, so that the mode field diameter is almost continuously increased. Since the connection can be made, a low-loss connection of 0.1 dB or less can be realized. On the other hand, in the case of tellurite EDF, since the V groove oblique polishing connection is used,
The difference in the mode field diameter results in a mode field gap at the connection plane, which causes a large connection loss.

【0010】本発明者らは、TEC技術を用いることな
くこの接続損失を低減するため、テルライトEDFのモ
ードフィールド径を通信用光ファイバに合わせたスペッ
クとすることを考案した。この際、モードフィールド径
を大きくし、カットオフ波長を1.5μm帯より短波長
側にすると、Δnは0.6%以下となるため、利得係数
は低下することになる。
[0010] The present inventors have devised that the mode field diameter of the tellurite EDF is set to a specification adapted to the communication optical fiber in order to reduce the connection loss without using the TEC technology. At this time, when the mode field diameter is increased and the cutoff wavelength is set to a shorter wavelength side than the 1.5 μm band, Δn becomes 0.6% or less, and the gain coefficient decreases.

【0011】ここで、EDFAの利得係数を高めてきた
背景について考察してみる。EDFAの開発当初(19
80年代後半から1990年代前半)に励起光源に使用
された0.98μm及び1.48μmの半導体LDの出
力は数十mW程度であったことと、増幅しなければなら
ない信号数が1から数波であったことから、小信号利得
における利得係数がEDFAの特性を表す重要な指標と
して位置付けられてきた。そして、この値を高めること
に精力が傾けられ、トップデータとして0.98μm励
起で11dB/mW(M.Shimizu et al. Electron. L
ett., vol.26,pp. 1641−1642,199
0)、1.48μm励起で6.3dB/mW(T.Kash
iwada et al. IEEE Photonics Technol.Lett., vol.
3,pp. 721−723,1991)という値が報告さ
れている。
Here, the background of increasing the gain coefficient of the EDFA will be considered. Initial development of EDFA (19
The output of the semiconductor LD of 0.98 μm and 1.48 μm used as the excitation light source in the late 80's and early 1990's was about several tens mW, and the number of signals to be amplified was one to several waves. Therefore, the gain coefficient at the small signal gain has been positioned as an important index indicating the characteristics of the EDFA. Energy has been devoted to increasing this value, and 11 dB / mW with 0.98 μm excitation (M. Shimizu et al. Electron. L
ett., vol. 26, pp. 1641-1642, 199
0), 6.3 dB / mW with 1.48 μm excitation (T. Kash
iwada et al. IEEE Photonics Technol. Lett., vol.
3, pp. 721-723, 1991).

【0012】しかしながら、現在主流となっているWD
M伝送においては、波長数が32波から170波まで増
えていることから、大きな入射信号を増幅し、更に大き
な信号として出力する必要があり、それにともなって、
励起用半導体LDの出力パワーも100mW以上のもの
が安価に手に入るようになっている。このような使用条
件の変化により、EDFAは飽和領域での使用が一般的
となり、この場合にEDFAの特性を表す指標として利
得係数よりもエネルギー変換効率が重要となる。そして
このエネルギー変換効率は、EDFAを飽和領域で使用
した場合には、ファイバのスペックに依存せず、接続損
失などのエネルギーの損失に依存する。
[0012] However, the currently mainstream WD
In M transmission, since the number of wavelengths has increased from 32 to 170 waves, it is necessary to amplify a large incident signal and output it as a larger signal.
The output power of the semiconductor LD for excitation is 100 mW or more, which is available at low cost. Due to such a change in the use condition, the EDFA is generally used in a saturation region. In this case, the energy conversion efficiency is more important than the gain coefficient as an index indicating the characteristics of the EDFA. When the EDFA is used in the saturation region, the energy conversion efficiency does not depend on the specifications of the fiber but depends on energy loss such as connection loss.

【0013】従って、テルライトEDFのモードフィー
ルド径を従来のものより大きく設定し、通信用石英光フ
ァイバに合わせ、接続損失を下げることは、このエネル
ギー変換効率の観点からも有益であることがわかる。ま
た、テルライトEDFを1.5μm帯においてシングル
モードにするため、カットオフ波長を1.5μm以下に
設定するには、Δnを0.6%以下とする必要があり、
また、曲げによる損失を防ぐためにはΔnを0.1%以
上とすることが必要となる。
Therefore, it is found that setting the mode field diameter of the tellurite EDF larger than that of the conventional one and lowering the connection loss in accordance with the quartz optical fiber for communication is also advantageous from the viewpoint of the energy conversion efficiency. Further, in order to make the tellurite EDF into a single mode in the 1.5 μm band, Δn needs to be 0.6% or less in order to set the cutoff wavelength to 1.5 μm or less,
Further, in order to prevent loss due to bending, it is necessary to set Δn to 0.1% or more.

【0014】本発明は、上記知見に基づくものであり、
請求項1または請求項2に記載の光増幅用テルライト光
ファイバまたは光導波路は、テルライトガラスを材料と
し、少なくともコアにエルビウムを添加した光ファイバ
または光導波路であって、モードフィールド径(MF
D)が、6.3<MFD(μm)の範囲であることを特
徴とする。
The present invention is based on the above findings,
The tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 1 or 2 is an optical fiber or optical waveguide made of tellurite glass and doped with at least a core of erbium, and has a mode field diameter (MF).
D) is in the range of 6.3 <MFD (μm).

【0015】また、請求項3または請求項4に記載の光
増幅用テルライト光ファイバまたは光導波路は、TeO
2 −LO−M2 O−N2 3 からなる組成(LはZn、
Baのうち少なくとも1種類以上、Mは1種類以上のア
ルカリ元素、NはBi、La、Al、Ce、Yb、Lu
のうち少なくとも1種類以上)を持つテルライトガラス
を材料とし、少なくともコアにエルビウムを添加した光
ファイバまたは光導波路であって、モードフィールド径
(MFD)が、6.3<MFD(μm)の範囲であるこ
とを特徴とする。
The tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 3 or 4 is preferably made of TeO.
Compositions consisting of 2 -LO-M 2 O-N 2 O 3 (L is Zn,
Ba is at least one kind, M is one or more kinds of alkali elements, N is Bi, La, Al, Ce, Yb, Lu.
Of at least one of the above, and an optical fiber or an optical waveguide in which erbium is added to at least the core, wherein the mode field diameter (MFD) is in the range of 6.3 <MFD (μm). It is characterized by being.

【0016】さらに、請求項5または請求項6に記載の
光増幅用テルライト光ファイバまたは光導波路は、少な
くともコアにエルビウムを添加した光ファイバまたは光
導波路であって、モードフィールド径(MFD)が通信
用単一モードファイバ(ITU規格G.652)の13
10nmにおけるMFDの値である8.6μm〜9.5
μmに10%以内で適合していることを特徴とする。
Further, the tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 5 or 6 is an optical fiber or optical waveguide having at least a core doped with erbium, and has a mode field diameter (MFD) of communication. Mode 13 (ITU standard G.652)
8.6 μm to 9.5 which is the value of MFD at 10 nm
It is characterized by conforming to μm within 10%.

【0017】請求項7または請求項8に記載の光増幅用
テルライト光ファイバまたは光導波路は、少なくともコ
アにエルビウムを添加した光ファイバまたは光導波路で
あって、モードフィールド径(MFD)が通信用分散シ
フトファイバ(ITU規格G.653)の1550nm
におけるMFDの値である7.8μm〜8.5μmに1
0%以内で適合していることを特徴とする。
The tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 7 or 8 is an optical fiber or optical waveguide having at least a core doped with erbium, and has a mode field diameter (MFD) for communication. 1550nm of shift fiber (ITU standard G.653)
Of 7.8 μm to 8.5 μm, which is the MFD value of
It is characterized by conformity within 0%.

【0018】請求項9または請求項10に記載の光増幅
用テルライト光ファイバまたは光導波路は、少なくとも
コアにエルビウムを添加した光ファイバまたは光導波路
であって、モードフィールド径(MFD)が通信用ノン
ゼロ分散ファイバ(ITU規格G.655)の1550
nmにおけるMFDの値である8μm〜11μmに10
%以内で適合していることを特徴とする。
According to a ninth or tenth aspect of the present invention, the tellurite optical fiber or the optical waveguide for optical amplification is an optical fiber or an optical waveguide having at least a core doped with erbium, and has a non-zero mode field diameter (MFD) for communication. 1550 of dispersion fiber (ITU standard G.655)
10 to 8 μm to 11 μm which is the value of MFD in nm
% Or less.

【0019】請求項11または請求項12に記載の光増
幅用テルライト光ファイバまたは光導波路は、少なくと
もコアにエルビウムを添加した光ファイバまたは光導波
路であって、カットオフ波長が1.5μm以下であるこ
とを特徴とする。
The tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 11 or 12 is an optical fiber or optical waveguide having at least a core doped with erbium, and has a cutoff wavelength of 1.5 μm or less. It is characterized by the following.

【0020】請求項13または請求項14に記載の光増
幅用テルライト光ファイバまたは光導波路は、少なくと
もコアにエルビウムを添加した光ファイバまたは光導波
路であって、比屈折率差(Δn)が0.1<Δn<0.
6(%)であることを特徴とする。
The tellurite optical fiber or optical waveguide for optical amplification according to claim 13 or 14 is an optical fiber or optical waveguide having at least a core doped with erbium, and has a relative refractive index difference (Δn) of 0. 1 <Δn <0.
6 (%).

【0021】本発明に基づく請求項15または請求項1
6に記載の光増幅器は、コアガラスとクラッドガラスを
有する光ファイバまたは光導波路からなる光増幅媒体
と、該光増幅媒体を励起する励起光および信号光を前記
光増幅媒体に入力する入力手段とを備える光増幅器であ
って、前記光ファイバまたは光導波路からなる光増幅媒
体が、前記光増幅用テルライト光ファイバまたは光導波
路であることを特徴とする。
Claim 15 or Claim 1 based on the present invention
6. The optical amplifier according to 6, wherein an optical amplification medium comprising an optical fiber or an optical waveguide having a core glass and a clad glass; and input means for inputting excitation light and signal light for exciting the optical amplification medium to the optical amplification medium. Wherein the optical amplification medium comprising the optical fiber or the optical waveguide is the optical amplification tellurite optical fiber or the optical waveguide.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を詳細に説
明するが、本発明がこれらにより限定されるものではな
い。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited thereto.

【0023】(実施例1)コアガラス組成に(74)T
eO2 −(16)ZnO−(6)Na2 O−(4モル
%)Bi2 3 、クラッド組成に(75)−TeO
2 (17)ZnO−(6)Na2 O−(2モル%)Bi
2 3 を用い、コアガラスにEr3+を1000ppmを
添加したテルライトファイバ(EDTF)を、ジャケッ
ト延伸法により作製した。コア・クラッド母材(外径5
mmφ、長さ70mm)はサクションキャスティング法
により作製した。これとは別に、クラッドガラスと同一
の組成を有するジャケット管(外径15mmφ、内径
5.5mmφ、長さ150mm)をローテーショナルキ
ャスティング法を用いて作製した。作製したジャケット
管にコア・クラッド母材を挿入してチャックに保持し、
内部を減圧した状態で340℃に加熱した加熱炉内に上
部より毎分3mmの速度で挿入し、125μmに細径化
することにより光ファイバを製造した。製造されたED
TF(EDTF1)は単一モードであり、比屈折率差
0.4%、コア径6.5μm、カットオフ1.4μm、
モードフィールド径8μmであり、損失値は波長1.2
μmで0.04dB/mであった。
Example 1 (74) T was added to the core glass composition.
eO 2- (16) ZnO- (6) Na 2 O- (4 mol%) Bi 2 O 3 , and cladding composition of (75) -TeO
2 (17) ZnO- (6) Na 2 O- (2 mol%) Bi
Using 2 O 3 , tellurite fiber (EDTF) in which Er 3+ was added to the core glass at 1000 ppm was produced by a jacket stretching method. Core clad base material (outer diameter 5
mmφ, length 70 mm) was produced by a suction casting method. Separately from this, a jacket tube (outer diameter 15 mmφ, inner diameter 5.5 mmφ, length 150 mm) having the same composition as the clad glass was produced by using a rotational casting method. Insert the core / cladding base material into the produced jacket tube and hold it on the chuck,
An optical fiber was manufactured by inserting the inside of the heating furnace heated to 340 ° C. at a speed of 3 mm / min from the upper part with a reduced pressure to a diameter of 125 μm. ED manufactured
TF (EDTF1) is a single mode, having a relative refractive index difference of 0.4%, a core diameter of 6.5 μm, a cutoff of 1.4 μm,
The mode field diameter is 8 μm, and the loss value is wavelength 1.2.
It was 0.04 dB / m in μm.

【0024】別に、コアガラス組成に(73)TeO2
−(15)ZnO−(6)Na2 O−(6モル%)Bi
2 3 、クラッド組成に(73)TeO2 −(18)Z
nO−(7)Na2 O−(2モル%)Bi2 3 を用
い、同様な方法で光ファイバを製造した。製造されたE
DTF(EDTF2)は単一モードであり、比屈折率差
1.5%、コア径3μm、カットオフ1.4μm、モー
ドフィールド径4.2μmであり、損失値は波長1.2
μmで0.04dB/mであった。
Separately, (73) TeO 2 was added to the core glass composition.
- (15) ZnO- (6) Na 2 O- (6 mol%) Bi
2 O 3 , with cladding composition of (73) TeO 2- (18) Z
nO- (7) Na 2 O- ( 2 mol%) using a Bi 2 O 3, was prepared an optical fiber in a similar manner. E manufactured
DTF (EDTF2) is a single mode, has a relative refractive index difference of 1.5%, a core diameter of 3 μm, a cutoff of 1.4 μm, a mode field diameter of 4.2 μm, and a loss value of wavelength 1.2.
It was 0.04 dB / m in μm.

【0025】上記、2つのファイバを用いてファイバモ
ジュール(モジュール1:EDTF1、モジュール2:
EDTF2)を作製した。モジュール1,2の概略を図
1(a),(b)に示す。それぞれ5mに切り取ったE
DTF01,01′はボビン02,02′に巻かれ、両
端はV溝部材03,03′で固定され斜めに研磨されて
いる。04はEDTF1に接続する分散シフトファイバ
(モードフィールド径8μm)、05,05′はV溝部
材、06′はEDTF2に接続するTEC(モードフィ
ールド径4.2μm/8μm)、04′はTECに接続
する分散シフトファイバ(モードフィールド径8μm)
である。
Using the above two fibers, a fiber module (module 1: EDTF1, module 2:
EDTF2) was prepared. The outline of the modules 1 and 2 is shown in FIGS. E cut to 5m each
DTFs 01 and 01 'are wound around bobbins 02 and 02', and both ends are fixed by V-groove members 03 and 03 'and polished diagonally. 04 is a dispersion-shifted fiber connected to EDTF1 (mode field diameter 8 μm), 05 and 05 ′ are V-groove members, 06 ′ is TEC connected to EDTF2 (mode field diameter 4.2 μm / 8 μm), and 04 ′ is connected to TEC. Dispersion-shifted fiber (mode field diameter 8 μm)
It is.

【0026】EDTFに接続するファイバ端及びTEC
端はEDTF同様V溝部材05,05′で固定され斜め
に研磨されている。モジュール1の損失は、ファイバ損
失0.04×5=0.2dB、EDTF01と分散シフ
トファイバ04の接続損失0.2×2=0.4dB、ト
ータル0.6dBであり、モジュール2の損失は、ファ
イバ損失0.04×5=0.2dB、EDTF01′と
TEC06′の接続損失0.3×2=0.6dB、TE
C損失0.2×2=0.4dB、トータル1.2dBで
あった。
Fiber end connected to EDTF and TEC
The ends are fixed by V-groove members 05 and 05 'similarly to the EDTF, and are polished obliquely. The loss of the module 1 is a fiber loss of 0.04 × 5 = 0.2 dB, the connection loss of the EDTF 01 and the dispersion shift fiber 04 is 0.2 × 2 = 0.4 dB, and the total loss of the module 2 is 0.6 dB. Fiber loss 0.04 × 5 = 0.2 dB, connection loss between EDTF01 ′ and TEC06 ′ 0.3 × 2 = 0.6 dB, TE
The C loss was 0.2 × 2 = 0.4 dB, and the total was 1.2 dB.

【0027】この2つのEDTFモジュールを用い、図
2のような構成で増幅特性を評価した。図中、11a,
11bが光アイソレータであり、12は励起光を導入す
るための光カップラであり、13は励起光源であり、1
4はEDTFモジュールである。
Using these two EDTF modules, the amplification characteristics were evaluated with the configuration shown in FIG. In the figure, 11a,
11b is an optical isolator, 12 is an optical coupler for introducing excitation light, 13 is an excitation light source, and 1
Reference numeral 4 denotes an EDTF module.

【0028】図3は入射信号光量に対する利得を表す。
信号光波長は1550nmであり、励起光量は100m
Wであった。この図から、小信号領域ではモジュール2
の方が高い利得となるが、入射信号光量が増加するに従
いその差は縮まり、−10dBm以上の飽和領域ではほ
ぼ同等の値となっている。このことから、飽和領域で使
用する場合には2つのアンプの利得には差がないことが
分かる。また、−5dBm入力の際のエネルギー変換効
率と雑音指数は、モジュール2ではそれぞれ42%と
5.6dBであるのに対し、モジュール1ではそれぞれ
46%と5dBであり、接続とTECを含めたモジュー
ルの損失が低い分モジュール1の方が優れた特性を示し
た。
FIG. 3 shows the gain with respect to the amount of incident signal.
The signal light wavelength is 1550 nm and the excitation light quantity is 100 m
W. From this figure, it can be seen that module 2
Has a higher gain, but the difference decreases as the incident signal light amount increases, and is substantially equal in a saturation region of -10 dBm or more. This indicates that there is no difference between the gains of the two amplifiers when used in the saturation region. Also, the energy conversion efficiency and noise figure at the time of -5 dBm input are 42% and 5.6 dB in the module 2, respectively, and 46% and 5 dB in the module 1, respectively. The module 1 showed more excellent characteristics because of the lower loss.

【0029】本実施例では上記テルライトガラス組成を
用いたが、これに限定されるものではなく、TeO2
LO−M2 O−N2 3 からなる組成(LはZn、Ba
のうち少なくとも1種類以上、Mは1種類以上のアルカ
リ元素、NはBi、La、Al、Ce、Yb、Luのう
ち少なくとも1種類以上)を持つテルライトガラスを用
いた場合についても同様な効果を得ることができる。
[0029] In the present embodiment using the above tellurite glass composition, it is not limited thereto, TeO 2 -
Compositions consisting of LO-M 2 O-N 2 O 3 (L is Zn, Ba
And M is at least one kind of alkali element, N is at least one kind of Bi, La, Al, Ce, Yb, and Lu). Can be obtained.

【0030】(実施例2)コアガラス組成に(77)T
eO2 −(5)ZnO−(12)Li2 O−(6モル
%)Bi2 3 、クラッド組成に(79)TeO2
(5)ZnO−(12)Na2 O−(4モル%)Bi2
3 を用い、コアガラスにEr3+を1000ppmを添
加したEDTF)を、実施例1と同様の方法で製造し
た。製造されたEDTF(EDTF3)は単一モードで
あり、比屈折率差0.25%、コア径7μm、カットオ
フ1.4μm、モードフィールド径9μmであり、損失
値は波長1.2μmで0.03dB/mであった。
Example 2 (77) T was added to the core glass composition.
eO 2- (5) ZnO- (12) Li 2 O- (6 mol%) Bi 2 O 3 , and cladding composition of (79) TeO 2-
(5) ZnO— (12) Na 2 O— (4 mol%) Bi 2
EDTF obtained by adding 1000 ppm of Er 3+ to a core glass using O 3 was produced in the same manner as in Example 1. The manufactured EDTF (EDTF3) is a single mode, having a relative refractive index difference of 0.25%, a core diameter of 7 μm, a cutoff of 1.4 μm, a mode field diameter of 9 μm, and a loss value of 0.1 at a wavelength of 1.2 μm. 03 dB / m.

【0031】このファイバ5mと単一モードファイバ
(モードフィールド径9μm)を接続するファイバモジ
ュール3を作製した。モジュール3の損失は、ファイバ
損失0.03×5=0.15dB、EDTFと単一モー
ドファイバの接続損失0.15×2=0.3dB、トー
タル0.45dBであり、モジュール1よりも更に低損
失化した。
A fiber module 3 for connecting this fiber 5 m to a single mode fiber (mode field diameter 9 μm) was manufactured. The loss of the module 3 is 0.03 × 5 = 0.15 dB for the fiber loss, 0.15 × 2 = 0.3 dB for the connection loss between the EDTF and the single mode fiber, and a total of 0.45 dB. Lost.

【0032】モジュール3を、実施例1と同様に増幅特
性を評価した。入射信号光量に対する利得はモジュール
1と同様な特性を示した。また、−5dBm入力の際の
エネルギー変換効率と雑音指数は、それぞれ48%と
4.7dBであり、モジュール1よりも更に優れた特性
を示した。
The amplification characteristics of the module 3 were evaluated in the same manner as in the first embodiment. The gain with respect to the amount of the incident signal showed characteristics similar to those of the module 1. In addition, the energy conversion efficiency and the noise figure at the time of -5 dBm input were 48% and 4.7 dB, respectively, which were more excellent than the module 1.

【0033】(実施例3)実施例1で作製したEDTF
1とEDTF2のV溝端面研磨した試料をそれぞれ10
0個用意し、EDTF1はV溝端面研磨した分散シフト
ファイバと、EDTF2はV溝端面研磨したTECと接
続した。調芯接続に要した時間はEDTF2−TECで
平均25分15秒であるのに対し、EDTF1−分散シ
フトファイバで平均15分20秒と10分程度短縮でき
た。また、TECの作製時間に1個平均3時間程度かか
るため、EDTF1−分散シフトファイバの場合の方が
全体として10分の1以下に作業時間を短縮できた。接
続損失はEDTF1−分散シフトファイバで平均0.2
1dBであるのに対し、EDTF2−TECで平均0.
38dBであった。接続損失が0.5dBを越えるもの
を規格外として製品化しないこととした。EDTF1−
分散シフトファイバの接続では100接続中100個と
も0.5dB以下であったが、EDTF2−TECの接
続では100接続中23個に0.5dBを越える規格外
品が出た。
(Example 3) EDTF produced in Example 1
Samples 1 and EDTF2 polished with V groove end faces
No EDTF1 was prepared, and the EDTF1 was connected to a dispersion-shifted fiber whose V-groove end face was polished. The time required for the alignment connection was 25 minutes and 15 seconds on average with EDTF2-TEC, whereas the time required for EDTF1-dispersion shift fiber was 15 minutes and 20 seconds on average, which was about 10 minutes shorter. In addition, since it takes about 3 hours to manufacture one TEC on average, the operation time of the EDTF1-dispersion shift fiber can be reduced to 1/10 or less as a whole. Splice loss is 0.2 average on EDTF1-dispersion shift fiber
EDTF2-TEC averages 0.1 dB while 1 dB.
It was 38 dB. A product having a connection loss exceeding 0.5 dB is out of the standard and is not commercialized. EDTF1-
In the connection of the dispersion-shifted fiber, all of the 100 out of 100 connections were 0.5 dB or less, but in the connection of the EDTF2-TEC, 23 out of 100 out-of-specification products exceeded 0.5 dB.

【0034】以上のことから、EDTF1−分散シフト
ファイバ接続はEDTF2−TEC接続に比べて、作業
効率、作製精度、作業歩留まりが向上するだけでなく、
TEC部材が必要ないため、安価に接続部を作ることが
できた。
From the above, the EDTF1-dispersion shift fiber connection not only improves the working efficiency, the production accuracy, and the work yield than the EDTF2-TEC connection, but also
Since no TEC member was required, the connecting portion could be made inexpensively.

【0035】(実施例4)実施例2で作製したEDTF
3のV溝端面研磨した試料を100個用意し、V溝端面
研磨した単一モードファイバと接続した。調芯接続に要
した時間は平均13分38秒であり、EDTF1−分散
シフトファイバよりも更に短縮できた。接続損失は平均
0.19dBであり、EDTF1−分散シフトファイバ
で平均0.21dBよりも更に低損失であった。また、
100接続中規格外品は出なかった。以上のことから、
EDTF3−単一モードファイバ接続はEDTF1−分
散シフトファイバ接続と同様、作業効率、作製精度、作
業歩留まりが向上する。
(Example 4) EDTF produced in Example 2
100 specimens each having the V-groove end face polished were prepared and connected to a single mode fiber having the V-groove end face polished. The time required for the alignment connection was 13 minutes and 38 seconds on average, which was shorter than that of the EDTF1-dispersion shift fiber. The connection loss was 0.19 dB on average, and was even lower than the average of 0.21 dB for the EDTF1-dispersion-shifted fiber. Also,
There were no nonstandard products during 100 connections. From the above,
The EDTF3-single mode fiber connection improves the work efficiency, the production accuracy, and the work yield similarly to the EDTF1-dispersion shift fiber connection.

【0036】(実施例5)実施例1で作製したEDTF
1及びEDTF2を用いたモジュール1及びモジュール
2をそれぞれ11試料ずつ信頼性の温度サイクル試験
(−40〜75℃、500サイクル:Telcodia GR−
1312−CORE)にかけた。図4にモジュール1と
モジュール2の温度サイクルにおける損失変動を示す。
モジュール1は損失変動が±0.1dBであるのに対
し、モジュール2では、±0.5dBであった。また、
モジュール1では11試料全てにおいて500サイクル
の間、損失変動が±0.5dB以下であったのに対し、
モジュール2では4試料において規格である±0.5d
Bを越えてしまった。すなわち、本発明のファイバスペ
ックを用いて初めて長期信頼性のTelcodia規格を満たす
ことができた。
(Example 5) EDTF produced in Example 1
1 and Module 2 using EDTF2 were subjected to a reliability temperature cycle test of 11 samples each (−40 to 75 ° C., 500 cycles: Telcodia GR-
1312-CORE). FIG. 4 shows loss fluctuation in the temperature cycle of the module 1 and the module 2.
The loss fluctuation of the module 1 was ± 0.1 dB, while the loss fluctuation of the module 2 was ± 0.5 dB. Also,
In the module 1, the loss variation was ± 0.5 dB or less during 500 cycles in all 11 samples.
Module 2 has a standard of ± 0.5d for 4 samples.
B has been exceeded. That is, the use of the fiber specification of the present invention was able to satisfy the Telcodia standard for long-term reliability for the first time.

【0037】(実施例6)実施例2で作製したEDTF
3を5m用いたノンゼロ分散ファイバ(モードフィール
ド径9μm)を接続するファイバモジュールを11試料
作製した。このモジュールの平均損失は、ファイバ損失
0.03×5=0.15dB、EDTFとノンゼロ分散
ファイバの接続損失0.17×2=0.34dB、トー
タル0.49dBであった。このモジュールを実施例5
と同様に11試料信頼性の温度サイクル試験にかけた。
その結果、11試料全てにおいて500サイクルの間、
損失変動が±0.3dB以下であり、実施例5のモジュ
ール1と同様、長期信頼性のTelcodia規格を満たすこと
ができた。
(Example 6) EDTF produced in Example 2
Eleven fiber modules for connecting non-zero dispersion fiber (mode field diameter 9 μm) using 5 m of No. 3 were prepared. The average loss of this module was 0.03 × 5 = 0.15 dB for fiber loss, 0.17 × 2 = 0.34 dB for connection loss between EDTF and non-zero dispersion fiber, and 0.49 dB in total. This module is used in Example 5
In the same manner as above, 11 samples were subjected to a temperature cycle test for reliability.
As a result, for all 11 samples for 500 cycles,
The loss fluctuation was ± 0.3 dB or less, and, as in the case of the module 1 of the fifth embodiment, the Telcodia standard of long-term reliability could be satisfied.

【0038】(実施例7)実施例1で製造したEDTF
1及びEDTF2をそれぞれ10m用いてファイバモジ
ュール4とファイバモジュール5を作製した。これらの
ファイバモジュールと共に石英系EDF(EDSF、Δ
n:1.8%、Er濃度1000ppm、カットオフ
1.2μm、長さ150m)を図5のような系で測定し
た。図中、21a,12bが光アイソレータであり、2
2a,22bは励起光を導入するための光カップラであ
り、23a,23bは励起光源であり、24はEDSF
またはEDTFモジュールである。
(Example 7) EDTF produced in Example 1
The fiber module 4 and the fiber module 5 were manufactured using 10 m of each of 1 and EDTF2. Along with these fiber modules, a silica-based EDF (EDSF, Δ
n: 1.8%, Er concentration: 1000 ppm, cutoff: 1.2 μm, length: 150 m) were measured using a system as shown in FIG. In the figure, reference numerals 21a and 12b denote optical isolators.
2a and 22b are optical couplers for introducing excitation light, 23a and 23b are excitation light sources, and 24 is EDSF.
Or an EDTF module.

【0039】波長1480nmで100mWずつの双方
光励起による小信号利得を測定したところ、EDTFに
対しては1560nmから1610nmにかけて、ED
SFに対しては1570nmから1600nmにかけて
の長波長帯(L−band帯)で平均20dB以上の利得が
得られた。
When the small signal gain was measured by bi-optical pumping at 100 mW at a wavelength of 1480 nm, the EDTF of EDTF was increased from 1560 nm to 1610 nm.
For SF, a gain of 20 dB or more was obtained on average in a long wavelength band (L-band) from 1570 nm to 1600 nm.

【0040】次に、1590.0nm,1590.8n
m,1592.4nm,1593.2nmの4波WDM
信号を−10dBm/chの信号光量で入射し、出力ス
ペクトルを観測したところ、図6((a)EDSF、
(b)EDTF2、(c)EDTF1)のようになっ
た。
Next, 1590.0 nm, 1590.8 n
m, 1592.4 nm, 1593.2 nm 4-wave WDM
When a signal was incident at a signal light amount of −10 dBm / ch and the output spectrum was observed, FIG. 6 ((a) EDSF,
(B) EDTF2, (c) EDTF1).

【0041】図6(a)のようにEDSFを用いた増幅
器では一波あたり15dBmの出力信号が得られている
のと同時に、四光波混合(Four Wave Mixing:FWM)
による新たな信号光が発生しており、最大FWM信号光
量は波長1591.6nmのところで、−13dBmで
あった。従って、信号光対FWM発生光比は−28dB
mであった。
As shown in FIG. 6A, in the amplifier using EDSF, an output signal of 15 dBm per one wave is obtained, and at the same time, Four Wave Mixing (FWM).
, A new signal light was generated, and the maximum FWM signal light amount was −13 dBm at a wavelength of 1591.6 nm. Therefore, the ratio of signal light to FWM generated light is -28 dB.
m.

【0042】次に、図6(b)のEDTF2を用いた増
幅器では一波あたり15dBmの出力信号光に対し、F
WM発生光は波長1591.6nmで−10dBmであ
り、信号比は−25dBmであった。
Next, in the amplifier using the EDTF2 shown in FIG. 6B, an output signal light of 15 dBm per wave
The WM generated light was -10 dBm at a wavelength of 1591.6 nm, and the signal ratio was -25 dBm.

【0043】一方、図6(c)のEDTF1を用いた増
幅器では、同じく一波あたり15dBmの出力信号光に
対し、FWM発生光は波長1591.6nmで、−20
dBm以下であり、自然放出光に埋もれて正確に観測で
きなかった。信号比は−35dBm以下であった。
On the other hand, in the amplifier using the EDTF1 shown in FIG. 6C, the output signal light of 15 dBm per wave is also emitted, while the FWM generated light has a wavelength of 1591.6 nm and is -20.
It was less than dBm, and could not be accurately observed because it was buried in spontaneous emission light. The signal ratio was -35 dBm or less.

【0044】以上の出力スペクトルの観測から、本発明
に規定したスペックのEDTF2を用いることによっ
て、従来EDFで問題となっていたFWMの発生を抑え
ることができ、高品質のWDM信号の伝送が可能となっ
た。
From the above observation of the output spectrum, by using the EDTF2 having the specifications specified in the present invention, it is possible to suppress the occurrence of FWM, which has been a problem in the conventional EDF, and to transmit a high-quality WDM signal. It became.

【0045】(実施例8)実施例2で製造したEDTF
3を16m用いてノンゼロ分散シフトファイバと接続し
たファイバモジュール6を作製した。このファイバモジ
ュールと共に実施例7で用いたものと同様なEDSFを
250m用いて図5の系で測定した。波長1480nm
で100mWずつの双方光励起による小信号利得を測定
したところ、EDTFに対しては1570nmから16
20nmにかけて、EDSFに対しては1570nmか
ら1608nmにかけての長波長帯(L−band帯)で2
5dB以上の利得が得られた。
(Example 8) EDTF produced in Example 2
The fiber module 6 connected to the non-zero dispersion shift fiber was manufactured using 16 m of No.3. Using the same EDSF as that used in Example 7 together with this fiber module at 250 m, measurement was carried out in the system shown in FIG. Wavelength 1480nm
The small signal gain due to both optical excitations at 100 mW was measured at 1700 nm.
In the long wavelength band (L-band) from 1570 nm to 1608 nm, 2
A gain of 5 dB or more was obtained.

【0046】次に、ファイバブラックグレーティングを
用いた利得等化器を両増幅器に挿入し、利得25dBで
平坦化した。1575.0nmから1591.0nmの
帯域に50GHz間隔で40波WDM信号を、−20d
Bm/chの信号光量で入射し、出力スペクトルを観測
したところ、図7((a)EDSF、(b)EDTF
3)のようにEDSFを用いた増幅器では一波あたり5
dBmの出力信号光に対し、FWM発生光は波長157
4.6nm及び1591.4nmで−15dBmであ
り、信号比は−20dBmであった。
Next, a gain equalizer using a fiber black grating was inserted into both amplifiers, and flattened at a gain of 25 dB. A 40-wave WDM signal is applied to the band of 1575.0 nm to 1591.0 nm at an interval of 50 GHz by -20d.
When the light was incident at a signal light amount of Bm / ch and the output spectrum was observed, FIG. 7 ((a) EDSF, (b) EDTF
In an amplifier using EDSF as in 3), 5
The FWM generated light has a wavelength of 157 with respect to the output signal light of dBm.
It was -15 dBm at 4.6 nm and 1591.4 nm, and the signal ratio was -20 dBm.

【0047】一方、図7(b)のEDTF3を用いた増
幅器では、同じく一波あたり5dBmの出力信号光に対
し、FWM発生光は波長1574.6nm及び159
1.4nmで−30dBm以下であり、自然放出光に埋
もれて正確に観測できなかった。信号比は−35dBm
であった。
On the other hand, in the amplifier using the EDTF3 shown in FIG. 7B, the output signal light of 5 dBm per wave, the FWM generated light has wavelengths of 1574.6 nm and 159
It was -30 dBm or less at 1.4 nm, and could not be accurately observed because it was buried in spontaneous emission light. Signal ratio is -35 dBm
Met.

【0048】以上の出力スペクトルの観測から、本発明
に規定したスペックのEDTF3を用いることによっ
て、従来EDFで問題となっていたFWMの発生を抑え
ることができ、高品質のWDM信号の伝送が可能となっ
た。
From the above observation of the output spectrum, by using the EDTF3 having the specifications specified in the present invention, it is possible to suppress the generation of FWM, which has been a problem in the conventional EDF, and to transmit a high-quality WDM signal. It became.

【0049】(実施例9)実施例1で製造したEDTF
1を5m用い、図8((a)前方、(b)後方)に示す
ような光アイソレータ及びWDMカップラ一体型のゲイ
ンモジュールを作製した。図において31a,31b,
31c,31dは分散シフトファイバ、32はEDT
F、33a,33b,33c,33d,33e,33f
は非球面レンズ、34a,34bは偏波無依存型アイソ
レータ、35a,35bはミラー、36a,36b,3
6c,36d,36e,36fはARコートである。
(Example 9) EDTF produced in Example 1
1 and 5 m, an optical isolator and a WDM coupler integrated gain module as shown in FIG. 8 ((a) front, (b) rear) were manufactured. In the figure, 31a, 31b,
31c and 31d are dispersion shift fibers, 32 is EDT
F, 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f
Is an aspheric lens, 34a and 34b are polarization-independent isolators, 35a and 35b are mirrors, 36a, 36b, and 3
6c, 36d, 36e and 36f are AR coats.

【0050】EDTF32はサスのフェルールに埋め込
んで端面を12度に斜め研磨した後、端面にSiO2
用いたARコート36b,36dを蒸着させ、非球面レ
ンズを用いたコリメータを構成した。同様に、分散シフ
トファイバ31a,31b,31c,31dは端面を1
2度に斜め研磨し、端面にARコート36a,36c,
36e,36fを蒸着させ、非球面レンズを用いたコリ
メータを構成した。偏波無依存型アイソレータ34a,
34bは磁石とファラデー回転子等で構成したサブモジ
ュールである。これらの構成品を図のように配置調芯し
た後、YAG溶接により各デバイスを固定した。
The EDTF 32 was embedded in a suspension ferrule and the end face was obliquely polished to 12 degrees. Then, AR coats 36b and 36d using SiO 2 were deposited on the end face to form a collimator using an aspherical lens. Similarly, the end faces of the dispersion-shifted fibers 31a, 31b, 31c, 31d are 1
Polish diagonally twice, and use AR coats 36a, 36c,
36e and 36f were deposited to form a collimator using an aspheric lens. Polarization independent isolator 34a,
Reference numeral 34b is a submodule composed of a magnet, a Faraday rotator, and the like. After these components were arranged and aligned as shown in the figure, each device was fixed by YAG welding.

【0051】信号光は分散シフトファイバ31a、偏波
無依存アイソレータ34a、ミラー35aを通ってED
TF32に集光される。損失は0.6dBであった。励
起光は分散シフトファイバ31bを通ってミラー35a
で反射し、EDTF32に集光される。カップリングロ
スは0.4dBであった。EDTFの前方を図8(a)
のように、後方を図8(b)のように接続し、ゲインモ
ジュールを作製した。トータルの損失は1.4dBとな
り、ファイバモジュール、光アイソレータ、WDMカッ
プラをそれぞれ別に作製し接続した場合の損失2.1d
Bと比較して、0.7dBの低損失化が可能となるだけ
ではなく、増幅特性の雑音指数、エネルギー変換効率等
も改善できる。
The signal light passes through the dispersion-shifted fiber 31a, the polarization-independent isolator 34a, and the mirror 35a.
The light is focused on the TF 32. The loss was 0.6 dB. The excitation light passes through the dispersion shift fiber 31b and passes through the mirror 35a.
And is condensed on the EDTF 32. Coupling loss was 0.4 dB. Fig. 8 (a) in front of the EDTF
As shown in FIG. 8B, the rear side was connected as shown in FIG. 8B to produce a gain module. The total loss is 1.4 dB, and the loss is 2.1 d when a fiber module, an optical isolator, and a WDM coupler are separately manufactured and connected.
As compared with B, not only the loss can be reduced by 0.7 dB, but also the noise figure of the amplification characteristics, the energy conversion efficiency, and the like can be improved.

【0052】(実施例10)実施例9で作製したゲイン
モジュールを100モジュール作製したところ、平均損
失は1.42dBとなった。また、損失が2dB以上あ
る規格外品は一つも出なかった。このモジュールを無作
為に11モジュール抽出し、実施例5と同様の信頼性試
験を行った。損失変動の平均は±0.2dBであり、1
1試料全てにおいて500サイクルの間、損失変動が±
0.5dB以下であった。従って、本実施例のゲインモ
ジュールは長期信頼性のTelcodia規格を満たすことがで
きた。
Example 10 When 100 gain modules were manufactured in Example 9, the average loss was 1.42 dB. Also, none of the nonstandard products having a loss of 2 dB or more were produced. Eleven modules were extracted at random and subjected to the same reliability test as in Example 5. The average of the loss variation is ± 0.2 dB and 1
The loss variation was ±
It was 0.5 dB or less. Therefore, the gain module of the present embodiment was able to satisfy the Telcodia standard of long-term reliability.

【0053】(実施例11)実施例1で作製したファイ
バモジュール1、2を用いて、図9のような構成でAS
E光源を構成した。図中、41はファイバ斜め端面、4
2はファイバモジュール、43はWDMカップラ、44
は励起光源、45はアイソレータである。200mWで
ファイバモジュール41を励起した場合の光源の出力ス
ペクトルを観測したところ、1520nmから1620
nmまでの広い帯域にわたって、−10dBm/nmの
出力が得られた。また、出力パワーの測定から、エネル
ギー変換効率を求めたところ、ファイバモジュール2を
用いた場合には26%であったのに対し、ファイバモジ
ュール1を用いた場合には35%と9%効率が改善し
た。
(Embodiment 11) Using the fiber modules 1 and 2 manufactured in Embodiment 1, the AS shown in FIG.
An E light source was configured. In the figure, reference numeral 41 denotes an oblique end face of the fiber;
2 is a fiber module, 43 is a WDM coupler, 44
Is an excitation light source and 45 is an isolator. When the output spectrum of the light source when the fiber module 41 was excited at 200 mW was observed,
An output of -10 dBm / nm was obtained over a wide band up to nm. When the energy conversion efficiency was determined from the measurement of the output power, the efficiency was 26% when the fiber module 2 was used, whereas it was 35% and 9% when the fiber module 1 was used. Improved.

【0054】(実施例12)実施例1で作製したファイ
バモジュール1,2を用いて、図10のような構成で波
長可変レーザを構成した。図中、51は波長可変フィル
タ、52はファイバモジュール、53はWDMカップ
ラ、54は励起光源、55はカップラー、56a,56
bはアイソレータである。200mWでファイバモジュ
ール1を励起した場合のレーザの出力スペクトルを観測
したところ、1525nmから1628nmまでの10
3nm帯域にわたって1mW以上の出力が得られた。一
方、ファイバモジュール2を用いた場合には1530n
mから1620nmまでの90nm帯域にわたって1m
W以上の出力が得られた。従って、ファイバモジュール
1を用いた場合の方が広い帯域で発振が可能であった。
(Example 12) Using the fiber modules 1 and 2 manufactured in Example 1, a wavelength tunable laser was configured with a configuration as shown in FIG. In the figure, 51 is a tunable filter, 52 is a fiber module, 53 is a WDM coupler, 54 is an excitation light source, 55 is a coupler, 56a, 56
b is an isolator. When the output spectrum of the laser when the fiber module 1 was excited at 200 mW was observed, it was found that the output spectrum was 1025 from 1525 nm to 1628 nm.
An output of 1 mW or more was obtained over a 3 nm band. On the other hand, when the fiber module 2 is used, 1530 n
1 m over a 90 nm band from m to 1620 nm
An output of W or more was obtained. Therefore, oscillation was possible in a wider band when the fiber module 1 was used.

【0055】以上の実施例で説明したEDTFを用いて
作製したファイバモジュールを光増幅媒体、その光増幅
媒体を用いた光増幅器、レーザ装置または光源に適用す
ることで、各種WDM光伝送システムの低コスト化、高
信頼化や高性能化に寄与できる。
By applying the fiber module manufactured using the EDTF described in the above embodiments to an optical amplification medium, an optical amplifier using the optical amplification medium, a laser device, or a light source, a low-power WDM optical transmission system can be realized. It can contribute to cost increase, high reliability and high performance.

【0056】以上の実施例では、エルビウムを添加した
テルライトガラス光ファイバ(EDTF)のモードフィ
ールド径を、接続する通信用単一モードファイバ及び通
信用分散シフトファイバのモードフィールド径と一致さ
せているが、EDTFのモードフィールド径は通信用フ
ァイバのモードフィールド径よりある程度小さくても十
分低損失な接続が実現できる。具体的には、EDTFの
モードフィールド径は通信用ファイバのモードフィール
ド径に対し15%程度小さくても良く、望ましくは10
%以内、最も望ましくは8%以内での適合が好ましい。
In the above embodiment, the mode field diameter of the erbium-doped tellurite glass optical fiber (EDTF) is matched with the mode field diameter of the communication single mode fiber and the communication dispersion shift fiber to be connected. However, even if the mode field diameter of the EDTF is somewhat smaller than the mode field diameter of the communication fiber, connection with sufficiently low loss can be realized. Specifically, the mode field diameter of the EDTF may be about 15% smaller than the mode field diameter of the communication fiber.
%, Most preferably within 8%.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
増幅媒体として用いるEDTFのスペックが通常の光伝
送用ファイバのモードフィールド径と合わせたスペック
とすることにより、TECによるモードフィールド変換
を介することなく、EDTFと光通信用ファイバとを直
接V溝斜め研磨接続をすることができるため、TECを
用いた従来の接続よりも、損失、信頼性、作製歩留まり
において改善が見られ、またこれを用いた光増幅器の雑
音指数やエネルギー変換効率が改善するだけでなく、E
DTFのモードフィールド径が大きくなったためにFW
Mの発生効率も抑えることができ、WDM光伝送システ
ム用光増幅器の低コスト化、高信頼化や高性能化を実現
することができる。
As described above, according to the present invention, the EDTF used as the optical amplifying medium has a specification matching the mode field diameter of the ordinary optical transmission fiber, so that the mode field conversion by the TEC can be performed. Since the V-groove diagonally polished connection can be made directly between the EDTF and the optical communication fiber without any intervening steps, the loss, reliability, and production yield have been improved compared to the conventional connection using TEC. Not only improves the noise figure and energy conversion efficiency of optical amplifiers using
Due to the increased mode field diameter of DTF, FW
The generation efficiency of M can also be suppressed, and cost reduction, high reliability, and high performance of the optical amplifier for a WDM optical transmission system can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】モジュールの概略を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a module.

【図2】本発明の実施例1に用いたファイバ増幅器を示
す構成図。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a fiber amplifier used in Embodiment 1 of the present invention.

【図3】入射信号光量に対する信号利得を表す特性図。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a signal gain with respect to an incident signal light amount.

【図4】モジュール1とモジュール2の温度サイクルに
おける損失変動を示す特性図。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing loss fluctuation in a temperature cycle of the module 1 and the module 2;

【図5】本発明の実施例7に用いたファイバ増幅器を示
す構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a fiber amplifier used in Embodiment 7 of the present invention.

【図6】各種ファイバを用いた光増幅器からの出力スペ
クトルを示す特性図。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing output spectra from an optical amplifier using various fibers.

【図7】各種ファイバを用いた光増幅器からの出力スペ
クトルを示す特性図。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing an output spectrum from an optical amplifier using various fibers.

【図8】本発明の実施例9で作製したゲインモジュール
の構成図。
FIG. 8 is a configuration diagram of a gain module manufactured in Embodiment 9 of the present invention.

【図9】本発明の実施例11で用いたASE光源を示す
構成図。
FIG. 9 is a configuration diagram showing an ASE light source used in Embodiment 11 of the present invention.

【図10】本発明の実施例12で用いた波長可変レーザ
を示す構成図。
FIG. 10 is a configuration diagram showing a wavelength tunable laser used in Embodiment 12 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

01,01′ EDTF 02,02′ ボビン 03,03′ V溝部材 04,04′ 分散シフトファイバ 05,05′ V溝部材 06′ TEC 11a,11b 光アイソレータ 12 光カップラ 13 励起光源 14 EDTFモジュール 21a,21b 光アイソレータ 22a,22b 光カップラ 23a,23b 励起光源 24 EDSFまたはEDTFモジュール 31a,31b,31c,31d 分散シフトファイバ 32 EDTF 33a,33b,33c,33d,33e,33f 非
球面レンズ 34a,34b 偏波無依存型アイソレータ 35a,35b ミラー 36a,36b,36c,36d,36e,36f A
Rコート面 41 ファイバ斜め端面 42 ファイバモジュール 43 WDMカップラ 44 励起光源 45 アイソレータ 51 波長可変フィルタ 52 ファイバモジュール 53 WDMカップラ 54 励起光源 55 カップラ 56a,56b アイソレータ
01,01 'EDTF 02,02' Bobbin 03,03 'V-groove member 04,04' Dispersion shift fiber 05,05 'V-groove member 06' TEC 11a, 11b Optical isolator 12 Optical coupler 13 Excitation light source 14 EDTF module 21a, 21b Optical isolator 22a, 22b Optical coupler 23a, 23b Excitation light source 24 EDSF or EDTF module 31a, 31b, 31c, 31d Dispersion shift fiber 32 EDTF 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, 33f Aspheric lens 34a, 34b No polarization Dependent isolators 35a, 35b Mirrors 36a, 36b, 36c, 36d, 36e, 36f A
R coated surface 41 Fiber oblique end surface 42 Fiber module 43 WDM coupler 44 Excitation light source 45 Isolator 51 Wavelength tunable filter 52 Fiber module 53 WDM coupler 54 Excitation light source 55 Coupler 56a, 56b Isolator

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 3/17 G02B 6/12 N (72)発明者 清水 誠 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 鹿野 弘二 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 阪本 匡 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 西田 好毅 東京都渋谷区道玄坂一丁目12番1号 エヌ ティティエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 大石 泰丈 東京都渋谷区道玄坂一丁目12番1号 エヌ ティティエレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 2H047 QA04 RA00 2H050 AB37Z AC03 AC76 AD00 4G062 AA06 BB11 CC10 DA01 DB01 DC01 DD01 DE03 DE04 DF01 EA04 EB03 EB04 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA03 GB01 GC01 GD07 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK06 KK07 KK10 MM04 NN01 5F072 AB07 AB09 AK06 JJ05 JJ08 KK07 KK26 RR01 YY17 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court II (Reference) H01S 3/17 G02B 6/12 N (72) Inventor Makoto Shimizu 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Inside Telegraph and Telephone Corporation (72) Koji Kano, Inventor 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Inside Telegraph and Telephone Corporation (72) Tadashi Sakamoto 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Yoshiki Nishida 1-1-12 Dogenzaka, Shibuya-ku, Tokyo NTT Electronics Corporation (72) Inventor Yasutake Oishi 1-12-1 Dogenzaka, Shibuya-ku, Tokyo F term (reference) in NTT Electronics Corporation 2H047 QA04 RA00 2H050 AB37Z AC03 AC76 AD00 4G062 AA06 BB11 CC10 DA01 DB01 DC01 DD01 DE03 DE04 DF01 EA04 EB03 EB04 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 F01 FF01 FF01 FF01 GA03 GB01 GC01 GD07 GE01 HH01 HH0 3 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK06 KK07 KK10 MM04 NN01 5F072 AB07 AB09 AK06 JJ05 JJ08 KK07 KK26 RR01 YY17

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テルライトガラスを材料とし、少なくと
もコアにエルビウムを添加した光ファイバであって、モ
ードフィールド径(MFD)が、6.3<MFD(μ
m)の範囲であることを特徴とする光増幅用テルライト
光ファイバ。
1. An optical fiber made of tellurite glass and doped with at least erbium in a core, wherein a mode field diameter (MFD) is 6.3 <MFD (μ
m), a tellurite optical fiber for optical amplification, characterized by being in the range of m).
【請求項2】 テルライトガラスを材料とし、少なくと
もコアにエルビウムを添加した光導波路であって、モー
ドフィールド径(MFD)が、6.3<MFD(μm)
の範囲であることを特徴とする光増幅用テルライト光導
波路。
2. An optical waveguide made of tellurite glass and doped with at least erbium in a core, wherein a mode field diameter (MFD) is 6.3 <MFD (μm).
A tellurite optical waveguide for optical amplification, characterized in that:
【請求項3】 TeO2 −LO−M2 O−N2 3 から
なる組成(LはZn、Baのうち少なくとも1種類以
上、Mは1種類以上のアルカリ元素、NはBi、La、
Al、Ce、Yb、Luのうち少なくとも1種類以上)
を持つテルライトガラスを材料とし、少なくともコアに
エルビウムを添加した光ファイバであって、モードフィ
ールド径(MFD)が、6.3<MFD(μm)の範囲
であることを特徴とする光増幅用テルライト光ファイ
バ。
3. A composition comprising TeO 2 —LO—M 2 O—N 2 O 3 (L is at least one kind of Zn and Ba, M is one or more kinds of alkali elements, N is Bi, La,
(At least one of Al, Ce, Yb, and Lu)
An optical fiber made of tellurite glass having the following formula, and having at least a core doped with erbium, wherein a mode field diameter (MFD) is in a range of 6.3 <MFD (μm). Tellurite optical fiber.
【請求項4】 TeO2 −LO−M2 O−N2 3 から
なる組成(LはZn、Baのうち少なくとも1種類以
上、Mは1種類以上のアルカリ元素、NはBi、La、
Al、Ce、Yb、Luのうち少なくとも1種類以上)
を持つテルライトガラスを材料とし、少なくともコアに
エルビウムを添加した光導波路であって、モードフィー
ルド径(MFD)が、6.3<MFD(μm)の範囲で
あることを特徴とする光増幅用テルライト光導波路。
4. A composition comprising TeO 2 —LO—M 2 O—N 2 O 3 (L is at least one kind of Zn and Ba, M is at least one kind of alkali element, N is Bi, La,
(At least one of Al, Ce, Yb, and Lu)
An optical waveguide made of tellurite glass having the following formula, and at least erbium added to the core, wherein the mode field diameter (MFD) is in the range of 6.3 <MFD (μm). Tellurite optical waveguide.
【請求項5】 少なくともコアにエルビウムを添加した
光ファイバであって、モードフィールド径(MFD)が
通信用単一モードファイバ(ITU規格G.652)の
1310nmにおけるMFDの値である8.6μm〜
9.5μmに10%以内で適合していることを特徴とす
る請求項1または請求項3に記載の光増幅用テルライト
光ファイバ。
5. An optical fiber having at least a core doped with erbium and having a mode field diameter (MFD) of 8.6 μm or more at 1310 nm of a single mode fiber for communication (ITU standard G.652) at 1310 nm.
The tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1 or 3, which conforms to 9.5 µm within 10%.
【請求項6】 少なくともコアにエルビウムを添加した
光導波路であって、モードフィールド径(MFD)が通
信用単一モードファイバ(ITU規格G.652)の1
310nmにおけるMFDの値である8.6μm〜9.
5μmに10%以内で適合していることを特徴とする請
求項2または請求項4に記載の光増幅用テルライト光導
波路。
6. An optical waveguide having at least a core doped with erbium, wherein a mode field diameter (MFD) is one of a communication single mode fiber (ITU standard G.652).
8. The value of the MFD at 310 nm of 8.6 μm to 9.
The tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2, wherein the optical waveguide is adapted to 5 μm within 10%.
【請求項7】 少なくともコアにエルビウムを添加した
光ファイバであって、モードフィールド径(MFD)が
通信用分散シフトファイバ(ITU規格G.653)の
1550nmにおけるMFDの値である7.8μm〜
8.5μmに10%以内で適合していることを特徴とす
る請求項1または請求項3に記載の光増幅用テルライト
光ファイバ。
7. An optical fiber having at least a core doped with erbium and having a mode field diameter (MFD) of 7.8 μm or more at 1550 nm of a communication dispersion-shifted fiber (ITU standard G.653) at 1550 nm.
The tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1 or 3, wherein the optical fiber is adapted to 8.5 µm within 10%.
【請求項8】 少なくともコアにエルビウムを添加した
光導波路であって、モードフィールド径(MFD)が通
信用分散シフトファイバ(ITU規格G.653)の1
550nmにおけるMFDの値である7.8μm〜8.
5μmに10%以内で適合していることを特徴とする請
求項2または請求項4に記載の光増幅用テルライト光導
波路。
8. An optical waveguide having at least a core doped with erbium, wherein a mode field diameter (MFD) is one of a communication dispersion-shifted fiber (ITU standard G.653).
The value of MFD at 550 nm is 7.8 μm to 8.
The tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2, wherein the optical waveguide is adapted to 5 μm within 10%.
【請求項9】 少なくともコアにエルビウムを添加した
光ファイバであって、モードフィールド径(MFD)が
通信用ノンゼロ分散ファイバ(ITU規格G.655)
の1550nmにおけるMFDの値である8μm〜11
μmに10%以内で適合していることを特徴とする請求
項1または請求項3に記載の光増幅用テルライト光ファ
イバ。
9. An optical fiber having at least a core doped with erbium and having a mode field diameter (MFD) non-zero dispersion fiber for communication (ITU standard G.655).
8 μm to 11 which are MFD values at 1550 nm
The tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1 or 3, wherein the optical fiber conforms to μm within 10%.
【請求項10】 少なくともコアにエルビウムを添加し
た光導波路であって、モードフィールド径(MFD)が
通信用ノンゼロ分散ファイバ(ITU規格G.655)
の1550nmにおけるMFDの値である8μm〜11
μmに10%以内で適合していることを特徴とする請求
項2または請求項4に記載の光増幅用テルライト光導波
路。
10. An optical waveguide having at least a core doped with erbium and having a mode field diameter (MFD) of non-zero dispersion fiber for communication (ITU standard G.655).
8 μm to 11 which are MFD values at 1550 nm
The tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2, wherein the optical waveguide is adapted to a μm within 10%.
【請求項11】 少なくともコアにエルビウムを添加し
た光ファイバであって、カットオフ波長が1.5μm以
下であることを特徴とする請求項1または請求項3に記
載の光増幅用テルライト光ファイバ。
11. The tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1, wherein the optical fiber has at least a core doped with erbium and has a cutoff wavelength of 1.5 μm or less.
【請求項12】 少なくともコアにエルビウムを添加し
た光導波路であって、カットオフ波長が1.5μm以下
であることを特徴とする請求項2または請求項4に記載
の光増幅用テルライト光導波路。
12. The tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2, wherein the optical waveguide has at least a core doped with erbium and has a cutoff wavelength of 1.5 μm or less.
【請求項13】 少なくともコアにエルビウムを添加し
た光ファイバであって、比屈折率差(Δn)が0.1<
Δn<0.6(%)であることを特徴とする請求項1ま
たは請求項3に記載の光増幅用テルライト光ファイバ。
13. An optical fiber having at least a core doped with erbium, wherein a relative refractive index difference (Δn) is 0.1 <.
The tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1 or 3, wherein Δn <0.6 (%).
【請求項14】 少なくともコアにエルビウムを添加し
た光導波路であって、比屈折率差(Δn)が0.1<Δ
n<0.6(%)であることを特徴とする請求項2また
は請求項4に記載の光増幅用テルライト光導波路。
14. An optical waveguide having at least a core doped with erbium, wherein a relative refractive index difference (Δn) is 0.1 <Δ.
The tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2, wherein n <0.6 (%).
【請求項15】 コアガラスとクラッドガラスを有する
光ファイバからなる光増幅媒体と、該光増幅媒体を励起
する励起光および信号光を前記光増幅媒体に入力する入
力手段とを備える光増幅器であって、前記光ファイバか
らなる光増幅媒体が、請求項1または請求項3に記載の
光増幅用テルライト光ファイバであることを特徴とする
光増幅器。
15. An optical amplifier comprising: an optical amplifying medium comprising an optical fiber having a core glass and a clad glass; and input means for inputting excitation light and signal light for exciting the optical amplifying medium to the optical amplifying medium. 4. An optical amplifier, wherein the optical amplification medium comprising the optical fiber is the tellurite optical fiber for optical amplification according to claim 1 or 3.
【請求項16】 コアガラスとクラッドガラスを有する
光導波路からなる光増幅媒体と、該光増幅媒体を励起す
る励起光および信号光を前記光増幅媒体に入力する入力
手段とを備える光増幅器であって、前記光導波路からな
る光増幅媒体が、請求項2または請求項4に記載の光増
幅用テルライト光導波路であることを特徴とする光増幅
器。
16. An optical amplifier comprising: an optical amplifying medium comprising an optical waveguide having a core glass and a cladding glass; and input means for inputting excitation light and signal light for exciting the optical amplifying medium to the optical amplifying medium. 5. An optical amplifier, wherein the optical amplifying medium comprising the optical waveguide is the tellurite optical waveguide for optical amplification according to claim 2 or 4.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101590A (en) * 2003-09-05 2005-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Fiber for optical amplification, optical amplification module, optical communication system, and method for optical amplification
WO2019077786A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 株式会社ニコン Optical glass, optical element, optics, optical device, interchangeable lens for camera, acousto-optical element, lighting device, and microscope
WO2020162327A1 (en) * 2019-02-06 2020-08-13 日本電信電話株式会社 Fiber for amplification, and optical amplifier

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101590A (en) * 2003-09-05 2005-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Fiber for optical amplification, optical amplification module, optical communication system, and method for optical amplification
WO2019077786A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 株式会社ニコン Optical glass, optical element, optics, optical device, interchangeable lens for camera, acousto-optical element, lighting device, and microscope
JPWO2019077786A1 (en) * 2017-10-20 2020-12-03 株式会社ニコン Optical glass, optical elements, optical systems, optical devices, interchangeable lenses for cameras, acoustic optical elements, lighting devices, microscopes
JP7163929B2 (en) 2017-10-20 2022-11-01 株式会社ニコン Optical glass, optical element, optical system, optical device, interchangeable camera lens, acousto-optic device, lighting device, microscope
WO2020162327A1 (en) * 2019-02-06 2020-08-13 日本電信電話株式会社 Fiber for amplification, and optical amplifier
JP2020126973A (en) * 2019-02-06 2020-08-20 日本電信電話株式会社 Fiber for amplification and optical amplifier

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