JP2002141380A - Inspection equipment for semiconductor wafer - Google Patents

Inspection equipment for semiconductor wafer

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JP2002141380A
JP2002141380A JP2000337148A JP2000337148A JP2002141380A JP 2002141380 A JP2002141380 A JP 2002141380A JP 2000337148 A JP2000337148 A JP 2000337148A JP 2000337148 A JP2000337148 A JP 2000337148A JP 2002141380 A JP2002141380 A JP 2002141380A
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cassette
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pressure
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正幸 涌井
Yumio Nakamura
由美夫 中村
Katsukazu Ezawa
克和 江澤
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Orion Machinery Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the reliability of an inspection without generating pressurizing force insufficiency, to perform application even to the inspection of a semiconductor wafer with the large number of contact points of a high density memory or the like with a margin, and to improve versatility and expandability. SOLUTION: In addition to a suction means 3 for sucking the semiconductor wafer W and probe terminals P or the like held by a cassette C housed in inspection equipment main body 2 by a negative pressure, a fluid pressurizing means 4 for pressurizing the semiconductor wafer W and the probe terminals P or the like by pressure fluid A is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ上
の電極に一括してプローブ端子を接触させて検査を行う
半導体ウェーハ用検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer inspection apparatus for performing inspection by bringing probe terminals into contact with electrodes on a semiconductor wafer at once.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハに温度負荷を与え
て初期不良の検査を行う半導体ウェーハ用検査装置は知
られている(特開平11−284037号公報等参
照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a semiconductor wafer inspection apparatus for inspecting an initial failure by applying a temperature load to a semiconductor wafer (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-284037).

【0003】この種の検査装置は、半導体ウェーハ上の
電極に一括してプローブ端子を接触させて検査を行う一
括コンタクト方式を採用するため、半導体ウェーハを保
持し、かつ前記半導体ウェーハと前記プローブ端子を負
圧により吸引するカセットを備えている。図9に、カセ
ットCを示す。カセットCは四角形に形成したカセット
ベース21を有し、このカセットベース21の下面周縁
部には補強フレーム22を固着するとともに、カセット
ベース21の上面周縁部には係止用フレーム23を固着
する。また、カセットCの裏面となるカセットベース2
1の下面の所定位置には、複数の一側コネクタ24…を
配設するとともに、カセットベース21の上面には、サ
ブヒータを内蔵する円盤形のコンタクタ25を取付け
る。そして、このコンタクタ25と円盤形のウェーハト
レイ26間に半導体ウェーハWを挟んで保持する。
[0003] This type of inspection apparatus employs a batch contact system in which probe terminals are collectively brought into contact with electrodes on a semiconductor wafer to perform an inspection. Therefore, a semiconductor wafer is held and the semiconductor wafer and the probe terminal are connected to each other. Is provided with a cassette for sucking the negative pressure by negative pressure. FIG. 9 shows the cassette C. The cassette C has a square-shaped cassette base 21. A reinforcing frame 22 is fixed to the lower peripheral edge of the cassette base 21, and a locking frame 23 is fixed to the upper peripheral edge of the cassette base 21. In addition, a cassette base 2 serving as a back surface of the cassette C
A plurality of one-side connectors 24 are disposed at predetermined positions on the lower surface of the cassette 1, and a disc-shaped contactor 25 containing a sub-heater is mounted on the upper surface of the cassette base 21. The semiconductor wafer W is held between the contactor 25 and the disc-shaped wafer tray 26.

【0004】この場合、コンタクタ25は、図9に部分
拡大図で示すように、半導体ウェーハW上における多数
の電極We…に一括してプローブ端子(バンプ)P…を
接触させるためのボードであり、一側コネクタ24…に
接続する導体配線を有するガラス基板27と、このガラ
ス基板27に重なる異方導電性ゴム28と、この異方導
電性ゴム28に重なり、かつバンプB…を有する薄膜シ
ート29からなる。なお、28e…は導電粒子を有する
異方導電性ゴム28の導通部である。
In this case, the contactor 25 is a board for bringing a plurality of electrodes We on a semiconductor wafer W into contact with probe terminals (bumps) P at once as shown in a partially enlarged view in FIG. , A glass substrate 27 having conductor wiring connected to the one-side connector 24, an anisotropic conductive rubber 28 overlapping the glass substrate 27, and a thin film sheet overlapping the anisotropic conductive rubber 28 and having bumps B. Consists of 29. Are conductive portions of the anisotropic conductive rubber 28 having conductive particles.

【0005】一方、円盤形のウェーハトレイ26の外周
面には、外方に突出した被吸気口取付部30を設け、こ
の被吸気口取付部30の先端に、逆止弁を内蔵する一対
の被吸気口31,31を取付ける(図3参照)。この被
吸気口31,31の向きは、カセットCの中心に対して
放射方向となる。
On the other hand, on the outer peripheral surface of the disc-shaped wafer tray 26, an intake port mounting portion 30 protruding outward is provided, and a pair of a check valve is provided at the tip of the intake port mounting portion 30. The intake ports 31, 31 are attached (see FIG. 3). The directions of the intake ports 31 are radial with respect to the center of the cassette C.

【0006】このように構成されるカセットCは、予
め、被吸気口31…から真空吸引することにより、ウェ
ーハトレイ26とコンタクタ25の吸着状態(負圧)が
維持されている。なお、カセットベース21には接続基
部52(図2参照)に対する不図示の位置決め部を備え
ている。
In the cassette C thus configured, the suction state (negative pressure) between the wafer tray 26 and the contactor 25 is maintained by vacuum suction from the intake ports 31 in advance. The cassette base 21 is provided with a positioning portion (not shown) for the connection base 52 (see FIG. 2).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したカ
セットCでは、通常、接点数(バンプ数)が、1万〜2
万程度になるため、各プローブ端子P…の先端高さのバ
ラツキが問題となる。このため、ウェーハトレイ26と
コンタクタ25間には真空吸引による所定の負圧を生じ
させて半導体ウェーハW上の電極We…とプローブ端子
P…間の接触不良が生じないように所定の接触圧を確保
している。具体的には、一接点当たりの加圧力が、0.
1〔N〕前後必要となるため、接点数が1万点の場合、
10000×0.1=1〔kN〕程度の加圧力が付与さ
れるように真空吸引する。
In the cassette C described above, the number of contacts (the number of bumps) is usually 10,000 to 2
Therefore, variation in the height of the tip of each probe terminal P becomes a problem. For this reason, a predetermined negative pressure is generated between the wafer tray 26 and the contactor 25 by vacuum suction, and the predetermined contact pressure is set so that a contact failure between the electrodes We on the semiconductor wafer W and the probe terminals P does not occur. Is secured. Specifically, the pressing force per contact is 0.
1 [N] is required, so if the number of contacts is 10,000,
Vacuum suction is performed so that a pressing force of about 10000 × 0.1 = 1 [kN] is applied.

【0008】しかし、真空吸引による場合、得られる加
圧力は、最大でも大気圧が限度となるため、8インチウ
ェーハでは、最大2.5〔kN〕の加圧力が限界とな
る。したがって、接点数が2万5千点を越えた場合、加
圧力不足が発生して検査の信頼性が低下する虞れがある
とともに、接点数が4万〜6万点となる高密度メモリ等
の場合には、4.0〜6.0〔kN〕の加圧力が必要と
なることから、事実上適用できない問題があった。
[0008] However, in the case of vacuum suction, the obtained pressure is limited to the atmospheric pressure at the maximum, so that for an 8-inch wafer, the maximum pressure is 2.5 [kN]. Therefore, if the number of contacts exceeds 25,000 points, there is a possibility that the pressure may be insufficient and the reliability of the inspection may be reduced. In addition, a high-density memory or the like having 40,000 to 60,000 contacts may be used. In the case of (1), since a pressing force of 4.0 to 6.0 [kN] is required, there is a problem that it cannot be applied practically.

【0009】本発明は、このような従来の技術に存在す
る課題を解決したものであり、加圧力不足を生じること
なく検査の信頼性を高めることができるとともに、高密
度メモリ等の接点数の多い半導体ウェーハの検査にも余
裕をもって適用することができる汎用性及び発展性を高
い半導体ウェーハ用検査装置の提供を目的とする。
The present invention has been made to solve the problems existing in the prior art, and can improve the reliability of inspection without causing insufficient pressurizing force, and can reduce the number of contacts of a high-density memory or the like. It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer inspection apparatus having high versatility and developability that can be applied to inspection of a large number of semiconductor wafers with a margin.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段及び実施の形態】本発明
は、半導体ウェーハWを保持し、かつ半導体ウェーハW
上の電極We…に一括してプローブ端子P…を接触させ
るカセットCと、このカセットCを収容し、かつプロー
ブ端子P…に接続して半導体ウェーハWの検査を行う検
査装置本体2を備える半導体ウェーハ用検査装置1を構
成するに際して、検査装置本体2に収容したカセットC
に保持された半導体ウェーハWとプローブ端子P…を負
圧により吸引する吸引手段3に加えて、半導体ウェーハ
Wとプローブ端子P…を圧力流体(圧力エアA,圧力液
体L)により加圧する流体加圧手段4を設けたことを特
徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a semiconductor wafer W is provided.
A semiconductor C comprising a cassette C for contacting the probe terminals P at once with the upper electrodes We, and an inspection apparatus main body 2 for accommodating the cassette C and connecting to the probe terminals P to inspect the semiconductor wafer W; When configuring the wafer inspection apparatus 1, the cassette C housed in the inspection apparatus main body 2
In addition to the suction means 3 for sucking the semiconductor wafer W and the probe terminals P... Held by the vacuum pressure, the semiconductor wafer W and the probe terminals P are pressurized by a pressure fluid (pressure air A, pressure liquid L). A pressure means 4 is provided.

【0011】この場合、好適な実施の形態により、流体
加圧手段4は、一対の規制盤12uと12d間に一又は
二以上のカセットC…を収容する規制フレーム機構11
と、カセットC…を収容した際に一対の規制盤12uと
12d間に生じる隙間S…に介在させ、かつ圧力流体
(圧力エアA,圧力液体L)を圧入して被加圧面Mf…
を加圧する一又は二以上の流体バッグ(エアバッグ,液
体バッグ)13u,13m,13d…を備えて構成する
ことができるとともに、カセットCを含む被加圧部M
b,Mcを収容し、かつ圧力エアAを供給する密閉チャ
ンバ14を備えて構成することもできる。なお、密閉チ
ャンバ14は、カセットCの全部を収容してもよいし、
チャンバ分割体14u,14dの組合わせにより構成
し、カセットCの一部を収容してもよい。
In this case, according to a preferred embodiment, the fluid pressurizing means 4 comprises a regulating frame mechanism 11 for accommodating one or more cassettes C between a pair of regulating boards 12u and 12d.
Are inserted into gaps S formed between the pair of regulating plates 12u and 12d when the cassettes C are accommodated, and pressurized fluids (pressure air A and pressure liquid L) are press-fitted to pressurized surfaces Mf.
, And one or more fluid bags (air bags, liquid bags) 13u, 13m, 13d,.
It is also possible to provide a closed chamber 14 for accommodating b and Mc and supplying compressed air A. Note that the closed chamber 14 may house the entire cassette C,
It may be constituted by a combination of the chamber divided bodies 14u and 14d, and may accommodate a part of the cassette C.

【0012】これにより、半導体ウェーハWとプローブ
端子P…間には、吸引手段3を用いた真空吸引による内
からの負圧(大気圧)に加えて、流体加圧手段4を用い
た外からの加圧力が付加されるため、例えば、接点数が
2万5千点を越えた場合であっても、加圧力不足は回避
されるとともに、高密度メモリ等の接点数の多い半導体
ウェーハの検査にも適用可能となる。
Thus, between the semiconductor wafer W and the probe terminals P, in addition to the negative pressure (atmospheric pressure) from the inside by the vacuum suction using the suction means 3, the external pressure using the fluid pressurizing means 4 For example, even when the number of contacts exceeds 25,000 points, insufficient pressurizing force is avoided, and inspection of a semiconductor wafer having a large number of contacts such as a high-density memory is performed. It can also be applied to

【0013】[0013]

【実施例】次に、本発明に係る好適な実施例を挙げ、図
面に基づき詳細に説明する。
Next, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0014】まず、本実施例に係る半導体ウェーハ用検
査装置1の構成について、図1〜図5を参照して説明す
る。
First, the configuration of a semiconductor wafer inspection apparatus 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0015】図5は、半導体ウェーハ用検査装置1にお
ける検査装置本体2の外観を示す。検査装置本体2は正
面パネル40に設けた複数の出入口41…を有する環境
試験槽42を備える。また、環境試験槽42の右側には
機器ボックス43を設け、この機器ボックス43の正面
パネル44にはディスプレイ45と引出式キーボード
(操作部)46を配するとともに、下部にはコンピュー
タ等の収容部47を設ける。なお、48aはタッチパネ
ル式表示部,48bは両手操作用セーフティロックスイ
ッチ,48cは非常停止スイッチである。
FIG. 5 shows the appearance of the inspection apparatus main body 2 in the semiconductor wafer inspection apparatus 1. The inspection apparatus main body 2 includes an environmental test tank 42 having a plurality of entrances and exits 41 provided on a front panel 40. An equipment box 43 is provided on the right side of the environmental test tank 42. A display 45 and a pull-out keyboard (operation unit) 46 are arranged on a front panel 44 of the equipment box 43, and a housing for a computer or the like is provided below. 47 are provided. Reference numeral 48a denotes a touch panel display, 48b denotes a two-handed safety lock switch, and 48c denotes an emergency stop switch.

【0016】一方、Cは、半導体ウェーハWを保持する
カセットであり、図9に示すように、検査装置本体2と
は別体に構成する。カセットCの構成は、前述したよう
に、カセットベース21を備え、このカセットベース2
1の下面周縁部には補強フレーム22を固着するととも
に、カセットベース21の上面周縁部には係止用フレー
ム23を固着する。また、カセットCの裏面となるカセ
ットベース21の下面の所定位置には、複数の一側コネ
クタ24…を配設する。なお、カセットベース21の下
面には、後述する接続基部52に対する不図示の被位置
決め部を有する。さらに、カセットベース21の上面に
は、サブヒータを内蔵する円盤形のコンタクタ25を取
付けるとともに、このコンタクタ25と円盤形のウェー
ハトレイ26間に半導体ウェーハWを挟んで保持する。
ウェーハトレイ26の外周面には、外方に突出した被吸
気口取付部30を備えるとともに、この被吸気口取付部
30の先端には、逆止弁を内蔵する一対の被吸気口3
1,31を備える。この被吸気口31,31の向きは、
カセットCの中心に対して放射方向となる。そして、カ
セットCは、予め、被吸気口31…から真空吸引するこ
とにより、ウェーハトレイ26とコンタクタ25の吸着
状態(負圧)が維持されている。なお、32はシーリン
グ部材を示す。
On the other hand, C is a cassette for holding the semiconductor wafer W, and is formed separately from the inspection apparatus main body 2 as shown in FIG. As described above, the configuration of the cassette C includes the cassette base 21 and the cassette base 2.
The reinforcing frame 22 is fixed to the peripheral edge of the lower surface of the cassette 1, and the locking frame 23 is fixed to the peripheral edge of the upper surface of the cassette base 21. Further, a plurality of one-side connectors 24 are provided at predetermined positions on the lower surface of the cassette base 21 which is the rear surface of the cassette C. The lower surface of the cassette base 21 has a portion to be positioned (not shown) with respect to a connection base 52 described later. Further, a disc-shaped contactor 25 containing a sub-heater is mounted on the upper surface of the cassette base 21, and the semiconductor wafer W is held between the contactor 25 and the disc-shaped wafer tray 26.
The outer peripheral surface of the wafer tray 26 is provided with an intake port mounting portion 30 protruding outward, and a tip of the intake port mounting portion 30 is provided with a pair of intake ports 3 having a built-in check valve.
1 and 31 are provided. The direction of the intake ports 31, 31 is as follows.
The direction is radial with respect to the center of the cassette C. Then, the suction state (negative pressure) of the wafer tray 26 and the contactor 25 is maintained in the cassette C in advance by vacuum suction from the air intake ports 31. 32 indicates a sealing member.

【0017】他方、図1〜図4は検査装置本体2の内部
構造を示す。図1中、11は内部フレーム機構を兼用す
る規制フレーム機構であり、上下に対峙した一対の規制
盤12u,12dと、この規制盤12uと12dを連結
する四本の連結シャフト50…により構成する。また、
規制盤12uと12d間には、複数の水平支持板51…
を上下方向へ一定間隔置きに配し、各水平支持板51…
を連結シャフト50…に架設する。
1 to 4 show the internal structure of the inspection apparatus main body 2. FIG. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a regulating frame mechanism which also serves as an internal frame mechanism, and is constituted by a pair of regulating boards 12u and 12d facing vertically and four connecting shafts 50 connecting the regulating boards 12u and 12d. . Also,
A plurality of horizontal support plates 51 are provided between the control boards 12u and 12d.
Are arranged at regular intervals in the vertical direction, and each horizontal support plate 51.
Are connected to the connecting shafts 50.

【0018】そして、任意の水平支持板51(他の水平
支持板51…も同じ)の上面には接続基部52を固定す
る。この接続基部52は、半導体ウェーハWに検査用信
号を供給するドライブ回路を有する回路基板部を内蔵す
るとともに、上面には、カセットCの一側コネクタ24
…に接続する複数の他側コネクタ53…を配設する。な
お、接続基部52の上面には、カセットCに対する不図
示の位置決め部を有する。
A connection base 52 is fixed on the upper surface of an arbitrary horizontal support plate 51 (the other horizontal support plates 51 are the same). The connection base 52 has a built-in circuit board having a drive circuit for supplying an inspection signal to the semiconductor wafer W, and has a connector 24 on one side of the cassette C on the upper surface.
Are connected to a plurality of other connectors 53. The upper surface of the connection base 52 has a positioning portion (not shown) for the cassette C.

【0019】また、水平支持板51の上面には、図2及
び図3に示すように、四本のガイドシャフト54…を垂
直に起設し、このガイドシャフト54…によりカセット
支持部55及びヒータ支持部56を昇降自在に支持す
る。この場合、カセット支持部55にはガイドシャフト
54…に対応する位置にリニアベアリング57…を取付
け、このリニアベアリング57…にガイドシャフト54
…を挿通させるとともに、ヒータ支持部56にもガイド
シャフト54…に対応する位置にリニアベアリング58
…を取付け、このリニアベアリング58…にガイドシャ
フト54…を挿通させる。これにより、位置の固定され
た接続基部52の上方に昇降自在のカセット支持部55
が配されるとともに、カセット支持部55の上方に昇降
自在のヒータ支持部56が配される。さらに、水平支持
板51の上面には、ヒータ支持部56を昇降させる左右
一対の駆動シリンダ59p,59qを配設する。
As shown in FIGS. 2 and 3, four guide shafts 54 are vertically erected on the upper surface of the horizontal support plate 51, and the cassette support portions 55 and the heaters are provided by the guide shafts 54. The support portion 56 is supported so as to be able to move up and down. In this case, a linear bearing 57 is attached to the cassette supporting portion 55 at a position corresponding to the guide shaft 54.
, And a linear bearing 58 is also provided on the heater supporting portion 56 at a position corresponding to the guide shaft 54.
, And guide shafts 54 are inserted through the linear bearings 58. As a result, the cassette support portion 55 that can move up and down above the connection base portion 52 whose position is fixed.
Are arranged, and a heater support portion 56 that can move up and down is arranged above the cassette support portion 55. Further, on the upper surface of the horizontal support plate 51, a pair of left and right drive cylinders 59p and 59q for raising and lowering the heater support portion 56 are provided.

【0020】一方、カセット支持部55は、図2及び図
3に示すように、左支持板部55p,右支持板部55
q,後支持板部55r及び前支持板部55fにより矩形
枠形に構成し、左支持板部55pと右支持板部55qの
内縁には、前述したカセットCにおける左右の係合辺部
Cp及びCqが装填(挿入)するスリットレール部61
p及び61qを設ける。他方、ヒータ支持部56には、
カセットCの上面を加熱するヒータ部62を備え、この
ヒータ部(メインヒータ)62はヒータ支持部56によ
り上方へ変位自在に支持される。即ち、ヒータ支持部5
6に開口部63を形成し、この開口部63の内方にヒー
タ部62を収容するとともに、ヒータ部62から外方へ
突出させて設けた係止プレート64i,64jをヒータ
支持部56の上面に形成した段差凹部65i,65jに
載置する。なお、段差凹部65i,65jには、図2に
示すガイドピン66…を起設し、このガイドピン66…
に係止プレート64i,64jに設けたガイド孔67…
をスライド自在に係合させる。また、ヒータ部62は、
底面に設けたアダプタ62dを介して前述したウェーハ
トレイ26の上面に適合させる。
On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the cassette support portion 55 includes a left support plate portion 55p and a right support plate portion 55p.
q, the rear support plate portion 55r and the front support plate portion 55f are formed into a rectangular frame shape, and the inner edges of the left support plate portion 55p and the right support plate portion 55q are provided with the left and right engagement sides Cp and Slit rail section 61 into which Cq is loaded (inserted)
p and 61q are provided. On the other hand, the heater support 56
A heater section 62 for heating the upper surface of the cassette C is provided. The heater section (main heater) 62 is supported by a heater support section 56 so as to be displaceable upward. That is, the heater support 5
6, an opening 63 is formed. The heater 62 is accommodated inside the opening 63, and locking plates 64i, 64j provided to protrude outward from the heater 62 are provided on the upper surface of the heater support 56. Are placed on the stepped recesses 65i and 65j formed in the step (c). The guide pins 66 shown in FIG. 2 are erected in the stepped recesses 65i and 65j.
Guide holes 67 provided in the locking plates 64i, 64j.
Are slidably engaged. Also, the heater unit 62
It is adapted to the upper surface of the wafer tray 26 described above via an adapter 62d provided on the bottom surface.

【0021】さらに、カセット支持部55上には、図3
及び図4に仮想線で示すように、吸気機構側の吸気口6
8,68を自動で位置決めしてカセットCの被吸気口3
1,31に自動で接続する自動吸気系接続部69を備え
るとともに、吸気口68,68は、図1に示すように、
エア配管Rn…を介して吸気装置70に接続する。これ
により、吸気手段3を構成する。また、カセット支持部
55には、カセットCをスリットレール部61p及び6
1qにおける所定の位置まで進入させた際に、自動でカ
セットCを引込んで正規の位置に装填する不図示の自動
装填部を備えている。
Further, on the cassette supporting portion 55, FIG.
As shown by a virtual line in FIG.
8, 68 are automatically positioned and the intake port 3 of the cassette C is
1 and 31, an automatic intake system connecting portion 69 is provided for automatic connection to the intake ports 68 and 68, as shown in FIG.
It is connected to the intake device 70 via the air pipes Rn. Thus, the intake means 3 is configured. Further, the cassette C is attached to the cassette support portion 55 by the slit rail portions 61p and 61p.
An automatic loading unit (not shown) is provided for automatically pulling in the cassette C and loading the cassette C at a proper position when the vehicle has entered a predetermined position in 1q.

【0022】他方、カセット支持部55とヒータ支持部
56間には、カセット支持部55とヒータ支持部56を
連結する四つのリンクシャフト71…を設ける。このリ
ンクシャフト71…の機能により、カセット支持部55
は、ヒータ支持部56に対して一定のストローク範囲で
昇降自在となるように支持される。
On the other hand, four link shafts 71 for connecting the cassette support 55 and the heater support 56 are provided between the cassette support 55 and the heater support 56. Due to the function of the link shafts 71, the cassette support 55
Is supported so as to be able to move up and down within a certain stroke range with respect to the heater supporting portion 56.

【0023】そして、このような基本構成に対し、本発
明に従って、流体加圧手段4を付設する。流体加圧手段
4は、被加圧面Mf…を加圧する一段当たり三つのエア
バッグ13u,13m,13dを備え、各エアバッグ1
3u…は、上下一対の規制盤12uと12d間に配され
るカセット支持部55に、カセットCを収容した際に生
じる当該一対の規制盤12uと12d間における隙間S
…にそれぞれ配設する。この場合、被加圧面Mf…は、
図2に示すように、ヒータ部62の上面,カセットCの
下面,接続基部52の上面及び下面となる。各エアバッ
グ13u,13m,13dは偏平状に形成し、水平支持
板51(規制盤12u)の下面とヒータ部62の上面間
に配設するエアバッグ13uは、その上面を水平支持板
51(規制盤12u)の下面に固定するとともに、カセ
ットCの下面と接続基部52の上面間に配設するエアバ
ッグ13mは、その下面を接続基部52の上面に固定
し、さらに、接続基部52の下面と水平支持板51(規
制盤12d)の上面間に配設するエアバッグ13dは、
その下面を水平支持板51(規制盤12d)の上面に固
定する。
Then, a fluid pressurizing means 4 is added to such a basic structure according to the present invention. The fluid pressurizing means 4 includes three airbags 13u, 13m, and 13d per stage for pressurizing the pressurized surfaces Mf.
3u are formed in the cassette supporting portion 55 disposed between the pair of upper and lower regulating boards 12u and 12d, and the gap S between the pair of regulating boards 12u and 12d generated when the cassette C is accommodated.
... to be arranged respectively. In this case, the pressurized surfaces Mf ...
As shown in FIG. 2, the upper surface of the heater 62, the lower surface of the cassette C, and the upper and lower surfaces of the connection base 52 are formed. Each of the airbags 13u, 13m, 13d is formed in a flat shape, and the upper surface of the airbag 13u disposed between the lower surface of the horizontal support plate 51 (restriction plate 12u) and the upper surface of the heater section 62 has the upper surface of the horizontal support plate 51 ( The airbag 13m fixed to the lower surface of the control panel 12u) and disposed between the lower surface of the cassette C and the upper surface of the connection base 52 has its lower surface fixed to the upper surface of the connection base 52, and further has the lower surface of the connection base 52. The airbag 13d disposed between the upper surface of the horizontal support plate 51 (restriction panel 12d) and
The lower surface is fixed to the upper surface of the horizontal support plate 51 (regulation board 12d).

【0024】一方、各エアバッグ13u…は、図1に示
すように、エア配管Rp…に接続するとともに、このエ
ア配管Rp…は切換器75を介して圧力エア供給装置7
6及び吸気装置70に接続する。よって、切換器75を
切換えることにより、エア配管Rp…を、圧力エア供給
装置76又は吸気装置70に対して選択的に接続でき
る。この場合、エア配管Rp…を圧力エア供給装置76
に接続すれば、各エアバッグ13u…に、圧力エア供給
装置76から圧力エアAを圧入して被加圧面Mf…を加
圧することができる。他方、各エアバッグ13u…に圧
力エアAを圧入した状態において、切換器75を切換え
ることにより、エア配管Rp…を吸気装置70に接続す
れば、各エアバッグ13u…から圧力エアAを排出し、
さらに、各エアバッグ13u…に対して吸気することに
より、各エアバッグ13u…を図2に示すように収縮さ
せることができる。これにより、各エアバッグ13u…
が各部の昇降動作やカセットCの収容又は取出の際に邪
魔になる不具合を回避できる。なお、各エアバッグ13
u…を弾性素材により形成すれば、このような吸気装置
70への切換は不要となる。
On the other hand, each of the airbags 13u is connected to an air pipe Rp as shown in FIG.
6 and the intake device 70. Therefore, by switching the switch 75, the air pipes Rp... Can be selectively connected to the pressure air supply device 76 or the suction device 70. In this case, the air pipes Rp.
, The pressurized air A from the pressurized air supply device 76 can be press-fitted into each of the airbags 13u to pressurize the pressurized surfaces Mf. On the other hand, when the air pipes Rp are connected to the intake device 70 by switching the switch 75 in a state where the pressure air A is press-fitted into the airbags 13u, the pressure air A is discharged from the airbags 13u. ,
Further, by sucking air into each airbag 13u, each airbag 13u can be contracted as shown in FIG. Thereby, each airbag 13u ...
Can be prevented from hindering the lifting and lowering operation of each part and the accommodation or removal of the cassette C. In addition, each airbag 13
If u... are formed of an elastic material, such switching to the intake device 70 is not required.

【0025】次に、本実施例に係る半導体ウェーハ用検
査装置1の使用方法及び各部の動作について、図1〜図
5を参照して説明する。なお、一段の動作のみ説明する
が他の段も同様に動作する。
Next, a method of using the semiconductor wafer inspection apparatus 1 according to the present embodiment and the operation of each unit will be described with reference to FIGS. Note that only the operation of one stage will be described, but the other stages operate similarly.

【0026】まず、非使用時には、カセット支持部55
及びヒータ支持部56は、図2に示す上昇位置で停止し
ている。また、各エアバッグ13u…は収縮状態とな
る。
First, when not in use, the cassette support 55
The heater support 56 is stopped at the raised position shown in FIG. Are in a contracted state.

【0027】一方、使用時には、予め用意したカセット
Cを、検査装置本体2の出入口21から環境試験槽22
の内部に収容し、カセットCの係合辺部Cp,Cqをカ
セット支持部55のスリットレール部61p,61qに
挿入する。この際、カセットCを所定の位置まで挿入し
てタッチパネル式表示部28aのタッチパネルをタッチ
操作すれば、不図示の自動装填部により、カセットCは
自動で引き込まれて正規の位置に装填される。また、図
3に仮想線で示す自動吸気系接続部69により、吸気機
構側の吸気口68,68とカセットCの被吸気口31,
31が自動で位置決めされ、かつ自動で接続される。こ
れにより、カセットCのウェーハトレイ26とコンタク
タ25は、吸気装置70により真空吸引され、半導体ウ
ェーハWとプローブ端子P…間には、設定した負圧(例
えば、−53〔kPa〕)が付与される。
On the other hand, at the time of use, the cassette C prepared in advance is inserted into the environmental test tank 22 through the entrance 21 of the inspection apparatus main body 2.
And the engagement sides Cp, Cq of the cassette C are inserted into the slit rails 61p, 61q of the cassette support 55. At this time, if the cassette C is inserted to a predetermined position and a touch operation is performed on the touch panel of the touch panel display unit 28a, the cassette C is automatically pulled in and loaded into a regular position by an automatic loading unit (not shown). Further, the automatic intake system connecting portion 69 indicated by a virtual line in FIG.
31 are automatically positioned and automatically connected. Thereby, the wafer tray 26 and the contactor 25 of the cassette C are vacuum-sucked by the suction device 70, and a set negative pressure (for example, -53 [kPa]) is applied between the semiconductor wafer W and the probe terminals P. You.

【0028】次いで、スタートスイッチをオンにすれ
ば、駆動シリンダ59p,59qが駆動制御され、カセ
ットCと接続基部52の接続及びヒータ部62のセッテ
ィングが行われる。即ち、ヒータ支持部56(ヒータ部
62)及びカセット支持部55(カセットC)を含む全
体が一緒に下降し、カセット支持部55に保持されるカ
セットCに設けた一側コネクタ24…が、接続基部52
に設けた他側コネクタ53…に当接すれば、カセット支
持部55の下降は停止する。この際、カセット支持部5
5は、リンクシャフト71…によりヒータ支持部56に
対して一定のストローク範囲で昇降自在となるように連
結されているため、カセット支持部55の下降が停止し
ても、ヒータ支持部56はさらに下降する。そして、ヒ
ータ部62がカセットCの上面に当接すれば、ヒータ部
62の下降は停止する。この際、ヒータ部62はヒータ
支持部56によって上方へ変位自在に支持されているた
め、ヒータ部62の下降が停止しても、ヒータ支持部5
6はさらに下降する。
Next, when the start switch is turned on, the driving of the drive cylinders 59p and 59q is controlled, so that the connection between the cassette C and the connection base 52 and the setting of the heater 62 are performed. That is, the entirety including the heater support portion 56 (heater portion 62) and the cassette support portion 55 (cassette C) is lowered together, and the one-side connectors 24 provided on the cassette C held by the cassette support portion 55 are connected. Base 52
, The lowering of the cassette support portion 55 stops. At this time, the cassette support 5
5 are connected to the heater support 56 by link shafts 71 so as to be able to move up and down within a certain stroke range. Therefore, even if the cassette support 55 stops descending, the heater support 56 is further moved. Descend. When the heater unit 62 comes into contact with the upper surface of the cassette C, the lowering of the heater unit 62 stops. At this time, since the heater portion 62 is supported by the heater support portion 56 so as to be displaceable upward, even if the lowering of the heater portion 62 is stopped, the heater support portion 5 is stopped.
6 falls further.

【0029】この後、さらにヒータ支持部56が下降す
れば、リンクシャフト71…によりカセット支持部55
が押圧され、カセット支持部55は強制的に下降せしめ
られる。この結果、カセットCに設けた一側コネクタ2
4…と接続基部52に設けた他側コネクタ53…は完全
に接続される。一方、コネクタ24…と53…同士が完
全に接続されれば、駆動シリンダ59p,59qの駆動
制御が停止する。図4は、この状態の位置関係を示す。
Thereafter, when the heater support portion 56 further descends, the cassette support portion 55 is moved by the link shafts 71.
Is pressed, and the cassette supporting portion 55 is forcibly lowered. As a result, the one-side connector 2 provided on the cassette C
And the other connectors 53 provided on the connection base 52 are completely connected. On the other hand, if the connectors 24 and 53 are completely connected, the drive control of the drive cylinders 59p and 59q is stopped. FIG. 4 shows the positional relationship in this state.

【0030】次いで、各エアバッグ13u…に、圧力エ
ア供給装置76から圧力エアAを圧入する。これによ
り、各エアバッグ13u…は、図4に実線で示すように
拡大し、被加圧面Mf…を加圧する。即ち、エアバッグ
13uによりヒータ部62の上面を加圧するとともに、
エアバッグ13mによりカセットCの下面と接続基部5
2の上面を加圧し、さらに、エアバッグ13dにより接
続基部52の下面を加圧する。この場合、各エアバッグ
13u…の圧力は、不図示の圧力センサから検出される
圧力検出値に基づいて、予め設定した圧力設定値になる
ように制御することができる。
Next, pressurized air A is press-fitted into each of the airbags 13u from the pressurized air supply device 76. Thereby, each airbag 13u ... expands as shown by the solid line in FIG. 4, and presses the to-be-pressed surface Mf .... That is, while the upper surface of the heater section 62 is pressurized by the airbag 13u,
The lower surface of the cassette C and the connection base 5 are formed by the airbag 13m.
2 is pressed, and the lower surface of the connection base 52 is further pressed by the airbag 13d. In this case, the pressure of each of the airbags 13u can be controlled based on a pressure detection value detected from a pressure sensor (not shown) so as to be a preset pressure set value.

【0031】以上により、カセットCが検査装置本体2
にセットされるため、半導体ウェーハWは、ヒータ部
(メインヒータ)62とコンタクタ25に内蔵するサブ
ヒータにより、125℃に加熱される。また、不図示の
送風ファン及び換気ダクトにより、環境試験槽22内は
45℃の比較的低温に維持される。一方、半導体ウェー
ハWには、接続基部52のドライブ回路からコネクタ5
3…及び24…を介して検査用信号が付与され、予め設
定した時間だけ目的の検査が行われる。
As described above, the cassette C is moved to the inspection apparatus main body 2.
, The semiconductor wafer W is heated to 125 ° C. by the heater unit (main heater) 62 and the sub-heater built in the contactor 25. Further, the inside of the environmental test tank 22 is maintained at a relatively low temperature of 45 ° C. by a ventilation fan and a ventilation duct (not shown). On the other hand, the semiconductor wafer W is provided with the connector 5 from the drive circuit of the connection base 52.
An inspection signal is given via 3... And 24..., And the intended inspection is performed for a preset time.

【0032】検査が終了すれば、切換器75を切換える
ことにより、各エアバッグ13u…から圧力エアAを排
出し、さらに、エア配管Rp…と吸気装置70を接続し
て各エアバッグ13u…を吸気する。また、駆動シリン
ダ59p,59qが駆動制御され、ヒータ支持部56の
上昇により、ヒータ部62とカセットC…の接触が解除
されるとともに、カセット支持部55の上昇により、カ
セットCと接続基部52の接続が解除される。また、自
動吸気系接続部69により、吸気口68,68と被吸気
口31,31の接続が解除される。そして、不図示の自
動装填部により、カセットCは自動で所定の位置まで押
出されるため、作業者は手で検査装置本体2の出入口2
1から取り出すことができる。
When the inspection is completed, the pressure air A is discharged from each airbag 13u by switching the switch 75, and further, the air pipes Rp are connected to the suction device 70 to connect the airbags 13u to each other. Inhale. Further, the drive of the drive cylinders 59p and 59q is controlled, the contact between the heater section 62 and the cassettes C is released by raising the heater support section 56, and the cassette C and the connection base section 52 are raised by raising the cassette support section 55. The connection is released. Further, the connection between the intake ports 68, 68 and the intake ports 31, 31 is released by the automatic intake system connection section 69. Then, the cassette C is automatically pushed out to a predetermined position by an automatic loading unit (not shown).
1 can be taken out.

【0033】よって、このような本実施例に係る半導体
ウェーハ用検査装置1によれば、半導体ウェーハWとプ
ローブ端子P…間には、吸引手段3を用いた真空吸引に
よる内からの負圧に加えて、流体加圧手段4を用いた外
からの加圧力が付加されるため、例えば、接点数が2万
5千点を越えた場合であっても、加圧力不足を生じるこ
となく検査の信頼性を高めることができる。また、高密
度メモリ等の接点数の多い半導体ウェーハの検査にも余
裕をもって適用することができ、汎用性及び発展性を高
めることができる。
Therefore, according to the inspection apparatus 1 for a semiconductor wafer according to this embodiment, a negative pressure is applied between the semiconductor wafer W and the probe terminals P by vacuum suction using the suction means 3. In addition, since an external pressing force using the fluid pressurizing means 4 is added, for example, even when the number of contacts exceeds 25,000 points, the inspection can be performed without insufficient pressing force. Reliability can be improved. Further, the present invention can be applied to inspection of a semiconductor wafer having a large number of contacts, such as a high-density memory, with a margin, so that versatility and developability can be improved.

【0034】次に、本発明の変更実施例に係る半導体ウ
ェーハ用検査装置1について、図6〜図8を参照して説
明する。
Next, a semiconductor wafer inspection apparatus 1 according to a modified embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0035】図6に示す半導体ウェーハ用検査装置1
は、図1に示した実施例に対して、圧力流体として、圧
力エアAの代わりに圧力液体Lを用いた点、ヒータ部6
2を排除し、このヒータ部62の代わりに加熱した圧力
液体Lを用いた点が異なる。したがって、図6に示す半
導体ウェーハ用検査装置1では、圧力液体Lを圧入する
液体バッグ13u,13m,13dを備え、このうち、
液体バッグ13uはヒータ部を兼用し、液体バッグ13
uの下面はアダプタ62dの上面に直接当接する。ま
た、液体バッグ13uに圧力液体Lを圧入する圧液供給
装置81及び圧力液体Lを加熱する加熱装置(温度制御
装置)82を備えるとともに、液体バッグ13m,13
dに非加熱の圧力液体Lを圧入する圧液供給装置83を
備える。よって、この場合も、図1に示した実施例と同
様、半導体ウェーハWとプローブ端子P…間には、圧液
供給装置81,83を用いた外からの加圧力を付加する
ことができる。なお、図6において、図4と同一部分に
は、同一符号を付し、その構成を明確にするとともに、
その詳細な説明は省略する。
An inspection apparatus 1 for a semiconductor wafer shown in FIG.
Is different from the embodiment shown in FIG. 1 in that a pressure liquid L is used instead of the pressure air A as a pressure fluid.
2 in that a heated pressure liquid L is used instead of the heater section 62. Therefore, the semiconductor wafer inspection apparatus 1 shown in FIG. 6 includes the liquid bags 13u, 13m, and 13d into which the pressurized liquid L is injected.
The liquid bag 13u also serves as a heater, and the liquid bag 13u
The lower surface of u directly contacts the upper surface of the adapter 62d. In addition, a pressure liquid supply device 81 that presses the pressure liquid L into the liquid bag 13u and a heating device (temperature control device) 82 that heats the pressure liquid L are provided.
A pressure liquid supply device 83 for press-fitting the unheated pressure liquid L into d. Therefore, in this case, similarly to the embodiment shown in FIG. 1, an external pressure using the pressure liquid supply devices 81 and 83 can be applied between the semiconductor wafer W and the probe terminals P. In FIG. 6, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the configuration is clarified.
Detailed description is omitted.

【0036】一方、図7に示す半導体ウェーハ用検査装
置1は、被加圧部Mbを収容する密閉チャンバ14を備
えるとともに、特に、カセットCの全部を収容する密閉
チャンバ14を設けたものである。この場合、被加圧部
Mbは、ヒータ部62を含むカセットCとなる。これに
より、圧力エア供給装置76から密閉チャンバ14の内
部に圧力エアAを供給すれば、図1に示した実施例と同
様、半導体ウェーハWとプローブ端子P…間には、圧力
エア供給装置76を用いた外からの加圧力を付加するこ
とができる。なお、図7において、図1及び図2と同一
部分には、同一符号を付し、その構成を明確にするとと
もに詳細な説明は省略する。
On the other hand, the semiconductor wafer inspection apparatus 1 shown in FIG. 7 has a closed chamber 14 for accommodating the pressurized portion Mb and, in particular, a closed chamber 14 for accommodating the entire cassette C. . In this case, the pressurized portion Mb is the cassette C including the heater portion 62. Thus, if the pressure air A is supplied from the pressure air supply device 76 to the inside of the closed chamber 14, the pressure air supply device 76 is provided between the semiconductor wafer W and the probe terminals P, as in the embodiment shown in FIG. An external pressing force can be applied by using. In FIG. 7, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, to clarify the configuration and omit detailed description.

【0037】さらに、図8に示す半導体ウェーハ用検査
装置1は、被加圧部Mcを収容する密閉チャンバ14を
備えるも、密閉チャンバ14をチャンバ分割体14u,
14dの組合わせにより構成し、カセットCの一部を収
容するようにしたものである。この場合、被加圧部Mc
は、ヒータ部62を含み、かつ一側コネクタ24を除く
カセットCとなる。これにより、圧力エア供給装置76
から密閉チャンバ14の内部に圧力エアAを供給すれ
ば、図7の実施例と同様、半導体ウェーハWとプローブ
端子P…間には、圧力エア供給装置76を用いた外から
の加圧力を付加することができる。また、84はシーリ
ング部材を示す。なお、図8において、図7と同一部分
には、同一符号を付し、その構成を明確にした。
Further, the semiconductor wafer inspection apparatus 1 shown in FIG. 8 includes a closed chamber 14 for accommodating the pressurized portion Mc.
14d to accommodate a part of the cassette C. In this case, the pressurized portion Mc
Is a cassette C including the heater section 62 and excluding the one-side connector 24. Thereby, the compressed air supply device 76
When the pressurized air A is supplied to the inside of the sealed chamber 14 from the outside, a pressurized external pressure using the pressurized air supply device 76 is applied between the semiconductor wafer W and the probe terminals P, as in the embodiment of FIG. can do. Reference numeral 84 denotes a sealing member. In FIG. 8, the same parts as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and the configuration is clarified.

【0038】このような変更実施例によっても、図1に
示した実施例と同様、半導体ウェーハWとプローブ端子
P…間には、吸引手段3を用いた真空吸引による内から
の負圧に加えて、流体加圧手段4を用いた外からの加圧
力が付加されるため、加圧力不足を生じることなく検査
の信頼性を高めることができるとともに、高密度メモリ
等の接点数の多い半導体ウェーハの検査にも余裕をもっ
て適用することができる。
According to this modified embodiment, similarly to the embodiment shown in FIG. 1, a vacuum is applied between the semiconductor wafer W and the probe terminals P. Since the external pressing force using the fluid pressurizing means 4 is applied, the reliability of the inspection can be improved without insufficient pressing force, and the semiconductor wafer having a large number of contacts such as a high-density memory can be obtained. Can be applied with margin.

【0039】以上、実施例について詳細に説明したが、
本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、
細部の構成,形状,素材,数量,数値等において、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更,追加,削除で
きる。
The embodiment has been described in detail above.
The present invention is not limited to such an embodiment,
The configuration, shape, material, quantity, numerical value, and the like of the details can be arbitrarily changed, added, or deleted without departing from the spirit of the present invention.

【0040】[0040]

【発明の効果】このように本発明に係る半導体ウェーハ
用検査装置は、検査装置本体に収容したカセットに保持
された半導体ウェーハとプローブ端子を負圧により吸引
する吸引手段に加えて、半導体ウェーハとプローブ端子
を圧力流体により加圧する流体加圧手段を設けたため、
次のような顕著な効果を奏する。
As described above, the inspection apparatus for semiconductor wafers according to the present invention includes a semiconductor wafer held in a cassette housed in the inspection apparatus main body and suction means for sucking probe terminals by negative pressure. Fluid pressurizing means for pressurizing the probe terminal with pressure fluid is provided,
It has the following remarkable effects.

【0041】(1) 半導体ウェーハとプローブ端子間
には、吸引手段を用いた真空吸引による内からの負圧に
加えて、エア加圧手段を用いた外からの加圧力が付加さ
れるため、例えば、接点数が2万5千点を越えた場合で
あっても、加圧力不足を生じることなく検査の信頼性を
高めることができる。
(1) Between the semiconductor wafer and the probe terminals, in addition to an internal negative pressure caused by vacuum suction using suction means, and an external pressure applied using air pressurization means, For example, even when the number of contacts exceeds 25,000 points, the reliability of the inspection can be improved without insufficient pressure.

【0042】(2) 高密度メモリ等の接点数の多い半
導体ウェーハの検査にも余裕をもって適用することがで
き、汎用性及び発展性を高めることができる。
(2) The present invention can be applied to inspection of a semiconductor wafer having a large number of contacts, such as a high-density memory, with a margin, and versatility and developability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好適な実施例に係る半導体ウェーハ用
検査装置の内部構造の一部を含む構成図、
FIG. 1 is a configuration diagram including a part of an internal structure of a semiconductor wafer inspection apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

【図2】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す
一部断面正面構成図(図3中X−X線断面)、
FIG. 2 is a partial cross-sectional front view showing the internal structure of the semiconductor wafer inspection apparatus (cross section taken along line XX in FIG. 3);

【図3】同半導体ウェーハ用検査装置の内部構造を示す
一部断面平面構成図、
FIG. 3 is a partial sectional plan view showing the internal structure of the semiconductor wafer inspection apparatus;

【図4】同半導体ウェーハ用検査装置の検査装置本体に
カセットをセットした状態を示す一部断面正面構成図、
FIG. 4 is a partial cross-sectional front view showing a state where a cassette is set in an inspection apparatus main body of the semiconductor wafer inspection apparatus;

【図5】同半導体ウェーハ用検査装置の外観正面図、FIG. 5 is an external front view of the semiconductor wafer inspection apparatus.

【図6】本発明の変更実施例に係る半導体ウェーハ用検
査装置の内部構造の一部を含む構成図、
FIG. 6 is a configuration diagram including a part of an internal structure of a semiconductor wafer inspection apparatus according to a modified embodiment of the present invention;

【図7】本発明の他の変更実施例に係る半導体ウェーハ
用検査装置の一部を示す模式的構成図、
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a part of a semiconductor wafer inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention;

【図8】本発明の他の変更実施例に係る半導体ウェーハ
用検査装置の一部を示す模式的構成図、
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a part of a semiconductor wafer inspection apparatus according to another modified embodiment of the present invention;

【図9】本発明の好適な実施例(変更実施例)に係る半
導体ウェーハ用検査装置に用いるカセットの一部断面正
面図、
FIG. 9 is a partial cross-sectional front view of a cassette used in a semiconductor wafer inspection apparatus according to a preferred embodiment (modified embodiment) of the present invention;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウェーハ用検査装置 2 検査装置本体 3 吸引手段 4 流体加圧手段 11 規制フレーム機構 12u 規制盤 12d 規制盤 13… 流体バッグ(エアバッグ,液体バッグ) 14 密閉チャンバ 14u チャンバ分割体 14d チャンバ分割体 W 半導体ウェーハ We… 半導体ウェーハ上の電極 P… プローブ端子 C カセット A 圧力エア(圧力流体) L 圧力液体(圧力流体) S… 隙間 Mf… 被加圧面 Mb 被加圧部 Mc 被加圧部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection apparatus for semiconductor wafers 2 Inspection apparatus main body 3 Suction means 4 Fluid pressurization means 11 Regulation frame mechanism 12u Regulation board 12d Regulation board 13 ... Fluid bag (airbag, liquid bag) 14 Closed chamber 14u Chamber divided body 14d Chamber divided body W Semiconductor wafer We ... Electrode on semiconductor wafer P ... Probe terminal C Cassette A Pressure air (pressure fluid) L Pressure liquid (pressure fluid) S ... Gap Mf ... Pressurized surface Mb Pressurized portion Mc Pressurized portion

フロントページの続き (72)発明者 中村 由美夫 長野県須坂市大字幸高246番地 オリオン 機械株式会社内 (72)発明者 江澤 克和 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目3番1 号 松下通信工業株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA10 AD09 AG04 AG08 AG12 AH05 2G032 AE03 AE11 AF04 AL03 4M106 AA01 BA01 BA14 DD06 DD10 DD30 DJ02 Continued on the front page (72) Inventor Yumio Nakamura 246 Koyuki, Oaza, Suzaka City, Nagano Prefecture Inside Orion Machinery Co., Ltd. (72) Inventor Katsukazu Ezawa 4-3-1 Tsunashima Higashi, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture F-term (reference) in Communication Industry Co., Ltd. 2G003 AA10 AD09 AG04 AG08 AG12 AH05 2G032 AE03 AE11 AF04 AL03 4M106 AA01 BA01 BA14 DD06 DD10 DD30 DJ02

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハを保持し、かつ半導体ウ
ェーハ上の電極に一括してプローブ端子を接触させるカ
セットと、このカセットを収容し、かつ前記プローブ端
子に接続して前記半導体ウェーハの検査を行う検査装置
本体を備える半導体ウェーハ用検査装置において、前記
検査装置本体に収容した前記カセットに保持された前記
半導体ウェーハと前記プローブ端子を負圧により吸引す
る吸引手段に加えて、前記半導体ウェーハと前記プロー
ブ端子を圧力流体により加圧する流体加圧手段を設けた
ことを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置。
1. A cassette for holding a semiconductor wafer and simultaneously contacting probe terminals with electrodes on the semiconductor wafer, and accommodating the cassette and connecting to the probe terminals to inspect the semiconductor wafer. In a semiconductor wafer inspection apparatus including an inspection apparatus main body, in addition to suction means for suctioning the semiconductor wafer and the probe terminal held by the cassette housed in the inspection apparatus main body by negative pressure, the semiconductor wafer and the probe An inspection apparatus for a semiconductor wafer, comprising a fluid pressurizing means for pressurizing a terminal with a pressurized fluid.
【請求項2】 前記流体加圧手段は、一対の規制盤間に
一又は二以上の前記カセットを収容する規制フレーム機
構と、前記カセットを収容した際に前記一対の規制盤間
に生じる隙間に介在させ、かつ圧力流体を圧入して被加
圧面を加圧する一又は二以上の流体バッグを備えること
を特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ用検査装
置。
2. The fluid pressurizing means includes: a regulating frame mechanism for accommodating one or more cassettes between a pair of regulating boards; and a gap formed between the pair of regulating boards when the cassette is accommodated. 2. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 1, further comprising one or more fluid bags interposed and pressurizing the pressurized surface by pressurizing a pressurized fluid.
【請求項3】 前記圧力流体は、圧力エア又は圧力液体
であることを特徴とする請求項2記載の半導体ウェーハ
用検査装置。
3. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 2, wherein the pressure fluid is pressure air or pressure liquid.
【請求項4】 前記流体加圧手段は、前記カセットを含
む被加圧部を収容し、かつ圧力エアを供給する密閉チャ
ンバを備えることを特徴とする請求項1記載の半導体ウ
ェーハ用検査装置。
4. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the fluid pressurizing means includes a sealed chamber that accommodates a pressurized portion including the cassette and supplies pressure air.
【請求項5】 前記密閉チャンバは、前記カセットの全
部を収容することを特徴とする請求項4記載の半導体ウ
ェーハ用検査装置。
5. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 4, wherein the closed chamber accommodates the entire cassette.
【請求項6】 前記密閉チャンバは、チャンバ分割体の
組合わせにより構成し、前記カセットの一部を収容する
ことを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ用検査
装置。
6. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 4, wherein said closed chamber is constituted by a combination of chamber divided bodies and accommodates a part of said cassette.
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