JP2002118336A - Wiring board and its manufacturing method - Google Patents

Wiring board and its manufacturing method

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JP2002118336A
JP2002118336A JP2000311722A JP2000311722A JP2002118336A JP 2002118336 A JP2002118336 A JP 2002118336A JP 2000311722 A JP2000311722 A JP 2000311722A JP 2000311722 A JP2000311722 A JP 2000311722A JP 2002118336 A JP2002118336 A JP 2002118336A
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JP
Japan
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conductive layer
wiring
layer
copper
wiring board
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JP2000311722A
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Japanese (ja)
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Satoshi Chinda
聡 珍田
Katsumi Suzuki
勝美 鈴木
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the flatness of the wiring surface of a wiring board having a fine wiring pattern. SOLUTION: The wiring board comprises an insulating board and wirings composed of a first conductive layer (base metal layer) on the surface of the insulating board and a second conductive layer (metal plating layer) on the first conductive layer. The second conductive layer of the wiring board is insoluble to an etching solution for dissolving the first conductive layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板及びその
製造方法に関し、特に、小型の半導体チップを搭載する
配線間隔(ピッチ)が狭い配線基板に適用して有効な技
術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board and a method of manufacturing the same, and more particularly to a technique effective when applied to a wiring board having a small wiring interval (pitch) for mounting a small semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置等に用いられる、半導
体チップを搭載する配線基板は、図6(a)及び図6
(b)に示すように、例えば、ポリイミドテープ等の絶
縁性基板1上に、銅(Cu)等の金属配線2が形成され
ている。前記配線基板上の配線2は、一般に、前記絶縁
性基板1上に銅箔を接着し、前記銅箔上にフォトレジス
トを塗布して配線パターンに対応したレジスト膜を形成
した後、前記レジスト膜をマスクとして前記銅箔をエッ
チングして形成される。このとき、前記レジスト膜は配
線2として残す部分に形成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a wiring board on which a semiconductor chip is mounted, which is used for a semiconductor device or the like, is shown in FIGS.
As shown in (b), for example, a metal wiring 2 such as copper (Cu) is formed on an insulating substrate 1 such as a polyimide tape. The wiring 2 on the wiring board is generally formed by bonding a copper foil on the insulating substrate 1, applying a photoresist on the copper foil to form a resist film corresponding to a wiring pattern, and then forming the resist film on the wiring board. It is formed by etching the copper foil using as a mask. At this time, the resist film is formed in a portion to be left as the wiring 2.

【0003】前記半導体装置に用いられる半導体チップ
は小型化、高機能化が進み、前記半導体チップを搭載す
る配線基板上の配線2が密になり、配線2間の間隔(ピ
ッチ)も次第に狭くなってきている。前記フォトレジス
トによるレジスト膜をマスクとして銅箔の不要な部分を
エッチング除去する方法では、配線間隔が狭くなるとエ
ッチングの精度が落ちて、エッチング残りなどの不良が
発生しやすいため、配線間隔は40μm程度までが限界
であるとされている。そのため、さらに配線間隔を狭く
するために、アディティブめっき法を用いて、図6
(c)に示すように、下地金属層205である銅箔上に
銅めっき202が設けられた配線2を形成する方法が利
用される。
[0003] The semiconductor chips used in the semiconductor device have been reduced in size and function, and the wirings 2 on a wiring board on which the semiconductor chips are mounted have become denser, and the spacing (pitch) between the wirings 2 has also gradually decreased. Is coming. In the method of etching and removing unnecessary portions of the copper foil using the resist film of the photoresist as a mask, the accuracy of etching is reduced when the wiring interval is narrow, and defects such as residual etching are likely to occur. Therefore, the wiring interval is about 40 μm. Is said to be the limit. For this reason, in order to further reduce the wiring interval, the additive plating method is used, as shown in FIG.
As shown in (c), a method of forming the wiring 2 in which the copper plating 202 is provided on the copper foil as the base metal layer 205 is used.

【0004】前記アディティブめっき法を用いた配線基
板の製造方法は、前記ポリイミド等の絶縁性基板1上
に、下地金属層として、例えば、厚さ3μm程度の薄い
銅箔205’を接着し、前記銅箔205’上に、フォト
レジストを塗布し、露光、現像して、レジスト膜5を形
成するが、このときのレジスト膜5は配線2を形成する
部分が開口されるように、言い換えると、配線間を分離
するために前記銅箔205’を除去する部分に形成され
る。その後、前記レジスト膜5をマスクとして、図7
(a)に示すように、例えば、電気銅めっき法により、
レジスト膜5の開口部、すなわち配線形成部分に銅めっ
きを施して金属めっき層 (銅めっき層)202を形成
する。前記銅めっき層202を形成した後、図7(b)
に示すように、前記レジスト膜5を除去して、下地金属
層(銅箔)205’をエッチングすることにより、図6
(c)に示したような配線2が形成される。このとき、
配線形成部分に形成された前記銅めっき層202がエッ
チングマスクの代わりになる。またこのとき、配線同士
を分離するためには、下地の薄い銅箔205’をエッチ
ングするだけでよいので、配線間隔が狭い配線パターン
の場合でも不要部分を確実に除去することができる。
In a method of manufacturing a wiring board using the additive plating method, a thin copper foil 205 'having a thickness of, for example, about 3 μm is adhered as a base metal layer on an insulating substrate 1 such as the polyimide. On the copper foil 205 ′, a photoresist is applied, exposed, and developed to form a resist film 5. At this time, the resist film 5 is formed such that a portion where the wiring 2 is formed is opened, in other words, It is formed at a portion where the copper foil 205 'is removed in order to separate wirings. Then, using the resist film 5 as a mask, FIG.
As shown in (a), for example, by an electrolytic copper plating method,
A metal plating layer (copper plating layer) 202 is formed by applying copper plating to the opening of the resist film 5, that is, the wiring forming portion. After the formation of the copper plating layer 202, FIG.
As shown in FIG. 6, by removing the resist film 5 and etching the underlying metal layer (copper foil) 205 ',
The wiring 2 as shown in (c) is formed. At this time,
The copper plating layer 202 formed in the wiring forming portion serves as an etching mask. Further, at this time, in order to separate the wirings, it is only necessary to etch the thin copper foil 205 'as the base, so that even in the case of a wiring pattern with a narrow wiring interval, unnecessary portions can be surely removed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のアディティブめっき法を用いた配線形成方法では、
図7(b)に示したように、前記下地金属層(銅箔)2
05’上に形成された金属めっき層(銅めっき層)20
2がエッチングマスクの代わりになるため、前記銅箔2
05’をエッチングする際に、前記銅めっき層202の
表面もエッチングされてしまう。そのため図7(c)に
示したように、前記銅めっき層202の角(エッジ)2
02Aが丸くなったりし、配線表面の平坦性が悪くな
る。前記銅めっき層は、半導体装置の外部電極との接続
にも使用するため、エッジが丸くなったり平坦性が悪く
なったりすると、半導体チップを搭載したときに、前記
半導体チップの外部電極との接続信頼性が低下するとい
う問題があった。
However, in the conventional wiring forming method using the additive plating method,
As shown in FIG. 7B, the base metal layer (copper foil) 2
Metal plating layer (copper plating layer) 20 formed on 05 ′
2 replaces the etching mask, the copper foil 2
When etching 05 ′, the surface of the copper plating layer 202 is also etched. Therefore, as shown in FIG. 7C, a corner (edge) 2 of the copper plating layer 202 is formed.
02A may be rounded and the flatness of the wiring surface may be poor. Since the copper plating layer is also used for connection with an external electrode of a semiconductor device, if the edge is rounded or flatness deteriorates, when the semiconductor chip is mounted, the connection with the external electrode of the semiconductor chip is made. There has been a problem that reliability is reduced.

【0006】また、前記銅めっき層202の表面がエッ
チングされるのを防ぐために、前記銅めっき層202を
形成した後、例えば、金(Au)めっき層206を形成
してから前記レジスト膜5を除去し、図7(d)に示す
ように、前記金めっき層206がマスクとなるようにし
て銅箔205’をエッチングする方法があるが、この場
合には、金を使用するため材料費が増加してしまう。ま
た、金めっきを施す工程が増え、製造時間が長くなるの
で、配線基板の製造コストが増大してしまうという問題
があった。
Further, in order to prevent the surface of the copper plating layer 202 from being etched, after the copper plating layer 202 is formed, for example, a gold (Au) plating layer 206 is formed and then the resist film 5 is removed. As shown in FIG. 7 (d), there is a method of etching the copper foil 205 ′ so that the gold plating layer 206 serves as a mask, but in this case, the material cost is increased because gold is used. Will increase. In addition, there is a problem that the manufacturing cost of the wiring board increases because the number of steps for applying the gold plating increases and the manufacturing time increases.

【0007】本発明の目的は、微細配線パターンを有す
る配線基板の、配線表面の平坦性をよくすることが可能
な技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the flatness of the wiring surface of a wiring board having a fine wiring pattern.

【0008】本発明の他の目的は、配線表面の平坦性が
よい配線基板を安価で効率良く製造することが可能な技
術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently and inexpensively manufacturing a wiring substrate having good wiring surface flatness.

【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明ら
かになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
The summary of the invention disclosed in the present invention is as follows.

【0011】(1)絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表
面に設けられた第1導電層(下地金属層)及びその上に
設けられた第2導電層(金属めっき層)からなる配線と
を有する配線基板において、前記第1導電層が溶解する
エッチング溶液に対して、前記第2導電層が不溶性もし
くは難溶性である配線基板である。
(1) Wiring comprising an insulating substrate, a first conductive layer (base metal layer) provided on the surface of the insulating substrate, and a second conductive layer (metal plating layer) provided thereon. Wherein the second conductive layer is insoluble or hardly soluble in an etching solution in which the first conductive layer dissolves.

【0012】前記(1)の手段によれば、前記第1導電
層(下地金属層)をエッチングする際に使用するエッチ
ング溶液に対して、前記第2導電層(金属めっき層)が
ほとんど溶けないため、前記金属めっき層の表面の平坦
性がよい配線を有する配線基板を得られる。このとき、
前記下地金属層には、従来の銅(Cu)の代わりに、錫
(Sn)、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)等が用
いられる。またこのとき、前記金属めっき層には、前記
錫(Sn)、アルミニウム(Al)等を溶解させるエッ
チング溶液に対して不溶性もしくは難溶性である金属と
して、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、銀(Ag)、金
(Au)、鉛(Pb)、ロジウム(Rh)、白金(P
t)、錫(Sn)等が用いられる。ただし、前記下地金
属層に錫を用いた場合には、前記金属めっき層には錫以
外の金属が用いられる。また、前記下地金属層として、
従来のように銅を用いる場合には、前記金属めっき層に
は、銅のエッチング溶液であるアンモニア溶液等の酸性
溶液で溶解しない金属として、例えば金が用いられる。
According to the means (1), the second conductive layer (metal plating layer) hardly dissolves in an etching solution used for etching the first conductive layer (base metal layer). Therefore, a wiring board having a wiring with good flatness on the surface of the metal plating layer can be obtained. At this time,
For the base metal layer, tin (Sn), aluminum (Al), zinc (Zn), or the like is used instead of conventional copper (Cu). At this time, the metal plating layer includes copper (Cu), nickel (Ni), and silver as metals insoluble or hardly soluble in an etching solution for dissolving tin (Sn), aluminum (Al), and the like. (Ag), gold (Au), lead (Pb), rhodium (Rh), platinum (P
t), tin (Sn) or the like is used. However, when tin is used for the base metal layer, a metal other than tin is used for the metal plating layer. Further, as the base metal layer,
When copper is used as in the prior art, gold is used for the metal plating layer as a metal that does not dissolve in an acidic solution such as an ammonia solution which is a copper etching solution.

【0013】(2)絶縁性基板の表面に第1導電層(下
地金属層)を形成する工程と、前記第1導電層上に、配
線パターンに対応したレジスト膜を形成する工程と、前
記レジスト膜をマスクとして、前記第1導電層上に前記
第1導電層を溶解するエッチング溶液に対して不溶性も
しくは難溶性である第2導電層(金属めっき層)を形成
する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記第
2導電層をマスクとして、前記第1導電層を溶解させて
配線を形成する工程とを備える配線基板の製造方法であ
る。
(2) forming a first conductive layer (base metal layer) on the surface of the insulating substrate; forming a resist film corresponding to a wiring pattern on the first conductive layer; Forming a second conductive layer (metal plating layer) that is insoluble or hardly soluble in an etching solution for dissolving the first conductive layer on the first conductive layer using the film as a mask; A method for manufacturing a wiring board, comprising: a step of removing; and a step of forming a wiring by dissolving the first conductive layer using the second conductive layer as a mask.

【0014】前記(2)の手段によれば、前記第2導電
層をマスクとして前記第1導電層をエッチングして配線
を形成する際に、前記第2導電層は前記第1導電層のエ
ッチング溶液に対してほとんど溶けないため、前記第2
導電層溶けて角(エッジ)が丸くなったり、表面の平坦
性が悪くなることを防げる。そのため、例えば、前記配
線と半導体チップの外部電極とを接続する際の接続不良
を低減することができる。
According to the means (2), when forming the wiring by etching the first conductive layer using the second conductive layer as a mask, the second conductive layer is etched by the first conductive layer. Since it hardly dissolves in the solution, the second
It can prevent the corners (edges) from being rounded due to melting of the conductive layer and the surface flatness from being deteriorated. Therefore, for example, a connection failure when connecting the wiring and the external electrode of the semiconductor chip can be reduced.

【0015】また、前記(2)の手段では、前記下地金
属層と金属めっき層の組み合わせとして、種々の金属、
あるいは合金等の組み合わせが考えられるが、前記第1
導電層を形成する工程として、錫(Sn)箔、アルミニ
ウム(Al)箔、亜鉛(Zn)箔、及び銅(Cu)のい
ずれか1 つの金属箔を前記絶縁性基板の表面に接着し、
前記第2導電層を形成する工程として、銅(Cu)、ニ
ッケル(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉛(P
b)、ロジウム(Rh)、白金(Pt)、錫(Sn)の
いずれかの金属めっきを形成することにより、従来の配
線基板の製造に用いている材料及び製造装置を利用して
配線基板を製造することができる。また、前記下地金属
層として、従来のように銅を用いる場合には、前記金属
めっき層として、銅のエッチング溶液であるアンモニア
溶液等の酸性溶液で溶解しない金めっきを形成する方法
が挙げられる。材料費の増加、製造工程の増加による製
造コストの増大を防げる。そのため、微細配線パターン
を有し、かつ配線表面の平坦性がよい配線基板を安価で
容易に製造することができる。
In the means (2), various kinds of metals, such as a combination of the base metal layer and the metal plating layer, may be used.
Alternatively, a combination of alloys and the like can be considered.
As a step of forming a conductive layer, one of tin (Sn) foil, aluminum (Al) foil, zinc (Zn) foil, and copper (Cu) is bonded to the surface of the insulating substrate;
As a step of forming the second conductive layer, copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), lead (P
b), by forming any metal plating of rhodium (Rh), platinum (Pt), and tin (Sn), a wiring board can be formed by using a material and a manufacturing apparatus used in a conventional wiring board. Can be manufactured. Further, when copper is used as the base metal layer as in the related art, a method of forming gold plating that is not dissolved by an acidic solution such as an ammonia solution as a copper etching solution may be used as the metal plating layer. An increase in manufacturing costs due to an increase in material costs and an increase in manufacturing processes can be prevented. Therefore, a wiring substrate having a fine wiring pattern and good wiring surface flatness can be easily manufactured at low cost.

【0016】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail together with embodiments (examples) with reference to the drawings.

【0017】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰
り返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and their repeated explanation is omitted.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】(実施例1)図1は、本発明によ
る実施例1の配線基板の概略構成を示す模式図であり、
図1(a)は配線基板全体の模式平面図、図1(b)は
図1(a)の部分拡大図、図1(c)は図1(b)のA
−A’線での断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a wiring board according to Embodiment 1 of the present invention.
1A is a schematic plan view of the entire wiring board, FIG. 1B is a partially enlarged view of FIG. 1A, and FIG. 1C is A in FIG. 1B.
It is sectional drawing in the -A 'line.

【0019】図1において、1は絶縁性基板、2は配
線、201は第1導電層(下地金属層)、202は第2
導電層(金属めっき層)、3は半導体チップ搭載領域で
ある。
In FIG. 1, 1 is an insulating substrate, 2 is a wiring, 201 is a first conductive layer (base metal layer), and 202 is a second conductive layer.
The conductive layer (metal plating layer) 3 is a semiconductor chip mounting area.

【0020】本実施例1の配線基板は、図1(a)、図
1(b)に示すように、例えば、ポリイミドテープのよ
うな絶縁性基板1と、前記絶縁性基板1の表面に形成さ
れた配線2とにより構成され、前記配線2の一端は、半
導体チップ搭載領域3に延在している。
As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), a wiring board according to the first embodiment is formed on an insulating substrate 1 such as a polyimide tape and a surface of the insulating substrate 1. And one end of the wiring 2 extends to the semiconductor chip mounting area 3.

【0021】また、前記配線2は、図1(c)に示すよ
うに、前記絶縁性基板1上に、第1導電層201及び第
2導電層202が順次積層された構成になっている。こ
のとき、前記第2導電層202には、前記第1導電層2
01を溶解するエッチング溶液に対して不溶性もしくは
難溶性を示す金属材料が用いられる。本実施例1の配線
基板では、前記第1導電層201として錫(Sn)を用
いる。前記第1導電層201として用いる錫のエッチン
グ溶液は、例えば、水酸化カリウム(KOH)の10%
水溶液などであるため、前記第2導電層202には、前
記水酸化カリウム水溶液にほとんど溶けない銅(Cu)
を用いる。
As shown in FIG. 1C, the wiring 2 has a structure in which a first conductive layer 201 and a second conductive layer 202 are sequentially laminated on the insulating substrate 1. At this time, the second conductive layer 202 has the first conductive layer 2
A metal material that is insoluble or hardly soluble in an etching solution for dissolving 01 is used. In the wiring board according to the first embodiment, tin (Sn) is used as the first conductive layer 201. An etching solution of tin used as the first conductive layer 201 is, for example, 10% of potassium hydroxide (KOH).
Since the second conductive layer 202 is an aqueous solution or the like, copper (Cu) hardly soluble in the aqueous potassium hydroxide solution is provided on the second conductive layer 202.
Is used.

【0022】図2は本実施例1の配線基板の製造方法を
説明するための模式断面図であり、各工程における、図
1(b)のA−A’線に相当する断面を示している。以
下、図2に沿って、本実施例1の半導体装置の製造方法
について説明する。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment, and shows a cross section corresponding to the line AA ′ in FIG. . Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device of the first embodiment will be described with reference to FIG.

【0023】まず、図2(a)に示すように、ポリイミ
ドテープのような絶縁性基板1の表面に、配線2の下地
金属層として、例えば、3μm程度の厚さに圧延された
錫箔(Sn箔)201’を、接着剤(図示しない)を用
いて接着する。このときの絶縁性基板1は、図示はして
いないが、所定位置に、例えば、スプロケットホールや
位置決め用のピンホール、ビア孔などが形成された細長
いテープ状になっており、前記テープ状の基板内に配線
基板形成領域が複数箇所設けられている。
First, as shown in FIG. 2A, a tin foil (Sn) rolled to a thickness of, for example, about 3 μm is formed on the surface of an insulating substrate 1 such as a polyimide tape as a base metal layer of the wiring 2. The foil 201 ′ is bonded using an adhesive (not shown). At this time, the insulating substrate 1 is not shown, but is in the form of an elongated tape in which, for example, sprocket holes, positioning pin holes, and via holes are formed at predetermined positions. A plurality of wiring board formation regions are provided in the board.

【0024】次に、図2(b)に示すように、前記錫箔
201’上に、例えば、ポジ型のフォトレジスト4を塗
布し、所定の配線パターンに対応したマスクを用いて露
光、現像して、図2(c)に示すようなレジスト膜5を
形成する。このとき、前記レジスト膜5は、前記配線2
が形成されない部分に残るように形成される。
Next, as shown in FIG. 2B, for example, a positive photoresist 4 is applied on the tin foil 201 ', and is exposed and developed using a mask corresponding to a predetermined wiring pattern. Then, a resist film 5 as shown in FIG. 2C is formed. At this time, the resist film 5 is
Are formed so as to remain in portions where no is formed.

【0025】次に、例えば、電気銅めっき法を用いて、
図2(d)に示すように、前記レジスト膜5をマスクと
して、前記錫箔201’上に、第2導電層202として
厚さ数十μmの銅めっき層を形成した後、図2(e)に
示すように、前記レジスト膜5を除去する。
Next, for example, using an electrolytic copper plating method,
As shown in FIG. 2D, a copper plating layer having a thickness of several tens μm is formed as a second conductive layer 202 on the tin foil 201 ′ using the resist film 5 as a mask. As shown in FIG. 7, the resist film 5 is removed.

【0026】その後、前記銅めっき層202をマスクと
して、例えば、水酸化カリウムの10パーセント水溶液
により、前記錫箔201’をエッチングすると、図1
(b)及び図1(c)に示したような配線2が形成され
る。このとき、前記銅めっき層202がエッチング時の
マスクとなるが、銅は水酸化カリウム水溶液に対してほ
とんど溶解しないので、錫箔201’のエッチングの際
に、前記銅めっき層202が目減りしたり、角(エッ
ジ)が丸くなり、銅めっき層202の表面の平坦性が悪
くなるのを防げる。
Then, using the copper plating layer 202 as a mask, the tin foil 201 'is etched with, for example, a 10% aqueous solution of potassium hydroxide, as shown in FIG.
The wiring 2 as shown in FIG. 1B and FIG. 1C is formed. At this time, the copper plating layer 202 serves as a mask at the time of etching, but copper hardly dissolves in an aqueous solution of potassium hydroxide, so that when the tin foil 201 ′ is etched, the copper plating layer 202 is reduced or The corners (edges) are rounded, and the flatness of the surface of the copper plating layer 202 can be prevented from being deteriorated.

【0027】以上説明したように、本実施例1によれ
ば、絶縁性基板1上に、第1導電層(下地金属層)20
1として錫箔を用い、第2導電層(金属めっき層)20
2として銅めっきを用いることにより、前記錫箔をエッ
チングする際に、前記銅めっきも一緒にエッチングされ
ることがないので、配線2の表面の平坦性が悪くなるこ
とを防げる。また、配線2の表面の平坦性がよくなるの
で、半導体チップ等を接続するときの接続信頼性が向上
する。
As described above, according to the first embodiment, the first conductive layer (base metal layer) 20 is formed on the insulating substrate 1.
1 is a tin foil, and a second conductive layer (metal plating layer) 20
By using copper plating as 2, when etching the tin foil, the copper plating is not etched at the same time, so that the flatness of the surface of the wiring 2 can be prevented from being deteriorated. Further, the flatness of the surface of the wiring 2 is improved, so that connection reliability when connecting a semiconductor chip or the like is improved.

【0028】また、本実施例1の配線基板では、下地金
属層201及び金属めっき層202として、錫(Sn)
及び銅(Cu)を用いており、下地金属の材料及びエッ
チング溶液を変えるだけで、従来のアディティブめっき
法による配線基板の製造工程と同様の工程で製造するこ
とができる。そのため、製造工程が増えることもなく、
微細配線パターンを有し、配線表面の平坦性がよい配線
基板を安価で容易に製造することができる。
In the wiring board of the first embodiment, tin (Sn) is used as the base metal layer 201 and the metal plating layer 202.
And copper (Cu), and can be manufactured in the same process as the conventional process of manufacturing a wiring substrate by the additive plating method only by changing the material of the base metal and the etching solution. Therefore, without increasing the number of manufacturing processes,
A wiring board having a fine wiring pattern and good flatness on the wiring surface can be easily manufactured at low cost.

【0029】また、本実施例1では、前記第2導電層
(金属めっき層)202として銅めっき層を形成した
が、これに限らず、例えば、ニッケル(Ni)めっき層
を形成してもよい。この場合も、ニッケルが、前記錫箔
201’のエッチング溶液である水酸化カリウム水溶液
にほとんど溶けないため、前記ニッケルめっきをマスク
として錫箔201’をエッチングすることができ、本実
施例1の配線基板と同様の効果が得られる。
In the first embodiment, a copper plating layer is formed as the second conductive layer (metal plating layer) 202. However, the present invention is not limited to this. For example, a nickel (Ni) plating layer may be formed. . Also in this case, since the nickel is hardly dissolved in the aqueous solution of potassium hydroxide, which is an etching solution for the tin foil 201 ', the tin foil 201' can be etched using the nickel plating as a mask. Similar effects can be obtained.

【0030】また、前記第1導電層として錫箔を用い、
前記第2導電層として銅めっき層またはニッケルめっき
層を用いることにより、配線表面の平坦性がよいだけで
なく、前記第1導電層と第2導電層の接続性もよいの
で、前記第2導電層の剥離などが少なく信頼性のよい配
線基板が得られる。また、前記第2導電層として銅めっ
き層を用いた場合では、配線の母体になる部分が銅であ
るので、従来の銅配線と同様に電気抵抗の低い配線を形
成することができる。
Further, a tin foil is used as the first conductive layer,
By using a copper plating layer or a nickel plating layer as the second conductive layer, not only the flatness of the wiring surface is improved, but also the connectivity between the first conductive layer and the second conductive layer is improved. A highly reliable wiring board with less peeling of layers can be obtained. In the case where a copper plating layer is used as the second conductive layer, since a base portion of the wiring is made of copper, a wiring having a low electric resistance can be formed similarly to a conventional copper wiring.

【0031】また、前記第2導電層202として、例え
ば、ニッケルめっきを用いる場合に、図2(d)に示し
たような方法でニッケルめっき層を形成した後、さらに
厚さ0.5μmから2μm程度の金めっき層を形成し
て、前記金めっき層をマスクとして前記錫箔201’を
エッチングしてもよい。この場合、配線2の表面が金め
っき層であるため、半導体チップとの接合や、実装基板
に実装する際の接続信頼性がよくなるとともに、金めっ
き層により配線表面の耐食性が向上し、前記錫箔20
1’のエッチングの際に、錫と金の電位差が大きく、錫
箔201’の選択溶解がさらに促進される。
In the case where nickel plating is used as the second conductive layer 202, for example, after a nickel plating layer is formed by a method as shown in FIG. 2D, the thickness is further reduced from 0.5 μm to 2 μm. It is also possible to form a gold plating layer to a certain extent and to etch the tin foil 201 ′ using the gold plating layer as a mask. In this case, since the surface of the wiring 2 is a gold plating layer, the connection reliability when bonding to a semiconductor chip and mounting on a mounting substrate is improved, and the corrosion resistance of the wiring surface is improved by the gold plating layer. 20
During the etching of 1 ', the potential difference between tin and gold is large, and the selective dissolution of the tin foil 201' is further promoted.

【0032】また、本実施例1の配線基板のように、第
1導電層(下地金属層)201として錫(Sn)を用い
た場合には、前記第2導電層202として、銅(C
u)、ニッケル(Ni)のに限らず、例えば、銀(A
g)、金(Au)、鉛(Pb)、ロジウム(Rh)、及
び白金(Pt)等、前記錫のエッチング溶液である水酸
化カリウム水溶液に対して不溶性もしくは難溶性を示す
金属材料を用いることができる。
When tin (Sn) is used as the first conductive layer (base metal layer) 201 as in the wiring board of the first embodiment, copper (C) is used as the second conductive layer 202.
u) and nickel (Ni), for example, silver (A
g) Use of a metal material such as gold (Au), lead (Pb), rhodium (Rh), and platinum (Pt) that is insoluble or hardly soluble in an aqueous solution of potassium hydroxide as an etching solution for tin. Can be.

【0033】(実施例2)図3は本発明による実施例2
の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図4(a)
は配線基板の部分拡大図、図3(b)は図3(a)のB
−B’線での断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 shows Embodiment 2 according to the present invention.
FIG. 4A is a schematic diagram showing a schematic configuration of the wiring board of FIG.
3B is a partially enlarged view of the wiring board, and FIG.
It is sectional drawing in the -B 'line.

【0034】図3において、1は絶縁性基板、2は配
線、202は第2導電層(金属めっき層)、203は第
1導電層(下地金属層)、204は亜鉛(Zn)結晶
層、3は半導体チップ搭載領域である。
In FIG. 3, 1 is an insulating substrate, 2 is a wiring, 202 is a second conductive layer (metal plating layer), 203 is a first conductive layer (base metal layer), 204 is a zinc (Zn) crystal layer, Reference numeral 3 denotes a semiconductor chip mounting area.

【0035】本実施例2の配線基板も、前記実施例1の
配線基板と同様で、図3(a)に示すように、例えば、
ポリイミドテープのような絶縁性基板1と、前記絶縁性
基板1の表面に形成された配線2とにより構成され、前
記配線2の一端は、半導体チップ搭載領域3に延在して
いる。
The wiring board according to the second embodiment is similar to the wiring board according to the first embodiment, and as shown in FIG.
It comprises an insulating substrate 1 such as a polyimide tape and wiring 2 formed on the surface of the insulating substrate 1, and one end of the wiring 2 extends to the semiconductor chip mounting area 3.

【0036】また、本実施例2の配線基板の前記配線2
では、図3(b)に示すように、前記絶縁性基板1上の
第1導電層(下地金属層)203として、アルミニウム
(Al)を用いており、前記アルミニウム上に亜鉛(Z
n)結晶層204を介して第2導電層(金属めっき層)
202が積層された構成になっている。前記第1導電層
203として用いるアルミニウムのエッチング溶液は、
例えば、水酸化カリウム水溶液または水酸化ソーダ水溶
液などであるため、前記第2導電層202には、水酸化
カリウム水溶液にほとんど溶けない金属材料として、例
えば銅(Cu)を用いる。
The wiring 2 of the wiring board of the second embodiment
In this case, as shown in FIG. 3B, aluminum (Al) is used as the first conductive layer (base metal layer) 203 on the insulating substrate 1, and zinc (Z) is formed on the aluminum.
n) Second conductive layer (metal plating layer) via crystal layer 204
202 are stacked. The etching solution of aluminum used as the first conductive layer 203 is:
For example, since the second conductive layer 202 is a potassium hydroxide aqueous solution or a sodium hydroxide aqueous solution, for example, copper (Cu) is used as a metal material that is hardly soluble in the potassium hydroxide aqueous solution.

【0037】図4及び図5は、本実施例2の配線基板の
製造方法を説明するための模式断面図であり、各工程に
おける、図3(a)のA−A’線に相当する断面を示し
ている。以下、図4及び図5に沿って、本実施例1の半
導体装置の製造方法について説明する。
FIGS. 4 and 5 are schematic cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the wiring board according to the second embodiment. In each of the steps, a cross-section corresponding to the line AA ′ in FIG. Is shown. Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device of the first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0038】まず、図4(a)に示すように、ポリイミ
ドテープのような絶縁性基板1の表面に、下地金属薄層
203として、例えば、3μm程度の厚さに圧延された
アルミニウム箔(Al箔)203’を、接着剤(図示し
ない)を用いて接着する。このときの絶縁性基板1は、
図示はしないが、所定位置に、例えば、スプロケットホ
ールや位置決め用のピンホール、ビア孔などが形成され
た細長いテープ状になっており、前記テープ状の基板内
に配線基板形成領域が複数箇所設けられている。
First, as shown in FIG. 4A, an aluminum foil (Al) rolled to a thickness of, for example, about 3 μm on the surface of an insulating substrate 1 such as a polyimide tape as a thin underlayer metal layer 203. The foil 203 'is bonded using an adhesive (not shown). At this time, the insulating substrate 1
Although not shown, the tape-shaped substrate is formed in an elongated tape shape having, for example, sprocket holes, pin holes for positioning, via holes, and the like, and a plurality of wiring substrate forming regions are provided in the tape-shaped substrate. Have been.

【0039】次に、図4(b)に示すように、前記アル
ミニウム箔203’上に、例えば、ポジ型のフォトレジ
スト4を塗布し、所定の配線パターンに対応したマスク
を用いて露光、現像して、図4(c)に示すようなレジ
スト膜5を形成する。このとき、前記レジスト膜5は、
配線が形成されない部分に残るように形成される。
Next, as shown in FIG. 4B, for example, a positive type photoresist 4 is applied on the aluminum foil 203 ', and exposed and developed using a mask corresponding to a predetermined wiring pattern. Thus, a resist film 5 as shown in FIG. 4C is formed. At this time, the resist film 5
The wiring is formed so as to remain in a portion where the wiring is not formed.

【0040】次に、プラズマ洗浄やリン酸系溶液による
洗浄を行い、前記アルミニウム箔203’の表面の有機
物あるいは酸化物層等の汚染物質を除去する。その後、
アルミニウムと亜鉛(Zn)の置換処理(ジンケート処
理)を行い、図5(d)に示すように、亜鉛結晶層20
4を形成する。
Next, plasma cleaning or cleaning with a phosphoric acid solution is performed to remove contaminants such as organic substances or oxide layers on the surface of the aluminum foil 203 '. afterwards,
A substitution treatment (zincate treatment) between aluminum and zinc (Zn) is performed, and as shown in FIG.
4 is formed.

【0041】次に、例えば、電気銅めっき法を用いて、
図5(e)に示すように、前記レジスト膜5をマスクと
して前記アルミニウム箔203’上に、第2導電層(金
属めっき層)202として、例えば、厚さ数十μmの銅
めっき層を形成した後、図5(f)に示すように、前記
レジスト膜5を除去する。
Next, for example, using an electrolytic copper plating method,
As shown in FIG. 5E, a copper plating layer having a thickness of, for example, several tens μm is formed as a second conductive layer (metal plating layer) 202 on the aluminum foil 203 ′ using the resist film 5 as a mask. After that, the resist film 5 is removed as shown in FIG.

【0042】その後、前記銅めっき層202をマスクと
して、例えば、水酸化カリウム(KOH)の10パーセ
ント水溶液により、前記アルミニウム箔203’をエッ
チングすると、図3(b)及び図3(c)に示したよう
な配線2が形成される。このとき、前記銅めっき層20
2は、前記水酸化カリウム水溶液に対してほとんど解け
ないため、前記アルミニウム箔203’のエッチングに
より、前記銅めっき層202が目減りしたり、角(エッ
ジ)が丸くなり、銅めっき層202の表面の平坦性が悪
くなるのを防げる。
Then, using the copper plating layer 202 as a mask, the aluminum foil 203 'is etched with, for example, a 10% aqueous solution of potassium hydroxide (KOH), as shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c). The wiring 2 as described above is formed. At this time, the copper plating layer 20
2 hardly dissolves in the aqueous potassium hydroxide solution, so that the etching of the aluminum foil 203 ′ causes the copper plating layer 202 to be reduced or the corners (edges) to be rounded, and the surface of the copper plating layer 202 to be removed. The flatness can be prevented from being deteriorated.

【0043】以上説明したように、本実施例2によれ
ば、絶縁性基板1上に、第1導電層(下地金属層)20
3としてアルミニウム箔(Al箔)を用い、第2導電層
(金属めっき層)202として銅めっきを用いることに
より、前記アルミニウム箔をエッチングする際に、前記
銅めっき層202がエッチングされることがないので、
配線2の表面の平坦性が悪くなることを防げる。また、
配線2の表面の平坦性がよくなるので、半導体チップ等
を接続するときの接続信頼性が向上する。
As described above, according to the second embodiment, the first conductive layer (base metal layer) 20 is formed on the insulating substrate 1.
By using an aluminum foil (Al foil) as 3 and using copper plating as the second conductive layer (metal plating layer) 202, the copper plating layer 202 is not etched when etching the aluminum foil. So
The flatness of the surface of the wiring 2 can be prevented from being deteriorated. Also,
Since the flatness of the surface of the wiring 2 is improved, the connection reliability when connecting a semiconductor chip or the like is improved.

【0044】また、本実施例2の配線基板では、第1導
電層203及び第2導電層202として、アルミニウム
(Al)及び銅(Cu)を使用しているので、下地金属
の材料とエッチング溶液を変えるだけで、従来のアディ
ティブめっき法による配線基板の製造工程と同様の工程
で製造することができる。そのため、配線基板の製造に
用いる材料や製造工程が増えることもなく、微細配線パ
ターンを有し、配線表面の平坦性がよい配線基板を安価
で容易に製造することができる。
In the wiring board of the second embodiment, since the first conductive layer 203 and the second conductive layer 202 are made of aluminum (Al) and copper (Cu), the material of the underlying metal and the etching solution By simply changing the wiring pattern, the wiring board can be manufactured in the same process as the conventional manufacturing process of the wiring board by the additive plating method. Therefore, it is possible to easily and inexpensively manufacture a wiring board having a fine wiring pattern and good wiring surface flatness without increasing the materials and manufacturing steps used for manufacturing the wiring board.

【0045】また、本実施例2では、第2導電層(金属
めっき層)202として銅めっき層を形成したが、これ
に限らず、例えば、ニッケル(Ni)めっき層を形成し
てもよい。この場合も、ニッケルが、前記アルミニウム
箔203’のエッチング溶液である水酸化カリウム水溶
液にほとんど溶けないため、前記ニッケルめっきをマス
クとしてアルミニウム箔203’をエッチングすること
ができ、本実施例2の配線基板と同様の効果が得られ
る。
In the second embodiment, a copper plating layer is formed as the second conductive layer (metal plating layer) 202. However, the present invention is not limited to this. For example, a nickel (Ni) plating layer may be formed. Also in this case, nickel hardly dissolves in an aqueous solution of potassium hydroxide, which is an etching solution for the aluminum foil 203 ', so that the aluminum foil 203' can be etched using the nickel plating as a mask, The same effect as the substrate can be obtained.

【0046】また、前記第1導電層としてアルミニウム
箔を用い、前記第2導電層として銅めっき層またはニッ
ケルめっき層を用いることにより、配線表面の平坦性が
よいだけでなく、前記第1導電層と第2導電層の接続性
もよいので、前記第2導電層の剥離などが少なく信頼性
のよい配線基板が得られる。また、前記第2導電層とし
て銅めっき層を用いた場合では、配線の母体になる部分
が銅であるので、従来の銅配線と同様に電気抵抗の低い
配線を形成することができる。
Further, by using an aluminum foil as the first conductive layer and using a copper plating layer or a nickel plating layer as the second conductive layer, not only is the wiring surface flat, but also the first conductive layer Since the connection between the second conductive layer and the second conductive layer is also good, a highly reliable wiring board with little peeling of the second conductive layer can be obtained. In the case where a copper plating layer is used as the second conductive layer, since a base portion of the wiring is made of copper, a wiring having a low electric resistance can be formed similarly to a conventional copper wiring.

【0047】また、前記第2導電層202として、例え
ば、ニッケルめっきを用いる場合に、図5(e)に示し
たような方法でニッケルめっき層を形成した後、さらに
厚さ0.5μmから2μm程度の金めっき層を形成し
て、前記金めっき層をマスクとして前記アルミニウム箔
203’をエッチングしてもよい。この場合、配線2の
表面が金めっき層であるため、半導体チップとの接合
や、実装基板に実装する際の接続信頼性がよくなるとと
もに、金めっき層により配線表面の耐食性が向上し、前
記アルミニウム箔203’のエッチングの際に、アルミ
ニウムと金の電位差が大きく、アルミニウム箔203’
の選択溶解がさらに促進される。
When nickel plating is used as the second conductive layer 202, for example, after a nickel plating layer is formed by a method as shown in FIG. It is also possible to form a gold plating layer to a certain extent, and to etch the aluminum foil 203 ′ using the gold plating layer as a mask. In this case, since the surface of the wiring 2 is a gold plating layer, connection reliability when bonding to a semiconductor chip and mounting on a mounting substrate is improved, and the corrosion resistance of the wiring surface is improved by the gold plating layer, and the aluminum During the etching of the foil 203 ', the potential difference between aluminum and gold is large, and the aluminum foil 203'
Is further promoted.

【0048】また、本実施例2の配線基板のように、第
1導電層(下地金属層)203としてアルミニウム(A
l)を用いた場合には、前記第2導電層202として、
銅(Cu)、ニッケル(Ni)に限らず、例えば、銀
(Ag)、金(Au)、鉛(Pb)、ロジウム(R
h)、及び白金(Pt)等、前記アルミニウム箔のエッ
チング溶液である水酸化カリウム水溶液もしくは水酸化
ソーダ水溶液に対して不溶性もしくは難溶性を示す金属
材料を用いることができる。
Further, as in the wiring board of the second embodiment, aluminum (A) is used as the first conductive layer (base metal layer) 203.
When 1) is used, as the second conductive layer 202,
Not limited to copper (Cu) and nickel (Ni), for example, silver (Ag), gold (Au), lead (Pb), rhodium (R
h) and a metal material such as platinum (Pt) that is insoluble or hardly soluble in an aqueous solution of potassium hydroxide or an aqueous solution of sodium hydroxide, which is an etching solution for the aluminum foil.

【0049】以上、本発明を、前記実施例に基づき具体
的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることはもちろんである。
As described above, the present invention has been specifically described based on the above-described embodiment. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be variously modified without departing from the gist thereof. Of course.

【0050】例えば、前記実施例では、第1導電層(下
地金属層)として、錫(Sn)、アルミニウム(Al)
等、従来用いられている銅(Cu)以外の金属材料を用
いているが、これに限らず、前記第1導電層(下地金属
層)として銅を用い、前記第2導電層(金属めっき層)
として金を用いることもできる。この場合、前記銅のエ
ッチング溶液が、アンモニア水溶液などの酸性溶液であ
るが、金(Au)が前記酸性溶液に対して不溶性である
ため、銅箔のエッチングにより配線表面の平坦性が悪く
なるのを防げる。ただし、前記実施例で説明したよう
な、薄い銅箔上に金めっき層を形成すると、使用する金
(Au)の量が増えて配線基板の製造コストが高くなっ
てしまうため、銅箔を厚くして金めっきの量を減らすと
いったような対策が必要になる。このとき、銅箔を厚く
すると、従来のようなエッチング不良が起こりやすいた
め、銅箔の厚さと金めっき層の厚さに関しては適宜選択
する必要がある。
For example, in the above embodiment, tin (Sn), aluminum (Al) is used as the first conductive layer (base metal layer).
Although a metal material other than copper (Cu) conventionally used is used, the present invention is not limited to this. Copper is used as the first conductive layer (base metal layer), and the second conductive layer (metal plating layer) is used. )
Can also be used as gold. In this case, the copper etching solution is an acidic solution such as an aqueous ammonia solution. However, since gold (Au) is insoluble in the acidic solution, the flatness of the wiring surface is deteriorated by the etching of the copper foil. Can be prevented. However, when a gold plating layer is formed on a thin copper foil as described in the above embodiment, the amount of gold (Au) to be used increases and the manufacturing cost of the wiring board increases, so that the copper foil is thickened. Therefore, measures such as reducing the amount of gold plating are required. At this time, if the copper foil is thickened, etching defects as in the prior art are likely to occur, so it is necessary to appropriately select the thickness of the copper foil and the thickness of the gold plating layer.

【0051】また、前記第1導電層(下地金属層)に
は、錫(Sn)、アルミニウム(Al)の他にも、例え
ば、亜鉛(Zn)なども用いることができる。またその
とき、前記第2導電層(金属めっき層)には、前記下地
金属層のエッチング溶液に対して不溶性もしくは難溶性
を示す金属材料として、例えば、銅(Cu)、ニッケル
(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉛(Pb)、ロジ
ウム(Rh)、白金(Pt)、錫(Sn)等を用いるこ
とができる。ただし、下地金属が錫の場合は、前記金属
めっき層として錫以外の金属材料を用いることは言うま
でもない。
For the first conductive layer (base metal layer), for example, zinc (Zn) can be used in addition to tin (Sn) and aluminum (Al). At this time, the second conductive layer (metal plating layer) may be made of a metal material that is insoluble or hardly soluble in an etching solution of the base metal layer, for example, copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), lead (Pb), rhodium (Rh), platinum (Pt), tin (Sn), or the like can be used. However, when the base metal is tin, it goes without saying that a metal material other than tin is used for the metal plating layer.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明において開示される発明のうち、
代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
According to the invention disclosed in the present invention,
The effect obtained by the representative one will be briefly described as follows.

【0053】(1)微細配線パターンを有する配線基板
の、配線表面の平坦性をよくすることができる。
(1) The flatness of the wiring surface of a wiring board having a fine wiring pattern can be improved.

【0054】(2)配線表面の平坦性がよい配線基板を
安価で効率良く製造することができる。
(2) It is possible to manufacture a wiring board with good flatness of the wiring surface at low cost and efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による実施例1の配線基板の概略構成を
示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本実施例1の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the wiring board of the first embodiment.

【図3】本発明による実施例2の配線基板の概略構成を
示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本実施例2の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the wiring board of the second embodiment.

【図5】本実施例2の配線基板の製造方法を説明するた
めの模式断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the wiring board of the second embodiment.

【図6】従来の配線基板の概略構成を示す模式図であ
る。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a conventional wiring board.

【図7】従来の配線基板の製造方法及び課題を説明する
ための模式断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional method for manufacturing a wiring board and problems.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性基板 2 配線 201,203,205 第1導電層(下地金属層) 201’ 錫箔 203’ アルミニウム箔 205’ 銅箔 202 第2導電層(金属めっき層、銅めっき層) 204 亜鉛結晶層 206 金めっき層 207 配線の角(エッジ) 3 半導体チップ搭載領域 4 フォトレジスト 5 レジスト膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 insulating substrate 2 wiring 201, 203, 205 first conductive layer (base metal layer) 201 ′ tin foil 203 ′ aluminum foil 205 ′ copper foil 202 second conductive layer (metal plating layer, copper plating layer) 204 zinc crystal layer 206 Gold plating layer 207 Wiring corner (edge) 3 Semiconductor chip mounting area 4 Photoresist 5 Resist film

フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA01 AA06 BB01 BB24 BB33 BB35 CC06 DD04 DD05 DD06 DD10 DD12 DD19 DD20 GG01 5E319 AA03 AC01 AC17 CD04 GG01 5E339 BD03 BD05 BD08 BD11 BE11 BE17 CD01 CE12 CE15 CG04 GG02 5E343 AA02 AA11 BB16 BB22 BB24 BB25 BB28 BB34 BB44 BB47 BB48 BB71 CC61 DD43 DD76 ER18 ER22 ER25 GG08 Continued on the front page F-term (reference) 4E351 AA01 AA06 BB01 BB24 BB33 BB35 CC06 DD04 DD05 DD06 DD10 DD12 DD19 DD20 GG01 5E319 AA03 AC01 AC17 CD04 GG01 5E339 BD03 BD05 BD08 BD11 BE11 BE17 CD01 CE12 CE15 CG04 GG02 ABB BB23 ABB BB02 BB02 ABB02A BB28 BB34 BB44 BB47 BB48 BB71 CC61 DD43 DD76 ER18 ER22 ER25 GG08

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表面に設
けられた第1導電層(下地金属層)及びその上に設けら
れた第2導電層(金属めっき層)からなる配線とを有す
る配線基板において、 前記第1導電層が溶解するエッチング溶液に対して、前
記第2導電層が不溶性もしくは難溶性であることを特徴
とする配線基板。
An insulating substrate and a wiring comprising a first conductive layer (base metal layer) provided on the surface of the insulating substrate and a second conductive layer (metal plating layer) provided thereon. The wiring substrate according to claim 1, wherein the second conductive layer is insoluble or hardly soluble in an etching solution in which the first conductive layer is dissolved.
【請求項2】前記請求項1に記載の配線基板において、 前記第1導電層は、錫(Sn)、アルミニウム(A
l)、亜鉛(Zn)、及び銅(Cu)のいずれか1つで
あることを特徴とする配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the first conductive layer is made of tin (Sn), aluminum (A).
1) A wiring board, which is one of zinc (Zn) and copper (Cu).
【請求項3】前記請求項1または2に記載の半導体装置
において、 前記第2導電層は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、銀
(Ag)、金(Au)、鉛(Pb)、ロジウム(R
h)、白金(Pt)、錫(Sn)のいずれか1つ、もし
くはその合金であることを特徴とする配線基板。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein said second conductive layer is made of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), lead (Pb), Rhodium (R
h), any one of platinum (Pt) and tin (Sn), or an alloy thereof.
【請求項4】絶縁性基板の表面に第1導電層(下地金属
層)を形成する工程と、 前記第1導電層上に、配線パターンに対応したレジスト
膜を形成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとして、前記第1導電層上に前
記第1導電層を溶解するエッチング溶液に対して不溶性
もしくは難溶性である第2導電層(金属めっき層)を形
成する工程と、 前記レジスト膜を除去する工程と、 前記第2導電層をマスクとして、前記第1導電層を溶解
させて配線を形成する工程とを備えることを特徴とする
配線基板の製造方法。
4. A step of forming a first conductive layer (base metal layer) on a surface of an insulating substrate; a step of forming a resist film corresponding to a wiring pattern on the first conductive layer; Forming a second conductive layer (metal plating layer) that is insoluble or hardly soluble in an etching solution for dissolving the first conductive layer on the first conductive layer, using the mask as a mask, and removing the resist film And forming a wiring by dissolving the first conductive layer using the second conductive layer as a mask.
【請求項5】前記請求項4に記載の配線基板の製造方法
において、 前記第1導電層を形成する工程は、錫(Sn)箔、アル
ミニウム(Al)箔、亜鉛(Zn)箔、及び銅(Cu)
箔のいずれか1つの金属箔を前記絶縁性基板の表面に接
着し、 前記第2導電層を形成する工程は、銅(Cu)、ニッケ
ル(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鉛(Pb)、ロ
ジウム(Rh)、白金(Pt)、錫(Sn)のいずれか
1つ、もしくはその合金からなる金属めっきを形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
5. The method of manufacturing a wiring board according to claim 4, wherein the step of forming the first conductive layer comprises a tin (Sn) foil, an aluminum (Al) foil, a zinc (Zn) foil, and a copper (Cu)
Bonding one of the metal foils to the surface of the insulating substrate and forming the second conductive layer includes copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au), A method of manufacturing a wiring board, comprising forming a metal plating made of any one of lead (Pb), rhodium (Rh), platinum (Pt), tin (Sn), or an alloy thereof.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014154655A (en) * 2013-02-07 2014-08-25 Toyo Aluminium Kk Electronic component mounting circuit board

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