JP2002116149A - 表面プラズモンを利用した顕微鏡システム - Google Patents
表面プラズモンを利用した顕微鏡システムInfo
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- JP2002116149A JP2002116149A JP2000309630A JP2000309630A JP2002116149A JP 2002116149 A JP2002116149 A JP 2002116149A JP 2000309630 A JP2000309630 A JP 2000309630A JP 2000309630 A JP2000309630 A JP 2000309630A JP 2002116149 A JP2002116149 A JP 2002116149A
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- JP
- Japan
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- conical
- cone
- surface plasmon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面プラズモンを局在化させる円錐プリズム
１２を使用することによって、空間分解能及び電場増強
効果を両立させ、コントラストが高く鮮明な画像が得ら
れる光学顕微鏡を提供する。 【構成】 こ顕微鏡システムは、三次元駆動する走査ス
テージに搭載された蛍光試料ｓを挟む位置関係で円錐プ
リズム１２及び対物レンズ１３が配置されている。円錐
プリズム１２は、表面プラズモンの励起角に対応する頂
角をもち、円錐側面に金属薄膜が蒸着され、円錐頂点が
前記蛍光試料を指向している。円錐底面に入射されるレ
ーザ光Ｌin（励起光）によって生じる表面プラズモンが
円錐頂点に移動し、円錐頂点で増強された電場によって
蛍光試料ｓが励起される。励起によって蛍光試料ｓから
発した蛍光信号Ｌoutは、フィルタ１５でレーザ光Ｌin
を除去した後、光検出器１７に入射される。
１２を使用することによって、空間分解能及び電場増強
効果を両立させ、コントラストが高く鮮明な画像が得ら
れる光学顕微鏡を提供する。 【構成】 こ顕微鏡システムは、三次元駆動する走査ス
テージに搭載された蛍光試料ｓを挟む位置関係で円錐プ
リズム１２及び対物レンズ１３が配置されている。円錐
プリズム１２は、表面プラズモンの励起角に対応する頂
角をもち、円錐側面に金属薄膜が蒸着され、円錐頂点が
前記蛍光試料を指向している。円錐底面に入射されるレ
ーザ光Ｌin（励起光）によって生じる表面プラズモンが
円錐頂点に移動し、円錐頂点で増強された電場によって
蛍光試料ｓが励起される。励起によって蛍光試料ｓから
発した蛍光信号Ｌoutは、フィルタ１５でレーザ光Ｌin
を除去した後、光検出器１７に入射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面プラズモンを利用
して各種物体の表面現象を観察する顕微鏡システムに関
する。
して各種物体の表面現象を観察する顕微鏡システムに関
する。
【０００２】
【従来技術及び問題点】表面プラズモンは、金属表面に
存在する電荷の疎密波で光と共鳴させることによって励
起される。金属の表面近傍（金属表面から波長程度の領
域）にある物質の屈折率で表面プラズモンの共鳴条件が
決定されることを活用すると、表面の吸収や屈折率を極
めて高感度でセンシングできる。このようなことから、
光励起による表面プラズモンは、液体，単分子薄膜，固
体表面等の屈折率や吸収率を測定するバイオセンサー，
臭いセンサーに応用されている。顕微鏡への応用も特開
平６−２６５３３６号公報，特開平５−２４０７８７号
公報等で報告されている。
存在する電荷の疎密波で光と共鳴させることによって励
起される。金属の表面近傍（金属表面から波長程度の領
域）にある物質の屈折率で表面プラズモンの共鳴条件が
決定されることを活用すると、表面の吸収や屈折率を極
めて高感度でセンシングできる。このようなことから、
光励起による表面プラズモンは、液体，単分子薄膜，固
体表面等の屈折率や吸収率を測定するバイオセンサー，
臭いセンサーに応用されている。顕微鏡への応用も特開
平６−２６５３３６号公報，特開平５−２４０７８７号
公報等で報告されている。
【０００３】光による表面プラズモンの励起には、Kret
schmann配置やOtto配置等が採用されている。Kretschma
nn配置では、高屈折率のプリズム１に金属薄膜２を蒸着
し、レーザ光３をプリズム１側から入射させる（図
１）。レーザ光３の入射角が共鳴角θRになると、反射
光４の強度が著しく低下する表面プラズモン現象が生じ
る。この励起法では、金属薄膜２の表面に均一に表面プ
ラズモンＳＰが励起され空間的に一様になるため空間分
解能をもたず、光学顕微鏡に応用することが困難であ
る。Otto配置では、最適な表面プラズモンを得るために
厳密な距離制御を必要とすることから装置構成に難点が
ある。
schmann配置やOtto配置等が採用されている。Kretschma
nn配置では、高屈折率のプリズム１に金属薄膜２を蒸着
し、レーザ光３をプリズム１側から入射させる（図
１）。レーザ光３の入射角が共鳴角θRになると、反射
光４の強度が著しく低下する表面プラズモン現象が生じ
る。この励起法では、金属薄膜２の表面に均一に表面プ
ラズモンＳＰが励起され空間的に一様になるため空間分
解能をもたず、光学顕微鏡に応用することが困難であ
る。Otto配置では、最適な表面プラズモンを得るために
厳密な距離制御を必要とすることから装置構成に難点が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の表面プラズモン
を利用した顕微鏡光学系では、表面プラズモンの伝播距
離が長すぎると像が不鮮明化し空間分解能が悪化する。
そのため、表面プラズモンの伝播距離を小さくすること
が要求されるが、結果として表面プラズモンと光波との
最適共鳴状態からのズレが生じることになる。
を利用した顕微鏡光学系では、表面プラズモンの伝播距
離が長すぎると像が不鮮明化し空間分解能が悪化する。
そのため、表面プラズモンの伝播距離を小さくすること
が要求されるが、結果として表面プラズモンと光波との
最適共鳴状態からのズレが生じることになる。
【０００５】他方、直角プリズムに代えて円錐形状のプ
リズムを用いて表面プラズモンを励起させると、プリズ
ム先端で非常に強い電場増強が得られる。円錐状プリズ
ムによる電場増強は、本発明者の調査・研究過程で見出
された現象であるが、次のメカニズムによって生じるも
のと考えられる。円錐状プリズムとしては、側面に入射
した光が表面プラズモンの励起角になるように円錐頂角
αが選定され、側面に一定膜厚の金属薄膜２が蒸着され
た円錐プリズム５（図２）が使用される。
リズムを用いて表面プラズモンを励起させると、プリズ
ム先端で非常に強い電場増強が得られる。円錐状プリズ
ムによる電場増強は、本発明者の調査・研究過程で見出
された現象であるが、次のメカニズムによって生じるも
のと考えられる。円錐状プリズムとしては、側面に入射
した光が表面プラズモンの励起角になるように円錐頂角
αが選定され、側面に一定膜厚の金属薄膜２が蒸着され
た円錐プリズム５（図２）が使用される。
【０００６】平面波６を円錐底面に入射すると、金属薄
膜２が蒸着されている円錐側面で表面プラズモンＳＰが
励起される。表面プラズモンＳＰは、電荷の疎密波とし
て同位相でプリズム側面を伝播し、円錐頂点（プリズム
先端）に到達する。円錐頂点では、あらゆる方向から伝
播してくる表面プラズモンＳＰが同位相で重ね合わされ
る。その結果、共鳴状態を乱すことなく表面プラズモン
ＳＰが円錐頂点に局在化し、円錐頂点で非常に強い電場
増強が得られる。
膜２が蒸着されている円錐側面で表面プラズモンＳＰが
励起される。表面プラズモンＳＰは、電荷の疎密波とし
て同位相でプリズム側面を伝播し、円錐頂点（プリズム
先端）に到達する。円錐頂点では、あらゆる方向から伝
播してくる表面プラズモンＳＰが同位相で重ね合わされ
る。その結果、共鳴状態を乱すことなく表面プラズモン
ＳＰが円錐頂点に局在化し、円錐頂点で非常に強い電場
増強が得られる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、円錐頂点で局
在化された表面プラズモンが高い空間分解能及び大きな
電場増強効果を呈することに着目し、高いコントラスト
で鮮明な画像が得られる顕微鏡システムを提供すること
を目的とする。本発明の顕微鏡システムは、その目的を
達成するため、三次元駆動する走査ステージに搭載され
た蛍光試料を挟む位置関係で円錐プリズム及び対物レン
ズが配置され、前記円錐プリズムは、表面プラズモンの
励起角に対応する頂角をもち、円錐側面に金属薄膜が蒸
着され、円錐頂点が前記蛍光試料を指向しており、円錐
底面に入射される励起光によって生じる表面プラズモン
が円錐頂点に移動し、円錐頂点で増強された電場によっ
て前記蛍光試料が励起されることを特徴とする。
在化された表面プラズモンが高い空間分解能及び大きな
電場増強効果を呈することに着目し、高いコントラスト
で鮮明な画像が得られる顕微鏡システムを提供すること
を目的とする。本発明の顕微鏡システムは、その目的を
達成するため、三次元駆動する走査ステージに搭載され
た蛍光試料を挟む位置関係で円錐プリズム及び対物レン
ズが配置され、前記円錐プリズムは、表面プラズモンの
励起角に対応する頂角をもち、円錐側面に金属薄膜が蒸
着され、円錐頂点が前記蛍光試料を指向しており、円錐
底面に入射される励起光によって生じる表面プラズモン
が円錐頂点に移動し、円錐頂点で増強された電場によっ
て前記蛍光試料が励起されることを特徴とする。
【０００８】
【実施の形態】本発明に従った顕微鏡システムは、コン
ピュータ１０からの制御信号に応じてＸ，Ｙ，Ｚの３方
向に移動可能な走査ステージ１１に搭載した蛍光試料ｓ
を挟む位置関係で円錐プリズム１２及び対物レンズ１３
を配置する（図３）。円錐プリズム１２は、表面プラズ
モンの励起角に対応する円錐頂角αをもち、Ａｕ，Ａｇ
等の金属薄膜が円錐側面に蒸着されている。
ピュータ１０からの制御信号に応じてＸ，Ｙ，Ｚの３方
向に移動可能な走査ステージ１１に搭載した蛍光試料ｓ
を挟む位置関係で円錐プリズム１２及び対物レンズ１３
を配置する（図３）。円錐プリズム１２は、表面プラズ
モンの励起角に対応する円錐頂角αをもち、Ａｕ，Ａｇ
等の金属薄膜が円錐側面に蒸着されている。
【０００９】円錐頂角αは、円錐プリズム１２の材質，
屈折率、金属薄膜の材質，膜厚，屈折率、励起光（レー
ザ光Ｌin）の波長等に応じ表面プラズモンの励起角との
関係で定められる。具体的には、表面プラズモンの励起
角θspは円錐プリズム１２の屈折率，金属薄膜の材質，
膜厚，円錐プリズム周りの屈折率によって定まる値であ
り、円錐頂角αは１８０−２θspで与えられる。
屈折率、金属薄膜の材質，膜厚，屈折率、励起光（レー
ザ光Ｌin）の波長等に応じ表面プラズモンの励起角との
関係で定められる。具体的には、表面プラズモンの励起
角θspは円錐プリズム１２の屈折率，金属薄膜の材質，
膜厚，円錐プリズム周りの屈折率によって定まる値であ
り、円錐頂角αは１８０−２θspで与えられる。
【００１０】Ａｒレーザ等の光源１４からのレーザ光Ｌ
inが円錐底面側から円錐プリズム１２に入射されると、
レーザ光Ｌinで表面プラズモンが励起される。表面プラ
ズモンは円錐プリズム１２の円錐側面に沿って同位相で
伝播し、円錐頂点で局在化した表面プラズモンとなり電
場が増強される。円錐頂点で増強された電場によって蛍
光試料ｓが励起され、蛍光信号Ｌoutが蛍光試料sから発
せられる。蛍光信号Ｌoutは、対物レンズ１３を透過
し、フィルタ１５でレーザ光Ｌin（励起光）を除去した
後、集光レンズ１６を経て光電子増倍管等の光検出器１
７に送られる。
inが円錐底面側から円錐プリズム１２に入射されると、
レーザ光Ｌinで表面プラズモンが励起される。表面プラ
ズモンは円錐プリズム１２の円錐側面に沿って同位相で
伝播し、円錐頂点で局在化した表面プラズモンとなり電
場が増強される。円錐頂点で増強された電場によって蛍
光試料ｓが励起され、蛍光信号Ｌoutが蛍光試料sから発
せられる。蛍光信号Ｌoutは、対物レンズ１３を透過
し、フィルタ１５でレーザ光Ｌin（励起光）を除去した
後、集光レンズ１６を経て光電子増倍管等の光検出器１
７に送られる。
【００１１】そこで、走査ステージ１１をＸ−Ｙ方向に
走査しながら蛍光信号Ｌoutを光検出器１７で検出する
ことにより、蛍光試料ｓの表面状態が観察される。この
方式によるとき、円錐プリズム１２の頂点で増強された
電場によって蛍光試料ｓが励起されるので、通常の励起
に比較して強い蛍光を発する。そのため、Ｓ／Ｎ比が高
く、光の利用効率も高くなる。
走査しながら蛍光信号Ｌoutを光検出器１７で検出する
ことにより、蛍光試料ｓの表面状態が観察される。この
方式によるとき、円錐プリズム１２の頂点で増強された
電場によって蛍光試料ｓが励起されるので、通常の励起
に比較して強い蛍光を発する。そのため、Ｓ／Ｎ比が高
く、光の利用効率も高くなる。
【００１２】
【実施例】多層膜構造中を伝播する場合の表面プラズモ
ンと電磁波の結合は、Maxwell方程式を解くことにより
求めることができる。多層膜中を伝播する光の挙動はす
でに解析されており、その解析結果から金属膜の膜厚，
励起波長等を最適化できる。シミュレーションには、プ
リズム（第１層），金属薄膜（第２層）、試料（第３
層）からなる３層モデルを用い、金属薄膜を最適化し
た。この多層構造中に種々の入射角で光を入射させる
と、ある入射角で金属薄膜表面に表面プラズモンが励起
され、反射光強度が大きく減少する。このときの光の入
射角が表面プラズモンの励起角θspとして求められる。
したがって、多層膜構造からの反射率を計算し、反射率
−入射角曲線を求め、反射光強度が大きく且つ鋭い吸収
ピークを示す条件を策定することにより、最適な多層膜
構造の条件を決定することができる。
ンと電磁波の結合は、Maxwell方程式を解くことにより
求めることができる。多層膜中を伝播する光の挙動はす
でに解析されており、その解析結果から金属膜の膜厚，
励起波長等を最適化できる。シミュレーションには、プ
リズム（第１層），金属薄膜（第２層）、試料（第３
層）からなる３層モデルを用い、金属薄膜を最適化し
た。この多層構造中に種々の入射角で光を入射させる
と、ある入射角で金属薄膜表面に表面プラズモンが励起
され、反射光強度が大きく減少する。このときの光の入
射角が表面プラズモンの励起角θspとして求められる。
したがって、多層膜構造からの反射率を計算し、反射率
−入射角曲線を求め、反射光強度が大きく且つ鋭い吸収
ピークを示す条件を策定することにより、最適な多層膜
構造の条件を決定することができる。
【００１３】シミュレーション結果を基に、一般的な光
学ガラス材料ＢＫ−７（屈折率１．５１５）を用いて円
錐形状のプリズムを設計した。表面プラズモンを励起す
るための金属材料としてはＡｇやＡｕが使用されるが、
Ａｇは早期に酸化劣化するため実用的な用途には適さな
い。そこで、安定な金属材料であるＡｕを薄膜材料とし
て使用した。また、試料として蛍光材料を仮定し、励起
波長をアルゴンレーザの５１４．５ｎｍとした。波長５
１４．５ｎｍの光に対するＡｕの屈折率は０．６９５０
＋１．９９４ｉである。この条件下で、Ａｕ薄膜の膜厚
を変化させて反射率−入射角曲線を求め、膜厚の最適値
及び表面プラズモンの励起角θspを策定した。その結
果、Ａｕ薄膜の膜厚は５０ｎｍ，励起角θspは４３．８
度であった。そこで、円錐プリズム１２の円錐頂角αを
９２．４度に設定した。
学ガラス材料ＢＫ−７（屈折率１．５１５）を用いて円
錐形状のプリズムを設計した。表面プラズモンを励起す
るための金属材料としてはＡｇやＡｕが使用されるが、
Ａｇは早期に酸化劣化するため実用的な用途には適さな
い。そこで、安定な金属材料であるＡｕを薄膜材料とし
て使用した。また、試料として蛍光材料を仮定し、励起
波長をアルゴンレーザの５１４．５ｎｍとした。波長５
１４．５ｎｍの光に対するＡｕの屈折率は０．６９５０
＋１．９９４ｉである。この条件下で、Ａｕ薄膜の膜厚
を変化させて反射率−入射角曲線を求め、膜厚の最適値
及び表面プラズモンの励起角θspを策定した。その結
果、Ａｕ薄膜の膜厚は５０ｎｍ，励起角θspは４３．８
度であった。そこで、円錐プリズム１２の円錐頂角αを
９２．４度に設定した。
【００１４】設計した円錐プリズム１２によって表面プ
ラズモンが励起される様子を確認した実験結果を図４に
示す。この実験では、Ａｒ+レーザからの光を直線偏光
して、円錐プリズムに入射し、その反射光を観察した。
偏光方向が水平方向の場合には図４（ａ）、上下方向の
場合には図４（ｂ）の反射光であった。円錐プリズムの
側面に入射する光のうちｐ偏光成分によってのみ表面プ
ラズモンが励起されることから、図４（ａ）では水平方
向の反射光強度が小さく、図４（ｂ）では上下方向の反
射光強度が小さくなっている。これらの結果から、設計
・試作した円錐プリズムによって表面プラズモンが励起
されていることが確認される。
ラズモンが励起される様子を確認した実験結果を図４に
示す。この実験では、Ａｒ+レーザからの光を直線偏光
して、円錐プリズムに入射し、その反射光を観察した。
偏光方向が水平方向の場合には図４（ａ）、上下方向の
場合には図４（ｂ）の反射光であった。円錐プリズムの
側面に入射する光のうちｐ偏光成分によってのみ表面プ
ラズモンが励起されることから、図４（ａ）では水平方
向の反射光強度が小さく、図４（ｂ）では上下方向の反
射光強度が小さくなっている。これらの結果から、設計
・試作した円錐プリズムによって表面プラズモンが励起
されていることが確認される。
【００１５】次いで、波長５１４．５ｎｍ，出力３０ｍ
Ｗの空冷Ａｒレーザを光源１４に使用し、ローダミンＢ
分子を分散したＰＭＭＡ薄膜を蛍光試料ｓとして使用し
た。蛍光試料ｓの一部に疵を付け、ピエゾ駆動及びモー
タ駆動の組合せにより微動及び粗動が可能な分解能５０
ｎｍの走査ステージ１１にセットした。倍率４０倍，開
口数０．６５の対物レンズ１３で試料ｓからの光を集光
し、励起光を色ガラスフィルタ１５でカットした後、光
検出器１７で検出した。図５の観察結果にみられるよう
に、薄膜試料ｓに付けた疵による蛍光物質の不均一性が
高コントラストとして検出された。この実験結果から，
試作した表面プラズモン顕微鏡が高コントラストで蛍光
試料を観察することに使用可能なことが確認された。
Ｗの空冷Ａｒレーザを光源１４に使用し、ローダミンＢ
分子を分散したＰＭＭＡ薄膜を蛍光試料ｓとして使用し
た。蛍光試料ｓの一部に疵を付け、ピエゾ駆動及びモー
タ駆動の組合せにより微動及び粗動が可能な分解能５０
ｎｍの走査ステージ１１にセットした。倍率４０倍，開
口数０．６５の対物レンズ１３で試料ｓからの光を集光
し、励起光を色ガラスフィルタ１５でカットした後、光
検出器１７で検出した。図５の観察結果にみられるよう
に、薄膜試料ｓに付けた疵による蛍光物質の不均一性が
高コントラストとして検出された。この実験結果から，
試作した表面プラズモン顕微鏡が高コントラストで蛍光
試料を観察することに使用可能なことが確認された。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の顕微鏡
システムでは、円錐プリズムの円錐頂点で表面プラズモ
ンが局在化し電場が増強されることを活用し、空間分解
能及び電場増強効果を両立させることにより、コントラ
ストが高く鮮明な画像が得られる。したがって、単分子
薄膜の観察，生体試料の観察，高感度光リソグラフィ，
光メモリ等、広範な分野で使用される顕微鏡システムと
なる。また、円錐プリズムの先端に高い電場が発生する
ことから、多光子吸収効果等の非線形効果を高効率で発
生させることが可能となる。
システムでは、円錐プリズムの円錐頂点で表面プラズモ
ンが局在化し電場が増強されることを活用し、空間分解
能及び電場増強効果を両立させることにより、コントラ
ストが高く鮮明な画像が得られる。したがって、単分子
薄膜の観察，生体試料の観察，高感度光リソグラフィ，
光メモリ等、広範な分野で使用される顕微鏡システムと
なる。また、円錐プリズムの先端に高い電場が発生する
ことから、多光子吸収効果等の非線形効果を高効率で発
生させることが可能となる。
【図１】 金属薄膜の表面に均一に表面プラズモンが励
起する従来のプリズム
起する従来のプリズム
【図２】 円錐頂点に表面プラズモンが局在化して電場
増強効果が得られる円錐プリズム
増強効果が得られる円錐プリズム
【図３】 円錐プリズムを組み込んだ顕微鏡システム
【図４】 水平方向（ａ）及び上下方向（ｂ）に偏光し
た光を円錐プリズムに入射したときに発生した反射光
た光を円錐プリズムに入射したときに発生した反射光
【図５】 蛍光試料薄膜の観察結果
２：金属薄膜 ５，１２：円錐プリズム ６：平面
波 １３：対物レンズ １４：光源 １５：フィルタ １７：光検出器
ｓ：蛍光試料 α：円錐頂角 ＳＰ：表面プラズモン Ｌin：レー
ザ光 Ｌout：蛍光信号
波 １３：対物レンズ １４：光源 １５：フィルタ １７：光検出器
ｓ：蛍光試料 α：円錐頂角 ＳＰ：表面プラズモン Ｌin：レー
ザ光 Ｌout：蛍光信号
Claims (1)
- 【請求項１】 三次元駆動する走査ステージに搭載され
た蛍光試料を挟む位置関係で円錐プリズム及び対物レン
ズが配置され、前記円錐プリズムは、表面プラズモンの
励起角に対応する頂角をもち、円錐側面に金属薄膜が蒸
着され、円錐頂点が前記蛍光試料を指向しており、円錐
底面に入射される励起光によって生じる表面プラズモン
が円錐頂点に移動し、円錐頂点で増強された電場によっ
て前記蛍光試料が励起されることを特徴とする表面プラ
ズモンを利用した顕微鏡システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000309630A JP3767734B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 表面プラズモンを利用した顕微鏡システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000309630A JP3767734B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 表面プラズモンを利用した顕微鏡システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116149A true JP2002116149A (ja) | 2002-04-19 |
| JP3767734B2 JP3767734B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=18789759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309630A Expired - Fee Related JP3767734B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 表面プラズモンを利用した顕微鏡システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3767734B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005095927A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-07-31 | オムロン株式会社 | 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置 |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000309630A patent/JP3767734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005095927A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-07-31 | オムロン株式会社 | 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置 |
| JP4548416B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-22 | オムロン株式会社 | 局在プラズモン共鳴センサ及び検査装置 |
| US7906344B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-03-15 | Omron Corporation | Localized plasmon resonance sensor and examining device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3767734B2 (ja) | 2006-04-19 |
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