JP2002066302A - Nanodiamond and method for preparing the same - Google Patents

Nanodiamond and method for preparing the same

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide nanodiamond having a uniform nano size particle diameter useful for a diamond sintered body, slurry abrasive or the like and to provide a method for preparing the nanodiamond. SOLUTION: The nanodiamond is synthesized by heating carbon nanotubes at >=1,600 deg.C under pressure as high as >=10 GPa.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この出願の発明は、ナノダイ
ヤモンドとその製造方法に関するものである。さらに詳
しくは、この出願の発明は、ダイヤモンド焼結体や、ス
ラリー状研摩材等として有用な、ナノサイズの均一な粒
径を有するナノダイヤモンドとその製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a nanodiamond and a method for producing the same. More specifically, the invention of this application relates to a nanodiamond having a nanosized uniform particle size, which is useful as a diamond sintered body, a slurry-like abrasive, or the like, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術とその課題】ダイヤモンドは、様々な産業
分野において、切削や研磨加工等に多用されている。例
えば、電子工業分野では、ハードディスクの大容量化が
急速に進められ、記録媒体の表面精度の向上や、磁気ヘ
ッドの信号の書込・読出用間隔の縮小さ等の点におい
て、研削加工による精度の向上が著しい。このような記
録媒体や磁気ヘッドの研削・研摩加工には、いわゆるミ
クロンサイズ以下の、極めて細かなダイヤモンド粒子が
使用されている。特に、ダイヤモンドスラリーあるいは
ダイヤモンドペーストとしては、分級によってD50値
をナノオーダーとした人工ダイヤモンドパウダーが使用
されている。
2. Description of the Related Art Diamond is widely used in various industrial fields such as cutting and polishing. For example, in the electronics industry, the capacity of hard disks has been rapidly increased, and the accuracy of grinding has been increasing in terms of improving the surface accuracy of recording media and reducing the interval for writing and reading signals of a magnetic head. The improvement is remarkable. For the grinding and polishing of such a recording medium and a magnetic head, extremely fine diamond particles of so-called micron size or less are used. In particular, as a diamond slurry or a diamond paste, an artificial diamond powder having a D50 value in the nano order by classification is used.

【0003】人工ダイヤモンドの合成については、化学
蒸着法(CVD)等に代表される気相(低圧)合成法に
よって膜状のダイヤモンドを合成する方法とともに、自
然界の生成条件を模した高圧合成法によって粒状のダイ
ヤモンドを合成する方法が知られている。そして、高圧
合成法は、更に衝撃法、フラックス法、高温高圧法の3
つの方法に分類される。
[0003] Artificial diamond is synthesized by a method of synthesizing diamond in the form of a film by a vapor phase (low pressure) synthesis method typified by a chemical vapor deposition method (CVD) or the like, and by a high-pressure synthesis method that simulates natural conditions. A method of synthesizing a granular diamond is known. The high-pressure synthesis method further includes three methods: an impact method, a flux method, and a high-temperature high-pressure method.
Are classified into two methods.

【0004】衝撃法は、例えば爆薬を爆発させる等によ
って動的な衝撃を加え、グラファイト構造の原料物質を
ダイヤモンド構造の粒子に直接変換し、顆粒状のダイヤ
モンドを得る方法である。ただ、この方法には、爆薬を
用いることから、製造工程に種々の制約が伴ったり、ア
モルファスカーボンやグラファイトといった未変換物質
の混入が多く、ダイヤモンドの単一相を得ることが難し
いという問題がある。
In the impact method, a dynamic impact is applied by, for example, detonating an explosive to directly convert a raw material having a graphite structure into particles having a diamond structure, thereby obtaining granular diamond. However, in this method, since explosives are used, there are problems that various restrictions are imposed on the production process and that unconverted substances such as amorphous carbon and graphite are often mixed, so that it is difficult to obtain a single phase of diamond. .

【0005】フラックス法は、例えば、鉄やコバルトと
いった金属触媒を使用し、原料粉末材料であるグラファ
イトを、4〜6GPaの静圧および1500〜2000
℃の温度で金属触媒中に溶解させた後、析出させる方法
である。この方法には、核生成を伴う合成法であるた
め、生成されるダイヤモンドのサイズを制御するのが困
難であるという欠点がある。
[0005] In the flux method, for example, a metal catalyst such as iron or cobalt is used, and graphite as a raw material powder is subjected to static pressure of 4 to 6 GPa and 1500 to 2000 GPa.
This is a method of dissolving in a metal catalyst at a temperature of ° C. and then depositing. This method has the disadvantage that it is difficult to control the size of the diamond to be produced because it is a synthetic method involving nucleation.

【0006】高温高圧法は、例えば密閉された高圧容器
内で、13〜16GPaの高い静圧、および3000〜
4000℃の高温に原料グラファイト粉末を保持し、ダ
イヤモンドに対する安定条件を実現することによって、
グラファイト粉末をダイヤモンドへ直接相転移させる方
法である。
[0006] The high-temperature high-pressure method is, for example, a high static pressure of 13 to 16 GPa and 3000 to
By holding the raw graphite powder at a high temperature of 4000 ° C. and achieving the stable conditions for diamond,
In this method, graphite powder is directly phase-transformed into diamond.

【0007】しかしながら、上記のいずれの方法によっ
ても、これまでは、ナノオーダーで、粒径の揃った、単
一相のダイヤモンド微粒子を得ることはできなかった。
However, none of the above-mentioned methods has been able to obtain single-phase diamond fine particles having a uniform particle size on the order of nanometers.

【0008】一方で、天然に産出する高純度ダイヤモン
ド多結晶体であるバラスは、ダイヤモンド焼結粒子の粒
径が小さいために機械的強度が極めて高いことが知られ
ている。ダイヤモンド焼結体の研究においては、このバ
ラスに類似の、ナノサイズのダイヤモンドをランダムに
配向させたダイヤモンド焼結体の実現が求められてい
る。しかしながら、用いるダイヤモンドの粒径を小さく
すると結晶粒界が増加してしまうため、焼結助剤の量比
が増えてしまい、焼結助剤を全く含有しないバラストは
かけ離れてしまうという矛盾が生じてしまっていた。
On the other hand, it is known that ballas, which is a naturally produced high-purity diamond polycrystal, has extremely high mechanical strength due to the small diameter of the sintered diamond particles. In the study of diamond sintered bodies, it is required to realize a diamond sintered body similar to this ballast, in which nano-sized diamonds are randomly oriented. However, when the grain size of the diamond used is reduced, the crystal grain boundaries increase, so that the amount ratio of the sintering aid increases, and contradiction arises in that ballast containing no sintering aid is far apart. Was gone.

【0009】そこで、この出願の発明は、以上の通りの
事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を
解消し、スラリー状研摩材等として有用な、単一相で、
ナノサイズの均一な粒径を有するナノダイヤモンドとそ
の製造方法を提供することを課題としている。
Accordingly, the invention of this application has been made in view of the above circumstances, and solves the problems of the prior art, and is a single phase, useful as a slurry-like abrasive, etc.
An object of the present invention is to provide a nanodiamond having a uniform particle size of nanosize and a method for producing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そこで、この出願の発明
は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発
明を提供する。
Accordingly, the invention of this application provides the following invention to solve the above problems.

【0011】すなわち、まず第1には、この出願の発明
は、カーボンナノチューブが、10GPa以上の高圧で
1600℃以上に加熱されることにより合成されたもの
であることを特徴とするナノダイヤモンドを提供する。
That is, first, the invention of this application provides a nanodiamond characterized in that carbon nanotubes are synthesized by being heated to 1600 ° C. or more at a high pressure of 10 GPa or more. I do.

【0012】そして第2には、上記第1の発明につい
て、カーボンナノチューブが、15GPa以上の高圧で
1800℃以上に加熱されることにより合成されたもの
であることを特徴とするナノダイヤモンドを、第3に
は、粒径が20〜50nmで均一であることを特徴とす
るナノダイヤモンドを、第4には、八面体構造で自形で
あることを特徴とするナノダイヤモンドを提供する。
Secondly, according to the first aspect of the present invention, a nanodiamond characterized in that the carbon nanotube is synthesized by being heated to 1800 ° C. or more at a high pressure of 15 GPa or more, No. 3 provides a nanodiamond characterized by a uniform particle size of 20 to 50 nm, and fourth, a nanodiamond characterized by being octahedral and self-shaped.

【0013】また、第5には、上記第1ないし第4のい
ずれかの発明のナノダイヤモンドの製造方法であって、
カーボンナノチューブを10GPa以上に加圧し、16
00℃以上に加熱することを特徴とするナノダイヤモン
ドの製造方法を提供する。さらに第6には、上記第5の
発明において、カーボンナノチューブを10GPa以上
に加圧し、1600℃以上に加熱することを特徴とする
ナノダイヤモンドの製造方法をも提供する。
A fifth aspect is the method for producing nanodiamond according to any one of the first to fourth aspects, wherein
Pressing the carbon nanotubes to 10 GPa or more,
Provided is a method for producing nanodiamond, wherein the method is heated to 00 ° C. or higher. Sixthly, the present invention provides the method for producing nanodiamond according to the fifth aspect, wherein the carbon nanotubes are pressurized to 10 GPa or more and heated to 1600 ° C. or more.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】この出願の発明は上記の通りの特
徴を持つものであるが、以下にその説明をする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention of this application has the features as described above, and will be described below.

【0015】まず、この出願の発明のナノダイヤモンド
は、カーボンナノチューブを、10GPa以上の高圧で
1600℃以上に加熱して合成されたものであることを
特徴としている。
First, the nanodiamond of the invention of this application is characterized in that carbon nanotubes are synthesized by heating carbon nanotubes to 1600 ° C. or more at a high pressure of 10 GPa or more.

【0016】カーボンナノチューブは、炭素六角網面が
円筒状に閉じた構造あるいはこれらの円筒が入れ子状に
配置された多層構造を有し、その径は、数nm〜数十n
mと非常に細いものである。このようなカーボンナノチ
ューブは、一般に知られている各種の方法で製造された
ものを使用することができる。例えば、炭素電極間にア
ーク放電を発生させることで放電用炭素電極の陰極表面
に成長させる方法や、SiCにレーザビームを照射して
加熱し、昇華させて得る方法、さらにはCVD(化学蒸
着法)による合成方法等が例示される。
The carbon nanotube has a structure in which carbon hexagonal mesh planes are closed in a cylindrical shape or a multilayer structure in which these cylinders are nested, and has a diameter of several nm to several tens of nanometers.
m and very thin. As such carbon nanotubes, those manufactured by various generally known methods can be used. For example, a method in which an arc discharge is generated between carbon electrodes to grow on a cathode surface of a discharge carbon electrode, a method in which SiC is irradiated with a laser beam to be heated and sublimated, and a method in which CVD is performed by chemical vapor deposition (CVD) ) Is exemplified.

【0017】上記出発原料としてのカーボンナノチュー
ブを、例えば、ダイヤモンドアンビルセル装置等のよう
な密閉された高圧容器内に配置する等によって、10G
Pa以上の高い静圧を均等に加えて1600℃以上の高
温に保持する。さらには、15GPa以上の高圧で18
00℃以上の高温に保持することなどもできる。つま
り、ダイヤモンド構造の安定条件を実現することによっ
て、カーボンナノチューブをダイヤモンドへと直接相転
移させる。このような高温高圧での保持時間は、その温
度および圧力条件にもよるが、数十秒〜数分程度とする
ことができる。たとえば、カーボンナノチューブを約1
0GPaの高圧で約1600℃の高温に保持する場合に
は、保持時間を数分程度とすることができ、カーボンナ
ノチューブを約15GPaの高圧で約1800℃の高温
に保持する場合には、保持時間を数十秒程度とすること
ができる。
The carbon nanotubes as a starting material are placed in a sealed high-pressure vessel such as a diamond anvil cell apparatus, for example, to place 10 g of carbon nanotubes.
A high static pressure of Pa or more is uniformly applied to maintain a high temperature of 1600 ° C. or more. Furthermore, at a high pressure of 15 GPa or more, 18
It can be maintained at a high temperature of 00 ° C. or higher. In other words, by realizing the stable condition of the diamond structure, the carbon nanotube is directly phase-transformed into diamond. The holding time at such a high temperature and high pressure can be about several tens of seconds to several minutes, depending on the temperature and pressure conditions. For example, about 1 carbon nanotube
When holding at a high temperature of about 1600 ° C. at a high pressure of 0 GPa, the holding time can be about several minutes. When holding the carbon nanotube at a high temperature of about 1800 ° C. at a high pressure of about 15 GPa, the holding time can be reduced. Can be set to about several tens of seconds.

【0018】これによって、原料として用いるナノチュ
ーブの直径とほぼ同一のサイズを有するナノダイヤモン
ドを集合体として得ることができる。
As a result, nanodiamonds having a size substantially equal to the diameter of the nanotube used as a raw material can be obtained as an aggregate.

【0019】また、上記の方法は固相での反応であるた
め、溶解反応に見られる核生成を伴わないことから、均
一なサイズのナノダイヤモンドを得ることができる。例
えば、20〜50nmの直径を有するカーボンナノチュ
ーブ集合体を出発材料として用いることで、粒径が20
〜50nmで均一なナノダイヤモンド集合体を得ること
ができる。
In addition, since the above-mentioned method is a reaction in a solid phase, it does not involve nucleation as seen in a dissolution reaction, so that nanodiamonds having a uniform size can be obtained. For example, by using an aggregate of carbon nanotubes having a diameter of 20 to 50 nm as a starting material, a particle size of 20
A uniform nanodiamond aggregate having a thickness of about 50 nm can be obtained.

【0020】更には、この出願の発明では、静圧で合成
されるために歪の発生が少なく、八面体構造を有する自
形の結晶としてナノダイヤモンドを得ることができる。
Furthermore, according to the invention of this application, since it is synthesized under static pressure, there is little generation of distortion, and nanodiamond can be obtained as a self-shaped crystal having an octahedral structure.

【0021】このようなナノダイヤモンドは、例えば、
ダイヤモンドスラリーやダイヤモンドペーストとして利
用することができる。また、この出願の発明のナノダイ
ヤモンドによって、天然に産出する高純度ダイヤモンド
多結晶体であるバラスに類似した、焼結助剤を全く含有
しないダイヤモンド焼結体の実現が期待される。
Such a nano diamond is, for example,
It can be used as diamond slurry or diamond paste. Further, the nanodiamond of the invention of this application is expected to realize a diamond sintered body that does not contain any sintering aid and is similar to a natural high-purity diamond polycrystalline balass.

【0022】以下、添付した図面に沿って実施例を示
し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明す
る。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

【0023】[0023]

【実施例】出発原料としておよそ20〜50nmの直径
を有する多層型カーボンナノチューブを用い、高圧合成
によってナノダイヤモンドを製造した。合成に用いたダ
イヤモンドアンビルセル装置の概略を図1の斜視図に、
また、その試料室付近の拡大側面図を図2に示した。ま
た、出発原料として用いた多層型カーボンナノチューブ
の高分解能走査電子顕微鏡(HRSEM)像と電子エネ
ルギー損失スペクトルを、それぞれ図3並びに図6
(b)に示した。
EXAMPLES Using multi-walled carbon nanotubes having diameters of about 20 to 50 nm as starting materials, nanodiamonds were produced by high-pressure synthesis. An outline of the diamond anvil cell device used for the synthesis is shown in a perspective view of FIG.
FIG. 2 is an enlarged side view of the vicinity of the sample chamber. The high-resolution scanning electron microscope (HRSEM) image and the electron energy loss spectrum of the multi-walled carbon nanotube used as the starting material are shown in FIGS.
(B).

【0024】図1および図2に例示したように、まず、
多層型カーボンナノチューブを100ミクロン角×20
ミクロン厚に整形して試料(1)を作製し、圧力媒体
(6)としての臭化カリウムとともに、ダイヤモンドア
ンビル(2)の間の試料室(4)に入れた。圧力媒体
(6)は、試料(1)および圧力センサーとして用いる
ルビーの表面上に、均一に圧力を分配する機能を果た
す。次いで、スクリュー装置(図示せず)を使い、ダイ
ヤモンドアンビル(2)および圧力媒体(6)を介して
試料(1)に15GPaの均一な圧力を加えた。そし
て、出力100Wの炭酸ガスレーザーをレンズを通して
100ミクロンサイズに集光させたレーザービーム
(5)を試料(1)に照射して、試料(1)の表面に2
500Kの温度を発生させた。
As illustrated in FIGS. 1 and 2, first,
100 micron square x 20 multi-walled carbon nanotube
A sample (1) was prepared by shaping to a micron thickness and placed in a sample chamber (4) between the diamond anvil (2) with potassium bromide as a pressure medium (6). The pressure medium (6) serves to distribute pressure evenly over the surface of the sample (1) and the ruby used as pressure sensor. Next, using a screw device (not shown), a uniform pressure of 15 GPa was applied to the sample (1) via the diamond anvil (2) and the pressure medium (6). Then, the sample (1) is irradiated with a laser beam (5) obtained by condensing a carbon dioxide laser having an output of 100 W through a lens to a size of 100 microns, and the surface of the sample (1) is irradiated with a laser beam (5).
A temperature of 500K was generated.

【0025】このようにして得られた生成物試料を高分
解能走査電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡によって観察
し、電子エネルギー損失分光法によりその電子結合状態
を調べた。その結果を、それぞれ図4,図5および図6
(a)に示した。
The product sample thus obtained was observed with a high-resolution scanning electron microscope and a transmission electron microscope, and its electron bonding state was examined by electron energy loss spectroscopy. The results are shown in FIGS. 4, 5 and 6, respectively.
(A).

【0026】図4および図5より、20〜50nm程度
の粒径のそろった八面体自形のナノダイヤモンド集合体
が形成されていることが確認された。図5の右上に示し
た電子線回折パターンは、立方晶ダイヤモンドの回折パ
ターンと一致していることがわかった。また、図6
(a)の電子エネルギー損失スペクトルも、立方晶ダイ
ヤモンドと一致することが確認された。
From FIGS. 4 and 5, it was confirmed that octahedral self-shaped nanodiamond aggregates having a uniform particle size of about 20 to 50 nm were formed. The electron diffraction pattern shown in the upper right of FIG. 5 was found to be consistent with the diffraction pattern of cubic diamond. FIG.
It was also confirmed that the electron energy loss spectrum of (a) matched the cubic diamond.

【0027】以上のことから、この出願の発明によっ
て、20〜50nm程度の粒径のそろった八面体自形の
ナノダイヤモンド集合体が実現されることが確認され
た。
From the above, it was confirmed that the invention of this application realizes an octahedral self-shaped nanodiamond aggregate having a uniform particle size of about 20 to 50 nm.

【0028】もちろん、この発明は以上の例に限定され
るものではなく、細部については様々な態様が可能であ
ることは言うまでもない。
Of course, the present invention is not limited to the above-described example, and it goes without saying that various embodiments are possible in detail.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、ダイヤモンド焼結体や、スラリー状研摩材等とし
て有用な、ナノサイズの均一な粒径を有するナノダイヤ
モンドとその製造方法が提供される。
As described above in detail, according to the present invention, a nanodiamond having a uniform nanoparticle size and a method for producing the same useful as a diamond sintered body, a slurry-like abrasive, and the like are provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例においてナノダイヤモンドの製造に用い
た装置の概略を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an apparatus used for producing nanodiamond in an example.

【図2】実施例においてナノダイヤモンドの製造に用い
た装置の試料室付近の概略を示す側断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view schematically showing the vicinity of a sample chamber of an apparatus used for producing nanodiamond in an example.

【図3】出発原料として用いた多層型カーボンナノチュ
ーブの高分解能走査電子顕微鏡像を例示した図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a high-resolution scanning electron microscope image of a multi-walled carbon nanotube used as a starting material.

【図4】得られたナノダイヤモンドの高分解能走査電子
顕微鏡像を例示した図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a high-resolution scanning electron microscope image of the obtained nanodiamond.

【図5】得られたナノダイヤモンドの透過型電子顕微鏡
像とその電子線回折パターンを例示した図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a transmission electron microscope image of the obtained nanodiamond and its electron beam diffraction pattern.

【図6】(a)実施例において製造されたナノダイヤモ
ンドと、(b)出発原料として用いた多層型カーボンナ
ノチューブの、電子結合状態を示す電子線エネルギー損
失スペクトルを例示した図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an electron beam energy loss spectrum showing an electronic bonding state of (a) the nanodiamond produced in the example and (b) the multi-walled carbon nanotube used as a starting material.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 試料 2 ダイヤモンドアンビル 3 ガスケット 4 試料室 5 レーザービーム 6 圧力媒体 Reference Signs List 1 sample 2 diamond anvil 3 gasket 4 sample chamber 5 laser beam 6 pressure medium

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カーボンナノチューブが、10GPa以
上の高圧で1600℃以上に加熱されることにより合成
されたものであることを特徴とするナノダイヤモンド。
1. A nanodiamond, wherein the carbon nanotube is synthesized by being heated to 1600 ° C. or higher at a high pressure of 10 GPa or higher.
【請求項2】 カーボンナノチューブが、15GPa以
上の高圧で1800℃以上に加熱されることにより合成
されたものであることを特徴とする請求項1記載のナノ
ダイヤモンド。
2. The nanodiamond according to claim 1, wherein the carbon nanotube is synthesized by heating at a high pressure of 15 GPa or more to 1800 ° C. or more.
【請求項3】 粒径が20〜50nmであることを特徴
とする請求項1または2のナノダイヤモンド。
3. The nanodiamond according to claim 1, wherein the particle diameter is 20 to 50 nm.
【請求項4】 八面体構造で自形であることを特徴とす
る請求項1ないし3いずれかのナノダイヤモンド。
4. The nanodiamond according to claim 1, wherein the nanodiamond has an octahedral structure and is self-shaped.
【請求項5】 請求項1ないし4いずれかのナノダイヤ
モンドの製造方法であって、カーボンナノチューブを1
0GPa以上に加圧し、1600℃以上に加熱すること
を特徴とするナノダイヤモンドの製造方法。
5. The method for producing nanodiamond according to claim 1, wherein one of the carbon nanotubes is
A method for producing nanodiamond, comprising pressurizing to 0 GPa or more and heating to 1600 ° C or more.
【請求項6】 カーボンナノチューブを15GPa以上
に加圧し、1800℃以上に加熱することを特徴とする
請求項5記載のナノダイヤモンドの製造方法。
6. The method according to claim 5, wherein the carbon nanotube is pressurized to 15 GPa or more and heated to 1800 ° C. or more.
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