JP2002043378A - Electron beam tester and testing method - Google Patents

Electron beam tester and testing method

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JP2002043378A
JP2002043378A JP2000222324A JP2000222324A JP2002043378A JP 2002043378 A JP2002043378 A JP 2002043378A JP 2000222324 A JP2000222324 A JP 2000222324A JP 2000222324 A JP2000222324 A JP 2000222324A JP 2002043378 A JP2002043378 A JP 2002043378A
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JP
Japan
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electron beam
correction data
position correction
test signal
electric component
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JP2000222324A
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Japanese (ja)
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Mitsuo Hiroyama
三津雄 廣山
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Advantest Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam tester that can measure a sample with accuracy by suppressing the electrostatic charge of the sample caused by an electron beam. SOLUTION: This electron beam tester is provided with an electron gun 114 which emits an electron beam against electric component, a deflector which deflects the electron beam to a desired position on the electric component, and a position correcting data storing section 150 which stores position correcting data used for correcting the emitting position of the electron beam. The tester is also provided with a deflection control section 148 which reads out the position correcting data from the storing section 150 and controls the deflector 120 synchronously to a test signal based on the read out position correcting data, and a detector 124 which detects electrons radiated from the electric component and outputs the detect signal corresponding to the quantity of the electrons. The deflection control section 148 preferably controls the deflector 120 synchronously to the sampling timing of the detect signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームテス
タ、試験方法に関する。特に本発明は、測定時間を増大
させずに精度よく測定できる電子ビームテスタに関す
る。
[0001] The present invention relates to an electron beam tester and a test method. In particular, the present invention relates to an electron beam tester that can perform accurate measurement without increasing the measurement time.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、従来の電子ビームテスタ300
を示す。電子ビームテスタ300は、電気部品に電子ビ
ームを照射する電子ビーム照射系310と、制御系36
0とを備える。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows a conventional electron beam tester 300.
Is shown. The electron beam tester 300 includes an electron beam irradiation system 310 that irradiates an electronic component with an electron beam, and a control system 36.
0.

【0003】電子ビーム照射系310は、筐体312
と、電子ビームを発生させる電子銃314と、電子ビー
ムが通過するアパーチャを有するアパーチャ部318
と、電子ビームを偏向して、電子ビームがアパーチャを
通過するか否かを制御することにより、電子ビームが電
気部品に照射されるか否かを制御するブランキング電極
316と、電子ビームを電気部品の所望の位置に偏向す
る偏向器320と、電気部品が載置されるステージ32
6と、電気部品から放射された電子を検出して、電子の
量に対応する検出信号を出力する検出器324とを有す
る。
The electron beam irradiation system 310 includes a housing 312
, An electron gun 314 for generating an electron beam, and an aperture section 318 having an aperture through which the electron beam passes
A blanking electrode 316 for controlling whether or not the electron beam is irradiated on the electric component by deflecting the electron beam and controlling whether or not the electron beam passes through the aperture; A deflector 320 for deflecting the component to a desired position and a stage 32 on which the electric component is placed
6 and a detector 324 that detects electrons emitted from the electric component and outputs a detection signal corresponding to the amount of electrons.

【0004】制御系360は、ブランキング電極316
を制御するパルス発生部352と、偏向器320を制御
する偏向制御部348と、遅延データを格納する遅延デ
ータ記憶部336と、トリガ信号と遅延データとに基づ
いてサンプリングパルスを発生する遅延回路部334
と、サンプリングパルスに基づいてサンプリングする検
出信号処理部332と、カウント値を、遅延データ記憶
部336に供給するカウンタ(340、342)と、サ
ンプリングされた検出信号に基づいて、電気部品の走査
画像を取得する画像処理部346と、検出信号に基づい
て、試験信号に対応する波形を取得する波形処理部34
4とを有する。
The control system 360 includes a blanking electrode 316
352, a deflection control section 348 for controlling the deflector 320, a delay data storage section 336 for storing delay data, and a delay circuit section for generating a sampling pulse based on the trigger signal and the delay data. 334
A detection signal processing unit 332 for sampling based on a sampling pulse; counters (340 and 342) for supplying a count value to a delay data storage unit 336; and a scan image of an electric component based on the sampled detection signal. And a waveform processing unit 34 for obtaining a waveform corresponding to the test signal based on the detection signal.
And 4.

【0005】図2は、従来の電子ビームテスタ300動
作のタイミングチャート、試験信号の波形、および測定
波形を示す。図1を参照して、従来の電子ビームテスタ
300の動作について説明する。図2(a)は、走査画
像を取得する動作のタイミングチャートを示す。試験信
号の測定位相を示すトリガ信号に基づいて、遅延回路部
334は、検出信号をサンプリングするタイミングを示
すサンプリングパルスを発生する。検出信号処理部33
2は、サンプリングパルスに基づいて、検出信号をサン
プリングし、画像処理部346に供給する。また、サン
プリングパルスが供給された後、クロックに同期して、
次の測定位相に対応する遅延データが、遅延回路部33
2に供給される。
FIG. 2 shows a timing chart of the operation of the conventional electron beam tester 300, a waveform of a test signal, and a measured waveform. The operation of the conventional electron beam tester 300 will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a timing chart of an operation of acquiring a scanned image. Based on the trigger signal indicating the measurement phase of the test signal, the delay circuit unit 334 generates a sampling pulse indicating the timing for sampling the detection signal. Detection signal processing unit 33
2 samples the detection signal based on the sampling pulse and supplies it to the image processing unit 346. Also, after the sampling pulse is supplied, in synchronization with the clock,
The delay data corresponding to the next measurement phase is
2 is supplied.

【0006】画像処理部346は、供給された検出信号
に基づいて、電気部品の走査画像を取得する。さらに、
画像処理部346は、取得した走査画像を画像処理し、
電気部品に対する電子ビームの照射位置を補正する位置
補正データを、試験信号の位相毎に求める。
[0006] The image processing section 346 acquires a scanned image of the electric component based on the supplied detection signal. further,
The image processing unit 346 performs image processing on the acquired scanned image,
Position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam on the electric component is obtained for each phase of the test signal.

【0007】図2(b)は、波形を取得する動作のタイ
ミングを示す。取得した位置補正データを用いて、電子
ビームの照射位置を補正し、電気部品の所定の位置にお
いて、試験信号の位相に対応する試験信号の波形を取得
する。従来の電子ビームテスタ300は、測定位相に対
応する遅延データおよび位置補正データを変更するタイ
ミングをソフトウエアにより制御する。そして、検出信
号処理部332は、当該位置補正データの対応する測定
位相において、サンプリングパルスに基づき、サンプリ
ングを多数行い、検出信号を波形処理部344に供給す
る。波形処理部334は、試験信号の各々の位相に対応
する検出信号の平均値に基づき、波形を生成する。
FIG. 2B shows a timing of an operation for acquiring a waveform. The irradiation position of the electron beam is corrected using the obtained position correction data, and a waveform of the test signal corresponding to the phase of the test signal is obtained at a predetermined position of the electric component. The conventional electron beam tester 300 controls the timing for changing the delay data and the position correction data corresponding to the measurement phase by software. Then, the detection signal processing unit 332 performs a large number of samplings based on the sampling pulse in the corresponding measurement phase of the position correction data, and supplies the detection signal to the waveform processing unit 344. The waveform processing unit 334 generates a waveform based on the average value of the detection signal corresponding to each phase of the test signal.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビームテス
タ300は、ソフトウエアにより位置補正データを変更
する。そのため、例えば、位置補正データを変更した直
後に、電子ビームが偏向器320を通過した場合には、
偏向器320の整定時間が足りないため、適切な位置に
電子ビームを偏向させ、照射させることができない。結
果として、取得した位置補正データを用いて、走査画像
を再度取得することは非常に困難である。1サンプリン
グ毎に、位置補正データを変更し、取得した位置補正デ
ータが適切であるかを確認することは困難であった。
The conventional electron beam tester 300 changes the position correction data by software. Therefore, for example, immediately after changing the position correction data, when the electron beam passes through the deflector 320,
Since the settling time of the deflector 320 is insufficient, the electron beam cannot be deflected to an appropriate position and irradiated. As a result, it is very difficult to acquire a scanned image again using the acquired position correction data. It has been difficult to change the position correction data for each sampling and check whether the acquired position correction data is appropriate.

【0009】また、従来の電子ビームテスタ300は、
波形を取得する動作において、試験信号の1つの測定位
相に対して、多数のサンプリングを行うため、電気部品
が有する絶縁部材が、電子ビームが多数回照射されるこ
とにより帯電する。そして、当該絶縁部材の帯電した電
位に相当する2次電子が付加されて放射され、検出器3
24において検出される電子の量に影響を与えるため、
適切な測定波形を得ることが非常に困難であった。特に
電気部品が、絶縁膜で覆われた半導体デバイスである場
合に、当該絶縁膜の帯電による測定波形の歪は顕著であ
る。
Also, the conventional electron beam tester 300 is
In an operation of acquiring a waveform, a large number of samplings are performed for one measurement phase of a test signal, so that an insulating member included in an electric component is charged by being irradiated with an electron beam many times. Then, secondary electrons corresponding to the charged potential of the insulating member are added and emitted, and the detector 3
To affect the amount of electrons detected at 24,
It was very difficult to obtain an appropriate measurement waveform. In particular, when the electric component is a semiconductor device covered with an insulating film, the distortion of the measured waveform due to the charging of the insulating film is remarkable.

【0010】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビームテスタ、試験方法を提供すること
を目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立
項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従
属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron beam tester and a test method that can solve the above-mentioned problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第1の形
態によると、周期的に試験信号が供給された電気部品
を、電子ビームを用いて試験する電子ビームテスタであ
って、電気部品に電子ビームを照射する電子銃と、電子
ビームを、電気部品の所望の位置に偏向する偏向器と、
電子ビームの照射位置を補正する位置補正データを格納
する位置補正データ記憶部と、位置補正データ記憶部か
ら、位置補正データを読み出し、読み出された位置補正
データに基づき、試験信号に同期して偏向器を制御する
偏向制御部と、電気部品から放射された電子を検出し
て、電子の量に対応する検出信号を出力する検出器とを
備えることを特徴とする電子ビームテスタを提供する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electron beam tester for testing an electric component to which a test signal is periodically supplied by using an electron beam. An electron gun that irradiates the electron beam to the electron beam, a deflector that deflects the electron beam to a desired position on the electric component,
A position correction data storage unit for storing position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam; and a position correction data read from the position correction data storage unit, and based on the read position correction data, synchronized with the test signal. An electron beam tester includes: a deflection control unit that controls a deflector; and a detector that detects electrons emitted from an electric component and outputs a detection signal corresponding to the amount of electrons.

【0012】さらに、検出信号をサンプリングするタイ
ミングを示す遅延データを、試験信号の位相毎に格納す
る遅延データ記憶部と、遅延データ記憶部から遅延デー
タを読み出し、読み出された遅延データに基づき、試験
信号に同期してタイミングを供給する遅延回路部と、検
出信号を、遅延回路部から供給されたタイミングでサン
プリングする検出信号処理部とを備えることが好まし
く、また、偏向制御部は、タイミングに応じて、位置補
正データ記憶部から、位置補正データを読み出し、読み
出された位置補正データに基づき、偏向器を制御するこ
とが好ましい。
[0012] Further, a delay data storage unit for storing delay data indicating a timing of sampling the detection signal for each phase of the test signal, a delay data read from the delay data storage unit, and based on the read delay data, It is preferable to include a delay circuit unit that supplies timing in synchronization with the test signal, and a detection signal processing unit that samples the detection signal at the timing supplied from the delay circuit unit. Accordingly, it is preferable that the position correction data is read from the position correction data storage unit, and the deflector is controlled based on the read position correction data.

【0013】また、電気部品の所定の位置に電子ビーム
を照射し、検出信号に基づいて取得した、試験信号の位
相と所定の位置とに対応する電気部品の走査画像と、電
子ビームが、試験信号の影響を受けずに電気部品に照射
されたときに得られる期待画像とに基づいて、位置補正
データを求める処理部を更に備えることが好ましく、ま
た、位置補正データを用いて、走査画像を再度取得し、
処理部が、再度取得した走査画像に基づいて、位置補正
データを再度求めることが好ましい。
A predetermined position of the electric component is irradiated with an electron beam, and a scan image of the electric component corresponding to the phase of the test signal and the predetermined position, which is acquired based on the detection signal, and an electron beam are used for the test. It is preferable to further include a processing unit that obtains position correction data based on an expected image obtained when the electric component is irradiated without being affected by the signal. Get it again,
It is preferable that the processing unit obtains the position correction data again based on the reacquired scanned image.

【0014】また、試験信号に同期して、試験信号の所
定の位相から測定位相までのタイミングをカウントした
カウント値を、遅延データ記憶部および位置補正データ
記憶部に供給するカウンタを更に備え、カウンタは、カ
ウント値に基づいて、測定位相に対応する遅延データが
格納された遅延データ記憶部のアドレスと、測定位相に
対応する位置補正データが格納された位置補正データ記
憶部のアドレスとを指示してもよい。
A counter for supplying a count value obtained by counting a timing from a predetermined phase to a measurement phase of the test signal to the delay data storage section and the position correction data storage section in synchronization with the test signal; Indicates, based on the count value, the address of the delay data storage unit storing the delay data corresponding to the measurement phase and the address of the position correction data storage unit storing the position correction data corresponding to the measurement phase. You may.

【0015】本発明の第2の形態によると、電子ビーム
により電気部品を試験する試験方法であって、電気部品
に対する電子ビームの照射位置を補正する位置補正デー
タを記憶するステップと、位置補正データに基づき、電
気部品に周期的に供給される試験信号に同期して、電子
ビームの照射位置を制御するステップと、試験信号に対
応する波形を取得するステップとを備えることを特徴と
する試験方法を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a test method for testing an electric component using an electron beam, the method comprising: storing position correction data for correcting an irradiation position of an electron beam on the electric component; A control method for controlling an irradiation position of an electron beam in synchronization with a test signal periodically supplied to an electric component based on the method, and a step of acquiring a waveform corresponding to the test signal. I will provide a.

【0016】さらに、電気部品の所定の位置に、電子ビ
ームを照射して、試験信号の位相と所定の位置とに対応
する走査画像を取得するステップと、走査画像と、電子
ビームが、試験信号の影響を受けずに電気部品に照射さ
れたときに得られる期待画像とに基づいて、電子ビーム
の照射位置を補正する位置補正データを取得するステッ
プとを備えることが好ましく、また、走査画像を取得す
るステップと、位置補正データを取得するステップと、
位置補正データを記憶するステップとを複数回繰り返す
ことが好ましい。
Furthermore, a step of irradiating a predetermined position of the electric component with an electron beam to obtain a scan image corresponding to the phase of the test signal and the predetermined position; And a step of obtaining position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam based on an expected image obtained when the electronic component is irradiated without being affected by Acquiring, and acquiring position correction data;
The step of storing the position correction data is preferably repeated a plurality of times.

【0017】また、波形を取得するステップが、電気部
品に電子ビームを照射して、電気部品から放出された電
子を検出し、電子の量に対応する検出信号を取得するス
テップと、検出信号を所定のタイミングでサンプリング
するステップと、タイミングを示す遅延データに基づ
き、試験信号に同期して、タイミングを発生させるステ
ップと、検出信号に基づいて、波形を取得するステップ
とを含んでもよい。
The step of obtaining a waveform includes irradiating the electric component with an electron beam, detecting electrons emitted from the electric component, and obtaining a detection signal corresponding to the amount of electrons. The method may include a step of sampling at a predetermined timing, a step of generating timing in synchronization with a test signal based on delay data indicating the timing, and a step of acquiring a waveform based on the detection signal.

【0018】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
The above summary of the present invention does not enumerate all of the necessary features of the present invention, and sub-combinations of these features may also constitute the present invention.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the present invention. However, the following embodiments do not limit the claimed invention and have the features described in the embodiments. Not all combinations are essential to the solution of the invention.

【0020】図3は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ームテスタ100を示す。電子ビームテスタ100は、
電気部品に電子ビームを照射する電子ビーム照射系11
0と、制御系160とを備える。
FIG. 3 shows an electron beam tester 100 according to one embodiment of the present invention. The electron beam tester 100
Electron beam irradiation system 11 for irradiating electric parts with electron beam
0 and a control system 160.

【0021】電子ビーム照射系110は、筐体112
と、電子ビームを発生させる電子銃114と、電子ビー
ムが通過するアパーチャを有するアパーチャ部118
と、電子ビームを偏向して、電子ビームがアパーチャを
通過するか否かを制御することにより、電子ビームが電
気部品に照射されるか否かを制御するブランキング電極
116と、電子ビームを電気部品の所望の位置に偏向す
る偏向器120と、電気部品が載置されるステージ12
6と、電気部品から放射された電子を検出して、電子の
量に対応する検出信号を出力する検出器124とを有す
る。
The electron beam irradiation system 110 includes a housing 112
, An electron gun 114 for generating an electron beam, and an aperture section 118 having an aperture through which the electron beam passes
A blanking electrode 116 for controlling whether or not the electron beam is irradiated on the electric component by deflecting the electron beam and controlling whether or not the electron beam passes through the aperture; A deflector 120 for deflecting the component to a desired position, and a stage 12 on which the electric component is placed
6 and a detector 124 that detects electrons emitted from the electric component and outputs a detection signal corresponding to the amount of electrons.

【0022】制御系160は、ブランキング電極116
を制御するパルス発生部152と、電子ビームの照射位
置を補正する位置補正データを格納する位置補正データ
記憶部150と、位置補正データ記憶部150から、位
置補正データを読み出し、読み出された位置補正データ
に基づき、試験信号に同期して偏向器120を制御する
偏向制御部148と、検出信号をサンプリングするタイ
ミングを示す遅延データを、試験信号の位相毎に格納す
る遅延データ記憶部136と、遅延データ記憶部136
から遅延データを読み出し、読み出された遅延データに
基づき、試験信号に同期してタイミングを供給する遅延
回路部134と、検出信号を、遅延回路部134から供
給されたタイミングでサンプリングする検出信号処理部
132と、試験信号に同期して、試験信号の所定の位相
から測定位相までの検出信号をサンプリングするタイミ
ングをカウントしたカウント値を、遅延データ記憶部1
36および位置補正データ記憶部150に供給するカウ
ンタ(140、142)と、サンプリングされた検出信
号に基づいて、電気部品の走査画像を取得する処理部で
ある画像処理部146と、検出信号に基づいて、試験信
号に対応する波形を取得する処理部である波形処理部1
44とを有する。別の実施例において、電子ビームテス
タ100は、試験信号発生装置138を備えてもよい。
試験信号発生装置138は、電気部品に試験信号を供給
でき、また、遅延回路部134に試験信号の所定の位相
に対応するトリガ信号を供給できればよい。
The control system 160 includes a blanking electrode 116
, A position correction data storage unit 150 for storing position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam, and a position correction data read from the position correction data storage unit 150. A deflection control unit 148 that controls the deflector 120 in synchronization with the test signal based on the correction data, a delay data storage unit 136 that stores delay data indicating the timing of sampling the detection signal for each phase of the test signal, Delay data storage unit 136
And a delay circuit unit that supplies timing in synchronization with a test signal based on the read delay data, and a detection signal process that samples a detection signal at the timing supplied from the delay circuit unit. A delay data storage unit 1 stores a count value obtained by counting a timing of sampling a detection signal from a predetermined phase to a measurement phase of the test signal in synchronization with the test signal.
36, a counter (140, 142) supplied to the position correction data storage unit 150, an image processing unit 146 which is a processing unit for acquiring a scanned image of the electric component based on the sampled detection signal, and And a waveform processing unit 1 for acquiring a waveform corresponding to the test signal.
44. In another embodiment, the electron beam tester 100 may include a test signal generator 138.
The test signal generator 138 only needs to be able to supply a test signal to the electric component and supply a trigger signal corresponding to a predetermined phase of the test signal to the delay circuit unit 134.

【0023】次に、電子ビームテスタ100の動作につ
いて説明する。まず、電気部品の所定の位置に、電子ビ
ームを照射して、試験信号の位相と当該所定の位置とに
対応する走査画像を取得する動作について説明する。
Next, the operation of the electron beam tester 100 will be described. First, an operation of irradiating a predetermined position of an electric component with an electron beam to obtain a scan image corresponding to the phase of a test signal and the predetermined position will be described.

【0024】まず、試験信号発生装置138が、電気部
品に試験信号を周期的に供給する。また、試験信号発生
装置138は、試験信号の所定の位相に対応するトリガ
信号を、遅延回路部134に供給する。当該所定の位相
は、試験信号の測定位相であってよく、また、当該トリ
ガ信号は、当該所定の位相に対応するパルス信号であっ
てよい。そして、図示しない制御部が、検出信号をサン
プリングするタイミングに同期して発生するパルス信号
であるクロックを、カウンタ142に供給する。
First, the test signal generator 138 periodically supplies a test signal to the electric component. Further, the test signal generator 138 supplies a trigger signal corresponding to a predetermined phase of the test signal to the delay circuit unit 134. The predetermined phase may be a measurement phase of a test signal, and the trigger signal may be a pulse signal corresponding to the predetermined phase. Then, a control unit (not shown) supplies the counter 142 with a clock that is a pulse signal generated in synchronization with the timing of sampling the detection signal.

【0025】カウンタ142は、クロックに同期して、
試験信号の所定の位相から測定位相までの検出信号をサ
ンプリングするタイミングをカウントしたカウント値
を、遅延データ記憶部136に供給する。このとき、当
該所定の位相は、試験信号発生装置138において、周
期的に発生する試験信号の開始位相であってよい。カウ
ンタ142は、カウント値に基づいて、測定位相に対応
する遅延データが格納された遅延データ記憶部136の
アドレスを指示することが好ましい。また、図示しない
制御部からの指示に基づいて、カウンタ142は、試験
信号の各々の測定位相に対応するカウント値を供給する
ことが好ましい。
The counter 142 synchronizes with the clock,
The count value obtained by counting the timing of sampling the detection signal from the predetermined phase to the measurement phase of the test signal is supplied to the delay data storage unit 136. At this time, the predetermined phase may be a start phase of a test signal generated periodically in the test signal generator 138. It is preferable that the counter 142 indicates the address of the delay data storage unit 136 in which the delay data corresponding to the measurement phase is stored, based on the count value. Further, it is preferable that the counter 142 supplies a count value corresponding to each measurement phase of the test signal based on an instruction from a control unit (not shown).

【0026】カウンタ142は、位置補正データ記憶部
150にもカウント値を供給してよい。このとき、位置
補正データ記憶部150に、位置補正データは格納され
ていなくてもよく、また、所定の値が格納されていても
よい。また、所定の値は電子ビームの偏向量に影響を与
えない値であるゼロ値であってもよい。
The counter 142 may also supply the count value to the position correction data storage unit 150. At this time, the position correction data may not be stored in the position correction data storage unit 150, or a predetermined value may be stored. The predetermined value may be a zero value that does not affect the amount of deflection of the electron beam.

【0027】遅延回路部134は、遅延データに基づ
き、試験信号発生装置138から供給されたトリガ信号
を所定の時間遅延させた遅延トリガ信号を、トリガ信号
に同期してパルス発生部152に供給する。また、遅延
回路部134は、遅延データに基づき、検出器から出力
された検出信号をサンプリングするタイミングを示すサ
ンプリングパルスを検出信号処理部132に供給する。
遅延データは、試験信号の各々の測定位相に対応し、遅
延トリガ信号とサンプリングパルスを発生させるタイミ
ングを示すデータを有することが好ましい。
The delay circuit 134 supplies a delay trigger signal obtained by delaying the trigger signal supplied from the test signal generator 138 by a predetermined time based on the delay data to the pulse generator 152 in synchronization with the trigger signal. . Further, the delay circuit unit 134 supplies a sampling pulse indicating a timing of sampling the detection signal output from the detector to the detection signal processing unit 132 based on the delay data.
The delay data preferably has data corresponding to each measurement phase of the test signal and indicating timing for generating the delay trigger signal and the sampling pulse.

【0028】パルス発生部152は、受け取った遅延ト
リガ信号に基づき、ブランキング電極116を制御し
て、電子銃114において発生した電子ビームを、ウェ
ハ130に設けられた電気部品に照射するか否かを制御
する。具体的には、電子ビームを電気部品に照射する場
合は、電子ビームを偏向せずにアパーチャ部118に設
けられたアパーチャを通過させ、また、電子ビームを電
気部品に照射させない場合には、電子ビームを偏向させ
て、アパーチャ部118に照射し、アパーチャ部118
より下流に電子ビームが照射されるのを防ぐ。また、偏
向制御部148が、偏向器120を制御して、電気部品
の所定の位置に電子ビームを照射させる。偏向制御部
は、当該制御部が指示する位置に電子ビームを照射させ
るように偏向器120を制御することが好ましい。
The pulse generator 152 controls the blanking electrode 116 based on the received delay trigger signal to determine whether or not to irradiate the electron beam generated by the electron gun 114 to the electric components provided on the wafer 130. Control. Specifically, when irradiating the electronic component with the electron beam, the electron beam is allowed to pass through the aperture provided in the aperture section 118 without being deflected. The beam is deflected to irradiate the aperture section 118, and the aperture section 118
The electron beam is prevented from being irradiated further downstream. The deflection control unit 148 controls the deflector 120 to irradiate a predetermined position of the electric component with an electron beam. It is preferable that the deflection control unit controls the deflector 120 so that the position specified by the control unit is irradiated with the electron beam.

【0029】検出器124は、電子ビームが電気部品に
照射されることにより放出された反射電子や2次電子な
どの電子を検出し、当該電子の量に対応する検出信号を
出力する。検出信号処理部132は、検出信号を受け取
り、遅延回路部134から供給されたサンプリングパル
スに応じて、受け取った検出信号を出力する。
The detector 124 detects electrons such as reflected electrons and secondary electrons emitted by irradiating the electric parts with the electron beam, and outputs a detection signal corresponding to the amount of the electrons. The detection signal processing unit 132 receives the detection signal, and outputs the received detection signal according to the sampling pulse supplied from the delay circuit unit 134.

【0030】次に、電気部品の走査画像を取得し、取得
した走査画像に基づいて位置補正データを取得する動作
について説明する。画像処理部146は、検出信号処理
部132から出力された検出信号を受け取り、当該検出
信号に基づいて、試験信号の位相と当該所定の位置とに
対応する電気部品の走査画像を取得する。走査画像を取
得する動作を、試験信号の測定位相毎に繰り返し、電気
部品の走査画像を取得する。画像処理部146は、試験
信号の測定すべき位相の全てに対して、前述した動作を
繰り返し、測定すべき全ての位相に対応する電気部品の
走査画像を取得することが好ましい。
Next, the operation of acquiring a scanned image of an electric component and acquiring position correction data based on the acquired scanned image will be described. The image processing unit 146 receives the detection signal output from the detection signal processing unit 132, and acquires a scan image of the electric component corresponding to the phase of the test signal and the predetermined position based on the detection signal. The operation of acquiring the scan image is repeated for each measurement phase of the test signal to acquire the scan image of the electric component. It is preferable that the image processing unit 146 repeats the above-described operation for all the phases to be measured of the test signal, and obtains a scan image of the electric component corresponding to all the phases to be measured.

【0031】続いて、画像処理部146は、取得した走
査画像に基づいて、電子ビームの照射位置を補正する位
置補正データを求める。例えば、電気部品が半導体デバ
イスである場合に、当該所定の位置の近傍に、大きな電
流が供給される配線やリードなどがある場合に、電子ビ
ームは当該大きな電流の影響を受け、電子ビームの着地
位置にずれを生じる。当該着地位置のずれは、半導体デ
バイスに供給される試験信号の位相に対応する。具体的
には、例えば、半導体デバイスの当該所定の位置におい
て、当該所定の位相の試験信号が供給されるタイミング
と、電子ビームが照射されるべき当該所定の位置の近傍
で、当該大きな電流が供給されるタイミングとが、略同
じタイミングである場合である。当該所定の位相は、試
験信号の測定位相であってよい。
Subsequently, the image processing section 146 obtains position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam based on the acquired scanned image. For example, when the electric component is a semiconductor device, and there is a wiring or a lead to which a large current is supplied in the vicinity of the predetermined position, the electron beam is affected by the large current and the landing of the electron beam occurs. The position shifts. The displacement of the landing position corresponds to the phase of the test signal supplied to the semiconductor device. Specifically, for example, at the predetermined position of the semiconductor device, the timing at which the test signal of the predetermined phase is supplied, and the large current is supplied near the predetermined position to be irradiated with the electron beam. This is a case in which the timings are substantially the same. The predetermined phase may be a measurement phase of the test signal.

【0032】画像処理部146は、電子ビームが照射さ
れるべき当該所定の位置において、電子ビームが試験信
号の影響を受けずに電気部品に照射されたときに得られ
る画像である期待画像と、取得した走査画像とに基づい
て、位置補正データを求める。本実施例において、画像
処理部146は、走査画像と期待画像とを画像処理し、
各々の位相において、走査画像と期待画像との電子ビー
ム照射位置の差分に基づき、位置補正データを求める。
続いて、画像処理部146は、求めた位置補正データを
位置補正データ記憶部150に書き込む。
The image processing unit 146 includes an expected image, which is an image obtained when the electron beam is irradiated on the electric component without being affected by the test signal, at the predetermined position to be irradiated with the electron beam, Position correction data is obtained based on the acquired scanned image. In the present embodiment, the image processing unit 146 performs image processing on the scanned image and the expected image,
At each phase, position correction data is obtained based on the difference between the electron beam irradiation positions of the scanned image and the expected image.
Subsequently, the image processing unit 146 writes the obtained position correction data to the position correction data storage unit 150.

【0033】本発明による電子ビームテスタ100は、
取得した位置補正データを用いて、電気部品の走査画像
を再度取得するのが望ましい。取得した位置補正データ
を用いて、電気部品の走査画像を再度取得することによ
り、取得した位置補正データに基づいて、電子ビームの
着地位置が補正されているかを確認することができる。
The electron beam tester 100 according to the present invention
It is desirable to re-acquire a scanned image of the electrical component using the acquired position correction data. By re-acquiring the scanned image of the electric component using the acquired position correction data, it is possible to confirm whether the landing position of the electron beam has been corrected based on the acquired position correction data.

【0034】走査画像を再度取得する動作において、カ
ウンタ142は、クロックに同期して、試験信号の所定
の位相から測定位相までの検出信号をサンプリングする
タイミングをカウントしたカウント値を、遅延データ記
憶部136および位置補正データ記憶部150に供給す
る。このとき、当該所定の位相は、試験信号発生装置1
38において、周期的に発生する試験信号の開始位相で
あってよい。カウンタ142は、カウント値に基づい
て、測定位相に対応する遅延データが格納された遅延デ
ータ記憶部136のアドレスと、測定位相に対応する位
置補正データが格納された位置補正データ記憶部150
のアドレスとを指示することが好ましい。また、カウン
タ142は、図示しない制御部からの指示に基づいて、
試験信号の各々の測定位相に対応するカウント値を供給
することが好ましい。
In the operation of acquiring the scanned image again, the counter 142 stores the count value obtained by counting the timing of sampling the detection signal from the predetermined phase to the measurement phase of the test signal in synchronization with the clock in the delay data storage unit. 136 and the position correction data storage unit 150. At this time, the predetermined phase is determined by the test signal generator 1
At 38, it may be the starting phase of a periodically occurring test signal. Based on the count value, the counter 142 stores an address of the delay data storage unit 136 storing the delay data corresponding to the measurement phase, and a position correction data storage unit 150 storing the position correction data corresponding to the measurement phase.
It is preferable to indicate the address of the device. Further, the counter 142 is controlled based on an instruction from a control unit (not shown).
Preferably, a count value corresponding to each measured phase of the test signal is provided.

【0035】偏向制御部148は、カウンタ142が指
示したアドレスに基づいて、測定位相に対応する位置補
正データを、位置補正データ記憶部150から読み出
す。そして、読み出された位置補正データに基づき、ア
パーチャ部118に設けられたアパーチャを通過した電
子ビームを偏向させ、電気部品に対する電子ビームの照
射位置を補正する。偏向制御部148は、検出信号処理
部132が、検出信号をサンプリングするタイミングを
示すサンプリングパルスに応じて、位置補正データ記憶
部150から、次の測定位相に対応する位置補正データ
を読み出し、読み出された位置補正データに基づき、偏
向器120を制御するのが好ましい。
The deflection control section 148 reads out position correction data corresponding to the measurement phase from the position correction data storage section 150 based on the address specified by the counter 142. Then, based on the read position correction data, the electron beam passing through the aperture provided in the aperture section 118 is deflected to correct the irradiation position of the electron beam on the electric component. The deflection control unit 148 reads and reads the position correction data corresponding to the next measurement phase from the position correction data storage unit 150 in accordance with the sampling pulse indicating the timing at which the detection signal processing unit 132 samples the detection signal. It is preferable to control the deflector 120 based on the obtained position correction data.

【0036】電子ビームが補正された位置に照射される
ことにより放出された電子を、検出器124が検出し、
当該電子の量に対応する検出信号を出力する。検出信号
処理部132は、検出信号を受け取り、遅延回路部13
4から供給されたサンプリングパルスに応じて、受け取
った検出信号を出力する。
The detector 124 detects electrons emitted by irradiating the corrected position with the electron beam,
A detection signal corresponding to the amount of the electrons is output. The detection signal processing unit 132 receives the detection signal, and
The received detection signal is output according to the sampling pulse supplied from 4.

【0037】画像処理部146は、検出信号処理部13
2から出力された検出信号に基づいて、走査画像を再度
取得する。画像処理部146は、再度取得した走査画像
と、走査画像および/または期待画像とを画像処理し、
再度取得した走査画像と、走査画像および/または期待
画像とを比較して、走査画像または補正走査画像を取得
して得られた位置補正データに基づいて、電子ビームの
着地位置が補正されているかを確認することが好まし
い。また、再度取得した走査画像を、図示しない表示部
に表示させて、電子ビームの着地位置が補正されている
か確認してもよい。
The image processing unit 146 includes the detection signal processing unit 13
A scanned image is acquired again based on the detection signal output from the second. The image processing unit 146 performs image processing on the reacquired scanned image and the scanned image and / or the expected image,
Whether the landing position of the electron beam has been corrected based on the position correction data obtained by acquiring the scanned image or the corrected scanned image by comparing the reacquired scanned image with the scanned image and / or the expected image. Is preferably confirmed. Further, the re-acquired scanned image may be displayed on a display unit (not shown) to confirm whether the landing position of the electron beam has been corrected.

【0038】続いて、走査画像を取得して求めた位置補
正データを用いて、電気部品に供給される試験信号に対
応する波形を取得する動作について説明する。波形を取
得する動作は、前述した走査画像を再度取得する動作と
同様に、検出信号のサンプリングを行う。
Next, an operation of obtaining a waveform corresponding to a test signal supplied to an electric component using the position correction data obtained by obtaining a scanned image will be described. The operation of acquiring the waveform samples the detection signal in the same manner as the operation of acquiring the scanned image again.

【0039】まず、試験信号発生装置138が、電気部
品に試験信号を周期的に供給する。また、試験信号発生
装置138は、試験信号の所定の位相に対応するトリガ
信号を、遅延回路部134に供給する。当該所定の位相
は、試験信号の測定位相であってよく、また、当該トリ
ガ信号は、当該所定の位相に対応するパルス信号であっ
てよい。そして、図示しない制御部が、検出信号をサン
プリングするタイミングに同期して発生するパルス信号
であるクロックを、カウンタ140に供給する。
First, the test signal generator 138 periodically supplies a test signal to the electric component. Further, the test signal generator 138 supplies a trigger signal corresponding to a predetermined phase of the test signal to the delay circuit unit 134. The predetermined phase may be a measurement phase of a test signal, and the trigger signal may be a pulse signal corresponding to the predetermined phase. Then, a control unit (not shown) supplies the counter 140 with a clock that is a pulse signal generated in synchronization with the timing of sampling the detection signal.

【0040】カウンタ140は、クロックに同期して、
試験信号の所定の位相から測定位相までの検出信号をサ
ンプリングするタイミングをカウントしたカウント値
を、遅延データ記憶部136および位置補正データ記憶
部150に供給する。このとき、当該所定の位相は、試
験信号発生装置138において、周期的に発生する試験
信号の開始位相であってよい。カウンタ140は、カウ
ント値に基づいて、測定位相に対応する遅延データが格
納された遅延データ記憶部136のアドレスと、測定位
相に対応する位置補正データが格納された位置補正デー
タ記憶部150のアドレスとを指示することが好まし
い。また、カウンタ140は、図示しない制御部からの
指示に基づいて、試験信号の各々の測定位相に対応する
カウント値を供給することが好ましい。
The counter 140 synchronizes with the clock,
The count value obtained by counting the timing of sampling the detection signal from the predetermined phase to the measurement phase of the test signal is supplied to the delay data storage unit 136 and the position correction data storage unit 150. At this time, the predetermined phase may be a start phase of a test signal generated periodically in the test signal generator 138. Based on the count value, the counter 140 stores an address of the delay data storage unit 136 storing the delay data corresponding to the measurement phase and an address of the position correction data storage unit 150 storing the position correction data corresponding to the measurement phase. Is preferably indicated. Further, it is preferable that the counter 140 supplies a count value corresponding to each measurement phase of the test signal based on an instruction from a control unit (not shown).

【0041】遅延回路部134は、サンプリングパルス
を検出信号処理部132に供給する。また、遅延回路部
134は、遅延トリガ信号をパルス発生部152に供給
する。パルス発生部152は、受け取った遅延トリガ信
号に基づき、ブランキング電極116を制御して、電子
銃114において発生した電子ビームを、ウェハ130
に設けられた電気部品に照射するか否かを制御する。検
出器124は、電子ビームが電気部品に照射されること
により放出された反射電子や2次電子などの電子を検出
し、当該電子の量に対応する検出信号を出力する。検出
信号処理部132は、検出信号を受け取り、遅延回路部
134から供給されたサンプリングパルスに応じて、受
け取った検出信号を出力する。
The delay circuit section 134 supplies a sampling pulse to the detection signal processing section 132. Further, the delay circuit unit 134 supplies a delay trigger signal to the pulse generation unit 152. The pulse generation unit 152 controls the blanking electrode 116 based on the received delay trigger signal, and outputs the electron beam generated by the electron gun 114 to the wafer 130.
To control whether or not to irradiate the electric components provided in the. The detector 124 detects electrons such as reflected electrons and secondary electrons emitted by irradiating the electronic component with the electron beam, and outputs a detection signal corresponding to the amount of the electrons. The detection signal processing unit 132 receives the detection signal, and outputs the received detection signal according to the sampling pulse supplied from the delay circuit unit 134.

【0042】次に、波形処理部144が、検出信号処理
部132から出力された検出信号に基づいて、試験信号
の電位と測定位相とに対応する波形を取得する。そし
て、取得した波形と、電気部品が正常な動作をするとき
に得られるべき波形である期待波形とを比較し、電気部
品の良否を判断する。
Next, based on the detection signal output from the detection signal processing unit 132, the waveform processing unit 144 acquires a waveform corresponding to the potential of the test signal and the measured phase. Then, the obtained waveform is compared with an expected waveform which should be obtained when the electric component operates normally, and the quality of the electric component is determined.

【0043】図4は、前述した走査画像を取得する動作
のタイミングチャートを示す。図4(a)は、走査画像
を取得するときのタイミングチャートを示す。図1を参
照して、試験信号発生装置138から出力されたトリガ
信号に同期して、遅延回路部134は、トリガ信号を所
定の時間遅延させたサンプリングパルスを出力する。遅
延回路部134からサンプリングパルスが出力された
後、図示しない制御部において発生したクロックに同期
して、カウンタ142は、試験信号の次の測定位相に対
応する遅延データが格納された遅延データ記憶部134
のアドレスを指示する。
FIG. 4 is a timing chart of the operation for acquiring the above-described scanned image. FIG. 4A shows a timing chart when a scanned image is obtained. Referring to FIG. 1, in synchronization with a trigger signal output from test signal generator 138, delay circuit section 134 outputs a sampling pulse obtained by delaying the trigger signal by a predetermined time. After the sampling pulse is output from the delay circuit unit 134, in synchronization with the clock generated in the control unit (not shown), the counter 142 stores the delay data corresponding to the next measurement phase of the test signal. 134
Specify the address of

【0044】図4(b)は、走査画像を再度取得すると
きのタイミングチャートを示す。図1を参照して、試験
信号発生装置138から出力されたトリガ信号に同期し
て、遅延回路部134は、トリガ信号を所定の時間遅延
させたサンプリングパルスを出力する。遅延回路部13
4からサンプリングパルスが出力された後、図示しない
制御部において発生したクロックに同期して、カウンタ
142は、次の測定位相に対応する遅延データが格納さ
れた遅延データ記憶部134のアドレスと、次の測定位
相に対応する位置補正データが格納された位置補正デー
タ記憶部150のアドレスとを指示する。
FIG. 4B shows a timing chart when a scanned image is obtained again. Referring to FIG. 1, in synchronization with a trigger signal output from test signal generator 138, delay circuit section 134 outputs a sampling pulse obtained by delaying the trigger signal by a predetermined time. Delay circuit section 13
After the sampling pulse is output from the counter 4, in synchronization with the clock generated in the control unit (not shown), the counter 142 stores the address of the delay data storage unit 134 in which the delay data corresponding to the next measurement phase is stored, and And the address of the position correction data storage unit 150 in which the position correction data corresponding to the measurement phase is stored.

【0045】図4(c)は、波形を取得するときのタイ
ミングチャートを示す。図1を参照して、試験信号発生
装置138から出力されたトリガ信号に同期して、遅延
回路部134は、トリガ信号を所定の時間遅延させたサ
ンプリングパルスを出力する。遅延回路部134からサ
ンプリングパルスが出力された後、図示しない制御部に
おいて発生したクロックに同期して、カウンタ140
は、次の測定位相に対応する遅延データが格納された遅
延データ記憶部134のアドレスと、次の測定位相に対
応する位置補正データが格納された位置補正データ記憶
部150のアドレスとを指示する。
FIG. 4C shows a timing chart when acquiring a waveform. Referring to FIG. 1, in synchronization with a trigger signal output from test signal generator 138, delay circuit section 134 outputs a sampling pulse obtained by delaying the trigger signal by a predetermined time. After the sampling pulse is output from the delay circuit unit 134, the counter 140 is synchronized with a clock generated in a control unit (not shown).
Indicates the address of the delay data storage unit 134 storing the delay data corresponding to the next measurement phase and the address of the position correction data storage unit 150 storing the position correction data corresponding to the next measurement phase. .

【0046】本発明による電子ビームテスタ100は、
偏向制御部148が、試験信号の測定位相に対応する位
置補正データを用い、試験信号に同期させて偏向器12
0を制御し、電子ビームの照射位置を補正することがで
きる。従って、試験信号の各々の位相に対応する位置補
正データを用いて、当該試験信号に同期させて電子ビー
ムの照射位置を補正して走査画像を再度取得することに
より、当該位置補正データが適切であるか否かを確認す
ることができる。また、適切であることが確認された位
置補正データを、波形を取得する動作においてそのまま
用いることができる。
The electron beam tester 100 according to the present invention
The deflection control unit 148 uses the position correction data corresponding to the measurement phase of the test signal, and synchronizes the deflector 12 with the test signal.
0 can be controlled to correct the irradiation position of the electron beam. Therefore, by using the position correction data corresponding to each phase of the test signal and correcting the irradiation position of the electron beam in synchronization with the test signal and acquiring the scan image again, the position correction data is appropriate. You can check whether there is. Further, the position correction data confirmed to be appropriate can be used as it is in the operation of acquiring the waveform.

【0047】図5は、電気部品に供給される試験信号の
波形と、本発明による電子ビームテスタ100を用いて
取得した、電気部品の測定位置における波形の一例を示
す。本発明による電子ビームテスタ100は、1サンプ
リング毎に測定位相を試験信号に同期させて変更するこ
とができる。さらに、遅延回路部134が出力するサン
プリングパルスに応じて、偏向制御部148は、位置補
正データを読み出し、読み出した位置補正データに基づ
いて、偏向器120を制御するため、偏向器120が安
定した動作をするまでに必要とする時間である整定時間
を十分にとることができる。そのため、1サンプリング
毎に適切な位置補正データを用いて、電子ビームの照射
位置を補正することができ、電気部品の表面が絶縁膜な
どの膜で覆われている場合であっても、電気部品の表面
が帯電するのを抑制することができる。結果として、図
5に示すように、測定時間を増大させることなく測定波
形の歪を低減させることができる。
FIG. 5 shows an example of a waveform of a test signal supplied to an electric component and a waveform at a measurement position of the electric component obtained by using the electron beam tester 100 according to the present invention. The electron beam tester 100 according to the present invention can change the measurement phase in synchronization with the test signal every sampling. Further, in response to the sampling pulse output from the delay circuit unit 134, the deflection control unit 148 reads the position correction data and controls the deflector 120 based on the read position correction data. A sufficient settling time, which is a time required until the operation, can be obtained. Therefore, the irradiation position of the electron beam can be corrected by using the appropriate position correction data for each sampling, and even when the surface of the electric component is covered with a film such as an insulating film, the electric component can be corrected. Can be prevented from being charged. As a result, as shown in FIG. 5, the distortion of the measured waveform can be reduced without increasing the measurement time.

【0048】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. Various changes or improvements can be added to the above embodiment. It should be noted that such modified or improved embodiments may be included in the technical scope of the present invention.
It is clear from the description of the claims.

【0049】[0049]

【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば測定時間を増大させずに、精度よく波形を取得す
ることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a waveform can be acquired with high accuracy without increasing the measurement time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の電子ビームテスタ300を示す。FIG. 1 shows a conventional electron beam tester 300.

【図2】従来の電子ビームテスタ300動作のタイミン
グチャート、試験信号の波形、および測定波形を示す。
FIG. 2 shows a timing chart of the operation of a conventional electron beam tester 300, a waveform of a test signal, and a measured waveform.

【図3】本発明の一実施形態に係る電子ビームテスタ1
00を示す。
FIG. 3 is an electron beam tester 1 according to one embodiment of the present invention.
00 is shown.

【図4】走査画像を取得する動作のタイミングチャート
を示す。
FIG. 4 shows a timing chart of an operation of acquiring a scanned image.

【図5】電気部品に供給される試験信号の波形と、本発
明による電子ビームテスタ100を用いて取得した、電
気部品の測定位置における波形の一例を示す。
FIG. 5 shows an example of a waveform of a test signal supplied to an electric component and a waveform at a measurement position of the electric component obtained by using the electron beam tester 100 according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100・・・電子ビームテスタ、110・・・電子ビー
ム照射系、112・・・筐体、114・・・電子銃、1
16・・・ブランキング電極、118・・・アパーチャ
部、120・・・偏向器、124・・・検出器、126
・・・ステージ、130・・・ウェハ、132・・・検
出信号処理部、134・・・遅延回路部、136・・・
遅延データ記憶部、138・・・試験信号発生装置、1
40・・・カウンタ、142・・・カウンタ、144・
・・波形処理部、146・・・画像処理部、148・・
・偏向制御部、150・・・位置補正データ記憶部、1
52・・・パルス発生部、160・・・制御系
100: electron beam tester, 110: electron beam irradiation system, 112: housing, 114: electron gun, 1
16 ... blanking electrode, 118 ... aperture part, 120 ... deflector, 124 ... detector, 126
... Stage, 130 ... Wafer, 132 ... Detection signal processing unit, 134 ... Delay circuit unit, 136 ...
Delay data storage unit, 138: test signal generator, 1
40 ... counter, 142 ... counter, 144
..Waveform processing unit, 146... Image processing unit, 148.
Deflection control unit, 150: position correction data storage unit, 1
52: pulse generator, 160: control system

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Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 周期的に試験信号が供給された電気部品
を、電子ビームを用いて試験する電子ビームテスタであ
って、 前記電気部品に前記電子ビームを照射する電子銃と、 前記電子ビームを、前記電気部品の所望の位置に偏向す
る偏向器と、 前記電子ビームの照射位置を補正する位置補正データを
格納する位置補正データ記憶部と、 前記位置補正データ記憶部から、前記位置補正データを
読み出し、読み出された前記位置補正データに基づき、
前記試験信号に同期して前記偏向器を制御する偏向制御
部と、 前記電気部品から放射された電子を検出して、前記電子
の量に対応する検出信号を出力する検出器とを備えるこ
とを特徴とする電子ビームテスタ。
An electron beam tester for testing an electrical component to which a test signal is periodically supplied by using an electron beam, comprising: an electron gun that irradiates the electrical component with the electron beam; A deflector that deflects the electronic component to a desired position; a position correction data storage unit that stores position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam; and the position correction data from the position correction data storage unit. Read, based on the read position correction data,
A deflection control unit that controls the deflector in synchronization with the test signal, and a detector that detects electrons emitted from the electrical component and outputs a detection signal corresponding to the amount of the electrons. Characterized electron beam tester.
【請求項2】 前記検出信号をサンプリングするタイミ
ングを示す遅延データを、前記試験信号の位相毎に格納
する遅延データ記憶部と、 前記遅延データ記憶部から前記遅延データを読み出し、
読み出された前記遅延データに基づき、前記試験信号に
同期して前記タイミングを供給する遅延回路部と、 前記検出信号を、前記遅延回路部から供給された前記タ
イミングでサンプリングする検出信号処理部とを更に備
えることを特徴とする請求項1記載の電子ビームテス
タ。
2. A delay data storage unit for storing delay data indicating a timing of sampling the detection signal for each phase of the test signal; and reading the delay data from the delay data storage unit.
A delay circuit unit that supplies the timing in synchronization with the test signal based on the read delay data; and a detection signal processing unit that samples the detection signal at the timing supplied from the delay circuit unit. The electron beam tester according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 前記偏向制御部は、前記タイミングに応
じて、前記位置補正データ記憶部から、前記位置補正デ
ータを読み出し、読み出された前記位置補正データに基
づき、前記偏向器を制御することを特徴とする請求項2
記載の電子ビームテスタ。
3. The deflection control unit reads the position correction data from the position correction data storage unit according to the timing, and controls the deflector based on the read position correction data. 3. The method according to claim 2, wherein
An electron beam tester as described.
【請求項4】 前記電気部品の所定の位置に前記電子ビ
ームを照射し、前記検出信号に基づいて取得した、前記
試験信号の位相と前記所定の位置とに対応する前記電気
部品の走査画像と、前記電子ビームが、前記試験信号の
影響を受けずに前記電気部品に照射されたときに得られ
る期待画像とに基づいて、前記位置補正データを求める
処理部を更に備えることを特徴とする請求項2記載の電
子ビームテスタ。
4. A scanning image of the electric component corresponding to the phase of the test signal and the predetermined position, which is obtained based on the detection signal, by irradiating the predetermined position of the electric component with the electron beam. And a processing unit for obtaining the position correction data based on an expected image obtained when the electron beam is irradiated on the electric component without being affected by the test signal. Item 2. An electron beam tester according to Item 2.
【請求項5】 前記位置補正データを用いて、前記走査
画像を再度取得し、前記処理部が、再度取得した前記走
査画像に基づいて、前記位置補正データを再度求めるこ
とを特徴とする請求項4記載の電子ビームテスタ。
5. The method according to claim 1, wherein the scan image is obtained again using the position correction data, and the processing unit obtains the position correction data again based on the scan image obtained again. 4. The electron beam tester according to 4.
【請求項6】 前記試験信号に同期して、前記試験信号
の所定の位相から測定位相までの前記タイミングをカウ
ントしたカウント値を、前記遅延データ記憶部および前
記位置補正データ記憶部に供給するカウンタを更に備
え、 前記カウンタは、前記カウント値に基づいて、前記測定
位相に対応する前記遅延データが格納された前記遅延デ
ータ記憶部のアドレスと、前記測定位相に対応する前記
位置補正データが格納された前記位置補正データ記憶部
のアドレスとを指示することを特徴とする請求項2から
5のいずれかに記載の電子ビームテスタ。
6. A counter which supplies a count value obtained by counting the timing from a predetermined phase to a measurement phase of the test signal to the delay data storage unit and the position correction data storage unit in synchronization with the test signal. The counter further includes an address of the delay data storage unit in which the delay data corresponding to the measurement phase is stored, and the position correction data corresponding to the measurement phase, based on the count value. 6. The electron beam tester according to claim 2, wherein an address of the position correction data storage unit is specified.
【請求項7】 電子ビームにより電気部品を試験する試
験方法であって、 前記電気部品に対する前記電子ビームの照射位置を補正
する位置補正データを記憶するステップと、 前記位置補正データに基づき、前記電気部品に周期的に
供給される試験信号に同期して、前記電子ビームの照射
位置を制御するステップと、 前記試験信号に対応する波形を取得するステップとを備
えることを特徴とする試験方法。
7. A test method for testing an electric component using an electron beam, comprising: storing position correction data for correcting an irradiation position of the electron beam on the electric component; A test method comprising: controlling an irradiation position of the electron beam in synchronization with a test signal periodically supplied to a component; and acquiring a waveform corresponding to the test signal.
【請求項8】 前記電気部品の所定の位置に、前記電子
ビームを照射して、前記試験信号の位相と前記所定の位
置とに対応する走査画像を取得するステップと、 前記走査画像と、前記電子ビームが、前記試験信号の影
響を受けずに前記電気部品に照射されたときに得られる
期待画像とに基づいて、前記電子ビームの照射位置を補
正する位置補正データを取得するステップとを更に備え
ることを特徴とする請求項7記載の試験方法。
8. A step of irradiating a predetermined position of the electric component with the electron beam to acquire a scan image corresponding to a phase of the test signal and the predetermined position; Obtaining position correction data for correcting the irradiation position of the electron beam based on an expected image obtained when the electron beam is irradiated on the electric component without being affected by the test signal. The test method according to claim 7, wherein the test method is provided.
【請求項9】 前記走査画像を取得するステップと、前
記位置補正データを取得するステップと、前記位置補正
データを記憶するステップとを複数回繰り返すことを特
徴とする請求項8に記載の試験方法。
9. The test method according to claim 8, wherein the step of acquiring the scanned image, the step of acquiring the position correction data, and the step of storing the position correction data are repeated a plurality of times. .
【請求項10】 前記波形を取得するステップが、 前記電気部品に前記電子ビームを照射して、前記電気部
品から放出された電子を検出し、前記電子の量に対応す
る検出信号を取得するステップと、 前記検出信号を所定のタイミングでサンプリングするス
テップと、 前記タイミングを示す遅延データに基づき、前記試験信
号に同期して、前記タイミングを発生させるステップ
と、 前記検出信号に基づいて、前記波形を取得するステップ
とを含むことを特徴とする請求項7から9のいずれかに
記載の試験方法。
10. The step of acquiring the waveform includes irradiating the electronic component with the electron beam, detecting electrons emitted from the electrical component, and obtaining a detection signal corresponding to the amount of the electrons. Sampling the detection signal at a predetermined timing; generating the timing in synchronization with the test signal based on delay data indicating the timing; and generating the waveform based on the detection signal. The test method according to any one of claims 7 to 9, comprising a step of acquiring.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012165293A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ Electron microscope and image capturing method using electron beam
JP2015135833A (en) * 2015-04-30 2015-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ Imaging method using electron beam and electron beam device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012165293A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ Electron microscope and image capturing method using electron beam
JP2012252913A (en) * 2011-06-03 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp Electron microscope and imaging method using electron beam
JP2015135833A (en) * 2015-04-30 2015-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ Imaging method using electron beam and electron beam device

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