JP2002026689A - Surface acoustic wave convolver - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スペクトラム拡散
通信において受信機で拡散信号を逆拡散する場合に、拡
散信号と参照信号との相関をとる表面弾性波コンボルバ
に係り、特に、広帯域の拡散信号を用いることができる
表面弾性波コンボルバに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave convolver for correlating a spread signal with a reference signal when a spread signal is despread by a receiver in spread spectrum communication, and more particularly to a wideband spread signal. The present invention relates to a surface acoustic wave convolver that can use a surface acoustic wave convolver.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、スペクトラム拡散通信において受
信機で拡散信号を逆拡散する場合に、拡散信号と参照信
号との相関をとる表面弾性波コンボルバとしては、図６
に示すように、半導体薄膜とグレーティング電極を用い
た表面弾性波コンボルバがあった。2. Description of the Related Art Conventionally, when a spread signal is despread by a receiver in spread spectrum communication, a surface acoustic wave convolver for correlating a spread signal with a reference signal is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, there is a surface acoustic wave convolver using a semiconductor thin film and a grating electrode.
【０００３】従来の表面弾性波コンボルバの構成を図６
を参照しながら詳細に説明する。図６は、従来の表面弾
性波コンボルバ５０の構成を示す平面図である。表面弾
性波コンボルバ５０は、図６に示すように、２つの入力
電極５４ａ，５４ｂと、複数の突出電極５５ａを一辺に
有するすだれ型の出力取出電極５６ａと、複数の突出電
極５５ｂを一辺に有するすだれ型のアース電極５６ｂ
と、矩形板状の半導体層５８と、矩形板状の複数のグレ
ーティング電極７０とを圧電体基板５２上に設けて構成
されている。FIG. 6 shows a configuration of a conventional surface acoustic wave convolver.
This will be described in detail with reference to FIG. FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a conventional surface acoustic wave convolver 50. As shown in FIG. 6, the surface acoustic wave convolver 50 has two input electrodes 54a and 54b, an interdigital output extraction electrode 56a having a plurality of protruding electrodes 55a on one side, and a plurality of protruding electrodes 55b on one side. Interdigital electrode 56b
And a rectangular plate-like semiconductor layer 58 and a plurality of rectangular plate-like grating electrodes 70 provided on the piezoelectric substrate 52.
【０００４】入力電極５４ａ，５４ｂは、電極指の交差
幅が一様である、正規型すだれ状電極から構成されてお
り、各入力電極５４ａ，５４ｂの交差幅および電極指の
本数は同一となるようにして構成した。半導体層５８
は、その長手方向が入力電極５４ａ，５４ｂ間を伝搬す
る表面弾性波の伝搬方向と平行となるように、表面弾性
波の伝搬路外に配置されている。The input electrodes 54a and 54b are composed of regular IDTs having a uniform cross width of the electrode fingers, and the cross width of each input electrode 54a and 54b and the number of electrode fingers are the same. The configuration was as follows. Semiconductor layer 58
Is disposed outside the surface acoustic wave propagation path such that its longitudinal direction is parallel to the direction of propagation of the surface acoustic wave propagating between the input electrodes 54a and 54b.
【０００５】出力取出電極５６ａは、各突出電極５５ａ
の突出方向が表面弾性波の伝搬方向と直交するようにか
つ各突出電極５５ａが半導体層５８上に架かるように、
表面弾性波の伝搬路外に配置されている。各グレーティ
ング電極７０は、その長手方向が表面弾性波の伝搬方向
と直交するようにかつ各グレーティング電極７０の一端
と各突出電極５５ａとが半導体層５８上で交互となるよ
うに、表面弾性波の伝搬路内に配置されている。[0005] The output extraction electrode 56a is connected to each protruding electrode 55a.
In such a manner that the projecting direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave, and each projecting electrode 55a is bridged on the semiconductor layer 58,
It is arranged outside the propagation path of the surface acoustic wave. Each grating electrode 70 has a surface acoustic wave such that its longitudinal direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave and one end of each grating electrode 70 and each projecting electrode 55a are alternately formed on the semiconductor layer 58. It is located in the propagation path.
【０００６】ここで、表面弾性波の伝搬方向からみて突
出電極５５ａとグレーティング電極７０とが重なり合う
部分の長さは、１５λ（λは表面弾性波の周波数帯域に
おける中心周波数の波長である。）となっている。この
重なり合う部分では、各突出電極５５ａおよび各グレー
ティング電極７０の電極幅は、いずれもλ／１６とな
り、それら電極の電極ピッチは、いずれもλ／８となっ
ている。一方、重なり合う部分以外の部分では、各突出
電極５５ａおよび各グレーティング電極７０の電極幅
は、いずれもλ／８となり、それら電極の電極ピッチ
は、いずれもλ／４となっている。Here, the length of the portion where the protruding electrode 55a and the grating electrode 70 overlap as viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave is 15λ (λ is the wavelength of the center frequency in the frequency band of the surface acoustic wave). Has become. In this overlapping portion, the electrode width of each of the protruding electrodes 55a and each of the grating electrodes 70 is λ / 16, and the electrode pitch of each of the electrodes is λ / 8. On the other hand, in portions other than the overlapping portion, the electrode width of each protruding electrode 55a and each grating electrode 70 is λ / 8, and the electrode pitch of each electrode is λ / 4.
【０００７】アース電極５６ｂは、各突出電極５５ｂの
突出方向が表面弾性波の伝搬方向と直交するようにかつ
突出電極５５ｂとグレーティング電極７０とが交互とな
るように、出力取出電極５５ａと対向して表面弾性波の
伝搬路外に配置されている。ここで、表面弾性波の伝搬
方向からみて突出電極５５ｂとグレーティング電極７０
とが重なり合う部分の長さは、１５λとなっている。こ
の重なり合う部分では、各突出電極５５ｂおよび各グレ
ーティング電極７０の電極幅は、いずれもλ／１６とな
り、それら電極の電極ピッチは、いずれもλ／８となっ
ている。一方、重なり合う部分以外の部分では、各突出
電極５５ｂの電極幅は、λ／８となり、その電極ピッチ
は、λ／４となっている。The ground electrode 56b is opposed to the output extraction electrode 55a such that the projecting direction of each projecting electrode 55b is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave, and the projecting electrodes 55b and the grating electrodes 70 are alternated. The surface acoustic wave is disposed outside the propagation path. Here, the protruding electrode 55 b and the grating electrode 70 are viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave.
Is 15λ. In this overlapping portion, the electrode width of each of the protruding electrodes 55b and each of the grating electrodes 70 is λ / 16, and the electrode pitch of these electrodes is λ / 8. On the other hand, in portions other than the overlapping portion, the electrode width of each protruding electrode 55b is λ / 8, and the electrode pitch is λ / 4.
【０００８】半導体層５８は、ｐ型半導体層とｎ型半導
体層とを厚さ方向に積層してなり、突出電極５５ａとグ
レーティング電極７０とが架かる層をｐ型半導体層とし
て圧電体基板５２上に設けられている。また、半導体層
５８と圧電体基板５２との間には、Ｓｂを含む緩衝層が
介挿されている。The semiconductor layer 58 is formed by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer in the thickness direction, and a layer on which the protruding electrode 55a and the grating electrode 70 are bridged is formed as a p-type semiconductor layer on the piezoelectric substrate 52. It is provided in. Further, a buffer layer containing Sb is interposed between the semiconductor layer 58 and the piezoelectric substrate 52.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】スペクトラム拡散通信
では、送信すべき原信号のスペクトルを拡散することに
より、高い秘話性および耐ノイズ性を実現している。ス
ペクトラム拡散通信を行うにあたっては、拡散信号のス
ペクトルを拡散すればするほど秘話性および耐ノイズ性
が高くなるため、拡散信号のスペクトルをできるだけ広
い周波数帯域に拡散することが望ましい。In the spread spectrum communication, high privacy and noise resistance are realized by spreading the spectrum of the original signal to be transmitted. In performing spread spectrum communication, the more spread the spectrum of the spread signal, the higher the confidentiality and noise resistance. Therefore, it is desirable to spread the spectrum of the spread signal over a frequency band as wide as possible.
【００１０】しかしながら、上記従来の表面弾性波コン
ボルバには、図７に示すように、表面弾性波の伝搬遅延
時間がその波長によって変化するという特性があるた
め、拡散信号のスペクトルを拡散しすぎると、拡散信号
の周波数帯域の上限の周波数と下限の周波数とで著しい
位相のずれが生じ、拡散信号を正確に逆拡散することが
できなくなる。図７は、従来の表面弾性波コンボルバの
伝搬遅延特性を示すグラフである。図７においては、表
面弾性波（拡散信号を周波数復調した信号）の周波数帯
域の上限の周波数（２１０[MHz]）と下限の周波数（１
１０[MHz]）とでは、１００[ｎｓ]程度の位相のずれが
生じている。したがって、上記従来の表面弾性波コンボ
ルバでは、拡散信号を拡散するのに一定の限界があっ
た。However, the conventional surface acoustic wave convolver has a characteristic that the propagation delay time of the surface acoustic wave varies depending on its wavelength, as shown in FIG. In addition, a remarkable phase shift occurs between the upper limit frequency and the lower limit frequency of the spread signal frequency band, and the spread signal cannot be accurately despread. FIG. 7 is a graph showing propagation delay characteristics of a conventional surface acoustic wave convolver. In FIG. 7, the upper limit frequency (210 [MHz]) and the lower limit frequency (1) of the frequency band of the surface acoustic wave (a signal obtained by frequency-demodulating a spread signal) are shown.
10 [MHz]), a phase shift of about 100 [ns] occurs. Therefore, the above conventional surface acoustic wave convolver has a certain limit in spreading a spread signal.
【００１１】従来のスペクトラム拡散通信では、拡散信
号の周波数帯域幅が２６[MHz]程度と比較的狭帯域であ
ったため、上記伝搬遅延特性がさほど問題とならなかっ
たが、将来的に、同一周波数帯域内において多数の通信
が混在するなかでそれら通信からの干渉を少なくする必
要性から、図７に示すように、拡散信号のスペクトルを
より広い周波数帯域に拡散して通信を行うことを考えた
ときには、上記伝搬遅延特性が切実な問題となってく
る。In the conventional spread spectrum communication, since the frequency bandwidth of the spread signal is relatively narrow, about 26 [MHz], the above-mentioned propagation delay characteristics did not cause much problem. Since there is a need to reduce interference from a large number of communications in a band, communication was considered by spreading the spectrum of the spread signal over a wider frequency band as shown in FIG. At times, the above-mentioned propagation delay characteristic becomes a serious problem.
【００１２】そこで、本発明は、このような従来の技術
の有する未解決の課題に着目してなされたものであっ
て、広帯域の拡散信号を用いることができる表面弾性波
コンボルバを提供することを目的としている。The present invention has been made in view of such an unsolved problem of the prior art, and has as its object to provide a surface acoustic wave convolver that can use a wideband spread signal. The purpose is.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
を重ねた結果、上記従来の表面弾性波コンボルバで生じ
る伝搬遅延には、表面弾性波がグレーティング電極の端
部で反射することが原因となる電気的遅延のほかに、グ
レーティング電極の重量が原因となる機械的遅延がある
ことに着目し、上記従来の表面弾性波コンボルバの伝搬
遅延特性を広い波長帯域にわたって安定させるには、こ
の機械的遅延を低減すればよいということを見出した。
機械的遅延は、電気的遅延に比して、表面弾性波の周波
数帯域幅が狭帯域のときには伝搬遅延特性にさほど影響
を与えないが、表面弾性波の周波数帯域幅が広帯域とな
ったときには影響が大きくなる。したがって、伝搬遅延
特性を広い波長帯域にわたって安定させるには、この機
械的遅延を低減する必要がある。そしてさらに、本発明
者等は、機械的遅延は、グレーティング電極の重量が大
きくなるにつれて大きくなる傾向があり、機械的遅延を
低減するには、グレーティング電極の重量を小さくすれ
ばよいということを見出した。As a result of extensive studies, the present inventors have found that the propagation delay caused by the above-mentioned conventional surface acoustic wave convolver is such that the surface acoustic wave is reflected at the end of the grating electrode. Focusing on the mechanical delay caused by the weight of the grating electrode in addition to the electrical delay that causes the above, in order to stabilize the propagation delay characteristics of the above-mentioned conventional surface acoustic wave convolver over a wide wavelength band, It has been found that the mechanical delay should be reduced.
The mechanical delay does not significantly affect the propagation delay characteristics when the surface acoustic wave has a narrow bandwidth compared to the electrical delay, but has an effect when the frequency bandwidth of the surface acoustic waves is wide. Becomes larger. Therefore, in order to stabilize the propagation delay characteristics over a wide wavelength band, it is necessary to reduce the mechanical delay. Furthermore, the present inventors have found that the mechanical delay tends to increase as the weight of the grating electrode increases, and that the mechanical delay can be reduced by reducing the weight of the grating electrode. Was.
【００１４】かかる知見に基づいて、上記目的を達成す
るために、本発明に係る請求項１記載の表面弾性波コン
ボルバは、複数のグレーティング電極と、複数の突出電
極を有するすだれ型の出力取出電極とを備え、前記各グ
レーティング電極を、その長手方向が入力電極間を伝搬
する表面弾性波の伝搬方向と直交するように前記表面弾
性波の伝搬路内に配置するとともに、前記出力取出電極
を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬方向と直交す
るようにかつその各突出電極が前記各グレーティング電
極と交互となるように配置してなる表面弾性波コンボル
バにおいて、前記複数のグレーティング電極のうち少な
くともいずれかについて、当該グレーティング電極のう
ち前記表面弾性波が伝搬する部分の電極幅を、前記各グ
レーティング電極の電極ピッチの１／２未満とした。Based on the above knowledge, in order to achieve the above object, a surface acoustic wave convolver according to claim 1 of the present invention has an interdigital output extraction electrode having a plurality of grating electrodes and a plurality of projecting electrodes. And each of the grating electrodes is arranged in the propagation path of the surface acoustic wave such that the longitudinal direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave propagating between the input electrodes, and the output extraction electrode, In a surface acoustic wave convolver in which the protruding direction of each protruding electrode is orthogonal to the propagation direction and each protruding electrode is arranged so as to alternate with each of the grating electrodes, at least one of the plurality of grating electrodes For any one of the grating electrodes, the electrode width of the portion where the surface acoustic wave propagates is set to the value of each of the grating electrodes. Was less than half of the electrode pitch.
【００１５】このような構成であれば、拡散信号および
参照信号が入力電極に入力されると、表面弾性波が入力
電極間を伝搬することによりグレーティング電極に表面
弾性波が伝搬し、拡散信号と参照信号との相関信号が出
力取出電極から取り出される。このとき、複数のグレー
ティング電極のうち少なくともいずれかについては、そ
のグレーティング電極のうち表面弾性波が伝搬する部分
の重量が小さくなるので、機械的遅延が低減し、表面弾
性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたっ
て比較的安定する。With such a configuration, when the spread signal and the reference signal are input to the input electrode, the surface acoustic wave propagates between the input electrodes, whereby the surface acoustic wave propagates to the grating electrode, and the spread signal and the reference signal are transmitted. A correlation signal with the reference signal is extracted from the output extraction electrode. At this time, for at least one of the plurality of grating electrodes, the weight of the portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is reduced and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver is reduced. Relatively stable over a wide wavelength band.
【００１６】ここで、請求項１記載の発明では、グレー
ティング電極、出力取出電極および入力電極を圧電体基
板上に設けることが考えられる。この圧電体基板は、圧
電体単結晶基板でも、基板上に圧電体薄膜が形成された
ものでもよい。圧電体基板としては、例えば、ＬｉＮｂ
Ｏ3、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＫＮｂＯ3、ＰＺＴが
好ましい。また、６４度Ｙカット、４１度Ｙカット、１
２８度Ｙカット、ＹカットまたはＸカットまたはＺカッ
トのＬｉＮｂＯ3や、３６度Ｙカット、Ｘカット、Ｙカ
ットのＬｉＴａＯ3等の基板カット面を用いることも好
ましい。圧電性薄膜基板は、サファイア、ＳｉやＧａＡ
ｓ等の単結晶基板の上に圧電性薄膜を形成したものであ
り、圧電性薄膜としては、例えば、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ
3、ＬｉＴａＯ3、ＫＮｂＯ3、ＰＺＴ、ＰｂＴｉＯ3、Ｂ
ａＴｉＯ3やＬｉ2Ｂ4Ｏ7が好ましい。また、サファイ
ア、ＳｉやＧａＡｓ等の単結晶基板と上記圧電体薄膜と
の間にＳｉＯやＳｉＯ2等の誘電体膜を挿入してもよ
い。さらに、圧電体薄膜基板としては、サファイアやＳ
ｉなどの単結晶基板の上に、上記圧電体薄膜のうち異な
る種類の薄膜を交互に積層して多層積層膜を形成してい
てもよい。例えば、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3からなる
多層積層膜は好ましい例である。以下、請求項３、５ま
たは６記載の表面弾性波コンボルバにおいて同じであ
る。Here, in the first aspect of the present invention, it is conceivable that the grating electrode, the output extraction electrode and the input electrode are provided on the piezoelectric substrate. The piezoelectric substrate may be a piezoelectric single crystal substrate or a substrate on which a piezoelectric thin film is formed. As the piezoelectric substrate, for example, LiNb
O 3 , LiTaO 3 , Li 2 B 4 O 7 , KNbO 3 and PZT are preferred. In addition, 64 degree Y cut, 41 degree Y cut, 1
It is also preferable to use a substrate cut surface such as a 28-degree Y-cut, Y-cut, X-cut, or Z-cut LiNbO 3 or a 36-degree Y-cut, X-cut, or Y-cut LiTaO 3 . The piezoelectric thin film substrate is made of sapphire, Si or GaAs
A piezoelectric thin film is formed on a single-crystal substrate such as s. The piezoelectric thin film includes, for example, ZnO, LiNbO
3 , LiTaO 3 , KNbO 3 , PZT, PbTiO 3 , B
aTiO 3 and Li 2 B 4 O 7 are preferred. Further, a dielectric film such as SiO or SiO 2 may be inserted between a single crystal substrate such as sapphire, Si or GaAs, and the piezoelectric thin film. Further, sapphire or S
The multilayer thin film may be formed by alternately stacking different types of thin films among the piezoelectric thin films on a single crystal substrate such as i. For example, a multilayer laminated film composed of LiNbO 3 and LiTaO 3 is a preferable example. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００１７】また、入力電極およびグレーティング電極
は、その材質に特に制限はないが、その材質としては、
例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金、ＡｌとＴｉの多層電極が好ましい。以
下、請求項３、５または６記載の表面弾性波コンボルバ
において同じである。また、請求項１記載の発明では、
グレーティング電極、出力取出電極および入力電極を圧
電体基板上に設けることが考えられるが、その他に、ア
ース電極を圧電体基板上に設けてもよい。具体的には、
複数の突出電極を有するすだれ型のアース電極を圧電体
基板上に設け、アース電極の各突出電極の突出方向が表
面弾性波の伝搬方向と直交するようにかつアース電極の
各突出電極と各グレーティング電極とが交互となるよう
に、アース電極を出力取出電極と対向させて表面弾性波
の伝搬路外に配置してなる。以下、請求項３、５または
６記載の表面弾性波コンボルバにおいて同じである。The materials of the input electrode and the grating electrode are not particularly limited.
For example, Al, Au, Pt, Cu, Al-Ti alloy, A
A 1-Cu alloy and a multilayer electrode of Al and Ti are preferred. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect. According to the first aspect of the present invention,
Although it is conceivable to provide the grating electrode, the output extraction electrode, and the input electrode on the piezoelectric substrate, an earth electrode may be provided on the piezoelectric substrate. In particular,
An interdigital transducer having a plurality of protruding electrodes is provided on the piezoelectric substrate, and the protruding direction of each protruding electrode of the ground electrode is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave. An earth electrode is arranged outside the surface acoustic wave propagation path so as to face the output extraction electrode so that the electrodes alternate with each other. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００１８】また、グレーティング電極は、表面弾性波
の電界を効率よく圧電体に伝えるだけでなく、その反射
をできるだけ小さくするような電極ピッチとするのが好
ましい。具体的には、表面弾性波の代表波長をλとする
と、グレーティング電極の電極ピッチをλ／４以上でか
つ２λ以下にする。以下、請求項３、５または６記載の
表面弾性波コンボルバにおいて同じである。It is preferable that the grating electrodes have an electrode pitch that not only efficiently transmits the surface acoustic wave electric field to the piezoelectric body but also minimizes the reflection thereof. Specifically, assuming that the representative wavelength of the surface acoustic wave is λ, the electrode pitch of the grating electrode is λ / 4 or more and 2λ or less. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００１９】また、グレーティング電極での反射による
表面弾性波の減衰をできるだけ小さくする観点からは、
グレーティング電極の電極ピッチは、２λ／３ｎまたは
λ／ｎ（ｎは正の整数）にすることがより好ましく、λ
／２、λ／３、λ／４にすることが特に好ましい。ま
た、表面弾性波の伝搬方向からみて出力取出電極の突出
電極と重なり合う部分、および表面弾性波の伝搬方向か
らみてアース電極の突出電極と重なり合う部分では、グ
レーティング電極の電極幅は、いずれもλ／１６以上で
かつλ／２以下であることが好ましく、その電極ピッチ
は、いずれもλ／８以上でかつλ以下であることが好ま
しい。以下、請求項３、５または６記載の表面弾性波コ
ンボルバにおいて同じである。From the viewpoint of minimizing the attenuation of surface acoustic waves due to reflection at the grating electrode,
The electrode pitch of the grating electrode is more preferably 2λ / 3n or λ / n (n is a positive integer).
/ 2, λ / 3 and λ / 4 are particularly preferred. The electrode width of the grating electrode is λ / λ at the portion overlapping the protruding electrode of the output extraction electrode when viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave and at the portion overlapping the protruding electrode of the ground electrode when viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave. The electrode pitch is preferably 16 or more and λ / 2 or less, and the electrode pitch is preferably λ / 8 or more and λ or less. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００２０】また、表面弾性波の伝搬路の幅をＷ、グレ
ーティング電極と出力取出電極の交差幅をＤ、半導体幅
をａとし、表面弾性波コンボルバのサイズを考慮する
と、Ｗ／ａ＞１とすることが好ましく、経験上、Ｗ／Ｄ
＞３〜５０、Ｄ／ａが０．３以上かつ７０以下、より好
ましくは、１以上かつ１５以下において、インピーダン
スマッチングなどがとりやすい。以下、請求項３、５ま
たは６記載の表面弾性波コンボルバにおいて同じであ
る。Further, when the width of the surface acoustic wave propagation path is W, the intersection width between the grating electrode and the output extraction electrode is D, the semiconductor width is a, and the size of the surface acoustic wave convolver is taken into consideration, W / a> 1. It is preferable to use W / D
> 3 to 50 and D / a of 0.3 or more and 70 or less, more preferably 1 or more and 15 or less, it is easy to take impedance matching or the like. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００２１】また、表面弾性波コンボルバは、アース電
極を出力側に接続し、出力取出電極をアース側に接続し
ても、ほぼ同等の効率値を得ることができるため、アー
ス電極と出力取出電極がそれぞれ出力とアースに１対１
で配線されていればよい。以下、請求項３、５または６
記載の表面弾性波コンボルバにおいて同じである。ま
た、表面弾性波コンボルバは、一方向性電極の利用によ
り、表面弾性波の双方向性による損失分を低減すること
ができる。また、広帯域の表面弾性波コンボルバを構成
するためには、チャープ型電極を用いることも有効であ
る。以下、請求項３、５または６記載の表面弾性波コン
ボルバにおいて同じである。Further, the surface acoustic wave convolver can obtain substantially the same efficiency even when the ground electrode is connected to the output side and the output extraction electrode is connected to the ground side. Are one-to-one for output and ground
What is necessary is just to be wired. Hereinafter, claim 3, 5 or 6
The same applies to the described surface acoustic wave convolver. Further, the surface acoustic wave convolver can reduce the loss due to the bidirectionality of the surface acoustic wave by using the unidirectional electrode. In order to form a broadband surface acoustic wave convolver, it is also effective to use a chirp type electrode. Hereinafter, the same applies to the surface acoustic wave convolver according to the third, fifth, or sixth aspect.
【００２２】さらに、本発明に係る請求項２記載の表面
弾性波コンボルバは、請求項１記載の表面弾性波コンボ
ルバにおいて、前記各グレーティング電極について、当
該グレーティング電極のうち前記表面弾性波が伝搬する
部分の電極幅を、前記各グレーティング電極の電極ピッ
チの１／２未満とした。このような構成であれば、各グ
レーティング電極については、そのグレーティング電極
のうち表面弾性波が伝搬する部分の重量が小さくなるの
で、機械的遅延がさらに低減し、表面弾性波コンボルバ
の伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたってさらに安定す
る。Furthermore, a surface acoustic wave convolver according to a second aspect of the present invention is the surface acoustic wave convolver according to the first aspect, wherein for each of the grating electrodes, a portion of the grating electrode through which the surface acoustic wave propagates. Was set to less than 1/2 of the electrode pitch of each of the grating electrodes. With such a configuration, for each grating electrode, the weight of the portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is further reduced and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver is reduced. More stable over a wide wavelength band.
【００２３】さらに、本発明に係る請求項３記載の表面
弾性波コンボルバは、複数のグレーティング電極と、複
数の突出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備
え、前記各グレーティング電極を、その長手方向が入力
電極間を伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するよう
に前記表面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記
出力取出電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬
方向と直交するようにかつその各突出電極が前記各グレ
ーティング電極と交互となるように配置してなる表面弾
性波コンボルバにおいて、前記複数のグレーティング電
極のうち少なくともいずれかについて、当該グレーティ
ング電極のうち、前記伝搬方向からみて前記出力取出電
極の突出電極と重なり合う部分以外の部分の電極幅を、
前記各グレーティング電極の電極ピッチの１／２未満と
した。Further, a surface acoustic wave convolver according to a third aspect of the present invention includes a plurality of grating electrodes and an IDT-shaped output extraction electrode having a plurality of projecting electrodes. Along with disposing in the propagation path of the surface acoustic wave such that the direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave propagating between the input electrodes, the output extraction electrodes are arranged such that the projection direction of each protruding electrode is the propagation direction. In a surface acoustic wave convolver which is arranged so as to be orthogonal and each protruding electrode is alternately arranged with each of the grating electrodes, at least one of the plurality of grating electrodes includes, The electrode width of the portion other than the portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode as viewed from the direction,
The pitch was set to less than 1/2 of the electrode pitch of each grating electrode.
【００２４】このような構成であれば、拡散信号および
参照信号が入力電極に入力されると、表面弾性波が入力
電極間を伝搬することによりグレーティング電極に表面
弾性波が伝搬し、拡散信号と参照信号との相関信号が出
力取出電極から取り出される。このとき、複数のグレー
ティング電極のうち少なくともいずれかについては、そ
のグレーティング電極のうち、表面弾性波の伝搬方向か
らみて出力取出電極の突出電極と重なり合う部分以外の
部分の重量が小さくなるので、機械的遅延が低減し、表
面弾性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわ
たって比較的安定する。With this configuration, when the spread signal and the reference signal are input to the input electrode, the surface acoustic wave propagates between the input electrodes, so that the surface acoustic wave propagates to the grating electrode, and the spread signal and the reference signal are transmitted. A correlation signal with the reference signal is extracted from the output extraction electrode. At this time, for at least one of the plurality of grating electrodes, the weight of a portion of the grating electrode other than a portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode as viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave is reduced, so that mechanical The delay is reduced, and the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver are relatively stable over a wide wavelength band.
【００２５】さらに、本発明に係る請求項４記載の表面
弾性波コンボルバは、請求項１ないし３のいずれかに記
載の表面弾性波コンボルバにおいて、前記各グレーティ
ング電極の電極ピッチは、前記表面弾性波の代表波長の
１／４であり、前記電極ピッチに対する前記電極幅の比
を、０．２０以上でかつ０．３５以下とした。このよう
な構成であれば、グレーティング電極の重量が小さくな
るので、機械的遅延がさらに低減し、表面弾性波コンボ
ルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたってさらに安
定する。特に、電極ピッチに対する電極幅の比を０．３
５以下としたことから、１００[MHz]程度の周波数帯域
幅までスペクトルを拡散した拡散信号を用いることがで
きる。Further, the surface acoustic wave convolver according to claim 4 of the present invention is the surface acoustic wave convolver according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode pitch of each grating electrode is equal to the surface acoustic wave. And the ratio of the electrode width to the electrode pitch was 0.20 or more and 0.35 or less. With such a configuration, the weight of the grating electrode is reduced, so that the mechanical delay is further reduced, and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver is further stabilized over a wide wavelength band. In particular, the ratio of the electrode width to the electrode pitch is 0.3
Since it is set to 5 or less, it is possible to use a spread signal in which the spectrum is spread to a frequency bandwidth of about 100 [MHz].
【００２６】なお、電極ピッチに対する電極幅の比を
０．２０以下にすると、今度は逆にグレーティング電極
を形成するのが困難となるので、電極ピッチに対する電
極幅の比は、０．２０を下限とした。さらに、本発明に
係る請求項５記載の表面弾性波コンボルバは、複数のグ
レーティング電極と、複数の突出電極を有するすだれ型
の出力取出電極とを備え、前記各グレーティング電極
を、その長手方向が入力電極間を伝搬する表面弾性波の
伝搬方向と直交するように前記表面弾性波の伝搬路内に
配置するとともに、前記出力取出電極を、その各突出電
極の突出方向が前記伝搬方向と直交するようにかつその
各突出電極が前記各グレーティング電極と交互となるよ
うに配置してなる表面弾性波コンボルバにおいて、前記
複数のグレーティング電極のうち少なくともいずれかに
ついて、当該グレーティング電極のうち前記表面弾性波
が伝搬する部分の厚みを、前記出力取出電極の突出電極
の厚みよりも小さくした。When the ratio of the electrode width to the electrode pitch is set to 0.20 or less, it becomes difficult to form a grating electrode in reverse, so that the ratio of the electrode width to the electrode pitch is set to the lower limit of 0.20. And Further, the surface acoustic wave convolver according to claim 5 of the present invention includes a plurality of grating electrodes, and an IDT-shaped output extraction electrode having a plurality of projecting electrodes. Along with disposing in the propagation path of the surface acoustic wave so as to be orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave propagating between the electrodes, the output extraction electrode is arranged such that the projection direction of each projecting electrode is orthogonal to the propagation direction. And a surface acoustic wave convolver in which each protruding electrode is arranged alternately with each of the grating electrodes, wherein at least one of the plurality of grating electrodes propagates the surface acoustic wave among the grating electrodes. The thickness of the portion to be formed was made smaller than the thickness of the protruding electrode of the output extraction electrode.
【００２７】このような構成であれば、拡散信号および
参照信号が入力電極に入力されると、表面弾性波が入力
電極間を伝搬することによりグレーティング電極に表面
弾性波が伝搬し、拡散信号と参照信号との相関信号が出
力取出電極から取り出される。このとき、複数のグレー
ティング電極のうち少なくともいずれかについては、そ
のグレーティング電極のうち表面弾性波が伝搬する部分
の重量が小さくなるので、機械的遅延が低減し、表面弾
性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたっ
て比較的安定する。With such a configuration, when the spread signal and the reference signal are input to the input electrode, the surface acoustic wave propagates between the input electrodes, whereby the surface acoustic wave propagates to the grating electrode, and the spread signal and the reference signal are transmitted. A correlation signal with the reference signal is extracted from the output extraction electrode. At this time, for at least one of the plurality of grating electrodes, the weight of the portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is reduced and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver is reduced. Relatively stable over a wide wavelength band.
【００２８】さらに、本発明に係る請求項６記載の表面
弾性波コンボルバは、複数のグレーティング電極と、複
数の突出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備
え、前記各グレーティング電極を、その長手方向が入力
電極間を伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するよう
に前記表面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記
出力取出電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬
方向と直交するようにかつその各突出電極が前記各グレ
ーティング電極と交互となるように配置してなる表面弾
性波コンボルバにおいて、前記複数のグレーティング電
極のうち少なくともいずれかについて、当該グレーティ
ング電極のうち、前記伝搬方向からみて前記出力取出電
極の突出電極と重なり合う部分以外の部分の厚みを、前
記出力取出電極の突出電極の厚みよりも小さくした。Further, a surface acoustic wave convolver according to a sixth aspect of the present invention includes a plurality of grating electrodes and an IDT-shaped output extraction electrode having a plurality of protruding electrodes. Along with disposing in the propagation path of the surface acoustic wave such that the direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave propagating between the input electrodes, the output extraction electrodes are arranged such that the projection direction of each protruding electrode is the propagation direction. In a surface acoustic wave convolver which is arranged so as to be orthogonal and each protruding electrode is alternately arranged with each of the grating electrodes, at least one of the plurality of grating electrodes includes, When viewed from the direction, the thickness of the portion other than the portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode is determined by the protrusion of the output extraction electrode. It is smaller than the thickness of the electrode.
【００２９】このような構成であれば、拡散信号および
参照信号が入力電極に入力されると、表面弾性波が入力
電極間を伝搬することによりグレーティング電極に表面
弾性波が伝搬し、拡散信号と参照信号との相関信号が出
力取出電極から取り出される。このとき、複数のグレー
ティング電極のうち少なくともいずれかについては、そ
のグレーティング電極のうち、表面弾性波の伝搬方向か
らみて出力取出電極の突出電極と重なり合う部分以外の
部分の重量が小さくなるので、機械的遅延が低減し、表
面弾性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわ
たって比較的安定する。With this configuration, when the spread signal and the reference signal are input to the input electrode, the surface acoustic wave propagates between the input electrodes, so that the surface acoustic wave propagates to the grating electrode, and the spread signal and the reference signal are transmitted. A correlation signal with the reference signal is extracted from the output extraction electrode. At this time, for at least one of the plurality of grating electrodes, the weight of a portion of the grating electrode other than a portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode as viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave is reduced, so that mechanical The delay is reduced, and the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver are relatively stable over a wide wavelength band.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１ないし図５は、本発明に
係る表面弾性波コンボルバの実施の形態を示す図であ
る。本実施の形態は、本発明に係る表面弾性波コンボル
バを、スペクトラム拡散通信において受信機で拡散信号
を逆拡散する場合に、拡散信号と参照信号との相関をと
るために用いられる表面弾性波コンボルバについて適用
したものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 5 are views showing an embodiment of a surface acoustic wave convolver according to the present invention. The present embodiment is directed to a surface acoustic wave convolver according to the present invention, which is used for despreading a spread signal by a receiver in spread-spectrum communication, in order to correlate a spread signal with a reference signal. Is applied.
【００３１】まず、本発明に係る表面弾性波コンボルバ
の構成を図１ないし図３を参照しながら詳細に説明す
る。図１は、表面弾性波コンボルバ５０の斜視図であ
り、図２は、表面弾性波コンボルバ５０の平面図であ
り、図３は、図２中のＡ−Ａ’線の断面図である。表面
弾性波コンボルバ５０は、図１および図２に示すよう
に、２つの入力電極５４ａ，５４ｂと、複数の突出電極
５５ａを一辺に有するすだれ型の出力取出電極５６ａ
と、複数の突出電極５５ｂを一辺に有するすだれ型のア
ース電極５６ｂと、矩形板状の半導体層５８と、矩形板
状の複数のグレーティング電極６０とを圧電体基板５２
上に設けて構成されている。First, the configuration of a surface acoustic wave convolver according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 is a perspective view of the surface acoustic wave convolver 50, FIG. 2 is a plan view of the surface acoustic wave convolver 50, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA 'in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the surface acoustic wave convolver 50 has two input electrodes 54a and 54b, and an interdigital output extraction electrode 56a having a plurality of protruding electrodes 55a on one side.
And an interdigital transducer 56b having a plurality of protruding electrodes 55b on one side, a semiconductor layer 58 having a rectangular plate shape, and a plurality of grating electrodes 60 having a rectangular plate shape.
It is configured to be provided above.
【００３２】入力電極５４ａ，５４ｂは、電極指の交差
幅が一様である、正規型すだれ状電極から構成されてお
り、各入力電極５４ａ，５４ｂの交差幅および電極指の
本数は同一となるようにして構成した。半導体層５８
は、その長手方向が入力電極５４ａ，５４ｂ間を伝搬す
る表面弾性波の伝搬方向と平行となるように、表面弾性
波の伝搬路外に配置されている。The input electrodes 54a and 54b are composed of regular interdigital electrodes having a uniform cross width of the electrode fingers, and the cross width of each of the input electrodes 54a and 54b and the number of electrode fingers are the same. The configuration was as follows. Semiconductor layer 58
Is disposed outside the surface acoustic wave propagation path such that its longitudinal direction is parallel to the direction of propagation of the surface acoustic wave propagating between the input electrodes 54a and 54b.
【００３３】出力取出電極５６ａは、各突出電極５５ａ
の突出方向が表面弾性波の伝搬方向と直交するようにか
つ各突出電極５５ａが半導体層５８上に架かるように、
表面弾性波の伝搬路外に配置されている。各グレーティ
ング電極６０は、その長手方向が表面弾性波の伝搬方向
と直交するようにかつ各グレーティング電極６０の一端
と各突出電極５５ａとが半導体層５８上で交互となるよ
うに、表面弾性波の伝搬路内に配置されている。The output extraction electrode 56a is connected to each protruding electrode 55a.
In such a manner that the projecting direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave, and each projecting electrode 55a is bridged on the semiconductor layer 58,
It is arranged outside the propagation path of the surface acoustic wave. Each grating electrode 60 has a surface acoustic wave such that its longitudinal direction is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave and one end of each grating electrode 60 and each projecting electrode 55a are alternately formed on the semiconductor layer 58. It is located in the propagation path.
【００３４】ここで、表面弾性波の伝搬方向からみて突
出電極５５ａとグレーティング電極６０とが重なり合う
部分の長さは、１５λ（λは表面弾性波の周波数帯域に
おける中心周波数の波長である。）となっている。この
重なり合う部分では、各突出電極５５ａおよび各グレー
ティング電極６０の電極幅は、いずれもλ／１６とな
り、それら電極の電極ピッチは、いずれもλ／８となっ
ている。Here, the length of the portion where the protruding electrode 55a and the grating electrode 60 overlap as viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave is 15λ (λ is the wavelength of the center frequency in the frequency band of the surface acoustic wave). Has become. In this overlapping portion, the electrode width of each of the protruding electrodes 55a and each of the grating electrodes 60 is λ / 16, and the electrode pitch of each of the electrodes is λ / 8.
【００３５】一方、重なり合う部分以外の部分では、各
突出電極５５ａの電極幅は、λ／８となり、その電極ピ
ッチは、λ／４となっている。また、各グレーティング
電極６０の電極幅は、図３に示すように、λ／２０とな
り、その電極ピッチは、λ／４となっている。すなわ
ち、各グレーティング電極６０については、電極ピッチ
に対する電極幅の比（以下、ａ／ｐ比という。）が０．
２となっている。On the other hand, in portions other than the overlapping portion, the electrode width of each protruding electrode 55a is λ / 8, and the electrode pitch is λ / 4. Further, as shown in FIG. 3, the electrode width of each grating electrode 60 is λ / 20, and the electrode pitch is λ / 4. That is, for each of the grating electrodes 60, the ratio of the electrode width to the electrode pitch (hereinafter referred to as a / p ratio) is equal to 0.1.
It is 2.
【００３６】アース電極５６ｂは、各突出電極５５ｂの
突出方向が表面弾性波の伝搬方向と直交するようにかつ
突出電極５５ｂとグレーティング電極６０とが交互とな
るように、出力取出電極５５ａと対向して表面弾性波の
伝搬路外に配置されている。ここで、表面弾性波の伝搬
方向からみて突出電極５５ｂとグレーティング電極６０
とが重なり合う部分の長さは、１５λとなっている。こ
の重なり合う部分では、各突出電極５５ｂおよび各グレ
ーティング電極６０の電極幅は、いずれもλ／１６とな
り、それら電極の電極ピッチは、いずれもλ／８となっ
ている。一方、重なり合う部分以外の部分では、各突出
電極５５ｂの電極幅は、λ／８となり、その電極ピッチ
は、λ／４となっている。The ground electrode 56b is opposed to the output extraction electrode 55a such that the projecting direction of each projecting electrode 55b is orthogonal to the propagation direction of the surface acoustic wave, and the projecting electrodes 55b and the grating electrodes 60 are alternated. The surface acoustic wave is disposed outside the propagation path. Here, the protruding electrode 55b and the grating electrode 60 are viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave.
Is 15λ. In this overlapping portion, the electrode width of each of the protruding electrodes 55b and each of the grating electrodes 60 is λ / 16, and the electrode pitch of these electrodes is λ / 8. On the other hand, in portions other than the overlapping portion, the electrode width of each protruding electrode 55b is λ / 8, and the electrode pitch is λ / 4.
【００３７】半導体層５８は、ｐ型半導体層５８ａとｎ
型半導体層５８ｂとを厚さ方向に積層してなり、突出電
極５５ａとグレーティング電極６０とが架かる層をｐ型
半導体層５８ａとして圧電体基板５２上に設けられてい
る。また、半導体層５８と圧電体基板５２との間には、
Ｓｂを含む緩衝層が介挿されている。ｐ型半導体層５８
ａは、ＧａＳｂおよびＧａＡｓyＳｂ1-y（０＜ｙ≦０．
５）のいずれかからなり、ｎ型半導体層５８ｂは、Ｉｎ
Ｓｂ、ＩｎＧａxＳｂ1-x（０＜ｘ＜１）およびＩｎＧａ
のいずれかからなっている。The semiconductor layer 58 includes a p-type semiconductor layer 58a and an n-type semiconductor layer 58a.
A type semiconductor layer 58b is laminated in the thickness direction, and a layer over which the protruding electrode 55a and the grating electrode 60 are provided is provided on the piezoelectric substrate 52 as a p-type semiconductor layer 58a. Further, between the semiconductor layer 58 and the piezoelectric substrate 52,
A buffer layer containing Sb is interposed. p-type semiconductor layer 58
a is GaSb and GaAs y Sb 1-y (0 <y ≦ 0.
5), and the n-type semiconductor layer 58b is made of In
Sb, InGa x Sb 1-x (0 <x <1) and InGa
Consists of either.
【００３８】次に、上記実施の形態の動作を説明する。
表面弾性波コンボルバ５０では、拡散信号が入力電極５
４ａに入力される一方、拡散信号を逆拡散するための逆
拡散符号列からなる参照信号が入力電極５４ｂに入力さ
れると、表面弾性波が入力電極５４ａ，５４ｂ間を伝搬
することによりグレーティング電極６０を介して半導体
層５８に表面弾性波が伝搬し、拡散信号と参照信号との
相関信号が出力取出電極５６ａから取り出される。この
とき、各グレーティング電極６０については、そのグレ
ーティング電極６０のうち、表面弾性波の伝搬方向から
みて突出電極５５ａと重なり合う部分以外の部分（すな
わち、表面弾性波が伝搬する部分）の重量が小さいの
で、機械的遅延が低減し、表面弾性波コンボルバ５０の
伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたって比較的安定す
る。Next, the operation of the above embodiment will be described.
In the surface acoustic wave convolver 50, the spread signal is
4a, while a reference signal composed of a despread code sequence for despreading the spread signal is input to the input electrode 54b, the surface acoustic wave propagates between the input electrodes 54a and 54b, and thereby the grating electrode The surface acoustic wave propagates to the semiconductor layer 58 via 60, and a correlation signal between the diffusion signal and the reference signal is extracted from the output extraction electrode 56a. At this time, the weight of each grating electrode 60 other than the portion overlapping with the protruding electrode 55a (that is, the portion where the surface acoustic wave propagates) of the grating electrode 60 is small when viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave. The mechanical delay is reduced, and the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver 50 are relatively stable over a wide wavelength band.
【００３９】[0039]
【実施例】次に、本発明の実施例を図４および図５を参
照しながら説明する。本実施例では、圧電体基板５２
を、１２８度回転ＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3基板
を用いて構成し、表面弾性波の伝搬路長である出力取出
電極５６ａの長手方向の長さを３２[ｍｍ]とした場合に
おいて、表面弾性波コンボルバ５０の特性を測定したも
のである。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the piezoelectric substrate 52
Is formed using a 128-degree rotated Y-cut X-direction propagation LiNbO 3 substrate, and the length of the output extraction electrode 56a, which is the propagation path length of the surface acoustic wave, in the longitudinal direction is 32 [mm]. This is a measurement of the characteristics of the wave convolver 50.
【００４０】まず、表面弾性波コンボルバ５０の特性と
して、ａ／ｐ比の変化に対して伝搬遅延時間差が変化す
る特性を測定した。具体的には、ａ／ｐ比を０．２から
０．８まで変化させた場合に、表面弾性波の周波数帯域
幅を１００[MHz]としてその周波数帯域幅の上限の周波
数の伝搬遅延時間と下限の周波数の伝搬遅延時間との差
が変化する特性を測定した。その結果を図４に示す。図
４は、ａ／ｐ比の変化に対する伝搬遅延時間差の変化を
示すグラフである。First, as a characteristic of the surface acoustic wave convolver 50, a characteristic in which a propagation delay time difference changes with a change in a / p ratio was measured. Specifically, when the a / p ratio is changed from 0.2 to 0.8, the frequency bandwidth of the surface acoustic wave is set to 100 [MHz], and the propagation delay time of the upper limit frequency of the frequency bandwidth is calculated. The characteristic in which the difference between the lower limit frequency and the propagation delay time changes was measured. FIG. 4 shows the results. FIG. 4 is a graph showing a change in the propagation delay time difference with respect to a change in the a / p ratio.
【００４１】図４において、ａ／ｐ比が０．５未満の領
域では、ａ／ｐ比が小さくなるにつれて伝搬遅延時間差
が小さくなっていく。これは、ａ／ｐ比が小さくなるほ
ど、表面弾性波コンボルバ５０の伝搬遅延特性が広い波
長帯域にわたって安定することを意味している。特に、
ａ／ｐ比が０．３５以下の領域では、伝搬遅延時間差が
６０[ｎｓ]以下となっているため、周波数帯域幅が１０
０[MHz]程度と比較的広帯域の拡散信号を用いた場合
に、拡散信号の周波数帯域の上限の周波数と下限の周波
数とで生じる位相のずれが、拡散信号を逆拡散する上で
問題とならない程度まで小さくなっている。In FIG. 4, in the region where the a / p ratio is less than 0.5, the propagation delay time difference becomes smaller as the a / p ratio becomes smaller. This means that as the a / p ratio decreases, the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver 50 become more stable over a wider wavelength band. In particular,
In the region where the a / p ratio is 0.35 or less, the propagation delay time difference is 60 [ns] or less.
When a spread signal having a relatively wide band of about 0 [MHz] is used, a phase shift generated between the upper limit frequency and the lower limit frequency of the spread signal frequency band does not cause a problem in despreading the spread signal. It is getting smaller to the extent.
【００４２】次に、表面弾性波コンボルバ５０の特性と
して、表面弾性波の周波数の変化に対して伝搬遅延時間
が変化する特性を測定した。具体的には、ａ／ｐ比を
０．２とし、表面弾性波の周波数を１１０[MHz]から２
２０[MHz]まで変化させた場合に、各周波数の伝搬遅延
時間が変化する特性を測定した。その結果を図５に示
す。図５は、表面弾性波の周波数の変化に対する伝搬遅
延時間の変化を示すグラフである。Next, as a characteristic of the surface acoustic wave convolver 50, a characteristic in which a propagation delay time changes with a change in the frequency of the surface acoustic wave was measured. Specifically, the a / p ratio is set to 0.2, and the frequency of the surface acoustic wave is changed from 110 [MHz] to 2
When the frequency was changed to 20 [MHz], the characteristic that the propagation delay time of each frequency changes was measured. The result is shown in FIG. FIG. 5 is a graph showing a change in the propagation delay time with respect to a change in the frequency of the surface acoustic wave.
【００４３】図５において、表面弾性波の周波数が大き
くなるにつれて伝搬遅延時間が大きくなっていくが、表
面弾性波の周波数帯域における上限の周波数と下限の周
波数とでは、伝搬遅延時間差が２０[ｎｓ]以下となって
いる。このようにして、本実施の形態では、各グレーテ
ィング電極６０について、そのグレーティング電極６０
のうち表面弾性波が伝搬する部分の電極幅を、各グレー
ティング電極６０の電極ピッチの１／２未満とした。In FIG. 5, although the propagation delay time increases as the frequency of the surface acoustic wave increases, the difference in the propagation delay time between the upper and lower frequencies in the frequency band of the surface acoustic wave is 20 [ns]. ] Below. In this manner, in the present embodiment, each grating electrode 60 is
The electrode width of the portion where the surface acoustic wave propagates is set to less than 未 満 of the electrode pitch of each grating electrode 60.
【００４４】これにより、各グレーティング電極６０に
ついては、そのグレーティング電極６０のうち表面弾性
波が伝搬する部分の重量が小さくなるので、機械的遅延
が低減し、表面弾性波コンボルバ５０の伝搬遅延特性が
広い波長帯域にわたって比較的安定する。したがって、
従来に比して、拡散信号のスペクトルを広い周波数帯域
に拡散して通信を行うことができる。As a result, for each grating electrode 60, the weight of the portion of the grating electrode 60 where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is reduced and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver 50 is reduced. Relatively stable over a wide wavelength band. Therefore,
Communication can be performed by spreading the spectrum of the spread signal over a wider frequency band as compared with the related art.
【００４５】さらに、本実施の形態では、各グレーティ
ング電極６０についてａ／ｐ比を、０．２０以上でかつ
０．３５以下とした。これにより、１００[MHz]程度の
周波数帯域幅までスペクトルを拡散した拡散信号を用い
ることができる。さらに、本実施の形態では、入力電極
５４ａ，５４ｂと、複数の突出電極５５ａを有するすだ
れ型の出力取出電極５６ａと、矩形板状の半導体層５８
と、矩形板状の複数のグレーティング電極６０とを圧電
体基板５２上に設け、入力電極５４ａ，５４ｂを互いに
対向させて配置し、半導体層５８の長手方向が表面弾性
波の伝搬方向と平行となるように半導体層５８を表面弾
性波の伝搬路外に配置し、突出電極５５ａの突出方向お
よびグレーティング電極６０の長手方向が表面弾性波の
伝搬方向と直交するようにかつ突出電極５５ａとグレー
ティング電極６０とが半導体層５８上に交互に架かるよ
うに、グレーティング電極６０を表面弾性波の伝搬路内
に、出力取出電極５６ａを表面弾性波の伝搬路外にそれ
ぞれ配置して構成した。Further, in this embodiment, the a / p ratio of each grating electrode 60 is set to 0.20 or more and 0.35 or less. As a result, a spread signal obtained by spreading the spectrum to a frequency bandwidth of about 100 [MHz] can be used. Furthermore, in the present embodiment, the input electrodes 54a and 54b, the interdigital output output electrode 56a having a plurality of projecting electrodes 55a, and the rectangular plate-shaped semiconductor layer 58
And a plurality of grating electrodes 60 in the form of a rectangular plate are provided on the piezoelectric substrate 52, and the input electrodes 54a and 54b are arranged so as to face each other. The longitudinal direction of the semiconductor layer 58 is parallel to the propagation direction of the surface acoustic wave. The semiconductor layer 58 is arranged outside the surface acoustic wave propagation path so that the projecting direction of the projecting electrode 55a and the longitudinal direction of the grating electrode 60 are orthogonal to the direction of propagation of the surface acoustic wave, and the projecting electrode 55a and the grating electrode The grating electrode 60 is arranged inside the surface acoustic wave propagation path, and the output extraction electrode 56a is arranged outside the surface acoustic wave propagation path, so that the grating electrode 60 and the semiconductor layer 60 are alternately arranged on the semiconductor layer 58.
【００４６】これにより、表面弾性波コンボルバ５０の
効率を高くすることができ、受信回路における信号増幅
回路の負荷が低減できるので、小型で低消費電力の受信
機を構成することができる。さらに、本実施の形態で
は、表面弾性波の伝搬方向からみて突出電極５５ａとグ
レーティング電極６０とが重なり合う部分の長さを、表
面弾性波の代表波長λの１５倍以下とした。As a result, the efficiency of the surface acoustic wave convolver 50 can be increased, and the load on the signal amplifier circuit in the receiving circuit can be reduced, so that a small-sized and low power consumption receiver can be configured. Furthermore, in the present embodiment, the length of the portion where the protruding electrode 55a and the grating electrode 60 overlap as viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave is set to 15 times or less the representative wavelength λ of the surface acoustic wave.
【００４７】これにより、表面弾性波コンボルバ５０の
効率を高くすることができ、受信回路における信号増幅
回路の負荷が低減できるので、小型で低消費電力の受信
機を構成することができる。さらに、本実施の形態で
は、半導体層５８は、ｐ型半導体層５８ａとｎ型半導体
層５８ｂとを厚さ方向に積層して構成し、突出電極５５
ａとグレーティング電極６０とが架かる層をｐ型半導体
層５８ａとして半導体層５８を圧電体基板５２上に設け
た。As a result, the efficiency of the surface acoustic wave convolver 50 can be increased, and the load on the signal amplifier circuit in the receiving circuit can be reduced, so that a small-sized receiver with low power consumption can be configured. Further, in the present embodiment, the semiconductor layer 58 is formed by stacking a p-type semiconductor layer 58a and an n-type semiconductor layer 58b in the thickness direction, and
The semiconductor layer 58 was provided on the piezoelectric substrate 52 with the layer over which the a and the grating electrode 60 were bridged as the p-type semiconductor layer 58a.
【００４８】これにより、表面弾性波コンボルバ５０の
効率を高くすることができ、受信回路における信号増幅
回路の負荷が低減できるので、小型で低消費電力の受信
機を構成することができる。さらに、本実施の形態で
は、ｎ型半導体層５８ｂは、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａxＳｂ
1-x（０＜ｘ＜１）およびＩｎＧａのいずれかから構成
し、ｐ型半導体層５８ａは、ＧａＳｂおよびＧａＡｓy
Ｓｂ1-y（０＜ｙ≦０．５）のいずれかから構成した。As a result, the efficiency of the surface acoustic wave convolver 50 can be increased, and the load on the signal amplifier circuit in the receiving circuit can be reduced, so that a small-sized receiver with low power consumption can be configured. Further, in the present embodiment, the n-type semiconductor layer 58b is made of InSb, InGa x Sb
1-x (0 <x <1) or InGa, and the p-type semiconductor layer 58a is made of GaSb and GaAs y
Sb 1-y (0 <y ≦ 0.5).
【００４９】これにより、表面弾性波コンボルバ５０の
効率を高くすることができ、受信回路における信号増幅
回路の負荷が低減できるので、小型で低消費電力の受信
機を構成することができる。さらに、本実施の形態で
は、表面弾性波コンボルバ５０は、Ｓｂを含む緩衝層を
半導体層５８と圧電体基板５２との間に設けて構成し
た。As a result, the efficiency of the surface acoustic wave convolver 50 can be increased, and the load on the signal amplifying circuit in the receiving circuit can be reduced, so that a small-sized receiver with low power consumption can be constructed. Further, in the present embodiment, surface acoustic wave convolver 50 is configured by providing a buffer layer containing Sb between semiconductor layer 58 and piezoelectric substrate 52.
【００５０】これにより、良質な結晶性を有する半導体
層５８が構成され、さらに小型で低消費電力の受信機を
構成することができる。なお、上記実施の形態では、各
グレーティング電極６０について、そのグレーティング
電極６０のうち表面弾性波が伝搬する部分の電極幅を、
各グレーティング電極６０の電極ピッチの１／２未満と
したが、これに限らず、グレーティング電極６０のうち
表面弾性波が伝搬する部分の厚みを、突出電極５５ａの
厚みよりも小さくしてもよい。これにより、各グレーテ
ィング電極６０については、そのグレーティング電極６
０のうち表面弾性波が伝搬する部分の重量が小さくなる
ので、機械的遅延が低減し、表面弾性波コンボルバ５０
の伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたって比較的安定す
る。したがって、従来に比して、拡散信号のスペクトル
を広い周波数帯域に拡散して通信を行うことができる。Thus, the semiconductor layer 58 having good crystallinity is formed, and a small-sized and low-power-consumption receiver can be formed. In the above-described embodiment, for each grating electrode 60, the electrode width of the portion of the grating electrode 60 where the surface acoustic wave propagates,
Although the pitch is set to less than 1/2 of the electrode pitch of each grating electrode 60, the thickness is not limited to this, and the thickness of the portion of the grating electrode 60 where the surface acoustic wave propagates may be smaller than the thickness of the protruding electrode 55a. Thereby, for each grating electrode 60, its grating electrode 6
0, the weight of the portion where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is reduced and the surface acoustic wave convolver 50
Is relatively stable over a wide wavelength band. Therefore, communication can be performed by spreading the spectrum of the spread signal over a wide frequency band as compared with the related art.
【００５１】さらに、グレーティング電極６０の電極幅
および厚みをともに小さくすれば、グレーティング電極
６０のうち表面弾性波が伝搬する部分の重量が小さくな
るので、機械的遅延がさらに低減し、表面弾性波コンボ
ルバ５０の伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたってさら
に安定する。また、上記実施の形態では、各グレーティ
ング電極６０について、そのグレーティング電極６０の
うち表面弾性波が伝搬する部分の電極幅を、いずれも各
グレーティング電極６０の電極ピッチの１／２未満とし
たが、これに限らず、複数のグレーティング電極６０の
うち少なくともいずれかについて、そのグレーティング
電極６０のうち表面弾性波が伝搬する部分の電極幅を、
各グレーティング電極６０の電極ピッチの１／２未満と
してもよい。Further, if the electrode width and thickness of the grating electrode 60 are both reduced, the weight of the portion of the grating electrode 60 where the surface acoustic wave propagates is reduced, so that the mechanical delay is further reduced, and the surface acoustic wave convolver is reduced. The 50 propagation delay characteristics are more stable over a wide wavelength band. Further, in the above embodiment, for each grating electrode 60, the electrode width of the portion of the grating electrode 60 where the surface acoustic wave propagates is set to less than 1/2 of the electrode pitch of each grating electrode 60. Without being limited to this, for at least one of the plurality of grating electrodes 60, the electrode width of a portion of the
The pitch may be less than の of the electrode pitch of each grating electrode 60.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る請求
項１、２、４または５記載の表面弾性波コンボルバによ
れば、グレーティング電極のうち表面弾性波が伝搬する
部分の重量が小さくなるので、機械的遅延が低減し、表
面弾性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯域にわ
たって比較的安定する。したがって、従来に比して、拡
散信号のスペクトルを広い周波数帯域に拡散して通信を
行うことができるという効果が得られる。As described above, according to the surface acoustic wave convolver according to the first, second, fourth or fifth aspect of the present invention, the weight of the portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates is reduced. Therefore, the mechanical delay is reduced, and the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver are relatively stable over a wide wavelength band. Therefore, an effect is obtained that communication can be performed by spreading the spectrum of the spread signal over a wide frequency band as compared with the related art.
【００５３】さらに、本発明に係る請求項３または６記
載の表面弾性波コンボルバによれば、グレーティング電
極のうち、表面弾性波の伝搬方向からみて出力取出電極
の突出電極と重なり合う部分以外の部分の重量が小さく
なるので、機械的遅延が低減し、表面弾性波コンボルバ
の伝搬遅延特性が広い波長帯域にわたって比較的安定す
る。したがって、従来に比して、拡散信号のスペクトル
を広い周波数帯域に拡散して通信を行うことができると
いう効果が得られる。Further, according to the surface acoustic wave convolver according to the third or sixth aspect of the present invention, a portion of the grating electrode other than a portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode when viewed from the propagation direction of the surface acoustic wave. Since the weight is reduced, the mechanical delay is reduced, and the propagation delay characteristics of the surface acoustic wave convolver are relatively stable over a wide wavelength band. Therefore, an effect is obtained that communication can be performed by spreading the spectrum of the spread signal over a wide frequency band as compared with the related art.
【００５４】さらに、本発明に係る請求項２記載の表面
弾性波コンボルバによれば、機械的遅延がさらに低減
し、表面弾性波コンボルバの伝搬遅延特性が広い波長帯
域にわたってさらに安定するので、拡散信号のスペクト
ルをより広い周波数帯域に拡散して通信を行うことがで
きるという効果も得られる。さらに、本発明に係る請求
項４記載の表面弾性波コンボルバによれば、１００[MH
z]程度の周波数帯域幅までスペクトルを拡散した拡散信
号を用いることができるという効果も得られる。Further, according to the surface acoustic wave convolver according to the second aspect of the present invention, the mechanical delay is further reduced, and the propagation delay characteristic of the surface acoustic wave convolver is further stabilized over a wide wavelength band. The effect that the communication can be performed by spreading the spectrum of the spectrum over a wider frequency band is also obtained. Furthermore, according to the surface acoustic wave convolver according to claim 4 of the present invention, 100 [MH]
There is also obtained an effect that a spread signal obtained by spreading a spectrum to a frequency bandwidth of about z] can be used.
【図１】表面弾性波コンボルバ５０の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a surface acoustic wave convolver 50. FIG.
【図２】表面弾性波コンボルバ５０の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the surface acoustic wave convolver 50. FIG.
【図３】図２中のＡ−Ａ’線の断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A 'in FIG.
【図４】ａ／ｐ比の変化に対する伝搬遅延時間差の変化
を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a change in a propagation delay time difference with respect to a change in a / p ratio.
【図５】表面弾性波の周波数の変化に対する伝搬遅延時
間の変化を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing a change in propagation delay time with respect to a change in the frequency of a surface acoustic wave.
【図６】従来の表面弾性波コンボルバ５０の構成を示す
平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a conventional surface acoustic wave convolver 50.
【図７】従来の表面弾性波コンボルバの伝搬遅延特性を
示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing propagation delay characteristics of a conventional surface acoustic wave convolver.
５０ 表面弾性波コンボルバ ５２ 圧電体基板 ５４ａ，５４ｂ 入力電極 ５５ａ，５５ｂ 突出電極 ５６ａ 出力取出電極 ５６ｂ アース電極 ５８ 半導体層 ６０，７０ グレーティング電極 Reference Signs List 50 surface acoustic wave convolver 52 piezoelectric substrate 54a, 54b input electrode 55a, 55b projecting electrode 56a output extraction electrode 56b ground electrode 58 semiconductor layer 60, 70 grating electrode
Claims (6)
出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備え、前記
各グレーティング電極を、その長手方向が入力電極間を
伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するように前記表
面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記出力取出
電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬方向と直
交するように且つその各突出電極が前記各グレーティン
グ電極と交互となるように配置してなる表面弾性波コン
ボルバにおいて、 前記複数のグレーティング電極のうち少なくともいずれ
かについて、当該グレーティング電極のうち前記表面弾
性波が伝搬する部分の電極幅を、前記各グレーティング
電極の電極ピッチの１／２未満としたことを特徴とする
表面弾性波コンボルバ。An output output electrode having a plurality of grating electrodes and an interdigital transducer having a plurality of protruding electrodes, wherein each of the grating electrodes has a longitudinal direction corresponding to a propagation direction of a surface acoustic wave propagating between input electrodes. Along with being arranged in the propagation path of the surface acoustic wave so as to be orthogonal, the output extraction electrode is arranged such that the projecting direction of each projecting electrode is orthogonal to the propagation direction, and each projecting electrode is formed with each of the grating electrodes. In a surface acoustic wave convolver arranged so as to be alternated, for at least one of the plurality of grating electrodes, the electrode width of a portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates, A surface acoustic wave convolver characterized in that the pitch is less than half the electrode pitch.
グ電極のうち前記表面弾性波が伝搬する部分の電極幅
を、前記各グレーティング電極の電極ピッチの１／２未
満としたことを特徴とする表面弾性波コンボルバ。2. The method according to claim 1, wherein, for each of the grating electrodes, an electrode width of a portion of the grating electrode through which the surface acoustic wave propagates is set to be less than の of an electrode pitch of each of the grating electrodes. Characteristic surface acoustic wave convolver.
出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備え、前記
各グレーティング電極を、その長手方向が入力電極間を
伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するように前記表
面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記出力取出
電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬方向と直
交するように且つその各突出電極が前記各グレーティン
グ電極と交互となるように配置してなる表面弾性波コン
ボルバにおいて、 前記複数のグレーティング電極のうち少なくともいずれ
かについて、当該グレーティング電極のうち、前記伝搬
方向からみて前記出力取出電極の突出電極と重なり合う
部分以外の部分の電極幅を、前記各グレーティング電極
の電極ピッチの１／２未満としたことを特徴とする表面
弾性波コンボルバ。3. An electrode having a plurality of grating electrodes and an interdigital output extraction electrode having a plurality of projecting electrodes, wherein each of the grating electrodes has a longitudinal direction corresponding to a propagation direction of a surface acoustic wave propagating between input electrodes. Along with being arranged in the propagation path of the surface acoustic wave so as to be orthogonal, the output extraction electrode is arranged such that the projecting direction of each projecting electrode is orthogonal to the propagation direction, and each projecting electrode is formed with each of the grating electrodes. In the surface acoustic wave convolver arranged so as to be alternated, at least one of the plurality of grating electrodes, other than a portion of the grating electrode other than a portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode when viewed from the propagation direction. A surface, wherein the electrode width of the portion is less than half the electrode pitch of each of the grating electrodes. Sex wave convolver.
性波の代表波長の１／４であり、 前記電極ピッチに対する前記電極幅の比を、０．２０以
上で且つ０．３５以下としたことを特徴とする表面弾性
波コンボルバ。4. The electrode pitch according to claim 1, wherein an electrode pitch of each of the grating electrodes is の of a representative wavelength of the surface acoustic wave, and a ratio of the electrode width to the electrode pitch is 0. A surface acoustic wave convolver having a thickness of not less than 20 and not more than 0.35.
出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備え、前記
各グレーティング電極を、その長手方向が入力電極間を
伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するように前記表
面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記出力取出
電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬方向と直
交するように且つその各突出電極が前記各グレーティン
グ電極と交互となるように配置してなる表面弾性波コン
ボルバにおいて、 前記複数のグレーティング電極のうち少なくともいずれ
かについて、当該グレーティング電極のうち前記表面弾
性波が伝搬する部分の厚みを、前記出力取出電極の突出
電極の厚みよりも小さくしたことを特徴とする表面弾性
波コンボルバ。5. An intermittent output extraction electrode having a plurality of grating electrodes and a plurality of projecting electrodes, wherein each of the grating electrodes has a longitudinal direction corresponding to a propagation direction of a surface acoustic wave propagating between input electrodes. Along with being arranged in the propagation path of the surface acoustic wave so as to be orthogonal, the output extraction electrode is arranged such that the projecting direction of each projecting electrode is orthogonal to the propagation direction, and each projecting electrode is formed with each of the grating electrodes. In a surface acoustic wave convolver arranged alternately, for at least one of the plurality of grating electrodes, the thickness of a portion of the grating electrode where the surface acoustic wave propagates is determined by projecting the output extraction electrode. A surface acoustic wave convolver characterized in that the thickness is smaller than the thickness of the electrode.
出電極を有するすだれ型の出力取出電極とを備え、前記
各グレーティング電極を、その長手方向が入力電極間を
伝搬する表面弾性波の伝搬方向と直交するように前記表
面弾性波の伝搬路内に配置するとともに、前記出力取出
電極を、その各突出電極の突出方向が前記伝搬方向と直
交するように且つその各突出電極が前記各グレーティン
グ電極と交互となるように配置してなる表面弾性波コン
ボルバにおいて、 前記複数のグレーティング電極のうち少なくともいずれ
かについて、当該グレーティング電極のうち、前記伝搬
方向からみて前記出力取出電極の突出電極と重なり合う
部分以外の部分の厚みを、前記出力取出電極の突出電極
の厚みよりも小さくしたことを特徴とする表面弾性波コ
ンボルバ。6. A plurality of grating electrodes, and an interdigital output extraction electrode having a plurality of projecting electrodes, wherein each of the grating electrodes has a longitudinal direction corresponding to a propagation direction of a surface acoustic wave propagating between input electrodes. Along with being arranged in the propagation path of the surface acoustic wave so as to be orthogonal, the output extraction electrode is arranged such that the projecting direction of each projecting electrode is orthogonal to the propagation direction, and each projecting electrode is formed with each of the grating electrodes. In the surface acoustic wave convolver arranged so as to be alternated, at least one of the plurality of grating electrodes, other than a portion of the grating electrode other than a portion overlapping with the protruding electrode of the output extraction electrode when viewed from the propagation direction. Characterized in that the thickness of the portion is smaller than the thickness of the protruding electrode of the output extraction electrode. Borba.
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|---|---|---|---|
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