JP2002008206A - Method for manufacturing thin film magnetic head - Google Patents

Method for manufacturing thin film magnetic head

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JP2002008206A
JP2002008206A JP2000185024A JP2000185024A JP2002008206A JP 2002008206 A JP2002008206 A JP 2002008206A JP 2000185024 A JP2000185024 A JP 2000185024A JP 2000185024 A JP2000185024 A JP 2000185024A JP 2002008206 A JP2002008206 A JP 2002008206A
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JP
Japan
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film
plating
frame
magnetic head
coil
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JP2000185024A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Terui
聡 照井
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, by which generation of re-deposition is suppressed, an upper core can be formed in a prescribed pattern and the thin film magnetic head can be manufactured in a high yield. SOLUTION: The method for manufacturing a thin film magnetic head having a coil disposed between a lower core and the upper core, has a stage for forming a base film 42 for plating on an insulating film 41 formed so as to cover the coil, a stage for forming frames 43 having a prescribed pattern thereon, a stage for plating a material 44 of the upper core on the base film 42 for plating, a stage for removing the frames 43, a stage for removing the base film 42 for plating under the frames 43 and a stage for removing the material 44 of the upper core of unnecessary part, and frames 43 having 8-15 μm width D are formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばインダクテ
ィブ型ヘッド等の薄膜磁気ヘッドの製造方法に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a thin-film magnetic head such as an inductive head.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶
縁膜等の薄膜層が多層に積層され、さらに導体コイルや
リード線、及び端子が形成された構成の磁気ヘッドであ
る。この薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成技術により形
成されるため、狭トラック化や狭ギャップ化等の微細寸
法化が容易で高分解能記録が可能であるという特徴を有
しており、高密度記録化に対応した磁気ヘッドとして注
目されている。
2. Description of the Related Art Generally, a thin film magnetic head is a magnetic head having a structure in which thin film layers such as a magnetic film and an insulating film are laminated in multiple layers, and furthermore, a conductor coil, a lead wire, and a terminal are formed. Since this thin-film magnetic head is formed by a vacuum thin-film forming technique, it is easy to make fine dimensions such as narrow tracks and narrow gaps, and is capable of high-resolution recording. Has attracted attention as a magnetic head corresponding to.

【0003】例えば磁気記録媒体に情報信号の記録、再
生を行う薄膜磁気ヘッドとしては、フェライト等の酸化
物磁性材料からなる基板上に、真空薄膜形成技術によっ
て導体コイル及び磁性体膜が形成されて構成されたもの
がある。
For example, as a thin film magnetic head for recording and reproducing information signals on a magnetic recording medium, a conductor coil and a magnetic film are formed on a substrate made of an oxide magnetic material such as ferrite by a vacuum thin film forming technique. Some have been configured.

【0004】具体的に、例えば記録用の薄膜磁気ヘッド
として好適なものとしては、いわゆるインダクティブ型
の磁気ヘッド(以下インダクティブ型ヘッドとする)が
ある。このインダクティブ型ヘッドにおいては、フェラ
イト等の酸化物磁性材料からなる基板上に、軟磁性体層
よりなる下層コアが形成され、これの上に下層コアと導
体コイルとを絶縁するための絶縁層又は平坦化層が形成
され、さらにその表面上に導体コイルがスパイラル状に
形成されている。そして、表面を平坦化するためのレジ
スト等の高分子材料からなる平坦化層が形成され、この
平坦化層の平坦化された表面上に軟磁性体層よりなる上
層コアが形成されて、上述のインダクティブ型ヘッドが
構成される。
[0004] Specifically, for example, a so-called inductive type magnetic head (hereinafter referred to as an inductive type head) is suitable as a thin film magnetic head for recording. In this inductive head, a lower core made of a soft magnetic layer is formed on a substrate made of an oxide magnetic material such as ferrite, and an insulating layer or an insulating layer for insulating the lower core and the conductor coil is formed thereon. A flattening layer is formed, and a conductor coil is formed spirally on the surface. Then, a flattening layer made of a polymer material such as a resist for flattening the surface is formed, and an upper core made of a soft magnetic material layer is formed on the flattened surface of the flattening layer. Is constituted.

【0005】上述のインダクティブ型ヘッドは、例えば
再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド(MRヘッド)
と共に複合型の薄膜磁気ヘッドとして、ハードディスク
ドライブ等に搭載されて利用されている。
The above-mentioned inductive head is, for example, a magnetoresistive thin-film magnetic head (MR head) for reproduction.
In addition, they are used as being mounted on a hard disk drive or the like as a composite thin film magnetic head.

【0006】ところで、上述のインダクティブ型ヘッド
を製造する際には、上層コアをいわゆるフレームメッキ
法により形成している。ここで、このフレームメッキ法
による上層コアの形成工程を説明する。
When manufacturing the above-described inductive head, the upper core is formed by a so-called frame plating method. Here, the step of forming the upper core by the frame plating method will be described.

【0007】まず、メッキのための下地膜として、例え
ばNiFe膜をスパッタ法により成膜する。次に、この
下地膜の表面上に、上層コア及びリード線となる例えば
NiFe膜をフレームメッキ法により形成する。このフ
レームメッキ法の手順は次のように行われる。
First, as a base film for plating, for example, a NiFe film is formed by a sputtering method. Next, on the surface of the base film, for example, an NiFe film serving as an upper core and a lead wire is formed by frame plating. The procedure of the frame plating method is performed as follows.

【0008】(1)レジストをパターニングする等によ
り、上層コア及びリード線の型枠となるフレーム(枠)
を形成する。 (2)下地膜をメッキの電極として、上層コア及びリー
ド線となるメッキ膜例えばNiFe膜をメッキする。 (3)フレームを除去する。 (4)フレーム部のメッキの下地膜、即ちフレームの下
にあったメッキの下地膜をイオンエッチングにより除去
する。 (5)フレームのあった部分と、フレームの内部のメッ
キ膜を覆うようにレジストマスクを形成する。 (6)レジストマスクをマスクとして用いて、フレーム
の外のNiFe膜(メッキ膜)を湿式エッチングにより
除去する。
(1) A frame (frame) serving as a mold for an upper layer core and a lead wire by patterning a resist or the like.
To form (2) Using a base film as a plating electrode, a plating film such as a NiFe film serving as an upper core and a lead wire is plated. (3) Remove the frame. (4) The plating base film of the frame portion, that is, the plating base film under the frame is removed by ion etching. (5) A resist mask is formed so as to cover the portion where the frame was and the plating film inside the frame. (6) Using the resist mask as a mask, the NiFe film (plated film) outside the frame is removed by wet etching.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、フレーム部
の下地膜をイオンエッチングにて除去した場合、いわゆ
る再デポ即ち下地膜材料の再堆積が発生する。
However, when the underlying film in the frame portion is removed by ion etching, so-called redeposition, that is, redeposition of the underlying film material occurs.

【0010】この再デポは、この後の不要なメッキ膜を
除去する工程(6)の湿式エッチングでも除去されずに
残り、最終的には磁気記録媒体に対向する面、即ちいわ
ゆるABS(Air Bearing Surface )面に露出し、外観
不良となり歩留まりの低下を招く。また、再デポが脱落
して磁気記録媒体を損傷することが懸念される。
This re-deposition remains without being removed by the wet etching in the step (6) for removing the unnecessary plating film thereafter, and finally, the surface facing the magnetic recording medium, that is, the so-called ABS (Air Bearing) Surface), resulting in poor appearance and reduced yield. In addition, there is a concern that the re-deposit will fall off and damage the magnetic recording medium.

【0011】再デポを無くす一番の方法は、フレーム部
の下地膜のエッチングを行わないことである。即ちフレ
ーム部の下地膜を残した状態で、レジストマスクで覆っ
てフレームの外の不要なメッキ膜を除去する。
The best way to eliminate re-deposition is not to etch the underlying film in the frame portion. That is, while the base film of the frame portion is left, the unnecessary plating film outside the frame is removed by covering with the resist mask.

【0012】ところが、この方法を採用した場合、フレ
ーム外の不要なメッキ膜を除去する際の湿式エッチング
により、フレーム部の下地膜(メッキ膜と同じNiFe
膜)がエッチングされることにより、隙間が生じてエッ
チング液が内側にあるコア部に浸出し、コア部のNiF
e膜(メッキ膜)が浸食されてしまう。このため、上層
コアを所定のパターンに形成することができなくなって
しまう。特にこの現象は、コイルが多層コイルとなり、
平坦化膜の傾斜角度が大きくなるほど顕著になる。
However, when this method is adopted, the base film (NiFe, which is the same as the plating film) of the frame portion is formed by wet etching for removing an unnecessary plating film outside the frame.
When the film is etched, a gap is formed and the etchant leaches into the inner core portion, and the NiF
The e film (plating film) is eroded. For this reason, the upper core cannot be formed in a predetermined pattern. Especially this phenomenon is that the coil becomes a multilayer coil,
This becomes more remarkable as the inclination angle of the flattening film increases.

【0013】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、再デポの発生を抑制すると共に、上層コアを所
定のパターンに形成することができ、薄膜磁気ヘッドを
歩留まりよく製造することができる薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供するものである。
In order to solve the above-mentioned problem, in the present invention, the occurrence of re-deposition is suppressed and the upper core can be formed in a predetermined pattern, so that a thin-film magnetic head can be manufactured with high yield. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、下層コアと上層コアとの間にコイルが配
置されて成る薄膜磁気ヘッドを製造するに当たり、コイ
ルを覆って形成された絶縁膜上にメッキ用下地膜を形成
する工程と、メッキ用下地膜上に所定のパターンのフレ
ームを形成する工程と、上層コアの材料をメッキ用下地
膜上にメッキする工程と、フレームを除去する工程と、
フレームの下のメッキ用下地膜を除去する工程と、不要
な部分の上層コアの材料を除去する工程とを有し、フレ
ームを形成する工程においてフレームの幅を8〜15μ
mとするものである。
According to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, a thin film magnetic head having a coil disposed between a lower core and an upper core is manufactured by covering the coil. A step of forming a plating base film on the insulating film, a step of forming a frame of a predetermined pattern on the plating base film, a step of plating an upper core material on the plating base film, and removing the frame The process of
A step of removing a plating base film under the frame; and a step of removing an unnecessary portion of a material of an upper layer core.
m.

【0015】上述の本発明製法によれば、フレームを形
成する工程において、フレームの幅を8〜15μmとす
ることにより、メッキ用下地膜を除去する際のエッチン
グ量を低減しても、不要な部分の上層コアの材料を除去
する工程における、上層コアとなる部分への湿式エッチ
ング液の浸食を防止することが可能になる。これによ
り、メッキ用下地膜のエッチング量を低減して、再デポ
の発生を抑制することが可能になる。
According to the manufacturing method of the present invention described above, in the step of forming a frame, by setting the width of the frame to 8 to 15 μm, even if the etching amount at the time of removing the plating base film is reduced, it is unnecessary. In the step of removing the material of the upper core of the portion, it is possible to prevent the wet etching solution from eroding into the portion to be the upper core. This makes it possible to reduce the amount of etching of the plating base film and suppress the occurrence of re-deposition.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明は、下層コアと上層コアと
の間にコイルが配置されて成る薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法であって、コイルを覆って形成された絶縁膜上に
メッキ用下地膜を形成する工程と、メッキ用下地膜上に
所定のパターンのフレームを形成する工程と、上層コア
の材料をメッキ用下地膜上にメッキする工程と、フレー
ムを除去する工程と、フレームの下のメッキ用下地膜を
除去する工程と、不要な部分の上層コアの材料を除去す
る工程とを有し、フレームを形成する工程においてフレ
ームの幅を8〜15μmとする薄膜磁気ヘッドの製造方
法である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a method of manufacturing a thin-film magnetic head in which a coil is disposed between a lower core and an upper core. Forming a base film, forming a frame of a predetermined pattern on the plating base film, plating an upper core material on the plating base film, removing the frame, A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: a step of removing a lower plating base film; and a step of removing an unnecessary portion of a material of an upper layer core, wherein a frame width is 8 to 15 μm in a frame forming step. It is.

【0017】図1は本発明を適用する磁気ヘッドの概略
構成図(断面図)を示す。図1の断面図は、磁気記録媒
体に対向するいわゆるABS面に垂直な面による断面図
を示している。この薄膜磁気ヘッド10は、再生専用の
磁気抵抗効果型ヘッド(MRヘッド)1と記録専用のイ
ンダクティブ型ヘッド2とを一体に積層形成して成る複
合型薄膜磁気ヘッドである。
FIG. 1 is a schematic structural view (cross-sectional view) of a magnetic head to which the present invention is applied. The cross-sectional view in FIG. 1 is a cross-sectional view perpendicular to the so-called ABS plane facing the magnetic recording medium. The thin-film magnetic head 10 is a composite thin-film magnetic head formed by integrally laminating a read-only magnetoresistive head (MR head) 1 and a recording-only inductive head 2.

【0018】MRヘッド1は、磁気抵抗効果素子(GM
R素子又はMR素子;以下単にMR素子と称する)14
が磁気記録媒体に対向するABS面側に配置され、かつ
一方の端面が磁気記録媒体に対して露出するように構成
される。
The MR head 1 includes a magnetoresistive element (GM)
R element or MR element; hereinafter simply referred to as MR element) 14
Are arranged on the ABS side facing the magnetic recording medium, and one end face is exposed to the magnetic recording medium.

【0019】具体的には、基板11上に、軟磁性膜によ
る下層シールド12が形成されて下部磁性磁極を構成し
ている。この下層シールド12の上に下層ギャップ膜1
3を介して磁気抵抗効果を有するMR素子14を配置し
ている。MR素子14の後方にはMR素子14の段差を
埋める例えばAl2 3 から成る絶縁膜15が埋め込ま
れている。MR素子14上には、上層ギャップ膜16を
介して、軟磁性膜による中間シールド17が設けられて
いる。この中間シールド17が上部磁性磁極を構成して
いる。下層ギャップ膜13及び上層ギャップ膜16によ
り、MRヘッド1のギャップが形成されている。
Specifically, a lower shield 12 made of a soft magnetic film is formed on a substrate 11 to constitute a lower magnetic pole. The lower gap film 1 is formed on the lower shield 12.
3, an MR element 14 having a magnetoresistive effect is arranged. An insulating film 15 made of, for example, Al 2 O 3 filling the step of the MR element 14 is embedded behind the MR element 14. An intermediate shield 17 of a soft magnetic film is provided on the MR element 14 with an upper gap film 16 interposed therebetween. The intermediate shield 17 forms an upper magnetic pole. The gap of the MR head 1 is formed by the lower gap film 13 and the upper gap film 16.

【0020】一方、インダクティブ型ヘッド2は、軟磁
性膜からなり、MRヘッド1を構成する中間シールド1
7を下層磁性コアとして、この中間シールド17上に、
例えばSiO2 又はAl2 3 から成る記録ギャップ膜
18を有する。記録ギャップ膜18上の磁気記録媒体に
対向する先端側には、磁性膜から成る上層ポール19が
形成されている。上層ポール19の後方には、絶縁層2
0が埋め込まれて表面が平坦化されている。この平坦化
された面上に導体から成るコイル21が形成され、この
コイル21を覆って絶縁膜22が形成されている。この
コイル21は、(図示しないが)平面形状がスパイラル
状に形成される。そして、このコイル21を用いて、イ
ンダクティブ型ヘッドに電磁変換作用によって信号を供
給する。
On the other hand, the inductive head 2 is made of a soft magnetic film, and the intermediate shield 1 constituting the MR head 1.
7 as a lower magnetic core, on this intermediate shield 17,
For example, it has a recording gap film 18 made of SiO 2 or Al 2 O 3 . An upper pole 19 made of a magnetic film is formed on a front end side of the recording gap film 18 facing the magnetic recording medium. Behind the upper pole 19, the insulating layer 2
0 is embedded and the surface is flattened. A coil 21 made of a conductor is formed on the flattened surface, and an insulating film 22 is formed to cover the coil 21. The coil 21 has a spiral shape (not shown) in plan view. Then, by using the coil 21, a signal is supplied to the inductive head by electromagnetic conversion.

【0021】さらに、絶縁膜22の上方に、上層ポール
19に接続して磁性膜からなる上層コア(バックヨー
ク)23が形成されている。上層ポール19と上層コア
(バックヨーク)23により上部磁性コアが構成され
る。上層コア(バックヨーク)23は後方においては中
間シールド17と接続されて磁路を形成している。
Further, an upper core (back yoke) 23 made of a magnetic film is formed above the insulating film 22 and connected to the upper pole 19. An upper magnetic core is constituted by the upper pole 19 and the upper core (back yoke) 23. The upper core (back yoke) 23 is connected to the intermediate shield 17 at the rear to form a magnetic path.

【0022】また、この構成の薄膜磁気ヘッド10は、
真空薄膜形成技術により形成されるため、狭トラック化
や狭ギャップ化等の微細寸法化が容易で、高分解能記録
再生が可能であるという特徴を有しており、高密度磁気
記録に対応した磁気ヘッドとして注目されている。
Further, the thin-film magnetic head 10 having this configuration is
Since it is formed by vacuum thin film forming technology, it has features that it is easy to make fine dimensions such as narrow tracks and narrow gaps, and high-resolution recording and reproduction is possible. It is attracting attention as a head.

【0023】さらに、図2は本発明を適用する他の磁気
ヘッドの概略構成図(断面図)を示す。この磁気ヘッド
30は、図1に示した磁気ヘッド10の構成において、
コイルを2層に形成する場合を示している。
FIG. 2 is a schematic diagram (cross-sectional view) of another magnetic head to which the present invention is applied. This magnetic head 30 is different from the magnetic head 10 shown in FIG.
The case where the coil is formed in two layers is shown.

【0024】この磁気ヘッド30では、第1のコイル2
1を覆って絶縁膜22が形成され、絶縁膜(第1平坦化
膜)22の表面が平坦化されて、平坦化された表面上に
第2のコイル24が形成されている。第2のコイル24
は、第1のコイル21と同様に平面形状がスパイラル状
に形成されている。さらに、第2のコイル24を覆って
絶縁膜25が形成され、絶縁膜(第2平坦化膜)25の
表面が平坦化されて、平坦化された表面上に軟磁性材料
からなる上層コア(バックヨーク)23が形成されてい
る。その他の構成は、図1に示した磁気ヘッド10と同
様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。
In the magnetic head 30, the first coil 2
1, an insulating film 22 is formed, the surface of the insulating film (first planarizing film) 22 is planarized, and the second coil 24 is formed on the planarized surface. Second coil 24
Has a spiral planar shape, similar to the first coil 21. Further, an insulating film 25 is formed so as to cover the second coil 24, the surface of the insulating film (second flattening film) 25 is flattened, and an upper core (made of a soft magnetic material) is formed on the flattened surface. A back yoke 23 is formed. Other configurations are the same as those of the magnetic head 10 shown in FIG.

【0025】尚、絶縁膜22の表面を平坦化する代わり
に、絶縁膜22の上に平坦化用の絶縁膜を形成してから
表面を平坦化してもよい。
Instead of flattening the surface of the insulating film 22, a flattening insulating film may be formed on the insulating film 22 and then the surface may be flattened.

【0026】この磁気ヘッド30の場合は、コイルが第
1のコイル21及び第2のコイル24の2層から形成さ
れているので、コイルが1層である場合と比較して、次
に述べる利点を有する。記録ヘッドのオーバーライト特
性を上げるために、即ち記録能力を上げるためには、コ
イルの巻き数を増やすことが考えられる。コイルが1層
のままで巻き数を増やそうとすると、コイルが大きくな
って平面に拡がることから磁路長が長くなってしまう。
このため、高周波で動作させるとロスが大きくなる。こ
れに対して、コイルを2層以上とすることにより、磁路
長が短いままでコイルの巻き数を増やすことができ、オ
ーバーライト特性を向上させることが可能になる。
In the case of the magnetic head 30, since the coil is formed of two layers of the first coil 21 and the second coil 24, the following advantages are obtained as compared with the case where the coil has only one layer. Having. In order to improve the overwrite characteristics of the recording head, that is, to increase the recording performance, it is conceivable to increase the number of turns of the coil. If an attempt is made to increase the number of windings while keeping the coil in a single layer, the coil becomes large and expands in a plane, so that the magnetic path length becomes long.
For this reason, operating at a high frequency increases the loss. On the other hand, when the coil has two or more layers, the number of turns of the coil can be increased while keeping the magnetic path length short, and the overwrite characteristics can be improved.

【0027】続いて、本発明の一実施の形態として、図
1に示した磁気ヘッド10や図2に示した磁気ヘッド3
0を製造する方法を説明する。
Next, as one embodiment of the present invention, the magnetic head 10 shown in FIG. 1 and the magnetic head 3 shown in FIG.
0 will be described.

【0028】まず、インダクティブ型ヘッド2の作製に
先立ち、MR素子14の上方に軟磁性材料よりなる中間
シールド17を成膜してMRヘッド1を作製する。次
に、中間シールド17上に記録ギャップ膜18を形成す
る。
First, prior to manufacturing the inductive head 2, an intermediate shield 17 made of a soft magnetic material is formed above the MR element 14 to manufacture the MR head 1. Next, a recording gap film 18 is formed on the intermediate shield 17.

【0029】次に、ABS面となる側の記録ギャップ膜
18上に、所定のパターンの上層ポール19を形成す
る。そして、上層ポール19以外の部分を埋めて上層ポ
ール19を覆うように絶縁層20を形成し、その後表面
を平坦化すると共に上層ポール19を表面に露出させ
る。
Next, an upper pole 19 having a predetermined pattern is formed on the recording gap film 18 on the side to be the ABS. Then, an insulating layer 20 is formed so as to cover portions other than the upper pole 19 so as to cover the upper pole 19, and thereafter, the surface is flattened and the upper pole 19 is exposed to the surface.

【0030】次に、平坦化された表面上に、図示しない
がコイル用メッキ下地膜、例えばCr/Cu膜をスパッ
タ法により成膜する。そして、このコイル用メッキ下地
膜上にフォトレジストを塗布し、マスクを施して所定の
形状のレジストパターンを形成する。このレジストパタ
ーンは、コイルのスパイラル形状を形成するためのもの
である。
Next, a coil plating base film, for example, a Cr / Cu film (not shown) is formed on the flattened surface by sputtering. Then, a photoresist is applied on the plating base film for the coil, and a mask is applied to form a resist pattern having a predetermined shape. This resist pattern is for forming the spiral shape of the coil.

【0031】次に、メッキ下地膜上に導体膜例えばCu
膜をメッキする。これにより、上述のレジストパターン
に規制されて、スパイラル形状のコイル21が形成され
る。その後、有機溶剤を用いてレジストパターンを除去
し、さらにイオンミリング装置を用いてコイル用メッキ
下地膜を除去する。
Next, a conductive film such as Cu
Plating the membrane. As a result, the spiral coil 21 is formed under the control of the resist pattern. Thereafter, the resist pattern is removed using an organic solvent, and the plating base film for the coil is further removed using an ion milling device.

【0032】次に、コイル21を覆うと共に表面の平坦
化を図るために、レジストをハードキュアすることによ
り絶縁膜22を形成する。
Next, in order to cover the coil 21 and to planarize the surface, a resist is hard-cured to form an insulating film 22.

【0033】尚、図2に示した2層のコイルを有する磁
気ヘッド30の場合は、絶縁膜22を形成した後、さら
に以下の工程を追加する。まず、絶縁膜(第1平坦化
膜)22上に、第2のコイル22用のメッキ下地膜例え
ばCr/Cu膜をスパッタ法により成膜する。そして、
第1のコイル22と同様にして第2のコイル24を形成
する。
In the case of the magnetic head 30 having the two-layer coil shown in FIG. 2, the following steps are further added after the formation of the insulating film 22. First, a plating base film for the second coil 22, for example, a Cr / Cu film is formed on the insulating film (first planarization film) 22 by a sputtering method. And
A second coil 24 is formed in the same manner as the first coil 22.

【0034】その後、有機溶剤を用いてレジストパター
ンを除去し、さらにメッキ下地膜をイオンミリング装置
にて除去する。次に、第2のコイル24を覆うと共に表
面の平坦化を図るために、レジストをハードキュアする
ことにより絶縁膜(第2平坦化膜)25を形成する。
After that, the resist pattern is removed by using an organic solvent, and the plating base film is further removed by an ion milling device. Next, in order to cover the second coil 24 and planarize the surface, a resist is hard-cured to form an insulating film (second planarizing film) 25.

【0035】引き続いて、図1の磁気ヘッド10の場合
は絶縁膜22上に、図2の磁気ヘッド30の場合は絶縁
膜(第2平坦化膜)25上に、フレームメッキ法により
上層コア23を形成する。
Subsequently, on the insulating film 22 in the case of the magnetic head 10 of FIG. 1, and on the insulating film (second flattening film) 25 in the case of the magnetic head 30 of FIG. To form

【0036】このフレームメッキ法による上層コア23
の形成工程を、以下図3〜図6を参照して詳しく説明す
る。尚、図3〜図5は、ABS面に平行な断面図を示し
ている。
The upper core 23 formed by the frame plating method
Will be described in detail below with reference to FIGS. 3 to 5 show sectional views parallel to the ABS.

【0037】まず、図3Aに示すように、平坦化膜41
上に、即ち図1の磁気ヘッド10の場合は絶縁膜22上
に、図2の磁気ヘッド30の場合は絶縁膜(第2平坦化
膜)25上に、スパッタ法により、上層コア23のメッ
キ用下地膜42例えばNiFe膜を成膜する。
First, as shown in FIG.
The upper core 23 is plated by sputtering on the upper surface, that is, on the insulating film 22 in the case of the magnetic head 10 of FIG. 1 and on the insulating film (second planarization film) 25 in the case of the magnetic head 30 of FIG. A base film 42 for use, for example, a NiFe film is formed.

【0038】次に、メッキ用下地膜42上にフォトレジ
ストを全面的に形成した後、フォトリソグラフィー技術
によりフォトレジストを所定の形状にパターニングし
て、図3Bに示すように、上層コア23用のフレーム4
3を形成する。
Next, after a photoresist is entirely formed on the plating base film 42, the photoresist is patterned into a predetermined shape by a photolithography technique, and as shown in FIG. Frame 4
Form 3

【0039】このとき、本実施の形態では、特にフレー
ム43の幅Dを8μm以上15μm以下とする。
At this time, in the present embodiment, particularly, the width D of the frame 43 is set to 8 μm or more and 15 μm or less.

【0040】具体的には、例えば図6に示す平面形状の
フレーム43において、フレーム43の幅D、例えば斜
めの部分の幅D1及び横の部分の幅D2を8μm以上1
5μm以下とする。尚、図3〜図5に示す断面図は、図
6において例えばA−Aにおける断面図に相当する。
Specifically, for example, in the planar frame 43 shown in FIG. 6, the width D of the frame 43, for example, the width D1 of the diagonal portion and the width D2 of the horizontal portion are set to 8 μm or more and 1 μm or more.
5 μm or less. The cross-sectional views shown in FIGS. 3 to 5 correspond to, for example, cross-sectional views taken along line AA in FIG.

【0041】次に、下地膜42を電極としてメッキを行
って、図3Cに示すように、上層コア23となるメッキ
膜44例えばNiFe膜を形成する。
Next, plating is performed using the base film 42 as an electrode to form a plating film 44 to be the upper core 23, for example, a NiFe film, as shown in FIG. 3C.

【0042】その後、図4Dに示すように、有機溶剤を
用いてフレーム43を除去する。さらに、図4Eに示す
ように、イオンミリング装置を用いたエッチングを行っ
て、フレーム部即ちフレーム43の下にあったメッキ用
下地膜42を除去する。ここでは、ちょうど平坦化膜4
1との界面でエッチングを停める即ちジャストエッチン
グとなるようにエッチングを行う。
Thereafter, as shown in FIG. 4D, the frame 43 is removed using an organic solvent. Further, as shown in FIG. 4E, etching using an ion milling device is performed to remove the plating base film 42 under the frame portion, that is, the frame 43. Here, the flattening film 4
Etching is stopped at the interface with No. 1, ie, just etching.

【0043】ここで、従来通りにフレーム部のメッキ用
下地膜42に対してエッチングを行うと、前述したよう
に再デポが発生する。これは、従来では、フレーム部の
メッキ用下地膜42に対するエッチングにおいて、平坦
化膜41上にメッキ用下地膜42が残らないように、図
8Aに示すように、平坦化膜41の一部まで削られるオ
ーバーエッチングとなるようにエッチングを行っていた
ためである。このオーバーエッチングは、この後に行う
不要なメッキ膜44Xを除去するための湿式エッチング
の際に、上層コア23となるコア部のメッキ膜44Aと
不要なメッキ膜44Xとが金属膜で連続しないようにし
て、エッチング液がコア部のメッキ膜44Aに浸食しな
いようにする役目がある。
Here, if etching is performed on the plating base film 42 in the frame portion in the conventional manner, re-deposition occurs as described above. Conventionally, as shown in FIG. 8A, a portion of the flattening film 41 is removed so that the plating base film 42 does not remain on the flattening film 41 in the etching of the plating base film 42 in the frame portion. This is because the etching was performed so that the over-etching was performed. This over-etching is performed so that the plating film 44A of the core portion serving as the upper layer core 23 and the unnecessary plating film 44X are not continuous with the metal film during the wet etching for removing the unnecessary plating film 44X to be performed later. Accordingly, the etching liquid has a function of preventing the erosion of the plating film 44A in the core portion.

【0044】そして、オーバーエッチングを行うと、図
4Eに示すジャストエッチングを行った場合と比較し
て、再デポの量が増大する問題がある。これは、オーバ
ーエッチングにより、削られるメッキ用下地膜42の量
が増え、削られた下地膜42が周囲の下地膜42及びメ
ッキ膜44に再デポとして付着する量が増大するからで
ある。図8Bに、再デポ51が付着した状態を示す。こ
の再デポ51は、エッチングの際に組成が変化してしま
い、その後行われる不要なメッキ膜44Xを除去する工
程でも除去されずに残ることがある。
When the over-etching is performed, there is a problem that the amount of re-deposition increases as compared with the case where the just etching shown in FIG. 4E is performed. This is because the amount of the plating underlying film 42 that is removed by over-etching increases, and the amount that the removed underlying film 42 adheres to the surrounding underlying film 42 and the plating film 44 as a re-deposit increases. FIG. 8B shows a state where the re-depot 51 is attached. The composition of the re-deposit 51 changes during the etching, and may remain without being removed even in a subsequent step of removing the unnecessary plating film 44X.

【0045】残す方のメッキ膜44A即ち図8Bの右側
のメッキ膜44に付着した再デポ51は、メッキ膜44
と同様の合金であるため目立たない。これに対して、不
要なメッキ膜44X即ち図8Bの左側のメッキ膜44に
付着した再デポ51は、図8Cに示すように不要なメッ
キ膜44Xを除去した後も単独で残ってしまうため、非
常に目立ち外観不良となるものである。
The redeposition 51 adhered to the remaining plating film 44A, that is, the plating film 44 on the right side of FIG.
Inconspicuous because it is the same alloy as On the other hand, the redeposition 51 attached to the unnecessary plating film 44X, that is, the red plating film 44 on the left side of FIG. 8B remains alone even after the unnecessary plating film 44X is removed as shown in FIG. 8C. It is very noticeable and has poor appearance.

【0046】そこで、本実施の形態では、前述のように
フレーム43の幅Dを8μm以上15μm以下として、
メッキ用下地膜42のエッチングは従来よりエッチング
量を低減してジャストエッチングとなるように制御す
る。これにより、再デポ51の発生を抑制することがで
きる。
Therefore, in the present embodiment, the width D of the frame 43 is set to 8 μm or more and 15 μm or less as described above.
The etching of the plating base film 42 is controlled so that the etching amount is reduced as compared with the conventional case and the etching is performed just. Thereby, generation of the re-deposit 51 can be suppressed.

【0047】尚、ジャストエッチングとすることによ
り、例えば図7に示すように、平坦化膜41との界面に
一部下地膜42が残ることがある。しかし、このように
一部下地膜42が残っても、磁性材が連続しないため上
層コア23の磁気特性に影響することはなく、また下地
膜42が連続していないので後述するように湿式エッチ
ング液の浸透がブロックされるため、問題は生じない。
By the just etching, the base film 42 may remain partially at the interface with the flattening film 41 as shown in FIG. 7, for example. However, even if the base film 42 partially remains, the magnetic material is not continuous, so that it does not affect the magnetic properties of the upper core 23. Since the base film 42 is not continuous, the wet etching solution No problems occur because the permeation is blocked.

【0048】フレーム部のメッキ用下地膜42を除去し
た後、引き続いて、図4Fに示すように、フレーム43
の外の不要なメッキ膜44Xをウエットエッチングにて
除去するために、カバーレジスト45を形成する。この
カバーレジスト45は、フレーム部即ちフレーム43の
あった部分、並びにフレーム43の内側のメッキ膜44
例えばコア部のメッキ膜44Aを覆って形成する。
After the plating base film 42 in the frame portion is removed, the frame 43 is subsequently removed as shown in FIG. 4F.
A cover resist 45 is formed in order to remove unnecessary plating film 44X outside the substrate by wet etching. The cover resist 45 includes a frame portion, that is, a portion where the frame 43 is located, and a plating film 44 inside the frame 43.
For example, it is formed so as to cover the plating film 44A of the core portion.

【0049】そして、図5Gに示すように、硝酸を主成
分とするエッチング液により、不要なメッキ膜44X及
びその下のメッキ用下地膜42を溶解して除去する。そ
の後、図5Hに示すように、有機溶剤を用いてカバーレ
ジスト45を除去する。これにより、コア部のメッキ膜
44A等必要なメッキ膜44が残り、コア部のメッキ膜
44Aより上層コア23が形成される。
Then, as shown in FIG. 5G, the unnecessary plating film 44X and the underlying plating film 42 thereunder are dissolved and removed by an etching solution containing nitric acid as a main component. Thereafter, as shown in FIG. 5H, the cover resist 45 is removed using an organic solvent. As a result, the required plating film 44 such as the core plating film 44A remains, and the upper core 23 is formed above the core plating film 44A.

【0050】上層コア23の形成後は、絶縁膜からなる
保護膜で上層コア23を覆う。このようにして、インダ
クティブ型ヘッド2が形成される。その後、前方から削
ってABS面を露出させることにより、図1又は図2に
示す磁気ヘッド10又は30が形成される。
After the formation of the upper core 23, the upper core 23 is covered with a protective film made of an insulating film. Thus, the inductive head 2 is formed. Thereafter, the magnetic head 10 or 30 shown in FIG. 1 or FIG. 2 is formed by exposing the ABS surface by shaving from the front.

【0051】ところで、図8Cに示した左側の独立した
再デポ51は、上述の保護膜に覆われることにより一旦
隠れる。しかし、その後ABS面を形成するために削っ
ていくと、ABS面の表面に露出して外観不良となるこ
とがある。
By the way, the left independent redeposit 51 shown in FIG. 8C is temporarily hidden by being covered with the above-mentioned protective film. However, if the surface is subsequently shaved to form the ABS, the surface may be exposed to the surface of the ABS, resulting in poor appearance.

【0052】上述の本実施の形態によれば、特にフレー
ム43の幅Dを8μm以上15μm以下としたことによ
り、不要なメッキ膜44Xを除去する湿式エッチングの
際に、エッチング液がフレーム43内のメッキ膜例えば
コア部のメッキ膜44Aを浸食することが抑制されると
共に、再デポ51の発生も抑制される。また、メッキ膜
44をメッキにより形成する際には、メッキ膜44Aに
対して磁場をかけてメッキ膜44Aの軟磁性材を一定方
向に磁化するが、フレーム43の幅Dが上述の範囲内と
されていることにより、問題なくメッキ膜44Aの軟磁
性材を磁化することができる。
According to the above-described embodiment, in particular, by setting the width D of the frame 43 to 8 μm or more and 15 μm or less, the etchant in the frame 43 during wet etching for removing the unnecessary plating film 44X is removed. Erosion of the plating film, for example, the plating film 44A in the core portion, is suppressed, and the occurrence of re-deposition 51 is also suppressed. When the plating film 44 is formed by plating, a magnetic field is applied to the plating film 44A to magnetize the soft magnetic material of the plating film 44A in a certain direction, but the width D of the frame 43 falls within the above range. With this, the soft magnetic material of the plating film 44A can be magnetized without any problem.

【0053】尚、フレーム43の幅Dを8μm未満とす
ると、メッキ膜44の周囲を覆うカバーレジスト45の
幅が狭くなるため、フレーム43内のメッキ膜44へ湿
式エッチング液が浸透しやすくなる。特に、下地膜42
のエッチングをジャストエッチングにした場合には、一
部残った下地膜42により湿式エッチング液が浸透しや
すくなり、これを防止しようとオーバーエッチングを行
うと再デポ51の量が増大する。
If the width D of the frame 43 is less than 8 μm, the width of the cover resist 45 covering the periphery of the plating film 44 becomes narrow, so that the wet etching liquid easily permeates the plating film 44 in the frame 43. In particular, the base film 42
In the case of just etching, the wet etching solution easily penetrates due to the partially remaining base film 42, and the amount of re-deposition 51 increases if over-etching is performed to prevent this.

【0054】一方、フレーム43の幅Dが15μmを超
えると、上層コア23となるコア部のメッキ膜44Aに
対して磁場をかけてメッキ膜44Aの軟磁性材を磁化す
る際に、フレーム43に妨げられてメッキ膜44Aが磁
化されにくくなる、という問題を生じることがある。
On the other hand, when the width D of the frame 43 exceeds 15 μm, when a magnetic field is applied to the plating film 44A of the core portion serving as the upper core 23 to magnetize the soft magnetic material of the plating film 44A, This may cause a problem that the plating film 44A is hardly magnetized due to being hindered.

【0055】また、本実施の形態によれば、フレーム部
のメッキ用下地膜42をエッチングを行って除去する工
程において、エッチング量を従来より低減してジャスト
エッチングとすることにより、従来のオーバーエッチン
グの場合よりも再デポ51の発生量を低減することがで
きる。このとき、図7に示したように、エッチング量を
低減したことによりメッキ用下地膜42が一部残ったと
しても、下地膜42が連続しないため、カバーレジスト
45によってエッチング液の浸透がブロックされ、コア
部のメッキ膜44Aが浸食されにくくなる。特に、上述
のようにフレーム43の幅Dを8μm以上としているこ
とにより、メッキ膜44を覆うカバーレジスト45の幅
を充分確保して、カバーレジスト45によりエッチング
液の浸透をブロックすることができる。
Further, according to the present embodiment, in the step of removing the plating base film 42 of the frame portion by performing etching, the etching amount is reduced compared to the conventional one to perform the just etching, thereby achieving the conventional over-etching. In this case, the amount of re-deposition 51 can be reduced as compared with the case (1). At this time, as shown in FIG. 7, even if a part of the plating base film 42 remains due to the reduction of the etching amount, the base film 42 is not continuous, so that the penetration of the etchant is blocked by the cover resist 45. Thus, the plating film 44A in the core portion is less likely to be eroded. In particular, by setting the width D of the frame 43 to 8 μm or more as described above, the width of the cover resist 45 covering the plating film 44 can be sufficiently ensured, and the permeation of the etching solution can be blocked by the cover resist 45.

【0056】即ち上層コア23となるコア部のメッキ膜
44Aが浸食されないので、磁気ヘッド10,30、特
にそのインダクティブ型ヘッド2の磁気特性の劣化がな
く、かつ下地膜42のエッチング量を低減しても、コア
部のメッキ膜44Aが浸食されない。
That is, since the plating film 44A of the core portion serving as the upper layer core 23 is not eroded, the magnetic characteristics of the magnetic heads 10 and 30, especially the inductive head 2, are not deteriorated, and the etching amount of the base film 42 is reduced. However, the plating film 44A in the core portion is not eroded.

【0057】従って、本実施の形態により、再デポ51
の発生量が抑制され、外観不良等の問題が回避されると
共に、所望の磁気特性を有するインダクティブ型ヘッド
2を製造することができ、製造における歩留まりの大幅
な向上を図ることができる。
Therefore, according to the present embodiment, the re-depot 51
Is suppressed, problems such as poor appearance are avoided, the inductive head 2 having desired magnetic characteristics can be manufactured, and the yield in manufacturing can be greatly improved.

【0058】ここで、フレーム43の幅Dを変更してイ
ンダクティブ型ヘッド2を形成し、再デポ51の発生
量、コア部のメッキ膜44Aの浸食の発生状態、インダ
クティブ型ヘッド2の特性(オーバーライト能力等)を
調べた。結果を表1に示す。尚、表1において、エッチ
ング量については、ジャストエッチングの場合を100
%としている。また、ヘッド特性については、良好な特
性から順に◎印、○印、△印で示している。
Here, the width D of the frame 43 is changed to form the inductive head 2, and the amount of re-deposition 51, the state of erosion of the plating film 44A in the core, the characteristics of the inductive head 2 (over Light ability, etc.). Table 1 shows the results. In Table 1, the amount of etching was 100 in the case of just etching.
%. The head characteristics are indicated by ◎, ○, and Δ in order of good characteristics.

【0059】[0059]

【表1】 [Table 1]

【0060】表1より、フレーム43の幅Dを上述した
8〜15μmの範囲内にしていれば、再デポ51の発生
が少なく、コア部のメッキ膜44Aの浸食が無く、しか
も良好なヘッド特性が得られることがわかる。
As can be seen from Table 1, if the width D of the frame 43 is within the above-mentioned range of 8 to 15 μm, there is little occurrence of re-deposition 51, no erosion of the plating film 44A in the core portion, and good head characteristics. Is obtained.

【0061】フレーム43の幅Dが4μmや6μmと狭
い場合には、エッチング量が多くオーバーエッチングと
なり、その分再デポ51の発生量も多くなる。また、フ
レーム43の幅Dが狭いために、コア部のメッキ膜44
Aの浸食が有った。これは、フレーム43の幅Dが狭い
ためにオーバーエッチングしてもうまくエッチングされ
ない場合があるためと考えられる。
When the width D of the frame 43 is as narrow as 4 μm or 6 μm, the amount of etching is large and over-etching is performed, and the amount of re-deposition 51 increases accordingly. Further, since the width D of the frame 43 is small, the plating film 44 in the core portion is not provided.
There was erosion of A. This is probably because the width D of the frame 43 is small, so that the etching may not be performed properly even when over-etching is performed.

【0062】フレーム43の幅Dが16μmや18μm
と広い場合には、再デポ51の発生量は少ないが、ヘッ
ド特性が劣化する。これは、フレーム43の幅Dが広く
なることにより、コア部のメッキ膜44Aの配向がされ
にくくなるためと考えられる。
The width D of the frame 43 is 16 μm or 18 μm
In this case, the amount of re-deposition 51 is small, but the head characteristics deteriorate. It is considered that this is because, as the width D of the frame 43 increases, the orientation of the plating film 44A in the core portion becomes difficult.

【0063】上述の実施の形態では、MRヘッド1とイ
ンダクティブ型ヘッド2とから構成された複合型ヘッド
に本発明を適用したが、その他薄膜により形成された薄
膜磁気ヘッドであって、フレームメッキ法により磁性材
等の成膜を行う場合において同様に本発明を適用するこ
とができる。そして、本発明を適用して、薄膜磁気ヘッ
ドの製造歩留まりの向上を図ることができる。
In the above-described embodiment, the present invention is applied to the composite type head composed of the MR head 1 and the inductive type head 2. Accordingly, the present invention can be similarly applied to the case of forming a film of a magnetic material or the like. By applying the present invention, the production yield of the thin-film magnetic head can be improved.

【0064】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and may take various other configurations without departing from the gist of the present invention.

【0065】[0065]

【発明の効果】上述の本発明によれば、メッキ用下地膜
を除去する際のエッチング量を低減しても、不要な部分
の上層コアの材料を除去する工程における、上層コアと
なる部分への湿式エッチング液の浸食を防止することが
可能になる。これにより、メッキ用下地膜のエッチング
量を低減して、再デポの発生を抑制することが可能にな
る。
According to the present invention described above, even if the etching amount in removing the plating base film is reduced, the unnecessary portion of the upper core material is removed in the step of removing the material of the upper core. Erosion of the wet etching solution can be prevented. This makes it possible to reduce the amount of etching of the plating base film and suppress the occurrence of re-deposition.

【0066】従って本発明により、薄膜磁気ヘッドの製
造歩留まりの大幅な向上を図ることができる。
Therefore, according to the present invention, the production yield of the thin film magnetic head can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用する磁気ヘッドの概略構成図(断
面図)である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of a magnetic head to which the present invention is applied.

【図2】本発明を適用する他の磁気ヘッドの概略構成図
(断面図)である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of another magnetic head to which the present invention is applied.

【図3】A〜C 本発明の一実施の形態による図1の磁
気ヘッドまたは図2の磁気ヘッドの製造工程を示す工程
図である。
3A to 3C are process diagrams showing a manufacturing process of the magnetic head of FIG. 1 or the magnetic head of FIG. 2 according to one embodiment of the present invention;

【図4】D〜F 本発明の一実施の形態による図1の磁
気ヘッドまたは図2の磁気ヘッドの製造工程を示す工程
図である。
4A to 4F are process diagrams showing a manufacturing process of the magnetic head of FIG. 1 or the magnetic head of FIG. 2 according to one embodiment of the present invention;

【図5】G、H 本発明の一実施の形態による図1の磁
気ヘッドまたは図2の磁気ヘッドの製造工程を示す工程
図である。
FIGS. 5G and 5H are process diagrams showing manufacturing steps of the magnetic head of FIG. 1 or the magnetic head of FIG. 2 according to the embodiment of the present invention;

【図6】本発明の一実施の形態におけるレジストの平面
図である。
FIG. 6 is a plan view of a resist according to an embodiment of the present invention.

【図7】メッキ用下地膜が一部残った場合を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a case where a plating base film partially remains.

【図8】A〜C オーバーエッチングにより再デポが発
生することを説明する図である。
8A to 8C are diagrams for explaining that re-deposition occurs due to over-etching.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 磁気抵抗効果型ヘッド(MRヘッド)、2 インダ
クティブ型ヘッド、10,30 磁気ヘッド、11 非
磁性基板、12 下層シールド、13 下層ギャップ
膜、14 MR素子、16 上層ギャップ膜、17 中
間シールド、18記録ギャップ膜、19 上層ポール、
21 コイル(第1のコイル)、22 絶縁膜(第1平
坦化膜)、23 上層コア(バックヨーク)、24 第
2のコイル、25 絶縁膜(第2平坦化膜)、41 平
坦化膜、42 メッキ用下地膜、43 フレーム、44
メッキ膜、45 カバーレジスト、51 再デポ、D
フレームの幅
REFERENCE SIGNS LIST 1 magnetoresistive head (MR head), 2 inductive head, 10, 30 magnetic head, 11 nonmagnetic substrate, 12 lower shield, 13 lower gap film, 14 MR element, 16 upper gap film, 17 intermediate shield, 18 Recording gap film, 19 upper pole,
21 coil (first coil), 22 insulating film (first planarizing film), 23 upper core (back yoke), 24 second coil, 25 insulating film (second planarizing film), 41 planarizing film, 42 plating base film, 43 frame, 44
Plating film, 45 cover resist, 51 redeposition, D
Frame width

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下層コアと上層コアとの間にコイルが配
置されて成る薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 上記コイルを覆って形成された絶縁膜上にメッキ用下地
膜を形成する工程と、 上記メッキ用下地膜上に所定のパターンのフレームを形
成する工程と、 上記上層コアの材料を上記メッキ用下地膜上にメッキす
る工程と、 上記フレームを除去する工程と、 上記フレームの下の上記メッキ用下地膜を除去する工程
と、 不要な部分の上記上層コアの材料を除去する工程とを有
し、 上記フレームを形成する工程において、上記フレームの
幅を8〜15μmとすることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
1. A method of manufacturing a thin-film magnetic head having a coil disposed between a lower core and an upper core, wherein a plating base film is formed on an insulating film formed to cover the coil. A step of forming a frame of a predetermined pattern on the plating base film; a step of plating the material of the upper core on the plating base film; a step of removing the frame; A step of removing the lower base film for plating; and a step of removing an unnecessary portion of the material of the upper core. In the step of forming the frame, the width of the frame is set to 8 to 15 μm. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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