JP2002006117A - Method for producing optical slit - Google Patents

Method for producing optical slit

Info

Publication number
JP2002006117A
JP2002006117A JP2000191003A JP2000191003A JP2002006117A JP 2002006117 A JP2002006117 A JP 2002006117A JP 2000191003 A JP2000191003 A JP 2000191003A JP 2000191003 A JP2000191003 A JP 2000191003A JP 2002006117 A JP2002006117 A JP 2002006117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slit
light
width
optical
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000191003A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinobu Omae
義信 大前
Yasuharu Yamada
康晴 山田
Ichiro Makino
一郎 槙野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2000191003A priority Critical patent/JP2002006117A/en
Publication of JP2002006117A publication Critical patent/JP2002006117A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an optical slit having a constant slit width with high reproducibility without adjusting the slit width. SOLUTION: An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は分光光度計等に用いられ
る光学系を構成する光学スリットの作製方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical slit constituting an optical system used in a spectrophotometer or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】分光光度計においては、光源からの光を
回折格子等を用いて分光し、被測定試料中を透過した光
のスペクトルを測定し、試料に吸収された光の波長また
は透過した光の波長を調べることにより、試料成分を分
析する。この分光光度計の光学系において、光源から発
生した光のうち、散乱光を取り除く目的で、光源と回折
格子の間に光学スリットを設置する。また、光源からの
光を回折格子で分光した後、所定の波長の光を取り出す
ために、回折格子と被測定試料との間に光学スリットを
設置する。光学スリットは10〜20μm程度のスリッ
ト幅を有しており、例えば所定の波長を取り出す場合に
は、スリット幅が狭いほど取り出せる波長の分解能は良
くなるが、取り出せる光量が少なくなり、その妥協とし
てスリット幅は決定される。
2. Description of the Related Art In a spectrophotometer, light from a light source is separated using a diffraction grating or the like, the spectrum of light transmitted through a sample to be measured is measured, and the wavelength of the light absorbed by the sample or transmitted. The sample components are analyzed by examining the wavelength of the light. In the optical system of this spectrophotometer, an optical slit is provided between the light source and the diffraction grating in order to remove scattered light from the light generated from the light source. After the light from the light source is separated by the diffraction grating, an optical slit is provided between the diffraction grating and the sample to be measured in order to extract light of a predetermined wavelength. The optical slit has a slit width of about 10 to 20 μm. For example, when extracting a predetermined wavelength, the narrower the slit width, the better the resolution of the wavelength that can be extracted, but the smaller the amount of light that can be extracted, the smaller the amount of light that can be extracted. The width is determined.

【0003】図3に従来の光学スリットの構成斜視図を
示す。光学スリットは2枚のテーパ状の金属板12、1
3を中央に孔15のあいた基台11に調整固定すること
により製作されている。金属板12、13の間隔は分析
条件に応じて、所定の幅で固定されなければならない。
さらに、一定の光量、波長分解能を得るため、金属板1
2、13は平行に設置されなければならない。
FIG. 3 is a perspective view showing the structure of a conventional optical slit. The optical slit is composed of two tapered metal plates 12, 1
It is manufactured by adjusting and fixing 3 to a base 11 having a hole 15 in the center. The interval between the metal plates 12, 13 must be fixed at a predetermined width according to the analysis conditions.
Furthermore, in order to obtain a constant light quantity and wavelength resolution, the metal plate 1
2, 13 must be installed in parallel.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような光学スリ
ットにおいては、スリットの幅となる金属板の間隔を例
えば20μm±2μm程度の正確さで調整し、平行に固
定する場合には、金属板の固定作業を顕微鏡による観察
の下で手作業で行わなければならない。しかしながら、
この作業は熟練を要し、再現性よく製作することは困難
である。また、スリット幅の調整には長時間を要し、製
作費用も高価にならざるを得ない。
In the above-described optical slit, the distance between the metal plates, which is the width of the slit, is adjusted with an accuracy of, for example, about 20 .mu.m. +-. 2 .mu.m. Must be done manually under microscopic observation. However,
This operation requires skill, and it is difficult to produce with good reproducibility. Further, it takes a long time to adjust the slit width, and the manufacturing cost must be expensive.

【0005】また、複数の波長を同時に取り出す必要が
ある場合には、回折格子と被測定試料との間に複数の光
学スリットを設置しなければならないが、この場合には
それぞれのスリットのスリット幅、およびスリットの間
隔を正確に調整しなければならず、製作に要する時間、
コストはさらに大きなものとなる。
When it is necessary to extract a plurality of wavelengths simultaneously, a plurality of optical slits must be provided between the diffraction grating and the sample to be measured. In this case, the slit width of each slit is required. , And the distance between the slits must be accurately adjusted, the time required for production,
The costs are even greater.

【0006】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、スリット幅の調整をすることなく、一
定のスリット幅を有する光学スリットを再現性よく作製
する方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problem, and has as its object to provide a method for producing an optical slit having a constant slit width with good reproducibility without adjusting the slit width. And

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明の光学スリットの作製方法においては、光源
からの光を透過する光学的に透明な基台上に、光を透過
しない金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術およ
びエッチング技術を用いることにより、スリットとなる
部分の金属膜を所定の幅で除去することにより製作する
ようにしたものである。光を透過する基台としては例え
ば石英ガラスを用いることができる。ここで、ガラス基
台の厚みはガラスによる測定光の吸収を抑えるためでき
るだけ薄くすることが望ましく、数100μm〜1mm
程度の厚みが望ましい。石英ガラス表面に金属膜(例え
ばニッケルや金)を蒸着、スパッタリング等の手段によ
り成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング
技術を用いてスリットを作製することにより、スリット
幅の調整をすることなく、一定の幅で平行なスリットを
再現性よく作製することができる。また、スリット幅を
変更することや、複数のスリットを一枚の基台上に形成
することも容易にできる。さらに、基板のサイズを大き
くすることにより、一度に大量の光学スリットを作製す
ることができ、製作費を大きく削減することが可能とな
る。
In order to solve the above problems, in the method of manufacturing an optical slit according to the present invention, a metal film that does not transmit light is provided on an optically transparent base that transmits light from a light source. Is formed, and a photolithography technique and an etching technique are used to remove the metal film in a portion to be a slit with a predetermined width. As a base that transmits light, for example, quartz glass can be used. Here, the thickness of the glass base is desirably as small as possible in order to suppress the absorption of the measuring light by the glass, and several hundred μm to 1 mm
A certain thickness is desirable. A metal film (for example, nickel or gold) is formed on the quartz glass surface by vapor deposition, sputtering, or the like, and a slit is formed using photolithography and etching techniques. A parallel slit having a width of can be produced with good reproducibility. Further, the slit width can be changed, and a plurality of slits can be easily formed on one base. Further, by increasing the size of the substrate, a large number of optical slits can be manufactured at one time, and the manufacturing cost can be greatly reduced.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。図1は本発明により実現
する光学スリットの一実施例の斜視図である。基台1と
して光学的に透明な石英ガラスを用いており、基台1の
片側の表面に光学的に不透明なSi膜2が形成され、S
i膜2の一部を除去することにより幅20μmのスリッ
ト3が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of one embodiment of an optical slit realized by the present invention. Optically transparent quartz glass is used as the base 1, and an optically opaque Si film 2 is formed on one surface of the base 1.
The slit 3 having a width of 20 μm is formed by removing a part of the i film 2.

【0009】上記の光学スリットを作製するプロセスに
ついて図2により説明する。まず、図2(a)に示すよ
うに、石英ガラス製のガラス基台1を洗浄した後、薄膜
形成装置(例えばスパッタ成膜装置)にてSi膜2(膜
厚3000オングストローム)を成膜する。Si膜2の
膜厚は特に限定されるものではなく、光学的に不透明で
あり、後に述べるエッチング工程において、エッチング
が可能である厚みであればよい。
A process for producing the above optical slit will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 2A, after washing a glass base 1 made of quartz glass, a Si film 2 (thickness 3000 Å) is formed by a thin film forming apparatus (for example, a sputtering film forming apparatus). . The thickness of the Si film 2 is not particularly limited, and may be any thickness as long as it is optically opaque and can be etched in an etching step described later.

【0010】次に、図2(b)示すように、Si膜2上
にエッチング保護膜をパターニングするフォトリソグラ
フィーを行う。Si膜2上にフォトレジスト5を塗布し
た後、スリットと同じ20μm幅の光透過部8を有する
フォトマスク7をフォトレジスト5上に配置し、フォト
レジスト5の露光を行う。ここで、フォトレジスト5と
してはポジタイプのものを用い、フォトレジスト5の露
光は、一般に半導体製造に用いられているアライナもし
くはステッパなどを用いて行うことができる。
Next, as shown in FIG. 2B, photolithography for patterning an etching protection film on the Si film 2 is performed. After applying the photoresist 5 on the Si film 2, a photomask 7 having a light transmitting portion 8 having the same width of 20 μm as the slit is arranged on the photoresist 5, and the photoresist 5 is exposed. Here, a positive type photoresist is used, and the exposure of the photoresist 5 can be performed using an aligner or a stepper generally used in semiconductor manufacturing.

【0011】次に、図2(c)に示すように、フォトマ
スク7を取り除いた後、フォトレジスト5の現像を行
う。フォトレジスト5を現像する現像液は、用いるフォ
トレジストを現像するために使用されているものであれ
ば、特に限定されるものではない。また、エッチング保
護膜として用いたフォトレジスト5の材料および厚みも
特に限定されるものではない。フォトレジスト5のうち
露光された部分を超音波洗浄等の手段を用いて取り除い
た後、Si膜2を例えばSF6ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング(RIE)等によりエッチングする。最後
に、フォトレジスト5を取り除くことにより、図1で示
される光学スリットを作製する。
Next, as shown in FIG. 2C, after removing the photomask 7, the photoresist 5 is developed. The developer for developing the photoresist 5 is not particularly limited as long as it is used for developing the photoresist to be used. Further, the material and thickness of the photoresist 5 used as the etching protection film are not particularly limited. After removing the exposed portion of the photoresist 5 using a means such as ultrasonic cleaning, the Si film 2 is etched by, for example, reactive ion etching (RIE) using SF6 gas. Finally, by removing the photoresist 5, the optical slit shown in FIG. 1 is manufactured.

【0012】上記構成の光学スリットおよびその作製方
法において、フォトリソグラフィー技術およびエッチン
グ技術を用いて形成したスリットは、正確に幅20μm
で平行な形状を有しており、所定の光量と波長分解能を
有する光学スリットを得ることができる。
In the optical slit having the above structure and the method of manufacturing the same, the slit formed by the photolithography technique and the etching technique has a width of exactly 20 μm.
Thus, an optical slit having a predetermined light amount and wavelength resolution can be obtained.

【0013】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載された本発明の要旨の範囲内で種々の変更を
行うことができる。例えば、フォトマスク7の形状を変
えることにより、その他の操作方法を変えることなく、
スリット3の幅を容易に変更することができる。さら
に、基台1に複数のスリットを形成する場合も、フォト
マスク7の形状を変更するだけで対応が可能である。ま
た、基台1の材料は使用する測定光の波長により選ぶこ
とができる。例えば可視光であればパイレックス(登録
商標)ガラスでもよく、紫外線領域の光を使用する場合
は、紫外線領域まで良好な透過率を有する例えばHOY
A(株)のUV−22、コーニング社の#9741など
の紫外線透過ガラス基板、もしくはほぼ完全に紫外線を
透過する上記実施例の石英ガラスを基板材料に用いる必
要がある。また、上記実施例では、一個のスリットを作
製する例を示したが、大きな基台と大きなフォトマスク
を用い、一枚の基台に複数個のスリットを作製し、その
後切断することにより、複数個の光学スリットを同時に
作成することも可能である。
The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various changes may be made within the scope of the present invention described in the appended claims. be able to. For example, by changing the shape of the photomask 7, without changing other operation methods,
The width of the slit 3 can be easily changed. Further, when a plurality of slits are formed in the base 1, it is possible to cope only by changing the shape of the photomask 7. The material of the base 1 can be selected according to the wavelength of the measuring light to be used. For example, Pyrex (registered trademark) glass may be used for visible light, and when light in the ultraviolet region is used, for example, HOY having a good transmittance up to the ultraviolet region may be used.
It is necessary to use an ultraviolet transmitting glass substrate such as UV-22 of A Co., Ltd., # 9741 of Corning, or the quartz glass of the above-mentioned embodiment which transmits the ultraviolet almost completely. Further, in the above embodiment, an example in which one slit is manufactured is shown, but a plurality of slits are manufactured in one base using a large base and a large photomask, and thereafter, a plurality of slits are cut. It is also possible to simultaneously create optical slits.

【0014】[0014]

【発明の効果】本発明の光学スリットの作製方法によれ
ば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を
用いてスリットを作製するので、スリット幅およびスリ
ットの平行度を高精度に制御することができる。また、
複数のスリットを一枚の基台上に作製する場合には、各
スリットの間隔も高精度に制御することができる。さら
に、スリット幅の調整工程が不要であるので、作製時
間、作製コストを大幅に削減することができる。
According to the method for producing an optical slit of the present invention, the slit is produced using the photolithography technique and the etching technique, so that the slit width and the parallelism of the slit can be controlled with high precision. Also,
When a plurality of slits are formed on one base, the intervals between the slits can be controlled with high accuracy. Further, since the step of adjusting the slit width is unnecessary, the manufacturing time and the manufacturing cost can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例である光学スリットの斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view of an optical slit according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の光学スリットの製造工程を示す図であ
る。 (a)金属膜(Si膜)の成膜。 (b)フォトレジストの塗布およびフォトマスクを用い
たパターニング。 (c)フォトレジストの現像およびSi膜のエッチン
グ。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process of the optical slit of FIG. 1; (A) Formation of a metal film (Si film). (B) Photoresist coating and patterning using a photomask. (C) Photoresist development and Si film etching.

【図3】 従来の光学スリットの構成斜視図である。FIG. 3 is a configuration perspective view of a conventional optical slit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11---基台 2---Si膜 3---スリット 5---フォトレジスト 7---フォトマスク 8---光透過部 12、13---金属板 15---孔 1, 11 --- Base 2 --- Si film 3 --- Slit 5 --- Photoresist 7 --- Photo mask 8 --- Light transmitting part 12, 13 --- Metal plate 15 --- Hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 槙野 一郎 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 Fターム(参考) 2H042 AA12 AA23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued from the front page (72) Inventor Ichiro Makino 1-term, Kuwabaracho, Nishinokyo, Nakagyo-ku, Kyoto F-term in Shimadzu Corporation 2H042 AA12 AA23

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光学的に透明な基台上に光学的に不透明
な金属膜を形成した後、前記金属膜の一部を所定の幅で
取り除くことによりスリットを作製することを特徴とす
る光学スリットの作製方法。
1. An optical system comprising: forming an optically opaque metal film on an optically transparent base; and forming a slit by removing a part of the metal film with a predetermined width. How to make a slit.
JP2000191003A 2000-06-26 2000-06-26 Method for producing optical slit Pending JP2002006117A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000191003A JP2002006117A (en) 2000-06-26 2000-06-26 Method for producing optical slit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000191003A JP2002006117A (en) 2000-06-26 2000-06-26 Method for producing optical slit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002006117A true JP2002006117A (en) 2002-01-09

Family

ID=18690377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000191003A Pending JP2002006117A (en) 2000-06-26 2000-06-26 Method for producing optical slit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002006117A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10323923A1 (en) * 2003-05-22 2004-12-16 Carl Zeiss Jena Gmbh Adjustable pinhole, especially for a laser scanning microscope
JP2005308495A (en) * 2004-04-20 2005-11-04 Hamamatsu Photonics Kk Spectroscope and measuring apparatus using the same
EP1804110A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd Mirror package and method of manufacturing the mirror package
CN114114492A (en) * 2021-11-30 2022-03-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Silicon-based slit assembly and method for assembling silicon-based slit assembly into optical path

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10323923A1 (en) * 2003-05-22 2004-12-16 Carl Zeiss Jena Gmbh Adjustable pinhole, especially for a laser scanning microscope
JP2007501434A (en) * 2003-05-22 2007-01-25 カール ツァイス イエナ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Adjustable pinhole, especially for laser scanning microscopes
JP2005308495A (en) * 2004-04-20 2005-11-04 Hamamatsu Photonics Kk Spectroscope and measuring apparatus using the same
JP4627410B2 (en) * 2004-04-20 2011-02-09 浜松ホトニクス株式会社 Measuring device using a spectrometer
EP1804110A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd Mirror package and method of manufacturing the mirror package
US7696104B2 (en) 2005-12-30 2010-04-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Mirror package and method of manufacturing the mirror package
CN114114492A (en) * 2021-11-30 2022-03-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Silicon-based slit assembly and method for assembling silicon-based slit assembly into optical path
CN114114492B (en) * 2021-11-30 2022-08-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Silicon-based slit assembly and method for assembling silicon-based slit assembly into optical path

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110049340A1 (en) Wavelength spectroscopy device with integrated filters
TW200523668A (en) Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information
WO2020147788A1 (en) Transmissive light beam splitter and manufacturing method therefor
TWI465861B (en) Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same
KR102384667B1 (en) Method for correcting photomask, method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device
CN102279531B (en) Solid immersion lens lithography
CN108700834A (en) Irradiation system and measurement system
US4708437A (en) Incident-light phase grid and method for making same
JP2002006117A (en) Method for producing optical slit
WO2015149331A1 (en) Spectrometer, manufacturing method for waveguide of spectrometer and structure thereof
JP2015108762A (en) Glass mask, and semiconductor device manufacturing method
JP3161348B2 (en) Method for manufacturing phase difference measurement pattern and phase shift mask
KR100386136B1 (en) Device for transferring structures
JPH08248617A (en) Etching method, etching device, and manufacture of phase shift mask
CN114174872B (en) Diffraction grating, method for manufacturing diffraction grating, and photomask
JPH10326008A (en) Phase inversion mask and its manufacture
JP2013246340A (en) Photomask and method of manufacturing the same, and pattern exposure method
JP3273986B2 (en) Light exposure mask plate and method of manufacturing the same
JP2001056286A (en) Measuring cell
KR20020058287A (en) Manufacturing method for phase shift of semiconductor device
JP2821394B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
Ling et al. New fabrication techniques of SU-8 fiber holder with cantilever-type elastic microclips by inclined UV lithography in water using single Mylar mask
JPH035753A (en) Formation of thin film pattern
CN109633816A (en) A kind of preparation method of plane direct light waveguide
Croux DUV Lithography for VHF resonators