JP2001509269A - ミリメートル波撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.バックグラウンド・ミリメートル温度を有するバックグラウンド環境の中に 位置する、ミリメートル温度を有する少なくとも1つの物体を発見するための 装置であって: バックグラウンド・ミリメートル温度と少なくとも1つの物体のミリメート ル温度との間にコントラストを作るためにバックグラウンド・ミリメートル温 度を変化させるための手段と、 バックグラウンド・ミリメートル温度と少なくとも1つの物体のミリメート ル温度との間のコントラストを検出するための検出手段とを含んでいることを 特徴とする装置。 2.バックグラウンド・ミリメートル温度を変化させるための手段は: 実質的に非干渉性のミリメートル波長放射を発生するための、放射面を有す る、少なくとも1つの放射源と、 物体がミリメートル波長放射で実質的に均一に照射されることとなるように 、該放射源により放射されたミリメートル波長放射を反射するための反射手段 とを含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 3.前記反射手段は、反射性内面を有する反射囲いを含むことを特徴とする請求 の範囲第1項に記載の装置。 4.前記反射囲いは部分楕円体であることを特徴とする請求の範囲第2項に記載 の装置。 5.前記反射囲いは1つ以上の開口部を有する部屋であり、その1つ以上の開口 部の各々は入り口領域を有し、ミリメートル波長放射が該囲いの外側から該囲 いの中へ反射して入り込むのを防止するために該入り口領域はバックグラウン ド・ミリメートル温度のそれと実質的に同じ見かけミリメートル温度を有する 放射性材料でコーティングされていることを特徴とする請求の範囲第2項に記 載の装置。 6.前記反射性内面は、該反射性内面から反射されたミリメートル波長放射が拡 散されることとなるように、小凹所パターンが浮き出すように加工されている ことを特徴とする請求の範囲第2項に記載の装置。 7.前記反射性内面に、小凹所のある反射カバーが設けられていることを特徴と する請求の範囲第2項に記載の装置。 8.部分的な又は完全な囲いの中に位置する、ミリメートル温度を有する少なく とも1つの物体を発見するために、バックグラウンド・ミリメートル温度を変 化させるための手段は: 実質的に非干渉性のミリメートル波長放射を発生するための放射面を有する 少なくとも1つの放射源を含んでおり、該放射面は該囲いの一部分であって、 物体がミリメートル波長放射で実質的に均一に照射されるようになっている ことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 9.前記囲いは、前記放射源の前記放射面から形成された少なくとも1つの側を 有するキュービクルであることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の装置。 10.前記検出手段は、少なくとも1つの物体から反射され、また、その物体から 放射されたミリメートル波長放射を検出するための1つ以上のミリメートル波 撮像カメラを含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 11.その1つ以上のミリメートル波撮像カメラは少なくとも1つのミリメートル 波動作中心周波数を有することを特徴とする請求の範囲第10項に記載の装置 。 12.実質的に異なるミリメートル波動作中心周波数を有する2つ以上のミリメー トル波撮像カメラを含むことを特徴とする請求の範囲11項に記載の装置。 13.1つ以上のミリメートル波撮像カメラは該囲いの外側に据え付けられること を特徴とする請求の範囲第12項に記載の装置。 14.1つ以上のミリメートル波撮像カメラは該囲いの中に据え付けられることを 特徴とする請求の範囲第10項に記載の装置。 15.1つ以上のミリメートル波撮像カメラには、少なくとも1つの物体のミリメ ートル波長像を作るためのプロセッサ及びテレビジョンモニターが付随してい ることを特徴とする請求の範囲第10項に記載の装置。 16.前記放射源は: ミリメートル波長放射を発生するための、光学的厚さtを有する放射性材料 の層と、 この放射性材料の層の温度を高めるための加熱手段とを含んでおり、 その放射性材料の層の温度を高めるとバックグラウンド・ミリメートル温度 が高まるようになっていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 17.前記加熱手段は、少なくとも1つの加熱エレメントを含むことを特徴とする 請求の範囲第16項に記載の装置。 18.前記放射源は金属層も含んでおり、 その金属層と放射性材料の層とは、ミリメートル波長領域の放射率εを有す る構造を形成し、 放射性材料の層の光学的厚さtは、前記構造からのミリメートル波長放射の 放射が実質的に最大となるような厚さであることを特徴とする請求の範囲第 17項に記載の装置。 19.前記構造の放射率εは0.5と1との間にあることを特徴とする請求の範囲 第18項に記載の装置。 20.前記構造の放射率は実質的に1.0に等しいことを特徴とする請求の範囲第 19項に記載の装置。 21.前記金属層はアルミニウムであることを特徴とする請求の範囲第19項又は 第20項に記載の装置。 22.放射性材料は、クレイ・タイル、アスベスト耐火ブランケット(asbestos f ire blanket)、又は耐火セメント(fire cement)のうちのいずれか1つであ ることを特徴とする請求の範囲第16項に記載の装置。 23.前記放射源は、更に、放射源からの赤外線の放射を減少させるための断熱手 段を更に含んでいることを特徴とする請求の範囲第16項に記載の装置。 24.前記断熱手段はガラスマットを包含することを特徴とする請求の範囲第24 項に記載の装置。 25.前記放射源は、該放射源の放射面からのミリメートル波長放射の放射が実質 的に最大になるように、該放射性材料から放射されるミリメートル波長放射を 内部で反射するための少なくとも1つの付加的金属層を包含することを特徴と する請求の範囲第16項に記載の装置。 26.前記放射源は: ミリメートル波長放射を放射するための材料の層と、 該放射性材料の温度を下げるための冷却手段とを包含しており、 この材料の層の温度を下げるとバックグラウンド・ミリメートル温度が低下 するようになっていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 27.前記材料層はレーダー吸収材料(RAM)であることを特徴とする請求の範 囲第26項に記載の装置。 28.前記冷却手段は冷凍ユニットを含むことを特徴とする請求の範囲第27項に 記載の装置。 29.前記放射源は、該放射性材料層を囲むミリメートル放射透明層も含んでいる ことを特徴とする請求の範囲第26項に記載の装置。 30.前記放射源は、実質的に非干渉性のミリメートル波長放射を放射する1つ以 上のガンダイオードを含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置。 31.前記放射源は、実質的に非干渉性のミリメートル波長放射を放射する複数の ガス放電ノイズ放射源を含むことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装置 。 32.放射されたミリメートル波長放射を拡散させるための1つ以上の光学エレメ ントを包含することを特徴とする請求の範囲第30項又は第31項に記載の装 置。 33.請求の範囲第1項に記載のミリメートル波撮像装置に用いられる放射源であ って、この放射源は: ミリメートル波長放射を放射するための、光学的厚さtを有する、放射性材 料の層と、 放射性材料の層の温度を高めるための加熱手段とを含んでおり、 放射性材料の層の温度を高めるとバックグラウンド・ミリメートル温度が高 まるようになっていることを特徴とする放射源。
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