JP2001357816A - 質量分析計 - Google Patents
質量分析計Info
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- JP2001357816A JP2001357816A JP2000176479A JP2000176479A JP2001357816A JP 2001357816 A JP2001357816 A JP 2001357816A JP 2000176479 A JP2000176479 A JP 2000176479A JP 2000176479 A JP2000176479 A JP 2000176479A JP 2001357816 A JP2001357816 A JP 2001357816A
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- temperature sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン化部のフイラメントがＯＮまたはＯＦ
Ｆいづれの状態にあっても、イオン化室内を常に一定温
度に保つことのできる質量分析計を提供する。 【解決手段】 前もって、イオン化部のフイラメント２
のＯＮまたはＯＦＦの両状態でヒータ３を逐次加熱し
て、その時の温度センサ４の検出値に対するイオン化室
１の内部温度を測定して、この関係を温度較正表として
制御器ＣＰＵへ記憶させておく。装置の動作中、制御器
ＣＰＵはフイラメント２がＯＮまたはＯＦＦのいづれの
状態にあるかを調べ、例えばフイラメント２がＯＮの場
合はフイラメント２がＯＮの状態で求めた温度較正表を
用いて温度センサ４から得た検出値を較正してヒータ３
の制御を行う。フイラメント２がＯＦＦの場合はＯＦＦ
の状態で求めた温度較正表を用いる。フイラメントＯＮ
／ＯＦＦ別の温度較正表を使用することによってフイラ
メント２のＯＮ／ＯＦＦにかかわらずイオン化室１の内
部は常に一定温度に保たれる。
Ｆいづれの状態にあっても、イオン化室内を常に一定温
度に保つことのできる質量分析計を提供する。 【解決手段】 前もって、イオン化部のフイラメント２
のＯＮまたはＯＦＦの両状態でヒータ３を逐次加熱し
て、その時の温度センサ４の検出値に対するイオン化室
１の内部温度を測定して、この関係を温度較正表として
制御器ＣＰＵへ記憶させておく。装置の動作中、制御器
ＣＰＵはフイラメント２がＯＮまたはＯＦＦのいづれの
状態にあるかを調べ、例えばフイラメント２がＯＮの場
合はフイラメント２がＯＮの状態で求めた温度較正表を
用いて温度センサ４から得た検出値を較正してヒータ３
の制御を行う。フイラメント２がＯＦＦの場合はＯＦＦ
の状態で求めた温度較正表を用いる。フイラメントＯＮ
／ＯＦＦ別の温度較正表を使用することによってフイラ
メント２のＯＮ／ＯＦＦにかかわらずイオン化室１の内
部は常に一定温度に保たれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガスクロマトグラ
フィ質量分析（ＧＣ／ＭＳ）などに用いられる質量分析
計に関する。
フィ質量分析（ＧＣ／ＭＳ）などに用いられる質量分析
計に関する。
【０００２】
【従来の技術】質量分析法による有機化合物の成分分析
に用いられるガスクロマトグラフィ質量分析計（ＧＣ／
ＭＳ計）は試料化合物の分子・原子をイオン化室でイオ
ン化し、生成されたイオンをイオンビームとしてイオン
引き出し電極によって数千ｅＶに加速し、レンズ電極で
分析部である四重極マスアナライザへ収束する。四重極
マスアナライザでは四本の電極で双曲線電場を作り、入
射されてきたイオンの内、特定な質量数のイオンだけが
安定な振動を行い通過することができる。従って、双曲
線電場を変化させることによって異なった質量数のイオ
ンを弁別してイオン検出器で検出することにより、試料
である有機化合物の成分分析を行うものである。
に用いられるガスクロマトグラフィ質量分析計（ＧＣ／
ＭＳ計）は試料化合物の分子・原子をイオン化室でイオ
ン化し、生成されたイオンをイオンビームとしてイオン
引き出し電極によって数千ｅＶに加速し、レンズ電極で
分析部である四重極マスアナライザへ収束する。四重極
マスアナライザでは四本の電極で双曲線電場を作り、入
射されてきたイオンの内、特定な質量数のイオンだけが
安定な振動を行い通過することができる。従って、双曲
線電場を変化させることによって異なった質量数のイオ
ンを弁別してイオン検出器で検出することにより、試料
である有機化合物の成分分析を行うものである。
【０００３】従来、質量分析計のイオン化部は図３およ
び図４に示すような構成が採られている。図３はイオン
化室１の断面と、その周辺の部品の配置を示したもの
で、２はフイラメント、３はヒータそして４が温度セン
サである。図４はイオン化室１の温度制御に関するブロ
ックダイアグラムでヒータ３および温度センサ４はそれ
ぞれＤ／Ａ変換器およびＡ／Ｄ変換器をとおして制御器
ＣＰＵ５と結ばれている。
び図４に示すような構成が採られている。図３はイオン
化室１の断面と、その周辺の部品の配置を示したもの
で、２はフイラメント、３はヒータそして４が温度セン
サである。図４はイオン化室１の温度制御に関するブロ
ックダイアグラムでヒータ３および温度センサ４はそれ
ぞれＤ／Ａ変換器およびＡ／Ｄ変換器をとおして制御器
ＣＰＵ５と結ばれている。
【０００４】図３において、イオン化室１内に紙面に垂
直方向から導入された試料ガスはイオン化室１の外部に
配設されたフイラメント２の点灯により、フイラメント
２から放射される熱電子のエネルギを受けイオン化され
る。生じたイオンはイオンビームとして分析部へ導かれ
る。ところで、イオン化室１の内部は試料の吸着や付着
を防止するためにイオン化室１の壁中にヒータ３を埋設
して一般的に２００℃〜２５０℃（試料により異なる）
の高温度に加熱している。さらにイオン化室１内の温度
が変動するとイオン強度も変動するためイオン化室１内
部の温度変動を０．２℃以下におさえる必要があり、温
度検出素子として熱電対等の温度センサ４が埋設されて
いて温度制御が行われている。
直方向から導入された試料ガスはイオン化室１の外部に
配設されたフイラメント２の点灯により、フイラメント
２から放射される熱電子のエネルギを受けイオン化され
る。生じたイオンはイオンビームとして分析部へ導かれ
る。ところで、イオン化室１の内部は試料の吸着や付着
を防止するためにイオン化室１の壁中にヒータ３を埋設
して一般的に２００℃〜２５０℃（試料により異なる）
の高温度に加熱している。さらにイオン化室１内の温度
が変動するとイオン強度も変動するためイオン化室１内
部の温度変動を０．２℃以下におさえる必要があり、温
度検出素子として熱電対等の温度センサ４が埋設されて
いて温度制御が行われている。
【０００５】実際に温度制御を行うための制御方法は、
図４に示すように温度センサ４によって検出された温度
信号がＡＤ変換後制御器ＣＰＵ５に取り込まれ、この計
測値を用いてイオン化室１内の温度が予め設定された温
度値となるように制御器ＣＰＵ５からの信号をＤＡ変換
し、ヒータ３が制御される。制御方式の詳細は、上述の
ように設定値と計測値の偏差に比例してヒータ３をコン
トロールさせる比例制御（Ｐ制御）だけでなく、このＰ
制御で生じるオフセットをなくする積分要素（Ｉ制御）
と、さらに追従性を増大させ、安定性を増加させる微分
要素（Ｄ制御）を加えたＰＩＤ制御を行い制御性を改善
し精度の高い制御を行っている。
図４に示すように温度センサ４によって検出された温度
信号がＡＤ変換後制御器ＣＰＵ５に取り込まれ、この計
測値を用いてイオン化室１内の温度が予め設定された温
度値となるように制御器ＣＰＵ５からの信号をＤＡ変換
し、ヒータ３が制御される。制御方式の詳細は、上述の
ように設定値と計測値の偏差に比例してヒータ３をコン
トロールさせる比例制御（Ｐ制御）だけでなく、このＰ
制御で生じるオフセットをなくする積分要素（Ｉ制御）
と、さらに追従性を増大させ、安定性を増加させる微分
要素（Ｄ制御）を加えたＰＩＤ制御を行い制御性を改善
し精度の高い制御を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の質量分析計は以
上のように構成されているが、イオン化室内温度を一定
値に保つためＰＩＤ制御を行っているにもかかわらず次
のような問題が生じていた。今、イオン化室と温度セン
サについて、それらの加熱源であるヒータＴ１と放熱源
である外部との間の熱の流れ方を考えると、熱の流れ方
は物体の材料の物理的性質と物体の構造、形によって定
まるから、それらを、その熱流路における熱抵抗値Ｒで
概念付けると従来法では図５のように示される。即ち、
イオン化室はヒータよりＲ１の熱抵抗を介して加熱さ
れ、外部に対してはＲ２の値で放熱される。同様に、温
度センサはＲ１´の熱抵抗を介して加熱され、Ｒ２´の
値で放熱される。
上のように構成されているが、イオン化室内温度を一定
値に保つためＰＩＤ制御を行っているにもかかわらず次
のような問題が生じていた。今、イオン化室と温度セン
サについて、それらの加熱源であるヒータＴ１と放熱源
である外部との間の熱の流れ方を考えると、熱の流れ方
は物体の材料の物理的性質と物体の構造、形によって定
まるから、それらを、その熱流路における熱抵抗値Ｒで
概念付けると従来法では図５のように示される。即ち、
イオン化室はヒータよりＲ１の熱抵抗を介して加熱さ
れ、外部に対してはＲ２の値で放熱される。同様に、温
度センサはＲ１´の熱抵抗を介して加熱され、Ｒ２´の
値で放熱される。
【０００７】ここで、熱抵抗Ｒ１とＲ１´およびＲ２と
Ｒ２´とを各々等しくなるように配置または構造、形を
とれば、イオン化室内の温度は温度センサの温度と、ほ
ぼ等しくでき、温度センサの検出値を用いてイオン化室
内の温度をＰＩＤ制御すれば温調の精度は高く維持でき
る。しかるに、実際にはイオン化室ならびに温度センサ
に対して、イオン化室に近接して配設された、もう一つ
の熱源と考えるべきフイラメントの存在がある。このフ
イラメントに対するイオン化室への熱抵抗Ｒ３および温
度センサへの熱抵抗Ｒ３´を考えたとき、熱抵抗概念図
は図６の如くなる。フイラメントはイオン化室に対し
て、その配置や構造、形が定まるから、熱抵抗Ｒ１、Ｒ
２のように熱抵抗Ｒ３とＲ３´を、ほぼ同一にすること
は困難である。しかもフイラメントはヒータのように制
御対象ではなく測定操作に依存して任意にＯＮ／ＯＦＦ
が行われる熱源であるから、フイラメントがＯＮの状態
とＯＦＦの状態とでイオン化室内の温度は予測なく温度
センサ検出値とは大きく異なり、大きな変動を受けるこ
とになって、温度センサの検出値が一定になるようにＰ
ＩＤ制御しているだけではイオン化室内の温度は一定に
保たれないこととなる。本発明は、このような事情に鑑
みてなされたものであって、フイラメントがＯＮ／ＯＦ
Ｆされても、常にイオン化室内の温度が一定に保たれる
質量分析計を提供することを目的とする。
Ｒ２´とを各々等しくなるように配置または構造、形を
とれば、イオン化室内の温度は温度センサの温度と、ほ
ぼ等しくでき、温度センサの検出値を用いてイオン化室
内の温度をＰＩＤ制御すれば温調の精度は高く維持でき
る。しかるに、実際にはイオン化室ならびに温度センサ
に対して、イオン化室に近接して配設された、もう一つ
の熱源と考えるべきフイラメントの存在がある。このフ
イラメントに対するイオン化室への熱抵抗Ｒ３および温
度センサへの熱抵抗Ｒ３´を考えたとき、熱抵抗概念図
は図６の如くなる。フイラメントはイオン化室に対し
て、その配置や構造、形が定まるから、熱抵抗Ｒ１、Ｒ
２のように熱抵抗Ｒ３とＲ３´を、ほぼ同一にすること
は困難である。しかもフイラメントはヒータのように制
御対象ではなく測定操作に依存して任意にＯＮ／ＯＦＦ
が行われる熱源であるから、フイラメントがＯＮの状態
とＯＦＦの状態とでイオン化室内の温度は予測なく温度
センサ検出値とは大きく異なり、大きな変動を受けるこ
とになって、温度センサの検出値が一定になるようにＰ
ＩＤ制御しているだけではイオン化室内の温度は一定に
保たれないこととなる。本発明は、このような事情に鑑
みてなされたものであって、フイラメントがＯＮ／ＯＦ
Ｆされても、常にイオン化室内の温度が一定に保たれる
質量分析計を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の質量分析計は、イオン化部のフイラメント
のＯＮ／ＯＦＦ信号に従って異なる温度較正曲線により
温度制御を行う制御回路を備えたもである。これによっ
てフイラメントのＯＮ／ＯＦＦ動作をヒータのＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作に反映させることができる。
め、本発明の質量分析計は、イオン化部のフイラメント
のＯＮ／ＯＦＦ信号に従って異なる温度較正曲線により
温度制御を行う制御回路を備えたもである。これによっ
てフイラメントのＯＮ／ＯＦＦ動作をヒータのＯＮ／Ｏ
ＦＦ動作に反映させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係わる質量分析計のイオ
ン化部は図３と同じ構成を有する。図３はイオン化室１
の断面と、その周辺の部品の配置を示したものでイオン
化室１内に紙面に垂直方向から試料ガスが導入される。
一方イオン化室１の外部にフイラメント２が配設されて
おり、加熱されたフイラメント２から生成された熱電子
がトラップに向かって数十ｅＶに加速され、イオン化室
内に導入された試料ガスの分子・原子に衝突してイオン
化させる。生じたイオンはイオンビームとしてイオン引
き出し電極（図示されていない）によって数千ｅＶに加
速され分析部（図示されていない）へ導かれる。ところ
で、イオン化室１の内部は試料の吸着や付着を防止する
ためにイオン化室１の壁中にヒータ３を埋設して一般的
に２００℃〜２５０℃（試料により異なる）の高温度に
加熱している。さらにイオン化室１内の温度が変動する
とイオン強度も変動するためイオン化室１内部の温度変
動を０．２℃以下におさえる必要があり、温度検出素子
として熱電対等の温度センサ４が埋設されていて温度制
御が行われている。
ン化部は図３と同じ構成を有する。図３はイオン化室１
の断面と、その周辺の部品の配置を示したものでイオン
化室１内に紙面に垂直方向から試料ガスが導入される。
一方イオン化室１の外部にフイラメント２が配設されて
おり、加熱されたフイラメント２から生成された熱電子
がトラップに向かって数十ｅＶに加速され、イオン化室
内に導入された試料ガスの分子・原子に衝突してイオン
化させる。生じたイオンはイオンビームとしてイオン引
き出し電極（図示されていない）によって数千ｅＶに加
速され分析部（図示されていない）へ導かれる。ところ
で、イオン化室１の内部は試料の吸着や付着を防止する
ためにイオン化室１の壁中にヒータ３を埋設して一般的
に２００℃〜２５０℃（試料により異なる）の高温度に
加熱している。さらにイオン化室１内の温度が変動する
とイオン強度も変動するためイオン化室１内部の温度変
動を０．２℃以下におさえる必要があり、温度検出素子
として熱電対等の温度センサ４が埋設されていて温度制
御が行われている。
【００１０】次に、本発明の質量分析計の一実施例を図
１のブロックダイアグラム、図２の温度較正表により説
明する。図１において、２は熱電子を放射させるフイラ
メント、３はイオン化室を加熱するヒータであり、４は
温度を検出する温度センサである。５は制御論理を実行
する制御器ＣＰＵであり、記憶部６をもつ。制御器ＣＰ
Ｕ５に対しヒータ３はＤ／Ａ変換器を通して接続されて
おり、温度センサ４はＡ／Ｄ変換器を通して接続され
る。さらにフイラメント２のＯＮ／ＯＦＦ信号回路が制
御器ＣＰＵ５に接続されている。
１のブロックダイアグラム、図２の温度較正表により説
明する。図１において、２は熱電子を放射させるフイラ
メント、３はイオン化室を加熱するヒータであり、４は
温度を検出する温度センサである。５は制御論理を実行
する制御器ＣＰＵであり、記憶部６をもつ。制御器ＣＰ
Ｕ５に対しヒータ３はＤ／Ａ変換器を通して接続されて
おり、温度センサ４はＡ／Ｄ変換器を通して接続され
る。さらにフイラメント２のＯＮ／ＯＦＦ信号回路が制
御器ＣＰＵ５に接続されている。
【００１１】図２は記憶部６に入力された温度較正表で
ある。温度較正表は次のようにして作成される。まずイ
オン化室１内の中心部に検定用温度センサを設置してイ
オン化室１内の温度を測定できるようにしておく。そし
てヒータ３に通電してフイラメント２が点灯されている
状態にする。次に温度センサ４の検出値が常用範囲を充
分カバーする範囲内の複数点を前もって定め、それらの
各値となるようにヒータ３を順次制御する。検定用温度
センサならびに温度センサ４の値が充分安定した状態で
複数点分の温度センサ４の各値に対する検定用温度セン
サの値を順次記録していき図２表Ａ部を得る。さらに同
様の事柄をフイラメント２が消灯されている状態でも求
め図２表Ｂ部を得る。そして図２の温度較正表を記憶部
６に入力しておく。なお、上記の説明では温度センサ４
の検出値を設定値としたが逆に検定用温度センサの検出
値の方を複数点定めて、その時の温度センサ４の値を記
録するようにしてもよい。
ある。温度較正表は次のようにして作成される。まずイ
オン化室１内の中心部に検定用温度センサを設置してイ
オン化室１内の温度を測定できるようにしておく。そし
てヒータ３に通電してフイラメント２が点灯されている
状態にする。次に温度センサ４の検出値が常用範囲を充
分カバーする範囲内の複数点を前もって定め、それらの
各値となるようにヒータ３を順次制御する。検定用温度
センサならびに温度センサ４の値が充分安定した状態で
複数点分の温度センサ４の各値に対する検定用温度セン
サの値を順次記録していき図２表Ａ部を得る。さらに同
様の事柄をフイラメント２が消灯されている状態でも求
め図２表Ｂ部を得る。そして図２の温度較正表を記憶部
６に入力しておく。なお、上記の説明では温度センサ４
の検出値を設定値としたが逆に検定用温度センサの検出
値の方を複数点定めて、その時の温度センサ４の値を記
録するようにしてもよい。
【００１２】次に、図１の質量分析計の温度制御動作を
説明する。温度制御にあたって制御器ＣＰＵ５はフイラ
メント２の点灯がＯＮ状態かＯＦＦ状態にあるかを調べ
る。点灯状態にあるときは、記憶部６内にストアされて
いる温度較正表図２のフイラメントＯＮ状態での較正表
Ａを用い、まず試料によって予め設定されているイオン
化室温度を較正表のイオン化室温度中から選び、それに
対する温度センサ値を読みとる。具体的にはイオン化室
温度に対する温度センサ４の値を用いて両者の相関を関
数形にし、温度較正曲線として記憶部６に入力しておい
て設定イオン化室温度に対する温度センサ値をこの関数
を解いて求めてもよい。また表作成に際し、多点観測が
行えているときは較正表数値を使った内挿近似で求めて
もよい。そして温度センサ４から、その時の温度センサ
値をＡ／Ｄ変換器をとおして取り込む。次にこの取り込
まれた温度センサ値と先に較正表から求めた温度センサ
値との偏差を求める。そして、この偏差からＰＩＤ制御
に従うヒータ３への加熱信号をＤ／Ａ変換器をとおして
送りヒータの電流を増減して温度制御が行われる。ま
た、フイラメント２が消灯状態にある場合には同様な方
法で制御器ＣＰＵ５は消灯状態にあるときの温度較正表
Ｂから得られる値を用い、温度センサ４から検出された
温度値を較正してＰＩＤ温度制御を行う。
説明する。温度制御にあたって制御器ＣＰＵ５はフイラ
メント２の点灯がＯＮ状態かＯＦＦ状態にあるかを調べ
る。点灯状態にあるときは、記憶部６内にストアされて
いる温度較正表図２のフイラメントＯＮ状態での較正表
Ａを用い、まず試料によって予め設定されているイオン
化室温度を較正表のイオン化室温度中から選び、それに
対する温度センサ値を読みとる。具体的にはイオン化室
温度に対する温度センサ４の値を用いて両者の相関を関
数形にし、温度較正曲線として記憶部６に入力しておい
て設定イオン化室温度に対する温度センサ値をこの関数
を解いて求めてもよい。また表作成に際し、多点観測が
行えているときは較正表数値を使った内挿近似で求めて
もよい。そして温度センサ４から、その時の温度センサ
値をＡ／Ｄ変換器をとおして取り込む。次にこの取り込
まれた温度センサ値と先に較正表から求めた温度センサ
値との偏差を求める。そして、この偏差からＰＩＤ制御
に従うヒータ３への加熱信号をＤ／Ａ変換器をとおして
送りヒータの電流を増減して温度制御が行われる。ま
た、フイラメント２が消灯状態にある場合には同様な方
法で制御器ＣＰＵ５は消灯状態にあるときの温度較正表
Ｂから得られる値を用い、温度センサ４から検出された
温度値を較正してＰＩＤ温度制御を行う。
【００１３】
【発明の効果】本発明の質量分析計は前記のように構成
されており、イオン化部のフイラメントのＯＮ状態とＯ
ＦＦ状態とにおける温度センサ検出値とイオン化室内温
度との関係を先に求めておき、この情報をフイラメント
ＯＮ／ＯＦＦ別でヒータの加熱制御をさせるようにした
ので、装置の運転中フイラメントのＯＮ／ＯＦＦによら
ず、どのような状態でも常にイオン化室内の温度を一定
に保つことができ、分析の精度、再現性、安定性等を向
上させることができる。
されており、イオン化部のフイラメントのＯＮ状態とＯ
ＦＦ状態とにおける温度センサ検出値とイオン化室内温
度との関係を先に求めておき、この情報をフイラメント
ＯＮ／ＯＦＦ別でヒータの加熱制御をさせるようにした
ので、装置の運転中フイラメントのＯＮ／ＯＦＦによら
ず、どのような状態でも常にイオン化室内の温度を一定
に保つことができ、分析の精度、再現性、安定性等を向
上させることができる。
【図１】 本発明の質量分析計の一実施例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】 本発明の質量分析計の一実施例を示す温度較
正表である。
正表である。
【図３】 質量分析計のイオン化部を示す図である。
【図４】 従来の質量分析計を示すブロック図である。
【図５】 従来の質量分析計の熱流路概念図である。
【図６】 本発明の質量分析計の熱流路概念図である。
１…イオン化室 ２…フイラメント ３…ヒータ ４…温度センサ ５…制御器ＣＰＵ ６…記憶部
Claims (1)
- 【請求項１】 その内部で試料分子をイオン化するため
のイオン化室と、熱電子を放射させるフイラメントと、
イオン化室を加熱するヒータとイオン化室の温度を測温
する温度センサを有するイオン化部を備えた質量分析計
において、イオン化部のフイラメントのＯＮ／ＯＦＦ信
号に従って異なる温度較正曲線により温度制御を行う制
御回路を備えたことを特徴とする質量分析計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176479A JP2001357816A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 質量分析計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176479A JP2001357816A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 質量分析計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001357816A true JP2001357816A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18678200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000176479A Pending JP2001357816A (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 質量分析計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001357816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004170155A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Shimadzu Corp | 温調システムを備えた分析装置 |
| JP2006194706A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Shimadzu Corp | 分析装置における温度制御装置 |
| JP7414146B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-01-16 | 株式会社島津製作所 | ガスクロマトグラフ質量分析装置 |
-
2000
- 2000-06-13 JP JP2000176479A patent/JP2001357816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004170155A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Shimadzu Corp | 温調システムを備えた分析装置 |
| JP2006194706A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Shimadzu Corp | 分析装置における温度制御装置 |
| JP4670354B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-04-13 | 株式会社島津製作所 | 分析装置における温度制御装置 |
| JP7414146B2 (ja) | 2020-07-14 | 2024-01-16 | 株式会社島津製作所 | ガスクロマトグラフ質量分析装置 |
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