JP2001338764A - Luminescent element - Google Patents

Luminescent element

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JP2001338764A
JP2001338764A JP2000159883A JP2000159883A JP2001338764A JP 2001338764 A JP2001338764 A JP 2001338764A JP 2000159883 A JP2000159883 A JP 2000159883A JP 2000159883 A JP2000159883 A JP 2000159883A JP 2001338764 A JP2001338764 A JP 2001338764A
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derivative
ring
heterocyclic
emitting device
derivatives
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JP2000159883A
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Japanese (ja)
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Toru Kohama
亨 小濱
Takeshi Tominaga
剛 富永
Seiichiro Murase
清一郎 村瀬
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a red luminescent element which is superior in electrical energy efficiency and in color purity. SOLUTION: This luminescent element includes a luminescent substance present between a positive electrode and a negative electrode and emits light, having a peak wavelength of 580-720 nm. The luminescent element contains at least a fluorescent compound, having a fluorescent peak wavelength of 540-720 nm and a condensed ring derivative. The condensed ring derivative is expressed by general formula 1, where R1-R16 is hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino or an aromatic, aliphatic or heterocyclic condensed ring formed between an adjacent substituted group and itself.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an element capable of converting electric energy into light, and relates to a display element, a flat panel display, a backlight, lighting, an interior, a sign, a sign, an electrophotographic device, an optical signal generator, and the like. The present invention relates to a light emitting element that can be used in the field of (1).

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
2. Description of the Related Art In recent years, studies have been actively conducted on organic laminated thin-film light emitting devices in which electrons injected from a cathode and holes injected from an anode emit light when they recombine in an organic phosphor sandwiched between both electrodes. ing. This device has attracted attention because it is thin, emits light with high luminance under a low driving voltage, and emits multicolor light by selecting a fluorescent material.

【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である8−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてM
g:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電
圧で1000cd/m2の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
[0003] This study was carried out by Kodak Corporation. W. Tan
g. et al. showed that the organic laminated thin film element emits light with high luminance (Appl. Phys. Lett. 51 (12)
21, p. 913, 1987), and many research institutions are conducting studies. A typical configuration of an organic laminated thin film light emitting device presented by a research group of Kodak Company is a diamine compound having a hole transporting property and a light emitting layer on an ITO glass substrate.
Aluminum hydroxyquinoline and M as cathode
g: Ag was sequentially provided, and green light emission of 1000 cd / m 2 was possible at a driving voltage of about 10 V. The present organic laminated thin-film light-emitting device has a different configuration, such as a device provided with an electron transport layer in addition to the above-described device components, but basically follows the configuration of Kodak Company.

【0004】多色発光の中でも赤色発光は、有用なる発
光色として研究が進められている。従来、ビス(ジイソ
プロピルフェニル)ペリレンなどのペリレン系、ペリノ
ン系、ポルフィリン系、Eu錯体(Chem.Let
t.,1267(1991))などが赤色発光材料とし
て知られている。
[0004] Among multicolor light emission, red light emission has been studied as a useful light emission color. Conventionally, perylene-based such as bis (diisopropylphenyl) perylene, perinone-based, porphyrin-based, Eu complex (Chem. Let
t. , 1267 (1991)) are known as red light emitting materials.

【0005】また、赤色発光を得る手法として、ホスト
材料の中に微量の赤色蛍光材料をドーパントとして混入
させる方法も検討されている。ホスト材料としては、ト
リス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(1
0−ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、ジアリール
ブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、ベンズオキサゾ
ール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体などがあげられ、
その中にドーパントとして4−(ジシアノメチレン)−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
H−ピラン、金属フタロシアニン(MgPc、AlPc
Clなど)化合物、スクアリリウム化合物、ビオラント
ロン化合物を存在させることによって赤色発光を取り出
していた。
As a technique for obtaining red light emission, a method of mixing a small amount of a red fluorescent material as a dopant into a host material is also being studied. As the host material, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (1
0-benzoquinolinolato) beryllium complex, diarylbutadiene derivative, stilbene derivative, benzoxazole derivative, benzothiazole derivative and the like,
4- (dicyanomethylene)-as a dopant therein
2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4
H-pyran, metal phthalocyanine (MgPc, AlPc
Cl), a squarylium compound and a biolanthrone compound were used to emit red light.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の赤色発
光材料(ホスト材料およびドーパント材料)は、発光ピ
ーク波長が580nmを越えてもピーク幅が広いため、
色純度が悪く綺麗な赤色発光が得られなかった。また、
Eu錯体などの希土類錯体は発光ピーク幅が狭く、綺麗
な赤色発光が得られるが、最高輝度が数〜数十cd/m
2と低いため、明瞭な表示ができないことが問題であっ
た。
However, conventional red light-emitting materials (host material and dopant material) have a wide peak width even if the emission peak wavelength exceeds 580 nm,
The color purity was poor, and beautiful red light emission could not be obtained. Also,
A rare-earth complex such as an Eu complex has a narrow emission peak width and can provide clean red light emission, but has a maximum luminance of several to several tens of cd / m.
The problem was that clear display was not possible due to the low value of 2 .

【0007】本発明は、かかる問題を解決し、高色純度
の赤色発光素子を提供することを目的とするものであ
る。
An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a red light emitting device having high color purity.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は陽極と陰極の間
に発光物質が存在し、電気エネルギーによりピーク波長
が580nm以上720nm以下に発光する素子であっ
て、該素子は少なくとも蛍光ピーク波長が540nm以
上720nm以下の蛍光化合物と縮合環誘導体を含むこ
とを特徴とする発光素子である。
According to the present invention, there is provided an element in which a luminescent substance is present between an anode and a cathode and which emits light at a peak wavelength of 580 nm or more and 720 nm or less due to electric energy. A light-emitting element including a fluorescent compound having a wavelength of 540 nm to 720 nm and a fused ring derivative.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、SiO2 などのバリアコー
トを施したソーダライムガラスも市販されているのでこ
れを使用できる。ITO膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, the anode is made of a conductive metal oxide such as tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) or a metal such as gold, silver or chromium if it is transparent to extract light. Although not particularly limited, such as metals, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline, it is particularly preferable to use ITO glass or Nesa glass. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a current sufficient for light emission of the element can be supplied, but is preferably low from the viewpoint of power consumption of the element. For example, 3
Although an ITO substrate having a resistance of 00 Ω / □ or less functions as an element electrode, a substrate having a resistance of about 10 Ω / □ can be supplied at present. The thickness of the ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of usually 100 to 300 nm. Further, the glass substrate is made of soda lime glass, non-alkali glass, or the like, and the thickness only needs to be sufficient to maintain the mechanical strength.
mm or more is sufficient. For the glass material,
Alkali-free glass is preferred because less ions elute from the glass is preferred, but soda-lime glass with a barrier coat such as SiO 2 is also commercially available and can be used. The method of forming the ITO film is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

【0010】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。
The cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic material layer.
Gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, etc., and lithium, sodium for improving the electron injection efficiency and improving the device characteristics , Potassium, calcium, magnesium or alloys containing these low work function metals are effective. But,
These low work function metals are generally unstable in the air in many cases. For example, an organic layer is doped with a very small amount of lithium or magnesium (1 nm or less as indicated by a film thickness gauge by vacuum deposition) to have high stability. Although a method using an electrode can be mentioned as a preferable example, it is not particularly limited because an inorganic salt such as lithium fluoride can be used. In addition, platinum, gold,
Lamination of metals such as silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys using these metals, and inorganic substances such as silica, titania, and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, and hydrocarbon polymers. Are preferred examples. The method for producing these electrodes is not particularly limited, as long as electrical conduction such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating can be achieved.

【0011】発光物質とは、1)正孔輸送層/発光層、
2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、3)発光層/電
子輸送層、4)正孔輸送層/発光層/正孔阻止層、5)
正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層、6)発
光層/正孔阻止層/電子輸送層そして、7)以上の組合
わせ物質を一層に混合した形態のいずれであってもよ
い。即ち、素子構成としては、上記1)〜6)の多層積
層構造の他に7)のように発光材料単独または発光材料
と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を一層設けるだ
けでもよい。さらに、本発明における発光物質は自ら発
光するもの、その発光を助けるもののいずれにも該当
し、発光に関与している化合物、層などを指すものであ
る。
The luminescent substance is defined as 1) a hole transport layer / a luminescent layer,
2) hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 3) light emitting layer / electron transport layer, 4) hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer, 5)
A hole transporting layer / a light emitting layer / a hole blocking layer / an electron transporting layer; 6) a light emitting layer / a hole blocking layer / an electron transporting layer; Is also good. That is, as the element configuration, in addition to the multilayer laminated structure of the above 1) to 6), only a layer containing a luminescent material alone or a layer containing a luminescent material and a hole transporting material or an electron transporting material as in 7) may be provided. Further, the luminescent substance in the present invention corresponds to both a substance which emits light by itself and a substance which assists the light emission, and refers to a compound, a layer, or the like involved in light emission.

【0012】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチ
ルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジア
ミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−
4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビス(N−アリルカルバゾール)ま
たはビス(N−アルキルカルバゾール)類、ピラゾリン
誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系で
は前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが
好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、陽極から
正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であ
れば特に限定されるものではない。
The hole transporting layer is formed of a hole transporting substance alone or a mixture of two or more substances or a mixture of a hole transporting substance and a polymer binder. N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N, N'-dinaphthyl-N, N'-diphenyl-
Triphenylamines such as 4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, bis (N-allylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole), pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadi Heterocyclic compounds represented by azole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and polymer-based polycarbonates and styrene derivatives having the above monomers in the side chain, polyvinylcarbazole, polysilane, and the like are preferable. However, the compound is not particularly limited as long as it can inject holes from the anode and can transport holes.

【0013】発光材料は、電気エネルギーによりピーク
波長が580nm以上720nm以下で発光する。58
0nmより小さいと、ピーク幅が狭くても色純度の良好
な赤色発光を得ることが出来ず、720nmより大きい
と、視感度が悪くなるので、効率良い高輝度赤色発光を
得ることができない。
The light-emitting material emits light at a peak wavelength of 580 nm to 720 nm due to electric energy. 58
If it is smaller than 0 nm, red light emission with good color purity cannot be obtained even if the peak width is narrow, and if it is larger than 720 nm, visibility deteriorates, and efficient high-brightness red light emission cannot be obtained.

【0014】また、発光材料は蛍光ピーク波長が540
nm以上720nm以下の蛍光化合物と縮合環誘導体を
含み、蛍光化合物をホスト材料とし、縮合環誘導体をド
ーパント材料として、組み合わせて用いるドーピング法
を好ましい方法として挙げることができる。また、ドー
パント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分
的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパン
ト材料は積層されていても、分散されていても、いずれ
であってもよい。
The light emitting material has a fluorescence peak wavelength of 540.
As a preferable method, a doping method including a combination of a fluorescent compound having a wavelength of from nm to 720 nm and a condensed ring derivative, using the fluorescent compound as a host material and the condensed ring derivative as a dopant material can be mentioned. In addition, the dopant material may be included in the entire host material, partially, or may be included. The dopant material may be stacked, dispersed, or the like.

【0015】ホスト材料からドーパント材料へのエネル
ギー移動には、ホスト材料の蛍光スペクトルとドーパン
ト材料の吸収スペクトル(励起スペクトル)の重なりが
必要である。また色純度の良いドーパント材料のストー
クスシフト(励起スペクトルのピークと蛍光スペクトル
のピークの差)は数〜数十nmと狭く、580nm以上
720nm以下のドーパント材料からの高色純度赤色発
光を得ようとすると、ドーパント材料の吸収スペクトル
(励起スペクトル)は黄色、黄橙色、橙色、赤橙色、赤
色領域(540nm以上720nm以下)になる。ホス
ト材料の蛍光スペクトルが、黄色よりも短波長側の黄緑
色、緑色、青緑色、青色、青紫色、紫色領域にありスペ
クトルの重なりが小さいと、エネルギー移動が速やかに
行われず、ドーパント材料からの発光が得られなかった
り、得られたとしてもホスト材料からの発光が残り、白
色化するなど、高色純度の赤色発光が得られない。
Energy transfer from the host material to the dopant material requires an overlap between the fluorescence spectrum of the host material and the absorption spectrum (excitation spectrum) of the dopant material. In addition, the Stokes shift (difference between the peak of the excitation spectrum and the peak of the fluorescence spectrum) of the dopant material having good color purity is as narrow as several to several tens of nm, so as to obtain high color purity red light emission from the dopant material of 580 nm to 720 nm. Then, the absorption spectrum (excitation spectrum) of the dopant material becomes yellow, yellow-orange, orange, red-orange, and red regions (540 nm or more and 720 nm or less). When the fluorescence spectrum of the host material is in the yellow-green, green, blue-green, blue, blue-violet, and violet regions on the shorter wavelength side than yellow and the spectrum overlap is small, energy transfer is not performed quickly, and the Light emission cannot be obtained, or even if light emission is obtained, light emission from the host material remains and red light emission of high color purity such as whitening cannot be obtained.

【0016】上記の理由により、580nm以上720
nm以下でドーパント材料が高輝度、高色純度で発光す
るには、ホスト材料は蛍光ピーク波長が540nm以上
720nm以下であることが必要である。目安として
は、黄色、黄橙色、橙色、赤橙色、赤色などの蛍光を有
するものが該当する。
[0016] For the above reasons, 580 nm or more and 720
In order for the dopant material to emit light with high brightness and high color purity at nm or less, the host material needs to have a fluorescence peak wavelength of 540 nm or more and 720 nm or less. As a guide, those having fluorescence such as yellow, yellow-orange, orange, red-orange, and red correspond.

【0017】色純度の良い赤色発光を得るためには、発
光ピーク波長が590nmより長波長であることが好ま
しく、600nmより長波長であることがより好まし
い。さらにいえば、610nm以上であることが一層好
ましい。従ってホスト材料の蛍光ピーク波長はより長波
長であることが望ましく、560nmより大きく720
nm以下であることがより好ましい。さらに570nm
より大きく720nm以下であることが一層好ましい。
In order to obtain red light emission with good color purity, the emission peak wavelength is preferably longer than 590 nm, more preferably longer than 600 nm. More preferably, it is more preferably 610 nm or more. Therefore, it is desirable that the fluorescence peak wavelength of the host material be longer, and that the wavelength is longer than 560 nm and 720.
More preferably, it is not more than nm. 570 nm
More preferably, it is larger than 720 nm.

【0018】蛍光ピーク波長が540nm以上720n
m以下であればホスト材料の基本骨格としては特に限定
されるものではないが、以前から発光体として知られて
いたアントラセンやピレン、ペリレンなどの縮合環誘導
体、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピ
リジン、ピリミジン、チオフェン、チオキサンテンなど
の複素環誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム錯体、などのキノリノール金属錯体、ビピリジン金
属錯体、ローダミン金属錯体、アゾメチン金属錯体、ジ
スチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘
導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン
誘導体、フタルイミド誘導体、ナフタルイミド誘導体、
ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、シクロペンタ
ジエン誘導体、イミダゾール誘導体やオキサゾール誘導
体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チア
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体などのアゾール
誘導体およびその金属錯体、メロシアニン誘導体、ポリ
フィリン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニ
レン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリ
チオフェン誘導体などが使用できる。ホスト材料の基本
骨格自身の蛍光ピーク波長が540nm以上720nm
以下であれば必ずしも修飾する必要はないが、蛍光ピー
ク波長が540nm以下の場合や、ドーパントとのエネ
ルギー移動を効率的に行うために長波長化させたい場合
には、基本骨格に芳香環あるいは複素環の少なくとも一
つを置換基として導入するか、あるいは縮合する、また
は蛍光化合物の基本骨格に含まれる環構造を複素環に置
換することで長波長化することができ、ホスト材料とし
てさらに好適に用いることが出来る。基本骨格に芳香環
あるいは複素環の少なくとも一つを置換基として導入す
るか、あるいは縮合する場合には、基本骨格自身を置換
基として導入することや縮合することも含まれる。
The fluorescence peak wavelength is 540 nm or more and 720 n
m or less, the basic skeleton of the host material is not particularly limited, but anthracene, pyrene, condensed ring derivatives such as perylene, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, which have long been known as luminous bodies, Heterocyclic derivatives such as pyrimidine, thiophene and thioxanthene, quinolinol metal complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bipyridine metal complexes, rhodamine metal complexes, azomethine metal complexes, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbenes Derivatives, aldazine derivatives, coumarin derivatives, phthalimide derivatives, naphthalimide derivatives,
Azole derivatives such as perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, cyclopentadiene derivatives, imidazole derivatives and oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives and their metal complexes, merocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and polyphenylene in the polymer system. Vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives can be used. The fluorescence peak wavelength of the basic skeleton of the host material itself is 540 nm or more and 720 nm
However, if the fluorescence peak wavelength is 540 nm or less, or if it is desired to increase the wavelength for efficient energy transfer with the dopant, an aromatic ring or a heterocyclic ring is added to the basic skeleton. By introducing at least one of the rings as a substituent, or by condensing, or by replacing the ring structure contained in the basic skeleton of the fluorescent compound with a heterocyclic ring, it is possible to increase the wavelength, which is more suitable as a host material. Can be used. In the case where at least one of an aromatic ring and a heterocyclic ring is introduced as a substituent into the basic skeleton or condensed, introduction of the basic skeleton itself as a substituent and condensation thereof are also included.

【0019】具体的には、次のようなものが挙げられ
る。縮合環誘導体のアントラセン誘導体では芳香環を共
役的に導入しさらに電子吸引性基のシアノ基を導入した
ビス(シアノスチリル)アントラセン誘導体など、ピレ
ン誘導体では複素環を共役的に導入したカルバゾリルビ
ニルピレン誘導体など、ペリレン誘導体では芳香環を縮
合させたデカシクレン誘導体、電子吸引基のカルボン酸
エステル基を導入したペリレンジカルボン酸エステル誘
導体などが挙げられる。複素環誘導体のピラジン誘導体
では複素環や芳香環を共役的に導入したビスナフチルビ
ニルピラジン誘導体、トリスチリルピラジン誘導体、テ
トラピリジルビニルピラジン誘導体など、ナフチリジン
誘導体では芳香環を導入したペンタフェニルナフチリジ
ン誘導体など、キノキサリン誘導体では複素環を縮合さ
せたピリドイミダゾキノキサリン誘導体、芳香環を導入
したビストリフェニルアミノビニルキノキサリン誘導
体、芳香環を共役的に導入したビスピレニルビニルキノ
キサリン誘導体、自身を共役的に連結したビス(フェニ
ルキノキサリル)ビフェニル誘導体など、ピリミジン誘
導体では自身を縮合させたピリミドピリミジン誘導体な
ど、チオフェン誘導体では芳香環を共役的に導入したビ
ススチリルチオフェン誘導体、自身を共役的に連結した
チエニル誘導体などが挙げられる。キノリノール金属錯
体では、芳香環を導入したトリス(5,7−ビス(4−
フェニル)−8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビ
ス(5,7−ビス(4−フェニル)−8−キノリノラ
ト)亜鉛錯体、トリス(5,7−ビス(4−フルオロフ
ェニル)−8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス
(2−フェニル−8−キノリノラト)亜鉛錯体、複素環
や芳香環を共役的に導入したビス(2−(ビチエニルビ
ニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体、ビス(2−(チ
エニルビニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体、ビス
(2−(ピリジルビニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯
体、ビス(2−フェニル−8−キノリノラト)亜鉛錯
体、ビス(2−スチリル−8−キノリノラト)亜鉛錯
体、芳香環を縮合させたベンゾ(f)キノリノール亜鉛
錯体、アクリジン金属錯体、電子吸引性基のシアノ基を
導入したトリス(2−シアノ−8−キノリノラト)アル
ミニウム錯体、2−シアノ−8−キノリノラトリチウム
錯体などが挙げられる。ビピリジル金属錯体では芳香環
を縮合させさらに芳香環を導入したビフェニルフェナン
トロリン金属錯体などが挙げられる。ジスチリルベンゼ
ン誘導体ではベンゼン骨格をピラジン骨格に置換したジ
スチリルピラジン誘導体などが挙げられる。スチルベン
誘導体では複素環を導入したビストリアジニルスチルベ
ン誘導体などが挙げられる。アルダジン誘導体では芳香
環を導入したビスナフチルアルダジン誘導体などが挙げ
られる。クマリン誘導体では複素環を導入したジベンゾ
トリアゾリルクマリン誘導体、フェニルオキサジアゾリ
ルクマリン誘導体などが挙げられる。ナフタルイミド誘
導体では自身を縮合的に連結したテトラフェニルカルボ
ン酸ジアニリド誘導体、テトラフェニルカルボン酸ジイ
ミド誘導体、複素環を縮合させてかつ導入したベンズイ
ミダゾリルベンズイミダゾピリゾナフタルイミド誘導体
などが挙げられる。ペリノン誘導体では、芳香環を縮合
させたジベンゾペリノン誘導体、自身を共役的に連結し
たビスペリノン誘導体などが挙げられる。ピロロピロー
ル誘導体では芳香環を導入したジフェニルピロロピロー
ル誘導体などが挙げられる。シクロペンタジエン誘導体
ではシクロペンタジエン骨格をシラシクロペンタジエン
骨格に置換しさらに芳香環や複素環を導入したビス(ビ
チオフェニル)ジフェニルシラシクロペンタジエン誘導
体、ビス(ベンゾチオフェニルチオフェニル)テトラフ
ェニルシラシクロペンタジエン誘導体などが挙げられ
る。オキサゾール誘導体では芳香環を縮合させさらに自
身を共役的に連結したビス(ベンゾオキサゾリル)エチ
レン誘導体などが挙げられる。チアゾール誘導体では芳
香環を縮合させさらに芳香環を共役的に導入したフェニ
ルアゾベンゾチアゾール誘導体が挙げられる。オキサジ
アゾール誘導体では芳香環を導入しさらに自身を共役的
に連結したビス(アントラセニルオキサジアゾリル)ベ
ンゼン誘導体、トリス(アントラセニルオキサジアゾリ
ル)ベンゼン誘導体などが挙げられる。チアジアゾール
誘導体では複素環を縮合させさらに芳香環を導入し自身
を共役的に連結したビス(ジフェニルピリジノチアジア
ゾリル)ベンゼン誘導体などが挙げられる。メロシアニ
ン誘導体では電子吸引性基のシアノ基を導入したジシア
ノメチレンピラン誘導体などが挙げられる。具体的に上
記のようなものを挙げたが、本発明はこれに限定される
ものではない。
Specifically, the following are mentioned. Condensed ring derivatives of anthracene derivatives, such as bis (cyanostyryl) anthracene derivatives, in which an aromatic ring is conjugated and a cyano group of an electron-withdrawing group is introduced, and carbazolyl vinyl, in which a heterocyclic ring is conjugated, is a pyrene derivative. Examples of the perylene derivative such as a pyrene derivative include a decacyclene derivative in which an aromatic ring is condensed, and a perylene dicarboxylic acid ester derivative in which a carboxylic acid ester group of an electron-withdrawing group is introduced. Heterocyclic derivatives of pyrazine derivatives include bisnaphthylvinylpyrazine derivatives, tristyrylpyrazine derivatives, and tetrapyridylvinylpyrazine derivatives in which a heterocyclic or aromatic ring is conjugated, and pentaphenylnaphthyridine derivatives in which an aromatic ring is introduced in a naphthyridine derivative. The quinoxaline derivatives include pyridoimidazoquinoxaline derivatives in which heterocycles are condensed, bistriphenylaminovinylquinoxaline derivatives in which aromatic rings are introduced, bispyrenylvinylquinoxaline derivatives in which aromatic rings are conjugated, bis (Phenylquinoxalyl) biphenyl derivatives, pyrimidine derivatives, pyrimidopyrimidine derivatives, etc. condensed themselves, thiophene derivatives, bisstyrylthiophene derivatives, in which aromatic rings are conjugated, self-conjugated Etc. linked thienyl derivatives. In the quinolinol metal complex, tris (5,7-bis (4-
Phenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex, bis (5,7-bis (4-phenyl) -8-quinolinolato) zinc complex, tris (5,7-bis (4-fluorophenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex , Bis (2-phenyl-8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (bithienylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex in which a heterocyclic ring or an aromatic ring is conjugated, bis (2- (thienylvinyl)) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (pyridylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2-phenyl-8-quinolinolato) zinc complex, bis (2-styryl-8-quinolinolato) zinc complex, Benzo (f) quinolinol zinc complex having an aromatic ring condensed, acridine metal complex, tris (2-cyano 8-quinolinolato) aluminum complex, such as 2-cyano-8-quinolinolato tritium complexes. Examples of the bipyridyl metal complex include a biphenylphenanthroline metal complex in which an aromatic ring is condensed and an aromatic ring is further introduced. Examples of the distyrylbenzene derivative include a distyrylpyrazine derivative in which a benzene skeleton is substituted with a pyrazine skeleton. Examples of the stilbene derivative include a bistriazinyl stilbene derivative into which a heterocyclic ring has been introduced. Examples of the aldazine derivative include a bisnaphthyl aldazine derivative into which an aromatic ring has been introduced. Examples of the coumarin derivative include a dibenzotriazolyl coumarin derivative and a phenyloxadiazolyl coumarin derivative into which a heterocyclic ring has been introduced. Examples of the naphthalimide derivative include a tetraphenylcarboxylic acid dianilide derivative and a tetraphenylcarboxylic acid diimide derivative, which are condensed and linked, and a benzimidazolylbenzimidazopyridonaphthalimide derivative into which a heterocyclic ring is condensed and introduced. Examples of the perinone derivative include a dibenzoperinone derivative in which an aromatic ring is condensed, and a bisperinone derivative in which itself is conjugated. Examples of the pyrrolopyrrole derivative include a diphenylpyrrolopyrrole derivative into which an aromatic ring has been introduced. Cyclopentadiene derivatives include bis (bithiophenyl) diphenylsilacyclopentadiene derivatives and bis (benzothiophenylthiophenyl) tetraphenylsilacyclopentadiene derivatives in which the cyclopentadiene skeleton is replaced with a silacyclopentadiene skeleton and an aromatic or heterocyclic ring is introduced. No. Examples of the oxazole derivative include a bis (benzoxazolyl) ethylene derivative in which an aromatic ring is condensed and further conjugated to itself. Examples of the thiazole derivative include a phenylazobenzothiazole derivative in which an aromatic ring is condensed and an aromatic ring is conjugated. Examples of the oxadiazole derivative include a bis (anthracenyloxadiazolyl) benzene derivative and a tris (anthracenyloxadiazolyl) benzene derivative in which an aromatic ring is introduced and further conjugated to itself. Examples of the thiadiazole derivative include a bis (diphenylpyridinothiadiazolyl) benzene derivative in which a heterocyclic ring is condensed, an aromatic ring is further introduced, and the ring itself is conjugated. Examples of the merocyanine derivative include a dicyanomethylenepyran derivative into which a cyano group as an electron-withdrawing group is introduced. Although the above is specifically mentioned, the present invention is not limited to this.

【0020】ドーパントとしては、好適な例として縮合
環誘導体を挙げることができる。ここで、580nm以
上720nm以下の高色純度赤色発光を得ようとする
と、共役長の長さを考えると、環構造を7つ以上縮合さ
せている縮合環誘導体が好ましい。
Preferred examples of the dopant include fused ring derivatives. Here, in order to obtain high color purity red light emission of 580 nm or more and 720 nm or less, a condensed ring derivative in which seven or more ring structures are condensed is preferable in consideration of the length of the conjugate length.

【0021】縮合環誘導体の中でも下記一般式(1)、
下記一般式(2)、下記一般式(3)で表される構造を
有するものが好適に用いられる。
Among the fused ring derivatives, the following general formula (1):
Those having a structure represented by the following general formula (2) or the following general formula (3) are preferably used.

【0022】[0022]

【化4】 Embedded image

【0023】ここで、R1〜R16は、水素、アルキル、
アルコキシ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケ
ニル、アリールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒ
ド、カルボニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣
接置換基との間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは
複素環の縮合環の中から選ばれる。
Here, R 1 to R 16 are hydrogen, alkyl,
Alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed aromatic, aliphatic, or heterocyclic ring formed between adjacent substituents Selected from

【0024】[0024]

【化5】 Embedded image

【0025】ここで、R17〜R32は、水素、アルキル、
アルコキシ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケ
ニル、アリールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒ
ド、カルボニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣
接置換基との間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは
複素環の縮合環の中から選ばれる。
Here, R 17 to R 32 represent hydrogen, alkyl,
Alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed aromatic, aliphatic, or heterocyclic ring formed between adjacent substituents Selected from

【0026】[0026]

【化6】 Embedded image

【0027】ここで、R33〜R46は、水素、アルキル、
アルコキシ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケ
ニル、アリールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒ
ド、カルボニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣
接置換基との間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは
複素環の縮合環の中から選ばれる。
Here, R 33 to R 46 represent hydrogen, alkyl,
Alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed aromatic, aliphatic, or heterocyclic ring formed between adjacent substituents Selected from

【0028】これらの置換基の説明の内、アルキル基と
は例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置
換されていてもかまわない。また、アルコキシ基とは例
えばメトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化
水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換され
ていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素を示す。また、アリール基とは例えばフェニ
ル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、
ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を
示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。
また、アラルキル基とは例えばベンジル基、フェニルエ
チル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基
を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無
置換でも置換されていてもかまわない。また、アルケニ
ル基とは例えばビニル基、アリル基、ブタジエニル基な
どの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、こ
れは無置換でも置換されていてもかまわない。また、ア
リールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテ
ル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水
素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、
複素環基とは例えばチエニル基、フリル基、ピロリル
基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、
ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、キノリニル
基、イソキノリル基、キノキサリル基、アクリジニル
基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状
構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかま
わない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたもの
も含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香
族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかま
わない。隣接置換基との間に形成される縮合環および脂
肪族環とは、例えばR1とR2のような隣り合った部位で
共役または非共役の縮合環を形成するものである。そし
てこれら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含
んでいても良いし、さらに別の環と縮合していてもよ
い。
In the description of these substituents, the alkyl group means a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group, which may be unsubstituted or substituted. Absent. The alkoxy group refers to an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Halogen refers to fluorine, chlorine, bromine and iodine. Further, the aryl group is, for example, a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group,
It represents an aromatic hydrocarbon group such as a terphenyl group and a pyrenyl group, which may be unsubstituted or substituted.
The aralkyl group refers to an aromatic hydrocarbon group via an aliphatic hydrocarbon such as a benzyl group and a phenylethyl group, and the aliphatic hydrocarbon and the aromatic hydrocarbon may be unsubstituted or substituted. I don't care. The alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group, an allyl group and a butadienyl group, which may be unsubstituted or substituted. Further, the aryl ether group refers to an aromatic hydrocarbon group via an ether bond such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Also,
The heterocyclic group is, for example, a thienyl group, a furyl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, an oxazolyl group,
A cyclic structure group having an atom other than carbon, such as a pyridyl group, a pyrazyl group, a pyrimidyl group, a quinolinyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalyl group, an acridinyl group, and a carbazolyl group, may be unsubstituted or substituted. Aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, and amino groups include those substituted with aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, heterocycles, and the like. The cyclic hydrocarbon, aromatic hydrocarbon and heterocyclic ring may be unsubstituted or substituted. The condensed ring and the aliphatic ring formed between the adjacent substituents are, for example, those forming a conjugated or non-conjugated condensed ring at adjacent positions such as R 1 and R 2 . These condensed rings may contain nitrogen, oxygen and sulfur atoms in the ring structure, or may be condensed with another ring.

【0029】色純度の良い赤色発光を得るためには、縮
合環誘導体を長波長化することが好ましい。長波長化す
るためには、電子吸引性基を導入する、あるいは共役を
伸張することで行うことが好ましい。
In order to obtain red light emission with good color purity, it is preferable to increase the wavelength of the fused ring derivative. In order to increase the wavelength, it is preferable to introduce an electron-withdrawing group or extend the conjugation.

【0030】電子吸引性基としては、シアノ基、ハロゲ
ン、カルボニル基等があげられ、なかでもシアノ基、カ
ルボニル基が好ましい。これら電子吸引性基の導入は単
独でも組み合わされても、直接でも共役性基を介してで
も構わない。
Examples of the electron-withdrawing group include a cyano group, a halogen and a carbonyl group, and among them, a cyano group and a carbonyl group are preferable. These electron-withdrawing groups may be introduced alone, in combination, directly or via a conjugated group.

【0031】長波長化するためには共役の伸張がより好
ましく、共役性基の導入、縮合による共役の拡張等で行
うことが好ましい。
In order to increase the wavelength, it is more preferable to extend the conjugate, and it is more preferable to extend the conjugate by introducing a conjugated group or condensing.

【0032】共役性基の導入では、ビニル基、フェニル
エチレン基、ジフェニルエチレン基等の置換あるいは無
置換のビニル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル
基等の置換あるいは無置換の芳香環、チエニル基、フリ
ル基、ピリジル基等の置換あるいは無置換の複素環を導
入する等があげられる。これら共役性基の導入は単独で
も組み合わされても構わない。
In introducing a conjugated group, a substituted or unsubstituted vinyl group such as a vinyl group, a phenylethylene group or a diphenylethylene group, a substituted or unsubstituted aromatic ring such as a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group, or a thienyl group Or a substituted or unsubstituted heterocycle such as a furyl group or a pyridyl group. These conjugate groups may be introduced alone or in combination.

【0033】縮合による共役の拡張では、隣接置換基と
の間に縮合芳香環や縮合複素環を形成する等があげられ
る。これら縮合による共役の拡張は単独でも組み合わさ
れても構わない。上記の長波長化の方法は単独でも組み
合わせても構わない。
The expansion of conjugation by condensation includes forming a condensed aromatic ring or a condensed heterocyclic ring with an adjacent substituent. These expansions of conjugation by condensation may be used alone or in combination. The above methods for increasing the wavelength may be used alone or in combination.

【0034】上記縮合環誘導体として、具体的には下記
のような構造があげられる。
Specific examples of the above fused ring derivative include the following structures.

【0035】[0035]

【化7】 Embedded image

【0036】[0036]

【化8】 Embedded image

【0037】[0037]

【化9】 Embedded image

【0038】ドーピング量は、通常多すぎると濃度消光
現象が起きるため、通常ホスト物質に対して10重量%
以下で用いることが好ましく、更に好ましくは2%以下
である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸
着法によって形成することができるが、ホスト材料と予
め混合してから同時に蒸着しても良い。また、前記縮合
環誘導体は、極めて微量でも発光することから微量の縮
合環誘導体をホスト材料にサンドイッチ状に挟んで使用
することも可能である。この場合、一層でも二層以上ホ
スト材料と積層しても良い。
When the doping amount is usually too large, a concentration quenching phenomenon occurs.
It is preferably used in the following, more preferably 2% or less. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with a host material, but it may be mixed with the host material in advance and then evaporated at the same time. In addition, since the fused ring derivative emits light even in a very small amount, a small amount of the fused ring derivative can be sandwiched between host materials for use. In this case, one or more layers may be stacked with the host material.

【0039】また、発光材料に添加するドーパント材料
は、前記縮合環誘導体を有する化合物一種のみに限る必
要はなく、複数の前記化合物を混合して用いたり、既知
のドーパント材料の一種類以上を前記化合物と混合して
用いてもよい。具体的には従来から知られている、ビス
(ジイソプロピルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸
イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、
アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナントロ
リンなどを配位子とするEu錯体などの希土類錯体、4
−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメ
チルアミノスチリル)−4H−ピランやその類縁体、マ
グネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロ
シアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ローダミン
化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導体、オキ
サジン化合物などを共存させることが出来るが特にこれ
らに限定されるものではない。
The dopant material to be added to the light emitting material is not limited to one kind of the compound having the above-mentioned condensed ring derivative, and a plurality of the above compounds may be used as a mixture, or one or more kinds of known dopant materials may be used. It may be used as a mixture with a compound. Specifically, conventionally known naphthalimide derivatives such as bis (diisopropylphenyl) perylenetetracarboxylic imide, perinone derivatives,
Rare earth complexes such as Eu complexes having acetylacetone or benzoylacetone and phenanthroline as ligands;
-(Dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran and its analogs, metal phthalocyanine derivatives such as magnesium phthalocyanine and aluminum chlorophthalocyanine, rhodamine compounds, deazaflavin derivatives, coumarin derivatives, oxazines Compounds and the like can coexist, but are not particularly limited thereto.

【0040】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、8−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘
導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、
クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナ
ントロリン誘導体などがあるが特に限定されるものでは
ない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、
異なる電子輸送材料と積層または混合して使用しても構
わない。
As the electron transporting material in the present invention,
It is necessary to efficiently transport electrons from the negative electrode between the electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are transported efficiently. For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, a high stability, and a small amount of impurities serving as traps during production and use. Materials satisfying such conditions include quinolinol derivative metal complexes represented by 8-hydroxyquinoline aluminum, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, perylene derivatives, perinone derivatives, naphthalene,
There are coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, bisstyryl derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, and the like, but are not particularly limited. Although these electron transport materials are used alone,
They may be laminated or mixed with different electron transport materials.

【0041】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
The above materials used for the hole transporting layer, the light emitting layer and the electron transporting layer can be used alone to form each layer. As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N- Vinyl carbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide,
Solvent-soluble resins such as ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, phenolic resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin,
It is also possible to use the resin dispersed in a curable resin such as a silicone resin.

【0042】発光物質の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティ
ング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。層の
厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することは
できないが、1〜1000nmの間から選ばれる。
The method for forming the luminescent material is not particularly limited, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, molecular lamination, and coating. However, resistance heating evaporation and electron beam evaporation are usually used in terms of characteristics. preferable. The thickness of the layer depends on the resistance of the luminescent material and cannot be limited, but is selected from the range of 1 to 1000 nm.

【0043】綺麗な赤色表示を行わせるためには、発光
スペクトルのピーク波長が580nm以上720nm以
下、好ましくは590nm以上710nm以下、より好
ましくは600nm以上700nm以下、一層好ましく
は610nm以上690nm以下の範囲内であり、半値
幅が100nm以下であることが重要である。発光スペ
クトルは、できるだけ単一ピークであることが好ましい
が、場合によっては他のピークとの重なりによって複数
の極大点を有したり、ピークの裾に肩が現れることもあ
る。本発明において、ピーク波長とは発光中心波長に値
する主ピークの波長であり、半値幅とはこれらピーク全
体において発光中心波長の高さの半分のところのピーク
幅であると定義している。
In order to provide a beautiful red display, the peak wavelength of the emission spectrum is in the range of 580 nm to 720 nm, preferably 590 nm to 710 nm, more preferably 600 nm to 700 nm, and still more preferably 610 nm to 690 nm. It is important that the half width is 100 nm or less. The emission spectrum is preferably a single peak as much as possible. In some cases, the emission spectrum may have a plurality of maximum points due to overlap with another peak, or a shoulder may appear at the foot of the peak. In the present invention, the peak wavelength is defined as the wavelength of the main peak corresponding to the emission center wavelength, and the half-value width is defined as the peak width at half the height of the emission center wavelength in all of these peaks.

【0044】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
The electric energy mainly refers to a direct current, but it is also possible to use a pulse current or an alternating current.
The current value and the voltage value are not particularly limited. However, in consideration of the power consumption and life of the device, it is necessary to obtain the maximum luminance with the lowest possible energy.

【0045】本発明におけるマトリクスとは、表示のた
めの画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合
で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途に
よって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画
像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青
の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデル
タタイプとストライプタイプがある。そして、このマト
リクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティ
ブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構
造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮し
た場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があ
るので、これも用途によって使い分けることが必要であ
る。
The matrix in the present invention refers to a matrix in which pixels for display are arranged in a lattice, and displays a character or an image by a set of pixels. The shape and size of the pixel depend on the application. For example, a square pixel having a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, a monitor, and a television. In the case of a large display such as a display panel, a pixel having a side of mm order is used. . In the case of monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, red, green and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix may be driven by either a line-sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has the advantage that the structure is simpler. However, in consideration of the operation characteristics, the active matrix is sometimes superior, and therefore it is necessary to use the same depending on the application.

【0046】本発明におけるセグメントタイプとは、予
め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、
決められた領域を発光させることになる。例えば、デジ
タル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ
機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル
表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示と
セグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよ
い。
The segment type in the present invention means that a pattern is formed so as to display predetermined information,
Light is emitted from the determined area. For example, there are a time display and a temperature display on a digital clock or a thermometer, an operation state display of an audio device, an electromagnetic cooker, or the like, and a panel display of an automobile. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

【0047】本発明におけるバックライトとは、主に自
発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用さ
れ、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車パネ
ル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示装
置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバ
ックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板
からなっているため薄型化が困難であることを考えると
本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴にな
る。
The backlight in the present invention is mainly used for the purpose of improving the visibility of a display device which does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. . In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, especially a personal computer application in which thinning is an issue, considering that it is difficult to reduce the thickness because the conventional type is made of a fluorescent lamp or a light guide plate, the present invention The backlight is thin and lightweight.

【0048】[0048]

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0049】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた
基板をアセトン、”セミコクリン56”(フルウチ化学
(株)製)で各々15分間超音波洗浄してから、超純水
で洗浄した。続いてイソプロピルアルコールで15分間
超音波洗浄してから熱メタノールに15分間浸漬させて
乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に1時間U
V−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内
の真空度が1×10-5Pa以下になるまで排気した。抵
抗加熱法によって、まず正孔輸送材料としてN,N’−
ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)を1
00nm蒸着した。次にホスト材料としてトリス(5,
7−ビス(4−フルオロフェニル)−8−キノリノラ
ト)アルミニウム錯体(蛍光ピーク波長559nm)
を、ドーパント材料として下記縮合環誘導体(D1)
(蛍光ピーク波長は610nm)を用いて、ドーパント
が1wt%になるように50nmの厚さに共蒸着し、ホ
スト材料を50nmの厚さに積層した。次にリチウムを
0.2nm、銀を150nm蒸着して陰極とし、5×5
mm角の素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波
長は610nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 1 A glass substrate (available from Asahi Glass Co., Ltd., 15 Ω / □, electron beam deposited) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm was cut into a size of 30 × 40 mm and etched. The obtained substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone and "Semicocrine 56" (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes, and then with ultrapure water. Subsequently, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 15 minutes, immersed in hot methanol for 15 minutes, and dried. Immediately before this element is fabricated,
V-ozone treatment was performed, the apparatus was set in a vacuum evaporation apparatus, and the apparatus was evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 1 × 10 −5 Pa or less. By the resistance heating method, first, N, N'-
Diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,
1′-diphenyl-4,4′-diamine (TPD)
00 nm was deposited. Next, Tris (5,
7-bis (4-fluorophenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex (fluorescence peak wavelength 559 nm)
Is used as a dopant material for the following fused ring derivative (D1)
Using (fluorescence peak wavelength of 610 nm), co-evaporation was performed to a thickness of 50 nm so that the dopant became 1 wt%, and a host material was stacked to a thickness of 50 nm. Next, lithium was deposited to a thickness of 0.2 nm and silver to a thickness of 150 nm to form a cathode, and 5 × 5
An mm square device was produced. The emission peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0050】[0050]

【化10】 Embedded image

【0051】実施例2 ドーパント材料として下記縮合環誘導体(D2)(蛍光
ピーク波長は670nm)を、ホスト材料としてビス
(2−(ビチエニルビニル)−8−キノリノラト)亜鉛
錯体(蛍光ピーク波長591nm)を用いた以外は実施
例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子の
発光ピーク波長は670nmであり、綺麗な赤色発光を
示した。
Example 2 The following condensed ring derivative (D2) (having a fluorescent peak wavelength of 670 nm) was used as a dopant material, and bis (2- (bithienylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex (having a fluorescent peak wavelength of 591 nm) was used as a host material. A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that was used. The emission peak wavelength of this light-emitting element was 670 nm, and it emitted beautiful red light.

【0052】[0052]

【化11】 Embedded image

【0053】実施例3 ホスト材料として下記ペリノン誘導体(蛍光ピーク波長
580nm)を用いた以外は実施例1と同様にして発光
素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は61
0nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 3 A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the following perinone derivative (fluorescence peak wavelength: 580 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light emitting device is 61
0 nm, and showed a beautiful red light emission.

【0054】[0054]

【化12】 Embedded image

【0055】実施例4 ホスト材料として下記ペリノン誘導体(蛍光ピーク波長
600nm)を用いた以外は実施例2と同様にして発光
素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は67
0nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 4 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that the following perinone derivative (fluorescence peak wavelength: 600 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light emitting device is 67
0 nm, and showed a beautiful red light emission.

【0056】[0056]

【化13】 Embedded image

【0057】実施例5 ホスト材料としてビス(2’,6’−ジイソプロピルア
ニリド)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン
酸(蛍光ピーク波長620nm)を用いた以外は実施例
2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子の発
光ピーク波長は670nmであり、綺麗な赤色発光を示
した。
Example 5 The procedure of Example 2 was repeated except that bis (2 ′, 6′-diisopropylanilide) perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid (fluorescence peak wavelength: 620 nm) was used as the host material. Thus, a light-emitting element was manufactured. The emission peak wavelength of this light-emitting element was 670 nm, and it emitted beautiful red light.

【0058】実施例6 ホスト材料としてN−(ジメチルフェニル)−ナフタル
イミド(蛍光ピーク波長590nm)を用いた以外は実
施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子
の発光ピーク波長は610nmであり、綺麗な赤色発光
を示した。
Example 6 A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that N- (dimethylphenyl) -naphthalimide (fluorescence peak wavelength: 590 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0059】実施例7 ホスト材料として3,6-ジフェニル-2,5-ジヒドロ-
2,5-ジメチルピロロ[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン
(橙色蛍光)を用いた以外は実施例1と同様にして発光
素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は61
0nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 7 3,6-Diphenyl-2,5-dihydro-as a host material
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that 2,5-dimethylpyrrolo [3,4-c] pyrrole-1,4-dione (orange fluorescence) was used. The emission peak wavelength of this light emitting device is 61
0 nm, and showed a beautiful red light emission.

【0060】実施例8 ホスト材料として3,8−ジメチルピリド[1’,
2’:1,2]イミダゾ[4,5−b]キノキサリン
(黄色蛍光)を用いる以外は実施例1と同様にして発光
素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は61
0nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 8 3,8-dimethylpyrido [1 ′,
A light-emitting element was produced in the same manner as in Example 1 except that 2 ': 1,2] imidazo [4,5-b] quinoxaline (yellow fluorescence) was used. The emission peak wavelength of this light emitting device is 61
0 nm, and showed a beautiful red light emission.

【0061】実施例9 ホスト材料として下記キノキサリン誘導体(蛍光ピーク
波長575nm)を用いる以外は実施例1と同様にして
発光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は
610nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 9 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the following quinoxaline derivative (fluorescence peak wavelength: 575 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0062】[0062]

【化14】 Embedded image

【0063】実施例10 ホスト材料として下記キノキサリン誘導体(橙色蛍光)
を用いる以外は実施例2と同様にして発光素子を作製し
た。この発光素子の発光ピーク波長は670nmであ
り、綺麗な赤色発光を示した。
Example 10 The following quinoxaline derivative (orange fluorescence) as a host material
A light-emitting element was manufactured in the same manner as in Example 2 except for using. The emission peak wavelength of this light-emitting element was 670 nm, and it emitted beautiful red light.

【0064】[0064]

【化15】 Embedded image

【0065】実施例11 ホスト材料として2,3,5,6−テトラキス[2−
(フェニル)ビニル]ピラジン(黄色蛍光)を用いる以
外は実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発
光素子の発光ピーク波長は610nmであり、綺麗な赤
色発光を示した。
Example 11 As a host material, 2,3,5,6-tetrakis [2-
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that (phenyl) vinyl] pyrazine (yellow fluorescence) was used. The emission peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0066】実施例12 ホスト材料として下記スチリルチオフェン誘導体(蛍光
ピーク波長550nm)を用いる以外は実施例1と同様
にして発光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク
波長は610nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 12 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the following styrylthiophene derivative (fluorescence peak wavelength: 550 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0067】[0067]

【化16】 Embedded image

【0068】実施例13 ホスト材料として5,5”−ビス{4−[ビス(4−メ
チルフェニル)アミノ]フェニル}−2,2’:5’,
2”−ターチオフェン(蛍光ピーク波長570nm)を
用いる以外は実施例1と同様にして発光素子を作製し
た。この発光素子の発光ピーク波長は610nmであ
り、綺麗な赤色発光を示した。
Example 13 As a host material, 5,5 ″ -bis {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} -2,2 ′: 5 ′,
A light-emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that 2 ″ -terthiophene (fluorescence peak wavelength: 570 nm) was used, and the light-emitting peak wavelength of this light-emitting device was 610 nm, and it emitted beautiful red light.

【0069】実施例14 ホスト材料として1,1−ジメチル−2,5−ビス(5
−t−ブチルジフェニルシリル−2−チエニル)−3,
4−ジフェニルシラシクロペンタジエン(蛍光ピーク波
長551nm)を用いる以外は実施例1と同様にして発
光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は6
10nmであり、綺麗な赤色発光を示した。
Example 14 1,1-dimethyl-2,5-bis (5
-T-butyldiphenylsilyl-2-thienyl) -3,
A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that 4-diphenylsilacyclopentadiene (fluorescence peak wavelength: 551 nm) was used. The emission peak wavelength of this light emitting device is 6
It was 10 nm and showed a beautiful red emission.

【0070】実施例15 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を
30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって
300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のスト
ライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.
27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてあ
る。得られた基板をアセトン、”セミコクリン56”で
各々15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。
続いてイソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄し
てから熱メタノールに15分間浸漬させて乾燥させた。
この基板を素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処
理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5
×10-4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によ
って、まずN,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メ
チルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジ
アミン(TPD)を100nm蒸着した。次にホスト材
料としてトリス(5,7−ビス(4−フルオロフェニ
ル)−8−キノリノラト)アルミニウム錯体を、ドーパ
ント材料としてD1を用いて、ドーパントが1wt%に
なるように50nmの厚さに共蒸着し、ホスト材料を5
0nmの厚さに積層した。次に厚さ50μmのコバール
板にウエットエッチングによって16本の250μmの
開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)を
設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交する
ようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着するよ
うに裏面から磁石で固定した。そしてマグネシウムを5
0nm、アルミニウムを150nm蒸着して32×16
ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス
駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
Example 15 A glass substrate (available from Asahi Glass Co., Ltd., 15 Ω / □, electron beam deposited) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm was cut into 30 × 40 mm, and a 300 μm pitch (remaining width of 270 μm) was obtained by photolithography. ) X 32 stripes were patterned. One side of the long side of the ITO stripe is used to facilitate electrical connection with the outside.
It is expanded to a pitch of 27 mm (opening width 800 μm). The obtained substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone and "Semicocline 56" for 15 minutes each, and then with ultrapure water.
Subsequently, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 15 minutes, immersed in hot methanol for 15 minutes, and dried.
This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before the device was manufactured, and was placed in a vacuum evaporation apparatus.
Evacuation was performed until the pressure became × 10 −4 Pa or less. First, 100 nm of N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (TPD) was deposited by a resistance heating method. Next, tris (5,7-bis (4-fluorophenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex is used as a host material, and D1 is used as a dopant material. And change the host material to 5
It was laminated to a thickness of 0 nm. Next, a mask provided with 16 openings of 250 μm (corresponding to a remaining width of 50 μm and a pitch of 300 μm) provided on a 50 μm-thick Kovar plate by wet etching is exchanged in a vacuum so as to be orthogonal to the ITO stripes. It was fixed with a magnet from the back so that the and the ITO substrate were in close contact. And 5 of magnesium
0 nm, 150 nm of aluminum is evaporated to 32 × 16
A dot matrix device was manufactured. When this device was driven in a matrix, characters could be displayed without crosstalk.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率が
高く、色純度に優れた赤色発光素子を提供できるもので
ある。
According to the present invention, it is possible to provide a red light emitting device having high utilization efficiency of electric energy and excellent color purity.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 471/04 120 C07D 471/04 120 471/06 471/06 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB04 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 4C023 CA04 4C065 AA01 AA03 AA05 BB06 BB12 CC01 CC09 DD02 DD03 EE02 HH01 JJ01 JJ04 KK01 KK05 LL01 PP01 PP05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C07D 471/04 120 C07D 471/04 120 471/06 471/06 F term (Reference) 3K007 AB03 AB04 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00 4C023 CA04 4C065 AA01 AA03 AA05 BB06 BB12 CC01 CC09 DD02 DD03 EE02 HH01 JJ01 JJ04 KK01 KK05 LL01 PP01 PP05

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーによりピーク波長が580nm以上720n
m以下に発光する素子であって、該素子は少なくとも蛍
光ピーク波長が540nm以上720nm以下の蛍光化
合物と縮合環誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
1. A luminescent substance exists between an anode and a cathode, and a peak wavelength of 580 nm or more and 720 n is determined by electric energy.
m, wherein the device contains at least a fluorescent compound having a fluorescent peak wavelength of 540 nm to 720 nm and a condensed ring derivative.
【請求項2】前記縮合環誘導体が下記一般式(1)で表
されることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 【化1】 (ここで、R1〜R16は、水素、アルキル、アルコキ
シ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケニル、ア
リールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボ
ニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基と
の間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは複素環の縮
合環の中から選ばれる。)
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the fused ring derivative is represented by the following general formula (1). Embedded image (Where R 1 to R 16 are hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocyclic, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, It is selected from aromatic, aliphatic and heterocyclic condensed rings to be formed.)
【請求項3】前記縮合環誘導体が下記一般式(2)で表
されることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 【化2】 (ここで、R17〜R32は、水素、アルキル、アルコキ
シ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケニル、ア
リールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボ
ニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基と
の間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは複素環の縮
合環の中から選ばれる。)
3. The light emitting device according to claim 1, wherein the fused ring derivative is represented by the following general formula (2). Embedded image (Where R 17 to R 32 are hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocyclic, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, It is selected from aromatic, aliphatic and heterocyclic condensed rings to be formed.)
【請求項4】前記縮合環誘導体が下記一般式(3)で表
されることを特徴とする請求項1記載の発光素子。 【化3】 (ここで、R33〜R46は、水素、アルキル、アルコキ
シ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケニル、ア
リールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボ
ニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基と
の間に形成される芳香族、脂肪族、あるいは複素環の縮
合環の中から選ばれる。)
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the fused ring derivative is represented by the following general formula (3). Embedded image (Where R 33 to R 46 are hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocyclic, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, It is selected from aromatic, aliphatic and heterocyclic condensed rings to be formed.)
【請求項5】前記縮合環誘導体において、縮合環誘導体
の基本骨格に、ビニル基、芳香環、複素環の少なくとも
一つが置換基として導入されているか、縮合されてい
る、あるいは縮合環誘導体の基本骨格に含まれる環構造
が複素環に置換されている、うちの少なくとも一つが行
われていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
5. The condensed ring derivative according to claim 1, wherein at least one of a vinyl group, an aromatic ring and a heterocyclic ring is introduced as a substituent into the basic skeleton of the condensed ring derivative. 2. The light-emitting device according to claim 1, wherein at least one of the ring structure contained in the skeleton is substituted with a heterocyclic ring.
【請求項6】前記蛍光化合物において、蛍光化合物の基
本骨格に、ビニル基、芳香環、複素環の少なくとも一つ
が置換基として導入されているか、縮合されている、あ
るいは蛍光化合物の基本骨格に含まれる環構造が複素環
に置換されている、うちの少なくとも一つが行われてい
ることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
6. The fluorescent compound, wherein at least one of a vinyl group, an aromatic ring, and a heterocyclic ring is introduced as a substituent into the basic skeleton of the fluorescent compound, is condensed, or is included in the basic skeleton of the fluorescent compound. The light-emitting device according to claim 1, wherein at least one of the ring structures substituted by a heterocyclic ring is performed.
【請求項7】前記縮合環誘導体がドーパント材料である
ことを特徴とする請求項1記載の発光素子。
7. The light emitting device according to claim 1, wherein said fused ring derivative is a dopant material.
【請求項8】マトリクスおよび/またはセグメント方式
によって表示するディスプレイであることを特徴とする
請求項1記載の発光素子。
8. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is a display for displaying by a matrix and / or segment method.
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