JP2001337438A - Method for adjusting phase contrast of phase shift mask - Google Patents
Method for adjusting phase contrast of phase shift maskInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する
露光光に位相差を与えることにより、転写パターンの解
像度を向上できるようにした位相シフトマスクの位相差
を調整する方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for adjusting the phase difference of a phase shift mask capable of improving the resolution of a transfer pattern by giving a phase difference to exposure light passing through the mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ウェハ上により解像性の良いパタ
ーンを転写する手法として、位相シフト法が用いられて
いる。ここで、空気の屈折率を１、位相シフタ膜の屈折
率をｎ、露光に用いられる光の波長をλとすると、前記
位相シフタ膜の膜厚ｄと前記位相シフタ膜を透過した光
の位相シフト量φ（すなわち、透明基板のみを透過する
露光光の位相と透明基板と位相シフタ膜を透過する露光
光の位相差）との間には次の関係が成立する。 ｄ＝φ・λ／（２π・（ｎ−１））・・・・・・・・（１） そして、解像度向上という観点からは理論上、位相シフ
ト量φはπ（１８０゜）であることが必要であり、実用
上も高い解像度を得るためには、位相シフト量が１８０
゜±８゜以内に入ることが求められており、従来技術で
は（１）式に従って、位相シフタ膜を成膜する際に、膜
厚ｄを制御することで実現が図られている。2. Description of the Related Art In recent years, a phase shift method has been used as a technique for transferring a pattern having better resolution on a wafer. Here, assuming that the refractive index of air is 1, the refractive index of the phase shifter film is n, and the wavelength of light used for exposure is λ, the film thickness d of the phase shifter film and the phase of light transmitted through the phase shifter film The following relationship is established between the shift amount φ (that is, the phase of the exposure light transmitted only through the transparent substrate and the phase difference between the exposure light transmitted through the transparent substrate and the phase shifter film). d = φ · λ / (2π · (n−1)) (1) From the viewpoint of improving the resolution, the phase shift φ is theoretically π (180 °). In order to obtain a practically high resolution, the phase shift amount must be 180
It is required to fall within {± 8}, and in the prior art, the realization is achieved by controlling the film thickness d when forming the phase shifter film according to the equation (1).
【０００３】しかしながら、位相シフト量φを１８０゜
±８゜以内とするためには、位相シフタ膜の膜厚ｄを±
４．４％以内の精度で成膜する必要がある。かかる成膜
精度は量産に用いられるフォトマスクブランクス製造装
置を使用した場合には達成が困難である。また、位相シ
フタ膜の膜質は、成膜条件の管理限界以下の微妙な条件
の相違によって変動し、これにより位相シフタ膜の屈折
率ｎも変動する場合があり、この点でも位相シフト量φ
を精度よく再現することは困難であった。特に従来は、
既に回路パターンが形成された位相シフトマスクについ
ては、その位相差を調整することが困難であった。However, in order to keep the phase shift amount φ within 180 ° ± 8 °, the thickness d of the phase shifter film must be ±
It is necessary to form a film with an accuracy within 4.4%. Such film formation accuracy is difficult to achieve when using a photomask blank manufacturing apparatus used for mass production. In addition, the film quality of the phase shifter film fluctuates due to subtle differences in conditions below the control limit of the film forming conditions, which may cause the refractive index n of the phase shifter film to fluctuate.
It was difficult to reproduce with high accuracy. Especially in the past,
It has been difficult to adjust the phase difference of a phase shift mask on which a circuit pattern has already been formed.
【０００４】パターンが形成された位相シフトマスクの
位相差が所望の位相差の許容範囲からはずれている場合
に、位相差を許容範囲内に収めるように調整する方法と
しては、従来は下記の方法が用いられていた。すなわ
ち、位相シフトマスクの上に再度レジストを塗布した
後、電子線等により露光、現像処理して、レジストの所
定位置に開口部を形成し、開口部から露出する透明基板
あるいは位相シフタ膜を所定の探さだけエッチング（ド
ライエッチングあるいはウェットエッチング）すること
により、位相差を調整するという方法である。[0004] When the phase difference of a phase shift mask on which a pattern is formed is out of an allowable range of a desired phase difference, a method for adjusting the phase difference so as to fall within the allowable range is conventionally described as follows. Was used. That is, after the resist is applied again on the phase shift mask, the resist is exposed and developed by an electron beam or the like, an opening is formed at a predetermined position of the resist, and a transparent substrate or a phase shifter film exposed from the opening is formed. (Dry etching or wet etching) to adjust the phase difference.
【０００５】しかしながら、この方法では、位相差を調
整するに要する工程が多く、時間と労力を必要とし、さ
らに、通常のフォトマスク製造工程に使用される装置や
材料を必要とするので、多大な費用を要するという問題
点がある。この問題点を解消することができないため
に、従来は、位相差を調整することのできない位相シフ
トマスクを廃棄処分にして、位相シフトマスクを最初か
ら作成し直さざるを得ないのが実状であった。However, this method requires a large number of steps for adjusting the phase difference, requires time and labor, and requires equipment and materials used in a normal photomask manufacturing process. There is a problem that costs are required. Conventionally, since this problem cannot be solved, the phase shift mask whose phase difference cannot be adjusted must be discarded and the phase shift mask must be recreated from the beginning. Was.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点に鑑み考案されたもので、位相シフトマスクに使用さ
れる材料（透明基板及び位相シフタ膜）及びエッチング
薬液を適宜選定することにより、位相シフトマスクの位
相差を精度良く調整する方法を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and is achieved by appropriately selecting materials (transparent substrate and phase shifter film) and an etching solution used for a phase shift mask. It is another object of the present invention to provide a method for accurately adjusting the phase difference of a phase shift mask.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するため、まず請求項１においては、透明基板上
に露光光の位相を反転する位相シフタ膜が形成されてな
る位相シフトマスクについて、前記透明基板のみを透過
する前記露光光の位相と、前記透明基板と前記位相シフ
タ膜を透過する前記露光光の位相の差（以下、簡略して
位相差という）を調整することを目的とする位相シフト
マスクの位相差の調整方法において、前記位相シフトマ
スクを薬液に浸漬して、前記透明基板あるいは／および
前記位相シフタ膜（透明基板と位相シフタ膜の両者ある
いは少なくともいずれか一方）をエッチングすることに
より位相差を調整することを特徴とする位相シフトマス
クの位相差の調整方法としたものである。この位相シフ
トマスクの位相差の調整方法によれば、通常のフォトマ
スク製造工程に使用される装置や材料を必要とせずに、
最小限の時間と労力だけで、簡便に位相シフトマスクの
位相差を調整することができる。In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, a first aspect of the present invention is a phase shift mask in which a phase shifter film for inverting the phase of exposure light is formed on a transparent substrate. The object of the present invention is to adjust a difference between the phase of the exposure light transmitted only through the transparent substrate and the phase of the exposure light transmitted through the transparent substrate and the phase shifter film (hereinafter simply referred to as a phase difference). In the method for adjusting the phase difference of the phase shift mask, the phase shift mask is immersed in a chemical solution, and the transparent substrate and / or the phase shifter film (both or both of the transparent substrate and the phase shifter film) are removed. This is a method for adjusting the phase difference of a phase shift mask, wherein the phase difference is adjusted by etching. According to the method for adjusting the phase difference of the phase shift mask, the apparatus and materials used in a normal photomask manufacturing process are not required,
The phase difference of the phase shift mask can be easily adjusted with the minimum time and effort.
【０００８】また、請求項２においては、前記透明基板
が合成石英ガラスであることを特徴とする請求項１に記
載の位相シフトマスクの位相差の調整方法としたもので
ある。この位相シフトマスクの位相差の調整方法によれ
ば、位相シフトマスクを構成する透明基板として、一般
的に用いられる合成石英ガラスを使用する場合に、簡便
に位相シフトマスクの位相差を調整することができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided the method for adjusting a phase difference of a phase shift mask according to the first aspect, wherein the transparent substrate is made of synthetic quartz glass. According to the method for adjusting the phase difference of the phase shift mask, the phase difference of the phase shift mask can be easily adjusted when a commonly used synthetic quartz glass is used as the transparent substrate constituting the phase shift mask. Can be.
【０００９】また、請求項３においては、前記位相シフ
タ膜がモリブデンシリサイドの酸化物およびモリブデン
シリサイドの酸化窒化物からなる群より選択される少な
くとも１種類の材料からなることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の位相シフトマスクの位相差の調
整方法としたものである。この位相シフトマスクの位相
差の調整方法によれば、位相シフタ膜のパターンの配置
に制限がないことに利点のあるハーフトーン型位相シフ
トマスクの半透明位相シフタ膜（ハーフトーン膜）とし
て、モリブデンシリサイドの酸化物およびモリブデンシ
リサイドの酸化窒化物を使用する場合に、簡便に位相シ
フトマスクの位相差を調整することができる。According to a third aspect of the present invention, the phase shifter film is made of at least one material selected from the group consisting of molybdenum silicide oxide and molybdenum silicide oxynitride.
Alternatively, a method for adjusting a phase difference of the phase shift mask according to the second aspect is provided. According to the method for adjusting the phase difference of the phase shift mask, molybdenum is used as a translucent phase shifter film (halftone film) of a halftone type phase shift mask which is advantageous in that there is no restriction on the arrangement of the pattern of the phase shifter film. When an oxide of silicide and an oxynitride of molybdenum silicide are used, the phase difference of the phase shift mask can be easily adjusted.
【００１０】また、請求項４においては、前記薬液が強
アルカリの水溶液であることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の位相シフトマスクの位相差の
調整方法としたものである。この位相シフトマスクの位
相差の調整方法によれば、一般的に使用される強アルカ
リの水溶液を使用することにより、簡便に位相シフトマ
スクの位相差を調整することができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the method for adjusting a phase difference of a phase shift mask according to any one of the first to third aspects, the chemical solution is an aqueous solution of a strong alkali. It is. According to this method of adjusting the phase difference of the phase shift mask, the phase difference of the phase shift mask can be easily adjusted by using a generally used aqueous solution of a strong alkali.
【００１１】さらにまた、請求項５においては、前記強
アルカリの水溶液がアルカリ金属の水酸化物の水溶液で
あることを特徴とする請求項４に記載の位相シフトマス
クの位相差の調整方法としたものである。Further, in the present invention, the aqueous solution of a strong alkali is an aqueous solution of a hydroxide of an alkali metal. Things.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明に係る位相差の調整方法が適用される位
相シフトマスクとしては、透明基板と位相シフタ膜が合
成石英ガラスとモリブデンシリサイドの酸化物あるいは
モリブデンシリサイドの酸化窒化物の組み合わせからな
るものである。すなわち、パターン状の遮光膜を有す
る、いわゆるレベンソン型位相シフトマスクにも適用さ
れ得るし、また、遮光膜を有しない、いわゆる透過型位
相シフトマスクやハーフトーン型位相シフトマスクにも
適用することができる。Embodiments of the present invention will be described below. In the phase shift mask to which the phase difference adjusting method according to the present invention is applied, the transparent substrate and the phase shifter film are made of a combination of synthetic quartz glass and molybdenum silicide oxide or molybdenum silicide oxynitride. That is, the present invention can be applied to a so-called Levenson-type phase shift mask having a pattern-like light-shielding film, and can also be applied to a so-called transmission-type phase shift mask or a halftone-type phase shift mask without a light-shielding film. it can.
【００１３】透明基板としては、通常の遮光マスクや位
相シフトマスクの透明基板として用いられる合成石英ガ
ラスである。位相シフタ膜としては、一般に透明な位相
シフタ材料である二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）や半透明の
位相シフタ材料であるクロムの酸化物、クロムの酸化窒
化物、クロムの酸化窒化炭化物、モリブデンシリサイド
の酸化物、モリブデンシリサイドの酸化窒化物、タング
ステンシリサイドの酸化物、タングステンシリサイドの
酸化窒化物、タンタルシリサイドの酸化物、タンタルシ
リサイドの酸化窒化物等が用いられているが、その中で
もモリブデンシリサイドの酸化物及びモリブデンシリサ
イドの酸化窒化物が顕著な効果を有する。The transparent substrate is a synthetic quartz glass used as a transparent substrate of an ordinary light shielding mask or a phase shift mask. The phase shifter film is generally made of a transparent phase shifter material such as silicon dioxide (SiO 2 ) or a translucent phase shifter material such as chromium oxide, chromium oxynitride, chromium oxynitride carbide, and molybdenum silicide oxidation. Materials, molybdenum silicide oxynitride, tungsten silicide oxide, tungsten silicide oxynitride, tantalum silicide oxide, tantalum silicide oxynitride, etc. Molybdenum silicide oxynitride has a remarkable effect.
【００１４】薬液としては、透明基板である合成石英ガ
ラスあるいは／および位相シフタ膜（モリブデンシリサ
イドの酸化物及びモリブデンシリサイドの酸化窒化物）
をエッチングできるもので、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等の強アルカリの水溶液が用いられる。As the chemical, synthetic quartz glass or / and a phase shifter film (molybdenum silicide oxide and molybdenum silicide oxynitride) as a transparent substrate are used.
And an aqueous solution of a strong alkali such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is used.
【００１５】[0015]
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。 ＜実施例１＞合成石英ガラス（ＳｉＯ2）からなる透明
基板の上に、モリブデンシリサイドの酸化窒化物（Ｍｏ
ＳｉＮＯ）からなる半透明位相シフタ層（ハーフトーン
位相シフタ層）を設けた位相シフトマスクブランクスを
作成し、常法のリソグラフイ技術（レジスト塗布、電子
線等のエネルギー線の部分的な露光、現像、半透明位相
シフタ層のエッチング、レジスト剥膜）により、ハーフ
トーン型位相シフトマスク１０を作成した。図１に、ハ
ーフトーン型位相シフトマスク１０の部分断面図を示
す。１１は透明基板（合成石英ガラス基板）、１２は位
相シフタ膜（半透明位相シフタ膜）である。The present invention will be described in detail with reference to the following examples. Example 1 An oxynitride of molybdenum silicide (Mo) was placed on a transparent substrate made of synthetic quartz glass (SiO 2 ).
A phase shift mask blank provided with a translucent phase shifter layer (halftone phase shifter layer) made of SiNO) is prepared, and a conventional lithography technique (resist coating, partial exposure and development of energy rays such as electron beams) is performed. , Semi-transparent phase shifter layer etching, resist stripping) to produce a halftone phase shift mask 10. FIG. 1 shows a partial cross-sectional view of a halftone type phase shift mask 10. Reference numeral 11 denotes a transparent substrate (synthetic quartz glass substrate), and reference numeral 12 denotes a phase shifter film (semi-transparent phase shifter film).
【００１６】このハーフトーン型位相シフトマスク１０
について、露光光として波長３６５ｎｍのｉ線を用い
て、透明基板のみを透過した前記露光光の位相と、透明
基板と位相シフタ膜を透過した前記露光光の位相差を測
定したところ、１６６．７６゜であった。この状態で
は、位相差が１８０゜±８゜の範囲から小さい方にずれ
ているために、位相シフトマスクとして実用上、満足な
解像度を得ることができない。This halftone type phase shift mask 10
With respect to the above, the phase difference between the exposure light transmitted through only the transparent substrate and the phase difference between the exposure light transmitted through the transparent substrate and the phase shifter film was measured using an i-ray having a wavelength of 365 nm as the exposure light. Was ゜. In this state, since the phase difference deviates from the range of 180 ° ± 8 ° to the smaller side, a satisfactory resolution cannot be obtained practically as a phase shift mask.
【００１７】そこで、エッチング薬液として水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）の水溶液を用い、このハーフトーン型位
相シフトマスクをエッチング薬液に浸漬して、透明基板
と位相シフタ膜をエッチングした。処理条件としては、
エッチング薬液の温度を６０℃で一定とし、浸漬時間を
１０分で一定とし、エッチング薬液に含まれる水酸化カ
リウムの濃度を１５％、２０％、３３％、４０％と変化
させた。この各々の処理条件の場合について、浸漬後の
位相差を、浸漬前と同様に測定した結果を表１に示す。Therefore, an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) was used as an etching solution, and this halftone phase shift mask was immersed in the etching solution to etch the transparent substrate and the phase shifter film. As processing conditions,
The temperature of the etching chemical was kept constant at 60 ° C., the immersion time was kept constant at 10 minutes, and the concentration of potassium hydroxide contained in the etching chemical was changed to 15%, 20%, 33% and 40%. Table 1 shows the results of measuring the phase difference after immersion in the same manner as before the immersion under the respective treatment conditions.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】表１に示すように、エッチング薬液に含ま
れる水酸化カリウムの濃度が約３５％の場合を境にし
て、３５％より小さい場合には位相差が減少し、３５％
より大きい場合には位相差が増加した。この理由は、水
酸化カリウムの濃度が３５％より小さい場合には、位相
シフタ膜のエッチングレート（エッチング速度）が透明
基板のエッチングレートより大きいので、位相シフタ膜
のエッチング量が透明基板のエッチング量より大きくな
り（図２参照）、水酸化カリウムの濃度が３５％より大
きい場合には、透明基板のエッチングレートが位相シフ
タ膜のエッチングレートより大きいので、透明基板のエ
ッチング量が位相シフタ膜のエッチング量より大きくな
るためである（図３参照）。As shown in Table 1, when the concentration of potassium hydroxide contained in the etching solution is about 35%, the phase difference decreases when the concentration is less than 35%, and the phase difference decreases by 35%.
When it was larger, the phase difference increased. The reason is that when the concentration of potassium hydroxide is lower than 35%, the etching rate (etching rate) of the phase shifter film is higher than the etching rate of the transparent substrate. When the concentration of potassium hydroxide is larger than 35%, the etching rate of the transparent substrate is larger than that of the phase shifter film. This is because it becomes larger than the amount (see FIG. 3).
【００２０】その結果、エッチング薬液に含まれる水酸
化カリウムの濃度が１５％、２０％、３３％の場合に
は、浸漬処理後の位相シフトマスクは依然として、実用
上、満足な解像度を得ることができなかったが、エッチ
ング薬液に含まれる水酸化カリウムの濃度が４０％の場
合には、浸漬処理後の位相シフトマスクは、実用上、満
足な解像度を得ることができるようになった。なお、逆
に、位相シフトマスクの位相差が１８０゜±８゜の範囲
から大きい方にはずれている場合には、水酸化カリウム
の濃度が３５％より小さいエッチング薬液に浸漬するこ
とにより、位相差を１８０゜±８゜の範囲内に収めるこ
とができる。As a result, when the concentration of potassium hydroxide contained in the etching chemical is 15%, 20% or 33%, the phase shift mask after the immersion treatment can still obtain a practically satisfactory resolution. Although it was not possible, when the concentration of potassium hydroxide contained in the etching chemical was 40%, the phase shift mask after the immersion treatment could obtain a practically satisfactory resolution. Conversely, when the phase difference of the phase shift mask is deviated from the range of 180 ° ± 8 ° to a larger value, the phase shift mask is immersed in an etching solution having a concentration of potassium hydroxide smaller than 35% to obtain the phase difference. In the range of 180 ° ± 8 °.
【００２１】＜実施例２＞実施例１と同様のハーフトー
ン型位相シフトマスク１０を用いて、エッチング薬液と
して水酸化カリウムの水溶液を用い、このハーフトーン
型位相シフトマスクをエッチング薬液に浸漬して、透明
基板と位相シフタ膜をエッチングした。処理条件として
は、エッチング薬液に含まれる水酸化カリウムの濃度を
４０％、浸漬時間を１０分で一定とし、エッチング薬液
の温度を４５℃、６０℃と変化させた。この各々の処理
条件の場合について、浸漬後の位相差を、浸漬前と同様
に測定した結果を表２に示す。<Embodiment 2> Using the same halftone type phase shift mask 10 as in Example 1, an aqueous solution of potassium hydroxide is used as an etching solution, and this halftone type phase shift mask is immersed in the etching solution. Then, the transparent substrate and the phase shifter film were etched. The processing conditions were such that the concentration of potassium hydroxide contained in the etching chemical was constant at 40%, the immersion time was constant at 10 minutes, and the temperature of the etching chemical was changed to 45 ° C. and 60 ° C. Table 2 shows the results of measuring the phase difference after immersion in the same manner as before the immersion under the respective treatment conditions.
【００２２】[0022]
【表２】 [Table 2]
【００２３】表２に示すように、エッチング薬液の温度
が高くなるはど位相差が増加する傾向が認められた。こ
の理由は、エッチング薬液の温度が高くなるはど、透明
基板のエッチングレートが位相シフタ膜のエッチングレ
ートより大きくなるためである。その結果、エッチング
薬液の温度が４５℃の場合には、浸漬処理後の位相シフ
トマスクは依然として、実用上、満足な解像度を得るこ
とができなかったが、エッチング薬液の温度が６０℃の
場合には、浸漬処理後の位相シフトマスクは、実用上、
満足な解像度を得ることができる。As shown in Table 2, a tendency was observed that the phase difference increased as the temperature of the etching solution increased. The reason for this is that although the temperature of the etching chemical increases, the etching rate of the transparent substrate becomes higher than the etching rate of the phase shifter film. As a result, when the temperature of the etching chemical was 45 ° C., the phase shift mask after the immersion treatment could not yet obtain a practically satisfactory resolution, but when the temperature of the etching chemical was 60 ° C. The phase shift mask after immersion processing is practically
A satisfactory resolution can be obtained.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明の位相シフトマスクの位相差の調
整方法を用いることにより、位相シフトマスクの位相差
を所望の値に簡易に精度良く調整することができ、実用
上、満足な解像度を得ることができる位相シフトマスク
が得られる。By using the method for adjusting the phase difference of the phase shift mask of the present invention, the phase difference of the phase shift mask can be easily and accurately adjusted to a desired value, and a practically satisfactory resolution can be obtained. A phase shift mask that can be obtained is obtained.
【図１】本発明に係る位相差の調整方法が適用される位
相シフトマスクの一例を示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of a phase shift mask to which a phase difference adjusting method according to the present invention is applied.
【図２】本発明に係る位相差の調整方法により、位相シ
フタ膜のエッチング量が透明基板のエッチング量より大
きくなるように処理された位相シフトマスクの一例を示
す部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing an example of a phase shift mask processed so that an etching amount of a phase shifter film becomes larger than an etching amount of a transparent substrate by a phase difference adjusting method according to the present invention.
【図３】本発明に係る位相差の調整方法により、透明基
板のエッチング量が位相シフタ膜のエッチング量より大
きくなるように処理された位相シフトマスクの一例を示
す部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing an example of a phase shift mask processed so that the amount of etching of a transparent substrate is larger than the amount of etching of a phase shifter film by a method for adjusting a phase difference according to the present invention.
１０、２０、３０……位相シフトマスク １１、２１、３１……透明基板 １２、２２、３２……位相シフタ膜 10, 20, 30 ... Phase shift mask 11, 21, 31 ... Transparent substrate 12, 22, 32 ... Phase shifter film
Claims (5)
シフタ膜が形成されてなる位相シフトマスクについて、
前記透明基板のみを透過する前記露光光の位相と、透明
基板と位相シフタ膜を透過する前記露光光の位相の差
（以下、簡略して位相差という）を調整することを目的
とする位相シフトマスクの位相差の調整方法において、
前記位相シフトマスクを薬液に浸漬して、前記透明基板
あるいは／および前記位相シフタ膜（透明基板と位相シ
フタ膜の両者あるいは少なくともいずれか一方）をエッ
チングすることにより位相差を調整することを特徴とす
る位相シフトマスクの位相差の調整方法。1. A phase shift mask in which a phase shifter film for inverting the phase of exposure light is formed on a transparent substrate.
A phase shift for adjusting a difference between a phase of the exposure light transmitted only through the transparent substrate and a phase of the exposure light transmitted through the transparent substrate and the phase shifter film (hereinafter simply referred to as a phase difference). In the method of adjusting the phase difference of the mask,
The phase difference is adjusted by immersing the phase shift mask in a chemical solution and etching the transparent substrate and / or the phase shifter film (both or at least one of the transparent substrate and the phase shifter film). Of adjusting the phase difference of the phase shift mask to be used.
を特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスクの位相
差の調整方法。2. The method according to claim 1, wherein the transparent substrate is made of synthetic quartz glass.
の酸化物およびモリブデンシリサイドの酸化窒化物から
なる群より選択される少なくとも１種類の材料からなる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の位相
シフトマスクの位相差の調整方法。3. The phase shifter film according to claim 1, wherein said phase shifter film is made of at least one material selected from the group consisting of molybdenum silicide oxide and molybdenum silicide oxynitride. Adjustment method of the phase difference of the phase shift mask.
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位
相シフトマスクの位相差の調整方法。4. The method for adjusting a phase difference of a phase shift mask according to claim 1, wherein the chemical solution is an aqueous solution of a strong alkali.
水酸化物の水溶液であることを特徴とする請求項４に記
載の位相シフトマスクの位相差の調整方法。5. The method for adjusting the phase difference of a phase shift mask according to claim 4, wherein the aqueous solution of a strong alkali is an aqueous solution of a hydroxide of an alkali metal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156505A JP4654487B2 (en) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Method for manufacturing phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000156505A JP4654487B2 (en) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Method for manufacturing phase shift mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001337438A true JP2001337438A (en) | 2001-12-07 |
| JP4654487B2 JP4654487B2 (en) | 2011-03-23 |
Family
ID=18661291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000156505A Expired - Fee Related JP4654487B2 (en) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Method for manufacturing phase shift mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4654487B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006039525A (en) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Hoya Corp | Production method for mask blank-use translucent substrate, production method for mask blank, production method for exposing mask, production method for semiconductor device and production method for liquid crystal display unit, and method of correcting defect in exposing mask |
| JP2007279440A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | Halftone phase shift mask and its manufacturing method |
| JP2010256937A (en) * | 2004-06-22 | 2010-11-11 | Hoya Corp | Gray-tone mask blank, gray-tone mask and method of manufacturing the same |
| JP2012104751A (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Reflective mask manufacturing method |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07152142A (en) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | Phase shift mask |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000156505A patent/JP4654487B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8039178B2 (en) | 2004-06-22 | 2011-10-18 | Hoya Corporation | Manufacturing method of transparent substrate for mask blanks, manufacturing method of mask blanks, manufacturing method of exposure masks, manufacturing method of semiconductor devices, manufacturing method of liquid crystal display devices, and defect correction method of exposure masks |
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| JP2012104751A (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Reflective mask manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4654487B2 (en) | 2011-03-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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